CN109192696A - 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备 - Google Patents

升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备 Download PDF

Info

Publication number
CN109192696A
CN109192696A CN201810911227.XA CN201810911227A CN109192696A CN 109192696 A CN109192696 A CN 109192696A CN 201810911227 A CN201810911227 A CN 201810911227A CN 109192696 A CN109192696 A CN 109192696A
Authority
CN
China
Prior art keywords
focusing ring
wafer
cylinder
thimble
lifting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810911227.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109192696B (zh
Inventor
茅兴飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing North Microelectronics Co Ltd filed Critical Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201810911227.XA priority Critical patent/CN109192696B/zh
Priority to TW107145806A priority patent/TWI694534B/zh
Publication of CN109192696A publication Critical patent/CN109192696A/zh
Priority to JP2021506501A priority patent/JP7320597B2/ja
Priority to PCT/CN2019/098370 priority patent/WO2020029833A1/zh
Priority to KR1020217002598A priority patent/KR102425674B1/ko
Priority to US17/263,078 priority patent/US11694880B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109192696B publication Critical patent/CN109192696B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation
    • H01J2237/20235—Z movement or adjustment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备，其中，升降针系统包括：聚焦环、静电卡盘、聚焦环起升装置和晶圆升针顶升装置；聚焦环起升装置包括：聚焦环顶针和第一升降驱动装置，第一升降驱动装置驱动聚焦环顶针升起或下降，用以将聚焦环顶起或降下；晶圆升针顶升装置包括：晶圆顶针和第二升降驱动装置，第二升降驱动装置驱动晶圆顶针升起或下降，用以将放置在聚焦环上的晶圆顶起或降下。本发明的系统、真空反应腔室以及设备，能够提高异常维护效率；通过在预定工艺时间后精确提升聚焦环的高度，使聚焦环的使用寿命提高一倍；可实现在不破化反应腔真空的情况下更换聚焦环，提高更换易耗件的效率。

Description

升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体集成制造技术领域，尤其涉及一种升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备。
背景技术
等离子体刻蚀机的反应腔工作时处于真空状态，一般情况下一个传输平台对接两至四个刻蚀机反应腔。晶圆在大气端经过传输平台机械手传入刻蚀机反应腔的对应位置，刻蚀机的升降针机构进行升针动作，平台真空机械手把晶圆片放置在升针机构上后撤回，升降针机构下降，晶圆降落至静电卡盘对应位置。晶圆在工艺过程中被吸附在静电卡盘上，加工完成后，静电卡盘失电，升降针机构把晶圆举升至一个设定高度，传输平台的真空机械手进入反应腔把晶圆传出，完成传输过程。在反应腔中晶圆的传输都需要升降针机构的升降运动完成，升降针机构的驱动装置一般设置在大气端，升降针机构的驱动端与执行端一般设置真空波纹管实现真空隔离。
现有刻蚀机的升降针机构，主要包括旋转气缸、气缸固定支架、波纹管连接支架、真空波纹管和升针。升降针机构配置3根升针，通过控制旋转气缸的进气方向，推动气缸运动发生旋转运动，通过曲柄机构连接波纹管连接支架带动真空波纹管上下运动，实现晶圆的传输操作过程。在多次刻蚀操作后，静电卡盘存在残余静电且分布不均匀，升降针机构通过3根细针状顶起晶圆时，容易造成载荷分布不均，晶圆跳动造成位置偏差，甚至造成倾斜失位，机械手无法传送，只能停机打开反应腔室手动取晶圆，造成晶圆报废风险和维护成本提高。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备。
根据本发明实施例的一个方面，提供一种升降针系统，包括：聚焦环、静电卡盘、聚焦环起升装置和晶圆升针顶升装置；所述聚焦环设置在所述静电卡盘上，用于放置晶圆；所述聚焦环起升装置和所述晶圆升针顶升装置位于所述静电卡盘的下方；所述聚焦环起升装置包括：聚焦环顶针和第一升降驱动装置，所述第一升降驱动装置驱动所述聚焦环顶针升起或下降，用以将所述聚焦环顶起或降下；所述晶圆升针顶升装置包括：晶圆顶针和第二升降驱动装置，所述第二升降驱动装置驱动所述晶圆顶针升起或下降，用以将放置在所述聚焦环上的晶圆顶起或降下。
可选地，所述第一升降驱动装置包括：驱动支架、第一驱动单元和第一波纹管；所述聚焦环顶针的底端与所述驱动支架连接，所述聚焦环顶针穿设于所述第一波纹管内，所述第一波纹管的两端分别与所述静电卡盘下方设置的接口盘和所述驱动支架连接；所述第一驱动单元的一端固定在所述接口盘上，另一端作为活动端驱动所述驱动支架以及所述聚焦环顶针升降。
可选地，沿所述驱动支架的周向间隔且均匀设置有至少三个所述聚焦环顶针；所述聚焦环顶针与所述第一波纹管对应设置。
可选地，所述第一驱动单元包括：电缸、伺服电机和控制装置；所述电缸的缸体与所述接口盘固定连接，所述电缸的活动端与所述驱动支架固定连接；所述控制装置与所述伺服电机电连接；所述伺服电机与所述电缸的输入端连接,根据所述控制装置发送的控制信号，控制所述电缸的活动端做伸出或缩回运动。
可选地，所述第一驱动单元包括：直线气缸、曲柄机构和摆动气缸；所述曲柄机构固定连接所述接口盘，所述曲柄机构的摆动杆连接所述直线气缸的缸体；所述直线气缸的活动端与所述驱动支架固定连接；所述摆动气缸与所述曲柄机构的摆动杆连接，所述摆动气缸驱动所述摆动杆带动带动所述直线气缸的缸体升降。
可选地，所述第一驱动单元还包括：节流阀和流量计；其中，通过所述节流阀和所述流量计控制所述摆动气缸的摆动角度。
可选地，所述第二升降驱动装置包括：第二驱动单元；所述第二驱动单元包括：气缸、安装筒和第二波纹管；所述安装筒的两端分别与所述静电卡盘下方设置的接口盘和所述气缸的缸体固定连接；所述气缸的活动端与所述晶圆顶针的底端固定连接；所述第二波纹管设置在所述安装筒内，所述晶圆顶针穿设于所述第二波纹管内；所述气缸的活动端驱动所述晶圆顶针升降。
可选地，沿所述静电卡盘的周向间隔且均匀设置有至少三个所述晶圆顶针；所述晶圆顶针与所述第二驱动单元对应设置。
根据本发明的另一方面，提供一种真空反应腔室，包括：如上所述的升降针系统，所述升降针系统安装在真空反应腔室内部的静电卡盘基座上。
根据本发明的又一方面，提供一种半导体加工设备，包括机械手、如上所述的真空反应腔室。
本发明的升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备，通过聚焦环起升装置和晶圆升针顶升装置的配合，能够使晶圆正常顶升出现偏差时，在不破坏真空的情况下通过机械手送至传送平台，提高异常维护效率；通过在预定工艺时间后精确提升聚焦环的高度，使聚焦环的使用寿命提高一倍；可实现在不破化反应腔真空的情况下更换聚焦环，提高更换易耗件的效率。
本发明实施例附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图：
图1为根据本发明的升降针机构的在反应腔中的布局示意图；
图2A和2B为根据本发明的升降针机构的一个实施例的装配示意图，其中，图2A为主视图，图2B为俯视示意图；
图3为聚焦环起升装置的一个实施例的结构示意图；
图4为第一升降驱动装置的一个实施例的驱动原理图；
图5为第一升降驱动装置的另一个实施例的驱动原理图；
图6A、6B、6C为晶圆升针顶升机构的一个实施例的结构示意图；其中，图6A为主视图，图6B为侧视图，图6C为俯视图；
图7A和7B为聚焦环传送示意图，其中，图7A为主视图，图7B为俯视图。
具体实施方式
下面参照附图对本发明进行更全面的描述，其中说明本发明的示例性实施例。下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。下面结合图和实施例对本发明的技术方案进行多方面的描述。
下文为了叙述方便，下文中所称的“左”、“右”、“上”、“下”与附图本身的左、右、上、下方向一致。下文中的“第一”、“第二”等，仅用于描述上相区别，并没有其它特殊的含义。
如图1所示，本发明的升降针系统10安装在真空反应腔室20内部的静电卡盘基座30上，反应腔室20的上端部由上部电极40连接密封。反应腔室20下端部与真空系统50连接并抽真空，提供真空环境。反应腔室20右侧与真空传送系统60连接，通过真空机械手61实现对晶圆70的搬运。反应腔室20的缺口端面21与静电卡盘基座30密封连接，反应腔室20提供本升降针系统10需要的电缆、CDA、冷却液管路等装置的通道80。静电卡盘基座30上部由可升降聚焦环升针系统10密封，下部由盖板90密封。
在一个实施例中，如图2A和图2B所示，升降针系统包括：聚焦环12、静电卡盘13、聚焦环起升装置11和晶圆升针顶升装置15。聚焦环12设置在静电卡盘13上，用于放置晶圆。聚焦环起升装置11和晶圆升针顶升装置15位于静电卡盘13的下方。聚焦环起升装置包括：聚焦环顶针和第一升降驱动装置，第一升降驱动装置驱动聚焦环顶针升起或下降，用以将聚焦环12顶起或降下。晶圆升针顶升装置包括：晶圆顶针和第二升降驱动装置，第二升降驱动装置驱动晶圆顶针升起或下降，用以将放置在聚焦环12上的晶圆顶起或降下。
静电卡盘13设置有贯穿其上下表面的晶圆顶针孔17、聚焦环顶针孔16。聚焦环顶针的顶端穿过聚焦环顶针孔16，将聚焦环顶起或降下；晶圆顶针穿过晶圆顶针孔17，将晶圆顶起或降下。升降针系统包括接口盘14，接口盘14设置在静电卡盘14的下方，接口盘14用于与聚焦环起升装置11和晶圆升针顶升装置15等连接。
在一个实施例中，第一升降驱动装置可以由多种实现方式。例如，如图3所示，第一升降驱动装置包括驱动支架112、第一驱动单元111和第一波纹管114。聚焦环顶针116的底端与驱动支架112连接，聚焦环顶针116穿设于第一波纹管114内，第一波纹管114的两端分别与接口盘14和驱动支架112连接。聚焦环顶针116和驱动支架112可以通过调节机构113连接，调节机构113可以有多种，用于调节聚焦环顶针116的高度，第一波纹管114的一端也可以通过调节机构113与驱动支架112连接。可以在第一波纹管114与接口盘14的连接处设置O型密封圈115，起到密封的作用。
第一驱动单元111的一端固定在接口盘14上，另一端作为活动端驱动第一波纹管114伸缩，并带动驱动支架112以及聚焦环顶针111升降。第一驱动单元111的一端伸出时，驱动第一波纹管114伸展，并带动驱动支架112以及聚焦环顶针111下降。第一驱动单元111的一端收缩时，驱动第一波纹管114收缩，并带动驱动支架112以及聚焦环顶针111上升。第一驱动单元111可由气缸或电缸作为动力源。
沿驱动支架112的周向间隔且均匀设置有多个聚焦环顶针116，聚焦环顶针116与第一波纹管114对应设置。多个聚焦环顶针116的数量为至少三个,例如为3个或5个。
在一个实施例中，如图4所示，第一驱动单元包括电缸111-11、伺服电机111-12和控制装置111-13。电缸111-11的缸体为固定端，可以起到安装座的功能。电缸111-11的缸体与接口盘14固定连接，电缸111-11的活动端与驱动支架112固定连接。控制装置111-13通过控制导线111-14与伺服电机111-12电连接，伺服电机111-12与电缸111-11的输入端连接。伺服电机111-12根据控制装置111-13发送的控制信号，控制电缸111-11的活动端做伸出或缩回运动，即带动第一波纹管114进行上下运动，实现聚焦环12的升降。可以通过丝杠等将伺服电机111-12的旋转运动转换成直线运动，控制电缸111-11的活动端做伸出或缩回运动。
在一个实施例中，如图5所示，第一驱动单元包括直线气缸111-23、曲柄机构111-21和摆动气缸111-22。曲柄机构111-21可以为曲柄连杆机构等，曲柄机构111-21连接在接口盘14和直线气缸111-23的缸体之间，曲柄机构111-21固定连接接口盘14，曲柄机构111-21的摆动杆连接直线气缸111-23的缸体。直线气缸111-23的缸体为固定端，可以起到安装座的功能。直线气缸111-23的活动端与驱动支架112固定连接。摆动气缸111-22与曲柄机构111-21的摆动杆连接，摆动气缸111-22驱动曲柄机构111-21的摆动杆带动带动直线气缸111-23升降。
当第一驱动单元使用气缸驱动时，采用直线气缸111-23作为聚焦环12升降的动力源，同时在直线气缸111-23的缸体上连接一个曲柄机构111-21，摆动气缸111-22驱动曲柄机构111-21推动直线气缸111-23以及驱动支架112等做上下运动。曲柄机构111-21的偏心值等于聚焦环工艺高度调整的最大值，即在聚焦环12首次达到工艺时间后，摆动气缸111-22推动曲柄机构111-22，使包括直线气缸111-23以及驱动支架112的机构整体提升与聚焦环12被刻蚀的量相当的高度，聚焦环工艺高度调整的最大值一般为0mm到1mm之间，实现聚焦环12可使用两个工艺周期，之后通过直线气缸111-23升降，通过机械手更换聚焦环。
第一驱动单元还包括节流阀和流量计，通过节流阀和流量计控制进入摆动气缸111-22的气流流量，控制摆动气缸的摆动角度。直线气缸111-23和摆动气缸111-22通过控制管路111-25和节流阀111-24等连接气源，摆动气缸还可通过节流阀和流量计的精确控制，通过控制摆动气缸111-22的角度控制，实现聚焦环工艺线性高度的调节，有效提高刻蚀工艺的一致性，提高聚焦环的寿命。
在一个实施例中，第二升降驱动装置包括第二驱动单元，第二驱动单元可以有多种实现方式。例如，如图6A、6B和6C所示，第二驱动单元包括：气缸151、安装筒154和第二波纹管，气缸151、安装筒154和第二波纹管组成了一体式带气缸真空波纹管。安装筒154的两端分别与接口盘14和气缸151的缸体固定连接。气缸151的活动端与晶圆顶针153的底端固定连接。第二波纹管设置在安装筒154内，晶圆顶针153穿设于第二波纹管内。气缸151的活动端驱动第二波纹管伸缩，并带动晶圆顶针153升降，第二波纹管起到保护和缓冲的作用。
沿静电卡盘13的周向间隔且均匀设置有多个晶圆顶针153，晶圆顶针153与第二驱动单元对应设置。多个晶圆顶针153的数量为至少三个，例如为3个或5个。
本发明的升降针系统引入聚焦环起升装置11，当晶圆70出现静电消除不良或与静电卡盘13粘结时，采用晶圆顶针153起升时，容易造成晶圆70偏斜，位置偏差，此时，聚焦环起升装置11推动聚焦环顶针116，顶起聚焦环12，带动晶圆70起升，与静电卡盘分离。此时晶圆70与聚焦环12的接触面为圆环形，接触面积大，受力均匀，可避免晶圆70因残余静电吸附不均匀引起跳动，提高反应腔室持续工作能力。晶圆70出现静电消除不良或与静电卡盘13粘结通过上述操作消除后，恢复为由晶圆升针顶升机构15对晶圆70的正常顶升操作。
本发明的升降针系统除了可以消除残余静电消除不良或与静电卡盘13粘结的不良后果外，还可实现不打开反应腔室20换聚焦环12的功能。当反应腔还没达到维护周期，而聚焦环12先达到更换周期或其他需要更换原因时，升起聚焦环12、反应腔室20送平台60之间的阀门打开、机械手61进入真空反应腔20取出聚焦环12至传送平台60，如图7A，7B所示，更换聚焦环12，机械手61送入聚焦环12至预定位置后撤出，聚焦环12起升装置11下降，新聚焦环复位。操作时晶圆顶针153处于低位状态。如果出现了晶圆70在正常顶升时出现偏差，机械手无法抓取时，此时也可通过顶升聚焦环12，通过机械手61带动聚焦环12与晶圆70一并送出至传送平台60，避免开启真空腔20，提高异常维护效率。上述的操作不需要破坏刻蚀机的真空环境，不仅提高了刻蚀机的持续工艺时间，同时减少了破坏真空后其他零部件受到大气的污染以及水汽与残余溴化氢气体生成物引起工艺气体管道的腐蚀，减少了破坏真空后刻蚀机恢复和验证时间，可有效提高设备的竞争力。
本发明的升降针系统可以配置精确的行程控制能力，以提高聚焦环12的使用寿命。一般情况下，聚焦环12经过一定的射频轰击后，晶圆70外圆处的聚焦环12被刻蚀，厚度降低，晶圆外边缘的刻蚀速率会降低，一般情况下，此时需更换聚焦环12。本发明的升降针系统可以在一个确定更换的射频时数（刻蚀工艺时间）后，精确提升聚焦环12的高度，使之等于被刻蚀量，可继续使用该聚焦环，避免更换，可有效提高聚焦环12的使用寿命，提高刻蚀机的持续工艺时间，降低维护成本。
在一个实施例中，本发明提供一种真空反应腔室，包括如上任一实施例中的升降针系统，升降针系统安装在真空反应腔室内部的静电卡盘基座上。
在一个实施例中，本发明提供一种半导体加工设备，包括机械手、如上的真空反应腔室。半导体加工设备可以为刻蚀机等多种设备。
上述实施例提供的升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备，通过聚焦环起升装置和晶圆升针顶升装置两个顶升装置的配合，能够在晶圆正常顶升出现偏差时，在不破坏真空的情况下通过机械手送至传送平台，提高异常维护效率；通过在预定工艺时间后精确提升聚焦环的高度，使聚焦环的使用寿命提高一倍；可实现在不破坏反应腔真空的情况下更换聚焦环，提高更换易耗件的效率，提高设备产能。
上述本发明所公开的任一技术方案除另有声明外，如果其公开了数值范围，那么公开的数值范围均为优选的数值范围，任何本领域的技术人员应该理解：优选的数值范围仅仅是诸多可实施的数值中技术效果比较明显或具有代表性的数值。由于数值较多，无法穷举，所以本发明才公开部分数值以举例说明本发明的技术方案，并且，上述列举的数值不应构成对本发明创造保护范围的限制。
同时，上述本发明如果公开或涉及了互相固定连接的零部件或结构件，那么，除另有声明外，固定连接可以理解为：能够拆卸地固定连接（例如使用螺栓或螺钉连接），也可以理解为：不可拆卸的固定连接（例如铆接、焊接），当然，互相固定连接也可以为一体式结构（例如使用铸造工艺一体成形制造出来）所取代（明显无法采用一体成形工艺除外）。
另外，上述本发明公开的任一技术方案中所应用的用于表示位置关系或形状的术语除另有声明外其含义包括与其近似、类似或接近的状态或形状。本发明提供的任一部件既可以是由多个单独的组成部分组装而成，也可以为一体成形工艺制造出来的单独部件。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本发明技术方案的精神，其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。
本发明的描述是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本发明限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显然的。选择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。

Claims (10)

1.一种升降针系统，其特征在于，包括：
聚焦环、静电卡盘、聚焦环起升装置和晶圆升针顶升装置；所述聚焦环设置在所述静电卡盘上，用于放置晶圆；所述聚焦环起升装置和所述晶圆升针顶升装置位于所述静电卡盘的下方；所述聚焦环起升装置包括：聚焦环顶针和第一升降驱动装置，所述第一升降驱动装置驱动所述聚焦环顶针升起或下降，用以将所述聚焦环顶起或降下；所述晶圆升针顶升装置包括：晶圆顶针和第二升降驱动装置，所述第二升降驱动装置驱动所述晶圆顶针升起或下降，用以将放置在所述聚焦环上的晶圆顶起或降下。
2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述第一升降驱动装置包括：驱动支架、第一驱动单元和第一波纹管；所述聚焦环顶针的底端与所述驱动支架连接，所述聚焦环顶针穿设于所述第一波纹管内，所述第一波纹管的两端分别与所述静电卡盘下方设置的接口盘和所述驱动支架连接；所述第一驱动单元的一端固定在所述接口盘上，另一端作为活动端驱动所述驱动支架以及所述聚焦环顶针升降。
3.如权利要求2所述的系统，其特征在于，
沿所述驱动支架的周向间隔且均匀设置有至少三个所述聚焦环顶针；所述聚焦环顶针与所述第一波纹管对应设置。
4.如权利要求2所述的系统，其特征在于，
所述第一驱动单元包括：电缸、伺服电机和控制装置；所述电缸的缸体与所述接口盘固定连接，所述电缸的活动端与所述驱动支架固定连接；所述控制装置与所述伺服电机电连接；所述伺服电机与所述电缸的输入端连接，根据所述控制装置发送的控制信号，控制所述电缸的活动端做伸出或缩回运动。
5.如权利要求2所述的系统，其特征在于，
所述第一驱动单元包括：直线气缸、曲柄机构和摆动气缸；所述曲柄机构固定连接所述接口盘，所述曲柄机构的摆动杆连接所述直线气缸的缸体；所述直线气缸的活动端与所述驱动支架固定连接；所述摆动气缸与所述曲柄机构的摆动杆连接，所述摆动气缸驱动所述摆动杆带动所述直线气缸的缸体升降。
6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，
所述第一驱动单元还包括：节流阀和流量计；其中，通过所述节流阀和所述流量计控制所述摆动气缸的摆动角度。
7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述第二升降驱动装置包括：第二驱动单元；所述第二驱动单元包括：气缸、安装筒和第二波纹管；所述安装筒的两端分别与所述静电卡盘下方设置的接口盘和所述气缸的缸体固定连接；所述气缸的活动端与所述晶圆顶针的底端固定连接；所述第二波纹管设置在所述安装筒内，所述晶圆顶针穿设于所述第二波纹管内；所述气缸的活动端驱动所述晶圆顶针升降。
8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，
沿所述静电卡盘的周向间隔且均匀设置有至少三个所述晶圆顶针；所述晶圆顶针与所述第二驱动单元对应设置。
9.一种真空反应腔室，其特征在于，包括：
如权利要求1至8任意一项所述的升降针系统，所述升降针系统安装在真空反应腔室内部的静电卡盘基座上。
10.一种半导体加工设备，其特征在于，
包括机械手、如权利要求9所述的真空反应腔室。
CN201810911227.XA 2018-08-10 2018-08-10 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备 Active CN109192696B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810911227.XA CN109192696B (zh) 2018-08-10 2018-08-10 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备
TW107145806A TWI694534B (zh) 2018-08-10 2018-12-19 升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備
JP2021506501A JP7320597B2 (ja) 2018-08-10 2019-07-30 リフトシンブルシステム、反応チャンバおよび半導体処理装置
PCT/CN2019/098370 WO2020029833A1 (zh) 2018-08-10 2019-07-30 升降针系统、反应腔室以及半导体加工设备
KR1020217002598A KR102425674B1 (ko) 2018-08-10 2019-07-30 리프트 핀 시스템, 반응 챔버 및 반도체 가공 디바이스
US17/263,078 US11694880B2 (en) 2018-08-10 2019-07-30 Lift thimble system, reaction chamber, and semiconductor processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810911227.XA CN109192696B (zh) 2018-08-10 2018-08-10 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109192696A true CN109192696A (zh) 2019-01-11
CN109192696B CN109192696B (zh) 2021-06-08

Family

ID=64921115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810911227.XA Active CN109192696B (zh) 2018-08-10 2018-08-10 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11694880B2 (zh)
JP (1) JP7320597B2 (zh)
KR (1) KR102425674B1 (zh)
CN (1) CN109192696B (zh)
TW (1) TWI694534B (zh)
WO (1) WO2020029833A1 (zh)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020029833A1 (zh) * 2018-08-10 2020-02-13 北京北方华创微电子装备有限公司 升降针系统、反应腔室以及半导体加工设备
CN110993549A (zh) * 2019-12-24 2020-04-10 苏州晋宇达实业股份有限公司 一种半导体圆片的转移装置
CN111508805A (zh) * 2020-04-07 2020-08-07 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备
CN111900118A (zh) * 2020-06-19 2020-11-06 中国科学院微电子研究所 晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法
CN112071801A (zh) * 2020-09-16 2020-12-11 北京北方华创微电子装备有限公司 顶针升降装置和半导体工艺腔室
CN112349648A (zh) * 2020-10-26 2021-02-09 北京北方华创微电子装备有限公司 升降针机构及半导体工艺设备
CN112397366A (zh) * 2020-11-05 2021-02-23 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置及半导体反应腔室
CN112447579A (zh) * 2019-09-04 2021-03-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器、晶片顶升装置及其方法
CN112670226A (zh) * 2020-12-23 2021-04-16 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆解除吸附的装置及方法
CN112750675A (zh) * 2019-10-30 2021-05-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 等离子体刻蚀装置及其初始化系统和初始化方法
CN113838787A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 拓荆科技股份有限公司 晶圆承载组件、晶圆传递装置及晶圆传递之方法
CN114059158A (zh) * 2021-11-17 2022-02-18 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于晶圆外延生长的晶圆支撑杆装置、设备及方法
CN114141691A (zh) * 2021-12-14 2022-03-04 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
CN114220758A (zh) * 2021-11-29 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆承载装置及工艺腔室
CN114582693A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环及方法
CN115295474A (zh) * 2022-08-10 2022-11-04 苏州天准科技股份有限公司 一种晶圆支撑装置
CN117059560A (zh) * 2023-10-11 2023-11-14 江苏邑文微电子科技有限公司 一种半导体设备
WO2024139111A1 (zh) * 2022-12-31 2024-07-04 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种聚焦环置换装置及等离子刻蚀机

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10950483B2 (en) * 2017-11-28 2021-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for fixed focus ring processing
CN113990730B (zh) * 2020-07-27 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其中的气流调节盖和气流调节方法
JP7514695B2 (ja) * 2020-08-18 2024-07-11 株式会社安川電機 アライメント装置、基板搬送システム、アライメント方法、及び基板搬送方法
CN115424913A (zh) * 2021-06-01 2022-12-02 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置及其可伸缩密封部
CN114425830B (zh) * 2022-01-18 2023-12-12 广东若铂智能机器人有限公司 一种导尿管模具分模设备及其控制方法
CN117142137B (zh) * 2023-10-30 2024-03-19 山东嘉富能源科技有限公司 一种气力输灰设备的节能运行控制系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101899715A (zh) * 2009-05-25 2010-12-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子体处理设备及其顶针升降装置
CN101944498A (zh) * 2009-07-10 2011-01-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种基片处理设备及其顶针升降装置
CN105655279A (zh) * 2014-11-14 2016-06-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 承载装置及半导体加工设备

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3625442A (en) * 1968-07-30 1971-12-07 Leesona Corp Strand transfer equipment for winding machine
US3915398A (en) * 1972-07-31 1975-10-28 Celanese Corp Automatic doffing apparatus
EP0547351B1 (en) * 1991-12-02 1996-05-08 Aida Engineering, Ltd. Apparatus for adjusting slide stroke of press
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
JP3608121B2 (ja) 1994-03-18 2005-01-05 アネルバ株式会社 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法
US5708556A (en) * 1995-07-10 1998-01-13 Watkins Johnson Company Electrostatic chuck assembly
JP2713276B2 (ja) * 1995-12-07 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法
US6305677B1 (en) * 1999-03-30 2001-10-23 Lam Research Corporation Perimeter wafer lifting
JP3775987B2 (ja) * 2000-12-26 2006-05-17 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
JP4878109B2 (ja) * 2004-08-24 2012-02-15 株式会社アルバック 基板移載システムおよび基板移載方法
JP5031186B2 (ja) * 2004-11-01 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理プログラム
JP4836512B2 (ja) 2005-07-29 2011-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板昇降装置および基板処理装置
JP4693805B2 (ja) * 2007-03-16 2011-06-01 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法
JP4839294B2 (ja) * 2007-10-04 2011-12-21 株式会社アルバック 半導体ウエハ保持装置
JP5022855B2 (ja) * 2007-10-05 2012-09-12 古河機械金属株式会社 リフトピン機構、加熱処理装置、減圧乾燥装置
CN101640181A (zh) * 2008-07-31 2010-02-03 佳能安内华股份有限公司 基底对准设备和基底处理设备
US8313612B2 (en) * 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
US8840754B2 (en) * 2010-09-17 2014-09-23 Lam Research Corporation Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins
JP6003011B2 (ja) * 2011-03-31 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102050820B1 (ko) * 2012-12-06 2019-12-03 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP5906429B2 (ja) * 2013-02-21 2016-04-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN104576491A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种顶针升降装置和反应腔室
JP2016046451A (ja) 2014-08-26 2016-04-04 株式会社アルバック 基板処理装置及び基板処理方法
CN105575863B (zh) * 2014-11-10 2019-02-22 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置、基片卸载装置及方法
TWI674168B (zh) * 2015-07-27 2019-10-11 美商應用材料股份有限公司 升降杆致動器、基板材支撐組件、及利用基板材支撐組件的方法
KR20170014384A (ko) * 2015-07-30 2017-02-08 삼성전자주식회사 건식 식각장치
KR102634280B1 (ko) * 2015-10-21 2024-02-07 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
CN108369922B (zh) 2016-01-26 2023-03-21 应用材料公司 晶片边缘环升降解决方案
JP6650841B2 (ja) 2016-06-27 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 基板昇降機構、基板載置台および基板処理装置
JP6812224B2 (ja) * 2016-12-08 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び載置台
CN109192696B (zh) 2018-08-10 2021-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101899715A (zh) * 2009-05-25 2010-12-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子体处理设备及其顶针升降装置
CN101944498A (zh) * 2009-07-10 2011-01-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种基片处理设备及其顶针升降装置
CN105655279A (zh) * 2014-11-14 2016-06-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 承载装置及半导体加工设备

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11694880B2 (en) 2018-08-10 2023-07-04 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd Lift thimble system, reaction chamber, and semiconductor processing equipment
WO2020029833A1 (zh) * 2018-08-10 2020-02-13 北京北方华创微电子装备有限公司 升降针系统、反应腔室以及半导体加工设备
CN112447579B (zh) * 2019-09-04 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器、晶片顶升装置及其方法
CN112447579A (zh) * 2019-09-04 2021-03-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器、晶片顶升装置及其方法
CN112750675A (zh) * 2019-10-30 2021-05-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 等离子体刻蚀装置及其初始化系统和初始化方法
CN110993549B (zh) * 2019-12-24 2024-04-30 江苏晋誉达半导体股份有限公司 一种半导体圆片的转移装置
CN110993549A (zh) * 2019-12-24 2020-04-10 苏州晋宇达实业股份有限公司 一种半导体圆片的转移装置
CN111508805A (zh) * 2020-04-07 2020-08-07 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备
CN111508805B (zh) * 2020-04-07 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备
CN111900118A (zh) * 2020-06-19 2020-11-06 中国科学院微电子研究所 晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法
CN113838787A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 拓荆科技股份有限公司 晶圆承载组件、晶圆传递装置及晶圆传递之方法
CN112071801A (zh) * 2020-09-16 2020-12-11 北京北方华创微电子装备有限公司 顶针升降装置和半导体工艺腔室
CN112071801B (zh) * 2020-09-16 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 顶针升降装置和半导体工艺腔室
CN112349648B (zh) * 2020-10-26 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 升降针机构及半导体工艺设备
CN112349648A (zh) * 2020-10-26 2021-02-09 北京北方华创微电子装备有限公司 升降针机构及半导体工艺设备
CN112397366A (zh) * 2020-11-05 2021-02-23 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置及半导体反应腔室
CN112397366B (zh) * 2020-11-05 2023-07-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置及半导体反应腔室
CN114582693A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环及方法
CN112670226B (zh) * 2020-12-23 2022-07-19 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆解除吸附的装置及方法
CN112670226A (zh) * 2020-12-23 2021-04-16 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆解除吸附的装置及方法
CN114059158A (zh) * 2021-11-17 2022-02-18 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于晶圆外延生长的晶圆支撑杆装置、设备及方法
CN114220758A (zh) * 2021-11-29 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆承载装置及工艺腔室
CN114141691B (zh) * 2021-12-14 2022-06-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
CN114141691A (zh) * 2021-12-14 2022-03-04 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
CN115295474A (zh) * 2022-08-10 2022-11-04 苏州天准科技股份有限公司 一种晶圆支撑装置
CN115295474B (zh) * 2022-08-10 2023-11-21 苏州天准科技股份有限公司 一种晶圆支撑装置
WO2024139111A1 (zh) * 2022-12-31 2024-07-04 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种聚焦环置换装置及等离子刻蚀机
CN117059560A (zh) * 2023-10-11 2023-11-14 江苏邑文微电子科技有限公司 一种半导体设备

Also Published As

Publication number Publication date
US11694880B2 (en) 2023-07-04
JP2021533569A (ja) 2021-12-02
KR20210024122A (ko) 2021-03-04
KR102425674B1 (ko) 2022-07-27
TWI694534B (zh) 2020-05-21
TW202010039A (zh) 2020-03-01
US20210313157A1 (en) 2021-10-07
WO2020029833A1 (zh) 2020-02-13
CN109192696B (zh) 2021-06-08
JP7320597B2 (ja) 2023-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109192696A (zh) 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备
CN1981370A (zh) 移载装置
US20070128889A1 (en) Substrate heat treatment apparatus
CN110977549A (zh) 用于薄壁曲面零件的自动化柔性定位支撑夹紧装置
JP2023515130A (ja) エッジリングの高度管理のための二重リフト機構を備える半導体処理チャンバ
CN109270285A (zh) 一种真空进样装置
CN101788576A (zh) 电气试验用装置及电子装置的电气试验方法
CN117080156B (zh) 一种用于晶圆检测的载台装置
CN219017622U (zh) 一种静电吸附辅助装置
CN112975792A (zh) 一种高精度对准可随动自适应浮动吸头
CN112670226B (zh) 晶圆解除吸附的装置及方法
CN105331947B (zh) 一种用于真空镀膜设备中的顶针升降机构
CN112928012B (zh) 半导体设备
CN213001559U (zh) 一种稳定风量风压的设备及其内部设置的压力控制机构
CN114520176B (zh) 真空腔室及晶圆机台
CN113148642A (zh) 一种自动取放料机构
CN219892140U (zh) 一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备
CN117133708A (zh) 一种键合装置及半导体键合设备
CN109950170B (zh) 晶圆清洗设备及控制晶圆清洗设备的毛刷组的方法
CN218299748U (zh) 一种等离子体反应腔室用晶圆提升机构
CN210663917U (zh) 配重式烧结机风箱隔板密封装置
CN102738293A (zh) 执行装置和机械手
CN215393321U (zh) 浮动支撑机构
WO2023197140A1 (zh) 探针组件、静电吸盘装置、半导体设备及吸附工件的方法
CN210073893U (zh) 太阳能硅片叠片机械手

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant