TWI405164B - 顯示器裝置及電子設備 - Google Patents

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TWI405164B
TWI405164B TW097128838A TW97128838A TWI405164B TW I405164 B TWI405164 B TW I405164B TW 097128838 A TW097128838 A TW 097128838A TW 97128838 A TW97128838 A TW 97128838A TW I405164 B TWI405164 B TW I405164B
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Takao Tanikame
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Description

顯示器裝置及電子設備
本發明係有關一種顯示器裝置及電子設備，及更特定言之係一種平板顯示器裝置及電子設備，在其中具有以一矩陣形式佈置的相同像素，各併有一電光元件。
相關申請案之交互參考
本發明的內容和2007年8月15日向日本專利局提申的日本專利申請案第JP 2007－211624號有關，其全部內容以提及方式併入本文中。
在影像顯示器裝置的領域中，具有像素(像素電路)的平板顯示器裝置快速地日漸普及，各像素併有一電光元件且係以一矩陣形式佈置。在眾多平板顯示器裝置中，使用有機冷光(EL)元件之有機EL顯示器裝置的發展及商業化一直以一穩定的步調持續進行著。一有機EL元件係一種電流驅動電光元件，其發光亮度根據流過該元件的電流而改變。此種類型的元件依賴，當施加一電場至一有機薄膜時該有機薄膜會發光的現象。
一有機EL顯示器裝置具有下列特徵。即是，其具有低功率消耗，因為有機EL元件可由10伏特或更小的一電壓驅動。除此之外，有機EL元件係自發光。因此，與一液晶顯示器裝置相比，一有機EL顯示器裝置供給更高的影像能見度；該液晶顯示器裝置係設計以藉由控制來自用於包含液晶單元之每一像素的光源(背光)的光強度而顯示一影像。
另外，一有機EL顯示器裝置不需要發光部件，如一液晶顯示器裝置所需的背光，因此更容易使其減少重量及厚度。另外，有機EL元件的回應速度極快或大約才微秒(μs)而已。此提供一無殘像(afterimage)的移動影像。
一有機EL顯示器裝置可為一簡單(被動)矩陣或主動矩陣驅動，如同一液晶顯示器裝置。然而應注意，此一簡單矩陣顯示器裝置的構造雖然簡單，但仍有一些問題。此問題包括難以實行一大型高解析度顯示器裝置，因為電光元件的發光週期隨著掃描線數目(即像素的數量)增加而縮減。
為此，近年來主動矩陣顯示器裝置之發展正在快步向前邁進。此顯示器裝置控制流過電光元件的電流，該電光元件具有一主動元件，如絕緣閘極場效電晶體(典型為薄膜電晶體或TFT)，其提供在相同像素電路中作為該電光元件。在一主動矩陣顯示器裝置中，電光元件保持發光超過一圖框間隔。所以，可輕鬆實行一大型高解析度顯示器裝置。
附帶一提，有機EL元件的I－V特徵(電流－電壓特徵)典型上已知會隨著時間劣化(所謂的老化(deterioration over time))。在一使用一N通道TFT作為調適成電流驅動該有機EL元件之電晶體(以下稱為"驅動電晶體")的像素電路中，該有機EL元件係連接至該驅動電晶體的源極。因此，若該有機EL元件的I－V特徵隨著時間劣化，則該驅動電晶體的一閘極至源極電壓Vgs改變，因而改變相同元件的發光亮度。
這將於下文中更加詳細說明。該驅動電晶體的源極電位係藉由該驅動電晶體及有機EL元件之間的操作點決定。若該有機EL元件的I－V特徵劣化，則該驅動電晶體及有機EL元件之間的操作點也將改變。所以，施加至該驅動電晶體之閘極的相同電壓改變該驅動電晶體的源極電位。此改變了該驅動電晶體的閘極至源極電壓Vgs，因而改變流過該驅動電晶體的電流位準。因此，流過該有機EL元件的電流位準亦會改變。所以，該有機EL元件的發光亮度改變。
另一方面，在一使用一多晶矽TFT的像素電路中，除IV特徵隨著時間劣化外，該驅動電晶體的一臨限電壓Vth隨著時間改變，且由於製程差異(電晶體具有不同的特徵)，該臨限電壓Vth在每一像素彼此之間係不同的。
若該驅動電晶體的臨限電壓Vth在每一像素彼此之間不同，則流過該驅動電晶體的電流位準在每一像素彼此之間也不同。因此，施加至該等驅動電晶體之閘極的相同電壓導致像素之間之發光亮度的一差異，因而減損螢幕均勻度。
因此，在每一像素中提供補償及校正功能，以確保該有機EL元件的IV特徵不會隨著時間劣化及該驅動電晶體的臨限電壓Vth不會隨著時間變化，因而保持該有機EL元件的發光亮度不變(例如，參照日本專利特許公開案第2005－345722號)。該補償功能補償由於像素之間的電晶體造成之有機EL元件之特徵的變化。
如上述，每一像素具有補償及校正功能，以使得補償啟 動動作。該校正功能針對由於該啟動動作造成之有機EL元件之特徵的變化來校正該驅動電晶體之臨限電壓Vth的變化，及校正該驅動電晶體之臨限電壓Vth的變化。此確保該有機EL元件的IV特徵不會隨著時間劣化，及該驅動電晶體的臨限電壓Vth不會隨著時間變化，因而保持該有機EL元件的發光亮度不變。
在日本專利特許公開案第2005－345722號所述的相關技術中，在逐像素列的基礎上經由一信號線供應的一視訊信號係藉由一寫入電晶體(取樣電晶體)取樣，且寫入至該驅動電晶體的閘極電極。然後，導通連接至該驅動電晶體之汲極的切換電晶體。此造成一電流流過該驅動電晶體，因此達成該啟動動作。
更明確言之，由於一電流流過該驅動電晶體，所以該驅動電晶體的源極電位增加。此時，該驅動電晶體的閘極電極係浮動的，因為該寫入電晶體並未導通。所以，由於將一保持電容連接在該驅動電晶體之閘極電極及源極電極之間的動作，閘極電位隨著源極電位增加而增加。此即為啟動動作。
在此啟動動作中，該驅動電晶體之源極電位Vs的增量△Vs以及相同電晶體之閘極電位Vg的增量△Vg理想上係彼此相等。即，一啟動增益Gbst(＝△Vg/△Vs)，也就是該源極電位Vs之該增益△Vs及該閘極電位Vg之該增益△Vg之間的比例係1。
然而，在寄生電容耦合至該閘極電極的情況中，在該寄生電容及保持電容之間共用電荷。此減小該啟動增益Gbst，使該閘極電位Vg之該增益△Vg小於該源極電位Vs之該增益△Vs(下文將描述其細節)。
即，該驅動電晶體之閘極至源極電位差係小於該啟動動作開始前。此造成不可能固定一如流過該有機EL元件之驅動電流所需的電流，即是，適合於由該寫入電晶體寫入之視訊信號電壓的一電流。所以，由該電流決定的像素的發光亮度會縮減，因而造成由於不均勻亮度的劣化影像品質。
在前述的光中，需求提供一種顯示器裝置及具有相同結構之電子設備，其皆可最小化寄生電容且禁止正常啟動動作，使得抑制由該寄生電容造成的發光亮度減小。
根據本發明之一具體實施例的顯示器裝置包括一像素陣列區段、寫入掃描線及校正掃描線。該像素陣列區段包括以一矩陣形式配置的像素。每一像素包括一電光元件；調適以寫入一視訊信號的寫入電晶體；及調適以保持由該寫入電晶體寫入之該視訊信號的保持電容。每一像素進一步包括一驅動電晶體，其調適以基於由該保持電容保持的該視訊信號驅動該電光元件。每一像素又進一步包括一切換電晶體，其調適以選擇性地寫入一參考電位，當作該視訊信號對於該驅動電晶體之閘極電極的一參考。針對該像素陣列區段的每一像素列佈置該寫入掃描線。該寫入掃描線傳達一欲施加的寫入信號至該寫入電晶體的閘極電極。針 對該像素陣列區段的每一像素列佈置該校正掃描線。該校正掃描線傳達一欲施加的校正掃描信號至該切換電晶體的閘極電極。該寫入掃描線提供的方式不會使得其與連接至該驅動電晶體之閘極電極的佈線型樣交叉。
在組態如上述的顯示器裝置及具有相同結構的電子設備中，該寫入掃描線，較佳地係該寫入掃描線及發光控制線兩者不會與連接至該驅動電晶體之閘極電極的佈線型樣交叉。此避免了來自耦合至該驅動電晶體之閘極電極的寄生電容。或者，此最小化耦合至該驅動電晶體之閘極電極的寄生電容。所以，在啟動動作期間的啟動增益Gbst可為1或接近1。此造成有可能固定一適合於由該寫入電晶體寫入之視訊信號電壓的電流，如流過該有機EL元件的驅動電流。
本發明最小化寄生電容且禁止正常啟動動作，因而抑制由該寄生電容造成的發光亮度減小且提供改進的影像品質。
以下將參考附圖說明本發明之較佳具體實施例。
[系統組態]
圖1係說明適用本發明之一主動矩陣顯示器裝置之示意組態的系統組態圖。此處，一主動矩陣有機EL顯示器裝置所做的描述將當成一範例。該有機EL顯示器裝置使用一有機EL元件(有機冷光元件)作為像素(像素電路)之每一者的發光元件，該有機EL元件係一電流驅動電光元件，其發光 亮度根據流過該元件的電流而改變。
如圖1所說明，根據本應用範例的一有機EL顯示器裝置10包括一像素陣列區段30及驅動區段。該像素陣列區段30具有以一矩陣形式二維式配置的像素20。該等驅動區段係佈置於該像素陣列區段30周圍，且係調適以驅動該等像素20。在調適以驅動該等像素20之該等驅動區段之間的是一寫入掃描電路40、發光驅動掃描電路50、第一校正掃描電路60及第二校正掃描電路70、及水平驅動電路80。
該像素陣列區段30通常係形成在一透明絕緣基板上，如一玻璃基板，以提供一平板結構。相同區段30具有針對配置成m列及n行的像素而佈置用於每一像素列的寫入掃描線31－1至31－m之一、發光控制掃描線32－1至32－m之一、第一校正掃描線33－1至33－m之一、及第二校正掃描線34－1至34－m之一。另外，相同區段30具有佈置用於每一像素行的信號線(資料線)35－1至35－n之一。
該像素陣列區段30的像素20亦可以TFT(非晶矽薄膜電晶體)或低溫多晶矽TFT形成。當使用低溫多晶矽TFT時，亦可在一顯示面板(基板)上實行該寫入掃描電路40、發光驅動掃描電路50、第一校正掃描電路60、第二校正掃描電路70及水平驅動電路80，該顯示面板上形成有該像素陣列區段30。
該寫入掃描電路40包括移位暫存器或其它組件。在一視訊信號寫入至該像素陣列區段30的像素20期間，相同電路40循序地分別供應寫入信號WS1至WSm到寫入掃描線31－1 至31－m，以使得以逐列為基礎連續掃描該像素陣列區段30的該等像素20(循序式掃描)。
該發光驅動掃描電路50包括移位暫存器或其它組件。在驅動該等像素20以發光的期間，相同電路50循序地分別供應發光控制信號DS1至DSm到發光控制掃描線32－1至32－m。
第一校正掃描電路60及第二校正掃描電路70包括移位暫存器或其它組件。在校正操作期間(其將於下描述)，相同電路60適當地分別供應第一校正掃描信號AZ11至AZ1m到第一校正掃描線33－1至33－m。相同電路70適當地分別供應第二校正掃描信號AZ21至AZ2m到第二校正掃描線34－1至34－m。
與該寫入掃描電路40的掃描同步，該水平驅動電路80供應一適合於亮度資訊之視訊信號電壓Vsig(以下簡稱為"信號電壓Vsig")給信號線35－1至35－n。該水平驅動電路80例如以逐列(逐線)為基礎寫入該信號電壓Vsig。
(像素電路)
圖2係說明像素(像素電路)20之組態的一特定範例的電路圖。
如圖2所說明，該像素20包括一有機EL元件21，例如當作一發光元件，該有機EL元件21係一種電流驅動電光元件，其發光亮度根據流過該元件的電流而改變。除了相同元件21之外，該像素20還包括一驅動電晶體22、寫入電晶體(取樣電晶體)23、切換電晶體24至26、保持電容27及輔 助電容28作為其組件。
在如上述組態的像素20中，使用N通道TFT當作該驅動電晶體22、寫入電晶體23及切換電晶體25及26。使用一P通道TFT當作該切換電晶體24。然而應注意，驅動電晶體22、寫入電晶體23及切換電晶體24至26之導電率類型的組合於本文中僅為一範例，本發明不受限於此組合。
該有機EL元件21具有其陰極電極連接至一源極電位Vcat(在此情況中為接地電位GND)。該驅動電晶體22係一調適以電流驅動該有機EL元件21的主動元件。該驅動電晶體22具有其源極電極連接至該有機EL元件21的陽極電極，因而形成一源極隨耦器電路。
該寫入電晶體23具有其汲極電極連接至信號線35(35－1至35－n之一)；其源極電極連接至該驅動電晶體22之閘極電極；及其閘極電極連接至掃描線31(31－1至31－m之一)。
該切換電晶體24具有其源極電極連接至一第二源極電位Vccp(於此情況中為正源極電位)；其汲極電極連接至該驅動電晶體22之汲極電極；及其閘極電極連接至發光控制掃描線32(32－1至32－m之一)。
該切換電晶體25具有其汲極電極連接至該寫入電晶體23之另一電極(該驅動電晶體22之閘極電極)；其源極電極連接至一第三源極電位Vofs；及其閘極電極連接至第一校正掃描線33(33－1至33－m之一)。
該切換電晶體26具有其汲極電極連接至一在該驅動電晶體22之源極電極及該有機EL元件21之陽極電極之間的連接 節點N11；其源極電極連接至一第四源極電位Vini(於此情況中為負源極電位)；及其閘極電極連接至第二校正掃描線34(34－1至34－m之一)。
該保持電容27具有其一電極連接至一在該驅動電晶體22之閘極電極及該寫入電晶體23之汲極電極之間的連接節點N12。同一電容27具有另一電極連接至在該驅動電晶體22之源極電極及該有機EL元件21之陽極電極之間的連接節點N11。
該輔助電容28具有其一電極，連接至在該驅動電晶體22之源極電極及該有機EL元件21之陽極電極之間的連接節點N11。該相同電容28具有另一電極，連接至一固定電位，如該源極電位Vccp。該相同電容28係提供用於輔助目的，以補給該有機EL元件21之電容的不足。因此，該相同電容28本質上不是像素20的一組件。
在像素20之其組件係根據以上連接關係連接時，每一組件用作下列功能。
即是，回應於由該寫入掃描電路40經由該寫入掃描線31給定的寫入掃描信號WS，導通該寫入電晶體23。隨著該相同電晶體23導通，其取樣經由該信號線35供應的輸入信號電壓Vsig及寫入該相同電壓Vsig至像素20。由該寫入電晶體23寫入的輸入信號電壓Vsig係施加至該驅動電晶體22之閘極電極，且在同一時間由該保持電容27保持。
當該切換電晶體24導通時，該驅動電晶體22係供應一來自該第二源極電位Vccp的電流。所以，該驅動電晶體22供 應一驅動電流至該有機EL元件21，該驅動電流適合於由該保持電容27保持之該輸入信號電壓Vsig之電壓位準，因而驅動相同元件21(電流驅動)。
該驅動電晶體22係設計以在飽和區域中操作。因此，該驅動電晶體當作一恆定電流源。所以，由下列公式(1)給定的恆定汲極至源極電流Ids係從該驅動電晶體22供應至該有機EL元件21：Ids＝(1/2)．μ(W/L)Cox(Vgs－Vth)2 ………(1)
此處，Vth係該驅動電晶體22的臨限電壓，μ係組成該驅動電晶體22之通道的半導體薄膜的遷移率(該遷移率於下文稱為"驅動電晶體22的遷移率"，W係通道寬度，L係通道長度，Cox係每單位面積的閘極電容，及Vgs係參考源極電位施加至閘極的閘極至源極電壓。
回應於由該發光驅動掃描電路50經由該發光控制掃描線32給定的發光驅動信號DS，導通該切換電晶體24。隨著相同電晶體24導通，其供應一來自該第二源極電位Vccp的電流至該驅動電晶體22。即，該切換電晶體24係一發光控制電晶體，其調適以控制一電流至該驅動電晶體22的供應及中斷，因而控制該有機EL元件21的發光及不發光用於負載驅動(duty driving)。
回應於由該第一校正掃描電路60經由該第一校正掃描線33給定的第一校正掃描信號AZ1，導通該切換電晶體25。隨著相同電晶體25導通，其在該寫入電晶體23寫入該視訊信號電壓Vsig之前，初始化該驅動電晶體22之閘極電位Vg 至第三源極電位Vofs。此處，該第三源極電位Vofs係設定成一作為該視訊信號之參考的電位(參考電位)。
回應於由該第二校正掃描電路70經由該第二校正掃描線34給定的第二校正掃描信號AZ2，導通該切換電晶體26。隨著相同電晶體26導通，其在該寫入電晶體23寫入該視訊信號電壓Vsig之前，初始化該驅動電晶體22之源極電位Vs至第四源極電位Vini。
由於保證該像素20適當操作的一條件，該第四源極電位Vini係設定成低於，自該第三源極電位Vofs減去該驅動電晶體22之臨限電壓Vth所獲得的電位。即，保持階層關係，Vini<Vofs－Vth。
另外，將該有機EL元件21之一臨限電壓Vthel加上該相同元件21之一陰極電位Vcat(於此情況中為接地電位GND)獲得的位準，係設定成高於，自該第三源極電位Vofs減去該驅動電晶體22之臨限電壓Vth所獲得的位準。即，保持階層關係，Vcat＋Vthel>Vofs－Vth(>Vini)。
該保持電容27不僅保持由該寫入電晶體23寫入的視訊信號電壓Vsig，亦保持在顯示週期時該驅動電晶體22之閘極至源極電位差。
(像素結構)
圖3係說明該像素20之斷面結構的一範例的斷面圖。如圖3所述，該像素20包括一絕緣膜202、絕緣拋光膜203及窗口絕緣膜204，其相繼地以此順序形成在一玻璃基板201上。該玻璃基板201具有形成於其上的像素電路，各包括 驅動電晶體22、寫入電晶體23及其它組件，如信號佈線220、閘極電極221、輔助佈線玻璃基板222及通道層223。該像素20亦包括有機EL元件21，其設定在該窗口絕緣膜204的凹陷部分204A。
該有機EL元件21包括一由一金屬或其它物質製成的陽極電極205，形成在該窗口絕緣膜204之凹陷部分204A的底部上。該相同元件21進一步包括一有機層206(電子傳輸層、發光層及電洞傳輸/注入層)，形成在該陽極電極205上。該相同元件21又進一步包括一陰極電極207，一般針對所有像素形成在該有機層206上。該陰極電極207係由，例如一透明導電膜製成。
在該有機EL元件21中，該有機層206係藉由連續地沈積一電洞傳輸層2061、發光層2062、電子傳輸層2063及電子注入層(未顯示)的此順序於該陽極電極205上而形成。然後，一電流從圖2所示的該驅動電晶體22經由該陽極電極205流至該有機層206。此造成電子及電洞在該有機層206之發光層2062中再結合，因而造成發光。
如圖3所述，該有機EL元件21係形成在該玻璃基板201上，其具有形成於其上的像素電路。該相同元件21以一逐像素的基礎經由該絕緣膜202、絕緣拋光膜203及窗口絕緣膜204形成。在其形成之後，一密封基板209經由一鈍化層208與一黏著劑210接合，及該有機EL元件21以該密封基板209密封，因而形成一顯示面板。
(電路操作之說明)
以下將參考圖4的時序波形圖，說明根據本發明應用範例之主動矩陣有機EL顯示器裝置10之基本電路操作，其具有像素20，如上所述組態且以一矩陣形式二維式配置。
圖4說明該等像素20於一特定列上，在由該寫入掃描電路40給定予該等像素20之寫入掃描信號WS(WS1至WSm之一)、由該發光驅動掃描電路50給定予該等像素20之發光驅動信號DS(DS1至DSm之一)、及由該第一校正掃描電路60及第二校正掃描電路70給定予該等像素20之第一校正掃描信號AZ1(AZ11至AZ1m之一)及第二校正掃描信號AZ2(AZ21至AZ2m之一)之間，之驅動期間的時序關係。圖4亦說明該驅動電晶體22之閘極電位Vg及源極電位Vs的變化。
此處，該寫入電晶體23及切換電晶體25及26係N通道電晶體。因此，該寫入掃描信號WS和第一校正掃描信號AZ1及第二校正掃描信號AZ2在高位準(在此範例中為源極電位Vccp，以下稱為"H"位準)為活動(active)的，及在低位準(在此範例中為源極電位Vcat(GND)，以下稱為"L"位準)不活動(inactive)的。另外，該切換電晶體24係一P通道電晶體。因此，該發光驅動信號DS在"L"位準係活動的，及在"H"位準係不活動的。
在時間t1，發光驅動信號DS從"L"改變至"H"位準，使該切換電晶體24不導通(OFF)。在此條件中，於時間t2，第二校正掃描信號AZ2從"L"改變至"H"位準，使該切換電晶體26導通(ON)。
隨著該切換電晶體26導通，第四源極電位Vini經由該切換電晶體26施加至該驅動電晶體22的源極電極。即，在寫入該視訊信號電壓Vsig之前，初始化該驅動電晶體22的源極電位Vs至該源極電位Vini。
此時，如先前提及般保持階層關係，Vini<Vcat＋Vthel。因此，該有機EL元件21係反向偏壓。所以，沒有電流會流過該有機EL元件21，導致其不會發光。
接下來，於時間t3，第一校正掃描信號AZ1從"L"改變至"H"位準，使該切換電晶體25導通。因此，第三源極電位Vofs經由該切換電晶體25施加至該驅動電晶體22的閘極電極。即，在寫入該視訊信號電壓Vsig之前，初始化該驅動電晶體22的閘極電位Vg至該源極電位Vofs。
此時，該驅動電晶體22的閘極至源極電壓Vgs具有Vofs－Vini之值。此時，如先前提及般滿足階層關係，Vofs－Vini>Vth。
<臨限校正週期>
接下來，於時間t4，第二校正掃描信號AZ2從"H"改變至"L"位準，使該切換電晶體26不導通。然後，於時間t5，發光驅動信號DS從"H"改變至"L"位準，使該切換電晶體24導通。所以，一適合於該驅動電晶體22之閘極至源極電壓Vgs的電流會從該源極電位Vccp經由該切換電晶體24流過該相同電晶體22。
此時，該有機EL元件21的陰極電位Vcat係高於該驅動電晶體22的源極電位Vs。因此，該有機EL元件21係反向偏 壓。所以，來自該驅動電晶體22的電流會以下列順序流動，即節點N11、保持電容27、節點N12、切換電晶體25及源極電位Vofs。因此，一適合於該電流的電荷儲存在該保持電容27中。
換句話說，隨著該保持電容27充電，該驅動電晶體22之源極電位Vs將會逐漸地隨著時間從源極電位Vini上升。然後，當一給定時間消逝後，該驅動電晶體22的閘極至源極電壓Vgs會等於該相同電晶體22的臨限電壓Vth，該相同電晶體22將會被截止(cutoff)。
隨著該驅動電晶體22截止，一電流停止流過該相同電晶體22。所以，該驅動電晶體22的閘極至源極電壓Vgs，即臨限電壓Vth，係由該保持電容27所保持，作為一臨限校正電壓。
然後，於時間t6，發光驅動信號DS從"L"改變至"H"位準，使該切換電晶體24不導通。從時間t5至時間t6的此週期係該保持電容27偵測及保持該驅動電晶體22之臨限電壓Vth之期間的時間週期。
此處，為了簡便，從時間t5至時間t6(t5－t6)的此給定週期將稱作"臨限校正週期"。接著，於時間t7，第一校正掃描信號AZ1從"H"改變至"L"位準，使該切換電晶體25不導通。
<信號寫入週期>
接下來，於時間t8，寫入掃描信號WS從"L"改變至"H"位準，使該寫入電晶體23導通，且造成該相同電晶體23取樣 該視訊信號電壓Vsig及寫入此信號至該像素。因此，該驅動電晶體22之閘極電位Vg會變成等於該信號電壓Vsig。
該相同電壓Vsig係由該保持電容27保持。此時，在該寫入電晶體23之取樣的時間點，由於該保持電容27及有機EL元件21之間的電容性耦合，該驅動電晶體22的源極電位Vs相對於該驅動電晶體22的閘極電位Vg的振幅而升高。
此處，假設該有機EL元件21的電容值係標示為Coled，該保持電容27的電容值係Cs，該輔助電容28的電容值係Csub，及該驅動電晶體之閘極電位Vg的增量係△Vg；該驅動電晶體之源極電位Vs的增量△Vs係由下列公式(2)給定：△Vs＝△Vg×{Cs/(Coled＋Cs＋Csub)}………(2)
換句話說，透過取樣藉由該寫入電晶體23寫入的輸入信號電壓Vsig係由該保持電容27保持，使得相同電壓Vsig和由該相同電容27保持的臨限電壓Vth相加。
此時，假設視訊信號的寫入增益(該視訊信號電壓Vsig和由該保持電容27保持的電壓之間的比例)係1(理想值)，則由該保持電容27保持的該電壓係Vsig－Vofs＋Vth。此時，為了較易理解，假設Vofs＝0 V，而該閘極至源極電壓Vgs係Vsig＋Vth。
如上述，該驅動電晶體22之臨限電壓Vth在像素之間的變化以及該相同電壓Vth隨著時間的改變可藉由事先將該臨限電壓Vth保持在該保持電容27中而校正。即，當該驅動電晶體22係由信號電壓Vsig驅動時，該驅動電晶體22的臨限電壓Vth及由該保持電容27保持的臨限電壓Vth彼此扺 消。換句話說，校正該臨限電壓Vth。
臨限電壓Vth的此校正操作容許消去該臨限電壓Vth對於由該驅動電晶體22驅動該有機EL元件21的影響，即使相同電壓Vth在像素之間出現一變化或該相同電壓Vth隨著時間出現一改變。所以，該有機EL元件21的發光亮度可維持不變，而不會受到臨限電壓Vth之變化或其隨時間而改變的影響。
<遷移率校正週期>
然後，於時間t9，發光驅動信號DS從"H"改變至"L"位準，該寫入電晶體23繼續停留在導通狀態，因而使該切換電晶體24導通。所以，開始自該源極電位Vccp至該驅動電晶體22的電流供應。此處，藉由設定Vofs－Vth<Vthel使該有機EL元件21反向偏壓。
當反向偏壓時，該有機EL元件21呈現一簡單的電容性特徵，而非二極體特徵。因此，流過該驅動電晶體22的汲極至源極電流Ids寫入至一合併電容C，其係該保持電容27之電容值Cs、該輔助電容28之電容值Csub、及該有機EL元件21之電容性組件之電容值Coled的總和(＝Cs＋Csub＋Coled)。此寫入造成該驅動電晶體22的源極電位Vs上升。
該驅動電晶體22之源極電位Vs的增量△Vs的作用方式使得其從由該保持電容27保持的驅動電晶體22之閘極至源極電壓Vgs減去，換句話說，使得儲存在該保持電容27中的電荷被放電。此意謂著，應用一負回授。即，該驅動電晶 體22之源極電位Vs的增量△Vs係該負回授的一回授量。此時，該驅動電晶體22之閘極至源極電壓Vgs係Vsig－△Vs＋Vth。
如上述，若流過該驅動電晶體22的電流(汲極至源極電流Ids)係負回授地至該相同電晶體22的閘極輸入(閘極至源極電位差)，則該相同電晶體22之汲極至源極電流Ids與每一像素20中的遷移率μ之相依性可扺消。即，可校正該相同電晶體22在該等像素之間的遷移率μ的變化。
於圖4中，在該寫入掃描信號WS係活動("H"位準週期)及同時該發光驅動信號DS係活動("L"位準週期)之期間的一週期T(週期t9－t10)，即是，在該寫入電晶體23及切換電晶體24兩者皆為導通之期間的週期，係稱為一"遷移率校正週期"。
此處，考慮一驅動電晶體具有相對較高的遷移率μ及另一驅動電晶體具有相對較低的遷移率μ。與具有低遷移率μ之驅動電晶體的源極電位相比，具有高遷移率μ之驅動電晶體的源極電位Vs陡峭地上升。再者，源極電位Vs升的越高，則該驅動電晶體22的閘極至源極電壓Vgs會變得越小。所以，一電流不太可能流動。
即，藉由調整遷移率校正週期T，有可能使相同的汲極至源極電流Ids流過具有不同遷移率μ的驅動電晶體22。若由該遷移率校正週期T決定之該驅動電晶體22的閘極至源極電壓Vgs係由該保持電容27保有，且若適合於該閘極至源極電壓Vgs的電流(汲極至源極電流Ids)從該驅動電晶體 22流至該有機EL元件21，則該相同元件21發光。
發光週期
於時間t10，該寫入掃描信號WS落至"L"位準，使該寫入電晶體23不導通。所以，該遷移率校正週期T結束，且開始一發光週期。在該發光週期中，該驅動電晶體22的源極電位Vs上升至該有機EL元件21的驅動電壓。
換句話說，隨著該寫入電晶體23停止導通，該驅動電晶體22的閘極係從信號線35(35－1至35－n之一)斷連，且保持浮動。因此，該閘極電位Vg將會連同該源極電位Vs透過該保持電容27的啟動動作而一起上升。
接著，隨著該驅動電晶體22的源極電位Vs上升，從該有機EL元件21移除該反向偏壓，進而使該相同元件21正向偏壓。因此，由前述公式(1)給定的恆定汲極至源極電流Ids從該驅動電晶體22流至該有機EL元件21，使該相同元件21實際上開始發光。
此時，該汲極至源極電流Ids及閘極至源極電壓Vgs之間的關係係藉由將公式(1)中的Vgs取代成Vsig－△Vs＋Vth，而由下列公式(3)給定。
Ids＝kμ(Vgs－Vth)2 ＝kμ(Vsig－△Vs)2 ………(3)
其中，k＝(1/2)(W/L)Cox。
從公式(3)可清楚得知，消去了該驅動電晶體22之臨限電壓Vth的項。從該驅動電晶體22供應至該有機EL元件21之汲極至源極電流Ids與該驅動電晶體22之臨限電壓Vth無 關。
基本上，該驅動電晶體22的汲極至源極電流Ids係由視訊信號電壓Vsig決定。換句話說，該有機EL元件21發光的亮度適合於該視訊信號電壓Vsig，且不會受到該驅動電晶體22之臨限電壓Vth在像素之間的變化或其隨著時間改變的影響。
如上述，在該視訊信號電壓Vsig寫入之前，該驅動電晶體22的臨限電壓Vth係事先由該保持電容27保持。所以，可消去(校正)該驅動電晶體22的臨限電壓Vth，使得流過該有機EL元件21的恆定汲極至源極電流Ids不會受到相同電壓Vth在像素之間之變化或其隨著時間改變的影響。此提供一高品質的顯示影像(用於該驅動電晶體22之臨限電壓Vth變化的補償功能)。
另外，從公式(3)可清楚得知，該視訊信號電壓Vsig係以藉由負回授該汲極至源極電流Ids至該驅動電晶體22之閘極輸入的回授量△Vs校正。該回授量△Vs的作用係消除公式(3)之係數部中該遷移率μ的效果。
因此，該汲極至源極電流Ids實質上僅相依於該視訊信號電壓Vsig。即，該有機EL元件21發光的亮度適合於該信號電壓Vsig，且不會受到該驅動電晶體22的臨限電壓Vth在像素之間的變化和其隨著時間改變的影響，或者是不會受到該相同電晶體22的遷移率μ在像素之間的變化和其隨著時間改變的影響。此提供了無條帶效應(banding)或亮度不均的均勻影像品質。
在該遷移率校正週期T(t9－t10)中，該汲極至源極電流Ids係負回授至該驅動電晶體22的閘極輸入，使得以回授量△Vs校正該信號電壓Vsig。因此，扺消該驅動電晶體22之汲極至源極電流Ids與該遷移率μ的相依性，因而允許僅相依於該信號電壓的Vsig的汲極至源極電流Ids流過該有機EL元件21。此確保無該驅動電晶體22的遷移率μ在像素之間的變化或其隨著時間改變所造成之條帶效應或亮度不均的均勻顯示影像品質(用於該驅動電晶體22之遷移率μ的補償功能)。
此處，在具有像素20的有機EL顯示器裝置10中，若有機EL元件21具有長發光時間，則該相同元件21的I－V特徵將會改變；其中各像素包括一電流驅動電光元件，即該有機EL元件21，其配置成一矩陣形式。為此，在該有機EL元件21之陽極電極及該驅動電晶體22之源極電極之間的連接節點N11的電位(該驅動電晶體22的源極電位Vs)亦將改變。
反之，在組態如上述的主動矩陣有機EL顯示器裝置10中，該驅動電晶體22的閘極至源極電壓Vgs由於連接在該驅動電晶體22之閘極電極及源極電極之間的保持電容27的啟動動作之故而維持不變。針對此原因，所以流過該有機EL元件21的電流仍然不會改變。因此，該恆定汲極至源極電流Ids將會繼續流過該有機EL元件21，即使該相同元件21的I－V特徵劣化。此抑制該有機EL元件21之發光亮度的變化(用於該有機EL元件21之一特徵改變的補償功能)。
[像素佈局]
此處，將考慮組成像素20之組件的佈局，即是，五個電晶體22至26、保持電容27及輔助電容28、寫入掃描線31、發光控制掃描線32及第一校正掃描線33及第二校正掃描線34。
(典型像素佈局)
圖5係說明該像素20之一典型佈局中之像素組件的配置的電路圖。圖6示意性說明其平面型樣。
考慮到該像素20的高度有效佈局，一般將如圖5及6所述，分別將該第一校正掃描線33及第二校正掃描線34佈置於像素20之上及之下，將該寫入掃描線31及發光控制掃描線32佈置於該掃描線33及34之間，及配置該等像素組件於該掃描線31及32之上及之下。
更明確言之，該寫入電晶體23及切換電晶體25係佈置於該第一校正掃描線33及寫入掃描線31之間的區域中。該驅動電晶體22、切換電晶體26、及保持電容27和輔助電容28係佈置於該發光控制掃描線32及第二校正掃描線34之間的區域中。
此典型佈局係基於最小化調適以電連接該等佈線層之接觸部分之數目的概念，以確保組件配置的效率。應注意，調適以傳達視訊信號電壓Vsig的信號線35，及分別調適以傳達源極電位Vccp、Vofs及Vini的源極線36、37及38係沿著像素行佈置(在像素的行方向中)。
在圖6的平面型樣圖中，該寫入掃描線31、發光控制掃 描線32、第一校正掃描線33及第二校正掃描線34、及該等電晶體22至26的閘極電極係佈置於該玻璃基板201上(見圖3)，作為使用鉬(Mo)或其它材料的第一層。該等電晶體22至26的半導體層係形成作為使用多晶矽(PS)或其它材料的第二層。該信號線35及源極線36、37及38係佈置作為使用鋁(Al)或其它材料的第三層。
由圖3所示的像素結構中可明顯看出此等佈線層之間的位置關係。一絕緣膜位在該第一層及該第二層之間的中間，及另一絕緣膜位在該第二層及該第三層之間的中間。從圖6可清楚得知，採用上述的典型佈局會使調適以電連接該等佈線層之接觸部分的數目可能大約保持在12個。
然而應注意，在以上典型佈局中，一調適以電連接該驅動電晶體22的閘極電極、該寫入電晶體23的源極電極、及該切換電晶體25的汲極電極之佈線型樣306係與該寫入掃描線31及發光控制掃描線32的佈線型樣交叉(圖5及6之虛線圍住的區域)。
[歸因於寄生電容的問題]
如上述，因為該驅動電晶體22之閘極電極的佈線型樣306與該寫入掃描線31及發光控制掃描線32的佈線型樣交叉，所以一寄生電容會經由該絕緣膜(對應於圖3之絕緣膜202)形成在該交叉區域中。此寄生電容作為一耦合至該驅動電晶體22之閘極電極的寄生電容(Cp)(見圖2)。
理想上，在上述的啟動動作中，該驅動電晶體之源極電位Vs的增量△Vs應該等於該相同電晶體之閘極電位Vg的增 量△Vg。即是，啟動增益Gbst應為1。然而，一耦合至該驅動電晶體22之閘極電極的寄生電容導致電荷分布在該寄生電容及保持電容27之間，因而減少該啟動增益Gbst。
此處，假設耦合至該驅動電晶體22之閘極電極的寄生電容的電容值係標示為Cp，該啟動增益Gbst可由下列公式表示：Gbst＝△Vg/△Vs＝Cs/(Cs＋Cp)………(4)從公式(4)可明顯得知，耦合至該驅動電晶體22之閘極電極的寄生電容的該電容值Cp越大，則該啟動增益Gbst下降的越多。
若該啟動增益Gbst下降，則該閘極電位Vg的增量△Vg變成小於該源極電位Vs的增量△Vs。所以，該驅動電晶體22之閘極至源極電位差係小於當啟動動作開始時。此造成不可能固定一適合於由該寫入電晶體23寫入之視訊信號電壓Vsig的電流，如流過該有機EL元件21之驅動電流。所以，該有機EL元件21的發光亮度縮減，因而導致由於亮度不均的劣化影像品質。
[本發明具體實施例的特徵]
針對此理由，本發明具體實施例確保藉由設計用於組成該像素20之組件(即，五個電晶體22至26、保持電容27及輔助電容28)及用於該等佈線(即，寫入掃描線31、發光控制掃描線32及第一校正掃描線33及第二校正掃描線34，及特別係用於該寫入掃描線31及發光控制掃描線32)的一新佈局，免除耦合至該驅動電晶體22之閘極電極的寄生電 容。
(根據本發明具體實施例的像素佈局)
圖7係說明根據本發明之具體實施例的像素20於一佈局中之組件配置的電路圖。圖8示意性說明其平面型樣。在圖7及8中，由如圖5及6中相同的參考數字指示同樣組件。
如圖7及8所述，在根據本發明具體實施例的像素20佈局中，該第一校正掃描線33及第二校正掃描線34係沿著像素列(像素的列方向中)分別佈置於該像素20之上及之下。該寫入掃描線31及發光控制掃描線32係沿著該像素列進一步朝該掃描線33及34外佈置。組成該像素20的組件，即是五個電晶體22至26、保持電容27及輔助電容28係佈置於該第一校正掃描線33及第二校正掃描線34之間。
該源極電位Vccp的源極線36係沿著像素行佈置在左邊且朝該像素20之組件外佈置。另外，調適以傳達該視訊信號電壓Vsig的信號線35，及分別調適以傳達該源極電位Vofs、Vini的源極線37、38係沿著該像素行佈置在右邊且朝該像素20之組件外佈置。
在圖8的平面型樣圖中，該寫入掃描線31、發光控制掃描線32、第一校正掃描線33及第二校正掃描線34、及該等電晶體22至26的閘極電極係佈置於該玻璃基板201上(見圖3)，作為使用鉬(Mo)或其它材料的第一層。該等電晶體22至26的半導體層係形成作為使用多晶矽(PS)或其它材料的第二層。該信號線35及源極線36、37及38係佈置作為使用鋁(Al)或其它材料的第三層。
此處，該寫入掃描線31係朝該第一校正掃描線33外佈置，即是，在該寫入電晶體23的相對側，於該寫入掃描線31及寫入電晶體23之間的第一校正掃描線33。因此，在該寫入電晶體23之閘極電極及該寫入掃描線31之間使用以下描述的佈線結構。
即，在該寫入電晶體23之閘極電極(第一層之上的Mo佈線)及沿著像素行佈置的一佈線型樣(第三層之上的Al佈線)302之間的接點係由一接觸部分301所建立。在該佈線型樣302及寫入掃描線31之間的接點係由一接觸部分303所建立。此確保該寫入掃描線31的電連接。
另外，該發光控制掃描線32係朝該第二校正掃描線34外佈置，即是，在該切換電晶體24的相對側，於該發光控制掃描線32及切換電晶體24之間的第二校正掃描線34。因此，在該切換電晶體24之閘極電極及該發光控制掃描線32之間使用以下描述的佈線結構。
即，在該切換電晶體24之閘極電極(第一層之上的Mo佈線)及沿著像素行佈置的一佈線型樣(第三層之上的Al佈線)305之間的接點係由一接觸部分304所建立。在第一層之上的該佈線型樣305及發光控制掃描線32之間的接點係由一接觸部分306所建立。此確保該發光控制掃描線32的電連接。
(本發明具體實施例的有利功效)
在本發明具體實施例中，從圖7及8的前述描述中可清楚得知，在每一像素中具有至少該驅動電晶體22、連接至該 驅動電晶體22之閘極電極的寫入電晶體23、及切換電晶體25的主動矩陣有機EL顯示器裝置10具有一有利佈線結構。即是，該寫入掃描線31，及較佳係該寫入掃描線31和發光控制掃描線32不會和連接至該驅動電晶體22之閘極電極的佈線型樣交叉，即，調適以電連接該驅動電晶體22之閘極電極、該寫入電晶體23之源極電極、及該切換電晶體25之汲極電極的佈線型樣306。
更明確言之，該第一校正掃描線33係朝其中佈置有該像素20之組件的區域外佈置。該寫入掃描線31進一步朝該第一校正掃描線33外佈置。該寫入掃描線31係經由佈線型樣302電連接至該寫入電晶體23之閘極電極，該佈線型樣302係形成在不同於掃描線31及33之佈線層(於此範例為第一層)的佈線層上(於此範例為第三層)。此避免了該寫入掃描線31與連接至該驅動電晶體22之閘極電極的佈線型樣306交叉。
另外，該發光控制掃描線32係佈置在該寫入掃描線31之相對側，於該像素20之組件係佈置在該發光控制掃描線32及寫入掃描線31之間的區域中。該發光控制掃描線32係經由佈線型樣305電連接至該切換電晶體24(發光控制電晶體)的閘極電極，該佈線型樣305係形成在不同於發光控制掃描線32之佈線層(於此範例為第一層)的佈線層上(於此範例為第三層)。此避免了該發光控制掃描線32與連接至該驅動電晶體22之閘極電極的佈線型樣306交叉。
如上述，該寫入掃描線31，及較佳係該寫入掃描線31和 發光控制掃描線32兩者皆不會和連接至該驅動電晶體22之閘極電極的佈線型樣306交叉。更明確言之，該寫入掃描線31係佈置在其中佈置有該像素20之組件的區域之其一側上，而該發光控制掃描線32係佈置在另一側上。此確保免除耦合至該驅動電晶體22之閘極電極的寄生電容。
此處，該寫入掃描線31及發光控制掃描線32兩者皆不會與連接至該驅動電晶體22之閘極電極的佈線型樣306交叉。然而，和當該寫入掃描線31及發光控制掃描線32與先前提及之佈線型樣306交叉時相比，即使至少該寫入掃描線31不會與該佈線型樣306交叉，仍可減少耦合至該驅動電晶體22之閘極電極的寄生電容。
如上述，藉由確保免除或最小化耦合至該驅動電晶體22之閘極電極的寄生電容，在啟動動作期間的啟動增益Gbst可為1或接近1。此造成有可能固定一適合於由該寫入電晶體23寫入之視訊信號電壓Vsig的電流，如流過該有機EL元件21的驅動電流。此提供了抑制由該寄生電容造成的發光亮度減小。所以，可抑制該有機EL元件21之發光亮度減小，因而提供改進的影像品質。
與使用前述典型佈局的情況相比，本發明具體實施例要求四個以上的接觸部分。此等額外的接觸部分係兩個接觸部分301、303，其調適以電連接該寫入掃描線31及該寫入電晶體23的閘極電極，及另兩個接觸部分304、306，其調適以電連接該發光控制掃描線32及該切換電晶體24的閘極電極。然而，其可說明，藉由最小化寄生電容及禁止正常 啟動動作所提供的改進影像品質的價值超過於要求再多幾個接觸部分的缺點。
[修改範例]
在以上具體實施例中，該有機EL顯示器裝置所做的描述將當成一範例，其具有的每一像素包含五個電晶體，即驅動電晶體22、寫入電晶體23、及切換電晶體24至26。然而，本發明不受限於此應用範例，而可適用於一般具有至少該驅動電晶體22、連接至該驅動電晶體22之閘極電極的寫入電晶體23、及切換電晶體25的有機EL顯示器裝置。
另外，在以上具體實施例中，於適用本發明於一使用有機EL元件之有機EL顯示器裝置的情況中所做的描述將當成一範例。然而，本發明不受限於此應用範例，而可適用於一般具有像素的平板顯示器裝置，各像素含有一電光元件且以一矩陣形式配置。
[應用範例]
根據上述之本發明的顯示器裝置係適用為跨越所有領域之電子設備的一顯示器裝置，包含圖9至13所示的設備，即是，一數位相機、膝上型個人電腦、如行動電話的行動終端裝置、及數位攝影機。這些設備係設計以顯示一影像，或一視訊信號饋送至或產生在該電子設備內的視訊。
如上述，若使用為跨越所有領域之電子設備的一顯示器裝置，則根據本發明之該顯示器裝置最小化寄生電容且禁止正常啟動動作，因而抑制由該寄生電容造成的發光亮度減小。此在任何類型的電子設備中於顯示器螢幕上提供了 改進的影像品質。
應注意，根據本發明之顯示器裝置包括一以模組形式具有密封組態之顯示器裝置。此一顯示器裝置對應於藉由附接一相反區段(例如由透明玻璃製成)至該像素陣列區段30所形成的一顯示器模組。除了如濾色片及保護膜的膜之外，前述的光遮蔽膜可提供在透明的相反區段上。亦應注意，調適以允許信號或其它資訊在外部設備及像素陣列區段之間互換的一電路區段、撓性印刷電路(FPC)或其它電路可提供在該顯示器模組上。
以下將描述適用本發明之電子設備的特定範例。
圖9係說明適用本發明之一電視機的透視圖。根據本發明應用範例的該電視機包括一視訊顯示螢幕區段101，其例如由一前板102、濾光玻璃103及其它零件構成。該電視機係藉由使用根據本發明之該顯示器裝置作為該視訊顯示螢幕區段101而製造。
圖10A及10B係說明適用本發明之一數位相機的透視圖。圖10A係從該數位相機前方所見的透視圖，及圖10B係從後方所見的透視圖。根據本發明應用範例的該數位相機包括一發閃光區段111、顯示區段112、功能表開關113、快門按鈕114及其它零件。該數位相機係藉由使用根據本發明之該顯示器裝置作為該顯示區段112而製造。
圖11係說明適用本發明之一膝上型個人電腦的透視圖。根據本發明應用範例之該膝上型個人電腦包括一主體121、一調適以操控文字或其它資訊登錄的鍵盤122、一調 適以顯示一影像的顯示區段123、及其它零件。該膝上型個人電腦係藉由使用根據本發明之該顯示器裝置作為該顯示區段123而製造。
圖12係說明適用本發明之一數位攝影機的透視圖。根據本發明應用範例之該數位攝影機包括一主體區段131、提供在前面側表面上以成像物體的鏡頭132、開始/停止成像開關133、顯示區段134、及其它零件。該數位攝影機係藉由使用根據本發明之該顯示器裝置作為該顯示區段134而製造。
圖13A至13G係說明適用本發明之一行動終端裝置如行動電話的透視圖。圖13A係該行動電話處於打開位置的前視圖。圖13B係其側視圖。圖13C係該行動電話處於閉合位置的前視圖。圖13D係左側視圖。圖13E係右側視圖。 圖13F係俯視圖。圖13G係仰視圖。根據本發明應用範例之該行動電話包括一上部外殼141、下部外殼142、連接區段(於此範例中為轉軸區段)143、顯示器144、次要顯示器145、圖片光146、相機147、及其它零件。該行動電話係藉由使用根據本發明之該顯示器裝置作為該顯示器144及次要顯示器145而製造。
熟習此項技術者應瞭解，可根據設計要求與其他因素而進行各種修改、組合、子組合與變更，只要其在隨附申請專利範圍或其等效物之範疇內即可。
10‧‧‧有機EL顯示器裝置
20‧‧‧像素
21‧‧‧有機EL元件
22‧‧‧驅動電晶體
23‧‧‧寫入電晶體(取樣電晶體)
24‧‧‧切換電晶體
25‧‧‧切換電晶體
26‧‧‧切換電晶體
27‧‧‧保持電容
28‧‧‧輔助電容
30‧‧‧像素陣列區段
31‧‧‧寫入掃描線
32‧‧‧發光控制掃描線
33‧‧‧第一校正掃描線
34‧‧‧第二校正掃描線
35‧‧‧信號線(資料線)
36‧‧‧源極線
37‧‧‧源極線
38‧‧‧源極線
40‧‧‧寫入掃描電路
50‧‧‧發光驅動掃描電路
60‧‧‧第一校正掃描電路
70‧‧‧第二校正掃描電路
80‧‧‧水平驅動電路
101‧‧‧視訊顯示螢幕區段
102‧‧‧前板
103‧‧‧濾光玻璃
111‧‧‧發閃光區段
112‧‧‧顯示區段
113‧‧‧功能表開關
114‧‧‧快門按鈕
121‧‧‧主體
122‧‧‧鍵盤
123‧‧‧顯示區段
131‧‧‧主體區段
132‧‧‧鏡頭
133‧‧‧開始/停止成像開關
134‧‧‧顯示區段
141‧‧‧上部外殼
142‧‧‧下部外殼
143‧‧‧連接區段
144‧‧‧顯示器
145‧‧‧次要顯示器
146‧‧‧圖片光
147‧‧‧相機
201‧‧‧玻璃基板
202‧‧‧絕緣膜
203‧‧‧絕緣拋光膜
204‧‧‧窗口絕緣膜
204A‧‧‧凹陷部分
205‧‧‧陽極電極
206‧‧‧有機層
207‧‧‧陰極電極
208‧‧‧鈍化層
209‧‧‧密封基板
210‧‧‧黏著劑
220‧‧‧信號佈線
221‧‧‧閘極電極
222‧‧‧輔助佈線玻璃基板
223‧‧‧通道層
301‧‧‧接觸部分
302‧‧‧佈線型樣
303‧‧‧接觸部分
304‧‧‧接觸部分
305‧‧‧佈線型樣
306‧‧‧佈線型樣
2061‧‧‧電洞傳輸層
2062‧‧‧發光層
2063‧‧‧電子傳輸層
AZ1‧‧‧第一校正掃描信號
AZ2‧‧‧第二校正掃描信號
DS‧‧‧發光控制信號
N11‧‧‧連接節點
N12‧‧‧連接節點
Vcat‧‧‧源極電位
Vccp‧‧‧第二源極電位
Vini‧‧‧第四源極電位
Vofs‧‧‧第三源極電位
Vg‧‧‧驅動電晶體之閘極電位
Vs‧‧‧驅動電晶體之源極電位
WS‧‧‧寫入掃描信號
圖1係說明根據本發明之一應用範例的一有機EL顯示器 裝置之示意組態的系統組態圖；圖2係說明一像素(像素電路)之組態的一特定範例的電路圖；圖3係說明該像素之斷面結構的一範例的斷面圖；圖4係描述根據本發明之該應用範例的有機EL顯示器裝置之基本電路操作的時序波形圖；圖5係說明一典型佈局中之像素組件的配置的電路圖；圖6係示意性說明一典型佈局中之像素組件的平面型樣圖；圖7係說明根據本發明之一具體實施例的一佈局中之像素組件的配置的電路圖；圖8係概略性說明根據本發明之該具體實施例的佈局中之像素組件的平面型樣圖；圖9係說明適用本發明之一電視機外觀的透視圖；圖10A及10B係說明適用本發明之一數位相機外觀的透視圖；圖10A係從前方所見的透視圖及圖10B係從後方所見的透視圖；圖11係說明適用本發明之一膝上型個人電腦外觀的透視圖；圖12係說明適用本發明之一數位攝影機外觀的透視圖；以及圖13A至13G係說明適用本發明之一行動電話的外形視圖；圖13A及13B分別係該行動電話處於打開位置的前視圖；圖13B係其之側視圖；圖13C係該行動電話處於閉合 位置的前視圖；圖13D係其之左側視圖；圖13E係其之右側視圖；圖13F係其之俯視圖；圖13G係其之仰視圖。
20‧‧‧像素
22‧‧‧驅動電晶體
23‧‧‧寫入電晶體(取樣電晶體)
24‧‧‧切換電晶體
25‧‧‧切換電晶體
26‧‧‧切換電晶體
28‧‧‧輔助電容
31‧‧‧寫入掃描線
32‧‧‧發光控制掃描線
33‧‧‧第一校正掃描線
34‧‧‧第二校正掃描線
35‧‧‧信號線(資料線)
37‧‧‧源極線
38‧‧‧源極線
301‧‧‧接觸部分
302‧‧‧佈線型樣
303‧‧‧接觸部分
304‧‧‧接觸部分
305‧‧‧佈線型樣
306‧‧‧佈線型樣
AZ1‧‧‧第一校正掃描信號
AZ2‧‧‧第二校正掃描信號
DS‧‧‧發光控制信號
Vccp‧‧‧第二源極電位
Vini‧‧‧第四源極電位
Vofs‧‧‧第三源極電位
WS‧‧‧寫入掃描信號

Claims (3)

  1. 一種顯示器裝置，其包含：一像素陣列區段，該像素陣列區段具有以一矩陣形式配置的像素，每一該等像素包括一電光元件；一寫入電晶體，其經調適以寫入一視訊信號；一保持電容，其經調適以保持由該寫入電晶體寫入的該視訊信號；一驅動電晶體，其經調適以基於由該保持電容所保持之該視訊信號來驅動該電光元件；以及一切換電晶體，其經調適以選擇性地寫入一參考電位，當作該視訊信號對該驅動電晶體之閘極電極之一參考；一寫入掃描線，其係佈置用於該像素陣列區段的每一像素列，且經調適以傳達一欲施加的寫入信號至該寫入電晶體的一閘極電極；以及一校正掃描線，其經佈置用於該像素陣列區段的每一該等像素列，且經調適以傳達一欲施加的校正掃描信號至該切換電晶體的一閘極電極，該校正掃描線係朝該像素陣列區段外佈置；及其中該寫入掃描線的一佈線結構不會與連接至該驅動電晶體之該閘極電極的一佈線型樣交叉，且該寫入掃描線係進一步朝該校正掃描線外佈置，並經由另一佈線型樣電連接至該寫入電晶體的該閘極電極，該佈 線型樣係形成於不同於該寫入掃描線之一佈線層的一佈線層上。
  2. 如請求項1之顯示器裝置，其中該像素進一步包括一發光控制電晶體，其經調適以控制該電光元件的發光及不發光；該發光控制掃描線經調適以傳達一欲施加的發光驅動信號至該發光控制電晶體的一閘極電極，該發光控制掃描線係佈置在該寫入掃描線之相對側，於其間佈置有該像素之組件的區域中；以及該發光控制掃描線係經由一佈線型樣電連接至該發光控制電晶體的該閘極電極，該佈線型樣係形成於不同於該發光控制掃描之一佈線層的一佈線層上。
  3. 一種電子設備，其包含一顯示器裝置，包括一像素陣列區段，該像素陣列區段具有以一矩陣形式配置的像素，每一該等像素包括：一電光元件；一寫入電晶體，其經調適以寫入一視訊信號；一保持電容，其經調適以保持由該寫入電晶體寫入的該視訊信號；一驅動電晶體，其經調適以基於由該保持電容所保持的該視訊信號來驅動該電光元件；以及一切換電晶體，其經調適以選擇性地寫入一參考電位，當作該視訊信號對該驅動電晶體之閘極電極 之一參考；一寫入掃描線，其係佈置用於該像素陣列區段的每一像素列，且經調適以傳達一欲施加的寫入信號至該寫入電晶體的一閘極電極；以及一校正掃描線，其係佈置用於該像素陣列區段的每一該等像素列，且經調適以傳達一欲施加的校正掃描信號至該切換電晶體的一閘極電極，該校正掃描線係朝該像素陣列區段外佈置；及其中該寫入掃描線的一佈線結構不會與連接至該驅動電晶體之該閘極電極的一佈線型樣交叉，且該寫入掃描線係進一步朝該校正掃描線外佈置，並經由另一佈線型樣電連接至該寫入電晶體的該閘極電極，該佈線型樣係形成於不同於該寫入掃描線之一佈線層的一佈線層上。
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