TWI695082B - 無氨無氯保形氮化矽膜的沉積方法 - Google Patents

無氨無氯保形氮化矽膜的沉積方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI695082B
TWI695082B TW104138370A TW104138370A TWI695082B TW I695082 B TWI695082 B TW I695082B TW 104138370 A TW104138370 A TW 104138370A TW 104138370 A TW104138370 A TW 104138370A TW I695082 B TWI695082 B TW I695082B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
silicon nitride
nitride film
silicon
plasma
Prior art date
Application number
TW104138370A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201632650A (zh
Inventor
強 亨利
丹尼斯 Ｍ 豪斯曼恩
沙恩 唐
詹姆士 Ｓ 希姆斯
Original Assignee
美商蘭姆研究公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商蘭姆研究公司 filed Critical 美商蘭姆研究公司
Publication of TW201632650A publication Critical patent/TW201632650A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI695082B publication Critical patent/TWI695082B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

此處提供藉由下列步驟使用原子層沉積沉積保形氮化矽膜的方法：曝露至如二矽烷之無鹵素、無N-H鍵、及無碳的含矽前驅物；前驅物的沖洗；曝露至氮電漿；以及低溫下電漿的沖洗。使用高頻電漿，如具有至少13.56MHz、或至少27MHz之頻率的電漿。 方法產生實質上純的保形氮化矽膜，其適用於半導體裝置中的沉積，例如在凹槽或特徵部中、或用於記憶體封裝。

Description

無氨無氯保形氮化矽膜的沉積方法
本揭露內容相關於腔室基板上沉積氮化矽膜的方法。
氮化矽(SiN)薄膜具有獨特的物理、化學、及機械性質，且因此被用在各種應用中，尤其半導體裝置，例如在擴散阻障物、閘極絕緣體、側壁間隔件、封裝層、電晶體中之應變膜(strained film)、及類似物中。習知的SiN膜已在相對高的溫度下進行沉積，例如在前段製程(FEOL,front end of line)應用中。舉例而言，SiN膜係典型地在反應器中以大於750℃的溫度使用二氯矽烷、及氨藉由化學氣相沉積(CVD)而進行沉積。然而，當SiN膜係用在半導體製造製程的後階段中時，且當裝置尺寸持續減縮時，日益需要使SiN膜形成於如低於600℃的較低溫度。
此處提供沉積氮化矽膜的方法。一實施態樣包含藉由下列步驟在腔室中基板上沉積氮化矽膜的方法：(a)在容許含矽前驅物在基板表面上形成 吸附層的條件下，使基板曝露至含矽前驅物；以及(b)使吸附層曝露至氮(N2)電漿，從而形成氮化矽膜，其中含矽前驅物係無N-H鍵的。在一些實施例中，含矽前驅物係無鹵化物的。在一些實施例中，含矽前驅物係無碳的。在各種實施例中，使載體氣體在(a)至(b)的整個過程中流動。在一些實施例中，載體氣體係無氫的。
在一些實施例中，含矽前驅物係選自下列者組成的群組：矽烷、二矽烷、三矽烷、四矽烷、及三甲矽烷基胺(trisilylamine)。在一些實施例中，含矽前驅物具有介於約12：4與約12：5之間的氫對矽化學計量比率。在各種實施例中，製程溫度係低於約250℃。
方法亦可包含：(c)重複(a)-(b)；及(d)周期性地使基板曝露至含氫電漿。可使基板曝露至含氫電漿約0.05秒與約60秒之間的時間。
在一些實施例中，使基板曝露至含氫電漿包含：使基板曝露至含氫氣體、及引發電漿，其中含氫氣體係選自下列者組成的群組：氨、氫、及其組合。
在各種實施例中，電漿的頻率係至少約13.56MHz。在一些實施例中，電漿的頻率係約27MHz。
在一些實施例中，含矽前驅物係吸附在少於約60%的基板表面上。(a)中基板表面上的吸附層可小於約0.5Å的厚度。
另一實施態樣包含藉由下列步驟在腔室中基板上沉積氮化矽膜的方法：(a)在容許含矽前驅物在基板表面上形成吸附層的條件下，使基板曝露至含矽前驅物；以及(b)使吸附層曝露至氮(N2)電漿，從而形成氮化矽膜， 其中含矽前驅物包含至少約75%的非極性共價鍵。在一些實施例中，含矽前驅物係三甲矽烷基胺(trisilylamine)。
該方法亦可包含：(c)重複(a)-(b)；及(d)周期性地使基板曝露至含氫電漿。可使基板曝露至含氫電漿約0.05秒與約60秒之間的時間。
在一些實施例中，使基板曝露至含氫電漿包含：使基板曝露至含氫氣體、及引發電漿，其中含氫氣體係選自下列者組成的群組：氨、氫、及其組合。在各種實施例中，(a)中基板表面上的吸附層係小於約0.5Å的厚度。
該等及其他實施態樣係參考圖式而於以下進一步描述。
101:操作
103:操作
105:操作
107:操作
109:操作
113:操作
200:製程
210A:沉積循環
210B:沉積循環
220A:二矽烷曝露階段
220B:二矽烷曝露階段
240A:沖洗階段
240B:沖洗階段
260A:氮電漿曝露階段
260B:氮電漿曝露階段
280A:沖洗階段
280B:沖洗階段
300:製程站
301a:反應物傳送系統
302:製程腔室體
303:汽化位置點
304:混合容器
306:噴淋頭
308:基座
310:加熱器
312:基板
314:RF電源
316:匹配網路
318:蝶形閥
320:入口閥
350:控制器
400:工具
402:入站裝載室
404:出站裝載室
406:自動機器
408:盒
410:大氣埠
414:處理腔室
416:傳送埠
418:基座
450:控制器
452:處理器
454:大容量儲存裝置
456:記憶體裝置
458:系統控制軟體
501:曲線
503:曲線
505:尖峰
507:曲線
509:曲線
圖1係根據所揭露實施例描繪方法之操作的處理流程圖。
圖2係根據所揭露實施例顯示方法中循環之範例的時序圖。
圖3係用以執行所揭露實施例之例示性製程站的示意圖。
圖4係用以執行所揭露實施例之例示性製程工具的示意圖。
圖5係來自實驗資料之膜的傅立葉轉換紅外光譜。
在以下描述內容中，提出許多具體的細節，以提供對所呈現之實施例的透徹理解。所揭露實施例可在沒有該等具體細節的一些或全部者的條件下實行。在其他情形中，已熟知的製程操作並未作詳細描述，以避免不必要地模糊所揭露實施例。儘管所揭露實施例將結合具體的實施例而進行描述，但即將理解其並非意在限制所揭露實施例。
氮化矽可用在半導體裝置製造中作為擴散阻障物，閘極絕緣體、側壁間隔件、封裝層。尤其，在一些半導體裝置中，碳層可沉積在受熱時發生改變的相變化層上。當受熱時，受損的相變化層未必進行相變。此相變化層亦可對光敏感。為防止對相變化層的任何損壞，可在相變化層上沉積保形記憶體封裝層，其可為氮化矽。記憶體封裝層有少許乃至沒有其他化合物的污染，且係於低溫下進行沉積，以避免損壞裝置。保形氮化矽層亦可使用在其他應用中。
此處提供使用下列者藉由原子層沉積(ALD)沉積保形氮化矽的方法：高分子質量、無鹵素、無碳的含矽前驅物；及氮電漿。在一些實施例中，前驅物亦為無N-H鍵的。如此處所使用之用語「氮電漿」應被理解為意指利用遠端、或現場電漿產生器藉由引發氮(N2)氣體而產生的電漿。沉積氮化矽膜少有乃至沒有碳污染，且沒有鹵素污染。
沉積膜可為高度保形的。膜的保形度可藉由階梯覆蓋率而加以量測。階梯覆蓋率可藉由將特徵部底部、側壁、或頂部上之沉積膜的平均厚度與特徵部底部、側壁、或頂部上之沉積膜的平均厚度進行對比而加以計算。舉例而言，階梯覆蓋率可藉由特徵部側壁上之沉積膜的平均厚度除以頂部之沉積膜的平均厚度、並且將其乘以100以得到百分數而加以計算。
此處提供的方法涉及藉由ALD的沉積。不像化學氣相沉積(CVD)技術，ALD製程使用表面媒介沉積反應使膜逐層沉積。在ALD製程的一範例中，使包含一群表面活性位置的基板表面曝露至以氣相分佈的第一前驅物(例如，含矽前驅物)，該第一前驅物係以注入的方式被提供至容納基板的製程站。該第一前驅物的分子係吸附在基板表面上，包含第一前驅物之化學吸附的物種、及/或物理吸附的分子。應該理解，當化合物係如此處所描述般吸附至基板表面上時， 吸附層可包含化合物、以及化合物的衍生物。舉例而言，含矽前驅物的吸附層可包含含矽前驅物、以及含矽前驅物的衍生物。在某些實施例中，ALD前驅的注入部分地使基板表面飽和。在一些實施例中，ALD循環的注入階段在前驅物接觸基板之前結束，以平均地使表面飽和。典型地，在此處使前驅物的流動關閉或轉向，且只有沖洗氣體流動。藉由以此次飽和狀態進行操作，ALD製程降低循環時間，並增加產量。然而，因為前驅物吸附不是飽和受限的，所以所吸附之前驅物的濃度可在基板表面範圍稍微有所變化。以次飽和狀態進行操作的ALD製程的範例係在下列者中提供：2013年10月23日申請、名為「SUB-SATURATED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CONFORMAL FILM DEPOSITION」的美國專利申請案第14/061,587號，其整體內容併入以此作為參考。第一前驅物注入後，接著排空反應器，以移除維持於氣相的任何第一前驅物，使得僅已吸附物種留下。將如含氮反應物的第二反應物導入至反應室，使得該等分子的一些者與吸附在表面上的第一前驅物進行反應。在一些實施例中，第二前驅物立即與吸附的第一前驅物進行反應。在其他實施例中，第二前驅物僅在暫時地施加活化源後才進行反應。接著再排空反應器，以移除未結合的第二前驅物分子。額外的ALD循環可用來增長膜厚度。
在一些實施例中，ALD方法包含電漿活化。如此處所描述，此處描述的ALD方法及設備可為保形膜沉積(CFD,conformal film deposition)方法，該保形膜沉積(CFD,conformal film deposition)方法係在下列者中加以概括性描述：2011年4月11日申請、且名為「PLASMA ACTIVATED CONFORMAL FILM DEPOSITION」的美國專利申請案第13/084,399號(現在為美國專利第8,728,956號)；以及2011年4月11日申請、且名為「SILICON NITRIDE FILMS AND METHODS」的美國專利申請案第13/084,305號，以上者係整體內容併入以此作為參考。
所揭露實施例包含形成矽前驅物之吸附層的方法，該矽前驅物之吸附層係足以活性至在低溫下與氮電漿進行反應。方法包括矽前驅物係吸附至基板表面上的原子層沉積(ALD)製程。在許多實施例中，所揭露方法可在低於約250℃的溫度下執行，例如約200℃。在一些實施例中，基座係設定至低於約250℃的溫度。在一些實施例中，方法係在較高的溫度加以執行，例如高於約250℃、或高於300℃。一般地，較高的沉積溫度導致較高的階梯覆蓋率，但溫度可能被裝置限制於避免損壞裝置上存在的任何複數層。在各實施例中，方法可在介於約0.1Torr與約20Torr之間的壓力下加以執行。在以下範例中，流速係針對180L的腔室而設置，該腔室可包含數個製程站。在一些情形中，取決於反應器配置，可縮放流率以適應不同的容積。此處所描述實施例亦可操作於較高頻率的電漿，該較高頻率的電漿有助於形成具有較低濕式蝕刻速率的氮化矽膜。在許多實施例中，氮化矽膜係以如此處所描述之ALD循環中進行沉積。
圖1係根據所揭露實施例描繪執行方法之操作的處理流程圖。圖2係根據所揭露實施例之例示性脈衝的時序圖。圖2針對各種製程參數(例如，載體氣體流動、矽前驅物流動、電漿、及氮流動)，顯示例示性ALD製程200中的複數階段。在圖2中，氬係顯示為例示性載體氣體，且二矽烷代表矽前驅物的範例。據此，線條顯示打開及關閉流動或電漿的時間。例示性製程參數包含但不限於惰性及反應物物種的流速、電漿功率及頻率、基板溫度、及製程站壓力。圖1及圖2將於以下一起加以描述。
在圖1之操作101中，提供基板至製程站。基板可為矽晶圓(例如200mm晶圓、300mm晶圓、或450mm晶圓)，包含具有一或更多材料層(例如，介電的、傳導性的、或半傳導性的材料)沉積於其上的晶圓。基板可具有如通孔或接觸孔的「特徵部」，該特徵部可以一或更多窄的及/或凹角的開口、特徵部內的限制、以及高縱橫比為特徵。特徵部可形成於以上所描述之複數層的一或更多者中。特徵部的範例為半導體基板中、或基板上之膜層中的孔洞或通孔。另一範例為基板中、或膜層中的凹槽。在各種實施例中，特徵部可具有如阻障層或附著層的下方層。下方層的非限制性範例包含介電層及傳導層，如矽氧化物、矽氮化物、矽碳化物、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、及金屬層。
在一些實施例中，特徵部可具有至少約2：1、至少約4：1、至少約6：1、至少約10：1、或更高的縱橫比。特徵部亦可具有接近開口的尺寸，例如介於約10nm至500nm之間(如介於約25nm與約300nm之間)的開口直徑或線寬。所揭露方法可在具有特徵部(該特徵部具有小於約150nm的開口)的基板上加以執行。通孔或凹槽特徵部可稱為未填充特徵部或特徵部。特徵部可具有自特徵部的底部、封閉端、或內部縮窄至特徵部開口的凹角輪廓。
在圖1之操作103-109期間，可使惰性氣體流動。在各種實施例中，惰性氣體係用作載體氣體。例示性載體氣體包含氬(Ar)、氦(He)、及氖(Ne)。在一些實施例中，載體氣體不是氫，使得少有乃至沒有氫係包含在所沉積之氮化矽膜中。在一些實施例中，可使用含氫載體氣體。圖2中例示性序列使用氬作為例示性載體氣體，使其在整個製程期間連續地流動。可提供惰性氣體，以協助製程腔室的壓力及/或溫度控制、液體反應物的汽化、較快的反應物傳送，及/或作為用於自製程腔室及/或製程腔室管路移除製程氣體的清掃氣體。在一些實施 例中，可使氮在操作103-109的整個過程中流動，且如以下所描述，在操作107中將其引發為氮電漿。
在圖1之操作103中，使基板曝露至含矽前驅物，該含矽前驅物會吸附在基板表面上。該操作可為ALD循環的一部分。ALD「循環」的概念係與此處各種實施例的討論相關。一般地，一個循環係執行一次表面沉積反應所使用的最小操作組。一個循環的結果係在基板表面上產生至少部份的氮化矽膜層。典型地，一個ALD循環包含以下步驟的操作：使至少一反應物傳送及吸附至基板表面、以及然後使吸附的反應物與一或更多反應物進行反應，以形成膜的部分層。當然，該循環可包含輔助操作，例如掃除反應物或副產物其中一者、及/或對所沉積的部分膜進行處理。一般地，一個循環包含一種情況的獨特序列操作。舉例來說，一個循環可包含下列操作：(i)含矽前驅物的傳送/吸附、(ii)自工作站沖洗含矽前驅物、(iii)氮電漿的傳送、及(iv)自工作站沖洗電漿。
任何適當數目的沉積循環都可包含於ALD製程中，以沉積期望膜厚度的氮化矽。圖2中之時序以兩個沉積循環(210A、及210B)描繪圖1的各種操作。如顯示，在每一循環中，如以上參考圖1之操作103所描述，使基板曝露至二矽烷。舉例來說，在沉積循環210A期間，基板在二矽烷曝露階段220A期間係曝露至二矽烷，且在沉積循環210B期間，基板在二矽烷曝露階段220B期間係曝露至二矽烷。注意到，在二矽烷曝露階段220A及220B期間，電漿係關閉的，沒有氮流動至工作站，且如氬的載體氣體持續流動。取決於流速及基板基板表面面積，可使基板曝露至含矽前驅物約0.2秒與約6秒之間的時間。
返回至圖1，在操作103期間，使基板曝露至含矽前驅物，使得含矽前驅物係吸附至基板表面上，以形成吸附層。在一些實施例中，含矽前驅物以 自限制的方式吸附在基板表面上，使得活性位置一旦被含矽前驅物佔據，則少有乃至沒有額外的含矽前驅物將吸附在基板表面上。舉例來說，含矽前驅物可吸附在約60%的基板表面上。在各種實施例中，當使含矽前驅物流動至工作站時，含矽前驅物吸附在基板之表面上的活性位置上，在表面上形成含矽前驅物薄層。在各種實施例中，該層可小於單分子層，且可具有約0.2Å與約0.4Å之間的厚度。此處提供的方法可在低於約450℃的溫度加以執行。在大於約450℃的製程溫度下，一些含矽前驅物可能分解形成一層矽。
不像CVD或類CVD製程，含矽前驅物不會分解形成矽層。在各種實施例中，執行操作103，使得並非所有的活性位置都被含矽前驅物佔據。
在一些實施例中，含矽前驅物不包含任何的N-H鍵，且不包含一級氨、或二級氨。在一些實施例中，含矽前驅物沒有NH3基團。在各種實施例中，含矽前驅物係無鹵素的。在一些實施例中，含矽前驅物係無碳的。在一些實施例中，含矽前驅物係無N-H鍵的。含矽前驅物亦可具有介於約12：3至約12：5之間的氫對矽原子比率。
一般地，如此處所描述之方法中所使用的含矽前驅不具有供電子基團或吸電子基團。在不受特定理論束縛的情況下，不具供電子基團或吸電子基團的含矽前驅物可更具反應性，以形成矽-氮鍵。在一些實施例中，含矽前驅物不包含高極性鍵。基板的吸附表面層可包含自基板表面延伸的非極性共價鍵，以與電漿進行反應。在各種實施例中，含矽前驅物包含多於約75%的非極性共價鍵。舉例而言，三甲矽烷基胺包含三個極性共價Si-N鍵及九個非極性共價Si-H鍵。在一些實施例中，含矽前驅物之末端之價鍵處的兩個原子之間的電負度差(electronegativity difference)在鮑林標度(Pauling scale)上係小於0.5。
根據所揭露實施例，適用的例示性含矽前驅物包含：聚矽烷(H3Si-(SiH2)n-SiH3)，其中n
Figure 104138370-A0305-02-0012-7
1，例如矽烷、二矽烷、三矽烷、四矽烷；及三甲矽烷基胺(trisilylamine)：
Figure 104138370-A0305-02-0012-1
返回至圖1，在操作105中，製程站係可選地受到沖洗，以移除沒有吸附在基板之表面上的呈氣相的多餘含矽前驅物。沖洗可涉及清掃氣體，該清掃氣體可為其他操作中使用的載體氣體或其他氣體。在一些實施例中，沖洗可涉及排空腔室。圖1之操作105可對應於圖2之沖洗階段240A或沖洗階段240B，其中二矽烷流動係關閉的，沒有引發電漿，且沒有氮被供應至工作站。如氬的載體氣體持續流動，以自工作站沖洗任何多餘的二矽烷。在一些實施例中，沖洗階段240A可包含用以排空製程站的一或更多排空子階段。或者，即將察知在一些實施例中，可省略沖洗階段240A。沖洗階段240A可具有任何適當的持續時間，例如約0秒與約60秒之間、或者約0.01秒。在一些實施例中，增加一或更多清掃氣體的流速可降低沖洗階段240A的持續時間。舉例來說，沖洗氣體流速可根據製程站及/或製程站管路的各種反應物熱力學特性及/或幾何特性而加以調整，以修改沖洗階段240A的持續時間。在一非限制性範例中，清掃階段的持續時間可藉由調控清掃氣體的流速而加以調整。這可減少沉積循環時間，便可改善基板產量。沖洗後，含矽前驅物仍吸附在基板表面上。
在一些實施例中，可選地，可使基板周期性地曝露至含氫電漿，以選擇性地抑制特徵部之頂部附近的沉積。如此曝露可改善沉積膜的保形度。曝 露至含氫電漿可持續約0.05秒與約60秒之間。使用含氫抑制劑來調諧原子層沉積中之保形度的方法係於2014年11月24日申請、名為「SELECTIVE INHIBITION IN ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS」的美國專利申請案第14/552,011號(代理人案號3520-1/LAMRP148)中加以描述，其係整體併入於此，作為參考。
在圖1之操作107中，使基板曝露至氮電漿。據此，在圖2中，分別對沉積循環210A及210B而言，氮流動及電漿在氮電漿曝露階段260A及260B期間都是打開的。在一些實施例中，舉例而言，可在打開電漿之前打開氮流動，以容許氮流動至穩定。注意到，二矽烷流動在電漿曝露階段期間係關閉的，且氬作為載體氣體持續流動。可使基板曝露至氮電漿約0.1秒與約6秒之間的持續時間。在一些實施例中，氮電漿曝露階段260A或260B可具有超過電漿與吸附在基板表面上的所有前驅物進行相互作用之時間的持續時間，在基板表面頂部上形成連續膜。
在各種實施例中，電漿係現場電漿，如此情況為電漿係形成於工作站中基板表面的正上方。可以每基板面積約0.2122W/cm2與約2.122W/cm2之間的功率引發現場電漿。舉例而言，對處理四個300mm晶圓的腔室而言，功率可在自約600W至約6000W的範圍。舉例而言，ALD製程的電漿可藉由使用兩個電容式耦合板施加射頻(RF)場至氣體而產生。氣體在複數板之間藉由RF場的離子化引發電漿，在電漿放電區產生自由電子。該等電子係藉由RF場而加速，且可與氣相反應物分子發生碰撞。該等電子與反應物分子的碰撞可形成參與沉積製程的自由基物種。將察知RF場可經由任何適當的電極而加以耦合。電極的非限制性範例包含製程氣體分佈噴淋頭及基板支撐基座。將察知ALD製程的電漿可藉由 除使RF場電容耦合至氣體以外的一或更多的適當方法而形成。在一些實施例中，電漿係遠端電漿，如此情況為氮係在工作站之上游的遠端電漿產生器中被引發，然後被傳送至容納基板的工作站。
在操作107期間，提供電漿能量，以使氮氣活化為離子及自由基，該離子及自由基與含矽前驅物的吸附層進行反應。舉例而言，電漿可直接地、或間接地使氮氣相分子活化，以形成氮自由基或離子。儘管氮自由基係短壽命的，但其可進入基板中的凹槽或特徵部中，從而與基板之表面上的吸附層進行反應。然而，單一循環中的階梯覆蓋率未必是100%，因為一些氮自由基在進入凹槽或通孔後可能被去活化。然而，使用氮電漿會降低所沉積之保形氮化矽膜中的污染。
在不受特定理論束縛的情況下，較高頻率電漿可產生多於離子的自由基，從而改善氮化矽的沉積，這是由於自由基與含矽前驅物之間較高的反應性。因此，在此操作期間所期望的自由基密度取決於電漿頻率。在各種實施例中，使用具有至少約13.56MHz、或至少約27MHz、或至少約40MHz、或至少約60MHz之頻率的高頻電漿。在一些實施例中，具有較高的離子密度會降低膜的保形度，但保形度可使用此處描述的方法而加以改善。
一旦電漿使氮氣體活化，則氮自由基及離子與吸附在基板之表面上的含矽前驅物進行反應，形成矽-氮鍵、及氮化矽薄膜。如此所導致的膜由於在用來沉積該等膜的化學成分中欠缺碳而係無碳的、且無鹵素的。
返回至圖1，在操作109中，沖洗製程站。如圖2中顯示，操作109可對應於沖洗階段280A或沖洗階段280B，其中二矽烷流動係關閉的，沒有引發電漿，且沒有氮被供應至工作站。沖洗步驟可藉由使載體氣體流動而加以執行，該載體氣體可為以上參考操作105而描述之載體氣體的任何者。在許多實施例 中，操作105及109中所使用之載體氣體係相同的氣體，且在一些實施例中，如圖2中顯示，載體氣體在該等操作期間係持續地流動。
圖1之操作103-109的執行可構成一循環，例如圖2中的沉積循環210A、或沉積循環210B。取決於操作的曝露時間，每一循環可沉積具有介於約0.05Å與約2Å之間之厚度的氮化矽膜。舉例而言，在約250℃利用二矽烷作為前驅物的沉積每循環可沉積約0.5Å。如此，當沉積大於若干奈米厚的膜時，製程可能係耗時的。進一步講，一些反應物可能具有長的曝露時間來沉積保形膜，這亦可能降低晶圓產量。
在操作113中，判定膜是否已沉積至足夠的厚度。若沒有，可重複操作103-109。在一些重複的循環中，對含氫抑制劑的曝露可用在每一循環中，或用在選定數目的循環中，以抑制沉積並且改善所沉積之氮化矽層的保形度。圖1及2中描繪之方法產生無碳的保形氮化矽膜，因為在製程中沒有使用含碳化合物。該等化合物亦是無鹵素的，因為所使用的含矽前驅物不包含鹵素。在不使用氫作為載體氣體的一些實施例中，在氮化矽膜中亦較少有氫之結合。使用所揭露實施沉積的膜由於其的低污染而適用於許多半導體處理應用中，例如記憶體封裝膜的沉積。如此處所描述的氮化矽膜亦可用作抑制稀釋氟化氫(HF)濕式蝕刻率、及補償濕式蝕刻率下降的膜層，該濕式蝕刻率下降係起因於針對於新興記憶體裝置應用之較低溫度下固有的密度損失。
設備
圖3描繪具有製程腔室體302以維持低壓環境之原子層沉積(ALD)製程站300的實施例的示意性說明。複數的ALD製程站300可包含於常見的低壓製程工具環境中。舉例而言，圖4描繪複數站處理工具400的實施例。在一些實施例 中，ALD製程站300的一或更多硬體參數(包含以下詳加討論的參數)可藉由一或更多電腦控制器35而程序式地加以調整。
ALD製程站300與用於傳送製程氣體至分配噴淋頭306的反應物傳送系統301a流體連通。反應物傳送系統301a包含用以對傳送至噴淋頭306的製程氣體進行混合及/或調節的混合容器304。一或更多混合容器入口閥320可控制製程氣體至混合容器304的導入。
作為範例，圖3的實施例包含用於使待供應至混合容器304的液體反應物汽化的汽化位置點303。在一些實施例中，汽化位置點303可為受到加熱的汽化器。由如此汽化器所產生的飽和反應物蒸氣可在下游傳送管路中凝結。不相容氣體曝露至凝結的反應物可能產生小顆粒。該等小顆粒可能會阻塞管路、妨礙閥的操作、污染基板等。解決該等問題的一些方法涉及沖洗及/或排空傳送管路，以移除殘留的反應物。然而，沖洗傳送管路可能增加製程站循環時間，降低製程站產量。因此，在一些實施例中，汽化位置點303下游的傳送管路可為伴熱的(heat traced)。在一些範例中，混合容器304亦可為伴熱的(heat traced)。在一非限制性的範例中，汽化位置點303下游的管路在混合容器304處具有自約100℃延伸至約150℃之增加的溫度曲線。
在一些實施例中，液體前驅物或液體反應物可於液體注入器處進行汽化。舉例而言，液體注入器可將液體反應物的脈衝注入至混合容器之上游的載氣氣流中。在一實施例中，液體注入器可藉由使液體從較高壓力快速至較低壓力而使反應物汽化。在另一範例中，液體注入器可使該液體霧化為分散的微滴，該分散的微滴係隨後於加熱的傳送管路中進行汽化。較小的液滴可比較大的液滴更快汽化，這縮短液體注入與完全汽化之間的延遲。較快的汽化可降低從汽化位 置303下游的管路長度。在一情形中，液體注入器可直接安裝至混合容器304。在另一情形中，液體注入器可直接安裝至噴淋頭306。
在一些實施例中，汽化位置點303之上游的液體流量控制器(LFC,liquid flow controller)係設置用於控制液體進行汽化、及遞送至製程站300的質流。舉例而言，LFC可包含位於LFC下游的熱質流計(MFM,thermal mass flow meter)。然後，因應於由比例-積分-微分(PID,proportional-integral-derivative)控制器(與該MFM呈電性連通)所提供的反饋控制信號，可對LFC的柱塞閥進行調整。然而，使用反饋控制可能花費1秒或更久來使液體流量穩定。這可能延長用於注入液體反應物的時間。因此，在一些實施例中，LFC可於反饋控制模式與直接控制模式之間進行動態地切換。在一些實施例中，這可藉由使LFC的感測管、及PID控制器失效而加以執行。
噴淋頭306朝向基板312分配製程氣體。在圖3顯示的實施例中，基板312係位於噴淋頭306的下方，且顯示置於基座308上。噴淋頭306可具有任何適當的形狀，且可具有任何適當數目及配置的埠口，用以分配製程氣體至基板312。
在一些實施例中，微容積係位於噴淋頭306的下方。在微容積中、而非製程站的整體容積中實施所揭露實施例可減少反應物的曝露及沖洗次數、可減少改變製程條件(例如壓力、溫度等等)的次數、可限制製程站自動機器對製程氣體的曝露等。例示性的微容積尺寸包括但不限於0.1公升與2公升之間的容積。這亦會影響產量。在一些實施例中，所揭露實施例不是在微容積中加以執行。
在一些實施例中，基座308可上升或下降，以使基板1312曝露於微容積、及/或改變微容積的容積。舉例而言，在基板轉移階段，基座308可上升， 以使基板312定位於微容積內。在一些實施例中，微容積可完全地包圍基板312、及基座308的部份，以產生高流量阻抗區域。
可選地，基座308在部分的製程期間可下降及/或上升，以調節微容積內的製程壓力、反應物濃度等。在製程腔室體302在製程期間維持於基本壓力的情形中，使基座308下降可容許微容積得以排空。微容積對製程腔室容積的例示性比率包括但不限於1：500與1：10之間的容積比。將察知在一些實施例中，基座高度可藉由適當的電腦控制器350而程序式地加以調整。
在另一情形中，調整基座308的高度可容許電漿密度在包含於製程中的電漿活化循環期間進行改變。在製程階段結束時，基座308可在另一基板轉移階段期間下降，以容許基板312自基座308的移除。
儘管此處所描述之例示性微容積的變化是指可調節高度的基座308，但將察知在一些實施例中，噴淋頭306的位置可相對於基座308而加以調整，以改變微容積的容積。進一步講，將察知在本揭露內容的範疇內，基座308及/或噴淋頭306的垂直位置可藉由任何適當的機構而加以改變。在一些實施例中，基座308可包含用於旋轉基板312之方位的旋轉軸。將察知在一些實施例中，該等例示性調整的一或更多者可藉由一或更多適當的電腦控制器350而程序式地加以執行。
在使用如以上所描述之電漿的一些實施例中，噴淋頭306及基座308與用來為電漿供電的射頻(RF)電源314及匹配網路316電連通。在一些實施例中，電漿能量可藉由控制一或更多下列者而加以控制：製程站壓力、氣體濃度、RF源功率、RF源頻率、及電漿功率脈衝計時。舉例來說，RF電源314及匹配網路316可運作於任何適當的功率，以形成具有期望組成之自由基物種的電漿。適 當功率的範例係包於以上內容。同樣地，RF電源314可提供任何適當頻率的RF功率。在一些實施例中，RF電源314可配置成彼此獨立地控制高頻及低頻RF電源。例示性低頻RF頻率可包含但不限於0kHz與500kHz之間的頻率。例示性高頻RF頻率可包含但不限於1.8MHz與2.45GHz之間的頻率、或大於約13.56MHz的頻率、或大於27MHz的頻率、或大於40MHz的頻率、或大於60MHz的頻率。將察知，任何適當的參數都可分離地或連續地加以調控，以提供用於表面反應的電漿能量。在一非限制性範例中，相對於連續供電的電漿，可使電漿功率間歇性地脈衝化，以減少離子與基板表面的轟擊。
在一些實施例中，電漿可藉由一或更多電漿監控器而受到即時監控。在一情形中，電漿功率可藉由一或更多電壓、電流感測器(例如，VI探測器)而加以監控。在另一情形中，電漿密度及/或製程氣體濃度可藉由一或更多光學發射光譜感測器(OES，optical emission spectroscopy sensor)而加以量測。在一些實施例中，一或更多電漿參數可基於來自此即時電漿監控器的量測而程序式地加以調整。舉例而言，OES感測器可在用於提供電漿功率之程式控制的反饋迴路中加以使用。將察知在一些實施例中，可使用其它監控器以監控電漿及其它製程特性。如此監控器可包含、但不限於紅外線(IR)監控器、聲學監控器及壓力轉換器。
在一些實施例中，針對控制器350的指令可經由輸入/輸出控制(IOC)序列指令而提供。在一範例中，用以設定製程階段之條件的指令可包含於製程配方之相對應的配方階段中。在一些情形中，可順序地設置製程配方階段，以使針對製程階段的所有指令係與該製程階段同時地加以執行。在一些實施例中，用以設定一或更多反應器參數的指令可包含於配方階段中。舉例而言，第一配方階段可包含：用以設定惰性及/或反應物氣體(例如，如二矽烷的第一前驅物)之流 速的指令、用以設定載體氣體(例如氬)之流速的指令、以及針對第一配方階段的時間延遲指令。後續的第二配方階段可包含：用以調控或停止惰性及/或反應物氣體之流速的指令、以及用以調控載體或沖洗氣體之流速的指令、以及針對第二配方階段的時間延遲指令。第三配方階段可包含：用以設定惰性及/或反應物氣體之流速的指令，該惰性及/或反應物氣體可與第一配方階段中所使用的氣體(例如，如氮的電漿反應物)相同、或不同；用以調控載體氣體之流速的指令；以及針對第三配方階段的時間延遲指令。第四配方階段可包含：用以調控或停止惰性及/或反應物氣體之流速的指令、用以調控載體或沖洗氣體之流速的指令、以及針對第四配方階段的時間延遲指令。將察知，該等配方階段可在本揭內容的範疇內以任何適當方式進一步加以再分割及/或重複。
在一些實施例中，基座308可經由加熱器310而受到溫度控制。進一步講，在一些實施例中，製程站300的壓力控制可藉由蝶形閥318而提供。如圖3之實施例中顯示，蝶形閥318節流下游真空泵(未顯示)所提供的真空。然而在一些實施例中，製程站300的壓力控制亦可藉由改變一或更多氣體導入至製程站300的流速而加以調整。
如以上所描述，一或更多製程站可包含於複數站製程工具中。圖4顯示具有入站裝載室402及出站裝載室404之複數站處理工具400的實施例的示意圖，該入站裝載室402及出站裝載室404其一者或兩者可包含遠端電漿源。在大氣壓力下的自動機器406係配置成將晶圓自卡匣(透過盒408而裝載)經由大氣埠410移動至入站裝載室402中。晶圓係藉由自動機器406而被放置在入站裝載室402中的基座412上，關閉大氣埠410，且抽空裝載室。在入站裝載室402包含遠端電漿源的情況中，晶圓可在被導入處理腔室414之前而在裝載室中被曝 露至遠端電漿處理。進一步講，舉例而言，晶圓亦可在入站裝載室402中進行加熱，以移除濕氣及吸附氣體。接下來，打開往處理腔室414的腔室傳送埠416，並且另一自動機器(未顯示)將晶圓放置在反應器中第一站(顯示在反應器中)的基座上，以供處理。儘管圖4中描繪的實施例包含裝載室，但將察知在一些實施例中，可設置晶圓直接進入製程站。
在圖4中所顯示的實施例中，所描述的處理腔室包含從1計數至4的四個製程站。每一站具有受到加熱的基座(顯示於站1的418)、及氣體線路入口。將察知在一些實施例中，每一製程站可具有不同的、或複數的目的。舉例而言，在一些實施例中，製程站係可在ALD與電漿加強ALD製程模式之間進行切換。額外地或替代地，在一些實施例中，處理腔室414可包含一或更多匹配成對的ALD及電漿加強ALD製程站。儘管所描繪的處理腔室414包含四站，但將理解根據本揭露內容的處理腔室可具有任何適當數目的複數站。舉例而言，在一些實施例中，處理腔室可具有五或更多站，然而在其它實施例中，處理腔室可具有三或更少站。
圖4描繪用以在處理腔室414內轉移晶圓的晶圓處置系統的實施例。在一些實施例中，晶圓處置系統可在各種製程站之間、及/或在製程站與裝載室之間轉移晶圓。將察知任何適當的晶圓處置系統都可加以採用。非限制性範例包含晶圓旋轉架及晶圓處置自動機器。圖4亦描繪用來控制製程工具400之製程條件及硬體狀態的系統控制器450的實施例。系統控制器450可包含一或更多記憶體裝置456、一或更多大容量儲存裝置454、及一或更多處理器452。處理器452可包含CPU或電腦、類比及/或數位輸入/輸出連接、步進馬達控制器板等。
在一些實施例中，系統控制器450控制製程工具400的所有活動。系統控制器450執行儲存於大容量儲存裝置454中、裝載至記憶體裝置456中、以及執行於處理器452上的系統控制軟體458。或者，可將控制邏輯硬編碼於控制器450中。針對該等目的，可使用特定應用積體電路、可編程邏輯裝置(例如，場域可編程閘陣列，或稱為FPGA(field-programmable gate arrays))及類似者。在以下討論中，使用「軟體」或「編碼」的任何情形中，可適當地使用功能上可比較的硬編碼邏輯。系統控制軟體458可包含用以控制以下者的指令：計時、氣體混合物、氣體流速、腔室及/或工作站壓力、腔室及/或工作站溫度、晶圓溫度、目標功率位準、RF功率位準、基板基座、卡盤及/或托座位置，以及藉由製程工具400而執行之特定製程的其他參數。系統控制軟體458可以任何適當的方式而配置。舉例而言，可撰寫各種製程工具元件子程序或控制物件，以控制用於實行各種製程工具製程之製程工具元件的操作。系統控制軟體458可以任何適當的電腦可讀程式語言而編碼。
在一些實施例中，系統控制軟體458可包含用以控制以上描述之各種參數的輸入/輸出控制(IOC,input/output control)序列指令。在一些實施例中，可採用儲存於與系統控制器450相關之大容量儲存裝置454及/或記憶體裝置456上的其他電腦軟體及/或程式。針對此目的之程式或程式之部分的範例包含基板定位程式、製程氣體控制程式、壓力控制程式、加熱器控制程式、以及電漿控制程式。
基板定位程式可包含針對製程工具元件的程式編碼，該製程工具元件係用以將基板裝載至基座418上，且係用以控制基板與製程工具400之其他部件之間的間隔。
製程氣體控制程式可包含用以控制氣體組成(例如，如此處所描述的TMA、胺、及沖洗氣體)及流速的編碼，以及可選地，用以在沉積之前使氣體流動至一或更多製程站以穩定製程站內壓力的編碼，。壓力控制程式可包含用以藉由調節以下者而控制製程站內壓力的編碼：如製程站之排氣系統內的節流閥、進入製程站的氣體流動等。
加熱器控制程式可包含用以控制至加熱單元之電流的編碼，使用該加熱單元加熱基板。或者，加熱器控制程式可控制熱轉移氣體(例如，氦)至基板的傳送。
根據此處實施例，電漿控制程式可包含用以對施加至一或更多製程站中之製程電極的RF功率位準進行設定的編碼。
根據此處實施例，壓力控制程式可包含用以在反應腔室中維持壓力的編碼。
在一些實施例中，可具有與控制器450相關的使用者介面。使用者介面可包含顯示螢幕、設備及/或製程條件的圖形軟體顯示、以及使用者輸入裝置，例如指示裝置、鍵盤、觸摸螢幕、麥克風等。
在一些實施例中，由系統控制器450調整的參數可與製程條件有關。非限制性範例包含製程氣體組成及流速、溫度、壓力、電漿條件(例如，RF偏壓功率位準)等。該等參數可以配方的形式而提供給使用者，該配方可利用使用者介面而進入。
用以監控製程的訊號可藉由系統控制器450之類比及/或數位輸入連接而自各種製程工具感測器得以提供。用以控制製程的訊號可在製程工具400之類比及數位輸出連接上進行輸出。可受監控之製程工具感測器的非限制性範例 包含質流控制器、壓力感測器(例如，壓力計)、熱偶等。適當編程的反饋及控制演算法可與來自該等感測器的資料一起用來維持製程條件。
系統控制器450可提供用以實施上述沉積製程的程式指令。程式指令可控制各種製程參數，例如DC功率位準、RF偏壓功率位準、壓力、溫度等。根據此處所描述的各種實施例，指令可控制參數，以操作膜堆疊的即時沉積。
系統控制器450將典型地包含一或更多記憶體裝置、以及一或更多用以執行指令的處理器，使得設備將執行根據所揭露實施例的方法。可將機器可讀媒體耦接至系統控制器450，該機器可讀媒體包含用以根據所揭露實施例控制製程操作的指令。
在一些實施例中，系統控制器450係系統的一部分，該系統可為以上描述範例的一部分。如此系統可包含半導體處理設備，該半導體處理設備包含(複數)處理工具、(複數)腔室、(複數)處理平台、及/或特定的處理元件(晶圓基座、氣體流動系統等)。該等系統可與電子設備整合，以在半導體晶圓或基板的處理之前、期間、以及之後，控制該等系統的運作。該電子設備可稱為「控制器」，其可控制系統或複數系統的各種元件或子部件。取決於處理條件及/或系統類型，系統控制器450可程式設計成控制此處所揭露製程的任何者，包含處理氣體的傳送、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體傳送設定、位置和操作設定、晶圓轉移(進出與特定系統相連接或相接合之工具及其他轉移工具、及/或裝載室)。
廣泛地講，系統控制器450可定義為具有用以接收指令、發佈指令、控制操作、啟動清洗操作、啟動終點量測以及類似者之各種積體電路、邏輯、 記憶體、及/或軟體的電子設備。積體電路可包含：儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSP，digital signal processors)、定義為特殊用途積體電路(ASIC，application specific integrated circuits)的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令(例如，軟體)的微控制器。程式指令可為以各種單獨設定(或程式檔案)之形式而傳達至系統控制器450或系統的指令，該單獨設定(或程式檔案)為實行特定的製程(在半導體晶圓上，或針對半導體晶圓)定義操作參數。在一些實施例中，操作參數可為由製程工程師為了在一或更多以下者的製造期間實現一或更多處理步驟而定義之配方的一部分：疊層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、以及/或者晶圓的晶粒。
在一些實施例中，系統控制器450可為電腦的一部分，或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、以其他網路的方式接至系統、或其組合的方式而接至系統。舉例而言，系統控制器450可在能容許遠端存取晶圓處理之「雲端」或廠房主機電腦系統的全部、或部分中。電腦可使系統能夠遠端存取，以監控製造操作的目前進度、檢查過去製造操作的歷史、自複數的製造操作檢查其趨勢或效能度量，以改變目前處理的參數、設定目前處理之後的處理步驟、或開始新的製程。在一些範例中，遠端電腦(例如，伺服器)可經由網路而提供製程配方至系統，該網路可包含局域網路或網際網路。遠端電腦可包含使得可以進入參數及/或設定、或對參數及/或設定進行程式設計的使用者介面，然後將該參數及/或設定自遠端電腦傳達至系統。在一些範例中，系統控制器450以資料的形式接收指令，該指令為即將於一或更多操作期間加以執行之處理步驟的每一者指定參數。應理解，參數可特定地針對待執行之製程的類型、以及系統控制器450與之接合或加以控制之工具的類型。因此如上所述，系統控制器450可為分 散式，例如藉由包含以網路的方式接在一起、且朝向共同之目的(例如，此處所描述之製程、及控制)而運作的一或更多的分離的控制器。用於如此目的之分散式控制器的範例將是腔室上與位於遠端的一或更多積體電路(例如，在作業平臺位準處、或作為遠端電腦的一部分)進行通訊的一或更多積體電路，兩者結合以控制腔室上的製程。
例示性系統可包含但不限於包含以下者：電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉沖洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清洗腔室或模組、斜角緣部蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD，physical vapor deposition)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD，chemical vapor deposition)腔室或模組、原子層沉積(ALD，atomic layer deposition)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE，atomic layer etch)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室(track chamber)或模組、以及可在半導體晶圓的製造及/或加工中相關聯的、或加以使用的任何其他半導體處理系統。
如以上所提及，取決於藉由工具即將執行之(複數)製程步驟，系統控制器450可與半導體加工工廠中之一或更多的以下者進行通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、叢集工具(cluster tools)、其他工具介面、鄰近的工具、相鄰的工具、遍及工廠而分布的工具、主電腦、另一控制器、或材料輸送中使用之工具，該材料輸送中使用之工具將晶圓容器帶至工具位置及/或裝載埠，或自工具位置及/或裝載埠帶來晶圓容器。
用以執行此處所揭露之方法的適當設備係於下列者中進一步加以討論及描述：2011年4月11日申請、且名為「PLASMA ACTIVATED CONFORMAL FILM DEPOSITION」的美國專利申請案第13/084,399號(現在的 美國專利第8,728,956號)；以及2011年4月11日申請、且名為「SILICON NITRIDE FILMS AND METHODS」的第13/084,305號，其每一者係整體併入於此。
此處所描述之設備/製程可結合微影圖案化工具或製程而加以使用，例如，用於製造或加工半導體裝置、顯示器、LED、光電板、及類似物。儘管並非必然，但典型地，如此工具/製程將於共同的製造設施中一起使用或進行。膜的微影圖案化典型地包含以下操作的一些或全部者，每一操作係利用數個可能的工具而得以進行：(1)使用旋塗、或噴塗工具而將光阻施加至工件上，例如基板；(2)使用熱板、或爐、或UV固化工具來固化光阻；(3)利用如晶圓步進器的工具將光阻曝露至可見光、或UV、或X射線光；(4)使光阻顯影，以選擇性地移除光阻，並且從而使用如濕檯的工具而使其圖案化；(5)藉由使用乾式、或電漿輔助式蝕刻工具而將光阻圖案轉移至下層膜、或工件中；以及(6)使用如RF或微波電漿光阻剝離器的的工具移除光阻。
實驗
實驗1
進行實驗，以測試使用二矽烷及氨電漿之氮化矽的沉積。實驗係在250℃及2Torr之壓力下進行。每一循環包含：0.25L之二矽烷的注入；沖洗；不同功率下，曝露至1L之具有電漿的氨流2.5秒；及另一沖洗。在一試驗中，執行500個循環，在另一試驗中執行200個循環。針對每一試驗量測不均勻性(NU,non-uniformity)及折射率(RI,refractive index)。結果係顯示於下表1中。
Figure 104138370-A0305-02-0027-2
Figure 104138370-A0305-02-0028-4
增加循環的數目及增加功率(試驗6)就平均厚度而言顯示出少許改變，這顯示初始43Å的膜係起因於矽表面氮化，而不是膜生長。因此，如表1中顯示，在基板的表面上少有乃至沒有氮化矽生長，且沉積係極慢的，而所顯示的厚度則可能係由於矽表面氮化。此實驗顯示僅有二矽烷及氨電漿係不足以沉積氮化矽膜的。
實驗2
進行實驗，以對比使用所揭露實施例與使用習知胺基矽烷(aminosilane)前驅物所沉積的氮化矽膜。首先，使用原子層沉積(ALD)沉積氮化矽膜。使用氬載體氣體將雙(二乙基)胺基矽烷(bis(diethyl)aminosilane)導入至容納基板的工作站或腔室。然後沖洗工作站。以27MHz的頻率、及持續2.5秒的300W功率引發氮電漿。再沖洗工作站。沉積膜係以每循環約0.46Å之SiN進行沉積。
接下來，使用以上圖1中所描述的方法，在另一基板上使用ALD沉積氮化矽膜。使用氬載體氣體將二矽烷導入至容納該第二基板的工作站。然後沖洗工作站。以27MHz的頻率及持續2.5秒的300W功率引發氮電漿。再沖洗工 作站。膜沉積速率係約每循環0.55Å。兩基板都是藉由x射線光電子光譜而評估。使用胺基矽烷沉積的膜具有12%的碳。使用二矽烷沉積的膜具有0%的碳。
使用傅立葉轉換光譜來對比該兩膜的組成。圖5顯示傅立葉轉換紅外光(FTIR，Fourier transform infrared)光譜。曲線503代表使用胺基矽烷前驅物沉積的膜，其顯示在507處的一Si-H尖峰、及在509處的一些碳尖峰。曲線501代表使用二矽烷前驅物沉積的膜，其顯示Si-N鍵的強烈尖峰505。注意到，曲線503具有Si-N之較小尖峰，且曲線501不具對應的Si-H尖峰。該等結果顯示使用二矽烷前驅物導致產生具有較多Si-N鍵及交連的膜，基本上沒有碳污染，且包含少許氫。
以上描述膜的資料係於下表2中以膜1(胺基矽烷前驅物)及膜3(二矽烷前驅物)而加以代表。額外的膜係以變化的頻率及功率進行沉積。尤其，雙(二乙基)胺基矽烷(bis(diethyl)aminosilane)前驅物係用來在13.56MHz之頻率及300W之功率下沉積SiN膜，其結果係於下表2之膜2中加以描述。針對300W及13.56MHz、以及200W及13.56MHz的沉積，使用二矽烷作為前驅物。針對該等膜的每一者評估沉積速率、均勻性、RI、Si-H的尖峰高度(其代表包含的氫)、Si-N的尖峰高度(其代表Si-N鍵的出現)、及階梯覆蓋率。對一些膜而言，一些特性沒有加以量測，且係利用標識「N/D」而代表，表示沒有資料。總的來說，階梯覆蓋率在藉由雙(二乙基)胺基矽烷(28%，33%)與二矽烷(27%)而沉積的膜之間係相似的。使用二矽烷而沉積的膜具有改善的RI及較好的膜品質(較少Si-H、較多Si-N、較均勻)。
表2藉由雙(二乙基)胺基矽烷與二矽烷而沉積的氮化矽膜
Figure 104138370-A0305-02-0030-5
實驗3
進行實驗，以對比藉由氨電漿及氮電漿所沉積的膜。使用三甲矽烷基胺(trisilylamine)作為矽前驅物，以及13.56MHz之RF頻率的氨電漿在400℃沉積第一膜。根據以上圖1所描述的方法，使用三甲矽烷基胺(trisilylamine)作為矽前驅物，以及13.56MHz之RF頻率的氮電漿在400℃沉積第二膜。使用三甲矽烷基胺(trisilylamine)作為矽前驅物，以及13.56MHz之RF頻率的氨電漿在250℃沉積第三膜。根據以上圖1所描述的方法，使用三甲矽烷基胺(trisilylamine)作為矽前驅物，以及13.56MHz之RF頻率的氮電漿在250℃沉 積第四膜。對所有膜評估沉積速率及RI值，且亦量測兩氮電漿膜的階梯覆蓋率。結果係在表3中加以總結。
如顯示，較高的溫度導致較高的階梯覆蓋率，如膜7具有60%的階梯覆蓋率，而在250℃沉積的膜9具有30%的階梯覆蓋率。而且，電漿中氫的出現會抑制沉積。在400℃，膜6比使用氮電漿而沉積的膜7具有較低的沉積速率。對膜8及9而言，顯示出相同的情況，且使用氮電漿的膜9具有較高的沉積速率。該等結果顯示，與氨電漿相反，使用氮電漿增加氮化矽膜的沉積。
Figure 104138370-A0305-02-0031-6
結論
儘管上述實施例已針對清楚理解之目的而作詳細地描述，但將顯而易見的是，在所附申請專利範圍的範疇中，可實行某些變更及修改。應注意， 實施本實施例之製程、系統、及設備的方法有許多。因此，本實施例應視為舉例性而非限制性，且實施例不應受限於此處所給出的細節。
200‧‧‧製程
210A‧‧‧沉積循環
210B‧‧‧沉積循環
220A‧‧‧二矽烷曝露階段
220B‧‧‧二矽烷曝露階段
240A‧‧‧沖洗階段
240B‧‧‧沖洗階段
260A‧‧‧氮電漿曝露階段
260B‧‧‧氮電漿曝露階段
280A‧‧‧沖洗階段
280B‧‧‧沖洗階段

Claims (20)

  1. 一種在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，該方法包含：(a)在容許一含矽前驅物在該基板的表面上形成一吸附層的條件下，使該基板曝露至該含矽前驅物，以及(b)使該吸附層曝露至一氮(N2)電漿，從而形成一氮化矽膜，其中該含矽前驅物係無N-H鍵、無鹵素、且無碳的，以及其中該氮化矽膜具有一組成，俾使該氮化矽膜之一FTIR光譜不顯示一Si-H尖峰。
  2. 如申請專利範圍第1項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中製程溫度係低於約250℃。
  3. 如申請專利範圍第1項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中該含矽前驅物係選自下列者組成的群組：矽烷、二矽烷、三矽烷、四矽烷、及三甲矽烷基胺(trisilylamine)。
  4. 如申請專利範圍第1項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，更包含：(c)重複(a)-(b)，及(d)周期性地使該基板曝露至一含氫電漿。
  5. 如申請專利範圍第4項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中使該基板曝露至該含氫電漿包含使該基板曝露至一含氫氣體、及引發一電漿，其中該含氫氣體係選自下列者組成的群組：氨、氫、及其組合。
  6. 如申請專利範圍第1-5項其中任一項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中使一載體氣體在(a)至(b)的整個過程中流動。
  7. 如申請專利範圍第6項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中該載體氣體係無氫的。
  8. 如申請專利範圍第1-3項其中任一項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中該電漿的頻率係至少約13.56MHz。
  9. 如申請專利範圍第8項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中該電漿的頻率係約27MHz。
  10. 如申請專利範圍第1-5項其中任一項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中該含矽前驅物係吸附在少於約60%的該基板的表面上。
  11. 如申請專利範圍第1-5項其中任一項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中在(a)中該基板的表面上的該吸附層係小於約0.5Å的厚度。
  12. 如申請專利範圍第1、2、4或5項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中該含矽前驅物具有介於約12：4與約12：5之間的氫對矽化學計量比率。
  13. 如申請專利範圍第4項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中使該基板曝露至該含氫電漿約0.05秒與約60秒之間的時間。
  14. 一種在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，該方法包含：(a)在容許一含矽前驅物在該基板的表面上形成一吸附層的條件下，使該基板曝露至該含矽前驅物，以及(b)使該吸附層曝露至一氮(N2)電漿，從而形成一氮化矽膜，其中該含矽前驅物包含至少約75%的非極性共價鍵，其中該含矽前驅物係無鹵素、且無碳的，以及 其中該氮化矽膜具有一組成，俾使該氮化矽膜之一FTIR光譜不顯示一Si-H尖峰。
  15. 如申請專利範圍第14項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中該含矽前驅物係三甲矽烷基胺(trisilylamine)。
  16. 如申請專利範圍第14項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，更包含：(c)重複(a)-(b)，及(d)周期性地使該基板曝露至一含氫電漿。
  17. 如申請專利範圍第16項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中使該基板曝露至該含氫電漿約0.05秒與約60秒之間的時間。
  18. 如申請專利範圍第16項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，使該基板曝露至該含氫電漿包含使該基板曝露至一含氫氣體、及引發一電漿，其中該含氫氣體係選自下列者組成的群組：氨、氫、及其組合。
  19. 如申請專利範圍第14項之在腔室中之基板上沉積氮化矽膜的方法，其中在(a)中該基板的表面上的該吸附層係小於約0.5Å的厚度。
  20. 一種在腔室中之基板表面上沉積氮化矽膜的方法，該方法包含：(a)在容許一含矽前驅物在該基板表面上形成一吸附層的條件下，使該基板表面曝露至該含矽前驅物；(b)使該吸附層曝露至一氮(N2)電漿，從而形成一氮化矽膜，其中該含矽前驅物係無N-H鍵、且無鹵素的；(c)重複(a)-(b)；及(d)周期性地使該基板表面曝露至一含氫電漿， 其中該氮化矽膜具有一組成，俾使該氮化矽膜之一FTIR光譜不顯示一Si-H尖峰。
TW104138370A 2014-11-24 2015-11-20 無氨無氯保形氮化矽膜的沉積方法 TWI695082B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/552,245 US9589790B2 (en) 2014-11-24 2014-11-24 Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film
US14/552,245 2014-11-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201632650A TW201632650A (zh) 2016-09-16
TWI695082B true TWI695082B (zh) 2020-06-01

Family

ID=56010921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104138370A TWI695082B (zh) 2014-11-24 2015-11-20 無氨無氯保形氮化矽膜的沉積方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9589790B2 (zh)
KR (1) KR102446502B1 (zh)
TW (1) TWI695082B (zh)

Families Citing this family (316)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9601693B1 (en) 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
JP6661487B2 (ja) * 2016-07-13 2020-03-11 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9929006B2 (en) * 2016-07-20 2018-03-27 Micron Technology, Inc. Silicon chalcogenate precursors, methods of forming the silicon chalcogenate precursors, and related methods of forming silicon nitride and semiconductor structures
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10074543B2 (en) 2016-08-31 2018-09-11 Lam Research Corporation High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US9865455B1 (en) 2016-09-07 2018-01-09 Lam Research Corporation Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process
US9824884B1 (en) 2016-10-06 2017-11-21 Lam Research Corporation Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) * 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10832908B2 (en) 2016-11-11 2020-11-10 Lam Research Corporation Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
US10134579B2 (en) 2016-11-14 2018-11-20 Lam Research Corporation Method for high modulus ALD SiO2 spacer
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102551237B1 (ko) * 2016-12-22 2023-07-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기저 구조 재료에 대한 직접적인 rf 노출 없이 등각성의 밀폐 유전체 캡슐화를 위한 sibn 필름
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US11017997B2 (en) * 2017-01-13 2021-05-25 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for low temperature silicon nitride films
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US9911595B1 (en) * 2017-03-17 2018-03-06 Lam Research Corporation Selective growth of silicon nitride
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US10515796B2 (en) * 2017-11-21 2019-12-24 Applied Materials, Inc. Dry etch rate reduction of silicon nitride films
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR20200118504A (ko) 2018-03-02 2020-10-15 램 리써치 코포레이션 가수분해를 사용한 선택적인 증착
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
TWI740046B (zh) * 2018-05-28 2021-09-21 國立清華大學 原子層沉積方法及鈷金屬膜
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11239420B2 (en) 2018-08-24 2022-02-01 Lam Research Corporation Conformal damage-free encapsulation of chalcogenide materials
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
WO2020081397A1 (en) * 2018-10-19 2020-04-23 Lam Research Corporation Method of depositing silicon nitride films
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN114127890A (zh) 2019-05-01 2022-03-01 朗姆研究公司 调整的原子层沉积
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR102677046B1 (ko) 2019-08-06 2024-06-20 삼성전자주식회사 자기 저항 메모리 소자의 제조 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11705312B2 (en) 2020-12-26 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Vertically adjustable plasma source
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN118402039A (zh) * 2021-12-14 2024-07-26 朗姆研究公司 硅氮化物的保形沉积

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103225071A (zh) * 2012-01-20 2013-07-31 诺发系统公司 用于沉积无氯保形SiN 膜的方法
CN104046955A (zh) * 2013-03-14 2014-09-17 Asmip控股有限公司 用于在低温下沉积SiN的Si前体

Family Cites Families (128)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4158717A (en) 1977-02-14 1979-06-19 Varian Associates, Inc. Silicon nitride film and method of deposition
US4500563A (en) 1982-12-15 1985-02-19 Pacific Western Systems, Inc. Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing
US4575921A (en) 1983-11-04 1986-03-18 General Motors Corporation Silicon nitride formation and use in self-aligned semiconductor device manufacturing method
CA1327338C (en) 1987-02-02 1994-03-01 Chorng-Ping Chang Process for producing devices containing silicon nitride films
EP0313683A1 (en) 1987-10-30 1989-05-03 International Business Machines Corporation Method for fabricating a semiconductor integrated circuit structure having a submicrometer length device element
US5091332A (en) 1990-11-19 1992-02-25 Intel Corporation Semiconductor field oxidation process
US5230929A (en) * 1992-07-20 1993-07-27 Dow Corning Corporation Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes
US5496608A (en) 1993-09-22 1996-03-05 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Optical recording medium
US6342277B1 (en) 1996-08-16 2002-01-29 Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. Sequential chemical vapor deposition
US5670432A (en) 1996-08-01 1997-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal treatment to form a void free aluminum metal layer for a semiconductor device
US5731235A (en) 1996-10-30 1998-03-24 Micron Technology, Inc. Methods of forming a silicon nitrite film, a capacitor dielectric layer and a capacitor
US6153519A (en) 1997-03-31 2000-11-28 Motorola, Inc. Method of forming a barrier layer
US5856003A (en) 1997-11-17 1999-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming pseudo buried layer for sub-micron bipolar or BiCMOS device
US6380056B1 (en) 1998-10-23 2002-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Lightly nitridation surface for preparing thin-gate oxides
US6197701B1 (en) 1998-10-23 2001-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Lightly nitridation surface for preparing thin-gate oxides
US6228779B1 (en) 1998-11-06 2001-05-08 Novellus Systems, Inc. Ultra thin oxynitride and nitride/oxide stacked gate dielectrics fabricated by high pressure technology
KR100273473B1 (ko) 1999-04-06 2000-11-15 이경수 박막 형성 방법
KR100338125B1 (ko) 1999-12-31 2002-05-24 구본준, 론 위라하디락사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
DE60125338T2 (de) 2000-03-07 2007-07-05 Asm International N.V. Gradierte dünne schichten
US6548368B1 (en) 2000-08-23 2003-04-15 Applied Materials, Inc. Method of forming a MIS capacitor
US6428859B1 (en) 2000-12-06 2002-08-06 Angstron Systems, Inc. Sequential method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6416822B1 (en) 2000-12-06 2002-07-09 Angstrom Systems, Inc. Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6632478B2 (en) 2001-02-22 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Process for forming a low dielectric constant carbon-containing film
JP3696119B2 (ja) 2001-04-26 2005-09-14 株式会社日立製作所 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
US6709928B1 (en) 2001-07-31 2004-03-23 Cypress Semiconductor Corporation Semiconductor device having silicon-rich layer and method of manufacturing such a device
JP4116283B2 (ja) 2001-11-30 2008-07-09 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ヘキサキス（モノヒドロカルビルアミノ）ジシランおよびその製造方法
US6638879B2 (en) 2001-12-06 2003-10-28 Macronix International Co., Ltd. Method for forming nitride spacer by using atomic layer deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6518167B1 (en) 2002-04-16 2003-02-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming a metal or metal nitride interface layer between silicon nitride and copper
US7041335B2 (en) 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
KR100469126B1 (ko) 2002-06-05 2005-01-29 삼성전자주식회사 수소 함유량이 적은 박막 형성방법
WO2004009861A2 (en) 2002-07-19 2004-01-29 Asm America, Inc. Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers
US7294582B2 (en) * 2002-07-19 2007-11-13 Asm International, N.V. Low temperature silicon compound deposition
US6794284B2 (en) 2002-08-28 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using disilazanes
US6967159B2 (en) 2002-08-28 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using organic amines
JP4358492B2 (ja) * 2002-09-25 2009-11-04 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法
KR100496265B1 (ko) 2002-11-29 2005-06-17 한국전자통신연구원 반도체 소자의 박막 형성방법
US7172792B2 (en) 2002-12-20 2007-02-06 Applied Materials, Inc. Method for forming a high quality low temperature silicon nitride film
CN100567564C (zh) 2002-12-20 2009-12-09 应用材料有限公司 形成高质量的低温氮化硅层的方法和设备
US7713592B2 (en) 2003-02-04 2010-05-11 Tegal Corporation Nanolayer deposition process
JP4329403B2 (ja) 2003-05-19 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7125582B2 (en) 2003-07-30 2006-10-24 Intel Corporation Low-temperature silicon nitride deposition
US6943097B2 (en) 2003-08-19 2005-09-13 International Business Machines Corporation Atomic layer deposition of metallic contacts, gates and diffusion barriers
US20050227017A1 (en) 2003-10-31 2005-10-13 Yoshihide Senzaki Low temperature deposition of silicon nitride
US20050109276A1 (en) 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
US7291271B2 (en) 2003-12-09 2007-11-06 Separation Design Group, Llc Meso-frequency traveling wave electro-kinetic continuous adsorption system
KR100560654B1 (ko) 2004-01-08 2006-03-16 삼성전자주식회사 질화실리콘막을 형성을 위한 질소화합물 및 이를 이용한질화실리콘 막의 형성방법
JP4279176B2 (ja) 2004-03-02 2009-06-17 株式会社アルバック シリコン窒化膜の形成方法
US7585396B2 (en) 2004-06-25 2009-09-08 Guardian Industries Corp. Coated article with ion treated overcoat layer and corresponding method
US7550067B2 (en) 2004-06-25 2009-06-23 Guardian Industries Corp. Coated article with ion treated underlayer and corresponding method
JP4396547B2 (ja) 2004-06-28 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4595702B2 (ja) 2004-07-15 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4179311B2 (ja) 2004-07-28 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US7271464B2 (en) 2004-08-24 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Liner for shallow trench isolation
US7629270B2 (en) 2004-08-27 2009-12-08 Asm America, Inc. Remote plasma activated nitridation
JP4517791B2 (ja) * 2004-09-10 2010-08-04 凸版印刷株式会社 窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法
US20060084283A1 (en) 2004-10-20 2006-04-20 Paranjpe Ajit P Low temperature sin deposition methods
JP4701691B2 (ja) 2004-11-29 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US20060162661A1 (en) 2005-01-22 2006-07-27 Applied Materials, Inc. Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition
KR100622609B1 (ko) 2005-02-16 2006-09-19 주식회사 하이닉스반도체 박막 형성 방법
US7629267B2 (en) 2005-03-07 2009-12-08 Asm International N.V. High stress nitride film and method for formation thereof
JP4258518B2 (ja) 2005-03-09 2009-04-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4506677B2 (ja) 2005-03-11 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2006261434A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude シリコン酸化膜の形成方法
US7651955B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
JP4305427B2 (ja) 2005-08-02 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US7465669B2 (en) 2005-11-12 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a silicon nitride stack
JP4434149B2 (ja) 2006-01-16 2010-03-17 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4929811B2 (ja) 2006-04-05 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
FR2900276B1 (fr) 2006-04-25 2008-09-12 St Microelectronics Sa Depot peald d'un materiau a base de silicium
JP4929932B2 (ja) 2006-09-01 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
KR101057877B1 (ko) 2006-09-19 2011-08-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 세정 방법 및 플라즈마 ｃｖｄ 방법
US7939455B2 (en) 2006-09-29 2011-05-10 Tokyo Electron Limited Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films
US20080139003A1 (en) 2006-10-26 2008-06-12 Shahid Pirzada Barrier coating deposition for thin film devices using plasma enhanced chemical vapor deposition process
US20080119057A1 (en) 2006-11-20 2008-05-22 Applied Materials,Inc. Method of clustering sequential processing for a gate stack structure
US20080124946A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 Air Products And Chemicals, Inc. Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films
US20080213479A1 (en) 2007-02-16 2008-09-04 Tokyo Electron Limited SiCN film formation method and apparatus
US20080207007A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films
JP5151260B2 (ja) 2007-06-11 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
KR100956210B1 (ko) 2007-06-19 2010-05-04 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 금속 실리콘 질화물 박막의 플라즈마 강화 사이클릭증착방법
JP5098882B2 (ja) 2007-08-31 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2009039251A1 (en) 2007-09-18 2009-03-26 L'air Liquide - Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method of forming silicon-containing films
US7651959B2 (en) 2007-12-03 2010-01-26 Asm Japan K.K. Method for forming silazane-based dielectric film
US20090155606A1 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Asm Genitech Korea Ltd. Methods of depositing a silicon nitride film
JP4935684B2 (ja) 2008-01-12 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP4935687B2 (ja) 2008-01-19 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP5297048B2 (ja) 2008-01-28 2013-09-25 三菱重工業株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2009260151A (ja) 2008-04-18 2009-11-05 Tokyo Electron Ltd 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体
US8383525B2 (en) 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
US7622369B1 (en) 2008-05-30 2009-11-24 Asm Japan K.K. Device isolation technology on semiconductor substrate
US8298628B2 (en) * 2008-06-02 2012-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature deposition of silicon-containing films
JP5190307B2 (ja) 2008-06-29 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP5233562B2 (ja) 2008-10-04 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US20100136313A1 (en) 2008-12-01 2010-06-03 Asm Japan K.K. Process for forming high resistivity thin metallic film
US7833906B2 (en) 2008-12-11 2010-11-16 Asm International N.V. Titanium silicon nitride deposition
US7972980B2 (en) 2009-01-21 2011-07-05 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
US7919416B2 (en) 2009-01-21 2011-04-05 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
WO2010151856A2 (en) 2009-06-26 2010-12-29 Cornell University Chemical vapor deposition process for aluminum silicon nitride
KR20110002208A (ko) 2009-07-01 2011-01-07 삼성전자주식회사 반도체 소자의 형성방법
JP2011023718A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Asm Japan Kk ＰＥＡＬＤによってＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法
US7989365B2 (en) 2009-08-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Remote plasma source seasoning
US8173554B2 (en) 2009-10-14 2012-05-08 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film having Si-N bonds by modified peald method
US20110151142A1 (en) 2009-12-22 2011-06-23 Applied Materials, Inc. Pecvd multi-step processing with continuous plasma
JP5742185B2 (ja) 2010-03-19 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、回転数の最適化方法及び記憶媒体
US8993460B2 (en) 2013-01-10 2015-03-31 Novellus Systems, Inc. Apparatuses and methods for depositing SiC/SiCN films via cross-metathesis reactions with organometallic co-reactants
US20110256734A1 (en) 2010-04-15 2011-10-20 Hausmann Dennis M Silicon nitride films and methods
US8669185B2 (en) 2010-07-30 2014-03-11 Asm Japan K.K. Method of tailoring conformality of Si-containing film
KR101147728B1 (ko) 2010-08-02 2012-05-25 주식회사 유진테크 사이클릭 박막 증착 방법
US8394466B2 (en) 2010-09-03 2013-03-12 Asm Japan K.K. Method of forming conformal film having si-N bonds on high-aspect ratio pattern
US9040127B2 (en) 2010-09-24 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Low temperature silicon carbide deposition process
US20120213940A1 (en) 2010-10-04 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of silicon nitride using dual-source precursor and interleaved plasma
WO2012057889A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition film with tunable refractive index and absorption coefficient and methods of making
US8679914B2 (en) 2010-11-02 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Method of forming a chalcogenide material and methods of forming a resistive random access memory device including a chalcogenide material
JP5689398B2 (ja) 2010-12-21 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 窒化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
US8901016B2 (en) 2010-12-28 2014-12-02 Asm Japan K.K. Method of forming metal oxide hardmask
TW201319299A (zh) 2011-09-13 2013-05-16 Applied Materials Inc 用於低溫電漿輔助沉積的活化矽前驅物
JPWO2013137115A1 (ja) 2012-03-15 2015-08-03 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP6125247B2 (ja) 2012-03-21 2017-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
US8962078B2 (en) 2012-06-22 2015-02-24 Tokyo Electron Limited Method for depositing dielectric films
US9023737B2 (en) 2012-07-11 2015-05-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal, homogeneous dielectric film by cyclic deposition and heat treatment
US9446965B2 (en) 2013-02-19 2016-09-20 Nanotech Industrial Solutions, Inc. Applications for inorganic fullerene-like particles
US9564309B2 (en) 2013-03-14 2017-02-07 Asm Ip Holding B.V. Si precursors for deposition of SiN at low temperatures
US9012336B2 (en) 2013-04-08 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Method for conformal treatment of dielectric films using inductively coupled plasma
US9806129B2 (en) 2014-02-25 2017-10-31 Micron Technology, Inc. Cross-point memory and methods for fabrication of same
US9214333B1 (en) 2014-09-24 2015-12-15 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for uniform reduction of the in-feature wet etch rate of a silicon nitride film formed by ALD
US9355837B2 (en) 2014-09-25 2016-05-31 Micron Technology, Inc. Methods of forming and using materials containing silicon and nitrogen
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103225071A (zh) * 2012-01-20 2013-07-31 诺发系统公司 用于沉积无氯保形SiN 膜的方法
CN104046955A (zh) * 2013-03-14 2014-09-17 Asmip控股有限公司 用于在低温下沉积SiN的Si前体

Also Published As

Publication number Publication date
KR102446502B1 (ko) 2022-09-22
TW201632650A (zh) 2016-09-16
KR20160061890A (ko) 2016-06-01
US9589790B2 (en) 2017-03-07
US20160148806A1 (en) 2016-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI695082B (zh) 無氨無氯保形氮化矽膜的沉積方法
US10903071B2 (en) Selective deposition of silicon oxide
US10679848B2 (en) Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US11479856B2 (en) Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
US10804099B2 (en) Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
TWI776792B (zh) 硫族材料之封裝方法以及記憶體裝置
CN108630524B (zh) 氮化硅的选择性生长
CN110402477B (zh) 在氧化硅存在下硅表面上氧化硅或氮化硅的选择性生长
US10454029B2 (en) Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
KR20180103018A (ko) 촉매 제어를 사용한 실리콘 옥사이드 상의 실리콘 나이트라이드의 선택적 증착
US20220238325A1 (en) In-situ control of film properties during atomic layer deposition
US11823909B2 (en) Selective processing with etch residue-based inhibitors
TW201717252A (zh) 使半導體裝置中的膜密集化之方法
JP2023501371A (ja) 高周波電力増加によるプラズマ強化原子層堆積