RU2010131761A - Способ получения светопоглощающего слоя тонкопленочных солнечных элементов из меди-индия-галлия-серы-селена - Google Patents
Способ получения светопоглощающего слоя тонкопленочных солнечных элементов из меди-индия-галлия-серы-селена Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010131761A RU2010131761A RU2010131761/28A RU2010131761A RU2010131761A RU 2010131761 A RU2010131761 A RU 2010131761A RU 2010131761/28 A RU2010131761/28 A RU 2010131761/28A RU 2010131761 A RU2010131761 A RU 2010131761A RU 2010131761 A RU2010131761 A RU 2010131761A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- selenium
- sulfur
- copper
- gallium
- aforementioned
- Prior art date
Links
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims abstract 33
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims abstract 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract 26
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 25
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 24
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract 23
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 22
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract 21
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 21
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 19
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims abstract 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract 2
- -1 gallium halides Chemical class 0.000 claims 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 4
- SNOOUWRIMMFWNE-UHFFFAOYSA-M sodium;6-[(3,4,5-trimethoxybenzoyl)amino]hexanoate Chemical compound [Na+].COC1=CC(C(=O)NCCCCCC([O-])=O)=CC(OC)=C1OC SNOOUWRIMMFWNE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 3
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MXLMTQWGSQIYOW-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-2-butanol Chemical compound CC(C)C(C)O MXLMTQWGSQIYOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 2
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GZDCKYHCQRWNAW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol;pentan-1-ol Chemical compound CCCCCO.CCC(C)CO GZDCKYHCQRWNAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- VTLHPSMQDDEFRU-UHFFFAOYSA-N tellane Chemical compound [TeH2] VTLHPSMQDDEFRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000059 tellane Inorganic materials 0.000 claims 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
1. Способ получения светопоглощающего слоя тонкопленочного солнечного элемента из меди-индия-галлия-серы-селена (МИГСС) путем использования безвакуумного жидкофазного метода, включающего следующие стадии: ! (1) формирование устойчивых исходных растворов меди, индия, галлия, серы и селена путем растворения халькогенидов или галогенидов меди, индия, галлия и составляющих серы и селена в растворителе с сильными координационными группами, с последующим добавлением в раствор кондиционирующей добавки; при этом вышеупомянутые составляющие серы и селена выбираются из группы, состоящей из элементарной серы, элементарного селена, аминных или гидразиновых солей серы и селена; ! (2) получение смешанного раствора меди, индия, галлия, серы и селена путем смешивания исходных растворов, полученных на стадии (1), в соответствии со стехиометрическими соотношениями меди, индия и галлия в формуле Cu1-xJn1-yGaySe2-zSz в светопоглощающем слое тонкопленочного солнечного элемента на базе МИГСС вместе с избыточной серой и селеном, при этом 0≤х≤0,3, 0≤у≤1, 0≤z≤2, а степень избыточности серы или селена составляет 0-800%; ! (3) использование вышеупомянутого смешанного раствора, полученного на стадии (2), для получения тонкой пленки-предшественника на подложке посредством безвакуумного жидкофазного метода; ! (4) сушка и отжиг вышеупомянутой тонкой пленки-предшественника, полученной на стадии (3), для получения искомой составной тонкой пленки из МИГСС. ! 2. Способ по п.1, в котором ! вышеупомянутые халькогениды меди, индия и галлия из стадии (1) описаны формулой MQ, где М - медь, a Q - один или несколько халькогенов, выбранных из группы, состоящей из серы, селена и
Claims (14)
1. Способ получения светопоглощающего слоя тонкопленочного солнечного элемента из меди-индия-галлия-серы-селена (МИГСС) путем использования безвакуумного жидкофазного метода, включающего следующие стадии:
(1) формирование устойчивых исходных растворов меди, индия, галлия, серы и селена путем растворения халькогенидов или галогенидов меди, индия, галлия и составляющих серы и селена в растворителе с сильными координационными группами, с последующим добавлением в раствор кондиционирующей добавки; при этом вышеупомянутые составляющие серы и селена выбираются из группы, состоящей из элементарной серы, элементарного селена, аминных или гидразиновых солей серы и селена;
(2) получение смешанного раствора меди, индия, галлия, серы и селена путем смешивания исходных растворов, полученных на стадии (1), в соответствии со стехиометрическими соотношениями меди, индия и галлия в формуле Cu1-xJn1-yGaySe2-zSz в светопоглощающем слое тонкопленочного солнечного элемента на базе МИГСС вместе с избыточной серой и селеном, при этом 0≤х≤0,3, 0≤у≤1, 0≤z≤2, а степень избыточности серы или селена составляет 0-800%;
(3) использование вышеупомянутого смешанного раствора, полученного на стадии (2), для получения тонкой пленки-предшественника на подложке посредством безвакуумного жидкофазного метода;
(4) сушка и отжиг вышеупомянутой тонкой пленки-предшественника, полученной на стадии (3), для получения искомой составной тонкой пленки из МИГСС.
2. Способ по п.1, в котором
вышеупомянутые халькогениды меди, индия и галлия из стадии (1) описаны формулой MQ, где М - медь, a Q - один или несколько халькогенов, выбранных из группы, состоящей из серы, селена и теллура; или
вышеупомянутые халькогениды меди, индия и галлия из стадии (1) описаны формулой M2Q, где М - медь, a Q - один или несколько халькогенов, выбранных из группы, состоящей из серы, селена и теллура; или
вышеупомянутые халькогениды меди, индия и галлия из стадии (1) описаны формулой М′2Q3, где М′ - индий и/или галлий, a Q - один или несколько халькогенов, выбранных из группы, состоящей из серы, селена и теллура; или
вышеупомянутые халькогениды меди, индия и галлия из стадии (1) описаны формулой MM′Q2, где М - медь, М′ - индий и/или галлий, a Q - один или несколько халькогенов, выбранных из группы, состоящей из серы, селена и теллура.
3. Способ по п.1, в котором
вышеупомянутые галогениды меди, индия и галлия из стадии (1) описаны формулой MX, где М - медь, а Х - один или несколько галогенов, выбранных из группы, состоящей из хлора, брома и йода; или
вышеупомянутые галогениды меди, индия и галлия из стадии (1) описаны формулой МХ2, где М - медь, а X - один или несколько галогенов, выбранных из группы, состоящей из хлора, брома и йода; или
вышеупомянутые галогениды меди, индия и галлия из стадии (1) описаны формулой М′А3, где М′ - индий и/или галлий, а X - один или несколько галогенов, выбранных из группы, состоящей из хлора, брома и йода; или
вышеупомянутые галогениды меди, индия и галлия из стадии (1) описаны формулой ММ′Х4 где М - медь, М′ - индий и/или галлий, а X - один или несколько галогенов, выбранных из группы, состоящей из хлора, брома и йода.
4. Способ по п.1, в котором
а) вышеупомянутые аминные соли серы и селена из стадии (1) образованы путем соединения H2S и H2Se с N-R1R2R3, при этом R1, R2 и R3 независимо друг от друга выбираются из группы: арил, водород, метил, этил или С3-С6 алкил; или
б) вышеупомянутые гидразиновые соли серы и селена из стадии (1) образованы путем соединения H2S и H2Se с R4R5N-NR6R7, при этом R4, R5, R6 и R7 независимо друг от друга выбираются из группы: арил, водород, метил, этил или С3-С6 алкил.
5. Способ по п.1, в котором вышеупомянутый растворитель из стадии (1), содержащий сильные координационные группы, выбирается из следующей группы: вода (Н2O), жидкий аммиак, соединения гидразина с формулой R4R5N-NR6R7, низший спирт, этаноламин, диэтаноламин, триэтаноламин, изопропаноламин, формамид, N-метилформамид, N,N-диметилформамид, ацетамид, N-метилацетамид, N,N-диметилацетамид, диметилсульфоксид, тетрагидротиофен-1,1-диоксид, пирролидон или их смесь; при этом R4, R5, R6 и R7 независимо друг от друга выбираются из группы: арил, водород, метил, этил или С3-С6 алкил.
6. Способ по п.5, в котором вышеупомянутый низший спирт выбирается из следующей группы: метанол, этанол, пропанол, изопропанол, бутанол, изобутацол, втор-бутанол, трет-бутанол, пентанол, оптически активный пентанол (2-метил-1-бутанол), изопентанол, втор-пентанол, трет-пентанол и 3-метил-2-бутанол, а также их смеси.
7. Способ по п.1, в котором вышеупомянутая кондиционирующая добавка в растворе из стадии (1) выбирается из следующей группы: (1) халькоген, (2) переходный металл, (3) халькогенид щелочного металла, (4) халькогенид щелочноземельного металла, (5) аминная соль халькогена, (6) щелочной металл, (7) щелочноземельный металл.
8. Способ по п.7, в котором
(а) вышеупомянутый халькоген выбирается из группы, состоящей из следующих элементов: сера, селен, теллур и их комбинация;
(б) вышеупомянутый переходный металл выбирается из группы, состоящей из следующих элементов: Ni, Pd, Pt, Rh, Ir, Ru, их сплавы или комбинации;
(в) вышеупомянутый халькогенид щелочного металла, обозначенный как А2Q, при этом А выбирается из группы, состоящей из следующих элементов: Li, Na, К, Rb, Cs, их комбинации, a Q выбирается из группы, состоящей из следующих элементов: S, Se, Те, их комбинации;
(г) вышеупомянутый халькогенид щелочноземельного металла, обозначенный как BQ, при этом В выбирается из группы, состоящей из следующих элементов: Mg, Са, Sr, Ва, их комбинации, a Q выбирается из группы, состоящей из следующих элементов: S, Se, Те, их комбинации;
(д) вышеупомянутая аминная соль халькогена представляет собой одну соль или смесь солей, образованных соединением H2S и H2Se или Н2Те с N-R1R2R3, при этом R1, R2 и R3 независимо друг от друга выбираются из группы: арил, водород, метил, этил, С3-С6 алкил;
(е) вышеупомянутый щелочной металл выбирается из группы, состоящей из следующих элементов: Li, Na, К, Rb, Cs, а также их сплавы или комбинации;
(ж) вышеупомянутый щелочноземельный металл выбирается из группы, состоящей из следующих элементов: Mg, Са, Sr, Ва, а также их сплавы или комбинации.
9. Способ по п.1, в котором вышеупомянутая степень избыточности серы или селена составляет 100-400%.
10. Способ по п.1, в котором вышеупомянутый светопоглощающий слой тонкопленочных солнечных элементов из МИГСС из стадии (2) соответствует формуле Cu1-xJn1-yGaySe1-zSz где 0≤х≤0,3, 0,2≤у≤0,4, 0≤z≤0,2.
11. Способ по п. 1, в котором
а) вышеупомянутый безвакуумный жидкофазный метод, используемый на стадии (3) для получения тонкой пленки-предшественника, выбирается из группы, состоящей из следующих операций: центрифугирование, пленочное литье, осаждение , методом распыления, покрытие методом погружения, трафаретная печать, струйная печать, капельное литье, нанесение валиком, шлицевое покрытие, покрытие методом дозирующего валика, капиллярное покрытие, покрытие с помощью бруса с сечением в форме запятой, покрытие с помощью гравированного цилиндра и т.д.;
б) вышеупомянутая подложка из стадии (3) выбирается из группы, состоящей из следующих элементов: полиимид, кремниевая пластина, пластина из гидрогенизированного аморфного кремния, карбид кремния, оксид кремния, кварц, сапфир, стекло, металл, алмазоподобный углерод, гидрогенизированный алмазоподобный углерод, нитрид галлия, арсенид галлия, германий, сплавы Si-Ge, оксид индия и титана, карбид бора, нитрид кремния, оксид алюминия, окись церия, оксид олова, титанат цинка и пластик.
12. Способ по п.1, в котором отжиг вышеупомянутой тонкой пленки-предшественника выполняется в диапазоне температур от 50 до 850°С.
13. Способ по п.12, в котором отжиг вышеупомянутой тонкой пленки-предшественника выполняется в диапазоне температур от 250 до 650°С.
14. Способ по п.1, в котором толщина вышеупомянутой искомой составной тонкой пленки из МИГСС из стадии (4) составляет 5-5000 нм.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200710173785.2 | 2007-12-29 | ||
CNA2007101737852A CN101471394A (zh) | 2007-12-29 | 2007-12-29 | 铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010131761A true RU2010131761A (ru) | 2012-02-10 |
RU2446510C1 RU2446510C1 (ru) | 2012-03-27 |
Family
ID=40828635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010131761/28A RU2446510C1 (ru) | 2007-12-29 | 2008-12-29 | Способ получения светопоглощающего слоя тонкопленочных солнечных элементов из меди-индия-галлия-серы-селена |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9735297B2 (ru) |
EP (1) | EP2234168A4 (ru) |
JP (1) | JP5646342B2 (ru) |
KR (1) | KR101633388B1 (ru) |
CN (2) | CN101471394A (ru) |
BR (1) | BRPI0821501B8 (ru) |
RU (1) | RU2446510C1 (ru) |
WO (1) | WO2009089754A1 (ru) |
Families Citing this family (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101471394A (zh) | 2007-12-29 | 2009-07-01 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 |
JP5511320B2 (ja) * | 2008-11-11 | 2014-06-04 | 京セラ株式会社 | 薄膜太陽電池の製法 |
CN101700873B (zh) * | 2009-11-20 | 2013-03-27 | 上海交通大学 | 铜锌锡硒纳米粒子的制备方法 |
JP5464984B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-04-09 | 京セラ株式会社 | 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
US20120280362A1 (en) * | 2009-12-18 | 2012-11-08 | The Regents Of The University Of California | Simple route for alkali metal incorporation in solution-processed crystalline semiconductors |
CN102130202A (zh) * | 2010-01-14 | 2011-07-20 | 正峰新能源股份有限公司 | 非真空形成铜铟镓硫硒吸收层及硫化镉缓冲层的方法及系统 |
CN102652367B (zh) * | 2010-01-29 | 2015-01-28 | 京瓷株式会社 | 半导体层的制造方法,光电转换装置的制造方法及半导体层形成用溶液 |
CN101820029A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-09-01 | 昆山正富机械工业有限公司 | 非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池 |
CN101820030A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-09-01 | 昆山正富机械工业有限公司 | 非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法 |
CN101818375A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-09-01 | 昆山正富机械工业有限公司 | 以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法 |
DE102011004652A1 (de) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Verfahren zur Herstellung einer lichtabsorbierenden Dünnfilmschicht und ein dieses verwendendes Verfahren zur Herstellung einer Dünnfilm-Solarzelle |
CN101789469B (zh) * | 2010-03-05 | 2013-01-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铜铟镓硒硫薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 |
CN101771106B (zh) * | 2010-03-05 | 2011-10-05 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铜锌镉锡硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 |
CN102024858B (zh) * | 2010-04-19 | 2013-12-04 | 福建欧德生光电科技有限公司 | 油墨、薄膜太阳能电池及其制造方法 |
CN101885071B (zh) * | 2010-05-28 | 2012-04-25 | 电子科技大学 | 一种铜锌锡硒纳米粉末材料的制备方法 |
CN101958369B (zh) * | 2010-07-27 | 2011-12-28 | 上海太阳能电池研究与发展中心 | 一种铜铟镓硒薄膜材料的制备方法 |
CN101944552B (zh) * | 2010-07-30 | 2012-02-29 | 合肥工业大学 | 一种太阳能电池光吸收层材料cigs薄膜的制备方法 |
US8282995B2 (en) | 2010-09-30 | 2012-10-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Selenium/group 1b/group 3a ink and methods of making and using same |
TWI565063B (zh) * | 2010-10-01 | 2017-01-01 | 應用材料股份有限公司 | 用在薄膜電晶體應用中的砷化鎵類的材料 |
KR101116705B1 (ko) * | 2010-10-06 | 2012-03-13 | 한국에너지기술연구원 | Cigs 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 cigs 박막 |
US20120100663A1 (en) * | 2010-10-26 | 2012-04-26 | International Business Machines Corporation | Fabrication of CuZnSn(S,Se) Thin Film Solar Cell with Valve Controlled S and Se |
CN102024878A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-04-20 | 上海联孚新能源科技有限公司 | 一种太阳能电池用铜铟镓硫薄膜的制备方法 |
US20130264526A1 (en) * | 2010-12-03 | 2013-10-10 | E I Du Pont De Nemours And Company | Molecular precursors and processes for preparing copper indium gallium sulfide/selenide coatings and films |
TWI531078B (zh) * | 2010-12-29 | 2016-04-21 | 友達光電股份有限公司 | 太陽電池的製造方法 |
KR101124226B1 (ko) * | 2011-02-15 | 2012-03-27 | 한국화학연구원 | 전구체를 이용한 cis 박막의 제조방법 |
WO2012112927A2 (en) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | Hugh Hillhouse | Methods of forming semiconductor films including i2-ii-iv-vi4 and i2-(ii,iv)-iv-vi4 semiconductor films and electronic devices including the semiconductor films |
WO2013019299A2 (en) * | 2011-05-11 | 2013-02-07 | Qd Vision, Inc. | Method for processing devices including quantum dots and devices |
TW201318967A (zh) * | 2011-06-10 | 2013-05-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 聯胺配位Cu硫屬化物錯合物及其製造方法,光吸收層形成用塗佈液,以及光吸收層形成用塗佈液之製造方法 |
US8268270B1 (en) * | 2011-06-10 | 2012-09-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solution for forming a light-absorbing layer of a chalcopyrite solar cell, method of producing a light-absorbing layer of a chalcopyrite solar cell, method of producing a chalcopyrite solar cell and method of producing a coating solution for forming a light-absorbing layer of a chalcopyrite solar cell |
CN102347401A (zh) * | 2011-09-02 | 2012-02-08 | 普乐新能源(蚌埠)有限公司 | 太阳能电池铜铟镓硒膜层的制备方法 |
JP5739300B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2015-06-24 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | セレン化インジウム粒子粉末およびその製造方法 |
RU2492938C1 (ru) * | 2012-02-15 | 2013-09-20 | Микаил Гаджимагомедович Вердиев | Способ нанесения пленок веществ на различные подложки |
KR101326782B1 (ko) * | 2012-02-24 | 2013-11-08 | 영남대학교 산학협력단 | 태양 전지 제조 장치 |
KR101326770B1 (ko) * | 2012-02-24 | 2013-11-20 | 영남대학교 산학협력단 | 태양 전지 제조 방법 |
WO2013125818A1 (ko) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 영남대학교 산학협력단 | 태양 전지 제조 장치 및 태양 전지 제조 방법 |
KR101298026B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2013-08-26 | 한국화학연구원 | 태양전지 광활성층의 제조방법 |
US9082619B2 (en) | 2012-07-09 | 2015-07-14 | International Solar Electric Technology, Inc. | Methods and apparatuses for forming semiconductor films |
CN102790130B (zh) * | 2012-08-09 | 2015-08-05 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种吸光层薄膜的制备方法 |
KR101388451B1 (ko) * | 2012-08-10 | 2014-04-24 | 한국에너지기술연구원 | 탄소층이 감소한 ci(g)s계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 박막 및 이를 포함하는 태양전지 |
US8992874B2 (en) * | 2012-09-12 | 2015-03-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of producing hydrazine-coordinated Cu chalcogenide complex |
US20140117293A1 (en) * | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solution for forming light-absorbing layer, and method of producing coating solution for forming light-absorbing layer |
CN102983222A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-03-20 | 许昌天地和光能源有限公司 | 具有梯度带隙分布的吸收层制备方法 |
TWI495740B (zh) * | 2012-12-14 | 2015-08-11 | Nat Inst Chung Shan Science & Technology | 軟性太陽能電池光吸收層之真空製程設備及其製造方法 |
KR101450426B1 (ko) * | 2013-01-09 | 2014-10-14 | 연세대학교 산학협력단 | 칼코겐화물 흡수층용 나트륨 도핑 용액 및 이를 이용한 박막태양전지 제조방법 |
ITUD20130030A1 (it) * | 2013-03-01 | 2014-09-02 | Sumeet Kumar | Nanomateriali compositi ibridi |
KR101590224B1 (ko) * | 2013-04-11 | 2016-01-29 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
US9105798B2 (en) * | 2013-05-14 | 2015-08-11 | Sun Harmonics, Ltd | Preparation of CIGS absorber layers using coated semiconductor nanoparticle and nanowire networks |
JP6012866B2 (ja) * | 2013-06-03 | 2016-10-25 | 東京応化工業株式会社 | 錯体およびその溶液の製造方法、太陽電池用光吸収層の製造方法および太陽電池の製造方法 |
CN103325886B (zh) * | 2013-06-09 | 2017-07-18 | 徐东 | 一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒(cias)薄膜的制备方法 |
KR101643579B1 (ko) * | 2013-08-01 | 2016-08-12 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지 광흡수층 제조용 응집상 전구체 및 이의 제조방법 |
KR102164628B1 (ko) * | 2013-08-05 | 2020-10-13 | 삼성전자주식회사 | 나노 결정 합성 방법 |
US8999746B2 (en) | 2013-08-08 | 2015-04-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming metal chalcogenide dispersion, metal chalcogenide dispersion, method of producing light absorbing layer of solar cell, method of producing solar cell |
CN103602982A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-02-26 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的非真空制备方法 |
CN103633182B (zh) * | 2013-11-27 | 2017-04-12 | 上海富际新能源科技有限公司 | 铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法 |
KR101462498B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2014-11-19 | 한국생산기술연구원 | Cigs 흡수층 제조방법, 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지 |
CN103928575A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-16 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种吸光层薄膜、其制备方法和铜基薄膜太阳能电池 |
CN104064626B (zh) * | 2014-06-25 | 2017-11-17 | 青岛科技大学 | 一种循环浸渍制备Cu2ZnSn(S1‑x,Sex)4纳米晶薄膜的方法 |
CN104037248A (zh) * | 2014-07-08 | 2014-09-10 | 厦门大学 | 一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法 |
KR101532883B1 (ko) * | 2014-09-02 | 2015-07-02 | 성균관대학교산학협력단 | 전이금속 디칼코게나이드 박막의 형성 방법 |
JP6554332B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2019-07-31 | 東京応化工業株式会社 | 均一系塗布液及びその製造方法、太陽電池用光吸収層及びその製造方法、並びに太陽電池及びその製造方法 |
WO2016068155A1 (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-06 | 東京応化工業株式会社 | 均一系塗布液及びその製造方法、太陽電池用光吸収層及びその製造方法、並びに太陽電池及びその製造方法 |
TW201621068A (zh) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | 新能光電科技股份有限公司 | 銅銦鎵硒之表面硫化的製程方法 |
KR101793640B1 (ko) | 2015-09-24 | 2017-11-20 | 재단법인대구경북과학기술원 | 인듐을 이용한 태양전지용 czts계 흡수층 박막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 |
CN106340545B (zh) * | 2016-09-14 | 2018-06-12 | 南京邮电大学 | Cis及cigs薄膜太阳能电池吸光层的制备及新溶剂在其中的应用 |
TWI619614B (zh) * | 2017-05-04 | 2018-04-01 | 施權峰 | 太陽能吸收層及其製作方法 |
CN107195697B (zh) * | 2017-06-01 | 2019-05-03 | 中南大学 | 一种铜钡(锶/钙)锡硫(硒)薄膜的制备方法 |
RU2660408C1 (ru) * | 2017-08-11 | 2018-07-06 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления светопоглощающих элементов оптических систем на титановых подложках |
JP2019087745A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | 東京応化工業株式会社 | 均一系塗布液及びその製造方法 |
KR102031481B1 (ko) * | 2018-02-06 | 2019-10-11 | 중앙대학교 산학협력단 | 금속-칼코겐 박막이 구비된 전자 부재의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 금속-칼코겐 박막이 구비된 전자 부재를 포함하는 전자 소자 |
RU2682836C1 (ru) | 2018-05-29 | 2019-03-21 | Общество с ограниченной ответственностью "Солартек" | Способ изготовления светопроницаемого тонкопленочного солнечного модуля на основе халькопирита |
CN109817734A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-05-28 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池用吸收层的制备方法 |
CN110379872A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-10-25 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法及太阳能电池 |
US11018275B2 (en) | 2019-10-15 | 2021-05-25 | Applied Materials, Inc. | Method of creating CIGS photodiode for image sensor applications |
CN110752272B (zh) * | 2019-10-18 | 2021-07-06 | 信阳师范学院 | 一种提高柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池效率的方法 |
CN111569856B (zh) * | 2020-04-03 | 2023-06-09 | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 | In-Ga2O3复合光催化剂及其制备方法和应用 |
CN112756604B (zh) * | 2020-12-22 | 2021-11-05 | 吉林大学 | 一种类地幔条件烧结聚晶金刚石复合片及其制备方法 |
RU2764711C1 (ru) * | 2021-06-17 | 2022-01-19 | Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" (Сколковский институт науки и технологий) | Электрон-селективный слой на основе оксида индия, легированного алюминием, способ его изготовления и фотовольтаическое устройство на его основе |
CN113571406B (zh) * | 2021-07-26 | 2023-06-27 | 福建师范大学 | 一种液相硒化制备硒硫化锑薄膜的方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8715082D0 (en) * | 1987-06-26 | 1987-08-05 | Prutec Ltd | Solar cells |
DE3887650T2 (de) * | 1987-11-27 | 1994-08-04 | Siemens Solar Ind Lp | Herstellungsverfahren einer Dünnschichtsonnenzelle. |
JPH01152766A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セレン化インジウム銅の製造方法 |
JPH02180715A (ja) * | 1988-12-30 | 1990-07-13 | Dowa Mining Co Ltd | 1 3 6族化合物の製造方法 |
JPH0789719A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-04 | Hitachi Maxell Ltd | 銅インジウム硫化物またはセレン化物の製造法 |
JPH08316515A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Yazaki Corp | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JP3244408B2 (ja) * | 1995-09-13 | 2002-01-07 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
US5730852A (en) * | 1995-09-25 | 1998-03-24 | Davis, Joseph & Negley | Preparation of cuxinygazsen (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells |
US6126740A (en) * | 1995-09-29 | 2000-10-03 | Midwest Research Institute | Solution synthesis of mixed-metal chalcogenide nanoparticles and spray deposition of precursor films |
US6268014B1 (en) | 1997-10-02 | 2001-07-31 | Chris Eberspacher | Method for forming solar cell materials from particulars |
US6127202A (en) | 1998-07-02 | 2000-10-03 | International Solar Electronic Technology, Inc. | Oxide-based method of making compound semiconductor films and making related electronic devices |
JP4982641B2 (ja) * | 2000-04-12 | 2012-07-25 | 株式会社林原 | 半導体層、これを用いる太陽電池、及びそれらの製造方法並びに用途 |
US7091136B2 (en) * | 2001-04-16 | 2006-08-15 | Basol Bulent M | Method of forming semiconductor compound film for fabrication of electronic device and film produced by same |
RU2212080C2 (ru) * | 2001-11-16 | 2003-09-10 | Государственное научное учреждение "Институт электроники НАН Беларуси" | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОПИРИТНЫХ CuInSe2, Cu (In, Ga)Se2, CuGaSe2 ТОНКИХ ПЛЕНОК |
US6992202B1 (en) * | 2002-10-31 | 2006-01-31 | Ohio Aerospace Institute | Single-source precursors for ternary chalcopyrite materials, and methods of making and using the same |
US6875661B2 (en) * | 2003-07-10 | 2005-04-05 | International Business Machines Corporation | Solution deposition of chalcogenide films |
CN100490205C (zh) * | 2003-07-10 | 2009-05-20 | 国际商业机器公司 | 淀积金属硫族化物膜的方法和制备场效应晶体管的方法 |
CN1809932A (zh) * | 2003-12-05 | 2006-07-26 | 松下电器产业株式会社 | 复合半导体膜、太阳能电池及其制备方法 |
US20070163383A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-07-19 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of nanostructured semiconductor precursor layer |
US7306823B2 (en) | 2004-09-18 | 2007-12-11 | Nanosolar, Inc. | Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells |
US7736940B2 (en) * | 2004-03-15 | 2010-06-15 | Solopower, Inc. | Technique and apparatus for depositing layers of semiconductors for solar cell and module fabrication |
JP2006049768A (ja) | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Showa Shell Sekiyu Kk | Cis系化合物半導体薄膜太陽電池及び該太陽電池の光吸収層の製造方法 |
US8679587B2 (en) * | 2005-11-29 | 2014-03-25 | State of Oregon acting by and through the State Board of Higher Education action on Behalf of Oregon State University | Solution deposition of inorganic materials and electronic devices made comprising the inorganic materials |
CA2636790C (en) * | 2006-01-12 | 2014-03-11 | Heliovolt Corporation | Methods of making controlled segregated phase domain structures |
WO2007101136A2 (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-07 | Van Duren Jeroen K J | High-throughput formation of semiconductor layer by use of chalcogen and inter-metallic material |
EP2140482A2 (en) * | 2006-06-12 | 2010-01-06 | Matthew R. Robinson | Thin-film devices fromed from solid particles |
KR101030780B1 (ko) * | 2007-11-14 | 2011-04-27 | 성균관대학교산학협력단 | Ⅰ-ⅲ-ⅵ2 나노입자의 제조방법 및 다결정 광흡수층박막의 제조방법 |
CN101471394A (zh) | 2007-12-29 | 2009-07-01 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 |
-
2007
- 2007-12-29 CN CNA2007101737852A patent/CN101471394A/zh active Pending
-
2008
- 2008-12-29 BR BRPI0821501A patent/BRPI0821501B8/pt active IP Right Grant
- 2008-12-29 WO PCT/CN2008/073805 patent/WO2009089754A1/zh active Application Filing
- 2008-12-29 EP EP08870889.6A patent/EP2234168A4/en not_active Withdrawn
- 2008-12-29 JP JP2010540020A patent/JP5646342B2/ja active Active
- 2008-12-29 CN CN2008801240397A patent/CN101960610B/zh active Active
- 2008-12-29 RU RU2010131761/28A patent/RU2446510C1/ru active
- 2008-12-29 KR KR1020107017034A patent/KR101633388B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-06-29 US US12/826,008 patent/US9735297B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100099753A (ko) | 2010-09-13 |
CN101471394A (zh) | 2009-07-01 |
EP2234168A4 (en) | 2015-04-29 |
WO2009089754A1 (fr) | 2009-07-23 |
US9735297B2 (en) | 2017-08-15 |
CN101960610B (zh) | 2012-04-11 |
BRPI0821501B8 (pt) | 2022-08-23 |
JP2011508439A (ja) | 2011-03-10 |
US20110008927A1 (en) | 2011-01-13 |
BRPI0821501A2 (pt) | 2015-06-16 |
KR101633388B1 (ko) | 2016-06-24 |
CN101960610A (zh) | 2011-01-26 |
BRPI0821501B1 (pt) | 2019-02-12 |
JP5646342B2 (ja) | 2014-12-24 |
EP2234168A1 (en) | 2010-09-29 |
RU2446510C1 (ru) | 2012-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010131761A (ru) | Способ получения светопоглощающего слоя тонкопленочных солнечных элементов из меди-индия-галлия-серы-селена | |
JP2011508439A5 (ru) | ||
Di et al. | Recent progress of two‐dimensional lead halide perovskite single crystals: crystal growth, physical properties, and device applications | |
Bu et al. | Universal passivation strategy to slot-die printed SnO2 for hysteresis-free efficient flexible perovskite solar module | |
Haque et al. | Processing‐Performance Evolution of Perovskite Solar Cells: From Large Grain Polycrystalline Films to Single Crystals | |
Soto-Montero et al. | Pressing challenges of halide perovskite thin film growth | |
Petrov et al. | A new formation strategy of hybrid perovskites via room temperature reactive polyiodide melts | |
Fan et al. | High-performance perovskite CH3NH3PbI3 thin films for solar cells prepared by single-source physical vapour deposition | |
Zhang et al. | A facile solvothermal growth of single crystal mixed halide perovskite CH 3 NH 3 Pb (Br 1− x Cl x) 3 | |
Saidaminov et al. | Retrograde solubility of formamidinium and methylammonium lead halide perovskites enabling rapid single crystal growth | |
Romanyuk et al. | Recent trends in direct solution coating of kesterite absorber layers in solar cells | |
US20210159426A1 (en) | Perovskite compositions comprising mixed solvent systems | |
US7833825B2 (en) | Solution-based deposition process for metal chalcogenides | |
TWI431073B (zh) | 硒/1b族油墨及其製造及使用方法 | |
Hu et al. | Tuning the A-site cation composition of FA perovskites for efficient and stable NiO-based p–i–n perovskite solar cells | |
US8308973B2 (en) | Dichalcogenide selenium ink and methods of making and using same | |
De Marco et al. | Perovskite single‐crystal solar cells: advances and challenges | |
CN102603201A (zh) | 一种硒化亚铜薄膜的制备方法 | |
Wang et al. | Epitaxial and quasiepitaxial growth of halide perovskites: New routes to high end optoelectronics | |
KR101749137B1 (ko) | 태양광 전지용 나노결정질 구리 인듐 디셀레니드 (cis) 및 잉크-기반 합금 흡수재층 | |
US9105797B2 (en) | Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se | |
Tan et al. | Molecular ink-derived chalcogenide thin films: Solution-phase mechanisms and solar energy conversion applications | |
CN106340545B (zh) | Cis及cigs薄膜太阳能电池吸光层的制备及新溶剂在其中的应用 | |
Colella et al. | MAPbI3-xClx mixed halide perovskite for hybrid solar cells: the role of chloride as dopant on the transport and structural properties | |
Unger et al. | Solution-processed Solar Cells: Perovskite Solar Cells |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20210827 |