JP2007165910A - レーザー装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザー発振装置と、被処理物を配置させるステージと、レーザー発振装置から出力されたレーザー光を、被処理物において線状となるように加工する光学系と、レーザー光のビームスポットが、被処理物の特定の位置を走査するように、レーザー光のビームスポットとステージとの相対的な位置を制御する位置制御手段と、を有し、位置制御手段は、スライダと、スライダを貫通して設けられたロッドと、を有し、記スライダは磁場を発生させる機能を有し、ロッドと非接触で移動することができる。
【選択図】図34
Description
に示したビームスポットは楕円形状を有している。なお本発明のレーザー装置において、レーザー発振装置から発振されるレーザー光のビームスポットの形状は、楕円に限定されない。ビームスポットの形状はレーザーの種類によって異なるし、光学系により成形することもできる。例えば、ラムダ社製のXeClエキシマレーザー(波長308nm、パルス幅30ns)L3308から射出されたレーザー光の形状は、10mm×30mm(共にビームプロファイルにおける半値幅)の矩形状である。また、YAGレーザーから射出されたレーザー光の形状は、ロッド形状が円筒形であれば円状となり、スラブ型であれば矩形状となる。このようなレーザー光を光学系により、さらに成形することにより、所望の大きさのレーザー光をつくることもできる。
のマップ図を示す。基板と平行な面内において走査方向と垂直な方向をx、走査方向をy、基板と垂直な方向をzとすると、図32(A)は半導体膜のz方向に垂直な面における結晶方位の分布を示しており、図32(B)はy方向に垂直な面における結晶方位の分布を示している。また図32(C)はy方向に垂直な面における逆極点図であり、各結晶方位の分布の割合を示している。そして、図32(D)は極点図であり、TDが走査方向yに相当し、001がz方向に垂直な面における極点図、011がy方向とz方向を合成した方向に垂直な面における極点図、111はx方向とy方向とz方向を合成した方向に垂直な面における極点図を示している。
に、画素部501と走査線駆動回路503においてレーザー光の走査方向が図33(A)の場合と同じであり、信号線駆動回路502においては、走査方向が図33(A)の場合と同じレーザー光と、図4(A)の場合と同じレーザー光とを両方照射している例を示す。この場合、レーザー光が重なる部分において半導体膜の表面が荒れることがあるので、活性層が形成される部分においてレーザー光が重ならないようにするのが好ましい。また、図33(B)では信号線駆動回路において走査方向の異なるレーザー光を照射しているが、走査線駆動回路503と画素部501でも走査方向の異なるレーザー光を照射するようにしても良い。
図5(B)に、ビームスポットの中心軸と走査方向とが45°の場合の、レーザー光の走査する部分と、マスクとの関係を示す。510は半導体膜のうち、パターニングに得られる島状の半導体膜を示しており、これらの島状の半導体膜510を覆うように、レーザー光の走査部分が定められる。511はレーザー光の走査部分であり、島状の半導体膜510を覆っている。図5に示すように、本発明ではレーザー光を半導体膜全面に照射するのではなく、少なくとも必要不可欠な部分を最低限結晶化できるようにレーザー光を走査する。
本発明のレーザー装置を用いて半導体膜を結晶化させるとき、レーザー光の走査方向は矢印に示すように、チャネル形成領域のキャリアが移動する方向と平行になるように、走査方向を定めるようにする。523はビームスポットの形状を示しており、ビームスポット523のうち、斜線で示した領域524において、エネルギー密度が、良好な結晶を得るために必要である値を超えている。活性層全体に、斜線で示した領域524のレーザー光が照射されるようにすることで、活性層の結晶性をより高めることができる。
では、スクライブライン551に沿って基板を分断することで、4つの半導体装置を作製することができる。なお分断により得られる半導体装置の数はこれに限定されない。
、金(Au)、といった元素を用いても良い。
図11(A)は本発明のレーザー装置の光学系の側面図であり、図11(A)の矢印Bの方向から見た側面図を図11(B)に示す。なお図11(B)の矢印Aの方向から見た側面図が、図11(A)に相当する。
n(n=3、5、7)のビームスポットを合成する場合、nのレーザー発振装置にそれぞれ対応するnのシリンドリカルレンズと、該nのシリンドリカルレンズに対応する(n+1)/2のシリンドリカルレンズとを有している。
膜で形成し、第2の導電膜をAl膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタル(TaN)膜で形成し、第2の導電膜をCu膜とする組み合わせとしてもよい。
を用いる。この場合、導電層628〜633がn型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域623〜627が形成される。不純物領域623〜627には1×1018〜1×1020 atoms /cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。
例えば、TaN膜上にAlやCuを形成し、さらにTi膜を形成した積層膜をパターニングして配線を形成してもよい。(図28)
、ソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域656を有している。
また、高分子系有機発光材料を用いる例として、正孔注入層として20nmのポリチオフェン(PEDOT)膜をスピン塗布法により設け、その上に発光層として100nm程度のパラフェニレンビニレン(PPV)膜を設けた積層構造としても良い。なお、PPVのπ共役系高分子を用いると、赤色から青色まで発光波長を選択できる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機発光材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
また、本実施例においてカバー材718はガラス基板や石英基板やプラスチック基板(プラスチックフィルムも含む)の両面に炭素膜(好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜)を形成したものを用いる。
図35(B)において、7200はジンバルピストンの大まかな構成を示したものである。ジンバルピストン7200は、架台7101に固定されている支持台7202と、定盤7100に固定されているロードディスク7201とを有している。ロードディスク7201にはサポートロッド7204が固定されており、定盤7100が振動することでロードディスク7201が揺れると、支持台7202の内部でサポートロッド7204が振り子状に揺れ動く構造になっている。
Y=60−293X+340X2(Xは2つの解のうち大きい方とする)
Claims (7)
- レーザー発振装置と、
被処理物を配置させるステージと、
前記レーザー発振装置から出力されたレーザー光を、被処理物において線状となるように、前記レーザー光を加工する光学系と、
前記レーザー光のビームスポットが、前記被処理物の特定の位置を走査するように、前記レーザー光のビームスポットと前記ステージとの相対的な位置を制御する位置制御手段と、
を有し、
前記位置制御手段は、スライダと、前記スライダを貫通して設けられたロッドと、を有し、
前記スライダは磁場を発生させる機能を有し、前記ロッドと非接触で移動することができ、
前記ステージは前記スライダに固定されている
ことを特徴とするレーザー装置。 - レーザー発振装置と、
被処理物を配置させるステージと、
前記レーザー発振装置から出力されたレーザー光を、被処理物において線状となるように、前記レーザー光を加工する光学系と、
前記レーザー光のビームスポットが、前記被処理物の特定の位置を走査するように、前記レーザー光のビームスポットと前記ステージとの相対的な位置を制御する位置制御手段と、
を有し、
前記位置制御手段は、スライダと、前記スライダを貫通して設けられたロッドと、を有し、前記スライダは磁性体からなり、前記ロッドと非接触で移動することができ、
前記ステージは前記スライダに固定されている
ことを特徴とするレーザー装置。 - レーザー発振装置と、
被処理物を配置させるステージと、
前記レーザー発振装置から出力されたレーザー光を、被処理物において線状となるように、前記レーザー光を加工する光学系と、
前記レーザー光のビームスポットが、前記被処理物の特定の位置を走査するように、前記レーザー光のビームスポットと前記ステージとの相対的な位置を制御する位置制御手段と、
を有し、
前記位置制御手段は、スライダと、前記スライダを貫通して設けられたロッドと、を有し、
前記ロッドは磁性体からなり、前記スライダは前記ロッドと非接触で移動することができ、
前記ステージは前記スライダに固定されている
ことを特徴とするレーザー装置。 - レーザー発振装置と、
被処理物を配置させるステージと、
前記レーザー発振装置から出力されたレーザー光を、被処理物において線状となるように、前記レーザー光を加工する光学系と、
前記レーザー光のビームスポットが、前記被処理物の特定の位置を走査するように、前記レーザー光のビームスポットと前記ステージとの相対的な位置を制御する位置制御手段と、
を有し、
前記位置制御手段は、スライダと、前記スライダを貫通して設けられたロッドと、を有し、
前記スライダ及び前記ロッドは磁性体からなり、前記スライダは前記ロッドと非接触で移動することができ、
前記ステージは前記スライダに固定されている
ことを特徴とするレーザー装置。 - レーザー発振装置と、
被処理物を配置させるステージと、
前記レーザー発振装置から出力されたレーザー光を、被処理物において線状となるように、前記レーザー光を加工する光学系と、
前記レーザー光のビームスポットが、前記被処理物の特定の位置を走査するように、前記レーザー光のビームスポットと前記ステージとの相対的な位置を制御する位置制御手段と、
を有し、
前記位置制御手段は、スライダと、前記スライダを貫通して設けられたロッドと、ガイドレールと、を有し、
前記スライダ及び前記ロッドは磁性体からなり、前記スライダは前記ロッドと非接触で移動することができ、
前記スライダは前記ガイドレールに沿って移動することができ、
前記ステージは前記スライダに固定されている
ことを特徴とするレーザー装置。 - レーザー発振装置と、
被処理物を配置させるステージと、
前記レーザー発振装置から出力されたレーザー光を、被処理物において線状となるように、前記レーザー光を加工する光学系と、
前記レーザー光のビームスポットが、前記被処理物の特定の位置を走査するように、前記レーザー光のビームスポットと前記ステージとの相対的な位置を制御する位置制御手段と、
を有し、
前記位置制御手段は、スライダと、前記スライダを貫通して設けられたロッドと、ガイドレールと、を有し、
前記スライダ及び前記ロッドは磁性体からなり、前記スライダは前記ロッドと非接触で移動することができ、
前記スライダは、前記ガイドレールと引き合う磁場を発生させ、かつ前記ガイドレールと離れるように空気を放出しながら、前記ガイドレールに沿って移動することができ、
前記ステージは前記スライダに固定されている
ことを特徴とするレーザー装置。 - 請求項6において、
前記スライダは、前記ガイドレールと対向する面に空気孔が設けられ、前記空気孔から前記ガイドレールと離れるように空気を放出することを特徴とするレーザー装置。
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