TW399104B - Anti-etching process and the method thereof - Google Patents
Anti-etching process and the method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- TW399104B TW399104B TW084103709A TW84103709A TW399104B TW 399104 B TW399104 B TW 399104B TW 084103709 A TW084103709 A TW 084103709A TW 84103709 A TW84103709 A TW 84103709A TW 399104 B TW399104 B TW 399104B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- patent application
- nozzle
- cup
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
A7 B7 m 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2,2A :抗蝕劑除去機構 10,220 :旋轉吸頭 14,240 :漏口罩蓋 3 5 :排氣孔 :除去(用)噴嘴 噴嘴 五、發明說明(29 ) 鑕霧氣從處處理2 3 1內排 排液口排出至外部。只在所 就完成了塗敷裝置》 依照上述實施例的方法 至處理空間內,所以可以防 時可以得到均一膜厚的抗蝕 另外,依照上述實施例 將外氣導入至處理空間內, 所以實際上已無殘存在處理 以防止粒子的發生。 另外,依照上述實施例 ,可以將外氣導入至處理空 以防止霧氣附著於基板,因 膜。. 〔符號之說明〕 1 ·’抗蝕劑塗敷機構 3:搬送機構 12,230:回轉罩蓋 3 4 :給氣孔 5 0 :載置台 51,151A 〜151D 5 1 a ,5 1 b :洗淨噴嘴 51c〜51 f :補助洗淨 出。抗蝕劑霧氣的一部分介由 定時間轉動回轉罩蓋2 3 0, ,在抗蝕劑塗敷中將外氣導入 止抗蝕劑霧氣附著在基板,同 劑膜。 的方法,於塗敷過程完了後也 由於處理空間內更換成外氣, 空間內的抗蝕劑霧氣,因而可 的裝置,隨著回轉罩蓋的旋轉 間內,所以於抗蝕劑塗敷中可 而可以形成膜厚均一的抗蝕劑 I — I I I I ^ 1 — — — illnll^-llm — 11^- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) -32 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 __B7_五、發明説明(1 ) 〔產業上之利用領域〕 本發明是關於,在角形狀的被處理基板塗上塗敷液的 處理方法及處理裝置。 〔先行技術〕 於液晶顯示裝置(L C D )的製造過程,因爲在玻璃 基板上形成I TO ( Indium Tin Oxide)的薄膜或電極圖 案,所以被用在半導體裝置的製造過程是利用與實物相同 的光學照像技術及顯像。在圖案複製後的L C D基板,進 而施予洗淨,貼著,冷卻,上抗蝕阻劑,烘焙,曝光,顯 像,沖洗等的一連串處理。 不過,抗蝕劑的膜厚,從塗敷完了經過一段時間後基 板周綠區域形爲比中央區域還厚,造成不平均現象。特別 是在大型的L C D基板抗蝕劑膜厚的不平均更顯著的出現 。若在L C D基板的周緣部形成較厚抗蝕劑膜,於後序的 抗蝕劑除去過程時在基板周綠部就易於殘存一些抗蝕劑膜 。寅外,抗蝕劑液回流至基板的背面側時,附著在背面周 緣部的抗蝕劑未被除去而殘存著。這些殘存的抗蝕劑,在 搬運中剝落而脫離L C D基板形成爲粒子。該粒子會污染 基板。 因爲防止由於抗蝕劑所發生的粒子,所以在抗蝕劑塗 敷後/ €去基板周緣部的抗蝕劑膜。於此塗敷除去過程, 從噴嘴對著基板周緣部噴吹溶劑等。 不過,從基板周緣部除去塗敷膜,由於必須相對移動^ (請先閎讀背面之注意事項茗填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 83. 3. 10,000 fr 年月日’ 篆正 A7 B7 00 ί£. 1 ai 養充 五、發明說明(3〇 ) 1 5 3A〜1 5 3D ··滑動部件(.移動機構) 235:外氣導入通路》 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ά-----------------^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) —33 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 _B7_____五、發明説明(2) 噴嘴至基板的每邊,所以要多數的時間與勞力。 另外,髙速旋轉基板將剩餘的塗敷液以離心分離除去 時,一旦脫離基板的蝕劑液就會再度附著於基板。抗蝕劑 液的再附著,L C D基板的形狀·若爲矩形時,就會發生在 基板的隅角。 然而,將塗敷膜除去機構組裝至塗敷/顯像處理系統 之中,塗敷/顯像處理系統不一定爲大型化,就會造成生 產量的降低。 不過,在過去的旋轉塗敷法或噴射法,爲了控制抗蝕 劑膜厚,而進行處理容器排氣量的調整,處理容器回轉力 的調整或是抗蝕劑液供給量的調整。 但是,於LCD基板的抗蝕劑塗敷,由於迴轉時基板 近邊的亂流發生,或安全溶媒(溶劑)使用要求的增加等 ,由於造成裝置驅動條件或使用溶劑的錯誤,所以難於控 制塗敷膜厚的均一性之狀態。例如,較高蒸氣壓的溶劑較 易乾燥,以ECA系(乙基乙二醇單乙醚醋酸脂)與 P G1* Μ E A系(丙二乙醇單乙醚醋酸脂)爲不同相互的膜 厚分布。因此控制膜厚的均一性是極難的。 另外,於塗敷處理中在處理容器內發生抗蝕劑殘留霧 氣,該抗蝕劑殘留霧氣乾燥後就變化成粒子。因此,抗蝕 劑塗敷處理後將處理容器開放至淨化室前容器內部必須更 換爲氣體。 〔用以解決課題之手段〕 本^適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)_ 5 _ 一83-3· 10,000 [!-----1'·.' 裝---.——卜訂------一 J:- (請先閲讀背面之注意事項苒填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(3 ) 本發明是提供,可以容易的除去附著在基板周緣部的 抗蝕劑膜,而可以提高塗敷/顯像處理的呑吐量,且可以 使裝置小型化的抗蝕劑處理方法及處理裝置。 另外,本發明的另一個目的是提供,可以控制抗蝕劑 膜厚的同時,可以控制處理容器內的氣相之抗蝕劑處理方 法及處理裝置。 依據本發明的狀況,矩形基板的抗蝕劑處理方法,其 特徵包括有: ’ 抗蝕劑塗敷過程,該過程是以旋轉基板同時供給抗蝕 劑液至基板,最少在基板的單面形成抗蝕劑膜;及 抗蝕劑除去過程,該過程是將除去液噴射至基板兩面 的邊絕區域而除去抗蝕劑。 然而在抗蝕劑除去過程,期待將除去液同時進行的噴 吹至基板的四邊。因此,可以在一個過程除去在基板兩面 的邊緣區域之抗蝕劑膜,提高生產量。另外,將除去液噴 吹至基板的二邊後,再將除去液噴吹至其他二邊亦可。抗 蝕齊!Γ除去幅寬可望爲從基板的外周端面起5〜1 0 mm。 依據本發明的狀況,矩形基板的抗蝕劑處理裝置,其 特徵包括所具備的抗蝕劑塗敷手段,該手段是以旋轉基板 將抗蝕劑液塗敷在基板,及除去手段,該手段是從基板除 去被塗敷的抗蝕劑;然而,前述除去手段又具有: 噴嘴手段,該手段是將除去液噴吹至基板邊緣部而溶 解抗蝕劑膜;及 移動手段,該手段是將此噴嘴手段沿著基板邊緣部移、, —,11 I i 訂 ! (請先聞讀背面之注意事項專填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐 83. 3. 10,000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 動:及 搬送手段,該手段是在抗蝕劑塗敷手段與抗蝕劑除去 手段之間搬送基板。 依據本發明的狀況,矩形基板的抗蝕劑處理方法,其 特徵包括: 供給抗蝕劑至處理容器內的基板同時旋轉基板, 由於處理容器內排氣的同時導入外氣,所以在抗蝕劑 塗敷中的基板上方區域從基板中央朝向基板周緣發生氣流 9 抗蝕劑塗敷終了後處理容器內的氣相與外氣更換。 依據本發明的狀況,矩形基板的抗蝕劑處理裝置,其 特徵包括有: 處理容器,該容器具有載置基板的基台;及 . * 供給手段,該手段爲供給抗蝕劑液至基台上的基板; 及 旋轉手段,該手段是將基台旋轉;及 ^排氣手段,該手段具有被設置在基板周緣的近邊之排 氣通路,介由該排氣通路將處理容器內排氣;及 外氣導入手段,該手段是將外氣導入至處理容器內。 尙且,外氣導入手段的流路,通常導管的形狀以其他 的螺旋溝形狀或是螺絲溝形狀亦可。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖係塗敷顯現系統的全體概要斜視圖。 、, 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS)A4規格( 210X297公釐)_ __ 83. 3. 10,000 i^^i· ff *^^^1 I ^^^1 I n^— It muf、一-eJnn I Hi (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 _______B7 ___五、發明説明(5 ) 第2圖係表示當拉出處理組件時的圖敷顯像系統之全 體概要斜視圖。 第3圖係表示處理裝置的概要之平面圖。 第4圖係表示關於本發明第1實施例的處理裝置之縱 斷面圖。 第5圖係表示第1實施例的處理裝置一部分之部分擴 大縱斷面圖。 第6圖係表示第1實施例的處理裝置一部分的部分擴 大縱斷面圖。 第7圖係表示處理裝置的綠部除去機構之內部透視圖 0 第8圖係表示切割除去噴嘴的一部分內部之部分斷面圖。 第9圖係表示除去嘖嘴的配置之概略斜視圖。 第1 0圖係表示輔助洗淨噴嘴的配置外觀及氣體供給 回路之構成方塊圖。 11第1 1圖係表示變形例的輔助洗淨噴嘴之平面外觀圖 0 第1 2圖係表示變形例的輔助洗淨噴嘴之平面外觀圖 〇 第1 3圖係表示別種形態的輔助洗淨噴嘴的一部分斷 面之側面圖及洗淨的具體例說明圖。 第1 4圖係表示基板及除去噴嘴之平面圖。 第1 5圖係表示變形例的輔助洗淨噴嘴之斜視圖。„ ^^1. —1. IV— II - I - I 1--- - -- I ---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 83. 3. 10,000 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 _B7 ___ 五、發明説明(6) 第1 6圖係表示基板的搬送機構之方塊圖。 第1 7A,B,C,D或E圖係表示爲了說明處理方 法的順序各別處理裝置之平面圖。 第1 8圖係表示主機械臂的驅動機構之透視側面圖。 第1 9圖係表示主機械臂的要部之斜視圖。 第2 0圖係表示在塗敷顯像系統洗淨裝置的概要之內 部透視圖。 第2 1圖係表示洗淨裝置的平面圖。 第2 2圖係表示在塗敷顯像系統處理過程部之內部透 視圖。 第2 3圖係表示變形例的緣部除去機構之概略平面圖 0 第2 4圖係表示切削變形例的除去噴嘴的一部分之斷 面圖。 第2 5圖係表示關於本發明的第2實施例的處理裝置 之縱斷面圖。 <第2 6圖係表示處理裝置的要部之平面圖。 第2 7圖係表示變形例的處理裝置之部分斷面圖。 第2 8圖係表示外氣導入通路之縱斷面圖。 第2 9 A,B或C圖係爲了說明處理方法的順序各別 處理裝置之平面圖。 〔實施例〕 參照附圖同時將本發明的抗蝕劑處理裝置用於L C D、, 本&張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)_ (J _ 83.3.10,000 ^^^1· o^n ^^^1 In H— m ml MeJnn (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(7 ) 基板的抗蝕劑處理系統例,說明於下。 如第1圖所示,抗蝕劑處理系統具有:負荷/未負荷 部9 〇 ,第1處理部9 1 ,第2處理部9 2 ,中繼部9 3 ’介面部9 4。該系統介由介面部9 4被連接在曝光裝置 9 5 (無圖示)。如第2圖所示,塡充器9 3d被設置在 中繼部9 3的箱體9 3 c的底面,形成必要時中繼部9 3 可以從第1處理部9 1及第2處理部9 2之間拉出至外面 。轉接台9 3 b被設置在中繼部9 3的上部。轉接台 9 3 b爲了支撑基板G具有複數根支撑銷9 3 a。負荷/ 未負荷部9 0具備有卡式基座9 8及移載裝置9 9。負荷 用卡匣9 6及未負用卡匣9 7每2個被載置在卡式基座 9 8。複數塊LCD基板G被收容在各卡匣9 6,9 7處 請 先 鬩 讀 背 之 注 % 裝 頁 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第1處理裝置9 1及第 路,在中央通路的兩側並列 9 1及第2處理部9 2介由 9 /被連結於第2處理部$ :卡匣111 ,該卡匣是爲 夾子1 1 2 ,該夾子在該卡 入;及基板G的轉接台1 1 如第2 2圖所示,第1 以面蓋1 4 0被覆,形成爲 的清潔空氣。管道1 4 1被 通該管道141與處理部內 2處理裝置9 2都具有中央通 有多數的組件。第1處理部 中繼部9 3而被連結。轉接部 2的後部。轉接部9 4具備有 了使基板一時待機;及搬送用 匣1 1 1之間施行基板G的出 3 ° 處理部9 1及第2處理部9 2 從上方朝向下方供給被清淨化 設置在面蓋1 4 0的上部,連 的連通路1 4 2內被配設有吸„ 83. 3. 10,000 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 ___B7 五、發明説明(8) 引風扇1 4 3及過濾器1 4 4因而清淨化的空氣被供給至 處理部內。以第1處理部9 1爲代表作說明,排氣通路 1 4 5被設置在中央通路的底部。排氣風扇1 4 6被設置 在該排氣通通·路1 4 5內。清潔空氣通過中央通路1 〇 2 ,冷卻處理組件1 Q 6,貼著處理組件1 0 5,劃割組件 1 2 0 ,1 3 0及抗蝕劑塗敷/除去組件1 〇 7,1 0 8 後,介由下方的地板部排氣。主機械臂機構8 0 a爲可以 移動至X軸,Y軸,Z軸Θ回轉的各方向可以移動被設置 在中央通路1 0 2。 然則同樣的主機械臂機構8 0 a也被設置在第2處理 9 2的中央通路。先烘焙基板G或是後烘焙基板G的加熱 組件1 0 9被配置在中央通路1 〇 2 a —方的方邊,顯像 組件1 1 Q被配置在通路1 0 2 a他方的旁邊。 其次,參照第3圖同時以抗蝕劑塗敷/除去組件 1 0 7爲代表作說明。 抗蝕劑塗敷機構1,搬送機構3,抗蝕劑除去機構2 被β置在抗蝕劑塗敷/除去組件1 0 7內。搬送機構3的 導引軌道7 1被設置在從抗蝕劑塗敷機構1至抗蝕劑除去 機構爲止。搬送機構3形成爲具有1對的機械臂7 0,行 走在導引軌道7 1。 抗蝕劑塗敷機構1備有噴嘴1 a,因而形成爲從噴嘴 1 a噴出抗蝕劑液至LCD基板G的表面。吸著把持基板 G同時作回轉的旋轉吸頭1 〇被設置在抗蝕劑塗敷機構1 的處理室2 0內。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2丨0X297公釐) 83.3. 10,000 L---~ ------ }裝---_---^訂------J. (請先閲讀背面之注意事f填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明(9 ) 抗蝕劑除去機構2備有一對的噴嘴及迴轉可能的基台 5 0。一對的噴嘴5 1的通路被連通在除去液供給源(無 圖示)。如稀釋劑可以溶解抗蝕劑膜的液體被貯存在除去 液供給源。尙且,抗蝕劑塗敷/除去組件1 〇 7內形成爲 可以控制氣相。 關於基板的刷洗作說明。 如第2 1圖,以基板搬送機械臂1 2 1搬送基板至表 面洗淨刷子1 2 2及背面洗淨刷子1 2 3之間,迴轉這些 刷子1 2 2 ,1 2 3噴射純水作爲沖洗液。然後以機械臂 驅動馬達使其交互的正轉及反轉,前後的移動基板G而進 行基板G的洗淨。其次將基板G搬送至噴射水洗淨裝置 1 3 0介由基板支撑機構1 3 3將基板G轉接至圓盤基台 1 3 4上後,移動洗淨水供給噴嘴至基板G的上方,將高 壓噴射水流噴射至基板G而進行洗淨處理。此時,低速回 轉基板G同時進行洗淨處理。其次,後退洗淨水供給噴嘴 ,改爲移動沖洗液供給嘖嘴1 3 5移動至基板G上,從沖 洗減供給噴嘴1 3 5噴射沖洗液(例如爲純水)作沖洗即 可。 次其,參照第4圖及第5圖的同時,關於抗蝕劑塗敷 /除去組件1 〇 7內的抗蝕劑塗敷機構作說明。 抗蝕劑塗敷機構1的旋轉吸頭1 〇以回轉罩蓋1 2包 圍。回轉罩蓋1 2上方部形成爲具有開口的低圓筒形狀。 蓋子1 6被披覆在回轉罩蓋1 2 ,上方開口形成爲閉塞。 更且,包圍回轉罩蓋1 2的外周部被設置有中空環狀的鼠. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格( 210X297公釐〉 12 - 83.3. 10,000 (請先聞讀背面之注意事項W填寫本頁) .裝. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ______B7 五、發明説明(1〇) 口罩蓋1 4。漏口罩蓋1 4的內部形成爲可排氣。 旋轉吸頭1 0以迴轉軸作支撑,迴轉軸2 2介由皮帶 機構2 8 a,2 9 a被連結在馬達2 1的驅動軸。回轉軸 2 2形成爲中空,該中空通路連通於眞空泵浦(無圖示) ‘+ 。另外,回轉軸2 2的中空通路在旋轉吸頭1 〇的上面爲 開口狀。在該種旋轉吸頭1 〇的上面載置LCD基板G, 基板G就形成爲被眞空吸著在旋轉吸頭1 Q的上面。然而 ,符號3 0爲眞空密封部。再者,旋轉吸頭1 〇的全體以 昇降氣缸2 3支撑而昇降可能。 回轉軸2 2由於被裝置有可以滑動的花鍵軸承2 7, 因此回轉軸2 2可以氣缸作昇降。花鍵軸承2 7的外筒 2 6 b介由部件3 1被連結在回轉罩蓋1 2。另外,皮帶 輪2 8 b被嵌入至該外筒2 6 b,皮帶2 9 b銜掛在皮帶 輪2 8 b。內筒2 6 a被嵌合在花鍵軸承2 7,介由軸承 2 5 a固定軸環2 4爲回轉可能被裝置在內筒2 6 a。然 則軸承2 5 b被設置在外筒2 6 b與固定軸環2 4之間。 以Jf£種機構的回轉罩蓋1 2與旋轉吸頭1 〇爲個別獨立的 回轉驅動。 然而回轉罩蓋的底部1 2 b介隔著連接筒3 1被固定 在外筒2 6 b的上端部。在回轉罩蓋的底部1 2 b與旋轉 吸頭1 0的下面之間被設有密封機能的軸承3 2。皮帶 2 9 b被銜掛在隨動皮帶輪2 8 b與驅動皮帶輪上,以馬 達2 1傳達回轉驅動Λ至回轉罩蓋1 2。.此情況下,隨動 皮帶輪2 8 b的直徑與隨動皮帶輪2 8 a的直相同,皮帶、. ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ _ 83. 3. !0,〇〇〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂---- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7 _ 五、發明説明(u) 2 9 a,2 9 b被銜掛在共通的馬達2 1 ,所以回轉罩蓋 1 2與旋轉吸頭爲同期回轉。然而,在此情況下,一方的 隨動皮帶輪2 8 a異於他方的隨動皮帶輪2 8 b的直徑, 旋轉吸頭1 0與回轉罩蓋2 0以不同的回轉數回轉亦可。 如第6圖所示,迷宫式封套3 3被形成在固定軸環 2 4與內筒2 6 a及外筒2 6 b的對向面。以該迷宮式封 套3 3防止塵埃從下部的驅動系侵入至回轉罩蓋1 2內。 如第5圖所示,回轉罩蓋12下部徑比上部徑大。回 轉罩蓋的外周壁1 2 c爲傾斜狀,其外朝向斜下方的排氣 通路S被形成在外周壁1 2 c的外面1 2 e與環狀部件 1 4 h的內面之間。從外周壁1 2 c的上端朝向內方側形 成有內向刷子1 2 d。多數的給氣孔3 4被穿設在內向凸 緣1 2 d。多數的給氣孔3 4以適當的間隔被配列在周圍 方向。另外,在外周壁1 2 c的下部側的周圍方向被穿設 有排氣孔3 5。 由於此種給氣孔3 4及排氣孔3 5的組合,所以處理 室/ 0內的氣體等介由排氣孔排出外部,一方面空氣從給 氣孔3 4流入處理室2 0內。因此,於回轉罩蓋1 2的回 轉中防止處理室2 0內形成必要以上的負荷壓力,另外, 於處理後可以容易的從回轉罩蓋1 2卸下蓋子1 6。 然而,給氣孔3 4被設置在回轉罩棻1 2的中心部即 蓋子的中央亦可。例如,如第4圖所本,在膨隆頭部1 8 的下端部周圍,開口面積的總和形成等於給氣孔3 4的總 和,設置複數個給氣孔A。另外在蓋子1 6與基板G之間^ ........-.. - - - - -!- ·- = -..... . - 1..... . ... ϊ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210ΧΜ7公釐)-μ - 83. 3. 10,000 A7 _B7_ 五、發明説明(i2) ,配置面積比基板G大的障礙板3 4 B亦可。流入空氣由 於障礙板3 4 B而朝向處理空間2 0的周綠區域。 如第5圖所示,在漏口罩蓋14的內部被設置有環狀 通路1 4 a,連通排氣裝置(無圖示)的排氣口 3 6被設 置在該環狀通路1 4 a外周壁的適合處所(例如周圍方向 的4個地方)。 如第4圖及第6圖所示,與排氣口 3 6連通的放射狀 排氣通路3 7被形成在漏口罩蓋1 4的內周側上方部。當 回轉罩蓋2 0時,在處理室間2 0內由於離心之因霧狀的 抗蝕劑就會飛散,此霧氣通過排氣孔流入漏口罩蓋內。內 此可以防止霧氣飄至回轉罩蓋1 2的上部側,而從排氣口 3 6排出至外部。 尙且,環狀通路1 4 a以從漏口罩蓋1 4的底路豎起 的外側壁1 4 b及從漏口罩蓋1 4的天井部垂下的內側壁 1 4 c作分隔似這些的分隔壁1 4 b,1 4 c排氣流形成 爲均等的分配在罩蓋1 4的全體。然而,複數根的排氣管 1 ί f被設置在內外壁1 4 b,1 4 c的下方底部。通過 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 排氣孔1 4 e的廢液被排出。 如第5圖所示,排氣管1 4 f被裝置有插脫可能的接 頭3 8 b。該接頭3 8 b的下部被連接在排液管1 4 g。 尙且,接頭3 8 b被把持在管夾3 8 a,該管夾3 8 a被 裝置在支撑漏口罩蓋1 4的支柱3 8。 在回轉罩蓋1 2的倒角面1 2 e與漏口罩蓋1 4的倒 角面1 4 h之間被形成有微小間隙S。在微小間隙S的上. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 83. 3.10,000 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(l3) 部與下部之間所產生的周速差因而產生壓力差,此壓力差 助長從微小間隙S的上側朝向下側的氣流。因此,可以防 止漏口罩蓋1 4內的排氣霧氣通過微小間隙S飛散至回轉 罩蓋1 2外。 上蓋1 6與回轉罩蓋1 2同時回轉。因此,將把持在 回轉罩蓋12的上部的固定銷(無圖示),與嵌合在該固 定銷的嵌合凹部(無圖示)相互的嵌合後將蓋子1 6固定 在回轉罩蓋1 2。 如第4圖中的想像線所示,當蓋子1 6開關時,在膨 隆頭部1 8的下方插入機器手臂4 0,被設置在膨隆頭部 1 8的銜抓溝1 8 a,在該銜抓溝1 8 a突出以銜抓銷 4 1作銜合後,而使機器手臂作上下運動。尙且,當打開 蓋子1 6時的膨隆頭部1 8的銜抓溝1 8 a學機器手臂 4 0的銜抓銷4 1位置的配合,及當關閉蓋子時的固定銷 與嵌合凹外位置的配合,以馬達2 1的回轉控制進行。 另外,在基板G塗敷抗蝕劑液時,若不設排氣孔3 5 ',#基板G振脫的抗蝕劑液就會滯留在處理室2 0內的周 邊部,造成在處理室2 0內的塗敷液難於乾燥,抗蝕劑的 膜厚恐怕會成爲不平均。 在本實施例,回轉罩蓋2 0的回轉速度以5 0 0〜 2 〇 〇 r . p - m ·,2 4個直徑4mm的排氣孔3 5配 列在周圍方向,因而進行控制抗蝕劑的乾燥及處理室空間 的氣相。 另外,如第5圖所示,處理室2 0的高度Η以1 0 n- I i nn nn In n nn nn In 一 ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)_ _ 83. 3. 1〇,〇〇〇 經濟部中央標隼局員Η消費合作社印製 A7 _B7______ 五、發明説明(14) 5 Omm,間隔A以2〜1 Omm,間隔B以3 0〜5 0 mm,間隙S以1〜10mm。 尙且,在連結筒3 1內配設罩蓋洗淨嘖嘴4 2,由於 罩蓋洗淨噴嘴4 2,因而可以洗淨回轉覃蓋1·2及蓋子 1 6的內面。即是以管夾4 3把持罩蓋洗淨噴嘴4 2,洗 淨液供給管4 4介由·固定軸環2 4的內部通路(無圖示) 連接在外部無圖示的洗淨液供給源。因此,如第6圖的想 像線,使旋轉吸頭10上昇,面臨從旋轉吸頭1〇與回轉 罩蓋1 2的底部之間的洗淨噴嘴4 2 ,而可以將洗淨液噴 射至回轉罩蓋12及蓋子16的內面。 如第3圖及第7圖所示,抗蝕劑除去機構工具有載置 台5 0與一對的噴嘴5 1。載置台5 0,具有基板吸著把 持機能,且回轉可能支撑著基板。一對的噴嘴51被配置 爲將抗蝕劑溶解液(除去液)噴射至載置台5 0的基板G 的對向之2邊緣部之兩面。 _ 載置台5 0以備有的馬達(無圖示)及昇降氣缸(無 圖¥)或是滾珠螺絲(無圖示)的驅動裝置5 2作支撑。 以該驅動裝置5 2的馬達回轉載置台5 0 ,基板G的2組 對向的2邊形成爲位於除去噴嘴5 1的正下方。另外以昇 降氣缸或是滾珠螺絲昇降載置台5 0 ,所以可改變基板G 的轉接水平,與塗敷膜的除去水平,及待機能水平的高度 位置。 如第8圖及第9圖所示,除去噴嘴配件51具備有噴 頭5 3,及溶劑供給路5 3 c,及溶劑供給路5 3 d,及、, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 83.3.10,000 L---Ί!-----}裝---·--訂------ J (請先閲讀背面之注意事填寫本頁) -17 - A7 B7_ 五、發明説明(!5 ) 表面洗淨用噴嘴,及背面洗淨用噴嘴。噴頭5 3由上部水 ’平5 3 a及下部水平片5 3 b所形成,以覆蓋基板兩面的 周緣部之斷面呈3字狀所作成。噴嘴5 1 a與溶劑供給供 給路5 3 c作爲基板表面(上面)的抗蝕劑膜除去用,各 自被設置有上部水平片5 3 a及下部水平片5 3 b。噴嘴 5 1 b與溶劑供給路5 3 d作爲基板背面(下面)的抗蝕 劑膜除去用,各自被設置有上部水平片5 3 a及下部水平 片 5 3 b ° 噴嘴5 1 a的噴出口朝向下方,噴嘴5 1 b朝向上方 。另外上噴嘴5 1 a的噴出口與下噴嘴5 1 b的噴出口被 設置成相互偏離的位置,從上下噴嘴5 1 a,5 1 b噴出 的除去液(溶劑)互不干涉。吐出的除去液若衝突時,溶 劑飛散,被形成在基板表面抗蝕劑膜的膜厚就會成爲不平 均。 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項爿填寫本買) 如第9圖所示,相同上噴嘴5 1 a的配置間隔比相同. 下嘖嘴5 1 b的配置間隔小。排氣口 5 3 f被設置在噴頭 5 的垂直部5 3 e,連通排氣裝置(無圖示)的排氣管 5 4被連接至該排氣口 5 3 f。形成爲介由該排氣管5 4 將剩餘的溶劑排出外部。 然而,如第8圖的點線(想像線)所示,上噴嘴 5 1 a的噴出口設置成傾向外方側亦可。因此由於傾斜噴 出口的噴出方向,所以從上噴嘴5 1 a的噴出液形成爲遠 離基板G,因而除去液不會附著在基板中央區域的抗蝕劑 膜。另外,關於下噴嘴5 1 b也可說成同樣情形。 … 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐)~~~ 83. 3. 10,000 -— 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(16) —對的除去噴嘴5 1 ,以位置調整機構5 5基板G的 對向第1邊(長邊)及第2邊(短邊)各自被配置爲可以 調整位置。另外,除去噴嘴5 1 ,以上下移動機構5 6, 上下移動至基板G周緣部的抗蝕劑膜除去位置與待機位置 的同時,以左右移動機構5 7沿著基板G的緣部移動而形 成。在此情況下,複數對的除去噴嘴5 1以所定間隔配列 在移動方向亦可。 位置調整機構5 5具有,氣缸體5 9 a,及伸縮棒 5 9 b,空氣缸5 9,及外側制動器6 0 a,及內側制動 器6 0 b。氣缸體5 9 a介由裝置部件5 8被連結在一方 的除去噴嘴5 1的噴頭5 3。空壓缸5 9的氣缸體5 9 a 被裝著成滑動自如。伸縮棒5 9 b被連在他方的噴嘴5 1 的噴嘴。外側制動器6 0 a,當伸長伸縮棒5 9 b時兩裝 置部件5 8 a,5 8 b衝突後決定除去噴嘴5 1的基板G 長邊側之除去位置的位置而形成。內側制動器6 0 b,當. 收縮空壓缸5 9的伸縮棒時兩裝置部件5 8 a,5 8 b衝 突ά決定除去噴嘴5 1的基板G短邊側之除去位置的位置 而形成。尙且,兩除去噴嘴5 1皆以裝置氣缸體5 9 a的 支撑部件6 1支撑。 其次,參照第17A圖〜第17E圖的同時用上述的 抗蝕劑處理裝置,說明關於在基板G塗敷抗蝕劑,部分除 去抗蝕劑的方法。 將基板G搬入至塗敷機構,載置在旋轉吸頭1 0上而 加以吸著把持。如第1 7 A圖所示,在基板G的表面滴下. HI--------裝---、——訂------J (請先閲讀背面之注意事f填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格( 210X297公釐)_ μ . 83. 3.10,000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(17 ) 抗蝕劑液後,關閉上蓋1 6 ,同時的回轉旋轉吸頭1 〇及 回轉罩蓋1 2。其結果,抗蝕劑液擴散在基板表面的全體 ,而形成實質的平均膜厚之抗蝕劑膜。 其次,如第1 7 B圖所示,以搬送機構3將基板G搬 送至緣部除去機構2,再載置於載置台而加以吸著把持。
I 如第1 7C圖所示,退出搬送機械臂7 0 ,將各除去 噴嘴5 1各別設定在包夾基板G的短邊之兩角隅部。然後 ,沿著長邊移動各除去噴嘴5 1。將溶劑(稀釋劑)噴向 基板兩面的長邊部(第1的抗蝕劑除去過程)此情況下, 將溶劑噴嘴在從基板G的端部約5 mm程度的寬幅處,其 間在塗敷機構進行下一個基板G的抗蝕劑塗敷處理。除去 基板G長邊不要的抗蝕劑膜後,將載置台以時鐘回轉方向 回轉9 0度,使基板G的短邊側位於除去噴嘴5 1的地方 。然而,除了回轉9 0度之外,回轉2 7 0度或4 5 0度 亦可。 · 此時,如第1 7D圖所示,伸長位置調整機構5 5的 空^缸5 9再將除去噴嘴5 1各別設定在包夾基板G的短 邊之角隅部。然後,如第17E圖所示,將除去噴嘴51 沿著基板G的短邊移動同時將溶劑噴射至基板G的短邊緣 部兩面而除去基板G的短邊之抗蝕劑膜(第2的抗蝕劑除 去過程)。也在此時,將溶劑噴在從基板G的端部約5 m m程度的寬幅處。其後,搬出基板g再搬送至下一個過 程。如上所述,塗敷形成抗蝕劑膜後,立即搬送基板就可 以除去周緣部的抗触劑。 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格( 210X297公釐)_ % _ 83. 3.10,000 -----1!---.---'1^-------1T------ (請先閱讀背面之注意事項馮填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(18) 尙且,在第1或是第2的抗蝕劑除去過程中,或者是 這些的除去過程的前後任何經過時間,由於從補助洗淨噴 嘴51 A,51c〜51f各自噴出溶劑,因而可以容 易的除去付著在基板G的背面周緣部的抗蝕劑膜。例如第 .1 4圖所示,除去附著在基板G的各部背面之抗蝕劑液 R 1,R 2時,如其次般控制從補助洗淨嘖嘴5〗c〜 5 1 f的嘖出液。 在於一對的除去噴嘴51最初沿著基板基G的長邊 G L移動時,首先關於在第1 4圖中位於右側的除去噴嘴 5 1作說明。 在短邊G 5側在距離L S 1,長邊G L側在距離 L L 1所形成的三角形狀區域附著有抗蝕劑液R 1的情況 下,噴嘴在位於短邊G S的邊綠附近時,從表面洗淨噴嘴 5 1 a,背面洗淨噴嘴5 1 b同時從輔助洗淨噴嘴5 1 c 〜5 1 f _的全部噴出溶劑。然後,隨著移動除去噴嘴5 1 ,由於附著區域R 1的寬度比L S 1窄,所以順次的停止 蜷 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 輔助洗淨噴嘴5 1 f ,5 1 e ,5 1 d的溶劑噴射。噴嘴 沿著長邊G L移動至距離L L 1附近爲止,因爲在附著區 域R 1形成爲無附著,所以也就可以停止輔助洗淨噴嘴 5 1 c的溶劑噴射。其後,背面側只有以背面洗淨噴嘴 5 1 b噴射的狀態,除去噴嘴5 1則沿著長邊G L移動。 如第1 4圖所示,左側的除去噴嘴5 1 ,開始移動時 ,由於在基板G的角部背面未附著有抗蝕劑液,所從背面 洗淨噴嘴5 1 a與背面洗淨噴嘴5 1 b噴射溶劑,從輔胁 83.3.10,000 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉八4現格(210X297公釐) 21 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明説明(19 ) 洗淨噴嘴5 1 c〜5 1 f的溶噴劑噴嘴則爲停止狀態。 除去噴嘴51更接近短邊GS的距離時,從輔助洗淨 噴嘴5 1 c就首先噴射溶劑。與抗蝕劑液R 1相同,R 2 也附著在附著區域時,順次的從輔助洗淨噴嘴5 1 d, 5 1 e,5 1 f噴谢溶劑,直到除去距離L S 2的部分爲 止0 然後,由於左右的除去噴嘴5 1而完成了長邊GL側 的抗蝕劑除去,就可以停止從各噴嘴的溶劑噴射,再將左 右的除去噴嘴51退避使其不會對基板的回轉造成障礙。 其次,將基板G向右或是向左回轉90° ,而移至短邊 G S側的抗蝕劑液除去。此時由於附著在各部背面的抗蝕 劑液R 1 ,R 2完全的被除去,所以只從表面洗淨噴嘴 5 1 a及背面洗淨嘖嘴5 1 b噴射溶劑即可。 因此,可以控制對附著在背面側的抗蝕劑液之附著處 所或預先被決定的對應區域的範圍之輔助洗淨噴嘴5 1 c _ 〜5 1 f的溶劑噴射。 蜷 其次,參照第1 8圖及第1 9圖說明關於基板搬送用 主機械臂8 0。 主機械臂8 0備有各別獨立的在水平方向可以進退移 動的上下2段式3字形機械臂體8 1 a,8 1 b。即是以 沿著被配置成相對的外側導引8 2而滑動可能的一對外側 « 框體8 3所以上部機械臂體8 1 a是被雨側所支撑著。然 後,第1的驅動馬達介由傳達皮帶輪8 5 a而驅動,同步 皮帶(無圖示)銜掛在外側皮帶輪8 5與傳達皮帶輪上 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ ' ΕΤϊ〇^ 1------------}裝---.---^訂丨-----11 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 83. 3. 10,000 A7 _B7_______ 五、發明説明(20) 8 5 a。以第1的驅動馬達8 4的芷反回轉上部機械臂體 8 1 a因而形成進退移動。另外,一對的內側線型導引 8 6'被設置在外側線型導引8 2的內側,沿著該一對的內 側線型導引8 6內側框體8 7因而形成爲可移動。下部機 械臂體以內側框體8 7作支撑。另外,同部皮帶(無圖示 )被銜掛在第2的馬達8 8的驅動皮帶輪與內側皮帶輪之 間。以第2馬達8 8的正反回轉下部機械臂體8 1 b因而 被進退移動。尙且,固定基板G的固定爪8 1 c被設置在 機械臂體8 1 a,8 1 b。另外,如第1 8圖所示,感應 器1 5 0被設置在機械臂體8 1 a,8 1 b的近邊,以感 應器'檢出在機械臂體8 1 a,8 1 b上有無基板G。 如第2 0圖及第2 1圖所示,刷子洗淨裝置備有基板 搬送機械臂121,以該搬送機械臂銜抓基板G而成直線 的搬送。多數的洗淨刷子1 2 2,1 2 3與沖洗噴嘴(無 圖示)被設置在基板G的搬送路的上方及下方。另外在基. 板G的搬送位置被設置有基板把持機構。基板搬送機械臂 1 ^ 1的搬送機構與搬送機構3相同。 另外,噴射水洗淨裝置1 3 0具備有,具有排液口 1 3 1的容器1 3 2 ,及基板固定機構1 3 3 ,及圓盤機 構1 3 4,及沖洗液供給噴嘴1 3 5,洗淨水供給噴嘴 1 3 6。銜接基板G端面的把持部件1 3 7被設置在圓盤 基台1 3 4的上面。 關於以刷子洗淨裝置1 2 0與噴射水洗淨裝置1 3 0 進行基板G的洗淨作說明。將基板G搬送至表面洗淨刷子. 23 - ί I--------- -~ }裝---‘--·^訂------- (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 五、發明説明(21 ) 1 2 2與背面洗淨刷子1 2 3之間,將該刷子1 2 2, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} .1 2 3 —個個回轉朝向基板噴出沖洗液(純水)。其次, 將基板G搬送至嘖射水洗淨裝置1 3 0 ,將基板G轉交至 圓盤基台1 3 4上後,將洗淨水供給噴嘴移動至基板G的 上方,以高壓水流噴射至基板G而作洗淨裝置。此時,低 速回轉基板G同時進行洗淨裝置。其次,使噴嘴1 3 6後 退,改爲以噴嘴1 3 5移動至基板G上,從沖洗液供給噴 嘴1 3 5噴射沖洗液而作沖洗亦可。 尙且,設置2組以上的抗蝕劑塗敷裝置1 〇 7及抗蝕 劑除去裝置1 0 8亦可。在此情況,將抗蝕劑除去裝置 1 0 8並排在抗蝕劑塗敷裝置1 0 7的隔壁亦可,將抗蝕 劑除去裝置1 0 8積疊在抗蝕劑塗敷裝置1 〇 7之上亦可 。 如第2 3圖所示,以4個除去噴嘴1 5 1 A, 1 5 IB,1 5 1 C,1 5 ID同時處理基板G的四邊亦 可。在此情況,除去噴嘴1 5 ΙΑ,1 5 IB,1 5 1C ,1 5 1 D,同步移動亦可,各別獨立移動亦可。 -以下,以除去噴嘴1 5 1 A作代表加以說明。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 除去噴嘴151A被設置爲可以沿著基板G的長邊A 移動。即是,除去噴嘴1 5 1 A採用滑動部件1 5 3A以 滑動可能被裝置在導引軌道1 5 2 A。該滑動部件 1 5 3 A由於使用鋼索,鏈條,皮帶,滾珠螺桿或步進式 馬達,空壓缸,超音波馬達,超電導線型馬達等的移動機 構,所以形成爲可以在Y軸方向往復移動。 另外如第2 4圖所示,除去噴嘴1 5 1 A的內部設置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). 24 - 83.3. 10,000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(22) 有表面洗淨用的噴嘴1 5 1 a及背面洗淨用的噴嘴1 5 1 b,以及洗淨基板G的端面(側面)部的端面洗淨用的嘖 嘴1 5 lg,由於各別噴嘴1 5 1 a,1 5 lb被插入至 溶劑的各別供給路之開關活閥(無圖示),所以可以獨立 的斷續供給溶劑,因而可以控制供給量。 更且,於噴頭1 5 3的基板G側端部的前方位置,在 基板G上面側被設置有氣體噴射噴嘴1 5 4,於基板G下 面側被設置有氣體噴射噴嘴1 5 5 ,該噴射方向爲嘖頭 1 5 3方向,即是被置在基板G的周邊外側方向,然則被 噴射的氣體,通過噴頭1 5 3內,從排氣管1 5 6排氣。 更且,如第2 3圖所示,在除去噴嘴1 5 1 A的兩側 方,從基板G的長邊A的基板G中心方向朝向上面周邊部 噴射氣體之乾燥用氣體噴射噴嘴1 5 7 A,1 5 8A,被 設置爲以裝置部件(無圖示)使其可以與除去噴嘴 1 5 1A同時的移動至Y方向。雖然以乾燥用氣體噴嘴 _ 1 5 7 A,1 5 8 A被表示在基板G的外側,但可以配置 在¥要障礙到基板G的搬入,搬之任意位置。 關於其他的除去噴嘴1 5 IB,1 5 1C,1 5 1D ,與除去噴嘴151A的構成大體上爲相同。各噴嘴
151B,151C,151D,各自被配置在於基板G 的短邊B,長邊C,短邊D。 其次,說明關於基板周緣部的抗蝕劑之除去順序。 抗蝕劑膜的形成後,使基板G的長邊與Y方向平行, 使短邊與X方向平行,載置在緣部除去機構2 A的載置台,. 本ί氏張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(210X297公釐).% - "~~' 83. 3.10,000 (請先閲讀背面之注意事項苒填寫本頁) '裝· A7 _B7_ . 五、發明説明(23) 而吸著把持。退出搬送機械臂7 0,各除去噴嘴1 5 1A ,1 5 1C,1 5 1D各自被設定在基板四邊的周綠部, 沿著各邊移動的同時噴射抗蝕劑溶劑至邊緣部,而從基板 的周緣部除去抗蝕劑膜。 當在除去時,從洗淨用的各噴嘴的各噴射溶劑,因應 .於基板G端部的抗蝕劑液附著狀況而加以控制亦可。例如 ,基板G的端面及背面周邊部未附著抗蝕劑,而不須要溶 解除去時,則只有表面淨用的噴嘴1 5 1 a噴射溶劑。 當在表面也附著有抗蝕劑時,從端面洗淨用的噴嘴 1 5 1 g也噴射溶劑,更且,在背面邊部也附著有抗蝕劑 時,從背面洗淨用的噴嘴1 5 1 b也噴射溶劑。 另外,附著在基板G的端面,背面周邊部的抗蝕劑膜 附著處所若預先分開時,當除去噴嘴1 5 1 A移動至該處 所時,控制其使溶劑從端面洗淨用噴嘴1 5 1 g或背面洗 淨用噴嘴噴射亦可。因此形成可以減低溶劑的消耗量。另_ 外,也可以防止基板表面的抗蝕劑膜厚之變動。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 n· n^— ^^^1 ^^^1 In nn m n^i I ml In、一seJ (請先閎讀背面之注意事項-S填寫本頁) <更且,於抗蝕劑膜的除去中,從氣體噴射噴嘴1 5 4 ,1 5 5噴射氮氣(N2),由於被吸引至朝向基板G的 周邊之噴頭1 5 3內之N 2氣體流就會存在,所以可以防 止抗蝕劑飛沬朝向噴頭1 5 3側排出而附著在基板G的表 面。因此從表面洗淨用的噴嘴1 5 1 a,端面洗淨用噴嘴 1 5 1 g,背面洗淨用噴嘴1 5 1 b所噴射的溶劑或所發 生的氣泡等不會附著在基板G的中央區域。 另外,以由除去噴嘴1 5 1的溶解預先溶解除去抗触, 83. 3. 10,000 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 26 - A7 B7_ _ 五、發明説明(24) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 劑膜,再以從乾燥用氣體噴嘴1 5 7 A的加熱N 2氣,朝 向基板G周邊部的抗蝕劑膜嘖射後使其乾燥。因此,可以 抑制在溶解除去後抗蝕劑膜的邊緣部分之抗蝕劑繼續繁衍 發生。 更且,溶解除去抗鈾劑膜後,從乾燥用氣體嘖嘴 1 5 8 A的加熱N 2體氣噴射至基板G的周邊部分,而使 基板G及抗蝕劑膜乾燥。由於此乾燥,立即將溶劑蒸發, 因爲乾燥抗蝕劑膜的邊緣部分,不須不必要的溶解,邊綠 部分的抗蝕劑膜也能安定。 另外,將除去噴嘴1 5 1A與1 5 1C裝置在共通的 機構,同時將1 5 1 B與1 5 1 D裝置在共通的機構亦可 。更且,將除去噴嘴1 5 ΙΑ,1 5 IB,1 5 1C, 1 5 1 D的全部裝置在共通的1個移動機構亦可。因應於 各邊抗蝕劑的附著狀況而控制各除去噴嘴的移動速度亦可 0 更且,將基板G把持使基板G爲平行於Y軸方向,將 各除:去噴嘴 151A,151B,151C,151D 配 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 置成對應於基板G的各邊亦可。 更且,控制溶解基板G,溶劑,N2,體在最適溫度 ,而促進抗蝕劑膜的溶解除去亦可。 在於基板的溫度控制,例如,利用紅外線.,微波等一 邊控制基板G周圍的氣相溫度,一邊將溫調過的氣體供給
至基板G上面側,又一邊供給溫調過的背後氣體至基板G '的背面側,再一邊溫調載置台1 5 9而作爲溫調。 、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ π _ 83. 3.10,000 經濟部t央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(25) 其次,參照第2 5圖至2 9圖同時說明關於本發明的 第2實施例之抗蝕劑處理裝置。然而,關於本第2實施例 與上述第1實施例共通的部分省略說明。 如第2 5圖所示,第2實施例的抗蝕劑處理裝置備有 :塗敷噴嘴2 1 0,及旋轉吸頭2 2 0,及回轉罩蓋 2 3 0,及蓋子2 3 3,及漏口罩蓋2 4 0。塗敷噴嘴 2 1 0,備有流量控制及壓力控制裝置連通至抗蝕劑液供 給源(無圖示)。另外塗敷噴嘴21Q可以移動的被支撑 在搬送裝置(無圖示)。旋轉吸頭2 2 0大體上與上述第 1實施例相同。回轉罩蓋2 3 0將旋轉吸頭2 2 0的上部 及下周部包圍。將蓋子2 2 3被覆在回轉罩蓋2 3 0,上 部開口 2 3 2被蓋子2 3 3封塞而形成爲處理空間2 3 1 。蓋子2 3 3的形狀形成爲嵌入至回轉罩蓋2 3 0的上端 之形狀。漏口罩蓋2 4 0被設置成包圍回轉罩蓋2 3 0的 下部及外周部。 如第2 6圖所示,旋轉吸頭2 2 0的主要部分以略呈 矩形1狀的框體2 2 0 b所形成,在框體2 2 0的各邊部各 別開口有窗孔2 2 0 a。在框體2 2 0 b的4個角隅部近 邊各自被裝置有一對的支撑薄片2 2 0 c。各支撑薄片 2 2 0 c,以回轉可能的滾子所形成,該外周形成多爲銜 接於基板G的各邊。 如弟2 5圖所;旋轉吸頭2 2 0的回轉軸2 2 2 介由軸承2 2 5 a形成可以上下方向滑動的被裝著在固定 筒體2 2 4。具有隨動齒輪的皮帶輪2 2 6 a被裝著亦。、,
__ ______________________ [hlI 本紙张尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公羡)_ 83. 3. 10,000 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝· 、Tr A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(26) 轉軸,具有驅動齒輪的皮帶輪2 2 1 b被裝著在馬達 2 2 1的驅動軸2 2 l a。在具有從動齒輪的皮帶輪 2 2 6 a與具有驅動齒輪的皮帶輪2 2 1 b被架掛在有具 齒輪的皮帶。另外,回轉軸2 2 2的下部,於無圖示的筒 體內介由眞空密封部2 2 8被連接在昇降氣缸2 2 3。回 轉軸2 2 2以該昇降氣缸2 2 3作上下方向的移動。 回轉罩蓋2 3 0,介由回轉筒體2 2 9而被裝置著, 該回轉筒2 2 9介由軸承2 2 5 b被裝著在固定筒體 2 2 4的外周面。在罩蓋底部2 3 0 b與旋轉吸頭2 2 0 的下面之間設有具有密封機能的軸承(無圖示)。 在此情況,由於具有隨動齒輪的皮帶輪2 2 6 b直徑 與具有隨動齒輪的皮帶輪2 2 6 a直徑相同,所以回轉罩 蓋2 3 0與旋轉吸頭2 2 0形成爲以相同回轉數的同期回 轉。另外,具有驅動齒輪的皮帶輪2 2 1 b及2 2 1 c各 自介離合器2 2 1 d,2 2 1 e被裝著在驅動軸2 2 1 a-,以離合器2 2 1 d,2 2 1 e的作動而獨立驅動具有驅 動齒輪的皮帶輪2 2 1 b與2 2 1 c。 如第2 5圖所示,從蓋子2 3 3的中央部朝向上方延 長伸出軸部2 3 4。在軸部2 3 4被形成有內部通路 2 3 5 ,該內部通路連通至處理空間2 3 1。排氣孔3 6 被穿孔設置在罩蓋側壁2 3 0 b的下部。另外,在蓋子 2 2 3與基板G的中間位置被設置有柵板2 3 7。尙且在 外氣導入通路2 3 5的處理空間2 3 1側之開口部近邊, 被配設有具有過濾機能的輔助柵板2 3 7 a。 - --------.---!-裝------1T------'J, (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐). 29 83. 3. 10,000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 ___ 五、發明説明(27) 一方面,在漏口罩蓋2 4 0的底部外周側被設置有排 液口 2 4 1 ,在該排液口 2 4 1的內方側被設置有連通眞 空泵浦(無圖示)的排氣口 2 4 2。 關於上述裝置的動作作說明,當驅動馬達2 2 1時就 會轉動回轉罩蓋2 3 0 ,由於該回轉罩蓋2 3 0的轉動經 過通路2 3 5流入處理空間2 3 1內,再從排氣孔2 3 6 流向排氣口。 如第2 7圖所示,將中空環狀的漏口罩蓋2 4 0A配 置在回轉罩蓋2 3 0的外周側亦可。在該漏口罩蓋2 4 0 內部被形成爲環狀通路2 4 3。該環狀通路2 4 3介由4 個排氣口 2 4 2連通至眞空排氣泵浦(無圖示)。4個排 氣口 2 4 2形成爲一樣排氣,各自被配置在漏口罩蓋 2 4 0A的外周壁。然而,在漏口罩蓋2 4 0A的內周側 上方部,形成與排氣口連通的放射狀排氣通路2 4 4亦可 Ο 抗蝕劑液的霧氣,從處理空間2 3 1內經過排氣孔流 入漏< 口罩蓋2 4 0內,而從排氣口排出至外部。因此可以 防止霧氣飄向回轉罩蓋2 3 0的上部側。 環狀通路2 4 3以Z字狀分隔開外側壁2 4 3 a與內 側壁2 4 3 b。裝置在漏口罩蓋下部2 4 3 c的排液管 2 4 1被設置在外側壁2 4 3 a及內側壁2 4 3 b之間。 於處理中,蓋子2 3 3隨著回轉罩蓋2 3 0 —起轉動 。開關蓋子2 3 3時,在被突設在蓋子2 3 3上面的膨隆 頭部2 3 3 a的下方設置機械臂2 5 0 ,將機械臂2 5 0、,. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ % _ 83.3.10,000 - . ! —-.Li ml 1^1 In I —^ϋ nn ml m· I In HI-^eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(28) 的銜抓銷2 5 1銜合在銜抓溝2 3 3 b。然而,打開蓋子 2 3 3時銜抓溝2 3 3 b與銜抓銷2 5 1的位置設定,及 關閉蓋子2 3 3時固定銷與嵌合凹所的位置設定,是以控 制伺服馬達2 2 1的回轉角而進行。 如第2 8圖所示,外氣導入通路2 3 5的形狀爲螺絲 溝。採用此樣的螺絲通路2 3 5可以在處理空間2 3 1內 多量的投入外氣。然則,外氣導入通路2 3 5爲螺旋溝或 無溝亦可。 其次,參照第2 9 A圖〜第2 9 C圖同時利用上述實 施例的裝置說明關於在基板G塗敷抗蝕劑的方法。 如第2 9圖所示,在打開蓋子2 3 3的狀態下,從噴 嘴2 1 0噴出規定量的抗蝕劑液至旋轉吸頭2 3 0上的基 板G。抗蝕劑液被溫度及組成所控制。退去噴嘴2 1 0時 ,蓋子2 3 3被覆在回轉罩蓋,所以封塞開口 2 3 2。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I %· 如第2 9 B圖所示,回轉罩蓋2 3 〇與旋轉吸頭 2 2 0同時轉動,抗蝕劑液在基板G的面上擴散。此時, 介由<通路2 3 5外氣被導入至處理空間2 3 1內,該導入 空氣,從基板G的中心部流向外周部,介由排氣孔流至排 氣口 2 4 2。抗蝕劑液的霧氣因不會流向基板G,所以基 板G不會被污染,經塗敷過的抗蝕劑保持清淨,而得到均 一的抗蝕劑膜厚。 如第2 9 C圖所示,抗蝕劑塗敷後,停止旋轉吸頭 2 2 0的回轉,只轉動回轉罩蓋2 3 0。此時介由外氣導 入通路2 3 5導入外氣至處理空間2 3 1內,滞留的抗飽、, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) 31 - 83. 3.10,000 A7 B7 m 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2,2A :抗蝕劑除去機構 10,220 :旋轉吸頭 14,240 :漏口罩蓋 3 5 :排氣孔 :除去(用)噴嘴 噴嘴 五、發明說明(29 ) 鑕霧氣從處處理2 3 1內排 排液口排出至外部。只在所 就完成了塗敷裝置》 依照上述實施例的方法 至處理空間內,所以可以防 時可以得到均一膜厚的抗蝕 另外,依照上述實施例 將外氣導入至處理空間內, 所以實際上已無殘存在處理 以防止粒子的發生。 另外,依照上述實施例 ,可以將外氣導入至處理空 以防止霧氣附著於基板,因 膜。. 〔符號之說明〕 1 ·’抗蝕劑塗敷機構 3:搬送機構 12,230:回轉罩蓋 3 4 :給氣孔 5 0 :載置台 51,151A 〜151D 5 1 a ,5 1 b :洗淨噴嘴 51c〜51 f :補助洗淨 出。抗蝕劑霧氣的一部分介由 定時間轉動回轉罩蓋2 3 0, ,在抗蝕劑塗敷中將外氣導入 止抗蝕劑霧氣附著在基板,同 劑膜。 的方法,於塗敷過程完了後也 由於處理空間內更換成外氣, 空間內的抗蝕劑霧氣,因而可 的裝置,隨著回轉罩蓋的旋轉 間內,所以於抗蝕劑塗敷中可 而可以形成膜厚均一的抗蝕劑 I — I I I I ^ 1 — — — illnll^-llm — 11^- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) -32 - fr 年月日’ 篆正 A7 B7 00 ί£. 1 ai 養充 五、發明說明(3〇 ) 1 5 3A〜1 5 3D ··滑動部件(.移動機構) 235:外氣導入通路》 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ά-----------------^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) —33 -
Claims (1)
- y 1 A8 e 0修正 公告本 B8 C8 > D8 年月日 補充i 六、申請專利範圍 附件一:第84 1 0370 9號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國88年12月修正 1 ·—種矩形之L CD用基板的抗蝕劑處理方法’係 針對於在矩形之L CD用基板上塗敷抗触劑後,將塗敷之 抗蝕劑的一部份除去之處理方法,係具有: 將基板旋轉的同時將抗蝕劑供給至基板,至少在基板 的單面上形成抗蝕劑膜之塗敷過程;及 在離開前述進行抗蝕劑膜塗敷之處的搬送基板過程; 及 爲了產生由基板之周邊部(Pe r i Dh er a 1 Dor t i on )往外 之氣流,一邊使某板之周邊部附近之領域排氣,一邊在基 板之周邊部噴射可溶解抗蝕劑膜之溶劑,從基板的兩面的 周邊區域除去抗蝕劑膜之除去過程。 2·如申請專利範圍第1項之抗蝕劑處理方法,其中 在抗蝕劑除去過程中,係從基板的4邊近旁的兩面同時進 行除去抗蝕劑膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3. 如申請專利範圍第1項之抗蝕劑處理方法,其中 抗蝕劑除去過程具有: 從基板的相對2邊近旁的兩面同時進行除去抗蝕劑膜 之第1除去過程;及 從基板的其他2邊近旁的兩面同時進行除去抗蝕劑膜 之第2除去過程。 4. 如申請專利範圍第1項之抗蝕劑處理方法,係具 ^紙張尺度適用+國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) y 1 A8 e 0修正 公告本 B8 C8 > D8 年月日 補充i 六、申請專利範圍 附件一:第84 1 0370 9號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國88年12月修正 1 ·—種矩形之L CD用基板的抗蝕劑處理方法’係 針對於在矩形之L CD用基板上塗敷抗触劑後,將塗敷之 抗蝕劑的一部份除去之處理方法,係具有: 將基板旋轉的同時將抗蝕劑供給至基板,至少在基板 的單面上形成抗蝕劑膜之塗敷過程;及 在離開前述進行抗蝕劑膜塗敷之處的搬送基板過程; 及 爲了產生由基板之周邊部(Pe r i Dh er a 1 Dor t i on )往外 之氣流,一邊使某板之周邊部附近之領域排氣,一邊在基 板之周邊部噴射可溶解抗蝕劑膜之溶劑,從基板的兩面的 周邊區域除去抗蝕劑膜之除去過程。 2·如申請專利範圍第1項之抗蝕劑處理方法,其中 在抗蝕劑除去過程中,係從基板的4邊近旁的兩面同時進 行除去抗蝕劑膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3. 如申請專利範圍第1項之抗蝕劑處理方法,其中 抗蝕劑除去過程具有: 從基板的相對2邊近旁的兩面同時進行除去抗蝕劑膜 之第1除去過程;及 從基板的其他2邊近旁的兩面同時進行除去抗蝕劑膜 之第2除去過程。 4. 如申請專利範圍第1項之抗蝕劑處理方法,係具 ^紙張尺度適用+國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範固 有:抗蝕劑屬去過程進而具有輔助洗淨過程, 於該輔助洗淨過程,將可以溶解抗蝕劑的除去液噴吹 向基板角隅部的背面,而從基板角隅部的背面除去抗鈾劑 膜。 5.如申請專利範圍第1項之抗蝕劑處理方法,其中 在抗蝕劑除去過程中,除去抗蝕劑膜的範圍,基板的背面 側比基板的表面側還寬廣。 6 .如申請專利範圍第1項之抗蝕劑處理方法,其中 在抗蝕劑除去過程,除去從基板的邊緣起5〜1 Omm寬 度區域的抗蝕劑膜。 7.如申請專利範圍第1項之抗蝕劑處理方法,其中 在抗蝕劑除去過程中所使用之溶劑係爲稀薄劑、丙酮、丁 酮、醋酸丁酯、乳酸乙酯中之任一種》 8 .—種矩形之L C D用基扳的抗蝕劑處理裝置,主 要在於矩形之L CD用基板上塗敷抗蝕劑後,去除塗敷之 抗蝕劑的一部份之處理裝置,具備有: 將基板旋轉的同時將抗蝕劑供給至基板,至少在基板 的單面上形成抗蝕劑膜之塗敷手段; 配設在離開前述塗敷手段之處,用以從基板除去塗敷 後之抗蝕劑的抗蝕劑除去手段;及 在前述抗蝕劑膜塗敷手段與抗蝕劑除去手段之間,搬 送基板之搬送手段, 而前述抗蝕劑除去手段係具有: 將可溶解抗蝕劑膜之除去液噴在基板之邊緣部上之噴 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — — — — —ΓΙΙ I — I — · I I I I I i I ·ΙΙ — — — — — — ») I (請先閱身背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 嘴手段; 使此噴嘴手段沿著基板的周邊部移動之移動手段;及 連通於前述抗蝕劑除去手段,可產生從基板之周邊部 往外之氣流,以排氣基板周邊部之附近領域之排氣手段, 將從前述噴嘴手段噴出除去液,以從基板周邊部除去 抗蝕劑之同時,由前述氣流來使所除去之抗蝕劑排出至基 板之外面。 9.如申請專利範圍第8項之抗蝕劑處理裝置,其中 前述抗蝕劑除去手段更具有:用以保持基板成可旋轉之旋 轉夾盤。 1 0 .如申請專利範圍第9項之抗蝕劑處理裝置,其 中噴嘴手段具有: 主洗淨噴嘴,該噴嘴被設置成可以沿著基板的周邊部 移動,而將除去液噴吹至基板兩面的周邊部, 輔助洗淨噴嘴,被安裝於前述旋轉夾盤,而將除去液 噴吹至基板背面的角隅部。 1 1 ..如申請專利範圍第1 0項之抗蝕劑處理裝置, 其中主洗淨噴嘴具備有,在於固邊部配設成對於基板 之上面,下面成相對向之複數之噴嘴構件, 而該等噴嘴構件以隔著從個別所噴吹之除去液並不會 由其他之噴嘴構件所妨礙之間隔來配置爲排列成縱向之一 列狀。 1 2 .—種矩形之L C D用基板的抗蝕劑處理方法, 主要塗敷抗蝕劑於矩形之L C D用基板, 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS>A4規格(2扣x:297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1^.------- —訂---------線一Ί . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 具有保持基板並使其旋轉之旋轉夾盤及包圍旋轉夾盤 之可旋轉的旋轉杯及至少將此旋轉杯外週包圍之排水杯, 以前述旋轉夾盤保持基板, 一邊使基板旋轉,同時也使前述旋轉杯旋轉,一邊對 前述旋轉杯內之基板供給抗蝕劑, 使前述旋轉杯內排氣,同時將外氣導入前述旋轉杯內 ,由此來發生,在抗蝕劑塗敷中的基板之上方區域,從基 板中央朝向基板周邊之氣流;利用此氣流將懸浮在前述旋 轉杯內之抗蝕劑,由前述旋轉杯內排出至排水杯側, 抗蝕劑塗敷終了後旋轉杯內之氣氛以外氣來置換。 13. 一種矩形之L C D用基板的抗蝕劑處理裝置, 主要塗敷抗蝕劑於矩形之L CD用基板,具備有: 保持基板並使其旋轉之旋轉夾盤: 供給抗蝕劑至此旋轉夾盤上之基板的抗蝕劑供給手段 ) 旋轉杯,其係被設置成可旋轉並且能包圍前述旋轉夾 盤上之基板,並且設置有爲了排出從基板被離心分離之抗 蝕劑用之排出口,而其外周下部之直徑乃較外周上部之直 徑爲大,且前述排出孔乃被形成於下部; 至少包圍前述排水杯之外周,且介由前述排出孔承接 由前述旋轉杯排出之抗蝕劑的排水杯, 爲使此排水杯內排氣而被連續於該排水杯之排氣手段 :及 具有外氣導入孔,供外氣導入於前述旋轉杯內之手段 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I I I I I ---I I--I ^---III —--^ 1} l· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 力、申請專利範圍 9 而利用一邊將外氣導入前述旋轉杯內一邊使前述排水 杯內排氣,使在抗蝕劑塗敷中的基板之上方區域,發生從 基板中央朝向基板周緣之氣流,並利用此氣流將懸浮在前 述旋轉杯內之抗蝕劑,由前述旋轉杯內排出至排水杯側。 14. 如申請專利範圍第13項之抗蝕劑處理裝置, 其中在處理容器的上部被設置,隨著該處理容器的旋轉而 將外氣導入至處理容器內的螺絲溝狀或是螺旋狀之外氣導 入通路。 15. 如申請專利範圍第13項之抗蝕劑處理裝置, 其中 前述旋轉杯之外週下部之直徑比外週上部之直徑大, 在此旋轉杯之外週下部中,形成前述排出孔, 在前述旋轉杯之上部中,形成前述外氣導入孔。 I--------^--------裝--------訂---------線,.~i (請先閱讀背面之注杳3事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 X 297公釐) —5
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8913894 | 1994-04-04 | ||
JP6143841A JP3033008B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 処理方法及び処理装置 |
JP06174797A JP3114084B2 (ja) | 1994-04-04 | 1994-07-04 | 処理方法及び処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW399104B true TW399104B (en) | 2000-07-21 |
Family
ID=27306041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW084103709A TW399104B (en) | 1994-04-04 | 1995-04-15 | Anti-etching process and the method thereof |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5718763A (zh) |
KR (1) | KR100284559B1 (zh) |
TW (1) | TW399104B (zh) |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3069945B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2000-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
TW344097B (en) * | 1996-04-09 | 1998-11-01 | Tokyo Electron Co Ltd | Photoresist treating device of substrate and photoresist treating method |
US6413436B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
US6264752B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-07-24 | Gary L. Curtis | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-02-26 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
US5993552A (en) * | 1996-08-08 | 1999-11-30 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus |
JP3202929B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2001-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
TW357389B (en) * | 1996-12-27 | 1999-05-01 | Tokyo Electric Ltd | Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed |
JP3300624B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2002-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板端面の洗浄方法 |
JP3336898B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-10-21 | 三菱電機株式会社 | シリコンウエハ表面の不純物回収方法およびその装置 |
US6355397B1 (en) * | 1997-04-11 | 2002-03-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method and apparatus for improving resist pattern developing |
TW419716B (en) * | 1997-04-28 | 2001-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus |
JP3265237B2 (ja) * | 1997-08-01 | 2002-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板縁部の薄膜除去装置 |
TW442336B (en) * | 1997-08-19 | 2001-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Film forming method |
TW385489B (en) | 1997-08-26 | 2000-03-21 | Tokyo Electron Ltd | Method for processing substrate and device of processing device |
TW459266B (en) * | 1997-08-27 | 2001-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method |
TW418452B (en) * | 1997-10-31 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Coating process |
TW392226B (en) | 1997-11-05 | 2000-06-01 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus for processing substrate |
JP3320648B2 (ja) * | 1997-12-04 | 2002-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト膜の形成方法及びレジスト膜の形成装置 |
US6318385B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
US6423642B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
TW452828B (en) * | 1998-03-13 | 2001-09-01 | Semitool Inc | Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece |
US6632292B1 (en) * | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
US20050217707A1 (en) * | 1998-03-13 | 2005-10-06 | Aegerter Brian K | Selective processing of microelectronic workpiece surfaces |
JPH11283950A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Ebara Corp | 基板洗浄装置 |
KR100271768B1 (ko) | 1998-06-26 | 2001-02-01 | 윤종용 | 반도체 포토레지스트제거용 용제조성물, 이를 이용한 반도체장치 제조용 웨이퍼의 리워크방법 및 반도체장치의 제조방법 |
US6497801B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-12-24 | Semitool Inc | Electroplating apparatus with segmented anode array |
US6203218B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-03-20 | Tokyo Electron Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US6361600B1 (en) * | 1998-08-04 | 2002-03-26 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
KR100529872B1 (ko) * | 1998-09-09 | 2005-11-22 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 현상방법 및 현상장치 |
US6548411B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
US7217325B2 (en) * | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6511914B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
US6492284B2 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-10 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
US7189318B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-03-13 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7020537B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US6916412B2 (en) * | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
US7264698B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US7438788B2 (en) * | 1999-04-13 | 2008-10-21 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US20030038035A1 (en) * | 2001-05-30 | 2003-02-27 | Wilson Gregory J. | Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces |
EP1192298A4 (en) * | 1999-04-13 | 2006-08-23 | Semitool Inc | APPENDIX FOR THE ELECTROCHEMICAL TREATMENT OF A WORKPIECE |
KR100740239B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2007-07-18 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 도포처리장치 및 도포처리방법 |
US6170494B1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-01-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for automatically cleaning resist nozzle |
TW480562B (en) | 1999-12-20 | 2002-03-21 | Tokyo Electron Ltd | Coating processing apparatus |
US6497241B1 (en) * | 1999-12-23 | 2002-12-24 | Lam Research Corporation | Hollow core spindle and spin, rinse, and dry module including the same |
US6286231B1 (en) | 2000-01-12 | 2001-09-11 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
US20050183959A1 (en) * | 2000-04-13 | 2005-08-25 | Wilson Gregory J. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece |
AU2001282879A1 (en) * | 2000-07-08 | 2002-01-21 | Semitool, Inc. | Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology |
KR100436361B1 (ko) * | 2000-12-15 | 2004-06-18 | (주)케이.씨.텍 | 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치 |
US20050061676A1 (en) * | 2001-03-12 | 2005-03-24 | Wilson Gregory J. | System for electrochemically processing a workpiece |
JP4025030B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2007-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理装置及び搬送アーム |
US6823880B2 (en) * | 2001-04-25 | 2004-11-30 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | High pressure processing apparatus and high pressure processing method |
AU2002343330A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-10 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US20030136431A1 (en) * | 2002-01-24 | 2003-07-24 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for cleaning of microelectronic workpieces after chemical-mechanical planarization |
US6716285B1 (en) * | 2002-10-23 | 2004-04-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Spin coating of substrate with chemical |
US20040108212A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-10 | Lyndon Graham | Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces |
JP3890025B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2007-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置及び塗布処理方法 |
EP1609172B1 (en) * | 2003-03-20 | 2009-01-14 | Sez Ag | Device and method for wet treatment of disc-shaped articles |
US7247209B2 (en) * | 2003-06-12 | 2007-07-24 | National Semiconductor Corporation | Dual outlet nozzle for the combined edge bead removal and backside wash of spin coated wafers |
US7748392B2 (en) * | 2004-02-17 | 2010-07-06 | Appleton Papers Inc. | Edge cleaner device for coating process |
DE102004019731A1 (de) * | 2004-04-20 | 2005-11-10 | Sse Sister Semiconductor Equipment Gmbh | Vorrichtung zum Drehbelacken von Substraten |
KR100568873B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-04-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 에지 비드 스트립용 노즐장치 |
KR101019445B1 (ko) * | 2006-04-18 | 2011-03-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치 |
US20070254098A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for single-substrate processing with multiple chemicals and method of use |
JP4521056B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2010-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体 |
DE602007000584D1 (de) | 2006-06-16 | 2009-04-09 | Tokio Electron Ltd | Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung und -verfahren |
US7891366B2 (en) * | 2006-06-16 | 2011-02-22 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
US8091504B2 (en) * | 2006-09-19 | 2012-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning spin coater |
US7741583B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Bake plate lid cleaner and cleaning method |
DE102007033226A1 (de) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Kosub, Johann | Aerodynamisches Schleuderverfahren zum Auftragen von flüssigen Schichten |
JP4825178B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
DE102008044753A1 (de) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Tokyo Electron Limited | Substratbearbeitungsvorrichtung und Verfahren |
DE102009007260B3 (de) * | 2009-02-03 | 2010-06-10 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats |
JP5666614B2 (ja) * | 2011-04-26 | 2015-02-12 | タツモ株式会社 | 除膜方法、除膜装置、および除膜用ノズル |
JP5789546B2 (ja) | 2011-04-26 | 2015-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置、塗布現像処理システム、並びに塗布処理方法及びその塗布処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
TWM418398U (en) * | 2011-08-10 | 2011-12-11 | Manz Taiwan Ltd | Elevation Conveying type Chemical bath deposition apparatus |
JP6239893B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2017-11-29 | 株式会社荏原製作所 | ウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置 |
JP6032189B2 (ja) * | 2013-12-03 | 2016-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体 |
CN104808446B (zh) * | 2015-05-07 | 2021-02-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种涂布机 |
NL2025916B1 (en) * | 2020-06-25 | 2022-02-21 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Wet Process Module and Method of Operation |
NL2028766B1 (en) * | 2021-07-16 | 2023-01-23 | Dd Innovations B V | Medicine unit container for use in a medicine unit |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5217813A (en) * | 1975-07-29 | 1977-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photographic light sensitive material and method of spin coating to provide the same |
JPS6028385B2 (ja) * | 1980-04-26 | 1985-07-04 | 呉船産業株式会社 | 洗浄乾燥装置 |
JPS61296724A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-27 | Hitachi Ltd | 高圧ジエツトスクラバ洗浄装置 |
JPH0680695B2 (ja) * | 1987-07-03 | 1994-10-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPH01296724A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-30 | Nec Corp | 衛星交換制御方式 |
JPH0290523A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 基板洗浄装置 |
JPH0628223Y2 (ja) * | 1989-06-14 | 1994-08-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転塗布装置 |
JPH0322428A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
JP2655455B2 (ja) * | 1991-05-27 | 1997-09-17 | 日本電気株式会社 | 遠心脱水機 |
JPH04363022A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | Enya Syst:Kk | 貼付板洗浄装置 |
JP3011806B2 (ja) * | 1991-10-22 | 2000-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 角状被処理体のフォトレジスト除去装置 |
JPH05200350A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板端縁洗浄装置 |
US5439519A (en) * | 1992-04-28 | 1995-08-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Solution applying apparatus |
JP2654314B2 (ja) * | 1992-06-04 | 1997-09-17 | 東京応化工業株式会社 | 裏面洗浄装置 |
NL9201825A (nl) * | 1992-10-21 | 1994-05-16 | Od & Me Bv | Inrichting voor het vervaardigen van een matrijs voor een schijfvormige registratiedrager. |
US5371046A (en) * | 1993-07-22 | 1994-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to solve sog non-uniformity in the VLSI process |
US5454371A (en) * | 1993-11-29 | 1995-10-03 | London Health Association | Method and system for constructing and displaying three-dimensional images |
-
1995
- 1995-04-04 US US08/416,369 patent/US5718763A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-04 KR KR1019950007866A patent/KR100284559B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-04-15 TW TW084103709A patent/TW399104B/zh not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-11-05 US US08/964,608 patent/US5853803A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5853803A (en) | 1998-12-29 |
US5718763A (en) | 1998-02-17 |
KR100284559B1 (ko) | 2001-04-02 |
KR950034475A (ko) | 1995-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW399104B (en) | Anti-etching process and the method thereof | |
TWI244131B (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
TW554401B (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100430461B1 (ko) | 액막형성장치및액막형성방법 | |
JP6618334B2 (ja) | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 | |
TWI692827B (zh) | 膜處理單元、基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP3694641B2 (ja) | 基板処理装置、現像処理装置及び現像処理方法 | |
TWI626997B (zh) | 膜處理單元及基板處理裝置 | |
KR20100071895A (ko) | 세정 장치, 기판 처리 시스템, 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 | |
TW504844B (en) | Resist process device and resist process method | |
TWI231950B (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method | |
JP2004193568A (ja) | 基板処理装置及び洗浄方法 | |
TW480549B (en) | Substrate treating device and method | |
JP2006190828A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH07326571A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
JPH10163154A (ja) | 基板洗浄方法および装置 | |
JP4052820B2 (ja) | 現像処理装置 | |
JP2920855B2 (ja) | 洗浄処理装置 | |
JPH10163159A (ja) | 基板洗浄装置の処理チャンバ装置 | |
JP3389290B2 (ja) | 角型基板処理装置及び角型基板処理方法 | |
JP3901777B2 (ja) | 基板洗浄装置のゲート装置 | |
JP2000035681A (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
JPH10163150A (ja) | 基板洗浄方法および装置 | |
JPH10163147A (ja) | 基板洗浄装置のチャッキング装置 | |
JPH10163146A (ja) | 基板洗浄システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |