TW457729B - EL display device and electronic device - Google Patents

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而改變，和不同的閘極電壓應用至圖素之電流控制T F T 。亦即，不同的電流流入E L元件，且結果，光以不同的 量發出，如此造成無法完成相同的分級顯示。 再者，即使當相同的閘極電壓應用至圖素之電流控制 TFT，如果在電流控制TFT之I d-Vg特性中有擴散 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 時，亦無法產生相同的汲極電流。再者1由圖4 (A)明 顯可知，由於使用汲極電流相關於在閘極電壓中之變化而 指數改變之區域，因此，即使應用相等的閘極電壓’在 I d-Vg特性中之些微差異亦會導致電流量之顯著改變。 而後，由E L元件所發出之光暈在相鄰圖素間會顯著的改 » . 變。 實際上，由於開關T F T和電流控制T F T之擴散之 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 457729 a? Β7 五、發明說明（4 ) 合成效_果，此情形變成更嚴重。因此’類比分級系統非常 易於在TFT之特性中擴散，如此導致會阻礙完成多色主 動矩陣E L顯示裝置。 發明槪要 本發明乃在解決上述之問題，且提供一種.主動矩陣型 E L顯示裝置，其可產生生動的多級彩色顯示。本發明進 一步提供一種使用主動矩陣型E L顯示裝置當成一顯示單 元之高效能電子裝置。 本發明人發現源於控制電流流入E L元件之電流控制 T F T之特性中之擴散和源於在電流控制T F T之啓動電 阻中之擴散之類比分級系統之問題。於此，啓動電阻爲藉 由以在此時流動之汲極電流分割T F T之汲極電壓而獲得 之値。 亦即，啓動電阻在電流控制T F T間變化，因此，即 使在相同條件下，亦會有不同的電流（汲極電流 >'，如此 難以獲得所需之分級。 因此，依照本發明，一電阻（R )串聯連接在電流控 制T F T之汲極和E L元件間，以控制從電流控制T F T 供應至E L元件之電流量。因此，必須提供電阻値非常大 於電流控制T F T之啓動電阻値之一電阻。此電阻値可選 擇在1 Ιί,Ω至5 ΟΜΩ之範圍內（較佳的’從1 〇 ΚΩ至 10ΜΩ，且更佳的，從501ίΩ至1ΜΩ)。 再者，爲了執行本發明，流入E L元件之電流量由電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再本頁) -SJ· --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457729 A7 _B7__ 五、發明說明（5 ) 阻（R~)之電阻値決定，且所供應之電流始終保持固定。 亦即，本發明並未使用類比分級系統，其藉由習知技藝控 制電流値而產生分級顯示。因此，本發明使用劃時系統之 分級顯示（以下稱劃時分級）.，其使用電流控制T F T簡 單的當成用於供應電流之開關元件.》 具體而言，劃時分級顯示以下述之方式完戚。於此以 8位元數位驅動系統說明256級（1 6 770000色 )之全彩顯示之例。. 首先，一圖框分成八個副框。於此，輸入資料至顯示 區域之所有圖素之週期稱爲一框。在一般E L顯示中，震 盪頻率爲60Hz，亦即，在一秒中形成60個框。當每 秒之框數變成小於此値時，圖像之閃爍相當明顯。再者* 從一框分割成多數之框稱爲副框。 每一副框可分成一位址週期（T a )和一維持週期（ T s )。位址週期表示在一副框週期時，需用以輸入資料 至所有圖素之時間，和維持週期（或啓動週期）表示e 1 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 示 表 框 副 八 第 至 二 第 示 表 IX ο F \tly- o S 1以 圖框 C 副 期一 週.第 之’ 光此 發於 件 元 03 爲 T 示 ί表 期 } 週 S 址Τ 位 C ’期 8 週 F 持 S 維 至之 1 8 F F s S 從至 Ο ΊΧ 8 F 。 F S 8 S ο S 至定 Τ 2 固至 F 持 1 S 保 S 爲 } Τ τ Τ 爲： 定6 設S 期Τ 週： 持5 維 S ，!τ 時 ： 此 4 S Τ Τ

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4 6 \ I—I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - 4 S 7 7 2 9 A7 B7 五、發明說明（6) 1 / Γ2 8。於此 s F 1 據維持週期之結合，可完 示。 首先，無電壓（爲了 之相對電極（未連接至T 料訊號輸入至所有圖素， 位址週期。當資料輸入至 電壓應用至相對電極（所 光。此週期爲一維持週期 至S F 8可以任何順序呈現'根 成2 5 6分級之任何所需分級顯 不選擇）應用至圖素之E L元件 F T之側，通常爲陰極）*且資 而未使E L元件發光此週期爲 所有圖素以終止位址週期時，一 選擇的），以使EL元件同時發 。用以發光（用以啓動圖素）之 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 t 週期爲任一週期T s 1至T s 8之一。於此假設對於週期 Ts8,可啓動一預定圖素。 此時間再度進入位址週期，而後，在資料訊號輸入至 所有圖素後，進入維持週期。在此例中，任一T s 1至 T s 7皆爲維持週期。於此，預定圖素啓動以用於週期 T s 7 ° 以下對剩餘六個副框重複相同的操作，維持週期連續 的設定如同Ts6，Ts5 ，...Tsl ，且預定圖素在相 關的副框中啓動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當八個副框呈現時，其意即一框之終止。在此例中* 圖素之分級藉由添加維持週期而控制》當選擇T s 1和 Ts 2時，在100%整體光中可展現75%之照度。當 選擇Ts3，Ts5，和Ts8時，可展現16%之照度 下述說明2 5 6分級之例。但是，本發明亦可允許其 -9- 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 457729 A7 B7 五、發明說明（7 ) 它分級'之顯示'爲了作用η (η爲整數且不小於2)位元 之分級（2 η分級）顯示，首先，一框分割成η個副框（

S F

S F

S F S F ( -1

S F η ))，以對應η位元之分級。當分級增加時，此框必須 分割成一增加數目，且驅動電路必須在高頻上驅動。此η 片之副框分離成位址週期（·Τ._a )和維持週期„( T s )。 麵 _ . · 亦即，位址週期和維持週期乃藉由應用或不應用一電壓至 共同至所有E L元件之相對電極而選擇。η個副框之維持 週期（相關於 SF1 ，SF2 ，’SF3 ，…，SF (η — 1) ，SF(n)之維持週期）乃受處理以使Tsl: 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 # %

T s 2 : T 1 :丁 η 2 :2_i : 2 * , 2_(ϊΐ- 1)。 在此狀態中，圖素乃在任何副框中連續的選擇（嚴格 而言’選擇圖素之開關TFT)，和一預定閘極電壓（對 應於資料訊號）應用至電流控制TFT之閘電極。此時， 已接收使電流控制T F Τ'導電之資料訊號之圖素之E L元 件在位址週期已結束後，會發出對指定至副框之維持週期 之光。亦即，一預定圖素啓動。 對所有η個副框重複此操作以藉由添加維持週期而控 制圖素之分級。因此，如果注意某些特定圖素時，圖素之 分級會根據圖素由副框啓動多長的時間而控制（根據其經 過多少維.持週期）。 如上所述，本發明之特性在於藉由使用主動矩陣型 E L·顯示裝置以執行劃時分級顯示，和藉由提供—電阻（ 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- 457729 A7 B7 五、發明說明（8 ) R )在_流控制T F T之汲極和E L元件間，以使所有流 經E L元件之電流始終爲固定。此構造可避免在T F T特 性中由擴散所引起之分級上之缺點。圖式簡單說明 以下根據附圖詳細說明本發明之較佳實施例，其中： 圖1 (A)和1 (B)爲EL顯示裝置之構成圖； 圖2爲E L顯示裝置之構造之橫截面圖；— 圖3爲在習知E L顯示裝置中，圖素部份之構成圖； 圖4 ( A )和4 ( B )爲由類比分級系統使用之 T F T特性之圖； 圖5 (A)至5 (E)爲用以製造EL顯示裝置之步 驟圖； 圖6 (A)至6 (D)爲用以製造EL顯示裝置之步 驟圖； 圖7 (A)至7 (D)爲用以製造EL顯示裝置之步 驟圖； 圖8 (A)至8 (C)爲用以製造EL顯示裝置之步 驟圖； 圖9爲E L顯示裝置之圖素部份之擴大視圖； 圖1 0爲劃時分級系統之操作模式圖； 圖1 1爲E L模組之外觀圖； 圖12 (A)和12 (B)爲EL模組之外觀圖； 圖13(A)至13 (C)爲用以製造一接觸構造之 步驟圖； 圖1 4爲E L顯示裝置之圖素部份之構成圖； (諳先閱讀背面之注意事項存本頁) 裝 —線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 457729 A7 B7 五、發明說明（9 ) 圖1 5爲E L顯示裝置之構造之橫截面圖： 圖1 6爲E L顯示裝置之圖素部份之上表面之構造圖 I I ---_1ίί「！ ^ I I (請先閱讀背面之注意事項再Wp?本頁) ? 圖17爲EL顯示裝置之圖素部份之上表面之構造圖 t 圖1 8- ( A )至1 8 ( E )...爲電子裝置之良體例圖； 圖1 9 ( A )和1 9 ( B )爲多晶矽之電子射線繞射 影像照片： 圖2 0爲E L顯示裝置之電路構成圖； 圖2 1爲E L顯示裝置之電路構成圖； 圓2 2爲E L顯示裝置之電路構成圖；和 圖23 (A)和23 (B)爲EL元件之電特性圖。 元件對照表 •線· 3 6 :汲極區域 3 7 : L D D 區域 —、 3 8 :通道形成區域 3 9 :閘電極 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

205:P通道TFT 4 0 :源極區域 41:汲極區域 42:通道形成區域 4 3 :閘電極 4 4，4 5 :源極接線 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 U97公釐） 457729 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ίο) 4'6 :汲極接線 4 7 :第一被動膜 4 8 :第二中間層絕緣膜 4 9 :圖素電極 5 ◦:第三中間層絕緣膜 5 1 :-E L 層 … 5 2 :陰極 5 3 :保護電極 5 4 :第二被動膜 5 0 2 :非晶矽膜 5 0 1 :基底 5 0 3 :開口 - 5 0 4 :保護膜 5 0 6 :添加鎳區域 5 0 7 :多晶矽膜 508:添加磷區域 5 0 9 :多晶矽膜 51◦〜513:主動層 514:閘絕緣膜 515:阻止罩 516〜518:雜質區域 519:阻止罩 _ 5 20〜521 : η型雜質區域 5 2 6 :光罩膜 (請先閱讀背面之注意事項再ί本頁) --線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- A7 457 72 9 _B7 五、發明說明（11) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 2 2 - 〜5 2 5 ： 閘 電 極 5 2 7〜5 3 3 雜 質 區 域 5 3 4 :阻 止 罩 5 3 5〜5 4 2 ; 雜 質 丨品 域 5 4 3 :阻 止 罩 5 4 4-〜5 4 5 雜 質 區 域 5 4 6 :第 — 中 間 層 絕 緣 膜 5 4 7 ' 、5 5 0 源 極 接 線 5 5 1〜5 5 3 ; 汲 極 接 線 5 5 4 弟 —· 被 動 膜 5 5 5 •弟 二 中 間 層 絕 綠 膜 5 5' 6 :圖 素 電 極 - 5 5 7 :第 — 中 間 層 絕 綠 膜 5 5 8 ：Ε L 層 5 5 9 : :陰 極 3 0 1 : :開 關 Τ F Τ 3 0 2 : :電 流 控 制 Τ F Τ 3 0 3 : ：Ε L 元 件 3 0 4 : :電 容 3 0 5 : 閘 極 接 線 3 0 6 : 源 極 接 線 3 0 7 : 電 流 饋 線 1 0 1 : 圖 素 單 元 1 0 2 :資料訊號側驅動電路 Ϊ I I I--------、J· 裝 i — (請先閱讀背面之注意事項再f本頁)

I 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 457729 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12) 1 '0 3 :閘極訊號側驅動電路1 0 2 a :移位暫存器 1 0 2 b，1 0 2 c :閂鎖 1 0 4 :圖素 1 0 5 :開關丁 F T 1 0 6 :閘極接線 _ -.. 1 0 7 :資料接線 1 0 8 :電流控制T F T 1 0 9 :電阻 1 1 0 : E L元件 1 1 1 :電流饋線 1 1 2 :電源 - 1 1 3 :電容 1 1 4 :劃時分級資料訊號產生電路 1 1 :基底 1 2 :絕緣膜 2 0 1 :開關 T F T 2 0 2 :電流控制T F T 1 3 :源極區域 1 4 :汲極區域 1 5 : L D D區域 1 6 :隔離區域 1 7 :通道形成區域 18:閘極絕緣膜 1!! — — ！ |瞧<裝· — I '1/. (請先閱讀背面之注意事項再Ϊ本頁) '^. 線- 本紙張尺度適用尹國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 457 72 9 a7 _B7五、發明說明（13) 1'9 :閘電極 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 2 2 2 3 3 5 ο 2 ο 2 6 *—_ 6 5 ο 6 ο 6 6 6 6 ο 6 膜 . 緣 絕 域 層 域區 間線線域域區成 線線 中接接區區 D 形極接接 I 極極.極極 D 道電極極阻 第.源汲/源汲 L 通閘源汲電 T F 件T 元道域 膜 L 通區 罩 Ε η 極 光：：源 路 路 電 電 摸 勖aT Qti ιποπ nzsnΓ 極動元驅底驅 F 線 電被單側基側 T 接 護二素極璃極關極 保第圖閘玻源開閘 --------------!-裝--- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂-- 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 457729 A7 ____B7五、發明說明（14) 6'0 7 :源極接線 6 0 8，電流控制T F T 6 0 9 :電流饋線 6 1 0 :電阻 6 1 1 : E L元件 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 F 2 1-_ 6 1 6 3 1-1 6 ο ο 2 ΊΧ

1 ο 2 IX

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3 ο 2 IX 4 ο 2 一—ί 5 ο 2 1± 6 ο 2 1

7 ο 2 ί—I 8 ο 2 9 ο 2 ο 一—一 2 Τ—ί ί—Η 一—i 2 1—ί 1 ο 3 1—1 2 ο 3 ο 6 基圖資閘殼黏間保區連輸導 C4 底素料極構劑隙護 線 接 入 輸 5 t—_ 6 路路 電電 動動 一品1 一品一 側 側 元號號 單訊訊件 極 電 線線 接接 域接入 料 材 (請先閱讀背面之注意事項再^^本頁) 訂·· 線 7 2 7 份 部 域口觸 線 區開接極接 ...... 電極 閘閘 本紙張尺度適用中國画家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 457 7 2 9 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7_五、發明說明（15) 8 '3 :圖素單元 8 4 :寶料訊號側驅動電路 8 5 :閘極訊號側驅動電路 8 6 :圖素單元 8 7 :資料訊號側驅動電路 8 8 閘極訊號側驅動電路_ 2 0 0 1 :主體 2 0 0 2 :殼 2 0 0 3 :顯示單元 2 1 0 1 :主體 2 1 0 2 :顯示單元 2103:聲音輸入單元1 2 1 0 4 :開關 2 1 0 5 :電池 2 1 0 6 :圖像單元 2 3 0 1 :主體 2 3 0 2 :訊號纜線 2303:頭固定帶 2 3 0 4 :顯示監視器 2 3 0 5 :光學系統 2 3 0 6 :顯示單元 2 4 0 1 :主體 2402:記錄介質 2 4 0 3 :操作開關 --------—Μ—i — (請先閱讀背面之注意事項再本頁) tSJ. .線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 457729 A7 B7 五、發明說明（16) 2404 ’ 2405 :顯示單元 2 5 0 1 主 體 2 5 0 2 相 德 機 單 元 2 5 0 3 圖 像 單 元 2 5 0 4 操 作 開 關 2 5 0- 5 顯 示 單 元 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳實施例之說明 圖1 ( A )爲本發明之主動矩陣型E L顯示裝置之電 路構造。圖1 ( A )之主動矩陣型E L顯示裝置包括一圖 素單元1 0 1 ，一資料訊號側驅動電路1 0 2和一閘極訊 號側驅動電路1 0 3安排在圖素單元周邊，其以形成在一 基底上之T F T構成。於此，無論是資料訊號側驅動電路 或閘極訊號側驅動電路皆可成對的安排而其中夾著圖素單 元。 資料訊號側驅動電路1 0 2基本上包括一移位暫存器 1 0 2 a ，一閂鎖（A ) 1 〇 2 b，和一閂鎖（B ) 1 0 2 c。移位暫存器1 〇 2 a接收時鐘脈衝（CK)和 一啓始脈衝（S P )，閂鎖（A ) 1 〇 2 b接收數位資料 訊號，和閂鎖（B ) 1 〇 2 c接收閂鎖訊號。 在本發明中，輸入至圖素單元之資料訊號爲一數位訊 號。由於本發明並非如同.液晶學示裝置之依賴電壓分級顯 示’具有資料” ”或”丨 >’之數位資料直接輸入至圖素單元。 圖素單元1 0 1以矩陣型式安排有多數圖素i 0 4。 ' — — — — —iill·—— — * ί I (請先間讀背面之注意事項再本頁) δί· 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -19 五、發明說明（17) 圖1 Γβ)爲圖素104之擴大尺寸圖。在圖1 (B)中 ，參考數字1 0 5表示一開關TFT，其連接至接收閘極 訊號之閘極接線1 〇 6和至接收資料訊號之資料接線（亦 稱爲源極接線）。 參考數字1 0 8表示一電流控制TFT，其閘極連接 至開關T F- T 1 0 5之汲極β電流控制丁 F T丄〇 8之汲 極經由一電阻1 0 9連接至一 EL元件，和源極連接至一 電流饋線1 1 1。EL元件1 1 〇包括一陽極（圖素電極 )連接至電流控制T F Τ 1 〇 8和一陰極（相對電極）.相 對於夾住E L層之陽極，陰極連接至一預定電源1 1 2。 電阻1 0 9可爲展現有電阻値非常大於電流控制 TF Τ 1 0 8之啓動電阻値者，且其構造並無任何限制。 所需的是使用具有高電阻値之半導體層，因爲其有利於形 成。 再者，電容1 1 3提供以在開關TFT 1 0 5未選擇 時（關閉時）保持電流控制TFT1 08之閘極電壓，電 容1 1 3未連接至開關T F T之汲極和至電流饋線1 1 1 輸入至圖素單元之數位資料訊號由一劃時分級資料訊 號產生電路1 1 4所形成。此電路轉換視頻訊號（包括圖 像資料之訊號），其爲類比訊號或數位訊號，爲數位資料 訊號，以執行劃時分級，和進一步產生須用於劃時分級顯 示之時間脈衝。典型的，劃時分級資料訊號產生電路 1 1 4包括分割機構以根據η ( η爲整數且不小於2 )位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 請 先 闓 讀 背 面 之 注 意 事 項 i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 457729 B7 五、發明說明（18) 之位址週期和維持週期’和設定機構以設定維持週期爲

Tsl:Ts2:Ts3:…：Ts (η— 1) : T s ( f請先間讀背面之注意事項再r'lir本頁) n ) = 2 〇 : 2 _ 1 : 2 _ 2 :…：2 _ 一 2 ) : 2 _ ( n - 1 ) 〇 劃時分級資料訊號產生電路1 1 4可提供在本發明之 E L顯示裝置之外側。在此例.中’所形成之數」立資料訊號 輸入至本發明之E L顯示裝置。因此’具有本發明之E L 顯示裝置當成顯示單元之電子裝置包括本發明之E L顯示 裝置和劃時分級資料訊號產生電路當成分離元件。 再者，劃時分級資料訊號產生電路1 1 4可以I C晶 片形式安裝在本發明之E L顯示裝置上。在此例中’由 I C晶片所形成之數位資料訊號輸入至本發明之EL顯示 裝置。在此例中，具有本發明之E L顯示裝置當成顯示單 元之電子裝置包括本發明之E L顯示裝置且其上安裝有包 括劃時分級資料訊號產生電路之I C晶片’當成一元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，最後，劃時分級資料訊號產生電路1 Γ 4可以 TFT和圖素單元1 0 4，資料訊號側驅動電路1 〇 2和 閘極訊號側驅動電路一起形成在相同基底上。於此，如果 包括圖像資料之視頻訊號輸入至E L顯示裝置時，在基底 上可處理任何事物。在此例中，具有本發明之E L顯示裝 置當成顯示單元之電子裝置具有劃時分級資料訊號產生電 路，其安裝在E L顯示裝置中，藉以降低電子裝置之尺寸 〇 圖2爲本發明之主動矩陣型E L顯示裝置之構造示意 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 457729 A7 B7 五、發明說明（19) 截面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再ί本頁) 在圖2 .中，參考數字1 1表示一基底’和1 2表示— 絕緣膜用以當成一下層（以下稱爲下層膜）。關於基底 1 1方面，可使用透光基底，且典型的爲，玻璃基底’石 英基底，玻璃陶瓷基底或結晶玻璃基底。但是’此基底必 須能在生產-處理時耐高溫。_ 雖然下層膜1 2對含有移動離子之基底或具有導電性 之基底非常有效，但是其在石英基底例中無需提供°下層 膜1 2可爲含矽之絕緣膜。在此說明書中，含矽絕緣膜表 示例如氧化矽膜，氮化矽膜或相對於矽含一預定比例之氧 或氮之氮氧化矽膜（以SiOxNv:X和Y爲整數）。 參考數字2 0 1表示一開關TFT和2 0 2表示一電 流控制TFT。它們皆爲η通道Τ' FT。η通道TFT比 p通道TF T具有更大的場效移動率，且因此，操作快速 提供更大的電流流動。當相同量的電流流動時，可以較小 的尺寸形成η通道TFT。因此，所需的是使用η通道 TF Τ當成電流控制TF Τ，以使圖像顯示單元之有效發 光區域更寬。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 但是，在本發明中，開關TFT和電流控制TFT無 需限定爲η通道TFT，兩者或其中之一亦可爲p通道 TFT。 開關TFT2 0 1包括一源極區域1 3，一汲極區域 14 ’ LDD區域15a至15d，包括隔離區域16和 通道形成區域1 7 a和1 7 b之主動層；一閘絕緣膜1 8 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 457 72 9 Α7 Β7 五、發明說明（20) (請先間讀背面之注意事項再ί本頁) ;閘電極19a和19b，第一中間層絕緣膜20，源極 接線2 1 ，和汲極接線2 2。閘絕緣膜1 8或第一中間層 絕緣膜2 0可根據電路或元件而共接或異接至基底上之所 有 T F T。 在圖2所示之開關TFT20 1中，閘電極1 9 a和 1 9 b ~起電連接以形成所諝.的雙閘極構造。！然，不只 可使用雙層構造，亦可使用所謂的多閘極構造（包含具有 兩或多通道形成區域串接之主動層之構造），如三閘極構 造等。 多閘極構造可極有效的降低截斷電流値。如果開關 TFT之截斷電流値可降低至某一程度.，圖1 (B)所示 之電容1 1 2之電容値亦可對應的降低。亦即，可降低由 電容1 1 2占據之面積。因此，多閘極構造之使用可有效 的擴大E L元件之有效發光面積。 此外，在開關TFT20 1中，提供LDD區域 1 5 a至1 5 d以使不會經由閘絕緣膜1 8而重疊閘電極 1 9 a和1 9 b上。此種構造可極有效的降低截斷電流値 。再者，LDD區域15a至1 5d之長度（寬）可爲從 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0 . 5 至 3 . 5μιη，典型的爲 2 . 0 至 2 . 5μπι。 所需的是在通道形成區域和L D D區域間形成一偏置 區域（一區域由如同通道形成區域相同的組成之半導體層 形成，且閘極電壓未施加於此），以降低截斷電流値。在 ； » . 使用具有兩或多個閘電極之多閘構造時，形成在通道形成 區域間之隔離區域1 6 (添加和源極區域或汲極區域相同 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 457 72 9 A7 五、發明說明（21) 雜質元·素以相同濃度之區域）可有效的降低截斷電流値。 其次，電流控制丁 FT2 0 2包括：一源極區域2 6 ’一汲極區域2 7，包括一 LDD區域2 8和一通道形成 區域2 9之一主動層，一閘絕緣膜1 8，一閘電極3 ◦’ 第一中間層絕緣膜2 〇，一源極接線3 1 ，和汲極接線 3 2。但是，在圖2之例中.，電阻3 3和一連..接區域3 4 提供在汲極區域2 7和汲極接線3 2間。 電阻3 3相當於圖1 (B)之電阻109 ’和連接區 域3 4爲高雜質濃度區域（和汲極區域2 7相同組成之雜 質區域）以電連接電阻3 3至汲極接線3 2。於此，電流 控制TFT2 0 2之主動層延伸以電連接此TFT至電阻 3 3。但是，電連接並不限制於此種構造。 以數字5 5表示之薄膜（以下稱爲光罩膜）爲在形成 電阻3 3時使用當成一摻雜光罩者，且和閘電極3 0同時 形成。在圖2之例中，光罩膜5 5爲一由和閘電極3 0相 同材料製成之導電膜，且可電隔離。 * 在圖2之構造中，電阻3 3以和LDD區域2 8相同 組成之雜質區域形成。但阻値由電阻之長度和其截面積所 決定。其可由本徵半導體層形成，而無伴隨任何雜質，但 是’如此難以控制電阻値。因此，需要藉由添加雜質以控 制所需電阻値= 當電:阻3 3以上述半導體，層形成時，如果從E L元件 發出之光落在電阻上時’電阻値會改變^因此，從防止電 阻値改變之觀點而言’如圖2所示，最好形成具有遮光性 — 裝--- (請先間讀背面之注意事項再r爲本頁) 訂·· ，線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） 24 五、發明說明（22) 質之光'罩膜，以使用當成遮光膜。 再者，如圖1 (B)所示，開關TFT之汲極連接至

電流控制T F T之閘極。具體而言，電流控制T F T 2 0 2之閛電極3 0經由汲極接線2 2 (亦稱爲連接接線 )而電連接至開關T F T 2 0 1之汲極區域1 4。閘電極 3 0具有單閘極構造，但是亦可爲多閘極構造」再者，源 極接線3 1連接至圖1 (B)之電流饋線1 1 〇。 電流控制TFT2 0 2爲一元件，以控制注入E L元 件之電流量且藉此可流動相當大的電流。因此，其通道寬 度（W)需要設計成大於開關TFT之通道寬度。亦需設 計通道以使具有一增加之長度（L)，因此過多的電流不 會流入電流控制T F T 2 0 2 —般而言，所流動之電流 每一圖素從0 . 5至2μΑ (較佳的，從1至1 . 5μΑ) 〇 而後’參考圖9，當開關TFT之通道長度爲L1 ( Ll = Lla+Llb)，且其通道寬度爲W1，、而電流 控制T F T之通道長度爲L 2且其通道寬度爲W2時，較 佳的是，W1爲〇 ‘ 1至5μιη (典型的在1至30111)， 和W2在0 · 5至30μιη (典型的爲2至ΙΟμιη)。再 者’較佳的是，L1爲〇 . 2至18μπι (典型的爲2至 1 5 μ m )，和L2爲0 . 1至50μιη (典型的爲1至 2 0 μ m )。但是，本發明並不限於此D在圖9中，L3表 示電阻之長度，和W 3表示電阻之寬度。 再者’如圖2所不之E L顯不裝置具有一特徵爲 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格<210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再rii?本頁>. 訂· —線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457729 A7 B7 五、發明說明（23) L D D區域2 8提供在電流控制T F T 2 0 2之汲極區域 27和通道形成區域29間，且此外，：LDD區域28包 括一區域經由閘絕緣膜1 8重疊在閘電極3 0上和一區域 並未重疊其上。 電流控制T F T 2 0 2允許相當大的電流流動，以使 E L元件發光，且最好提供一對策以抵抗由熱.麗子注入而 造成之破壞。爲了顯示黑色，電流控制TFT2 0 2關閉 。於此，如果有大截斷電流流動時，無法顯示純黑色而破 壞對比。因此，需要抑制截斷電流。 已知L D D區域重疊在閘電極上之構造可非常有效的

消除由熱載子注入所引起之破壞。但是，如果整個LDD 區域重疊時，截斷電流增加。因此，本發明人以一新穎構 造，其中除了上述構造外，另串聯提供未重疊在閘電極上 之L D D區域，以同時解決熱載子和截斷電流等問題。 在此例中，重疊在閘電極上之LDD區域具有之長度 從〇 * 1至3μηι (最好爲〇 . 3至1 . 5μπι)。、當 L DD區域太長時，寄生電容增加，而當LDD區域太短 時’防止熱載子之效果變弱。未重疊閘電極之L D D區域 可具有1 . 〇至3 . 5μιη之長度（最好爲1 · 5至2 . 0 )。當L DD區域太長時，電流無法以充分程度流動， 而當LDD區域太短時，降低截斷電流之效果變弱。 再者，在上述之構造中，寄生電容形成在閘電極和 » < LDD區域重疊之區域中。且因此，較佳的是在源極區域 2 6和通道形成區域2 9間未形成LDD區域。在電流控 本紙張尺度過用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -26- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) -SJ- i線‘ A7 457729 _____B7__ 五、發明說明（24) 制T F~T中，載子（在此例中爲電子）流動方向始終相同 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) ，且因此，.提供在汲極區域側上之L D D區域已是足夠的 〇 再者，從增加可流動之電流量之角度觀之，有效的是 使電流控制T F T 2 0 2之主動層（特別是通道形成區域 )之厚度變厚（最好爲從5 0至1 0 0 nm，j更好爲界 於60至80nm)。相反的，在開關TFT 201之例 中，從使截斷電流値較小之角度觀之，最好使主動層（特 別是通道形成區域）之厚度變薄（最好爲從2 0至5 0 nm，且更好爲介於25至4〇nm)。 前述已說明提供在圖.素中之T F T構造。在此例中， 同時形成一驅動電路。圖2顯示一CMO S電路，其爲用 以形成驅動電路之基本單元。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖2中，以降低量注入熱載子而未降低操作速度之 TFT構造使用當成CMOS電路之η通道TFT2 0 4 。於此，驅動電路代表如圖1所示之資料訊號驅動電路 1 0 2和閘極訊號驅動電路1 0 3 當然，亦可形成其它 邏輯電路（如移位暫存器，A/D轉換器，訊號分割電路 等）。 η通道TFT2 0 4之主動層包括一源極區域3 5， 一汲極區域3 6，一 LDD區域3 7，和一通道形成區域 3 8 ’且LDD區域3 7經由閘絕緣膜1 8而重疊閘電極 3 9° 只在汲極側形成L D D區域乃是考量不降低操作速度 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 457729 ____B7_______ 五、發明說明（25) (請先閱讀背面之注意事項再ί本頁) 。再者'，在η通道T F T 2 0 4中，不必關心截斷電流値 ，而是應注意操作速度。因此’最好是L D D區域3 7完 全的重疊閘電極上，以儘可能降低電阻成份。換言之，最 好能消除所有的偏置。 在CMO S電路中之p通道T F T 2 0 5幾乎不會受 到熱載子注入之破壞，因此.，無需特別提供L_D D區域。 因此，主動層包括一源極區域4 0，一汲極區域4 1 ，和 一通道形成區域4 2，和一閘極絕緣膜1 8和形成在其上 之閘電極4 3。當然，亦可允許提供LDD區域如同在n 通道TFT204中，以消除熱載子。 當Ρ通道TFT使用當成電流控制TFT2 0 2時， 可使用具有相同構造通道T_F T當成p通道T F T 2 0 5。 再者，η通道TFT204和p通道TFT205覆 蓋以第一中間層絕緣膜2 0，且形成源極接線4 4和4 5 。它們經由一汲極接線4 6而電連接在一起。 ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，參考數字4 7表示第一被動膜，和其膜厚度可 爲10nm至Ιμιη (最好爲介於200至50〇nm)。 含矽之絕緣膜（特別的，氮氧化矽膜或氮化矽膜）可使用 當成被動膜材料。被動膜4 7扮演保護所製造之T F T免 於受到鹼性金屬和水之侵犯。鹼性金屬，如鈉等，包含在 形成在最終T F T上之E L層中。換言之，第一被動膜 4 7作用當成保護層以使鹼性金屬（移動離子）不會穿透 入T F T側。 28 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5Τ 7 2 9 Α7 ----- — Β7 五、發明說明（26) 再'者’參考數字4 8表示第二中間層絕緣膜，其作用 當成一平坦膜以平坦由T F T所形成之步階。關於第二中 間層絕緣膜4 8方面，可使用有機樹脂膜，如聚醯胺，聚 醯亞胺，丙烯酸，或BCB (苯並環丁烷）。這些有機樹 脂膜形成可展現一小的特殊電介電常數之平坦表面。由於 E L層非常易受到粗糙度之影響，所需的是可藉由第二中 間層絕緣膜吸收所有由T F Τ造成之步階。再者，從降低 形成在閘極接線或資料接線和E L元件之陰極間之寄生電 容之觀點而言*所需的是厚形成具有低特殊電介電常數之 材料°因此，較佳的，膜厚度爲0 . 5至5μηι (最好爲 1 . 5 至 2 · 5μιη) 參考數字4 9表示以透明導電膜製成之圖素電極（ EL元件陽極），以在形成在第二中間層絕緣膜48和第 一被動膜4 7中之接觸孔（開口）中連接至電流控制 TF Τ 2 0 2之汲極接線3 2。由於圖素電極4 9未直接 連接至圖2所示之汲極區域2 7，在E L層中之鹼性金屬 可免於經由圖素電極滲透入主動層。 在圖素電極4 9上形成第三中間層絕緣膜50，其爲 氧化矽膜，氮氧化矽膜或一有機樹脂膜，且其厚度保持爲 0 . 3至Ιμπι»藉由在圖素電極4 9上在第三中間層絕緣 膜5 0中蝕刻而形成一開口，開口之綠以蝕刻而漸尖。漸 尖之角度洋10至6 0。（最好蓐從30至50。）。 E L層5 1提供在第三中間層絕緣膜5 0上。E L·層 5 1爲單層構造或疊層構造。但是’當其爲疊層構造時’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公β -29- ---------:11¾--- 1 (請先閱讀背面之注意事項再irt本頁) 訂· --線·

44)5/7 12 S A7 B7 五、發明說明（27) <請先聞讀背面之注意事項再€势本頁) 可獲得高的發光效率。一般而言，一正電洞注入層，一正 電洞傳送層’一發光層，和一電子傳送層以所述順序形成 在圖素電極上。但是，亦可形成如電洞傳送層/發光層/ 電子傳送層或正電涧注入層/正電洞傳送層/發光層/電 子傳送層/電子注入層之構造。在此實施例.中，可使用任 何型式之已知構造’或亦可執行登光有色染料之^摻雜入 E L層中。 關於有機E L材料方面，可使用例如，下述之美國專 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 利和 曰 本 專利所 揭 示 之 材料 • 美 國 專利第 4 t 3 5 6 4 2 9 號 案； 美 國 專 利第 4 5 3 9 5 0 7 號 案； 美 國 專 利第 4 7 2 0 4 3 2 案： 美 國 專 利第_ 4 7 6 9 2 9 2 號 案： 美 國 專 利第 4 8 8 5 2 1 1 號 案： 美 國 專 利第 4 9 5 0 9 5 0 號 案； 美 國 專 利第 5 0 5 9 8 6 1 號 案； 美 國 專 利第 '' 5 0 4 7 6 8 7 號 案； 美 國 專 利第 5 0 7 3 4 4 6 號 案； 美 國 專 利第 5 0 5 9 8 6 2 〇Ε^ Wu 案； 美 國 專 利第 5 0 6 1 6 1 7 Ur^ 案； 美 國 專 利第 5 1 5 1 6 2 9 〇E& 案， 美 國 專 利第 5 2 9 4 8 6 9 號 案； 美 國. 專 利第 5 2 9 4 8 7 0 號 案： 曰 本 專 利第 189525/ 1 9 9 8 號案； 曰 本 專 利第2 4 1 048/1996 號 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30- 457729 A7 ____B7_______ 五、發明說明（28) :和曰本專利第78 1 59/1 9 96號案。 {請先閱讀背面之注意事項再妒為本頁) 使用於.E L顯示裝置之彩色顯示系統大略分成四種系 統，亦即：形成對應於R，G，B之三種型式EL元件之 系統；根據發出白光之E L元件與濾色器（彩色層）之結 合之系統；根據發出藍或藍綠色光之E L元件和螢光材料 (螢光顏色改變層，C C Μ .).之結合之系統；_和使用透明 電極當成陰極（相對電極）和其中對應於R，G，Β之 E L元件重疊在其上之系統。 圖2所示之構造爲當使用形成對應於R G Β之三種型 式E L元件之系統之例。雖然圖2只顯示一圖素，相同構 造之圖素形成以對應於紅，綠，和藍色，藉以產生一彩色 顯示。 - 本發明可實際使用而無關於發光系統，且上述之四種 系統皆可使用在本發明中。但是，相較於會留下殘餘光問 題之E L元件而言，螢光材料會展現較慢的響應速度。因 此，所需的是，不要使用此螢光材料。再者，亦不需使用 —濾色器，因爲其爲使發出之光之照度下降之因素。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 EL元件之陰極5 2提供在EL層5 1上。關於陰極 5 2方面，可使用含低工作係數材料之材料如鎂（Mg ) ，鋰（Li)，或鈣（Ca) a較佳的，可使用以 MgAg製成之電極（以Mg和Ag以Mg : Ag = l 〇 :1之比例混合之材料）。此外，亦可使用MgAgA 1 電極，L iA 1電極，和L i FA1電極。 所需的是在E L層已形成後，連續形成的陰極5 2未 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裂 4 5 7 7 2 9 A7 B7 五、發明說明（29) 曝露至大氣中。此乃因爲介於陰極5 2和EL層5 1間之 介面狀態會顯著影響E L元件之發光效率。在此說明書中 ，由圖素電極（陽極），E L層，和陰極所形成之發光元 件皆稱爲E L元件。 對於每一圖素，E L層5 1和陰極5 2之疊層需分離 形成。但是，E L層相對於水非常微弱，且無依賴一般 光石印技術形成。因此，所需的是，以真空沉積法，濺鑛 法，或氣相法（如電漿CVD)，藉由使用如金屬光罩等 實質光罩材料而選擇性形成。 E L層可以噴墨法，旋轉塗覆，或網版印刷選擇性形 成。但是，現今，上述之方法皆無法連續形成陰極。因此 ，上述之方法皆是合適的。 _ 參考數字5 3表示一保護電極，其保護陰極5 2免於 受到外部水分子之破壞，和連接圖素之陰極5 2。關於保 護電極53方面，所需的是使用具有含鋁（A1)，銅（ Cu)或銀（Ag)之低電阻之材料。保護電極5 3亦展 現一熱輻射效果，以降低產生在E L層中之熱。如果在形 成E L層5 1和陰極5 2後，直到保護電極5 3連續形成 而無曝露至開放空氣時，其是非常有效的。 參考數字5 4表示第二被動膜，和其膜厚度可設定爲 從10nm至Ιμπι (最好介於200至500nm)。形 成第二被動膜5 4之目的主要爲保護E L層5 1免於水分 ； s 子之滲入，且仍可展現有效的熱輻射效果。但是，如上所 述’如果E L層之抗熱相當微弱，且因此，需儘可能在低 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 32 - -------------------訂---------線 f r 1一 Λ. I (請先閱讀背面之注意事項再ΐ本頁) 457729 A7 B7 五、發明說明（30) 溫下形~成（最好在室溫至120°C之溫度範圍內）。因此 ，所需之膜形成方法可爲電漿CVD法，濺鍍法，真空蒸 鍍法，離子濺鍍法，或溶液塗覆法（旋轉塗覆法）等。 範例1 以下參考圖5至8說明本，發明之範例。下述說明製造 一圖素單元和提供在圖素單元周邊之驅動電路單元中之 TFT之方法。於此，爲了簡化說明，相關於驅動電路以 基本單元之CMO S電路表示。 首先，參考圖5 (A)，準備具有一底層（未顯示） 形成在表面上之一基底5 0 1。在此範例中，厚度爲 10 0 nm之氮氧化矽膜和厚度爲2 0 0 nm之氮氧化矽 膜疊層當成底膜在一結晶玻璃上。於此，接觸結晶玻璃基 底之膜之側具有氮濃度從1 0至2 5%重量百分比。當然 ，亦可直接形成元件在石英基底上而未形成底膜。 其次，以已知之膜形成法形成4 5 n m厚之非晶矽膜 5 0 2在基底5 0 1上。於此無需限制於非晶矽膜’只要 是含非晶構造之半導體膜（包括微晶半導體膜）皆可。此 外，亦可形成含非晶構造之化合半導體膜，如非晶矽鍺膜 〇 關於至圖5 ( C)之步驟方面，可引用本發明人所揭 示之日本專利第247735/1998號案之內容。此 專利案揭示使用如鎳等元素當成觸媒之半導體膜之結晶方 法之技術= · ------— —-— — 111 - I I (請先閱讀背面之注意事項再贫势本頁) 訂— * -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -33 - 457729 A7 B7 五、發明說明（31) 首'先，形成具有開口 503a，5〇3b之保護膜 5 0 4。在此範例中，使用厚度爲1 5 0 nm之氧化矽膜 。含鎳（N i )之層藉由旋轉塗覆法形成在保護膜5 0 4 上。關於含鎳層之形成方面，可參考上述之專利。 其次參考圖5 (B)，在惰性氣體中，在570 °C下 進行熱處理1 4小時以使非晶较膜5 0 2結晶_。在此例中 ，結晶幾乎平行於基底從區域506a，506b (以下 稱添加鎳區域）至接觸鎳之處進行，藉以形成結晶構造之 多晶矽膜5 0 7，其中集合的安排有桿狀晶體。於此，在 電子射線繞射照片上觀察到相關於定向{ 1 1 0 }之繞射 點，如圖1 9 ( A )所示。 其次，如圖5 (C)所示，屬於第VA族之元素（如 磷）添加至添加鎳區域506a ，506b，而以保護膜 504當成一光罩。因此形成區域508a ，508b ( 以下稱爲添加磷區域），其中磷以高濃度添加。 參考圖5 (C)，在惰性氣體中，600 °C下進行熱 處理12小時。由於此熱處理，呈現在多晶矽膜507中 之鎳摻入且最後幾乎所有鎳皆由添加磷區域5 0 8 a， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0 8 b所捕捉，如箭頭所示。此即視爲由於因磷引起之 金屬元素（在此例中爲鎳）之聚集效果所造成之現象。 由於此步驟，以s I MS (二次離子質量頻譜儀）量 測，殘餘在多晶矽膜5 0 9中之鎳濃度降低至至少2 X 1 〇17原子/cm3。鎳是半導體之壽命殺手。但是，在 降低至此位準下，其不再會對T F T特性造成負面影響。 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明說明（32) 此外/此濃度幾乎爲以現有的s I M S分析之量測下限。 因此，實際上，於此之濃度可能更低（2 X 1 〇 17原子/ c in 3或更低）。 因此，於此獲得之多晶矽膜5 0 9，其使用觸媒結晶 ，且其中觸媒之濃度降低至不會阻礙TF T操作之位準。 而後，使用多晶矽膜5 0 9之主動層5 1 0至J 1 3只以 定圖樣形成。主動層5 1 3部份的包括作用當成一電阻之 半導體層。於此，建議藉由使用上述多晶矽膜形成一標示 ，以在後續定圖樣中對準光罩（圖5 (D))。 參考圖5 (E)，在氧氣中，在9 5 0 °C下熱處理一 小時以執行熱氧化步驟後，以電漿CVD法形成厚度爲 5 0 n m之氮氧化矽膜。氧化氣體可爲氧氣或添加有鹵素 之氧氣。 在此熱氧化步驟中，氧化在介於主動層和氮氧化矽膜 間之介面進行，藉此，厚度爲1 5 nm之多晶矽膜氧化， 以形成保持厚度爲約3 0 n m之氧化矽膜。亦即，'於此形 成厚度爲8 0 nm之閘極絕緣膜5 1 4，包括厚度3 0 nm之氧化矽膜和厚度5 0 nm之氮氧化矽膜互相疊層在 一起。再者，在通過熱氧化步驟後之結果，主動層5 1 0 至513具有厚度30ηπ^ 參考圖6 (Α)，形成一阻止光罩5 15，且一雜質 元素（以下稱爲P型雜質元素）經由閘極絕緣膜5 1 4添 » < 加以授予P型。關於P型雜質元素方面，可使用屬於 I I I A族之元素，如硼或鍺《此步驟（稱爲通道摻雜步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------!',裝--- (請先閱讀背面之注意事項再'ii'A本I) ,. .線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 457723 A7 B7 五、發明說明（33) 驟）乃~用以控制TFT之臨界電壓。 在此範例中，以電漿激勵離子摻雜法，而未質量分離 硼化氫（B2H6)，以添加硼。亦可使用離子植入法，其 執行質量分離。經由此步驟，可形成含有硼之濃度爲1 X Γ015至1 X 1 018原子/ cm3 (典型爲5X 1 016至 5X1017原子/cm 3 )之雜賓區域5 1 6至、5 1 8。 參考圖6(B)，形成阻止光罩519a和519b ，且一雜質元素（以下稱爲η型雜質元素）經由閘極絕緣 膜5 1 4添加以授予η型。關於η型雜質元素方面，可使 用屬於VA族之元素，如磷或砷。在此範例中，以電漿激 勵離子摻雜法，而未質量分離磷化氫（ΡΗ3)，以添加濃 度爲1 X 1 018原子/cm3之磷。亦可使用離子植入法 ，其執行質量分離。 經由此步驟，摻雜劑量調整以形成η型雜質區域 5 2 0至5 2 1含有η.型雜質元素之濃度爲2 X 1 016至 5x 1 019 原子/ cm3 (典型爲 5 X 1 017 至 5'x 1018 原子/ cm3)。 參考圖6 (C)，所添加之η型雜質元素和p型雜質 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 — — — — — — — ill]— I — (請先間讀背面之注意事項再貧寫本頁> 線· 元素受到活化•雖然於此無需限制活化之意義，由於此裝 置提供有閘極絕緣膜5 1 4，所需的是使用電熱爐執行爐 退火。再者，在圖6 (Α)之步驟中，在主動層和閘極絕 緣膜間之.介面可能會在變成通道形成區域之部份受到破壞 。因此，需要儘可能在高溫下執行熱處理。 此範例使用具有高熱電阻之結晶玻璃。因此，活化步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -36- 457729 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制 五、發明說明（34) 驟根據在8 0 0°C下之爐退火執行一小時。熱氧化可在氧 化氣體中執行，或熱處理可在惰性氣體中執行。但是，於 此，活化步驟並非實質非常需要。 此步驟澄淸了邊界部份（接合部份）至η型雜質區域 520，521之端，亦即，從一區域（由步驟6 (Α) 形成之Ρ型雜質區域）至η型.雜質元素未被添.、加環繞η型 雜質區域5 20，5 2 0之處。亦即，LDD區域和通道 形成區域可在T F Τ完成時形成一非常好的接面部份。 其次，形成保持厚度爲2 0 0至4 0 0 nm之導電膜 ，且而後，形成一光罩膜5 2 6以藉由定圖樣形成閘電極 5 2 2至5 2 5和電阻。TFT之通道長度以閘電極 5 2 2至5 2 5之寬度決定。再者，電阻之電阻値以光罩 膜526之寬度決定。 閘電極可以單導電膜形成。但是，依需要，閘電極亦 可以兩層或三層叠層膜形成。關於閘電極之材料方面，可 使用已知之導電膜。具體而言，可使用選自鈦（Ti)， 鉬（T a )，鉬（Μ 0 )，鎢（W )，鉻（C r )和矽（ S i )之元素之膜，或上述元素之氮化物膜（典型的，氮 化鉬膜，氮化鎢膜，或氮化鈦膜），或上述元素之結合之 合金膜（典型的’Mo— W合金或Mo — Ta合金）’或 上述元素之矽化物膜（典型的，矽化鎢膜或矽化’鉬膜）。 這些膜當然亦可使用單層膜或聲層膜型式。 在此實施例中使用5 0 nm厚之氮化鎢（WN)膜和 3 5 0 nm厚之鎢膜之疊層膜。可以濺鍍方法形成此膜。 (請先閱讀背面之注意事項再^寫本頁> 訂·· --線' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -37- 457729 A? ____ B7 五、發明說明（35) 再者’如果如X e或N e之惰性氣體添加至濺鍍氣體中時 ，可防止因爲應力之膜剝離。 此時形成閘電極5 2 3和5 2 5經由閘絕緣膜5 1 4 重疊在部份之η型雜質區域5 2 0和5 2 1上。重疊部份 於後變成重疊閘電極之LDD區域。閘電極5 2 4 a和 5 2 4 b互_相分離，但是實際上.麗連接在一起。 其次參考圖7 (A) ，η型雜質元素（在此範例中使 用磷）使用閘電極5 2 2至5 2 5和光罩膜5 2 6當成光 罩添加。對所形成之雜質區域5 2 7至5 3 3添加磷以η 型雜質區域5 2 0和5 2 1之濃度之1/2至1/10 ( 典型爲1/3至1/4)。具體而言，磷濃度最好爲lx 1 016至 5 X 1 018 原子/ c「m3 (典型爲 3χ 1 〇17和 3xl〇18 原子/ cm3)。 參考圖7 (B)，形成阻止光罩534a至534d 以覆蓋閘電極，和添加η型雜質元素（在此範例中使用磷 )以形成含有高濃度磷之雜質區域5 3 5至5 4 2。在此 例中，藉由離子摻雜使用磷化氫（ΡΗ3)添加磷，並調整 此區域之磷濃度爲1 X 1 〇2°至1 X 1 〇21原子/ cm3 (典型爲 2χ102Μπ5χ102° 原子/ cm3)。 以上述步驟形成η通道T F T之源極區域或汲極區域 。但是，形成在圖7 ( A )之步驟中之η型雜質區域部份 的留在開關T F Τ中。所留下之區域相當於圖2之開關 TFT 之 LDD 區域 1 5a 至 1 5d。 其次，如圖7 (C)所示，移去阻止光罩534a至 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -38- (請先閱讀背面之注意事項再埗寫本頁) 訂- --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 7 7 2 A7 B7 五、發明說明（36) (請先間讀背面之注意事項再_|本頁) 5 3 4>d，和形成一新的阻止光罩5 4 3。而後，添加P 型雜質元素（在此範例中使用硼），比形成含有高濃度硼 之雜質區域5 4 4和5 4 5。於此使用硼化氫（B2H6) 之離子摻雜添加硼’而添加硼之濃度爲3 X 1 02°至3 X 1 02ί原子/cm3 (典型爲5xl02°和lxl 021原 子 / c m 3 )。 . _ 在雜質區域544和545中，磷已以濃度爲1X 1 〇2°至1 X 1 021原子/cm3添加。但是，硼亦可以 至少三倍濃度添加。因此，已事先形成之η型雜質區域已 完全反向爲Ρ型，且作用當成Ρ型雜質區域。 其次參考圖7 (D)，在移除阻止光罩543後，形 成第一中間層絕綠膜5 4 6。關於第一中間層絕緣膜 5 4 6方面，可使用以結合之單層或疊層型式之含矽絕緣 膜。此膜具有之厚度從400nm至1 . 5μιη。在此例中 ，此膜具有一疊層結構包括8 0 0 n m厚之氧化矽膜疊層 在200nm厚之氮氧化矽膜上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而後，以各種濃度添加之η型和ρ型雜質元素受到活 化。較佳的活化機構爲爐退火。在此範例中，在氮氣下在 5 5 0 °C下熱處理4小時。 而後，在含3至1 0 0%氫氣之大氣中，在3 0 0至 4 5 0 °C上作用熱處理1至1 2小時，以作用氫化·»此步 驟乃爲以熱激勵之氫氣終止半_體膜之未配對結合鍵。關 於氫化之另一機構方面，可執行電漿氫化（使用以電漿激 勵之氫氣）。 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐〉 457729 Α7 Β7 五、發明說明（37) 可執行氫化處理，而形成第一中間層絕綠膜5 4 6。 亦即，在氮氧化矽膜形成保持厚度爲2 0 0 nm後，可作 用氫化處理，且而後，形成氧化矽膜保持8 0 0 nm厚。 其次參考圖8 (A)，在第一中間層絕緣膜5 4 6中 形成接觸孔，以形成源極接線5 4 7至5 5 0和汲極接線 5 5 1至5 5 3。在此範例中.，.電極乃以具有J 〇 〇 n m 鈦膜，3 Ο 0 nm含鈦鋁膜，和1 5 0 nm鈦膜連續以濺 鍍形成之三層構造之疊層膜形成 其次形成厚度爲5 0至5 0 0 nm (典型的爲介於 2 0 0和3 0 ◦ nm間）之第一被動膜5 5 4 ^在此範例 中，使用3 0 0 nm厚之氮氧化矽膜當成第一被動膜 5 5 4。此亦可以氮化矽膜取代之。 於此'在氮氧化矽膜形成前，如果使用含如Η 2或 ΝΗ3等之氣體進行電漿處理是相當有效的。以此先前處理 激勵之氫乃供應至第一中間層絕緣膜5 4 6 ，和藉由執行 熱處理可改善第一被動膜5 5 4之品質》同時，添加至第 一中間層絕緣膜5 4 6之氫擴散至下側，因此主動層可有 效的氫化。 其次參考圖8 (Β)，形成有機樹脂之第二中間層絕 緣膜5 5 5。關於有機樹脂方面，可使用聚醯亞胺，丙烯 酸，和BCB (苯並環丁烷）《第二中間層絕緣膜555 必須平坦以T F Τ形成之步階，且因此，最好使用具有優 良平坦性之丙烯酸。在此範例中，形成之丙烯酸膜具有之 膜厚度爲2 . 5μ·ΐη。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -40 - (請先閱讀背面之注咅？事項再r寫本頁) 訂- 線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457729 at B7 五、發明說明（3¾ (請先閱讀背面之注意事項再Jr寫本頁) 其>，在第二中間層絕緣膜5 5 5和在第一被動膜 5 5 4中形成一接觸孔以到達汲極接線5 5 3，藉以形成 圖素電極（陽極）5 5 6。在此實施例中，形成厚度爲 1 1 0 n m之銦氧化物/錫（I T 0 )膜，而後定圖樣以 形成一圖素電極》於此亦可使用混合氧化銦和2 0%之氧 化錫（Ζ η 0 )之透明導電膜乂圖素電極當成_卫L元件之 陽極。 其次，形成厚度爲5 0 0 nm之含矽絕緣膜（在此範 例中爲氧化矽膜），且在對應於圖素電極556之位置上 形成一開口，以形成第三中間層絕緣膜5 5 7。關於形成 開口方面，可以濕蝕刻法輕易的形成一漸尖側壁。當開口 不夠緩和的傾斜時，E L層會因爲步階而受破壞至一明顯 程度。 其次，EL層558和陰極（MgAg電極）559 以真空蒸鍍法連續形成，而未曝露至開放空氣中。E L層 558之厚度從80至200nm (典型爲1〇〇至 120nm)，和陰極559之厚度爲18◦至300 nm(典型爲200至250nm)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 在此步驟中，EL層和陰極連續形成以用於紅色之圖 素，綠色之圖素，和藍色之圖素。但是，於此E L層相對 於溶液具有相當差之電阻，因此必須分離形成每一顔色之 圖素，而未依賴光石印技術。因此，藉由使用金屬光罩， « ^ 除了所欲之圖素外，其它區域皆受到密封，和E L層和陰 極只選擇性形成在所需部份上。 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 157 72 ^ A/ B7 五、發明說明（3今 亦'即，一光罩設定以密封除了用於紅色之圖素外之所 有區域，且.藉由使用此光罩，E L層和陰極選擇性形成以 發射紅光。其次，一光罩設定以密封除了用於綠色之圖素 外之所有區域，且藉由使用此光罩，E L層和陰極選擇性 形成以發射綠光。其次，一光罩設定以密封除了用於藍色 之圖素外之所有區域，且藉由使用此光罩，E JL層和陰極 選擇性形成以發射藍光。雖然上述使用不同的光罩，於此 當然亦可重複使用相同光罩。所需的是進行處理，而未破 壞真空狀態，直到E L層和陰極形成在所有圖素上。 可使用已知之材料當成E L層5 5 8。在考量驅動電 壓下，已知材料之所需例爲一有機材料。例如，E L層可 具有四層構造包括正電洞注入層，正電洞傳送層，發光層 ，和電子注入層。再者，在此範例中，使用MgAg電極 當成E L元件之陰極。但是，亦可使用任何已知材料。 . 再者，關於保護電極560方面，可使用鋁之導電膜 當成主要成份。保護電極5 6 0可以真空蒸鍍法/使用和 使用以形成E L層和陰極不同之光罩形成。再者，在e L 層和陰極形成後，保護電極5 6 0連續形成，而未曝露至 大氣。 最後，形成厚度爲3 0 0 nm之第二被動膜5 6 1 ， 其爲氮化砂膜。實際上，保護電極5 6 0對E L層之防水 扮演極重.要之角色。在形成第二被動膜5 6 1時，可進一 步增強E L元件之可靠度。 因此可完成如圖8 ( C )所示之構造之主動矩陣型 ^纸張尺度適用帽國家標準（CNS)A4_規格⑵G X 297公釐) .丨卜|,!«.! (請先閱讀背面之沒意事項再東窝本頁}

,..F --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 72 9 A7 B7 五、發明說明（4G) E L顯^示裝置。實際上，在完成至圖8 (C)後，所需的 是以高氣密保護膜（疊層膜，紫外線硬化樹脂膜等）或以 如陶瓷密封容器之殼構件封裝（密封）此裝置=在此例中 ，殼構件之內部充塡以惰性氣體。或是，一易濕材料（如 氧化鋇）設置在內部以改善EL層之可靠度（壽命）。 在以如封裝處理進行氣密後，接附一連接，.器（彈性印 刷板FPC)，以連接形成在基底上之元件或連接從電路 拉出之端至外部訊號端，以獲得最終產品。在此狀態下可 裝運之E L顯示裝置在本說明書中視爲E L模組。 於此參考圖11之立體圖說明此範例之主動矩陣型 E L顯示裝置之構成。此範例之主動矩陣型E L顯示裝置 由一圖素單元6 0 2 I閘極側驅動電路6 0 3，和形成在 一玻璃基底6 0 1上之源極側驅動電路6 0 4組成。在圖 素單元中之開關TFT6 0 5爲η通道TFT，且設置在 連接至閘極側驅動電路6 0 3之閘極接線6 0 6和連接至 源極側驅動電路6 0 4之源極接線6 0 7之交叉處。再者 ，開關T F T 6 0 5之汲極連接至電流控制T F T 6 0 8 之閘極。 電流控制T F T 6 0 8之源極連接至電流饋線6 0 9 ，和電流控制TFT6 0 8之汲極經由電阻6 1 0連接至 EL元件611。一預定電壓應用至EL元件611之陰 極。 當成外部輸入端之F P C 6 1 2提供有輸入接線（連 接接線）6 1 3，6 14，以傳送訊號至驅動電路，和以 本紙張尺度適用中囤囤家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 之 注 項 再 jr 寫- 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -43- 5 72 9 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（41) 輸入接'線6 15連接至電流饋線609。 以下參考圖1 2 ( A )和1 2 ( B )說明包括有殼構 件之EL模組之範例。依需要，將引用圖11中使用之參 考數字。 在基底1 2 0 0上形成圖素單元1 2 0 1 ，資料側驅 動電路1 2 0 2 ，和閘極側驅.動電路1 2 0 3 。來自相關 驅動電路之各種接線經由輸入接線613至615而到達 F P C 6 1 2，且連接至外部單元。 在此例中，殼構件1 2 0 4形成以包圍至少圖素單元 ，且較佳的亦包圍驅動電路和圖素單元·=殼構件1 2 0 4 爲具有凹陷部份之形狀，其中內部尺寸大於E L元件之外 部尺寸，或具有一片狀，且以黏劑1 2 0 5固定至基底 1200，以形成和基底1200接合之氣密空間。在此 例中，EL元件完全密封於上述氣密空間中，且完全與外 部氣體隔離。亦可提供多數殼構件1 2 0 4。 較佳的是使用如玻璃聚合物之絕緣基底當成殼構件 1 2 0 4。下述爲殼構件之例：非晶玻璃（如硼矽玻璃或 石英）：結晶玻璃；陶瓷玻璃；有機樹脂（如丙烯酸樹脂 ，苯乙烯樹脂，聚碳酸鹽樹脂，和環氧樹脂），和矽酮樹 脂等。此外，亦可使用陶瓷。再者，如果黏劑1 2 0 5爲 絕綠材料時，可使用如不鏽鋼合金之金屬材料。 再者，可使用如環氧樹脂或丙烯酸樹脂當成黏劑 1 2 0 5之材料。此外，亦可使用熱硬化樹脂或光硬化樹 脂當成黏劑。但是，於此儘可能必須使用水無法穿透之材 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 3 t 訂 ▲ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -44- 457 729 A7 五、發明說明（兮 料。’ (請先閱讀背面之注意事項再^寫本頁> 此外，最好以惰性氣體（如氬，氦，氖或氮）充塡介 於殼構件和基底1 2 0 0間之間隙1 2 0 6。在氣體上並 無限制，且亦可使用惰性液體（如液態氟化碳，典型爲全 氟鏈烷）。關於惰性液體方面，可使用如日本專利第 7 8 5 1 9- / 1 9 9 6號案所使_用之材料。 在間隙1 2 0 6中提供乾燥劑亦是非常有效的。此乾 燥劑如日本專利第1 48 0 6 6/1 9 9 7號案所揭示之 材料。典型的，可使用氧化鋇。 再者，如圖12 (B)所示，圖素單元提供有多數圖 素，每一圖素具有一獨立的E L元件，和所有圖素皆具有 保護電極1 2 0 7當成一共同電極。在此範例中，最好連 續形成E L層，陰極（MgAg電極）和保護電極，而未 曝露至大氣中。但是，如果E L層和陰極使用相同光罩材 料形成，且如果只有保護電極以其它光罩材料形成時，而 後，可達成圖1 2 ( B )所示之構造。 、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於此’ E L層和陰極可只提供在圖素單元上，且不需 要將其提供在驅動電路上。當然，毫無問題的可將其提供 在驅動電路上’但是，在考量鹼性金屬包含在E L層中之 事實，最好還是不要將其提供在驅動電路上。 保護電極1 2 0 7經由以和在以參考數字1 2 0 8所 示之區域上之圖素電極相同材料製成之連接線1 2 〇 9而 連接至輸入接線1 2 1 0。輸入接線1 2 1 〇爲一電流饋 線以應用一預定電壓（在此例中爲接地電位或具有而言爲 -45- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457729 . A/ B7 五、發明說明（叫 0)至保護電極1207’且經由一導電膏材料丄2 1 1 連接至FFC611。 以下參考圖1 3說明在區域1 2 0 8中之接觸構造之 製造方法。 首先，依照此範例之步驟獲得如圖8 (A)所示之狀 態。於此，.第一中間層絕緣膜.5. 4 4和間絕緣膜5 1 4從 基底之緣移除（在圖1 2 ( B )中以參考數字1 2 ◦ 8所 示之區域）’和輸入接線1210和圖8 (A)之源極接 線和汲極接線之形成同時形成（見圖1 3 ( A ))。 其次參考圖8(B)，移除以參考數字1301表示 之區域，且在蝕刻第二中間層絕緣膜5 5 3和第一被動膜 552時，形成一開口 1 302。連接接線1209形成 以覆蓋開口1302。連接接線1209和圖8(B)中 之圖素電極5 5 4同時形成。 在此狀態中，E L元件形成在圖素單元中（第三中間 層絕緣膜，EL層，和陰極）。於此，藉由使用光罩等， 第三中間層絕緣膜和E L元件不會形成在圖1 3所示之區 域。在形成陰極5 5 7後，使用另一光罩材成保護電極 5 5 8。因此，保護電極5 5 8和輸入接線1 2 1 0可經 由連接接線1 2 0 9電連接在一起。而後，形成第二被動 膜5 5 9，以獲得如圖1 3 ( C )所示之狀態。 以上述之步驟可完成在圖1.2 (B)中以參考數字 1 2 0 8所示之區域之接觸構造。輸入接線1 2 1 0經由 介於殼構件1 2 0 4和基底1 2 0 0間之間隙而連接至 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -46- — — — — — — — — — If — ·1111111 — — — — — — — — — (請先閉讀背面之注意事項再撕宵本頁) 457729 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（舛 F P C'6 1 1 (此間隙以黏劑1 2 0 5充塡，此黏劑 1 2 0 5之厚度必須足以齊平輸入接線之步階）。於此說 明了輸入接線1 2 1 0，但是，其它輸入接線6 1 2至 6 1 4亦藉由通過殼構件1 2 0 4下方而相似的連接至 F P C 6 1 1。 * . ··· 範例2 在此範例中，其顯示如圖1 4所示之圖素構成例，且 其與圖1 (B)所示之構成不同。 在此範例中，圖1 ( B )所示之兩圖素環繞施加接地 電位之電流饋線1 1 1對稱安排。亦即，如圖1 4所示， 電流饋線1 1 1由兩相鄰圖素共用，以降低接線之數目。 在圖素中安排之T F T之構造則無改變。 使用此種構造可製造更細之圖素單元和改善圖像品質 〇 再者，藉由共同使用電流饋線1 1 1 ，電流饋線 1 1 1可獲得其寬度之增加邊界；亦即，電流饋線1 1 1 之寬度可增加而不會降低圖像之亮度。如此降低由電流饋 線1 1 1之電壓降引起之效果，並防止經由電流饋線 111供應之電壓依照圖素位置改變之發生。 依照範例1之製造步驟可輕易完成此範例之構造。 範例3 在此範例中使用圖15說明形成具有與圖1不同構造 . ------v^--------訂---------線^Γ (請先間讀背面之注意事項再^^本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -47- 467 7 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（4¾ 之圖素~部份之例。於此可依照範例1執行直到形成第二中 間層絕緣膜.4 8之步驟。再者，由第二中間層絕緣膜4 8 所覆蓋之開關TFT2 0 1和電流控制TFT2 0 2之構 造和圖1所示者相同，因此省略其說明。 在此範例中，在第二中間層絕緣膜4 8，和第一被動 膜4 7中形成一接觸孔後，形成一圖素電極6. .„L。在此範 例中，形成2 0 0 nm厚之鋁合金膜（含lw t%鈦之銘 膜）。關於金屬材料方面，可使用任何材料當成圖素電極 材料，但是，最好使用具有高反射率之材料。 而後，爲氧化矽膜之第三中間層絕緣膜6 2形成厚度 3 0 0 nm，而後再形成厚度爲2 3 0 nm之MgAg電 極當成一陰極63，而後，從下側觀之，形成2〇nm厚 之電子傳送層，4 0 nm厚之發光層，和3 0 nm厚之正 電洞傳送層當成EL層64。於此，EL層64必須具有 一圖樣些微大陰極6 3。如此可免於陰極6 3短路至隨後 形成之陽極6 5。 * 於此，使用多室型式之真空蒸鍍機（亦稱爲叢集工具 系統）連續形成陰極6 3和E L層6 4而未曝露至開放空 氣中。首先，使用第一光罩形成陰極6 3在所有圖素上， 而後，使用第二光罩形成發出紅光之E L層。而後，在準 確移位第二光罩後，連續的形成發出綠光和藍光之E L層 〇 當對應於R G Β之圖素安排成條紋狀時，以上述方法 可輕易移位光罩。但是，爲了完成所謂的三角形安排之圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -48 - -----------.!、叙----------訂---------線 ( - - ) (請先間讀背面之注意事項再费寫本頁} 457723 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明說明（4今 素構造可使用第三光罩以用於發出綠光之E L層和第四 光覃以用於.發出藍光之E L層= 在形成至E L層6 4後，以透明導電膜（在此範例中 爲一薄膜，其爲含1 0%氧化鋅之I T ◦膜）形成厚度爲 1 1 Onm之陽極6 5。因此，可形成一 EL元件2 06 ，而如果以如範例1所述相同.材料形成第二被膜6 6時 ，則可完成圖15所示構造之圖素。 在此範例之構造中，由圖素所產生之紅，綠，或藍光 照射在形成有T F T之基底之相對側上。因此，幾乎在圖 素中之整個區域，亦即，形成有TFT之區域，可使用當 成有效發光區域。結果，圖素具有顯著增加之有效發光面 積 > 以增強影像之明亮度和對比（亮暗比）。 此範例之構成可自由的結合範例1和2之構成。 範例4 此範例說明在依照範例1所製造之主動矩陣E L顯示 裝置中之圖素之構造。於此參考圖1 6說明，其中相關於 圖1和2之部份以圖1和2之參考數字表示。 在圖1 6中，參考數字2 0 1表示一開關TFT，其 包含一源極區域1 3，~汲極區域1 4，和一閘極接線（ 亦稱爲一閘電極）1 0 6。再者，參考數字2 0 2表示一 電流控制T FT ’其包含一源極區域2 6，一汲極區域 27，和一聞電極30。再者，電流控制TFT202之 汲極經由一電阻33 (在圖16中在光罩膜5 5下方之半 (請先閱讀背面之注意事項再择1本頁) ej· -丨線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公爱） -49- Α7 Β7 五、發明說明（47) (請先閱讀背面之注意事項再+Ϊ本頁) 導體層）’一連接區域3 4 ’和一汲極接線3 2電連接至 圖素電極4.9。虛線5 1和5 2表示形成有EL層5 1和 陰極52之位置，和EL元件203由圖素電極49， EL層51，和陰極52形成。 於此，開關TFT2 0 1之汲極接線2 2經由一接觸 部份1 6 0- 1電連接至電流控制_T F T 2 0 2之閘電極 3 0。再者，閘電極3 0形成一保護電容1 1 3在其重疊 在電流控制TFT2 0 2之源極接線3 1上之部份。源極 接線3 1電連接至電流饋線1 1 1。 在此範例中，本發明並未限制於圖1 6所示之圖素構 造，而是僅以較佳範例簡單表示。開關T F Τ，電流控制 TF Τ，和保持電容形成位置可由設計者適當的選擇。此 範例之構成可自由的結合範例1至3之構成6 範例5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此範例說明與範例4不同構造之在主動矩陣型E L顯 示裝置中之圖素構造。具體而言，圖1 6顯示一圖素構造 ，而圖1 7顯示一圖素構造，其中只有閘極接線之材料與 圖1 6不同。除了閘極接線之構成外，圖1 7之構成和圖 1 6相同，因此省略詳細之說明。 在圖1 7中，參考數字7 1 a和7 1 b表示由氮化鎢 膜和範例11之閘電極之鎢膜之S層膜形成之閘電極。它們 可以有獨立之圖樣，如圖1 7所示，或可爲電連接在—起 之圖樣。當它們形成時，閘電極此時電浮動。關於聞電極 -50 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 457729 A7 B7 五、發明說明（岣 (請先閱讀背面之注意事項再Jf^'本頁) 7 1 a'，7 1 b方面，可使用氮化鈦膜和鈦膜之疊層膜， 或如鉬和鎢之合金膜之任何導電膜。但是，所需的是，此 膜可良好的工作以形成寬度不大於3μπι (最好爲不大於2 μπι)之細線。再者，所需的是，此膜未含有會在閘絕緣膜 中擴散以滲透至主動層之元素。 另一方面，關於閘極接線、7 2方面，於此.使用具有電 阻小於閘電極7 1 a，7 1 b之電阻之導電膜，典型的， 爲含鋁當成主要成份之合金膜或含銅當成主要成份之合金 膜。閘極接線7 2不需要特別細微的工作性。此外，由於 可重疊在主動層上，即使其含有會輕易的擴散至絕緣膜之 鋁或銅時，亦不會造成任何問題。 爲了完成此範例之構造，在範例1之圖7 (D)之步 驟中之形成第一中間層絕緣膜5 4 4之前，可執行活化之 步驟。在此例中，在閘電極7 1 a和7 1 b曝露之狀態下 *熱處理是有效的。當熱處理在充分的惰性氣體下或在氧 濃度不大於1 P P m之惰性氣體下作用時，閘電極7 1 a 和7 1 b未受到氧化。亦極，電阻不會因氧化而增加，且 閘電極未覆蓋以難以移除之絕緣膜（氧化膜）- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在活化步驟完成後，形成以鋁或銅爲主要成份之導電 膜，且以定圖樣形成一閘極接線7 2 5此時，一良好的歐 畝接觸保持在閘電極7 1 a和7 1 b與閘極接線7 2接觸 之部份上，使一預定閘極電壓雄加至閘電極7 1 a和 r · 7 1 b ° 當圖像顯示區域具有增加區域時，此實施例之構成特 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS)A4規格（210 =<297公釐） -51 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457729 at Β7 五、發明說明（4弓 別有效'。其理由如下。 在本發明之E L顯示裝置中’一框分割成多數副框， 和用以驅動圖素單元之驅動電路必須承受大的負擔。爲了 降低此負擔，由圖素單元所具有之負載（接線電阻，寄生 電容，TFT之寫容量等）最好儘可能降低。 由於具有非常高操作效能.之T F T可藉由..使用多晶矽 膜完成，TFT之寫容量不會是問題。寄生在資料接線或 閘極接線之容量大部份相關於形成在上述接線之E L元件 之陰極（或保護電極）形成°但是，寄生電容可藉由形成 具有如同厚度爲1 · 5至2 . 5μιη之第二中間層絕緣膜之 小的特殊導電率之有機樹脂膜而降低至幾乎可忽略。 因此，在應用本發明至具有大面積圖素單元之E L顯 示裝置中變成最嚴重阻力的是在資料接線和閘極接線中之 接線電阻。當然，可分割資料訊號側驅動電路成爲多數部 份以將它們平行安排，或提供資料訊號側驅動電路和閘極 訊號側驅動電路而其間夾有圖素單元，和從兩方向傳送訊 號以實質降低驅動電路之操作頻率。但是，在此例中，會 造成驅動電路占據增加面積之另一問題。 因此’根據此範例之構造使閘極接線之接線電阻縮小 可非常有效的使本發明付諸實施^在此範例中，本發明並 不限於圖1 7所示之圖素構造，其只是簡單的呈現一較佳 實施例而已。此外，此範例可自由的結合範例1至3之構 成而付諸實施。 本紙張尺度適用中固囤家標準（CNS)A4規格（210>< 297公爱） -52- ------ί被--------訂---------線ι\^ρ (請先閱讀背面之注$項再亦寫本頁) 丨 457729 A7 _ . B7 五、發明說明（岣 範例β 以非常.高速操作之資料訊號側驅動電路需用以執行劃 時分級以分割一框爲η個副框。亦即，所需的是’使用在 非常高速（高響應速度）下操作之TFT。在此範例中’ 使用非常易於製造可在高速下操作之T F T之矽膜當成主 動層。 . . — _ .— 具有特殊結晶構造之矽膜（在範例1中之多晶矽）可 藉由進行直到依照範例1之圖5 ( E )之步驟而得。在此 矽膜中，結晶顆粒邊界高度連續，且結晶之方向整齊的定 向。藉由使用此矽膜當成用於TFT之主動層，可獲得以 高速操作之T F T。以下說明準備使用於此範例中之矽膜 之觀察結果。 - 如果顯微的觀察，使用在此範例中之矽膜具有一晶體 構造，其中多數針狀或桿狀晶體（以下稱桿狀晶體）乃集 合的安排。此可輕易的由TEM(透射型電子顯微方法） 觀察。 '' 再者，以1 . 3 5μιη點直徑近觀察使用在此範例中之 矽膜之電子射線繞射影像顯示對應於一平面{110}之 淸楚繞射點，雖然於此仍包含某些程度之震盪，藉此可確 認雖然在結晶圖軸中含有某些程度之偏移，主定向表面仍 具有平面{ 1 1 0 }。 圖19 (Α)爲當使用在此範例中之矽膜以1 . 35 μ m點直徑之電子射線照射時之電子射線繞射影像圖，和圖 1 9 ( B )爲當以相同條件之電子射線照射習知多晶矽膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） r-- (請先間讀背面之注意事項再填^本頁) .·'.裝--------訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -53 - 457729 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（51) 之電子k線繞射影像圖。在這些圖中，中央部份爲以電子 射線照射之側（以電子射線照射之點）。 圖19 (A)顯示對應於平面{110}之相當淸楚 繞射點，而圖1 9 ( B )爲顯示定向表面不規則之不規則 點。電子射線繞射圖之觀察有助於迅速辨別使用在此範例 中之矽膜和習知半導體膜。、... 在圖1 9 ( A )之電子射線繞射影像中，相較於{ 1 1 0 }定向之單晶矽晶圓之電子射線繞射影像.，對應於 平面{ 1 1 0 }之繞射點之呈現較爲明顯。再者，雖然單 晶矽晶圓之繞射點呈現尖銳點，但是使用在此範例中之矽 膜之繞射點沿與電子射線之照射點當成中心而同心之圓展 開。 - 此即爲使用在此範例中之矽膜之特性。個別結晶顆粒 定向在平面{110丨。因此，如果注意單晶顆粒時，預 期可獲得相似於單晶矽之繞射點。但是’實際上，多數存 在之結晶顆粒被收集在一起。因此’雖然個別結晶·顆粒定 向在平面{110}，它們些微的繞著它們的結晶圖軸旋 轉，和對應於結晶顆粒之繞射點以多數呈現在一同心圓上 。它們一個重疊一個且呈現擴張之情形° 但是，個別結晶顆粒形成匹配非常良好之結晶顆粒邊 界，如後所述，和些微的繞著結晶圖軸旋轉不會傷害晶性 。因此，可確認的是使用在本孽明中之矽膜之電子射線繞 射影像與{ 1 1 〇 }定向之單晶矽晶圓之電子射線繞射影 像無實質不同。 ---------iri .¾--- (請先閱讀背面之注意事項再贫寫本頁> Ή -丨線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -54- 457729 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（52) 由k述可知，使用當成用於本範例之T F T之主動層 之矽膜爲顯示對應於定向丨11〇}之電子射線繞射影像 者。 其次說明使用於本發明中之矽膜之結晶顆粒邊界。雖 然它們稱爲結晶顆粒邊界以容易說明，但是它們亦可爲介 於結晶顆粒·和源於此（由此分支.）之其它結晶.顆粒間之介 面。在任一例中，在本說明書中，它們皆稱爲結晶顆粒邊 界，包括上述介面。 本發明人已利用HR-ΤΕΜ(高解析度透射型電子 顯微方法）觀察以鶴髮接觸之個別桿狀晶體形成之結晶顆 粒邊界，且確認在結晶顆粒邊界上在結晶晶格中之連續性 。由所觀察之晶格條紋在結晶顆粒邊界上連續之事實，即 使輕易的確認此點。 在結晶顆粒邊界上源於結晶顆粒邊界之晶格之連續性 稱爲”平面顆粒邊界"。在本說明書中使用之平面顆粒邊界之 定義已揭示於”以Μ B I C量測之高效率鑄造矽太陽胞晶圓 之特性"，由 Ryuichi Shimokawa 和 Yutaka Hayashi 所發表於 曰本應用物理期刊，V ο 1 . 2 7，N 〇 _ 5， PP. 751 — 758，1988° 依照上述之理論，平面顆粒邊界包括雙顆粒邊界，特 殊疊層缺陷，和特殊扭轉顆粒邊界等。平面顆粒邊界電不 致動，其爲一特點。亦即，雖群其爲結晶顆粒邊界，此平

• - I 面顆粒邊界不會作用成可阻擋載子滲入之陷阱，且可視爲 實際不存在。 -------------------- 訂！--I---線 7-y, (讀先閱讀背面之注意事項再Jr·寫本頁) ，、、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -55- 457 7 2 a 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（53 ) 特k的，當結晶圖軸（垂直於結晶面之軸）爲軸 < 1 1 0 >時，雙顆粒邊界{ 2 1 1丨和雙顆粒邊界{ 1 1 1 }稱爲Σ 3之對應顆粒邊界。値Σ 3爲表示對應顆 粒邊界之匹配程度之指示參數。當値Σ 3愈小時’顆粒邊 界之匹配愈佳》 由於以TE Μ觀察使用在本_發明中之矽膜.之結果’可 知大部份之結晶顆粒邊界爲Σ 3之對應顆粒邊界。此乃由 當兩結晶顆粒之平面方向角在介於兩結晶顆粒間形成之結 晶顆粒邊界中爲{ 1 1 0 }和當由對應於平面{ 1 1 1 } 之晶格條紋所對向之角爲Θ時，當Θ = 7 0 5 ° ，Σ 3 之對應顆粒邊界展現之事實即可判斷出。 當θ=38 . 9°時，對應之顆粒邊界變成Σ9。於 此無其它結晶顆粒邊界。 此對應之顆粒邊界只形成在相同平面方向角之結晶顆 粒間。亦即，使用在本發明中之矽膜具有一平面方向角， 其幾乎定向爲粗略的丨1 1 0 }，由此可確認的是對應之 顆粒邊界形成在一寬範圍上。 此一結晶構造（結晶顆粒邊界之構造）指示兩不同之 結晶顆粒以互相非常匹配接合在結晶顆粒邊界上》亦即， 結晶晶格在結晶顆粒邊界上連續，且由於晶體缺陷之陷捕 位準非常難以建立。因此，結晶顆粒邊界實質不存在於具 有此一晶體構造之薄膜半導中。. • r ·· 再者，在形成使用於本發明中之矽膜之步驟中，在作 用熱處理在700至1 1 50°C下，經由TEM之觀察可 --I I I I I -------^ --------^--I I-----^ (請先閱讀背面之注意事項再^^本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -56- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457729 A7 B7 五、發明說明（54) 確認在fe晶顆粒中呈現之缺陷（在疊層中之缺陷）幾乎已 消除。此可由在熱處理步驟前和後，缺陷之數目顯著降低 之事實可知。 經由電子旋轉諧振（ESR)分析可知，在缺陷數目 上之差異如同在旋轉密度上之差異。現今已知使用在本發 明中之矽膜之旋轉密度至少不大於5 X 1 0 1 7旄轉/ cm3 (最好不大於3X1 017旋轉/cm3)。但是，所 量測之値接近由已存在之量測裝置所偵測之限制，且因此 ，期望的是實際旋轉密度更低。 對於使用在本發明中之矽膜之更詳細說明，可參考由 本申請人所申請之日本專利申請案第0 4 4 6 5 9/ 1998 > 152316/19-98 152308/ 1998，和 152305/1998 號案。 再者，藉由使用在本發明中使用之矽膜當成主動層而 準備之T F T可展現相當於MO S F E T之電特性。下述 之資料乃由本申請人所準備之TFT (主動層爲3'Onm 厚和閘絕緣膜爲1 0 0 nm厚）而獲得。 (1 ) 一副臨界係數，其爲開關效能之指標（轉換開 /鼯操作之敏捷度），在η通道TFT和p通道TFT兩 者中皆爲小至從6 0至1 0 OmV/十次（典型的，從 6 ◦至8 5mV/十次）。 (2)電場移動率（卜1^)，其爲TFT之操作速度 指標，在η通道TFT中大至從20 ◦至6 50 cm2/ Vs (典型爲從300至500cm2/Vs)，和在ρ通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -57 - ------_l;m--------訂----------線"：Ά (請先閱讀背面之注意事項再參寫本頁) U I’ 457729 A7 B7 五、發明說明（55) 道TF_T*大至從100至300cm2/Vs (典型爲從 150 至 200cm2/Vs)。 (請先閱讀背面之注音？事項再ir寫本頁) (.3)臨界電壓（V(h)，其爲TFT之操作電壓指 標，在η通道T F T中小至從一 0, . 5至1 . 5 V，和在 ρ通道TFT中從一 1 · 5至0 · 5V。 如上所.述，可確認的是可違成非常良好的.開關特性和 高速操作特性。再者，以藉由使用上述T F T而製造之環 震盪器，可完成約1 GH z之最大震盪頻率。所製造之環 震盪器之構成如下： 級數：9級 T F T之閘極絕緣膜之厚度：3 0 nm和5 0 nm TFT之閘極長度：0 . 6·μιη 再者，製造移位暫存器以確認操作頻率。結果，藉由 具有3〇nm厚之閘極絕緣膜，0 _ 6μιη之閘極長度， 5 V之電源電壓，和5 0級之級數之一移位暫存器，可獲 得1 〇 〇 Μ Η ζ操作頻率之輸出脈衝。 、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 環震盪器和移位暫存器之驚人資料表示具有本發明之 矽膜當成主動層之T F Τ相較於使用單晶矽之 M〇S F Ε Τ可展現優良的操作效能。 如上所述1藉由使用本發明之矽膜，可形成在高速下 操作之TFT，和藉由形成使用此TFT之驅動電路，可 完成可在高速下操作之驅動電踭。亦即，上述之T F T可 非常有效的使用於將本發明實際使用。 此外，使用本發明之矽膜之T F T不只可有效的使用 -58- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 45772^ A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（56) 在驅動½路，且亦可使用於安排在圖素單元中之開關 T F T和電流控制T F T。操作速度上之增加可縮短用於 將資料寫入保持電容之時間，且增加用於E L元件之發光 之響應速度，以提供更明亮和生動之圖像。 範例7 ·… 範例6說明藉由使用可在非常高速下驅動之T F T之 驅動電路之形成。此範例參考圖2 0說明使本發明有效實 施之圖素單元之驅動方法。 在此實施例中，圖素單元8 0分割成兩圖素單元 8 0 a和8 0 b，和圖素單元8 0 a以資料訊號側驅動電 路8 1 a和閘極訊號側驅動電路8 2 a驅動，和圖素單元 8 〇 b以資料訊號側驅動電路8 1 b和閘極訊號側驅動電 路8 2 b驅動。 在此例中，如果圖素單元8 0 a和8 0 b以相同頻率 同時驅動時，資料訊號側驅動電路8 1 a ，8 1 b和閘極 訊號側驅動電路8 2 a ，8 2 b之操作頻率可減半。如此 可使操作邊際更寬且可獲得高可靠度且低能量耗損之E L 顯示裝置。 而後，如果操作頻率不變，位址週期可減半，且維持 週期可因此變長。亦即，發光時間可保持較長，且可增強 圖像之亮声。 . , 一圖像可藉由結合圓素單元8 0 a和8 0 b而顯示， 或不同圖像可藉由圖素單元8 0 a和8 0 b而顯示。例如 -----------.!裝--------訂---------線 ... (請先閱讀背面之注意事項再贫寫本頁) 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） -59- A7 B7 457729 五、發明說明（57) ，其一'可顯示靜止圖像，而另一顯示動態圖像。亦即，以 圖素單元8 0可以混合方式顯示動態圖像和靜止圖像。 (請先閱讀背面之注意事項再|本頁) 在此實施例中，圖素單元分成二。但是，圖素單元亦 可分成多數圖素單元。再者’此範例之構成可自由的結合 範例1至6之任何構成而實施。 範例8 此範例說明使本發明有效實施之圖素單元之驅動方法 ，其與圖7之驅動方法不同。於此參考圖2 1說明= 在此範例中，圖素單元8 3分成四個圖素單元8 3 a 至8 3 d，且以資料訊號側驅動電路8 4 a至8 4 d和閘 極訊號側驅動電路8 5 a至8 5- d驅動。 在此例中，圖素單元8 3 a至8 3 d以相同頻率同時 驅動以降低資料訊號側驅動電路8 ’4 a至8 4 d和閘極訊 號側驅動電路8 5 a至8 5 d之操作頻率爲四分之一。因 此，相較於範例7，操作邊際進一步擴大，以獲得具有高 可靠度和低能量耗損之E L顯示裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如果操作頻率不變，位址週期可減爲四分之一，且維 持週期可因此變長》亦即，發光時間可保持較長’且可增 強圖像之亮度》 —圖像可藉由所有圖素單元8 3 a至8 3 d之結合而 顯示。此外，一圖像可以圖素▼元8 3 a和8 3 b顯示， 而另一圖像可以圖素單元8 3 c和8 3 d顯示。亦即，兩 不同圖像可同時顯示。一靜止圖像可以圖素單元8 3 a和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） -60- 457729 A7 B7 五、發明說明（58) *» 8 3 b顯示，而動態圖像可以圖素單元8 3 c和8 3 d顯 示。亦即，可以圖素單元8 3以混合方式顯示動態圖像和 靜止圖像。 在此實施例中，圖素單元分成四"但是，圖素單元亦 可分成多數圖素單元。再者，此範例之構成可自由的結合 範例1至6 .之任何構成而實施。... ——-- 範例9 此範例說明使本發明有效實施之圖素單元之驅動方法 ，其與圖8之驅動方法不同。於此參考圖2 2說明。 在此範例中，圖素單元8 6分成四個圖素單元8 6 a 至8 6 d，圖素單元8 6 a以資料訊號側驅動電路8 7 a 和閘極訊號側驅動電路8 8 a驅動，和素單元8 6 b以資 料訊號側驅動電路8 7 b和閘極訊號側驅動電路8 8 a驅 動。相似的，圖素單元8 6 c以資料訊號側驅動電路 8 7 c和閘極訊號側驅動電路8 8 b驅動，和圖素單元 8 6 ci以資料訊號側驅動電路8 7 d和閘極訊號側驅動電 路8 8 b驅動。 在此例中，圖素單元8 6 a至8 6 d以相同頻率同時 驅動以降低資料訊號側驅動電路8 7 a至8 7 d之操作頻 率爲四分之一，和降低閘極訊號側驅動電路8 8 a和 8 8 b之操作頻率爲二分之一。因此，相較於範例7，操 作邊際進一步擴大，以獲得具有高可靠度和低能量耗損之 E L顯示裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -61 - ---------]l· !| .,¾ . ί (請先閱讀背面之注意事碩再r'寫本頁) 訂·· .線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457 72 9 A7 B7 五、發明說明（59) (請先間讀背面之注項再梦寫本頁) 如i操作頻率不變，位址週期可減爲四分之一，且維 持週期可因此變長。亦即，發光時間可保持較長，且可增 強圖像之亮度* 再者，一圖像可藉由所有圖素單元8 6 a至8 6 d之 結合而顯示，或以圖素單元8 6 a至8 6 d顯示不同圖像 。當然，一.圖像可以圖素單元8_6 a至8 6 c.顯示，而另 一圖像可以圖素單元8 6 d顯示。再者，可以圖素單元 8 6以混合方式顯示動態圖像和靜止圖像。 此範例之構成可自由的結合範例1至6之任何構成而 實施。 範例1 0 - 在圖2所示之範例1之構造中，有效的是使用具有高 熱輻射效果之材料當成形成在主動層和基底11間之下層 膜1 2。特別的，電流控制T F T在一延伸時間週期上流 動一相當大的電流，和產生熱，且因此，會受到已產生之 熱的破壞。在此例中，具有如此實施例之熱輻射效果之下 層膜可抑制由熱所引起之破壞。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於具有熱輻射效果之透光材料方面，其可爲包含至 少一元素選自以B (硼），C (碳），N (氮）所組成之 群和至少一元素選自以A 1 (鋁），S i (矽），和P ( 磷）所組成之群之一絕緣膜。 • · 例如，可使用：氮鋁化合物，典型的爲氮化鋁（ A 1 X Ν γ ):碳矽化合物，典型的爲碳化矽（SixCv) -62- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） J5T729 A7 B7 五、發明說明（6〇) (請先閱讀背面之注意事項再^^本頁) ;氮矽化合物，典型的爲氮化矽（s i X N γ ):氮硼化合 物，典型的爲氮化砸（ΒχΝν);或磷硼化合物，典型的 爲磷化硼（BxPy) °再者’氧銘化合物，典型的爲氧化 鋁CA 1 χ〇γ)，其具有良好的透光性，且具有2 0 Wm — "Κ-1之導熱率，是較佳的材料。上述透光材料中之 X和Υ爲任-意整數。 上述之化合物亦可結合其它元素。例如，氮可添加至 氧化鋁而使用成氮鋁氧化物，表示爲A 1 Νχ〇Υ。此材料 不只具有熱輻射效果，且亦可有效的防止如水和鹼性金屬 之穿透。上述氮鋁氧化物中之X和Υ爲任意整數。 再者，亦可使用記錄在日本專利第9 0 2 6 0/ 1 9 8 7號案中揭示之材料。簡言之，亦可使用含S i ， A1 ，N，0’和Μ之化合物（其中Μ爲稀土元素，最好 選自以Ce (鈽），Yb (鏡），Sm (釤），Er (餌 )，Y (釔），La (鑭），Gd(釓），Dy (鏑）， 和N d (銨）所組成之群之一）。這些材料不只真有熱輻 射效果，且亦可有效的防止如水和鹼性金屬之穿透。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，亦可使用至少一鑽石薄膜或包含非晶碳之碳膜 (特別是具有接近鑽石特性者；視爲似鑽石碳）。上述材 料具有相當高的導熱率，且可極有效的當成熱輻射層。但 是，如果膜厚度增加時，於此會產生棕色帶且喪失透射因 數。因此，最好儘可能使膜厚度.較小（最好介於5至 • , 1 0 ◦ n m ) 〇 展現熱輻射效果之上述材料之薄膜可單獨使用或亦可 -63- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 457729 __B7__ 五、發明說明（61 ) 和包含~砂酮之絕緣膜互相疊層而一起使用。 此範例之構成可自由的結合範例1至9之任何構成而 實施。 (請先閱讀背面之注意事項再^爲本頁) 範例1 1 在範例_1中，最好使用一有機E L材料當成e L層。 但是’即使使用一無機E L材料，亦可實施本發明。但是 ，現有的無機E L材料需要非常高的驅動電壓，且因此變 成需要使用具有可承受此驅動電壓之臨界電壓之T F Τ。 如果未來發展出只需低驅動電壓之無機E L材料時， 亦可應用本發明。 再者，此範例之構成可自由的結合範例1至1 0之任 何構成而實施。 範例1 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由含有本發明而製造之主動矩陣型E L顯示裝置（ E L模組）相較於液晶顯示裝置，可自我發光且在明亮位 置上更具優良可見度。因此，本發明之裝置可使用當成直 接観看型E L顯示器之顯示單元（安裝有E L模組之顯示 器）。E L顯示器之範例可包括個人電腦之顯示器，接收 TV傳播之顯示器，廣告顯示器之監器等。 除了上述E L顯示器外，，發明之裝置亦可使用當成 包括有此顯示單元當成一零件之各種電子設備之顯示器。 電子設備之例包括：EL顯示器；攝影機；數位相機 -64- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 5 7 7 2 9 A7 __B7_ 五、發明說明（62) ;頭戴~型顯示器；車輛導航系統；個人電腦：手提資訊終 端機（如手撢電腦，行動電話，或電子書）：安裝有記錄 媒體之影像播放裝置（特別是，可執行記錄媒體播放且可 提供顯示這些影像之顯示器之裝置，如CD，LD，或 DVD))。圖18爲這些電子設備之範例。 圖1 8-CA)爲一個人電臌，且包含一主.體2 0 0 1 ，一殼2002，一顯示部份2003，和一鍵盤 2004。本發明可應用至顯示部份2003。 圖18 (B)爲一攝影機，且包含一主體2101 ， 一顯示部份2102，一聲音輸入部份2103，操作開 關2104，一電池2105，和一影像接收部份 2 106。本發明可應用至顯示.部份2 1 0 2。 圖18 (C)爲一頭戴型EL顯示器之一部份（右側 )，且包含一主體2301 ，一訊號纜線2302，一頭 固定帶2303，一顯示監視器2304，一光學系統 2305，和一顯示單元2306 本發明可應甩至顯示 單元2 3 ◦ 6。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 < 1 1 顯示。於 置ο ， 一 顯料關 裝 4 2 和於資 。 生 2 ο ， 用 字 再體 4 4 使文 b 像主 2 ο 要示 < 圖 一 } 4 主顯元 之含 D 2 > 於單 體包V} a 用示 媒且Da C 使顯 錄，或t元要和 記 }-元單-..主 } 有置 D 單示 } a 裝裝 L 示顯 b C 安生，顯。C元 | 再 D | 5 元單 爲 D c , ο 單示 }v如 3 4 示顯 DD c ο 2 顯在 (_ 體 4 > 和用 8 ，媒 2 b ·，使 1 言錄關彳料可 圖而記開元資明 體一作單像發 具，操示圖本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -65- 457 72 A7 B7 五、發明說明（63) 安裝有記錄媒體之圖像再生裝置方面，具體的範例如應用 本發明之c D再生裝置和遊戲設備。 (請先閱讀背面之注意事項再3^¾本頁) 圖1 8 (E)爲一手提（行動）電腦，且包含一主體 2501 ，一相機單元2502，一圖像單元2503， 操作開關2 5 0 4，和一顯示單元2 5 0 5。本發明可應 用至顯示單元2 5 0 5。 _ .... 再者，如果未來E L材料可展現高照度時，本發明亦 可使用在前面型或背面型投影器中之顯示單元。 如上所述，本發明之可應用範圍極廣，且本發明可應 用至所有領域之電子設備。再者，此實施例之電子設備亦 可藉由使用範例1至11之構成之任意結合而達成。 範例1 3 在此範例中，提供在電流控制T F T和E L元件間之 電阻之電阻値依照實際E L顯示裝置（單色顯示器）之規 格而定。 ‘ 首先，決定E L材料使用當成E L層。在此範例中， 形成厚度爲5 0 nm之TPD當成正電洞傳送層，和形成 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 厚度爲5 0 nm之A 1 q當成E L層在I TO之陽極上，

而後，形成陰極MgAg以製造一E L元件。於此，E L 層設置在條紋I TO圖樣（2mm寬）之整體表面，和條 紋MgA.g電極（2mm寬）呢成以直角交叉I TO圖樣 〇 圖23 (A)顯示介於驅動電壓和所製造之EL元件 -66- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 417729 ____B7____ 五、發明說明（64) (請先閱讀背面之注意事項再^本頁) 之電流密度間之關係。圖2 3 ( B )顯示介於電流密度和 發光之照度間之關係。此範例之E L元件展現發光之峰値 在接近524nm之波長上，且色度座標爲乂 = 〇 . 30 ，y = 0 · 5 7。 依照圖2 3 (B)，需要約1 〇 OmA/cm2之電流 密度以完成-5 0 ◦ 0 c d / m 2..之照度。於此，.如果E L顯 示裝置具有5吋對角線之圖素單元時，其中側邊爲1 5 6 μ m之方形圖素以矩陣型式安排，則每一圖素需要約2 4 μ A之電流。 參考圖23 (A)，在此例中使用之EL材料使當應 用1 0V電壓時，可使一電流以1 OOmA/cm2之電流 密度流動。因此，當應用1 Ο V.電壓時，需要約4 2 0 k Ω之電阻値以穩定流動約2 4 μ A之電流。 因此，如果具有4 2 Ο Κ ω之電阻値之電阻提供當成 如圖1(Β)所示之電阻1〇9時，約24μΑ之固定電流 可隨時穩定的供應至E L元件。結果，可完成約$0 0 0 c d/c m2之發光照度，以顯示一明亮圖像》 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了延長E L層之壽命，可進一步增加電阻之電阻値 ，以抑制電流流至E L元件。但是，在此例中，發光照度 些微的下降。如果約1 〇〇〇 c d/cm2之發光照度是充 分的，則所需之電流密度爲約3 OmA/cm2，和E L元 件之驅動雩壓爲約6 V。因此，.每一圖素約可流動7 . 3 μΑ之電流。因此，約需要8 2 Ο ΚΩ之電阻。 因此，需.要用於本發明之電阻之電阻値可藉由使届 ... --------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -67- 4 57 7 2 9 a? . _ B7 五、發明說明（65) E乙顯^裝置之參數而輕易導出。 本發明可獲得一主動矩陣型E L顯示裝置，其可產生 一生動多級彩色顯示，而不會受到在T F T之特性變異之 影響。具體而言，一電阻g供在電流控制T F T和在圖素 單元中之E L元件間，且電流以電阻之電阻値決定。而後 ，以數位訊號作用劃時分級顯示_，以獲得保持.良好彩色再 生率之高細圖像，而無在電流控制T F T之特性中因變異 而引起之分級缺陷。 除了較佳構造之T F T形成在基底上以符合由電路和 元件所需之效能外，本發明亦可完成具有高可靠度之主動 矩陣型E L顯示裝置。 在提供主動矩陣型E L顯示裝置當成一顯示單元下， 可產生具有良好圖像品質和高可靠度之高效能電子設備。 (請先閱讀背面之注意事項再#寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -68- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 457729 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 ' —種E L顯示裝置，具有一圖素單元，一資料訊 號側驅動電路，和以T F T形成之一閘極訊號側驅動電路 在一基底上，其中一電阻提供在一電流控制T F T和形成 在圖素單元中之一 E L元件間" 2 .如申請專利範圍第1項之E L顯示裝置，其中輸 入至資料訊_號側驅動電路或至亂極訊號側驅動.電路之一資 ·-—. 料訊號乃經由下述形成： . 第一機構，其將一框分割成相關於η位元等級（η爲 整數且不小於2)之η個副框（SF1，SF2，SF3 ，…，SF(n — 1) ，SF(n))； 第二機構，其在該η個副框中選擇一位址週期（T a )和一維持週期（Ts :相關於SF1 > SF2，SF3 -> S F ( η - 1 ) ，SF (η)之維持週期 Tsl ， Ts2，Ts3，---，Ts(n—.1) * T s ( η ))； 和 . 第三機構，用以在η個副框中設定維持週期爲‘ T s 1 ：Ts2 ：Ts3 ：... ：Ts C n - 1 ) ： T s ( n )= 2 0 ： 2 _ i 2 - 2 :…：2」n ' 2 ) ； 2 - ( 11 -"。 3 .如申請專利範圍第2項之EL顯示裝置，其中第 一機構，第二機構，和第三機構包括在安裝在基底上之一 I C晶片中。. 4 .如申請專利範圍第1項之E L顯示裝置，其中 r ·· TF T之主動層以矽膜形成，其可展現相關於一定向{ 1 1 0丨之電子射線繞射影像。 f— · - 111 - - ^^1— fn / ,.- (请先間讀背而之注意事項再"㈤本页) 訂 經濟部智慧財是局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 457729 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5'如申請專利範圍第4項之E L顯示裝置，其中該 矽膜具有一結晶顆粒邊界。 6 .如申請專利範圍第4項之E L顯示裝置，其中電 子射線繞射影像之繞射點以電子射線當成中央以照射點沿 同心圓展開。 -----------^T 裝------訂------線 {訪先閱褚f g之注意事項再疒V)本頁) ♦ · V、 經.¾部智慧財4_局員工消費合作社印製 7 . 種 E L顯示 裝置 .，具 有 —* 圖素單 元 > 資 料 訊 號 側驅動電路， 和以Τ FT 形成 之 ~- 閘極訊 號 側 驅 動 電 路 在 一基底上，其 中一電 阻提 供在 — 電 流控制 Τ F T 和 形 成 在 圖素單元中之 一 E L 元件 間， 該 電 阻具有 高 於 該 電 流 控 制 T F T之啓動 電阻之; 電阻値。 8 .如申請 專利範 圍第 7項 之 Ε l m i示 裝 置 9 其 中 輸 入 至資料訊號側 驅動電 路或 至閘 極 訊 號側 ί驅 動 電 路 之 — 資 料 訊號乃經由下 述形成 ： 第一機構， 其將一 框分 割成 相 關 於η 位 元 寺 級 ( η 爲 整 數且不小於2 )之η 個副 框（ S F 1， S F 2 > S F 3 9 …，S F ( η - -1 ) ，S F ( η t ) ) 第二機構， 其在該 η個 副框 中 m 擇一 位 址 週 期 ( Τ a ) 和一維持週期 (T s :相 關於 S F 1， S F 2 > S F 3 ) …，S F ( η -1 ) ，S F ( η ) 之維 持 週 期 T S 1 1 T s 2，T s 3 T s (η — 1 )· Τ S ( η ) ) τ 和 第三，構， 用以在 η個 副樞 中 設 定維 持 週 期 爲 Τ S 1 T s 2 : T s 3 ：... :Τ s ( η — 1 ) : Τ S ( η ) = 2 0 : 2 ' 1 ： 2 ' 2 -• · ·. :2 (η 一 2 ； > * 2 — (η 1 ) 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •川: 457729 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 B8 C8 D8 六' 申請專利範圍 9.如申請專利範圍第8項之EL顯示裝置，其中第 —機構，第二機構，和第三機構包括在安裝在基底上之一 I C晶片中。 1 0 ,如申請專利範圍第7項之E L顯示裝置，其中 TFT之主動層以矽膜形成，其可展現相關於一定向{ 1 1 0丨之電子射線繞射影像。-. 一 11. 如申請專利範圍第10項之EL顯示裝置，其 中該矽膜具有一結晶顆粒邊界。 12. 如申請專利範圍第10項之EL顯示裝置，其 中電子射線繞射影像之繞射點以電子射線當成中央以照射 點沿同心圓展開= 1 3 . —種E L顯示裝置_，具有一圖素單元，一資料 訊號側驅動電路，和以T F T形成之一閘極訊號側驅動電 路在一基底上，其中一電阻提供在一電流控制T F T和形 成在圖素單元中之一 E L元件間，該電阻與該電流控制 TFT之主動層一體成型。* 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之E L顯示裝置，其 中輸入至資料訊號側驅動電路或至閘極訊號側驅動電路之 一資料訊號乃經由下述形成： 第一機構，其將一框分割成相關於η位元等級（η爲 整數且不小於2)之η個副框（SF1 ，SF2，SF3 ，…，S F ( η - 1 ) ，S F (. η ))； 第二機構，其在該η個副框中選擇一位址週期（T a )和一維持週期（Ts :相關於SF1 ，SF2，SF3 本紙ft尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2*)7公釐） I I - . , :1- i ~' n n ^ I i n I n ^ ' .J (請先閱讀背面之注&事項再本頁) ' ... 45772 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 ，…，SF (n-1) ，SF (η)之維持週期 Tsl ， Ts2’T. s3’ …’Ts(n — 1) ，Ts(n)); 和 第三機構，用以在n個副框中設定維持週期爲τ s 1 :Ts2:Ts3:…：Ts (n-1) ： T s ( η )= 2 0 ： 2 _ 1 : 2 一 2 :…：2 —· (” ： 2 — ( n :_!)。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之E L顯示裝置，其 中第一機構，第二機構’和第三機構包括在安裝在基底上 之一I C晶片中。 1 6 .如申請專利範圍第1 3項之E L顯示裝置，其 中丁 F T之主動層以矽膜形成，其可展現相關於一定向{ 1 1 0 }之電子射線繞射影像。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之EL顯示裝置，其 中該矽膜具有一結晶顆粒邊界。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之E L顯示裝置，其 中電子射線繞射影像之繞射點以電子射線當成中央以照射 點沿同心圓展開。 1 9 · 一種電子裝置，其使用一 E L顯示裝置當成一 顯示單元，其中： 該E L顯示裝置具有一圖素單元，一資料訊號側驅動 電路，和以T F T形成之一閘極訊號側驅動電路在—基底 上；和 .. 一電阻提供在一電流控制T F T和形成在圖素單元中 之一 E L元件間》 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） ；—.―:―^-- ;·Α- (請先閲讀背面之注意事項再li頁) 訂 線 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 -72- 457 72； AS BS C8 D8 7、申請專利範圍 2 0 _如申請專利範圍第1 9項之電子裝置，其中輸 入至資料訊號側驅動電路或至閘極訊號側驅動電路之一資 料訊號乃經由下述形成： 第一機構，其將一框分割成相關於η位元等級（η爲 整數且不小於2)之η個副框（SF1，SF2，SF3 ，‘，S F- ( η - 1 )，S F (』））； … 第二機構，其在該η個副框中選擇一位址週期（τ a )和一維持週期（Ts :相關於SF1 ，SF2，SF3 ’··.，SF (η — 1) ，SF (η)之維持週期 Tsl ， Ts2，Ts3’ …，Ts(n- 1)，Ts(n)); 和 第三機構，用以在η個副框中設定維持週期爲τ s 1 ’ Ts2:Ts3·….Ts (η — 1) :Ts (η) = 2 〇 : 2 - 1 : 2 - 2 :…：2 — ( — 2 ) : 2 _ ( 。 2 1 .如申請專利範圍第2 Ο項之電子裝置，其中第 —機構，第二機構，和第三機構包括在安裝在基底上之一 I C晶片中。 2 2 .如申請專利範圍第1 9項之電子裝置，其中 T F Τ之主動層以矽膜形成，其可展現相關於一定向{ 1 1 0 }之電子射線繞射影像。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之電子裝置，其中該 矽膜具有一結晶顆粒邊界。 2 4 .如申請專利範圍第2 2項之電子裝置，其中電 子射線繞射影像之繞射點以電子射線當成中央以照射點沿 il^ip —^m ftfi tti* l ftm SI rf·^ .^r— , 0¾. 2?先閱.ts背w之注意事項再本頁) ，-ST 經濟部智慧財.4局員工消費合作社印製 本紙依尺度適用中國國家標準.（CNS Μ4規格（210X297公釐） -73- 457729 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 々、申請專利範圍 同心圓展開。 2 5 種電子裝置，其使用一E L顯示裝置當成一 顯示單元，其中： 該E L顯示裝置具有一圖素單元，一資料訊號側驅動 電路，和以T F T形成之一閘極訊號側驅動電路在一基底 上；和- _ 一電阻提供在一電流控制T F T和形成在圖素單元中 之一 E L元件間’該電阻具有比電流控制τ F T之啓動電 阻更高之電阻値。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項之電子裝置，其中輸 入至資料訊號側驅動電路或至閘極訊號側驅動電路之一資 料訊號乃經由下述形成： 第一機構’其將一框分割成相關於η位元等級（η爲 整數且不小於2)之η個副框（SF1 ，SF2 ，SF3 ，…，SF(n-l) - S F ( η )); 第二機構，其在該η個副框中選擇一位址週期（丁 a )和一維持週期（Ts :相關於SF1，SF2，SF3 ’ SF (n-1) ’ SF (η)之維持週期 Tsl ， Ts2’Ts3’〜’Ts(n-l) ，Ts(n)); 和 第三機構，用以在η個副框中設定維持週期爲τ s 1 • Ts2:Ts3:…*Ts.(n— 1) :Ts(n) = 2 〇 : 2 - 1 : 2 _ 2 :…：2 _ (卜 2 ) : 2 _ ( n _ "。 2 7 .如申請專利範圍第2 6項之電子裝置，其中第 本紙張兄度逋用中國國家標準（CNS > Α4規格{ 210Χ；^7公釐) -74- -------^--ί装------訂------線 ' - J (請先間讀背而之注意事項再^^本頁) ：、_ ABCD 457729 六、申請專利範圍 一機構'第二機構，和第三機構包括在安裝在基底上之一 I C晶片中。 2 8 ·如申請專利範圍第2 5項之電子裝置’其中 T F T之主動層以矽膜形成，其可展現相關於一定向（ 1 1 0 }之電子射線繞射影像。 2 9 如申請專利範圍第.2 8項之電子裝.„置’其中該 矽膜具有一結晶顆粒邊界。 3 0 ·如申請專利範圍第2 8項之電子裝置，其中電 子射線繞射影像之繞射點以電子射線當成中央以照射點沿 同心圓展開。 3 1 . —種電子裝置，其使用一 E L顯示裝置當成一 顯示單元，其中： 該E L顯示裝置具有一圖素單元，一資料訊號側驅動 電路，和以T F T形成之一閘極訊號側驅動電路在一基底 上；和 一電阻提供在一電流控制T F T和形成在圖素單元中 之一 E L元件間，該電阻與電流控制T F T之主動層一體 成型。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項之電子裝置，其中輸 入至資料訊號側驅動電路或至閘極訊號側驅動電路之一資 料訊號乃經由下述形成： 第一.機構，其將一框分割成相關於η位元等級（n爲 整數且不小於2)之η個副框（SF1 ，SF2 ，SF3 ，…’SF(n-l) ，SF(n)); -------^--Ί!-^.------,1Τ------0 (請先閱請背而之注意事項再rK本頁) · · 經濟部皙慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格{ 210 X 297公釐） 4^7729 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第ΐ：機構，其在該η個副框中選擇一位址週期（T a )和一維持週期（Ts :相關於SF1，SF2，SF3 ，…，SF.(n — 1) ，SF (η)之維持週期 Tsl ， Ts2，Ts3，...，Ts(n — 1) 1 T s ( η )); 和 第三機構，用以在η個副框:中設定維持週期爲T s 1 ：Ts2：Ts3;··. ：Ts ( η - 1 ) :Ts ( η )= j 2 〇 : 2 - 1 : 2 - 2 :…：2 -（ η - 2 ) : 2 - c η —"。 3 3 .如申請專利範圍第3 2項之電子裝置，其中第 一機構，第二機構’和第三機構包括在安裝在基底上之一 I C晶片中。 3 4 .如申請專利範圍第3 · 1項之電子裝置，其中 T F T之主動層以矽膜形成，其可展現相關於一定向{ 110}之電子射線繞射影像。 3 5 .如申請專利範圍第3 4項之電子裝置，其中該 矽膜具有一結晶顆粒邊界。 ‘ 3 6 .如申請專利範圍第3 4項之電子裝置，其中電 I I J- ^ n^mt I 1· ^ I I n^m I ^ ςϊ先閃1?背而之注意事項再广、本頁) * , . 經濟部智惡財.4局3;工消費合作社印製 沿 點 射 照 以 央 中 成 當 線 射 子 5 πρτ 以 點 射 繞 之 像 影 β 射開 繞展 線圓 射心 子同 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（2丨Ox 297公釐） -76 -