TW201017743A - Method of manufacturing wafer laminated body, device of manufacturing wafer laminated body, wafer laminated body, method of peeling support body, and method of manufacturing wafer - Google Patents

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TW201017743A
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TW
Taiwan
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wafer
support
adhesive
resin
laminate
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TW098129412A
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Ryota Akiyama
Kazuta Saito
Shinya Nakajima
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3M Innovative Properties Co
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Description

201017743 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種製造^一具有經由一黏接劑彼此黏接之一 晶圓及一支撐體的晶圓層積體之方法、一種製造一晶圓層 積體之裝置、一種晶圓層積體、一種剝離一支撐體之方法 及一種製造一晶圓之方法。 【先前技術】 一般而言，當製造一種厚度減小的半導體晶片時，一半 導體晶圓其上一形成有一電路圖案及電極的反面被研磨使 得該半導體晶圓可作為具有一最終形狀之一個別晶片。習 € 知的係該半導韙晶圓之電路面側由一保護膠帶固持然後該 反面被研磨。然而，由於在一些情況下一種高度為幾十微 米的突出及下凹結構被形成於該電路面上，該保護膠帶不 能吸住該突出及下凹結構且一電路圖案被轉移至該半導體 晶圓反面。在這種情況下，應力集中於突出部分且該半導 體晶圓破裂。為解決上述問題，將採取一種使該保護膠帶 之一黏接層變厚或者使一基材料變厚或使其形成多層結構 的此一對策。上述對策頗為有效。然而，在一晶圓具有一 w 同度不小於100 μιη之突出電極的一種被稱為高凸塊的情況 下’保護膠帶難以吸住形成於該電路面上的突出及下凹部 分。此外，有時該保護膝帶本身之厚度具有1〇叫之偏 差。在這種情況下，該厚度偏差亦影響該晶圓。 作為一種解決上述問題的習知實例，日本專利第jp 2004-064G4G號提議—種諸如-玻璃基材或金屬基材的高 143065.doc -4- 201017743 剛性保護基材藉由使用液體黏接劑而黏接至一半導體晶圓 上的方法。由於使用該液體黏接劑，可完全吸住該半導體 晶圓表面上之突出及下凹部分。由於該半導體晶圓可被該 尚剛性保護基材保護，可解決該半導體晶圓之電路圖案在 * 研磨反面時轉移的此一問題或解決該半導體晶圓破裂的此 w 一題。 另一個透過黏接劑使保護基材黏接至該半導體晶圓上的 習知實例被揭示於曰本專利第JP2002-203827號中。在該 〇 習知實例的此製造方法中將作出如下描述。在日本專利第 JP2004-064040號之段落[0009]中，「一種用於形成一塗層 的塗層溶液被塗布使得突出及下凹部分可被嵌入於該塗層 中。該塗層溶液之一表面被製成一塗層。該塗層之斷裂延 伸率為30到700%且斷裂應力為Ι.ΟχΙΟ7到5.〇xl〇7 pa。」關 於平滑化該塗層溶液，段落[0026]作出如下描述。「為平 滑化該塗層溶液之表面，如圖2所示，可以使一諸如一玻 璃板的平滑表面板部件4黏接至用於形成一塗層的塗層溶 液之一表面上的一種方法平滑化該塗層溶液之表面。」為 硬化該塗層溶液，段落[0028]作出如下描述。「在使用一 如圖2所示之板形部件4的情況下，當一能量射線硬化型樹 •脂被用作一硬化樹脂以便形成一用於形成一塗層的塗層溶 液時’能量射線從該板部件4側照射以便將用於該塗層的 塗層溶液2形成至該塗層中。」 【發明内容】 然而，玻璃基材或金屬基材藉由使用一種黏接劑黏接至 143065.doc 201017743 一半導體晶圓的方法之一問題在於難以從厚度藉由研磨半 導體之反面而減小的高剛性半導體晶圓剝離該玻璃基材或 該金屬基材。因此，已提議一釋放層事先設於該保護基材 上並執行雷射剝離的一種方法。然而，由於需要一種複雜 裝置，因此，存在一種對於係一簡單方法的持續需求。 在一態樣中，本發明提供一種製造一晶圓層積體的方 法 種製造一晶圓層積體的裝置、一種晶圓層積體、一 種剝離一支撐體的方法及一種製造一晶圓的方法，其所有 都能改善一晶圓之反面的研磨特性。 在另一態樣中，本發明提供一種製造一晶圓層積體的方 _ 法、一種製造一晶圓層積體的裝置、一種晶圓層積體、一 種剝離一支撐體的方法及一種製造一晶圓的方法，該製造 晶圓的方法允許一支撐體及一黏接劑層在研磨—晶圓之反 面後輕易剝離。 為解決上述問題，在一個實施例中本發明提供一種製造 一晶圓層積體的方法，該晶圓層積體包括：（a)__晶圓； (b)—支撐該晶圓的支撐體；（c)一黏接該晶圓及該支撐體❿ 的黏接劑層；（d)—形成於該晶圓之側壁之外周邊上的樹脂 突出部；該方法包括以下各項步驟：（1)將該晶圓抽吸至一 定位於上的晶圓抽吸台，將該支撐體抽吸至一定位於下的 支撐體抽吸台，且在一垂直方向中彼此相對配置該晶圓及 忒支撐體，（2)塗布一液體黏接樹脂至該支撐體之相對於該 曰曰圓的相對面以形成該黏接劑層；（3)造成該晶圓及該支撐 體彼此接近同時維持其間的平行，對置於其間的該黏接樹 143065.doc -6 - 201017743 脂施加壓力並展開該黏接樹脂因而用該黏接樹脂填充該晶 圓及該支撐體之間的空間，並在該晶圓之側壁的外周邊上 形成該樹脂突出部；及（4)當該晶圓層積體達到一預定厚度 時利用务外線照射該黏接樹脂因而硬化該黏接樹脂並形成 ，該黏接劑層。 利用此製造方法，可大體上避免在研磨反面時晶圓的破 裂及在該晶圓邊緣的剝落，且可製造一種具有該晶圓之反 面之極佳研磨特性的晶圓層積體。由於該晶圓之表面不規 • 則性可被黏接劑層吸住，在研磨該晶圓之反面時該晶圓之 破裂可被大體上抑制。 本發明之另一態樣提供一種製造一晶圓層積體的裝置， 該裝置包括：一用於抽吸一晶圓的晶圓抽吸台；一配置於 該晶圓抽吸台之下側之下並與該晶圓抽吸台相對的支樓體 抽吸台，用於真空抽吸一待經由一液體黏接劑附接至該晶 圓的支撐體；及一利用紫外線照射該黏接樹脂以硬化該黏 接樹脂的UV照射源；其中該支撐體抽吸台可傳輸該紫外 ® 線並具有表面不規則性以便能抽吸該支撐體。 利用此製造裝置，可製造一種具有該晶圓之反面之極佳 研磨特性的晶圓層積體。 "本發明又另一態樣提供一種晶圓層積體，該晶圓層積體 包括：一晶圓；一支撐該晶圓的支撐體；一將該晶圓黏接 至該支撐體的黏接劑層；及一形成於該晶圓之側壁之外周 邊上的樹脂突出部。 利用此晶圓層積體，該晶圓之表面不規則性可藉由黏接 143065.doc 201017743 劑層吸收’使得在研磨該晶圓之反面時該晶圓的破裂可大 體上抑制。 本發明的又另一態樣提供一種剝離一支撐體的方法，在 該方法中在如請求項10或11之該晶圓層積體的反面被研磨 以減小該晶圓之厚度至一預定厚度之後，該支撐體連同該 黏接劑層從該晶圓層積體剝離，其中該支撐體連同該黏接 劑層以在該支撐體以大體上U形折回時該晶圓不彎曲的此 一方式從該晶圓層積趙剝離。 利用此剝離一支撐體的方法，在一晶圓之反面的研磨完
C 成後’該支撐體連同該黏接劑層可無須使用一種複雜裝置 從該晶圓剝離而不會在該晶圓中產生剝離失敗。 本發明之又另一態樣提供一種製造一晶圓的方法，該方 法包括如下步驟：提供一晶圓層積體；研磨該晶圓至一所 薄又及在研磨元成後從一晶圓層積體剝離一支樓體連 同一黏接劑層。 利用此製造一晶圓的方法，在研磨時晶圓的損傷及在剝 離時晶圓的損傷可大體上被避免，使得作為一最終產品的❹ 薄晶圓可從-作為__中間產品的晶圓層積體中獲取。 【實施方式】 本發明將參考顯不其實施例之特定實例的圖式而詳細描 述圖1為_不根據本發明之晶圓層積體之一實施例的 視圖。 本實施例之一晶圓層積體1具有一多層結構。該晶圓層 積體I括具有一正面及—作為一研磨面之反面的晶 143065.doc -8 - 201017743 圓2,該正面具有一作為一黏接面的電路圖案5; 一保護該 電路圖案5並在該反面之研磨完成後從該黏接面剝離的樹 脂膜（支撐體）3 ;及一將該晶圓2黏接至該樹脂膜3的黏接劑 層4。一樹脂突出部4a形成於該黏接劑層4之外周邊上以致 從該晶圓2突出。該樹脂膜3連同該黏接劑層4將在該晶圓2 之反面研磨完成後從該晶圓2剝離。在本實施例中，該樹 脂膜3及該黏接劑層4分別作為單層形成。然而將該樹脂膜 3及該黏接劑層4分別作為多層形成亦可行。 該晶圓2可為一種由矽、鎵或砷製成的半導體晶圓，其 厚度可預期不超過100 μιη。該晶圓之一其上提供有該電路 圖案的表面突出並下凹。然而，當該黏接劑進入該等下凹 部分時，該晶圓2之表面可被平坦化。 該液體黏接劑4為一種硬化型黏接劑、一種熱熔黏接劑 或蠟，其黏度不小於1〇〇 cP且在硬化前由Br〇〇kfield型黏 度計於23°C測量時低於10000 cP。黏度被如上決定之理由 解釋如下。在黏度低於100 cP的情況下難以控制該黏接劑 4之厚度。在黏度不小於1〇〇〇〇⑶的情況下，黏結劑4難以 在該晶圓2之突出及下凹面上延展，即，該黏結劑4難以進 i等下凹^卩刀。在一種熱定型黏接劑或一種熱熔型黏接 劑的情況下，當黏度在熱熔溫度低於丨〇〇〇〇 cp時不會產生 問題。然而，當考慮硬化時間（固化時間）及該裝置由加熱 引起的尺寸之變化時，較佳的係使用一種在一較短時間内 硬化的光硬化型黏接劑，例如，較佳的係使用一種紫外線 硬化型黏接劑。在該紫外線硬化型黏接劑係用於該液體黏 143065.doc 201017743 接劑4的情況下，重要的係該樹脂膜3具有一種紫外線傳輸 特性。 就此而言，該紫外線硬化型黏接劑在其用諸如熱射線或 紫外射線的能量射線照射時硬化。該紫外線硬化型黏接劑 之常見實例為丙烯酸單體及環氧樹脂。用於使該晶圓2及 該膜3彼此黏接的黏接劑4之厚度經決定使得其可吸住該晶 圓2之厚度，然而，通常該黏接劑4厚度為1〇 4瓜至15〇 μπι。黏接劑4厚度較佳的為20 μιη至1 〇〇 。 該支撐體透過該黏接劑黏接至該半導體晶圓2的一種習 知實例被揭示於日本專利第JP2004-064040號中。在曰本 專利第JP2004-064040號中，係作出如下描述。一種用於 形成一塗層的塗層溶液被塗布使得突出及下凹部分可被嵌 入於該塗層中。該塗層溶液之一表面被製成一塗層。該塗 層之斷裂延伸率為30到700%且斷裂應力為1 〇χ1〇7到 5.0x1 〇7 pa。」另一方面，將對本發明之黏接劑4作出如下 說明。 (1) 為防止在反面拋光（研磨）時由該黏接劑4產生的移 動及變形’較佳的係斷裂延伸率不超過5〇%，且更佳的係 當一如測試方法JIS K 025卜1993所描述之啞鈐形Νο·3測試 件拉緊於23 °C時斷裂延伸率不超過3〇%。 (2) 為減少在該樹脂膜3及該黏接劑4之分離時由該突 出及下凹面上之黏接劑4產生的機械錨定力（錨定效應）所引 起之分離失敗，該斷裂延伸率較佳係不超過5 〇/0。 (3) 為在剝離時藉由一較弱的剝離力剝離膜3及該黏接 143065.doc •10· 201017743 ❹ 參 劑4並進一步防止該黏接劑4斷裂，必要的係該㈣㈣有 適f強度及彈性。較佳的係該黏接劑在固化後的拉伸彈性 模量在23。(：處用Leometrix c。·製造的rsaii型動態黏度計 測量為L〇x1〇8Pa到9.〇xl〇8pa。該拉伸彈性模量顯示彈性 限度。因此，該拉伸彈性模量用於正確評估彈性。具有一 極佳分離性能的黏接劑4之—實例為LC3〇〇〇系歹4，其可從 Smmtomo 3M CO.，Ltd購得。當該彈性模量過低時，該黏 接劑變得黏的，不能期待-種極佳的剝離特性，此外還存 在該黏接劑在剝離時斷裂的可能性。當彈性❹太高時， 如上述之方式，該黏接劑易於部分留於待黏接之表面上。 在日本專利第侧_號中，斷裂延伸率為3〇到 700%且斷裂應力為、到5刺〇、的黏接劑之物 理特性備受期待。因此，可期待一種極佳研磨特性。在剝 離該黏接劑層時’將產生該黏接劑之一應力鬆他，在一剝 離介面上集中應力不可行。其結果係，剝離力增加，期待 一極佳分離不可行。 為防止在研磨反面時該晶圓2扭曲以致執行研磨而不產 生變形，較佳的係該樹脂膜3具有一適當高的剛性。進— 步’較佳的係該樹脂膜3可在研磨反面完成後輕易剝離。 可考慮的係該樹脂膜3在研磨反面時受摩擦加熱、汽相沉 濺射電It及ϋ刻程序。因此，根據程序條件，較佳 的係選擇-種具有透明特性、抗熱特性、抗化學特性及— 低膨脹比的支撐體。著眼於研磨該反面而不產生變形，較 佳的係該樹脂膜3具有在2rc時之一卿购且更高㈣ 143065.doc 201017743 曲彈性模量。在這種情況下’該彎曲彈性模量可根據測試 方法JIS K 7171-1994測量。如圖2所示’著眼於在研磨該 反面後彎曲該樹脂膜3以致輕易剝離，該樹脂膜3之管曲彈 性模量較佳的係在231時不超過10000 MPa。在這種情況 下，該彎曲彈性模量被規定於jIS K 7171-1994中。該樹脂 膜3之厚度較佳地係30 μηι到200 μιη。可用膜的實例包含一 聚醋膜，例如聚對苯二f酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二 酯；聚烯烴及聚烯烴共聚物膜，例如聚丙烯聚乙烯或聚甲 基戊烷；聚醯胺膜；及丙烯腈膜。為在研磨該反面後的剝 離時連同該黏接劑4 一起剝離該樹脂膜3，該樹脂膜3可塗 有一底料層或一黏接劑層。或者，該樹脂層3可受諸如電 暈處理的表面處理。待使用之底料的實例有：氨基鉀酸酯 底料、橡膠底料或聚酯底料。在一些情況下，一種丙烯酸 黏接劑或一種橡膠黏接劑被塗布。除了塗布一底料或一黏 接劑外，可執行表面墊處理、電漿處理、化學蝕刻或火焰 處理。為抑制在樹脂膜3扭曲時產生的問題，該膜可由一 多層結構組成，使用一種含有複數個緩衝層的多層膜可 行。在使用一種多層樹脂膜3的情況下，較佳的係所有層 由相同品質的樹脂材料製成。較佳的係各個層之彎曲彈性 模量在室溫23C時不小於i000 MPa且不超過1〇〇〇〇 Mpa。 該多層結構樹脂膜3之總厚度設定為3〇 μη^,!2〇() μιη。 在該晶圓層積體1之反面已研磨後，該樹脂膜3從該晶圓 層積體1剝離。在這種情況下，用於本實施例之該黏接劑4 相對於該樹脂膜3的黏接強度高於該黏接劑4相對於該晶圓 143065.doc 201017743 2的黏接強度。因此’該樹脂膜3可剝離而不在該晶圓2上 留下黏接劑4。 如圖2所示’當該樹脂膜3從該晶圓層積體i剝離時，該 晶圓層積體1被設定為上下顛倒且該樹脂膜3藉由使用如下 … 的剝離方法而剝離。在該樹脂膜3被回折成為大體上U形 時，一產生於一作為剝離該樹脂膜3之起始點之彎曲部中 的彈性恢復力係作用於該晶圓2上。由於前述，該晶圓2被 防止向上彎曲且該樹脂膜3可從該晶圓2輕易剝離。 ❹ 然後’製造上述晶圓層積體1的製造裝置之一實施例將 被說明於下。如圖3所示，該製造裝置丨〇經設計使得該上 抽吸台（該晶圓抽吸台）18及該下抽吸台（該第一層抽吸 台）26經配置能夠在一包含由三個或更多個支撐件2丨支撐 的該上基部1 6及該下基部30之外殼中垂直移動。該上抽吸 台18及該下抽吸台26經配置彼此相對使得該中心轴c可在 相同轴線上。用於發出紫外射線以致硬化該液體黏接劑4 的該UV照射源3 3被配置於該下抽吸台2 6之下側上。為均 ® 勻分配一給定於該外殼結構之垂直方向中的負載，從該等 支撑件21到g亥上抽吸台1 8之移動軸的距離都相同且該等支 撑件21以有規則的間隔配置。關於此點，本實施例之該製 造裝置10包含一 UV照射源33，其為用於硬化該液體黏接 劑4的硬化構件。然而，應注意用於硬化該黏接劑4的硬化 構件不限於本發明之上述UV照射源33。亦可使用一種熱 源替代該UV照射源33。 為使該上抽吸台18在相對於該上基部16之參考面的垂直 143065.doc -13- 201017743 方向中移動，支撐該上抽吸台18的該剛性軸12沿著封閉兩 個線轴軸套13、15的圓柱形部件14向上及向下移動。此 時’為增加該轴12在該垂直方向中的移動精確性，重要的 係該等兩個線性轴套丨3、〗5附接於彼此遠離的位置。 用於支撐該上抽吸台18的軸12之致動器11之實例為：一 氣缸、一液壓缸及一線性馬達頭。然而，著眼於維持停止 位置之精確性及增強停止性能，較佳的係使用一種由一飼 服馬達或一步進馬達驅動的線性頭。該致動器丨丨之最大推 力取決於待實際黏住之晶圓的尺寸、該製造裝置之阻抗負 載及該黏接劑之黏度。較佳的係該致動器】丨之推力可被產 生使得大約0.1 kg/cm2到1.0 kg/cm2的壓力可被給出。在任 何If况下，重要的係即使一外力被給出該軸丨2於停止時間 不移動。然而’一種較小的彈回現象之發生不可避免。因 此’提供一種全時監視該上抽吸台18及該下抽吸台26之間 之絕對縫隙距離的機構係必要的。以如下方式控制絕對 縫隙係有效地。例如，該線性表17被附接至該上抽吸台之 一側使得該線性表1 7之一前端部可與該下抽吸台26之透明 剛性體（平板）24接觸。 該上抽吸台18包含一固持該晶圓2的機構。為維持待抽 及之aa圓2的平坦度’該抽吸面之平坦度在μ]^的範圍 内。更佳的係該抽吸面之平坦度在±1 μπι的範圍内。對於 該固持機構，可使用一種真空抽吸、黏性抽吸或靜電抽吸 的方法。較佳的係使用一種真空抽吸方法，因為其較簡 單。在本發明中’用於真空抽吸的抽吸溝槽23被提供於該 143065.doc 201017743 上抽吸台18上。為促進在抽吸該晶圓時空氣的排放，具有 不超過幾微㈣表面不規則性被提供於該抽吸面上使得該 抽吸面之平坦度不受影響。
為藉由真空抽吸該樹脂膜3，該下抽吸台“包含抽吸溝 槽28。為維持待抽吸之樹脂膜3的平坦度，該抽吸面之平 坦度在±5⑽的範圍内。較佳的係該抽吸面之平坦度在±1 ㈣的範圍内。與上抽吸台18之抽吸面相同，為促進空氣 從該抽吸面及待抽吸之樹脂膜3之間的排放，該剛性體 24(顯示於圖5中）具有不超過幾微米的表面不規則性使得該 抽吸面之平坦度不受影響。該剛性體24上的表面不規則性 可由多種方法形成。舉例來說，可應用爆破。在剛性體Μ 由玻璃製成的情況下，該表面不規則性38與研磨玻璃之表 面不規則性相同。著眼於維持黏接時的可視性、抑制黏接 時變形的產生及使紫外線於紫外線硬化型液體黏接劑硬化 時傳輸，較佳的係該下抽吸台26之—中心部由—透明剛性 體24形成。該透明剛性體24之實例為：諸如叫叫註冊品 牌名稱)或Tenpax(註冊品牌名稱)的硼酸玻璃；及石英玻 璃在八有β亥下抽吸台26之一部分由一透明剛形體形成的 情況下’較佳的係提供三個支㈣29使得搖擺的產生得以 避免，即，較佳的係使用三點支撐系統。 從控制該上抽吸台18之抽吸面及該下抽吸台⑽抽吸面 之間的平行性觀點來看，可行的是構成該下抽吸台％不在 垂直方向中移動且只改變該抽吸面之一傾斜角度的此一結 構。改變該抽吸面之一傾斜角度的一特定方法為該下基‘ 143065.doc -15- 201017743 3〇由該測微計頭31之三點支撐。當該測微計頭31之三點獨 立移動時，該下抽吸台26之一傾斜角度可被改變。 如圖6所示的製造裝置之一變體，可將該上抽吸台“及 該下抽吸台26之間之一空間形成為一種真空氣氛空間。在 這種情況下，當與該下抽吸台26之一相對面接觸並彈性變 形的〇形環22附接至該上抽吸台18之—相對面之一外周邊 部時，該上抽吸台18及該下抽吸台26之間的空間可被緊密 封閉且當如此緊密封閉之空間被減壓時，可將該空間維持 於真空氣氛之狀態。〇形環22之材料的實例為：丁腈橡 膠、氟橡膠、矽橡膠及乙丙烯橡膠。 用於照射紫外線以硬化該液體黏接劑4的υν照射源33被 配置於該下基部30中心之正下方。視待使用之黏接劑4的 類型、該樹脂膜3及附接至該下抽吸台26的透明剛性體24 之透光度而定’ UV照射源33之照射強度經決定大約為5〇 mW/cm2至100 mW/cm2。然後，當紫外線照射1〇秒到2〇秒 時’可照射出500 mJ/cm2到2000 mJ/cm2的能量。 然後，參考圖4(a)到圖4(c)，一種製造該晶圓2的示例性 方法將被說明於下。此製造方法包含一藉由真空抽吸該晶 圓2至該上抽吸台18之抽吸面上的步驟；一抽吸該樹脂膜3 至該下抽吸台26(該剛性體24)之抽吸面上的步驟；一塗布 該液體黏接劑4至該樹脂膜3上的步驟；一在該晶圓表面及 該膜表面彼此接觸之後同時在其間維持平行時對該液體黏 接劑4施Μ並延展該黏接劑4的步驟；一在該黏接劑4之厚 度（該晶圓層積體之厚度）達到一預定值的時間點硬化該液 143065.doc •16· 201017743 體黏接劑4的步驟；及一取出已黏接之晶圓層積ι的步 驟。 在顯示於圖4 a的抽吸該晶圓2至該上抽吸台丨8之抽吸面 上的步驟中，該晶圓2係藉由真空抽吸至該上抽吸台1 8使 得該晶圓2之一黏接面（一相對面）可指向下。另一方面，在 抽吸該樹脂膜3至該下抽吸台26之抽吸面上的步驟中，可 執行真空抽吸使得該樹脂膜3之一黏接面（一相對面）可指向 上。較佳的係在真空抽吸時的壓力低於1〇〇 Pa。 β 然後，在圖4b所顯示的塗布黏接劑至該樹脂膜3上的步 驟中，施加期間要求大體上無氣泡與該黏接劑混合。如果 氣/包與β亥黏接劑混合，該晶圓層積體〗之厚度可變得不均 勻，其可導致在研磨晶圓之反面時該晶圓中的破裂或斷裂 (剝落）。為確保均句展開被施加的黏接劑及該黏接劑之外 周邊上之樹脂突出部的均勻形成，該液體黏接劑被施加於 該晶圓2之黏接中心附近。為控制該液體黏接劑之外周邊 上的樹脂突出部4a，需要施加將該黏接劑層4之目標厚度 (該層積體之厚度）考慮在内的適當數量之黏接劑。使用比 填充該晶圓2及該膜3之間之空間所需之數量多大約1〇%的 數量對形成該黏接劑之樹脂突出部4a有利。明確言之，被 施加之黏接劑的數量W(g)由公式w(g)=1.丨 出，其中R(cm)為該晶圓之半徑，t(cm)為該黏接劑之厚 度’且G(g/cm3)為該黏接劑之密度。 然後，圖4c之該上抽吸台18緩慢下降，且當該晶圓2與 該膜3上的黏接劑接觸時，該致動器n經操作以對該晶圓2 143065.doc -17- 201017743 及該樹脂膜3之間的黏接劑加壓，該壓力取決於該黏接劑 之黏度、目標厚度及類似物，但可大約在〇.1仏^^到1〇 kg/cm2的範圍内。在維持此加壓狀態的同時，該液體黏接 劑在該晶圓2之整個表面上展開直到獲得該黏接劑層4的所 需厚度’在該晶圓2及該膜3之間的黏接劑從該晶圓2及該 膜3之間的空間擠出以便在該晶圓2(晶圓層積體1)之外周邊 側上形成樹脂突出部4a。當該樹脂突出部4a被形成並達到 黏接劑層4之所需厚度，來自該uV照射源的紫外線被照射 至該黏接劑以硬化該黏接劑。 該樹脂突出部4a為一從該晶圓2之外周邊向外突出的部 分。藉由形成此樹脂突出部4a，該晶圓2之外周邊可黏接 至該膜3而不在其間產生縫隙。由此，可避免該晶圓2之外 周邊中的一部分未黏接至該膜3之情況的發生，使得可避 免應力集中於此一未黏接部分導致在研磨反面時剝落的發 生。由於此剝落更易於產生於較薄晶圓2的情況下，形成 該樹月曰大出部可有效避免剝落的發生。形成於該晶圓2之 外周邊上的樹脂突出部4 a的形成可依據黏接劑之黏度及類 型、相對於該晶圓2及該膜3的可濕度而改變。該樹脂突出 部钝可形成為凹型（圓角型）4心或凸型乜2。該樹脂突出部 4a為凹型4ai。 該樹脂突出部4 a藉由對該晶圓2及該膜3之間之一預定數 量的黏接劑加壓以迫使該黏接劑被擠出該晶圓2而形成， 且不與抽吸該晶圓2的上抽吸台18之抽吸面接觸。這係由 於該上抽吸台1 8被疋位於上，且因為經塗布之黏接劑的數 143065.doc 201017743 量被調整為適當數量。由於該樹脂膜3以稍大於該晶圓2之 尺寸的尺寸形成，其可接收從該晶圓2及該樹脂膜3之間的 空間擠出的黏接劑，且可由此形成一種裙形樹脂突出部 4a °由此’用於製造該晶圓層積體的該裝置1〇之構造為形 . 成該樹脂突出部4a的較佳配置，在該裝置中用於抽吸該晶 圓的上抽吸台18定位於上’用於抽吸該膜3的下抽吸台26 定位於下。 作為一種中間產品的該晶圓層積體1以如上之方式製 • 造。然後該晶圓層積體1被轉移到研磨反面的步驟，其中 該晶圓2被研磨至一所需厚度。在研磨該反面完成後，該 樹脂膜3連同該黏接劑層4根據本發明之方法從該晶圓層積 體1剝離以獲取所需厚度的晶圓2。 在如上描述之製造該晶圓層積體1的製造方法中，即使 在施力:該黏接劑4至該膜上3時大體上無氣泡與該黏接劑混 a戒包亦可旎在將該黏接劑4展開於該晶圓2及該膜3之 ㈣程序中與該黏接劑4混合。舉例來說，在提供於該晶 圓之表面上的電路體之長寬比較高的情況下或在形成一種 所謂的高凸塊之電路體的情況下，存在一種較大數量的氣 泡與該黏接劑4混合的可能性。如果該等氣泡與該黏接劑4 混合’該晶圓2將可能破裂或斷裂。因此，一在該晶圓认 該膜3之間的空間被置於真空氣氛中使得無氣泡可在該黏 接劑4展開於該晶圓2及該膜3之間時混合於該黏接劑钟。 此方法顯示於圖6中。當使用此方法時亦可將氣泡消泡， 如果在該晶圓2及該膜3彼此黏接之前與該黏接劑4混合的 143065.doc •19· 201017743 氣泡存在的話。 顯示於圖7a到圖7e的本發明之製造方法的變體可包含使 一在該晶圓2及該膜3的氣氛成為真空狀態使得無氣泡可與 該黏接劑4混合且與該黏接劑4混合的氣泡可被消泡。顯示 於圖7 c的將該等氣泡消泡之步驟可執行於在該晶圓2及該 膜3彼此接觸之後對該液體黏接劑4加壓並展開的步驟中。 為了執行消泡步驟，需要使晶圓2及膜3在真空氣氛中彼此 黏接。在這種情況下，真空氣氛可以在該製造裝置1〇A之 外设結構中提供一真空罐或如圖6所示將〇形環22附接至該 上抽吸台18之相對面之外周邊部’使得一在該上抽吸台18 及該下抽吸台26之間之空間可被緊密封閉並減壓的此一方 式形成。 一種將與該黏接劑4混合之氣泡消泡的方法將詳細說明 於下。抽吸至該上抽吸台18的晶圓2靠近抽吸至該下抽吸 台26的該膜3。當從位於一在該上抽吸台18及下抽吸台26 之間之位置之消泡夾36突出的〇形環37與該下抽吸台26接 觸時’該致動器1 1或該軸12之一動作完全停止。在此時間 點’該膜3上的黏接劑4不與該晶圓2接觸。然後，一減壓 裝置（未顯示）被操作且一在該晶圓2及該膜3之間的空間係 透過該真空閥20(顯示於圖6)減壓。 當消泡完成時，該致動器11或該轴12經操作使得壓力可 逐漸給出。因此’該上抽吸台丨8可獲得由該致動器丨丨產生 之壓力及大氣壓。當此加壓狀態被維持且該黏接劑4在該 晶圓2之整個表面上展開且進一步該黏接劑厚度達到一預 143065.doc •20· 201017743 定值時，該真空閥20關閉。在減壓條件下，將照射出紫外 線且該黏接劑4被硬化。在該黏接劑4硬化後，一在該上抽 吸台1 8及該下抽吸台26之間的空間將向大氣打開且該膜層 積體1被取出。在該膜層積體1之晶圓2之一反面被研磨 • 後’該樹脂膜3藉由圖2之1 80°剝離法從該膜層積體i剝 .離。依此方式’可獲取厚度為一所需值的晶圓2。 關於此點，應注意本發明不限於上述特定實施例且可作 出改變。在本實施例之晶圓層積體1中，該黏接劑層4為一 Φ 單一層’然而，該黏接劑層4可形成為多層結構。舉例來 說，在該晶圓2被抽吸至該上抽吸台18之前，該晶圓之一 表面可藉由一用於表面製備的黏接劑而受表面製備，該黏 接劑之品質大體上與該黏接劑4相同。在這種情況下，該 黏接劑層4由一 2層結構組成。該黏接劑層4之2層結構在凸 塊高度較大時尤為有用。當使用此結構時，處理經執行使 得在用於表面製備的黏接劑及該晶圓2之間基本上不形成 縫隙，使得不會留下氣泡。因此，晶圓2·上裂縫的產生可 ® 被有效防止。在該黏接劑層4由兩層組成的情況下，為防 止6亥介面上黏接特性的劣化，較佳的係組成該等層之該等 黏接劑的黏接特性相同。各層在室溫231時的拉伸彈性模 量為l.OxlO8 Pa到9.〇xi〇8 Pa，斷裂延伸率為5到5〇%。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明之晶圓層積體之一實施例的截面圖； 圖2為解釋一樹脂膜從一晶圓層積體剝離之情況的示意 圖； 14306S.doc • 21 · 201017743 圖3為製造本發明之一晶圓層積體的製造裝置之一實施 例的正視圖； 圖4a到圖4e為顯示製造本發明之一晶圓層積體的方法之 不意圖， 圖5為顯示於圖4b中之部分A的放大圖； 圖6為製造一晶圓層積體之製造裝置之一變體的正視 圖；及 圖7a到圖7f為顯示一種製造一晶圓層積體之方法的示意 圖，該方法使用圖6所顯示的製造裝置。 【主要元件符號說明】 1 晶圓層積體 2 晶圓 3 支撐體 4 黏接劑層 4a 樹脂突出部 4aj 凹型樹脂突出部 4a2 凸型樹脂突出部 5 電路圖案 10 製造裝置 10A 製造裝置 11 致動器 12 剛性轴 13 線性軸套 14 圓柱形部件 143065.doc -22- 201017743 15 16 17 18 19 20 21 22 ❿ 23 24 25 26 28 29 30 31 響 33 36 37
38 C 線性軸套 上基部 線性表 上抽吸台 真空閥 真空閥 支撐件 〇形環 抽吸槽 剛性體 真空閥 下抽吸台 抽吸溝槽 支撐點 下基部 測微計 UV照射源 消泡炎 0形環 表面不規則性 中心轴 143065.doc -23-

Claims (1)

  1. 201017743 七、申請專利範圍： 1. 一種製造一晶圓層積體的方法，該晶圓層積體包括： a) —晶圓； b) —支樓該晶圓的支樓體； - c) 一將該晶圓及該支撐體彼此黏接的黏接劑層；及 d) —形成於該晶圓之一外周邊上的樹脂突出部； 該方法包括如下步驟： (1) 將該晶圓抽吸至一定位於上的晶圓抽吸台，將該 譽 支樓體抽吸至一定位於下的支撐體抽吸台，並在一垂直 方向中彼此相對地配置該晶圓及該支撐體； (2) 施加一液體黏接樹脂至與該晶圓相對之該支撐體 的一相對面以形成該黏接劑層； (3) 造成該晶圓及該支撐體彼此接近同時維持該晶圓 及該支撐體之間的平行性，對置於該晶圓及該支撐體之 間的該黏接樹脂施加壓力並延展該黏接樹脂因而用該黏 接樹脂填充一在該晶圓及該支撐體之間的空間，且在該 籲 晶圓的該外周邊上形成該樹脂突出部；及 (4) 在該晶圓層積體達到一預定厚度時，利用紫外線 照射該黏接樹脂，以因而硬化該黏接樹脂並形成該黏接 劑層。 2_如凊求項1的製造一晶圓層積體之方法，其中一真空氣 氛被形成於在該晶圓及該支撐體之間的該空間中，且利 用置於其間的黏接樹脂，該黏接樹脂被加壓並延展以因 而用”亥黏接樹脂填充該晶圓及該支撐體之間的該空間， 143065.doc 201017743 並在該晶圓之該外周邊上形成該樹脂突出部。 3.如請求項1的製造一晶圓層積體之方法，其中該支撐體 在將來自在一抽吸面上具有表面不規則性的該支擇體抽 吸台及該支撐體之間之該空間的氣泡消泡時被抽吸至該 支撐體抽吸台。 4·如請求項1的製造一晶圓層積體之方法，其中，在該晶 圓被抽吸至該晶圓抽吸台之前，該晶圓之該相對面塗布 有特性大體可與該黏接劑層相比的黏接樹脂底料層。 5.如請求項1的製造一晶圓層積體之方法，其中該支撐體 為一厚度為30 μπι至200 μιη並在23。(：之室溫時具有不小 於1〇〇〇 MPa且不多於10_ MPa之·彎曲彈性模量的樹脂 膜。 6·如請求们的製造—晶圓層積體之方法，其中該支撲體 具有一大於該晶圓之-外直徑的尺彳以致能接收從該晶 圓及該支撐體之間之該空間擠出的該黏接樹脂。 7.如請求⑷的製造-晶圓層積體之方法，其中該黏接劑 層為-UV硬化型黏接樹脂層，該黏接樹脂在硬化前在 23°C之液態下具有一不小於1〇〇 ep並低於麵〇 cp的黏 度。 8. 一種製造一晶圓層積體的製造裝置，其包括 一用於抽吸一晶圓的晶圓抽吸台； 下側之下且與之相對的支 吸一待經由一液體黏接樹 一配置於該晶圓抽吸台之— 撐體抽吸台’其係用於真空抽 脂附接至該晶圓之支撐體；及 143065.doc 201017743 一利用紫外線照射該黏接樹脂以硬化該黏接相Η旨的UV 照射源； 其中該支撐體括吸^^ i德& # # θ + 久D吓傳輸该紫外線並具有表面不規 則性以便能抽吸該支擇體。 ^ 9.如請求項8的製造—晶圓層積體之製造裝置，#中該支 ， #體抽°及台為—在—抽吸面上具有不規則性的玻璃台。 10. —種藉由如請求項1之方法製造的晶圓層積體。 11. 一種晶圓層積體，其包括： φ 一晶圓； 一支撐該晶圓的支撑體； 一黏接該晶圓至該支撐體的黏接劑層；及 一形成於該晶圓之一外周邊上的樹脂突出部。 12. —種剝離一支撐體的方法，在該方法中，在如請求項^ 之晶圓層積體之反面被研磨以減少該晶圓之厚度至一預 定厚度之後，該支撐體連同該黏接劑層被從該晶圓層積 體剝離，其中該支撐體連同該黏接劑層以該支撐體呈大 φ 體上一 U形折回時該晶圓不彎曲的此一方式從該晶圓層 積體剝離。 _ 13. —種製造一晶圓的方法，其包括： 提供如請求項11的該晶圓層積體； 研磨該晶圓至一所需厚度；及 在研磨完成後，從該晶圓層積體剝離該支撐體連同該 黏接劑層。 I43065.doc
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WO (1) WO2010027897A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI471226B (zh) * 2012-02-08 2015-02-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 層積體之製造方法
TWI608899B (zh) * 2012-03-09 2017-12-21 Disco Corp Plate-like grinding method

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5457088B2 (ja) * 2009-06-25 2014-04-02 株式会社日立パワーソリューションズ ダイシングテープ用の真空貼付機
JP5503951B2 (ja) * 2009-12-07 2014-05-28 株式会社ディスコ 貼着装置
JP5841738B2 (ja) * 2011-04-05 2016-01-13 株式会社ディスコ ウェーハの研削方法
JP5406257B2 (ja) * 2011-09-07 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP5421967B2 (ja) * 2011-09-07 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP2013107168A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Toyo Quality One Corp ガラス研磨方法及びこれに用いる積層シート
JP5912657B2 (ja) * 2012-02-27 2016-04-27 株式会社ディスコ 樹脂貼付装置
JP6061590B2 (ja) * 2012-09-27 2017-01-18 株式会社ディスコ 表面保護部材および加工方法
JP6068915B2 (ja) * 2012-10-09 2017-01-25 株式会社ディスコ 樹脂貼着装置
JP6122602B2 (ja) * 2012-10-12 2017-04-26 株式会社ディスコ 樹脂貼着装置
JP6149223B2 (ja) * 2013-04-18 2017-06-21 株式会社ディスコ 板状物の貼着方法
JP6288935B2 (ja) * 2013-04-18 2018-03-07 株式会社ディスコ シート
WO2014188879A1 (ja) 2013-05-24 2014-11-27 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
KR20150011072A (ko) 2013-07-22 2015-01-30 삼성전자주식회사 임시 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR20150042362A (ko) * 2013-10-10 2015-04-21 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR101506854B1 (ko) 2013-12-27 2015-03-31 경기대학교 산학협력단 Uv 마운팅 장치
JP6322472B2 (ja) * 2014-05-01 2018-05-09 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー シート貼付方法、シート貼付装置及びウエハ加工方法
JP6393127B2 (ja) * 2014-09-10 2018-09-19 丸石産業株式会社 保持パッド
CN104409383B (zh) * 2014-10-20 2017-08-01 上海技美电子科技有限公司 晶圆转移装置
US9514772B2 (en) * 2015-03-20 2016-12-06 Tdk Corporation Magnetic head device having suspension and spacer
CN105711224B (zh) * 2016-03-25 2017-11-24 湖南新中合光电科技股份有限公司 一种光分路器晶圆贴片系统
JP6671797B2 (ja) * 2016-05-30 2020-03-25 株式会社ディスコ テープ貼着方法
JP6767890B2 (ja) * 2017-01-30 2020-10-14 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
JP6955904B2 (ja) * 2017-05-26 2021-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2019149451A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP2019220550A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7108492B2 (ja) * 2018-08-06 2022-07-28 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
US20220148905A1 (en) * 2019-02-26 2022-05-12 Disco Corporation Back grinding adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor wafer
SG11202109557SA (en) * 2019-03-27 2021-10-28 Mitsui Chemicals Tohcello Inc Affixing device
JP7339768B2 (ja) * 2019-05-10 2023-09-06 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
JP7339771B2 (ja) * 2019-05-17 2023-09-06 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
JP2022020286A (ja) * 2020-07-20 2022-02-01 株式会社ディスコ 保護部材形成装置で用いるシート、及び保護部材形成方法
WO2022211805A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 Ncc Nano, Llc Method for attaching and detaching substrates during integrated circuit manufacturing

Family Cites Families (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2843555A (en) * 1956-10-01 1958-07-15 Gen Electric Room temperature curing organopolysiloxane
GB923710A (en) * 1960-11-07 1963-04-18 Ici Ltd Production of organosilicon compounds
US3313773A (en) * 1965-12-03 1967-04-11 Gen Electric Platinum addition catalyst system
AT278040B (de) * 1966-12-16 1970-01-26 Degussa Verfahren zur Herstellung von Organosiliziumverbindungen
DE1259888B (de) * 1967-05-27 1968-02-01 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von Organosiliciumverbindungen
US3814730A (en) * 1970-08-06 1974-06-04 Gen Electric Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes
US3715334A (en) * 1970-11-27 1973-02-06 Gen Electric Platinum-vinylsiloxanes
NL7207442A (zh) * 1971-06-25 1972-12-28
US4189230A (en) * 1977-10-26 1980-02-19 Fujitsu Limited Wafer holder with spring-loaded wafer-holding means
DE2846621A1 (de) * 1978-10-26 1980-05-08 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zum anlagern von si-gebundenem wasserstoff an aliphatische mehrfachbindung
US4288345A (en) * 1980-02-06 1981-09-08 General Electric Company Platinum complex
US4313988A (en) * 1980-02-25 1982-02-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Epoxypolysiloxane release coatings for adhesive materials
US4316757A (en) * 1980-03-03 1982-02-23 Monsanto Company Method and apparatus for wax mounting of thin wafers for polishing
US4394414A (en) * 1981-05-29 1983-07-19 Ppg Industries, Inc. Aqueous sizing composition for glass fibers for use on chopped glass fibers
US5089536A (en) * 1982-11-22 1992-02-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy polmerizable compositions containing organometallic initiators
US4530879A (en) * 1983-03-04 1985-07-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation activated addition reaction
US4510094A (en) * 1983-12-06 1985-04-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Platinum complex
US4603215A (en) * 1984-08-20 1986-07-29 Dow Corning Corporation Platinum (O) alkyne complexes
FR2571732B1 (fr) * 1984-10-15 1987-01-09 Rhone Poulenc Spec Chim Composition organopolysiloxanique de revetement utilisable notamment pour le traitement antiadherent et son procede d'application
US4677137A (en) * 1985-05-31 1987-06-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Supported photoinitiator
US4670531A (en) * 1986-01-21 1987-06-02 General Electric Company Inhibited precious metal catalyzed organopolysiloxane compositions
US5234730A (en) * 1986-11-07 1993-08-10 Tremco, Inc. Adhesive composition, process, and product
US5139804A (en) * 1987-05-14 1992-08-18 Plicon, Inc. Patterned adherent film structures and process for making
US4818323A (en) * 1987-06-26 1989-04-04 Motorola Inc. Method of making a void free wafer via vacuum lamination
EP0298448B1 (en) * 1987-07-08 1994-06-29 The Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JPH0715087B2 (ja) * 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
US4916169A (en) * 1988-09-09 1990-04-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Visible radiation activated hydrosilation reaction
US5414297A (en) * 1989-04-13 1995-05-09 Seiko Epson Corporation Semiconductor device chip with interlayer insulating film covering the scribe lines
JPH0774328B2 (ja) * 1989-09-05 1995-08-09 千住金属工業株式会社 電子部品の仮固定用粘着剤
US5091483A (en) * 1989-09-22 1992-02-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation-curable silicone elastomers and pressure sensitive adhesives
US5049085A (en) * 1989-12-22 1991-09-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Anisotropically conductive polymeric matrix
JPH0432229A (ja) * 1990-05-29 1992-02-04 Mitsubishi Electric Corp ウエハ貼付方法
US6376569B1 (en) * 1990-12-13 2002-04-23 3M Innovative Properties Company Hydrosilation reaction utilizing a (cyclopentadiene)(sigma-aliphatic) platinum complex and a free radical photoinitiator
US5300788A (en) * 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
US5286815A (en) * 1992-02-07 1994-02-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Moisture curable polysiloxane release coating compositions
US5332797A (en) * 1992-04-01 1994-07-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Silicone release compositions
US5633176A (en) * 1992-08-19 1997-05-27 Seiko Instruments Inc. Method of producing a semiconductor device for a light valve
DE4230784A1 (de) * 1992-09-15 1994-03-17 Beiersdorf Ag Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape)
CA2115947A1 (en) * 1993-03-03 1994-09-04 Gregory C. Smith Wafer-like processing after sawing dmds
EP0620242B1 (en) * 1993-04-15 1998-08-19 Dow Corning Toray Silicone Company, Limited Epoxy group-containing silicone resin and compositions based thereon
DE69530488T2 (de) * 1994-06-30 2004-04-01 Minnesota Mining And Mfg. Co., St. Paul Zahnabdruckmaterial, das einen farbstoff zur sichtbarmachung der härtung enthält
US5604038A (en) * 1994-11-18 1997-02-18 Wisconsin Alumni Research Foundation Polymeric thin layer materials
JP3521099B2 (ja) * 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート
US5534383A (en) * 1995-08-09 1996-07-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image transfer sheet, its laminate and image forming method
US5958794A (en) * 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
US5967030A (en) * 1995-11-17 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Global planarization method and apparatus
US6074287A (en) * 1996-04-12 2000-06-13 Nikon Corporation Semiconductor wafer polishing apparatus
EP0842960A4 (en) * 1996-06-03 1999-09-22 Toyo Ink Mfg Co SOLIDIFIABLE LIQUID RESIN COMPOSITION
JPH1065047A (ja) * 1996-08-20 1998-03-06 Tokuyama Corp 半導体素子搭載用パッケージの製造方法
US6235141B1 (en) * 1996-09-27 2001-05-22 Digital Optics Corporation Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems
US20020007910A1 (en) * 1996-11-12 2002-01-24 Greggory Scott Bennett Thermosettable pressure sensitive adhesive
JPH10180403A (ja) * 1996-12-26 1998-07-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、永久レジスト樹脂組成物及びこれらの硬化物
WO1998040439A1 (en) * 1997-03-14 1998-09-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Cure-on-demand, moisture-curable compositions having reactive silane functionality
US6194317B1 (en) * 1998-04-30 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
JPH1120309A (ja) * 1997-07-03 1999-01-26 Dainippon Printing Co Ltd 一体型熱転写シートおよびその製造方法
DE19857237A1 (de) * 1997-12-23 1999-06-24 Henkel Kgaa Strahlenhärtbare Kaschierklebestoffe
JP3983887B2 (ja) * 1998-04-09 2007-09-26 沖電気工業株式会社 基板研磨用治具及び半導体ウエハの研磨方法
US6265460B1 (en) * 1998-06-29 2001-07-24 3M Innovative Properties Company Hot-melt adhesive composition, heat-bonding film adhesive and adhering method using hot-melt adhesive composition
JP2000038556A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法
US6048587A (en) * 1998-10-01 2000-04-11 Ricon Resins, Inc. Water-dispersible, radiation and thermally-curable polymeric compositions
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
JP4275254B2 (ja) * 1999-06-17 2009-06-10 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
US6395124B1 (en) * 1999-07-30 2002-05-28 3M Innovative Properties Company Method of producing a laminated structure
US6180527B1 (en) * 1999-08-09 2001-01-30 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for thinning article, and article
US6284425B1 (en) * 1999-12-28 2001-09-04 3M Innovative Properties Thermal transfer donor element having a heat management underlayer
US6447884B1 (en) * 2000-03-20 2002-09-10 Kodak Polychrome Graphics Llc Low volume ablatable processless imaging member and method of use
US6673386B2 (en) * 2000-06-29 2004-01-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for forming pattern onto panel substrate
JP3485525B2 (ja) * 2000-07-06 2004-01-13 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6358664B1 (en) * 2000-09-15 2002-03-19 3M Innovative Properties Company Electronically active primer layers for thermal patterning of materials for electronic devices
JP2004510334A (ja) * 2000-09-27 2004-04-02 ストラスバウ チャック上に背面研磨テープを残したままウェーハを背面研磨する方法
WO2002074686A2 (en) * 2000-12-05 2002-09-26 Analog Devices, Inc. A method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer
JP2002203827A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Lintec Corp 半導体ウエハの裏面研削方法
JP4757398B2 (ja) * 2001-04-24 2011-08-24 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
US6794751B2 (en) * 2001-06-29 2004-09-21 Intel Corporation Multi-purpose planarizing/back-grind/pre-underfill arrangements for bumped wafers and dies
TWI250190B (en) * 2001-10-03 2006-03-01 Dow Corning Toray Silicone Adhesive sheet of cross-linked silicone, method of manufacturing thereof, and device
US6793759B2 (en) * 2001-10-09 2004-09-21 Dow Corning Corporation Method for creating adhesion during fabrication of electronic devices
TW578222B (en) * 2002-01-11 2004-03-01 Mitsui Chemicals Inc Semiconductor wafer surface protective adhesive tape and backside process method of semiconductor wafer using the same
US6939741B2 (en) * 2002-01-15 2005-09-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. IC chip manufacturing method
CN100334690C (zh) * 2002-03-27 2007-08-29 三井化学株式会社 半导体晶片表面保护用粘结膜及用该粘结膜的半导体晶片的保护方法
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
KR101016081B1 (ko) * 2002-07-26 2011-02-17 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법
CN1314110C (zh) * 2002-10-25 2007-05-02 松下电器产业株式会社 半导体装置和用于装配半导体装置的树脂粘合剂
US7396869B2 (en) * 2002-12-04 2008-07-08 Denovus Llc Metallic acrylate curing agents and usage thereof in intermediate compositions
FR2848563B1 (fr) * 2002-12-16 2006-07-28 Rhodia Chimie Sa Composition silicone pour revetement dur, a base de silice colloidale, durcissable par voie cationique, antibuee et/ou antisalissures
JP2004300231A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Nitto Denko Corp 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品
JP4171898B2 (ja) * 2003-04-25 2008-10-29 信越化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンド用接着テープ
US20050016464A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 General Electric Company Methods and fixtures for facilitating handling of thin films
EP1668051B1 (en) * 2003-09-10 2009-08-19 Sartomer Technology Co., Inc. Polybutadiene (meth)acrylate composition and method
US7064069B2 (en) * 2003-10-21 2006-06-20 Micron Technology, Inc. Substrate thinning including planarization
JP2005191550A (ja) * 2003-12-01 2005-07-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の貼り付け方法
US7226812B2 (en) * 2004-03-31 2007-06-05 Intel Corporation Wafer support and release in wafer processing
WO2006028806A2 (en) * 2004-09-01 2006-03-16 Appleton Papers Inc. Encapsulated cure systems
JP4613709B2 (ja) * 2005-06-24 2011-01-19 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP4799205B2 (ja) * 2006-02-16 2011-10-26 日東電工株式会社 活性面貼付ダイシング用粘着テープ又はシートおよび被加工物の切断片のピックアップ方法
JP4970863B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
US20080014532A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Laminate body, and method for manufacturing thin substrate using the laminate body
JP4849993B2 (ja) * 2006-08-14 2012-01-11 日東電工株式会社 粘着シート、その製造方法および積層セラミックシートの切断方法
DE102006044718A1 (de) * 2006-09-20 2008-04-03 Tesa Ag Klebemasse
JP2008166459A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Tateyama Machine Kk 保護テープ貼付方法と装置
KR100922684B1 (ko) * 2007-08-31 2009-10-19 제일모직주식회사 점착층용 광경화 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프
WO2009114345A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-17 3M Innovative Properties Company Dicing tape and die attach adhesive with patterned backing

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI471226B (zh) * 2012-02-08 2015-02-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 層積體之製造方法
US9023172B2 (en) 2012-02-08 2015-05-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd Method of manufacturing laminate
TWI608899B (zh) * 2012-03-09 2017-12-21 Disco Corp Plate-like grinding method

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