JP2968080B2 - 高分解能光学顕微鏡および照射スポット光作成用マスク - Google Patents

高分解能光学顕微鏡および照射スポット光作成用マスク

Info

Publication number
JP2968080B2
JP2968080B2 JP3098897A JP9889791A JP2968080B2 JP 2968080 B2 JP2968080 B2 JP 2968080B2 JP 3098897 A JP3098897 A JP 3098897A JP 9889791 A JP9889791 A JP 9889791A JP 2968080 B2 JP2968080 B2 JP 2968080B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
phase
irradiation spot
resolution
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3098897A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04328718A (ja
Inventor
勲 清水
征二 青谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP3098897A priority Critical patent/JP2968080B2/ja
Priority to US07/872,525 priority patent/US5291012A/en
Priority to DE4214069A priority patent/DE4214069A1/de
Publication of JPH04328718A publication Critical patent/JPH04328718A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2968080B2 publication Critical patent/JP2968080B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/06Means for illuminating specimens
    • G02B21/08Condensers
    • G02B21/12Condensers affording bright-field illumination
    • G02B21/125Condensers affording bright-field illumination affording both dark- and bright-field illumination

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高分解能光学顕微鏡お
よびこの光学顕微鏡に用いる照射スポット光作成用マス
クに関する。特に、本発明は、隣合った部分の光学的位
相が180度づつ異なる位相配列が2次元方向に規則的
に配列された位相シフト用マスクを用いて略0.1μm
程度あるいはそれ以下の微細な被測定物をも観察しうる
高分解能を達成するものであって、その時に用いる光は
コヒーレント光であれば可視光に限らず赤外線,紫外線
およびX線にも原理的に適用可能なものである。
【0002】
【従来の技術】従来の高分解能光学顕微鏡には、代表的
なものとして干渉法,暗視野法および近接場走査法によ
るものがある。
【0003】干渉法による光学顕微鏡では、光軸と同じ
方向の縦方向の分解能は比較的高いが、横方向の分解能
は照射スポット光径をエリア径以下に小さくすることが
できないので、せいぜい1μm程度と低い分解能の像し
か得られていない。
【0004】暗視野法による光学顕微鏡では、被測定物
(例えば異物)だけが輝いて像のコントラストは高い
が、照明光が対物レンズに入ることを極度に避ける必要
があり、また拡大率が被測定物の大きさ,方向により極
端に異なるという問題点がある。
【0005】また、近接場走査法による光学顕微鏡(N
SOM)では、光学探針の微細孔から光束を近接場で2
次元走査するため横方向の分解能は高いが、光源の近接
走査は対象物によっては不可能である。また、微弱光を
受光するため使用上の制約も多い。
【0006】一方、原子単位での測定が期待できるトン
ネル電流を用いた走査型トンネル顕微鏡(STM)が開
発されている。しかし、この顕微鏡は金属の探針を導電
性試料に1nmまで近づけて、発生するトンネル電流を
一定に保つように試料表面を走査する必要があるため、
精密なアクチュエータと高度なサーボ機構を要し、また
絶縁試料は測定できないとか、広い(数十μm以上)領
域を連続的に測定できないとか、絶対値の信頼性の不安
があるとかいった点で問題点がある。また、走査型電子
顕微鏡(SEM)も0.1μmオーダの高分解能が得ら
れるが、真空中で電子ビームを走査するため、装置が大
型化し複雑化する他に、生体は不可等の被測定物の材質
に制限があり、また単一のビームによるため走査用の高
度なサーボ機構を必要とするなどという問題点がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、干渉法
や暗視野法による従来の光学顕微鏡では分解能等に限界
があり、また近接場走査法による光学顕微鏡等の従来の
走査型顕微鏡では複雑で高価なサーボ機構等を必要とす
るとともに、走査せずにそのまま被測定物の2次元平面
や3次元立体面を観察することは不可能である等の解決
すべき課題があった。
【0008】そこで、本発明の第1の目的は、上述の点
に鑑みて、従来の高分解能光学顕微鏡の欠点を解消し、
2次元あるいは3次元方向に略0.1μm程度、あるい
はそれ以下の微細な被測定物をも観察しうる高分解能
で、静止状態で走査しなくても被測定物の比較的広い範
囲の2次元平面あるいは3次元立体を観察し、測定する
ことの可能な高分解能光学顕微鏡を提供することにあ
る。
【0009】本発明の第2の目的は、上記の高分解能光
学顕微鏡に好適な照射スポット光作成手段を提供するこ
とにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るため、本発明の高分解能光学顕微鏡は、コヒーレント
光からなる複数の被測定物照射スポット光の隣合った部
分の光学的位相が180度づつ異なる位相配列を2次元
方向に規則的に配列する照射スポット光作成手段と、前
記複数の被測定物照射スポット光の光径を被測定物より
小さく収束して被測定物に照射する手段とを具備するこ
とを特徴とする。
【0011】また、本発明の光学顕微鏡はその一形態と
して、前記照射スポット光作成手段が、コヒーレント光
を発生する光源と、該コヒーレント光を透過しまたは反
射することにより複数の被測定物照射スポット光を生成
するものであって、隣合った部分の光学的位相が180
度ずつ異なる位相配列が2次元方向に規則的に配列され
た照射スポット光作成用マスクとからなることができ
る。
【0012】また、本発明の光学顕微鏡はその一形態と
して、前記被測定物に照射する手段がレンズ系であるこ
とができる。
【0013】また、本発明の光学顕微鏡はその一形態と
して、前記照射スポット光作成用マスクは光が一度だけ
通る明視野位置または光が二度通る暗視野位置のいずれ
かに配置することができる。
【0014】さらに、本発明の光学顕微鏡は他の形態と
して、前記レンズ系またはその他の光学系を光軸方向に
微小変位または振動させる微小移動手段を有することが
できる。
【0015】さらに、本発明の光学顕微鏡は他の形態と
して、前記照射スポット光作成用マスクは光路中に配置
されたハーフミラーまたはビームスプリッタの前記光源
に対する上流側または下流側に配置され、前記被測定物
は2次元方向または3次元方向に移動走査可能な載置台
上に配置することができる。
【0016】また、上記第2の目的を達成するため、本
発明の照射スポット光作成手段は、高分解能光学顕微鏡
に好適な照射スポット光作成用マスクであって、基板
と、該基板上に市松模様状に配置されて入射コヒーレン
ト光の位相を180度ずらす位相シフタとを有し、コヒ
ーレント光を透過または反射することにより明確に分離
された複数の被測定物照射スポット光を生成することが
できる。
【0017】また、本発明のマスクはその形態として、
前記照射スポット光作成用マスクは、透明基板上に透明
な感光性樹脂を用いたマイクロリソグラフィー工法によ
り前記位相シフタを該基板上に形成する工程を用いて作
製することができる。
【0018】また、本発明のマスクは他の形態として、
前記照射スポット光作成用マスクは、前記透明基板上に
スパッタを用いて、透光性金属酸化物薄膜層を形成する
工程と、マイクロリソグラフィー工法により市松模様状
にレジスト層を該金属酸化物層を形成した基板上に形成
し、次いで金属酸化物層をエッチングし、レジスト層除
去を行う工程を用いて作成することができる。
【0019】なお、前記高分解能光学顕微鏡は、被測定
物上の異物を検査することができる。
【0020】
【作用】光ビームを単に絞ってもレーリー(Reyli
gh)限界のため、波長オーダ程度のスポット(エアリ
スポット)となってしまい、0.1μmの分解能は得ら
れない。本発明では、非走査型の光学顕微鏡で0.1μ
m程度の高分解能を達成するために必要とされる要求、
すなわち照射スポット光径をエアリスポット以下に小さ
くして、かつ被測定物の比較的広い範囲に照射ビームを
照射するという相反する要求に応えるため、照射スポッ
ト光作成用マスクを用いて単一の光ビームを2次元方向
に複数に分離し、これにより被測定物より小さな微小光
径の複数の照射スポット光を得ている。この微小光径の
複数の照射スポットは被測定物表面に光学系(対物レン
ズ等)を介して同時に照射されるが、後述するように上
記の照射スポット光作成用マスクが従来技術のような遮
光膜や小孔(ピンホール状)のようなもので作られてい
るとすれば、照射スポット光同士は同位相なので、互い
に隣接する部分で重なり合って強め合うため被測定物表
面上で1つのスポットとなり、スポットの完全な分離は
到底得られない。これに対し、本発明による高分解能光
学顕微鏡を構成する照射スポット光作成用マスクは、隣
合った部分の光学的位相が180度づつ異なる位相配列
が2次元方向に規則的に市松模様に配列されているの
で、このマスクが分離された複数の照射スポット光は隣
接するスポット光同士が互いに180度ずれた逆位相と
なり、そのためスポット光が重なる中間位置で光の強度
が零となり、0.1μm以下の高分解能を達成可能なだ
けの完全なスポット光の分離が実現される。
【0021】従って、本発明の高分解能光学顕微鏡は従
来の非走査型光学顕微鏡では不可能であった0.1μm
以下の微粒子の3次元形状,大きさを知ることができ、
さらに画像走査によりその微粒子の数,存在位置を特定
することもできる。また、本発明は従来の走査型顕微鏡
の有する欠点や制限が解消され、かつほぼ同等の分解能
を持ちながら極めて容易,迅速に異物や形状を計測ある
いは評価をすることができる。
【0022】さらに、本発明の高分解能光学顕微鏡は、
反射型顕微鏡としてのみではなく、透過型顕微鏡として
も応用が可能である。
【0023】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
【0024】(1)第1実施例 図1は本発明の第1実施例の高分解能光学顕微鏡の構成
を示す。本実施例は暗視野法によるものであって、照射
スポット光作成用のマスクを干渉フィルタとして用いて
光が2度通過する位置、すなわち光が往復する光路位置
に配置して光を干渉させることにより暗視野とする例で
ある。図1を参照するに、レーザー光源1を出射したレ
ーザービームはスペイシャルフィルタ(空間フィルタ)
3でノイズが除かれ、コリメーターレンズ5で平行ビー
ムとなるとともにビームの大きさが調整される。この平
行ビームはハーフミラー7を透過してから、図2で示す
ような市松模様状の位相シフタを有する照射スポット光
作成用マスク(以下、位相シフトフィルタと称すること
がある)9により互いに位相が180度ずれた複数の照
射スポット光に明瞭に分離される。これらの照射スポッ
ト光は第1対物レンズ11により拡大され、焦点合せレ
ンズ13で焦点を合せられた後、第2の対物レンズ15
により各照射スポット光径が例えば0.1μmに縮小さ
れて、載物台18上の試料17の表面に照射される。
【0025】本例では、暗視野は物体面で作らず、観測
面で位相干渉によって達成する。被測定物である試料1
7のある面に当った照射光は反射されて第2対物レンス
15に戻り、焦点合せレンズ13,第1対物レンズ11
を通って再び位相シフトフィルタ9を通り位相シフトフ
ィルタ9面で結合して干渉が生じ暗視野が得られる。こ
の暗視野は、位相シフトフィルタ9面での干渉によって
得られる場合に限られるものではなく、例えば対物レン
ズ表面等で干渉させることによっても得ることもでき
る。被測定物上に異物があれば、異物は暗視野中に輝い
て見える。この光像はハーフミラー7で反射され、接眼
レンズ19で拡大を受けてからカメラ21に受光され
る。対物レンズ15の微移動により位相シフトフィルタ
9の面で干渉状態を調整すれば暗視野が確保され、像の
高いコントラストが得られる。
【0026】レーザー光源1のレーザーの波長について
は特に限定されないが、波長と出力が安定なことが必要
であり、現時点では例えばHe−Neレーザーのような
ガスレーザーが好ましい。使用可能な光波としては、コ
ヒーレント光が生成可能ならば、可視光に限らず、赤外
光,紫外光さらにはX線等の各種電磁波も原理的に適用
可能である。スペイシャルフィルタ3は対物レンズとピ
ンホール(またはスリット)により構成され、レーザー
光のノイズを除去して均一な位相のビームを生成する。
ハーフミラー7はビームスプリッタに置き換え可能であ
る。第2対物レンズ15の縮小率は例えば10〜100
分の1である。この対物レンズ15はピエゾ振動子23
により光軸方向Zに微動して光路(光学距離)を伸縮
し、これにより縦方向の像データが得られる。試料17
は例えばLSI(大規模集積回路)のウエハのような被
測定物である。この試料17を載置する載物台18は光
軸と直角な2次元方向に移動・走査可能で、必要に応じ
て所望の角度に回転もでき、さらに試料17をセットす
る際に光軸方向(縦方向)に移動することもできる。
【0027】カメラ21はイメージセンサとして例えば
CCD(電荷結合素子)2次元アレイ等を用いた固体撮
像装置が好ましい。カメラ21から出力された画像信号
はマイクロコンピュータ等からなる画像処理部(プロセ
ッサ)25で必要な画像処理と必要な解析処理を受け
て、その結果がモニタ(ディスプレイ装置)27に表示
され、また必要に応じてプリンタのような出力デバイス
29により記録される。
【0028】上記位相シフトフィルタ9の外観例を図2
に示し、その詳細な構造を図3の(A)の平面図と
(B)の縦断面図で示す。この位相シフトフィルタ9は
これらの図に示すように、隣合った部分の光学的位相が
180度づつ異なる位相列が規則的に2次元方向に、市
松模様に配列された格子状位相板である。この図2およ
び図3では、4μm角の位相シフトフィルタが市松模様
状に配列されている。この位相シフトフィルタ9を構成
する基板31は透明で平滑度が高ければ特に材質は問わ
ないが、例えば光学ガラス平板が扱い易いので好まし
い。この基板31上に透明な感光性樹脂を塗布し、マイ
クロリソグラフィー工法により図3の(A)に示すよう
な市松模様パターンでの複数個の位相シフタ33を形成
することができる。このシフタ33は光の位相を反転す
るための膜である。あるいは、スパッタを用いて酸化ス
ズ等の層を基板31上に形成し、次いで上記と同様に市
松模様のレジストパターンを形成した後、酸化スズ等の
層のエッチングとレジスト層の除去を行えば、無機−無
機の位相シフトフィルタを得ることもできる。これらの
フィルタ作製においてそのフィルタの平面性と均一性を
保つことは特に重要である。
【0029】位相シフタ33は図3の(A)で斜線で示
す部分に配置され、基板31の部分が露出した図面上空
白で示される部分と光学的位相が180度異なってい
る。そのため、各位相シフタ33は隣接部分と逆位相と
なるように、すなわちレーザー光が半波長(0.5λ)
となるような光路差分の厚みがつけられて、180度の
位相ずれを達成している。具体的には、この位相シフタ
33の厚みはレーザー光の波長λの他に、位相シフタ3
3の材質の屈折率および、基板31の厚さとその屈折率
によって決定される。例えば、波長が633nmのHe
−Neレーザー光を用い、基板31はその厚さが1mm
の光学ガラス(屈折率1.5)で、位相シフタ33の材
質が屈折率1.54の透明な感光性樹脂の場合、位相シ
フタ33の厚みは約0.59μmとなる。符号35は不
要な光線を遮断するための遮光膜であり、光線を透過す
る格子部分の周辺に形成されている。
【0030】照射スポット光の数を規定する位相シフト
フィルタ9の格子セルの数は図2に示すものに限らな
い。もっと多くの、例えば4μm角のセルが500×5
00個、あるいはそれ以上の個数を有するフィルタも広
い測定範囲を一度にカバーできるので好ましいし、マイ
クロリソグラフィー工法を駆使することにより実現も容
易に可能である。
【0031】レーザーの平行ビームを位相シフトフィル
タ9に照射し、その透過光を40倍の対物レンズ13で
光を収束すれば0.1μm間隔の照射スポット光を得る
ことができ、レーリー限界をはるかに越えた0.1μm
の横方向分解能となる。またこのとき、対物レンズ13
の倍率を80倍とすれば、0.05μmの横方向分解能
となる。さらに、位相シフトフィルタ9の格子セルの大
きさは小さくすればするほど、より分解能が向上し、画
像の解像度が上る。例えば、格子セルの大きさを4μm
角から2μm角とすれば横方向分解能は2倍に向上す
る。しかしながら、極端に格子セルの寸法を小さくする
と、1つの格子セルを通る光の量が減少するので実際上
は自ずと限界がある。また、平面性や均一性などの精密
加工をする上での製造加工技術面からの限界も挙げられ
る。従って、現時点では通常各格子セルの寸法は3〜4
μm角程度が製造コスト面等からも実用的である。
【0032】図4は上記の位相シフトフィルタ9を通過
した照射スポット光の試料17上の振幅分布と光強度を
示す。この作用の原理を図5の(C)に示す。図5の
(A)および(B)はコヒーレント同一位相のレーリー
限界を示す。次にこれを簡単に説明する。円形開口によ
って生ずる回折は円心をもった円環の形になる。これを
エアリーの円盤という。2つの点光源がある時、点光源
の像はエアリーの円盤となっているので2つの点があま
り接近していると互いに重なり2つの点とは見えなくな
る。これをどの程度の間隔まで分解し観察できるかを示
したのがレーリーであり、これをレーリーの解像限界と
いう。図5において同一位相のときには、2点が近づく
につれて重なり合ってしまうが(図5(A),
(B))、位相差がπ(180度)のとき(図5
(C))には、2点がどのように接近していても中央は
強度0でいつも2つの点光源として認められる。
【0033】また、位相シフトフィルタ9は位相シフタ
33だけを使ってパターンを形成しているので、図4に
示すように位相シフタ33のエッジ部では位相が急峻に
反転するため、その部分だけが暗くなり、位相シフタの
エッジに沿って0.1μm程度以下の極めて微細な照射
スポット光が互いに他のスポット光と明確に分離されて
試料面上に照射される。
【0034】上述のように、照射スポット光の光束は位
相が180度異なる干渉光を組み合わせて作られる。そ
のため、照射光系も、受光光学系も遠隔場に置くことが
できる。遠隔場で捕捉された試料17からの散乱光は接
眼レンズ19で拡大され、その像情報がカメラ21のC
CD2次元アレイで各番地毎に光強度として捕らえられ
る。この光強度信号(画信号)を画像処理部25で画像
処理して拡大物体像をモニタ27の表示画面上に表示す
る。被測定物上の照射スポット光径を0.1μmとして
走査すれば0.1μmの横方向分解能が得られ、ピエゾ
振動子23により対物レンズ15を微細に光軸方向Zに
移動させれば、同様に0.1μm以下の光軸向分解能が
得られる。
【0035】図6はこのZ軸方向の分解能を説明するた
めの光ビームの波形を示し、図中のCは基準面からの物
体(サンプル)の高さを示す。同図のように、基準面
(参照面)からの物体の高さが光の波長の半分以下の光
路差であるとすると、光の干渉を考えると干渉光の強度
が最小となるためには、対物レンズ15は半波長以下の
移動量となる。その移動量をカメラ21からの画像入力
データのフィードバック量に基づいて画像処理部25の
コンピュータからピエゾ振動子23を通じて対物レンズ
15に与え、干渉光の強度が最小(黒)となったときに
与えられた移動量がその物体のZ軸方向の距離(高さ)
となる。このようにして測定表面の3次元データを数値
データとして得る処理装置として使用できるものとして
は、例えばザイゴ(Zygo)社で製造されている非接
触3次元表面粗さ計に用いられている制御・解析用コン
ピュータ(HP9000/375,360)を利用する
ことができる。この市販の処理装置を利用すれば、ピエ
ゾ振動子を光路方向に振動してカメラ上の各画素での干
渉強度を変化させ、カメラから得られる理論上の1周期
となる信号波を複数Nのエリアに分割し、そこを代表す
る強度を読み取って位相を算出するというNバケット法
により簡単に3次元測定値を得ることができる。
【0036】なお、図1に示す実施例では、ピエゾ振動
子23を第2対物レンズ15に取り付けたが、これに限
らず、例えば第1対物レンズ11や位相シフトフィルタ
9に取り付けてもよいことは勿論である。また、上記ピ
エゾ振動子の代りに他の磁歪素子も適用できる。
【0037】また、図1に示す載物台18を2次元方向
に移動すれば被測定物全面を走査することができ、被測
定物17がパターン付きウエハ等であっても異物の計測
が可能である。このように本実施例の高分解能光学顕微
鏡システムは従来の走査型電子顕微鏡と同等の分解能を
持ちながら、極めて容易にかつ迅速に光の波長以下の異
物を計測でき、高性能で廉価な表面異物検査装置として
提供することができる。
【0038】(2)第2実施例 図7は本発明の第2実施例の高分解能光学顕微鏡の構成
を示す。同図において、図1の実施例と同一内容の要素
には同一符号を付してある。なお、符号41は口径を合
せるためのレンズである。また、図1に示した載物台1
8,ピエゾ振動子23,画像処理部25,モニタ27お
よび、出力デバイス29は説明の簡略化のため図示を省
略してある。
【0039】本実施例は明視野法での適用例であり、上
述した照射スポット光作成用マスク(位相シフトフィル
タ)9を光が1度しか通らないハーフミラー7の上流の
光路位置に配置して位相シフトフィルタとして用いたも
のである。ここで、明視野法を簡単に説明する。光を収
束させると波長程の大きさにしかできない。それは図5
ですでに説明したようにエアリーの円盤と呼ばれる。こ
のエアリーの円盤2つを近づけるとインコヒーレントと
コヒーレントで同位相の場合は一つの光点となってしま
う。しかし、コヒーレントで逆位相の場合はどんなに近
づけても、光路の間に光強度零の部分ができる(図5参
照)。この状態を縦横二方向に繋げると2次元の光点と
して観察される。従って、このエアリーの円盤の中に上
記位相シフトフィルタ9の格子が存在すれば、二次平面
で波長オーダー以下の分解能が得られる。
【0040】図7に示すように、この光学顕微鏡ではレ
ーザー光源1,スペイシャルフィルタ(空間フィルタ)
3,コリメーターレンズ5,位相シフトフィルタ(照射
スポット光作成用マスク)9,第1対物レンズ11,焦
点合せレンズ13,ハーフミラー7,口径合せ用レンズ
41および、第2対物レンズ15の順に配列され、第2
対物レンズ15が載置台上の試料17と対面している。
試料17からの反射光は第2対物レンズ15に戻り、口
径合せ用レンズ41を通ってハーフミラー7で反射され
て偏向し、接眼レンズ19で拡大されてカメラ21に受
光される。口径合せ用レンズ41はコリメーターレンズ
5および焦点合せレンズ13の調整具合によっては必ず
しも必要なものではないが、この口径合せ用レンズ41
を入れておけば口径合せのための調整が容易となるので
便利である。
【0041】本実施例では位相シフトフィルタ9が明視
野に置かれているので、カメラ21に受光された像は一
般的な光学顕微鏡と同様に明視野で観察される。試料1
7のZ軸方向の測定は、図1に示した本発明の第1実施
例の場合と同様に、第2の対物レンズ15または第1の
対物レンズ11を光路方向(Z軸方向)にピエゾ振動子
23を使用して半波長以下で振動させることにより行わ
れる。従って、本実施例においても0.1μm以下の高
分解能での試料17の3次元測定が明視野で簡単に、か
つ迅速に行われ得る。
【0042】(3)第3実施例 図8は本発明の第3実施例の高分解能光学顕微鏡の構成
を示す。本実施例は図7に示す第2実施例と同様の明視
野法による他の適用例があるが、焦点合せレンズを13
Aと13Bの2枚組みにしてズームレンズ化し、またカ
メラ21の前方の接眼レンズを除いた点が図7の第2実
施例と異なる。その他の構成,作用は第2実施例とほぼ
同様なので説明を省略する。
【0043】(4)第4実施例 以上述べた本発明の各実施例は透過型の照射スポット光
作成用マスクを用いた事例であるが、本発明はこれに限
定されず、反射型の照射スポット光作成用マスクも適用
できる。
【0044】図9はこの反射型の照射スポット光作成用
マスクの一例を示す。ここで、符号51は表面が全反射
する基板、符号53は同じく表面が全反射する位相シフ
タ、符号55は不要な領域の反射を防止する反射防止膜
である。位相シフタ53は、前述の透過型の照射スポッ
ト光作成用マスク(位相シフトフィルタ)9の場合と同
様に、基板51上に市松模様状に配置され、各々4μm
角の大きさで、その厚さは使用するレーザー光の波長の
1/4波長の寸法である。例えば、633nmのレーザ
ー光が使用される場合には、位相シフタ53の厚さは
0.158μmとなる。この場合、隣合う部分が180
度それぞれ光学的位相が異なるので、0次光のみ強調さ
れて反射スポット光となり、1次光や−1次光等は互い
にキャンセルされ、透過型の照射スポット光作成用マス
ク9と同様な作用をする。
【0045】上記光を反射させる基板51は金属材料の
他にガラス板等の素材上に金属メッキや金属をスパッタ
したものなども使用できる。この場合の位相シフタ53
はエッチング法,金属メッキ法,スパッタ法等を用いて
作成できる。このように構成した反射型の照射スポット
光作成用マスク(位相グレーテング)50を適当な公知
の偏向光学系(例えば、キュービックミラー等)と組み
合わせることにより、図1,図7および図8に示すよう
な透過型のスポット光作成用マスク9と置き換え、同様
な作用効果を得ることができる。
【0046】なお、本発明の光学顕微鏡の光源としては
可視光に限らず、その他のコヒーレントな電磁波も適用
可能である。また、本発明の高分解能光学顕微鏡は、反
射型顕微鏡としてのみでなく、被測定物を透過した光で
観察する透過型顕微鏡としても適用できることは勿論で
ある。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次のような効果が得られる。
【0048】(1)コヒーレントで位相が逆(位相差
π)の二光点はどのように接近させても中央は光強度が
零で、常に二つの点光源として認められる。本発明では
隣合ったコヒーレントな二光点の位相差をπとするマス
ク(フィルタまたはグレーテング)を用いて照射スポッ
トを分離するように構成しているので、インコヒーレン
ト光の解像限界を与えるレーリーの限界をはるかに越え
て像の解像力を高めることができる。また、分離された
照射スポットが常に複数の点光源となるので遠隔場の検
出が可能である。
【0049】(2)短波長光を用いずとも、各入射光の
波長に応じたレーリー限界をはるかに越える分解能を有
する。すなわち、通常短波長光(紫外光)を用いて分解
能を例えば0.1μm以上に上げることが考えられる
が、本発明によれば波長の長い光を用いてもこれ以上の
分解能をつくり出すことができる。
【0050】(3)本発明の照射スポット光作成用マス
クはコヒーレント光で隣合った光点の位相がπだけ異な
る光点を市松模様のように配置しているので、各光点間
の分解能はレーリー限界を大きく越えた高分解能でスポ
ット光を小さくできる。また、その複数のスポット光は
2次元方向に広がりを有するので、広い観察面と迅速な
測定とが得られる。
【0051】(4)光源としてコヒーレントな可視光を
用いることができ、また使用可能な光の波長に制限はな
いので、真空中はもちろんのこと、空気中や液体中でも
測定できる。また、被測定物の材質を問わず、生体等も
簡単に観測できる。また、同様の理由で装置の構成が簡
単となり、小型,軽量、低価格で提供でき、極めて実用
性が高い。
【0052】(5)さらに、ピエゾ素子のような光路長
を可変にする手段を用いることにより、容易に3次元ナ
ノメータ分解能を有する測定装置を実現できる。
【0053】また、暗視野位置に本発明の照射スポット
光作成マスクを配設するだけで、反射面上での1個のナ
ノメータオーダの粒子の形状を認識することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の構成を示す光路図であ
る。
【図2】本発明の照射スポット光作成用マスクの一例を
示す拡大平面図である。
【図3】本発明の透過型の照射スポット光作成用マスク
(位相シフトフィルタ)の詳細な構造例を示し、その
(A)は平面図、その(B)はI−I′線に沿う縦断面
図である。
【図4】本発明の透過型の照射スポット光作成用マスク
の作用を示す説明図である。
【図5】本発明の作用の原理を示す波形図である。
【図6】本発明の第1実施例において被測定物のZ軸方
向(光軸方向)の測定原理を示す波形図である。
【図7】本発明の第2実施例の構成を示す光路図であ
る。
【図8】本発明の第3実施例の構成を示す光路図であ
る。
【図9】本発明の反射型の照射スポット光作成用マスク
(グレーテング)の詳細な構造例を示し、その(A)は
平面図、その(B)はI−I′線に沿う縦断面図であ
る。
【符号の説明】
1 レーザー光源 3 スペイシャルフィルタ 5 コリメータレンズ 7 ハーフミラー 9 照射スポット光作成用マスク(フィルタ) 11 第1対物レンズ 13 焦点合せレンズ 15 第2対物レンズ 17 試料(被測定物) 18 載物台 19 接眼レンズ 21 カメラ 23 ピエゾ振動子 25 画像処理部 27 モニタ(ディスプレイ装置) 29 出力デバイス 31 ガラス基板 33 位相シフタ 35 遮光膜 41 口径合せ用レンズ 51 反射基板 53 反射位相シフタ 55 反射防止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02B 27/58 G02B 21/00

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コヒーレント光からなる複数の被測定物
    照射スポット光の隣合った部分の光学的位相が180度
    づつ異なる位相配列を2次元方向に規則的に配列する照
    射スポット光作成手段と、前記複数の被測定物照射スポ
    ット光の光径を被測定物より小さく収束して被測定物に
    照射する手段とを具備することを特徴とする高分解能光
    学顕微鏡。
  2. 【請求項2】 基板と、該基板上に市松模様状に配置さ
    れて入射コヒーレント光の位相を180度ずらす位相シ
    フタとを有し、コヒーレント光を透過または反射するこ
    とにより明確に分離された複数の被測定物照射スポット
    光を生成することを特徴とする照射スポット光作成用マ
    スク。
JP3098897A 1991-04-30 1991-04-30 高分解能光学顕微鏡および照射スポット光作成用マスク Expired - Fee Related JP2968080B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3098897A JP2968080B2 (ja) 1991-04-30 1991-04-30 高分解能光学顕微鏡および照射スポット光作成用マスク
US07/872,525 US5291012A (en) 1991-04-30 1992-04-23 High resolution optical microscope and irradiation spot beam-forming mask
DE4214069A DE4214069A1 (de) 1991-04-30 1992-04-29 Hochaufloesendes optisches mikroskop und maske zum bilden von beleuchtungsfleckstrahlen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3098897A JP2968080B2 (ja) 1991-04-30 1991-04-30 高分解能光学顕微鏡および照射スポット光作成用マスク

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04328718A JPH04328718A (ja) 1992-11-17
JP2968080B2 true JP2968080B2 (ja) 1999-10-25

Family

ID=14231925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3098897A Expired - Fee Related JP2968080B2 (ja) 1991-04-30 1991-04-30 高分解能光学顕微鏡および照射スポット光作成用マスク

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5291012A (ja)
JP (1) JP2968080B2 (ja)
DE (1) DE4214069A1 (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5359388A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 General Signal Corporation Microlithographic projection system
JPH07234382A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超解像走査光学装置
US5670280A (en) * 1996-05-30 1997-09-23 Brown University Research Foundation Optically controlled imaging phase mask element
FR2795175B1 (fr) * 1999-06-17 2001-07-27 Onera (Off Nat Aerospatiale) Interferometre optique achromatique, du type a sensibilite continument reglable
US6362923B1 (en) * 2000-03-10 2002-03-26 Kla-Tencor Lens for microscopic inspection
US6992819B2 (en) * 2000-12-01 2006-01-31 Auburn University High-resolution optical microscope for quick detection of pathogens
EP1384103A2 (en) * 2000-12-01 2004-01-28 Auburn University High-resolution optical microscope
JP2002203334A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Minebea Co Ltd 記録媒体の情報再生及び記録装置
US6700096B2 (en) * 2001-10-30 2004-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser apparatus, laser irradiation method, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, production system for semiconductor device using the laser apparatus, and electronic equipment
US7105048B2 (en) * 2001-11-30 2006-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
US7019902B2 (en) * 2002-10-21 2006-03-28 Trumpf Inc. Beam forming telescope with polarization correction
US7966034B2 (en) * 2003-09-30 2011-06-21 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Method and apparatus of synchronizing complementary multi-media effects in a wireless communication device
US20060054801A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-16 Long-Song Cheng Biochip scanning device
US20070240757A1 (en) * 2004-10-15 2007-10-18 The Trustees Of Boston College Solar cells using arrays of optical rectennas
JP5305650B2 (ja) 2005-02-24 2013-10-02 株式会社日立ハイテクサイエンス 走査型プローブ顕微鏡用変位検出機構およびこれを用いた走査型プローブ顕微鏡
WO2006102201A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-28 Cdm Optics, Inc. Imaging systems with pixelated spatial light modulators
WO2006109561A1 (ja) * 2005-04-07 2006-10-19 Kyoto University 顕微鏡撮像装置及び方法
WO2007014213A2 (en) * 2005-07-25 2007-02-01 Massachusetts Institute Of Technology Tri modal spectroscopic imaging
US7649665B2 (en) * 2005-08-24 2010-01-19 The Trustees Of Boston College Apparatus and methods for optical switching using nanoscale optics
EP1917557A4 (en) * 2005-08-24 2015-07-22 Trustees Boston College APPARATUS AND METHODS FOR SOLAR ENERGY CONVERSION IMPLEMENTING COMPOSITE METAL STRUCTURES OF NANOMETRIC SCALE
WO2007025004A2 (en) * 2005-08-24 2007-03-01 The Trustees Of Boston College Apparatus and methods for nanolithography using nanoscale optics
US7754964B2 (en) * 2005-08-24 2010-07-13 The Trustees Of Boston College Apparatus and methods for solar energy conversion using nanocoax structures
US7589880B2 (en) * 2005-08-24 2009-09-15 The Trustees Of Boston College Apparatus and methods for manipulating light using nanoscale cometal structures
JP4825697B2 (ja) * 2007-01-25 2011-11-30 株式会社ミツトヨ デジタル式変位測定器
WO2008094517A1 (en) * 2007-01-30 2008-08-07 Solasta, Inc. Photovoltaic cell and method of making thereof
JP2010518623A (ja) * 2007-02-12 2010-05-27 ソーラスタ インコーポレイテッド ホットキャリアクーリングが低減された光電池
EP2136233B1 (en) * 2007-04-12 2013-06-12 Nikon Corporation Microscope device
US20090007956A1 (en) * 2007-07-03 2009-01-08 Solasta, Inc. Distributed coax photovoltaic device
US9304308B2 (en) 2009-12-09 2016-04-05 Advanced Micro Devices, Inc. Laser scanning module including an optical isolator
EP2888620A1 (en) * 2012-08-24 2015-07-01 Advanced Micro Devices, Inc. Laser scanning module including an optical isolator
JP7290907B2 (ja) 2016-03-10 2023-06-14 シスメックス株式会社 光学機器および像の形成方法
JP7293224B2 (ja) * 2017-12-12 2023-06-19 アルコン インコーポレイティド 空間ビーム分離を用いるマルチビーム分割
KR102100361B1 (ko) * 2018-08-22 2020-04-13 주식회사 코윈디에스티 금속 마스크 생산 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3637280A (en) * 1970-05-12 1972-01-25 Jenoptik Jena Gmbh Devices for high-contrast imaging of phase objects in incident-light microscopy
US4631416A (en) * 1983-12-19 1986-12-23 Hewlett-Packard Company Wafer/mask alignment system using diffraction gratings
US4929083A (en) * 1986-06-19 1990-05-29 Xerox Corporation Focus and overlay characterization and optimization for photolithographic exposure
JPH0289016A (ja) * 1988-09-26 1990-03-29 Nikon Corp 走査型顕微鏡

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04328718A (ja) 1992-11-17
US5291012A (en) 1994-03-01
DE4214069A1 (de) 1992-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2968080B2 (ja) 高分解能光学顕微鏡および照射スポット光作成用マスク
JP2639501B2 (ja) 欠陥検査方法及び装置
Kino et al. Confocal scanning optical microscopy and related imaging systems
US4198571A (en) Scanning microscopes
JP2013513823A (ja) 高速の3次元構造化照明による顕微鏡撮像の方法およびシステム
US4360273A (en) Optical alignment of masks for X-ray lithography
TWI402498B (zh) 影像形成方法及影像形成裝置
KR20160091380A (ko) 구조광 조명을 연속적으로 조절 가능한 초고해상도 현미경 이미징 방법 및 시스템
JPS5999304A (ja) 顕微鏡系のレーザ光による比較測長装置
KR20050101335A (ko) 가로 미분 간섭계 공초점 현미경
WO1997044633A1 (en) Optical measurement
WO2003095996A1 (en) Dual spot phase-sensitive detection
US6259764B1 (en) Zone plates for X-rays
US5864599A (en) X-ray moire microscope
US11187518B2 (en) Method and apparatus for super-resolution optical metrology
JPH08152308A (ja) 共焦点光学装置
US3780217A (en) Heterodyne imaging device for providing high resolution images
JP3605010B2 (ja) 表面性状測定器
WO2005078382A1 (en) Apparatus and method for super-resolution optical microscopy
US4367648A (en) Dark field viewing apparatus
JP3916991B2 (ja) 圧子形状測定器
JP2002196253A (ja) 干渉縞投影光学系及びこの光学系を用いた顕微鏡
JPH10103917A (ja) 位置計測装置
TW202117308A (zh) 用於測量光的物體之反射率的測量方法以及用於執行該方法的計量系統
US20090147269A1 (en) Interferometric nanoimaging system

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080820

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090820

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090820

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100820

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees