JP2005353168A - メモリインターフェース回路及びメモリインターフェース方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 同一のLSIを用いて、タイプの異なるデータストローブ信号を使用するメモリデバイスを制御することができるメモリインターフェース回路を提供する。
【解決手段】 データストローブ信号によりデータの入出力を行うメモリデバイスを制御するメモリインターフェース回路において、データに対するデータストローブ信号の本数を指定するDQS_SEL信号により、データ入力時に入力するデータストローブ信号を選択するセレクタ群604と、このセレクタ群604によって選択されたデータストローブ信号をクロックとしてデータの取り込み処理を行うフリップフロップ回路群504とを備える。また、DQS_SEL信号により、データ出力時に出力するデータストローブ信号を選択すると共に、選択されないデータストローブ信号の出力をハイインピーダンス状態に制御するゲート回路部50を有する。
【選択図】 図1
【解決手段】 データストローブ信号によりデータの入出力を行うメモリデバイスを制御するメモリインターフェース回路において、データに対するデータストローブ信号の本数を指定するDQS_SEL信号により、データ入力時に入力するデータストローブ信号を選択するセレクタ群604と、このセレクタ群604によって選択されたデータストローブ信号をクロックとしてデータの取り込み処理を行うフリップフロップ回路群504とを備える。また、DQS_SEL信号により、データ出力時に出力するデータストローブ信号を選択すると共に、選択されないデータストローブ信号の出力をハイインピーダンス状態に制御するゲート回路部50を有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、データストローブ信号によりデータの入出力を行うメモリデバイスを制御するメモリインターフェース回路及びメモリインターフェース方法に関する。
近年、高バンド幅を実現するメモリデバイスにおいて、メモリに対するクロックとは別にデータに対してデータストローブ信号を定義し、データの入出力はデータストローブ信号により行われるDDR−SDRAM(Double Data Rate SDRAM)といったメモリデバイスが使用されている(例えば特許文献1を参照)。
このようなDDR−SDRAM等のメモリデバイスを制御するコントローラとメモリデバイスとの間では、次のようなデータ入出力動作が行われている。すなわち、コントローラからメモリデバイスへのデータ出力時には、コントローラ側において出力データに対して位相を遅らせたデータストローブ信号を遅延回路等で生成し、メモリデバイス側は、このデータストローブ信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジでデータの取り込みを行う。一方、コントローラへのデータ入力時においては、メモリデバイス側はデータと共にデータストローブ信号を出力し、コントローラ側は該データストローブ信号を遅延回路等により位相を遅延させて新たなデータストローブ信号を生成し、その立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジによってデータを取り込む。さらに、対応するデータごとのデータストローブ信号を定義することで、データとデータストローブ信号の相対的な関連によりデータの入出力を行うことが可能となっている。
しかしながら、メモリデバイスのターゲットとする用途により、データに対するデータストローブ信号の本数が異なる場合がある。一般に、コンピュータ等の、メモリ容量を多く必要とする製品群においては、メモリスロットに接続して使用するDDR−SDRAMの場合は、データ8ビットに対して1本のデータストローブ信号により制御を行うことが多い。これに対して、グラフィック用途等でボード上に直に搭載される小メモリ容量のメモリデバイスの場合は、データ32ビットに対して1本のデータストローブ信号により制御が行われるメモリデバイスもある。
さらに、メモリスロットに接続して使用するDDR−SDRAMは、複数のデバイスを使用してメモリデータバス幅を確保するのに対して、グラフィック用途で使用されるDDR−SDRAMは、デバイス自体のメモリデータバス幅が広く、少ないデバイス数でメモリデータバス幅を実現する。
DIMM(Dual Inline Memory Module)等に使用されるDDR−SDRAMのデバイスのデータバス幅は8ビットあるいは16ビットであり、例えば図6に示すシステムのように、そのデバイスを8個(あるいは4個)使用することで、LSI100とメモリデバイス101〜108とを接続する64ビットのデータバス幅を実現する。これに対して、グラフィック用途で使用されるDDR−SDRAMのデバイスのデータバス幅は32ビットであり、図7のシステムに示すように2つのデバイスを使用することで、LSI200とメモリデバイス201,202とを接続する64ビットのデータバス幅を実現している。
メモリ容量を多く必要とする製品群では、メモリスロットに接続するDIMMなどを用いて小さなデータバス幅のデバイスを複数使用することでデータバス幅を実現し、大容量のメモリシステムを可能にしている。一方、メモリ容量を多く必要としない製品群では、メモリデバイスのコストやボード面積自体を小さくすることが製品としてコスト面で有利であるため、より少ないメモリデバイス数でメモリデータバス幅を実現することが必要である。
一般に、用途によりメモリデバイスの使用形態が確定している場合は、そのメモリデバイスの使用形態に対応したメモリ制御回路によりメモリアクセスを行うことができる。したがって、メモリ容量を多く必要とするシステムにおいてはDIMM等に使用されるタイプのメモリデバイスに対する制御が必要であり、メモリ容量を多く必要としないシステムにおいてはグラフィック用途のメモリデバイスに対する制御が必要となり、それぞれにおいてデータとデータストローブ信号の本数並びに対応が異なっている。
DIMM等に使用されるDDR−SDRAMのメモリデバイスを制御する場合には、64ビットに対して8本のデータストローブ信号を必要とし、また、グラフィック用途をターゲットとしたDDR−SDRAMのメモリデバイスを制御する場合は、64ビットに対して2本のデータストローブ信号を必要とする。
特開2003−15953号公報
このようにDIMM等に使用されるDDR−SDRAMのメモリデバイスを制御する場合と、グラフィック用途に使用されるDDR−SDRAMのメモリデバイスを制御する場合とでは、データとデータストローブ信号の本数が異なるため、同一のインターフェース機構を使用することは困難であった。
例えば、64ビットのデータに対して8本のデータストローブ信号をLSIのインターフェースとして用意した場合において、グラフィック用途にDDR−SDRAMのメモリデバイスを使用するとき、2本のデータストローブ信号を8本で結合する構成をボード上で実現する必要がある。
すなわち、図8に示すように、LSI300とグラフィック用のDDR−SDRAMデバイス301,302との接続構成において、ボード上で、DDR−SDRAMデバイス301の端子DQSとLSI300の端子DQS0,DQS1,DQS2,DQS3とを共通接続すると共に、DDR−SDRAMデバイス302の端子DQSとLSI300の端子DQS4,DQS5,DQS6,DQS7とを共通接続することにより、2本のデータストローブ信号を8本で結合する構成がボード上で実現されている。
この図8の構成の場合、LSI300側からDDR−SDRAMデバイス301,302側への出力時は、DDR−SDRAMデバイス301,302側のデータストローブ信号用入力端子はハイインピーダンス状態であるが、LSI300側からの出力はそれぞれ4本が衝突する。4本の出力に関して論理的に駆動するタイミングを同一にしたとしても、LSI300内部の遅延やボード上の遅延等を考慮した場合に、あるデータストローブ信号が“High”レベルの状態のときに、あるデータストローブ信号が“Low”レベルの状態となるため、極性の異なる信号が衝突し耐久性等の問題を引き起こしてしまう。
また、DDR−SDRAMデバイス301,302側からLSI300側への入力時には、DDR−SDRAMデバイス301,302はデータとデータストローブ信号を同時に駆動するが、データに対してデータストローブ信号が4倍の負荷となるため、相対的な位相の保証が困難となり、またボード上の配線パターンの構成が複雑化する。
一方、64ビットのデータに対して2本のデータストローブ信号をLSIのインターフェースとして用意した場合において、通常のDIMMに使用される構成のDDR−SDRAMデバイスを使用するとき、上記の構成とは逆パターンで2本のデータストローブ信号を8本のデータストローブ信号に分配する構成をボード上で実現する必要がある。
すなわち、図9に示すように、LSI400と、DIMMに用いられるDDR−SDRAMデバイス401〜408との接続構成において、ボード上で、DDR−SDRAMデバイス401〜404の各端子DQSがLSI400の端子DQS1に共通接続すると共に、DDR−SDRAMデバイス405〜408の各端子DQSがLSI400の端子DQS0に共通接続することにより、2本のデータストローブ信号を8本のデータストローブ信号に分配する構成がボード上で実現されている。
この図9の構成の場合、LSI400側からDDR−SDRAMデバイス401〜408側への出力時に、2本のデータストローブ信号を8本のデータストローブ信号に分配するため、データとデータストローブ信号の負荷が異なるため相対的な位相の保証が困難となり、ボード上の配線パターンの構成が複雑化する。
上記の理由により、同一のLSIを用いて、タイプの異なるデータストローブ信号を用いたメモリデバイスを制御することは不可能であり、それぞれのメモリデバイスの応じたメモリインターフェース回路を必要としていた。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、同一のLSIを用いて、タイプの異なるデータストローブ信号を有するメモリデバイスを制御することができ、且つデータストローブ信号とデータの負荷を同一とすることでボード上のタイミング設計を容易にしたメモリインターフェース回路及びメモリインターフェース方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のメモリインターフェース回路は、データストローブ信号によりデータの入出力を行うメモリデバイスを制御するメモリインターフェース回路において、データに対するデータストローブ信号の本数を指定する指定情報に基づいて、データ入力時に入力するデータストローブ信号を選択する入力時選択手段と、前記入力時選択手段で選択されたデータストローブ信号に基づいてデータの取り込み処理を行うデータ取り込み手段とを有することを特徴とする。
本発明のメモリインターフェース方法は、データストローブ信号によりデータの入出力を行うメモリデバイスを制御するメモリインターフェース方法において、データに対するデータストローブ信号の本数を指定し、前記指定の結果に基づいて、データ入力時に入力するデータストローブ信号を選択し、前記選択されたデータストローブ信号に基づいてデータの取り込み処理を行うことを特徴とする。
本発明のメモリインターフェース方法は、データストローブ信号によりデータの入出力を行うメモリデバイスを制御するメモリインターフェース方法において、データに対するデータストローブ信号の本数を指定し、前記指定の結果に基づいて、データ出力時に出力するデータストローブ信号を選択すると共に、選択されないデータストローブ信号の出力をハイインピーダンス状態に制御することを特徴とする。
本発明によれば、同一のLSIを用いて、タイプの異なるデータストローブ信号を有するメモリデバイスを制御することが可能となる。
本発明のメモリインターフェース回路及びメモリインターフェース方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係るメモリインターフェース回路の構成を示す回路図であり、図2は、図1の構成におけるデータとデータストローブ信号の対応表を示す図である。また、図3は、本発明が適用される通常のメモリインターフェース回路の一構成例を示す回路図である。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るメモリインターフェース回路の構成を示す回路図であり、図2は、図1の構成におけるデータとデータストローブ信号の対応表を示す図である。また、図3は、本発明が適用される通常のメモリインターフェース回路の一構成例を示す回路図である。
<通常のメモリインターフェース回路の構成例>
まず図3を参照しつつ、本発明が適用される通常のメモリインターフェース回路の構成例について説明する。
まず図3を参照しつつ、本発明が適用される通常のメモリインターフェース回路の構成例について説明する。
図3に示すメモリインターフェース回路は、例えばLSI内部に設置されており、LSI外部のメモリデバイスである例えばDDR−SDRAMに対するアクセス制御を行うために64ビットデータバス幅に対して8本のデータストローブ信号を用いた回路構成であり、入出力回路部10、遅延回路部20、及びフリップフロップ回路部30を備えている。
入出力回路部10は、64ビットのデータDQ63−0が入出力する入出力回路11と、8本のデータストローブ信号が入出力する入出力回路12とで構成されている。入出力回路11は、DDR−SDRAM側から64ビットのデータDQ63−0を入力する入力バッファ11aと、DDR−SDRAM側へ64ビットのデータDQ63−0を出力する出力バッファ11bとで構成され、また、入出力回路12は、DDR−SDRAM側からの8本のデータストローブ信号DQS7〜DQS0をそれぞれ入力する8個の入力バッファ12aと、DDR−SDRAM側へ8本のデータストローブ信号DQS7〜DQS0をそれぞれ出力するための8個の出力バッファ11bとで構成されている。
ここで、各出力バッファ11b,12bは、制御信号によって出力状態が制御されるトライステートバッファ回路から成る。すなわち、出力バッファ11b及び出力バッファ12bはそれぞれ、後述するデータ出力制御信号DQOE及びデータストローブ出力制御信号DQSOEによって出力状態が制御され、本実施の形態では、例えば“High”レベルでデータを駆動し、“Low”レベルでハイインピーダンス状態となるものとする。
遅延回路部20は、8個の入力バッファ12aを介してそれぞれ入力されたデータストローブ信号DQS7〜DQS0をそれぞれ遅延する8個の遅延回路501と、データストローブ信号DQS_outを遅延する1個の遅延回路502で構成され、遅延回路502の出力側は、各出力バッファ12bの入力側に共通接続されている。
フリップフロップ回路部30は、入出力回路12における各出力バッファ12bの制御信号DQSOEを所定のタイミングで出力するフリップフロップ31と、入出力回路11における出力バッファ11bの制御信号DQOEを所定のタイミングで出力するフリップフロップ32と、DDR−SDRAMへ出力バッファ11bを介して送出する64ビットの出力データDQS_out63−0を所定のタイミングで出力するフリップフロップ33と、DDR−SDRAMから入力バッファ11aを介して入力する64ビットの入力データDQS_in63−0のうち、各々のデータストローブ信号DQS7〜DQS0に対応したデータを取り込む8個のフリップフロップ504とで構成されている。
ここで、入出力回路12の各入力バッファ12aを介して入力された8本のデータストローブ信号DQS7〜DQS0は、各遅延回路501によってそれぞれ遅延されて、それぞれ対応するデータを取り込むフリップフロップ504のクロック端子に入力されるようになっている。
各入力データと8本のデータストローブ信号との関係は、図2に示すように、データDQ63−56がデータストローブDQS7に対応し、データDQ55−48がデータストローブDQS6に対応している。さらに、データDQ47−40はデータストローブDQS5に対応し、データDQ39−32はデータストローブDQS4に、データDQ31−24はデータストローブDQS3に、データDQ23−16はデータストローブDQS2に、データDQ15−8はデータストローブDQS1に、データDQ7−0はデータストローブDQS0に、それぞれ対応している。
このような構成のメモリインターフェース回路によれば、64ビットのデータDQ_out63−0をDDR−SDRAMに対して出力する際は、データ出力制御信号DQOEを“High”レベルにして出力バッファ11bからデータDQ_out63−0をDDR−SDRAM側へ出力すると同時に、データストローブ出力制御信号DQSOEを“High”レベルにして8個の出力バッファ12bからそれぞれ、8個の遅延回路502によってデータストローブ信号DQS_outを遅延したデータストローブ信号DQS7〜DQS0をDDR−SDRAM側へ出力する。
また、DDR−SDRAM側から64ビットのデータDQ63−0を入力する際は、入力バッファ11aを介してデータDQ63−0を入力すると同時に、8個の入力バッファ12aを介してそれぞれデータストローブ信号DQS7〜DQS0を入力する。そして、データストローブ信号DQS7〜DQS0は、8個の遅延回路501によってそれぞれ遅延されて8個のフリップフロップ504のクロック端子に入力される。
その結果、入力バッファ11aを介して入力されるデータDQ63−0は、各データストローブ信号DQS7〜DQS0のクロックタイミングに従って、それぞれ入力データDQ_in63−56,DQ_in55−48,…,DQ_in7−0として分割されて対応するフリップフロップ504に取り込まれる。
<第1の実施の形態に係るメモリインターフェース回路>
次に、上述した通常のメモリインターフェース回路に本発明を適用した第1の実施の形態のメモリインターフェース回路について、図1を参照して説明する。なお、図1において、図3と共通の要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、上述した通常のメモリインターフェース回路に本発明を適用した第1の実施の形態のメモリインターフェース回路について、図1を参照して説明する。なお、図1において、図3と共通の要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
I.第1の実施の形態に係る構成
図1に示した第1の実施の形態に係るメモリインターフェース回路は、64ビットデータバス幅に対して、8本のデータストローブ信号を必要とするDDR−SDRAM、あるいは2本のデータストローブ信号を必要とするDDR−SDRAMを接続可能にした構成となっている。
図1に示した第1の実施の形態に係るメモリインターフェース回路は、64ビットデータバス幅に対して、8本のデータストローブ信号を必要とするDDR−SDRAM、あるいは2本のデータストローブ信号を必要とするDDR−SDRAMを接続可能にした構成となっている。
すなわち、本実施の形態に係るメモリインターフェース回路は、図3に示した通常のメモリインターフェース回路において、入出力回路部10の構成を変更し、さらに、セレクタ回路部40とゲート回路部50を設けた構成となっている。
具体的には、入出力回路部10には、2組のデータストローブ信号群DQS7〜DQS0とDQS2_1,DQS2_0とにそれぞれ対応するように入出力回路12A,12Bと入出力回路13,14とが配置されている。データストローブ信号群DQS7〜DQS0に対応して配置された入出力回路12A,12Bは、図3の構成の入出力回路12に相当する構成であり、また、データストローブ信号DQS2_1,DQS2_0に対応して配置された入出力回路13,14はそれぞれ、入力バッファ13a,14aと出力バッファ13b,14bで構成されている。
ここで、データストローブ信号群DQS7〜DQS0は、8本のデータストローブ信号を必要とするDDR−SDRAMに対応したデータストローブ信号であり、データストローブ信号群DQS2_1,DQS2_0は、2本のデータストローブ信号を必要とするDDR−SDRAMに対応したデータストローブ信号である。
各々のデータストローブ信号群DQS7〜DQS0とDQS2_1,DQS2_0は、図2に示す通りデータDQ63−0と対応している。すなわち、前述したようにデータストローブ信号群DQS7〜DQS0が8ビットデータストローブの項目でデータDQ63−0に対応し、また、データストローブ信号群DQS2_1,DQS2_0が2ビットデータストローブの項目で、それぞれデータDQ31−0,データDQ63−32に対応する。
セレクタ回路部40は、データストローブ信号DQS7〜DQS0にそれぞれ対応した8個のセレクタ604を備え、そのうちデータストローブ信号DQS7〜DQS4に対応する4個のセレクタ604は、入出力回路12Aにおける各出力バッファ12aのそれぞれの出力と入出力回路13の出力バッファ13aの出力とのいずれか一方を、バッファ15を介して入力されるデータストローブ選択信号DQS_SELに応じて選択するようになっている。
ここで、データストローブ選択信号DQS_SELは、データストローブ信号の本数を指定するための制御信号であり、LSI外部からの入力ポートで、使用するメモリデバイスのタイプに応じてディップスイッチ等で設定される。極性は任意であるが、本実施の形態においては、データストローブ選択信号DQS_SELの“High”レベル時にデータストローブ信号を2本必要とする構成とし、“Low”レベル時にデータストローブ信号を8本必要とする構成とする。
各セレクタ604は、データストローブ選択信号DQS_SELが“High”レベルの時に入出力回路13,14側のデータストローブ信号DQS2_1,DQS2_0を、“Low”レベルの時に入出力回路12A,12B側のデータストローブ信号DQS7〜DQS0を出力するように制御される。
また、ゲート回路部50は、データストローブ信号DQS_out用のゲート回路605と、データストローブ出力制御信号DQSOE用のゲート回路606とで構成されている。ゲート回路605は、インバータ61と2個のANDゲート62,63とより構成され、一方のANDゲート62は、遅延回路502を経たデータストローブ信号DQS_outの出力と、データストローブ選択信号DQS_SELにインバータ61を介した信号との論理積をとり、このANDゲート62の出力が入出力回路12A,12Bの各出力バッファ12bの入力となる。他方のANDゲート63は、遅延回路502を経たデータストローブ信号DQS_outの出力とデータストローブ選択信号DQS_SELとの論理積をとり、このANDゲート63の出力が入出力回路13,14のそれぞれの出力バッファ13bの入力となる。
さらに、ゲート回路606は、ゲート回路605と同一の回路構成となっており、ANDゲート62が入出力回路12A,12Bにおける出力バッファ12bの制御信号となり、ANDゲート63が入出力回路13,14の制御信号となる。
II.データ入力動作
DDR−SDRAM側のデータストローブ信号の本数が2本のときには、データストローブ選択信号DQS_SELが“High”レベルに設定される。その結果、各セレクタ604は、入出力回路13,14の出力バッファ13a,14a側からそれぞれ出力されるデータストローブ信号DQS2_1,DQS2_0のみを選択して遅延回路501へ出力する。
DDR−SDRAM側のデータストローブ信号の本数が2本のときには、データストローブ選択信号DQS_SELが“High”レベルに設定される。その結果、各セレクタ604は、入出力回路13,14の出力バッファ13a,14a側からそれぞれ出力されるデータストローブ信号DQS2_1,DQS2_0のみを選択して遅延回路501へ出力する。
一方、DDR−SDRAM側のデータストローブ信号の本数が8本のときは、データストローブ選択信号DQS_SELが“Low”レベルに設定され、各セレクタ604は、入出力回路12A,13Aの各出力バッファ12a側からそれぞれ出力されるデータストローブ信号DQS7〜DQS0のみを選択して遅延回路501へ出力する。
II.データ出力動作
DDR−SDRAM側のデータストローブ信号の本数が2本のときには、データストローブ選択信号DQS_SELが“High”レベルに設定され、データストローブ信号DQS_out用のゲート回路605と、データストローブ出力制御信号DQSOE用のゲート回路606に入力される。
DDR−SDRAM側のデータストローブ信号の本数が2本のときには、データストローブ選択信号DQS_SELが“High”レベルに設定され、データストローブ信号DQS_out用のゲート回路605と、データストローブ出力制御信号DQSOE用のゲート回路606に入力される。
ゲート回路605では、データストローブ選択信号DQS_SELが“High”レベルであるため、ANDゲート62の出力が“Low”レベルに固定される。つまり、データストローブ信号群DQS7〜DQS0用の入出力回路12A,12B側へのデータストローブ信号DQS_outの出力はゲートされ、データストローブ信号群DQS2_1,DQS2_0用の入出力回路13,14側へのみデータストローブ信号DQS_outがANDゲート63より出力される。
また、ゲート回路606でも、ゲート回路605と同様に、“High”レベルのデータストローブ選択信号DQS_SELによりANDゲート62の出力が“Low”レベルに固定される。そのため、データストローブ信号群DQS2_1,DQS2_0用の入出力回路13,14に対してのみデータストローブ出力制御信号DQSOEが駆動され、入出力回路12A,12Bの各出力バッファ12bの出力はハイインピーダンス状態に制御される。
一方、DDR−SDRAM側のデータストローブ信号の本数が8本のときは、データストローブ選択信号DQS_SELが“Low”レベルに設定されるので、上記のデータストローブ信号が2本のときとは論理が反対となり、ゲート回路605,606におけるANDゲート63の出力が“Low”レベルに固定される。その結果、データストローブ信号群DQS7〜DQS0用の入出力回路12A,12Bのみが駆動され、データストローブ信号群DQS2_1,DQS2_0用の入出力回路13,14における出力バッファ13b,14bの出力はハイインピーダンス状態に制御される。
このように本実施の形態のメモリインターフェース回路では、データストローブ信号の本数が異なるメモリデバイスを接続する場合においても、接続されるメモリデバイスに応じてデータストローブ信号を的確に送受信することができるので、データストローブ信号のボード上での衝突を回避することが可能になる。また、データストローブ信号とデータの負荷が同一になるように構成したので、ボード上のタイミング設計を容易とすることができる。これにより、同一のメモリインターフェース回路によって、タイプの異なるメモリデバイスを容易に制御することが可能になる。
[第2の実施の形態]
図4は、本発明の第2の実施形態に係るメモリインターフェース回路の構成を示す回路図であり、図5は、図4の構成におけるデータとデータストローブ信号の対応表を示す図である。なお、図4において、図1と共通の要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
図4は、本発明の第2の実施形態に係るメモリインターフェース回路の構成を示す回路図であり、図5は、図4の構成におけるデータとデータストローブ信号の対応表を示す図である。なお、図4において、図1と共通の要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
図4に示すメモリインターフェース回路は、64ビットに対して8本のデータストローブ信号を有すインターフェース回路であり、2本のデータストローブ信号を使用する時と8本のデータストローブ信号を使用する時で、データストローブ信号を一部共有するような構成となっている。すなわち、本構成例では、入出力回路12A,12Bにおいて、それぞれデータストローブ信号DQS4用及びDQS0用の入出力バッファ12a,12bは、データストローブ信号を2本使用するメモリデバイスを接続する場合と8本使用するメモリデバイスを接続する場合とで共用される。また、その他のデータストローブ信号DQS7〜DQS5用及びDQS3〜DQS1用の入出力バッファ12a,12bは、データストローブ信号を8本使用するメモリデバイスのみに使用される。
また、本実施の形態に係る、データDQ63−0と、8本使用時(8ビット)のデータストローブ信号DQS7〜DQS0と、2本使用時(2ビット)のデータストローブ信号DQS4,DQS0との対応に関しては図5に示す通りとなる。
本実施の形態の構成に関する図1の構成との相異について、以下、具体的に説明する。
データストローブ選択信号DQS_SEL及び出力制御信号DQSOEの極性に関しては図1の構成例と同一とする。また、データストローブ信号DQS7〜DQS5用及びDQS3〜DQS1用の入力バッファ12aは、それぞれ3個のセレクタ701を介して遅延回路501に入力され、回路構成では同一である。
入出力回路12A側に対応した3個のセレクタ701の一方の入力としては、データストローブ信号DQS4用の入力バッファ12aを介してデータストローブ信号DQS4が供給され、入出力回路12B側に対応した3個のセレクタ701の一方の入力としては、データストローブ信号DQS0用の入力バッファ12aを介してデータストローブ信号DQS0が供給されるようになっている。
すなわち、各々の入出力回路12A,12B側の3個のセレクタ701により、データストローブ選択信号DQS_SELが“High”レベルの時はデータストローブ信号DQS4及びDQS0側が選択され、“Low”レベルの時はデータストローブ信号DQS7〜DQS5及びDQS3〜DQS1側が選択されるように制御される。
また、データストローブ信号DQS4及びDQS0からの入力経路は、セレクタを介さずそのまま遅延回路501へと入力される。
上記の構成により、データDQ63−0の入力時において、データストローブ選択信号DQS_SELが“High”レベルの時は、データストローブ信号DQS4及びDQS0が、入力されるデータDQ63−0のデータストローブ信号として使用され、選択信号DQS_SELが“Low”レベルの時は、各データストローブ信号DQS7〜DQS0が、それぞれ対応する入力データDQ_in63−56〜DQ_in7−0のデータストローブ信号として使用される。
一方、データDQ_out63−0の出力時においては、データストローブ信号DQS_out及びデータストローブ出力制御信号DQSOE共にゲート回路703,704を通さない構成であるため、データストローブ信号DQS4及びDQS0は、常に駆動されるように制御される。その他のデータストローブ信号DQS7〜DQS5用及びDQS3〜DQS1に関しては、データストローブ選択信号DQS_SELに応じてゲート回路703,704の出力がゲート制御される。
すなわち、データストローブ選択信号DQS_SELが“High”レベルの時は、各ゲート回路703,704のANDゲート72の出力が“Low”レベルに固定される。つまり、各ゲート回路703,704の出力がゲートされ、データストローブ信号DQS7〜DQS5及びDQS3〜DQS1用の出力バッファ12bの出力は、ハイインピーダンスに制御される。データストローブ選択信号DQS_SELが“Low”レベルの時には、各ゲート回路703,704のゲートが解除される結果、データストローブ信号DQS4及びDQS0に加えて各データストローブ信号DQS7〜DQS5及びDQS3〜DQS1が駆動される。
本実施の形態では、データストローブ信号DQS4用及びDQS0用の入出力バッファ12a,12bを共用するように構成したので、上記第1の実施の形態に比べて回路構成を簡素化することができる。
なお、本発明は以上説明した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
10 入出力回路部
20 遅延回路部
30 フリップフロップ回路部
40 セレクタ回路部
50 ゲート回路部
604,701 セレクタ
605,606 ゲート回路
12A,12B,13,14 入出力回路
13a,14a 入力バッファ
13b,14b 出力バッファ
DQS7〜DQS0、DQS2_1,DQS2_0 データストローブ信号群
DQ63−0 データ
DQS_out データストローブ信号
DQS_SEL データストローブ選択信号
DQSOE データストローブ出力制御信号
20 遅延回路部
30 フリップフロップ回路部
40 セレクタ回路部
50 ゲート回路部
604,701 セレクタ
605,606 ゲート回路
12A,12B,13,14 入出力回路
13a,14a 入力バッファ
13b,14b 出力バッファ
DQS7〜DQS0、DQS2_1,DQS2_0 データストローブ信号群
DQ63−0 データ
DQS_out データストローブ信号
DQS_SEL データストローブ選択信号
DQSOE データストローブ出力制御信号
Claims (6)
- データストローブ信号によりデータの入出力を行うメモリデバイスを制御するメモリインターフェース回路において、
データに対するデータストローブ信号の本数を指定する指定情報に基づいて、データ入力時に入力するデータストローブ信号を選択する入力時選択手段と、
前記入力時選択手段で選択されたデータストローブ信号に基づいてデータの取り込み処理を行うデータ取り込み手段とを有することを特徴とするメモリインターフェース回路。 - 前記指定情報に基づいて、データ出力時に出力するデータストローブ信号を選択する出力時選択手段と、
前記出力時選択手段によって選択されないデータストローブ信号の出力をハイインピーダンス状態に制御する出力制御手段とを有することを特徴とする請求項1に記載のメモリインターフェース回路。 - 前記入力時選択手段は、前記指定情報で指定されるデータストローブ信号の本数にはよらずに、所定のデータストローブ信号を選択することを特徴とする請求項1に記載のメモリインターフェース回路。
- 前記出力時選択手段は、前記指定情報で指定されるデータストローブ信号の本数にはよらずに、所定のデータストローブ信号を選択することを特徴とする請求項2に記載のメモリインターフェース回路。
- データストローブ信号によりデータの入出力を行うメモリデバイスを制御するメモリインターフェース方法において、
データに対するデータストローブ信号の本数を指定し、
前記指定の結果に基づいて、データ入力時に入力するデータストローブ信号を選択し、
前記選択されたデータストローブ信号に基づいてデータの取り込み処理を行うことを特徴とするメモリインターフェース方法。 - データストローブ信号によりデータの入出力を行うメモリデバイスを制御するメモリインターフェース方法において、
データに対するデータストローブ信号の本数を指定し、
前記指定の結果に基づいて、データ出力時に出力するデータストローブ信号を選択すると共に、選択されないデータストローブ信号の出力をハイインピーダンス状態に制御することを特徴とするメモリインターフェース方法。
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