CN111508805B - 半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备，该晶片升降结构包括：安装盘，固定设置在半导体设备工艺腔室中的基座下端；导向轴，竖直设置于安装盘的下方且与安装盘连接；晶片升降机构，套设在导向轴上，包括：晶片驱动架，套设在导向轴上且可沿着导向轴升降；多个晶片支撑结构，设置于晶片驱动架上；第一驱动源，与晶片驱动架连接；聚焦环升降机构，套设在导向轴上，包括：聚焦环驱动架，套设在导向轴上且可沿着导向轴升降；多个聚焦环支撑结构，套设置于聚焦环驱动架上；第二驱动源，与聚焦环驱动架连接。本发明可以保证晶片升降机构及聚焦环升降机构的运动平稳性及升针的一致性，降低其由于颤针引起的晶片或聚焦环倾斜的风险。

Description

半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备。

背景技术

目前，一些半导体设备(例如等离子体刻蚀机)在对晶片进行工艺时，晶片在大气端经过传输平台机械手传入工艺腔室的对应位置，然后通过晶片升降机构进行升针动作，使晶片顶针顶在晶片下方，传输平台机械手撤回，晶片升降机构进行下针动作，使晶片顶针下降，将晶片降落至静电卡盘对应位置，晶片在工艺过程中被吸附在静电卡盘上。

在加工完成后，静电卡盘失电，晶片升降机构再次进行升针动作，通过晶片顶针将晶片顶升至一个设定高度，传输平台机械手进入工艺腔室把晶片传出，完成工艺。在晶片顶升出现偏差，传输平台机械手无法抓取时，则需要聚焦环升降机构顶升聚焦环，通过聚焦环带动晶片上升至设定高度，通过机械手带动聚焦环与晶片一并送出至传送平台。

图8是现有的聚焦环升降机构S1的结构示意图。如图8所示，现有的聚焦环升降机构S1主要由驱动单元S11、驱动支架S12、调节机构S13、真空波纹管S14、O型密封圈S15及聚焦环顶针S16等组成，真空波纹管S14安装在驱动支架S12上，聚焦环顶针S16的一端设置在真空波纹管S14内，另一端由真空波纹管管S14上端伸出，并通过O型密封圈S15密封，驱动单元S11的一端固定在接口盘S24上，另一端作为活动端与驱动支架S12连接，用以带动驱动支架S12上面的真空波纹管S14和聚焦环顶针S16运动，顶升聚焦环S17。

图9、10是现有的晶片升降机构S2的结构示意图。如图9、10所示，现有的晶片升降机构S2主要由三组带气缸真空波纹管S21、O型密封圈S22及晶片顶针S23组成，带气缸真空波纹管S21上端固定在接口盘S24上。图11是现有的晶片升降机构顶升晶片时的结构示意图，如图11所示，气缸作为动力源带动晶片顶针S23上升，穿过静电卡盘S25，推动晶片S上升。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

1、晶片升降机构S2及聚焦环升降机构S1在顶升过程中存在颤针的风险。

2、晶片升降机构S2的动力源是设置在各个真空波纹管S21内的气缸，由于各个真空波纹管S21内的气缸是相互独立的且不具有驱动一致性，从而会导致晶片升降机构S2进行升针动作时，晶片顶针S23一致性较差，在发生粘片不均匀时可能会出现单边顶起的风险。

发明内容

为解决上述现有技术中存在的技术问题，本发明实施例提供了一种半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备。具体的技术方案如下：

第一方面，提供一种半导体设备中的晶片升降结构，包括：

安装盘，固定设置在半导体设备工艺腔室中的基座下端；

导向轴，竖直设置于安装盘的下方且与安装盘连接；

晶片升降机构，套设在导向轴上，晶片升降机构包括：

晶片驱动架，套设在导向轴上且可沿着导向轴升降；

多个晶片支撑结构，设置于晶片驱动架上；以及

第一驱动源，设置在安装盘的下方，并与晶片驱动架连接，用于驱动晶片驱动架升降，以带动多个晶片支撑结构升降；以及

聚焦环升降机构，套设在导向轴上，聚焦环升降机构包括：

聚焦环驱动架，套设在导向轴上且可沿着导向轴升降；

多个聚焦环支撑结构，套设置于聚焦环驱动架上；以及

第二驱动源，设置在安装盘的下方，并与聚焦环驱动架连接，用于驱动聚焦环驱动架升降，以带动多个聚焦环支撑结构升降。

在第一方面的第一种可能实现方式中，还包括：二个直线轴承，分别设置于导向轴与聚焦环驱动架及晶片驱动架之间，用于减小聚焦环驱动架及晶片驱动架与导向轴的运动摩擦力。

结合第一方面的第一种可能实现方式，在第一方面的第二种可能实现方式中，聚焦环驱动架及晶片驱动架上还分别设置有台阶孔，二个直线轴承分别设置于台阶孔内，且台阶孔的上端直径小于直线轴承的外径，台阶孔的下端还设置有挡圈，用于将直线轴承卡在台阶孔内。

结合第一方面至其第二种可能实现方式中的任一项，在第一方面的第三种可能实现方式中，还包括：驱动源固定架，位于安装盘的下方，与安装盘连接，第一驱动源及第二驱动源设置在驱动源固定架上。

结合第一方面至其第二种可能实现方式中的任一项，在第一方面的第四种可能实现方式中，晶片驱动架位于聚焦环驱动架上方，晶片驱动架位于导向轴位置处具有向下的凸台结构，聚焦环驱动架位于导向轴位置处具有凹槽结构，凸台结构可嵌于凹槽结构内。

结合第一方面至其第二种可能实现方式中的任一项，在第一方面的第五种可能实现方式中，第一驱动源及第二驱动源均为电缸。

结合第一方面至其第二种可能实现方式中的任一项，在第一方面的第六种可能实现方式中，晶片支撑结构包括：晶片顶针和第一真空波纹管，第一真空波纹管的一端与晶片驱动架密封连接，另一端与安装盘密封连接，晶片顶针的一端与晶片驱动架连接且位于第一真空波纹管内，另一端伸出第一真空波纹管，穿设于基座的通孔中。

结合第一方面至其第二种可能实现方式中的任一项，在第一方面的第七种可能实现方式中，聚焦环支撑结构包括：聚焦环顶针和第二真空波纹管，第二真空波纹管的一端与聚焦环驱动架密封连接，另一端与安装盘密封连接，聚焦环顶针的一端与聚焦环驱动架连接且位于第二真空波纹管内，另一端伸出第二真空波纹管，穿设于基座的通孔中。

结合第一方面至其第二种可能实现方式中的任一项，在第一方面的第八种可能实现方式中，还包括：底座，其上设置有轴孔，导向轴的上端与安装盘连接，下端设置在轴孔中。

第二方面，提供一种半导体设备，包括工艺腔室，工艺腔室中设置有基座，还包括：上述任意一晶片升降结构。

本发明与现有技术相比具有的优点有：

1、本发明的半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备，通过将晶片升降机构及聚焦环升降机构设置在导向轴上，使其在升针动作时，晶片驱动架及聚焦环驱动架沿着导向轴上升，可以保证晶片升降结构的运动平稳性。

2、同时，晶片驱动架及聚焦环驱动架在沿着导向轴上升时，还带动多个晶片支撑结构上的晶片顶针及多个聚焦环支撑结构上的聚焦环顶针同时上升，可保证升针的一致性，降低由于晶片顶针或聚焦环顶针颤抖引起的晶片或聚焦环倾斜。

3、另外，本发明的晶片驱动架与聚焦环驱动架呈镶嵌式配合，可以节省空间，便于其他元器件布局。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明第一实施例的晶片升降结构的结构示意图。

图2是本发明第一实施例的晶片升降机构及聚焦环升降机构设置在导向轴上的俯视结构示意图。

图3是本发明第一实施例的导向轴与晶片驱动架的配合示意图。

图4是本发明第一实施例的导向轴与聚焦环驱动架的配合示意图。

图5是本发明第一实施例的聚焦环升降机构设置在导向轴上的结构示意图。

图6是本发明第一实施例的第一驱动源及第二驱动源的组合示意图。

图7是本发明第一和第二实施例的半导体设备的内部结构示意图。

图8是现有的聚焦环升降机构的结构示意图。

图9、10是现有的晶片升降机构的结构示意图。

图11是现有的晶片升降机构顶升晶片时的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

本发明的第一实施例中，图1是本发明第一实施例的晶片升降结构的结构示意图，图7是本发明第一实施例的半导体设备的内部结构示意图。如图1和图7所示，晶片升降结构1应用于半导体设备10中，本实施例中所示的半导体设备10可以为等离子体刻蚀机，但并不以此为限。晶片升降结构1包括安装盘2、导向轴3、晶片升降机构4和聚焦环升降机构5，其中：

安装盘2固定设置在半导体设备10中的基座50下端，安装盘2主要是用于为晶片升降机构4和聚焦环升降机构5提供刚性支撑；在本实施例对于安装盘2的结构可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可。

请再次参考图1，导向轴3竖直设置于安装盘2的下方且与安装盘2固定连接，导向轴3主要是用做导向机构，为晶片升降机构4及聚焦环升降机构5提供导向，保证晶片升降机构4及聚焦环升降机构5的运动平稳性。优选的，导向轴3与安装盘2的固定连接方式可以为螺纹连接，以方便其拆卸更换，但并不以此为限。

图2是本发明第一实施例的晶片升降机构及聚焦环升降机构设置在导向轴上的俯视结构示意图。如图1和图2所示，晶片升降机构4套设在导向轴3上，晶片升降机构4包括晶片驱动架41、多个晶片支撑结构42和第一驱动源43，晶片驱动架41套设于导向轴3上且可沿着导向轴3升降，多个晶片支撑结构42设置于晶片驱动架41上，以通过晶片驱动架41带动多个晶片支撑结构42同时升降。

请再次参考图2，晶片驱动架41包括多个支撑臂44，本实施例公开的多个晶片支撑结构42一一对应地设置在多个支撑臂44上，多个支撑臂44沿着导向轴3的圆周方向呈均匀间隔设置，多个晶片支撑结构42对应设置在多个支撑臂44的端部，晶片驱动架41的多个支撑臂44同时升降，从而带动多个晶片支撑结构42同时升降，但并不以此为限。

请再次参考图2，本实施例进一步公开的多个晶片支撑结构42的数量为三个，多个支撑臂44的数量为三个，三个支撑臂44沿着导向轴3的圆周方向呈均匀间隔设置，三个晶片支撑结构42对应设置在三个支撑臂44的端部，形成三针顶升状，但并不以此为限，本领域技术人员也可以根据实际顶升需求选择设置其他合适数量的晶片支撑结构42及支撑臂44。

请再次参考图2，本实施例公开的晶片支撑结构42包括晶片顶针421和第一真空波纹管422，第一真空波纹管422的一端与晶片驱动架41密封连接，第一真空波纹管422的另一端与安装盘2密封连接，第一真空波纹管422可通过晶片驱动架41带动而伸缩，晶片顶针421的一端与晶片驱动架41连接且位于第一真空波纹管422内，晶片顶针421的另一端伸出第一真空波纹管422，穿设于基座50的通孔中，晶片顶针421用于在执行升针动作时顶起晶片，然晶片支撑结构42的结构并不局限于此，本领域技术人员也可以根据实际顶升需求选择其他合适的结构的晶片支撑结构42。

请再次参考图1、2，第一驱动源43设置在安装盘2的下方，并与晶片驱动架41连接，第一驱动源43是作为晶片升降机构4的动力源，第一驱动源43优选为电缸，电缸的活动端可以通过螺钉与晶片驱动架41固定连接，用以带动晶片驱动架41升降，但并不以此为限。第一驱动源43可通过驱动晶片驱动架41上升，带动多个晶片支撑结构42上升，对晶片顶针421执行升针动作。

如图9-11所示，现有技术的晶片升降机构S2在执行升针动作时，是通过设置在各个真空波纹管S21内的气缸作为动力源，带动晶片顶针S23上升，执行升针动作的，由于各个真空波纹管S21内的气缸是相互独立的且不具有驱动一致性，从而会导致晶片升降机构S2进行升针动作时，晶片顶针S23一致性较差，在发生粘片不均匀时可能会出现单边顶起的风险。

而本实施例的晶片升降机构4在执行升针动作时，是通过第一驱动源43作为动力源，带动晶片驱动架41上升，然后带动设置在晶片驱动架41上的多个晶片支撑结构42同时上升，进而带动多个晶片支撑结构42上的晶片顶针421上升，执行升针动作。

由于本实施例的多个晶片支撑结构42的动力源均是第一驱动源43，因而可以保证多个晶片支撑结构42的驱动一致性，避免因晶片顶针421一致性较差，在发生粘片不均匀时可能会出现单边顶起的风险。同时，晶片驱动架41在上升时，是以导向轴3为导向，沿着导向轴3的方向上升，还可以保证晶片升降机构4的运动平稳性，避免在顶升过程中存在颤针的风险。

图5是本发明第一实施例的聚焦环升降机构设置在导向轴上的结构示意图。如图1、图2和图5所示，聚焦环升降机构5套设在导向轴3上，聚焦环升降机构5包括聚焦环驱动架51、多个聚焦环支撑结构52和第二驱动源53，聚焦环驱动架51套设于导向轴3上且可沿着导向轴3升降，多个聚焦环支撑结构52设置于聚焦环驱动架51上，聚焦环驱动架51主要是用于带动多个聚焦环支撑结构52同时升降；在本实施例中对于聚焦环驱动架51的结构的选择可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可。

请再次参考图2，本实施例公开的多个聚焦环支撑结构52的数量为四个，四个聚焦环支撑结构52沿着导向轴3的圆周方向呈均匀间隔设置在聚焦环驱动架51的四个支撑臂上，形成四针顶升状，但并不以此为限，本领域技术人员也可以根据实际顶升需求选择设置其他合适数量的聚焦环支撑结构52。

请再次参考图2，本实施例公开的聚焦环支撑结构52包括聚焦环顶针521和第二真空波纹管522，第二真空波纹管522的一端与聚焦环驱动架51密封连接，第二真空波纹管522的另一端与安装盘2呈密封连接，第二真空波纹管522可通过聚焦环驱动架51带动而伸缩，聚焦环顶针521的一端与聚焦环驱动架51连接且位于第二真空波纹管522内，聚焦环顶针521的另一端伸出第二真空波纹管522，穿设于基座50的通孔中，聚焦环顶针521主要是用于在执行升针动作时顶起聚焦环，通过聚焦环顶起晶片，然聚焦环支撑结构52的结构并不局限于此，本领域技术人员也可以根据实际顶升需求选择其他合适的结构的聚焦环支撑结构52。

请再次参考图1和图2，第二驱动源53设置在安装盘2的下方，并与聚焦环驱动架51连接，第二驱动源53是作为聚焦环升降机构5的动力源，第二驱动源53优选为电缸，电缸的活动端可以通过螺钉与聚焦环驱动架51固定连接，用以带动聚焦环驱动架51升降，但并不以此为限。第二驱动源53可通过驱动聚焦环驱动架51上升，带动多个聚焦环支撑结构52上升，对聚焦环顶针521执行升针动作。

现有技术的聚焦环升降机构S1在执行升针动作时，是通过设置接口盘S24下方的驱动单元带动驱动支架S12上升，然后带动设置在驱动支架S12上的波纹管S14和聚焦环顶针S16上升，执行升针动作的，由于聚焦环升降机构S1的缺少轴向定位装置，其在顶升过程中存在颤针的风险。

而本实施例的聚焦环升降机构5在执行升针动作时，如图5所示，是通过第二驱动源53作为动力源，带动聚焦环驱动架51沿着导向轴3上升，然后带动设置在聚焦环驱动架51上的多个聚焦环支撑结构52同时上升，进而带动多个聚焦环支撑结构52上的聚焦环顶针521上升，执行升针动作。由于聚焦环驱动架51在上升时，是以导向轴3为导向，沿着导向轴3的方向上升，可以保证晶片升降机构4的运动平稳性，避免在顶升过程中存在颤针的风险。

在一优选实施例中，图3是本发明第一实施例的导向轴与晶片驱动架的配合示意图，图4是本发明第一实施例的导向轴与聚焦环驱动架的配合示意图。如图1、图3和图4所示，晶片升降结构1还包括二个直线轴承6，二个直线轴承6分别设置于导向轴3与聚焦环驱动架51及晶片驱动架41之间，用于减小聚焦环驱动架51及晶片驱动架41与导向轴3的运动摩擦力，但并不以此为限。

请再次参考图3和4，本实施例进一步公开的聚焦环驱动架51及晶片驱动架41上还分别设置有台阶孔7，二个直线轴承6分别设置于台阶孔7内，且台阶孔7的上端直径小于直线轴承6的外径，台阶孔7的下端还设置有挡圈8，通过挡圈8将二个直线轴承6卡在其对应的台阶孔7内，但并不以此为限。

在一优选实施例中，图6是本发明第一实施例的第一驱动源及第二驱动源的组合示意图。如图1和6所示，晶片升降结构1还包括驱动源固定架9，驱动源固定架9位于安装盘2的下方，与安装盘2连接，其可以通过螺钉固定在安装盘2的下方，但并不以此为限。第一驱动源43及第二驱动源53安装在驱动源固定架9上，驱动源固定架9主要是用于第一驱动源43及第二驱动源53的安装固定，驱动源固定架9优选为双电缸固定架，但并不以此为限。

在一优选实施例中，请再次参考图1、图3和图4，晶片驱动架41位于聚焦环驱动架51上方，晶片驱动架41位于导向轴3位置处具有向下的凸台结构411，聚焦环驱动架51位于导向轴3位置处具有凹槽结构511，凸台结构411可嵌于所述凹槽511结构内，使晶片驱动架41与聚焦环驱动架51呈镶嵌式配合，从而可以使其在狭小的空间内实现镶嵌式配合，大大节省空间，使其他气路、冷却液系统、电缆等零件可以有足够的空间布局，还可以避免为节省空间采用一体式气缸波纹管而带来的一些问题，如气缸传动不稳定，且没有导向容易颤针等缺点，但并不以此为限。

在一优选实施例中，请再次参考图7，晶片升降结构1还包括底座70，底座70上设置有轴孔71，导向轴3的上端与安装盘2连接，下端设置在轴孔71中，以通过安装盘2与底座70配合将导向轴3安装在半导体设备10中，但并不以此为限。

本发明的第二实施例中，图7是本发明第二实施例的半导体设备10的内部结构示意图。如图7所示，半导体设备10包括工艺腔室20和上述第一实施例中所示的晶片升降结构1，工艺腔室20中设置有基座50，其中：

请再次参考图7，工艺腔室20的上部具有机台电极60，机台电极60用于刻蚀晶片11，工艺腔室20的下部还具有一底座70，底座70主要是用于工艺腔室20内的真空端201与大气端202之间的隔离。真空系统30与工艺腔室20的下端连接，真空系统30用于工艺腔室20内的真空端201的抽真空；在本实施例中对于真空系统30的选择可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可，例如可以选择为由真空泵及真空管道组成的真空系统。

请再次参考图7，传送系统40与工艺腔室20的侧面连接，传送系统40用于在晶片11刻蚀前，将晶片11输送至基座50上方，在晶片11刻蚀后，将晶片11取出。基座50设置于工艺腔室20上且位于传送系统40的下方，基座50用于晶片11在刻蚀时，吸附固定晶片11。

请再次参考图7，晶片升降结构1设置于工艺腔室20内，安装盘2呈水平设置于工艺腔室20上且位于基座50的下端，导向轴3的下端设置于底座70上，且晶片顶针421在执行升针动作时，可穿过基座50内部的孔洞，顶起晶片11，同时聚焦环顶针521在执行升针动作时，可穿过基座50内部的孔洞，顶起聚焦环12，带动晶片11升起。

在一优选实施例中，导向轴3的上端与安装盘2通过螺纹连接固定，导向轴3的下端与底座70通过轴孔配合连接，但并不以此为限。

具体而言，如图7所示，工艺腔室20上部为机台电极60，左侧为电缆、水、气等通道80，下侧与真空系统30连接，右侧连接传送系统40，安装盘2固定设置在半导体设备中的基座50下端，，安装盘2下方为大气端202，上方为真空端201，导向轴3的上端与安装盘2通过螺纹连接固定，下端与底座130轴孔配合连接，驱动源固定架9固定在安装盘2的下方，第一驱动源43及第二驱动源53安装在驱动源固定架9上，晶片升降机构4及聚焦环升降机构5分别设置在导向轴3上，且在执行升针动作时，晶片顶针421及聚焦环顶针521均可穿过基座50内部的孔洞。

本实施例的半导体设备10在刻蚀晶片11时，晶片11在大气端经过传送系统40传入工艺腔室20内且位于基座50的上方，然后晶片升降机构4沿着导向轴3进行升针动作，使晶片顶针421顶在晶片11下方，传送系统40撤回，晶片升降结构1进行下针动作，使晶片11下降，将晶片11降落至基座50上，基座50通电，将晶片11吸附固定，对晶片11进行工艺刻蚀。

在加工完成后，基座50失电，晶片升降机构4再次沿着导向轴3进行升针动作，通过晶片顶针421将晶片11顶升至一个设定高度，传送系统40进入工艺腔室20把晶片11传出，完成晶片11刻蚀。

若晶片11在顶升出现偏差，传送系统40无法抓取时，则聚焦环升降机构5沿着导向轴3进行升针动作，顶升聚焦环12，通过聚焦环12带动晶片11上升至设定高度，并通过传送系统40带动聚焦环12与晶片11一并送出至传送平台。

本实施例的半导体设备10通过将晶片升降机构4及聚焦环升降机构5设置在导向轴3上，使其在升针动作时，晶片驱动架41及聚焦环驱动架51沿着导向轴3上升，可以保证其运动平稳性。同时，晶片驱动架41及聚焦环驱动架51在沿着导向轴3上升时，还带动多个晶片支撑结构42上的晶片顶针421及多个聚焦环支撑结构52上的聚焦环顶针521同时上升，可保证升针的一致性，降低由于晶片顶针421或聚焦环顶针521颤抖引起的晶片11或聚焦环12倾斜。

上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施方式，但如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施方式的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种半导体设备中的晶片升降结构，包括：

安装盘，固定设置在所述半导体设备工艺腔室中的基座下端；

导向轴，竖直设置于所述安装盘的下方且与所述安装盘固定连接；

晶片升降机构，套设在所述导向轴上，所述晶片升降机构包括：

晶片驱动架，中心对称地套设在所述导向轴上且可沿着所述导向轴升降；

多个晶片支撑结构，设置于所述晶片驱动架上，相对所述导向轴中心对称设置；以及

第一驱动源，设置在所述安装盘的下方，并与所述晶片驱动架连接，用于驱动所述晶片驱动架升降，以带动所述多个晶片支撑结构同时升降；以及

聚焦环升降机构，套设在所述导向轴上，所述聚焦环升降机构包括：

聚焦环驱动架，中心对称地套设在所述导向轴上且可沿着所述导向轴升降；

多个聚焦环支撑结构，套设置于所述聚焦环驱动架上，相对所述导向轴中心对称设置；以及

第二驱动源，设置在所述安装盘的下方，并与所述聚焦环驱动架连接，用于驱动所述聚焦环驱动架升降，以带动所述多个聚焦环支撑结构同时升降；

所述晶片驱动架位于所述聚焦环驱动架上方，所述晶片驱动架位于所述导向轴位置处具有向下的凸台结构，所述聚焦环驱动架位于所述导向轴位置处具有凹槽结构，所述凸台结构可嵌于所述凹槽结构内。

2.据权利要求1所述的晶片升降结构，其特征在于，还包括：二个直线轴承，分别设置于所述导向轴与所述聚焦环驱动架及所述晶片驱动架之间，用于减小所述聚焦环驱动架及所述晶片驱动架与所述导向轴的运动摩擦力。

3.据权利要求2所述的晶片升降结构，其特征在于，所述聚焦环驱动架及所述晶片驱动架上还分别设置有台阶孔，所述二个直线轴承分别设置于所述台阶孔内，且所述台阶孔的上端直径小于所述直线轴承的外径，所述台阶孔的下端还设置有挡圈，用于将所述直线轴承卡在所述台阶孔内。

4.据权利要求1-3任一项所述的晶片升降结构，其特征在于，还包括：驱动源固定架，位于所述安装盘的下方，与所述安装盘连接，所述第一驱动源及所述第二驱动源设置在所述驱动源固定架上。

5.据权利要求1-3任一项所述的晶片升降结构，其特征在于，所述第一驱动源及所述第二驱动源均为电缸。

6.据权利要求1-3任一项所述的晶片升降结构，其特征在于，所述晶片支撑结构包括：

第一真空波纹管，一端与所述晶片驱动架密封连接，另一端与所述安装盘密封连接；

晶片顶针，一端与所述晶片驱动架连接且位于所述第一真空波纹管内，另一端伸出所述第一真空波纹管，穿设于所述基座的通孔中。

7.据权利要求1-3任一项所述的晶片升降结构，其特征在于，所述聚焦环支撑结构包括：

第二真空波纹管，一端与所述聚焦环驱动架密封连接，另一端与所述安装盘密封连接；

聚焦环顶针，一端与所述聚焦环驱动架连接且位于所述第二真空波纹管内，另一端伸出所述第二真空波纹管，穿设于所述基座的通孔中。

8.根据权利要求1-3任一项所述的晶片升降结构，其特征在于，还包括：底座，其上设置有轴孔，所述导向轴的上端与所述安装盘连接，下端设置在所述轴孔中。

9.一种半导体设备，包括工艺腔室，所述工艺腔室中设置有基座，其特征在于，还包括：如上述权利要求1-8中任意一项所述的晶片升降结构。