WO2001084622A1 - Dispositif de support de tranche, de dispositif de fabrication de semiconducteur - Google Patents

Dispositif de support de tranche, de dispositif de fabrication de semiconducteur Download PDF

Info

Publication number
WO2001084622A1
WO2001084622A1 PCT/JP2001/003632 JP0103632W WO0184622A1 WO 2001084622 A1 WO2001084622 A1 WO 2001084622A1 JP 0103632 W JP0103632 W JP 0103632W WO 0184622 A1 WO0184622 A1 WO 0184622A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lift
wafer
support
ring
hole
Prior art date
Application number
PCT/JP2001/003632
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yoji Takagi
Original Assignee
Applied Materials Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc. filed Critical Applied Materials Inc.
Priority to EP01925963A priority Critical patent/EP1289006A1/en
Priority to KR1020017016802A priority patent/KR20020026480A/ko
Publication of WO2001084622A1 publication Critical patent/WO2001084622A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Definitions

  • the present invention relates to a wafer support device in a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a wafer support device.
  • a semiconductor manufacturing apparatus called a single-wafer type that processes silicon wafers one by one.
  • a wafer supporting apparatus for horizontally supporting only one wafer is provided in the processing chamber.
  • a general wafer support device basically consists of a wafer support body on which a wafer is placed, a so-called susceptor.
  • the wafer support device is provided with a lift mechanism for moving the wafer up and down with respect to the susceptor.
  • a conventional general lift mechanism has a plurality of lift pins extending through the susceptor. A wafer is placed on the upper ends of these lift pins, and the lift pins are moved up and down.
  • L5 can be raised and lowered. With such a lift mechanism, it is possible to transfer a wafer carried on a blade of a transport robot onto a susceptor, or conversely, to transfer a wafer from a susceptor to a transfer robot. Become.
  • the lift pins when supporting the wafer, the lift pins are placed at a position lower than the upper surface of the susceptor. Therefore, when the lift bin is lifted to lift the wafer from the susceptor, the upper end of the lift bin may hit the rear surface of the wafer, and that portion may be damaged. Wafer backside flaws can adversely affect later processes. .
  • a heat source is arranged above and below the susceptor so that a wafer on the susceptor can be heated to a predetermined temperature. In this case, it is desirable that the temperature distribution on the entire surface of the susceptor be uniform, but a through hole for passing the lift pin is formed.
  • a wafer support body having a support area for supporting a wafer on the upper surface thereof, and an outside of the wafer support body of the wafer support body. From the top to the inside of the support area, and has an inclined surface inclined downward and inward on the upper surface, and at a position lower than the upper surface of the wafer support body.
  • a wafer support device including a plurality of lift pieces that can move up and down between the L0 position and the upper position has been devised. Specifically, this configuration is as shown in FIGS.
  • reference numeral 1 denotes a wafer support for supporting the wafer W: a susceptor
  • reference numeral 2 denotes a wafer support area
  • Reference numeral 3 denotes a lift piece.
  • the lift piece 3 is formed as a component of the lift pin 4.
  • the lift piece 3 Since the position of the lift piece 3 and the upper surface thereof are inclined, the lift piece 3 does not come into contact with the back surface of the wafer W, but comes into contact only with the outer peripheral lower edge of the wafer W. Therefore, it is possible to prevent scratches on the back surface of the wafer. In addition, since the upper surface of the lift piece 3 is higher at the outer side, the displacement in the horizontal direction can be suppressed.
  • the lift piece 3 or the lift bin 4 be integrated with the susceptor 1 and be rotatable together with the susceptor 1. Since the evening 1 expands or contracts due to the temperature change, the lift bin 4 cannot be integrated with the susceptor 1 by a method such as hanging. That is, the thermal expansion of the susceptor 1 'The lift pin 4
  • the lift piece 3 may not be able to support the lower peripheral edge of the wafer W. Therefore, as shown in Figs. It is inevitable to adopt a configuration in which the through hole 5 through which the air is passed is made relatively large, and the lift pin 4 is connected to the tip of the lift arm 6 that can move up and down. As a result, a gap is formed between the through hole 5 and the lift pin 4. This is considered to be the cause of uneven temperature distribution in the area 2 supported by the wafer.
  • an object of the present invention is to provide a wafer support apparatus having a lift mechanism that can prevent scratches on the back surface of the wafer and misalignment of the wafer, and to make the temperature distribution uniform at least in a support area for supporting the wafer. It is to provide what can be done.
  • the present invention provides a wafer support body which is provided in a processing chamber of a semiconductor manufacturing apparatus having upper and lower portions and a heat source, and has on its upper surface a support error for supporting a wafer.
  • a top surface having an inclined surface extending from the outside of the support area of the support body to the inside of the support area and inclined downward toward the inside; and a position below and above the top surface of the wafer support body.
  • a plurality of lift pieces that can move up and down with respect to the position, and an arc-shaped lift ring arranged outside the support area, wherein the lift pieces are formed on the inner peripheral edge of the lift ring.
  • the thermal expansion difference between the lift ring and the 55 wafer support body may cause the lift pins to strongly contact the inner wall surface of the through hole. It shall be a long hole extending in the radial direction of the holding body. Is valid.
  • a claw member is disposed on the lift ring so as to be vertically movable at a position adjacent to the lift piece, so that when the lift ring is lifted, the claw member is separated from the lift ring so that it can be further lifted. It is effective.
  • the riff member is disposed on the lift ring so as to be vertically movable at a position adjacent to the lift piece, so that when the lift ring is lifted, the claw member is separated from the lift ring so that it can be further lifted. It is effective.
  • the riff member is disposed on the lift ring so as to be vertically movable at a position adjacent to the lift piece, so that when the lift ring is lifted, the claw member is separated from the lift ring so that it can be further lifted. It is effective.
  • the riff member is disposed on the lift ring so as to be vertically movable at a position adjacent to the lift piece, so that when the lift ring is lifted, the claw member is separated from the lift ring so that it can be further lifted.
  • the horizontal movement of the wafer supported by the five-piece piece can be prevented by the claw member disposed at a higher position than the wafer.
  • the cross-sectional shape of the upper surface of the lift piece along the circumferential direction of the support area be curved upward. Therefore, the contact between the lift piece and the wafer becomes a point contact.
  • FIG. 1 is an explanatory view schematically showing an epitaxy growth apparatus to which the wafer support apparatus of the present invention can be applied.
  • FIG. 2 is a plan view of the wafer supporting device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 2, showing a state where the wafer is supported on a susceptor.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG. 2, showing a state where the wafer is lifted from above the susceptor.
  • FIG. 4 is an arrow view along the line IV—IV in FIG. 3B.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line VV of FIG.
  • FIG. 6 is an end view along the line VI-VI of FIG.
  • FIG. 7A is a view showing a wafer supporting apparatus according to a second embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view showing a state where wafers 5 are supported on a susceptor.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view showing a state where the wafer is lifted from the susceptor.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a birch tree obtained in the process of creating the present invention.
  • FIG. 9 is a partial plan view of the configuration of FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 schematically shows an epitaxy growth apparatus as a semiconductor manufacturing apparatus on which a wafer support apparatus according to the present invention can be installed.
  • the illustrated epitaxy growth apparatus 10 is a single wafer processing apparatus for processing silicon wafers (not shown in FIG. 1) one by one, and includes a processing chamber 12 made of quartz glass.
  • a processing chamber 12 made of quartz glass.
  • a wafer support device 14 is provided at L0.
  • a processing gas inlet 16 is formed on the side of the processing chamber 12, and an exhaust port 18 is formed at a position facing the processing gas inlet 16. Further, a plurality of halogen lamps 20 are radially arranged in the upper region and the lower region of the processing chamber 12, respectively.
  • the wafer is supported by the wafer support apparatus 14, and then the halogen lamp 20 is turned on to heat the wafer.
  • S i HC l 3 Gasuya Axis Rorushiran (S i H 2 C l 2 ) is introduced from the inlet 1 6 as a processing gas of the gas or the like, process gas layer along the surface of the wafer is heated to a predetermined temperature It flows in a flowing state, and a single crystal of silicon grows epitaxially on the wafer.
  • the wafer support device 14 includes a susceptor 22 as a wafer support main body as shown in FIGS. .
  • the susceptor 22 is a disc made of graphite material coated with silicon carbide, and is supported from the back side by a quartz glass support shaft 24 erected at the lower part of the processing chamber 12. Supported horizontally at points. Susep Evening
  • a circular recess 26 is formed on the upper surface of 15 22.
  • the recess 26 is a support area for accommodating and supporting the wafer W.
  • the center of the outer periphery of the bottom of the recess 26 An inclined surface 28 inclined downward toward the side is formed. Therefore, when the wafer W is placed at a predetermined position in the recess 26 of the susceptor 22, the wafer W is placed in a state where the lower peripheral edge (corner) of the wafer W is in contact with the inclined surface 28 of the outer periphery of the recess 26. Supported (see Figure 3A). In this support state, the upper surface of W and the support
  • the upper surface of the outer periphery is almost the same as the upper surface. This is to allow the processing gas introduced from the inlet 16 to flow while maintaining a laminar flow state.
  • a substantially arc-shaped (C-shaped) groove 30 is formed concentrically with the susceptor 22 on the outer peripheral portion of the susceptor 22.
  • the arc angle of the groove 30 is preferably about 250 degrees.
  • an arc-shaped or C-shaped lift ring that is substantially the same shape as the groove 30
  • L0 32 is arranged.
  • the upper surface of the lift ring 32 and the upper surface of the outer peripheral portion of the susceptor 22 are dimensioned to be flush with each other for the same reason as described above. .
  • three lift pieces 36 are physically protruded. The three lift pieces 36 are provided at intervals of about 120 degrees.
  • Each lift piece 36 extends inward (toward the center of the susceptor 22), and its tip reaches the inner area of the recess 26.
  • the susceptor 22 corresponding to the lift piece 36 is formed with a notch 38 having substantially the same shape as the lift piece 36 so that the lift ring 32 can be accommodated in the groove 30. So as not to interfere with
  • the upper surface of the lift piece 36 is one step lower than the upper surface of the lift ring 32, and when the lift ring 32 is accommodated in the groove 30, the bottom surface of the concave portion 26, at least the outer periphery It is located below the slope 28 of the part. Therefore, when supporting the wafer W on the susceptor 22, the wafer W does not come into contact with the lift piece 36.
  • the upper surface of the lift piece 36 is inclined downward toward the center of the susceptor 22.
  • the upper surface of the lift piece 36 is formed as a curved surface that is upwardly convex in the circumferential direction of the susceptor 22.
  • the lift mechanism 34 according to this embodiment includes a lift tube 40 that can be moved up and down and that is arranged so as to surround the main shaft 24 a of the susceptor support shaft 24.
  • the through hole 46 of the susceptor 22 is covered by a lift ring 32, as can be understood from FIGS. 2, 3A and 3B, and the lift pin 48 is lowered to lift the lift ring 32.
  • the positions and dimensions of the through hole 46 and the lift ring 32 are determined so that the through hole 46 is substantially closed by the lift ring 32 when housed in the groove 30.
  • the susceptor 22 is rotated in the horizontal direction so that the processing gas contacts the wafer W evenly during the process. For this reason, the susceptor support shaft 24 supporting the susceptor 22 is driven to rotate. However, the lift pins 48 are connected to the support arms 2 extending radially of the susceptor support shaft 24. 4 b through the through hole provided in b, so that it is integrated with the susceptor support shaft 24 and the susceptor 22
  • a ring plate 45 surrounding the main shaft 24 a of the 24 is attached, so that the lift bin 48 can be pushed up regardless of the position of the lift pin 48 in the rotation direction.
  • the upper end of the lift pin 48 is formed in a concave portion formed on the lower surface of the lift ring 32.
  • the lift bins 48 are formed by the lift arms 4 4 and the lift rings 3. Due to the difference in thermal expansion between the susceptor 22 and the lift arm and the lift ring 32, if the inner diameter of the through hole 46 is equal to the outer diameter of the lift pin 48, During the growth process, the side surfaces of the lift pins 48 may strongly contact the inner wall surfaces of the through holes 46. Therefore, in this embodiment, such a situation does not occur.
  • the through hole 46 is a long hole extending in the radial direction of the susceptor 22 as shown in FIG.
  • the major diameter of the through-hole 46 can be determined as appropriate, but it should be closed by the flange 49 of the lift pin 48 so that the processing gas does not flow downward from above through the through-hole 46 during the process. Is preferred.
  • the wafer W placed on the blade 50 of the transfer robot is placed immediately above the concave portion 26 of the susceptor 22.
  • the drive unit 42 of the lift mechanism 34 is controlled to raise the lift ring 32.
  • the blade 50 of the transfer robot is located at the open portion of the lift ring 32 (see FIG. 2), it does not hinder the lifting of the lift ring 32.
  • Lift ring 3 2 is more than blade 50
  • the transfer robot blade 5 is moved from above the susceptor 22 to the outside of the processing chamber 12. To move the lifting ring 3 2 down. When the lift ring 32 is completely lowered into the groove 30, the lift piece 36 is located below the inclined surface 28 of the recess 26 of the susceptor 22, as shown in FIG. 3A. Therefore, the wafer W is supported on the inclined surface 28 of the concave portion 26. After this, the above-mentioned epitaxy growth process will be performed.
  • FIG. 7A and 7B show a wafer support device 114 according to a second embodiment of the present invention.
  • the lift mechanism 13 4 in the wafer support device 114 of the second embodiment has three claw portions ⁇ material 133 on a C-shaped lift ring 132.
  • a concave portion where the claw member 133 is placed is formed, and the claw member 133 is fitted into this concave portion (FIG. 7).
  • the claw members 133 are arranged at positions adjacent to the lift pieces 36.
  • the number of the claw members 133 is the same as the number of the lift pieces 3.
  • a through hole 60 is formed in the lift ring 13 2 at a position where the upper end of the lift pin 48 contacts.
  • the through-hole 60 is formed by a flange formed at the upper end of the lift pin 48.
  • the upper end is formed with an inward flange 64 so as to be able to receive 62 but to be lifted by a lift pin 48.
  • a hole 66 is formed in the claw member 133 to sit at a corresponding position.
  • the inside diameter of the counterbore hole 66 is substantially the same as the outside diameter of the upper end of the lift pin 48.
  • a cylindrical projection 68 is formed on the lower surface surrounding the counterbore 66.
  • the cylindrical projection 68 is adapted to be fitted into the through hole 60 of the lift ring 13 3 when the claw member 13 3 is placed on the lift ring 13 2.
  • the step between the upper surface of L5 and the upper surface of the claw members 133 becomes larger, and the effect of preventing the wafer W from moving in the horizontal direction increases. Therefore, it is not necessary to provide the protrusion 52 as shown in FIGS. 3A and 3B.
  • the flange portions 62 of the lift pins 48 come into contact with the lower surfaces of the flanges 64 of the through holes 60, and the claw members 133 and the lift rings 132 rise integrally. Other operations are the same as in the first embodiment.
  • the semiconductor manufacturing apparatus of the above-described embodiment is an epitaxial growth apparatus, but the present invention is also applicable to an apparatus that performs another heat treatment, for example, a thermal CVD apparatus.
  • the wafer support body such as a susceptor
  • the wafer is supported only by its outer peripheral lower edge. Since it is moved up and down, the back of the wafer is not scratched.
  • the wafer supporting device of the present invention may damage the lower edge of the outer periphery of the wafer, the scratch at this portion does not cause any particular problem.
  • the through hole for passing the lift bin is closed by the lift ring, it is possible to reduce the adverse effect of the through hole on the temperature distribution of the wafer support area, and to obtain a good process result. It contributes to improving the yield and performance of semiconductor devices.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

明細書
半導体製造装置におけるゥェハ支持装置
技術分野
本発明は、 半導体製造装置におけるウェハ支持装置に関し、 特に、 ゥヱハ支持
5 装置に設けられている、 ウェハを上下動させるための手段に関する。
背景技術
半導体製造装置には、 シリコンウェハを 1枚ずつ処理する枚葉式と称されるも のがある。 この枚葉式半導体製造装置においては、 通常、 ウェハを 1枚だけ水平 に支持するウェハ支持装置が処理チャンバ内に設けられている。
10 一般的なウェハ支持装置は、 ウェハが載置されるウェハ支持本体、 いわゆるサ セプ夕から基本的に構成されている。 また、 ウェハ支持装置には、 ウェハをサセ プ夕に対して上下動させるためのリフト機構が設けられている。 従来一般のリフ ト機構は、 サセプ夕を貫通して延びる複数本のリフトピンを有しており、 これら のリフトピンの上端にウェハを載せ、 リフトピンを上下動させることで、 ゥヱハ
L5 を昇降させることができるようになつている。 このようなリフト機構により、 搬 送ロボヅトのブレードに載せて運ばれてきたウェハをサセプ夕上に移載したり、 或いはその逆に、 ウェハをサセプ夕から搬送ロボットに受け渡したりすることが 可能となる。
上述したような従来のウェハ支持装置においては、 ウェハを支持している時、 50 リフトピンはサセプ夕の上面よりも下方の位置に置かれる。 従って、 ウェハをサ セプ夕から持ち上げるべくリフトビンを上昇させると、 リフトビンの上端がゥェ 八の裏面に当たり、 その部分に傷が付くことがある。 ウェハ裏面の傷は、 後プロ セスで悪影響を与えるおそれがある。。
また、 ウェハ上下動時、 リフトピンの上端でウェハの裏面を支持するのみとな !5 つているので、 ウェハが位置ずれを生じやすく、 サセプ夕上に降ろした際、 サセ プ夕の支持ェリァからはみ出す可能性があつた。 ところで、 半導体製造装置の一つであるェピタキシャル成長装置においては、 熱源がサセプ夕の上方及び下方に配置されており、 サセプ夕上のウェハを所定温 度に加熱できるようにしている。 この場合、 サセプ夕の表面全体の温度分布が均 一となることが望ましいが、 リフトピンを通すための貫通孔が形成されているた
5 め、 サセプ夕の表面の温度分布が不均一となる傾向があった。
上述したような種々の不具合を解消するために、 本発明者は種々検討した結果、 ウェハを支持するための支持エリアを上面に有するゥヱハ支持本体と、 このゥェ ハ支持本体の支持ェリァの外側から支持ェリァの内側に延ぴ、 内側に向かって下 方に傾斜する傾斜面を上面に有し、 且つ、 ウェハ支持本体の上面よりも下側の位
L0 置と上側の位置との間で上下動可能となっている複数のリフト部片とを備えるゥ ェハ支持装置を創案した。 この構成を具体的に示すと、 図 8及び図 9に示す如き ものとなる。
図 8及び図 9において、 符号 1はウェハ Wを支持するゥェハ支持:^体たるサセ プ夕であり、 符号 2はウェハ支持エリアである。 また、 符号 3はリフト部片であ
L5 る。 このリフト部片 3はリフトピン 4の構成部分として形成されている。
リフト部片 3の位置及びその上面が傾斜していることにより、 リフト部片 3は ウェハ Wの裏面に接することはなく、 ウェハ Wの外周下縁のみに接する。 従って、 ウェハ裏面の傷を防止することができる。 また、 リフト部片 3の上面は、 外側ほ ど高くなつているため、 水平方向の位置ずれも抑制することができる。
!0 しかし、 ェピ夕キシャル成長装置等の熱処理装置では、 リフト部片 3ないしは リフトビン 4はサセプ夕 1と一体化し、 サセプ夕 1と共に回転可能としておくこ とが好ましいが、 上記構成では、 サセプ夕 1が温度変ィ匕により膨張又は収縮する ため、 リフトビン 4をサセプ夕 1に吊ま等の方法で一体化することができない。 すなわち、 サセプ夕 1の熱膨張 '熱収縮によりリフトピン 4、 ひいてはリフト部
!5 片 3が大きな位置ずれを生じた場合、 リフト部片 3がウェハ Wの外周下縁を支持 できなくなる可能性がある。 そのため、 図 8及び図 9に示す如く、 リフトピン 4 を通す貫通孔 5を比較的大きくし、 リフトピン 4は上下動可能なリフトアーム 6 の先端に接続する構成を採らざるを得ない。 その結果、 貫通孔 5とリフトピン 4 との間に隙間が形成される。 これがゥェハ支持ェリア 2の温度分布を不均一にす る原因となると考えられる。
5 そこで、 本発明の目的は、 ウェハ裏面の傷やウェハの位置ずれを防止すること のできるリフト機構を有するウェハ支持装置であって、 少なくともウェハを支持 する支持エリアにおける温度分布を均一とすることのできるものを提供すること にある。
L0 発明の開示
上記目的を達成するために、 本発明は、 上部及び下部のそれそれに熱源を有す る半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられ、 ウェハを支持するための支持ェ リァを上面に有するゥェハ支持本体と、 ゥヱハ支持本体の支持ェリァの外側から 支持エリアの内側に延び、 内側に向かって下方に傾斜する傾斜面を上面に有し、 ほ 且つ、 ウェハ支持本体の上面よりも下側の位置と上側の位置との間で上下動可能 となっている複数のリフト部片と、 支持エリアの外側に配置された円弧状のリフ トリングであって、 当該リフトリングの内周縁にリフト部片がー体的に形成され ている前記リフトリングと、 上端部がリフトリングに接続され、 ゥヱハ支持本体 に形成された貫通孔を通して上下動されるリフトピンとを備え、 リフトビン下降 ίθ 時に貫通孔がリフトリングにより覆われ実質的に閉じられるようになつているこ とを特徴としている。
これにより貫通孔とリフトピンとの間の隙間による温度分布の不均一という問 題は解消される。
また、 リフトピンがリフトリングにより拘束されているため、 リフトリングと 55 ウェハ支持本体との間の熱膨張差によりリフトピンが貫通孔の内壁面とに強く接 する恐れがあるので、 貫通孔は、 ウェハま持本体の径方向に延びる長孔とするこ とが有効である。
また、 リフトリングに、 リフト部片に隣接する位置に爪部材を上下動可能に配 置し、 リフトリングを持ち上げた状態とした場合、 爪部材がリフトリングから分 離して更に持ち上げられるようにすることが有効である。 かかる構成では、 リフ
5 ト部片により支持されたウェハの水平方向の移動を、 ウェハよりも高い位置に配 置される爪部材によって阻止することが可能となる。
更に、 リフト部片の上面の、 支持エリアの周方向に沿っての断面形状は、 上方 に凸状に湾曲したものとすることが好ましい。 これにより、 リフト部片とウェハ との接触は点接触となる。
L0 本発明の上記目的及びその他の特徴や利点は、 添付図面を参照して以下の詳細 な説明を読むことで、 当業者にとり明らかとなろう。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明のウェハ支持装置が適用可能なェピタキシャル成長装置を概略 L5 的に示す説明図である。
図 2は、 本発明の第 1実施形態に係るゥヱハ支持装置の平面図である。
図 3 Aは、 ウェハをサセプ夕上で支持した状態を示す、 図 2の III— III線に沿 つての断面図である。
図 3 Bは、 ウェハをサセプ夕上から持ち上げた状態を示す、 図 2の III—III線 50 に沿っての断面図である。
図 4は、 図 3 Bの IV— IV線に沿っての矢視図である。
図 5は、 図 2の V—V線に沿っての断面図である。
図 6は、 図 2の VI -VI線に沿っての端面図である。
図 7 Aは、 本発明の第 2実施形態に係るウェハ支持装置を示す図であり、 ゥェ !5 ハをサセプ夕上で支持した状態を示す断面図である。
図 7 Bは、 ウェハをサセプ夕から持ち上げた状態を示す断面図である。 図 8は、 本発明の創案過程で得られた樺成を示す断面図である。
図 9は、 図 8の構成の平面部分図である。 発明を実施するための最良の形態
5 以下、 図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
図 1は、 本発明に係るゥェハ支持装置を設置することのできる半導体製造装置 としてェピタキシャル成長装置を概略的に示している。 図示のェピタキシャル成 長装置 1 0はシリコンウェハ （図 1には示さず） を 1枚ずつ処理する枚葉式であ り、 石英ガラスで構成された処理チャンバ 1 2を備え、 この処理チャンバ 1 2内
L0 にウェハ支持装置 1 4が配設される。 処理チャンバ 1 2の側部には処理ガスの導 入口 1 6が形成され、 これに対向する位置には排気口 1 8が形成されている。 ま た、 処理チャンバ 1 2の上側領域及び下側領域には、 それそれ、 複数本のハロゲ ンランプ 2 0が放射状に配置されている。
上記構成のェピタキシャル成長装置 1 0において、 ウェハ支持装置 1 4により ほ ウェハを支持した後、 ハロゲンランプ 2 0を点灯してウェハを加熱すると共に、 排気口 1 8から排気を行いながらトリクロルシラン （S i H C l 3) ガスゃジク ロルシラン （S i H 2 C l 2 ) ガス等を処理ガスとして導入口 1 6から導入する と、 所定温度に加熱されたウェハの表面に沿って処理ガスが層流状態で流れ、 ゥ ェハ上にシリコンの単結晶がェピタキシャル成長する。
ίθ このようなェピタキシャル装置 1 0における、 本発明の第 1実施形態に係るゥ ェハ支持装置 1 4は、 図 2〜図 6に示すようなウェハ支持本体たるサセプ夕 2 2 を備えている。 サセプ夕 2 2は、 炭化シリコンで被覆されたグラフアイト材料か ら成る円盤状のものであり、 処理チャンバ 1 2の下部に立設された石英ガラス製 の支持シャフト 2 4により、 裏面側から三点で水平に支持されている。 サセプ夕
15 2 2の上面には、 円形の凹部 2 6が形成されている。 この凹部 2 6はウェハ Wを 収容し支持する支持エリアとなっている。 凹部 2 6の底面の外周部分には、 中心 側に向かって下方に傾斜する傾斜面 2 8が形成されている。 従って、 ウェハ Wを サセプ夕 2 2の凹部 2 6内の所定位置に配置すると、 凹部 2 6の外周の傾斜面 2 8にゥヱハ Wの外周下縁 （角部） が接した状態でゥヱハ Wが支持される （図 3 A 参照）。 この支持状態において、 ゥヱハ Wの上面と、 凹部 2 6よりも外側のサセ
5 プ夕外周部分の上面とは、 ほぼ同一面となる。 これは、 導入口 1 6から導入され た処理ガスが層流状態を維持して流れるようにするためである。
サセプ夕 2 2の外周部分には、 略円弧形 （C形） の溝 3 0がサセプ夕 2 2と同 心状に形成されている。 この溝 3 0の円弧角は、 好ましくは、 約 2 5 0度となつ ている。 溝 3 0内には当該溝 3 0と略同形の円弧形ないしは C形のリフトリング
L0 3 2が配置される。
リフトリング 3 2を溝 3 0内に収容した状態では、 前記と同様な理由から、 リ フトリング 3 2の上面とサセプ夕 2 2の外周部分の上面とは同一平面となるよう 寸法決めされている。 リフトリング 3 2の内周縁には 3本のリフト部片 3 6がー 体的に突設されている。 3本のリフト部片 3 6は約 1 2 0度間隔で設けられるの
L5 が好適である。 各リフト部片 3 6は内側 （サセプ夕 2 2の中心側） に向かつて延 び、 その先端は凹部 2 6の内側領域にまで達している。 リフト部片 3 6に対応す るサセプ夕 2 2の部分には、 リフト部片 3 6と略同形の切欠き 3 8が形成されて おり、 リフトリング 3 2を溝 3 0内に収容する際の妨げとならないようにしてい
50 リフト部片 3 6の上面はリフトリング 3 2の上面よりも一段下がっており、 ま た、 リフトリング 3 2を溝 3 0内に収容した状態において、 凹部 2 6の底面、 少 なくとも外周部分の傾斜面 2 8よりも下側に位置する。 従って、 サセプ夕 2 2上 でウェハ Wを支持する際には、 ウェハ Wはリフト部片 3 6に接することはない。 また、 リフト部片 3 6の上面は、 サセプ夕 2 2の中心に向かって下方に傾斜され
55 ている。 更に、 図, 6からも理解されるように、 リフト部片 3 6の上面は、 サセプ 夕 2 2の周方向において上方に凸となる湾曲面とされている。 この実施形態に係るリフト機構 3 4は、 図 1に示すように、 サセプ夕支持シャ フト 2 4の主軸 2 4 aを囲むように配置された上下動可能なリフトチューブ 4 0 と、 このリフトチューブ 4 0を上下動させる駆動装置 4 2と、 リフトチューブ 4 0から放射状に延びる 3本のリフトアーム 4 4と、 サセプ夕 2 2の溝 3 0の底面
5 から貫通形成された貫通孔 4 6を通り吊支されているリフトビン 4 8とを備えて いる。 このような構成において、 駆動装置 4 2を制御してリフトチューブ 4 0及 びリフトアーム 4 4を上昇させると、 リフトアーム 4 4の先端部でリフトビン 4 8が押し上げられ、 その結果、 リフトリング 3 2が上昇されるようになっている c リフトビン 4 8の吊支は、 その上端部に形成されたフランジ 4 9により行われる c
L0 また、 サセプ夕 2 2の貫通孔 4 6は、 図 2、 図 3 A及び図 3 Bから諒解される ように、 リフトリング 3 2により覆われ、 リフトピン 4 8が下降されリフトリン グ 3 2が溝 3 0に収容されている際に、 貫通孔 4 6がリフトリング 3 2により実 質的に閉じられるよう、 貫通孔 4 6及びリフトリング 3 2の位置及び寸法が定め られている。
.5 なお、 サセプ夕 2 2は、 プロセス実行時、 処理ガスがウェハ Wに均等に接する よう水平方向に回転される。 このため、 サセプ夕 2 2を支持しているサセプ夕支 持シャフト 2 4が回転駆動されるようになっているが、 リフトピン 4 8は、 サセ プ夕支持シャフト 2 4の放射状に延びる支持アーム 2 4 bに設けられた貫通孔に 通されているいるので、 サセプ夕支持シャフト 2 4及びサセプ夕 2 2と一体的に
!0 回転される。 このため、 リフトアーム 4 4の先端部には、 サセプ夕支持シャフト
2 4の主軸 2 4 aを囲むリングプレート 4 5が取り付けら、 リフトピン 4 8が回 転方向のいずれの位置にあっても、 リフトビン 4 8を押し上げることを可能とす ることが好適である。
また、 リフトピン 4 8の上端部は、 リフトリング 3 2の下面に形成された凹部
:5 に嵌合しており、 その動きがリフトリング 3 2により拘束されている。
このようにリフトビン 4 8は、 リフトアーム 4 4とリフトリング 3 とにより 拘束されており、 サセプ夕 2 2と、 リフトアーム及びリフトリング 3 2との間に 熱膨張差があるため、 貫通孔 4 6の内径がリフトピン 4 8の外径と同等であると、 ェピタキシャル成長プロセス時にリフトピン 4 8の側面が貫通孔 4 6の内壁面に 強く接するおそれがある。 そこで、 本実施形態では、 そのような事態が生じない
5 よう、 図 4に明示する如く貫通孔 4 6はサセプ夕 2 2の径方向に延びる長孔とさ れている。 貫通孔 4 6の長径に関しては、 適宜定めることができるが、 プロセス 実行時に処理ガスが貫通孔 4 6を通って上方から下方に流れないよう、 リフトピ ン 4 8のフランジ 4 9により閉じられるようにすることが好ましい。
このような構成のウェハ支持装置 1 4にゥヱハ Wを支持させる場合、 まず、 搬
L0 送ロボヅトを操作し、 搬送ロボヅトのブレード 5 0に載置されたウェハ Wをサセ プ夕 '2 2の凹部 2 6の直上位置に配置する。 次いで、 リフト機構 3 4の駆動装置 4 2を制御してリフトリング 3 2を上昇させる。 この時、 搬送ロボットのブレー ド 5 0はリフトリング 3 2の開放部分に位置しているため （図 2参照)、 リフ ト リング 3 2の上昇を妨げることはない。 リフトリング 3 2がブレード 5 0よりも
L5 高い位置まで上昇すると、 ウェハ Wはプレード 5 0からリフトリング 3 2のリフ ト部片 3 6に載り移り、 3点でウェハ Wは支持される （図 3 B参照）。 リフ ト部 片 3 6の上面は、 前述したように内側に向かって下方に傾斜しているため、 リフ ト部片 3 6が接する部分はウェハ Wの外周下縁のみとなる。 このリフト部片 3 6 の傾斜は、 ウェハ Wの水平方向の移動を抑制する機能も果たす。 また、 各リフト
!0 部片 3 6の上面は凸状に湾曲されているため、 一点でのみウェハ Wに接触する。
なお、 リフト部片 3 6とリフトリング 3 2との間には段差が形成されているため、 ウェハ Wの位置ずれはこれによっても防止されるが、 何らかの原因によりウェハ Wが段差を越えることも起こり得るので、 図 3 A及び図 3 Bにおいて符号 5 2で 示すような突起を設けておくことが好ましい。
!5 ウェハ Wがリフトリング 3 2のリフト部片 3 6により支持されたならば、 搬送 ロボヅトのプレード 5◦をサセプ夕 2 2の上方から処理チャンバ 1 2の外部に移 動させ、 リフ トリング 3 2を下降させる。 リフ トリング 3 2が溝 3 0内に完全に 下降されると、 図 3 Aに示すように、 リフト部片 3 6はサセプ夕 2 2の凹部 2 6 の傾斜面 2 8よりも下方に位置するので、 ウェハ Wは凹部 2 6の傾斜面 2 8にて 支持されることとなる。 この後、 上述したェピ夕キシャル成長プロセスが実行さ 5 れることになる。
この際、 貫通孔 4 6とリフトピン 4 8との間には隙間が形成されているが、 前 述したようにこの隙間はリフトリング 3 2により覆われ閉じられる。 また、 本実 施形態では、 リフトピン 4 8のフランジ 4 9によっても閉じられる。 このため、 処理チャンバ 1 2の下部に配置された熱源であるハロゲンランプ 2 0からの赤外 L0 線がこの隙間を通ってサセプ夕 2 2の上面側に到達することはなく、 よって凹部
(支持エリア） 2 6の温度分布の均一化に寄与することになる。 温度分布の均一 化は、 ェピタキシャル成長の面内均一に貢献するものである。
ウェハ Wをサセプ夕 2 2から持ち上げ、 搬送ロボヅトのプレード 5 0に移載さ せる場合は、 上記とは逆の手順でリフト機構 3 4及び搬送ロボヅトを操作すれば L5 よいことは、 容易に理解されよう。
図 7 A及び図 7 Bは、 本発明の第 2実施形態に係るウェハ支持装置 1 1 4を示 すものである。 この第 2実施形態において、 第 1実施形態と同一又は相当部分に は同一符号を付し、 その詳細な説明は省略する。 第 2実施形態のウェハ支持装置 1 1 4におけるリフト機構 1 3 4は、 C形リフトリング 1 3 2の上に 3つの爪部 ίθ 材 1 3 3を備えている。 爪部材 1 3 3の位置するリフトリング 1 3 2の部位には、 爪部材 1 3 3が置かれる凹部が形成されており、 爪部材 1 3 3がこの凹部に嵌合 した状態 （図 7 Α参照） では、 第 1実施形態のリフトリング 3 2と実質的に同じ ' 形状をなす。 また、 爪部材 1 3 3はリフト部片 3 6の隣接位置に配置されている。
従って、 爪部材 1 3 3は、 リフト部片 3と同数の 3個である。
55 リフトリング 1 3 2には、 リフトピン 4 8の上端が接する位置に貫通孔 6 0が 形成されている。 この貫通孔 6 0は、 リフ トピン 4 8の上端部に形成された鍔部 6 2を受け入れるが、 リフトピン 4 8により持ち上げられ得るよう、 その上端部 には内向きフランジ 6 4が形成されている。
一方、 爪部材 1 3 3には、 対応の位置に座く、り穴 6 6が形成されている。 この 座ぐり穴 6 6の内径は、 リフトピン 4 8の上端の外径と実質的に同じである。 更
5 に、 座ぐり穴 6 6を囲む下面の部分には、 円筒状突起 6 8が形成されている。 こ の円筒状突起 6 8は、 爪部材 1 3 3をリフトリング 1 3 2に重ねた際に、 リフト リング 1 3 3の貫通孔 6 0に嵌合されるようになつている。
このような構成において、 リフトピン 4 8を下げた状態では、 図 7 Aに示すよ うに、 爪部材 1 3 3はリフトリング 1 3 2に重なり合い、 図 3 Aと実質的に同じ
10 状態となる。 すなわち、 貫通孔 4 6はリフトリング 1 3 2により覆われ閉じられ た状態となる。
リフトピン 4 8を上昇させると、 爪部材 1 3 3の円筒状突起 6 8がリフトピン 4 8の鍔部 6 2により先ず押し上げられる。 これにより、 爪部材 1 3 3のみが上 昇し、 リフトリング 1 3 3から分離する。 この状態においては、 リフト部材 3 6
L5 の上面と爪部材 1 3 3の上面との間の段差がより大きくなり、 ウェハ Wの水平方 向の移動を防止する効果が増大する。 よって、 図 3 A及び図 3 Bに示すような突 起 5 2を設ける必要がなくなる。 更にリフトピンを上昇させると、 リフトピン 4 8の鍔部 6 2が貫通孔 6 0のフランジ 6 4の下面に接し、 爪部材 1 3 3とリフト リング 1 3 2とが一体的に上昇する。 その他の作用については第 1実施形態と同 ίθ 様である。
以上、 本発明の好適な実施形態について述べたが、 本発明は上記実施形態に限 定されないことは言うまでもない。 例えば、 上記実施形態の半導体製造装置はェ ピ夕キシャル成長装置であるが、 他の熱処理を行うもの、 例えば熱 C V D装置等 にも本発明は適用可能である。
ί5
産業上の利用可能性 以上述べたように、 本発明によれば、 ウェハをサセプ夕等のウェハ支持本体に 支持させ、 或いはその逆にウェハ支持本体から持ち上げる場合、 ウェハはその外 周下縁のみで支持された状態で上下されるので、 ウェハの裏面に傷が付くことは ない。 なお、 本発明のゥヱハ支持装置であっても、 ウェハの外周下縁に傷が付く 可能性はあるが、 この部分での傷は特に問題となることはない。
また、 リフトビンを通すための貫通孔がリフトリングにより閉じられるので、 貫通孔に起因するゥェハ支持ェリァの温度分布への悪影響を低減することが可能 となり、 良好なプロセス結果が得られることになり、 半導体デバイスの歩留まり、 性能の向上に寄与する。

Claims

請求の範囲
1 . 上部及び下部のそれそれに熱源を有する半導体製造装置の処理チャンバ内に 設けられ、 ゥヱハを支持するための支持エリアを上面に有するウェハ支持本体と、 前記ゥェハ支持本体の前記支持ェリァの外側から前記支持ェリァの内側に延び、
5 内側に向かって下方に傾斜する傾斜面を上面に有し、 且つ、 前記ウェハ支持本体 の前記上面よりも下側の位置と上側の位置との間で上下動可能となっている複数 のリフト部片と、
前記支持ェリァの外側に配置された円弧状のリフトリングであって、 当該リフ トリングの内周縁に前記リフト部片がー体的に形成されている前記リフトリング L0 と、
上端部が前記リフトリングに接続され、 前記ゥヱハ支持本体に形成された貫通 孔を通して上下動されるリフトピンと、
を備え、
前記リフトピンの下降時に前記貫通孔が前記リフトリングにより覆われ実質的 L5 に閉じられるようになつているウェハ支持装置。
2 . 前記リフトピンの下側に配置された、 当該リフトピンを上下動させるための 駆動手段を更に備える請求項 1に記載のウェハ支持装置。
3 . 前記リフトピンと前記駆動手段とが分離可能となっている請求項 2に記載の ウェハま持装置。
!0 4 . 前記貫通孔が、 ウェハ支持本体の径方向に延びる長孔となっている請求項 1 に記載のウェハ支持装置。
5 . 前記リフトリングは、 前記リフト部片に隣接する位置に上下動可能に配置さ れた爪部材を有しており、 前記リフトリングを持ち上げた状態とした場合、 前記 爪部材が前記リフトリングから分離して更に持ち上げられるようになっている請
!5 求項 1に記載のゥェハ支持装置。
6 . 前記リフト部片の上面の、 前記支持エリアの周方向に沿っての断面形状が、 上方に凸状に湾曲している請求項 1に記載のゥヱハ支持装置。
7 . 前記ウェハ支持本体が回転可能である請求項 1に記載のウェハ支持装置。
8 . 前記半導体製造装置がェピ夕キシャル成長装置である請求項 Ίに記載のゥヱ ハ支持装置。
PCT/JP2001/003632 2000-04-28 2001-04-26 Dispositif de support de tranche, de dispositif de fabrication de semiconducteur WO2001084622A1 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01925963A EP1289006A1 (en) 2000-04-28 2001-04-26 Wafer supporting device of semiconductor manufacturing device
KR1020017016802A KR20020026480A (ko) 2000-04-28 2001-04-26 반도체 제조 장치에서의 웨이퍼 지지 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000131195A JP2001313329A (ja) 2000-04-28 2000-04-28 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
JP2000-131195 2000-04-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2001084622A1 true WO2001084622A1 (fr) 2001-11-08

Family

ID=18640138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2001/003632 WO2001084622A1 (fr) 2000-04-28 2001-04-26 Dispositif de support de tranche, de dispositif de fabrication de semiconducteur

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20030015141A1 (ja)
EP (1) EP1289006A1 (ja)
JP (1) JP2001313329A (ja)
KR (1) KR20020026480A (ja)
WO (1) WO2001084622A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI416645B (zh) * 2007-09-12 2013-11-21 Tokyo Electron Ltd Film forming apparatus and film forming method

Families Citing this family (322)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6776849B2 (en) * 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring
US6799940B2 (en) * 2002-12-05 2004-10-05 Tokyo Electron Limited Removable semiconductor wafer susceptor
US20080090309A1 (en) * 2003-10-27 2008-04-17 Ranish Joseph M Controlled annealing method
US7127367B2 (en) 2003-10-27 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Tailored temperature uniformity
US8536492B2 (en) * 2003-10-27 2013-09-17 Applied Materials, Inc. Processing multilayer semiconductors with multiple heat sources
US20060054090A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Applied Materials, Inc. PECVD susceptor support construction
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US8222574B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
KR100903014B1 (ko) 2007-11-12 2009-06-17 주식회사 테스 기판지지장치
KR100968813B1 (ko) * 2007-12-27 2010-07-08 세메스 주식회사 지지유닛 및 상기 지지유닛의 기판 처리 방법, 그리고 상기지지유닛을 구비하는 베이크 장치
KR20100126545A (ko) * 2008-03-25 2010-12-01 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 프로세싱 챔버
US8111978B2 (en) * 2008-07-11 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with shower head
JP5412759B2 (ja) * 2008-07-31 2014-02-12 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの保持具及びそのウェーハの製造方法
US7964038B2 (en) * 2008-10-02 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved azimuthal thermal uniformity of a substrate
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20120148760A1 (en) * 2010-12-08 2012-06-14 Glen Eric Egami Induction Heating for Substrate Processing
KR101273635B1 (ko) * 2011-03-09 2013-06-17 주식회사 탑 엔지니어링 척 구조체 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 장치
WO2012134663A2 (en) * 2011-03-16 2012-10-04 Applied Materials, Inc Method and apparatus utilizing a single lift mechanism for processing and transfer of substrates
DE102011007682A1 (de) * 2011-04-19 2012-10-25 Siltronic Ag Suszeptor zum Abstützen einer Halbleiterscheibe und Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
WO2013005481A1 (ja) * 2011-07-05 2013-01-10 エピクルー株式会社 サセプタ装置及びこれを備えた成膜装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20130025538A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for deposition processes
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
NL2009689A (en) * 2011-12-01 2013-06-05 Asml Netherlands Bv Support, lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN104040691B (zh) * 2011-12-27 2016-09-07 佳能安内华股份有限公司 基板热处理装置
US9682398B2 (en) * 2012-03-30 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing system having susceptorless substrate support with enhanced substrate heating control
US9401271B2 (en) * 2012-04-19 2016-07-26 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Susceptor assemblies for supporting wafers in a reactor apparatus
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9589818B2 (en) * 2012-12-20 2017-03-07 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and liquid control ring for use in same
KR101432916B1 (ko) * 2013-01-04 2014-08-21 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 리프트 장치
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP5386046B1 (ja) * 2013-03-27 2014-01-15 エピクルー株式会社 サセプタ支持部およびこのサセプタ支持部を備えるエピタキシャル成長装置
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
WO2016111747A1 (en) * 2015-01-09 2016-07-14 Applied Materials, Inc. Substrate transfer mechanisms
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
JP6428358B2 (ja) * 2015-02-20 2018-11-28 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置及びサセプタサポートシャフト
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
EP3275008B1 (en) 2015-03-25 2022-02-23 Applied Materials, Inc. Chamber components for epitaxial growth apparatus
JP6424726B2 (ja) 2015-04-27 2018-11-21 株式会社Sumco サセプタ及びエピタキシャル成長装置
TWI615917B (zh) 2015-04-27 2018-02-21 Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 承托器及磊晶生長裝置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
DE102015223807A1 (de) * 2015-12-01 2017-06-01 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer, Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht und Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
JP6403100B2 (ja) * 2016-01-25 2018-10-10 信越半導体株式会社 エピタキシャル成長装置及び保持部材
US10438833B2 (en) * 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
CN105575800A (zh) * 2016-02-26 2016-05-11 上海华力微电子有限公司 一种晶圆托环及具有该晶圆托环的反应腔室
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
JP6536463B2 (ja) * 2016-04-21 2019-07-03 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
DE102016212780A1 (de) * 2016-07-13 2018-01-18 Siltronic Ag Vorrichtung zur Handhabung einer Halbleiterscheibe in einem Epitaxie-Reaktor und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
JP7297664B2 (ja) 2016-11-09 2023-06-26 ティーイーエル マニュファクチュアリング アンド エンジニアリング オブ アメリカ，インコーポレイテッド プロセスチャンバ中でマイクロエレクトロニクス基板を処理するための磁気的な浮上および回転するチャック
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
TWI765936B (zh) 2016-11-29 2022-06-01 美商東京威力科創Ｆｓｉ股份有限公司 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭
WO2018106952A1 (en) * 2016-12-07 2018-06-14 Tel Fsi, Inc. Wafer edge lift pin design for manufacturing a semiconductor device
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
KR102493551B1 (ko) 2017-01-27 2023-01-30 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. 프로세스 챔버에서 기판을 회전 및 병진시키기 위한 시스템 및 방법
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) * 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
EP3843129B1 (en) * 2017-11-21 2022-09-14 Lam Research Corporation Bottom edge rings
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) * 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10755955B2 (en) * 2018-02-12 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Substrate transfer mechanism to reduce back-side substrate contact
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR20200121829A (ko) 2018-02-19 2020-10-26 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. 제어 가능한 빔 크기를 갖는 처리 스프레이를 가지는 마이크로전자 처리 시스템
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) * 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11545387B2 (en) 2018-07-13 2023-01-03 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Magnetic integrated lift pin system for a chemical processing chamber
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
JP2020027817A (ja) * 2018-08-09 2020-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
CN111286723A (zh) * 2018-12-10 2020-06-16 昭和电工株式会社 基座和化学气相沉积装置
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
CN118507324A (zh) * 2019-06-18 2024-08-16 朗姆研究公司 用于衬底处理系统的缩小直径承载环硬件
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
CN111508805B (zh) * 2020-04-07 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS631044A (ja) * 1986-06-20 1988-01-06 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 気相反応装置
JPH07263523A (ja) * 1994-03-24 1995-10-13 Kawasaki Steel Corp ウェーハ載置台
US5643366A (en) * 1994-01-31 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS631044A (ja) * 1986-06-20 1988-01-06 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 気相反応装置
US5643366A (en) * 1994-01-31 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum
JPH07263523A (ja) * 1994-03-24 1995-10-13 Kawasaki Steel Corp ウェーハ載置台

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI416645B (zh) * 2007-09-12 2013-11-21 Tokyo Electron Ltd Film forming apparatus and film forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001313329A (ja) 2001-11-09
US20030015141A1 (en) 2003-01-23
EP1289006A1 (en) 2003-03-05
KR20020026480A (ko) 2002-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2001084622A1 (fr) Dispositif de support de tranche, de dispositif de fabrication de semiconducteur
JP3234576B2 (ja) 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
US6293749B1 (en) Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
JP4592849B2 (ja) 半導体製造装置
JP3398936B2 (ja) 半導体処理装置
US6068441A (en) Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
JP6618876B2 (ja) 基板処理装置、搬送方法およびサセプタ
KR102669071B1 (ko) 기상 성장 장치
JP2002151412A (ja) 半導体製造装置
JP5464068B2 (ja) エピタキシャル成長装置における内部部材の位置調整方法
JP2001068541A (ja) 処理基板トレイ
JP2004119859A (ja) サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法
JP3357311B2 (ja) 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
JPH09199437A (ja) 半導体ウェーハ支持装置
WO2001031700A1 (fr) Porte-plaquette et dispositif de croissance epitaxiale
JP2001110881A (ja) 基板支持組立体のためのシリコンカーバイドスリーブ
JP2002057210A (ja) ウェハ支持装置及び半導体製造装置
JP2000269137A (ja) 半導体製造装置及びウェハ取扱方法
JP7257916B2 (ja) 気相成長装置の基板搬送機構
TWI821766B (zh) 薄膜生長系統以及基片托盤和載環元件
KR101436059B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 방법
JP2005235906A (ja) ウェーハ保持具及び気相成長装置
US20020062792A1 (en) Wafer support device and reactor system for epitaxial layer growth
JPH01265516A (ja) 半導体ウエハ用ホットプレートオーブン
JP2022083011A (ja) サセプタ、ｃｖｄ装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2001 30320

Country of ref document: US

Date of ref document: 20011222

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10030320

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020017016802

Country of ref document: KR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2001925963

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2001925963

Country of ref document: EP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 2001925963

Country of ref document: EP