JPH10209069A - レーザアニール方法及びレーザアニール装置 - Google Patents
レーザアニール方法及びレーザアニール装置Info
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- JPH10209069A JPH10209069A JP686297A JP686297A JPH10209069A JP H10209069 A JPH10209069 A JP H10209069A JP 686297 A JP686297 A JP 686297A JP 686297 A JP686297 A JP 686297A JP H10209069 A JPH10209069 A JP H10209069A
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- laser light
- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学装置の劣化を抑制することが可能なレー
ザアニール方法及びレーザアニール装置を提供する。 【解決手段】 表面に半導体膜が形成された基板の該表
面の一部に、該表面において第１の方向に長いビームス
ポット形状を有するレーザ光を照射しながら、基板を、
その表面に平行であってかつ第１の方向と交わる第２の
方向に移動させる。基板を、その表面に垂直な軸を中心
としてある角度回転させる。基板の表面のうち、前のレ
ーザ光照射工程でレーザ光の照射された領域以外の領域
の一部にレーザ光を照射しながら、基板を、その表面に
平行であってかつ第１の方向と交わる第３の方向に移動
させる。
ザアニール方法及びレーザアニール装置を提供する。 【解決手段】 表面に半導体膜が形成された基板の該表
面の一部に、該表面において第１の方向に長いビームス
ポット形状を有するレーザ光を照射しながら、基板を、
その表面に平行であってかつ第１の方向と交わる第２の
方向に移動させる。基板を、その表面に垂直な軸を中心
としてある角度回転させる。基板の表面のうち、前のレ
ーザ光照射工程でレーザ光の照射された領域以外の領域
の一部にレーザ光を照射しながら、基板を、その表面に
平行であってかつ第１の方向と交わる第３の方向に移動
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザアニール方
法及びレーザアニール装置に関し、特に一方向に長いビ
ームスポット形状を有するレーザ光を用いたレーザアニ
ール方法及びレーザアニール装置に関する。
法及びレーザアニール装置に関し、特に一方向に長いビ
ームスポット形状を有するレーザ光を用いたレーザアニ
ール方法及びレーザアニール装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置に用いられる基板表面のア
モルファスシリコン膜にレーザ光を照射してシリコン膜
を結晶化する場合を例にとって従来の技術を説明する。
モルファスシリコン膜にレーザ光を照射してシリコン膜
を結晶化する場合を例にとって従来の技術を説明する。
【０００３】アモルファスシリコン膜が形成された基板
の表面に、その表面において直線状の細長いビームスポ
ット形状を有するレーザ光（以下、長尺ビームと記
す。）をパルス的に照射する。長尺ビームをパルス的に
照射しながら、基板をビームスポットの長手方向に直交
する向きに移動させる。このようにして、基板表面の広
い領域にレーザ光を照射することができる。
の表面に、その表面において直線状の細長いビームスポ
ット形状を有するレーザ光（以下、長尺ビームと記
す。）をパルス的に照射する。長尺ビームをパルス的に
照射しながら、基板をビームスポットの長手方向に直交
する向きに移動させる。このようにして、基板表面の広
い領域にレーザ光を照射することができる。
【０００４】アモルファスシリコン膜が、レーザ光の照
射によりポリシリコン化する。ポリシリコン化したシリ
コン膜に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成することに
より、アモルファスシリコン膜に形成する場合に比べ
て、高速動作可能なＴＦＴを得ることができる。
射によりポリシリコン化する。ポリシリコン化したシリ
コン膜に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成することに
より、アモルファスシリコン膜に形成する場合に比べ
て、高速動作可能なＴＦＴを得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】レーザ光源及び他の光
学装置はレーザ照射によって劣化するため、一定の枚数
の基板を処理するごとに交換する必要がある。これが、
液晶表示装置の製造コストの低減を妨げる一つの要因に
なっている。
学装置はレーザ照射によって劣化するため、一定の枚数
の基板を処理するごとに交換する必要がある。これが、
液晶表示装置の製造コストの低減を妨げる一つの要因に
なっている。
【０００６】本発明の目的は、光学装置の劣化を抑制す
ることが可能なレーザアニール方法及びレーザアニール
装置を提供することである。
ることが可能なレーザアニール方法及びレーザアニール
装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、表面に半導体膜が形成された基板の該表面の一部
に、該表面において第１の方向に長いビームスポット形
状を有するレーザ光を照射しながら、前記基板を、その
表面に平行であってかつ前記第１の方向と交わる第２の
方向に移動させる第１のレーザ光照射工程と、前記基板
を、その表面に垂直な軸を中心としてある角度回転させ
る工程と、前記基板の表面のうち、前記第１のレーザ光
照射工程でレーザ光の照射された領域以外の領域の一部
に前記レーザ光を照射しながら、前記基板を、その表面
に平行であってかつ前記第１の方向と交わる第３の方向
に移動させる第２のレーザ光照射工程とを有するレーザ
アニール方法が提供される。
と、表面に半導体膜が形成された基板の該表面の一部
に、該表面において第１の方向に長いビームスポット形
状を有するレーザ光を照射しながら、前記基板を、その
表面に平行であってかつ前記第１の方向と交わる第２の
方向に移動させる第１のレーザ光照射工程と、前記基板
を、その表面に垂直な軸を中心としてある角度回転させ
る工程と、前記基板の表面のうち、前記第１のレーザ光
照射工程でレーザ光の照射された領域以外の領域の一部
に前記レーザ光を照射しながら、前記基板を、その表面
に平行であってかつ前記第１の方向と交わる第３の方向
に移動させる第２のレーザ光照射工程とを有するレーザ
アニール方法が提供される。
【０００８】基板表面の一方向に長い領域にレーザ光の
照射を行う場合には、ビームスポットの長手方向と、照
射すべき領域の長手方向とを平行にすることが好まし
い。基板表面にレーザ光を照射すべき領域が複数あり、
それらの長手方向が揃っていない場合に、第１のレーザ
光照射工程の後、基板を回転させることにより、ビーム
スポットの長手方向を次に照射すべき領域の長手方向に
合わせることができる。
照射を行う場合には、ビームスポットの長手方向と、照
射すべき領域の長手方向とを平行にすることが好まし
い。基板表面にレーザ光を照射すべき領域が複数あり、
それらの長手方向が揃っていない場合に、第１のレーザ
光照射工程の後、基板を回転させることにより、ビーム
スポットの長手方向を次に照射すべき領域の長手方向に
合わせることができる。
【０００９】本発明の他の観点によると、内部空洞を有
する処理容器と、前記処理容器の内部空洞内に配置さ
れ、処理対象基板を載置する基板載置台と、前記基板載
置台に載置された処理対象基板の表面にレーザ光を照射
するレーザ光照射手段であって、該レーザ光が前記基板
載置台に載置された処理対象基板の表面において第１の
方向に長い直線状のビームスポット形状を有する前記レ
ーザ光照射手段と、前記基板載置台を前記第１の方向と
交わり、かつ載置された処理対象基板の表面に平行な第
２の方向に移動させる直動機構と、前記基板載置台を、
その上に載置された処理対象基板の表面に垂直な軸を中
心として回転させる回動機構とを有するレーザアニール
装置が提供される。
する処理容器と、前記処理容器の内部空洞内に配置さ
れ、処理対象基板を載置する基板載置台と、前記基板載
置台に載置された処理対象基板の表面にレーザ光を照射
するレーザ光照射手段であって、該レーザ光が前記基板
載置台に載置された処理対象基板の表面において第１の
方向に長い直線状のビームスポット形状を有する前記レ
ーザ光照射手段と、前記基板載置台を前記第１の方向と
交わり、かつ載置された処理対象基板の表面に平行な第
２の方向に移動させる直動機構と、前記基板載置台を、
その上に載置された処理対象基板の表面に垂直な軸を中
心として回転させる回動機構とを有するレーザアニール
装置が提供される。
【００１０】回動機構が基板を回転させることにより、
ビームスポットの長手方向と、基板のレーザ光を照射す
べき領域の長手方向とが平行になるように、基板を配置
することができる。これにより、効率的なレーザ光の照
射を行うことができる。
ビームスポットの長手方向と、基板のレーザ光を照射す
べき領域の長手方向とが平行になるように、基板を配置
することができる。これにより、効率的なレーザ光の照
射を行うことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】ＴＦＴ型液晶表示装置において高
速動作可能なＴＦＴが必要とされるのは、特に周辺駆動
回路部分であり、画像表示領域においては高速のＴＦＴ
は必要とされない。従って、ＴＦＴ基板の表面のうち、
周辺駆動回路が形成される領域のみをポリシリコン化す
れば十分である。
速動作可能なＴＦＴが必要とされるのは、特に周辺駆動
回路部分であり、画像表示領域においては高速のＴＦＴ
は必要とされない。従って、ＴＦＴ基板の表面のうち、
周辺駆動回路が形成される領域のみをポリシリコン化す
れば十分である。
【００１２】画像表示領域は通常長方形状であり、周辺
駆動回路は、画像表示領域の周囲にそれを取り囲むよう
に配置される。このため、周辺駆動回路の形成される領
域は、一方向に長い領域と、それに直交する方向に長い
領域とを含んで構成されることになる。
駆動回路は、画像表示領域の周囲にそれを取り囲むよう
に配置される。このため、周辺駆動回路の形成される領
域は、一方向に長い領域と、それに直交する方向に長い
領域とを含んで構成されることになる。
【００１３】長尺ビームのビームスポットの長手方向を
周辺駆動回路領域の長手方向と平行にし、基板をビーム
スポットの長手方向と直交する向きに移動させることに
より、当該周辺駆動回路領域に効率的にレーザ光を照射
することができる。このようにして、効率的にアモルフ
ァスシリコン膜をポリシリコン化することが可能にな
る。この場合、その周辺駆動回路領域の長手方向と直交
する方向に長い他の周辺駆動回路領域においては、その
長手方向と長尺ビームのビームスポットの長手方向とが
直交することになる。このため、余分な領域にまでレー
ザ光が照射されてしまう。
周辺駆動回路領域の長手方向と平行にし、基板をビーム
スポットの長手方向と直交する向きに移動させることに
より、当該周辺駆動回路領域に効率的にレーザ光を照射
することができる。このようにして、効率的にアモルフ
ァスシリコン膜をポリシリコン化することが可能にな
る。この場合、その周辺駆動回路領域の長手方向と直交
する方向に長い他の周辺駆動回路領域においては、その
長手方向と長尺ビームのビームスポットの長手方向とが
直交することになる。このため、余分な領域にまでレー
ザ光が照射されてしまう。
【００１４】図１は、余分なレーザ照射を抑制すること
ができる本発明の実施例によるレーザアニール装置の概
略を示す。図１（Ａ）はレーザアニール装置の概略を示
す平断面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の一点鎖線
Ｂ１−Ｂ１における概略断面図である。図１（Ａ）及び
図１（Ｂ）に示すように、真空排気可能な処理容器１内
に基板載置台２が収容されている。基板載置台２は、回
動機構３及び直動機構４を介して処理容器１に支持され
ている。直動機構４の案内方向は、図１（Ａ）の縦方
向、図１（Ｂ）の紙面に垂直な方向である。基板載置台
２には、処理容器１の外部まで延在する駆動軸５が取り
付けられている。駆動軸５が処理容器１の壁を貫通する
部分は、ベローズにより気密に保たれている。
ができる本発明の実施例によるレーザアニール装置の概
略を示す。図１（Ａ）はレーザアニール装置の概略を示
す平断面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の一点鎖線
Ｂ１−Ｂ１における概略断面図である。図１（Ａ）及び
図１（Ｂ）に示すように、真空排気可能な処理容器１内
に基板載置台２が収容されている。基板載置台２は、回
動機構３及び直動機構４を介して処理容器１に支持され
ている。直動機構４の案内方向は、図１（Ａ）の縦方
向、図１（Ｂ）の紙面に垂直な方向である。基板載置台
２には、処理容器１の外部まで延在する駆動軸５が取り
付けられている。駆動軸５が処理容器１の壁を貫通する
部分は、ベローズにより気密に保たれている。
【００１５】駆動軸５を介して基板載置台２に並進力を
印加し、基板載置台２を直動機構４に沿って並進移動さ
せることができる。また、回動機構３を駆動することに
より、基板載置台２を、その上に載置される基板の表面
に垂直な軸を中心として回転させることができる。
印加し、基板載置台２を直動機構４に沿って並進移動さ
せることができる。また、回動機構３を駆動することに
より、基板載置台２を、その上に載置される基板の表面
に垂直な軸を中心として回転させることができる。
【００１６】基板載置台２の上に、処理対象基板１２が
載置される。処理対象基板１２は、基板載置台２の上面
に設けられた複数の突起７により面内位置を拘束され
る。
載置される。処理対象基板１２は、基板載置台２の上面
に設けられた複数の突起７により面内位置を拘束され
る。
【００１７】処理容器１の上側の壁の一部にレーザ光を
透過する石英製の窓６がはめ込まれている。窓６の上方
にレーザ光学系１０が配置されている。レーザ光学系１
０から放射されたレーザ光１１が窓６を透過して処理容
器１内に導入され、基板載置台２の上面に載置された処
理対象基板１２の表面を照射する。レーザ光１１のビー
ムスポット１３の形状は、処理対象基板１２の表面にお
いて、直線状の細長い形状を有する。レーザ光学系１０
は、直動機構１４によってビームスポット１３の長手方
向に平行移動可能である。
透過する石英製の窓６がはめ込まれている。窓６の上方
にレーザ光学系１０が配置されている。レーザ光学系１
０から放射されたレーザ光１１が窓６を透過して処理容
器１内に導入され、基板載置台２の上面に載置された処
理対象基板１２の表面を照射する。レーザ光１１のビー
ムスポット１３の形状は、処理対象基板１２の表面にお
いて、直線状の細長い形状を有する。レーザ光学系１０
は、直動機構１４によってビームスポット１３の長手方
向に平行移動可能である。
【００１８】図１（Ａ）に示す処理対象基板１２には、
１つの液晶表示パネルに対応する単位領域が６面画定さ
れている。各単位領域は、長方形状の表示領域２０とそ
の周囲に配置された４つの細長い周辺駆動回路領域２１
ａ〜２１ｄを含んで構成される。周辺駆動回路領域２１
ａと２１ｃは、表示領域２０の相互に対向する一対の辺
の近傍に配置され、周辺駆動回路領域２１ｂと２１ｄ
は、表示領域２０の他の一対の辺の近傍に配置されてい
る。各周辺駆動回路領域２１ａ〜２１ｄの長手方向は、
表示領域２０の対応する辺と平行である。
１つの液晶表示パネルに対応する単位領域が６面画定さ
れている。各単位領域は、長方形状の表示領域２０とそ
の周囲に配置された４つの細長い周辺駆動回路領域２１
ａ〜２１ｄを含んで構成される。周辺駆動回路領域２１
ａと２１ｃは、表示領域２０の相互に対向する一対の辺
の近傍に配置され、周辺駆動回路領域２１ｂと２１ｄ
は、表示領域２０の他の一対の辺の近傍に配置されてい
る。各周辺駆動回路領域２１ａ〜２１ｄの長手方向は、
表示領域２０の対応する辺と平行である。
【００１９】周辺駆動回路領域２１ａ〜２１ｄの各々に
対応して、それぞれ一対の位置合わせ用マーク２２ａ〜
２２ｄが形成されている。位置合わせ用マーク２２ａ〜
２２ｄは、それぞれ対応する周辺駆動回路領域２１ａ〜
２１ｄをその長手方向に延長した直線上に配置されてい
る。位置合わせ用マーク２２ａ〜２２ｄの各々の間隔
は、すべて等しい。
対応して、それぞれ一対の位置合わせ用マーク２２ａ〜
２２ｄが形成されている。位置合わせ用マーク２２ａ〜
２２ｄは、それぞれ対応する周辺駆動回路領域２１ａ〜
２１ｄをその長手方向に延長した直線上に配置されてい
る。位置合わせ用マーク２２ａ〜２２ｄの各々の間隔
は、すべて等しい。
【００２０】図１（Ｂ）に示すように、窓６の上方に、
一対のアライメント光学系３０が配置されている。アラ
イメント光学系３０は、レーザ光学系１０と一体となっ
てビームスポット１３の長手方向に平行移動する。
一対のアライメント光学系３０が配置されている。アラ
イメント光学系３０は、レーザ光学系１０と一体となっ
てビームスポット１３の長手方向に平行移動する。
【００２１】次に、図１に示すレーザアニール装置を用
いて、レーザアニールを行う方法を説明する。
いて、レーザアニールを行う方法を説明する。
【００２２】基板載置台２の上に処理対象基板１２を載
置する。回動機構３を駆動し、処理対象基板１２の一つ
の辺が、レーザ光のビームスポット１３の長手方向にほ
ぼ平行になるようにする。以下、周辺駆動回路領域２１
ａのレーザアニールを行う方法を例に説明する。他の周
辺駆動回路領域のレーザアニールを行う方法も同様であ
る。
置する。回動機構３を駆動し、処理対象基板１２の一つ
の辺が、レーザ光のビームスポット１３の長手方向にほ
ぼ平行になるようにする。以下、周辺駆動回路領域２１
ａのレーザアニールを行う方法を例に説明する。他の周
辺駆動回路領域のレーザアニールを行う方法も同様であ
る。
【００２３】直動機構４を駆動して処理対象基板１２を
平行移動させるとともに、直動機構１４を駆動してレー
ザ光学系１０を平行移動し、一対の位置合わせ用マーク
２２ａがアライメント光学系３０の視野に入るようにす
る。
平行移動させるとともに、直動機構１４を駆動してレー
ザ光学系１０を平行移動し、一対の位置合わせ用マーク
２２ａがアライメント光学系３０の視野に入るようにす
る。
【００２４】アライメント光学系３０で位置合わせ用マ
ーク２２ａを観測しながら、各位置合わせ用マーク２２
ａが基準位置に来るように、回動機構３、直動機構４、
及び直動機構１４を駆動する。アライメント光学系３０
の基準位置とレーザ光学系１０のビームスポット１３の
位置のオフセットを考慮して直動機構４を駆動し、周辺
駆動回路領域２１ａとビームスポット１３との位置を調
整する。
ーク２２ａを観測しながら、各位置合わせ用マーク２２
ａが基準位置に来るように、回動機構３、直動機構４、
及び直動機構１４を駆動する。アライメント光学系３０
の基準位置とレーザ光学系１０のビームスポット１３の
位置のオフセットを考慮して直動機構４を駆動し、周辺
駆動回路領域２１ａとビームスポット１３との位置を調
整する。
【００２５】レーザ光のパルス照射と直動機構４の駆動
を繰り返す。このとき、レーザ照射される領域が、前回
のショットで照射された領域と一部重なるように基板１
２を移動させる。このようにして、周辺駆動回路領域２
１ａの全領域にレーザ光を照射することができる。
を繰り返す。このとき、レーザ照射される領域が、前回
のショットで照射された領域と一部重なるように基板１
２を移動させる。このようにして、周辺駆動回路領域２
１ａの全領域にレーザ光を照射することができる。
【００２６】直動機構１４と回動機構３をほぼ固定し、
直動機構４の案内方向に関する位置のみを調整すること
により、図１（Ａ）の基板１２の右半分に縦方向に配列
した横方向に長い６つの周辺駆動回路領域にレーザ照射
することができる。直動機構１４を駆動してビームスポ
ット１３を左側に移動し、図１（Ａ）の基板１２の左半
分に縦方向に配列した横方向に長い６つの周辺駆動回路
領域に対応する位置で停止させる。基板１２の右半分に
配列した周辺駆動回路領域の場合と同様の処理を行う。
このようにして、図１（Ａ）において横方向に長い１２
個の周辺駆動回路領域のすべてにレーザ光を照射するこ
とができる。
直動機構４の案内方向に関する位置のみを調整すること
により、図１（Ａ）の基板１２の右半分に縦方向に配列
した横方向に長い６つの周辺駆動回路領域にレーザ照射
することができる。直動機構１４を駆動してビームスポ
ット１３を左側に移動し、図１（Ａ）の基板１２の左半
分に縦方向に配列した横方向に長い６つの周辺駆動回路
領域に対応する位置で停止させる。基板１２の右半分に
配列した周辺駆動回路領域の場合と同様の処理を行う。
このようにして、図１（Ａ）において横方向に長い１２
個の周辺駆動回路領域のすべてにレーザ光を照射するこ
とができる。
【００２７】次に、回動機構３を駆動し、基板１２を約
９０°回転させる。図１（Ａ）において縦方向に長い周
辺駆動回路領域、例えば周辺駆動回路領域２１ｂ、２１
ｄが、ビームスポット１３の長手方向と平行になる。周
辺駆動回路領域２１ａの場合と同様にして、ビームスポ
ット１３の長手方向と平行な方向に延在する１２個の周
辺駆動回路領域にレーザ光の照射を行い。
９０°回転させる。図１（Ａ）において縦方向に長い周
辺駆動回路領域、例えば周辺駆動回路領域２１ｂ、２１
ｄが、ビームスポット１３の長手方向と平行になる。周
辺駆動回路領域２１ａの場合と同様にして、ビームスポ
ット１３の長手方向と平行な方向に延在する１２個の周
辺駆動回路領域にレーザ光の照射を行い。
【００２８】このように、基板を回転させて、照射すべ
き領域の長手方向とビームスポットの長手方向とを平行
にし、基板をビームスポットの長手方向と直交する方向
に平行移動させながらレーザ照射を行うことにより、余
分な領域にレーザ光を照射せず、効率的なレーザ照射を
行うことができる。１枚の基板を処理するために必要な
レーザ光のショット回数が減少するため、レーザ光学系
１０の劣化を抑制することができる。
き領域の長手方向とビームスポットの長手方向とを平行
にし、基板をビームスポットの長手方向と直交する方向
に平行移動させながらレーザ照射を行うことにより、余
分な領域にレーザ光を照射せず、効率的なレーザ照射を
行うことができる。１枚の基板を処理するために必要な
レーザ光のショット回数が減少するため、レーザ光学系
１０の劣化を抑制することができる。
【００２９】上記実施例では、ビームスポットの長手方
向と直交する方向に基板を移動させる場合を説明した
が、長手方向と移動方向とを直交させる必要はない。長
手方向とある角度で交わる方向に移動させてもよい。
向と直交する方向に基板を移動させる場合を説明した
が、長手方向と移動方向とを直交させる必要はない。長
手方向とある角度で交わる方向に移動させてもよい。
【００３０】また、上記実施例では、処理容器１内に回
動機構３を配置した場合を説明したが、必ずしも回動機
構３を処理容器１内に配置しなくてもよい。回動機構３
を処理容器１内に配置しない場合には、ある一つの方向
に長い周辺駆動回路領域のみをレーザアニールした後、
一旦、基板を処理容器から取り出し、処理容器外で基板
を９０°回転して処理容器内に再度搬入することによ
り、すべての周辺駆動回路領域をレーザアニールするこ
とができる。
動機構３を配置した場合を説明したが、必ずしも回動機
構３を処理容器１内に配置しなくてもよい。回動機構３
を処理容器１内に配置しない場合には、ある一つの方向
に長い周辺駆動回路領域のみをレーザアニールした後、
一旦、基板を処理容器から取り出し、処理容器外で基板
を９０°回転して処理容器内に再度搬入することによ
り、すべての周辺駆動回路領域をレーザアニールするこ
とができる。
【００３１】また、上記実施例では、直動機構４により
基板１２を平行移動させ、直動機構１４によりレーザ光
学系１０を、基板１２の移動方向と直交する方向に平行
移動させる場合を説明した。処理容器１内に、直動機構
４による移動方向と直交する方向の他の直動機構を配置
し、基板１２を２方向に移動するようにしてもよい。こ
の場合、レーザ光学系１０を移動させる直動機構１４は
不要である。
基板１２を平行移動させ、直動機構１４によりレーザ光
学系１０を、基板１２の移動方向と直交する方向に平行
移動させる場合を説明した。処理容器１内に、直動機構
４による移動方向と直交する方向の他の直動機構を配置
し、基板１２を２方向に移動するようにしてもよい。こ
の場合、レーザ光学系１０を移動させる直動機構１４は
不要である。
【００３２】図２は、図１に示す直動機構を用いたレー
ザアニール装置全体の概略平面図を示す。レーザアニー
ル装置は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す処理容器
１、搬送チャンバ５２、搬入チャンバ５３、搬出チャン
バ５４、ホモジナイザ４２、ＣＣＤカメラ５８、及びビ
デオモニタ５９を含んで構成される。
ザアニール装置全体の概略平面図を示す。レーザアニー
ル装置は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す処理容器
１、搬送チャンバ５２、搬入チャンバ５３、搬出チャン
バ５４、ホモジナイザ４２、ＣＣＤカメラ５８、及びビ
デオモニタ５９を含んで構成される。
【００３３】処理容器１と搬送チャンバ５２がゲートバ
ルブ５５を介して結合され、搬送チャンバ５２と搬入チ
ャンバ５３、及び搬送チャンバ５２と搬出チャンバ５４
が、それぞれゲートバルブ５６及び５７を介して結合さ
れている。処理容器１、搬入チャンバ５３及び搬出チャ
ンバ５４には、それぞれ真空ポンプ６１、６２及び６３
が取り付けられ、各チャンバの内部を真空排気すること
ができる。
ルブ５５を介して結合され、搬送チャンバ５２と搬入チ
ャンバ５３、及び搬送チャンバ５２と搬出チャンバ５４
が、それぞれゲートバルブ５６及び５７を介して結合さ
れている。処理容器１、搬入チャンバ５３及び搬出チャ
ンバ５４には、それぞれ真空ポンプ６１、６２及び６３
が取り付けられ、各チャンバの内部を真空排気すること
ができる。
【００３４】搬送チャンバ５２内には、搬送用ロボット
６４が収容されている。搬送用ロボット６４は、処理容
器１、搬入チャンバ５３及び搬出チャンバ５４の相互間
で処理基板を移送する。
６４が収容されている。搬送用ロボット６４は、処理容
器１、搬入チャンバ５３及び搬出チャンバ５４の相互間
で処理基板を移送する。
【００３５】処理容器１の上面に、レーザ光透過用の石
英窓６が設けられている。パルス発振したエキシマレー
ザ装置４１から出力されたレーザビームがアッテネータ
４６を通ってホモジナイザ４２に入力する。ホモジナイ
ザ４２は、レーザビームのビームスポットを細長い形状
にする。ホモジナイザ４２を通過したレーザビームは、
レーザ光のビームスポット形状に対応した細長い石英窓
６を透過して処理容器１内の基板を照射する。基板の表
面がホモジナイズ面に一致するように、ホモジナイザ４
２と基板との相対位置が調節されている。
英窓６が設けられている。パルス発振したエキシマレー
ザ装置４１から出力されたレーザビームがアッテネータ
４６を通ってホモジナイザ４２に入力する。ホモジナイ
ザ４２は、レーザビームのビームスポットを細長い形状
にする。ホモジナイザ４２を通過したレーザビームは、
レーザ光のビームスポット形状に対応した細長い石英窓
６を透過して処理容器１内の基板を照射する。基板の表
面がホモジナイズ面に一致するように、ホモジナイザ４
２と基板との相対位置が調節されている。
【００３６】エキシマレーザ装置４１、ホモジナイザ４
２、搬送用ロボット６４、及びゲートバルブ５５〜５７
の動作は、制御装置６５によって制御される。基板表面
はＣＣＤカメラ５８により撮影され、処理中の基板表面
をビデオモニタ５９で観察することができる。
２、搬送用ロボット６４、及びゲートバルブ５５〜５７
の動作は、制御装置６５によって制御される。基板表面
はＣＣＤカメラ５８により撮影され、処理中の基板表面
をビデオモニタ５９で観察することができる。
【００３７】基板は、図１で説明した直動機構により石
英窓６の長軸方向に直交する向きに並進移動する。１シ
ョット分の照射領域の一部が前回のショットにおける照
射領域の一部と重なるような速さで基板を移動すること
により、基板表面の広い領域を照射することができる。
英窓６の長軸方向に直交する向きに並進移動する。１シ
ョット分の照射領域の一部が前回のショットにおける照
射領域の一部と重なるような速さで基板を移動すること
により、基板表面の広い領域を照射することができる。
【００３８】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ビームスポットの長手方向と、照射すべき領域の長手方
向とを平行にすることができる。このため、効率的なレ
ーザ光の照射が可能になる。レーザ光の照射効率を高め
ることができるため、光学装置の劣化が抑制され、製造
コストの低減を図ることができる。
ビームスポットの長手方向と、照射すべき領域の長手方
向とを平行にすることができる。このため、効率的なレ
ーザ光の照射が可能になる。レーザ光の照射効率を高め
ることができるため、光学装置の劣化が抑制され、製造
コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例によるレーザアニール装置の処
理容器の概略を示す平断面図及び側断面図である。
理容器の概略を示す平断面図及び側断面図である。
【図２】本発明の実施例によるレーザアニール装置の概
略を示す平面図である。
略を示す平面図である。
１ 処理容器 ２ 基板載置台 ３ 回動機構 ４ 直動機構 ５ 駆動軸 ６ 窓 ７ 突起 １０ レーザ光学系 １１ レーザ光 １２ 処理対象基板 １３ ビームスポット １４ 直動機構 ２０ 表示領域 ２１ａ〜２１ｄ 周辺駆動回路領域 ２２ａ〜２２ｄ 位置合わせ用マーク ３０ アライメント光学系 ４１ エキシマレーザ装置 ４２ ホモジナイザ ４６ アッテネータ ５２ 搬送チャンバ ５３、５４ 搬出入チャンバ ５５〜５７ ゲートバルブ ５８ ＣＣＤカメラ ５９ ビデオモニタ ６１、６２、６３ 真空ポンプ ６４ 搬送ロボット ６５ 制御装置
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に半導体膜が形成された基板の該表
面の一部に、該表面において第１の方向に長いビームス
ポット形状を有するレーザ光を照射しながら、前記基板
を、その表面に平行であってかつ前記第１の方向と交わ
る第２の方向に移動させる第１のレーザ光照射工程と、 前記基板を、その表面に垂直な軸を中心としてある角度
回転させる工程と、 前記基板の表面のうち、前記第１のレーザ光照射工程で
レーザ光の照射された領域以外の領域の一部に前記レー
ザ光を照射しながら、前記基板を、その表面に平行であ
ってかつ前記第１の方向と交わる第３の方向に移動させ
る第２のレーザ光照射工程とを有するレーザアニール方
法。 - 【請求項２】 前記第１のレーザ光照射工程の前に、さ
らに、前記基板の表面に形成された位置合わせ用マーク
と、前記レーザ光のビームスポット位置との相対位置関
係を調整する第１の位置合わせ工程を有し、 前記第２のレーザ光照射工程の前に、さらに、前記基板
の表面に形成された位置合わせ用マークと、前記レーザ
光のビームスポット位置との相対位置関係を調整する第
２の位置合わせ工程を有する請求項１に記載のレーザア
ニール方法。 - 【請求項３】 前記基板の表面に、ある長方形領域を考
えたとき、 前記第１のレーザ光照射工程の前に、さらに、前記第１
の方向と前記ある長方形領域の相互に対向する一対の辺
とがほぼ平行になるように前記基板を配置する工程を有
し、 前記第１のレーザ光照射工程が、前記レーザ光を照射し
ながら、前記基板を前記ある長方形領域の相互に対向す
る他の一対の辺に平行な方向に移動させ、前記ある長方
形領域の外側の一部の領域にレーザ光を照射する工程を
含み、 前記回転させる工程において、前記基板を９０°回転さ
せ、 前記第２のレーザ光照射工程が、前記レーザ光を照射し
ながら、前記基板を前記ある長方形領域の相互に対向す
る前記一対の辺に平行な方向に移動させ、前記ある長方
形領域の外側の一部の領域にレーザ光を照射する工程と
を含む請求項１または２に記載のレーザアニール方法。 - 【請求項４】 内部空洞を有する処理容器と、 前記処理容器の内部空洞内に配置され、処理対象基板を
載置する基板載置台と、 前記基板載置台に載置された処理対象基板の表面にレー
ザ光を照射するレーザ光照射手段であって、該レーザ光
が前記基板載置台に載置された処理対象基板の表面にお
いて第１の方向に長い直線状のビームスポット形状を有
する前記レーザ光照射手段と、 前記基板載置台を前記第１の方向と交わり、かつ載置さ
れた処理対象基板の表面に平行な第２の方向に移動させ
る直動機構と、 前記基板載置台を、その上に載置された処理対象基板の
表面に垂直な軸を中心として回転させる回動機構とを有
するレーザアニール装置。 - 【請求項５】 さらに、前記基板載置台の上に載置され
た処理対象基板と前記レーザ光照射手段から放出された
レーザ光のビームスポット位置との相対位置関係を検出
するための位置検出手段とを有する請求項４に記載のレ
ーザアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP686297A JPH10209069A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | レーザアニール方法及びレーザアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP686297A JPH10209069A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | レーザアニール方法及びレーザアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209069A true JPH10209069A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11650063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP686297A Pending JPH10209069A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | レーザアニール方法及びレーザアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209069A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086505A (ja) * | 2000-08-25 | 2003-03-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2005354087A (ja) * | 2000-08-25 | 2005-12-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| WO2007122061A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Apparatus for laser annealing of large substrates and method for laser annealing of large substrates |
| US7397831B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-07-08 | Hitachi Displays, Ltd. | Laser annealing apparatus and annealing method of semiconductor thin film using the same |
| JP2008546187A (ja) * | 2005-05-26 | 2008-12-18 | サイマー インコーポレイテッド | ラインビームとして成形されたレーザと基板上に堆積された膜との間の相互作用を実現するためのシステム及び方法 |
| JP2009188431A (ja) * | 2001-10-30 | 2009-08-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| WO2010101066A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | 株式会社日本製鋼所 | 結晶質膜の製造方法および結晶質膜製造装置 |
-
1997
- 1997-01-17 JP JP686297A patent/JPH10209069A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086505A (ja) * | 2000-08-25 | 2003-03-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
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| JP4723926B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2011-07-13 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009188431A (ja) * | 2001-10-30 | 2009-08-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
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| WO2010101066A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | 株式会社日本製鋼所 | 結晶質膜の製造方法および結晶質膜製造装置 |
| CN102099895A (zh) * | 2009-03-05 | 2011-06-15 | 株式会社日本制钢所 | 结晶膜的制造方法及结晶膜制造装置 |
| JPWO2010101066A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2012-09-10 | 株式会社日本製鋼所 | 結晶質膜の製造方法および結晶質膜製造装置 |
| JP5594741B2 (ja) * | 2009-03-05 | 2014-09-24 | 株式会社日本製鋼所 | 結晶質膜の製造方法および結晶質膜製造装置 |
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