JP2000252228A - レーザアニール装置 - Google Patents
レーザアニール装置Info
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- JP2000252228A JP2000252228A JP5688199A JP5688199A JP2000252228A JP 2000252228 A JP2000252228 A JP 2000252228A JP 5688199 A JP5688199 A JP 5688199A JP 5688199 A JP5688199 A JP 5688199A JP 2000252228 A JP2000252228 A JP 2000252228A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板上に形成されたアモルファスシリ
コン薄膜を、所定のパターンに従って結晶化することが
できるレーザアニール装置を提供する。 【解決手段】 被処理基板６は、移動ステージ２上に保
持される。移動ステージ２は、回転駆動機構９及び水平
駆動機構５を備え、垂直軸回りの回転及び水平面内での
移動が可能である。光学系３は、レーザ発振源１から発
射されたレーザビーム７をライン状の断面形状に加工し
て被処理基板６上へ導く。記憶部１２には、予め、レー
ザビーム８の照射条件を設定するデータ、即ち、移動ス
テージ２の回転及び水平移動の指示並びに移動ステージ
２の回転角度及び水平位置に応じたレーザビームの照射
条件が蓄えられている。制御部１３は、記憶部１２に蓄
えられた指示データ、回転角度検出器１１及び水平位置
検出器１０からの出力に基づいて、移動ステージ２及び
レーザビーム８の照射条件を制御する。
コン薄膜を、所定のパターンに従って結晶化することが
できるレーザアニール装置を提供する。 【解決手段】 被処理基板６は、移動ステージ２上に保
持される。移動ステージ２は、回転駆動機構９及び水平
駆動機構５を備え、垂直軸回りの回転及び水平面内での
移動が可能である。光学系３は、レーザ発振源１から発
射されたレーザビーム７をライン状の断面形状に加工し
て被処理基板６上へ導く。記憶部１２には、予め、レー
ザビーム８の照射条件を設定するデータ、即ち、移動ス
テージ２の回転及び水平移動の指示並びに移動ステージ
２の回転角度及び水平位置に応じたレーザビームの照射
条件が蓄えられている。制御部１３は、記憶部１２に蓄
えられた指示データ、回転角度検出器１１及び水平位置
検出器１０からの出力に基づいて、移動ステージ２及び
レーザビーム８の照射条件を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザアニール装
置に係り、特に、ポリシリコンＴＦＴ（ポリシリコン薄
膜トランジスタ）を画素のスイッチング素子及び周辺駆
動回路の双方に使用する駆動回路一体型のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造の際に好適なレーザアニ
ール装置に関する。
置に係り、特に、ポリシリコンＴＦＴ（ポリシリコン薄
膜トランジスタ）を画素のスイッチング素子及び周辺駆
動回路の双方に使用する駆動回路一体型のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造の際に好適なレーザアニ
ール装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に、従来のレーザアニール装置の構
成の概要を示す。レーザアニール装置は、レーザ発振源
１、移動ステージ２、光学系３、制御部１３などから構
成される。
成の概要を示す。レーザアニール装置は、レーザ発振源
１、移動ステージ２、光学系３、制御部１３などから構
成される。
【０００３】被処理基板６は、移動ステージ２の上に保
持される。移動ステージ２は、水平駆動機構５を備え、
水平面内で二次元移動が可能である。光学系３は、レー
ザ発振源１から発射されたレーザビーム７を、幅が狭く
長手方向に伸びた矩形の断面形状を備えたライン状のレ
ーザビーム８に加工して被処理基板６の表面へ導く。制
御部１３は、移動ステージ２の二次元移動及びレーザビ
ーム８の照射条件を制御する。
持される。移動ステージ２は、水平駆動機構５を備え、
水平面内で二次元移動が可能である。光学系３は、レー
ザ発振源１から発射されたレーザビーム７を、幅が狭く
長手方向に伸びた矩形の断面形状を備えたライン状のレ
ーザビーム８に加工して被処理基板６の表面へ導く。制
御部１３は、移動ステージ２の二次元移動及びレーザビ
ーム８の照射条件を制御する。
【０００４】このレーザアニール装置を用いて、被処理
基板６の表面に形成されたアモルファスシリコン薄膜の
結晶化（あるいは改質）を行う場合、目標とする結晶化
の度合いを得るため、予め、ライン状のレーザビーム８
の断面形状（幅及び長さ）及び照射周波数などを所定の
条件に調整した後、移動ステージ２を一定の速度で移動
させながら、レーザビーム８を被処理基板６の上に照射
する。従って、被処理基板６上における薄膜の結晶化の
度合いは、図４に示す様に、薄膜が形成されている全領
域４１に渡ってほぼ同一である。
基板６の表面に形成されたアモルファスシリコン薄膜の
結晶化（あるいは改質）を行う場合、目標とする結晶化
の度合いを得るため、予め、ライン状のレーザビーム８
の断面形状（幅及び長さ）及び照射周波数などを所定の
条件に調整した後、移動ステージ２を一定の速度で移動
させながら、レーザビーム８を被処理基板６の上に照射
する。従って、被処理基板６上における薄膜の結晶化の
度合いは、図４に示す様に、薄膜が形成されている全領
域４１に渡ってほぼ同一である。
【０００５】ポリシリコンＴＦＴは、上記の様に、アモ
ルファスシリコン薄膜をレーザアニール法によって結晶
化させたポリシリコン薄膜を半導体活性層としている。
この様なポリシリコンＴＦＴは、高速応答性などの優れ
た特性を備えており、アクティブマトリクス型カラー表
示液晶装置のスイッチング素子として広く使用されてい
る。
ルファスシリコン薄膜をレーザアニール法によって結晶
化させたポリシリコン薄膜を半導体活性層としている。
この様なポリシリコンＴＦＴは、高速応答性などの優れ
た特性を備えており、アクティブマトリクス型カラー表
示液晶装置のスイッチング素子として広く使用されてい
る。
【０００６】更に、ポリシリコンＴＦＴを用いることに
よって、液晶表示部を制御する駆動回路（周辺駆動回
路）も、液晶表示部と共通の絶縁基板上に形成すること
が可能になる。このため、ポリシリコンＴＦＴは、アク
ティブマトリクス型カラー表示液晶装置の製造コストの
低減を実現する有力な要素として注目されている。
よって、液晶表示部を制御する駆動回路（周辺駆動回
路）も、液晶表示部と共通の絶縁基板上に形成すること
が可能になる。このため、ポリシリコンＴＦＴは、アク
ティブマトリクス型カラー表示液晶装置の製造コストの
低減を実現する有力な要素として注目されている。
【０００７】但し、上記の様ないわゆる駆動回路一体型
のアクティブマトリクス型カラー表示液晶装置におい
て、その性能の向上を図る場合には、特に、周辺駆動回
路部分のトランジスタ特性を向上させる必要がある。
のアクティブマトリクス型カラー表示液晶装置におい
て、その性能の向上を図る場合には、特に、周辺駆動回
路部分のトランジスタ特性を向上させる必要がある。
【０００８】しかしながら、図３に示した様な従来のレ
ーザアニール装置を用いた場合、レーザアニールの条件
は被処理基板上の全面に渡って同一であり、被処理基板
上の特定の領域のみにおいてレーザアニールの条件を変
更することはできない。即ち、周辺駆動回路領域のトラ
ンジスタ特性のみを向上させるために、アモルファスシ
リコン薄膜の結晶化の条件を特定のパターンに従って変
更することはできない。
ーザアニール装置を用いた場合、レーザアニールの条件
は被処理基板上の全面に渡って同一であり、被処理基板
上の特定の領域のみにおいてレーザアニールの条件を変
更することはできない。即ち、周辺駆動回路領域のトラ
ンジスタ特性のみを向上させるために、アモルファスシ
リコン薄膜の結晶化の条件を特定のパターンに従って変
更することはできない。
【０００９】従って、周辺駆動回路領域のみにおいてト
ランジスタ特性を向上させる必要がある場合でも、被処
理基板上の全面に渡って同一条件でレーザアニールを施
さざるを得ない。その結果、レーザ照射回数が増え、照
射回数により支配されるレーザ発振源の寿命が短くな
り、メンテナンスの頻度が多くなる。その上、画像表示
領域のサイズが大型化した場合には、照射すべき面積も
拡大するため、レーザアニール工程に要する時間が更に
増大する。
ランジスタ特性を向上させる必要がある場合でも、被処
理基板上の全面に渡って同一条件でレーザアニールを施
さざるを得ない。その結果、レーザ照射回数が増え、照
射回数により支配されるレーザ発振源の寿命が短くな
り、メンテナンスの頻度が多くなる。その上、画像表示
領域のサイズが大型化した場合には、照射すべき面積も
拡大するため、レーザアニール工程に要する時間が更に
増大する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な従
来のレーザアニール方法の問題に鑑み成されたもので、
本発明の目的は、被処理基板上に形成されたアモルファ
スシリコン薄膜を、所定の幾何学的なパターンに従って
結晶化あるいは改質することが可能なレーザアニール装
置を提供することにある。
来のレーザアニール方法の問題に鑑み成されたもので、
本発明の目的は、被処理基板上に形成されたアモルファ
スシリコン薄膜を、所定の幾何学的なパターンに従って
結晶化あるいは改質することが可能なレーザアニール装
置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザアニール
装置は、レーザ発振源と、被処理基板を保持し、垂直軸
回りの回転及び水平方向の移動が可能な移動ステージ
と、レーザ発振源から発射されたレーザビームをライン
状の断面形状のレーザビームに加工して被処理基板上に
導く光学系と、を備えたことを特徴とする。
装置は、レーザ発振源と、被処理基板を保持し、垂直軸
回りの回転及び水平方向の移動が可能な移動ステージ
と、レーザ発振源から発射されたレーザビームをライン
状の断面形状のレーザビームに加工して被処理基板上に
導く光学系と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】好ましくは、前記移動ステージを、互いに
直交する二つの角度の間で回転角度の切り替えるができ
る様に構成する。
直交する二つの角度の間で回転角度の切り替えるができ
る様に構成する。
【００１３】好ましくは、本発明のレーザアニール装置
は、更に、前記移動ステージの垂直軸回りの回転角度を
検出する回転角度検出手段と、前記移動ステージの水平
方向の位置を検出する水平位置検出手段と、レーザビー
ムの照射条件を、前記移動ステージの回転角度及び水平
方向の位置に応じて、予め設定可能な記憶部と、前記記
憶部に設定された照射条件についての指示データ、前記
回転角度検出手段により得られた回転角度、及び前記水
平位置検出手段により得られた水平方向の位置に基づい
て、前記移動ステージの垂直軸回りの回転及び水平移動
の動作の制御を行うとともに、レーザビームの制御を行
う制御部と、を備える。
は、更に、前記移動ステージの垂直軸回りの回転角度を
検出する回転角度検出手段と、前記移動ステージの水平
方向の位置を検出する水平位置検出手段と、レーザビー
ムの照射条件を、前記移動ステージの回転角度及び水平
方向の位置に応じて、予め設定可能な記憶部と、前記記
憶部に設定された照射条件についての指示データ、前記
回転角度検出手段により得られた回転角度、及び前記水
平位置検出手段により得られた水平方向の位置に基づい
て、前記移動ステージの垂直軸回りの回転及び水平移動
の動作の制御を行うとともに、レーザビームの制御を行
う制御部と、を備える。
【００１４】好ましくは、前記レーザの発振源としてエ
キシマレーザを使用する。
キシマレーザを使用する。
【００１５】本発明のレーザアニール装置によれば、レ
ーザ発振源から発射されたレーザビームは、前記光学系
によって、幅が狭く長手方向に伸びた矩形の断面形状を
備えたライン状のレーザビームに加工された後、被処理
基板上に照射される。被処理基板を保持する移動ステー
ジの回転角度を互いに直交する二つの角度の間で切り替
えるとともに、移動ステージの水平方向の送り速度を制
御することによって、被処理基板上に設定された任意の
矩形の領域毎に、それぞれ異なるレーザビームの照射条
件を適用することが可能になる。
ーザ発振源から発射されたレーザビームは、前記光学系
によって、幅が狭く長手方向に伸びた矩形の断面形状を
備えたライン状のレーザビームに加工された後、被処理
基板上に照射される。被処理基板を保持する移動ステー
ジの回転角度を互いに直交する二つの角度の間で切り替
えるとともに、移動ステージの水平方向の送り速度を制
御することによって、被処理基板上に設定された任意の
矩形の領域毎に、それぞれ異なるレーザビームの照射条
件を適用することが可能になる。
【００１６】これによって、一枚の被処理基板上に、格
子状のパターンに従って結晶化の度合いが異なる複数の
矩形状の領域を、一回のレーザアニール工程により形成
することができる。この結果、一枚の被処理基板上に、
特性の異なるポリシリコンＴＦＴを比較的容易に形成す
ることが可能になる。
子状のパターンに従って結晶化の度合いが異なる複数の
矩形状の領域を、一回のレーザアニール工程により形成
することができる。この結果、一枚の被処理基板上に、
特性の異なるポリシリコンＴＦＴを比較的容易に形成す
ることが可能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１に、本発明に基づくレーザア
ニール装置の概略構成図を示す。図中、１はレーザ発振
源、２は移動ステージ、３は光学系、６は被処理基板、
１０は水平位置検出器、１１は回転角度検出器、１２は
記憶部、１３は制御部を表す。
ニール装置の概略構成図を示す。図中、１はレーザ発振
源、２は移動ステージ、３は光学系、６は被処理基板、
１０は水平位置検出器、１１は回転角度検出器、１２は
記憶部、１３は制御部を表す。
【００１８】被処理基板６は、移動ステージ２の上に保
持される。移動ステージ２は、回転駆動機構９及び水平
駆動機構５を備え、垂直軸回りの回転（矢印１９）及び
水平面内での二次元移動（矢印１７、１８）が可能であ
る。光学系３は、レーザ発振源１から発射されたパルス
状のレーザビーム７を、幅が狭く長手方向に伸びた矩形
（例えば、５ｍｍ×３００ｍｍ）の断面形状を備えたラ
イン状のレーザビーム８に加工して、被処理基板６の表
面へ導く。制御部１３は、移動ステージ２の回転及び水
平移動の動作を制御するとともに、移動ステージ２の回
転角度及び水平位置に応じてレーザビーム８の照射条件
を制御する。
持される。移動ステージ２は、回転駆動機構９及び水平
駆動機構５を備え、垂直軸回りの回転（矢印１９）及び
水平面内での二次元移動（矢印１７、１８）が可能であ
る。光学系３は、レーザ発振源１から発射されたパルス
状のレーザビーム７を、幅が狭く長手方向に伸びた矩形
（例えば、５ｍｍ×３００ｍｍ）の断面形状を備えたラ
イン状のレーザビーム８に加工して、被処理基板６の表
面へ導く。制御部１３は、移動ステージ２の回転及び水
平移動の動作を制御するとともに、移動ステージ２の回
転角度及び水平位置に応じてレーザビーム８の照射条件
を制御する。
【００１９】移動ステージ２の近傍には、回転角度検出
器１１及び水平位置検出器１０が配置されている。これ
らは、それぞれ、移動ステージ２の回転角度及び水平位
置を検出して、制御部１３へ送る。
器１１及び水平位置検出器１０が配置されている。これ
らは、それぞれ、移動ステージ２の回転角度及び水平位
置を検出して、制御部１３へ送る。
【００２０】制御部１３には記憶部１２が接続されてい
る。記憶部１２には、予め、レーザビーム８の照射条件
についての指示データ、即ち、移動ステージ２の回転及
び水平移動の動作、並びに移動ステージ２の回転角度及
び水平位置に応じて設定されたレーザビームの照射条件
が蓄えられている。制御部１３は、回転角度検出器１１
及び水平位置検出器１０からの測定データ、及び記憶部
１２に設定されている指示データに基づいて、移動ステ
ージ２の回転及び水平移動を制御するとともに、レーザ
ビーム８の照射条件を制御する。
る。記憶部１２には、予め、レーザビーム８の照射条件
についての指示データ、即ち、移動ステージ２の回転及
び水平移動の動作、並びに移動ステージ２の回転角度及
び水平位置に応じて設定されたレーザビームの照射条件
が蓄えられている。制御部１３は、回転角度検出器１１
及び水平位置検出器１０からの測定データ、及び記憶部
１２に設定されている指示データに基づいて、移動ステ
ージ２の回転及び水平移動を制御するとともに、レーザ
ビーム８の照射条件を制御する。
【００２１】次に、図１及び図２を用いて、このレーザ
アニール装置の運転方法について説明する。なお、図２
は、本発明に基づくレーザアニール装置を用いて被処理
基板６上に形成される結晶化の度合いが異なる領域のパ
ターンの一例である。
アニール装置の運転方法について説明する。なお、図２
は、本発明に基づくレーザアニール装置を用いて被処理
基板６上に形成される結晶化の度合いが異なる領域のパ
ターンの一例である。
【００２２】被処理基板６は、移載機（図示せず）によ
って移動ステージ２上にセットされる。被処理基板６の
表面には、先行する工程においてアモルファスシリコン
の薄膜が既に形成されている。
って移動ステージ２上にセットされる。被処理基板６の
表面には、先行する工程においてアモルファスシリコン
の薄膜が既に形成されている。
【００２３】先ず、回転駆動機構９を用いて移動ステー
ジ２の回転角度を制御し、ライン状レーザビーム８の長
手方向に対して被処理基板６の一辺（この例では上辺）
を平行にする。更に、水平駆動機構５を用いて移動ステ
ージ２の水平位置を制御し、被処理基板６を所定の初期
位置に合わせる。次いで、被処理基板６上にライン状の
レーザビーム８を照射すると同時に、ライン状レーザビ
ーム８の長手方向に対して垂直方向に移動ステージ２を
移動させる。
ジ２の回転角度を制御し、ライン状レーザビーム８の長
手方向に対して被処理基板６の一辺（この例では上辺）
を平行にする。更に、水平駆動機構５を用いて移動ステ
ージ２の水平位置を制御し、被処理基板６を所定の初期
位置に合わせる。次いで、被処理基板６上にライン状の
レーザビーム８を照射すると同時に、ライン状レーザビ
ーム８の長手方向に対して垂直方向に移動ステージ２を
移動させる。
【００２４】このとき、移動ステージ２の移動速度を制
御することより（あるいは、移動ステージ２を断続的に
移動させる場合には各停止位置における滞在時間を制御
することにより）、被処理基板上の特定の領域における
レーザ照射の回数（パルス数）を任意に設定することが
できる。被処理基板６の水平位置の初期位置の設定及び
移動ステージ２の移動の工程を繰り返すことによって、
例えば図２に示す様に、被処理基板６上に、結晶化の度
合いが異なる複数の矩形形状の領域２１、２２を形成す
ることができる。
御することより（あるいは、移動ステージ２を断続的に
移動させる場合には各停止位置における滞在時間を制御
することにより）、被処理基板上の特定の領域における
レーザ照射の回数（パルス数）を任意に設定することが
できる。被処理基板６の水平位置の初期位置の設定及び
移動ステージ２の移動の工程を繰り返すことによって、
例えば図２に示す様に、被処理基板６上に、結晶化の度
合いが異なる複数の矩形形状の領域２１、２２を形成す
ることができる。
【００２５】次に、回転駆動機構９を用いて移動ステー
ジ２を（従って、被処理基板６を）、９０度回転させた
後、移動ステージ２の水平位置を制御し、被処理基板６
の初期位置の調整を行う。先と同様に、被処理基板６上
にライン状のレーザビーム８を照射すると同時に、ライ
ン状レーザビーム８の長手方向に対して垂直方向に移動
ステージ２を移動させる。この様にして、例えば図２に
示す様に、被処理基板６上で、先に形成された矩形形状
の領域２１、２２の外側に、結晶化の度合いが異なる他
の複数の矩形形状の領域２３を形成することができる。
ジ２を（従って、被処理基板６を）、９０度回転させた
後、移動ステージ２の水平位置を制御し、被処理基板６
の初期位置の調整を行う。先と同様に、被処理基板６上
にライン状のレーザビーム８を照射すると同時に、ライ
ン状レーザビーム８の長手方向に対して垂直方向に移動
ステージ２を移動させる。この様にして、例えば図２に
示す様に、被処理基板６上で、先に形成された矩形形状
の領域２１、２２の外側に、結晶化の度合いが異なる他
の複数の矩形形状の領域２３を形成することができる。
【００２６】以上の様にして、被処理基板６の上に、格
子状のパターンに従って結晶化（あるいは改質）の度合
いが異なる複数の矩形状の領域を、一回のレーザアニー
ル工程の中で形成することができる。
子状のパターンに従って結晶化（あるいは改質）の度合
いが異なる複数の矩形状の領域を、一回のレーザアニー
ル工程の中で形成することができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明のレーザアニール装置によれば、
一枚の被処理基板上に、格子状のパターンに従って結晶
化の度合いが異なる複数の矩形状の領域を、一回のレー
ザアニール工程により形成することができる。この結
果、一枚の被処理基板上に、特性の異なるポリシリコン
ＴＦＴを比較的容易に形成することが可能になる。
一枚の被処理基板上に、格子状のパターンに従って結晶
化の度合いが異なる複数の矩形状の領域を、一回のレー
ザアニール工程により形成することができる。この結
果、一枚の被処理基板上に、特性の異なるポリシリコン
ＴＦＴを比較的容易に形成することが可能になる。
【図１】本発明に基づくレーザアニール装置の概略構成
図。
図。
【図２】本発明に基づくレーザアニール装置を用いて被
処理基板上に形成される結晶化の度合いが異なる領域の
パターンの一例を示す図。
処理基板上に形成される結晶化の度合いが異なる領域の
パターンの一例を示す図。
【図３】従来のレーザアニール装置の概略構成図。
【図４】従来のレーザアニール装置を用いて得られた被
処理基板上に形成される結晶化領域のパターンを示す
図。
処理基板上に形成される結晶化領域のパターンを示す
図。
１・・・レーザ発振源、 ２・・・移動ステージ、 ３・・・光学系、 ５・・・水平駆動機構、 ６・・・被処理基板、 ７・・・レーザビーム、 ８・・・ライン状のレーザビーム、 ９・・・回転駆動機構、 １０・・・水平位置検出器、 １１・・・回転角度検出器、 １２・・・記憶部、 １３・・・制御部、 １７・・・水平移動方向、 １８・・・水平移動方向 １９・・・回転方向、 ２１、２２、２３・・・結晶化の度合が異なる矩形領
域、 ４１・・・レーザアニールが施された領域。
域、 ４１・・・レーザアニールが施された領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｇ
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ発振源と、 被処理基板を保持し、垂直軸回りの回転及び水平方向の
移動が可能な移動ステージと、 レーザ発振源から発射されたレーザビームをライン状の
断面形状のレーザビームに加工して被処理基板上に導く
光学系と、 を備えたことを特徴とするレーザアニール装置。 - 【請求項２】 前記移動ステージは、その回転角度を互
いに直交する二つの角度の間で切り替えることが可能で
あることを特徴とする請求項１に記載のレーザアニール
装置。 - 【請求項３】 前記移動ステージの垂直軸回りの回転角
度を検出する回転角度検出手段と、 前記移動ステージの水平方向の位置を検出する水平位置
検出手段と、 レーザビームの照射条件を、前記移動ステージの回転角
度及び水平方向の位置に対応して、予め設定可能な記憶
部と、 前記記憶部に設定された照射条件についての指示デー
タ、前記回転角度検出手段により得られた回転角度、及
び前記水平位置検出手段により得られた水平方向の位置
に基づいて、前記移動ステージの垂直軸回りの回転及び
水平移動の動作の制御を行うとともに、レーザビームの
制御を行う制御部と、 を備えたことを特徴とする請求項２に記載のレーザアニ
ール装置。 - 【請求項４】 前記レーザの発振源は、エキシマレーザ
であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記
載のレーザアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5688199A JP2000252228A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | レーザアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5688199A JP2000252228A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | レーザアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252228A true JP2000252228A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=13039769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5688199A Pending JP2000252228A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | レーザアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000252228A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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