JPH05326582A - 半導体チップのダイボンディング方法及びその装置 - Google Patents

半導体チップのダイボンディング方法及びその装置

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JPH05326582A
JPH05326582A JP13233992A JP13233992A JPH05326582A JP H05326582 A JPH05326582 A JP H05326582A JP 13233992 A JP13233992 A JP 13233992A JP 13233992 A JP13233992 A JP 13233992A JP H05326582 A JPH05326582 A JP H05326582A
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JP
Japan
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semiconductor chip
die
hole
die pad
bonding
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Satoru Sakamoto
悟 坂本
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】半導体チップに損傷を与えず、ダイパッドに対
する半導体チップの煽りも低減できる半導体チップのダ
イボンディング方法及びその装置を得ることを目的とす
る。 【構成】貫通孔２１を開けたダイボンディングステージ
２０に、半導体チップＳの載置面に貫通孔Ｄｂが開けら
れたダイパッドＤａを搭載し、前記貫通孔Ｄｂの周りに
熱硬化性樹脂のダイボンド剤Ｂを滴下して、その上に半
導体チップＳを載置し、その半導体チップＳの裏面を、
前記貫通孔Ｄｂ、貫通孔２１を通じて、真空吸引ポンプ
２３で吸引し、半導体チップＳをダイパッドＤａに接着
する方法である。 【効果】半導体チップの煽りを低減でき、半導体チップ
の表面を損傷することなく、半導体チップをダイパッド
にダイボンディングできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップを損傷
することなくダイパッドにダイボンディングできるダイ
ボンディング方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２を用いて、従来技術の半導体チップ
のダイボンディング装置びその装置を用いたダイボンデ
ィング方法を説明する。この図２は従来技術における半
導体チップをダイパッドにダイボンディングする状態を
示すダイボンディング装置の一部側面図で、同図Ａは半
導体チップをコレットで吸着しながらダイパッド上に持
ち来す段階を、同図Ｂは同図Ａの段階から半導体チップ
をダイパッド上に載置した段階を、そして同図Ｃは同図
Ｂの段階から半導体チップをダイパッドに接着する段階
を示したものである。
【０００３】先ず、図２を用いて従来技術のダイボンデ
ィング装置を説明する。このダイボンディング装置１は
ダイボンディングステージ２、コレット３などから構成
されている。このダイボンディングステージ２は表面が
平面なテーブル状になっており、その上に一単位のリー
ドフレームを複数単位、載置できる面積を有する。この
図では一単位のリードフレームの、その構成要素である
ダイパッドだけを示した。
【０００４】一方、このダイボンディングステージ２の
上方に半導体チップを持ち来すことができる移動可能な
コレット３が設置されている。この図示のコレット３
は、半導体チップを吸着する内面４が角錐状に形成され
た角錐コレットであるが、平らな平コレット３である場
合もある。角錐の頂点からこのコレット３の外部に通じ
る貫通孔５が開けられていて、この貫通孔５には、図示
していないが、矢印Ｘの方向に気体を吸引する真空吸引
ポンプが接続されている。
【０００５】次に、このような構成のダイボンディング
装置１を用いて半導体チップをダイパッドにダイボンデ
ィングする方法を説明する。先ず、同図Ａに示したよう
に、リードフレームのダイパッドＤをダイボンディング
ステージ２の所定の位置に固定し、そのダイパッドＤの
載置面にダイボンド剤Ｂ、例えば、熱硬化性樹脂ペース
トを滴下する。そして、その載置面の上に、真空吸引ポ
ンプで吸引しながらコレット３に吸着した半導体チップ
Ｓを持ち来す。
【０００６】次に、同図Ｂに示したように、そのコレッ
ト３を降下させて、半導体チップＳを前記ダイボンド剤
Ｂの上に載せる。そして、同図Ｃに示したように、その
ままコレット３を、僅かではあるが、更に降下させて半
導体チップＳに荷重をかけ、半導体チップＳをダイボン
ド剤Ｂ中に沈み込ませ、そしてダイボンド剤Ｂに馴染ま
せ、接着する方法を採っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来技術
の半導体チップのダイボンディング方法では、コレット
の内面が角錐状である場合、半導体チップに荷重を掛け
てダイボンド剤に馴染ませる際、半導体チップのエッジ
に欠けが生じ易く、また半導体チップに煽りが生じるの
でスクラブが必要になる。そして半導体チップのダイパ
ッドに対する位置合わせが難しい。平コレットを用いた
場合には、半導体チップの表面に傷が入りやすくなる。
従来技術の半導体チップのダイボンディング方法では、
このような問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そのため、この発明で
は、貫通孔が開けられたダイパッドを用い、その貫通孔
の周辺にダイボンド剤を被着し、その貫通孔及びダイボ
ンド剤の上に半導体チップを置き、その貫通孔を通じて
半導体チップを吸引することにより、その半導体チップ
をダイパッドに接着する方法を採った。従って、ダイボ
ンディング装置は、コレットは従来技術のものと変わら
ないが、ダイパッド載置面からその裏面に貫通する貫通
孔が設けられたダイボンディングステージと、この貫通
孔に接続した真空吸引ポンプとから構成されている。こ
の発明はこのような方法及び装置で前記課題を解決し
た。
【０００９】
【作用】従って、半導体チップには上から何らの荷重も
掛からず、半導体チップは裏面から均一な吸引力でダイ
パッドの方へ吸引されて、ダイパッドに良好に接着する
ことができる。
【００１０】
【実施例】以下、図１を用いて、この発明の半導体チッ
プのダイボンディング方法及びその装置を説明する。図
１はこの発明の半導体チップをダイパッドにダイボンデ
ィングする状態を示すダイボンディング装置の一部側面
図で、同図Ａは半導体チップをコレットで吸着しながら
ダイパッド上に持ち来す段階を、同図Ｂは同図Ａの段階
から半導体チップをダイパッド上に載置した段階を、そ
して同図Ｃは同図Ｂの段階から半導体チップをダイパッ
ドに接着する段階を示したものである。なお、図２に示
した従来技術と同一の構成部分には同一の符号を付し、
それらの詳細な説明を省略する。
【００１１】先ず、図１を用いて、この発明のダイボン
ディング装置１０を説明する。ダイボンディングステー
ジ２０には、そのダイパッド載置面からその裏面に貫通
する貫通孔２１が設けられ、その下端にはチューブ２２
を介して真空吸引ポンプ２３が接続されている。一方の
コレット３は従来技術のコレット３と同一である。
【００１２】このようなダイボンディング装置１０で使
用されるダイパッドＤａとしては、その載置面に貫通孔
Ｄｂが開けられているものを使用する。
【００１３】次に、このような構成のダイボンディング
装置１０を用いて、この発明の半導体チップのダイボン
ディング方法を説明する。先ず、同図Ａに示したよう
に、リードフレームのダイパッドＤａに開けられた貫通
孔Ｄｂがをダイボンディングステージ２０の前記貫通孔
２１と導通するように、そのダイパッドＤａをダイボン
ディングステージ２０の所定の位置に固定し、そのダイ
パッドＤａの貫通孔Ｄｂを取り巻く載置面にダイボンド
剤Ｂを滴下する。そして、その載置面の上に、図示して
いない真空吸引ポンプで吸引しながらコレット３に吸着
した半導体チップＳを持ち来す。
【００１４】次に、同図Ｂに示したように、そのコレッ
ト３を降下させて、半導体チップＳを前記ダイボンド剤
Ｂの上に載せる。そして、同図Ｃに示したように、コレ
ット３からダイパッドＤａをはなした状態で、真空吸引
ポンプ２３を作動させ、前記貫通孔Ｄｂ、貫通孔２１、
吸気チューブ２２及び排気チューブ２４を通じて、半導
体チップＳとダイパッドＤａの載置面との間に存在する
気体を矢印Ｙの方向に吸引、排気し、その半導体チップ
ＳをダイパッドＤａの方へ吸引する。つまり半導体チッ
プＳに真空圧を掛けたことになる。そのようにして半導
体チップＳをダイボンド剤Ｂ中に沈み込ませ、ダイパッ
ドＤａに接着する。
【００１５】この真空吸引は、前記従来技術における半
導体チップＳに掛けた荷重に相当するものである。この
接着時に半導体チップＳに掛かる強度は、真空度５００
ｍｍＨｇ／Ｈｇ2 の時、約６８ｇｆという強い力であっ
た。
【００１６】このような強い力で接着するため、煽りの
ない理想的な状態で半導体チップＳをダイパッドＤａに
ダイボンディングできる。また、半導体チップＳの裏面
への吸引力であるため、その表面への損傷は全くない。
【００１７】この真空吸引によるダイボンディングの接
着は、前記の図１Ａ及び図１Ｂに示したように、半導体
チップＳをダイパッドＤａに置くだげで、次の加熱接着
の工程で、熱硬化性樹脂からなるダイボンド剤Ｂを加熱
し、硬化させる時に、同時に真空吸引するようにしても
よい。そうすることによりダイボンディングに掛かる時
間を短縮することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明によれ
ば、半導体チップの表面に荷重を加えないため、半導体
チップの表面やエッジを損傷することなく、また半導体
チップの裏面より均一に吸引するため、半導体チップの
ダイパッドに対する煽りが低減され、また、加熱と同時
に真空吸引すると、ボンディングスピードを向上するこ
とができるなど、数々の優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の、半導体チップをダイパッドにダイ
ボンディングする状態を示すダイボンディング装置の一
部側面図で、同図Ａは半導体チップをコレットで吸着し
ながらダイパッド上に持ち来す段階を、同図Ｂは同図Ａ
の段階から半導体チップをダイパッド上に載置した段階
を、そして同図Ｃは同図Ｂの段階から半導体チップをダ
イパッドに接着する段階を示したものである。
【図２】従来技術における半導体チップをダイパッドに
ダイボンディングする状態を示すダイボンディング装置
の一部側面図で、同図Ａは半導体チップをコレットで吸
着しながらダイパッド上に持ち来す段階を、同図Ｂは同
図Ａの段階から半導体チップをダイパッド上に載置した
段階を、そして同図Ｃは同図Ｂの段階から半導体チップ
をダイパッドに接着する段階を示したものである。
【符号の説明】
３ コレット ５ 貫通孔 １０ ダイボンディング装置 ２０ ダイボンディングステージ ２１ 貫通孔 ２２ 吸引チューブ ２３ 真空吸引ポンプ ２４ 排気チューブ Ｂ ダイボンド剤 Ｄａ ダイパッド Ｄｂ 貫通孔 Ｓ 半導体チップ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体チップをダイパッドにダイボンディ
    ングするに当たり、貫通孔が開けられたダイパッドを用
    い、少なくともその貫通孔の周辺にダイボンド剤を被着
    し、その貫通孔及びダイボンド剤の上に半導体チップを
    置き、前記貫通孔を通じて前記半導体チップを吸引する
    ことにより、前記半導体チップを前記ダイパッドに接着
    することを特徴とする半導体チップのダイボンディング
    方法。
  2. 【請求項２】前記ダイボンド剤は熱硬化性樹脂からな
    り、このダイボンド剤を加熱しながら前記半導体チップ
    を吸引することを特徴とする請求項１に記載の半導体チ
    ップのダイボンディング方法。
  3. 【請求項３】半導体装置用リードフレームのダイパッド
    を載置できる載置面を有するステージと、この載置面に
    載置したダイパッド上に吸着しながら半導体チップを持
    ち来すことができるコレットとからなるダイボンディン
    グ装置において、前記ステージには前記載置面からその
    裏面に貫通する貫通孔が設けられており、この貫通孔に
    真空吸引ポンプを接続したことを特徴とするダイボンデ
    ィング装置。
JP13233992A 1992-05-25 1992-05-25 半導体チップのダイボンディング方法及びその装置 Pending JPH05326582A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303998B1 (en) * 1997-12-24 2001-10-16 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device having a chip mounted on a rectangular substrate
CN116437792A (zh) * 2023-05-06 2023-07-14 本源量子计算科技（合肥）股份有限公司 一种衬底、封装结构、量子芯片及其制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303998B1 (en) * 1997-12-24 2001-10-16 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device having a chip mounted on a rectangular substrate
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