JP2689916B2 - アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路 - Google Patents

アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路

Info

Publication number
JP2689916B2
JP2689916B2 JP6206078A JP20607894A JP2689916B2 JP 2689916 B2 JP2689916 B2 JP 2689916B2 JP 6206078 A JP6206078 A JP 6206078A JP 20607894 A JP20607894 A JP 20607894A JP 2689916 B2 JP2689916 B2 JP 2689916B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
light emitting
emitting element
current control
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6206078A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0854835A (ja
Inventor
直康 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP6206078A priority Critical patent/JP2689916B2/ja
Priority to US08/512,643 priority patent/US5714968A/en
Publication of JPH0854835A publication Critical patent/JPH0854835A/ja
Priority to US08/941,026 priority patent/US5940053A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2689916B2 publication Critical patent/JP2689916B2/ja
Priority to US09/291,978 priority patent/US6011529A/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイに用いら
れる発光素子の駆動装置に関し、特に有機及び無機EL
(エレクトロルミネンス)、又はLED(発光ダイオー
ド)等のような発光輝度が素子を流れる電流により制御
される電流制御型発光素子の駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】有機及び無機EL、又はLED等のよう
な発光素子をアレイ状に組み合わせ、ドットマトリクス
により文字表示を行うディスプレイは、テレビ、携帯端
末等に広く利用されている。
【0003】特に、自発光素子を用いたこれらのディス
プレイは、液晶を用いたディスプレイと異なり、照明の
ためのバックライトを必要としない、視野角が広い等の
特徴を有し、注目を集めている。
【0004】中でも、トランジスタ等とこれらの発光素
子とを組み合わせてスタティック駆動を行うアクティブ
マトリクス型と呼ばれるディスプレイは、ダイナミック
駆動を行う単純マトリクス駆動のディスプレイと比較し
て、高輝度、高コントラスト、高精細等の優位性を持っ
ており近年注目されている。
【0005】この種のディスプレイの従来例として、図
7に、Society for Information Display発行の1990年
秋期大会予稿集『Eurodisplay '90』の第216〜219頁の
発表から引用した、発光素子にELを使用したアクティ
ブマトリクス型ディスプレイの発光素子駆動回路を示
す。
【0006】図7を参照して、この駆動回路では、トラ
ンジスタ35のゲートに接続された走査線36が選択さ
れて活性化されると、トランジスタ35がオン状態とな
り、トランジスタ35に接続されたデータ線37から信
号がコンデンサ38に書き込まれる。コンデンサ38は
トランジスタ41のゲート・ソース間電圧を決定する。
【0007】そして、走査線36が非選択となりトラン
ジスタ35がオフ状態になると、コンデンサ38の両端
間の電圧は次の周期に走査線36が選択されるまで保持
される。
【0008】コンデンサ38の両端間の電圧に応じて、
電源電極39→EL素子40→トランジスタ41のドレ
イン−ソース→共通電極42という経路に沿って電流が
流れ、この電流によりEL素子40が発光する。
【0009】一般的にコンピュータの端末、パソコンの
モニタ、テレビ等の動画表示を行うためには、各画素の
輝度が変化する階調表示が出来ることが望ましい。
【0010】図7の駆動回路において階調表示を行うに
は、トランジスタ41のゲート・ソース電極間に閾値付
近の電圧を印加する必要がある。
【0011】しかし、トランジスタのゲート電圧・ソー
ス電流特性に、図8に示すようなばらつきがあると、例
えば図7のトランジスタ41のゲート電極にゲート電圧
VAを印加した場合、トランジスタ41に流れる電流は
IA(実線で示す曲線とVAとの交点)とIB(破線で
示す曲線とVAとの交点)のように異なるため、EL素
子40に流れる電流も変わり、本来ならば同じ輝度であ
るはずの領域の輝度が異なり、このため、例えば輝度む
ら等の画質劣化が生じることになる。
【0012】この問題を解決するため、特開平2−14
8687号公報には、素子の閾値付近でのばらつきがあ
っても、この影響を受けずに階調表示を行うELディス
プレイ装置が提案されている。
【0013】図9を参照して、特開平2−148687
号公報に提案される回路を説明する。図9は、図7の点
線内の電流制御回路43に対応する回路部を示してお
り、16階調表示を行う場合についての例を示すもので
あり、データ線の本数は4本に増加している。
【0014】図9において、44〜47は発光素子駆動
用のトランジスタ、48はカレントミラー回路、49は
発光素子、50はトランジスタの各ソース端子及び発光
素子が接続された共通電極の抵抗成分である。トランジ
スタ44〜47のドレイン電極は共通接続されてカレン
トミラー回路48の入力端に接続されている。
【0015】図9において、4ビット入力より階調に対
応した組み合わせの信号電圧がトランジスタ44〜47
のゲート電圧として印加される。そして、トランジスタ
44〜47のうちオン状態のトランジスタに流れる電流
の合計値と同一の電流値がカレントミラー回路48の出
力端から発光素子49に供給され、その電流値に応じて
発光素子49が発光する。
【0016】例えばトランジスタ44〜47がオン時の
電流値の対数をとった値をそれぞれ倍になるようにすれ
ば(即ち、I2はI1の2倍、I3はI2の2倍(=I
1の22倍)、I4はI3の2倍(=I1の23倍)とす
れば)、トランジスタ44〜47のオンする組み合わせ
により16階調の表示を行うことができる。なお、I1
〜I4はトランジスタ44〜47がオン状態時のソース
電流をそれぞれ表している。
【0017】このときトランジスタを図8のゲート電圧
VBに対応する電流が飽和した領域の電圧で使用するよ
うにすれば、トランジスタの閾値付近での特性がばらつ
いていても、その影響を受けるがことなく、輝度のばら
つきも生じない。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】上述の駆動回路におい
て発光素子が最大輝度になった場合、回路にはトランジ
スタ44〜47のソース電流I1〜I4とカレントミラ
ー回路48に流れる電流(I1+I2+I3+I4)の
合計(I1+I2+I3+I4)×2の電流が流れる。
【0019】この場合、実際に素子の発光に寄与してい
る電流は(I1+I2+I3+I4)であり、残りの
(I1+I2+I3+I4)の電流はトランジスタで消
費され、発光には寄与しない。
【0020】近時パソコン、ワークステーション等の端
末では、表示画面の背景を白とし、文字等を黒で表示す
る表示方法が多く用いられているが、このような表示方
法を上記駆動回路で行なう場合、発光に寄与しない消費
電力が増大するという問題が生じる。
【0021】更に、トランジスタ44〜47と発光素子
49の端子のうちカレントミラー回路48に接続されて
いない側の端子が共通に接続される共通電極は抵抗50
を有するため、電流が流れることにより共通電極におい
て電圧降下が生じる。
【0022】この駆動回路において輝度が変化すると、
抵抗50で生じる電圧降下が変動するため、駆動電圧
は、輝度が低い場合は小さいが、輝度が高い場合には大
きくなるというように、輝度依存性を持つことになる。
【0023】更に、上記例では、発光素子が1つの場合
について説明を行ったが、複数の駆動回路が接続された
場合には、別の発光素子の輝度によりトランジスタの駆
動電圧が変化するという問題も生じる。
【0024】従って、本発明は、前記問題点を解消し、
階調表示を行うアクティブマトリクス型の発光素子の駆
動回路において、最大輝度時に回路に流れる電流を従来
の駆動回路よりも小さくする駆動回路を提供することを
目的とする。更に本発明は、共通電極に流れる最大電流
を従来よりも小さくし、共通電極の抵抗成分により生じ
る電圧降下に伴う駆動回路の上昇を抑える駆動回路を提
供することを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の電流制御型発光素子の駆動回路は、素子に
流れる電流に応じて輝度が変化する発光素子からなる画
素を選択するための走査線と、前記画素を駆動するため
の電圧を供給するデータ線とが基板上にマトリクス状に
配設され、前記走査線と前記データ線との交差部に、前
記発光素子に流れる電流を制御する電流制御トランジス
タと、前記データ線に印加された電圧を前記走査線が選
択時に前記電流制御トランジスタの動作電流を決定する
制御電極に印加するスイッチングトランジスタと、前記
発光素子と、を含むアクティブマトリクス型の電流制御
型発光素子の駆動回路において、前記電流制御トランジ
スタを1又は複数備え、前記発光素子は前記1又は複数
の電流制御トランジスタと互いに電気的に並列形態に接
続され、前記1又は複数の電流制御トランジスタの電流
が流れる電極と前記発光素子の一側の電極との共通接続
点に定電流源を接続して成ることを特徴とするものであ
る。
【0026】また、本発明においては、前記1又は複数
の電流制御トランジスタの電流が流れる他側の電極と前
記発光素子の他側の電極が共通電極に共通接続されてい
ることを特徴としている。前記1又は複数の電流制御ト
ランジスタの電流が流れる他側の電極は、例えば電流制
御トランジスタがnチャネル型トランジスタの場合、好
ましくはソース電極とされる。
【0027】さらに、本発明においては、前記1又は複
数の電流制御トランジスタに流れるオン電流の合計が前
記定電流源が供給する定電流値に略等しいか又はそれ以
上とされ、前記1又は複数の電流制御トランジスタが全
てオン状態時に前記発光素子が発光しないように制御さ
れることを特徴とする。
【0028】そして、本発明においては、好ましくは、
前記データ線の信号電圧に、共通電極の抵抗成分に定電
流源の一定電流値を乗じて成る電圧が直流バイアス電圧
として印加される。
【0029】さらにまた、本発明は、前記電流制御型発
光素子の駆動回路を複数個用いた発光素子アレイであっ
て、前記電流制御型発光素子の電流を決定する前記電流
制御トランジスタのソース電極が共通に接続されている
ことを特徴とする電流制御型発光素子アレイを提供す
る。
【0030】
【作用】上記構成のもと、本発明によれば、発光素子が
最大輝度時には、従来例のように電流制御トランジスタ
には電流が流れず、発光素子にのみ電流が流れるように
構成されているため、回路の消費電力を低減化すること
が出来る。例えば本発明に係る回路を用いてアレイを構
成し、表示画面において白背景に黒の文字という様な表
示を行った場合、アレイでの消費電力を従来よりも大幅
に低減することが出来る。
【0031】更に、本発明によれば、共通電極に流れる
最大電流を従来例よりも小さくすることが出来るため、
共通電極の抵抗成分により生じる電圧降下に伴う駆動電
圧の上昇を抑えることが出来る。そして、本発明によれ
ば、共通電極での電圧降下は表示によらず一定とされる
ため、駆動電圧を容易に補正することができる。
【0032】
【実施例】図面を参照して、本発明の実施例を以下に説
明する。
【0033】
【実施例1】図1は本発明の第1の実施例の回路図であ
り、発光素子として電荷注入型の有機薄膜EL素子(以
下「有機薄膜EL素子」と略記する)を用いた場合のも
のである。
【0034】図1において、1は発光素子である有機薄
膜EL素子、2は有機薄膜EL素子1に流れる電流を制
御するトランジスタ、3は有機薄膜EL素子1及びトラ
ンジスタ2に流れる電流として一定電流を供給する定電
流回路(「定電流源」ともいう)、4はトランジスタ2
のゲート・ソース間電圧を決定するコンデンサ、5はコ
ンデンサ4に信号電圧を供給するスイッチングトランジ
スタ、6はスイッチングトランジスタ5を選択する走査
信号を供給する走査線、7は走査線6がオンとされ選択
されたスイッチングトランジスタ5を介してコンデンサ
4に電荷を供給するデータ線、8は有機薄膜EL素子1
に電流を供給する電源電極、9はデータ線7との間の電
位差でトランジスタの動作点を決定する共通電極であ
る。
【0035】ここで、トランジスタ2のゲート電圧とソ
ース電流の関係が図2に示すようなものとされ、また、
有機薄膜EL素子1に流れる電流密度と輝度の関係が図
3に示すような関係にあるものとする。なお、図2にお
いて、縦軸のソース電流の目盛り(単位はmA)は対数
表示とされ、数値1E−3、1E−5等はそれぞれ1×
10-3、1×10-5を表わす。
【0036】また、以下では、本実施例として、有機薄
膜EL素子1を、画素数が横640ドット、縦480ド
ットの対角サイズが24cmのノートパソコン用のディ
スプレイに使用する例について説明する。
【0037】この場合、有機薄膜EL素子1の画素のサ
イズは300μm×300μmである。
【0038】ディスプレイに使用した場合の有機薄膜E
L素子1の発光輝度は、およそ100(cd/m2)必
要とされるため、図3より、有機薄膜EL素子1に流れ
る電流は最大で約1×10-3(mA)であることがわか
る。
【0039】上記条件を前提として、まず図1の定電流
回路3に流れる電流を1×10-3(mA)に設定する。
【0040】次に、本実施例に係る駆動回路の動作につ
いて説明する。
【0041】まず、トランジスタ2のゲート電圧が0
(V)の場合、図2を参照してトランジスタ2に流れる
電流はほぼ0とみなせるため、定電流回路3の電流は全
て有機薄膜EL素子1に流れる。
【0042】このとき、図3を参照して、有機薄膜EL
素子1の輝度は約80(cd/m2)となる。
【0043】次に、トランジスタ2のゲート電圧が5
(V)のときは、図2を参照してトランジスタ2には約
2×10-3(mA)の電流が流れることになるが、定電
流回路3が接続されているため、トランジスタ2には1
×10-3(mA)の電流が流れる。このため、有機薄膜
EL素子1には電流が流れなくなるため、発光は停止す
る。
【0044】そして、トランジスタ2のゲート電圧を5
(V)から0(V)の間に設定することにより、有機薄
膜EL素子1の輝度をトランジスタ2のゲート電圧値に
応じて変化させることができる。
【0045】図4は、本実施例について、共通電極9に
抵抗11が存在する場合の回路図を示している。なお、
図4の回路図は、図1の一点鎖線で示された電流制御回
路10に相当する回路構成を示しており、以下では図1
との相違点のみを説明する。
【0046】図4において、抵抗11に流れる電流は、
トランジスタ2のオン/オフ状態の如何に拘らず常に定
電流回路3に流れる電流に等しい。
【0047】よって、定電流回路3に流れる電流をI
(A)、抵抗11の値をR(Ω)とすると、トランジス
タ2のソース電圧は、常に図1のソース電圧よりもI×
R(V)だけ高くなっているため、予めデータ線7の電
圧にI×R(V)の直流バイアス電圧を印加することに
より、図1の場合と全く同一の電圧・輝度特性を得るこ
とが可能である。
【0048】図5は、本実施例において、トランジスタ
2を複数設けて階調表示を行う場合の回路の1例であ
る。
【0049】電流制御用トランジスタ17は、第1のデ
ータ線12、トランジスタ15、コンデンサ19により
駆動される。またトランジスタ16は、第2のデータ線
13、トランジスタ14、コンデンサ18により駆動さ
れる。また、図面の簡略化のため定電流回路3はその内
部回路を示さずに、定電流源を指示する回路記号(シン
ボル)で表わしている。個々のトランジスタ16及び1
7の駆動方法は、図1を参照して説明したものと同様で
ある。
【0050】本実施例では、トランジスタ16及び17
は共に、オン状態時にドレイン−ソース間に流れる電流
(即ち、オン電流)が約2×10-3(mA)とされ、且
つゲート電圧とソース電流の関係が図2に示す特性を有
するものとし、また、定電流回路3の電流は4×10-3
(mA)と一定である場合について説明する。
【0051】第1のデータ線12、第2のデータ線13
が共に0(V)の場合、トランジスタ16及び17に流
れる電流はほぼ0とみなせるので、図3より、有機薄膜
EL素子1の輝度は約200(cd/m2)になる。
【0052】どちらか一方のデータ線が5(V)になっ
た場合、例えば第1のデータ線12のみが5(V)にな
ったとすると、トランジスタ17には約2×10-3(m
A)の電流が流れるため、有機薄膜EL素子1には2×
10-3(mA)の電流が流れ、輝度は100(cd/m
2)になる。
【0053】データ線12及び13が共に5(V)にな
った場合、トランジスタ16と17には、合計4×10
-3(mA)の電流が流れ、有機薄膜EL素子1には電流
は流れないため、有機薄膜EL素子1は発光しない。
【0054】このように、トランジスタ16及び17の
オン/オフ状態の組み合わせを変えることにより、有機
薄膜EL素子1を用いて階調表示を行うことが可能とな
る。
【0055】なお、本実施例においては、トランジスタ
16及び17のオン電流は互いに同一として説明を行っ
たが、本発明はこれに限らず、トランジスタ16と17
のオン電流の値を変えておけば、トランジスタが両方と
もオンしている場合、トランジスタが両方ともオフして
いる場合、トランジスタ16のみがオンしている場合、
トランジスタ17のみがオンしている場合、の4通りの
階調を得ることができる。
【0056】本実施例では発光素子として有機薄膜EL
素子1を用いたが、本発明はこれに限らず、電流値によ
り輝度が決定する例えば無機EL、LEDのような発光
素子を用いても同様の回路を構成できる。
【0057】また、本実施例ではトランジスタ2がnチ
ャネルのFETの場合を示したが、本発明はこれに限ら
ずpチャネルのFET、バイポーラのトランジスタ等を
使用しても同様の動作を行う回路を構成できることは明
白である。
【0058】更に、定電流回路3もpチャネルのFET
で構成した例を挙げたが、本発明を実施する場合の構成
はこれに限らない。
【0059】また、本実施例においてはトランジスタ2
が2つの場合について述べたが、本発明はこれに限らず
2つ以上のトランジスタを用いて更に階調数を増やした
場合についても同様である。またトランジスタ2のオン
電流が同一である場合について説明したが、オン電流を
変えて輝度を可変できるようにした場合も同様である。
【0060】
【実施例2】次に、本発明の第2の実施例を説明する。
図6は本発明の第2の実施例を示しており、前記実施例
の駆動回路を用いて電流制御型発光素子に有機薄膜EL
素子を使用したマトリクスアレイを作成した場合の等価
回路を、説明のために2画素として示した回路である。
【0061】図6において、20及び21は有機薄膜E
L素子、22及び23は有機薄膜EL素子の電流制御用
のトランジスタ、24及び25は定電流回路、26及び
27はコンデンサ、28及び29はスイッチングトラン
ジスタ、30及び31は走査線、32はデータ線、33
は共通電極、34は共通電極の抵抗成分である。
【0062】いま、定電流回路24及び25の電流値が
どちらもI(A)であるとすると、抵抗34に流れる電
流は、有機薄膜EL素子20及び21に流れる電流の如
何に拘らず常に2×I(A)となり一定である。
【0063】このとき、抵抗34の値をR(Ω)とする
と、抵抗34における電圧降下は2×I×R(V)で一
定となり、有機薄膜EL素子20及び21に流れる電流
により抵抗34での電圧降下の大きさが変わることは無
い。
【0064】このことは、共通電極33の電位が有機薄
膜EL素子20及び21の電流の如何によらず常に一定
であることを示しており、データ線32に印加するトラ
ンジスタ22及び23の電圧に2×I×R(V)分の直
流バイアス電圧を印加しておけば、例えば有機薄膜EL
素子20または21に流れる電流が変化しても、トラン
ジスタ22と23のソース電圧は変化しないため、他の
素子の影響を受けること無く輝度制御することが可能で
ある。
【0065】本実施例では、説明の簡単のために、発光
素子の駆動回路が2つ並んだ最も簡単な場合についての
説明を行ったが、本発明は2つ以上の発光素子の駆動回
路がアレイ化されていても同様の効果を得ることができ
る。
【0066】また、本実施例においては各有機薄膜EL
素子に接続されたトランジスタが1つの場合について説
明したが、前記第1の実施例で説明したように、1つの
発光素子を複数のトランジスタで駆動する場合でも同様
の効果を得ることができることは明白である。
【0067】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
光素子の最大輝度時において回路に流れる電流は、定電
流源から発光素子に流れる電流のみに制御され、電流制
御トランジスタにも発光素子に流れる電流と同一のオン
電流を流す構成とされた従来例と比較して、回路の消費
電流を大幅に低減することができる。
【0068】また、本発明によれば、回路の消費電力を
抑えることが出来るため、例えば本発明に係る回路を用
いてアレイを構成し、表示画面において白背景に黒の文
字というような表示を行った場合、アレイにおける消費
電力を従来よりも大幅に削減することが出来る。
【0069】更に、本発明によれば、共通電極に流れる
最大電流を従来例よりも小さくすることが出来るため、
共通電極の抵抗成分により生じる電圧降下に伴う駆動電
圧の上昇を抑えることが出来る。
【0070】そして、本発明によれば、共通電極におけ
る電圧降下は、表示によらず常に一定とされるため、駆
動電圧の補正が容易化される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の構成を示す回路図であ
る。
【図2】トランジスタのゲート電圧・ドレイン電流特性
の1例を示す図である。
【図3】有機薄膜EL素子の電流輝度特性を示す図であ
る。
【図4】本発明の第1の実施例を説明する第2の回路図
である。
【図5】本発明の第1の実施例を説明する第3の回路図
である。
【図6】本発明の第2の実施例を説明する回路図であ
る。
【図7】従来の発光素子の駆動回路を示す図である。
【図8】トランジスタ特性のばらつきを示す特性図であ
る。
【図9】トランジスタのばらつきを抑制する従来例の回
路図である。
【符号の説明】
1 有機薄膜EL素子 2 トランジスタ 3 定電流回路 4 コンデンサ 5 トランジスタ 6 走査線 7 データ線 8 電源電極 9 共通電極 10 電流制御回路 11 抵抗 12 第1のデータ線 13 第2のデータ線 14〜17 トランジスタ 18、19 コンデンサ 20、21 有機薄膜EL素子 22、23 トランジスタ 24、25 定電流源 26、27 コンデンサ 28、29 コンデンサ 30、31 走査線 32 データ線 33 共通電極 34 抵抗 35 トランジスタ 36 走査線 37 データ線 38 コンデンサ 39 電源電極 40 EL素子 41 トランジスタ 42 共通電極 43 電流制御回路 44〜47 トランジスタ 48 カレントミラー回路 49 発光素子 50 抵抗

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】素子に流れる電流に応じて輝度が変化する
    発光素子からなる画素を選択するための走査線と、前記
    画素を駆動するための電圧を供給するデータ線とが基板
    上にマトリクス状に配設され、前記走査線と前記データ
    線との交差部に、前記発光素子に流れる電流を制御する
    電流制御トランジスタと、前記データ線に印加された電
    圧を前記走査線が選択時に前記電流制御トランジスタの
    動作電流を決定する制御電極に印加するスイッチングト
    ランジスタと、前記発光素子と、を含むアクティブマト
    リクス型の電流制御型発光素子の駆動回路において、 前記電流制御トランジスタを1又は複数備え、前記発光
    素子は前記1又は複数の電流制御トランジスタと互いに
    電気的に並列形態に接続され、前記1又は複数の電流制
    御トランジスタの電流が流れる電極と前記発光素子の一
    側の電極との共通接続点に定電流源を接続して成ること
    を特徴とする電流制御型発光素子の駆動回路。
  2. 【請求項2】前記1又は複数の電流制御トランジスタの
    電流が流れる他側の電極と前記発光素子の他側の電極が
    共通電極に共通接続されていることを特徴とする請求項
    1記載の電流制御型発光素子の駆動回路。
  3. 【請求項3】前記1又は複数の電流制御トランジスタに
    流れるオン電流の合計が前記定電流源が供給する定電流
    値に略等しいか又はそれ以上とされ、前記1又は複数の
    電流制御トランジスタが全てオン状態時に前記発光素子
    が発光しないように制御されることを特徴とする請求項
    1記載の電流制御型発光素子の駆動回路。
  4. 【請求項4】前記データ線の信号電圧に、共通電極の抵
    抗成分に定電流源の一定電流値を乗じて成る電圧を直流
    バイアス電圧として印加することを特徴とする請求項2
    記載の電流制御型発光素子の駆動回路。
  5. 【請求項5】前記請求項1記載の電流制御型発光素子の
    駆動回路を複数個用いた発光素子アレイであって、前記
    電流制御型発光素子の電流を決定する前記電流制御トラ
    ンジスタのソース電極が共通に接続されていることを特
    徴とする電流制御型発光素子アレイ。
JP6206078A 1994-08-09 1994-08-09 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路 Expired - Fee Related JP2689916B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6206078A JP2689916B2 (ja) 1994-08-09 1994-08-09 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
US08/512,643 US5714968A (en) 1994-08-09 1995-08-08 Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device
US08/941,026 US5940053A (en) 1994-08-09 1997-09-30 Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device
US09/291,978 US6011529A (en) 1994-08-09 1999-04-15 Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6206078A JP2689916B2 (ja) 1994-08-09 1994-08-09 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0854835A JPH0854835A (ja) 1996-02-27
JP2689916B2 true JP2689916B2 (ja) 1997-12-10

Family

ID=16517467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6206078A Expired - Fee Related JP2689916B2 (ja) 1994-08-09 1994-08-09 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2689916B2 (ja)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3106953B2 (ja) * 1996-05-16 2000-11-06 富士電機株式会社 表示素子駆動方法
JPH10199674A (ja) * 1996-11-15 1998-07-31 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及び表示装置
JP3281848B2 (ja) * 1996-11-29 2002-05-13 三洋電機株式会社 表示装置
JPH10161563A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Tdk Corp 有機el表示装置
US6462722B1 (en) * 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
JP3988794B2 (ja) * 1997-03-12 2007-10-10 セイコーエプソン株式会社 画素回路、表示装置及び電子機器
JPH10254410A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその駆動方法
WO1998040871A1 (fr) * 1997-03-12 1998-09-17 Seiko Epson Corporation Circuit pixel, afficheur, et equipement electronique a dispositif photoemetteur commande par courant
US5952789A (en) * 1997-04-14 1999-09-14 Sarnoff Corporation Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor
EP0978114A4 (en) * 1997-04-23 2003-03-19 Sarnoff Corp PIXEL STRUCTURE WITH LIGHT EMITTING DIODE AND ACTIVE MATRIX AND METHOD
US6175345B1 (en) * 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
JPH1173158A (ja) 1997-08-28 1999-03-16 Seiko Epson Corp 表示素子
GB9803441D0 (en) * 1998-02-18 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
JP3629939B2 (ja) 1998-03-18 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 トランジスタ回路、表示パネル及び電子機器
JPH11272235A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動回路
JP3252897B2 (ja) * 1998-03-31 2002-02-04 日本電気株式会社 素子駆動装置および方法、画像表示装置
GB9812742D0 (en) * 1998-06-12 1998-08-12 Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
GB9812739D0 (en) 1998-06-12 1998-08-12 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
JP4229513B2 (ja) * 1999-03-10 2009-02-25 三洋電機株式会社 アクティブ型el表示装置
JP2000276108A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd アクティブ型el表示装置
JP4627822B2 (ja) 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2001006484A1 (fr) * 1999-07-14 2001-01-25 Sony Corporation Circuit d'attaque et affichage le comprenant, circuit de pixels et procede d'attaque
JP3733582B2 (ja) * 1999-07-22 2006-01-11 セイコーエプソン株式会社 El表示装置
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
TW493152B (en) * 1999-12-24 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP4152603B2 (ja) * 2000-04-27 2008-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TW522454B (en) * 2000-06-22 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
JP4101863B2 (ja) * 2000-11-07 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、半導体装置及び電子機器
US7030847B2 (en) 2000-11-07 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP3938050B2 (ja) * 2001-03-21 2007-06-27 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス型発光素子の駆動回路
KR100530411B1 (ko) * 2001-03-22 2005-11-22 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 자가 발광 표시 장치
WO2002077958A1 (fr) * 2001-03-22 2002-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Circuit servant a alimenter un element d'emission lumineuse a matrice active
JP5147150B2 (ja) * 2001-07-16 2013-02-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
US6771328B2 (en) * 2001-07-25 2004-08-03 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent device simplifying a fabricating process and a fabricating method thereof
JP3656580B2 (ja) * 2001-08-29 2005-06-08 日本電気株式会社 発光素子駆動回路及びそれを用いた発光表示装置
WO2003027997A1 (fr) 2001-09-21 2003-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ecran et procede de fonctionnement associe
SG120075A1 (en) * 2001-09-21 2006-03-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
JP2003108071A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2002189447A (ja) * 2001-10-01 2002-07-05 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
KR100940342B1 (ko) 2001-11-13 2010-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 구동방법
JP4485119B2 (ja) * 2001-11-13 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
GB0130411D0 (en) * 2001-12-20 2002-02-06 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
JP2003228332A (ja) 2002-02-06 2003-08-15 Toshiba Corp 表示装置
US7474285B2 (en) 2002-05-17 2009-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus and driving method thereof
TWI345211B (en) 2002-05-17 2011-07-11 Semiconductor Energy Lab Display apparatus and driving method thereof
KR100489272B1 (ko) * 2002-07-08 2005-05-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광소자 및 그의 구동방법
KR100515348B1 (ko) * 2002-10-15 2005-09-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2004045251A1 (ja) 2002-11-13 2004-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光装置
JP3922229B2 (ja) * 2003-08-29 2007-05-30 セイコーエプソン株式会社 アレイ基板、表示パネル及び電子機器
CN100456346C (zh) * 2003-12-31 2009-01-28 汤姆森许可贸易公司 图像显示屏幕和寻址所述屏幕的方法
KR100985860B1 (ko) 2005-11-08 2010-10-08 삼성전자주식회사 발광장치 및 그 제어방법
JP4702061B2 (ja) * 2006-01-06 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置
JP2007006508A (ja) * 2006-07-14 2007-01-11 Mitsubishi Electric Corp 携帯機器
JP5439912B2 (ja) 2009-04-01 2014-03-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその駆動方法並びに電子機器
JP5439913B2 (ja) 2009-04-01 2014-03-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその駆動方法、並びに電子機器
EP3525251A1 (en) * 2018-02-09 2019-08-14 Koninklijke Philips N.V. Actuator device using current-addressed electroactive polymer

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0854835A (ja) 1996-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2689916B2 (ja) アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
KR100584796B1 (ko) 표시 장치
US7271785B2 (en) Organic electroluminescence display panel and display apparatus using thereof
JP4081852B2 (ja) 有機el素子のマトリクス駆動方法及び有機el素子のマトリクス駆動装置
KR100556541B1 (ko) 전기 광학 장치 및 그 구동 장치
US7042162B2 (en) Light emitting device
KR100475526B1 (ko) 액티브 매트릭스형 발광소자의 구동회로
JP3989718B2 (ja) メモリ一体型表示素子
US8878756B2 (en) Pixel circuit including a first switching element section showing a saturation characteristic and a second switching element section showing a linear characteristic and display device including the pixel circuit
US7285797B2 (en) Image display apparatus without occurence of nonuniform display
KR20030071631A (ko) 디스플레이 디바이스, 발광 디바이스, 및 전자 장비
US8487845B2 (en) Semiconductor device and driving method thereof
US8068074B2 (en) Pixel drive circuit for electroluminescent element
US7463224B2 (en) Light emitting device and display device
JP2005134880A (ja) 画像表示装置,その駆動方法,及びプリチャージ電圧設定方法
JP2002278497A (ja) 表示パネル及びその駆動方法
JP3923341B2 (ja) 半導体集積回路およびその駆動方法
US20040246208A1 (en) Driving method of light emiting device and electronic apparatus
JP2003150108A (ja) アクティブマトリックス基板及びそれを用いた電流制御型発光素子の駆動方法
JP2002287664A (ja) 表示パネルとその駆動方法
JP4460841B2 (ja) 有機発光素子を用いた表示装置
JP2002287683A (ja) 表示パネルとその駆動方法
JP4112248B2 (ja) 発光装置、電子機器
JP4889926B2 (ja) 表示装置、及びその駆動方法
JP2004138946A (ja) アクティブマトリクス型表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970729

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070829

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 14

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 14

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829

Year of fee payment: 16

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees