TWI455820B - 可抵抗還原電漿的含釔陶瓷塗層 - Google Patents

Claims (15)

1. 一種可抵抗化學活性還原電漿所造成之腐蝕或侵蝕的物體，該物體至少包含一金屬或金屬合金基板，其表面上具有一噴塗之含釔陶瓷塗層，其中該含釔陶瓷塗層係由一材料所形成，該材料係選自由Y2 O3 -ZrO2 固溶體、YAG、YF3 及其組合物所組成之群組中，其中該陶瓷塗層的孔隙率小於1.5%，且該陶瓷塗層之表面粗糙度小於3μm Ra，且該陶瓷塗層於含氟電漿下之侵蝕速率為0.08μm/hr或更小。
2. 如申請專利範圍第1項所述之物體，其中該孔隙率介於小於1.5%至約0.1%的範圍。
3. 如申請專利範圍第2項所述之物體，其中該孔隙率介於約1%至約0.1%。
4. 如申請專利範圍第3項所述之物體，其中該表面粗糙度介在小於約1.5μm Ra至約0.6μm Ra的範圍。
5. 如申請專利範圍第1項所述之物體，其中該噴塗之含釔陶瓷塗層材料的一崩潰電壓為至少高於650V/mil。
6. 如申請專利範圍第5項所述之物體，其中該崩潰電壓介於約650V/mil至約900V/mil。
7. 如申請專利範圍第1項或第5項所述之物體，其中該噴塗之含釔陶瓷材料的厚度介於約5μm至約400μm。
8. 如申請專利範圍第7項所述之物體，其中該材料厚度介於約25μm至約300μm。
9. 如申請專利範圍第2項所述之物體，其中該經噴塗之含釔陶瓷材料經過氯化氫氣泡試驗的持續時間為至少8小時。
10. 如申請專利範圍第3項所述之物體，其中該經噴塗之含釔陶瓷材料經過氯化氫氣泡試驗的持續時間為至少10小時。
11. 一種製造可抵抗化學活性還原電漿所造成之腐蝕或侵蝕之物體的方法，至少包含：利用一含釔陶瓷塗層來電漿噴塗一金屬或金屬合金基板以製造該物體，其中該含釔陶瓷塗層係由一材料所形成，該材料係選自由Y2 O3 -ZrO2 固溶體、YAG、YF3 及其組合物所組成之群組 中，且其中該含釔陶瓷材料為粉末形式，該粉末之平均等效粒徑範圍介於約22μm至約0.1μm。
12. 如申請專利範圍第11項所述之製造一物體的方法，其中該粉末的平均等效粒徑範圍介於約15μm至約5μm。
13. 一種具有可抵抗化學活性還原電漿所造成之腐蝕或侵蝕的噴塗塗層表面之物體，該物體至少包含一金屬或金屬合金基板，其表面上具有一噴塗之含釔陶瓷塗層，其中該含釔陶瓷塗層係由一材料所形成，該材料係選自由Y2 O3 -ZrO2 固溶體、Y2 O3 -Al2 O3 固溶體、YAG、Y2 O3 -Al2 O3 -YZrO2 固溶體、YF3 及其組合物所組成之群組中，其中用於形成該陶瓷塗層之該材料為粉末形式，該粉末之平均等效粒徑範圍介於約22μm至約0.1μm，且其中該物體之該塗層表面於含氟電漿下之侵蝕速率為0.08μm/hr或更小。
14. 如申請專利範圍第13項所述之物體，其中該含氟電漿包含CF4 及CHF3 。
15. 一種製造可抵抗化學活性還原電漿所造成之腐蝕或侵蝕之物體的方法，至少包含：利用一含釔陶瓷塗層來電 漿噴塗一金屬或金屬合金基板以製造該物體，其中該含釔陶瓷塗層係由一材料所形成，該材料係選自由Y2 O3 -ZrO2 固溶體、Y2 O3 -Al2 O3 固溶體、YAG、Y2 O3 -Al2 O3 -YZrO2 固溶體、YF3 及其組合物所組成之群組中，其中用於形成該電漿噴塗塗層之該材料為粉末形式，該粉末之平均等效粒徑範圍介於約22μm至約0.1μm，且其中該噴塗塗層表面於含氟電漿下之侵蝕速率為0.08μm/hr或更小。