TW202010039A - 升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備 - Google Patents

升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備 Download PDF

Info

Publication number
TW202010039A
TW202010039A TW107145806A TW107145806A TW202010039A TW 202010039 A TW202010039 A TW 202010039A TW 107145806 A TW107145806 A TW 107145806A TW 107145806 A TW107145806 A TW 107145806A TW 202010039 A TW202010039 A TW 202010039A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cylinder
focus ring
lifting
wafer
bellows
Prior art date
Application number
TW107145806A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI694534B (zh
Inventor
茅興飛
Original Assignee
大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 filed Critical 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司
Publication of TW202010039A publication Critical patent/TW202010039A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI694534B publication Critical patent/TWI694534B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation
    • H01J2237/20235—Z movement or adjustment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明公開了一種升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備，升降針系統包括：聚焦環、靜電卡盤、聚焦環起升裝置和晶圓升針頂升裝置；聚焦環起升裝置包括：聚焦環頂針和第一升降驅動裝置，第一升降驅動裝置驅動聚焦環頂針升起或下降，用以將聚焦環頂起或降下；晶圓升針頂升裝置包括：晶圓頂針和第二升降驅動裝置，第二升降驅動裝置驅動晶圓頂針升起或下降，用以將放置在聚焦環上的晶圓頂起或降下。本發明能夠提高異常維護效率；通過在預定工藝時間後精確提升聚焦環的高度，使聚焦環的使用壽命提高一倍。

Description

升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備
本發明涉及半導體集成製造技術領域，尤其涉及一種升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備。
等離子體蝕刻機的反應腔工作時處於真空狀態，一般情況下一個傳輸平臺對接兩至四個蝕刻機反應腔。晶圓在大氣端經過傳輸平臺機械手臂傳入蝕刻機反應腔的對應位置，蝕刻機的升降針機構進行升針動作，平臺真空機械手臂把晶圓片放置在升針機構上後撤回，升降針機構下降，晶圓降落至靜電卡盤對應位置。晶圓在工藝過程中被吸附在靜電卡盤上，加工完成後，靜電卡盤失電，升降針機構把晶圓舉升至一個設定高度，傳輸平臺的真空機械手臂進入反應腔把晶圓傳出，完成傳輸過程。在反應腔中晶圓的傳輸都需要升降針機構的升降運動完成，升降針機構的驅動裝置一般設置在大氣端，升降針機構的驅動端與執行端一般設置真空波紋管實現真空隔離。
現有蝕刻機的升降針機構，主要包括旋轉氣缸、氣缸固定支架、波紋管連接支架、真空波紋管和升針。升降針機構配置3根升針，通過控制旋轉氣缸的進氣方向，推動氣缸運動發生旋轉運動，通過曲柄機構連接波紋管連接支架帶動真空波紋管上下運動，實現晶圓的傳輸操作過程。在多次蝕刻操作後，靜電卡盤存在殘餘靜電且分佈不均勻，升降針機構通過3根細針狀頂起晶圓時，容易造成載荷分佈不均，晶圓跳動造成位置偏差，甚至造成傾斜失位，機械手臂無法傳送，只能停機打開反應腔室手動取晶圓，造成晶圓報廢風險和維護成本提高。
有鑑於此，本發明實施例提供一種升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備。
根據本發明實施例的一目的，提供一種升降針系統，包括：聚焦環、靜電卡盤、聚焦環起升裝置和晶圓升針頂升裝置；所述聚焦環設置在所述靜電卡盤上，用於放置晶圓；所述聚焦環起升裝置和所述晶圓升針頂升裝置位於所述靜電卡盤的下方；所述聚焦環起升裝置包括：聚焦環頂針和第一升降驅動裝置，所述第一升降驅動裝置驅動所述聚焦環頂針升起或下降，用以將所述聚焦環頂起或降下；所述晶圓升針頂升裝置包括：晶圓頂針和第二升降驅動裝置，所述第二升降驅動裝置驅動所述晶圓頂針升起或下降，用以將放置在所述聚焦環上的晶圓頂起或降下。
較佳地，所述第一升降驅動裝置包括：驅動支架、第一驅動單元和第一波紋管；所述聚焦環頂針的底端與所述驅動支架連接，所述聚焦環頂針穿設於所述第一波紋管內，所述第一波紋管的兩端分別與所述靜電卡盤下方設置的介面盤和所述驅動支架連接；所述第一驅動單元的一端固定在所述介面盤上，另一端作為活動端驅動所述驅動支架以及所述聚焦環頂針升降。
較佳地，沿所述驅動支架的周向間隔且均勻設置有至少三個所述聚焦環頂針；所述聚焦環頂針與所述第一波紋管對應設置。
較佳地，所述第一驅動單元包括：電缸、伺服電機和控制裝置；所述電缸的缸體與所述介面盤固定連接，所述電缸的活動端與所述驅動支架固定連接；所述控制裝置與所述伺服電機電連接；所述伺服電機與所述電缸的輸入端連接，根據所述控制裝置發送的控制信號，控制所述電缸的活動端做伸出或縮回運動。
較佳地，所述第一驅動單元包括：直線氣缸、曲柄機構和擺動氣缸；所述曲柄機構固定連接所述介面盤，所述曲柄機構的擺動桿連接所述直線氣缸的缸體；所述直線氣缸的活動端與所述驅動支架固定連接；所述擺動氣缸與所述曲柄機構的擺動桿連接，所述擺動氣缸驅動所述擺動桿帶動帶動所述直線氣缸的缸體升降。
較佳地，所述第一驅動單元還包括：節流閥和流量計；其中，通過所述節流閥和所述流量計控制所述擺動氣缸的擺動角度。
較佳地，所述第二升降驅動裝置包括：第二驅動單元；所述第二驅動單元包括：氣缸、安裝筒和第二波紋管；所述安裝筒的兩端分別與所述靜電卡盤下方設置的介面盤和所述氣缸的缸體固定連接；所述氣缸的活動端與所述晶圓頂針的底端固定連接；所述第二波紋管設置在所述安裝筒內，所述晶圓頂針穿設於所述第二波紋管內；所述氣缸的活動端驅動所述晶圓頂針升降。
較佳地，沿所述靜電卡盤的周向間隔且均勻設置有至少三個所述晶圓頂針；所述晶圓頂針與所述第二驅動單元對應設置。
根據本發明的另一目的，提供一種真空反應腔室，包括：如上所述的升降針系統，所述升降針系統安裝在真空反應腔室內部的靜電卡盤基座上。
根據本發明的又一目的，提供一種半導體加工設備，包括機械手臂、如上所述的真空反應腔室。
本發明的升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備，通過聚焦環起升裝置和晶圓升針頂升裝置的配合，能夠使晶圓正常頂升出現偏差時，在不破壞真空的情況下通過機械手臂送至傳送平臺，提高異常維護效率；通過在預定工藝時間後精確提升聚焦環的高度，使聚焦環的使用壽命提高一倍；可實現在不破化反應腔真空的情況下更換聚焦環，提高更換易耗件的效率。
本發明實施例附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，這些將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐瞭解到。
下面參照附圖對本發明進行更全面的描述，其中說明本發明的示例性實施例。下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。下面結合圖式和實施例對本發明的技術方案進行多方面的描述。
下文為了敘述方便，下文中所稱的“左”、“右”、“上”、“下”與附圖本身的左、右、上、下方向一致。下文中的“第一”、“第二”等，僅用於描述上相區別，並沒有其它特殊的含義。
如第一圖所示，本發明的升降針系統10安裝在真空反應腔室20內部的靜電卡盤基座30上，反應腔室20的上端部由上部電極40連接密封。反應腔室20下端部與真空系統50連接並抽真空，提供真空環境。反應腔室20右側與真空傳送系統60連接，通過真空機械手臂61實現對晶圓70的搬運。反應腔室20的缺口端面21與靜電卡盤基座30密封連接，反應腔室20提供本升降針系統10需要的電纜、CDA、冷卻液管路等裝置的通道80。靜電卡盤基座30上部由可升降聚焦環升針系統10密封，下部由蓋板90密封。
在一個實施例中，如第二A圖和圖第二B圖所示，升降針系統包括：聚焦環12、靜電卡盤13、聚焦環起升裝置11和晶圓升針頂升裝置15。聚焦環12設置在靜電卡盤13上，用於放置晶圓。聚焦環起升裝置11和晶圓升針頂升裝置15位於靜電卡盤13的下方。聚焦環起升裝置包括：聚焦環頂針和第一升降驅動裝置，第一升降驅動裝置驅動聚焦環頂針升起或下降，用以將聚焦環12頂起或降下。晶圓升針頂升裝置包括：晶圓頂針和第二升降驅動裝置，第二升降驅動裝置驅動晶圓頂針升起或下降，用以將放置在聚焦環12上的晶圓頂起或降下。
靜電卡盤13設置有貫穿其上下表面的晶圓頂針孔17、聚焦環頂針孔16。聚焦環頂針的頂端穿過聚焦環頂針孔16，將聚焦環頂起或降下；晶圓頂針穿過晶圓頂針孔17，將晶圓頂起或降下。升降針系統包括介面盤14，介面盤14設置在靜電卡盤13的下方，介面盤14用於與聚焦環起升裝置11和晶圓升針頂升裝置15等連接。
在一個實施例中，第一升降驅動裝置可以由多種實現方式。例如，如第三圖所示，第一升降驅動裝置包括驅動支架112、第一驅動單元111和第一波紋管114。聚焦環頂針116的底端與驅動支架112連接，聚焦環頂針116穿設於第一波紋管114內，第一波紋管114的兩端分別與介面盤14和驅動支架112連接。聚焦環頂針116和驅動支架112可以通過調節機構113連接，調節機構113可以有多種，用於調節聚焦環頂針116的高度，第一波紋管114的一端也可以通過調節機構113與驅動支架112連接。可以在第一波紋管114與介面盤14的連接處設置O型密封圈115，起到密封的作用。
第一驅動單元111的一端固定在介面盤14上，另一端作為活動端驅動第一波紋管114伸縮，並帶動驅動支架112以及聚焦環頂針111升降。第一驅動單元111的一端伸出時，驅動第一波紋管114伸展，並帶動驅動支架112以及聚焦環頂針111下降。第一驅動單元111的一端收縮時，驅動第一波紋管114收縮，並帶動驅動支架112以及聚焦環頂針111上升。第一驅動單元111可由氣缸或電缸作為動力源。
沿驅動支架112的周向間隔且均勻設置有複數個聚焦環頂針116，聚焦環頂針116與第一波紋管114對應設置。複數個聚焦環頂針116的數量為至少三個,例如為3個或5個。
在一個實施例中，如第四圖所示，第一驅動單元包括電缸111-11、伺服電機111-12和控制裝置111-13。電缸111-11的缸體為固定端，可以起到安裝座的功能。電缸111-11的缸體與介面盤14固定連接，電缸111-11的活動端與驅動支架112固定連接。控制裝置111-13通過控制導線111-14與伺服電機111-12電連接，伺服電機111-12與電缸111-11的輸入端連接。伺服電機111-12根據控制裝置111-13發送的控制信號，控制電缸111-11的活動端做伸出或縮回運動，即帶動第一波紋管114進行上下運動，實現聚焦環12的升降。可以透過螺桿等將伺服電機111-12的旋轉運動轉換成直線運動，控制電缸111-11的活動端做伸出或縮回運動。
在一個實施例中，如第五圖所示，第一驅動單元包括直線氣缸111-23、曲柄機構111-21和擺動氣缸111-22。曲柄機構111-21可以為曲柄連桿機構等，曲柄機構111-21連接在介面盤14和直線氣缸111-23的缸體之間，曲柄機構111-21固定連接介面盤14，曲柄機構111-21的擺動桿連接直線氣缸111-23的缸體。直線氣缸111-23的缸體為固定端，可以起到安裝座的功能。直線氣缸111-23的活動端與驅動支架112固定連接。擺動氣缸111-22與曲柄機構111-21的擺動桿連接，擺動氣缸111-22驅動曲柄機構111-21的擺動桿帶動帶動直線氣缸111-23升降。
當第一驅動單元使用氣缸驅動時，採用直線氣缸111-23作為聚焦環12升降的動力源，同時在直線氣缸111-23的缸體上連接一個曲柄機構111-21，擺動氣缸111-22驅動曲柄機構111-21推動直線氣缸111-23以及驅動支架112等做上下運動。曲柄機構111-21的偏心值等於聚焦環工藝高度調整的最大值，即在聚焦環12首次達到工藝時間後，擺動氣缸111-22推動曲柄機構111-22，使包括直線氣缸111-23以及驅動支架112的機構整體提升與聚焦環12被蝕刻的量相當的高度，聚焦環工藝高度調整的最大值一般為0mm到1mm之間，實現聚焦環12可使用兩個工藝週期，之後通過直線氣缸111-23升降，通過機械手臂更換聚焦環。
第一驅動單元還包括節流閥111-24和流量計，通過節流閥111-24和流量計控制進入擺動氣缸111-22的氣流流量，控制擺動氣缸111-22的擺動角度。直線氣缸111-23和擺動氣缸111-22通過控制管路111-25和節流閥111-24等連接氣源，擺動氣缸111-22還可通過節流閥111-24和流量計的精確控制，通過控制擺動氣缸111-22的角度控制，實現聚焦環工藝線性高度的調節，有效提高蝕刻工藝的一致性，提高聚焦環12的壽命。
在一個實施例中，第二升降驅動裝置包括第二驅動單元，第二驅動單元可以有多種實現方式。例如，如第六A圖、第六B圖和第六C圖所示，第二驅動單元包括：氣缸151、安裝筒154和第二波紋管，氣缸151、安裝筒154和第二波紋管組成了一體式帶氣缸真空波紋管。安裝筒154的兩端分別與介面盤14和氣缸151的缸體固定連接。氣缸151的活動端與晶圓頂針153的底端固定連接。第二波紋管設置在安裝筒154內，晶圓頂針153穿設於第二波紋管內。氣缸151的活動端驅動第二波紋管伸縮，並帶動晶圓頂針153升降，第二波紋管起到保護和緩衝的作用。
沿靜電卡盤13的周向間隔且均勻設置有複數個晶圓頂針153，晶圓頂針153與第二驅動單元對應設置。複數個晶圓頂針153的數量為至少三個，例如為3個或5個。
本發明的升降針系統引入聚焦環起升裝置11，當晶圓70出現靜電消除不良或與靜電卡盤13粘結時，採用晶圓頂針153起升時，容易造成晶圓70偏斜，位置偏差，此時，聚焦環起升裝置11推動聚焦環頂針116，頂起聚焦環12，帶動晶圓70起升，與靜電卡盤13分離。此時晶圓70與聚焦環12的接觸面為圓環形，接觸面積大，受力均勻，可避免晶圓70因殘餘靜電吸附不均勻引起跳動，提高反應腔室20持續工作能力。晶圓70出現靜電消除不良或與靜電卡盤13粘結通過上述操作消除後，恢復為由晶圓升針頂升機構15對晶圓70的正常頂升操作。
本發明的升降針系統除了可以消除殘餘靜電消除不良或與靜電卡盤13粘結的不良後果外，還可實現不打開反應腔室20換聚焦環12的功能。當反應腔還沒達到維護週期，而聚焦環12先達到更換週期或其他需要更換原因時，升起聚焦環12、反應腔室20與傳送平臺60之間的閥門打開、機械手臂61進入真空反應腔20取出聚焦環12至傳送平臺60，如第七A圖，第七B圖所示，更換聚焦環12，機械手臂61送入聚焦環12至預定位置後撤出，聚焦環12起升裝置11下降，新聚焦環復位。操作時晶圓頂針153處於低位元狀態。如果出現了晶圓70在正常頂升時出現偏差，機械手臂無法抓取時，此時也可通過頂升聚焦環12，通過機械手臂61帶動聚焦環12與晶圓70一併送出至傳送平臺60，避免開啟真空腔20，提高異常維護效率。上述的操作不需要破壞蝕刻機的真空環境，不僅提高了蝕刻機的持續工藝時間，同時減少了破壞真空後其他零部件受到大氣的污染以及水汽與殘餘溴化氫氣體生成物引起工藝氣體管道的腐蝕，減少了破壞真空後蝕刻機恢復和驗證時間，可有效提高設備的競爭力。
本發明的升降針系統可以配置精確的行程控制能力，以提高聚焦環12的使用壽命。一般情況下，聚焦環12經過一定的射頻轟擊後，晶圓70外圓處的聚焦環12被蝕刻，厚度降低，晶圓外邊緣的蝕刻速率會降低，一般情況下，此時需更換聚焦環12。本發明的升降針系統可以在一個確定更換的射頻時數（蝕刻工藝時間）後，精確提升聚焦環12的高度，使之等於被蝕刻量，可繼續使用該聚焦環12，避免更換，可有效提高聚焦環12的使用壽命，提高蝕刻機的持續工藝時間，降低維護成本。
在一個實施例中，本發明提供一種真空反應腔室，包括如上任一實施例中的升降針系統，升降針系統安裝在真空反應腔室內部的靜電卡盤基座上。
在一個實施例中，本發明提供一種半導體加工設備，包括機械手臂、如上的真空反應腔室。半導體加工設備可以為蝕刻機等多種設備。
上述實施例提供的升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備，通過聚焦環起升裝置和晶圓升針頂升裝置兩個頂升裝置的配合，能夠在晶圓正常頂升出現偏差時，在不破壞真空的情況下通過機械手臂送至傳送平臺，提高異常維護效率；通過在預定工藝時間後精確提升聚焦環的高度，使聚焦環的使用壽命提高一倍；可實現在不破壞反應腔真空的情況下更換聚焦環，提高更換易耗件的效率，提高設備產能。
上述本發明所公開的任一技術方案除另有聲明外，如果其公開了數值範圍，那麼公開的數值範圍均為較佳的數值範圍，任何本領域的技術人員應該理解：較佳的數值範圍僅僅是諸多可實施的數值中技術效果比較明顯或具有代表性的數值。由於數值較多，無法窮舉，所以本發明才公開部分數值以舉例說明本發明的技術方案，並且，上述列舉的數值不應構成對本發明創造保護範圍的限制。
同時，上述本發明如果公開或涉及了互相固定連接的零部件或結構件，那麼，除另有聲明外，固定連接可以理解為：能夠拆卸地固定連接（例如使用螺栓或螺釘連接），也可以理解為：不可拆卸的固定連接（例如鉚接、焊接），當然，互相固定連接也可以為一體式結構（例如使用鑄造工藝一體成形製造出來）所取代（明顯無法採用一體成形工藝除外）。
另外，上述本發明公開的任一技術方案中所應用的用於表示位置關係或形狀的術語除另有聲明外其含義包括與其近似、類似或接近的狀態或形狀。本發明提供的任一部件既可以是由複數個單獨的組成部分組裝而成，也可以為一體成形工藝製造出來的單獨部件。
以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對其限制；儘管參照較佳實施例對本發明進行了詳細的說明，所屬領域的普通技術人員應當理解：依然可以對本發明的具體實施方式進行修改或者對部分技術特徵進行等同替換；而不脫離本發明技術方案的精神，其均應涵蓋在本發明請求保護的技術方案範圍當中。
本發明的描述是為了示例和描述起見而給出的，而並不是無遺漏的或者將本發明限於所公開的形式。很多修改和變化對於本領域的普通技術人員而言是顯然的。選擇和描述實施例是為了更好說明本發明的原理和實際應用，並且使本領域的普通技術人員能夠理解本發明從而設計適於特定用途的帶有各種修改的各種實施例。
10‧‧‧升降針系統11‧‧‧聚焦環起升裝置12‧‧‧聚焦環13‧‧‧靜電卡盤14‧‧‧介面盤15‧‧‧晶圓升針頂升裝置16‧‧‧聚焦環頂針17‧‧‧晶圓頂針孔20‧‧‧反應腔室21‧‧‧缺口端面30‧‧‧靜電卡盤基座40‧‧‧上部電極50‧‧‧真空系統60‧‧‧真空傳送系統61‧‧‧機械手臂70‧‧‧晶圓80‧‧‧通道90‧‧‧蓋板111‧‧‧第一驅動單元111-11‧‧‧電缸111-12‧‧‧伺服電機111-13‧‧‧控制裝置111-14‧‧‧控制導線111-21‧‧‧曲柄機構111-22‧‧‧擺動氣缸111-23‧‧‧直線氣缸111-24‧‧‧節流閥111-25‧‧‧控制管路112‧‧‧驅動支架113‧‧‧調節機構114‧‧‧第一波紋管115‧‧‧O型密封圈116‧‧‧聚焦環頂針151‧‧‧氣缸153‧‧‧晶圓頂針154‧‧‧安裝筒
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖：
第一圖為根據本發明的升降針機構的在反應腔中的剖面示意圖。
第二A圖和第二B圖為根據本發明的升降針機構的一個實施例的裝配示意圖，其中，第二A圖為前視圖，第二B圖為俯視示意圖。
第三圖為聚焦環起升裝置的一個實施例的結構示意圖。
第四圖為第一升降驅動裝置的一個實施例的驅動原理圖。
第五圖為第一升降驅動裝置的另一個實施例的驅動原理圖。
第六A圖、第六B圖、第六C圖為晶圓升針頂升機構的一個實施例的結構示意圖；其中，第六A圖為前視圖，第六B圖為側視圖，第六C圖為俯視圖。
第七A圖和第七B圖為聚焦環傳送示意圖，其中，第七A圖為前視圖，第七B圖為俯視圖。
10‧‧‧升降針系統
20‧‧‧反應腔室
21‧‧‧缺口端面
30‧‧‧靜電卡盤基座
40‧‧‧上部電極
50‧‧‧真空系統
60‧‧‧真空傳送系統
61‧‧‧機械手臂
70‧‧‧晶圓
80‧‧‧通道
90‧‧‧蓋板

Claims (10)

  1. 一種升降針系統，包括： 一聚焦環、一靜電卡盤、一聚焦環起升裝置和一晶圓升針頂升裝置；所述聚焦環設置在所述靜電卡盤上，用於放置晶圓；所述聚焦環起升裝置和所述晶圓升針頂升裝置位於所述靜電卡盤的下方；所述聚焦環起升裝置包括：一聚焦環頂針和一第一升降驅動裝置，所述第一升降驅動裝置驅動所述聚焦環頂針升起或下降，用以將所述聚焦環頂起或降下；所述晶圓升針頂升裝置包括：一晶圓頂針和一第二升降驅動裝置，所述第二升降驅動裝置驅動所述晶圓頂針升起或下降，用以將放置在所述聚焦環上的晶圓頂起或降下
  2. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中所述第一升降驅動裝置包括：一驅動支架、一第一驅動單元和一第一波紋管；所述聚焦環頂針的底端與所述驅動支架連接，所述聚焦環頂針穿設於所述第一波紋管內，所述第一波紋管的兩端分別與所述靜電卡盤下方設置的一介面盤和所述驅動支架連接；所述第一驅動單元的一端固定在所述介面盤上，另一端作為活動端驅動所述驅動支架以及所述聚焦環頂針升降。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之系統，其中沿所述驅動支架的周向間隔且均勻設置有至少三個所述聚焦環頂針；所述聚焦環頂針與所述第一波紋管對應設置。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之系統，其中所述第一驅動單元包括：一電缸、一伺服電機和一控制裝置；所述電缸的缸體與所述介面盤固定連接，所述電缸的活動端與所述驅動支架固定連接；所述控制裝置與所述伺服電機電連接；所述伺服電機與所述電缸的輸入端連接，根據所述控制裝置發送的控制信號，控制所述電缸的活動端做伸出或縮回運動。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之系統，其中所述第一驅動單元包括：一直線氣缸、一曲柄機構和一擺動氣缸；所述曲柄機構固定連接所述介面盤，所述曲柄機構的擺動桿連接所述直線氣缸的缸體；所述直線氣缸的活動端與所述驅動支架固定連接；所述擺動氣缸與所述曲柄機構的擺動桿連接，所述擺動氣缸驅動所述擺動桿帶動所述直線氣缸的缸體升降。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之系統，其中所述第一驅動單元進一步包括：一節流閥和一流量計；其中，通過所述節流閥和所述流量計控制所述擺動氣缸的擺動角度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中所述第二升降驅動裝置包括：一第二驅動單元；所述第二驅動單元包括：一氣缸、一安裝筒和一第二波紋管；所述安裝筒的兩端分別與所述靜電卡盤下方設置的一介面盤和所述氣缸的缸體固定連接；所述氣缸的活動端與所述晶圓頂針的底端固定連接；所述第二波紋管設置在所述安裝筒內，所述晶圓頂針穿設於所述第二波紋管內；所述氣缸的活動端驅動所述晶圓頂針升降。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之系統，其中沿所述靜電卡盤的周向間隔且均勻設置有至少三個所述晶圓頂針；所述晶圓頂針與所述第二驅動單元對應設置。
  9. 一種真空反應腔室，包括：如申請專利範圍第1項至第8項任一項所述之升降針系統，其中所述升降針系統安裝在所述真空反應腔室內部的靜電卡盤基座上。
  10. 一種半導體加工設備，包括：機械手臂、如申請專利範圍第9項所述之真空反應腔室。
TW107145806A 2018-08-10 2018-12-19 升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備 TWI694534B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810911227.X 2018-08-10
CN201810911227.XA CN109192696B (zh) 2018-08-10 2018-08-10 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202010039A true TW202010039A (zh) 2020-03-01
TWI694534B TWI694534B (zh) 2020-05-21

Family

ID=64921115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107145806A TWI694534B (zh) 2018-08-10 2018-12-19 升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11694880B2 (zh)
JP (1) JP7320597B2 (zh)
KR (1) KR102425674B1 (zh)
CN (1) CN109192696B (zh)
TW (1) TWI694534B (zh)
WO (1) WO2020029833A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI822021B (zh) * 2021-06-01 2023-11-11 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 一種等離子體處理裝置及其可伸縮密封部

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10950483B2 (en) * 2017-11-28 2021-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for fixed focus ring processing
CN109192696B (zh) * 2018-08-10 2021-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备
CN112447579B (zh) * 2019-09-04 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器、晶片顶升装置及其方法
CN110993549B (zh) * 2019-12-24 2024-04-30 江苏晋誉达半导体股份有限公司 一种半导体圆片的转移装置
CN111508805B (zh) * 2020-04-07 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备
CN111900118B (zh) * 2020-06-19 2023-04-07 中国科学院微电子研究所 晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法
CN113838787A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 拓荆科技股份有限公司 晶圆承载组件、晶圆传递装置及晶圆传递之方法
CN113990730B (zh) * 2020-07-27 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其中的气流调节盖和气流调节方法
JP7514695B2 (ja) * 2020-08-18 2024-07-11 株式会社安川電機 アライメント装置、基板搬送システム、アライメント方法、及び基板搬送方法
CN112071801B (zh) * 2020-09-16 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 顶针升降装置和半导体工艺腔室
CN112349648B (zh) * 2020-10-26 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 升降针机构及半导体工艺设备
CN112397366B (zh) * 2020-11-05 2023-07-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置及半导体反应腔室
CN114582693A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环及方法
CN112670226B (zh) * 2020-12-23 2022-07-19 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆解除吸附的装置及方法
CN114059158A (zh) * 2021-11-17 2022-02-18 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于晶圆外延生长的晶圆支撑杆装置、设备及方法
CN114220758A (zh) * 2021-11-29 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆承载装置及工艺腔室
CN114141691B (zh) * 2021-12-14 2022-06-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
CN114425830B (zh) * 2022-01-18 2023-12-12 广东若铂智能机器人有限公司 一种导尿管模具分模设备及其控制方法
CN115295474B (zh) * 2022-08-10 2023-11-21 苏州天准科技股份有限公司 一种晶圆支撑装置
CN117059560A (zh) * 2023-10-11 2023-11-14 江苏邑文微电子科技有限公司 一种半导体设备
CN117142137B (zh) * 2023-10-30 2024-03-19 山东嘉富能源科技有限公司 一种气力输灰设备的节能运行控制系统

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3625442A (en) * 1968-07-30 1971-12-07 Leesona Corp Strand transfer equipment for winding machine
US3915398A (en) * 1972-07-31 1975-10-28 Celanese Corp Automatic doffing apparatus
EP0547351B1 (en) * 1991-12-02 1996-05-08 Aida Engineering, Ltd. Apparatus for adjusting slide stroke of press
JP3608121B2 (ja) 1994-03-18 2005-01-05 アネルバ株式会社 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
US5708556A (en) * 1995-07-10 1998-01-13 Watkins Johnson Company Electrostatic chuck assembly
JP2713276B2 (ja) 1995-12-07 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法
US6305677B1 (en) * 1999-03-30 2001-10-23 Lam Research Corporation Perimeter wafer lifting
JP3775987B2 (ja) * 2000-12-26 2006-05-17 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
JP4878109B2 (ja) * 2004-08-24 2012-02-15 株式会社アルバック 基板移載システムおよび基板移載方法
JP5031186B2 (ja) * 2004-11-01 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理プログラム
JP4836512B2 (ja) 2005-07-29 2011-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板昇降装置および基板処理装置
JP4693805B2 (ja) * 2007-03-16 2011-06-01 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法
JP4839294B2 (ja) * 2007-10-04 2011-12-21 株式会社アルバック 半導体ウエハ保持装置
JP5022855B2 (ja) * 2007-10-05 2012-09-12 古河機械金属株式会社 リフトピン機構、加熱処理装置、減圧乾燥装置
CN101640181A (zh) 2008-07-31 2010-02-03 佳能安内华股份有限公司 基底对准设备和基底处理设备
US8313612B2 (en) * 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
CN101899715B (zh) * 2009-05-25 2013-02-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子体处理设备及其顶针升降装置
CN101944498B (zh) * 2009-07-10 2012-09-05 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种基片处理设备及其顶针升降装置
US8840754B2 (en) * 2010-09-17 2014-09-23 Lam Research Corporation Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins
JP6003011B2 (ja) * 2011-03-31 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102050820B1 (ko) * 2012-12-06 2019-12-03 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP5906429B2 (ja) * 2013-02-21 2016-04-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN104576491A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种顶针升降装置和反应腔室
JP2016046451A (ja) * 2014-08-26 2016-04-04 株式会社アルバック 基板処理装置及び基板処理方法
CN105575863B (zh) * 2014-11-10 2019-02-22 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置、基片卸载装置及方法
CN105655279A (zh) * 2014-11-14 2016-06-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 承载装置及半导体加工设备
TWM539571U (zh) * 2015-07-27 2017-04-11 應用材料股份有限公司 基板材升降杆致動器
KR20170014384A (ko) * 2015-07-30 2017-02-08 삼성전자주식회사 건식 식각장치
CN108140606B (zh) * 2015-10-21 2022-05-24 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置
WO2017131927A1 (en) 2016-01-26 2017-08-03 Applied Materials, Inc. Wafer edge ring lifting solution
JP6650841B2 (ja) * 2016-06-27 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 基板昇降機構、基板載置台および基板処理装置
JP6812224B2 (ja) * 2016-12-08 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び載置台
CN109192696B (zh) * 2018-08-10 2021-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI822021B (zh) * 2021-06-01 2023-11-11 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 一種等離子體處理裝置及其可伸縮密封部

Also Published As

Publication number Publication date
KR102425674B1 (ko) 2022-07-27
CN109192696A (zh) 2019-01-11
WO2020029833A1 (zh) 2020-02-13
CN109192696B (zh) 2021-06-08
US20210313157A1 (en) 2021-10-07
JP7320597B2 (ja) 2023-08-03
US11694880B2 (en) 2023-07-04
JP2021533569A (ja) 2021-12-02
KR20210024122A (ko) 2021-03-04
TWI694534B (zh) 2020-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI694534B (zh) 升降針系統、真空反應腔室以及半導體加工設備
US10468282B2 (en) Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement
KR20210080300A (ko) 반도체 웨이퍼 프로세싱 동안 에지 프로세스 제어를 위한 이동식 에지 커플링 링
TWI520251B (zh) 處理室
TWI777440B (zh) 承載裝置、半導體設備及殘餘電荷的檢測方法
TW202220097A (zh) 承載裝置及半導體反應腔室
TWI827177B (zh) 製程腔室和晶圓加工方法
KR20200112447A (ko) 에지 링을 갖는 기판 처리 장치
US20220336258A1 (en) Apparatus for controlling lift pin movement
KR100970201B1 (ko) 진공처리장치
CN219017622U (zh) 一种静电吸附辅助装置
KR101235623B1 (ko) 리프트 핀 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치
CN113321154B (zh) 升降驱动机构及半导体加工设备
KR20120103060A (ko) 척 구조체 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 장치
KR102469302B1 (ko) 반응 챔버 및 플라즈마 디바이스
CN218299748U (zh) 一种等离子体反应腔室用晶圆提升机构
KR20120121164A (ko) 반도체 기판 처리 장치용 척 조립체
KR101394110B1 (ko) 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR102398614B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
CN114520176A (zh) 真空腔室及晶圆机台
CN112563184A (zh) 承载装置和半导体工艺设备
KR20070009241A (ko) 웨이퍼 리프트 핀
CN118280804A (zh) 一种聚焦环置换装置及等离子刻蚀机
KR20090091493A (ko) 축 고정용 스냅링 및 이를 포함하는 슬롯밸브 구동장치
KR20060073170A (ko) 액정표시장치 제조용 로드락 챔버