JPH08316515A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- JPH08316515A JPH08316515A JP7122493A JP12249395A JPH08316515A JP H08316515 A JPH08316515 A JP H08316515A JP 7122493 A JP7122493 A JP 7122493A JP 12249395 A JP12249395 A JP 12249395A JP H08316515 A JPH08316515 A JP H08316515A
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- copper
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性が高く、かつ、高価な真空蒸着設備
等を要せず、充分に発達した銅−インジウム−セレン三
元合金結晶を有する薄膜太陽電池を製造する方法を提供
する。 【構成】 銅イオン（Ｃｕ2+）及びセレンイオン（Ｓ
ｅ4+）を含む溶液を用いて銅−セレン層を導電性基板上
にメッキ法によって形成し、次いで、インジウムイオン
（Ｉｎ2+）及びセレンイオン（Ｓｅ4+）を含む溶液を用
いてインジウム−セレン層をメッキ法によって形成して
プリカーサーを完成し、その後このプリカーサーを熱処
理する。
等を要せず、充分に発達した銅−インジウム−セレン三
元合金結晶を有する薄膜太陽電池を製造する方法を提供
する。 【構成】 銅イオン（Ｃｕ2+）及びセレンイオン（Ｓ
ｅ4+）を含む溶液を用いて銅−セレン層を導電性基板上
にメッキ法によって形成し、次いで、インジウムイオン
（Ｉｎ2+）及びセレンイオン（Ｓｅ4+）を含む溶液を用
いてインジウム−セレン層をメッキ法によって形成して
プリカーサーを完成し、その後このプリカーサーを熱処
理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅−インジウム−セレ
ン三元合金からなる吸収層を有する薄膜太陽電池の製造
方法に関する。
ン三元合金からなる吸収層を有する薄膜太陽電池の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池は光エネルギーを電気エネルギ
ーに変換する装置であり、導電性基板上に、光電変換性
半導体からなる吸収層と光透過性電極層とを順次積層し
て構成されるのが普通である。かかる光電変換性半導体
層としては、モル比率が１：１：２である銅−インジウ
ム−セレン三元合金（ＣｕＩｎＳｅ2 ）の薄膜が最も優
れた光電変換効率を示すものと考えられている。この三
元合金の製造方法としては、国際公開ＷＯ ９２／０５
５８６号等が知られていた。これらは、メッキによって
３成分からなる層（以下「プリカーサー層」と云う。）
を形成し、その後の加熱処理でこれら３成分から三元合
金層を形成するものであった。
ーに変換する装置であり、導電性基板上に、光電変換性
半導体からなる吸収層と光透過性電極層とを順次積層し
て構成されるのが普通である。かかる光電変換性半導体
層としては、モル比率が１：１：２である銅−インジウ
ム−セレン三元合金（ＣｕＩｎＳｅ2 ）の薄膜が最も優
れた光電変換効率を示すものと考えられている。この三
元合金の製造方法としては、国際公開ＷＯ ９２／０５
５８６号等が知られていた。これらは、メッキによって
３成分からなる層（以下「プリカーサー層」と云う。）
を形成し、その後の加熱処理でこれら３成分から三元合
金層を形成するものであった。
【０００３】ここで、これらの３成分の比率を制御しな
がら層を形成することは容易でなかった。特に、国際公
開ＷＯ ９２／０５５８６号記載の技術においては、セ
レンは粉末状のものを用い、これをメッキ液に分散させ
ているため、メッキ作業中は常に攪拌を行う必要があ
り、この攪拌がメッキ層の組成に及ぼす影響が非常に大
きいものであった。
がら層を形成することは容易でなかった。特に、国際公
開ＷＯ ９２／０５５８６号記載の技術においては、セ
レンは粉末状のものを用い、これをメッキ液に分散させ
ているため、メッキ作業中は常に攪拌を行う必要があ
り、この攪拌がメッキ層の組成に及ぼす影響が非常に大
きいものであった。
【０００４】また、これら３成分はメッキ層の厚さ方向
でその比率の変化が生じやすい（メッキ開始時にはメッ
キ層中の銅原子の存在比が高く、その後この銅原子の存
在比が低くなると共にインジウム原子の存在比が高くな
る。）。これらの実際の比率を知る非破壊分析手段がな
かった。従ってこれら３成分の比率を安定に制御した製
品を得ることは極めて困難であった。
でその比率の変化が生じやすい（メッキ開始時にはメッ
キ層中の銅原子の存在比が高く、その後この銅原子の存
在比が低くなると共にインジウム原子の存在比が高くな
る。）。これらの実際の比率を知る非破壊分析手段がな
かった。従ってこれら３成分の比率を安定に制御した製
品を得ることは極めて困難であった。
【０００５】また、これらの方法においてはメッキ時
に、安定な銅−インジウム合金が生成してしまい、その
後の熱処理によって生成する銅−インジウム−セレン合
金結晶の成長を妨げ、かつ、その結晶の配向を妨げると
ともに、形成された吸収層には光電変換性を有しない銅
−インジウム合金が残留するため、全体の光電変換効率
は低いものとなる。
に、安定な銅−インジウム合金が生成してしまい、その
後の熱処理によって生成する銅−インジウム−セレン合
金結晶の成長を妨げ、かつ、その結晶の配向を妨げると
ともに、形成された吸収層には光電変換性を有しない銅
−インジウム合金が残留するため、全体の光電変換効率
は低いものとなる。
【０００６】また、上記方法以外にプリカーサー層を形
成するのに、スパッタリング、ＰＶＤ等の減圧状態での
層形成方法を応用することも考えられるが、この場合、
生産性が低く、また、これらのための設備費が大きくな
ると云った欠点を有していた。
成するのに、スパッタリング、ＰＶＤ等の減圧状態での
層形成方法を応用することも考えられるが、この場合、
生産性が低く、また、これらのための設備費が大きくな
ると云った欠点を有していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、生産性が高
く、かつ、高価な真空蒸着設備等を要せず、充分に発達
した銅−インジウム−セレン三元合金結晶を有する薄膜
太陽電池を製造する方法を提供することを目的とする。
く、かつ、高価な真空蒸着設備等を要せず、充分に発達
した銅−インジウム−セレン三元合金結晶を有する薄膜
太陽電池を製造する方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜太陽電池の
製造方法は、銅イオン（Ｃｕ2+）及びセレンイオン（Ｓ
ｅ4+）を含む溶液を用いて銅−セレン層を導電性基板上
にメッキ法によって形成し、次いで、インジウムイオン
（Ｉｎ2+）及びセレンイオン（Ｓｅ4+）を含む溶液を用
いてインジウム−セレン層をメッキ法によって形成して
プリカーサーを完成し、その後このプリカーサーを熱処
理することを特徴としている。
製造方法は、銅イオン（Ｃｕ2+）及びセレンイオン（Ｓ
ｅ4+）を含む溶液を用いて銅−セレン層を導電性基板上
にメッキ法によって形成し、次いで、インジウムイオン
（Ｉｎ2+）及びセレンイオン（Ｓｅ4+）を含む溶液を用
いてインジウム−セレン層をメッキ法によって形成して
プリカーサーを完成し、その後このプリカーサーを熱処
理することを特徴としている。
【０００９】なお、ここで、銅−セレン層中のセレン含
有量が多くなると、この層が非常に脆くなり、工程中の
取り扱いに特別の注意が必要となり、また、欠陥の原因
となることが多く、延いては薄膜太陽電池の歩留まりが
低下する。これらを防止するために、銅−セレン層中の
セレン原子の含有量は２０％以下であることが望まし
い。
有量が多くなると、この層が非常に脆くなり、工程中の
取り扱いに特別の注意が必要となり、また、欠陥の原因
となることが多く、延いては薄膜太陽電池の歩留まりが
低下する。これらを防止するために、銅−セレン層中の
セレン原子の含有量は２０％以下であることが望まし
い。
【００１０】これらメッキは、クロム薄膜及びモリブデ
ン薄膜電極を表面に設けたガラス基板等の導電性基板に
対して行う。これにより、導電性基板上に銅−セレン層
及びこの層の上にインジウム−セレン層が形成される。
その後、アルゴン等の不活性ガス雰囲気（必要に応じセ
レン蒸気が混合される）下・４００℃での熱処理によ
り、これら銅−セレン層及びインジウム−セレン層が一
体となって銅−インジウム−セレン合金（ＣｕＩｎＳｅ
2 ）層が形成され、かつ、その合金の結晶が発達する。
ン薄膜電極を表面に設けたガラス基板等の導電性基板に
対して行う。これにより、導電性基板上に銅−セレン層
及びこの層の上にインジウム−セレン層が形成される。
その後、アルゴン等の不活性ガス雰囲気（必要に応じセ
レン蒸気が混合される）下・４００℃での熱処理によ
り、これら銅−セレン層及びインジウム−セレン層が一
体となって銅−インジウム−セレン合金（ＣｕＩｎＳｅ
2 ）層が形成され、かつ、その合金の結晶が発達する。
【００１１】
【作用】本発明の薄膜太陽電池の製造方法において、吸
着層を形成するに当たってはメッキ法を用いるため、真
空系を必要とする装置は不要である。また、導電性基板
上に銅−セレン層が形成され、その層の上にインジウム
−セレン層が形成されるので、これら３元素の存在比の
測定や制御が容易である。
着層を形成するに当たってはメッキ法を用いるため、真
空系を必要とする装置は不要である。また、導電性基板
上に銅−セレン層が形成され、その層の上にインジウム
−セレン層が形成されるので、これら３元素の存在比の
測定や制御が容易である。
【００１２】このメッキ処理の後、熱処理によって先ず
導電性層に隣接した銅−セレン層に銅−セレン合金（Ｃ
ｕＳｅ）が形成され、この銅セレン合金が銅−インジウ
ム−セレン合金（ＣｕＩｎＳｅ2 ）の一種の種結晶的役
割をしてこの三元合金層が形成されるので、銅−インジ
ウム−セレン合金（ＣｕＩｎＳｅ2 ）の結晶は層の厚さ
方向に配向する。またこのとき、光電変換に寄与しない
銅−インジウム合金の発生が少ない。
導電性層に隣接した銅−セレン層に銅−セレン合金（Ｃ
ｕＳｅ）が形成され、この銅セレン合金が銅−インジウ
ム−セレン合金（ＣｕＩｎＳｅ2 ）の一種の種結晶的役
割をしてこの三元合金層が形成されるので、銅−インジ
ウム−セレン合金（ＣｕＩｎＳｅ2 ）の結晶は層の厚さ
方向に配向する。またこのとき、光電変換に寄与しない
銅−インジウム合金の発生が少ない。
【００１３】また、先ず銅原子の存在比が高い銅−イン
ジウム−セレン合金が形成され、その後この合金がＣ
ｕ：Ｉｎ：Ｓｅ＝１：１：２の化学量論比に近い銅−イ
ンジウム−セレン合金となるので、安定な銅−インジウ
ム合金ができにくい。これらの結果、大きい結晶の銅−
インジウム−セレンからなる吸収層が得られる。
ジウム−セレン合金が形成され、その後この合金がＣ
ｕ：Ｉｎ：Ｓｅ＝１：１：２の化学量論比に近い銅−イ
ンジウム−セレン合金となるので、安定な銅−インジウ
ム合金ができにくい。これらの結果、大きい結晶の銅−
インジウム−セレンからなる吸収層が得られる。
【００１４】
（実施例１）先ず、第１メッキ浴と第２メッキ浴を作製
した。すなわち、硫酸銅（１０mmol）、酸化セレン（５
mmol）、硫酸ナトリウム（８０mmol）、クエン酸ナトリ
ウム（２５mmol）を水に溶解して１ lとした（以下「第
１メッキ浴」と云う。）。また、硫酸インジウム（５０
mmol）、酸化セレン（１０mmol）、硫酸ナトリウム（８
０mmol）、クエン酸ナトリウム（２５mmol）を水に溶解
して１ lとした（以下「第２メッキ浴」と云う。）。
した。すなわち、硫酸銅（１０mmol）、酸化セレン（５
mmol）、硫酸ナトリウム（８０mmol）、クエン酸ナトリ
ウム（２５mmol）を水に溶解して１ lとした（以下「第
１メッキ浴」と云う。）。また、硫酸インジウム（５０
mmol）、酸化セレン（１０mmol）、硫酸ナトリウム（８
０mmol）、クエン酸ナトリウム（２５mmol）を水に溶解
して１ lとした（以下「第２メッキ浴」と云う。）。
【００１５】ついで、導電性基板を作製した。即ち、ガ
ラス板上にスパッタリングによりクロム、モリブデンの
順でそれぞれ０．２μｍ、２μｍの薄膜を形成した。こ
の導電性基板を正極とし、炭素電極を陰極として、フェ
リシアン酸カリウム１５０ｇ及び水酸化カリウム５０ｇ
を水に溶解して１ lとした水溶液中で、５０ｍＡ／ｃｍ
２・２０秒間の条件で電解エッチングを行った。このエ
ッチングした基板を、第１メッキ浴中でＳＳＥ（硫酸第
一水銀電極）に対する電圧を−１８００ｍＶとして定電
圧メッキを行った。このときの電気量は１．６Ｃ／ｃｍ
２であった。得られた膜中の銅、セレンのモル存在比は
９２．２：７．８であった。
ラス板上にスパッタリングによりクロム、モリブデンの
順でそれぞれ０．２μｍ、２μｍの薄膜を形成した。こ
の導電性基板を正極とし、炭素電極を陰極として、フェ
リシアン酸カリウム１５０ｇ及び水酸化カリウム５０ｇ
を水に溶解して１ lとした水溶液中で、５０ｍＡ／ｃｍ
２・２０秒間の条件で電解エッチングを行った。このエ
ッチングした基板を、第１メッキ浴中でＳＳＥ（硫酸第
一水銀電極）に対する電圧を−１８００ｍＶとして定電
圧メッキを行った。このときの電気量は１．６Ｃ／ｃｍ
２であった。得られた膜中の銅、セレンのモル存在比は
９２．２：７．８であった。
【００１６】次ぎに第２メッキ浴中でＳＳＥに対する電
圧を−１５００ｍＶとして、正極として白金板を用いて
定電圧メッキを行った。そのときの電気量は２．０Ｃ／
ｃｍ２であった。得られた膜中の銅原子、セレン原子の
存在比は９２．２：７．８であった。
圧を−１５００ｍＶとして、正極として白金板を用いて
定電圧メッキを行った。そのときの電気量は２．０Ｃ／
ｃｍ２であった。得られた膜中の銅原子、セレン原子の
存在比は９２．２：７．８であった。
【００１７】メッキ後の薄膜板を窒素下で乾燥後、アル
ゴンガス中セレン雰囲気下で、５００℃、１時間の熱処
理を行い、薄膜太陽電池の吸収層を作製した。このとき
の吸収層の銅原子、インジウム原子、セレン原子の存在
比は、２４．３：２４．７：５１．０とほぼ化学量論比
の１：１：２に等しい組成となった。なお、この吸収層
にはひび、はがれ等の欠陥はなかった。この吸収層につ
いてＸ線回折分析を行った。この結果を表１に示す。
ゴンガス中セレン雰囲気下で、５００℃、１時間の熱処
理を行い、薄膜太陽電池の吸収層を作製した。このとき
の吸収層の銅原子、インジウム原子、セレン原子の存在
比は、２４．３：２４．７：５１．０とほぼ化学量論比
の１：１：２に等しい組成となった。なお、この吸収層
にはひび、はがれ等の欠陥はなかった。この吸収層につ
いてＸ線回折分析を行った。この結果を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】（実施例２）硫酸銅（１０mmol）、酸化セ
レン（１５mmol）、硫酸ナトリウム（８０mmol）、クエ
ン酸ナトリウム（２５mmol）を水に溶解して１ lとして
第１メッキ浴とし、その他は、実施例１と同様にして導
電性基板上に吸収層を形成した。なお、第１メッキ浴に
よるメッキにより得られた膜中の銅原子、セレン原子の
存在比は７９．３：２０．７であった。得られた吸収層
の銅原子、インジウム原子、セレン原子の存在比は、ほ
ぼ１：１：２であった。なお、この吸収層には小さなひ
びが観察され、また一部に剥がれが生じていた。この吸
収層についてＸ線回折分析を行った。この結果を表２に
示す。
レン（１５mmol）、硫酸ナトリウム（８０mmol）、クエ
ン酸ナトリウム（２５mmol）を水に溶解して１ lとして
第１メッキ浴とし、その他は、実施例１と同様にして導
電性基板上に吸収層を形成した。なお、第１メッキ浴に
よるメッキにより得られた膜中の銅原子、セレン原子の
存在比は７９．３：２０．７であった。得られた吸収層
の銅原子、インジウム原子、セレン原子の存在比は、ほ
ぼ１：１：２であった。なお、この吸収層には小さなひ
びが観察され、また一部に剥がれが生じていた。この吸
収層についてＸ線回折分析を行った。この結果を表２に
示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】（比較例）粒径１〜１０μｍのセレン粉末
を用いて、セレン１０mmol／ l、硫酸インジウム５０mm
ol／ l、硫酸ナトリウム８０mmol／ l、酢酸ナトリウム
５０mmol／ lとなるようにメッキ液を調整し、このメッ
キ液を用いて、実施例と同様に作製した導電性基板に、
ＳＳＥ電極に対して１５００ｍＶの電圧で定電圧メッキ
を行った。ここで、セレン粉末の沈降を防止するため
に、メッキ液は、常に攪拌を行わなければならなかっ
た。
を用いて、セレン１０mmol／ l、硫酸インジウム５０mm
ol／ l、硫酸ナトリウム８０mmol／ l、酢酸ナトリウム
５０mmol／ lとなるようにメッキ液を調整し、このメッ
キ液を用いて、実施例と同様に作製した導電性基板に、
ＳＳＥ電極に対して１５００ｍＶの電圧で定電圧メッキ
を行った。ここで、セレン粉末の沈降を防止するため
に、メッキ液は、常に攪拌を行わなければならなかっ
た。
【００２２】次いで、実施例１と同様に熱処理をして薄
膜太陽電池の吸収層を作製した。このときの吸収層の銅
原子、インジウム原子、セレン原子の存在モル比は、ほ
ぼ１：１：２であった。この吸収層にはひびが観察さ
れ、また所々に剥がれが生じていた。この吸収層につい
てＸ線回折分析を行った。結果を表３に示す。
膜太陽電池の吸収層を作製した。このときの吸収層の銅
原子、インジウム原子、セレン原子の存在モル比は、ほ
ぼ１：１：２であった。この吸収層にはひびが観察さ
れ、また所々に剥がれが生じていた。この吸収層につい
てＸ線回折分析を行った。結果を表３に示す。
【００２３】
【表３】
【００２４】表１と表３のＸ線回折分析結果での回折強
度を比較すると、実施例１は比較例に対して、１１２面
の回折強度で約４５倍、２０４面及び２２０面での回折
強度で約２．５倍となっている。また、それぞれの解析
強度の比である（１１２）／（２０４）（２２０）も実
施例１では６．３で、比較例では０．３５であり、実施
例１では結晶の存在が明らかで、また、その結晶の配向
性に優れていることが判る。
度を比較すると、実施例１は比較例に対して、１１２面
の回折強度で約４５倍、２０４面及び２２０面での回折
強度で約２．５倍となっている。また、それぞれの解析
強度の比である（１１２）／（２０４）（２２０）も実
施例１では６．３で、比較例では０．３５であり、実施
例１では結晶の存在が明らかで、また、その結晶の配向
性に優れていることが判る。
【００２５】
【発明の効果】以上、実施例１、実施例２、比較例及び
それら薄膜太陽電池の吸収層のＸ線回折分析結果から明
らかなように、本発明の薄膜太陽電池の製造方法を用い
れば、大きく発達し、かつ、高配向の結晶の銅−インジ
ウム−セレン三元合金を有する吸収層を安定して、か
つ、高価な真空蒸着設備等を用いることなく得ることが
できる。
それら薄膜太陽電池の吸収層のＸ線回折分析結果から明
らかなように、本発明の薄膜太陽電池の製造方法を用い
れば、大きく発達し、かつ、高配向の結晶の銅−インジ
ウム−セレン三元合金を有する吸収層を安定して、か
つ、高価な真空蒸着設備等を用いることなく得ることが
できる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年９月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】ついで、導電性基板を作製した。即ち、ガ
ラス板上にスパッタリングによりクロム、モリブデンの
順でそれぞれ０．２μｍ、２μｍの薄膜を形成した。こ
の導電性基板を正極とし、炭素電極を陰極として、フェ
リシアン酸カリウム１５０ｇ及び水酸化カリウム５０ｇ
を水に溶解して１ｌとした水溶液中で、５０ｍＡ／ｃｍ
２・２０秒間の条件で電解エッチングを行った。このエ
ッチングした基板を、第１メッキ浴中で硫酸第一水銀電
極に対する電圧を−１８００ｍＶとして定電圧メッキを
行った。このときの電気量は１．６Ｃ／ｃｍ２であっ
た。得られた膜中の銅、セレンのモル存在比は９２．
２：７．８であった。
ラス板上にスパッタリングによりクロム、モリブデンの
順でそれぞれ０．２μｍ、２μｍの薄膜を形成した。こ
の導電性基板を正極とし、炭素電極を陰極として、フェ
リシアン酸カリウム１５０ｇ及び水酸化カリウム５０ｇ
を水に溶解して１ｌとした水溶液中で、５０ｍＡ／ｃｍ
２・２０秒間の条件で電解エッチングを行った。このエ
ッチングした基板を、第１メッキ浴中で硫酸第一水銀電
極に対する電圧を−１８００ｍＶとして定電圧メッキを
行った。このときの電気量は１．６Ｃ／ｃｍ２であっ
た。得られた膜中の銅、セレンのモル存在比は９２．
２：７．８であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】次ぎに第２メッキ浴中で硫酸第一水銀電極
に対する電圧を−１５００ｍＶとして、正極として白金
板を用いて定電圧メッキを行った。そのときの電気量は
２．０Ｃ／ｃｍ２であった。得られた膜中の銅原子、セ
レン原子の存在比は９２．２：７．８であった。
に対する電圧を−１５００ｍＶとして、正極として白金
板を用いて定電圧メッキを行った。そのときの電気量は
２．０Ｃ／ｃｍ２であった。得られた膜中の銅原子、セ
レン原子の存在比は９２．２：７．８であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】（比較例）粒径１〜１０μｍのセレン粉末
を用いて、セレン１０ｍｍｏｌ／ｌ、硫酸インジウム５
０ｍｍｏｌ／ｌ、硫酸ナトリウム８０ｍｍｏｌ／ｌ、酢
酸ナトリウム５０ｍｍｏｌ／ｌとなるようにメッキ液を
調整し、このメッキ液を用いて、実施例と同様に作製し
た導電性基板に、硫酸第一水銀電極に対して１５００ｍ
Ｖの電圧で定電圧メッキを行った。ここで、セレン粉末
の沈降を防止するために、メッキ液は、常に攪拌を行わ
なければならなかった。
を用いて、セレン１０ｍｍｏｌ／ｌ、硫酸インジウム５
０ｍｍｏｌ／ｌ、硫酸ナトリウム８０ｍｍｏｌ／ｌ、酢
酸ナトリウム５０ｍｍｏｌ／ｌとなるようにメッキ液を
調整し、このメッキ液を用いて、実施例と同様に作製し
た導電性基板に、硫酸第一水銀電極に対して１５００ｍ
Ｖの電圧で定電圧メッキを行った。ここで、セレン粉末
の沈降を防止するために、メッキ液は、常に攪拌を行わ
なければならなかった。
Claims (2)
- 【請求項１】 銅イオン（Ｃｕ2+）及びセレンイオン
（Ｓｅ4+）を含む溶液を用いて銅−セレン層を導電性基
板上にメッキ法によって形成し、次いで、インジウムイ
オン（Ｉｎ2+）及びセレンイオン（Ｓｅ4+）を含む溶液
を用いてインジウム−セレン層をメッキ法によって形成
してプリカーサーを完成し、その後このプリカーサーを
熱処理することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 上記銅−セレン層中のセレン含有量が２
０モル％以下であるように銅イオン及びセレンイオンを
含む溶液を調整することを特徴とする請求項１記載の薄
膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7122493A JPH08316515A (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| US08/651,610 US5772431A (en) | 1995-05-22 | 1996-05-22 | Thin-film solar cell manufacturing apparatus and manufacturing method |
| US09/009,161 US6207219B1 (en) | 1995-05-22 | 1998-01-20 | Method for manufacturing thin-film solar cell |
| US09/009,689 US6036822A (en) | 1995-05-22 | 1998-01-20 | Thin-film solar cell manufacturing apparatus and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7122493A JPH08316515A (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316515A true JPH08316515A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14837217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7122493A Withdrawn JPH08316515A (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009089754A1 (fr) * | 2007-12-29 | 2009-07-23 | Shanghai Institute Of Ceramics, Chinese Academy Of Sciences | Procédé de préparation d'une couche d'absorption de la lumière d'une pile solaire à film de cuivre-indium-gallium-soufre-sélénium |
-
1995
- 1995-05-22 JP JP7122493A patent/JPH08316515A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009089754A1 (fr) * | 2007-12-29 | 2009-07-23 | Shanghai Institute Of Ceramics, Chinese Academy Of Sciences | Procédé de préparation d'une couche d'absorption de la lumière d'une pile solaire à film de cuivre-indium-gallium-soufre-sélénium |
| US9735297B2 (en) | 2007-12-29 | 2017-08-15 | Shanghai Institute Of Ceramics, Chinese Academy Of Sciences | Method for preparing light absorption layer of copper-indium-gallium-sulfur-selenium thin film solar cells |
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