KR20110074855A - 웨이퍼 적층체의 제조 방법, 웨이퍼 적층체의 제조 장치, 웨이퍼 적층체, 지지체의 박리 방법, 및 웨이퍼의 제조 방법 - Google Patents

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가주따 사이또
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쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
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Abstract

본 발명은 전부가 웨이퍼 배면의 그라인딩 특성을 개선할 수 있는 웨이퍼 적층체의 제조 방법, 웨이퍼 적층체의 제조 장치, 웨이퍼 적층체, 지지체의 박리 방법, 및 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 것이다. 방법은 위에 위치된 웨이퍼 흡착 테이블에 웨이퍼(2)를 흡착시키고, 아래에 위치된 지지체 흡착 테이블에 지지체(3)를 흡착시키고, 수직 방향으로 서로 대향하도록 웨이퍼(2)와 지지체(3)를 배열하는 단계; 접착제층을 형성하기 위해 웨이퍼(2)에 대향하는 지지체(3)의 대향면에 액체 접착제 수지를 적용하는 단계; 웨이퍼와 지지체 사이의 평행을 유지하면서 웨이퍼(2)와 지지체(3)를 서로 접근시키게 하고, 웨이퍼와 지지체 사이에 개재된 접착제 수지에 압력을 가하여 접착제 수지를 확산시킴으로써 웨이퍼(2)와 지지체(3) 사이의 공간을 접착제 수지로 충전하고, 웨이퍼의 외주 상에 수지 돌출부(4a)를 형성하는 단계를 포함한다.

Description

웨이퍼 적층체의 제조 방법, 웨이퍼 적층체의 제조 장치, 웨이퍼 적층체, 지지체의 박리 방법, 및 웨이퍼의 제조 방법{Method of Manufacturing Wafer Laminated Body, Device of Manufacturing Wafer Laminated Body, Wafer Laminated Body, Method of Peeling Support Body, and Method of Manufacturing Wafer}
본 발명은 접착제를 통하여 서로 접착되는 웨이퍼와 지지체를 갖는 웨이퍼 적층체의 제조 방법, 웨이퍼 적층체의 제조 장치, 웨이퍼 적층체, 지지체의 박리 방법, 및 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 두께가 감소된 반도체 칩이 제조될 때, 반도체 웨이퍼가 최종 형상의 개별 칩으로 작업될 수 있도록 회로 패턴 및 전극이 형성되어 있는 반도체 웨이퍼의 배면(reverse side)이 그라인딩된다. 반도체 웨이퍼의 회로면 측이 보호 테이프에 의해 보유된 다음 배면이 그라인딩되는 것이 통상적이다. 그러나, 일부 경우에는 높이가 수십 ㎛인 돌출되고 오목한 구조물이 회로면 상에 형성되므로, 보호 테이프는 돌출되고 오목한 구조물을 수용(absorb)할 수 없고 회로 패턴이 반도체 웨이퍼의 배면 상에 전사된다. 이 경우에, 응력이 돌출부에 집중되어 반도체 웨이퍼에 크랙이 발생된다. 상기 문제점을 해결하기 위하여, 보호 테이프의 접착제층을 두껍게 하거나 또는 베이스 재료를 두껍게 하거나 다층 구조로 형성하는 것과 같은 대책이 취해진다. 상기 대책들은 어느 정도 효과적이다. 그러나, 하이 범프(high bump)라고 하는 높이가 100 ㎛ 이상인 돌출 전극을 갖는 웨이퍼의 경우에는, 보호 테이프가 회로면 상에 형성된 돌출되고 오목한 부분을 수용하는 것이 어렵다. 또한, 때때로 보호 테이프 자체는 10 ㎛ 두께만큼 차이가 생긴다. 이 경우, 동일한 두께 차이는 웨이퍼에 영향을 미친다.
상기 문제점을 해결하기 위한 하나의 종래의 예로서, 유리 베이스 재료 또는 금속성 베이스 재료와 같은 고도로 강성인 보호 베이스 재료가 액체 접착제를 사용함으로써 반도체 웨이퍼 상으로 접착하도록 하는 방법이 JP2004-064040호에 제안되어 있다. 액체 접착제가 사용되기 때문에, 반도체 웨이퍼 표면 상의 돌출되고 오목한 부분을 완전하게 수용하는 것이 가능하다. 반도체 웨이퍼가 고도로 강성인 보호 베이스 재료에 의해 보호될 수 있으므로, 배면을 그라인딩할 때 반도체 웨이퍼의 회로 패턴이 전사되는 문제점이나 반도체 웨이퍼에 크랙이 발생되는 문제점을 해결하는 것이 가능하다.
보호 베이스 재료가 접착제를 통하여 반도체 웨이퍼에 접착하도록 하는 다른 종래의 예가 JP2002-203827호에 개시되어 있다. 이러한 종래 예의 제조 방법에서는 하기의 설명이 이루어진다. JP2004-064040호의 문단[0009]에서, "코팅을 형성하기 위한 코팅 용액은, 돌출되고 오목한 부분이 코팅 내에 매립될 수 있도록 적용된다. 코팅 용액의 표면이 코팅이 되도록 한다. 코팅의 파단 연신율(breaking elongation)은 30 내지 700%이고 파단 응력은 1.0 × 107 내지 5.0 × 107 Pa이다." 코팅 용액을 평탄하게 하는 문제에 관해서는, 문단[0026]에 하기의 설명이 있다. "도 2에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 코팅 용액의 표면을 평탄하게 하기 위하여, 유리 플레이트와 같은 평탄한 표면의 플레이트 부재(4)가 코팅을 형성하기 위한 코팅 용액의 표면에 접착하도록 하는 방식으로 코팅 용액의 표면을 평탄하게 하는 것이 가능하다." 코팅 용액을 경화시키기 위하여, 문단[0028]에 하기의 설명이 있다. "도 2에 도시된 바와 같이 플레이트 형상의 부재(4)를 사용하는 경우에, 에너지선 경화형 수지가 코팅을 형성하기 위한 코팅 용액(2)을 형성하는 경화성 수지로서 사용될 때, 코팅을 형성하기 위한 코팅 용액(2)을 코팅으로 형성하도록 에너지선이 플레이트 부재(4) 측으로부터 조사된다."
그러나, 유리 베이스 재료 또는 금속성 베이스 재료가 접착제를 사용함으로써 반도체 웨이퍼에 접착되는 방법으로는, 반도체 웨이퍼의 배면을 그라인딩함으로써 두께가 감소되는 고도로 강성인 반도체 웨이퍼로부터 유리 베이스 재료 또는 금속성 베이스 재료를 박리하는 것이 어렵다는 문제점이 있다. 따라서, 보호 베이스 재료 상에 미리 이형층이 마련되고 레이저 박리가 수행되는 방법이 제안되었다. 그러나, 복잡한 장치가 요구되므로, 간단한 방법에 대한 필요성이 계속해서 존재한다.
일 태양에서, 본 발명은 전부가 웨이퍼 배면의 그라인딩 특성을 개선할 수 있는 웨이퍼 적층체의 제조 방법, 웨이퍼 적층체의 제조 장치, 웨이퍼 적층체, 지지체의 박리 방법, 및 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다른 태양에서, 본 발명은 웨이퍼의 배면을 그라인딩한 후에 지지체와 접착제층이 용이하게 박리될 수 있게 하는 웨이퍼 적층체의 제조 방법, 웨이퍼 적층체의 제조 장치, 웨이퍼 적층체, 지지체의 박리 방법, 및 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 하나의 실시예에서, 본 발명은 a) 웨이퍼, b) 웨이퍼를 지지하는 지지체, c) 웨이퍼와 지지체를 접착시키는 접착제층, 및 d) 웨이퍼의 측벽의 외주 상에 형성된 수지 돌출부를 포함하는 웨이퍼 적층체의 제조 방법을 제공하는데, 본 방법은 (1) 위에 위치된 웨이퍼 흡착 테이블에 웨이퍼를 흡착시키고, 아래에 위치된 지지체 흡착 테이블에 지지체를 흡착시키고, 수직 방향으로 서로 대향하도록 웨이퍼와 지지체를 배열하는 단계; (2) 접착제층을 형성하기 위해 웨이퍼에 대향하는 지지체의 대향면에 액체 접착제 수지를 적용하는 단계; (3) 웨이퍼와 지지체 사이의 평행을 유지하면서 웨이퍼와 지지체를 서로 접근시키고, 접착제 수지가 웨이퍼와 지지체 사이에 개재된 상태에서 압력을 가하여 접착제 수지를 확산시킴으로써 웨이퍼와 지지체 사이의 공간을 접착제 수지로 충전하고, 웨이퍼의 측벽의 외주 상에 수지 돌출부를 형성하는 단계; 및 (4) 웨이퍼 적층체가 소정 두께에 도달할 때 접착제 수지를 자외선으로 조사함으로써 접착제 수지를 경화시키고 접착제층을 형성하는 단계를 포함한다.
이러한 제조 방법에 의해, 배면을 그라인딩할 때 웨이퍼의 크랙 발생과 웨이퍼 에지에서의 깎임(chipping)을 실질적으로 피할 수 있고, 웨이퍼 배면의 우수한 그라인딩 특성을 갖는 웨이퍼 적층체가 제조될 수 있다. 웨이퍼의 표면 불규칙성이 접착제층에 의해 수용될 수 있기 때문에, 웨이퍼의 배면을 그라인딩할 때 웨이퍼의 크랙 발생이 실질적으로 방지될 수 있다.
본 발명의 다른 태양은 웨이퍼를 흡착시키는 웨이퍼 흡착 테이블; 액체 접착제를 통하여 웨이퍼에 부착되는 지지체의 진공 흡착을 위해 웨이퍼 흡착 테이블에 대향하여 웨이퍼 흡착 테이블의 하부 측 아래에 배열된 지지체 흡착 테이블; 및 접착제 수지를 경화시키기 위해 접착제 수지를 자외선으로 조사하는 UV 조사원(irradiation source)을 포함하고, 지지체 흡착 테이블은 지지체를 흡착할 수 있도록 표면 불규칙성을 가지며 자외선을 투과시킬 수 있는, 웨이퍼 적층체의 제조 장치를 제공한다.
이러한 제조 장치에 의해, 웨이퍼 배면의 우수한 그라인딩 특성을 갖는 웨이퍼 적층체가 제조될 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양은 웨이퍼; 웨이퍼를 지지하는 지지체; 웨이퍼를 지지체에 접착시키는 접착제층; 및 웨이퍼의 측벽의 외주 상에 형성된 수지 돌출부를 포함하는 웨이퍼 적층체를 제공한다.
이러한 웨이퍼 적층체에 의해, 웨이퍼의 표면 불규칙성이 접착제층에 의해 수용될 수 있어서, 웨이퍼의 배면을 그라인딩할 때 웨이퍼의 크랙 발생이 실질적으로 방지될 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양은, 청구항 10 또는 청구항 11에 따른 웨이퍼 적층체의 배면이 웨이퍼의 두께를 소정 두께로 감소시키도록 그라인딩된 후에, 지지체가 접착제층과 함께 웨이퍼 적층체로부터 박리되고, 지지체가 사실상 U 형상으로 되접어 꺾일 때 웨이퍼가 굽혀지지 않는 방식으로 지지체가 접착제층과 함께 웨이퍼 적층체로부터 박리되는 지지체의 박리 방법을 제공한다.
이러한 지지체의 박리 방법에 의해, 웨이퍼 배면의 그라인딩이 완료된 후에, 복잡한 장치를 사용하지 않고 그리고 웨이퍼에서의 박리 실패를 일으키지 않고서 지지체가 접착제층과 함께 웨이퍼로부터 박리될 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양은 웨이퍼 적층체를 제공하는 단계; 웨이퍼를 원하는 두께로 그라인딩하는 단계; 및 그라인딩의 완료 후에 웨이퍼 적층체로부터 지지체를 접착제층과 함께 박리하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.
이러한 웨이퍼의 제조 방법에 의해, 그라인딩할 때의 웨이퍼 손상과 박리할 때의 웨이퍼 손상을 실질적으로 피할 수 있어서, 중간 제품으로서의 웨이퍼 적층체로부터 최종 제품으로서의 얇은 웨이퍼를 성공적으로 획득할 수 있다.
<도 1>
도 1은 본 발명의 웨이퍼 적층체의 실시예의 단면도.
<도 2>
도 2는 수지막이 웨이퍼 적층체로부터 박리되는 환경을 설명하기 위한 개략도.
<도 3>
도 3은 본 발명의 웨이퍼 적층체를 제조하는 제조 장치의 실시예의 정면도.
<도 4a 내지 도 4e>
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 웨이퍼 적층체의 제조 방법을 도시하는 개략도.
<도 5>
도 5는 도 4b에 도시된 부분 A의 확대도.
<도 6>
도 6은 웨이퍼 적층체를 제조하는 제조 장치의 변형예를 도시하는 정면도.
<도 7a 내지 도 7f>
도 7a 내지 도 7f는 도 6에 도시된 제조 장치가 사용되는 웨이퍼 적층체의 제조 방법을 도시하는 개략도.
본 발명은 이의 실시예의 특정 예를 도시하는 도면을 참조하여 아래에 상세하게 기재될 것이다. 도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 적층체의 실시예를 도시하는 도면이다.
본 실시예의 웨이퍼 적층체(1)는 다층 구조를 갖는다. 웨이퍼 적층체(1)는 접착면으로서 회로 패턴(5)을 갖는 전면과 그라인딩 면으로서 배면을 갖는 웨이퍼(2); 회로 패턴(5)을 보호하며 배면의 그라인딩의 완료 후에 접착면으로부터 박리되는 수지막(지지체)(3); 및 웨이퍼(2)를 수지막(3)에 접착시키는 접착제층(4)을 포함한다. 수지 돌출부(4a)는 웨이퍼(2)로부터 돌출하도록 접착제층(4)의 외주 상에 형성되어 있다. 웨이퍼(2)의 배면의 그라인딩의 완료 후에 수지막(3)은 접착제층(4)과 함께 웨이퍼(2)로부터 박리될 것이다. 본 실시예에서, 수지막(3)과 접착제층(4)은 단일 층으로서 각각 형성되어 있다. 그러나, 수지막(3)과 접착제층(4)을 각각 다층으로서 형성하는 것도 또한 가능하다.
웨이퍼(2)는 규소, 갈륨 또는 비소로 제조된 반도체 웨이퍼일 수 있으며, 그의 두께는 100 ㎛ 이하인 것으로 예상될 수 있다. 회로 패턴이 위에 마련된 웨이퍼의 표면은 돌출되고 오목하다. 그러나, 접착제가 오목한 부분으로 들어가면, 웨이퍼(2)의 표면은 평탄화될 수 있다.
액체 접착제(4)는 경화형 접착제인 고온 용융 접착제 또는 왁스이며, 그의 점도는 경화 전에 23℃에서 브룩필드(Brookfield) 유형 점도계에 의해 점도가 측정될 때 100 cP 이상이고 10000 cP 미만이다. 상기된 바와 같이 점도가 결정되는 이유는 하기와 같이 설명될 것이다. 점도가 100 cP보다 낮은 경우에, 접착제(4)의 두께를 제어하는 것이 어렵다. 점도가 10000 cP 이상인 경우에는, 접착제(4)가 웨이퍼(2)의 돌출되고 오목한 면 상에 확산되는 것이 어려운데, 즉 접착제(4)가 오목한 부분으로 들어가는 것이 어렵다. 열경화 유형의 접착제 또는 열 용융 유형의 접착제의 경우, 열 용융 온도에서 점도가 10000 cP 미만이면 어떠한 문제도 야기되지 않는다. 그러나, 경화 시간(고형화 시간) 및 가열에 의해 야기되는 소자의 크기 변화를 고려하면, 단기간에 경화되는 광 경화 유형의 접착제가 바람직하게 사용되고, 예를 들어 자외선 경화 유형의 접착제가 바람직하게 사용된다. 자외선 경화 유형의 접착제가 액체 접착제(4)에 사용되는 경우에, 수지막(3)이 자외선 투과 특성을 갖는 것은 중요하다.
이와 관련하여, 열선 또는 자외선과 같은 에너지선으로 조사될 때 자외선 경화 유형의 접착제가 경화된다. 자외선 경화 유형의 접착제의 일반적인 예로는 아크릴 단량체 및 에폭시 수지가 있다. 웨이퍼(2)와 막(3)을 서로 접착시키는 접착제(4)의 두께는 접착제가 웨이퍼(2)의 두께를 수용할 수 있도록 결정되지만, 접착제(4)의 두께는 10 내지 150 ㎛인 것이 전형적이다. 접착제(4)의 두께는 20 내지 100 ㎛인 것이 바람직하다.
접착제를 통해 지지체가 반도체 웨이퍼(2)에 접착되는 종래의 예가 JP2004-064040호에 개시되어 있다. JP2004-064040호에서, 하기의 내용이 기재되어 있다. "코팅을 형성하기 위한 코팅 용액은, 돌출되고 오목한 부분이 코팅 내에 포함될 수 있도록 적용된다. 코팅 용액의 표면이 코팅이 되도록 한다. 코팅의 파단 연신율은 30 내지 700%이고 파단 응력은 1.0 × 107 내지 5.0 × 107 Pa이다." 다른 한편으로, 본 발명의 접착제(4)에 대해 하기 설명이 이루어진다.
(1) 배면을 연마(그라인딩)할 때 접착제(4)에 의한 이동과 변형의 발생을 막기 위하여, 시험 방법 JIS K 6251-1993에 기재된 바와 같이, 아령 형상의 No. 3 시험편이 23℃에서 인장될 때, 파단 연신율은 50% 이하인 것이 바람직하고, 파단 연신율이 30% 이하인 것은 더 바람직하다.
(2) 수지막(3)과 접착제(4)를 분리할 때 돌출되고 오목한 면 상의 접착제(4)에 의해 발생된 기계적 앵커 포스(anchor force)(앵커 효과)에 의해 야기되는 분리 실패를 감소시키기 위하여, 파단 연신율은 5% 이하인 것이 바람직하다.
(3) 박리 시에 약한 박리력에 의해 막(3)과 접착제(4)를 박리하기 위하여 그리고 또한 접착제(4)가 파단되는 것을 막기 위하여, 접착제는 적절히 강하고 가요성일 필요가 있다. 레오메트릭스 컴퍼니(Leometrix Co)에 의해 제조된 RSAII 유형의 동적 점도계에 의해 인장 탄성 계수(tensile elastic modulus)가 측정될 때, 경화 후의 접착제의 인장 탄성 계수는 23℃ 에서 1.0 내지 9.0 × 108 Pa인 것이 바람직하다. 인장 탄성 계수는 탄성의 한계 정도를 나타낸다. 따라서, 인장 탄성 계수는 탄성을 적절하게 평가하는데 사용된다. 우수한 분리 성능을 갖는 접착제(4)의 예로는 스미토모 쓰리엠 컴퍼니 리미티드(Sumitomo 3M Co., Ltd)에 의해 시판되고 있는 LC3000 시리즈가 있다. 탄성 계수가 너무 낮을 경우, 접착제는 점착성을 띠게 되고 우수한 박리 특성을 기대하기가 불가능하게 되며, 또한 박리 시에 접착제가 파단될 가능성이 있다. 탄성 계수가 너무 높을 경우에는, 상기 기재한 바와 동일한 방식으로, 접착이 이루어지는 표면 상에 접착제가 부분적으로 잔류하는 경향이 있다.
JP2004-064040호에서는, 파단 연신율이 30 내지 700%이며 파단 응력이 1.0 × 107 내지 5.0 × 107 Pa인 접착제의 물리적 특성이 예상된다. 따라서, 우수한 그라인딩 특성을 기대하는 것은 불가능하다. 접착제층을 박리할 때, 접착제의 응력 완화가 야기되고, 박리 계면에 응력을 집중시키는 것은 불가능해진다. 그 결과, 박리력은 증가되고, 우수한 분리를 기대하는 것은 불가능하다.
변형을 발생시키지 않고 그라인딩을 수행하도록 배면을 그라인딩할 때 웨이퍼(2)의 휨(warp)의 발생을 막기 위하여, 수지막(3)은 적절히 높은 강성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 배면의 그라인딩을 완료한 후에 수지막(3)이 용이하게 박리될 수 있는 것이 바람직하다. 배면을 그라인딩할 때 수지막(3)이 마찰 가열, 진공 침착, 스퍼터링, 도금 및 에칭 처리되는 것이 고려될 수 있다. 따라서, 처리 조건에 따라, 투과 특성, 내열 특성, 내화학 특성, 및 낮은 팽창비를 갖는 지지체가 바람직하게 선택된다. 변형을 발생시키지 않고 배면을 그라인딩하려는 관점으로부터, 수지막(3)은 23℃에서 1000 ㎫ 이상의 굽힘 탄성 계수를 갖는 것이 바람직하다. 이 경우에, 굽힘 탄성 계수는 시험 방법 JIS K 7171-1994에 따라 측정될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 용이하게 박리하기 위해 배면의 그라인딩을 완료한 후에 막(3)을 만곡시키려는 관점으로부터, 수지막(3)의 굽힘 탄성 계수는 23℃에서 10000 ㎫ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우에, 굽힘 탄성 계수는 JIS K 7171-1994에 명기되어 있다. 수지막(3)의 두께는 바람직하게 30 ㎛ 내지 200 ㎛이다. 유용한 막의 예는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트와 같은 폴리에스테르 막; 폴리프로필렌 폴리에틸렌 또는 폴리메틸 펜탄과 같은 폴리올레핀 및 폴리올레핀 공중합체 막; 폴리아미드 막; 및 아크릴로니트릴 막을 포함한다. 배면의 그라인딩을 완료한 후에 박리 시 수지막(3)을 접착제(4)와 함께 박리하기 위하여, 수지막(3)은 프라이머층 또는 접착제층으로 코팅될 수 있다. 대안적으로, 수지막(3)에는 코로나 처리와 같은 표면 처리가 가해질 수 있다. 사용되는 프라이머의 예로는, 우레탄 프라이머, 고무 프라이머 또는 폴리에스테르 프라이머가 있다. 일부 경우에, 아크릴 접착제 또는 고무 접착제가 코팅된다. 프라이머 또는 접착제를 코팅하지 않는다면, 표면 매트 처리, 플라즈마 처리, 화학적 에칭 또는 화염 처리를 수행하는 것이 가능하다. 막(3)이 휘어질 때 야기되는 문제를 막기 위하여, 막은 다층 구조로 구성될 수 있고, 복수의 버퍼층을 포함하는 다층 막을 사용하는 것이 가능하다. 다층 수지막(3)이 사용되는 경우에, 모든 층들은 동일 품질의 수지 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 각각의 층의 실온 23℃ 에서의 굽힘 탄성 계수는 1000 ㎫ 이상이고 10000 ㎫ 이하인 것이 바람직하다. 다층 구조 수지막(3)의 총 두께는 30 내지 200 ㎛로 설정된다.
웨이퍼 적층체(1)의 배면이 그라인딩된 후에, 수지막(3)은 웨이퍼 적층체(1)로부터 박리된다. 이 경우에, 수지막(4)에 대한, 본 실시예를 위하여 사용되는 접착제(4)의 접착 강도는 웨이퍼(2)에 대한 접착제(4)의 접착 강도보다 더 높다. 따라서, 수지막(3)은 웨이퍼(2) 상에 접착제(4)를 남기지 않고서 박리될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 수지막(3)이 웨이퍼 적층체(1)로부터 박리될 때, 웨이퍼 적층체(1)는 거꾸로 고정되어, 하기와 같은 박리 방법을 사용함으로써 수지막(3)이 박리된다. 수지막(3)을 박리하는 시작점인 곡선 부분에 발생되는 탄성 복구력(F)은, 수지막(3)이 뒤로 굽혀져 사실상 U 형상으로 될 때 웨이퍼(2) 상에 작용된다. 전술한 바로 인해, 웨이퍼(2)는 위로 만곡되는 것이 방지되고, 수지막(3)은 웨이퍼(2)로부터 용이하게 박리될 수 있다.
다음으로, 상기 웨이퍼 적층체(1)를 제조하는 제조 장치의 실시예가 아래에 설명될 것이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제조 장치(10)는 상부 흡착 테이블(웨이퍼 흡착 테이블)(18)과 하부 흡착 테이블(제1 층 흡착 테이블)(26)이 3개 이상의 지지체(21)에 의해 지지되는 상부 베이스(16)와 하부 베이스(30)를 포함하는 하우징 내에서 수직으로 이동할 수 있게 배열되도록 설계된다. 상부 흡착 테이블(18)과 하부 흡착 테이블(26)은 중심축(C)이 동일 축 상에 있을 수 있도록 서로 대향되어 배열된다. 하부 흡착 테이블(26)의 하부 측에, 액체 접착제(4)를 경화시키도록 자외선을 조사하기 위한 UV 조사원(33)이 배열된다. 하우징 구조물의 수직 방향으로 주어진 하중을 균일하게 분산시키기 위하여, 지지체(21)로부터 상부 흡착 테이블(18)의 이동 축까지의 거리는 전부 동일하고, 지지체(21)는 규칙적인 간격으로 배열된다. 이와 관련하여, 본 실시예의 제조 장치(10)는 액체 접착제(4)를 경화시키기 위한 경화 수단인 UV 조사원(33)을 포함한다. 그러나, 접착제(4)를 경화시키기 위한 경화 수단이 본 발명에서 상기 UV 조사원(33)에 한정되지 않는다는 것을 유의하여야 한다. UV 조사원(33) 대신에 열원을 사용하는 것이 가능하다.
상부 흡착 테이블(18)이 상부 베이스(16)의 기준면에 대하여 수직 방향으로 이동되도록, 상부 흡착 테이블(18)을 지지하는 고정축(12)이 2개의 선형 부시(13, 15)가 둘러싸여 있는 실린더 부재(14)를 따라 상하로 이동된다. 이 때, 축(12)의 수직 방향의 이동 정밀도를 향상시키기 위하여, 2개의 선형 부시(13, 15)가 서로 떨어져 있는 위치에 부착되는 것이 중요하다.
상부 흡착 테이블(18)을 지지하기 위한 축(12)의 액추에이터(11)의 예로는 공기 실린더, 유압 실린더 및 선형 모터 헤드가 있다. 그러나, 정지 위치의 정밀도를 유지하고 정지 성능을 향상시키기 위한 관점에서, 서보 모터 또는 스텝핑 모터에 의해 구동되는 선형 헤드를 사용하는 것이 바람직하다. 액추에이터(11)의 최대 추력은 실제로 고착될 웨이퍼의 크기, 제조 장치의 저항 부하, 및 접착제의 점도에 따라 좌우된다. 액추에이터(11)의 추력은 약 0.1 내지 1.0 ㎏/㎠의 압력이 주어질 수 있도록 발생될 수 있는 것이 바람직하다. 임의의 경우에, 축(12)은 외부 힘이 주어질 때에도 정지 시에는 이동되지 않는 것이 중요하다. 그러나, 작은 스프링백(spring-back) 현상의 발생을 피하는 것은 불가능하다. 따라서, 항상 상부 흡착 테이블(18)과 하부 흡착 테이블(26) 사이의 절대 갭(gap) 거리를 관찰하기 위한 메커니즘을 제공할 필요가 있다. 하기와 같이 절대 갭을 제어하는 것이 효과적이다. 예를 들어, 선형 게이지(17)는 선형 게이지(17)의 선단부가 하부 흡착 테이블(26)의 투명 강체(평탄한 플레이트)(24)와 접촉할 수 있도록 상부 흡착 테이블의 일 측에 부착된다.
상부 흡착 테이블(18)은 웨이퍼(2)를 고정하기 위한 메커니즘을 포함한다. 흡착될 웨이퍼(2)의 평탄도를 유지하기 위하여, 흡착면의 평탄도는 ±5 ㎛의 범위 내에 있다. 흡착면의 평탄도는 ±1 ㎛의 범위 내에 있는 것이 더 바람직하다. 고정 메커니즘과 관련하여, 진공 흡착, 접착 또는 정전기적 흡착 수단을 사용하는 것이 가능하다. 진공 흡착 수단이 간단하므로 이를 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에서, 진공 흡착을 위한 흡착 홈(23)이 상부 흡착 테이블(18) 상에 마련되어 있다. 웨이퍼의 흡착 시 공기의 방출을 용이하게 하기 위하여, 흡착면의 평탄도가 영향을 받지 않을 수 있도록 수 ㎛ 이하의 표면 불규칙성이 흡착면 상에 제공된다.
수지막(3)을 진공으로 흡착하기 위하여, 하부 흡착 테이블(26)은 흡착 홈(28)을 포함한다. 흡착될 수지막(3)의 평탄도를 유지하기 위하여, 흡착면의 평탄도는 ±5 ㎛의 범위 내에 있다. 흡착면의 평탄도는 ±1 ㎛의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 상부 흡착 테이블(18)과 동일한 방식으로, 흡착될 수지막(3)과 흡착면 사이로부터의 공기 방출을 용이하게 하기 위하여, 흡착면의 평탄도가 받지 않을 수 있도록 수 ㎛ 이하의 표면 불규칙성이 강체(24)(도 5에 도시됨) 상에 제공된다. 강체(24) 상의 표면 불규칙성(38)은 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 블라스팅이 적용될 수 있다. 강체(24)가 유리로 제조되는 경우에, 표면 불규칙성(38)은 그라인딩된 유리의 표면 불규칙성과 동일하다. 접착할 때 가시성을 유지하고 접착할 때 변형의 발생을 억제하고 자외선 경화 유형의 액체 접착제를 경화시킬 때 자외선이 투과되게 하는 관점에서, 하부 흡착 테이블(26)의 중심 부분은 투명 강체(24)로 형성되는 것이 바람직하다. 투명 강체(24)의 예로는 필렉스(Pilex)(등록 상표명) 또는 텐팩스(Tenpax)(등록 상표면)와 같은 붕산 유리 및 석영 유리가 있다. 하부 흡착 테이블(26)의 일부만이 투명 강체로 형성되는 경우에, 흔들림의 발생을 방지할 수 있도록 3개의 지지점(29)이 제공되는 것이 바람직한데, 즉 3점 지지 시스템을 채용하는 것이 바람직하다.
상부 흡착 테이블(18)과 하부 흡착 테이블(26)의 흡착면들 사이의 평행을 제어하기 위한 관점에서, 하부 흡착 테이블(26)이 수직 방향으로 이동되지 않고 흡착면의 경사각만이 변경될 수 있는 그러한 구조를 구성하는 것이 가능하다. 흡착면의 경사각을 변경하는 특정 예로는, 하부 베이스(30)가 마이크로미터 헤드(31)의 3개의 점에 의해 지지되는 것이 있다. 마이크로미터 헤드(31)의 3개의 점이 독립적으로 이동되면, 하부 흡착 테이블(26)의 경사각이 변경될 수 있다.
제조 장치의 변형예가 도 6에 도시되어 있는 바와 같이, 상부 흡착 테이블(18)과 하부 흡착 테이블(26) 사이의 공간을 진공 분위기 공간으로 형성하는 것이 가능하다. 이 경우에, 하부 흡착 테이블(26)의 대향면과 접촉되며 탄성 변형되는 오링(22)이 상부 흡착 테이블(18)의 대향면의 외주 부분에 부착될 때, 상부 흡착 테이블(18)과 하부 흡착 테이블(26) 사이의 공간은 밀폐될 수 있고, 따라서 밀폐된 공간이 감압될 경우, 공간을 진공 분위기 상태로 유지하는 것이 가능하다. 오링(22)의 재료의 예로는, 니트릴 고무, 불소 고무, 규소 고무 및 에틸렌 프로필렌 고무가 있다.
액체 접착제(4)를 경화시키도록 자외선을 조사하기 위한 UV 조사원(33)은 하부 베이스(30)의 중심 바로 아래에 배열된다. 사용되는 접착제(4)의 유형, 수지막(3) 및 하부 흡착 테이블(26)에 부착된 투명 강체(24)의 투과율에 따라, UV 조사원(33)의 조사 강도는 50 내지 100 ㎽/㎠에서 대략 결정된다. 그러면, 자외선이 10 내지 20초 동안 조사될 경우, 500 내지 2000 mJ/㎠의 에너지를 조사하는 것이 가능하다.
다음으로, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여, 웨이퍼(1)를 제조하는 예시적인 방법이 아래에서 설명될 것이다. 이 제조 방법은, 웨이퍼(2)를 진공에 의해 상부 흡착 테이블(18)의 흡착면에 흡착시키는 단계; 수지막(3)을 하부 흡착 테이블(26)(강체(24))의 흡착면에 흡착시키는 단계; 액체 접착제(4)를 수지막(3)에 적용하는 단계; 웨이퍼 표면과 막 표면 사이에 평행이 유지되면서 웨이퍼 표면과 막 표면이 서로 접촉된 후에 액체 접착제(4)를 가압 및 확산시키는 단계; 접착제 두께(웨이퍼 적층체 두께)가 소정 값에 도달하는 시점에 액체 접착제(4)를 경화시키는 단계; 및 접착하도록 형성된 웨이퍼 적층체(1)를 들어내는 단계를 포함한다.
웨이퍼(2)를 도 4a에 도시된 상부 흡착 테이블(18)의 흡착면에 흡착시키는 단계에서, 웨이퍼(2)는 웨이퍼(2)의 접착면(대향면)이 아래로 지향될 수 있도록 진공에 의해 상부 흡착 테이블(18)에 흡착된다. 반면에, 수지막(3)을 하부 흡착 테이블(26)의 흡착면에 흡착시키는 단계에서, 수지막(3)의 접착면(대향면)이 위로 지향될 수 있도록 진공 흡착이 수행된다. 진공 흡착 시 압력은 100 Pa보다 낮은 것이 바람직하다.
다음으로, 도 4b의 수지막(3)에 접착제를 적용하는 단계에서, 적용 동안 실질적으로 어떠한 기포도 접착제와 혼합되지 않아야 한다. 기포가 접착제와 혼합되는 경우, 웨이퍼 적층체(1)의 두께가 불균일하게 될 수 있으며, 이는 웨이퍼의 배면을 그라인딩할 때 웨이퍼에 크랙 발생 또는 파손(깎임)을 초래할 수 있다. 적용된 접착제의 균일한 확산 및 접착제의 외주 상의 수지 돌출부의 균일한 형성을 보장하기 위하여, 액체 접착제는 웨이퍼(2)의 접착 중심에 가까이 적용된다. 액체 접착제의 외주 상의 수지 돌출부(4a)를 제어하기 위하여, 접착제층(4)의 목표 두께(적층체의 두께)를 고려하여 적합한 양의 접착제를 적용하는 것이 요구된다. 웨이퍼(2)와 막(3) 사이의 공간을 충전하는데 필요한 양보다 대략 10% 더 많은 양이 접착제의 수지 돌출부(4a)를 형성하는데 유리하게 사용될 수 있다. 구체적으로, 적용된 접착제의 양 W (g)는 공식 W (g) = 1.1 × (π × R2 × t × G)에 의해 주어지는데, R (㎝)은 웨이퍼의 반경이고, t (㎝)는 접착제의 두께이고, G (g/㎤)는 접착제의 밀도이다.
그 다음, 도 4c의 상부 흡착 테이블(18)이 서서히 하강되고, 웨이퍼(2)가 막(3) 상의 접착제와 접촉하게 될 때, 웨이퍼(2)와 막(3) 사이의 접착제를 가압하도록 액추에이터(11)가 작동된다. 압력은 접착제의 점도, 목표 두께 등에 따라 좌우되지만, 대략 0.1 내지 1.0 ㎏/㎠의 범위 내에 있을 수 있다. 이러한 가압 상태가 유지되는 동안, 접착제층(4)의 원하는 두께가 얻어질 때까지 액체 접착제는 웨이퍼(2)의 면 전체에 걸쳐 확산되고, 웨이퍼(2)와 막(3) 사이의 접착제가 웨이퍼(2)와 막(3) 사이의 공간으로부터 빠져나옴으로써 웨이퍼(2)(웨이퍼 적층체(1))의 외주 측 상에 수지 돌출부(4a)를 형성한다. 수지 돌출부(4a)가 형성되고 접착제층(4)의 원하는 두께에 도달할 때, 접착제를 경화시키도록 UV 조사원으로부터의 자외선이 접착제에 조사된다.
수지 돌출부(4a)는 웨이퍼(2)의 외주로부터 외향 돌출된 부분이다. 이러한 수지 돌출부(4a)를 형성함으로써, 웨이퍼(2)의 외주는 막(3)에 접착될 수 있는데, 이들 사이에 갭을 생성하지 않는다. 따라서, 웨이퍼(2)의 외주에서의 막(3)에 접착되지 않은 부분의 발생을 피하여, 배면의 그라인딩 동안 깎임 발생을 초래하는 이러한 비접착 부분에서 응력 집중이 방지될 수 있다. 이러한 깎임은 더 얇은 웨이퍼(2)의 경우에 생성될 가능성이 더 많기 때문에, 수지 돌출부를 형성하는 것은 깎임 발생을 방지하는 데 매우 효과적이다. 웨이퍼(2)의 외주 상에 형성된 수지 돌출부(4a)의 형태는 접착제의 점도와 유형, 웨이퍼(2)와 막(3)에 대한 습윤성에 따라 달라질 수 있다. 수지 돌출부(4a)는 오목한 유형(필렛 형상의 유형)(4a1) 또는 볼록한 유형(4a2)으로서 형성될 수 있다. 수지 돌출부(4a)는 오목한 유형(4a1)으로 이루어진다.
수지 돌출부(4a)는 웨이퍼(2)와 막(3) 사이의 소정 양의 접착제를 가압하여 접착제가 웨이퍼(2)로부터 빠져나오도록 함으로써 형성되며, 웨이퍼(2)를 흡착시키는 상부 흡착 테이블(18)의 흡착면과 접촉하지 않는다. 이는 상부 흡착 테이블(18)이 위에 위치되기 때문이고, 적용된 접착제의 양이 적합한 양으로 조정되기 때문이다. 막(3)이 웨이퍼(2)보다 조금 더 큰 크기로 형성되므로, 웨이퍼(2)와 막(3) 사이의 공간으로부터 빠져나온 접착제를 받아들일 수 있고, 따라서 수지 돌출부(4a)를 스커트 형상으로 형성할 수 있다. 따라서, 웨이퍼를 흡착시키기 위한 상부 흡착 테이블(18)이 위에 위치되고 막(3)을 흡착시키기 위한 하부 흡착 테이블(26)이 아래에 위치되는 웨이퍼 적층체의 제조 장치(10)의 구성은 수지 돌출부(4a)를 형성하기 위한 바람직한 배열이다.
중간 제품으로서의 웨이퍼 적층체(1)가 상기한 바와 같은 방식으로 제조된다. 그 다음, 웨이퍼 적층체(1)는 웨이퍼(2)가 원하는 두께로 그라인딩되는 배면을 그라인딩하는 단계로 이동된다. 배면의 그라인딩이 완료된 후에, 원하는 두께의 웨이퍼(2)를 얻기 위한 본 발명의 방법에 따라 수지막(3)은 접착제층(4)과 함께 웨이퍼 적층체(1)로부터 박리된다.
상기된 웨이퍼 적층체(1)를 제조하는 제조 방법에서, 막(3)에 접착제(4)를 적용할 때 사실상 어떠한 기포도 접착제(4)와 혼합되지 않았다 해도, 웨이퍼(2)와 막(3) 사이에 접착제(4)를 확산시키는 공정에서 기포가 접착제(4)와 혼합될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼의 표면 상에 마련된 회로 몸체(circuit body)의 종횡비가 높은 경우에 또는 소위 하이 범프인 회로 몸체가 형성되는 경우에, 많은 수의 기포가 접착제(4)와 혼합될 가능성이 있다. 기포가 접착제(4)와 혼합되면, 웨이퍼(2)는 크랙이 발생되고 파손될 가능성이 있을 것이다. 따라서, 웨이퍼(2)와 막(3) 사이의 접착제(4)를 확산시킬 때 어떠한 기포도 접착제(4)에 혼합될 수 없도록 웨이퍼(2)와 막(3) 사이의 공간은 진공 분위기에 놓인다. 이 방법은 도 6에 도시되어 있다. 이 방법이 사용되면, 웨이퍼(2)와 막(3)이 서로 접착하게 되기 전에 접착제(4)와 혼합되는 기포가 만약 있다면 이를 탈포시키는 것도 또한 가능하다.
도 7a 내지 도 7e에 도시된 본 발명의 제조 방법의 변형예는, 어떠한 기포도 접착제(4)와 혼합될 수 없고 접착제(4)와 혼합된 기포가 탈포될 수 있도록, 웨이퍼(2)와 막(3) 사이의 분위기를 진공 상태로 만드는 단계를 포함할 수 있다. 도 7c에 도시된 기포를 탈포하는 단계는 웨이퍼(2)와 막(3)이 서로 접촉된 후에 액체 접착제(4)가 가압 및 확산되는 단계에서 수행될 수 있다. 탈포 단계를 수행하기 위하여, 웨이퍼(2)와 막(3)은 진공 분위기에서 서로 접착하도록 할 필요가 있다. 이 경우에, 진공 탱크가 제조 장치(10A)의 하우징 구조물에 제공되거나 또는 도 6에 도시된 바와 같이 오링(22)이 상부 흡착 테이블(18)의 대향면의 외주 부분에 부착됨으로써 상부 흡착 테이블(18)과 하부 흡착 테이블(26) 사이의 공간이 밀폐되어 감압될 수 있는 방식으로, 진공 분위기가 이루어질 수 있다.
접착제(4)와 혼합된 기포를 탈포하는 방법이 아래에서 구체적으로 설명될 것이다. 상부 흡착 테이블(18)에 흡착된 웨이퍼(2)는 하부 흡착 테이블(26)에 흡착된 막(3)에 거의 근접하게 된다. 상부 흡착 테이블(18)과 하부 흡착 테이블(26) 사이의 위치에 위치되어 있는 탈포 지그(36)로부터 돌출되어 있는 오링(37)이 하부 흡착 테이블(26)과 접촉하게 될 때, 액추에이터(11) 또는 축(12)의 이동이 완전히 정지된다. 이러한 시점에서, 막(3) 상의 접착제(4)는 웨이퍼(2)와 접촉하지 않는다. 그 다음에, 감압 장치(도시되지 않음)가 작동되고 웨이퍼(2)와 막(3) 사이의 공간이 진공 밸브(20)(도 6에 도시됨)를 통해 감압된다.
탈포가 완료되면, 액추에이터(11) 또는 축(12)은 압력이 점차적으로 주어질 수 있도록 작동된다. 따라서, 상부 흡착 테이블(18)에는 액추에이터(11)에 의해 발생된 압력과 대기압이 주어진다. 이러한 상태의 가압이 유지되고 접착제(4)가 웨이퍼(2)의 면 전반에 걸쳐 확산되며 또한 접착제 두께가 소정 값에 도달했을 때, 진공 밸브(20)가 폐쇄된다. 감압 조건 하에서, 자외선이 조사되고 접착제(4)가 경화된다. 접착제(4)가 경화된 후에, 상부 흡착 테이블(18)과 하부 흡착 테이블(26) 사이의 공간이 대기로 개방되고, 막 적층체(1)가 들어내진다. 막 적층체(1)의 웨이퍼(2)의 배면이 그라인딩된 후에, 수지 막(3)은 도 2에 도시된 180° 박리 방법에 의해 막 적층체(1)로부터 박리된다. 이러한 방식으로, 원하는 값의 두께를 갖는 웨이퍼(2)가 얻어질 수 있다.
이에 관련하여, 본 발명은 상기 특정 실시예에 한정되지 않고 변형예가 이루어질 수 있다는 것을 유의하여야 한다. 본 실시예의 웨이퍼 적층체(1)에서는 접착제층(4)이 단일층이지만, 접착제층(4)은 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼(2)가 상부 흡착 테이블(18)에 흡착되기 전에, 품질이 접착제(4)와 실질적으로 동일한, 표면 준비에 사용되는 접착제에 의해 웨이퍼의 표면이 표면 준비될 수 있다. 이 경우에, 접착제층(4)은 2층 구조로 구성된다. 접착제층(4)의 2층 구조는 특히 범프 높이가 높을 때 유리하다. 이러한 구조가 사용될 때, 표면 준비를 위한 접착제와 웨이퍼(2) 사이에 실질적으로 어떠한 갭도 형성될 수 없도록, 즉 어떠한 기포도 남아있을 수 없도록 처리가 수행된다. 따라서, 웨이퍼(2) 상의 크랙 발생이 효과적으로 방지될 수 있다. 접착제층(4)이 2층으로 구성되는 경우에, 계면 상의 접착 특성의 열화를 방지하기 위하여, 층을 구성하는 접착제의 접착 특성은 동일한 것이 바람직하다. 각각의 층의 실온 23℃에서의 인장 탄성 계수는 1.0 내지 9.0 × 108 Pa 이고 파단 연신율은 5 내지 50%이다.

Claims (13)

  1. a) 웨이퍼;
    b) 상기 웨이퍼를 지지하는 지지체;
    c) 상기 웨이퍼와 상기 지지체를 서로 접착시키는 접착제층; 및
    d) 상기 웨이퍼의 외주 상에 형성된 수지 돌출부를 포함하는 웨이퍼 적층체의 제조 방법으로서,
    상기 방법은,
    (1) 위에 위치된 웨이퍼 흡착 테이블에 상기 웨이퍼를 흡착시키고, 아래에 위치된 지지체 흡착 테이블에 상기 지지체를 흡착시키고, 수직 방향으로 서로 대향하도록 상기 웨이퍼와 상기 지지체를 배열하는 단계;
    (2) 상기 접착제층을 형성하기 위해 상기 웨이퍼에 대향하는 상기 지지체의 대향면에 액체 접착제 수지를 적용하는 단계;
    (3) 상기 웨이퍼와 상기 지지체 사이의 평행을 유지하면서 상기 웨이퍼와 상기 지지체를 서로 접근시키고, 상기 웨이퍼와 상기 지지체 사이에 개재된 상기 접착제 수지에 압력을 가하여 상기 접착제 수지를 확산시킴으로써 상기 웨이퍼와 상기 지지체 사이의 공간을 상기 접착제 수지로 충전하고, 상기 웨이퍼의 상기 외주 상에 상기 수지 돌출부를 형성하는 단계; 및
    (4) 상기 웨이퍼 적층체가 소정 두께에 도달할 때 상기 접착제 수지를 자외선으로 조사함으로써 상기 접착제 수지를 경화시키고 상기 접착제층을 형성하는 단계를 포함하는 웨이퍼 적층체의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼와 상기 지지체 사이의 상기 공간에 진공 분위기가 형성되고, 상기 접착제 수지가 웨이퍼와 지지체 사이에 개재된 상태에서, 상기 접착제 수지가 가압 및 확산되어 상기 웨이퍼와 상기 지지체 사이의 공간을 상기 접착제 수지로 충전하고, 상기 웨이퍼의 상기 외주 상에 상기 수지 돌출부를 형성하는 웨이퍼 적층체의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 지지체와 흡착면 상의 표면 불규칙성을 갖는 상기 지지체 흡착 테이블 사이의 상기 공간으로부터 기포를 탈포하면서 상기 지지체가 상기 지지체 흡착 테이블에 흡착되는 웨이퍼 적층체의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 흡착 테이블에 흡착되기 전에, 상기 웨이퍼의 상기 대향면은 상기 접착제층과 대체로 유사한 특성의 접착제 수지의 프라이머 층으로 코팅되는 웨이퍼 적층체의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 지지체는 두께가 30 내지 200 ㎛이고 23℃의 상온에서 1000 ㎫ 이상 및 10000 ㎫ 이하의 굽힘 탄성 계수를 갖는 수지막인 웨이퍼 적층체의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 지지체는 상기 웨이퍼와 상기 지지체 사이의 상기 공간으로부터 빠져나온 상기 접착제 수지를 받아들일 수 있도록 상기 웨이퍼의 외경보다 더 큰 치수를 갖는 웨이퍼 적층체의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 접착제층은 경화 전에 23℃의 액체 상태에서 100 cP 이상이고 10000 cP 미만인 점도를 갖는 UV 경화형 접착제 수지의 층인 웨이퍼 적층체의 제조 방법.
  8. 웨이퍼를 흡착시키는 웨이퍼 흡착 테이블;
    액체 접착제 수지를 통하여 상기 웨이퍼에 부착되는 지지체의 진공 흡착을 위해 상기 웨이퍼 흡착 테이블에 대향하여 상기 웨이퍼 흡착 테이블의 하부 측 아래에 배열된 지지체 흡착 테이블; 및
    상기 접착제 수지를 경화시키기 위해 상기 접착제 수지를 자외선으로 조사하는 UV 조사원을 포함하고,
    상기 지지체 흡착 테이블은 상기 지지체를 흡착할 수 있도록 표면 불규칙성을 가지며 상기 자외선을 투과시킬 수 있는, 웨이퍼 적층체를 제조하는 제조 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 지지체 흡착 테이블은 흡착면 상에 불규칙성을 갖는 유리 테이블인, 웨이퍼 적층체를 제조하는 제조 장치.
  10. 제1항에 따른 방법에 의해 제조되는 웨이퍼 적층체.
  11. 웨이퍼;
    상기 웨이퍼를 지지하는 지지체;
    상기 웨이퍼를 상기 지지체에 접착시키는 접착제층; 및
    상기 웨이퍼의 외주 상에 형성된 수지 돌출부를 포함하는 웨이퍼 적층체.
  12. 제11항에 따른 웨이퍼 적층체의 배면이 상기 웨이퍼의 두께를 소정 두께로 감소시키도록 그라인딩된 후에, 상기 지지체가 상기 접착제층과 함께 상기 웨이퍼 적층체로부터 박리되고, 상기 지지체가 사실상 U 형상으로 되접어 꺾일 때 상기 웨이퍼가 굽혀지지 않는 방식으로 상기 지지체가 상기 접착제층과 함께 상기 웨이퍼 적층체로부터 박리되는 지지체의 박리 방법.
  13. 제11항에 따른 상기 웨이퍼 적층체를 제공하는 단계;
    상기 웨이퍼를 원하는 두께로 그라인딩하는 단계; 및
    그라인딩을 완료한 후에 상기 지지체를 상기 접착제층과 함께 상기 웨이퍼 적층체로부터 박리하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 제조 방법.
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