CN219892140U - 一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备 - Google Patents
一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN219892140U CN219892140U CN202321023519.2U CN202321023519U CN219892140U CN 219892140 U CN219892140 U CN 219892140U CN 202321023519 U CN202321023519 U CN 202321023519U CN 219892140 U CN219892140 U CN 219892140U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- intermediate shaft
- abutting part
- electrostatic chuck
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005555 metalworking Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本申请提供一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备,晶圆顶起装置包括:顶起结构;波纹管,波纹管的上端与顶起结构连接,波纹管内设置有中间轴;驱动装置,驱动装置用于驱动中间轴上下运动,驱动装置具有输出部,输出部和中间轴通过连接机构连接;其中,连接机构包括设置在输出部上端的第一连接结构和设置在中间轴下端的第二连接结构,第一连接结构包括上抵接部、下抵接和用于连接上抵接部和下抵接部一侧边缘的连接部,上抵接部具有开口,第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆;当输出部和中间轴连接时,球体位于上抵接部和下抵接部之间,连接杆穿过开口。本申请提供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备。
背景技术
等离子刻蚀技术是半导体芯片加工制造过程中的一种重要工艺。等离子刻蚀工艺由等离子刻蚀机完成。等离子刻蚀工艺的步骤包括刻蚀气体的导入、等离子体的生成、等离子体扩散至待刻蚀样品(晶圆)表面、等离子体在待刻蚀表面的扩散、等离子体与表面物质的反应以及反应产物的解吸附并排出等过程。晶圆一般会被吸附在静电吸盘上完成刻蚀操作,当晶圆完成刻蚀时,需要将晶圆从静电吸盘上顶起以便于被机械手夹取,从而将晶圆取出。然而,目前用于顶起晶圆的装置装配容错率较低、灵活性较差,一旦装配出现偏差,用于顶起晶圆的装置便很难将晶圆顶起,或者在将晶圆顶起的过程中相关构件出现变形而导致使用寿命下降的问题。
因此,希望提供一种装配容错率高用于顶起晶圆的装置。
实用新型内容
本申请实施例之一提供一种晶圆顶起装置,用于将吸附在等离子刻蚀设备的反应腔体内的静电吸盘的上表面的晶圆顶起,所述晶圆顶起装置包括:顶起结构,所述顶起结构位于所述静电吸盘的下方;波纹管,所述波纹管的上端与所述顶起结构连接,所述波纹管内设置有中间轴,其中,所述中间轴上下运动带动所述波纹管伸缩,所述波纹管伸长带动所述顶起结构穿过所述静电吸盘与所述晶圆接触并将所述晶圆顶起;驱动装置,所述驱动装置用于驱动所述中间轴上下运动,所述驱动装置具有输出部,所述输出部和所述中间轴通过连接机构连接;其中,所述连接机构包括设置在所述输出部上端的第一连接结构和设置在所述中间轴下端的第二连接结构,所述第一连接结构包括上抵接部、下抵接和用于连接所述上抵接部和所述下抵接部一侧边缘的连接部,所述上抵接部具有开口,所述第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆;当所述输出部和所述中间轴连接时,所述球体位于所述上抵接部和所述下抵接部之间,所述连接杆穿过所述开口。
在一些实施例中,所述第一连接结构与所述输出部上端转动连接。
在一些实施例中,所述第二连接结构与所述中间轴一体成型。
在一些实施例中,所述波纹管的下端与所述中间轴之间安装有衬套。
在一些实施例中,所述顶起结构包括多个顶杆。
在一些实施例中,所述顶起结构包括顶板。
在一些实施例中,所述驱动装置为气缸,所述输出部与所述气缸的活塞连接。
本申请实施例之一提供一种等离子刻蚀设备,包括:反应腔体;静电吸盘,所述静电吸盘位于所述反应腔体内,用于吸附晶圆;上述任一实施例中所述的晶圆顶起装置,所述晶圆顶起装置中的顶起结构位于所述静电吸盘的下方,用于穿过所述静电吸盘与所述晶圆接触并将所述晶圆顶起。
本申请实施例提供一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备,晶圆顶起装置通过中间轴与驱动装置的输出部之间通过连接机构连接,可以保证在晶圆顶起装置中的部件出现制造装配误差而导致驱动装置输出的直线运动方向与中间轴的轴线方向不在同一直线上的情况下,即使中间轴不发生变形也能顺利向上运动带动波纹管向上伸长从而带动顶起结构将晶圆顶起,因此可以避免中间轴在晶圆在被顶起的过程发生变形而导致使用寿命下降,同时可以保证驱动装置输出的驱动力不用过大便能满足将晶圆顶起的需求,也即是说,本申请提供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。
附图说明
以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例,附图仅用于说明和描述的目的,并不旨在限制本申请的范围,其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的发明意图。应当理解,附图未按比例绘制。
其中:
图1是根据本申请一些实施例所示的晶圆顶起装置的应用结构示意图;
图2是根据本申请一些实施例所示的连接机构的结构示意图;
图3是根据本申请一些实施例所示的连接机构的俯视图;
图4是根据本申请一些实施例所示的晶圆在被顶起的过程中连接机构的运动原理示意图;
图5是根据本申请一些实施例所示的中间轴的轴线与开口的对称线在Y方向上产生偏移时连接机构的俯视图;
图6是本申请一些实施例所示的第一连接结构相对于输出部转动后的连接机构的俯视图;
图7是根据本申请一些实施例所示的等离子刻蚀设备的结构示意图。
具体实施方式
以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求,目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说,对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的,并且在不脱离本申请的精神和范围的情况下,可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此,本申请不限于所示的实施例,而是与权利要求一致的最宽范围。
在等离子刻蚀设备对晶圆的加工过程中,晶圆会放置在等离子刻蚀设备的反应腔体中的静电吸盘上,静电吸盘通过静电对晶圆产生吸附力,从而能够将晶圆吸附在静电吸盘的上表面上以进行相应的刻蚀操作。当晶圆完成刻蚀后,需要将晶圆取出以进行后续制程。在将晶圆取出的过程中,首先需要将晶圆从静电吸盘上顶起,然后将晶圆顶到能够被机械手夹取到的相应位置,通过机械手夹取晶圆以将晶圆取出。
为了将晶圆顶起,用于晶圆顶起的装置一般是利用能够进行上下运动的执行部件与晶圆接触,然后在上升的过程中将晶圆顶起。执行部件的上下运动一般由能够输出直线运动的驱动装置(例如,气缸、电极都能够)所驱动。然而,驱动装置的输出部与执行部件之间的连接一般为刚性连接,一旦执行部件和/或驱动装置因制造装配偏差而导致驱动装置所输出的驱动力的方向与执行部件需要进行的上下运动方向不在同一直线上时,执行部件便容易受到来与驱动装置所输出的驱动力的方向不同方向(例如,水平方向)的作用力,这些作用力会在晶圆被顶起时使得执行部件发生变形,而容易发生损坏,同时会导致驱动装置需要输出较大的驱动力才能将晶圆顶起。
本申请实施例提供一种晶圆顶起装置,用于将吸附在等离子刻蚀设备的反应腔体内的静电吸盘的上表面的晶圆顶起,其特征在于,晶圆顶起装置包括:顶起结构,顶起结构位于静电吸盘的下方;波纹管,波纹管的上端与顶起结构连接,波纹管内设置有中间轴,其中,中间轴上下运动带动波纹管伸缩,波纹管伸长带动顶起结构穿过静电吸盘与晶圆接触并将晶圆顶起;驱动装置,驱动装置用于驱动中间轴上下运动,驱动装置具有输出部,输出部和中间轴通过连接机构连接;其中,连接机构包括设置在输出部上端的第一连接部和设置在中间轴下端的第二连接部,第一连接结构包括上抵接部、下抵接和用于连接上抵接部和下抵接部一侧边缘的连接部,上抵接部具有开口,第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆;当输出部和中间轴连接时,球体位于上抵接部和下抵接部之间,连接杆穿过开口。在本申请实施例提供的晶圆顶起装置中,中间轴与输出部之间通过连接机构连接,可以在晶圆顶起装置中的部件(例如,波纹管、中间轴、驱动装置等)出现制造装配误差而导致驱动装置输出的直线运动方向与中间轴的轴线方向不在同一直线上的情况下,在中间轴向上运动的过程而带动波纹管伸长从而带动顶起结构将晶圆顶起时,球体不仅会向上运动,还可以在下抵接部与球体抵接的平面上滑动,球体所滑动的位移可以补偿因制造装配误差等因素导致驱动装置输出的直线运动方向与中间轴的轴线方向不在同一直线上时而导致在顶起晶圆的过程中相关部件(例如,中间轴)所发生的变形,从而避免晶圆顶起装置在顶起晶圆的过程中相关部件发生变形而导致使用寿命下降,并且可以保证减小因制造装配误差等因素导致驱动装置输出的直线运动方向与中间轴的轴线方向不在同一直线上时驱动装置不用输出较大的驱动力也能顺利将晶圆顶起,也即是说,本申请实施例提供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。
下面结合实施例和附图对本发明技术方案进行详细说明。
图1是根据本申请一些实施例所示的晶圆顶起装置的应用结构示意图。
如图1所示,晶圆顶起装置100可以设置在静电吸盘200的下方,晶圆300被吸附于等离子刻蚀设备中反应腔体中的静电吸盘200的上表面上以进行刻蚀操作,当刻蚀完成后,晶圆顶起装置100可以将晶圆300从静电吸盘200上顶起而与静电吸盘200分离,然后晶圆300会被顶升到机械手能够夹取到的位置,以便于将晶圆300从等离子刻蚀设备的反应腔体中取出。
继续参见图1所示,晶圆顶起装置100可以包括顶起结构110、波纹管120和驱动装置130。
顶起结构110位于静电吸盘200的下方,顶起结构110做上升运动时,可以穿过静电吸盘200与晶圆300接触从而将晶圆300顶起。其中,为了便于顶起结构110能够穿过静电吸盘200,静电吸盘200上开设有供顶起结构110通过的通孔。在一些实施例中,如图1所示,顶起结构110可以包括多个顶杆111,当顶起结构110穿过静电吸盘200与晶圆300接触时,各个顶杆111均能接触到晶圆300,这样可以使得晶圆300在被顶起的时候受力比较均匀,从而避免晶圆300在被顶起的过程中受力不均匀而容易发生破损的问题。在一些实施例中,顶起结构110可以包括顶板,顶板呈板状结构,其面积可以略小于晶圆300的面积,当顶板穿过静电吸盘200与晶圆300接触将晶圆300顶起时,晶圆300的受力比较均匀,能够避免晶圆300在被顶起的过程中受力不均匀而容易发生破损的问题。
波纹管120的上端与顶起结构110连接,波纹管120内部设置有中间轴121。具体地,中间轴121的上端可以固定在波纹管120的内部,当中间轴121进行上下运动时,可以带动波纹管120进行伸缩,而波纹管120伸长则可以带动顶起结构110进行上升运动,从而穿过静电吸盘200与晶圆300接触并将晶圆300从静电吸盘200上顶起。通过波纹管120带动顶起结构110做上升运动,不仅可以满足将晶圆300顶起的需求,而且波纹管120具有较好的密封性,可以用于等离子刻蚀设备的反应腔体的密封。
在一些实施例中,继续参见图1所示,波纹管120的下端与中间轴121之间安装有衬套122。具体地,衬套122套设在中间轴121上,并且衬套122的外表面与波纹管120的内壁固定连接。通过设置衬套122,可以限定中间轴121在波纹管122内的相对位置,保证中间轴121与波纹管120的轴线能够在同一直线上,使得中间轴进行上下运动时,波纹管120能够在上下方向上进行伸缩,以保证顶起结构110能够与静电吸盘200上的通孔对应,从而使得顶起结构110能够顺利穿过静电吸盘200上的通孔与晶圆300接触而将晶圆300顶起。
驱动装置130可以用于驱动中间轴121进行上下运动,以带动波纹管120在上下方向上进行伸缩,波纹管120向上伸长即可带动顶起结构120向上运动穿过静电吸盘200与晶圆300接触并将晶圆300顶起。
图2是根据本申请一些实施例所示的连接机构的结构示意图。图3是根据本申请一些实施例所示的连接机构的俯视图。
进一步地,结合图1和图2所示,驱动装置130可以具有输出部131,输出部131可以与中间轴121通过连接机构140连接。其中,连接机构140可以包括设置在输出部131上端的第一连接结构141和设置在中间轴121下端的第二连接结构142,第一连接结构141可以包括上抵接部1411、下抵接部1412以及用于连接上抵接部1411和下抵接部1412一侧边缘的连接部1413,上抵接部1411具有开口1414;第二连接结构142可以包括球体1421和连接在球体1421和中间轴121之间的连接杆1422,当输出部131和中间轴121通过连接机构140连接时,第一连接结构141和第二连接结构142装配在一起,具体地,球体1421位于上抵接部1411和下抵接部1412之间,并且与上抵接部1411和下抵接部1412中的至少一个抵接,连接杆1422则穿过开口1414。在一些实施例中,驱动装置130可以是气缸,输出部131可以与气缸的活塞连接。在一些实施例中,驱动装置130还可以是直线电机、液压缸等能够输出直线运动的驱动装置。
通过上述设置,可以保证在晶圆顶起装置100中的部件(例如,波纹管、中间轴、驱动装置等)出现制造装配误差而导致驱动装置130输出的直线运动方向(即驱动力方向)与中间轴121的轴线方向(即上下方向)不在同一直线上的情况下,即使中间轴121不发生变形也能顺利向上运动带动波纹管120向上伸长从而带动顶起结构110将晶圆顶起,因此可以避免中间轴121在晶圆在被顶起的过程发生变形而导致使用寿命下降,同时可以保证驱动装置130输出的驱动力不用过大便能满足将晶圆顶起的需求。下面将结合图4进行具体说明。
图4是根据本申请一些实施例所示的晶圆在被顶起的过程中连接机构的运动原理示意图。
结合图1、图2以及图4所示,当晶圆顶起装置100中的部件(例如,波纹管120、中间轴121、驱动装置130等)出现制造装配误差而导致驱动装置130输出的驱动力方向S1与中间轴121的轴线方向S2不在同一直线上时,如果输出部131和中间轴121没有通过连接机构140连接,要想中间轴121在驱动装置130输出的驱动力的作用下向上运动,中间轴121势必会发生变形,这样容易导致中间轴121使用寿命下降,并且中间轴121向上运动需要驱动装置130输出的驱动力也会较大,这样会影响驱动装置130的输出,增加晶圆顶起的成本。而输出部131和中间轴121通过连接机构140连接后,在驱动装置130驱动中间轴121向上运动时,球体1421会在下抵接部1412的上表面上发生滑动,具体地,球体1421会从下抵接部1412的上表面上的位置A滑动到位置B,球体1421从位置A到位置B之间的位移便可以补充中间轴121向上运动的过程中原本要发生的变形,从而可以保证驱动装置130输出的驱动力方向S1与中间轴121的轴线方向S2不在同一直线上时中间轴121在不发生变形的情况下也能顺利向上运动,避免中间轴131的使用寿命因变形而下降,同时也能保证驱动装置130输出的驱动力不用过大便能满足将晶圆顶起的需求,避免驱动装置130输出的驱动力方向S1与中间轴121的轴线方向S2不在同一直线上时会影响驱动装置130的输出。
在本实施例中,上抵接部1411上的开口1414可以便于第一连接结构141和第二连接结构142之间的装配和拆卸。其中,为了避免中间轴121在上下运动的过程中,球体1421通过开口1414从上抵接部1411和下抵接部1412之间脱离,如图4所示,开口1414的宽度W小于球体1421的直径D。在一些实施例中,为了保证中间轴121在向上运动的过程中,球体1421在下抵接部1412的上表面上的滑动不受到限制,开口1414的宽度W大于连接杆1422的直径d。
在一些实施例中,第一连接结构141可以通过铸造或者利用车削等金属加工方式一体成型。在一些实施例中,第一连接结构141中的上抵接部1411、下抵接部1412和连接部1413之间也可以通过焊接、卡接等方式连接。在一些实施例中,第二连接结构142可以与中间轴121一体成型,例如,球体1421、连接杆1422与中间轴121可以通过铸造或者利用车削等金属加工方式一体成型。在一些实施例中,球体1421、连接杆1422与中间轴121之间也可以通过焊接、卡接等方式连接。在一些实施例中,连接杆1422可以是中间轴121的一部分。
图5是根据本申请一些实施例所示的中间轴的轴线与开口的对称线在Y方向上产生偏移时连接机构的俯视图。图6是本申请一些实施例所示的第一连接结构相对于输出部转动后的连接机构的俯视图。
在一些场景下,结合图2和图5所示,当晶圆顶起装置100中的部件(例如,波纹管、中间轴、驱动装置等)出现制造装配误差而导致中间轴121(或连接杆1422)的轴线L与开口1414的对称面S在Y方向上产生偏移的情况下,在需要将顶起结构110收回时,中间轴121向下运动,此时球体1421在Y方向上仅有一侧与上抵接部1411抵接,即球体1421在Y方向上仅有一侧受到上抵接部1411传递给球体1421的向下的驱动力,这样会导致球体1421在Y方向上发生偏转而导致球体1421向下运动不顺畅,使得球体1421向下运动时会需要较大的驱动力,这样会增大驱动装置130的输出,从而影响驱动装置130的性能和成本。可以理解的是,Y方向可以是与水平面垂直的方向。
为了减小中间轴121(或连接杆1422)的轴线L与开口1414的对称面S在Y方向上产生偏移时球体1421向下运动所需要的驱动力,保证中间轴121能够顺畅地向下运动,在一些实施例中,第一连接结构141可以与输出部131的上端转动连接。具体地,下抵接部1412的下端可以与输出部131的上端转动连接。
进一步地,结合图5和图6所示,当中间轴121(或连接杆1422)的轴线L与开口1414的对称面S在Y方向上产生偏移的情况下,当需要将顶起结构110收回时,中间轴121向下运动,一开始球体121在Y方向仅有一侧与上抵接部1411抵接而使得球体1421在Y方向上仅有一侧受到上抵接部1411传递给球体1421的向下的驱动力,而导致球体1421发生偏转,球体1421偏转会对上抵接部1411产生作用力,由于第一连接结构141与输出部131的上端转动连接,第一连接结构141会在该作用力下相对于输出部141发生转动,直到开口1414的对称面S转动至与中间轴121的轴线L重合,此时球体1421关于对称面S对称的相对两侧均与上抵接部1411抵接,且两侧受到上抵接部1411传递给球体1421的向下的驱动力相同,这样可以使得球体1421在向下运动时不会发生偏转,从而可以减小球体1421向下运动时所需要的驱动力,保证球体1421(或中间轴121)能够顺畅地向下运动。
图7是根据本申请一些实施例所示的等离子刻蚀设备的结构示意图。
如图7所示,本申请实施例还提供了等离子刻蚀设备10,等离子刻蚀设备10包括反应腔体400、静电吸盘300和图1中示出的晶圆顶起装置100。其中,静电吸盘300位于反应腔体内,用于吸附晶圆,晶圆顶起装置100中的顶起结构110位于静电吸盘300的下方,用于穿过静电吸盘300与晶圆接触并将晶圆顶起,以便于机械手能够夹取到晶圆而将晶圆从反应腔体400内取出。关于晶圆顶起装置100已在上文进行详细描述,在此不再赘述。
本申请实施例可能带来的有益效果包括但不限于:(1)本申请提供的晶圆顶起装置,可以保证在晶圆顶起装置中的部件出现制造装配误差而导致驱动装置输出的直线运动方向与中间轴的轴线方向不在同一直线上的情况下,即使中间轴不发生变形也能顺利向上运动带动波纹管向上伸长从而带动顶起结构将晶圆顶起,因此可以避免中间轴在晶圆在被顶起的过程发生变形而导致使用寿命下降,同时可以保证驱动装置输出的驱动力不用过大便能满足将晶圆顶起的需求,也即是说,本申请提供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率;(2)第一连接结构和输出部转动连接,可以减小中间轴的轴线与开口的对称面在Y方向上产生偏移时球体向下运动所需要的驱动力,保证中间轴能够顺畅地向下运动。
需要说明的是,不同实施例可能产生的有益效果不同,在不同的实施例里,可能产生的有益效果可以是以上任意一种或几种的组合,也可以是其他任何可能获得的有益效果。
上文已对基本概念做了描述,显然,对于本领域技术人员来说,上述详细披露仅仅作为示例,而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明,本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议,所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。
需要说明的是,在本申请的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是转动连接,也可以是滑动连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以结合具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
另外,当本申请说明书中使用了“第一”、“第二”、“第三”等术语描述各种特征时,这些术语仅用于对这些特征进行区分,而不能理解为指示或暗示特征之间的关联性、相对重要性或者隐含指明所指示的特征数量。
除此之外,本申请说明书通过参考理想化的示例性截面图和/或平面图和/或立体图来描述示例性实施例。因此,由于例如制造技术和/或容差导致的与图示的形状的不同是可预见的。因此,不应当将示例性实施例解释为限于在此所示出的区域的形状,而是应当包括由例如制造所导致的形状中的偏差。因此,在图中示出的区域实质上是示意性的,其形状不是为了示出器件的区域的实际形状也不是为了限制示例性实施例的范围。
同时,本申请使用了特定词语来描述本说明书的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此,应强调并注意的是,本申请中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外,本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
同理,应当注意的是,为了简化本申请披露的表述,从而帮助对一个或多个发明实施例的理解,前文对本申请实施例的描述中,有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是,这种披露方法并不意味着本申请对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上,实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
最后,应当理解的是,本申请中所述实施例仅用以说明本申请实施例的原则。其他的变形也可能属于本申请的范围。因此,作为示例而非限制,本申请实施例的替代配置可视为与本申请的教导一致。相应地,本申请的实施例不仅限于本申请明确介绍和描述的实施例。
Claims (8)
1.一种晶圆顶起装置,用于将吸附在等离子刻蚀设备的反应腔体内的静电吸盘的上表面的晶圆顶起,其特征在于,所述晶圆顶起装置包括:
顶起结构,所述顶起结构位于所述静电吸盘的下方;
波纹管,所述波纹管的上端与所述顶起结构连接,所述波纹管内设置有中间轴,其中,所述中间轴上下运动带动所述波纹管伸缩,所述波纹管伸长带动所述顶起结构穿过所述静电吸盘与所述晶圆接触并将所述晶圆顶起;
驱动装置,所述驱动装置用于驱动所述中间轴上下运动,所述驱动装置具有输出部,所述输出部和所述中间轴通过连接机构连接;其中,所述连接机构包括设置在所述输出部上端的第一连接结构和设置在所述中间轴下端的第二连接结构,所述第一连接结构包括上抵接部、下抵接部和用于连接所述上抵接部和所述下抵接部一侧边缘的连接部,所述上抵接部具有开口,所述第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆;当所述输出部和所述中间轴连接时,所述球体位于所述上抵接部和所述下抵接部之间,所述连接杆穿过所述开口。
2.根据权利要求1所述的晶圆顶起装置,其特征在于,所述第一连接结构与所述输出部上端转动连接。
3.根据权利要求1所述的晶圆顶起装置,其特征在于,所述第二连接结构与所述中间轴一体成型。
4.根据权利要求1所述的晶圆顶起装置,其特征在于,所述波纹管的下端与所述中间轴之间安装有衬套。
5.根据权利要求1所述的晶圆顶起装置,其特征在于,所述顶起结构包括多个顶杆。
6.根据权利要求1所述的晶圆顶起装置,其特征在于,所述顶起结构包括顶板。
7.根据权利要求1所述的晶圆顶起装置,其特征在于,所述驱动装置为气缸,所述输出部与所述气缸的活塞连接。
8.一种等离子刻蚀设备,其特征在于,包括:
反应腔体;
静电吸盘,所述静电吸盘位于所述反应腔体内,用于吸附晶圆;
如权利要求1至7任一项所述的晶圆顶起装置,所述晶圆顶起装置中的顶起结构位于所述静电吸盘的下方,用于穿过所述静电吸盘与所述晶圆接触并将所述晶圆顶起。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202321023519.2U CN219892140U (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202321023519.2U CN219892140U (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN219892140U true CN219892140U (zh) | 2023-10-24 |
Family
ID=88409003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202321023519.2U Active CN219892140U (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN219892140U (zh) |
-
2023
- 2023-04-28 CN CN202321023519.2U patent/CN219892140U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109192696B (zh) | 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备 | |
US20100037445A1 (en) | Method of and apparatus for detaching semiconductor chips from a tape | |
CN219892140U (zh) | 一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备 | |
CN114029661B (zh) | 高真空状态下微电子封装自适应平行封焊方法 | |
CN217361537U (zh) | 一种晶圆用定位装置 | |
US11183418B2 (en) | Two axis goniometer to accomplish fine, permanent, calibration of lift pin hoop orientation | |
CN110797292A (zh) | 承载装置、工艺腔室和半导体处理设备 | |
CN116613050A (zh) | 一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备 | |
JP3694691B2 (ja) | 大型基板の組立装置及び組立方法 | |
CN111508890A (zh) | 一种晶片装卸机构和半导体工艺设备 | |
CN117080156B (zh) | 一种用于晶圆检测的载台装置 | |
US20220336258A1 (en) | Apparatus for controlling lift pin movement | |
US20240038573A1 (en) | Wafer processing apparatus and wafer processing method | |
CN212496250U (zh) | 一种筒体组对装置 | |
JP2007088241A (ja) | 押圧装置および押圧方法 | |
CN112349648B (zh) | 升降针机构及半导体工艺设备 | |
JP2024507306A (ja) | 溶接治具及び挟持方法 | |
KR101145240B1 (ko) | 웨이퍼 지지장치 | |
JP2009016745A (ja) | プローブ組立体 | |
CN113134727A (zh) | 一种带浮动功能的合箱抓具 | |
CN220569652U (zh) | 一种具有起升结构的双工位 | |
KR20050110578A (ko) | 코어드릴용 비트의 지그 | |
CN219853317U (zh) | 定位装置 | |
US20230124884A1 (en) | Apparatus for lifting substrate and apparatus for processing substrate | |
CN118280804A (zh) | 一种聚焦环置换装置及等离子刻蚀机 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |