JP2004510334A - チャック上に背面研磨テープを残したままウェーハを背面研磨する方法 - Google Patents

チャック上に背面研磨テープを残したままウェーハを背面研磨する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004510334A
JP2004510334A JP2002530259A JP2002530259A JP2004510334A JP 2004510334 A JP2004510334 A JP 2004510334A JP 2002530259 A JP2002530259 A JP 2002530259A JP 2002530259 A JP2002530259 A JP 2002530259A JP 2004510334 A JP2004510334 A JP 2004510334A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chuck
tape
stamp
wafer
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002530259A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004510334A5 (ja
Inventor
サルマン・エム・カッサー
アラン・ストラスバウ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Strasbaugh Inc
Original Assignee
Strasbaugh Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Strasbaugh Inc filed Critical Strasbaugh Inc
Publication of JP2004510334A publication Critical patent/JP2004510334A/ja
Publication of JP2004510334A5 publication Critical patent/JP2004510334A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y10T156/1092All laminae planar and face to face
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1744Means bringing discrete articles into assembled relationship

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

チャック(12)の表面(6)に接着テープ(34)を貼る工具は、着脱可能な真空室(24)を含む。真空室(24)は、チャックと密閉係合状態になり、位置決めピン(32)によってチャックに対して位置合わせされる。真空室はスタンプ(28)を含む。テープは、スタンプ(28)上に取り付けられ、位置決めピンによって位置合わせされる。スタンプは、テープがチャックの表面に接触するまで、チャックに向かって真空室内を前進する。その後、スタンプはチャックから後退し、真空が解除されてから、真空室はチャックから取り外される。テープの穴は、チャックの表面の穴と合う。真空室によってチャックとテープとの間に空気が閉じ込められるのが防止される。

Description

【0001】
(技術分野)
本発明は、半導体製造分野に属し、より詳しくは、非常に薄くて壊れ易いウェーハの研磨に関する。
【0002】
(背景技術)
1995年12月19日に発行されたCavasinの米国特許第5,476,566号に開示されるように、半導体ウェーハは、一般に、それらが製造されるときに、約30ミル(0.76ミリメータ)の厚みに切られる。その後、電子回路構成要素(electronic circuitry)がウェーハの前面または活動面(active side)と呼ばれる一方の面に形成される。そして、背面研磨プロセスによる次の処理において薄くされる。このプロセスでは、ウェーハが一般に14ミル(0.36ミリメータ)のオーダに減じられた厚さになるまで、背面すなわち回路構成要素で覆われていない面が研磨される。
【0003】
デバイスのパッケージ(device packaging)の進歩は、8ミル(0.20ミリメータ)のオーダの厚みの非常に薄いウェーハに対する要求につながっている。
【0004】
あいにく、より薄いウェーハについての要求は、より大径のウェーハについての要求を伴っている。名目上の直径8.0インチ(実際には200ミリメータ)を有するウェーハは、名目上の直径が6.0インチ(実際には150ミリメータ)のウェーハに取って代わりつつある。これらの収束する傾向の結果、処理の際におけるウェーハの破損が重大な問題になった。もし、ウェーハ上でいくつかの処理段階が行なわれた後に破損が起きると、その結果は高価な無駄になり、これによってより大径のウェーハを使用することによる利益が害されることになる。そのため、背面研磨プロセスでウェーハにかかる力は、破損を最小限にするためにウェーハ全体について均一に作用しなければならない。
【0005】
前記問題は、ウェーハの活動前面上につくられる回路構成要素の繊細な性質によってさらに悪化される。前記回路構成要素は、理想的には、背面研磨プロセスの際にチャックにより適用される圧力の下ですべらせることによってひっかかれるべきではない。この事態からウェーハを保護すべく、厚み減少を達成するためにウェーハの背面が研磨されている間、回路構成要素を保護するためにウェーハの前面に接着テープ(adhesive tape)を貼ることがその分野(米国特許第5,476,566号)において知られている。
【0006】
1999年10月12日に発行されたKassir等の米国特許第5,964,646号には、ウェーハと研磨プロセス中にウェーハを支持するチャックとの間における弾力パッドの有利な使用について開示されている。弾力パッドの使用は、研磨面の平面度を改良するために見出されたものである。
【0007】
(発明の開示)
(発明が解決しようとする技術的課題)
本発明は、ウェーハの前面にではなく、チャック上に弾力テープを装着するのを容易にする工具を提供するものである。これは、いくつかのウェーハが連続して研磨されている間に、弾力テープが所定位置に保持されることを可能にし、このことは各ウェーハに弾力テープを貼る従来技術よりも非常に効率的である。
【0008】
いくつかの環境が、研磨の際にウェーハを保持するのに使用されるチャックに接着テープを貼るという非常に簡単な作業を面倒なものにする。
【0009】
第1に、広く使用されているタイプのチャックは、連続気泡多孔質セラミックからなり、これはセラミック材料を介して適用される真空によってウェーハがチャックに保持されるのを可能にするものである。研磨の進行につれて、研磨粉塵はセラミックチャックの小孔内に引かれる傾向にある。これらの粉塵の粒子はウェーハのデバイス面(device side)と接触する可能性があり、これにより損傷を生じさせることになる。そのため、粉塵は、通常、各ウェーハが研磨された後に除去される。粉塵は、一般的には、バックフラッシュ(backflushing)によって除去され、これにより水は真空空気流と反対方向に多孔質セラミックチャックを通って押される。バックフラッシュはチャックからテープを取り除く傾向にあるが、テープの接着力が水圧に耐えるのに十分に大きければ、バックフラッシュは起こらないことになる。
【0010】
チャックにテープを貼る際に遭遇する第2の問題は、テープがセラミック材料を密閉する傾向にあり、これによりチャックにウェーハを保持するためにかけられる真空状態が損なわれてしまうことである。
【0011】
本発明が解決すべき第3の問題は、テープとチャックとの間に空気が閉じ込められてしまうのを防止することである。
【0012】
(その解決方法)
本願発明者らが採った方策は、多孔質セラミックチャックに代えて、ウェーハに真空を適用するのを可能にするために貫通する通路を有する中実のチャックを用いたことにある。そして、彼等は、チャックの表面にある通路の端部に合った穴を有するテープを使用した。最後に、テープと中実チャックとの間に空気が閉じ込められるのを防止するために、テープは真空中でチャックに貼られる。チャックにテープを貼るのを容易にするために、発明者らは、操作を迅速かつ完全に達成することを可能にする特別な工具を開発した。
【0013】
本発明の好適な実施形態では、着脱可能な真空室がチャックに対して取り付けられて密閉状態で係合する。着脱可能な真空室は、位置決めピンによってチャックに対して位置合わせされる。着脱可能な真空室内には、チャックの表面と垂直な方向に移動可能なスタンプが設けられている。貼られることになるテープは、スタンプの表面に位置合わせされ、それからスタンプはチャックに向かって前進してチャックの表面にテープを接着させる。室内の空気の欠乏は、テープとチャック表面との間に空気が閉じ込められる可能性を排除する。テープがチャックに貼られた後、スタンプが後退して、室内の真空が解除されてから、室がチャックから取り外され、ディスクを受け取るためにチャックを残す。
【0014】
構造および操作方法の両方について、本発明の特徴であると信じられる新規な特徴は、本発明のさらなる目的および利点と共に、例示の方法で本発明のいくつかの実施形態が図示される添付図面に関連しての下記の説明からより良く理解されるであろう。しかし、図面は図示および説明を目的としたものにすぎず、本発明の限定として解釈されないことは理解されるべきである。
【0015】
(発明を実施するための最良の形態)
本発明によれば、チャック12は、無孔質セラミックのような無孔質の硬い材料からなる。チャックには、いくつかの通路が設けられている。その通路14は、一般的なもので、チャックを完全に貫通して延びるとともに、チャックの表面16に穴として現れている。ウェーハが背面研磨される(being background)とき、ウェーハの前面はチャックの表面16に対向する。チャックの反対面18側には、吸い込み口22に真空ポンプを接続することにより選択的に真空(または減圧状態)にされ得る室20がある。
【0016】
本発明によれば、工具は、チャックの表面にテープを貼るために使用される。好適な実施形態では、工具は、着脱可能なハウジング24を有する。ハウジング24は、密閉状態でチャック上に配置されるとき、閉じられた室26を形成する。室26は真空ポンプが吸い込み口22に接続されるときに真空にされる。すなわち、最初に室26内にある空気は、通路14を介して室20内に吸い込まれてから、吸い込み口22を介して排気される。
【0017】
室26内において、スタンプ(stamp)28がチャックの表面16に対向している。スタンプ28は、スタンプがチャックに向かって前進するときに、チャックの平面16と平行に維持される平面30を有する。ピン32からなる少なくとも2つの位置決めピンは、前記表面30から突出している。これらのピンは、後述するように使用される。
【0018】
手順(procedure)が開始されるとき、着脱可能なハウジング24がチャック上に配置される前に、チャックの表面16に貼られることになるテープ34が所望の大きさ及び形状に予めカットされる(precut)。このテープ34は、チャックの通路14に合うように間隔をおいた穴の配列を有する。予めカットされたテープ34は、スタンプの表面30上に手操作で配置され、位置決めピン32がテープの特定の穴を貫通して延びるまでテープを移動させることによりスタンプに位置合わせされる(indexed)。テープのチャックとの対向面は、接着剤コーティングを有している。その後、着脱可能なハウジング24がチャック上に配置される。
【0019】
ピン36が一般的である1つ以上の位置決めピンが、着脱可能なハウジング24をチャック12に対して位置合わせしている。それから、吸い込み口22に真空が適用され、室20,26が十分に真空にされた後、スタンプ28がチャック12に向かって前進する。表面30がチャックの表面16に非常に接近したとき、位置決めピン32が通路14内に侵入し、これによりテープ34の穴がチャックの通路14と一致する精度が向上する。
【0020】
テープ34の露出面上の接着剤コーティングは、チャックの表面16にテープを接着させる。室内の空気の欠乏は、テープとチャック表面との間に空気が閉じ込められるのを防止する。
【0021】
スタンプの設計にはいくつかの可能性があり、チャックに向かってスタンプを移動させるのにもいくつかの方法がある。例えば、好適な実施形態では、スタンプの表面30は、(位置決めピン3が貫通している)弾性材料からなる層38を有しており、これによりチャックの表面16にテープを押圧するときに均一な圧力分布が保証される。もう1つの実施形態では、テープが表面16に接触する前において、スタンプ上にテープを保持するためにはスタンプに対向するテープの面上の接着剤はより弱いもので十分である。テープがチャックに貼られた後にテープ上に残っている前記弱い接着剤の痕跡は、適当な溶剤で除去され得る。
【0022】
別の好適な実施形態では、テープは、スタンプを介して適用される真空によってスタンプに対して引っ張られる。このことは、チャック12がウェーハを保持する方法と同様に、多孔質スタンプまたは貫通路を有する無孔質スタンプを用いることによって可能である。室26内の圧力は、テープがチャックに接触するまでは、スタンプの表面30での圧力よりも僅かに大きくなるように調節されなければならないことは明らかである。その後、スタンプの表面にくっつくテープの傾向性を克服するために、僅かな超過圧力がスタンプを介して適用されてもよい。
【0023】
本発明によれば、スタンプを前進させるためにいくつかの技術のうちのいずれかが用いられてもよい。図1の好適な実施形態では、スタンプはハウジング24内に手操作で押される。他の実施形態では、着脱可能なハウジングの完全性(integrity)が妨げられることなく、移動機構が室26内に配置される。
【0024】
例えば、図2に示される別の実施形態では、吸い込み口22に真空を適用したときに、スタンプの上に配置された空気を充填した蛇腹40が伸びて、チャックに向かってスタンプを押す。真空の適用が解除されると、蛇腹は元の小さいサイズに戻る。蛇腹の動作は真空が適用される度に自動的に繰り返される。蛇腹の使用は、ハウジング24上に電気式または真空式のフィードスルー(feed−through)を設ける必要性を排除する。さらに別の実施形態では、スタンプは電気ソレノイドまたはモータによって駆動されてもよい。
【0025】
またさらに別の実施形態では、チャックが背面研磨機から取り外されて、室26の上端部を形成するように逆さにされてもよい。そのとき、チャックの表面16にテープが接触する前にはスタンプの表面30上にテープを保持するように、重力が作用することになる。
【0026】
このように、研磨作業の際にウェーハを保持するのに使用されるチャックの表面に接着剤コーティングテープを貼るための工具について説明されてきた。チャックの表面に接着剤コーティングされた弾力のあるテープを貼ることは、ウェーハの背面研磨を行なうときに特に有効であり、そのときにテープの弾力性は、チャックの硬い表面がウェーハの前面にある壊れ易い電子部品を損傷するのを防止する。
【0027】
上記の詳細な説明は、本発明のいくつかの実施形態の例示であり、本発明の追加の実施形態が当業者にとって明らかであることは理解されるべきである。これらの追加の実施形態と共にここに説明された各実施形態は、本発明の範囲内にあると解釈される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の工具の第1の好適な実施形態を示す側面図。
【図2】本発明の別の実施形態を示す側面図。
【符号の説明】
12…チャック、14…通路、16…表面、18…反対面、20…室、22…吸い込み口、24…ハウジング、26…室、28…スタンプ、30…表面、32…ピン、34…テープ、36…ピン、38…層、40…蛇腹。

Claims (8)

  1. テープに形成された所定配置の穴がチャックの表面にある同一配置の穴と合うように保つとともに、前記テープと前記チャックの表面との間に空気が閉じ込められるのを防止するための、前記チャックの表面に接着剤コーティングした表面を有する前記テープを貼る方法であって、
    前記テープの前記穴を貫通して延びる位置決めピンを有するスタンプ上に、前記チャックの表面に対向して露出する接着剤コーティング面を有するテープを位置合わせするステップと、
    前記スタンプと前記チャックの表面との間の空間を真空にするステップと、
    前記テープの前記接着剤コーティング面が前記チャックの表面に接触するまで前記チャックの表面に向かって前記スタンプを前進させるステップと、
    前記スタンプを後退させるステップと、
    前記真空を解除するステップと、を備えた方法。
  2. テープの穴がチャックの穴に合うように所定配置の穴を有する弾力テープを同一配置の穴を有するチャックの表面に接触させるのに使用する工具であって、
    前記チャックの表面に垂直な方向に選択的に移動可能で、スタンプに対して前記弾力テープを正確に位置決めする第1の位置決め手段を有するスタンプと、
    前記チャックの表面に対して前記スタンプを正確に位置決めする第2の位置決め手段と、
    前記スタンプと前記チャックの表面との間の空間を真空にする手段と、
    前記チャックの表面に向かって前記スタンプを前進させる手段と、を備えた工具。
  3. 前記前進手段は蛇腹を含み、前記蛇腹は、前記スタンプに取り付けられ、前記スタンプと前記チャックとの間の空間が真空にされたときに前記チャックの表面に向かって前記スタンプを前進させることを特徴とする請求項2に記載の工具。
  4. 前面に配置された回路構成要素を有するウェーハの背面を前記回路構成要素に損傷を与えることなく研磨する装置であって、
    表面を有するとともに、貫通して延びて前記表面の穴で終わっている通路を有する無孔質材料からなるチャックと、
    前記通路を真空にする手段と、
    前記チャックの表面に貼られる、前記チャックの表面の穴に合った穴を有する弾力テープと、
    前記弾力テープと接触する前面を有し、その背面が研磨されるようになっているウェーハと、を備えた装置。
  5. 前面に配置された回路構成要素を有するウェーハの背面を前記回路構成要素に損傷を与えることなく研磨する方法であって、
    チャックに弾力テープを貼るステップと、
    前記弾力テープが前記チャックから前記ウェーハの前面を保護するように、前記ウェーハの前面が前記弾力テープに対向した状態で前記ウェーハを前記チャックに配置するステップと、
    前記ウェーハの背面を研磨するステップと、を備えた方法。
  6. 前記チャックは所定配置の穴を含む表面を有し、前記弾力テープはそれに一致した配置の穴を有し、前記方法は、前記弾力テープの穴が前記チャックの表面の穴と合うように前記弾力テープを位置決めする最初のステップを備えることを特徴とする請求項5に記載の方法。
  7. 第2の面も有するウェーハの第1の面を研磨する方法であって、
    チャックに弾力テープを貼るステップと、
    前記ウェーハの前記第2の面が前記弾力テープに対向した状態で前記チャックに前記ウェーハを配置するステップと、
    前記ウェーハの前記第1の面を研磨するステップと、を備えた方法。
  8. 前記チャックは所定配置の穴を含む表面を有し、前記弾力テープはそれに一致した配置の穴を有し、前記方法は、前記弾力テープの穴が前記チャックの表面の穴と合うように前記弾力テープを位置決めする最初のステップを備えることを特徴とする請求項7に記載の方法。
JP2002530259A 2000-09-27 2001-09-26 チャック上に背面研磨テープを残したままウェーハを背面研磨する方法 Pending JP2004510334A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US67574700A 2000-09-27 2000-09-27
PCT/US2001/030171 WO2002026441A1 (en) 2000-09-27 2001-09-26 Tool for applying resilient tape to chuck used for grinding or polishing wafers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004510334A true JP2004510334A (ja) 2004-04-02
JP2004510334A5 JP2004510334A5 (ja) 2005-04-07

Family

ID=24711808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002530259A Pending JP2004510334A (ja) 2000-09-27 2001-09-26 チャック上に背面研磨テープを残したままウェーハを背面研磨する方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6638389B2 (ja)
JP (1) JP2004510334A (ja)
KR (1) KR20030033084A (ja)
CN (1) CN1315615C (ja)
AU (1) AU2001293125A1 (ja)
TW (1) TW512479B (ja)
WO (1) WO2002026441A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009101438A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Lintec Corp 脆質部材加工用粘着シートおよび脆質部材の処理方法
JP2016072350A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 京セラ株式会社 吸着用部材

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7614008B2 (en) 2004-07-30 2009-11-03 Apple Inc. Operation of a computer with touch screen interface
US7059942B2 (en) * 2000-09-27 2006-06-13 Strasbaugh Method of backgrinding wafers while leaving backgrinding tape on a chuck
JP2003209082A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Nitto Denko Corp 保護テープの貼付方法およびその装置並びに保護テープの剥離方法
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
US6758726B2 (en) * 2002-06-28 2004-07-06 Lam Research Corporation Partial-membrane carrier head
US7250330B2 (en) * 2002-10-29 2007-07-31 International Business Machines Corporation Method of making an electronic package
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
US7135124B2 (en) * 2003-11-13 2006-11-14 International Business Machines Corporation Method for thinning wafers that have contact bumps
TWI242255B (en) * 2004-07-21 2005-10-21 Touch Micro System Tech Wafer carrier
US8381135B2 (en) 2004-07-30 2013-02-19 Apple Inc. Proximity detector in handheld device
US7608523B2 (en) * 2005-08-26 2009-10-27 Disco Corporation Wafer processing method and adhesive tape used in the wafer processing method
JP4746003B2 (ja) * 2007-05-07 2011-08-10 リンテック株式会社 移載装置及び移載方法
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
FR2935536B1 (fr) * 2008-09-02 2010-09-24 Soitec Silicon On Insulator Procede de detourage progressif
EP2200077B1 (en) * 2008-12-22 2012-12-05 Soitec Method for bonding two substrates
CA2710435C (fr) * 2009-10-30 2012-07-03 Pierre Stewart Enveloppe protectrice antibacterienne
FR2961630B1 (fr) * 2010-06-22 2013-03-29 Soitec Silicon On Insulator Technologies Appareil de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
US8338266B2 (en) 2010-08-11 2012-12-25 Soitec Method for molecular adhesion bonding at low pressure
FR2964193A1 (fr) 2010-08-24 2012-03-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de mesure d'une energie d'adhesion, et substrats associes
US8963337B2 (en) 2010-09-29 2015-02-24 Varian Semiconductor Equipment Associates Thin wafer support assembly
WO2013059705A1 (en) 2011-10-21 2013-04-25 Strasbaugh Systems and methods of wafer grinding
US9393669B2 (en) 2011-10-21 2016-07-19 Strasbaugh Systems and methods of processing substrates
JP5687647B2 (ja) * 2012-03-14 2015-03-18 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、半導体製造装置
US9610669B2 (en) 2012-10-01 2017-04-04 Strasbaugh Methods and systems for use in grind spindle alignment
US9457446B2 (en) 2012-10-01 2016-10-04 Strasbaugh Methods and systems for use in grind shape control adaptation
CN106298438A (zh) * 2015-05-13 2017-01-04 苏州美图半导体技术有限公司 一种利用双面黏性薄膜对衬底进行加工的方法
US11935768B2 (en) * 2018-04-24 2024-03-19 Disco Hi-Tec Europe Gmbh Device and method for attaching protective tape on semiconductor wafer
CN113927462A (zh) * 2021-11-08 2022-01-14 广东海拓创新精密设备科技有限公司 一种半导体减震夹持卡盘装置及其系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5571026A (en) * 1978-11-24 1980-05-28 Hitachi Ltd Method and apparatus for grinding wafer
JPH02239621A (ja) * 1989-03-13 1990-09-21 Fuji Electric Co Ltd 真空チャツク装置
JPH04352423A (ja) * 1991-05-30 1992-12-07 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5964646A (en) * 1997-11-17 1999-10-12 Strasbaugh Grinding process and apparatus for planarizing sawed wafers
JP2000136362A (ja) * 1998-08-26 2000-05-16 Lintec Corp 両面粘着シ―トおよびその使用方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2507478Y2 (ja) * 1991-06-26 1996-08-14 株式会社エンヤシステム ウエ―ハ反転貼付装置
US5273615A (en) * 1992-04-06 1993-12-28 Motorola, Inc. Apparatus and method for handling fragile semiconductor wafers
JPH05305560A (ja) * 1992-04-30 1993-11-19 Toshiba Corp 精密研削装置および精密研削方法
US5476566A (en) 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
JP3325650B2 (ja) * 1993-04-15 2002-09-17 株式会社ディスコ ウェーハの研磨方法
US5423716A (en) * 1994-01-05 1995-06-13 Strasbaugh; Alan Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied
JP3055401B2 (ja) * 1994-08-29 2000-06-26 信越半導体株式会社 ワークの平面研削方法及び装置
TW311927B (ja) * 1995-07-11 1997-08-01 Minnesota Mining & Mfg
US5967030A (en) * 1995-11-17 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Global planarization method and apparatus
JP3072962B2 (ja) * 1995-11-30 2000-08-07 ロデール・ニッタ株式会社 研磨のための被加工物の保持具及びその製法
JPH09270401A (ja) * 1996-01-31 1997-10-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの研磨方法
JPH09219383A (ja) * 1996-02-13 1997-08-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP3771320B2 (ja) * 1996-03-29 2006-04-26 コマツ電子金属株式会社 半導体ウェハの貼付方法及び貼付装置
US5809987A (en) * 1996-11-26 1998-09-22 Micron Technology,Inc. Apparatus for reducing damage to wafer cutting blades during wafer dicing
JPH1140520A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
KR20000070277A (ko) * 1997-11-18 2000-11-25 사토 아키오 반도체웨이퍼의 제조방법
US5920769A (en) * 1997-12-12 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for processing a planar structure
SG102690A1 (en) * 1998-03-13 2004-03-26 Towa Corp Nest for dicing, and method and apparatus for cutting tapeless substrate using the same
JP3372511B2 (ja) * 1999-08-09 2003-02-04 ソニーケミカル株式会社 半導体素子の実装方法及び実装装置
US6612915B1 (en) * 1999-12-27 2003-09-02 Nutool Inc. Work piece carrier head for plating and polishing
US6645474B1 (en) * 2002-12-06 2003-11-11 Societe L'oreal S.A. Stable self-tanning foams containing sodium coco-sulfate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5571026A (en) * 1978-11-24 1980-05-28 Hitachi Ltd Method and apparatus for grinding wafer
JPH02239621A (ja) * 1989-03-13 1990-09-21 Fuji Electric Co Ltd 真空チャツク装置
JPH04352423A (ja) * 1991-05-30 1992-12-07 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5964646A (en) * 1997-11-17 1999-10-12 Strasbaugh Grinding process and apparatus for planarizing sawed wafers
JP2000136362A (ja) * 1998-08-26 2000-05-16 Lintec Corp 両面粘着シ―トおよびその使用方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009101438A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Lintec Corp 脆質部材加工用粘着シートおよび脆質部材の処理方法
JP2016072350A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 京セラ株式会社 吸着用部材

Also Published As

Publication number Publication date
AU2001293125A1 (en) 2002-04-08
WO2002026441A1 (en) 2002-04-04
CN1315615C (zh) 2007-05-16
US20030079828A1 (en) 2003-05-01
CN1476366A (zh) 2004-02-18
KR20030033084A (ko) 2003-04-26
US6866564B2 (en) 2005-03-15
US6638389B2 (en) 2003-10-28
TW512479B (en) 2002-12-01
US20030134578A1 (en) 2003-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004510334A (ja) チャック上に背面研磨テープを残したままウェーハを背面研磨する方法
JP2004510334A5 (ja)
US7520309B2 (en) Method for adhering protecting tape of wafer and adhering apparatus
JP4546626B2 (ja) 半導体素子のピックアップ方法
KR100506109B1 (ko) 접착성 테이프의 박리 기구, 접착성 테이프의 박리 장치,접착성 테이프의 박리 방법, 반도체 칩의 픽업 장치,반도체 칩의 픽업 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및반도체 장치의 제조 장치
US6972069B2 (en) Device and method for connecting two wafers in a planar manner for grinding down and cutting up a product wafer
JP4221271B2 (ja) テープ貼付装置
JP2001093864A (ja) 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法
US7059942B2 (en) Method of backgrinding wafers while leaving backgrinding tape on a chuck
JP2002059363A (ja) ウエーハ支持体
TWI750250B (zh) 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置
JP2001024050A (ja) ワーク保持装置
JP5352777B2 (ja) 水晶デバイスの製造方法
JPS644339B2 (ja)
JP5185847B2 (ja) 基板のドライエッチング方法
JP2510024B2 (ja) 半導体製造装置
JP2000021963A (ja) 静電吸着装置
JP2003086540A (ja) 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JP4564138B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JPH05283451A (ja) 半導体チップの保持方法
JP2009065079A (ja) 半導体ウェハを保持する方法とそのために用いられる支持部材
JP2000195878A (ja) ウェーハ搬送・固定治具及び半導体装置の製造方法
JP2003309086A (ja) シート剥離装置
JPH05326582A (ja) 半導体チップのダイボンディング方法及びその装置
JP2002368072A (ja) ウエハピンセット

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080925

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110628

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110927

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111004

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120522