TWI491018B - 半導體封裝件及其製造方法 - Google Patents

半導體封裝件及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI491018B
TWI491018B TW102126548A TW102126548A TWI491018B TW I491018 B TWI491018 B TW I491018B TW 102126548 A TW102126548 A TW 102126548A TW 102126548 A TW102126548 A TW 102126548A TW I491018 B TWI491018 B TW I491018B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
package
layer
wafer
semiconductor package
Prior art date
Application number
TW102126548A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201407745A (zh
Inventor
I Chia Lin
Sheng Jian Jou
Han Chee Yen
Original Assignee
Advanced Semiconductor Eng
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Semiconductor Eng filed Critical Advanced Semiconductor Eng
Publication of TW201407745A publication Critical patent/TW201407745A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI491018B publication Critical patent/TWI491018B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/0087—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing antenna arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/064—Two dimensional planar arrays using horn or slot aerials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/065—Patch antenna array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)

Description

半導體封裝件及其製造方法
本發明是有關於一種半導體封裝件及其製造方法，且特別是有關於一種具有天線之半導體封裝件及其製造方法。
無線通訊裝置例如是手機(cell phone)，需要天線以傳送及接收訊號。傳統上，無線通訊裝置包括天線及通訊模組(例如是具有無線射頻(RF)通訊能力之一半導體封裝件)，其各設於電路板的不同部位。在傳統方式中，天線及通訊模組係分別製造且設置在電路板後進行電性連接，因此導致高製造成本且難以完成輕薄短小的設計。此外，天線與通訊模組之間的RF訊號傳輸路徑較長，天線與通訊模組之間的訊號傳輸品質因而降低。
根據本發明之一實施例，提出一種半導體封裝件。半導體封裝件包括一第一基板、一中介層、一第一晶片、一第二基板、一第二晶片、一第三晶片、一感應器、一封裝體及一金屬層。第一基板包含一接地層。中介層設於第一基板的一上表面且 具有至少一開口。第一晶片設於至少一開口並耦接於第一基板。第二基板耦接於中介層，且設於第一基板上方且具有一面積，第二基板之面積小於第一基板之一面積。第二晶片設於第二基板之一下表面。第三晶片內埋於第二基板。感應器設於第二基板的一上表面，其中感應器電性連接於第二基板及第三晶片。封裝體包覆第一基板之數個部分、中介層、第二基板、第一晶片與第二晶片，封裝體具有一側面及一上表面。金屬層設於封裝體的側面與上表面，其中金屬層電性連接第一基板且具有數個孔覆蓋在感應器上。
根據本發明之另一實施例，提出一種半導體封裝件。半導體封裝件包括一第一基板、一中介層、一第一晶片、一第二基板、一第二晶片、一感應器、一封裝體及一金屬層。第一基板包含一接地層。中介層設於第一基板的一上表面。第一晶片設於由中介層所定義之一空間且耦接於第一基板。第二基板設於第一基板上方且耦接於中介層。第二晶片設於第二基板之一下表面。感應器設於第二基板的一上表面且耦接於第二晶片。封裝體包覆第一基板之數個部分、中介層、第二基板、第一晶片與第二晶片，封裝體具有一側面及一上表面。金屬層設於封裝體的側面與上表面，其中金屬層電性連接第一基板且具有數個孔覆蓋在感應器上。
根據本發明之另一實施例，提出一種半導體封裝件之製造方法。製造方法包括以下步驟。提供一第一基板，第一基 板包含一接地件；提供一第二基板，第二基板包含設於其上之一半導體晶片；設置一中介層基板於第一基板與第二基板之間，其中中介層基板電性連接於第一基板及第二基板；形成一封裝體包覆第二基板之數個部分、半導體晶片與中介層基板；形成一第一切割道經過封裝體，使封裝體形成一側面；形成一第一天線層於側面及封裝體之一上表面，其中第一天線層電性連接於第一基板之接地件；以及，形成一第二切割道經過第一基板。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100、200、300、400、500、600、700‧‧‧半導體封裝件
110‧‧‧第一基板
110b‧‧‧下表面
110u、150u、160u、385u‧‧‧上表面
110s、111s、130s、150s、160s、270s、385s‧‧‧側面
111‧‧‧接地件
112‧‧‧半導體晶片
113、142‧‧‧焊球
120‧‧‧中介層基板
122‧‧‧導電元件
123‧‧‧黏結物
130、390‧‧‧第二基板
131‧‧‧微帶線
132‧‧‧相位位移器
133‧‧‧圖案化導電層
134‧‧‧饋入網
135‧‧‧導電孔
136‧‧‧屏蔽層
140‧‧‧半導體晶片
141‧‧‧接合線
143‧‧‧被動元件
150‧‧‧封裝體
150s1‧‧‧第一側面
150s2‧‧‧第二側面
160、560、760‧‧‧第一天線層
160’‧‧‧天線材料
160a、760a‧‧‧開槽
161‧‧‧接地層
162‧‧‧幅射層
185‧‧‧載板
270‧‧‧導電架
271‧‧‧焊料
280‧‧‧接點
385、730‧‧‧介電層
390‧‧‧第二天線層
391‧‧‧子天線
720‧‧‧封模穿孔
T1‧‧‧切割道
T2‧‧‧第一切割道
T3‧‧‧第二切割道
第1A圖繪示依照本發明一實施例之半導體封裝件的剖視圖。
第1B圖繪示第1A圖之俯視圖。
第2圖繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件200的剖視圖。
第3A圖繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件300的剖視圖。
第3B圖繪示第3A圖之俯視圖。
第4圖繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件400的剖視圖。
第5圖繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件500的剖視圖。
第6圖繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件600的剖視圖。
第7圖繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件700的剖視圖。
第8A至8H圖繪示第1A圖半導體封裝件之製造過程圖。
第9A至9I圖繪示第2圖半導體封裝件之製造過程圖。
第10A至10C圖繪示第3A圖半導體封裝件之製造過程圖。
第11A至11F圖繪示第4圖半導體封裝件之製造過程圖。
第12A至12B圖繪示第5圖半導體封裝件之製造過程圖。
第13A至13D圖繪示第6圖半導體封裝件之製造過程圖。
請參照第1A圖，其繪示依照本發明一實施例之半導體封裝件100的剖視圖。半導體封裝件100包括一第一基板110、一中介層基板120、一第二基板130、數個半導體晶片140、一封裝體150及一第一天線層160。
第一基板110具有相對之一上表面110u與一下表面110b，且包括一接地件111。第一基板110例如是一多層有機基板或一陶瓷基板。此外，至少一半導體晶片112及至少一被動元件143更設於第一基板110的上表面110u且電性連接於第一基板110。例如，設於第一基板110的半導體晶片112可以是一基頻晶片(baseband chip)。
本例中，接地件111係一導電柱(conductive pillar)，其從第一基板110的上表面110u延伸至第一基板110的下表面110b(即，接地件111貫穿第一基板110)。此外，接地件111可不貫穿第一基板110。接地件111可由導電材料製成，例如是銅。
中介層基板120設於第一基板110與第二基板130之間，讓半導體晶片140及被動元件143容置於第一基板110與第二基板130之間的空間。此外，中介層基板120可採用支撐第二基板130的一邊緣部及一中間部的方式配置，以降低第二基板130的任何翹曲。
中介層基板120包括數個導電元件122，其電性連接於第一基板110及第二基板130，使一訊號可透過中介層基板120傳輸於第一基板110與第二基板130之間。此外，一黏結物123可形成於第二基板130與中介層基板120之間的轉角，以免當第二基板130倒置時中介層基板120掉落。
第二基板130例如是多層有機基板或一陶瓷基板。第二基板130包括一微帶線131、一內埋之相位位移器132、一圖案化導電層133、一饋入網134及數個導電孔135。微帶線131設於第二基板130的表面且因封裝體150而與第一天線層160隔離。結果，一電流透過電磁感應產生於第一天線層160或微帶線131。
內埋相位位移器132內埋於第二基板130且透過導電孔135及圖案化導電層133電性連接於微帶線131與饋入網134。此外，相位位移器132透過導電孔135及圖案化導電層133電性連接饋入網134。相位位移器132，例如是二極體，可調整由第一天線層160發射或接收之一無線射頻(radio frequency)訊號的一相位。另一例中，內埋相位位移器132可以是一功率放大器，以調變無線射頻訊號的振幅。饋入網134可傳輸訊號從半導體晶片140至第一天線層160。
半導體晶片140設於第二基板130上且位於第一基板110與第二基板130之間。例如，設於第二基板130上之半導體晶片140可以是一高頻晶片。當數個半導體晶片140之一透過數個接合線(bond wire)141電性連接於第二基板130，此些半導體晶片140的一主動面面向第一基板110。當數個半導體晶片140之一透過一焊球(solder ball)142電性連接 於第二基板130，此些半導體晶片140的一主動面面向第二基板130。
本例中，封裝體150包覆第二基板130、半導體晶片140及中介層基板120，且具有一側面150s及一上表面150u。當封裝體150的側面150s及接地件111的側面111s於同一製程形成，封裝體150之側面150s實質上與接地件111之一側面111s齊平或共面。
封裝體150由包含一介電材料的材料製成，使一電場可產生於第一天線層160與微帶線131之間。一例中，封裝體150可包括酚醛基樹脂(Novolac-based resin)、環氧基樹脂(epoxy-based resin)、矽基樹脂(silicone-based resin)或其他適當之包覆劑。封裝體150亦可包括適當之填充劑，例如是粉狀之二氧化矽。可利用數種封裝技術形成封裝體150，例如是壓縮成型(compression molding)、液態封裝型(liquid encapsulation)、注射成型(injection molding)或轉注成型(transfer molding)。
第一天線層160形成於封裝體150的側面150s及上表面150u，且延伸至接地件111的側面111s而電性連接於接地件111。第一天線層160可減少來自於半導體封裝件100的電磁干擾(electromagnetic interference,EMI)且避免外源(external sources)的無線射頻干擾半導體封裝件100的操作。
第一天線層160可包括鋁、銅、鉻、錫、金、銀、鎳、不銹鋼或上述材料之組合所製成。第一天線層160可以是單層或多層材料。一例中，第一天線層160係三層結構，其內層係不銹鋼層、中間層係銅層，而外層係不銹鋼層。另一例中，第一天線層160係雙層結構，其內層係銅層，而其外層係不銹鋼層。
第一天線層160包括一接地層161及連接於接地層161之一幅射層162。接地層161形成於封裝體150的側面150s及接地件111的側面111s。輻射層162形成於封裝體150的上表面150u且具有數個開槽160a露出封裝體150之一部分。當第一天線層160受到一驅動頻率的驅動，開槽160a輻射產生電磁波。因此，開槽160a的外形、尺寸以及驅動頻率決定無線分佈型態(radiation distribution pattern)。
如第1A圖所示，無線射頻訊號可透過一傳輸路徑傳輸至半導體晶片140，傳輸路徑包含開槽160a、微帶線131、導電孔135、圖案化導電層133、相位位移器132及饋入網134。由於傳輸路徑縮短，本實施例之無線射頻訊號的失真因此降低。
請參照第1B圖，其繪示第1A圖之俯視圖。本例中，數個開槽160a排列成矩陣形。另一例中，數個開槽160a可排列成任意形狀且開槽160a的數量可以是單個。實務上，開槽160a的形式及數量視第一天線層160的阻抗匹配而定。
如第1B圖所示，因為第一基板110的側面110s及接地件111的側面111s於同一製程形成，接地件111的側面111s實質上與第一基板110的側面110s齊平或共面。此外，中介層基板120係封閉環形基板。另一例中，中介層基板120係開放環形基板。
請參照第2圖，其繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件200的剖視圖。半導體封裝件200包括一第一基板110、一中介層基板120、一第二基板130、數個半導體晶片140、一封裝體150、一第一天線層160、一導電架270及數個接點280。
第一基板110包括接地件111，其例如是一圖案化導電層，其中接地件111電性連接於對應之電性接點280。另一例中，接地件111可以是走線、焊料或導電柱。本例中，接地件111未從第一基板110之側面110s露出，但此非用以限制本發明實施例。由於第一基板110之側面110s與封裝體150之第一側面150s1於同一製程中形成，故第一基板110之側面110s與封裝體150之第一側面150s1實質上對齊或共面。
本例中，封裝體150包覆第二基板130、半導體晶片140及中介層基板120。封裝體150具有第二側面150s2及上表面150u，其中，由於封裝體150之第二側面150s2與導電架270之外側面270s於同一製程中形成，故封裝體150之第二側面150s2與導電架270之外側面270s實質上對齊或共面。
導電架270電性連接於接地件111，且從封裝體150之第一側面150s1露出，使第一天線層160可形成於露出之導電架270，且透過導電架270電性連接於接地件111。
請參照第3A圖，其繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件300的剖視圖。半導體封裝件300包括一第一基板110、一中介層基板120、一第二基板130、數個半導體晶片140、一封裝體150、一第一天線層160、一介電層385及一第二天線層390。
介電層385覆蓋第一天線層160之上表面160u及側面160s，即，介電層385覆蓋第一天線層160之接地層161及幅射層162。介電層385可以由例如是封裝體、介電材料(例如是環氧樹脂(epoxy))或預浸漬層(prepreg lamination)的材料形成。
第二天線層390形成於介電層385之上表面385u，且與第一天線層160隔離，即，第二天線層390未電性連接於接地件111。另一例中，第二天線層390係一縫隙耦合天線(aperture coupled antenna)。第二天線層390的區域對應第一天線層160之開槽160a，以縮短第二天線層390與第一天線層160之間的傳輸路徑。
請參照第3B圖，其繪示第3A圖之俯視圖。第二天線層390包括數個子天線391。本例中，子天線391彼此隔離，且排列成陣列狀，以增加天線增益(antenna gain)及頻寬(frequency band)。另一例中，視設計需求而定，子天線391可排列成不同形狀。
請參照第4圖，其繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件400的剖視圖。半導體封裝件400包括一第一基板110、一中介層基板120、一第二基板130、數個半導體晶片140、一封裝體150、一第一天線層160、一導電架270、數個電性接點280、一介電層385及一第二天線層390。
第一基板110包括一接地件111，其例如是一圖案化導電層，其中接地件111電性連接於對應之電性接點280。另一例中，接地件111可以是走線、焊料或導電柱。本例中，接地件111未從第一基板110之側面110s露出，但此非用以限制本發明實施例。
由於第一基板110之側面110s與封裝體150之第一側面150s1於同一製程中形成，故第一基板110之側面110s與封裝體150之第一側面150s1實質上對齊或共面。
封裝體150包覆第二基板130、數個半導體晶片140及中介層基板120，且具有一第二側面150s2及一上表面150u。由於封裝體150的 第二側面150s2及導電架270的側面270s於相同製程形成，故封裝體150之側面150s與導電架270的側面270s實質上齊平或共面。
第一基板110形成於封裝體150之第二側面150s2、上表面150u上及露出之導電架270。第一天線層160透過導電架270電性連接於接地件111，並提供電磁干擾防護功能。
導電架270電性連接於接地件111，且從封裝體150之第二側面150s2露出，使第一天線層160可形成於露出之導電架270，且透過導電架270電性連接於接地件111。
介電層385覆蓋第一天線層160之接地層161及輻射層162。第二天線層390設於介電層385上。
請參照第5圖，其繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件500的剖視圖。半導體封裝件500包括一第一基板110、一中介層基板120、一第二基板130、數個半導體晶片140、一封裝體150及一第一天線層560。
第二基板130具有一側面130s，其與封裝體150之側面150s實質上對齊或共面。第二基板130包括一微帶線131、一內埋之相位位移器132、一圖案化導電層133、一饋入網134、數個導電孔135及一屏蔽層136。圖案化導電層133透過饋入網134及導電孔135接收由半導體晶片140傳輸之一高頻訊號，然後轉換此高頻訊號成一基頻訊號(base frequency signal)。此基頻訊號透過導電孔135傳輸至微帶線131，使輻射層162藉由電磁感應輻射產生一無線訊號。此外，內埋之相位位移器132可改變無線訊號之一幅射功率型態(radiation power pattern)。
屏蔽層136從第二基板130的側面130s露出，以連接於接地層161。第二基板130與接地層161的結合做為一電磁干擾屏蔽，以保護半導體晶片140免受電磁干擾影響到半導體晶片140的操作。
由於第二基板130的側面130s、封裝體150之側面150s與接地件111的側面111s於同一製程形成，故側面130s、150s與111s實質上對齊或共面。
第一天線層560包括彼此隔離之一接地層161及一幅射層162。接地層161形成於封裝體150之側面150s且從接地件111露出，而輻射層162形成於封裝體150之上表面150u。
請參照第6圖，其繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件600的剖視圖。半導體封裝件500包括一第一基板110、一中介層基板120、一第二基板130、數個半導體晶片140、一封裝體150、一第一天線層160、一導電架270及數個電性接點280。
第一基板110包括一接地件111，其例如是一圖案化導電層，其中接地件111電性連接於對應之電性接點280。本例中，接地件111未從第一基板110的側面110s露出，然此非用以限制本發明實施例。
由於第一基板110之側面110s與封裝體150之第一側面150s1於同一製程中形成，故第一基板110之側面110s與封裝體150之第一側面150s1實質上對齊或共面。
封裝體150包覆第二基板130、數個半導體晶片140及中介層基板120，且具有一第二側面150s2及一上表面150u，其中，由於封裝體150之第二側面150s2與導電架270之側面270s於同一製程中形成，故封 裝體150之第二側面150s2與導電架270之側面270s實質上對齊或共面。
第一天線層560包括彼此隔離之一接地層161及一幅射層162，其中接地層161形成於封裝體150之第二側面150s2及露出之接地件111，且輻射層162形成於封裝體150之上表面150u。本例中，輻射層162係一縫隙耦合天線。
請參照第7圖，其繪示依照本發明另一實施例之半導體封裝件700的剖視圖。半導體封裝件700包括一第一基板110、至少一封模穿孔(through mold via,TMV)720、數個介電層730、數個半導體晶片140、一封裝體150及一第一天線層760。
如第7圖所示，第一基板110包括一側面110s及一接地件111，其例如是一圖案化導電層，其中，接地件111電性連接於對應之電性接點280。本例中，接地件111設於第一基板110之上表面110u，然此非用以限制本發明實施例。
封裝體150包覆第一基板110及數個半導體晶片140，且具有一側面150s及一上表面150u，其中，封裝體150之側面150s與第一基板110之側面110s實質上對齊或共面。封模穿孔720形成於封裝體150且以導電材料填滿，並電性連接於接地件111。
數層介電層730形成於封裝體150之上表面150u。另一例中，介電層730可形成於封裝體150之上表面150u、數層介電層730之一側面730s、封裝體150之一側面150s及第一基板110之一側面110s。微帶線131、內埋之相位位移器132、圖案化導電層133、饋入網134及導電孔135形成於介電層730。此外，介電層730可由例如是封裝體、介電材料(例 如是環氧樹脂)或一預浸漬層的材料形成。
第一天線層760具有數個開槽760a，且形成於介電層730之上表面730u，並透過封模穿孔720及導電孔135(未繪示)電性連接於接地件111。此外，第一天線層760的材料相似於第一天線層160，容此不再贅述。
如第7圖所示，無線射頻訊號可透過一傳輸路徑傳輸至半導體晶片140，其中傳輸路徑包含開槽760a、微帶線131、導電孔135、圖案化導電層133、內埋之相位位移器132、饋入網134及封模穿孔720。由於傳輸路徑縮短，本實施例之無線射頻訊號的失真因此而降低。
請參照第8A至8H圖，其繪示第1A圖半導體封裝件之製造過程圖。
如第8A圖所示，提供第一基板110，其包括數個接地件111。接地件111例如是導電柱。至少一半導體晶片112及被動元件143設於第一基板110且電性連接於第一基板110。第一基板110係一長條基板，其具有數個基板區域(package site)。
如第8B圖所示，提供第二基板130，其中數個半導體晶片140設於第二基板130。其中一半導體晶片140以其主動面朝上的方式設於第二基板130，且以數個導電接合線141電性連接於第二基板130。另一半導體晶片140以其主動面朝下的方式設於第二基板130，且以數個焊球142電性連接於第二基板130。
請參照第8C圖，設置中介層基板120於第一基板110上，其中中介層基板120包括數個導電元件122，用以電性連接第一基板110與 第二基板130。即，導電元件122透過例如是焊料(solder material)或導電黏結物(conductive adhesive)電性連接第一基板110的數個接墊(contact pad)與第二基板130。此外，導電黏結物123可形成於中介層基板120之一轉角，以提昇中介層基板120與半導體晶片140之間的結合性。
如第8D圖所示，倒置第二基板130，然後將其設置在中介層基板120上，使中介層基板120位於第一基板110與第二基板130之間。如此，第一基板110透過中介層基板120電性連接於第二基板130。此外，在中介層基板120設於第一基板110前，第一基板110可黏合於載板185上。第二基板130倒置後，透過回焊製程(reflow)，半導體晶片112的焊球113可黏接第一基板110與半導體晶片112。
如第8E圖所示，形成封裝體150於第一基板110之上表面110u並包覆第二基板130、半導體晶片112、140與中介層基板120，其中封裝體150具有一上表面150u。
如第8F圖所示，形成數個切割道T1經過封裝體150及接地件111。數個切割道T1可由雷射或其它刀具形成。切割後，形成封裝體150之側面150s及接地件111的側面111s。本例之切割方式稱為全穿切(full-cut)，即，數個切割道T1切斷第一基板110、接地件111與封裝體150。
如第8G圖所示，形成一天線材料160’於封裝體150之側面150s及上表面150u及接地件111的側面111s。此外，天線材料160’係一金屬材料，且藉由一材料形成技術形成，其中材料形成技術例如是化學氣相沈積、無電鍍法(electroless plating)、電解電鍍(electrolytic plating)、印刷、 旋塗、噴塗、濺鍍(sputtering)或真空沈積法(vacuum deposition)。
如第8H圖所示，採用圖案化技術，藉由形成開槽160a於天線材料160’(繪示於第8G圖)，而形成第一天線層160。形成開槽160a之圖案化技術可包含微影製程(photolithography)、化學蝕刻(chemical etching)、雷射鑽孔(laser drilling)或機械鑽孔(mechanical drilling)。如此，封裝體150之一部分從開槽160a露出。
請參照第9A至9I圖，其繪示第2圖半導體封裝件之製造過程圖。
如第9A圖所示，提供第一基板110，其包括數個接地件111。接地件111例如是圖案化導電層。數個半導體晶片112及被動元件143設於第一基板110。第一基板110例如是長條基板。此外，數個導電架270設於第一基板110且透過一焊料271電性連接於接地件111。
如第9B圖所示，提供第二基板130，其中微帶線131、內埋之相位位移器132、圖案化導電層133、饋入網134及數個導電孔135形成於第二基板130。此外，數個半導體晶片140設於第二基板130，且電性連接於第二基板130。其中一半導體晶片140以其主動面朝上的方式設於第二基板130，且以數個導電焊線140電性連接於第二基板130。另一半導體晶片140以其主動面朝下的方式設於第二基板130，且以數個焊球142電性連接於第二基板130。
如第9C圖所示，設置中介層基板120於第一基板110，其中中介層基板120包括數個導電元件122電性連接第一基板110與第二基板130。黏結物123的設置如上所述。形成黏結物123後，藉由回焊製程， 焊球142可黏接中介層基板120與半導體晶片140。
如第9D圖所示，倒置第二基板130且設於中介層基板120上，使中介層基板120位於第一基板110與第二基板130之間。此外，在中介層基板120設於第一基板110前，第一基板110可黏合於載板185上。
如第9E圖所示，形成封裝體150於第一基板110的上表面110u且包覆第二基板130、半導體晶片112、140及中介層基板120，其中封裝體150具有上表面150u。
如第9F圖所示，形成數個第一切割道T2經過封裝體150及導電架270。數個第一切割道T2可由雷射或其它刀具形成。切割後，形成封裝體150之第二側面150s2及導電架270的側面270s。本例之切割方式稱為半穿切(half-cut)，即，數個第一切割道T2未切斷第一基板110。
如第9G圖所示，形成一天線材料160’於封裝體150之第二側面150s2及上表面150u及導電架270的側面270s。此外，天線材料160’係一金屬材料，金屬材料包含鋁、不銹鋼或銅，且由圖案化箔(patterned foil)、電鍍、濺鍍或其它塗佈製程(coating processes)形成。
如第9H圖所示，採用圖案化技術，藉由形成開槽160a於第一天線材料160’(繪示於第8G圖)，而形成第一天線層160。其中封裝體150之一部分從開槽160a露出。形成開槽160a之圖案化技術可包含微影製程、化學蝕刻、雷射鑽孔或機械鑽孔。
如第9I圖所示，形成數個第二切割道T3經過第一基板110。數個第二切割道T3可由雷射或其它刀具形成。切割後，形成第一基板110之側面110s及封裝體150的第一側面150s1。此外，於形成第二切割道T3 之前或之後，電性接點280可鄰近第一基板110之下表面110b形成，以形成如第2圖所示之半導體封裝件200。
請參照第10A至10C圖，其繪示第3A圖半導體封裝件之製造過程圖。
如第10A圖所示，形成介電層385覆蓋第一天線層160之側面160s及上表面160u。介電層385可使用任何已知封裝技術(packaging technology)或層壓技術(laminate technology)形成。
如第10B圖所示，第二基板390包括形成於介電層385之上表面385u的數個子天線391。第二天線層390之形成方法相似於第3A圖之第一天線層160的形成方法，容此不再贅述。
如第10C圖所示，形成數個切割道經過介電層385，以形成如第3A圖所示之半導體封裝件300。
請參照第11A至11F圖，其繪示第4圖半導體封裝件之製造過程圖。
如第11A圖所示，形成數個第一切割道T2經過封裝體150及導電架270。數個第一切割道T2可由雷射或其它刀具形成。切割後，形成封裝體150之第二側面150s2及導電架270的側面270s。本例之切割方式稱為半穿切，即，數個第一切割道T2未切斷第一基板110。
如第11B圖所示，形成一天線材料160’於封裝體150之第二側面150s2及上表面150u及導電架270的側面270s。此外，天線材料160’係一金屬層，金屬層包含鋁、不銹鋼或銅，且由圖案化技術、電鍍、濺鍍或其它相似製程形成。
如第11C圖所示，採用圖案化技術，藉由形成數個開槽160a於天線材料160’(繪示於第11B圖)，而形成第一天線層160，其中封裝體150之一部分從開槽160a露出。形成開槽160a之圖案化技術可包含微影製程、化學蝕刻、雷射鑽孔或機械鑽孔。
如第11D圖所示，形成介電層385覆蓋第一天線層160之接地層161及輻射層162。介電層385可使用任何已知封裝技術或層壓技術形成。
如第11E圖所示，形成第二天線層390於介電層385上，其中第二天線層390與第一天線層160隔離。本例中，第二天線層390係縫隙耦合天線。
如第11F圖所示，形成數個第二切割道T3經過第一基板110及介電層385。數個第二切割道T3可由雷射或其它刀具形成。切割後，形成第一基板110之側面110s及介電層385之側面385s。此外，於形成第二切割道T3之前或之後，電性接點280(繪示於第4圖)可鄰近第一基板110之下表面110b形成，以形成如第4圖所示之半導體封裝件400。
請參照第12A至12B圖，其繪示第5圖半導體封裝件之製造過程圖。
如第12A圖所示，形成一天線材料160’於封裝體150之側面150s及上表面150u、第二基板130之側面130s及接地件111的側面111s。當形成天線材料160’時，半導體封裝件可設於一載板185上。
如第12B圖所示，採用圖案化技術，藉由形成開槽160a於天線材料160’，而形成第一天線層560，其中，封裝體150之一部分從開槽 160a露出。形成開槽160a之圖案化技術可包含微影製程、化學蝕刻、雷射鑽孔或機械鑽孔。
如第12B圖所示，第一天線層560包括彼此隔離之接地層161及輻射層162，其中接地層161形成於封裝體150之側面150s及露出之接地件111上，且輻射層162形成於封裝體150之上表面150u上。
請參照第13A至13D圖，其繪示第6圖半導體封裝件之製造過程圖。
如第13A圖所示，形成數個第一切割道T2經過封裝體150、第二基板130及導電架270。數個第一切割道T2可由雷射或其它刀具形成。切割後，形成封裝體150之第二側面150s2、第二基板130之側面130s及導電架270的側面270s。本例之切割方式稱為半穿切，即，數個第一切割道T2未切斷第一基板110。
如第13B圖所示，形成一天線材料160’於封裝體150之第二側面150s2及上表面150u、第二基板130之側面130s及導電架270的側面270s。此外，天線材料160’係一金屬層，金屬層包含鋁、不銹鋼或銅，且由圖案化技術、電鍍、濺鍍或其它相似製程形成。
如第13C圖所示，採用圖案化技術，藉由形成數個開槽160a於天線材料160’，而形成第一天線層560，其中，封裝體150之一部分從開槽160a露出。形成開槽160a之圖案化技術可包含微影製程、化學蝕刻、雷射鑽孔或機械鑽孔。
如第13C圖所示，第一天線層560包括彼此隔離之接地層161及輻射層162，其中接地層161形成於封裝體150之第二側面150s2及 露出之接地件111上，且輻射層162形成於封裝體150之上表面150u上。
如第13D圖所示，形成數個第二切割道T3經過第一基板110。數個第二切割道T3可由雷射或其它刀具形成。切割後，形成第一基板110之側面110s。此外，於形成第二切割道T3之前或之後，電性接點280(繪示於第6圖)可鄰近第一基板110之下表面110b形成，以形成如第6圖所示之半導體封裝件200。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧半導體封裝件
110‧‧‧第一基板
110b‧‧‧下表面
110u、150u‧‧‧上表面
111s、150s‧‧‧側面
111‧‧‧接地件
142‧‧‧焊球
120‧‧‧中介層基板
122‧‧‧導電元件
123‧‧‧黏結物
130‧‧‧第二基板
131‧‧‧微帶線
132‧‧‧相位位移器
133‧‧‧圖案化導電層
134‧‧‧饋入網
135‧‧‧導電孔
140‧‧‧半導體晶片
141‧‧‧接合線
143‧‧‧被動元件
150‧‧‧封裝體
160‧‧‧第一天線層
160a‧‧‧開槽
161‧‧‧接地層
162‧‧‧幅射層

Claims (20)

  1. 一種半導體封裝件，包括：一第一基板，包含一接地層；一中介層，設於該第一基板的一上表面且具有至少一開口；一第一晶片，設於該至少一開口並耦接於該第一基板；一第二基板，耦接於該中介層，且設於該第一基板上方且具有一面積，該第二基板之該面積小於該第一基板之一面積；一第二晶片，設於該第二基板之一下表面；一第三晶片，內埋於該第二基板；一感應器，設於該第二基板的一上表面，其中該感應器電性連接於該第二基板及該第三晶片；一封裝體，包覆該第一基板之數個部分、該中介層、該第二基板、該第一晶片與該第二晶片，該封裝體具有一側面及一上表面；以及一金屬層，設於該封裝體的該側面與該上表面，其中該金屬層電性連接該第一基板且具有數個孔正對於該感應器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中內埋之該第三晶片具有一主動面朝向該第一基板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中內埋之該第三晶片具有一主動面，該主動面包含數個從該第二基板露出 的結合墊(bond pad)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體封裝件，更包括一電性路徑連接露出之該些接合墊與該感應器。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，更包括一導電架，該導電架電性連接於該接地層及該金屬層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該感應器隔著該封裝體與該金屬層隔離。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該些孔決定一輻射分佈型態(radiation distribution pattern)。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，更包括：一介電層，覆蓋該金屬層的該上表面；以及一圖案化金屬層，形成於該介電層。
  9. 一種半導體封裝件，包括：一第一基板，包含一接地層；一中介層，設於該第一基板的一上表面；一第一晶片，設於由該中介層所定義之一空間且耦接於該第 一基板；一第二基板，設於該第一基板上方且耦接於該中介層；一第二晶片，設於該第二基板之一下表面；一感應器，設於該第二基板的一上表面且耦接於該第二晶片；一封裝體，包覆該第一基板之數個部分、該中介層、該第二基板、該第一晶片與該第二晶片，該封裝體具有一側面及一上表面；以及一金屬層，設於該封裝體的該側面與該上表面，其中該金屬層電性連接該第一基板且具有數個孔正對於該感應器。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件，其中該第二基板具有一面積，該第二基板之該面積小於該第一基板之一面積。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件，更包括一第三晶片，該第三晶片內埋於該第二基板且電性連接於該感應器及該第二晶片。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝件，其中內埋之該第三晶片具有一主動面朝向該第一基板。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝件，其中內埋之該第三晶片具有一主動面，該主動面包含數個從該第二基板露出的結合墊。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之半導體封裝件，更包括一電性路徑連接露出之該些接合墊與該感應器。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件，更包括一導電架，該導電架電性連接於該接地層及該金屬層。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件，其中該感應器隔著該封裝體與該金屬層隔離。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件，其中該些孔決定一輻射分佈型態。
  18. 一種半導體封裝件的製造方法，包括：提供一第一基板，該第一基板包含一接地件；提供一第二基板，該第二基板包含設於其上之一半導體晶片；設置一中介層基板於該第一基板與該第二基板之間，其中該中介層基板電性連接於該第一基板及該第二基板； 形成一封裝體包覆該第二基板之數個部分、該半導體晶片與該中介層基板；形成一第一切割道經過該封裝體，使該封裝體形成一側面；形成一第一天線層於該封裝體之該側面及一上表面，其中該第一天線層電性連接於該第一基板之該接地件；以及形成一第二切割道經過該第一基板。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，更包括：設置一導電架於該第一基板之該接地件；以及更形成該第一切割道經過該導電架。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該接地件從該第一基板之一上表面露出，該製造方法更包括：設置一導電架於該第一基板之該接地件上；更形成該第一切割道經過該導電架；形成一天線材料於該第二基板之該側面、該封裝體之該側面與露出之該接地件；以及圖案化該天線材料而形成該第一天線層，其中該第一天線層包括一接地層及一幅射層，該接地層形成於該第二基板之該側面、該封裝體之該側面與露出之該接地件，而該輻射層形成於該封裝體之該上表面且與該接地件隔離。
TW102126548A 2012-08-01 2013-07-24 半導體封裝件及其製造方法 TWI491018B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/564,702 US9153542B2 (en) 2012-08-01 2012-08-01 Semiconductor package having an antenna and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201407745A TW201407745A (zh) 2014-02-16
TWI491018B true TWI491018B (zh) 2015-07-01

Family

ID=49564426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102126548A TWI491018B (zh) 2012-08-01 2013-07-24 半導體封裝件及其製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9153542B2 (zh)
CN (1) CN103400829B (zh)
TW (1) TWI491018B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI734917B (zh) * 2017-09-29 2021-08-01 日月光半導體製造股份有限公司 包含雙面重佈層之堆疊半導體封裝組件

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9166284B2 (en) * 2012-12-20 2015-10-20 Intel Corporation Package structures including discrete antennas assembled on a device
US9129954B2 (en) * 2013-03-07 2015-09-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package including antenna layer and manufacturing method thereof
KR102018049B1 (ko) * 2013-05-07 2019-09-04 한국전자통신연구원 무선 통신용 반사배열 안테나 및 그 구조물
JP6336714B2 (ja) * 2013-05-27 2018-06-06 富士通コンポーネント株式会社 電子装置
US9129981B2 (en) * 2013-11-26 2015-09-08 Freescale Semiconductor Inc. Methods for the production of microelectronic packages having radiofrequency stand-off layers
JP6171905B2 (ja) * 2013-12-09 2017-08-02 富士通株式会社 半導体装置
CN105025663B (zh) * 2014-04-30 2019-05-10 日月光半导体制造股份有限公司 具有线路式电子元件的封装结构及其制造方法
KR102198858B1 (ko) 2014-07-24 2021-01-05 삼성전자 주식회사 인터포저 기판을 갖는 반도체 패키지 적층 구조체
TWI614870B (zh) * 2014-07-25 2018-02-11 矽品精密工業股份有限公司 封裝結構及其製法
JP6507975B2 (ja) * 2014-10-02 2019-05-08 日立金属株式会社 半導体パッケージ回路基板、およびそれを用いた半導体パッケージ
US9941226B2 (en) 2014-12-15 2018-04-10 Industrial Technology Research Institute Integrated millimeter-wave chip package
CN204465862U (zh) * 2015-01-23 2015-07-08 瑞声声学科技(深圳)有限公司 微机电麦克风的封装结构
US10217724B2 (en) 2015-03-30 2019-02-26 Mediatek Inc. Semiconductor package assembly with embedded IPD
US20160329299A1 (en) * 2015-05-05 2016-11-10 Mediatek Inc. Fan-out package structure including antenna
US20170040266A1 (en) * 2015-05-05 2017-02-09 Mediatek Inc. Fan-out package structure including antenna
KR102333559B1 (ko) * 2015-05-11 2021-12-01 삼성전자 주식회사 안테나 장치 및 그를 포함하는 전자 장치
US9461001B1 (en) 2015-07-22 2016-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package integrated with coil for wireless charging and electromagnetic interference shielding, and method of manufacturing the same
CN106449420B (zh) * 2015-08-05 2019-06-21 凤凰先驱股份有限公司 嵌埋式封装结构及其制造方法
TWI582933B (zh) * 2015-08-05 2017-05-11 恆勁科技股份有限公司 嵌埋式封裝結構的製造方法
TWI655719B (zh) * 2015-08-12 2019-04-01 矽品精密工業股份有限公司 電子模組
US10784206B2 (en) 2015-09-21 2020-09-22 Mediatek Inc. Semiconductor package
TWI593165B (zh) * 2016-02-04 2017-07-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件
EP3731270B1 (en) 2016-07-01 2023-09-27 INTEL Corporation Semiconductor packages with antennas
TWI624113B (zh) * 2016-11-03 2018-05-11 矽品精密工業股份有限公司 電子模組
FR3060254B1 (fr) * 2016-12-12 2019-07-26 Institut Vedecom Procede d'integration de puces de puissance et modules electroniques de puissance
US10505255B2 (en) * 2017-01-30 2019-12-10 Infineon Technologies Ag Radio frequency device packages and methods of formation thereof
JP6602326B2 (ja) * 2017-02-06 2019-11-06 株式会社東芝 無線装置
JP6571124B2 (ja) * 2017-03-30 2019-09-04 太陽誘電株式会社 電子部品モジュールの製造方法
WO2018186065A1 (ja) * 2017-04-03 2018-10-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US10622318B2 (en) * 2017-04-26 2020-04-14 Advanced Semiconductor Engineering Korea, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
TWI663701B (zh) * 2017-04-28 2019-06-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
US10910329B2 (en) 2017-05-23 2021-02-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
WO2018236902A1 (en) 2017-06-20 2018-12-27 Viasat, Inc. ANTI-RADIATION SHIELD OF ANTENNA NETWORK
US11394103B2 (en) * 2017-07-18 2022-07-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna module and manufacturing method thereof
KR20190018812A (ko) * 2017-08-16 2019-02-26 삼성전기주식회사 반도체 패키지와 이를 구비하는 전자 기기
US10157834B1 (en) * 2017-09-18 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Electronic apparatus
US11264315B2 (en) * 2017-09-29 2022-03-01 Intel Corporation Electronic package with passive component between substrates
DE112017007887T5 (de) * 2017-09-29 2020-05-07 Intel Corporation Antennenpackage mit kugel-anbringungs-array zum verbinden von antennen- und basissubstraten
TWI667743B (zh) * 2017-10-20 2019-08-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
TWI640066B (zh) * 2017-11-03 2018-11-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
EP3486943A1 (en) * 2017-11-17 2019-05-22 MediaTek Inc Semiconductor package
CN109962038A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 财团法人工业技术研究院 封装结构及其形成方法
KR102022353B1 (ko) * 2018-01-18 2019-09-18 삼성전기주식회사 안테나 모듈
TWI678784B (zh) * 2018-03-01 2019-12-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
CN112599958B (zh) * 2018-03-15 2023-03-28 华为技术有限公司 一种天线和通信装置
US10593635B2 (en) * 2018-03-27 2020-03-17 Nxp B.V. Multi-die and antenna array device
US11189905B2 (en) * 2018-04-13 2021-11-30 International Business Machines Corporation Integrated antenna array packaging structures and methods
CN110401005B (zh) * 2018-04-24 2021-01-29 华为技术有限公司 封装天线及其制备方法、和移动通信终端
US11043730B2 (en) 2018-05-14 2021-06-22 Mediatek Inc. Fan-out package structure with integrated antenna
US11024954B2 (en) 2018-05-14 2021-06-01 Mediatek Inc. Semiconductor package with antenna and fabrication method thereof
US20190348747A1 (en) 2018-05-14 2019-11-14 Mediatek Inc. Innovative air gap for antenna fan out package
KR102545955B1 (ko) 2018-06-15 2023-06-21 삼성전자 주식회사 멀티밴드를 지원하는 안테나 및 그것을 포함하는 전자 장치
US10756161B2 (en) * 2018-06-27 2020-08-25 Intel Corporation Package-embedded thin-film capacitors, package-integral magnetic inductors, and methods of assembling same
CN110828962B (zh) 2018-08-09 2021-08-03 财团法人工业技术研究院 天线阵列模块及其制造方法
US11616283B2 (en) * 2018-09-05 2023-03-28 Intel Corporation 5G mmWave antenna architecture with thermal management
US10804188B2 (en) * 2018-09-07 2020-10-13 Intel Corporation Electronic device including a lateral trace
CN111566876B (zh) 2018-10-18 2021-07-30 阿莫技术有限公司 具有腔体结构的天线封装组件
WO2020077617A1 (zh) * 2018-10-19 2020-04-23 华为技术有限公司 一种天线封装结构及其制造方法
TWI695472B (zh) 2018-11-07 2020-06-01 欣興電子股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
US20200212536A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-02 Texas Instruments Incorporated Wireless communication device with antenna on package
TWI698046B (zh) * 2019-01-17 2020-07-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
CN109888458B (zh) * 2019-04-02 2024-02-13 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 天线封装结构、封装方法及外接天线连接方法
US11043740B2 (en) 2019-05-14 2021-06-22 Qualcomm Incorporated Enhanced antenna module with shield layer
TWI689019B (zh) * 2019-05-29 2020-03-21 力成科技股份有限公司 天線整合式封裝結構及其製造方法
US11244913B2 (en) 2019-06-18 2022-02-08 Mediatek Inc. Semiconductor package
US10931010B1 (en) * 2019-07-31 2021-02-23 KaiKuTek Inc. Anti-EMI antenna
CN110854103B (zh) * 2019-11-09 2021-04-16 北京工业大学 一种嵌入式双面互连功率模块封装结构和制作方法
CN112908977A (zh) * 2019-11-19 2021-06-04 富泰华工业（深圳）有限公司 封装天线、封装天线阵列及封装天线的制作方法
US11075453B1 (en) 2020-02-28 2021-07-27 Globalfoundries U.S. Inc. Microelectronics package with ultra-low-K dielectric region between stacked antenna elements
CN111403297A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 甬矽电子(宁波)股份有限公司 Ic射频天线结构的制作方法、ic射频天线结构和半导体器件
TWI720884B (zh) * 2020-04-30 2021-03-01 開酷科技股份有限公司 反電磁干擾天線
TWI741580B (zh) * 2020-04-30 2021-10-01 開酷科技股份有限公司 天線封裝結構
US11764475B2 (en) * 2020-09-28 2023-09-19 Mediatek Inc. High gain and fan beam antenna structures and associated antenna-in-package
US11532875B2 (en) * 2020-10-22 2022-12-20 Mediatek Inc. Antenna module
US11640944B2 (en) 2021-05-04 2023-05-02 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming a slot in EMI shielding layer using a plurality of slot lines to guide a laser
US11756897B2 (en) 2021-05-05 2023-09-12 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming a slot in EMI shielding with improved removal depth
TWI811764B (zh) * 2021-08-16 2023-08-11 恆勁科技股份有限公司 半導體電磁干擾屏蔽元件、半導體封裝結構及其製造方法
US20240055768A1 (en) * 2022-08-12 2024-02-15 Apple Inc. Antenna Feed Structure
US20240113036A1 (en) * 2022-09-29 2024-04-04 Azurewave Technologies, Inc. Electromagnetic interference shielding package structure, manufacturing method thereof, and electronic assembly

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166527A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Spansion Llc 半導体装置およびその製造方法
WO2010151375A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-29 Intel Corporation Stacked-chip packages in package-on-package apparatus, methods of assembling same, and systems containing same
US20110254155A1 (en) * 2008-03-04 2011-10-20 Stats Chippac, Ltd. Wafer Level Die Integration and Method Therefor

Family Cites Families (196)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3761782A (en) 1971-05-19 1973-09-25 Signetics Corp Semiconductor structure, assembly and method
US4499655A (en) 1981-03-18 1985-02-19 General Electric Company Method for making alignment-enhancing feed-through conductors for stackable silicon-on-sapphire
US4394712A (en) 1981-03-18 1983-07-19 General Electric Company Alignment-enhancing feed-through conductors for stackable silicon-on-sapphire wafers
JPS59189142A (ja) 1983-04-12 1984-10-26 Ube Ind Ltd 導電性熱可塑性樹脂組成物
US4814205A (en) 1983-12-02 1989-03-21 Omi International Corporation Process for rejuvenation electroless nickel solution
US4807021A (en) 1986-03-10 1989-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having stacking structure
US4897708A (en) 1986-07-17 1990-01-30 Laser Dynamics, Inc. Semiconductor wafer array
KR970003915B1 (ko) 1987-06-24 1997-03-22 미다 가쓰시게 반도체 기억장치 및 그것을 사용한 반도체 메모리 모듈
US4842699A (en) 1988-05-10 1989-06-27 Avantek, Inc. Method of selective via-hole and heat sink plating using a metal mask
US5191405A (en) 1988-12-23 1993-03-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Three-dimensional stacked lsi
US5160779A (en) 1989-11-30 1992-11-03 Hoya Corporation Microprobe provided circuit substrate and method for producing the same
US5166097A (en) 1990-11-26 1992-11-24 The Boeing Company Silicon wafers containing conductive feedthroughs
US5557142A (en) 1991-02-04 1996-09-17 Motorola, Inc. Shielded semiconductor device package
US5166772A (en) 1991-02-22 1992-11-24 Motorola, Inc. Transfer molded semiconductor device package with integral shield
US5229647A (en) 1991-03-27 1993-07-20 Micron Technology, Inc. High density data storage using stacked wafers
US5239448A (en) 1991-10-28 1993-08-24 International Business Machines Corporation Formulation of multichip modules
US5386627A (en) 1992-09-29 1995-02-07 International Business Machines Corporation Method of fabricating a multi-layer integrated circuit chip interposer
US5353498A (en) 1993-02-08 1994-10-11 General Electric Company Method for fabricating an integrated circuit module
US5355016A (en) 1993-05-03 1994-10-11 Motorola, Inc. Shielded EPROM package
US5643831A (en) 1994-01-20 1997-07-01 Fujitsu Limited Process for forming solder balls on a plate having apertures using solder paste and transferring the solder balls to semiconductor device
US5639989A (en) 1994-04-19 1997-06-17 Motorola Inc. Shielded electronic component assembly and method for making the same
AU3415095A (en) 1994-09-06 1996-03-27 Sheldahl, Inc. Printed circuit substrate having unpackaged integrated circuit chips directly mounted thereto and method of manufacture
US5677511A (en) 1995-03-20 1997-10-14 National Semiconductor Corporation Overmolded PC board with ESD protection and EMI suppression
JP3432982B2 (ja) 1995-12-13 2003-08-04 沖電気工業株式会社 表面実装型半導体装置の製造方法
US5998867A (en) 1996-02-23 1999-12-07 Honeywell Inc. Radiation enhanced chip encapsulant
US5694300A (en) 1996-04-01 1997-12-02 Northrop Grumman Corporation Electromagnetically channelized microwave integrated circuit
US5776798A (en) 1996-09-04 1998-07-07 Motorola, Inc. Semiconductor package and method thereof
US6150193A (en) 1996-10-31 2000-11-21 Amkor Technology, Inc. RF shielded device
US6962829B2 (en) 1996-10-31 2005-11-08 Amkor Technology, Inc. Method of making near chip size integrated circuit package
US5895229A (en) 1997-05-19 1999-04-20 Motorola, Inc. Microelectronic package including a polymer encapsulated die, and method for forming same
JP3834426B2 (ja) 1997-09-02 2006-10-18 沖電気工業株式会社 半導体装置
US5998292A (en) 1997-11-12 1999-12-07 International Business Machines Corporation Method for making three dimensional circuit integration
JP4255161B2 (ja) 1998-04-10 2009-04-15 株式会社野田スクリーン 半田バンプ形成装置
JP3447961B2 (ja) 1998-08-26 2003-09-16 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US20020017855A1 (en) 1998-10-01 2002-02-14 Complete Substrate Solutions Limited Visual display
US6376769B1 (en) 1999-05-18 2002-04-23 Amerasia International Technology, Inc. High-density electronic package, and method for making same
US6295730B1 (en) 1999-09-02 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming metal contacts on a substrate
US6329631B1 (en) 1999-09-07 2001-12-11 Ray Yueh Solder strip exclusively for semiconductor packaging
TW434854B (en) 1999-11-09 2001-05-16 Advanced Semiconductor Eng Manufacturing method for stacked chip package
TW569424B (en) 2000-03-17 2004-01-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with embedded electric elements and the manufacturing method thereof
JP4023076B2 (ja) 2000-07-27 2007-12-19 富士通株式会社 表裏導通基板及びその製造方法
US6757181B1 (en) 2000-08-22 2004-06-29 Skyworks Solutions, Inc. Molded shield structures and method for their fabrication
US6577013B1 (en) 2000-09-05 2003-06-10 Amkor Technology, Inc. Chip size semiconductor packages with stacked dies
US6406934B1 (en) 2000-09-05 2002-06-18 Amkor Technology, Inc. Wafer level production of chip size semiconductor packages
US6586822B1 (en) 2000-09-08 2003-07-01 Intel Corporation Integrated core microelectronic package
US6448506B1 (en) 2000-12-28 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and circuit board for making the package
US6740950B2 (en) 2001-01-15 2004-05-25 Amkor Technology, Inc. Optical device packages having improved conductor efficiency, optical coupling and thermal transfer
US6737740B2 (en) 2001-02-08 2004-05-18 Micron Technology, Inc. High performance silicon contact for flip chip
JP4113679B2 (ja) 2001-02-14 2008-07-09 イビデン株式会社 三次元実装パッケージの製造方法
JP2002270718A (ja) 2001-03-07 2002-09-20 Seiko Epson Corp 配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP3718131B2 (ja) 2001-03-16 2005-11-16 松下電器産業株式会社 高周波モジュールおよびその製造方法
US6900383B2 (en) 2001-03-19 2005-05-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Board-level EMI shield that adheres to and conforms with printed circuit board component and board surfaces
JP3878430B2 (ja) 2001-04-06 2007-02-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6614102B1 (en) 2001-05-04 2003-09-02 Amkor Technology, Inc. Shielded semiconductor leadframe package
US6686649B1 (en) 2001-05-14 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Multi-chip semiconductor package with integral shield and antenna
JP2002373957A (ja) 2001-06-14 2002-12-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7334326B1 (en) 2001-06-19 2008-02-26 Amkor Technology, Inc. Method for making an integrated circuit substrate having embedded passive components
US6740959B2 (en) 2001-08-01 2004-05-25 International Business Machines Corporation EMI shielding for semiconductor chip carriers
JP3875867B2 (ja) 2001-10-15 2007-01-31 新光電気工業株式会社 シリコン基板の穴形成方法
US7633765B1 (en) 2004-03-23 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including a top-surface metal layer for implementing circuit features
JP3904484B2 (ja) 2002-06-19 2007-04-11 新光電気工業株式会社 シリコン基板のスルーホールプラギング方法
US7161252B2 (en) 2002-07-19 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module component
JP3738755B2 (ja) 2002-08-01 2006-01-25 日本電気株式会社 チップ部品を備える電子装置
US6740546B2 (en) 2002-08-21 2004-05-25 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic devices and methods for assembling microelectronic devices
JP4178880B2 (ja) 2002-08-29 2008-11-12 松下電器産業株式会社 モジュール部品
US6781231B2 (en) 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US7057269B2 (en) 2002-10-08 2006-06-06 Chippac, Inc. Semiconductor multi-package module having inverted land grid array (LGA) package stacked over ball grid array (BGA) package
US6962869B1 (en) 2002-10-15 2005-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. SiOCH low k surface protection layer formation by CxHy gas plasma treatment
US6998532B2 (en) 2002-12-24 2006-02-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component-built-in module
JP2004228135A (ja) 2003-01-20 2004-08-12 Mitsubishi Electric Corp 微細孔への金属埋め込み方法
US20040150097A1 (en) 2003-01-30 2004-08-05 International Business Machines Corporation Optimized conductive lid mounting for integrated circuit chip carriers
TWI235469B (en) 2003-02-07 2005-07-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Thermally enhanced semiconductor package with EMI shielding
US7394663B2 (en) * 2003-02-18 2008-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component built-in module and method of manufacturing the same
JP2004273563A (ja) 2003-03-05 2004-09-30 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板の製造方法及び基板
US7187060B2 (en) 2003-03-13 2007-03-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device with shield
US6908856B2 (en) 2003-04-03 2005-06-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for producing electrical through hole interconnects and devices made thereof
CN100454533C (zh) 2003-04-15 2009-01-21 波零公司 用于电子元件封装的emi屏蔽
US6838776B2 (en) 2003-04-18 2005-01-04 Freescale Semiconductor, Inc. Circuit device with at least partial packaging and method for forming
JP2004327641A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Tdk Corp 電子部品モジュール
JP4377157B2 (ja) 2003-05-20 2009-12-02 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置用パッケージ
WO2004114731A2 (en) 2003-06-19 2004-12-29 Wavezero, Inc. Emi absorbing shielding for a printed circuit board
JP2005072095A (ja) 2003-08-20 2005-03-17 Alps Electric Co Ltd 電子回路ユニットおよびその製造方法
KR100541084B1 (ko) 2003-08-20 2006-01-11 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 및 그에 사용되는패키지 시트
US7030469B2 (en) 2003-09-25 2006-04-18 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming a semiconductor package and structure thereof
US7224056B2 (en) 2003-09-26 2007-05-29 Tessera, Inc. Back-face and edge interconnects for lidded package
US6943423B2 (en) 2003-10-01 2005-09-13 Optopac, Inc. Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof
US7276787B2 (en) 2003-12-05 2007-10-02 International Business Machines Corporation Silicon chip carrier with conductive through-vias and method for fabricating same
EP1720794A2 (en) 2004-03-01 2006-11-15 Tessera, Inc. Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
US20050258545A1 (en) 2004-05-24 2005-11-24 Chippac, Inc. Multiple die package with adhesive/spacer structure and insulated die surface
JP2006019455A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4343044B2 (ja) 2004-06-30 2009-10-14 新光電気工業株式会社 インターポーザ及びその製造方法並びに半導体装置
US7615856B2 (en) 2004-09-01 2009-11-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Integrated antenna type circuit apparatus
US7327015B2 (en) 2004-09-20 2008-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package
TWI242869B (en) 2004-10-15 2005-11-01 Advanced Semiconductor Eng High density substrate for multi-chip package
TWI254425B (en) 2004-10-26 2006-05-01 Advanced Semiconductor Eng Chip package structure, chip packaging process, chip carrier and manufacturing process thereof
JP4369348B2 (ja) 2004-11-08 2009-11-18 新光電気工業株式会社 基板及びその製造方法
JP3987521B2 (ja) 2004-11-08 2007-10-10 新光電気工業株式会社 基板の製造方法
US7629674B1 (en) 2004-11-17 2009-12-08 Amkor Technology, Inc. Shielded package having shield fence
US7633170B2 (en) 2005-01-05 2009-12-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and manufacturing method thereof
US7656047B2 (en) 2005-01-05 2010-02-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and manufacturing method
KR100687069B1 (ko) 2005-01-07 2007-02-27 삼성전자주식회사 보호판이 부착된 이미지 센서 칩과 그의 제조 방법
US7279786B2 (en) * 2005-02-04 2007-10-09 Stats Chippac Ltd. Nested integrated circuit package on package system
TWI244186B (en) 2005-03-02 2005-11-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package and method for manufacturing the same
TWI264807B (en) 2005-03-02 2006-10-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package and method for manufacturing the same
US7285434B2 (en) 2005-03-09 2007-10-23 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and method for manufacturing the same
TWI303094B (en) 2005-03-16 2008-11-11 Yamaha Corp Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and cover frame
TWI261325B (en) 2005-03-25 2006-09-01 Advanced Semiconductor Eng Package structure of semiconductor and wafer-level formation thereof
US7643311B2 (en) 2005-04-21 2010-01-05 Stmicroelectronics Sa Electronic circuit protection device
JP4614278B2 (ja) 2005-05-25 2011-01-19 アルプス電気株式会社 電子回路ユニット、及びその製造方法
US8456015B2 (en) 2005-06-14 2013-06-04 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Triaxial through-chip connection
US7767493B2 (en) 2005-06-14 2010-08-03 John Trezza Post & penetration interconnection
US7786592B2 (en) 2005-06-14 2010-08-31 John Trezza Chip capacitive coupling
US7989958B2 (en) 2005-06-14 2011-08-02 Cufer Assett Ltd. L.L.C. Patterned contact
JP2007027451A (ja) 2005-07-19 2007-02-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 回路基板及びその製造方法
JP4889974B2 (ja) 2005-08-01 2012-03-07 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造体及びその製造方法
US8359739B2 (en) 2007-06-27 2013-01-29 Rf Micro Devices, Inc. Process for manufacturing a module
US7451539B2 (en) 2005-08-08 2008-11-18 Rf Micro Devices, Inc. Method of making a conformal electromagnetic interference shield
JP4716819B2 (ja) 2005-08-22 2011-07-06 新光電気工業株式会社 インターポーザの製造方法
US7488680B2 (en) 2005-08-30 2009-02-10 International Business Machines Corporation Conductive through via process for electronic device carriers
CN101300911B (zh) 2005-11-28 2010-10-27 株式会社村田制作所 电路模块以及制造电路模块的方法
KR100892935B1 (ko) * 2005-12-14 2009-04-09 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 칩 내장 기판 및 칩 내장 기판의 제조방법
TWI311356B (en) 2006-01-02 2009-06-21 Advanced Semiconductor Eng Package structure and fabricating method thereof
TWI303105B (en) 2006-01-11 2008-11-11 Advanced Semiconductor Eng Wafer level package for image sensor components and its fabricating method
TWI287273B (en) 2006-01-25 2007-09-21 Advanced Semiconductor Eng Three dimensional package and method of making the same
TWI293499B (en) 2006-01-25 2008-02-11 Advanced Semiconductor Eng Three dimensional package and method of making the same
TWI287274B (en) 2006-01-25 2007-09-21 Advanced Semiconductor Eng Three dimensional package and method of making the same
US7342303B1 (en) 2006-02-28 2008-03-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having RF shielding and method therefor
US7304859B2 (en) 2006-03-30 2007-12-04 Stats Chippac Ltd. Chip carrier and fabrication method
DE102006019080B3 (de) 2006-04-25 2007-08-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Herstellungsverfahren für ein gehäustes Bauelement
US7687397B2 (en) 2006-06-06 2010-03-30 John Trezza Front-end processed wafer having through-chip connections
JP5026038B2 (ja) 2006-09-22 2012-09-12 新光電気工業株式会社 電子部品装置
TWI315295B (en) 2006-12-29 2009-10-01 Advanced Semiconductor Eng Mems microphone module and method thereof
WO2008093414A1 (ja) 2007-01-31 2008-08-07 Fujitsu Microelectronics Limited 半導体装置及びその製造方法
US7598163B2 (en) 2007-02-15 2009-10-06 John Callahan Post-seed deposition process
TW200839903A (en) 2007-03-21 2008-10-01 Advanced Semiconductor Eng Method for manufacturing electrical connections in wafer
TWI335654B (en) 2007-05-04 2011-01-01 Advanced Semiconductor Eng Package for reducing stress
US7576415B2 (en) 2007-06-15 2009-08-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. EMI shielded semiconductor package
US7553752B2 (en) 2007-06-20 2009-06-30 Stats Chippac, Ltd. Method of making a wafer level integration package
US7745910B1 (en) 2007-07-10 2010-06-29 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having RF shielding and method therefor
US20090035895A1 (en) 2007-07-30 2009-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and chip packaging process thereof
TWI335059B (en) 2007-07-31 2010-12-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Multi-chip stack structure having silicon channel and method for fabricating the same
TWI387019B (zh) 2007-08-02 2013-02-21 Advanced Semiconductor Eng 在基材上形成穿導孔之方法
TWI357118B (en) 2007-08-02 2012-01-21 Advanced Semiconductor Eng Method for forming vias in a substrate
TWI344694B (en) 2007-08-06 2011-07-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Sensor-type package and method for fabricating the same
TWI345296B (en) 2007-08-07 2011-07-11 Advanced Semiconductor Eng Package having a self-aligned die and the method for making the same, and a stacked package and the method for making the same
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
JP5536322B2 (ja) 2007-10-09 2014-07-02 新光電気工業株式会社 基板の製造方法
EP2051298B1 (en) 2007-10-18 2012-09-19 Sencio B.V. Integrated Circuit Package
US7691747B2 (en) 2007-11-29 2010-04-06 STATS ChipPAC, Ltd Semiconductor device and method for forming passive circuit elements with through silicon vias to backside interconnect structures
TWI365483B (en) 2007-12-04 2012-06-01 Advanced Semiconductor Eng Method for forming a via in a substrate
US7838395B2 (en) 2007-12-06 2010-11-23 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor wafer level interconnect package utilizing conductive ring and pad for separate voltage supplies and method of making the same
US7851246B2 (en) 2007-12-27 2010-12-14 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device
US8350367B2 (en) 2008-02-05 2013-01-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US7989928B2 (en) 2008-02-05 2011-08-02 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8212339B2 (en) 2008-02-05 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8022511B2 (en) 2008-02-05 2011-09-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8115285B2 (en) 2008-03-14 2012-02-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Advanced quad flat no lead chip package having a protective layer to enhance surface mounting and manufacturing methods thereof
US8072079B2 (en) 2008-03-27 2011-12-06 Stats Chippac, Ltd. Through hole vias at saw streets including protrusions or recesses for interconnection
TWI370530B (en) 2008-05-21 2012-08-11 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package having an antenna
US7666711B2 (en) 2008-05-27 2010-02-23 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming double-sided through vias in saw streets
US7741156B2 (en) 2008-05-27 2010-06-22 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming through vias with reflowed conductive material
TWI420640B (zh) 2008-05-28 2013-12-21 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝裝置、半導體封裝結構及其製法
US8101460B2 (en) 2008-06-04 2012-01-24 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of shielding semiconductor die from inter-device interference
US7851893B2 (en) 2008-06-10 2010-12-14 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of connecting a shielding layer to ground through conductive vias
US7863721B2 (en) 2008-06-11 2011-01-04 Stats Chippac, Ltd. Method and apparatus for wafer level integration using tapered vias
TWI365528B (en) 2008-06-27 2012-06-01 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor structure and method for manufacturing the same
TWI453877B (zh) 2008-11-07 2014-09-21 Advanced Semiconductor Eng 內埋晶片封裝的結構及製程
US7829981B2 (en) 2008-07-21 2010-11-09 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8410584B2 (en) 2008-08-08 2013-04-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8183087B2 (en) 2008-09-09 2012-05-22 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming a fan-out structure with integrated passive device and discrete component
US9559046B2 (en) 2008-09-12 2017-01-31 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming a fan-in package-on-package structure using through silicon vias
US7772081B2 (en) 2008-09-17 2010-08-10 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming high-frequency circuit structure and method thereof
US8058714B2 (en) 2008-09-25 2011-11-15 Skyworks Solutions, Inc. Overmolded semiconductor package with an integrated antenna
US20100110656A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US7838337B2 (en) 2008-12-01 2010-11-23 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming an interposer package with through silicon vias
US7741148B1 (en) 2008-12-10 2010-06-22 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming an interconnect structure for 3-D devices using encapsulant for structural support
US8283250B2 (en) 2008-12-10 2012-10-09 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming a conductive via-in-via structure
US8017515B2 (en) 2008-12-10 2011-09-13 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming compliant polymer layer between UBM and conformal dielectric layer/RDL for stress relief
US8900921B2 (en) 2008-12-11 2014-12-02 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV
US7786008B2 (en) 2008-12-12 2010-08-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system having through silicon vias with partial depth metal fill regions and method of manufacture thereof
TWI387084B (zh) 2009-01-23 2013-02-21 Advanced Semiconductor Eng 具有穿導孔之基板及具有穿導孔之基板之封裝結構
US20100207257A1 (en) 2009-02-17 2010-08-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and manufacturing method thereof
US8110902B2 (en) 2009-02-19 2012-02-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
TWI470766B (zh) 2009-03-10 2015-01-21 Advanced Semiconductor Eng 晶片結構、晶圓結構以及晶片製程
TW201034150A (en) 2009-03-13 2010-09-16 Advanced Semiconductor Eng Silicon wafer having interconnection metal
TWI380421B (en) 2009-03-13 2012-12-21 Advanced Semiconductor Eng Method for making silicon wafer having through via
TWI394253B (zh) 2009-03-25 2013-04-21 Advanced Semiconductor Eng 具有凸塊之晶片及具有凸塊之晶片之封裝結構
TWI394221B (zh) 2009-04-30 2013-04-21 Advanced Semiconductor Eng 具有測試銲墊之矽晶圓及其測試方法
US20100327465A1 (en) 2009-06-25 2010-12-30 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Package process and package structure
US8471156B2 (en) 2009-08-28 2013-06-25 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for forming a via in a substrate and substrate with a via
TWI406380B (zh) 2009-09-23 2013-08-21 Advanced Semiconductor Eng 具有穿導孔之半導體元件及其製造方法及具有穿導孔之半導體元件之封裝結構
US8242604B2 (en) 2009-10-28 2012-08-14 International Business Machines Corporation Coaxial through-silicon via
US8030750B2 (en) 2009-11-19 2011-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8378466B2 (en) 2009-11-19 2013-02-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8227708B2 (en) 2009-12-14 2012-07-24 Qualcomm Incorporated Via structure integrated in electronic substrate
US9007273B2 (en) 2010-09-09 2015-04-14 Advances Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166527A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Spansion Llc 半導体装置およびその製造方法
US20110254155A1 (en) * 2008-03-04 2011-10-20 Stats Chippac, Ltd. Wafer Level Die Integration and Method Therefor
WO2010151375A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-29 Intel Corporation Stacked-chip packages in package-on-package apparatus, methods of assembling same, and systems containing same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI734917B (zh) * 2017-09-29 2021-08-01 日月光半導體製造股份有限公司 包含雙面重佈層之堆疊半導體封裝組件

Also Published As

Publication number Publication date
TW201407745A (zh) 2014-02-16
US20140035097A1 (en) 2014-02-06
US9153542B2 (en) 2015-10-06
CN103400829A (zh) 2013-11-20
CN103400829B (zh) 2016-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI491018B (zh) 半導體封裝件及其製造方法
TWI520304B (zh) 包含天線層的半導體封裝件及其製造方法
US20230299462A1 (en) Semiconductor package including antenna substrate and manufacturing method thereof
US11004810B2 (en) Semiconductor package structure
US8030750B2 (en) Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
TW202331987A (zh) 射頻裝置封裝
TWI462259B (zh) 半導體封裝件及半導體封裝件之製造方法
TWI809309B (zh) 半導體裝置以及其製造方法
US20200328497A1 (en) Integrated antenna package structure and manufacturing method thereof
US9269643B2 (en) Chip package structure
KR101218989B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP5729186B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
TW201347103A (zh) 整合屏蔽膜及天線之半導體封裝件
TW201721774A (zh) 具有天線的半導體封裝及其製作方法
CN107424987B (zh) 堆叠式半导体结构及其制造方法
TWI586233B (zh) 天線整合式封裝結構及其製造方法
TWI557854B (zh) 整合式毫米波晶片封裝結構
US20140175633A1 (en) Thermally enhanced semiconductor assembly with embedded chip and interposer and method of manufacturing the same
KR101741648B1 (ko) 전자파 차폐 수단을 갖는 반도체 패키지 및 그 제조 방법
TW201832298A (zh) 電子封裝構件及其製作方法
KR20140118331A (ko) 반도체 패키지 제조 방법
KR101011888B1 (ko) 반도체 패키지
US20230352850A1 (en) Microelectronic device package with integral slotted waveguide antenna
US20240113413A1 (en) Microelectronic device package including antenna and semiconductor device
US20220359976A1 (en) Microelectronic device package including antenna and semiconductor device