JP3106953B2 - 表示素子駆動方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は有機薄膜発光素子
を用いた表示素子の安定な駆動方法に関する。
を用いた表示素子の安定な駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機薄膜発光素子は、発光に必要な駆動
電圧が低く、各種発光材料の適用により発光色の選択が
可能であることから、近年においてその研究が活発化し
ている（例えば米国特許３，５３０，３２５号）。その
中でも発光効率を向上させる目的で、陽極／正孔注入層
／発光層／陰極からなる積層型の有機薄膜発光素子を用
いて、１０Ｖ以下の駆動電圧で１０００Ｃｄ／ｍ2 以上
の輝度が得られたという報告（特開昭５７−５１７８１
号公報）がなされて以来、研究に拍車がかけられた。
電圧が低く、各種発光材料の適用により発光色の選択が
可能であることから、近年においてその研究が活発化し
ている（例えば米国特許３，５３０，３２５号）。その
中でも発光効率を向上させる目的で、陽極／正孔注入層
／発光層／陰極からなる積層型の有機薄膜発光素子を用
いて、１０Ｖ以下の駆動電圧で１０００Ｃｄ／ｍ2 以上
の輝度が得られたという報告（特開昭５７−５１７８１
号公報）がなされて以来、研究に拍車がかけられた。
【０００３】図９は従来の有機薄膜発光素子を示す断面
図である。支持体である透明な基板１上に、透明導電膜
である陽極２、有機材料である正孔注入層３、発光層
４、電子注入層５、及び金属材料である陰極６が形成さ
れる。陰極６は発光層４からの光を反射して基板１から
の光の出射効率を高める機能も合わせ持つものである。
図１０は従来の異なる有機薄膜発光素子を示す断面図で
ある。発光層４に電子注入層５の機能を兼ね備えさせた
構造である。
図である。支持体である透明な基板１上に、透明導電膜
である陽極２、有機材料である正孔注入層３、発光層
４、電子注入層５、及び金属材料である陰極６が形成さ
れる。陰極６は発光層４からの光を反射して基板１から
の光の出射効率を高める機能も合わせ持つものである。
図１０は従来の異なる有機薄膜発光素子を示す断面図で
ある。発光層４に電子注入層５の機能を兼ね備えさせた
構造である。
【０００４】上述のような従来の有機薄膜発光素子は、
発光を継続するとともに素子の抵抗が増加し、このため
に定電圧で素子の駆動を継続すると、画素を流れる電流
の減少が起こりこのために発光の減衰が顕著になる。ま
た上述の素子抵抗の増加の程度は各画素毎に異なり、定
電圧で素子の駆動を継続すると、各画素の劣化状態を反
映する形で残像が現れて、いわゆる画面の焼き付きが起
こる。
発光を継続するとともに素子の抵抗が増加し、このため
に定電圧で素子の駆動を継続すると、画素を流れる電流
の減少が起こりこのために発光の減衰が顕著になる。ま
た上述の素子抵抗の増加の程度は各画素毎に異なり、定
電圧で素子の駆動を継続すると、各画素の劣化状態を反
映する形で残像が現れて、いわゆる画面の焼き付きが起
こる。
【０００５】さらに高品質の表示を行う際に要求される
階調表示を素子の輝度によって実現しようとする際に
は、素子の電源電圧により制御を行うと、制御の電圧幅
が狭いために各画素の劣化状態の差異によって上述の焼
き付きが顕著に現われ表示品質が悪くなる。図３は画素
を流れる電流と印加電圧の関係を示す線図である。特性
線１１は駆動初期の電流電圧特性であり、特性線１２は
所定時間経過後のものである。駆動初期の印加電圧と電
流の関係１１は基本的に指数関数に類似の関数であり、
電圧とともに電流は急激に立ち上る。駆動時間が長くな
るとともに特性線は１２のように変化し、初期の電圧１
３のまま駆動を継続すれば電流は初期値１４から１５に
まで減少する。有機薄膜発光素子の発光は注入された電
荷の再結合によるものであり、駆動に伴う劣化により効
率は低下するが基本的には電流値に比例するものである
から発光量は電流とともに急激に低下する。従って有機
薄膜発光素子の駆動方法としては素子全体に流れる電流
を一定に保って駆動する方法が一般に行われている。こ
の場合に電流は初期値１４に維持するために素子は印加
電圧を１６に上昇して駆動される。
階調表示を素子の輝度によって実現しようとする際に
は、素子の電源電圧により制御を行うと、制御の電圧幅
が狭いために各画素の劣化状態の差異によって上述の焼
き付きが顕著に現われ表示品質が悪くなる。図３は画素
を流れる電流と印加電圧の関係を示す線図である。特性
線１１は駆動初期の電流電圧特性であり、特性線１２は
所定時間経過後のものである。駆動初期の印加電圧と電
流の関係１１は基本的に指数関数に類似の関数であり、
電圧とともに電流は急激に立ち上る。駆動時間が長くな
るとともに特性線は１２のように変化し、初期の電圧１
３のまま駆動を継続すれば電流は初期値１４から１５に
まで減少する。有機薄膜発光素子の発光は注入された電
荷の再結合によるものであり、駆動に伴う劣化により効
率は低下するが基本的には電流値に比例するものである
から発光量は電流とともに急激に低下する。従って有機
薄膜発光素子の駆動方法としては素子全体に流れる電流
を一定に保って駆動する方法が一般に行われている。こ
の場合に電流は初期値１４に維持するために素子は印加
電圧を１６に上昇して駆動される。
【０００６】図４は有機薄膜発光素子の輝度と駆動時間
の関係を示す線図である。特性線１０は定電流で素子を
駆動したときの特性であり、特性線９は素子を定電圧で
駆動したときの特性である。図に示すように定電流で駆
動すると効率の低下により輝度は駆動時間とともに次第
に減少するが、定電圧で駆動する場合に比較してはるか
に特性低下が少ない。
の関係を示す線図である。特性線１０は定電流で素子を
駆動したときの特性であり、特性線９は素子を定電圧で
駆動したときの特性である。図に示すように定電流で駆
動すると効率の低下により輝度は駆動時間とともに次第
に減少するが、定電圧で駆動する場合に比較してはるか
に特性低下が少ない。
【０００７】例えば前述の図１０に示す素子を用いた場
合には、初期輝度100Cd/m2で定電圧で素子を連続駆動す
ると、約20時間で輝度は半減する。これに対し定電流と
なるよう電圧を補償しながら駆動すると、同じ素子でも
約 500時間の輝度半減期を得ることができる。このよう
に定電流で素子を駆動することが有機薄膜発光素子の寿
命延長に有効なことは良く知られている。
合には、初期輝度100Cd/m2で定電圧で素子を連続駆動す
ると、約20時間で輝度は半減する。これに対し定電流と
なるよう電圧を補償しながら駆動すると、同じ素子でも
約 500時間の輝度半減期を得ることができる。このよう
に定電流で素子を駆動することが有機薄膜発光素子の寿
命延長に有効なことは良く知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うな定電流による素子の駆動方法は、寿命の延長には有
効であるが、各画素の劣化の不均一性に起因する焼き付
きを抑制することができず、また階調による高品質な表
示も行うことができないという問題があった。この発明
は上述の点に鑑みてなされその目的は、定電流駆動の方
法に改良を加え、焼き付きが少なく高品質表示が可能な
表示素子の駆動方法を提供することにある。
うな定電流による素子の駆動方法は、寿命の延長には有
効であるが、各画素の劣化の不均一性に起因する焼き付
きを抑制することができず、また階調による高品質な表
示も行うことができないという問題があった。この発明
は上述の点に鑑みてなされその目的は、定電流駆動の方
法に改良を加え、焼き付きが少なく高品質表示が可能な
表示素子の駆動方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば有機薄膜発光素子を用いる表示素子の駆動方法で
あって、表示動作時は、表示素子を構成する各画素へ電
流を供給する電源電圧を表示動作時電圧（Ｖ１）とし、
測定動作時は、表示素子を構成する画素毎に前記電源電
圧を測定動作時電圧（Ｖ２）として印加して画素に流れ
る電流（ｉ）を検出し、該電流検出値（ｉ）と前記各画
素へ供給すべき所定の電流値（ｉ１）とを比較し、前記
電流検出値（ｉ）と前記所定電流値（ｉ１）との差が所
定の範囲となるように前記測定動作時電圧（Ｖ２）を変
化させ、前記差が所定範囲となった時の測定動作時電圧
（Ｖ２）を表示動作時電圧（Ｖ１）として設定すること
により達成される。上述の発明において前記画素に流れ
る電流（ｉ）を、前記表示素子のデータラインに設けた
電流検出用抵抗に測定動作時電圧を印加し、前記電流検
出用抵抗両端の電位差から求め、前記測定動作の次の測
定動作では測定動作時電圧（Ｖ２）の初期値を、前記表
示動作時電圧（Ｖ１）に前記電流検出値（ｉ）と前記電
流検出用抵抗の抵抗値（Ｒ０）との積を加えた値とし、
前記測定動作のための画素の電源電圧の操作は、表示動
作同時もしくは表示動作の前に予め行うことが有効であ
る。
よれば有機薄膜発光素子を用いる表示素子の駆動方法で
あって、表示動作時は、表示素子を構成する各画素へ電
流を供給する電源電圧を表示動作時電圧（Ｖ１）とし、
測定動作時は、表示素子を構成する画素毎に前記電源電
圧を測定動作時電圧（Ｖ２）として印加して画素に流れ
る電流（ｉ）を検出し、該電流検出値（ｉ）と前記各画
素へ供給すべき所定の電流値（ｉ１）とを比較し、前記
電流検出値（ｉ）と前記所定電流値（ｉ１）との差が所
定の範囲となるように前記測定動作時電圧（Ｖ２）を変
化させ、前記差が所定範囲となった時の測定動作時電圧
（Ｖ２）を表示動作時電圧（Ｖ１）として設定すること
により達成される。上述の発明において前記画素に流れ
る電流（ｉ）を、前記表示素子のデータラインに設けた
電流検出用抵抗に測定動作時電圧を印加し、前記電流検
出用抵抗両端の電位差から求め、前記測定動作の次の測
定動作では測定動作時電圧（Ｖ２）の初期値を、前記表
示動作時電圧（Ｖ１）に前記電流検出値（ｉ）と前記電
流検出用抵抗の抵抗値（Ｒ０）との積を加えた値とし、
前記測定動作のための画素の電源電圧の操作は、表示動
作同時もしくは表示動作の前に予め行うことが有効であ
る。
【００１０】有機薄膜発光素子を用いた表示素子は、各
画素毎に劣化の程度が異なるから、各画素の印加電圧を
操作して各画素につき電流値が所定の値となるように制
御される。電流値は定値制御，発光効率の変化を付加し
た追値制御により所定値に制御される。このようにして
抵抗変化や発光効率の変化等に起因する画素間の劣化の
不均一性が補償される。また階調信号を付加した追値制
御により表示素子の高品質な階調表示を行うことができ
る。
画素毎に劣化の程度が異なるから、各画素の印加電圧を
操作して各画素につき電流値が所定の値となるように制
御される。電流値は定値制御，発光効率の変化を付加し
た追値制御により所定値に制御される。このようにして
抵抗変化や発光効率の変化等に起因する画素間の劣化の
不均一性が補償される。また階調信号を付加した追値制
御により表示素子の高品質な階調表示を行うことができ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】各画素の走査は、陽極と陰極の組
合わせを走査ラインとデータラインの組合わせとして用
いて行う。各画素の電流制御は、各画素の電源電圧を表
示動作の前に予め独立に操作して設定し次いで表示動作
を行って電流値を所定値に制御する方法、または各画素
の電源電圧を表示動作と同時に操作して電流値を所定値
に制御する方法を用いる。
合わせを走査ラインとデータラインの組合わせとして用
いて行う。各画素の電流制御は、各画素の電源電圧を表
示動作の前に予め独立に操作して設定し次いで表示動作
を行って電流値を所定値に制御する方法、または各画素
の電源電圧を表示動作と同時に操作して電流値を所定値
に制御する方法を用いる。
【００１２】各画素の電源電圧を表示動作の前に予め独
立に操作し次いで表示動作を行う前者の場合には、例え
ば素子駆動電源に抵抗素子を直列に付加挿入し、抵抗素
子の電圧降下により画素に流れる電流を測定し、画素に
対する印加電圧を調節する動作を表示動作の前に予め行
うことにより達成することができる。電流制御を表示動
作と同時に行う後者の場合には、例えばトランジスタを
用いる定電流回路により高速度の表示動作を行うことが
できる。
立に操作し次いで表示動作を行う前者の場合には、例え
ば素子駆動電源に抵抗素子を直列に付加挿入し、抵抗素
子の電圧降下により画素に流れる電流を測定し、画素に
対する印加電圧を調節する動作を表示動作の前に予め行
うことにより達成することができる。電流制御を表示動
作と同時に行う後者の場合には、例えばトランジスタを
用いる定電流回路により高速度の表示動作を行うことが
できる。
【００１３】階調表示は、有機薄膜発光素子の輝度が電
流に比例することから、表示動作の前または表示動作と
同時に階調電流信号を入力して行うことができる。
流に比例することから、表示動作の前または表示動作と
同時に階調電流信号を入力して行うことができる。
【００１４】
実施例１ 表示素子としては、対角寸法 10.4 インチ、画素数が６
４０×４８０の所謂ＶＧＡクラスの表示素子を用いた。
画面は画素数が６４０ｘ２４０の２分割として各画面は
６０Ｈｚの周期で走査される。走査ラインは２４０本の
ラインを持つ陰極を用いた。６４０本のラインを持つ有
機薄膜発光素子の陽極はデータラインとした。
４０×４８０の所謂ＶＧＡクラスの表示素子を用いた。
画面は画素数が６４０ｘ２４０の２分割として各画面は
６０Ｈｚの周期で走査される。走査ラインは２４０本の
ラインを持つ陰極を用いた。６４０本のラインを持つ有
機薄膜発光素子の陽極はデータラインとした。
【００１５】図５はこの発明の実施例に係る表示素子の
画素とライン列を示す要部説明図である。データライン
列１８と走査ライン列１７の立体交差部が画素１９であ
る。素子は厚さ0.5mm の平面ガラス基板１上に、陽極２
のパターンを形成した後、有機層である正孔注入層３、
発光層４を形成した。有機層の膜厚は、それぞれ50nm,
70nm である。正孔注入層３、発光層４には、それぞれ
以下に示すジアミン化合物、アルミキレート化合物を用
いた。
画素とライン列を示す要部説明図である。データライン
列１８と走査ライン列１７の立体交差部が画素１９であ
る。素子は厚さ0.5mm の平面ガラス基板１上に、陽極２
のパターンを形成した後、有機層である正孔注入層３、
発光層４を形成した。有機層の膜厚は、それぞれ50nm,
70nm である。正孔注入層３、発光層４には、それぞれ
以下に示すジアミン化合物、アルミキレート化合物を用
いた。
【００１６】
【化１】
【００１７】
【化２】
【００１８】次に陰極６のパターンを膜厚200nm で形成
した。陰極６はＭｇＩｎ合金（Ｉｎ含有率５体積％）を
用いた。最後に封止層７としてフッ素樹脂をガラスウー
ルに含浸させたものを形成した。このように構成した表
示素子の各データライン列に測定兼電源回路２８を接続
した。図１はこの発明の実施例に係る表示素子の測定兼
電源回路を示すブロック図である。
した。陰極６はＭｇＩｎ合金（Ｉｎ含有率５体積％）を
用いた。最後に封止層７としてフッ素樹脂をガラスウー
ルに含浸させたものを形成した。このように構成した表
示素子の各データライン列に測定兼電源回路２８を接続
した。図１はこの発明の実施例に係る表示素子の測定兼
電源回路を示すブロック図である。
【００１９】図２はこの発明の実施例に係る表示素子の
測定兼電源回路の接続を示すブロック図である。表示動
作時にはスイッチ２１がオンであり電源２４からの電流
はスイッチ２１を通って表示素子の画素に供給される。
抵抗２０には電流は流れない。スイッチ２１がオフとな
ると画素に流れる電流の測定が行われ電流は抵抗２０を
通って画素に供給される。抵抗２０の両端の電位差をも
とに、演算回路２２では以下のような演算を行う。
測定兼電源回路の接続を示すブロック図である。表示動
作時にはスイッチ２１がオンであり電源２４からの電流
はスイッチ２１を通って表示素子の画素に供給される。
抵抗２０には電流は流れない。スイッチ２１がオフとな
ると画素に流れる電流の測定が行われ電流は抵抗２０を
通って画素に供給される。抵抗２０の両端の電位差をも
とに、演算回路２２では以下のような演算を行う。
【００２０】 ｉ＝Ｖ0 ／Ｒ0 Ｒ0 ：抵抗２０の抵抗値 Ｖ0 ：抵抗２０の両端の電位差 ｉ ：画素に流れる電流値 Ｖ1 ＝Ｖ2 −Ｖ0 Ｖ2 ：測定動作時の電源電圧 Ｖ1 ：表示動作時の電源電圧 測定で得られたｉと、画素に流す所定の電流値ｉ1 を比
較することにより、電源電圧Ｖ2 を補正し、再度測定動
作を行う。ｉ1 とｉの差が許容範囲となった時点でＶ1
を電源電圧として設定するとともに、メモリー２３に記
憶する。次の測定動作時には、Ｖ2 の初期値をＶ1 ＋ｉ
×Ｒ0 と設定することにより測定を短時間で終了するこ
とが可能である。
較することにより、電源電圧Ｖ2 を補正し、再度測定動
作を行う。ｉ1 とｉの差が許容範囲となった時点でＶ1
を電源電圧として設定するとともに、メモリー２３に記
憶する。次の測定動作時には、Ｖ2 の初期値をＶ1 ＋ｉ
×Ｒ0 と設定することにより測定を短時間で終了するこ
とが可能である。
【００２１】測定兼電源回路２８は各データラインに１
対１で取り付け、測定時間の短縮を図っている。画素の
電源電圧を操作し設定し記憶したのちに画素の表示動作
が行われる。上述のように電源電圧の操作、設定、記憶
の測定動作を表示動作の前に表示と独立に行う場合に
は、測定と表示とを分離することにより高速な表示を安
定して行うことができる。また電流計測に必要な付加抵
抗を表示動作時に切り離して消費電力を低下を図ること
ができる。一般に表示素子では、各画素の発光時間は、
パネルの走査線の数，走査周期，時間分割による階調表
示等の必要性で決定される。例えばＶＧＡクラスの表示
素子では、おおよそ７０マイクロ秒以下のパルス発光と
なるため、電流の駆動は高速の応答性を持つことが必要
である。素子の劣化は駆動パルスの時間領域と比較して
はるかに遅いために劣化の補償は高速であることを要し
ない。たとえば付加抵抗素子による各画素の電流特性の
測定を、表示素子の使用開始前に行ったり、焼きつき補
正スイッチ等により随時行うことができる。 実施例２ 表示素子としては、対角寸法 5.2 インチ ピクセル数
が３２０×２４０の所謂１／４ＶＧＡクラスの表示素子
を用いた。画面は画素数が３２０×１２０の２分割とし
て各画面は６０Ｈｚの周期で走査される。走査ラインは
１２０本のラインで有機薄膜発光素子の陰極を用いた。
データラインは３２０本のラインで有機薄膜発光素子の
陽極を用いた。
対１で取り付け、測定時間の短縮を図っている。画素の
電源電圧を操作し設定し記憶したのちに画素の表示動作
が行われる。上述のように電源電圧の操作、設定、記憶
の測定動作を表示動作の前に表示と独立に行う場合に
は、測定と表示とを分離することにより高速な表示を安
定して行うことができる。また電流計測に必要な付加抵
抗を表示動作時に切り離して消費電力を低下を図ること
ができる。一般に表示素子では、各画素の発光時間は、
パネルの走査線の数，走査周期，時間分割による階調表
示等の必要性で決定される。例えばＶＧＡクラスの表示
素子では、おおよそ７０マイクロ秒以下のパルス発光と
なるため、電流の駆動は高速の応答性を持つことが必要
である。素子の劣化は駆動パルスの時間領域と比較して
はるかに遅いために劣化の補償は高速であることを要し
ない。たとえば付加抵抗素子による各画素の電流特性の
測定を、表示素子の使用開始前に行ったり、焼きつき補
正スイッチ等により随時行うことができる。 実施例２ 表示素子としては、対角寸法 5.2 インチ ピクセル数
が３２０×２４０の所謂１／４ＶＧＡクラスの表示素子
を用いた。画面は画素数が３２０×１２０の２分割とし
て各画面は６０Ｈｚの周期で走査される。走査ラインは
１２０本のラインで有機薄膜発光素子の陰極を用いた。
データラインは３２０本のラインで有機薄膜発光素子の
陽極を用いた。
【００２２】素子は実施例１と同様の方法により製作し
た。図６はこの発明の異なる実施例に係る表示素子の測
定回路を示すブロック図である。図７はこの発明の異な
る実施例に係る表示素子につき測定回路の接続を示すブ
ロック図である。
た。図６はこの発明の異なる実施例に係る表示素子の測
定回路を示すブロック図である。図７はこの発明の異な
る実施例に係る表示素子につき測定回路の接続を示すブ
ロック図である。
【００２３】データライン列に測定回路２５、電源回路
２６、スイッチング回路２７Ａ，２７Ｂが取り付けられ
る。測定回路２５は実施例１に示した測定兼電源回路２
８と同様の機能を果たすものであり、演算結果は各デー
タラインの電源回路２６へ転送される。スイッチング回
路２７Ａ，２７Ｂは、表示動作と測定動作の切替えとと
もに、各データライン列の測定動作を順次走査する機能
を持つ。この方式は測定回路を個別のライン毎に必要と
せず１式の測定回路で足りる利点がある。
２６、スイッチング回路２７Ａ，２７Ｂが取り付けられ
る。測定回路２５は実施例１に示した測定兼電源回路２
８と同様の機能を果たすものであり、演算結果は各デー
タラインの電源回路２６へ転送される。スイッチング回
路２７Ａ，２７Ｂは、表示動作と測定動作の切替えとと
もに、各データライン列の測定動作を順次走査する機能
を持つ。この方式は測定回路を個別のライン毎に必要と
せず１式の測定回路で足りる利点がある。
【００２４】上記実施例の他に測定回路２５を複数個と
して、実施例１と２の中間の方法をとることも勿論可能
である。 実施例３ 素子の構成および製作は実施例２に述べたものと同様で
ある。図８はこの発明のさらに異なる実施例に係る表示
素子の測定兼電源回路を示す接続図である。
して、実施例１と２の中間の方法をとることも勿論可能
である。 実施例３ 素子の構成および製作は実施例２に述べたものと同様で
ある。図８はこの発明のさらに異なる実施例に係る表示
素子の測定兼電源回路を示す接続図である。
【００２５】測定兼電源回路２８Ｂは図２に示す測定兼
電源回路２８に替えて各ライン列に取り付けられる。測
定兼電源回路２８Ｂは電圧−電流変換回路である。入力
としてはデジタルデータを用いた。測定兼電源回路２８
Ｂの詳細を以下に説明する。オペアンプ２９の正入力に
は、駆動回路３１の制御（階調）電圧信号を与える。オ
ペアンプの出力はトランジスタ３０のベースへ接続す
る。トランジスタ３０のエミッタは抵抗３３を介して接
地される。トランジスタのコレクタは画素３２の陰極に
接続する。オペアンプ２９が動作することにより、制御
（階調）電圧信号の電位Viとトランジスタ３０のエミッ
タ電位が一致するところまでトランジスタのベース電位
が変化する。したがってエミッタ電位は常に入力と等し
くなるようにコレクタ電流が調節され、この電流が画素
を流れる。抵抗３３の抵抗値およびトランジスタの電力
損失によって電源電圧が調整される。また有機薄膜発光
素子の正極に接続する走査回路については、通常のＦＥ
Ｔを使用してスイッチ動作を行わせた。 実施例４ 階調表示を行わせるために、駆動回路３１としてＤＡコ
ンバータを用いその出力をオペアンプ２９の正入力にす
る以外は実施例３と同様にした。ＤＡコンバータ出力
は、階調に比例した電圧を発生すればよい。このとき有
機薄膜発光素子の輝度はほぼ階調入力に比例しており、
容易に階調表示を行うことができる。
電源回路２８に替えて各ライン列に取り付けられる。測
定兼電源回路２８Ｂは電圧−電流変換回路である。入力
としてはデジタルデータを用いた。測定兼電源回路２８
Ｂの詳細を以下に説明する。オペアンプ２９の正入力に
は、駆動回路３１の制御（階調）電圧信号を与える。オ
ペアンプの出力はトランジスタ３０のベースへ接続す
る。トランジスタ３０のエミッタは抵抗３３を介して接
地される。トランジスタのコレクタは画素３２の陰極に
接続する。オペアンプ２９が動作することにより、制御
（階調）電圧信号の電位Viとトランジスタ３０のエミッ
タ電位が一致するところまでトランジスタのベース電位
が変化する。したがってエミッタ電位は常に入力と等し
くなるようにコレクタ電流が調節され、この電流が画素
を流れる。抵抗３３の抵抗値およびトランジスタの電力
損失によって電源電圧が調整される。また有機薄膜発光
素子の正極に接続する走査回路については、通常のＦＥ
Ｔを使用してスイッチ動作を行わせた。 実施例４ 階調表示を行わせるために、駆動回路３１としてＤＡコ
ンバータを用いその出力をオペアンプ２９の正入力にす
る以外は実施例３と同様にした。ＤＡコンバータ出力
は、階調に比例した電圧を発生すればよい。このとき有
機薄膜発光素子の輝度はほぼ階調入力に比例しており、
容易に階調表示を行うことができる。
【００２６】
【発明の効果】この発明によれば表示素子を構成する各
画素毎に各画素に流れる電流を測定し各画素に流す電流
を表示動作に必要な所定値に制御するので、有機薄膜発
光素子を用いた表示素子のように各画素毎に劣化の程度
が異なる場合においても各画素につき電流値が所定の値
となるように制御され抵抗変化や発光効率の変化等に起
因する画素間の劣化の不均一性が補償される。また階調
信号を付加した追値制御により表示素子の高品質な階調
表示を行うことができる。
画素毎に各画素に流れる電流を測定し各画素に流す電流
を表示動作に必要な所定値に制御するので、有機薄膜発
光素子を用いた表示素子のように各画素毎に劣化の程度
が異なる場合においても各画素につき電流値が所定の値
となるように制御され抵抗変化や発光効率の変化等に起
因する画素間の劣化の不均一性が補償される。また階調
信号を付加した追値制御により表示素子の高品質な階調
表示を行うことができる。
【図１】この発明の実施例に係る表示素子の測定兼電源
回路を示すブロック図
回路を示すブロック図
【図２】この発明の実施例に係る表示素子の測定兼電源
回路の接続を示すブロック図
回路の接続を示すブロック図
【図３】画素を流れる電流と印加電圧の関係を示す線図
【図４】有機薄膜発光素子の輝度と駆動時間の関係を示
す線図
す線図
【図５】この発明の実施例に係る表示素子の画素とライ
ン列を示す要部説明図
ン列を示す要部説明図
【図６】この発明の異なる実施例に係る表示素子の測定
回路を示すブロック図
回路を示すブロック図
【図７】この発明の異なる実施例に係る表示素子につき
測定回路の接続を示すブロック図
測定回路の接続を示すブロック図
【図８】この発明のさらに異なる実施例に係る表示素子
の測定兼電源回路を示す接続図
の測定兼電源回路を示す接続図
【図９】従来の有機薄膜発光素子を示す断面図
【図１０】従来の異なる有機薄膜発光素子を示す断面図
１ 基板 ２ 陽極 ３ 正孔注入層 ４ 発光層 ５ 電子注入層 ６ 陰極 ７ 封止層 ８ 電源 ９ 定電圧駆動したときの輝度変化 10 定電流駆動したときの輝度変化 11 駆動初期の電流電圧特性 12 所定時間経過後の電流電圧特性 13 初期の電圧 14 初期の電流 17 走査ライン列 18 データライン列 19 画素 20 抵抗 21 スイッチ 22 演算回路 23 メモリー 24 電源 25 測定回路 26 電源回路 27A スイッチング回路 27B スイッチング回路 28 測定兼電源回路 28B 測定兼電源回路 29 オペアンプ 30 トランジスタ 31 駆動回路 32 画素 33 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−54835（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−36410（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−36409（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−16123（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−16122（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−148687（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G09G 3/30 G09F 9/33
Claims (4)
- 【請求項１】有機薄膜発光素子を用いる表示素子の駆動
方法であって、表示動作時は、 表示素子を構成する各画素へ電流を供給
する電源電圧を表示動作時電圧とし、 測定動作時は、表示素子を構成する画素に前記電源電圧
を測定動作時電圧として印加して画素に流れる電流を検
出し、該電流検出値と前記各画素へ供給すべき所定の電
流値とを比較し、前記電流検出値と前記所定電流値との
差が所定の範囲となるように前記測定動作時電圧を変化
させ、前記差が所定範囲となった時の測定動作時電圧を
表示動作時電圧として設定 することを特徴とする表示素
子駆動方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の表示素子駆動方法におい
て、前記画素に流れる電流を、前記表示素子のデータラ
インに設けた電流検出用抵抗に測定動作時電圧を印加
し、前記電流検出用抵抗両端の電位差から求めることを
特徴とする表示素子駆動方法。 - 【請求項３】請求項２に記載の表示素子駆動方法におい
て、前記測定動作の次の測定動作では測定動作時電圧の
初期値を、前記表示動作時電圧に前記電流検出値と前記
電流検出用抵抗の抵抗値との積を加えた値とすることを
特徴とする表示素子駆動方法。 - 【請求項４】請求項１乃至請求項３に記載の表示素子駆
動方法において、前記測定動作のための各画素の電源電
圧の操作は、表示動作同時もしくは表示動作の前に予め
行うことを特徴とする表示素子の駆動方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08121172A JP3106953B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 表示素子駆動方法 |
| US08/856,809 US5949194A (en) | 1996-05-16 | 1997-05-15 | Display element drive method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08121172A JP3106953B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 表示素子駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09305145A JPH09305145A (ja) | 1997-11-28 |
| JP3106953B2 true JP3106953B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=14804640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08121172A Expired - Lifetime JP3106953B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 表示素子駆動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5949194A (ja) |
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| JP3985763B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2007-10-03 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
| JP3988794B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2007-10-10 | セイコーエプソン株式会社 | 画素回路、表示装置及び電子機器 |
| JP3988707B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2007-10-10 | セイコーエプソン株式会社 | 画素回路、表示装置及び電子機器 |
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