CN100449594C - 半导体装置 - Google Patents

半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN100449594C
CN100449594C CNB2004800104946A CN200480010494A CN100449594C CN 100449594 C CN100449594 C CN 100449594C CN B2004800104946 A CNB2004800104946 A CN B2004800104946A CN 200480010494 A CN200480010494 A CN 200480010494A CN 100449594 C CN100449594 C CN 100449594C
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor device
display part
circuit
current
current source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2004800104946A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1777849A (zh
Inventor
木村肇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN1777849A publication Critical patent/CN1777849A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100449594C publication Critical patent/CN100449594C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3283—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data current for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0248—Precharge or discharge of column electrodes before or after applying exact column voltages
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G09G3/3241—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror
    • G09G3/325—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror the data current flowing through the driving transistor during a setting phase, e.g. by using a switch for connecting the driving transistor to the data driver

Abstract

本发明提供一种半导体装置，可以在向负载(EL像素及信号线)供给电流的晶体管中，不受偏差的影响，供给正确的电流。借助使用放大电路的反馈电路，调节晶体管的各端子的电压。从电流源电路向晶体管输入电流Idata，利用反馈电路设定晶体管流出电流Idata所必需的栅源间电压。反馈电路，通过控制使晶体管工作于饱和区。于是，设定电流Idata流动所必需的栅电压。于是，在利用设定的晶体管时，可以向负载(EL像素及信号线)供给正确的电流。另外，在设定必需的栅电压时，因为使用放大电路，可以迅速地进行设定。

Description

半导体装置
技术领域
本发明涉及设置有利用晶体管来控制供给到负载的电流的功能的半导体装置，特别涉及包含由通过电流改变辉度的电流驱动型发光元件形成的像素及驱动像素的信号线驱动电路的半导体装置。
背景技术
近年，由发光二极管(LED)等发光元件形成像素的所谓的自发光型的显示装置受到注目。作为在这种自发光型的显示装置中使用的发光元件，可以说有机发光二极管(OLED)、有机EL元件、电致发光(EL)元件等受到注目，在有机EL显示器等之中得到应用。
由于OLED等发光元件是自发光型，与液晶显示器相比，具有像素的视认性高、不需要背照灯、响应速度快等优点。另外，发光元件的辉度可以通过电流进行控制。
使用这种自发光型的发光元件的显示装置中，作为其驱动方式公知的有简单矩阵方式和有源矩阵方式。前者的结构简单，但存在实现大型高辉度的显示器困难的问题，近年来对利用设置在像素电路内部的薄膜晶体管(TFT)控制流过发光元件的电流的有源矩阵方式的开发日益兴盛。
但是在这种有源矩阵方式的显示装置的场合，过去存在由于驱动TFT的电流特性的偏差使流过发光元件的电流变化而使辉度出现偏差的问题。
就是说，在这种有源矩阵方式的显示装置的场合，在像素电路中使用驱动TFT来驱动流过发光元件的电流，过去存在由于这些驱动TFT的特性存在偏差，流过发光元件的电流会有变化，辉度会发生偏差的问题。于是，提出了目的在于即使像素电路内的驱动TFT的特性有偏差，也可以使流过发光元件的电流不改变而抑制辉度的偏差的各种电路。
专利文献1：日本专利申请公布号2002-517806号公报
专利文献2：国际公开第01/06484号小册子
专利文献3：日本专利申请公布号2002-514320号公报
专利文献4：国际公开第02/39420号小册子
专利文献1至4，任何一个都是公开有源矩阵型显示装置的结构的专利，在专利文献1至3中，揭示的是不会由于配置在像素电路内的驱动TFT的特性的偏差而使流过发光元件的电流变化的电路结构。这一电路结构，称为电流写入型像素或电流输入型像素等等。另外，在专利文献4中，揭示的是用来抑制源驱动电路内的TFT的偏差引起的信号电流的变化的电路结构。
在图6中示出在专利文献1中揭示的现有的有源矩阵型显示装置的第1结构例。图6的像素，具有源信号线601、第1～第3栅信号线602～604、电流供给线605、TFT606～609、保持电容610、EL元件611以及影像信号输入用电流源612。
TFT606的栅极，与第1栅信号线602连接，第1电极与源信号线601连接，第2电极与TFT607的第1电极、TFT608的第1电极及TFT609的第1电极连接。TFT607的栅极，与第2栅信号线603连接，第2电极与TFT608的栅极连接。TFT608的第2电极，与电流供给线605连接。TFT609的栅极，与第3栅信号线604连接，第2电极与EL元件611的阳极连接。保持电容610连接在TFT608的栅极和电流供给线之间，保持TFT608的栅源间电压。在电流供给线605及EL元件611的阴极上分别输入规定的电位，互相间具有电位差。
利用图7对从信号电流的写入起到发光止的动作予以说明。图中表示各部分的编号以图6为准。图7(A)～(C)，示意地示出电流的流动。图7(D)，示出在信号电流的写入时流过各通路的电流的关系，图7(E)示出在写入同样的信号电流时蓄积于保持电容610上的电压，即TFT608的栅源间电压。
首先，向第1栅信号线602及第2栅信号线603输入脉冲，TFT606、607变成ON。此时，设流过源信号线的电流，即信号电流，为Idata。
因为电流Idata流过源信号线，如图7(A)所示，在像素内，在电流的通路分开流过I1和I2。这些的关系示于图7(D)。另外，Idata＝I1+I2是自不待言的。
在TFT606变成ON的瞬间，由于在保持电容610上尚未保持电荷，TFT608为OFF。所以，I2＝0，Idata＝I1。就是说，在此期间，只有保持电容610的电荷蓄积产生的电流流过。
之后，电荷慢慢地在保持电容610上蓄积，在两电极间开始产生电位差(图7(E))。在两电极的电位差变成Vth时(图7(E)中的A点)，TFT608变成ON，产生I2。如前所述，因为Idata＝I1+I2，I1逐渐减小，但依然有电流流过，并且在保持电容上进行电荷的蓄积。
在保持电容610中，电荷的蓄积一直继续到该两电极的电位差，即TFT608的栅源间电压，达到所希望的电压，即达到TFT608可以流过Idata的电流的电压(VGS)为止。不久在电荷蓄积结束时(图7(E)B点)，电流I1停止，并且在TFT608中有与该时的VGS相应的电流流过，Idata＝I2(图7(B))。这样，就达到稳定状态。至此信号的写入动作结束。最后，第1栅信号线602及第2栅信号线603的选择结束，TFT606、607变为OFF。
接着，转移到发光动作。使脉冲输入第3栅信号线604，TFT609变成ON。由于在保持电容610中保持有刚才写入的VGS，TFT608为ON，从电流供给线605流入Idata的电流。结果，EL元件611发光。此时，如果使TFT608在饱和区工作，即使是TFT608的源漏间电压变化，Idata也可以不变而流出。
这样，将输出设定的电流的动作称为输出动作。以上作为示出的一例的电流写入型像素的优点是，即使是在TFT608的特性等之中存在偏差的场合，由于在保持电容610中可保持流过电流Idata所必需的栅源间电压，也可以将所要求的电流正确地供给EL元件，从而可以抑制由于TFT的特性的偏差引起的辉度偏差这一点。
以上的示例，涉及用来校正在像素电路内的驱动TFT的偏差引起的电流的变化的技术，但在源驱动电路内也会发生同样的问题。在专利文献4中，揭示了用来防止在源驱动电路内的TFT的制造上的偏差引起的信号电流的变化的电路结构。
发明内容
这样，在现有技术中，采用的是使信号电流和驱动TFT的电流，或信号电流和发光时流过发光元件的电流相等或保持比例关系的结构。
然而，存在的问题是，由于为了向驱动TFT及发光元件供给信号电流而使用的布线的寄生电容极大，在信号电流小的场合对布线的寄生电容进行充电的时间常数变大，信号写入速度变慢。就是说，问题是即使是向晶体管供给信号电流，但一直到使该电流流过所必需的电压在栅端子上产生为止的时间变长，信号写入的速度变缓。
本发明正是鉴于这种问题而完成的，其目的在于提供一种可以降低晶体管的特性偏差的影响，即使是在信号电流小的场合也可以使信号的写入速度充分提高的半导体装置。
本发明利用放大电路控制施加于将电流供给负载的晶体管上的电位，通过形成反馈电路使施加于晶体管的栅上的电位稳定而达到上述目的。
本发明具备利用晶体管控制供给到负载的电流的电路，其特征在于：具备该晶体管的源或漏与电流源电路连接，对于从该晶体管的源电位、漏电位及栅电位之中选择的至少一个电位进行控制的放大电路。
本发明具备利用晶体管控制供给到负载的电流的电路，其特征在于：具备该晶体管的源或漏与电流源电路连接，在从该电流源电路向晶体管供给电流时，通过控制使晶体管在饱和区中工作的放大电路。
本发明具备利用晶体管控制供给到负载的电流的电路，其特征在于：具备该晶体管的源或漏与电流源电路连接，使该晶体管的漏和栅间的电位稳定的放大电路。
本发明具备利用晶体管控制供给到负载的电流的电路，其特征在于：具备该晶体管的源或漏与电流源电路连接，使该晶体管的漏和栅间的电位稳定的反馈电路。
本发明具备控制供给到负载的电流的晶体管和运算放大器，其特征在于：与电流源电路连接的上述晶体管的漏端子侧与运算放大器的非反相输入端子连接，运算放大器的反相输入端子与晶体管的栅端子连接，运算放大器的输出端子与栅端子和反相输入端子连接。
本发明是一种半导体装置，具备控制供给到负载的电流的晶体管和电压跟随器电路，其特征在于：与电流源电路连接的上述晶体管的漏端子侧与电压跟随器电路的输入端子连接，电压跟随器电路的输出端子与晶体管的栅端子连接。在本发明的结构中，电压跟随器电路也可以由源跟随器电路构成。
在本发明中，对可以应用的晶体管的种类没有限制，可以使用的有：采用以非晶硅及多晶硅为代表的非单晶半导体膜的薄膜晶体管(TFT)、采用半导体基板及SOI基板形成的MOS型晶体管、结型晶体管、采用有机半导体及碳纳米管的晶体管以及其他晶体管。另外，对配置晶体管的基板的种类没有限制，可以配置在单晶基板、SOI基板、玻璃基板等等之上。
另外，在本发明中，所谓连接与电连接同义。所以，其间也可以配置别的元件及开关等等。
在本发明中，使用放大电路形成反馈电路，利用该电路控制晶体管。于是，该晶体管可以不受偏差的影响而输出均匀的电流。在进行这种设定的场合，由于使用放大电路，可以快速进行设定的动作。因此，在输出动作中，可以输出正确的电流。
附图说明
图1为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图2为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图3为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图4为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图5为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图6为说明现有的像素的结构的示图。
图7为说明现有像素的动作的示图。
图8为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图9为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图10为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图11为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图12为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图13为说明本发明的半导体装置的动作的示图。
图14为说明本发明的半导体装置的动作的示图。
图15为说明本发明的半导体装置的动作的示图。
图16为说明本发明的半导体装置的动作的示图。
图17为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图18为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图19为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图20为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图21为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图22为说明本发明的半导体装置的动作的示图。
图23为说明本发明的半导体装置的动作的示图。
图24为说明本发明的半导体装置的动作的示图。
图25为说明本发明的半导体装置的动作的示图。
图26为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图27为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图28为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图29为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图30为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图31为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图32为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图33为说明本发明的半导体装置的结构的示图。
图34为示出本发明的显示装置的结构的示图。
图35为示出本发明的显示装置的结构的示图。
图36为示出本发明的显示装置的动作的示图。
图37为示出本发明的显示装置的动作的示图。
图38为示出本发明的显示装置的动作的示图。
图39为应用本发明的电子机器的示图。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施方式进行说明。不过，本发明可以以很多不同的方式实施，所以在不脱离本发明的精神及其范围的条件下其形态及细节可以有各种改变这一点对本专业人士是很容易理解的。因此，其解释并不限定于本实施方式的记载内容。
(实施方式1)
本发明不仅适用于具有EL元件等发光元件的像素，而且可以适用于具有电流源的各种模拟电路。所以，首先，在本实施方式中，对本发明的原理予以说明。
首先，在图1中示出基于本发明的基本原理的结构。在布线104和布线布线105之间，连接有电流源电路101和电流源晶体管102。在图1中，示出的是电流从电流源电路101向电流源晶体管102一侧流过的场合。于是，放大电路107的第1输入端子108与电流源晶体管102的漏端子连接。并且，放大电路107的第2输入端子1 10与电流源晶体管102的栅端子连接。放大电路107的输出端子109，与电流源晶体管102的栅端子连接。
保持电容103，为了保持电流源晶体管102的栅电压，与电流源晶体管102的栅端子和布线106连接。另外，保持电容103，通过以电流源晶体管102的栅电容等代替，可以省略。
在这种结构中，从电流源电路101供给和输入电流Idata。电流Idata，流过电流源晶体管102。放大电路107，在从电流源电路101供给的电流Idata流过电流源晶体管102并且电流源晶体管102是工作在饱和区的状态下，状态控制为稳定状态。于是，电流源晶体管102的栅电位，控制为电流源晶体管102流过电流Idata所必需的值。此时，电流源晶体管102的栅电位，成为不依赖电流源晶体管102的电流特性(迁徙度及阈值电压等)及尺寸(栅宽度W及栅长度L)的适当的大小。所以，即使是电流源晶体管102的电流特性及尺寸发生偏差，电流源晶体管102，也可以流出电流Idata。其结果，该电流源晶体管102，可以不受电流特性及尺寸的偏差的影响而作为电流源工作，可以向各种负载(另一电流源晶体管、像素及信号线驱动电路等等)供给电流。
于是，放大电路107，输出阻抗不高。所以，从输出端子109可以输出很大电流。因此，电流源晶体管102的栅端子可快速充电。就是说，电流Idata的写入速度快，可使写入快速完成，可以使达到稳定状态的时间缩短。
下面对放大电路107的动作予以说明。放大电路107，具有检测第1输入端子108和第2输入端子110的电压，将该输入电压的差放大并输出到输出端子109的功能。于是，在图1中，第2输入端子110和输出端子109连接。就是说，形成反馈电路。由于成为反馈电路，第2输入端子110的电压会因输出端子109的电压而变化。在第2输入端子110的电压变化时，输出端子109的电压也变化。经过这种反馈动作，从输出端子109可输出使各输入端子的状态稳定的电压。
在图1中，电流源晶体管102的漏端子与第1输入端子108连接，电流源晶体管102的栅端子与第2输入端子110及输出端子109连接。因此，电流源晶体管102的漏端子和栅端子的电压的稳压电压由放大电路107输出到电流源晶体管102的栅端子。此时，从电流源电路101向电流源晶体管102供给电流Idata。所以，使电流源晶体管102中流过电流Idata所必需的电压从电流源电路101输出到电流源晶体管102的栅端子。
另外，一般地，晶体管(此处为了简单，假定是NMOS型晶体管)的工作区可以划分为线性区和饱和区。其衔接处，在以漏源间电压为Vds、栅源间电压为Ygs和阈值电压为Vth时，为(Vgs-Vth)＝Vds之时。在(Vgs-Vth)＞Vds时，是线性区，由Vds、Vgs的大小确定电流值。另一方面，在(Vgs-Vth)＜Vds时，是饱和区，即使是Vds变化，电流值也几乎不变。就是说，电流值只由Vgs的大小确定。
从上述可得出，由放大电路107控制电流源晶体管102可以使电流源晶体管102工作在饱和区。这样，电流源晶体管102的栅电位，可设定为使电流Idata流过所必需的电压。为了使电流源晶体管1 02在饱和区中工作，使(Vgs-Vth)＜Vds满足即可。通常，在N沟道型晶体管中，由于Vth＞0，至少电流源晶体管102的漏端子的电位，可以等于栅端子的电位或大于等于该电位。为实现这种动作，放大电路107可对电流源晶体管102进行控制。
如上所述，通过使用具有放大电路107的反馈电路，可以对栅电位进行设定以使电流源晶体管102可以流出与从电流源电路101供给的电流相同大小的电流。此时，由于使用放大电路107，可以快速完成设定并在短时间内结束写入。于是，设定的电流源晶体管102，可以作为电流源电路工作，可以向各种各样的负载供给电流。
另外，在图1中，示出的是电流从电流源电路101向电流源晶体管102一侧流过的场合，但并不限定于此。在图2中示出的是电流从电流源晶体管202向电流源电路201一侧流过的场合。这样，通过改变电流源晶体管202的极性，可以不改变电路的连接关系而改变电流的方向。
另外，在图1中，电流源电路101使用N沟道型晶体管，但并不限定于此。也可以使用P沟道型晶体管。但是，在不改变电流的流动方向而改变晶体管的极性时，源端子和漏端子交换。因此，需要改变电路的连接关系。此时的结构示于图3。在布线104和布线105之间，连接有电流源电路101和电流源晶体管302。在图3中，示出的是电流从电流源电路101向电流源晶体管302一侧流过的场合，但与图2的场合一样，可以改变电流的方向。于是，放大电路107的第1输入端子108与电流源晶体管302的漏端子连接。另外，放大电路107的第2输入端子110与电流源晶体管302的栅端子连接。放大电路107的输出端子109与电流源晶体管302的栅端子连接。
由此，电流源晶体管302的漏端子和栅端子的电压的稳压电压由放大电路107输出到电流源晶体管302的栅端子。此时，从电流源电路101向电流源晶体管302供给电流Idata。所以，使电流源晶体管302中流过电流Idata所必需的电压从电流源电路101输出到电流源晶体管302的栅端子。
另外，在图1中，由于电容元件103保持电流源晶体管102的栅电位即可，所以布线106的电位可以任意。因此，布线105和布线106的电位既可以相同，也可以不同。但是，电流源晶体管102的电流值由该栅源间电压确定。所以，更优选是保持电容103保持电流源晶体管102的栅源间电压。所以，优选是布线106与电流源晶体管102的源端子(布线105)连接。其结果，可以使布线电阻的影响等减小。
同样，在图2中，优选是布线206与电流源晶体管202的源端子(布线205)连接。另外，在图3中，优选是布线106与电流源晶体管302的源端子连接。
另外，负载可以是任何负载。既可以是电阻等元件，也可以是晶体管、EL元件、其他的发光元件、由晶体管和电容及开关等构成的电流源电路、也可以是某种电路相连接的布线。既可以是信号线，也可以是信号线和与其相连接的像素。在该像素中也可以包含EL元件及在FED中使用的元件等任何显示元件。
(实施方式2)
在实施方式2中示出在图1～图3中使用的放大电路的例子。
首先，举出运算放大器作为放大电路的示例。其中，在使用运算放大器作为放大电路时，在图4中示出与图1相对应的结构图。放大电路107的第1输入端子108与运算放大器407的非反相(正相)输入端子相当，而第2输入端子110与反相输入端子相当。
在运算放大器中，通常非反相(正相)输入端子的电位和反相输入端子的电位相等而动作。在图4的场合，通过控制电流源晶体管102的栅电位使电流源晶体管102的栅电位和漏电位相等。所以，因为Vgs＝Vds，在Vth＞0时，电流源晶体管102工作在饱和区。
与图4同样，在图5中示出与图2相对应的结构图，而在图8中示出与图3相对应的结构图。
另外，可以使用任何类型的运算放大器作为图4～8中使用的运算放大器。既可以是电压反馈型运算放大器，也可以是电流反馈型运算放大器。也可以是附加相位补偿电路、偏差校正电路及偏置电压校正电路这样的各种各样的校正电路的运算放大器。
另外，运算放大器，通常非反相(正相)输入端子的电位和反相输入端子的电位相等而动作，但由于特性偏差，有时非反相(正相)输入端子的电位和反相输入端子的电位不等。就是说，有时产生偏置电压。在此场合，与通常的运算放大器一样，也可以通过调节使非反相(正相)输入端子的电位和反相输入端子的电位相等而动作。然而，在本发明的场合，通过控制使电流源晶体管102工作在饱和区即可。所以，在电流源晶体管102工作在饱和区中时，即使是在运算放大器上产生偏置电压也可以，并且即使是偏置电压有偏差，也没有影响。因此，即使是使用电流特性的偏差大的晶体管构成运算放大器，也可以正常工作。
所以，不仅是由单晶形成的晶体管，即使是薄膜晶体管(包含非晶态及多晶态)及有机晶体管这样的器件，也可以使其有效地工作。
此处，在着眼于图4的电路的连接关系时，可知运算放大器的反相输入端子是与输出端子相连接的。这是通常称为电压跟随器电路的电路结构。就是说，进行使非反相(正相)输入端子的电压输出到输出端子的动作，变换输入输出阻抗。由此可知，不仅是如图4这样连接的运算放大器，只要是具有与电压跟随器电路同样的功能的电路，也可以用作在图1～图3中使用的放大电路。
作为变换输入输出阻抗的电路，可以举出源跟随器电路。但是，通常的源跟随器电路，输入电位和输出电位不等。然而，在图1～图3中使用的放大电路中，输入电位和输出电位也可以不等。即，只要是可以控制成电流源晶体管102工作在饱和区的电路即可。于是，在图9中示出使用源跟随器电路作为放大电路的场合的结构。输入端子(放大用晶体管901的栅端子)，即，在电流源晶体管102的漏端子的电位变化时，输出端子(放大用晶体管901的源端子)，即，电流源晶体管102的栅端子的电位变化。在电流源晶体管102的栅端子的电位变化时，电流源晶体管102的漏端子的电位变化。这样一来，就形成反馈电路。
在图9的场合，是使用与电流源晶体管102极性相同的N沟道型晶体管作为放大用晶体管901。所以，与输入端子(放大用晶体管901的栅端子)的电位相比，输出端子(放大用晶体管901的源端子)的电位低，低的量为放大用晶体管901的栅源间电压的大小。所以，电流源晶体管102将在饱和区中工作。从上述可知，在利用源跟随器电路作为放大电路时，优选是采用电流源晶体管102容易在饱和区中工作的结构(在图9的场合，放大用晶体管901为N沟道型晶体管)。但是，并不限定于此，也可以使用P沟道型晶体管。在图10中示出与图2相对应的结构图，而在图11中示出与图3相对应的结构图。在图10中使用与电流源晶体管相同极性的放大用晶体管1001，也与图11一样。但是，并不限定于此。
另外，在图9～图11中，使用偏置用晶体管902、1002、1102对该栅端子施加偏置电压使其动作，但并不限定于此。也可以使用电阻元件等代替偏置用晶体管。或者，也可以使用与放大用晶体管相反极性的晶体管构成推挽(push-pull)电路。
另外，在源跟随器电路的场合，与运算放大器的场合相同，在电流源晶体管是在饱和区中工作的范围内时，即使是输出电压出现偏差，也没有影响。因此，即使使用电流特性的偏差大的晶体管构成源跟随器电路，也可以正常工作。
这样，在电流源晶体管是在饱和区中工作的范围内时，即使是放大电路的输出电压出现偏差，也没有影响。因此，即使是在电压跟随器电路及源跟随器电路等之中，输入电压和输出电压也可以不成比例关系。就是说，只要可以通过控制使电流源晶体管在饱和区中工作，任何电路都可以。
这样，在图1～图3中使用的放大电路，在电流源晶体管在饱和区中工作的范围内时，即使是特性出现偏差，也没有影响。因此，即使使用电流特性的偏差大的晶体管构成放大电路，也可以使其正常工作。
所以，不仅是由单晶形成的晶体管，即使是薄膜晶体管(包含非晶态及多晶态)及有机晶体管这样的器件，也可以使其有效地工作。
另外，作为放大电路的示例，示出的是使用运算放大器及源跟随器电路的示例，但并不限定于此。除此之外，也可以使用差动电路及漏接地放大电路及源接地放大电路等各种各样电路构成放大电路。
另外，在本实施方式中说明的内容相当于对在实施方式1中说明的结构的某一部分详细描述的内容相当，但并不限定于此，在不改变其精神的范围内可以有种种变形。所以，在实施方式1中说明的内容也可以应用于本实施方式。
(实施方式3)
可以根据设定电流Idata从电流源电路流出，使电流源晶体管流出电流Idata。于是，设定的电流源晶体管作为电流源电路工作，将电流供给各种负载。下面对在本实施方式中，负载和电流源晶体管的连接结构及将电流供给负载时的晶体管的结构等予以描述。
另外，在本实施方式中，为了简单，对图1的结构以及特别是使用运算放大器作为放大电路的结构(图4)等进行说明，但并不限定于此。也可以很容易适用于图2～图11等说明的其他结构。
另外，对于使电流从电流源电路流到电流源晶体管一侧并且电流源晶体管是N沟道型的场合进行说明，但并不限定于此。也可以很容易适用于图2～图11等说明的其他结构。
首先，在图12中示出只使用从电流源电路供给的电流源晶体管向负载供给电流的场合的结构。在图13中示出使用运算放大器作为放大电路的场合。
下面针对图12的工作方法，对使用运算放大器作为放大电路的场合为例进行说明。首先，如图13所示，开关1203和开关1204接通。于是，通过由运算放大器407控制电流源晶体管102的栅电位，设定为使从电流源电路供给的电流Idata在饱和区中工作的同时进行流动所必需的状态。此时，因为使用运算放大器407，可以进行快速的写入。于是，如14所示，在开关1204断开时，电流源晶体管1 02的栅电位由电容元件103保持。于是，如图15所示，在开关1203断开时，电流供给停止。于是，如图1 6所示，在开关1202接通时，向负载1201供给电流。这一电流的大小，在电流源晶体管102在饱和区中工作时，与Idata大小相同。就是说，即使是电流源晶体管102的电流特性及尺寸等出现偏差，也可以除去其影响。
其次，在图17中示出使用与电流源晶体管的不同的晶体管向负载供给电流的场合的结构图。电流晶体管1702的栅端子与电流源晶体管102的栅端子连接。所以，通过调节电流源晶体管102和电流晶体管1702的W/L的值，可以改变供给负载的电流量。另外，此处W是沟道宽度，L是沟道长度。例如，因为在减小电流晶体管1702的W/L的值时，供给负载的电流量变小，反之可以加大Idata的大小。其结果，电流的写入可以加快。但是，在电流源晶体管102和电流晶体管1702的电流特性出现偏差时，会受到其影响。
下面，在图18中示出不只使用电流源晶体管，而且使用其他晶体管向负载供给电流的场合的结构图。在供给电流源电路101的电流Idata时，如果该电流泄漏到负载1201并且电流从负载1201泄漏出去时，就不能以正确的大小的电流进行设定。在图12的场合，使用开关1202进行控制，而在图18的场合，使用复合晶体管1802进行控制。复合晶体管1802的栅端子与电流源晶体管102的栅端子连接。所以，在开关1203、1204接通，电流源晶体管102在饱和区中工作时，复合晶体管1802断开。所以，在供给电流源电路101的电流Idata时，不会受到不良影响。另一方面，在向负载供给电流时，因为电流源晶体管102和复合晶体管1802，栅端子连接，作为复合栅的晶体管工作。因此，在负载1201中流过比Idata小的电流。因此，因为供给负载的电流量小，反之可以使Idata的大小增加。其结果，电流的写入可以加快。但是，在电流源晶体管102和复合晶体管1802的电流特性出现偏差时，会受到其影响，而在向负载1201供给电流时，由于也使用电流源晶体管102，偏差的影响小。
下面，在图19中示出以与图17和图18不同的作法来加大从电流源电路101供给的电流Idata的结构。在图19中，与电流源晶体管102并联连接有并联晶体管1902。所以，在从电流源电路101供给电流期间，使开关1901接通。于是，在向负载1201供给电流时，开关1901断开。这样，因为流到负载1201的电流变小，从电流源电路101供给的电流Idata可以加大。
但是，在此场合，会受到与电流源晶体管102并联的并联晶体管1902的偏差的影响。于是，在图19的场合，在从电流源电路101供给电流时，也可以使其大小改变。就是说，最初使电流加大。此时，与此相应，使开关1901接通。于是，在并联晶体管1902中也有电流流过，可以使电流快速写入。即，与预充电动作相当。然后，减小从电流源电路101供给的电流，使开关1901断开。于是，只向电流源晶体管102供给电流，进行写入。其结果，可以除去偏差的影响。然后，使开关1202接通，向负载1201供给电流。
在图19中，增加了与电流源晶体管并联的晶体管，并且在图20中示出增加串联的晶体管的场合的结构图。在图20中，连接有与电流源晶体管102串联的串联晶体管2002。所以，在从电流源电路101供给电流期间，使开关2001接通。于是，串联晶体管2002的源漏间短路。于是，在向负载1201供给电流时，使开关2001断开。于是，因为电流源晶体管102和串联晶体管2002的栅端子连接，作为复合栅的晶体管动作。因此，因为栅长度L变大，流到负载1201的电流变小，从电流源电路101供给的电流Idata可以加大。
但是，在此场合，会受到与电流源晶体管102串联的串联晶体管2002的偏差的影响。于是，在图20的场合，在从电流源电路101供给电流时，也可以使其大小改变。就是说，最初使电流加大。此时，与此相应，使开关2001接通。于是，在电流源晶体管102中有电流流过，可以使电流快速写入。即与预充电动作相当。然后，减小从电流源电路101供给的电流，使开关2001断开。于是，向电流源晶体管102和串联晶体管2002供给电流，进行写入。其结果，可以除去偏差的影响。然后，使开关1202接通，作为电流源晶体管102和串联晶体管2002的复合栅的晶体管，向负载1201供给电流。
另外，从图12至图20，示出了各种各样的结构，但也可以将这些结构组合而形成结构。
另外，从图12至图20，是以电流源电路101和负载1201切换的形式构成的，但并不限定于此。例如，也可以通过切换电流源电路101和布线而构成。于是，与图12相对，在图21中示出通过切换电流源电路101和布线而形成的结构。下面示出图21的动作。首先，从电流源电路101向电流源晶体管102供给电流Idata，并在设定电流的场合，使开关1203、1204、2103接通。于是，在使电流源晶体管102作为电流源电路工作向负载供给电流时，使开关2102、1202接通。这样，通过切换开关1203和开关2102的通断，就可以对电流源电路101和布线2105进行切换。
另外，在从电流源电路101向电流源晶体管102供给电流Idata时，使开关2103接通以使电流流到布线105，使开关1202断开，但并不限定于此。在从电流源电路101向电流源晶体管102供给电流Idata时，电流也可以流到负载1201一侧。
另外，电容元件103，保持电流源晶体管102的栅电位，但为了保持栅源间电压，更优选是使布线106与电流源晶体管的源端子相连接。
另外，与图12相对，在图21中示出通过切换电流源电路101和负载1201的形式而形成的结构图，但并不限定于此。在从图12至图20的各种各样的结构中，也可以出通过切换电流源电路101和负载1201的形式而形成结构。
另外，在以上描述的结构中，开关是配置于各部分之中，但其配置地点并不限定于已经描述过的地点。只要是正常工作的地点，可以将开关配置于任意的地点。
例如，在图12的构成的场合，在从电流源电路101向电流源晶体管102供给电流Idata时，其连接如图24所示，使电流源晶体管102作为电流源电路工作，而在向负载1201供给电流时，其连接可以如图25所示。所以，图12，也可以采用如图26的连接。在图26中，开关1202、1203、1204的位置改变也可以正常工作。
另外，在图12等示出的开关，无论是电气开关还是机械开关都可以。只要可以控制电流的流动，什么都可以。既可以是晶体管，也可以是二极管，也可以是由其组合而成的逻辑电路。因此，在使用晶体管作为开关时，该晶体管，因为只是用作开关，对晶体管的极性(导电型)没有特别限制。不过，在断开电流小为优选时，优选使用断开电流小的一侧的极性的晶体管。作为断开电流小的晶体管，有设置LDD区域的晶体管。另外，用作开关的晶体管的源端子的电位，优选是在接近低电位侧电源(Vss、Vgnd、0V等)的状态下工作时使用n沟道型，反之，在源端子的电位接近高电位侧电源(Vdd等)的状态下工作时使用p沟道型。之所以如此是因为栅源间电压的绝对值增大时，作为开关容易动作之故。另外，也可以使用n沟道型和p沟道型两种，作为CMOS型开关使用。
这样示出了各种各样的示例，但并不限定于此。也可以将电流源晶体管和作为电流源工作的各种晶体管以各种不同的结构进行配置。所以，只要是可以进行同样动作的结构，就可以应用本申请。
另外，在本实施方式中说明的内容是与利用在实施方式1、2中说明的结构的内容相当，但并不限定于此，在不改变其精神的范围内可以有种种变形。所以，在实施方式1、2中说明的内容也可以应用于本实施方式。
(实施方式4)
以上描述的是电流源电路和电流源晶体管为一对一配置的场合。在本实施方式中，对电流源晶体管等为多个的场合的结构予以描述。
在图27中示出在图13的结构中电流源晶体管为多个时的结构。在图27中，示出对于多个电流源晶体管设置电流源电路101和运算放大器407各一个的场合。不过，对于多个电流源晶体管，既可以有多个电流源电路，也可以有多个运算放大器。然而，因为电路规模会变大，所以优选是电流源电路101和运算放大器407各设置一个。
下面对图27的结构予以描述。首先，配置电流源电路101和运算放大器407。将其汇总称之为资源电路2701。与资源电路2701相连接的有连接电流源电路101的电流线2702和连接运算放大器407的输出端子的电压线2703。在电流线2702和电压线2703上连接有多个单元电路。单元电路2704a由电流源晶体管102a、电容元件103a、开关1202a、1203a、1204a等构成。单元电路2704a，与负载1201a连接。单元电路2704b，与单元电路2704a一样构成。此处，为了简单，示出的是连接两个单元电路的场合，但并不限定于此。也可以连接任意数目的单元电路。
作为动作，由于在一条电流线2702及电压线2703上连接有多个单元电路，所以选择各个单元电路，顺序从资源电路2701通过电流线2702及电压线2703供给电流和电压。例如，首先，使开关1203a、1204a接通，向单元电路2704a输入电流及电压，之后，使开关1203b、1204b接通，向单元电路2704b输入电流及电压，通过重复这样的动作而使其动作。
这种开关的控制，可以使用移位寄存器、译码电路、计数电路、锁存电路等数字电路进行控制。
此处，当负载1201a、1201b等是EL元件等显示元件时，单元电路及负载构成一个像素。于是，资源电路2701，是向与信号线(电流线及电压线)相连接的像素供给信号的信号线驱动电路(的一部分)。就是说，图27是示出1列大小的像素及信号线驱动电路(的一部分)。在此场合，电流源电路101输出的电流，相当于图像信号。通过对此图像信号电流进行模拟或数字变换，可以使适当大小的电流分别流到负载(EL元件等显示元件)。在此场合，开关1203a、1204a，开关1203b、1204b等可使用栅线驱动电路进行控制。
另外，在图27的电流源电路101是信号线驱动电路(的一部分)时，该电流源电路101，也必须不受晶体管的电流特性偏差及尺寸的偏差等的影响而输出正确的电流。所以，信号线驱动电路(的一部分)之中的电流源电路101由电流源晶体管构成，可以从另外的电流源电路向电流源晶体管供给电流。就是说，在图27中的负载1201a、1201b等是信号线及像素等时，单元电路构成信号线驱动电路(的一部分)。于是，资源电路2701，是向与电流线相连接的信号线驱动电路之中的电流源晶体管(电流源电路)供给信号的电流源电路(的一部分)。就是说，图27示出向多个信号线及信号线驱动电路(的一部分)及信号线驱动电路供给电流的电流源电路(的一部分)。
在此场合，电流源电路101输出的电流相当于向信号线及像素供给的电流。所以，例如，在向信号线及像素供给与电流源电路101输出的电流相应的大小的电流时，电流源电路101输出的电流，与图像信号相当。通过对此图像信号电流进行模拟或数字变换，可以使适当大小的电流分别流到负载(信号线及像素)。在此场合，开关1203a、1204a，开关1203b、1204b等可使用信号线驱动电路中的一部分电路(移位寄存器及锁存电路等)进行控制。
另外，对于用于对开关1203a、1204a，开关1203b、1204b进行控制的电路(移位寄存器及锁存电路等)等等，由于在国际公开第03/038796号小册子、国际公开第03/038797号小册子等之中有记述，其内容可以与本申请进行组合。
或者，电流源电路101输出的电流，被设为供给某一确定大小的电流，使用开关等对是否供给该电流进行控制，将与其相应大小的电流供给信号线及像素的场合，电流源电路101输出的电流，与用来供给某一确定大小的电流的信号电流相当。于是，通过以数字方式对确定是否向信号线及像素供给电流的开关进行控制，控制供给信号线及像素的电流量，就可以使适当大小的电流分别流到负载(信号线及像素)。在此场合，开关1203a、1204a，开关1203b、1204b等，可使用信号线驱动电路中的一部分电路(移位寄存器及锁存电路等)进行控制。但是，在此场合，必须具有用于对确定是否向信号线及像素供给电流的开关进行控制的驱动电路(移位寄存器及锁存电路等)。因此，必须具有为了控制该开关的驱动电路(移位寄存器及锁存电路等)和用于控制开关1203a、1204a，开关1203b、1204b等的驱动电路(移位寄存器及锁存电路等)。这些驱动电路也可以分别设置。例如，也可以另外设置用于控制开关1203a、1204a，开关1203b、1204b的移位寄存器。或者，也可以一部分或全部共用为了控制开关的驱动电路(移位寄存器及锁存电路等)和用于控制开关1203a、1204a，开关1203b、1204b等的驱动电路(移位寄存器及锁存电路等)。例如，既可以以一个移位寄存器对两个开关进行控制，也可以为了控制确定是否向信号线及像素供给电流的开关，在驱动电路(移位寄存器及锁存电路等)中使用锁存电路的输出(图像信号)等进行控制。
另外，关于为了对确定是否向信号线及像素供给电流的开关进行控制的驱动电路(移位寄存器及锁存电路等)和用于控制开关1203a、1204a，开关1203b、1204b等的驱动电路(移位寄存器及锁存电路等)，在国际公开第03/038793号小册子、国际公开第03/038794号小册子、国际公开第03/038795号小册子等之中有记述，其内容可以与本申请进行组合。
在图27中，示出的是电流源晶体管和负载为一对一配置的场合。下面在图28中示出对一个负载配置多个电流源晶体管的场合。此处，为了简单，示出的是对一个负载连接两个单元电路的场合，但并不限定于此。既可以连接更多的单元电路，也可以只连接一个。通过开关2801aa、开关2801ba的通断，可以控制流到负载1201aa的电流量。例如，单元电路2704aa输出的电流值(Iaa)和单元电路2704ba输出的电流值(Iba)的大小不同时，通过开关2801aa和开关2801ba各自的通断，可以以4种方式控制流到负载1201aa的电流的大小。例如，在Iba＝2＊Iaa时，可以控制2位的大小。所以，在利用与各位相对应的数字数据对开关2801aa、开关2801ba的通断进行控制的场合，利用图28的结构，可以实现数字模拟变换功能。所以，在负载1201aa、1201bb是信号线时，利用图28的结构，可以使信号线驱动电路(的一部分)构成。此时，可以将数字图像信号变换为模拟图像信号电流。另外，开关2801aa及开关2801ba等的通断，可以使用图像信号进行控制。所以，使用输出图像信号的电路(锁存电路)等，可以对开关2801aa及开关2801ba等进行控制。
另外，也可以根据时间对开关2801aa、开关2801ba的通断进行切换。例如，在某一期间，使开关2801aa为接通，开关2801ba为断开，则在该时，从资源电路2701b向单元电路2704ba输入电流，进行设定以便可以输出正确的电流，并从单元电路2704aa向负载1201aa供给电流。于是，在另外期间，使开关2801aa为断开，开关2801ba为接通，则在该时，从资源电路2701a向单元电路2704aa输入电流，进行设定以便可以输出正确的电流，并从单元电路2704ba向负载1201aa供给电流。这样，通过时间切换也可以工作。
下面，在图28中，使用两个资源电路向单元电路供给电流，而在图29中，对使用一个资源电路向单元电路供给电流的场合进行描述。
例如，在布线2904c为H信号时，开关2901ca、2902ca、2903cb变为接通，开关2903ca、2901cb、2902cb变为断开。于是，单元电路2704ca变为可以从资源电路2701供给电流的状况，单元电路2704cb变为可向负载1201ca供给电流的状况。反之，布线2904c为L信号时，单元电路2704cb变为可从资源电路2701供给电流的状况，单元电路2704ca变为可向负载1201ca供给电流的状况。另外，布线2904c及布线2904d等等，如果可以输入顺序选择的信号即可。这样，也可以以时间方式对单元电路的动作进行切换。
另外，负载1201ca、120da是信号线时，使用图29的结构，可以构成信号线驱动电路(的一部分)。另外，布线2904c及布线2904d等，可以使用移位寄存器等进行控制。
另外，在本实施方式中，是以图13的结构示出电流源晶体管为多个时的结构，但并不限定于此。也可以以图13以外的结构实现。
例如，可以使用图9的结构实现。在此场合，对于多个电流源晶体管，电流源电路101和放大电路(源跟随器电路)也可以各设置一个。或者，对于多个电流源晶体管，既可以设置多个电流源电路，也可以设置多个放大电路(源跟随器电路)。然而，因为电路规模会变大，所以优选是电流源电路101和放大电路(源跟随器电路)各设置一个。但是，因为图9的放大电路(源跟随器电路)由两个晶体管构成的场合很多，对于多个电流源晶体管也可以配置多个放大电路(源跟随器电路)。
另外，在本实施方式中说明的内容，与利用在实施方式1、2、3中说明的结构的内容相当，但并不限定于此，在不改变其精神的范围内可以有种种变形。所以，在实施方式1、2、3中说明的内容也可以应用于本实施方式。
(实施方式5)
在本实施方式中，示出应用于具有显示元件的像素的场合的示例。
在本实施方式中，叙述的是利用图1(图12、图2、图5)和图3(图8)的场合，但并不限定于此。也可以应用于在实施方式1～4中说明的各种结构。
首先，在图30、31中示出电流源电路201供给信号电流作为图像信号的结构的场合。在图30和图31中，电流的流动方向相同，但电流源晶体管的极性不同。因此，连接结构不同。另外，作为负载，例如，示出的是EL元件的场合。
另外，在电流源电路201作为图像信号供给的信号电流是模拟值时，可以以模拟灰度显示图像。信号电流是数字值时，可以以数字灰度显示图像。在要获得多灰度化时，可以将时间灰度方式和面积灰度方式组合。
另外，此处将特别对时间等级方式的详细说明予以省略，但根据日本专利申请2001-5426号、日本专利申请2000-86968号等中记载的方法可以明了。
另外，控制各开关的栅线，通过调整晶体管的极性，可共用一条。结果，可以提高开口率。但是，也可以分别配置栅线。特别是在使用时间灰度方式时，在某一特定期间内，有时希望进行不向负载(EL元件)供给电流的动作。在此场合，可以将控制可以不向负载(EL元件)供给电流的开关的栅线作成另外的布线。
下面，在图32中示出在像素中具有电流源电路，根据电流源电路供给的电流是否流过来表现图像的场合的结构的像素。在选择了选择栅线3206时，从信号线3205向电容元件3203输入数字的图像信号(通常为电压值)。另外，电容元件3203，通过使用晶体管的栅电容等，可以省略。于是，使用保存的数字图像信号，使开关3202通断。电流源电路3201供给的电流是否流入负载1201，由开关3202控制。结果，就可以表现图像。
另外，在要获得多灰度化时，可以将时间灰度方式和面积灰度方式组合。
另外，在图32中，电流源电路3201及开关3202只各设置一个，但并不限定于此。也可以配置多组，对从各个电流源电路是否流出电流进行控制并使该电流总和流入负载1201。
下面在图33中示出图32的具体结构例。此处，作为电流源晶体管的结构，应用图1(图12、图2、图5)中示出的结构。从电流源电路201向电流源晶体管202供给电流，在电流源晶体管202的栅端子上设定适当的电压。于是，相应于从信号线3205输入的图像信号，使开关3202通断，向负载1201供给电流而显示图像。
另外，在本实施方式中说明的内容，与利用在实施方式1～4中说明的结构的内容相当，但并不限定于此，在不改变其精神的范围内可以有种种变形。所以，在实施方式1～4中说明的内容也可以应用于本实施方式。
(实施方式6)
在本实施方式中，对显示装置以及信号线驱动电路等的结构及其动作予以说明。对信号线驱动电路的一部分及像素可以应用本发明的电路。
显示装置，如图34所示，具有像素排列3401、栅线驱动电路3402及信号线驱动电路3410。栅线驱动电路3402，顺序向像素排列3401输出选择信号。信号线驱动电路3410，顺序向像素排列3401输出视频信号。在像素排列3401中，按照视频信号，通过对光的状态进行控制，显示图像。从信号线驱动电路3410向像素排列3401输入的视频信号，是电流的场合多。
就是说，配置在各像素中的显示元件及控制显示元件的元件，根据从信号线驱动电路3410输入的视频信号(电流)使状态改变。作为配置在像素中的显示元件的示例，可以举出在EL元件及FED(场发射显示器)中使用的元件等。
另外，栅线驱动电路3402及信号线驱动电路3410，也可以配置多个。
信号线驱动电路3410，其结构可以分为多个部分。大致上，作为一个示例，可以分为移位寄存器3403、第1锁存电路(LAT1)3404、第2锁存电路(LAT2)3405以及数字模拟变换电路3406。在数字模拟变换电路3406中也具有将电压变换为电流的功能，也可以还具有进行伽玛校正的功能。就是说，在数字模拟变换电路3406中，具有向像素输出电流(视频信号)的电路，即具有电流源电路，对其可应用本发明。
另外，如图32所示，根据像素的结构，有时将视频信号用的数字电压信号和像素中的电流源电路的控制用的电流输入到像素。在此场合，数字模拟变换电路3406，不是具有数字模拟变换功能，而是具有将电压变换为电流的功能，具有将该电流作为控制用的电流输出到像素的电路，即具有电流源电路，对其可应用本发明。
另外，像素具有EL元件等显示元件。具有将电流(视频信号)输出到该显示元件的电路，即具有电流源电路，对其也可应用本发明。
下面对信号线驱动电路3410的动作进行简单说明。移位寄存器3403使用多列触发电路(FF)等构成，输入时钟信号(S-CLK)、启动脉冲(SP)及时钟反相信号(S-CLKb)。按照这些信号的定时，顺序输出采样脉冲。
从移位寄存器3403输出的采样脉冲，输入到第1锁存电路(LAT1)3404。从视频信号线3408向第1锁存电路(LAT1)3404输入视频信号，并按照输入采样脉冲的定时，在各列中保持视频信号。另外，在配置数字模拟变换电路3406的场合，视频信号是数字值。另外，在此阶段的视频信号是电压的场合多。
但是，第1锁存电路3404及第2锁存电路3405，是可以保存模拟值的电路的场合，数字模拟变换电路3406可以省略的场合多。在此场合，视频信号是电流的场合也多。另外，在输出到像素排列3401的数据是2值，即数字值的场合，数字模拟变换电路3406可以省略的场合多。
在第1锁存电路(LAT1)3404中，在一直到最终列保持视频信号完成时，在水平回线期间中，从锁存控制线3409输入锁存脉冲，在第1锁存电路(LAT1)3404中保持的视频信号，一齐传送到第2锁存电路(LAT2)3405。然后，保持于第2锁存电路(LAT2)3405中的视频信号，一行量同时输入到数字模拟变换电路3406。于是，从数字模拟变换电路3406输出的信号，输入到像素排列3401。
保持于第2锁存电路(LAT2)3405中的视频信号输入到数字模拟变换电路3406，于是，在输入到像素3401期间，在移位寄存器3403中再次输出采样脉冲。就是说，同时进行两个动作。结果，可以进行线性顺序驱动。之后，重复这一动作。
另外，在数字模拟变换电路3406具有的电流源电路是进行设定动作和输出动作的电路的场合，就是在从另外的电流源电路输入电流，并输出不受晶体管特性偏差的影响的电流的电路的场合，需要使电流流入该电流源电路的电路。在这种场合，配置有参照用电流源电路3414。
另外，如上所述，本发明的晶体管，既可以是任一种类型的晶体管，也可以是在任一种基板上形成。所以，在图34、图35等之中示出的电路，既可以是全部在玻璃基板上形成，也可以是在塑料基板上形成，也可以在单晶基板上形成，也可以在SOI基板上形成，也可以在任一种基板上形成。或者，也可以是图34、图35等的电路的一部分，在某一种基板上形成，而图34、图35等的电路的另一部分，在另外的基板上形成。就是说，也可以是图34、图35等的电路的全部不是在相同基板上形成。例如，在图34、图35等之中，像素3401和栅线驱动电路3402是在玻璃基板上使用TFT形成，而信号线驱动电路3410(或其一部分)是在单晶基板上形成，并且也可以将该IC芯片以COG(玻璃上芯片)连接配置于玻璃基板上。或者，也可以将该IC芯片利用TAB(载带自动键合技术)和印刷基板与玻璃基板连接。
另外，信号线驱动电路等的结构并不限定于图34。
例如，在第1锁存电路3404及第2锁存电路3405是可以保存模拟值的电路时，如图35所示，也有从参照用电流源电路3414向第1锁存电路(LAT1)3404输入视频信号(模拟电流)的场合。另外，在图35中，也有不存在第2锁存电路3405的场合。在这种场合，在第1锁存电路3404中配置更多的电流源电路的场合多。
在这种场合，对图34的数字模拟变换电路3406中的电流源电路可以应用本发明。在数字模拟变换电路3406中，有很多单元电路，在参照用电流源电路3414中配置电流源电路101和放大电路107。
或者，对图35的第1锁存电路(LAT1)3404中的电流源电路可以应用本发明。在第1锁存电路(LAT1)3404中，有很多单元电路，在参照用电流源电路3414中配置基本电流源101和追加电流源103。
或者，对图34、图35的像素排列3401中的像素(其中的电流源电路)可以应用本发明。在像素排列3401中，有很多单元电路，在信号线驱动电路3410中配置电流源电路101和放大电路107。
就是说，在电路的各种部分中存在供给电流的电路。这种电流源电路，需要输出正确的电流。因此，使用另外的电流源电路，进行设定以便使晶体管可以输出正确的电流。另外的电流源电路也需要输出正确的电流。所以，如图36～图38所示，在某一地点存在作为基本的电流源电路，从该地点起依次设定电流源晶体管。结果，电流源电路，可以输出正确的电流。所以，对这种部分可以应用本发明。
另外，在对电流源电路进行设定动作时，必须控制其定时。在此场合，为了控制设定动作，也可以配置专用的驱动电路(移位寄存器等)。或者，也可以使用从用来控制LAT1电路的移位寄存器输出的信号，控制对电流源电路的设定动作。就是说，也可以利用一个移位寄存器，对LAT1电路和电流源电路两者进行控制。在此场合，既可以将用来控制LAT1电路的从移位寄存器输出的信号直接输入到电流源电路，也可以为了将对LAT1电路的控制和对电流源电路的控制分开，经控制该分开操作的电路来控制电流源电路。或者，也可以利用从LAT2电路输出的信号，控制对电流源电路的设定动作。由于从LAT2电路输出的信号通常是视频信号，为了将作为视频信号使用的场合和控制电流源电路的场合分开，也可以经控制该切换的电路来控制电流源电路。这样，关于用来控制设定动作及输出动作的电路结构及电路的动作等等，在国际公开第03/038793号小册子、国际公开第03/038794号小册子、国际公开第03/038795号小册子等之中有记述，其内容可以应用于本发明。
另外，在本实施方式中说明的内容，与利用在实施方式1～5中说明的内容相当。所以，在实施方式1～5中说明的内容也可以应用于本实施方式。
(实施方式7)
本发明可以应用于构成电子机器显示部的电路。作为这种电子机器，可以举出的有摄像机、数字相机、电视型显示器(头戴式显示器)、导航系统、音响播放装置(汽车音响、音响组合等)、笔记本型个人计算机、游戏机、便携式信息终端(移动计算机、便携式电话机、便携式游戏机或电子书等等)以及具有记录媒体的图像播放装置(具体说是具有可对DVD等记录媒体进行播放，显示其图像的显示器的装置)等等。就是说，可以将本发明应用于构成这些显示部的像素及驱动像素的信号线驱动电路等等。这些电子机器的具体示例示于图39。
图39(A)是发光装置(此处所谓发光装置指的是在显示部中使用自发光型的发光元件的显示装置)，包含框体13001、支持台13002、显示部13003、扬声器部13004及视频输入端子13005等等。本发明可以应用于构成显示部13003的像素及信号线驱动电路等等。另外，利用本发明，可完成图39(A)所示的发光装置。发光装置由于是自发光型，不需要背照灯，可以作成比液晶显示器更薄的显示部。另外，发光装置，包含个人计算机用、TV收发用、广告显示用等全部信息显示用显示装置。
图39(B)是数字相机，包含主体13101、显示部13102、受像部13103、操作键13104、外部连接端口13105以及快门13106等等。本发明可以应用于构成显示部13102的像素及信号线驱动电路等等。另外，利用本发明，可完成图39(B)所示的数字相机。
图39(C)是笔记本型个人计算机，包含主体13201、框体13202、显示部13203、键盘13204、外部连接端口13205以及鼠标13206等等。本发明可以应用于构成显示部13203的像素及信号线驱动电路等等。另外，利用本发明，可完成图39(C)所示的发光装置。
图39(D)是移动计算机，包含主体13301、显示部13302、开关13303、操作键13304以及红外线端口13305等等。本发明可以应用于构成显示部13302的像素及信号线驱动电路等等。另外，利用本发明，可完成图39(D)所示的移动计算机。
图39(E)是具有记录媒体的便携式图像播放装置(具体说是DVD播放装置)，包含主体13401、框体13402、显示部A13403、显示部B13404、记录媒体(DVD等)读入部13405、操作键13406以及扬声器部13407等等。显示部A13403主要显示图像信息，显示部B13404主要显示文字信息，本发明可以应用于构成显示部A、B13403、13404的像素及信号线驱动电路等等。另外，在具有记录媒体的图像播放装置中也包含家用游戏机等等。另外，利用本发明，可完成图39(E)所示的DVD播放装置。
图39(F)是电视型显示器(头戴式显示器)，包含主体13501、显示部13502以及支架部13503。本发明可以应用于构成显示部13502的像素及信号线驱动电路等等。另外，利用本发明，可完成图39(F)所示的电视型显示器。
图39(G)是摄像机，包含主体13601、显示部13602、框体13603、外部连接端口13604、遥控接收部13605、受像部13606、电池13607、声音输入部13608以及操作键13609等等。本发明可以应用于构成显示部13602的像素及信号线驱动电路等等。另外，利用本发明，可完成图39(G)所示的摄像机。
图39(H)是便携式电话机，包含主体13701、框体13702、显示部13703、声音输入部13704、声音输出部13705、操作键13706、外部连接端口13707以及天线13708等等。本发明可以应用于构成显示部13703的像素及信号线驱动电路等等。另外，显示部13703，通过在黑色的背景上显示白色的文字可以抑制便携式电话机的消耗电流。另外，利用本发明，可完成图39(H)所示的便携式电话机。
另外，如果将来发光材料的发光辉度提高，也可能应用于利用透镜等对包含输出的图像信息的光扩大投影的前投型或背投型的投影机。
另外，上述电子机器很多应用于显示通过因特网及CATV(有线电视)等的电子通信线路发布的信息，特别是显示运动图像信息的机会正在增加。由于发光材料的响应速度非常高，使用发光装置进行运动图像显示是优选。
另外，由于发光装置的发光部分消耗功率，所以优选是尽量减小发光部分来显示信息。所以，在便携式信息终端，特别是便携式电话机及音响播放装置这样以文字信息为主的显示部中应用发光装置的场合，通过驱动使非发光部分为背景，发光部分为文字信息是优选。
如上所述，本发明的应用范围极广，可以应用于一切领域的电子机器。并且，本实施方式的电子机器，也可以使用在实施方式1-4中示出的任何一种结构的半导体装置。

Claims (54)

1.一种半导体装置，具备：
利用晶体管控制供给到负载的电流的电路，以及
在从电流源电路向上述晶体管供给电流时，用来通过控制上述晶体管使其在饱和区中工作的放大电路，该放大电路连接在上述晶体管的漏端子和栅端子之间，
其特征在于：
上述晶体管的源端子和漏端子中的一个连接到上述电流源电路；
上述晶体管的源端子和漏端子中的另一个连接到上述负载。
2.一种半导体装置，具备：
利用晶体管控制供给到负载的电流的电路，以及
用来使上述晶体管的漏端子和栅端子间的电位稳定的放大电路，该放大电路连接在上述晶体管的漏端子和栅端子之间，
其特征在于：
上述晶体管的源端子和漏端子中的一个连接到电流源电路；
上述晶体管的源端子和漏端子中的另一个连接到上述负载。
3.一种半导体装置，具备：
利用晶体管控制供给到负载的电流的电路，以及
包含放大电路的反馈电路，该放大电路用来使上述晶体管的漏端子和栅端子间的电位稳定并连接在上述晶体管的漏端子和栅端子之间，
其特征在于：
上述晶体管的源端子和漏端子中的一个连接到电流源电路；
上述晶体管的源端子和漏端子中的另一个连接到上述负载。
4.一种半导体装置，具备：
控制供给到负载的电流的晶体管，该晶体管的源或漏连接到电流源电路，以及
运算放大器，
其特征在于：
上述晶体管的连接到上述电流源电路的漏端子与上述运算放大器的非反相输入端子连接，
上述运算放大器的反相输入端子与上述晶体管的栅端子连接，
上述运算放大器的输出端子与上述栅端子和上述反相输入端子连接。
5.一种半导体装置，具备：
控制供给到负载的电流的晶体管，该晶体管的源或漏连接到电流源电路，以及
电压跟随器电路，
其特征在于：
上述晶体管的连接到上述电流源电路的漏端子与上述电压跟随器电路的输入端子连接，
上述电压跟随器电路的输出端子与上述晶体管的栅端子连接。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：上述电压跟随器电路由源跟随器电路构成。
7.一种发光装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求1所述的半导体装置。
8.一种发光装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求2所述的半导体装置。
9.一种发光装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求3所述的半导体装置。
10.一种发光装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求4所述的半导体装置。
11.一种发光装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求5所述的半导体装置。
12.一种发光装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求6所述的半导体装置。
13.一种数字相机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求1所述的半导体装置。
14.一种数字相机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求2所述的半导体装置。
15.一种数字相机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求3所述的半导体装置。
16.一种数字相机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求4所述的半导体装置。
17.一种数字相机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求5所述的半导体装置。
18.一种数字相机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求6所述的半导体装置。
19.一种笔记本型个人计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求1所述的半导体装置。
20.一种笔记本型个人计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求2所述的半导体装置。
21.一种笔记本型个人计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求3所述的半导体装置。
22.一种笔记本型个人计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求4所述的半导体装置。
23.一种笔记本型个人计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求5所述的半导体装置。
24.一种笔记本型个人计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求6所述的半导体装置。
25.一种移动计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求1所述的半导体装置。
26.一种移动计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求2所述的半导体装置。
27.一种移动计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求3所述的半导体装置。
28.一种移动计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求4所述的半导体装置。
29.一种移动计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求5所述的半导体装置。
30.一种移动计算机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求6所述的半导体装置。
31.一种图像播放装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求1所述的半导体装置。
32.一种图像播放装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求2所述的半导体装置。
33.一种图像播放装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求3所述的半导体装置。
34.一种图像播放装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求4所述的半导体装置。
35.一种图像播放装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求5所述的半导体装置。
36.一种图像播放装置，其特征在于：在显示部中具有如权利要求6所述的半导体装置。
37.一种电视型显示器，其特征在于：在显示部中具有如权利要求1所述的半导体装置。
38.一种电视型显示器，其特征在于：在显示部中具有如权利要求2所述的半导体装置。
39.一种电视型显示器，其特征在于：在显示部中具有如权利要求3所述的半导体装置。
40.一种电视型显示器，其特征在于：在显示部中具有如权利要求4所述的半导体装置。
41.一种电视型显示器，其特征在于：在显示部中具有如权利要求5所述的半导体装置。
42.一种电视型显示器，其特征在于：在显示部中具有如权利要求6所述的半导体装置。
43.一种摄像机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求1所述的半导体装置。
44.一种摄像机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求2所述的半导体装置。
45.一种摄像机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求3所述的半导体装置。
46.一种摄像机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求4所述的半导体装置。
47.一种摄像机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求5所述的半导体装置。
48.一种摄像机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求6所述的半导体装置。
49.一种便携式电话机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求1所述的半导体装置。
50.一种便携式电话机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求2所述的半导体装置。
51.一种便携式电话机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求3所述的半导体装置。
52.一种便携式电话机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求4所述的半导体装置。
53.一种便携式电话机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求5所述的半导体装置。
54.一种便携式电话机，其特征在于：在显示部中具有如权利要求6所述的半导体装置。
CNB2004800104946A 2003-04-25 2004-04-07 半导体装置 Expired - Fee Related CN100449594C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003123000 2003-04-25
JP123000/2003 2003-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1777849A CN1777849A (zh) 2006-05-24
CN100449594C true CN100449594C (zh) 2009-01-07

Family

ID=33410111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800104946A Expired - Fee Related CN100449594C (zh) 2003-04-25 2004-04-07 半导体装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7378882B2 (zh)
EP (1) EP1619570B1 (zh)
JP (1) JP4558509B2 (zh)
CN (1) CN100449594C (zh)
TW (1) TWI370431B (zh)
WO (1) WO2004097543A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4884671B2 (ja) 2003-05-14 2012-02-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2004109638A1 (ja) * 2003-06-06 2004-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置
WO2005027085A1 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of the same
US20050240717A1 (en) * 2004-04-27 2005-10-27 Via Technologies, Inc. Interleaved Mapping Method of Block-Index-To-SDRAM-Address for Optical Storage (CD/DVD) System
KR101238756B1 (ko) 2004-11-24 2013-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 발광 장치를 포함하는 전자 기기, 및 발광 장치의 구동 방법
TWI429327B (zh) 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
US20070069212A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flat panel display and method for manufacturing the same
EP1793367A3 (en) * 2005-12-02 2009-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4894318B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-14 カシオ計算機株式会社 表示駆動装置及びそれを備える表示装置
TWI324406B (en) * 2006-12-18 2010-05-01 Ind Tech Res Inst Printed circuit unit based on organic transistor
US9793039B1 (en) 2011-05-04 2017-10-17 The Board Of Trustees Of The University Of Alabama Carbon nanotube-based integrated power inductor for on-chip switching power converters
CN102231100A (zh) * 2011-06-30 2011-11-02 上海新进半导体制造有限公司 一种模拟加法器及电流型升压变压器
KR20190033094A (ko) 2011-10-18 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 구동하는 방법
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6163310B2 (ja) * 2013-02-05 2017-07-12 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 定電圧回路及びアナログ電子時計
US9590514B1 (en) * 2013-03-15 2017-03-07 The Board Of Trustees Of The University Of Alabama, For And On Behalf Of The University Of Alabama Carbon nanotube-based integrated power converters
JPWO2016136114A1 (ja) * 2015-02-25 2017-06-29 富士電機株式会社 基準電圧生成回路および半導体装置
CN104680996B (zh) * 2015-03-10 2017-08-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种vcom生成电路及液晶显示器
JP6656330B1 (ja) * 2018-09-21 2020-03-04 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4742292A (en) * 1987-03-06 1988-05-03 International Business Machines Corp. CMOS Precision voltage reference generator
CN1167324A (zh) * 1996-04-17 1997-12-10 株式会社日立制作所 半导体集成电路
US6087821A (en) * 1998-10-07 2000-07-11 Ricoh Company, Ltd. Reference-voltage generating circuit
US6437550B2 (en) * 1999-12-28 2002-08-20 Ricoh Company, Ltd. Voltage generating circuit and reference voltage source circuit employing field effect transistors
CN1383123A (zh) * 2001-04-26 2002-12-04 凌阳科技股份有限公司 液晶显示器的源驱动放大器
CN1389847A (zh) * 2001-06-04 2003-01-08 精工爱普生株式会社 运算放大电路、驱动电路及驱动方法
CN1412901A (zh) * 2002-11-29 2003-04-23 中国科学院武汉物理与数学研究所 一种用于半导体激光器的稳流源

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1072714B (de) * 1958-02-13 1960-01-07 Westinghouse Electric Corporation, East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.) Stromversorgungsschutzschaltung
US3231812A (en) * 1961-02-10 1966-01-25 Gen Electric Co Ltd Electric circuits for controlling the supply of electric current to a load
US3244965A (en) * 1962-04-09 1966-04-05 Gen Electric Phase controlled alternating current circuits
DE69325278T2 (de) * 1993-12-31 1999-11-11 St Microelectronics Srl Nichtflüchtige, elektrisch programmierbare Halbleiterspeicheranordnung mit einem Spannungsregler
US5646518A (en) * 1994-11-18 1997-07-08 Lucent Technologies Inc. PTAT current source
US5585749A (en) * 1994-12-27 1996-12-17 Motorola, Inc. High current driver providing battery overload protection
JPH09319323A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Toshiba Microelectron Corp 定電流駆動回路
JP4251377B2 (ja) 1997-04-23 2009-04-08 宇東科技股▲ふん▼有限公司 アクティブマトリックス発光ダイオードピクセル構造及び方法
US6229506B1 (en) 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JPH11149783A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路及びデータ処理システム
GB9812742D0 (en) 1998-06-12 1998-08-12 Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
JP3315652B2 (ja) 1998-09-07 2002-08-19 キヤノン株式会社 電流出力回路
JP4627822B2 (ja) 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2001022323A (ja) * 1999-07-02 2001-01-26 Seiko Instruments Inc 発光表示器駆動回路
JP4126909B2 (ja) 1999-07-14 2008-07-30 ソニー株式会社 電流駆動回路及びそれを用いた表示装置、画素回路、並びに駆動方法
TW525122B (en) 1999-11-29 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP3412599B2 (ja) * 2000-04-19 2003-06-03 株式会社デンソー 半導体装置
JP4841754B2 (ja) * 2000-06-13 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の発光装置、及び電子機器
JP4906022B2 (ja) * 2000-08-10 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置及び電子機器
SG114502A1 (en) * 2000-10-24 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of driving the same
US7015882B2 (en) 2000-11-07 2006-03-21 Sony Corporation Active matrix display and active matrix organic electroluminescence display
JP2003195815A (ja) 2000-11-07 2003-07-09 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP3949444B2 (ja) * 2000-12-26 2007-07-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、該発光装置の駆動方法
US6661180B2 (en) 2001-03-22 2003-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus
JP4155389B2 (ja) 2001-03-22 2008-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、その駆動方法及び電子機器
JP2003043994A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc アクティブマトリックス型ディスプレイ
JP2003043993A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc アクティブマトリックス型ディスプレイ
JP3800050B2 (ja) 2001-08-09 2006-07-19 日本電気株式会社 表示装置の駆動回路
JP2003108069A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Canon Inc 発光素子の駆動回路
US7576734B2 (en) 2001-10-30 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driving circuit, light emitting device, and method for driving the same
US7742064B2 (en) 2001-10-30 2010-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Signal line driver circuit, light emitting device and driving method thereof
US7180479B2 (en) 2001-10-30 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line drive circuit and light emitting device and driving method therefor
TWI261217B (en) 2001-10-31 2006-09-01 Semiconductor Energy Lab Driving circuit of signal line and light emitting apparatus
US7193619B2 (en) 2001-10-31 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driving circuit and light emitting device
US6873200B2 (en) * 2003-08-01 2005-03-29 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Electronic switch

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4742292A (en) * 1987-03-06 1988-05-03 International Business Machines Corp. CMOS Precision voltage reference generator
CN1167324A (zh) * 1996-04-17 1997-12-10 株式会社日立制作所 半导体集成电路
US6087821A (en) * 1998-10-07 2000-07-11 Ricoh Company, Ltd. Reference-voltage generating circuit
US6437550B2 (en) * 1999-12-28 2002-08-20 Ricoh Company, Ltd. Voltage generating circuit and reference voltage source circuit employing field effect transistors
CN1383123A (zh) * 2001-04-26 2002-12-04 凌阳科技股份有限公司 液晶显示器的源驱动放大器
CN1389847A (zh) * 2001-06-04 2003-01-08 精工爱普生株式会社 运算放大电路、驱动电路及驱动方法
CN1412901A (zh) * 2002-11-29 2003-04-23 中国科学院武汉物理与数学研究所 一种用于半导体激光器的稳流源

Also Published As

Publication number Publication date
EP1619570B1 (en) 2015-07-15
JP4558509B2 (ja) 2010-10-06
WO2004097543A1 (ja) 2004-11-11
US7378882B2 (en) 2008-05-27
CN1777849A (zh) 2006-05-24
JPWO2004097543A1 (ja) 2006-07-13
US20050162206A1 (en) 2005-07-28
TWI370431B (en) 2012-08-11
TW200502899A (en) 2005-01-16
EP1619570A1 (en) 2006-01-25
EP1619570A4 (en) 2008-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100449594C (zh) 半导体装置
JP6007215B2 (ja) 半導体装置
CN1802681B (zh) 半导体装置
US8314601B2 (en) Semiconductor device, display device and electronic device
US8441315B2 (en) Analog circuit and display device and electronic device
CN1754316B (zh) 半导体装置及其驱动方法
US7123250B2 (en) Electric circuit
CN100565637C (zh) 半导体装置以及使用了该装置的显示装置
JP5796119B2 (ja) 半導体装置及び電子機器
CN101471030B (zh) 显示装置
JP4141851B2 (ja) 半導体装置及びそれを用いた電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090107

Termination date: 20210407