TWI258821B - Laser apparatus, laser irradiation method, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, production system for semiconductor device using the laser apparatus, and electronic equipment - Google Patents

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Hisashi Ohtani
Masaaki Hiroki
Koichiro Tanaka
Shiga Aiko
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1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 發明所屬之技術領域 本發明係關於一種利用雷射使半導體基底、半導體膜 等結晶或在離子注入後進行啓動的雷射處理裝置和雷射照 射方法；和關於一種採用該雷射裝置及其製造方法而形成 的半導體裝置、一種使用該半導體裝置的電子設備和一種 使用該雷射裝置的半導體裝置的生産系統。 先前技術 近年來，在基底上形成TFT的技術取得了很大的進步 ，也促進了其在主動陣列半導體顯示器方面的應用和發展 。特別是，由於採用多晶矽膜的TFT具有高於用習知非晶 矽膜製作的TFT的場效應遷移率，它能高速運行。因此， 儘管圖素通常由基底外的驅動電路控制，但也可能以形成 在同一基底上的驅動電路控制圖素。 順便提一下，對於半導體裝置中使用的基底，從成本 的角度認爲玻璃基底比單晶矽基底重要。由於玻璃基底在 抗熱性上是低劣的且容易發生熱變形，在多晶矽TFT形成 到玻璃基底上的情況下，爲了避免玻璃基底的熱變形，對 半導體膜的結晶採用雷射退火處理。 雷射退火處理的特點如下：與採用照射加熱或傳導加 熱的退火處理方法相比，它能極大地縮短處理時間；而且 ，藉由選擇性地和局部地加熱半導體或半導體膜，幾乎不 會對基底産生熱損傷。 注意，此處的雷射退火處理方法指的是一種使形成在 L丨一-I丨·裝L, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2) 半導體基底或半導體膜上的損害層再結晶的技術，和一種 使形成在基底上的非晶半導體膜結晶的技術。而且，此處 所講的雷射退火處理方法包括用於使半導體基底或半導體 膜平整或表面重整的技術。所使用的雷射振盪裝置是一種 採用準分子雷射器的氣體雷射振盪裝置或是一種採用YAG ，雷射器的固體雷射振盪裝置。衆所周知，這類裝置藉由雷 射束照射、在大約幾十奈秒到幾百微秒的相當短的時間內 、加熱半導體表面層以完成結晶處理。 按照振盪方法，雷射器粗略地分爲兩類：脈衝振盪型 和連續振盪型。在脈衝振盪雷射器中，輸出能量相當高， 使得假定在束斑爲幾cm2或更大時的批量生産率增加。特 別是，當束斑的形狀被用光學系統處理並被處理成長度爲 10cm或更大的線形形狀時，它能對基底進行高效雷射照射 且進一步地提高了批量生産率。因此，爲了使半導體膜結 晶，使用脈衝振盪雷射器變成了主流。 但是，近年來，在使半導體膜結晶方面，發現使用連 續振盪雷射器比使用脈衝振盪雷射器的半導體膜中形成的 晶體的粒度變大了。當半導體膜中晶體的粒度變大時，使 用半導體膜所形成的TFT的遷移率變高，且因晶粒邊界引 起的TFT特性的變化受到了抑制。因此，連續振盪雷射器 近來受到了世人的囑目。 但是，由於連續振盪雷射器的最大輸出能量一般都比 脈衝振盪雷射器的小’因此，束斑的尺寸也小，大約爲 10·3 mm2。這樣，爲了處理一個大的基底，必須向上和向下 I-------裝 _ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -6- 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（3) 、向左和向右地移動基底上的光束照射的位置，使得每個 基底的處理時間增加。因此，處理效率低，因此提高基底 的處理速度是一項重要的課題。 發明內容 本發明是針對上述問題而實施的，因此，本發明的目 的在於提供一種連續振盪雷射裝置、一種雷射照射方法、 和一種利用該連續振盪雷射裝置製造半導體裝置的方法， 它與習知示例相比能提高處理效率。 本發明的雷射裝置包含：用於控制要處理物體上的每 束雷射的照射位置的第一機構；用於振盪雷射的多個第二 機構（雷射振盪裝置）：第三機構（光學系統），用於使 來自該多個雷射振盪裝置的振盪雷射的束斑在要被處理的 物體上部分地相互重疊；第四機構，用於控制多個第二機 構中每一個的振盪，同時也控制第一機構以使雷射的束斑 覆蓋根據與掩模形狀有關的資料（圖案資訊）所確定的位 置。 應當注意的是，按照掩模資料所確定的位置是指在晶 化後藉由進行圖形化所得到的半導體膜的一部分。對於本 發明，第四機構根據掩模控制圖形化之後應留在基底上的 形成在絕緣表面上的半導體膜的一部分的。另外，要用雷 射掃描的部分被確定，使得至少藉由完成圖形化所得到的 那部分被晶化，且第一機構被控制，使得束斑照射到要掃 描的那部分上。採用這種方式，半導體膜被局部地晶化。 # 裝—._„-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂------K · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7五、發明説明（4) 也就是，採用本發明，雷射不掃描和照射到半導體膜的整 個表面上而是掃描以使至少必需的部分被結晶。採用上述 結構，可節省將雷射照射到在半導體膜晶化後藉由圖形化 所要被去除的那一部分所用的時間。 根據本發明，爲了實現上述結構，在形成半導體膜後 ’在利用雷射進行晶化之前，用雷射給該半導體膜作一標 記。之後，根據對應於該標記位置的掩模確定雷射應掃描 的位置。 採用上述結構，可縮短照射雷射的時間且可提高基底 處理速度。 實施方式 以下說明本發明的雷射裝置的結構。圖1是本發明的 雷射裝置的方塊圖。 本發明的雷射裝置1 00包括一平台控制器1 〇 1，它對應 於用於控制每一雷射在要處理物體上的照射位置的第一機 構。 同樣，本發明的雷射裝置〗00包括多個雷射振盪裝置 102(1〇2&到1〇2d) ’其對應於用於振盪雷射的第二機構 。需要說明的是儘管圖1配置了 1 〇 2 a到1 0 2 d四個雷射振 盪裝置’但本發明的雷射裝置100具有的雷射振盪裝置1〇2 的數量並不限於四個。只要本發明的雷射裝置丨〇〇具有的 雷射振盪裝置1 02的數量在兩個到八個之間就不會有任何 問題。同樣，所有的雷射振盪裝置使用相同的雷射器且與 本紙張尺度適用巾關家標準（CNS ) M規格（2ι〇χ2·^ ) ' -— -8- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7五、發明説明（5) 其波長是否彼此相同或是否彼此不同沒有關係。 可以根據處理的目的適當地改變雷射器。在本發明中 ，可以利用公知的雷射器。可以利用連續振盪的氣體雷射 器或固體雷射器作爲雷射器。氣體雷射器可以是準分子雷 射器、At*雷射器、Kr雷射器等等。另一方面，固態雷射器 可以是YAG雷射器、YV04雷射器、YLF雷射器、YAl〇3 雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、翠綠寶石雷射器、 Ti:藍寶石雷射器、Y2〇3雷射器等等。固態雷射器使用了例 如YAG、YV04、YLF、ΥΑ1〇3晶體，或者是摻有Cr、Nd 、Er、Ho、Ce、Co、Ti、Yb、或者Tm的晶體的雷射器。 雷射器的基波根據摻入的材料而不同且得到具有 1 μ m 附近 基波的雷射。也可以利用非線性的光學元件得到對應於基 波的諧波。 同樣，還可以利用藉由使用一非線性的光學元件將從 固態雷射器發出的紅外線雷射轉換成綠雷射，且進一步地 藉由使用另一非線性光學元件處理該綠雷射而得到的紫外 線雷射。 這裏需要說明的是，即使本發明的雷射裝置安裝有除 了上述的四個機構以外的調節要處理物體的溫度的機構， 也不會有任何問題。 同樣’本發明的雷射裝置1 0 0包括一個光學系統1 〇 3， 它對應於第二機構，該第三機構能夠使從各自的雷射振盪 裝置1 0 2 a到1 0 2 d所振盪的雷射的束斑在要處理物體上彼 此重疊。 裝----Ί. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂--------K--Ί 〆 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公餐） -9- 1258821 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（6) 本發明的雷射裝置1 00還包括一個對應於第四機構的 CPU 104，該CPU 104能夠控制雷射振盪裝置102的振盪還 可以控制對應於第一機構的平台控制器1 〇 1，使得雷射的束 斑可以覆蓋根據掩模的相關資料所決定的位置。 圖2A顯示一個從每一個雷射振盪裝置i〇2a到1〇2d振 盪得到的雷射在要處理的物體1 07上的束斑的形狀的例子 。圖2A所示的束斑的形狀爲橢圓形。需要注意的是在本發 明的雷射裝置中，從振盪裝置振盪得到的雷射光束斑的形 狀並不限於橢圓形。束斑的形狀根據雷射器的種類不同而 不同，且可以藉由光學系統來構形束斑。例如：從由 Lambda K.K公司生産的XeCl準分子雷射器（其波長爲 3 0 8nm、脈衝寬度爲30ns ) L3 3 08所發出的雷射爲尺寸是 10mmx30mm的矩形（兩個都是光束輪廓的半値寬度）。同 樣，由YAG雷射器發射的雷射在雷射棒爲圓柱形時爲圓 形，而在雷射棒爲條狀時爲矩形。而且，藉由進一步地由 光學系統改變雷射的形狀，可以形成需要尺寸的雷射。 圖2B顯示圖2 A所示的束斑在主軸Y方向上的雷射能 量密度分佈。對於束斑形狀爲橢圓的雷射的能量密度分佈 ，能量密度隨距橢圓中心“ 〇 ”的距離的減小而增加。由“ α”確定的區域對應於主軸Y方向的寬度，該區域的能量密 度値超出得到理想的晶體所必須的値。 其次，圖3 Α顯示在合成具有圖2Α所示束斑的每一雷 射的情況下的束斑形狀。如圖3 A所示，各雷射的束斑藉由 對準各橢圓的主軸且使束斑相互重疊而組合，從而形成一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝----；---訂--------r-- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -10- 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7) 個束斑。注意藉由連接各橢圓的中心“ 〇”得到的直線在下 文中稱作“中心軸線”。 圖3 B顯不圖3 A所不的其束斑已經組合的雷射的能量 密度在中心軸線方向上的分佈。在合成以前各束斑相互重 疊的每一部分的能量密度有所增加，所以在各橢圓的中心 “ 〇”間的每一部分中的能量密度變平。 如從圖3 B中可以看出，和多個雷射沒有彼此重疊且爲 單獨使用的情況相比，藉由使多個雷射相互重疊且使雷射 在具有低能量密度的每一部分中相互補充，可以有效地提 高半導體膜的結晶度。例如，假設只有在圖3 B所示的斜線 所指定的區域內具有超過一個得到理想的晶體所必須的能 量密度的一個値且在其他區域的能量是低的。在這種情況 下，如果四個束斑不相互重疊，則理想的晶體只有在斜線 區域才能得到，其在中心軸線方向的寬度由“ α”標定。但 是，藉由使如圖3 Β所示的束斑彼此重疊，可以在中心軸線 方向的寬度由β ( β > 4α )表示的區域上得到理想的晶體。 結果，可以更有效地使半導體膜結晶。 結合圖4Α說明圖3 Α所示的要處理的物體107是一基 底上形成的半導體膜的情況。注意，圖4A顯示爲了製造一 主動矩陣型半導體裝置而形成的半導體膜500。由虛線501 所圍成的部分對應於形成一個圖素部分，由虛線5 02所圍 成的部分對應於形成一個訊號線驅動電路部分，由虛線503 所圍成的部分對應於形成一個掃描線驅動電路部分。 同樣，在本發明中，藉由使其束斑彼此重疊的多個雷 --------裝---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «HI m - 、 m·— mMmlw nn -tv 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（8) 射合成，從而形成了一個束斑。當這樣做的時候，各束斑 彼此重疊使得在合成以前各束斑的中心形成一條直線。 這裏應該注意的是，無論合成後的束斑是否被設定成 使合成前藉由連接束斑的中心所形成的直線（這裏指的是 “中心軸線”）垂直於掃描方向地延伸都無關緊要。在合 成以後的束斑的中心軸線垂直於掃描方向延伸的情況下， 基底的處理效率增加到最高的水平。另一方面，可以得到 如下藉由執行掃描給出的優點以使合成以後的束斑的中心 軸線和掃描方向呈45°土35°的角度，較佳地接近45。的角度 〇 圖3 1 A和圖3 1 B的每一個都是在藉由將束斑的中心軸 線同掃描方向的角度設定成27°、波長設定爲53 2nm、輸出 能量設定爲 2W和將移動速度設定爲 20cm/Sec的經 Nd:YV〇4照射而在氮化矽膜上所形成的1〇〇〇 A非晶矽膜上 完成結晶時的關於晶體配向的反極象圖。當平行於基底平 面內的垂直於掃描方向的方向稱爲“X”方向時，掃描方向 爲“ y ”方向，而垂直於基底的方向稱爲“ z ”方向，圖 3 1 A顯示在垂直於z方向的平面上的半導體膜的晶體配向 分佈，而圖3 1 B顯示在垂直於y方向的平面上的晶體配向 分佈。同樣，圖31C是一在垂直於y方向的平面上的反極 象圖且顯示各.自晶體配向間的分佈率。而且，圖3 1 D是極 象圖，其中TD對應於掃描方向y，標號〇〇1表示在垂直於 z方向的一個平面上的極象圖，標號〇 Π表示在垂直於y方 向和z方向合成方向的平面上的極象圖，標號1 1 1表示在 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -12- 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9) 垂直於X方向、y方向和z方向合成方向的平面上的極象圖 〇 圖32A和圖32B的每一個都是在藉由將束斑的中心軸 線同掃描方向的角度設定成45°、波長設定爲5 3 2nm、輸出 能量設定爲1.6W和將移動速度設定爲20cm/sec的經 Nd:YV04照射而在氮化矽膜上所形成的1 000 A非晶矽膜上 完成結晶時的關於晶體配向的反極象圖。當平行於基底平 面內的垂直於掃描方向的方向稱爲“X”方向時，掃描方向 爲“ y”方向，垂直於基底的方向稱爲“ Z”方向，圖32A 顯示在垂直於Z方向的平面上的半導體膜的晶體配向分佈 ，而圖3 2B顯示在垂直於y方向的平面上的晶體配向分佈 。同樣，圖32C是一在垂直於y方向的平面上的反極象圖 且顯示各自晶體配向間的分佈率。而且，圖32D是極象圖 ，其中TD對應於掃描方向y，標號001表示在垂直於z方 向的一個平面上的極象圖，標號011表示在垂直於y方向 和z方向合成方向的平面上的極象圖，標號111表不在垂 直於X方向、y方向和z方向合成方向的平面上的極象圖。 從圖31A到圖31D和圖32A到圖32D可以看出晶粒在 垂直於束斑中心軸線的方向上生長。採用以上說明的結構 ，存在於主動層中的晶粒的數量增加，且和執行掃描以使 掃描方向和束斑的中心軸線彼此垂直的情況相比、可以減 小由於晶體配向和晶粒而導致的特性的改變。 圖4B是在其中形成一個圖素部分的部分50 1內的束斑 5 〇7的放大圖。同樣，圖4 C是束斑5 0 7的放大圖，在其中 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 .............................B7.................................................................................................五、發明説明（10) 形成了訊號線驅動電路5 02。本發明可以避免束斑5 0 7的中 心軸線垂直於掃描方向地延伸的情況。更詳細地是，束斑 的中心軸線和掃描方向之間形成的銳角ΘΑ設定爲45°：t3 5°， 較佳爲4 5 ^。 另外，如圖3 B所示，在束斑邊緣部分的雷射的能量密 度小於其他部分，且存在不能均勻地進行要處理物體的處 理的情況。因此，較佳的，照射雷射以便避免出現對應於 一個結晶後藉由圖形化半導體膜所得到的島狀半導體膜的 每一部分5 06與雷射路徑邊緣重疊的情況。 這裏必須注意的是，雷射沿圖4A的箭頭方向掃描，儘 管沒有必要要求在該箭頭方向執行掃描。圖3 3 A顯示雷射 的掃描方向關於圖4A所示的情況轉動了 90°的一個例子。 同樣，圖33B顯示在圖素部分501和掃描線驅動電路503 中的雷射的掃描方向同圖3 3 A所示的情況相同的情形，且 掃描方向同圖3 3 A所示的情況相同的雷射和掃描方向同圖 4 A所示的情況相同的雷射都在訊號線驅動電路5 02內照射 。在這種情況下，半導體膜的表面以粗糙的狀態放置在雷 射彼此重疊的每一部分中，因此，可以較佳地避免雷射在 要形成主動層的每一部分中彼此重疊的情況。同樣，具有 不同掃描方向的雷射照射到圖3 3B所示的訊號線驅動電路 中，儘管這種具有不同掃描方向的雷射也可以照射在掃描 線驅動電路5〇3和圖素部分501中。 同樣，本發明的要用雷射掃描的每一部分是根據輸入 到CPU 104中的用於在半導體膜上圖形化的掩模決定的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -·裝. 訂 —0 -14 - 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 注意，設定要用雷射掃描的部分以便覆蓋一部分在結晶後 經圖形化得到的半導體膜。CPU 1 04決定要用雷射掃描的 部分以使藉由圖形化而得到的至少半導體膜的每一部分能 結晶，且控制對應於第一機構的平台控制器1 0 1以使束斑 即照射位置照射到要掃描的部分上。按照這種方式，半導 體膜可以部分地結晶。 圖5A顯示要用雷射掃描的每一部分和掩模的關係。注 意在圖5 A中束斑的中心軸線沿幾乎垂直於掃描方向的方向 延伸。圖5B顯示在束斑的中心軸線與掃描方向成45。的情 況下的要用雷射掃描部分和掩模的關係。標號5 1 0指明藉 由圖形化而得到的半導體膜的島狀半導體膜，且決定要用 雷射掃描的每一部分以便覆蓋這些島狀半導體膜5 1 0。標號 5 1 1指明用雷射掃描覆蓋島狀半導體膜5丨〇的部分如圖5 a 和圖5B所示’本發明的雷射不照射到半導體膜的整個表面 上而是掃描以使至少每一個必要的部分結晶。 應該注意的是，在結晶後的半導體膜當成TFT主動層 的情況下’較佳地確定雷射的掃描方向以便平行於在通道 形成區域內的載子移動的方向。 圖6 A和圖6B分別顯示TFT主動層的例子。圖6A顯 不具有一個通道形成區域的主動層，且配備有將變成源極 區和汲極區的雜質區域521和5 22以使通道形成區5 20夾 在其中。g +導體膜用本發明的雷射裝置結晶時，確定雷 射的掃描方向以使掃描方向平行於通道形成區內的載子移 動的方向，如箭頭所示。標號5 2 3指明束斑的形狀。在斜 -1 1 1 i - -I m In HI ·三 I · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12) 線規定的束斑523的一個區域5 24中，能量密度超過要得 至!1有利的晶體所必須的値。藉由使由斜線規定的區域5 2 4 @雷射照射到主動層的整個表面上，可以進一步提高主動 層的結晶度。 圖6B同樣地顯示安裝有三個通道形成區域的主動層。 在該圖中，配備有雜質區域5：33和53 4以使通道形成區域 530夾在其中。同樣，配備有雜質區域534和535以使通道 形成區域531夾在其中。而且，配備有雜質區域535和536 以使通道形成區域53 2夾在其中。另外，當用本發明中的 雷射裝置結晶半導體膜時，確定雷射的掃描方向以使掃描 方向平行於在通道形成區內的載子移動的方向，如箭頭所 不 ° 這裏要注意的是，爲了確定要用雷射掃描的每一部分 ’必須在半導體膜上形成確定相對於半導體膜的掩模位置 的標記。圖7A和圖7B顯示爲了産生主動矩陣型半導體裝 置而在所形成的半導體膜上形成有標記的位置。注意圖7A 顯示從一個基底上製造一個半導體裝置的例子，同時圖7B 顯示從一個基底上製造四個半導體裝置的例子。 在圖7A中，標號540表示形成在基底上的半導體膜， 由虛線5 4 1所圍成的部分對應於在其中形成有圖素部分， 且由虛線542所圍成的部分對應於在其中形成有訊號線驅 動電路的部分，由虛線543所圍成的部分對應於在其中形 成有掃描線驅動電路的部分。標號544表示一個在其中形 成一標記的部分（標記形成部分），標記被設置在該部分 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印災 五、發明説明（13) 並被定位在半導體膜的四角處。 需要說明的是，四個標記形成部分5 4 4分別設置在圖 7A的四個角上，儘管本發明並不限於這種結構。標記形成 部分的位置和其數量並不限於以上述形式，只要半導體膜 的由雷射掃描的每一部分可以與製作半導體膜圖形化的掩 模對準。 在圖7B中，標號550表示形成在基底上的半導體膜， 且虛線5 5 1表示刻劃線，基底被沿其按後續的步驟劃分。 在圖7B中，藉由沿刻劃線5 5 1分割基底可以製造四個半導 體裝置。注意，藉由這樣分割得到的半導體裝置的數量並 不限於此。 標號5 5 2表示在其中形成一標記的部分（標記形成部 分），標記被設置在該部分並被定位在半導體膜的四角處 。需要說明的是，四個標記形成部分5 5 2分別設置在圖7B 的四個角上，儘管本發明並不限於這種結構。標記形成部 分的位置和其數量並不限於以上述形式，只要半導體膜的 由雷射掃描的每一部分可以與圖形化半導體膜的掩模對準 〇 可以引用YAG雷射器、C02雷射器等等作爲用於形成 標記的雷射器的例子。但是，無需說明的是，也可以利用 其他雷射器來形成標記。 接下來，將說明利用本發明的雷射裝置用於半導體裝 置的生産系統。 圖8爲本發明的生産系統的流程圖。首先，用CAD進 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印繁 五、發明説明（Μ) 行半導體裝置的設計。然後’與用於使半導體膜圖形化的 每一個設計的掩模有關的資訊被輸入到雷射裝置所擁有的 CPU 中。 另一方面，在基底上形成一個非晶的半導體膜以後， 已在其上形成了非晶的半導體膜的基底被放置在雷射裝置 中。然後’用雷射益在半導體膜的表面上形成標記。 根據輸入的有關掩模的資訊，CPU決定要按照標記的 位置用雷射掃描的每一部分。之後，根據所形成的標記， 把雷射照射到要用雷射掃描的部分上，因此，對半導P月莫 進行局部的結晶。 然後，在雷射照射以後，藉由雷射照射得到的一多晶 半導體膜被圖形化並被蝕刻，因此形成一島狀的半導體膜 。接下來，實施從這些島狀的半導體膜製造TFT的步驟。 製造TFT的具體步驟根據TFT的形狀而變化。而典型的是 ’閘極絕緣膜被形成且在島狀的半導體膜上形成了雜質區 域。然後，形成一中間絕緣膜以覆蓋閘極絕緣膜和閘極電 極，且在中間層絕緣膜內建立一接觸孔。按照這種方式， 可以得到雜質區域的曝露部分。然後，在中間層絕緣膜上 形成接線以便藉由接觸孔接觸雜質區域。 需要說明的是，爲了比較和對照的目的，圖9顯示習 知的半導體裝置的製造流程的流程圖。如圖9所示，半導 體裝置的掩模的設計是由CAD完成的。另一方面，非晶半 導體膜在基底上形成，在其上已形成有半導體膜的基底， 被放置在雷射裝置中。然後，雷射掃描並照射到非晶半導 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) £· 、-tv it 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -18- 1258821 A7 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 五、發明説明（1弓 體膜的整個表面上，因此使非晶半導體膜的整個表面結晶 。然後’在藉由結晶所得到的多晶半導體膜中形成標記且 參照標記藉由圖形化多晶半導體膜來形成島狀半導體膜。 然後，用島狀半導體膜製造一個TFT。 如上所述’和如圖9所示的習知的情況相反，在本發 明的生産系統中’在非晶半導體膜結晶前用雷射形成標記 。之後’根據與圖形化半導體膜的掩模有關的資訊進行雷 射掃描。 採用以上的結構，可以節省將雷射照射到在半導體膜 結晶以後藉由圖形化要被去除的每一部分的時間，可以縮 短雷射照射的時間且也提高了基底的處理速度。 需要注意的是’圖1 0顯示本發明的生産系統在包括有 利用催化劑使半導體膜結晶的步驟的情況下的流程圖。在 使用了催化元素的情況下，較佳地採用JP 〇 7 — 1 3 0 6 5 2 A或 JP〇8 — 78329A中所公開的技術。 圖10和圖8不同，圖1 〇中包括有在膜形成以後利用 Ni結晶非晶半導體膜的步驟（NiSPC)。在這種情況中採用 了；FP 0 7 — 1 3 0 6 5 2 A中公開的技術，例如，藉由在非晶半導 體膜上施加按重量爲含lOppm鎳的醋酸鎳溶液來形成含鎳 層。然後在5〇〇 °C執行一個小時的脫氫步驟以後，藉由在 5 0 0 — 6 5 0 °C進行4 — 1 2小時（例如，在5 5 0 °C進行八小時） 的熱處理來進行結晶。注意，對於可用的催化元素，例如 :除了鎳（Ni )以外還可以利用鍺（Ge )、鐵（Fe )、鈀 (Pd )、錫（Sn )、鉛（Pd )、鈷（Co )、鉑（Pt )、銅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ~ -19- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（16) (Cu )或金（Au )。 在圖10中，藉由NiSPC所結晶的半導體膜的結晶度利 用雷射照射被進一步提高。由雷射照射得到的多晶半導體 膜中含有催化元素且在圖1 〇的雷射照射以後實施從結晶的 半導體膜去除該催化元素的步驟。可以利用JP10 -1 3 5 468A或JP 1 0 — 1 3 5469A中所公開的技術來執行吸雜步 驟。 更加詳細地說，將磷加到在雷射照射之後所得到的一 部分多晶半導體膜中並在氮氣氛中在550- 800 °C進行5 — 24小時（例如600 °C時進行12小時）的熱處理。這樣操作 的結果是已添加了磷的多晶半導體膜的區域當成吸雜處的 作用，可以離析存在於添加了磷的區域內的多晶半導體膜 內的磷。接著，藉由圖形化去除已添加了磷的多晶半導體 膜的區域，可以得到催化元素的密度減少到1 X 1 〇17 a t m s / c m3或更低的島狀半導體膜、較佳爲約 ι x 1 0 16atms/cm3 〇 如上所述，根據本發明，雷射雖然進行了掃描，但沒 有掃描且照射到半導體膜的整個表面上，以便可以至少在 每一必要的部分結晶。採用以上的結構，可以節省雷射照 射到在半導體膜結晶之後的每一個經圖形化所去除的部分 上的時間，且明顯地縮短了處理一個基底的時間。 同樣的，有可能改變雷射光路的寬度，以便能避免出 現雷射光路的邊緣和藉由圖形化而得到的半導體重疊的情 況。也可以減少雷射照射到每一不必要的部分上而使基底 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 I# -20- 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印紫 五、發明説明（17) 遭受的損傷。 實施例 以下，說明本發明的實施例。 [實施例1 ] 在本實施例中，將說明本發明的雷射裝置所使用的光 學系統。 圖1 1 A和圖1 1 B顯示本發明的雷射裝置所用的光學系 統的具體結構。圖1 1 A是本發明的雷射裝置所用的光學系 統的側視圖’而圖1 1 B是沿圖1 1 A的箭頭B所指的方向的 側視圖。注意，沿圖1 1B的箭頭所指的方向的側視圖相當 於圖1 1 A。 圖1 1 A和圖1 1B分別顯示將四個束斑合成爲一個束斑 的情況的光學系統。注意在本發明中，要合成的束斑的數 目不限於此，只要是要合成的束斑的數目在兩個到八個的 範圍內這裏不出現問題。 標號401、402、403、404和405的每一個都表示一個 圓柱透鏡，且本實施例的光學系統使用了六個圓柱透鏡， 雖然沒在圖11A和圖11B中示出。圖12是圖11A和圖11B 所示的光學系統的透視圖。來自不同的雷射振盪裝置的雷 射分別入射到圓柱透鏡403、404 ' 405和406上。 然後，其束斑形狀已由圓柱透鏡40 3、40 5處理的雷射 入射到圓柱透鏡40 1上。該入射雷射的束斑的形狀由圓柱 透鏡處理且被照射到要處理的物體400上。同樣的，其束 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -21 - 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ...............B7—- ...................-五、發明説明（1夺 斑形狀已由圓柱透鏡404、406處理的雷射入射到圖柱透鏡 4〇2上。該入射雷射的束斑的形狀由圓柱透鏡處理且被照射 到要處理的物體400上。 在要處理的物體400上，雷射的束斑造成彼此重疊倂 合成爲一個束斑。 本實施例需要注意的是，離要處理的物體400最近的 圓柱透鏡401和402的焦距被設定爲20mm，圓柱透鏡403 到406的焦距被設定爲150mm。另外，在本實施例中，每 個透鏡設計成從透鏡40 1和402入射到要處理的物體400 的雷射的入射角Θ!爲25°，而從圓柱透鏡403到406入射到 圓柱透鏡401和402的雷射的入射角θ2爲10°。 需要注意的是對於設計者可以設定每個透鏡合適的焦 距和入射角。另外，圓柱透鏡的數量不限於此，且所用的 光學系統也並不限於使用圓柱透鏡。在本發明中，使用能 夠處理由每一個雷射振盪裝置振盪産生的雷射光束斑以得 到適於半導體膜結晶的形狀和能量密度.及能夠藉由使束斑 彼此重疊地將所有的雷射光束斑合成爲一個束斑的光學系 統就足夠了。 這裏需要注意的是在本實施例中，已經說明了四個束 斑被合成的例子。在這種情況下，安裝有四個分別對應於 四個雷射振盪裝置的圓柱透鏡，和兩個對應於四個圓柱透 鏡的圓柱透鏡。在其數量爲η(η = 2、4、6或8 )的束斑被合 成的情況下，需要設置η個分別對應於η個雷射振盪裝置 的圓柱透鏡，和η/2個對應於η個圓柱透鏡的圓柱透鏡。在 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -22- 1258821 A7 ΈΤ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（19) 其數量爲n(n = 3、5或7)的束斑被合成的情況下，需要設 置η個分別對應於η個雷射振盪裝置的圓柱透鏡，和（n + 1)/2個對應於η個圓柱透鏡的圓柱透鏡。 這裏需要注意的是爲了防止出現返回光沿光線原先的 光路返回的情況，較佳的，相對於基底的入射角保持在大 於〇°且小於9(^的範圍內。 同樣，爲了實現雷射的均勻照射，在每一光束的形狀 爲一矩形的情況下，它是一垂直於照射表面的平面且還未 被合成，如果無論是包括該矩形短邊的平面或者是包括該 矩形長邊的平面都被定義爲一個入射表面，則在包括在該 入射表面內的短邊或者長邊的長度爲“W”且放置在照射表 面上並相對於雷射具有透射性的基底的厚度爲“ d”時，較 佳的，雷射的入射角Θ滿足Θ反正切（W/2d)的條件。要求 在合成以前每一雷射都滿足這一條件。注意當雷射的光路 不在入射表面上時，光路投射到入射表面的入射角被稱爲Θ 。如果雷射以角度Θ入射，則不會發生基底表面上的反射光 和基底下面的反射光之間的干涉，這樣就可以進行雷射的 均勻照射。以上的說明是在假設基底的折射率爲1時進行 的。在實際情況中，許多基底具有1 .5左右的折射率且得到 大於上述說明中所計算角度的計算値。但是，由於在徑向 方向的束斑兩側的能量變弱，所以在這些部分中的干涉的 影響就小，且足以在上述計算値處獲得干涉減弱的效果。 [實施例2] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -23- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 m 五、發明説明（2〇) 在本實施例中，將說明在雷射照射時改變雷射光束斑 尺寸的例子。 本發明的雷射裝置使用CPU根據所輸入的有關掩模的 資3只控制每一個以雷射掃描的部分。另外，在本實施例中 ’束斑的長度根據掩模的形狀而改變。 圖1 3顯示圖形化半導體膜的掩模的形狀與束斑的長度 的關係。標號560表示的是圖形化半導體膜的掩模的形狀 ，且在由雷射照射結晶以後，根據掩模使半導體膜圖形化 〇 標號56 1和562表示由雷射照射的部分。注意標號561 表示每一個藉由重疊和組合從四個雷射振盪裝置輸出的雷 射的束斑而得到的束斑進行掃描的部分。另一方面，標號 5 62表示每一個藉由重疊和組合從兩個雷射振盪裝置輸出的 雷射的束斑而得到的束斑進行掃描的部分。 藉由合成從兩個雷射振盪裝置輸出的雷射而得到的束 斑是藉由從四個振盪裝置中終止兩個振盪裝置的振盪而得 到的。但是，在這種情況下重要的是使從保留的兩個雷射 振盪裝置所輸出的兩個束斑彼此重疊。 這裏必須注意的是，在束斑的長度如在本實施例中一 樣在雷射掃描時改變的情況下，由於來自雷射振盪裝置具 有穩定的輸出，所以從長的一側轉變到短的一側的束斑長 度的變化更優於從短的一側轉變到長的一側的束斑長度的 變化。因此，較佳的，CPU考慮雷射的掃描順序以便根據 相對於掩模形狀的資訊從長的一側轉變到短的一側而改變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-24- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _——-......- .........................B7-....- ......................................-...........................................................................五、發明説明（21) 束斑長度。另外，可以在設計掩模時考慮雷射掃描的順序 〇 採用上述的結構，可以改變雷射光路的寬度，以便可 以防止雷射光路的邊緣在圖形化所得到的半導體上被重疊 的情況發生。還可以進一步地減小雷射在每一不必要的部 分上的照射對基底的損傷。 可以結合第一實施例實施本實施例。 [實施例3] 在本實施例中，將說明由光學系統在雷射照射時，放 置快門以阻擋雷射的例子，因此只將雷射照射到指定的區 域。 本發明的雷射裝置使CPU根據所輸入的關於掩模的資 訊抓取每一個由雷射掃描的部分。另外，在本實施例中， 用快門阻擋雷射以使雷射只照射到每一個需要掃描的部分 。理想的是，在這一操作中，快門可以阻擋雷射，同時也 使用一種可以防止雷射使快門變形或損傷的材料來形成該 快門。 圖1 4顯示用於半導體膜圖形化的掩模的形狀與要用雷 射照射的部分間的關係。標號5 70表示用於半導體膜圖形 化的掩模的形狀，且在用雷射照射進行結晶以後，根據掩 模對半導體膜圖形化。 標號5 7 1表不由雷射照射的部分。虛線指定每一個雷 射被快門阻擋的部分。在本實施例中，可以阻止雷射照射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — -25- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1258821 A7 五、發明説明（22) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 到不需要結晶的每一部分上，或是即使雷射照射到這一部 分也可以減小雷射的能量密度。因此可進一步地減小雷射 在每一不必要的部分上的照射對基底的損傷。 可以結合第一實施例或第二實施例實現本實施例。 [實施例4] 在本實施例中，將說明雷射掃描方向的變化被改變的 例子。 藉由設定照射方向爲平行於通道形成區域內的載子移 動方向，可以得到半導體膜內的晶粒生長方向與載子移動 方向重疊的情況，它可以提高遷移率。但是，由於關於電 路設計的限制，存在一種難於佈置所有的主動層以使通道 形成區域平行於載子移動方向的情況。在這種情況下，較 佳的’雷射的掃描方向根據掩模的資訊而改變。 經濟部智慈財產局w工消費合作社印製 圖1 5顯示用於圖形化半導體膜的掩模的形狀與要由雷 射照射的部分間的關係。標號5 80和5 8：?表示製作半導體 膜上圖形化的掩模的形狀，且在由雷射照射結晶以後，根 據掩模在半導體膜上製作圖形。標號580和5 8 3的掩模被 設計成使通道形成區域內的載子移動的方向相互垂直。 本發明的雷射裝置使CPU根據相對於掩模的輸入資訊 控制每一個由雷射掃描的部分。另一方面，在每一個經圖 形化所得到的島狀半導體膜的通道形成區域內的載子移動 方向被作爲資訊輸入CPU中。特別是，相對於每一個主動 層的形狀的雷射掃描方向預先確定。然後，CPU參照該預 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐〉 -26- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7_五、發明説明（23) 定的相對於每一個主動層的形狀的雷射掃描方向，並將其 與從掩模形狀中得到的每一個主動層的形狀相比較，而決 定半導體膜的要掃描的每一部分的掃描方向。 標號5 8 1顯示當雷射在水平方向掃描時已經被雷射照 射的部分，掃描方向平行於將成爲在製作接線圖案以後得 到的島狀半導體膜5 8 0的通道形成區域的部分的載子移動 方向。標號5 8 2表示雷射在垂直方向掃描時被雷射照射的 部分，其掃描方向平行於將成爲在圖形化以後得到的島狀 半導體膜5 83的通道形成區域的部分的載子移動方向。 這裏需要注意的是，圖15中的標號爲584到587表示 每一部分中的半導體膜的表面以粗糙的狀態設置，該部份 以不同的掃描方向的雷射重疊和照射，這樣對以後成形的 閘極絕緣膜的特性會有反向效果，因此不優先選用這樣的 半導體膜作爲TFT的主動層。因此，較佳的，在設計掩模 的階段決定雷射的掃描方向和掃描部分，並決定掩模的佈 置以使島狀半導體膜不被設置在雷射彼此重疊的部分。 同樣，即使如在第二實施例中，同樣地藉由沿中心軸 線方向改變雷射光束斑的長度阻止了雷射光路的邊緣部分 重疊島狀半導體膜的情況的出現，也不會發生什麽問題。 同樣，即使阻止了雷射光路的邊緣部分重疊島狀半導體膜 的情況的出現，或用如第三實施例一樣的快門阻止了雷射 彼此重疊的情況發生’也不會有什麽問題。 可以結合第一到第三實施例實現本實施例。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x 297公釐） 1258821 A7 B7 五、發明説明（24) [實施例5] 在本實施例中，將說明設置在標記形成部分423上的 標記的例子。 圖1 6 A顯示本實施例標記的頂視圖。標號421和422 表示作爲形成在半導體膜上的參考點的標記（以下稱爲“ 參考標記”），每一個參考標記具有矩形形狀。所有的參 考標記4 2 1被設置成使矩形的長邊沿水平方向延伸，同時 梦考標記4 2 1在垂直方向以一定的間隔放置。所有的參考 標記4 2 2被設置成使矩形的長邊側在垂直方向延伸，且參 考標記422沿水平方向以一定的間隔放置。 參考標記421爲決定關於掩模在垂直方向位置的參考 點，同時參考標記4U爲決定關於掩模在水平方向位置的 參考點。標號424和425表示圖形化半導體膜的掩模的標 記，其中每一個標記具有矩形的形狀。決定半導體圖形化 的掩模的位置使矩形標記424的長邊沿水平方向設置，而 矩形標記4 2 5的長邊沿垂直方向設置。另外，決定半導體 圖形化的掩模的位置，使掩模精確定位在決定標記424的 兩個相鄰的參考標記42 1間之中央處，同樣精確定位在決 定標記42 5的兩個相鄰的參考標記422之中央處。 圖1 6B是形成在半導體膜內的參考標記的透視圖。形 成在基底43 1上的半導體膜43 0的部分由雷射分割成矩形 且分割部分作爲參考標記42 1和422。 需要注意的是本實施例中說明的標記只是一個示例， 且本發明的標記並不限於這些標記。只要可以在半導體膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ............................A7五、發明説明（2马 由雷射結晶以前形成本發明的標記，且即使在雷射照射結 晶以後也可使用標記就不會有問題。 可以結合第一到第四實施例以實施本實施例。 [實施例6] 在本實施例中，將說明使用本發明的八個雷射振盪裝 置的光學系統。 圖1 7和圖1 8顯示本發明的雷射裝置的光學系統的具 體結構。圖1 7是本發明的雷射裝置的光學系統的側視圖， 而圖1 8是從圖17的箭頭B方向看的側視圖。注意，從圖 1 8的箭頭A的方向看的側視圖對應於圖1 7。 本實施例分別顯示將八個束斑組合成一個束斑情況的 光學系統。注意在本發明中，要合成的束斑的數量並不限 於此，且只要所要合成的束斑的數目是在2到8的範圍內 就不會有問題。 參考標號441到450每一個都表示一個圓柱透鏡，且 本實施例的光學系統使用十二個圓柱透鏡，儘管沒有在圖 1 7和圖1 8中顯示出來。圖1 9是圖1 7和圖1 8所示的光學 系統的透視圖。從不同的雷射振盪裝置産生的雷射分別入 射到圓柱透鏡441到444上。 然後，其束斑形狀已經過圓柱透鏡4 5 0和44 5處理的 雷射入射到圓柱透鏡44 1上。入射雷射的束斑形狀由圓柱 透鏡441處理，且照射到要處理的物體440上。同樣，其 束斑形狀已經過圓柱透鏡45 1和446處理的雷射入射到圚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^衣---- • V! · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐） -29- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 ......................... .. ..................................................—.......................於..........................................-.….…-—-.一…—五、發明説明（珥 柱透鏡442上。入射雷射的束斑形狀由圓柱透鏡442處理 ，且照射到要處理的物體440上。同樣，其束斑形狀已經 過圓柱透鏡449和447處理的雷射入射到圓柱透鏡443上 。入射雷射的束斑形狀由圓柱透鏡443處理且照射到要處 理的物體4 4 0上。同樣，其束斑形狀已經過圓柱透鏡4 5 2 和448處理的雷射入射到圓柱透鏡444上。入射雷射的束 斑形狀由圓柱透鏡444處理，且照射到要處理的物體440 上。 在要處理的物體440上，雷射的束斑彼此重疊且組合 成一個束斑。 這裏需要注意的是，在本實施例中，最靠近要處理物 體440的圓柱透鏡441和442的焦距定爲20mm，而圓柱透 鏡4 4 5到4 5 2的焦距設定爲1 5 〇 m m。另外，在本實施例中 ，把每一透鏡設定爲使從圓柱透鏡441和452入射到要處 理的物體44 0的入射角Θ!爲25°，而把從圓柱透鏡445到 452到圓柱透鏡441和442的雷射的入射角θ2爲10°。 這裏必須注意的是，對於設計者可以設定合適的每一 透鏡的焦距和入射角。另外，圓柱透鏡的數目不限於此， 且光學系統不限於使用圓柱透鏡。使用能夠處理從每個雷 射振盪裝置中振盪産生的雷射的束斑，以得到適於半導體 膜結晶的形狀和能量密度、且能夠藉由使束斑彼此重疊來 組合所有雷射的束斑的光學系統對於本實施例就足夠了。 這裏需要說明的是，在本實施例中，已說明了八個束 斑合成的例子。在這種情況下，設置有分別對應於八個雷 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨(^297公釐） -30- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ..................〜Ή*Τ................—........…............-....................-................. .....________五、發明説明（27) 射振盪裝置的八個圓柱透鏡，和分別對應於八個圓柱透鏡 的四個圓柱透鏡。 可以結合第一到第五實施例以實施本實施例。 [實施例7] 在本實施例中，將參照附圖25到28說明製作主動矩 陣基底的方法。爲了方便起見，將在其上一起形成有CMOS 電路、一驅動電路、和具有圖素TFT和保持電容的圖素部 分的基底稱爲主動矩陣基底。 首先，本實施例中使用了由例如硼矽酸鋇玻璃和硼矽 酸鋁玻璃的玻璃形成的基底600。基底600可以是在其表面 上具有絕緣膜的一石英基底、一矽基底、一金屬基底或者 是一不銹鋼基底。在本實施例中，基底6 0 0可以是能忍受 處理溫度的具有耐熱性的塑膠基底。 接下來，藉由公知的方法（例如濺射的方法、LPCVD 方法和電漿CVD方法）（圖25A)在基底601上形成非晶 半導體膜692。在本實施例中，形成非晶半導體膜。但是， 也可以形成微晶體半導體膜和結晶半導體膜。另外，可以 採用如非晶砂鍺膜的具有非晶結構的化合物半導體膜。 非晶半導體膜6 92藉由採用雷射結晶的方式結晶。雷 射結晶是藉由使用本發明的雷射裝置進行的。在本發明中 ，非晶半導體膜的一部分是根據輸入到雷射裝置的CPU中 的掩模資訊進行結晶的。當然，結晶不僅可用雷射進行， 而且也可以組合其他已知的結晶方法進行（利用RTA和退 I 衣--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -31 - 1258821
五、發明説明（28) 火爐或利用金屬元素加速結晶的熱結晶方法）。 當進行非晶半導體膜的結晶時，較佳地，利用能夠連 續振盪的固態雷射器施加基波的二次諧波到四次|皆波以得 到一大晶粒尺寸的晶體。一般較佳的，施加N d : Y V 0 4雷射 器（ 1 064nm的基波）的二次諧波（波長爲5 3 2nm)或者三 次諧波（波長爲3 5 5 n m )。特別地，從具有1 〇 w輸出的連 續振盪型YV〇4雷射器發出的雷射光束藉由使用非線性光學 元件轉換成諧波。然後，更佳地，由光學系統將雷射光束 形成爲矩形的或者橢圓形，從而照射到要處理的基底上。 此時’大約需要有0.01到100 MW/cm2(較佳爲0.1到1〇 MW/cm2)的能量密度。半導體膜以大約10到2〇〇〇cm/s的 速度相對於雷射光束移動以照射半導體膜。 注意’可以利用連續振盪型或脈衝振盪型的氣態雷射 器或固態雷射器。如準分子雷射器、氬（Ar )雷射器、氪 (Kr雷射器）的氣態雷射器和如YAG雷射器、Yv〇4雷射 器、YLF雷射器、ΥΑ1〇3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷 射器、翠綠寶石雷射器、Ti:藍寶石雷射器、γ2〇3雷射器的 固態雷射器都可以被當成雷射光束。同樣，其中摻雜Cr、 Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti、Yb 或 Tm 的如 YAG 雷射器、 YV04雷射器、YLF雷射器 YAL03雷射器的晶體可被當 成固態雷射器。雷射器的基波因摻雜的材料不同而不同， 因此得到了具有基波爲大約1 μ m的雷射光束。藉由使用非 線性光學元件可以得到對應於基波的諧波。 藉由上述的雷射結晶，在非晶半導體膜的一部分結晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） I I Ϊ- ^ 裝—一I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Φ 經濟部智慧財產局S(工消費合作社印製 -32- 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（29) 形成結晶區域693、694和695 (圖25B )。 藉由執行結晶的半導體膜圖形化處理成增加結晶度的 理想形狀，可從結晶區域693、694和695形成島狀半導體 膜 602 到 606 (圖 25C )。 在島狀半導體膜602到606形成以後，添加進少量的 雜質元素（硼或磷）以控制 TFT的臨界値。 接下來，形成覆蓋島狀半導體膜602到606的閘極絕 緣膜607。該閘極絕緣膜607是利用含有矽的厚度爲40到 1 5 Onm的絕緣膜，藉由利用電漿CVD方法或濺射的方法而 得到的。在本實施例中，用電漿CVD的方法形成厚度爲 1 1 Onm的氮氧化矽膜（組合比率：Si = 32%、〇 = 59%、N 二7 %和Η = 2 % )。値得注意的是，閘極絕緣膜不限於氮 氧化矽膜，而含其他矽絕緣膜也可以當成單個塗層或重疊 墊。 當利用氧化矽膜時，其可以藉由電漿CVD的方法混合 四乙基正矽酸鹽（TEOS )和02而得到，其可以在40Pa的 反應壓力、3〇〇到4〇〇°C的基底溫度和〇.5到0.8 W/cm2的 高頻（13.5 όΜΗζ)功率密度的條件下放電。而後在400到 5 00 °C下的熱退火，以對依照這種方法生産的作爲閘極絕緣 膜的二氧化矽膜提供好的特性。 接下來，厚度爲20到lOOnm的第一導電膜608和厚度 爲100到400nm的第二導電膜6〇9堆積到閘極絕緣膜607 上。在本實施例中，堆積由30nm厚的TaN膜形成的第一 導電膜6 0 8和由3 7 0 n m厚的W膜形成的第二導電膜6 0 9。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 x 297公釐） -33» 1258821 經濟部智慈財產局8工消費合作社印製 … A 7 _____— B7................................................................................................................... .五、發明説明（3q> TaN膜用Ta靶形成以便在含氮的環境中進行濺射。w膜用 W耙形成以便進行濺射。或者，也可以利用六氟化鎢（wF6 )’藉由熱CVD方法來形成。在這兩種情況下，閘極電極 需要使用低的電阻。因此，W膜的電阻率理想的是20μΩcm 或更少。可以藉由增加晶粒的尺寸來得到W膜的低電阻。 但是，當W膜含有大量的雜質元素例如氧時，結晶被終止 ，增加了電阻。因此地，在本實施例中，W膜是藉由利用 高純度（99.9999%的純度）的w靶濺射的方法，並考慮在 膜成形期間的阻止雜質從氣相侵入。從而，可得到9到 20μΩ(：πι的電阻率。 同時，在本實施例中，第一導電膜608是TaN，而第 二導電膜是W’其並不限於此。兩者都可以是從Ta、W、 Ti、Mo、Al、Cu、Cr和Nd中選的一個元素或是主要包含 該元素的一合金材料或化合物材料。同時，半導體膜例如 可以利用在其中摻雜有如磷的雜質元素的多晶矽膜。也可 以利用AgPdCu合金。可以是由鉅（Ta )膜形成的第一導 電膜和由W膜形成的第二導電膜的組合、由氮化鈦（TiN )膜形成的第一導電膜和由W膜形成的第二導電膜的組合 、由氮化鉅（T aN )膜形成的第一導電膜和由W膜形成的 第二導電膜的組合、由氮化鉅（TaN )膜形成的第一導電膜 和由A1膜形成的第二導電膜的組合、或由氮化鉅（TaN ) 膜形成的第一導電膜和由銅（Cu )膜形成的第二導電膜的 組合。 另外，本發明並不限於兩層結構。例如，可以利用鎢 本紐「張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X 297公釐） ~ ' ~ -34 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ... ..............................B7.…—..............................................................................五、發明説明（31) 膜、錦和砂（A1 - S i )的合金膜和氮化鈦膜順序重疊的三 層膜。在該三層結構中，可用氮化鎢膜取代鎢膜，可用錦 和鈦（Al— Ti)的合金膜取代鋁和矽（A1 - Si)的合金膜， 並可以用鈦膜取代氮化鈦膜。 注意，根據導電膜的材料適當地選擇合適的蝕刻方法 或多種蝕刻劑是很重要的。 接下來，用光微影法形成由抗蝕劑製成的掩模6 1 0到 6 1 5 ’且在其上進行第一蝕刻處理，以形成電極和接線。在 第一和第二蝕刻條件下（圖26B )執行第一鈾刻處理。在 本實施例中的第一蝕刻條件是利用感應耦合電漿（ICP )蝕 刻且利用CF4和Cl2和02作爲蝕刻氣體，其氣體的量分別 爲25 / 25 / 1 0 ( SCCm)。以IPa的壓力給線圈狀電極提供 RF ( 13.56MHz)的5 00W功率以産生電漿並進行蝕刻。給基 底側（測試樣品台）也提供RF ( l3.56MHz)的l5〇W功率且 基本上施加負自偏置電壓。W膜在第一蝕刻條件下蝕刻以 得到錐形的第一導電層的目的。 之後，不必去除抗蝕劑製成的掩模6 1 0到6 1 5，將第一 鈾刻條件轉換爲第二蝕刻條件。然後用CF4和Cl2作爲蝕刻 氣體。氣體流量的比率爲3 0/3 0 ( seem )。以IPa的壓力對 線圈狀電極提供RF ( 13.56MHz )的5 00W功率以産生電漿 並進行蝕刻3 0秒。對基底側（測試樣本台）提供 RF ( IS.56MHZ)的20W功率且基本上施加負自偏置電壓。在第 二蝕刻條件下混合CF4和Cl2氣體，W膜和TiN膜都蝕刻 到相同的程度。爲了蝕刻不在閘極絕緣膜上留下殘渣，可 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -35- 1258821
A7 BT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（32) 以將蝕刻時間增加10%到20%多。 在第一蝕刻處理中，當抗蝕劑製成的掩模的形狀合適 時，第一和第二導電層的末端的形狀爲錐形，這是因爲加 在基底側的偏壓造成的。錐形部分的角度爲15°到45°。因 此，形成第一形式的導電層6 1 7至622，其包括藉由第一蝕 刻處理形成的第一導電層和第二導電層（第一導電層617a 到622a和第二導電層617b到622b)。在閘極絕緣膜616 中，沒有被第一形式的導電層6 17到622覆蓋的區域被蝕 刻約20到5 Onm以形成較薄的區域。 接下來，不必去除由抗蝕劑製成的掩模（圖26C )地 進行第二蝕刻處理。這裏以CF4，Cl2和02作爲蝕刻氣體有 選擇地蝕刻W膜。然後，藉由第二蝕刻處理形成第二導電 層628b到63 3 b。另一方面，第一導電層617a到622a很難 蝕刻，而後形成第二形式之導電層62 8到63 3。 不必去除由抗鈾劑製成的掩模地進行第一摻雜處理， 並添加使半導體層爲η型的低濃度雜質元素。摻雜處理可 以藉由離子摻雜法或離子注入法實施。在劑量爲lx 10 13到 5xl014atoms/cm2和加速電壓爲40到80kV的條件下執行離 子摻雜法。在這一實施例中，在劑量爲1.5xl013atoms/cm2 和加速電壓爲6〇kV的條件下執行離子摻雜法。n型摻雜雜 質元素可以是15族元素，典型的爲磷（Ρ )或砷（As )。 這裏使用磷（P )。在這種情況下，導電層62 8到63 3作爲 η型摻雜雜質元素的掩模。因此，以自對準的方式形成雜質 區域623到62 7。密度範圍爲]X 1〇]8到1 X l〇2Gatoms/cm3的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -¾衣----：---1T-------^--tv 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -36- 1258821 kl 經濟部智慧財產局g(工消費合作社卬製 五、發明説明（3今 η型摻雜雜質元素被摻雜到雜質區域623到627。 當去除由抗蝕劑製成的掩模時，形成新的由抗蝕劑製 成的掩模63 4a到63 4c。然後，藉由利用比用在第一摻雜處 理中更高的加速電壓來執行第二摻雜處理。在劑量爲 ΙχΙΟ13到lxl015atoms/cm2和加速電壓爲60到120kV的條 件下執行離子摻雜法。在摻雜處理中，使第二導電層628b 到632b作爲掩模阻擋雜質元素。執行摻雜處理使雜質元素 可以被摻雜到在第一導電層的錐形部分的底面處的半導體 膜。然後，藉由利用具有比在第二摻雜處理中低的加速電 壓執行第三摻雜處理以得到圖27A所示的條件。在劑量爲 lxl〇15到lxl017atoms/cm2和加速電壓爲50到100kV的條 件下執行離子摻雜法。經過第二摻雜處理和第三摻雜處理 ，密度範圍爲lxlO18到5xl019atoms/cm3的η型摻雜雜質元 素被摻雜到與第一導電層相重疊的低密度雜質區域636、 642 和 648 中。密度範圍爲 ΙχΙΟ19 到 5xl021atoms/cm3 的 η 型摻雜雜質元素被摻雜到高密度雜質區域63 5、641、644 和647中。 用適當的加速電壓，藉由執行第二摻雜處理和第三摻 雜處理可以形成低密度雜質區域和高密度雜質區域。 接下來，在去除由抗蝕劑製成的掩模後，形成了新的 由抗蝕劑製成的掩模65 0a到65 0c以便進行第四摻雜處理 。藉由第四摻雜處理，雜質區域6 5 3、654、659和660，其 中摻雜與一種導電類型相反的導電類型的雜質元素，該雜 質區域加在一個爲p通道型TFT的主動層的半導體層中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 袭----：---、玎----- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -37- 1258821 A7 ...... - - .......g y 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（叫 第二導電層62 8a到63 2a作爲掩模阻擋雜質元素，且摻雜p 型雜質元素以自對準的方式形成雜質區域。在本實施例中 ，藉由離子摻雜法，用乙硼烷（B2H6)形成雜質區域65 3、 654、659和660(圖2 73)。在第四摻雜處理過程中，形 成的η通道TFT的半導體層被由抗蝕劑製成的掩模65 0a到 6 5 0c覆蓋。藉由第一到第三摻雜處理，不同密度的磷被添 加到每一個雜質區域653、654、659和66〇中。摻雜處理 的實施使得兩個區域中的P型摻雜雜質元素的密度爲 ΙχΙΟ19到5xl021atomS/cm3。因此，當其作爲p通道TFT的 源極區和汲極區時都不會發生問題。 分別經過以上的處理，在島狀半導體層中形成雜質區 〇 接下來，去除由抗蝕劑製成的掩模65 0a到65 0c，並在 其上形成第一中間層絕緣膜66 1。第一中間層絕緣膜66 1可 以是一厚度爲1 〇 〇到2 0 0 n m的含矽絕緣膜，它是藉由電漿 CVD方法或濺射方法形成的。在這一實施例中，藉由電漿 CVD方法形成厚度爲1 50 nm的氮氧化矽膜。第一中間層絕 緣膜66 1並不限於氮氧化矽膜，而可以是在單層或重疊墊 中含有矽的其他絕緣膜。 接下來，如圖2 7 C所示，利用雷射照射方法進行啓動 處理。當利用雷射退火方法時，可以利用結晶化中使用的 雷射器。當執行啓動處理時，移動速度與結晶化速度相同 ，需要的能量密度約爲〇.〇1到1〇〇 MW/cm2(較佳的爲 到]0 MW/c.m2)。同樣的，在執行結晶化的情況下可以利周 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0X 297公釐） -38- 1258821 A7 …一…一 ..........................................职- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（3玲 連續振盪雷射器，而在執行啓動的情況下可以利用脈衝振 盪雷射器。 同樣的，可以在形成第一中間層絕緣膜以前執行啓動 處理。 在熱處理之後（在3 00到5 5 0°C進行1到12小時的熱處 理），可以執行加氫處理。這一處理用包含在第一中間層絕 緣膜66 1中的氫終止了半導體層中的懸垂鍵。同時，加氫 可以是電漿加氫（利用由電漿激勵的氫）或者在含有3到 1 〇 〇 %氫的氣氛中，在3 0 0到6 5 0 °C進行1到1 2小時的熱處 理。 接下來，在第一中間層絕緣膜661上，藉由無機絕緣 材料或有機絕緣材料形成第二中間層絕緣膜662。在本實施 例中，形成厚度爲1.6μπι的丙烯酸樹脂膜。但是，可以利 用粘度爲10到l〇〇〇cp，較佳的爲40到200 cp且在表面上 具有凹陷和凸起的丙烯酸樹脂膜。 在本實施例中，爲了阻止鏡面反射，形成在表面上具 有凸起和凹陷的第二中間層絕緣膜。因此，在圖素電極的 表面形成凸起和凹陷。爲了藉由在圖素電極的表面形成凸 起和凹陷而得到光散射的效果，凸起部分可以形成在圖素 電極下方。在這種情況下，可以利用與形成TFT相同的光 掩模來形成凸起部分。因此，可以不用增加任何步驟地形 成凸起部分。根據需要，可在基底上的除接線和TFT部分 外的圖素區域設置凸起部分。因此，可以在圖素電極表面 上、沿覆蓋凸起部分的絕緣膜的表面上所形成的凸起和凹 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .Γ 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4規格（2I0 X 297公f ) -39- 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局员工消費合作社印製
五、發明説明（％ 陷形成凸起或凹陷。 另外，第二中間層絕緣膜662可以是具有展平表面的 膜。在這種情況下，在形成圖素電極以後，藉由進行例如 公知的噴砂法和蝕刻法的添加處理，在表面形成凸起和凹 陷。較佳地，藉由阻止鏡面反射和散射反射的光，提高了 白度。 接下來，在形成第二中間層絕緣膜662以後、形成第 三中間層絕緣膜672以接觸第二中間層絕緣膜662。 在驅動電路686中形成分別電連接到雜質區域的接線 66 3到667。這些接線是藉由圖形化厚度爲50nm的Ti膜和 厚度爲5〇〇nm的合金膜（A1和Ti的合金膜）之層疊而得 到的。它不限於兩層結構也可以是一層結構或含三層或更 多層的重疊結構。接線的材料也不限於A1和T i。例如，接 線可以藉由在TaN膜上形成A1或Cu、然後藉由圖形化其 中形成有Ti膜的重疊膜而形成（圖28)。 在圖素部分687內，形成一個圖素電極670，一個閘極 接線6 6 9和一個連接電極6 6 8。藉由連接電極6 6 8將源極線 (層633a和633b的重疊）和圖素TFT 684電連接。閘極 接線669與圖素TFT 684的閘極電極電連接。圖素電極670 與圖素TFT 684的汲極區電連接。另外，圖素電極670與 作爲形成電極的半導體層6〇6電連接一儲存電容器。理想 的是，將如主要含A1或Ag的膜或重疊膜的具有極好的反 射性的材料用於圖素電極670。 在這種方式下，可以在同一基底上形成具有一個CMOS I u Γ 1 I —g - - 1— r士I i - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
：IT 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2]0X 297公釐） -40- 1258821 A7 1B7 五、發明説明（3乃 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電路和一個圖素部分687的驅動電路686，該CMOS電路包 括一個η通道TFT 681、一個p通道TFT 682、一個η通道 TFT 6 83，該圖素部分687具有圖素TFT 684和保持電容器 685。因此完成一個主動矩陣基底。 驅動電路686的η通道TFT681具有一個通道形成區域 63 7，一個與第一導電層62 8a重疊的低密度雜質區域63 6， 其形成爲閘極電極（GOLD區域）的一部分，和一個當成 源極區域或汲極區域的高密度雜質區域6 5 2被注入。藉由 電極666連接的與η通道TFT 681 —起形成CMOS電路的 P通道TFT 68 2具有一通道形成區域640，一個當成源極區 域或汲極區域的高密度雜質區域653和一個植入p型摻雜 雜質元素的雜質區域654。η通道TFT 683具有一個通道形 成區域643、一個與第一導電層63 0a重疊的低密度雜質區 域642，其形成爲閘極電極（GOLD區域）的一部分、和 一個當成源極區域或汲極區域的高密度雜質區域6 5 6。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖素部分的圖素TFT 684具有一個通道形成區域646、 一個形成在閘極（LDD區域）的外面的低密度雜質區域 645和一當成源極區域或汲極區域的高密度雜質區域65 8。 η型摻雜雜質元素和p型摻雜雜質元素被添加到當成儲存電 容器6 8 5的一個電極的半導體膜中。該儲存電容器685是 利用絕緣膜6 1 6作爲電介質由一電極（層6 3 2 a和6 3 2 b的 重疊）和半導體層而形成的。 在本實施例中的圖素結構排列成使光可以在圖素電極 之間的空間被阻擋，且圖素電極的末端可以不必使用黑色 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -41 - 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明説明（3今 基質地與源極接線重疊。 可以結合實施例1到8來實施本實施例。 [實施例8] 下面以圖29說明本實施例，其使用由實施例7製成的 主動矩陣基底以製造反射型液晶顯示裝置。 首先，根據實施例7在圖28的狀態得到一個主動矩陣 基底以後，至少在圖28所示的主動矩陣基底上的圖素電極 6 70上形成配向膜867並進行硏磨處理。順便提一句，在本 實施例中，在形成配向膜867之前，丙烯酸樹脂膜的有機 樹脂被圖形化以在理想的位置形成柱狀墊片872以有間隙 地支撐基底。同時，代替柱狀墊片的球形墊片亦可以分佈 在基底的整個表面上。 然後，準備相反基底869。接著，在相反基底869上形 成彩色層870、871和平面膜873。藉由將一紅色層870和 一藍色層871重疊在一起以形成一遮光部分。同時，遮光 部分也可以藉由部分重疊一紅色層和一藍色層而形成。 在本實施例中使用如實施例7所示的基底。需要至少 遮擋閘極接線669和圖素電極670間的間隙、閘極接線669 和連接電極668間的間隙以及連接電極668和圖素電極670 間的間隙。在這一實施例中，藉由設置彩色層將基底粘合 在一起，以使具有彩色層重疊的遮光部分與將要被遮光的 部分重疊。 按照這種方式，藉由遮光部分遮擋斷素間的間隙，從 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42- 1258821 Α7 五、發明説明（39) 而減少處理的次數’該遮光部分具有不必形成如黑色基質 的遮光層的彩色層重疊。 然後’在至少圖素部分中的平面膜8 7 3上形成透明的 導電膜的相反電極876。在相反基底的整個表面上形成一配 向膜8 7 4，並進行硏磨處理。 然後’與圖素部分和驅動電路一同形成的主動矩陣基 底及相反基底由密封構件868粘合在一起。密封構件868 中ί爹有纟眞充料’以使塡充料和柱形墊片與兩個基底藉由一 平坦的空間粘合在一起。然後，液晶材料8 7 5澆注在基底 之間’並由密封劑（未示出）完全密封。該液晶材料875 可以是公知的液晶材料。在這種方式下，完成的是如圖29 所示的反射型液晶顯示裝置。如果需要的話，主動矩陣基 底或相反基底可以分割成理想的形狀。另外，一偏振板（ 未示出）只粘合在相反基底上。然後，用已知的技術粘合 FPC。 如上製造的液晶顯不裝置包括由半導體膜製造的Τρτ ，其中被具有周期或均勻能量分佈的雷射光束照射，且形 成具有大晶粒尺寸的晶粒。因此’該液晶顯示裝置保證了 好的操作特性和高的可靠性。該液晶顯示裝置可以當成各 種電子儀器中的顯示部分。 順便δ兌一下’可以結合貫施例1到7來實施本實施例 [實施例9] 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ：297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝----Ί · 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '43- 1258821 A7 ..........................................................—...................................................................................................B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（40) 本實施例說明當在實施例7中製造主動矩陣基底時， 藉由利用製造TFT的方法製造光發射裝置的例子。在本說 明書中，光發射裝置通常指的是具有形成在被密封在基底 和密封構件間的基底上具有光發射元件的顯示面板，和具 有安裝在顯示面板上的TFT等的顯示元件。順便說一下， 光發射元件具有包括藉由施加電場得到電發光的有機化合 物的層（光發射層）、陽極層和陰極層。同時，在化合物 中的電發光包括有依據從單受激態返回到基態（熒光）的 光發射和依據從三重受激狀態返回到基態（磷光）的光發 射，包括光發射中的任何一個或兩個都包括。 注意，在本說明書中，配置在光發射元件中的陽極和 陰極間的所有層被定義爲有機光發射層。特別地，有機光 發射層包括有一光發射層、一電洞注入層、一電子注入層 、一電洞傳送層、一電子傳送層等等。光發射元件的基本 結構是按如下順序排列的：一陽極層、一光發射層、一陰 極層重疊的疊層。該基本結構可以改變爲以此順序排列的 :一陽極層、一電洞注入層、一光發射層和一陰極層重疊 的疊層，或是以此順序排列的：一陽極層、一電洞注入層 、一光發射層、一電子傳送層和一陰極層重疊的疊層。 包括電洞注入層、電子注入層、電洞傳送層和電子傳 送層的該光發射元件可以是僅由無機化合物形成，也可以 由有機化合物和無機化合物混合的材料形成。該光發射元 件可以藉由這些層的混合而形成。 圖3〇A是藉由第三中間層絕緣膜750製造的本實施例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -44- 1258821 A7 ............................................................................................................................B7..........................................................—............................................ 五、發明説明（41) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的光發射裝置的剖視圖。在圖30A中，在基底700上的開 關TFT 73 3和電流控制TFT 734是藉由使用實施例7的製 造方法製造的。順便說一下，儘管本實施例是由兩個通道 形成區域形成的雙閘極結構，但也可以使用由一個通道形 成區域形成的單閘極結構或使用由三個通道形成區域形成 的三重閘極結構。 設置在基底700上的驅動電路中的η通道TFT 731和p 通道TFT 73 2藉由採用實施例7中的製造方法來形成。順 便說一下，儘管本實施例是一單閘極結構，但也可以使用 雙閘極結構或是三重閘極結構。 在光發射裝置的情況下，第三中間層絕緣膜750對於 阻止包含在第二中間層絕緣膜75 1中的水滲透到有機光發 .射層中是有效的。如果第二中間層絕緣膜75 1具有有機樹 脂材料，則配置第三中間層絕緣膜是75 0有效的，這是因 爲有機樹脂層含有許多水。 獻 完成直至實施例7中的形成第三中間層絕緣膜步驟的 製造過程，以使圖素電極7 1 1形成在第三中間層絕緣膜750 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上。 冋時’標號7 1 1是由透明的導電膜形成的圖素電極（ 光發射元件的陽極）。可以利用氧化銦和氧化錫的化合物 、氧化銦和氧化鋅的化合物、氧化鋅、氧化錫或氧化銦作 爲透明的導電膜。也可以利用添加了鎵的透明導電膜。圖 素電極7 1 1是形成接線前，在平坦的第三中間層絕緣膜7 5 〇 上形成的。在本實施例中，因爲TFT而藉由使用由樹脂製 本紙張尺度適用中Bill家標準（CNS ) A4規格(2H)X 297公羞） -45- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ...............，·,··.、 —~—- ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------- ----- B7五、發明説明（42) 成的第二中間層絕緣膜75 1來平整化步階是非常重要的。 要形成後者，光發射層，因爲極薄，所以可以由於步階的 存在而引起差的光發射。因此，理想的是在形成圖素電極 前先進行平整化，以使光發射層盡可能平地形成。 在形成圖素電極71 1以後，分別在閘極絕緣膜75 2、第 一中間層絕緣膜75 3、第二中間層絕緣膜751、第三中間層 絕緣膜75 0中形成接觸孔。形成導電膜用於重疊位於第三 中間層絕緣膜750上的圖素電極71 1，並形成抗蝕劑760。 藉由蝕刻導電膜，利用抗蝕劑760形成電連接到TFT的每 一個雜質區域的接線701至7〇7。注意，在50nm厚的Ti 膜和5〇Onm厚的合金膜（A1和Ti的合金膜）的重疊膜圖 形化以形成接線。對於兩層結構沒有限制，當然，也可以 利用單層結構或具有三層或更多層的重疊結構。另外，接 線材料也不限於A1和Ti。例如：重疊膜可以圖形化以形成 接線，其中A1或Au形成在TaN膜上，之後形成一 Ti膜（ 圖 30B )。 接線7〇7是電流控制TFT 734的源極接線（對應於電 流供給線）。標號7 0 6是一個藉由與電流控制T F T 7 3 4的 圖素電極711重疊而將圖素電極711相連接的電極。 在形成接線701到707以後，如圖30B所示，不必去 除抗蝕劑760而形成鈍化膜7 1 2。形成該鈍化膜7 1 2以便疊 蓋接線7〇1到707、第三中間層絕緣膜750和抗蝕劑760。 該鈍化膜7 1 2由氮化矽膜、氮氧化矽膜、氮化鋁膜或包括 氮氧化鋁的絕緣膜構成。該絕緣膜被用在單層或組合重疊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） " -46- . .......r! -: I i _ir........... HI m (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 / —^ϋι >·Βϋ— an-n 1_1_11 ϋ·^^— ·ϋϋ] · 1258821 A7 ............................................................--------------------------------------------- ' * 丨 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（43) 中。圖素電極7 1 1的一部分藉由蝕刻鈍化膜7 1 2而暴露出 〇 在圖素電極7 1 1上形成一光發射層7 1 3。順便說一下， 儘管圖3 Ο B僅顯示一個圖素，但本實施例單獨地形成對應 各自的色彩R (紅）、G (綠）、B (藍）的光發射層。同 時，在本實施例中，藉由沈積的方法形成低分子量的有機 光發射材料。特別是，這是一具有作爲電洞注入層的厚度 爲20nm的銅 菁（CuPc)膜和一作爲光發射層的厚度爲 70nm 的三-8-經基 林銘化合物（tris-8-qyuinolinolato aluminu complex)(Alq3)膜的重疊結構。發射光的顔色可以 藉由向Alq3添加熒光顔料如 吖啶酮、二萘嵌苯或DCM1 來控制。 但是，以上的例子是一個把有機的光發射材料當成光 發射層的例子，但不必限於此。令人滿意的是藉由自由組 合光發射層、電荷傳送層和電荷注入層形成光發射層（用 於光發射和載子運動的層）。例如，儘管在這一實施例中 顯示把低分子量的有機的光發射材料用於光發射層的示例 ，但也可以使用中分子量的有機光發射材料或者高分子量 的有機光發射材料。在本說明書中，中分子量的有機光發 射材料可被限定爲沒有升化性能或溶解性能的有機化合物 的集合體（較佳具有分子性爲1 〇或更少的集合體），或是 分子鏈長度爲5μιη或更短（較佳5〇nm或更短）的有機化 合物。作爲利用高分子量電發光發射材料的例子，重疊板 可藉由旋轉塗覆方法由作爲電洞注入層的厚度爲2 Onm的聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • Ί— If J— · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -47 - 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（44) 噻吩（PEDOT )膜，和由作爲光發射層的厚度爲l〇〇nm的 對亞苯基亞乙烯（paraphenylene-vinylene ) (PP V)膜製成 。光發射波長可以藉由利用P p V的π共軛系統高分子從紅 光波到藍光波進行選擇。可以利用無機材料例如碳化矽作 爲電荷傳送層和電荷注入層。這些有機光發射材料和無機 光發射材料由已知材料形成。 接下來，在光發射層713上提供導電膜的陰極714。在 本實施例中，用鋁和鋰的合金作爲導電膜。可以利用已知 的MgAg膜（鎂和銀的合金膜）。可以利用屬於元素周期 表的1或2族的元素的導電膜或添加有這一元素的導電膜 作爲陰極材料。 在已形成到陰極7 1 4的時候便製成了光發射元件7 1 5。 順便說一下，這裏的光發射元件7 1 5指的是同圖素電極（ 陽極）7 1 1、光發射層7 1 3和陰極7 1 4 —起形成的二極體。 以這種方式提供保護膜754來完全覆蓋光發射元件715 是有效的。該保護膜754是由包括碳膜、氮化矽膜或氮氧 化矽膜的絕緣膜形成，且使用的是單層或疊層結構的絕緣 在這種情況下，較佳的，使用易於覆蓋的膜作爲保護 膜7 54。利用碳膜，特別是DLC (類金剛石碳）膜是有效 的。該DLC膜能夠在從室溫到100 °C或更低的溫度範圍內 沈積，可以容易地以低耐熱方式沈積在光發射層7 1 3上。 同時，該DLC膜具有高的阻擋氧的作用，可以抑制光發射 層7 1 3氧化。因此，在隨後的密封處理中，防止光發射層 ·_ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝----Ί · 、-?口 * ft J----------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -48- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7' 五、發明説明（4马 7 13的氧化是一個問題。 在本實施例中，光發射層7 1 3與具有高遮擋作用的例 如碳膜、氮化矽膜、氮氧化矽、氮化鋁或氮氧化鋁的無機 絕緣膜完全重疊，使其可以有效地阻止由於水和氧侵入光 發射層而造成的光發射層的損壞。 另外，對於第三中間層絕緣膜750、鈍化膜712、有效 地阻止了雜質滲入到光發射層的保護膜754較佳地使用藉 由把矽作爲靶的濺射方法而形成的氮矽膜。可以適當地選 擇沈積條件，較佳的，用氮氣（N2 )或氮和氬氣的混合氣 體作爲濺射氣體，藉由施加高頻電來實施濺射。基底溫度 可以設定爲室溫，無需使用加熱裝置。如果已經形成了有 機絕緣膜和無機化合物層，則較佳的，不用加熱基底就能 進行沈積。但是，爲了完全去除所吸收的水或冷凝水，較 佳地，藉由在真空下，在大約50到10(TC加熱幾分鐘到幾 小時以完成脫水處理。 藉由濺射方法在以下條件下形成氮化矽膜··在室溫下 利用矽作爲靶；施加13.56MHz的高頻電；並使用氮氣，其 特徵在於觀察不到在紅外吸收光譜中的N-H共生體和Si-H 共生體的吸收峰及S i - Ο共生體的吸收峰。氧的密度和氫的 密度不超過1 %。因此，可以更有效地阻止例如氧和水的雜 質滲透到光發射層。 另外，密封構件717和光發射層715重疊以粘合蓋構 件7 1 8。所使用的密封件7 1 7可以是可紫外光固化的樹脂。 在其間提供一具有吸濕效果和抗氧化效果的基底是有效的 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） … -49 - - - - y In I ^ : 1 !- I - ml ..... (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂------- 1258821 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（46) 。同時，在本實施例中，對於蓋構件7 1 8，用的是在其兩側 上形成有碳膜（較佳類金剛石碳膜）的玻璃基底、石英基 底或塑膠基底（包括塑膠膜）。 因此，完成了具有如圖3 0B所示結構的光發射裝置的 製作。順便說明一下，多技術室方案（或在線方案）的澱 積裝置形成鈍化膜7 1 2後，可以在不暴露於空氣下，有效 連續地進行處理，以形成保護膜。另外，隨著進一步的發 展，可以在接合蓋構件7 1 8，不暴露於空氣下，連續進行處 理。 以這種方式，在基底700上形成η —通道TFT 731、p —通道TFT 732、開關TFT ( η —通道TFT ) 73 3和電流控 制 TFT ( p-通道 TFT) 73 4。 另外，如圖30說明般，藉由提供經由絕緣膜的與閘極 電極重疊的雜質區域，可以形成阻止由於熱載子效應而産 生的損壞的η-通道TFT。因此可以得到一可靠的光發射裝 置。 同時，本實施例僅顯示圖素部分和驅動電路的構造。 但是，根據本實施例的製造處理程式，除了這些，可以在 同一絕緣體上形成例如訊號分割電路、D/A轉換器、運算 放大器、γ -校正電路的邏輯電路。另外，可以形成記憶體 或微處理器。 所製造的光發射裝置具有周期或均勻能量分佈的雷射 照射且形成了大晶粒尺寸的晶粒。因此，該光發射裝置保 證了好的操作特性和高的可靠性。該光發射裝置可以當成 I I ·1- -- - —ri —r-- — -(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂-----4^^— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -50- 1258821 ................—..................................................—................................................ A7 . .............................ΒϊΓ........................—...............................................——. 五、發明説明（4乃 各種電子裝置的顯示部分。 順便說明一下，可以結合實施例1到7實施本實施例 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) [實施例10] 本實施例將說明由雷射照射結晶的半導體膜的SEN1。 在本實施例中，玻璃膜用電漿CVD方法和厚度爲 400nm的氮氧化砂膜（成分比爲Si=：32%、0=59%、N = 7%、H=2%)形成作爲底膜。隨後，厚度爲i50nm的一 非晶矽膜由電漿CVD方法作爲半導體膜重疊在底膜上。藉 由在5 00°C進行三個小時熱處理而去除半導體膜中含有的氫 以後，由雷射退火方法使半導體膜結晶。使半導體膜結晶 的雷射退火條件爲··將YV04雷射器的二次諧波當成雷射光 束、入射角Θ設定爲18。以形成矩形光束，當基底以50cm/ s的速度移動時，以掃描方向成直角地照射半導體膜使其形 成中心束斑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對這樣得到的結晶半導體膜進行seco蝕刻，圖20顯示 用1 000倍的SEM觀察結晶的半導體膜表面的結果。注意 ，seco触刻中的seco溶液一種藉由對HF:H20 = 2:1使用了 K2Cr207作爲添加劑而製得的溶液。圖20是藉由圖中箭頭 所指的方向相對地掃描束斑而得到的，且圖20顯示以相對 於掃描方向的垂直方向來形成大晶粒尺寸的晶粒的外貌° 因此，由於大顆粒尺寸的晶粒形成在半導體膜中’其 中結晶是藉由利用本發明進行的，當利甩該半導體膜生産 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -51 - 1258821 A7 ....................................................................................................................B7.................................................................................................. 五、發明説明（48) TFT時，可以減小包含在通道形成區域內的晶體邊界的數 量。另外，由於單個晶粒具有結晶性，所以基本上認爲是 單晶體，可以得到等於或大於使用單晶半導體的電晶體的 高遷移率（場效應遷移率）。 另外，由於所形成的晶粒沿一個方向變成相當完整， 所以可以顯著地減少載子穿過晶粒邊緣的次數。因此’可 以減小開態電流値（一個在TFT的開狀態流過的汲極電流 )的改變，關態電流値（在TFT的關閉狀態流過的汲極電 流値）、臨界値電壓、S値、和場效應遷移率的改變。並大 大提高了電特性。 [實施例11] 本實施例將說明藉由採用記錄在日本專利特許公開號 爲平7 - 1 83 5 40中的方法，由雷射照射結晶的半導體膜的 SEM。 根據實施例1 〇，在非晶矽膜形成以後，藉由採用記錄 在曰本專利特許公開號爲平7 — i 83 5 4〇中的方法，—種含 水的醋酸鎳溶液（重量轉換濃度5ppm，體積l〇ml)經旋塗 施加到半導體膜的表面，以在氮氣中，在5 0 0 °C進行一個小 時熱處理，和在氮氣中在5 5 0 °C時進行1 2小時的熱處理。 隨後，藉由雷射退火方法進行半導體膜的結晶改進。進行 半導體膜的結晶改進的雷射退火方法的條件是：把γ V 〇 4雷 射器的二次諧波當成雷射光束·、入射角θ設定爲1 8。，以形 成矩形光束，當基底以50cm/s的速度移動時，以掃描方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -52- 1258821 ............................................................................................................................. _ A 7 _¥7............... 五、發明説明（49) 向成直角地照射半導體膜使其形成中心束斑。 對這樣得到的結晶的半導體膜進行s e c 〇蝕刻，並用 1 000倍的SEM觀察該結晶的半導體膜的表面。圖21顯示 觀察結果。圖21中的觀察結果是藉由相對沿圖中箭頭所指 示的方向掃描雷射光束而得到的，且圖2 1顯示沿相對於掃 描方向的平行方向形成的大晶粒尺寸晶粒的外貌。另外， 其特徵在於圖2 1所示的晶粒具有比圖20所示的更少的沿 與雷射光束的相對掃描方向相交的方向形成的晶粒邊界。 因此，由於大晶粒尺寸的晶粒在半導體膜中形成，其 中結晶是藉由使用本發明執行的，當利用該半導體膜生産 TF T時，可以減小能被包含在通道形成區域內的晶體邊界 的數量。另外，由於單個晶粒具有結晶性，所以基本上可 以被認爲是單晶，可以得到等於或大於使用單晶體半導體 的電晶體的高的遷移率（場效應遷移率）。 另外，由於形成的晶粒沿一個方向變成相當完整’所 以可以顯著地減少載子穿過晶粒邊界的次數。因此，可以 減小開態電流値、關閉電流値、臨界電壓、S値、和場效應 遷移率的改變。並大大提高了電特性。 [實施例12] 本實施例將說明根據實施例10的用結晶半導體膜形成 TFT的例子。 在本實施例中，玻璃膜作爲底膜，厚度爲5 Onm的氮氧 化矽膜（成分比率爲：Si= 32%、0 = 27%、N = 24% ' Η 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -53- 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（％ 二1 7 % )和厚度爲1 0 0 n m的氮氧化矽膜（成分比率爲：s i = 32%、0=59%、N=7%、H=2%)由電漿 CVD 方法重 疊在底膜上。隨後，厚度爲150nm的一非晶矽膜由電漿 CVD方法作爲半導體膜形成在底膜上。藉由在500 °C進行3 個小時熱處理脫除半導體膜中含有的氫。然後，把YV04雷 射器的二次諧波當成雷射光束，根據實施例1 0的條件進行 結晶。 隨後，進行第一摻雜處理。第一摻雜處理是一種控制 臨界値的通道摻雜。第一摻雜處理是利用B2H6作爲材料氣 體、設定氣體的流速爲30sccm、電流強度爲0.05μΑ、加速 電壓爲60kV、劑量爲lxl014atoms/cm2而進行的。之後， 完成圖形化的製作以便以預定的形狀蝕刻半導體膜，並藉 由電漿CVD方法把厚度爲115nm的氮氧化矽膜形成爲覆蓋 所蝕刻的半導體膜的閘極絕緣膜。接著，厚度爲3 Onm的 TaN膜和厚度爲3 70nm的W膜作爲導電膜重疊在閘極絕緣 膜上。 藉由光微影法形成由抗蝕劑（未示出）製成的掩模以 蝕刻W膜、TaN膜和閘極絕緣膜。隨後，藉由第二摻雜處 理將授予η型的雜質元素導入到半導體膜中。在這種情況 下，導電層分別變成授予η型雜質元素的掩模，和以自對 準的方式形成的通道形成區域夾在中間的雜質區域。在這 一實施例中，由於半導體膜的厚度遠厚於1 5 Onm，所以把 第二摻雜處理分成了兩種要被執行的條件。在這一實施例 中，首先，第一種條件的第二摻雜處理是藉由使用磷化氫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----^--Γ------辦衣----：---1T-----_ iL J- J--I - n - i I n -54 - 1258821 ... A7 ___— _ B7....................................................................................................... 五、發明説明（51) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (ΡΗ〇作爲材料氣體、將劑量設爲2xl〇13at〇ms/cm2且加 速電壓設爲90kV來進行的。第二種條件的第二摻雜處理是 藉由把劑量設爲5 X 1 014atoms/cm2且把加速電壓設到i〇kV 而進行的。 接下來’去除由抗蝕劑製成的掩模，形成一新的由抗 蝕劑製成的掩模以覆蓋η-通道TFT的半導體膜，且進行第 三摻雜處理。藉由第三摻雜處理，授予與一個導電型相反 的導電型的雜質元素添加到雜質區域。該雜質區域形成在 變成P-通道TFT的主動層的半導體膜中。該導電層當成雜 質元素的掩模和添加了授予p型的雜質元素以便以自對準 的方式形成雜質區域。在這一實施例中，由於半導體膜的 厚度遠厚於1 50nm，所以第三摻雜處理被分成兩種要被執 行的條件。在這一實施例中，首先，第一種條件的第三摻 雜處理是藉由使用乙硼烷（B2H6 )作爲材料氣體、把劑量 設定爲2xl013atoms/cm2且把加速電壓設到90kV而進行的 。之後，第二種條件的第三摻雜處理是藉由把劑量設定爲 lxlOlDatoms/cm2且把加速電壓設到10kV而進行的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由到現在爲止的步驟，在相應的半導體膜中形成有 把通道形成區域夾在中間的雜質區域。 接下來，去除由抗蝕劑製成的掩模，且藉由電漿CVD 方法，把厚度爲50nm的氮氧化矽膜（成分比爲Si二32.8% 、Ο = 6 3.7 %、Η = 3.5 % )形成爲第一中間層絕緣膜。接著 ，半導體層結晶的恢復和加到相應的半導體層中的雜質元 素的啓動是藉由熱處理進行的。在這一實施例中，熱處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -55 - 1258821 A7 .................B7 五、發明説明（52) 是在氮氣中，在5 5 0 °C時，用退火爐藉由熱退火的方法經過 四個小時而完成的。 接下來，由有機絕緣膜材料或無機絕緣膜材料所製g 的第二中間層絕緣膜形成在第一中間層絕緣膜上。在這_ 實施例中，厚度爲50nm的氮化矽膜由CVD方法形成，然 後形成了厚度爲40 Onm的氧化矽膜。接著，在熱處理後可 以進行加氫處理。在這一實施例中，熱處理是用退火爐在 氮氣中，在410°C下，經過1個小時而完成的。 接下來，形成電連接各自的雜質區域的接線。在這一 實施例中，厚度爲50nm的Ti膜、厚度爲5 00nm的A1 — Si 膜和厚度爲50nm的Ti膜的重疊膜藉由圖形化以形成接線 。當然，它並不限於兩層結構，也可以是單層結構或是三 層或更多層的重疊。另外，接線的材料並不限於A1和Ti。 例如，接線可以藉由在TaN膜上形成A1或Cu且藉由對在 其上形成有Ti膜的重疊膜的圖形化來形成。 如上所述，形成η-通道TFT和p-通道TFT。藉由測量 電特性在圖22 A中顯示η-通道TFT的電特性且在圖22B中 顯示P-通道TFT的電特性。作爲電特性的測量條件，假定 測量點爲兩點，分別將閘極電壓設定在-1 6 V到1 6 V的範圍 內，將汲極電壓設定在1V到5 V的範圍內。而且，在圖 22八和圖MB中，汲極電流（ID)和閘極電流（id)用實 線表示，而遷移率（pFE )用虛線表示。 圖2 2 A和圖2 2B顯示使甩實施例1 〇中形成的結晶半導 體膜所製成的TFT的電特性有了顯著的提高。當TFT是使 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 ml ϋϋ i_m ·ϋϋ ^ϋϋ mai ·ϋϋ· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -56- 1258821 A7 B7 五、發明説明（53) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用半導體膜製成時，可以減少可能包含在通道形成區域內 的晶粒邊界的數量，由於大顆粒尺寸的晶粒是被形成在藉 由採用本發明而結晶的半導體膜中。另外，由於晶粒是沿 同一方向形成的，所以可以顯著地減少載子穿過晶粒邊界 的次數。因此，在η-通道TFT處的遷移率爲524cm2/Vs 而在P-通道TFT處的遷移率爲205cm2/Vs。當藉由使用這 種TFT製造半導體裝置時，可以提高半導體裝置的遷移特 性和可靠性。 [實施例13] 本實施例將說明使用根據實施例1 1所結晶的半導體膜 形成TFT的例子。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據實施例11形成一非晶砂膜來作爲半導體膜。而且 ，藉由採用記錄在日本專利特許公開號爲平7 - 1 83 540中 的方法，一種含水的乙酸鎳溶液（重量轉換濃度5 p p m，體 積10ml)經旋轉塗覆施加到半導體膜的表面，以形成一含 有金屬的塗層。然後在氮氣中在500 °C時進行一個小時熱處 理，和在氮氣中在5 5 0 °C時進行十二小時的熱處理。隨後， 藉由雷射退火方法進行半導體膜結晶的改進。用雷射退火 方法完成半導體膜結晶的改進的條件是：根據實施例1 1中 所說明的條件來將YV04雷射器的二次諧波當成雷射光束。 根據實施例12，之後形成一 η-通道TFT和一 p-通道 TFT。測量η-通道TFT和p-通道TFT的電特性，然後，在 雷射退火步驟中，分別在圖23A中示出η-通道TFT的電特 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -57- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258821 .........................A_7_ B7 五、發明説明（Μ 性和在圖23Β中示出Ρ-通道TFT的電特性。作爲電特性的 測量條件，假定測量點爲兩點’分別將閘極電壓（Vg)設定 在-1 6 V到1 6 V的範圍內，和將汲極電壓（V d)設定爲1 . 5 V。 而且，在圖2 3 A和圖2 3 B中’汲極電流（ID )和閘極電流 (ID )用實線表示，而遷移率（μΡΕ )用虛線表示。 圖2 3Α和圖23Β顯示使用實施例11中所製造的半導體 膜的TFT的電特性有了顯著的提高。當TFT是利用半導體 膜製成時，可以減少可能包含在通道形成區域內的晶粒邊 界的數量，由於大顆粒尺寸的晶粒是形成在藉由利用本發 明所結晶的半導體膜中。另外，由於晶粒是沿同一方向形 成的，所以可以顯著地減少載子穿過晶粒邊緣的次數。因 此，可以明白在η-通道TFT處的遷移率爲595cm2/Vs且 在P-通道TFT處的遷移率爲199cm2/Vs，這些遷移率非常 優異。當藉由使用這種TFT製造半導體裝置時，可以提高 半導體裝置的遷移特性和可靠性。 [實施例14] 以下說明使用由本發明的雷射裝置形成的半導體裝置 的電子裝置的實施例使用於：視頻相機；數位相機；護目 鏡型顯示器（頭部固定型顯示器）；導航系統；音頻再生 裝置（汽車音響、音響部件等）；膝上型電腦；遊戲機； 攜帶型資訊終端（移動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、 電子書等）；和具有記錄媒體的帶顯示裝置的影像再生裝 置（特別是帶有可以再生例如數位化視頻光碟（DVD )的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇>< 297公酱） --·--r--------Ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -ml 一V»J—allfl at Β^ϋ— ma —>ι.ϋ ϋϋ— *—.—1« ^1^11 B^n·.· ι_ν -58- 1258821 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 .......... …... ................... A7 ..........................................................bT—.—五、發明説明（5导 δ己錄媒體並成威不影像的顯示裝置的裝置）。在圖2 4 Α到 圖24H顯示該電子裝置的典型示例。 圖24A#頁不—顯不裝置，包括：外殼2001、支座2002 、顯示部分2003、揚聲器部分2〇〇4、視頻輸入終端2〇〇5 等等。應用由本發明所形成的光發射裝置可以用在顯示部 分2003。半導體裝置是自發光的且不需要背景光，因此可 以製造成比液晶顯示更薄的顯示部分。顯示裝置的槪略的 包括：顯示資訊的每一種顯示裝置，例如個人電腦顯示器 、接收TV廣播顯示器、和廣告顯示器。 圖24B顯示數位靜止相機，包括：主體21(H、顯示部 分2102、影像接收部分2103、操作鍵2104、外部連接埠 2 105、快門2106等。應用本發明所形成的光發射裝置可以 當成顯示部分2 1 02和其他電路。 圖24C顯示膝上型電腦，包括主體2201、外殻2202、 顯示部分2203、鍵盤22〇4、外部連接埠2205、滑鼠2206 ，等。應用本發明所形成的光發射裝置可以當成顯示部分 2203，和其他電路。 圖24D顯示移動型電腦，包括主體230 1、顯示部分 23 02、開關23 03，操作鍵23 04、紅外線埠23 05等等。應 用本發明所形成的光發射裝置可以當成顯示部分23 02，和 其他電路。 圖24E顯示具有記錄媒體的攜帶型影像再生裝置（特 別是DVD播放器）。該裝置包括：主體24〇1、外殼24〇2 、顯示部分A 24 03、顯示部分B 2404、記錄媒體（DVD或 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝----；---訂-------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） -59- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ...........................................B7.......... .....................................................................五、發明説明（5夺 其他）讀取部分2405、操作鍵2406、揚聲器部分2407，等 。顯示部分A 24 03主要顯示影像資訊，而顯示部分B 2403 主要顯示文字資訊。應用本發明所形成的光發射裝置可以 當成顯示部分A 2403和B 2404，和其他電路。具有記錄媒 體的影像再生裝置的槪念包括家用遊戲機。 圖24F顯示護目鏡型顯示器（頭部固定型顯示器）， 其包括主體2501、顯示部分2502、臂部分2503。應用本發 明所形成的光發射裝置可以當成顯示部分2502,和其他電 路。 圖24G顯示視頻相機，其包括主體260 1、顯示部分 2602、外殻2603、外部連接璋2604、遙控接收部分260 5、 影像接收部分2606、電池2607、音頻輸入部分2608、操作 鍵2609、目鏡部分26 10等。應用本發明所形成的光發射裝 置可以當成顯示部分2202，和其他電路。 圖24H顯示行動電話，其包括：主體270 1、外殻2702 、顯示部分2703、音頻輸入部分2704、音頻輸出部分2705 、操作鍵2706、外部連接埠2707、天線2708，等。應用本 發明所形成的光發射裝置可以當成顯示部分2703，和其他 電路。如果顯示部分2703在黑的背景下顯示白色字元，則 可以減小行動電話的能量消耗。 除了上述的電子裝置外，光發射裝置也可以用於前投 影儀或背投影儀。 如上所述，應用本發明的光發射裝置的應用範圍很廣 且每個領域的電子裝置都可以應用這一裝置。本實施例的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -60- 1258821 A7 B7 五、發明説明（57) 電子裝置可應用實施例1到1 3所示的任一結構的半導體裝 置。 [實施例15] 通常，在其上安裝有要由雷射照射處理的物體的平台 沿著設置在X方向和Y方向的導軌移動。同樣的，在導軌 和其上安裝有平台的部分（滑座）之間夾有一叫球（軸承 )的曲線表面的物體，並安裝了一個藉由減小摩擦負載， 而實現平台的平滑移動的機構。 因爲平台的往複移動使該球磨損或損壞，所以要求藉 由定期保養來更換該球。爲了更平滑地移動平台，還需要 減小在平台移動期間所産生的摩擦。 圖34A顯示本實施例的移動平台的機構（位置控制機 構）。標號7000表示一個導軌，它沿一個方向形成有突起 和凹陷以便沿一固定的方向移動平台。同樣，標號700 1是 一稱爲滑座的安裝有平台的能夠沿導軌7000移動的部分。 桿7002是穿過一設置在滑座700 1上的孔並沿導軌方向安 裝的軸。桿7002由端板7004固定在導軌7000上。 藉由纜線7003將電源供應電壓和空氣送到滑座700 1。 圖34B顯示滑座700 1的放大圖。滑座700 1從電源供應電 壓産生一磁場，藉由這一磁場使滑座7〇〇1和導軌7〇〇〇彼 此吸引在一起。同樣，滑座700 1從電源供應電壓産生一個 沿一個將桿7002與設置在滑座700 1上的孔分開方向的磁 場，以阻止其彼此接觸。同樣的，另一方面，傳送的空氣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝' 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -61 - 1258821 A7 B7 五、發明説明（珥 從氣孔7005排出到滑座700 1和導軌7000之間的空間中。 滑座700 1和導軌7000之間的距離保持恒定，這是因爲受 到了因磁場作用而在滑座700 1和導軌7000相互吸引方向 的力，並受到了因空氣排出，而在滑座700 1和導軌7000 相互分開方向的力。 這裏需要注意的是，本發明並不限於藉由經電纜所施 加的電源供應電壓來産生磁場的情況。也就是說，即使藉 由利用磁性材料形成滑座700 1和導軌7000之一，並藉由 受磁性材料吸引的材料形成其中的另一個而産生了磁場， 也不會有什麽問題。同樣，即使滑座700 1和導軌7000都 是採用磁性材料形成的，也不會有什麽問題。 同樣的，代替藉由經電纜所施加的電源供應電壓來産 生磁場，也可利用磁性材料來形成桿7002和滑座700 1之 一。還可以使桿7002和滑座700 1都用磁性材料來形成。 利用本實施例說明的移動平台的裝置，可以沿導軌以 不接觸的方式移動平台，可以節省了由於球的磨損和損壞 造成的球的周期性更換的必要性，也可以易於進行保養工 作。同樣的’平台的移動以非接觸的方式進行，所以很難 發生摩擦且與應用球的情況相比可以更平滑地移動平台。 圖3 4C顯示要由雷射照射進行操作的物體701 1安裝在 固定在滑座700 1上的平台7010上。藉由本實施例的平台 移動裝置可以更平滑地移動平台，可以更均勻進行雷射照 射。 可以結合第一到第十四實施例實施本實施例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ m In ϋϋ— mu mu TJ HB—ϋ I m 0¾. . 、v>口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -62- 1258821 Α7 . .............................Β7 五、發明説明（59) [實施例1 6 ] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本實施例中，說明主動振動去除座的例子。 圖S5A顯示本發明的雷射裝置安裝在一主動振動去除 座上的狀態。該主動振動去除座包括將雷射裝置實際安裝 在其上的板7100、多個隔離器7102、一作爲鷹架的支架 7101、和控制器7103。 板7 100安裝在支架7101上使得隔離器7102夾在其中 間。每一個隔離器7102包括與萬向機構安裝在一起的萬向 活塞（氣墊）以便檢測振動並除去振動。同樣，控制器 7 1 〇3控制每一個萬向活塞的操作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 順便說明一下，在圖35A中，安裝在板7100上的雷射 裝置包括四個雷射振Μ裝置7104。同時，標號710 5表示一 種可以藉由改變從雷射振盪裝置7 1 04輸出的光路，並藉由 處理束斑的形狀來聚焦雷射光束的光學系統。另外，關於 本發明的光學系統7105的重要一點是可以藉由使束斑相互 重疊來組合從多個雷射振靈裝置7 1 0 4輸出的雷射光束的束 斑。 該經過組合的束斑照射到作爲要被處理的物體的基底 7106上。基底7106安裝在平台7107上。在圖35Α中，位 置控制機構Ή08和7 109對應於控制要被處理物體上的束 斑位置的裝置，且平台7107的位置由位置控制機構7108 和7 1 0 9控制。位置控制機構7 1 〇 8執行平台7 1 0 7在X方向 的位置的控制，且位置控制機構7 1 0 9執行平台7 1 0 7在Υ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -63- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 57 .....................................................................................................——..五、發明説明（6〇) 方向的位置的控制。 參見圖3 5 B說明萬向活塞的功能。在圖3 5 B中’在虛 線7 2 0 0所圍成的部分內，顯示萬向活塞的結構輪廓。萬向 活塞7200包括一固定在支架7101上的支撐座7202和一固 定在板7100上的負載碟7201。支撐桿7204被固定在負載 碟7201上，它實現了一種結構，即該結構在負載碟720 1 由於板7100的振盪而搖擺時，支撐桿72〇4會在支撐座 7202內以擺動的方式搖擺。 位移感測器720 5在所指明的“ X”位置處利用支撐桿 7204監測負載碟720 1的位移。同樣，位移感測器7205在 由“ X”指示的位置處利用第一加速感測器7206監測負載 碟7201的位移加速度，並在由位置“ X。”指示的位置處用 第二加速感測器7207監測支架7 1 0 1的位移加速度。 三個監視器的結果被發送到控制器7103。控制器7103 從位移感測器7205、第一加速感測器7206、和第二加速感 測器72 07監測的結果得到板7 100的位移、位移加速度、 和位移速度，且從這些値得到關於位移、加速度和速度的 反饋値以便抑制板7100的振動。然後，按照關於位移、加 速度和速度的反饋値，將壓縮空氣輸送到萬向活塞7200以 給負載碟720 1 —個反向的振動。 根據以上說明的結構，可以抵消一來自底部的振動， 底部上安裝有支架7 1 0 1，和一從雷射裝置來的由於採用由 壓縮空氣而產生的振動所帶來的位置控制機構7 1 0 8和7 1 0 9 等的振動，並抑制板7 1 00的振動。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐) ~" -64- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝--- m、tTJ !Γ 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ......................................................................................................................................................................-----------------------------------------------—*----------------------------- ------------------------------------------------------------— B7 _五、發明説明（61) 這裏需要注意的是，即使控制器7 1 03包括有對板7 1 00 施加一振動和在下次出現同樣的振動時迅速去除振動的硏 究功能也不會有任何的問題。 藉由抑制板7 1 0 0的振動，可以阻止雷射裝置所擁有的 光學系統的對準因振動而偏移的情況發生。特別是，上述 結構特別適用於要求其中的束斑被用多個雷射振盪裝置合 成的光學系統更精確地對準的情況。 可以結合第一到第十五實施例實施本實施例。 [實施例17] 在本實施例中，將說明（i)各自束斑中心間的距離和（ii )在雷射光束相互重疊的情況下的能量密度間的關係。 圖3 6用實線顯示每一雷射光束在中心軸線方向的能量 密度的分佈和用虛線顯示所組合的雷射光束的能量密度分 佈。通常，在中心軸線方向雷射光束的能量密度遵循高斯 分佈。 對於合成以前的雷射光束，其在中心軸線方向上的寬 度滿足能量密度Ι/e2或者較高的峰値被設定爲“1”且各波 峰間的距離爲“ X” 。同樣，對於合成以後的雷射光束，從 波谷値的平均値的波峰値和合成以後的波峰値的增加量爲 “ Y” 。經類比得到的“ X”和“ Y”之間的關係如圖3 7所 不。注葛在圖3 7中，“ Y ”以百分比的形式表不。 圖3 7中，能量差値Y由下面的近似的運算式1表示。 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ' -65 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1258821 A7 ................—...............................................................…-’-…-- -B7- -.....................................................................................--.-— 五、發明説明（62) 運算式1 60 — 293 X+ 3 40X2 ( X是兩種結果中較大的一個） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 從運算式1可以看出，在需要將能量差別設定在5 %左 右的情況下，例如，進行使“ X”幾乎等於0.5 84的設定就 足夠了。理想的是使“ Υ”等於零。但是，在這種情況下， 雷射光束的長度縮短，所以較佳的，“ X”考慮整體的平衡 再決定。 接下來，說明“ Υ”允許的範圍。圖3 8顯示在雷射光 束具有橢圓形狀時的YV04雷射器的輸出（W)相對於其光 束在中心軸線方向的寬度的分佈。斜線指明的區域是得到 合適結晶度所必須的能量輸出範圍，且可以看出只要合成 的雷射的輸出能量保持在3.5到6W的範圍內，就不會有什 麽問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當在合成以後雷射光束的能量輸出的最大値和最小値 接近於必須得到合適的結晶度的輸出能量範圍的內側邊時 ’可以得到適合的結晶度的能量差別Y成爲最大。結果， 在圖38所示的情況下，能量差別變爲±26.3%，且可以看出 如果能量差別“ Y”保持在這個範圍內，就可以得到合適的 結晶度。 這裏必須注意的是，得到合適的結晶度所必須的輸出 能量範圍根據判斷爲合適的結晶度範圍而改變。同樣，輸 出能量的分佈根據雷射光束斑的形狀而改變，所以，能量 差別Y的允許範圍不限於上述的値。要求設計者恰當地決 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -66' 1258821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（63) 定得到合適的結晶度所必須的輸出能量的範圍，且要求從 所使用雷射器的輸出能量的分佈設定能量差別Y的允許範 圍。 可以結合第一到每十六實施例實施本實施例。 採用本發明，雷射不掃描和照射到半導體膜的整個表 面上’而是掃描至少每一個必不可少部分結晶。採用上述 的結構’可以節省半導體膜結晶以後用於將雷射照射到藉 由圖形化去除的每一部分的時間並可以明顯地縮短處理一 個基底要消耗的時間。 圖式簡單說明 在附圖中： 圖1顯示本發明的雷射裝置的結構； 圖2 A和圖2B分別顯示本發明的雷射光束的形狀和其 能量密度分佈； 圖3 A和圖；3B分別顯示本發明的雷射光束的形狀和其 能量密度分佈； 圖4A到圖4C顯不雷射在要處理的物體上移動的方向 圖5 A和圖5B也顯示雷射在要處理的物體上移動的方 向； 圖6 A和圖6B顯示雷射在TFT的主動層上移動的方向 j 圖7A和圖7B顯示標記的位置； ---£---Γ--l-裝----Ί · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i^m 一 I) f^n nn —9ϋ ml ϋϋ mi ϋϋ^ · T 口 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1258821 A7 B7— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（64) 圖8是本發明的生産系統操作流程的流程圖； 圖9是習知的生産系統操作流程的流程圖； 圖1 0顯示本發明的生産系統操作流程的另一流程圖； 圖1 1 A和圖1 1 B顯示本發明的雷射裝置的光學系統； 圖1 2也顯示本發明的雷射裝置的光學系統； 圖13顯示雷射在要處理的物體上移動的方向； 圖1 4顯示雷射在要處理的物體上移動的方向； 圖1 5顯示雷射在要處理的物體上移動的方向； 圖1 6 A和圖1 6B顯示標記的結構； 圖1 7顯示本發明的雷射裝置的光學系統； 圖1 8顯示本發明的雷射裝置的光學系統； 圖1 9顯示本發明的雷射裝置的光學系統； 圖20爲一結晶半導體膜的SEM照片； 圖21爲一結晶半導體膜的SEM照片； 圖22A和圖22B顯示一 TFT的特性； 圖23A和圖23B顯示一 TFT的特性； 圖24A到圖24H顯示利用本發明的半導體裝置的電子 設備； 圖25A到圖25C顯示利用本發明的雷射裝置製造半導 體裝置的方法； 圖26A到圖26C顯示利用本發明的雷射裝置製造半導 體裝置的方法； 圖27A到圖27C顯示利用本發明的雷射裝置製造半導 體裝置的方法； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----—^裝----^---訂------ ^ i_n— · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2K)X297公釐） -68- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
A 7 ....................................................................................................... B7五、發明説明（啤 圖2 8顯示利用本發明的雷射裝置製造半導體裝置的方 法； 圖29顯示利用本發明的雷射裝置製造的液晶顯示裝置 圖3 Ο A和圖3 Ο B顯示利用本發明的雷射裝置製造光發 射裝置的方法； 圖31A到圖31D爲半導體膜的反極象圖； 圖32A到圖32D爲半導體膜的反極象圖； 圖3 3 A和圖3 3 B顯示雷射在要處理的物體上移動的方 向； 圖34A到圖34C顯示位置控制機構的結構； 圖35A和圖35B顯示一個主動振動去除座的結構； 圖3 6顯示在雷射光束的中心軸線方向彼此重疊的能量 密度分佈； 圖3 7顯示（i )雷射光束中心間距離與（Η )能量差別 之間的關係；和 圖3 8顯示雷射光束在中心軸線方向的輸出能量的分佈 〇 主要元件對照表 1〇〇 :雷射裝置 1 〇 1 :平台控制器 102a-102d ·雷射振邊裝置 104 ： CPU (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝—— .I、tT— —. I— n 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -69- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ..........................................................................—.................................—…——........................B7五、發明説明（两 1 〇 7 :要處理之物體 5〇〇 :半導體膜 5 0 1 :圖素部分 5 02 :訊號線驅動電路部份 5 03 :掃描線驅動電路部份 011、001、111:極象圖 5 0 7 :束斑 5 1 0 :島狀半導體膜 5 1 1 :部份 5 20 :通道形成區域 521、522:雜質區域 5 23 :束斑 5 2 4 :區域 533、534、535、5 3 6 ：雜質區域 5 3 0 :通道形成區域 531 :通道形成區域 5 3 2 :通道形成區域 540 :半導體膜 5 4 1 :圖素部分 542 :訊號線驅動電路部份 5 43 :掃描線驅動電路部份 544 :標記形成部份5 5 0 :半導體膜 5 5 1 :刻劃線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -70- 1258821 A7 —————— — ΈΤ—— 五、發明説明（6?) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 5 2 :標記形成部份 40 1 -406 :圓柱透鏡 400:要處理的物體 560 :掩模 56 1、562 :部份 5 70 :掩模 5 7 1 :部份 5 8 0、5 83 :島狀半導體膜 5 8 1、5 8 2 :部份 5 84_5 87 :半島體膜之表面 423 :標記形成部份 421、422 :標記 424 > 425 ：標記 43 0 :半導體膜 43 1 :基底 44 1 -45 1 :圓柱透鏡 440 :要處理之物體 600 :基底 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 601 :基底 692 :非晶半導體膜 6 9 3 - 6 9 5 :結晶區域 602-606 :島狀半導體膜 607 :閘極絕緣膜 608 :第一導電膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
A7 ............................................................................................................................................B7 ......................—…五、發明説明（6芍 609 :第二導電膜 6 1 0 - 6 1 5 :掩模 617-622:導電層 6 1 6 :聞極絕緣膜 628-633 :導電層 623-627:雜質區域 634a-634c :掩模 635、641、644、647:高密度雜質區域 65 0a-650c :掩模 65 3、654、659、660 ：雜質區域661 :第一中間層絕緣膜 662 :第二中間層絕緣膜 672 :第三中間層絕緣膜 6 6 3 - 6 6 7 :接線 6 8 6 :驅動電路 6 8 7 :圖素部分 670 :圖素電極 6 6 9 :聞極接線 6 6 8 :連接電極 606 :半導體層 681 ： η 通道 TFT 682 ： p 通道 TFT 683 : η 通道 TFT 684 ：圖素 TFT (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -72- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ................................................................B7.............五、發明説明（69)6 8 5 :儲存電容器 637、640、643、646:通道形成區域 636、642、645:低密度雜質區域 6 6 6 :電極 6 1 6 :絕緣膜 867 :定向膜 872 :柱狀墊片 869 :相反基底 870、871 :彩色層 873 :平面膜 8 7 6 :相反電極 8 74 :配向膜 868 :密封構件 8 75 :液晶材料 700 :基底 75 0 :第三中間層絕緣膜 73 3 ：開關 TFT 734 ：電流控制TFT 731 ： η 通道 TFT 73 2 ： p 通道 TFT751 :第二中間層絕緣膜 7 1 1 :圖素電極 752 :閘極絕緣膜 760 :抗蝕劑 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • ϋ-ϋ i^i>— 1 flu— In 1 - V ml I n>n - 、v'口 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 73- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7..........................................................五、發明説明（％ 70 1 -707 :接線 7 1 2 :鈍化膜 7 1 3 :光發射層 7 1 4 :陰極 7 1 5 :光發射元件 754 :保護膜 7 1 7 :密封構件 7 1 8 :蓋構件 200 1 :外殼 2002 :支座 2 0 0 3 :顯示部份 2004 :揚聲器部份 2101 :主體 2 1 0 2 :顯示部份 2 103 :影像接收部份 2 104 :操作鍵 2 105 :外部連接埠 2 1 0 6 :快門 220 1 :主體 2202 :外殼 2203 :顯示部份 2204 :鍵盤 2205 :外部連接埠 2206 :滑鼠 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~~ -74 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝——
一 V -I - - util em ^ϋϋ .ml m —1-- -»I J -I— m mu ·ϋϋ nil— mi «ml m3 ϋϋ 、v'口 Φ 0 J 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ..............—Ίβ7五、發明説明（ 2 3 Ο 1 :主體 23 02 :顯示部份 2 3 0 3 :開關 23 04 :操作鍵 2 3 0 5 :紅外線埠 240 1 :主體 2402 :外殼 2403 :顯示部份A 2404 :顯示部份B2405 :記錄媒體讀取部份 2406 :操作鍵 2407 :揚聲器部份 250 1 :主體 2 5 0 2 :顯示部份 2 5 0 3 :臂部份 260 1 :主體 2 6 0 2 :顯示部份 2603 :外殼 2604 :外部連接埠 2605 :遙控接收部份 2 6 0 6 :影像接收部份 2 6 0 7 :電池2608 :聲頻輸入部份 2609 :操作鍵 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ί —ϋ ·ϋι —ϋ ·1ϋ V V —^^1 0¾ . 、ν'口 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -75- 1258821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 .............................................................................B7 五、發明説明（β 26 10 :目鏡部份 270 1 :主體 2 7 0 2 :外殼 2703 :顯示部份 2 7 〇 4 :音頻輸入部份 270 5 :音頻輸出部份 2706 :操作鍵 2707 :外部連接埠 2 7 0 8 :天線 700 0 ：導軌 7 0 0 1 :滑重 7002 ：桿 7 0 0 3 :纜線 7 0 0 5 :氣孔 70 1 0 :平台 7100 :板 7101 :支架 7 102 :隔離器 7 103 :控制器7104 :雷射振盪裝置 7105 :光學系統 7 10 6:基底 7 1 0 7 :平台 7 1 08-7 1 09 :位置控制機構 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--- 訂---- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -76- 1258821 A7 .....................................................................—B7 五、發明説明（ 7200 :萬向活塞 7202 :支撐座 720 1 :負載碟 7204 :支撐桿 720 5 :位移感測器 7206 :第一加速感測器 7207 :第二加速感測器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一士—-I- - mi m .m ml V V Hi m ml US, . 、v'口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -77-

Claims (1)

1258821 ab<c 51生Lil—[JL量違)正本: 六、申請專利範圍1 第9 1 1 3 2 1 6 7號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國95年4月6日修正 1· 一種半導體裝置的生産系統，包含： 用於在絕緣表面上形成的半導體膜中形成標記的機構 用於儲存有關要被形成在該半導體膜上的圖案的資訊 的機構； 用於指定區域之機構，該區域將在圖形化半導體膜以 後獲得且成爲島狀半導體膜，利用關於標記的圖案資訊並 決定要由雷射掃描的半導體膜的區域，以便至少使將要變 成該島狀半導體膜的區域包含在要掃描的區域內； 一雷射振盪裝置； 一用於處理由該雷射振盪裝置所振盪的雷射的光學系 統； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用於控制該雷射光束斑在該半導體膜上的位置之機構 ’使所處理的雷射照射到要由雷射掃描的所決定的區域； 和 用於圖形化根據圖案資訊由雷射照射的半導體膜的機 構。 2 · —種半導體裝置的生産系統，包含·· 用於在絕緣表面上形成的半導體膜中形成標記的機構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1258821 A8 B8 C8 Τ5Γ 六、申請專利範圍2 用於儲存有關要被形成在該半導體膜上的圖案的資訊 的機構； (請先閲·#背面之注意事項再填寫本頁) 用於指定區域之機構，該區域將在圖形化半導體膜之 後獲得且成爲島狀半導體膜，利用關於標記的圖案資訊並 決定要由雷射掃描的半導體膜區域，以便至少使將變成該 島狀半導體膜的區域包含在要被掃描的區域內； 一雷射振盪裝置； 一用於處理由該雷射振盪裝置振盪的雷射的光學系統 j 用於控制該雷射光束斑在該半導體膜上的位置之機構 ，以使所處理的雷射照射到要由雷射掃描的所決定的區域 上；和 用於圖形化根據圖案資訊由雷射照射的半導體膜的機 構， 其中當照射該雷射時，該半導體膜上在掃描方向的雷 射光束斑的寬度被改變。 3 . —種半導體裝置的生産系統，包含： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用於由第一雷射在絕緣表面上所形成的半導體膜中形 成標記的機構； 用於儲存有關要被形成在該半導體膜上的圖案的資訊 的機構； 用於指定區域之機構，該區域將在圖形化半導體膜以 後獲得且成爲島狀半導體膜，利用關於標記的圖案資訊並 決定要由第二雷射掃描的半導體膜的區域以便至少使將要 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2- 1258821 A8 B8 C8 仿 ............................... ............................. 六、申請專利範圍3 變成該島狀半導體膜的區域包含在要被掃描的區域內； 一雷射振盪裝置； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用於處理由該雷射振盪裝置振盪的該第二雷射的光學 系統； 用於控制該第二雷射光束斑在該半導體膜上的位置之 機構，以使所處理的第二雷射照射到要由第二雷射掃描的 所決定的區域上；和 用於圖形化根據圖案資訊由第二雷射照射的半導體膜 的機構。 4. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的生産系統， 其中該雷射振盪裝置是一種連續振盪的固體雷射器。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的生産系統， 其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的YAG雷射器、 YV04雷射器、YLF雷射器、YAl〇3雷射器、玻璃雷射器、 紅寶石雷射器、翠綠寶石雷射器、Y2〇3雷射器、和Ti :藍 寶石雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的生産系統， 其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的準分子雷射器、 Ar雷射器、Kr雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 7. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的生産系統， 其中該雷射是二次諧波。 8. —種半導體裝置的製造方法，包含： 從多個雷射振盪裝置輸出多個雷射； 藉由用光學系統使多個雷射的束斑在半導體膜上彼此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3- 1258821 A8 B8 C8 m 六、申請專利範圍4 重疊形成一個束斑； 只在由圖案資訊所決定的半導體膜的區域上，藉由掃 描所形成的束斑來提高由圖案資訊所決定的區域的結晶度 ;和 藉由圖形化其結晶度已被提高的區域、利用圖案畜訊 形成具有結晶度的島狀半導體膜。 9. 一種半導體裝置的製造方法，包含： 從多個雷射振盪裝置輸出多個雷射； 藉由用光學系統使多個雷射的束斑彼此重疊形成-個 束斑以使該束斑的中心在該半導體膜上拉成一條直線； 僅在由圖案資訊所決定的半導體膜的區域上，藉自 描形成的束斑來提高由圖案資訊所決定的區域的結晶度； 以及 錯由圖形化其結晶度已被提局的該區域、利用匱[g畜 訊形成具有結晶度的島狀半導體膜。 1 〇 .如申請專利範圍第8或9項之半導體裝置的製造 方法，其中該雷射振盪裝置是連續振盪的固體雷射器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (请先聞讀背面之注意事項存填寫本頁) 1 1 ·如申請專利範圍第8或9項之半導體裝置的製造 方法，其中該雷射振盪裝置是從包含連續振盪的YaG雷射 器、YVCU雷射器、YLF雷射器、ΥΑ1〇3雷射器、玻璃雷射 器、紅寶石雷射器、翠綠寶石雷射器、Y203雷射器、和Ti: 藍寶石雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 1 2 ·如申請專利範圍第8或9項之半導體裝置的製造 方法，其中該雷射振盪裝置是從包含連續振盪的準分子雷 本紙張从適用中國國家標準（CNS ) A4胁（2ι〇χ297公釐)~ " -4- 1258821 A8 B8 C8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍5 射器、Ar雷射器、Kr雷射器的組中所選取的至少一種雷射 器。 1 3 ·如申請專利範圍第8或9項之半導體裝置的_造 方法，其中該雷射是二次諧波。 I4.如申請專利範圍第8或9項之半導體裝置的製造 方法，其中該雷射振盪裝置的數量的範圍是從2到8。 1 5 . —種半導體裝置，其使用如申請專利範圍第8或9 項之半導體裝置的製造方法，該半導體裝置包含： 一島狀半導體膜，該島狀半導體膜具有已提高的結晶 度，其中該膜藉由圖形化一已提高結晶度的區域而形成， 而該已提高結晶度的區域由圖案資訊所決定。 16. —種雷射裝置，包含： 多個雷射振盪裝置； 處理從多個雷射振盪裝置輸出的多個雷射以使多個雷 射的束斑部分地彼此重疊在要處理的物體上的光學系統； 用於控制多個雷射的束斑在要處理的物體上的位置的 機構；和 用於控制多個雷射振盪裝置的振盪和用於對控制多個 雷射光束斑位置的機構進行控制之機構，以便使多個雷射 的束斑掃描根據圖案資訊的資料所決定的要被處理的物體 的具體位置。 17· —種雷射裝置，包含： 多個雷射振盪裝置； 處理從多個雷射振盪裝置輸出的多個雷射以使多個雷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------------訂------0 (請先聞·#背面之注意事項再填寫本頁) -5- 1258821 A8 B8 C8 六、申請專利範圍6 射的束斑部分地彼此重疊在要處理的物體上的光學系統； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用於控制多個雷射的束斑在要處理的物體上的位置的 機構；和 用於控制多個雷射振盪裝置的振盪和用於對控制多個 雷射的束斑位置的機構進行控制之機構，以便使多個雷射 的束斑掃描根據圖案資訊的資料所決定的要處理的物體的 具體位置， 其中該光學系統使多個雷射的束斑中心拉成一條直線 〇 1 8 .如申請專利範圍第1 6或1 7項之雷射裝置，其中 該雷射振盪裝置的數量的範圍從2到8。 1 9 .如申請專利範圍第1 6或1 7項之雷射裝置，其中 該雷射振盪裝置是連續振盪的固體雷射器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20.如申請專利範圍第16或17項之雷射裝置，其中 該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的YAG雷射器、YV〇4 雷射器、YLF雷射器、YAl〇3雷射器、玻璃雷射器、紅寶 石雷射器、翠綠寶石雷射器、Y2〇3雷射器、和Ti:藍寶石雷 射器的組中選擇的至少一種雷射器。 2 1 ·如申請專利範圍第1 6或1 7項之雷射裝置，其中 該雷射振盪裝置至少是從包括連續振盪的準分子雷射器、 Ar雷射器、Kr雷射器的組中選擇的至少一種雷射器。 22.如申請專利範圍第16或17項之雷射裝置，其中 該雷射是二次諧波。 2 3 · —種雷射照射方法，包含： 本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -6 - 1258821 A8 B8 C8 六、申請專利範圍7 從多個雷射振盪裝置輸出多個雷射； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由利用光學系統使多個雷射的束斑在半導體膜上彼 此重疊形成一個束斑；和 只在由圖案資訊所決定的半導體膜的該區域上掃描形 成的束斑。 24. —種雷射照射方法，包含： 從多個雷射振盪裝置輸出多個雷射； 藉由利用光學系統使多個雷射的束斑彼此重疊形成一 個束斑以使束斑中心在半導體膜上拉成一條直線；和 只在由圖案資訊所決定的半導體膜的該區域上掃描形 成的束斑。 2 5.如申請專利範圍第23或24項之雷射照射方法， 其中該雷射振盪裝置是連續振盪的固體雷射器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26.如申請專利範圍第23或24項之雷射照射方法， 其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的YAG雷射器、 YV04、雷射器、YLF雷射器、YAl〇3雷射器、玻璃雷射器 、紅寶石雷射器、翠綠寶石雷射器、Y2〇3雷射器、和Ti:藍 寶石雷射器的組中選擇的至少一種雷射器。 2 7.如申請專利範圍第23或24項之雷射照射方法， 其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的準分子雷射器、 Ar雷射器、Kr雷射器的組中選擇的至少一種雷射器。 2 8.如申請專利範圍第23或24項之雷射照射方法， 其中該雷射是二次諧波。 2 9.如申請專利範圍第23或24項之雷射照射方法， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1258821 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍8 其中該雷射振盪裝置的數量的範圍是從2到8。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 0 .如申請專利範圍第2項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是一種連續振盪的固體雷射器。 3 1.如申請專利範圍第2項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的YAG雷射器、 YV04雷射器、YLF雷射器、YAl〇3雷射器、玻璃雷射器、 紅寶石雷射器、翠綠寶石雷射器、Y2〇3雷射器、和Ti :藍 寶石雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 32.如申請專利範圍第2項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的準分子雷射器 、Ar雷射器、Kr雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 3 3 .如申請專利範圍第2項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射是二次諧波。 34.如申請專利範圍第3項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是一種連續振盪的固體雷射器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 5 .如申請專利範圍第3項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的YAG雷射器、 YV04雷射器、YLF雷射器、YAl〇3雷射器、玻璃雷射器、 紅寶石雷射器、翠綠寶石雷射器、Y2〇3雷射器、和Ti :藍 寶石雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 36. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的準分子雷射器 、Ar雷射器、Kr雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 37. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置的生産系統 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 1258821 A8 B8 C8 六、申請專利範圍9 ，其中該雷射是二次諧波。 3 8. —種半導體裝置的生産系統，包含： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用於在絕緣表面上形成的半導體膜中形成標記的機構 用於儲存有關要被形成在該半導體膜上的圖案的資訊 的機構； 一雷射裝置，其具有多數雷射振盪裝置； 一光學系統，其處理從多數雷射振盪裝置輸出的多數 雷射，因此多數雷射的光束斑互相部份的重疊在要處理的 物體； 用以控制在要處理的物體上的多數雷射的光束斑的位 置的機構；和 用以控制多數雷射振盪裝置的振盪和控制多數雷射的 光束斑的位置的機構，因此，多數雷射的光束斑依照圖案 資訊的資料而掃描要處理的物體的特定位置。 39. 如申請專利範圍第38項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是一種連續振盪的固體雷射器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 40. 如申請專利範圍第38項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的YAG雷射器、 YV04雷射器、YLF雷射器、YA103雷射器、玻璃雷射器、 紅寶石雷射器、翠綠寶石雷射器、Y2〇3雷射器、和Ti :藍 寶石雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 4 1 .如申請專利範圍第3 8項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的準分子雷射器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- 1258821 A8 B8 C8 D8~~ 六、申請專利範圍10 、Ar雷射器、Kr雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 42 .如申請專利範圍第3 8項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射是二次諧波。 43. —種半導體裝置的生産系統，包含： 用於在絕緣表面上形成的半導體膜中形成標記的機構 用於儲存有關要被形成在該半導體膜上的圖案的資訊 的機構； 一雷射裝置，其具有多數雷射振盪裝置； 一光學系統，其處理從多數雷射振盪裝置輸出的多數 雷射，因此多數雷射的光束斑互相部份的重疊在要處理的 物體； 用以控制在要處理的物體上的多數雷射的光束斑的位 置的機構；和 用以控制多數雷射振盪裝置的振盪和控制多數雷射的 光束斑的位置的機構，因此，多數雷射的光束斑依照圖案 資訊的資料而掃描要處理的物體的特定位置， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中該光學系統使多數雷射的光束斑的中央劃出一直 線。 44. 如申請專利範圍第43項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是一種連續振盪的固體雷射器。 45. 如申請專利範圍第43項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的YAG雷射器、 YV04雷射器、YLF雷射器、YAl〇3雷射器、玻璃雷射器、 本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 1258821 A8 B8 C8 m 六、申請專利範圍11 紅寶石雷射器、翠綠寶石雷射器、Y2〇3雷射器、和Ti :藍 寶石雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 46. 如申請專利範圍第43項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的準分子雷射器 、Ar雷射器、Kr雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 47. 如申請專利範圍第43項之半導體裝置的生産系統 ，其中該雷射是二次諧波。 48. 一種半導體裝置的製造方法，包含： 形成一半導體膜在一基底上； 從多數雷射振盪裝置輸出多數雷射； 藉由使多數雷射的光束斑互相重疊以形成一光束斑； 和 以所形成的光束斑掃描由一圖案資訊所決定的半導體 膜的一區域。 49. 一種半導體裝置的製造方法，包含： 形成一半導體膜在一基底上； 從多數雷射振盪裝置輸出多數雷射； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由使多數雷射的光束斑互相重疊以形成一光束斑， 因此，光束斑的中央在半導體膜上劃出一直線；和 以所形成的光束斑掃描由一圖案資訊所決定的半導體 膜的一區域。 5 0.如申請專利範圍第48或49項之半導體裝置的製 造方法，其中該雷射振盪裝置是一種連續振盪的固體雷射 器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1258821 A8 B8 C8 m 六、申請專利範圍12 5 1.如申請專利範圍第48或49項之半導體裝置的製 造方法，其中該雷射振盪裝置是從包括連續振盪的YAG雷 射器、YV04雷射器、YLF雷射器、YAl〇3雷射器、玻璃雷 射器、紅寶石雷射器、翠綠寶石雷射器、Y203雷射器、和 Ti:藍寶石雷射器的組中所選取的至少一種雷射器。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -12-
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