KR20220062569A - 레이저 직접 구조화용 중합체 조성물 - Google Patents

레이저 직접 구조화용 중합체 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20220062569A
KR20220062569A KR1020227011572A KR20227011572A KR20220062569A KR 20220062569 A KR20220062569 A KR 20220062569A KR 1020227011572 A KR1020227011572 A KR 1020227011572A KR 20227011572 A KR20227011572 A KR 20227011572A KR 20220062569 A KR20220062569 A KR 20220062569A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polymer composition
antenna
mole
liquid crystal
polymer
Prior art date
Application number
KR1020227011572A
Other languages
English (en)
Inventor
샤오웨이 장
영신 김
Original Assignee
티코나 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티코나 엘엘씨 filed Critical 티코나 엘엘씨
Publication of KR20220062569A publication Critical patent/KR20220062569A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G63/02—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/12—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/16—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • C08G63/18—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds the acids or hydroxy compounds containing carbocyclic rings
    • C08G63/19—Hydroxy compounds containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G63/02—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/60—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from the reaction of a mixture of hydroxy carboxylic acids, polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/605—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from the reaction of a mixture of hydroxy carboxylic acids, polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds the hydroxy and carboxylic groups being bound to aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G63/02—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/12—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/16—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • C08G63/18—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds the acids or hydroxy compounds containing carbocyclic rings
    • C08G63/181—Acids containing aromatic rings
    • C08G63/183—Terephthalic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G63/02—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/06—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from hydroxycarboxylic acids
    • C08G63/065—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from hydroxycarboxylic acids the hydroxy and carboxylic ester groups being bound to aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G63/02—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/12—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/16—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • C08G63/18—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds the acids or hydroxy compounds containing carbocyclic rings
    • C08G63/181—Acids containing aromatic rings
    • C08G63/185—Acids containing aromatic rings containing two or more aromatic rings
    • C08G63/187—Acids containing aromatic rings containing two or more aromatic rings containing condensed aromatic rings
    • C08G63/189—Acids containing aromatic rings containing two or more aromatic rings containing condensed aromatic rings containing a naphthalene ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G63/02—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/12—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/16—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • C08G63/18—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds the acids or hydroxy compounds containing carbocyclic rings
    • C08G63/19—Hydroxy compounds containing aromatic rings
    • C08G63/191—Hydroquinones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G63/02—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/12—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/16—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • C08G63/18—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds the acids or hydroxy compounds containing carbocyclic rings
    • C08G63/19—Hydroxy compounds containing aromatic rings
    • C08G63/193—Hydroxy compounds containing aromatic rings containing two or more aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/346—Clay
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02—Fibres or whiskers
    • C08K7/04—Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/14—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08L27/18—Homopolymers or copolymers or tetrafluoroethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L67/00—Compositions of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L67/02—Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • C08L67/03—Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds the dicarboxylic acids and dihydroxy compounds having the carboxyl- and the hydroxy groups directly linked to aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L67/00—Compositions of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L67/04—Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids, e.g. lactones
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2291—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles used in bluetooth or WI-FI devices of Wireless Local Area Networks [WLAN]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/28—Combinations of substantially independent non-interacting antenna units or systems
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0326—Organic insulating material consisting of one material containing O
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2250/00—Compositions for preparing crystalline polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2251—Oxides; Hydroxides of metals of chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0141—Liquid crystal polymer [LCP]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)

Abstract

본 발명은 레이저 활성화가능 중합체 조성물(laser activatable polymer composition)에 관한 것이다. 상기 조성물은 하나 이상의 레이저 활성화가능 첨가제, 및 약 10 몰% 이상의 양의 나프텐성(naphtenic) 하이드록시카복실산 및/또는 다이카복실산으로부터 유도된 반복 단위를 함유하는 고 나프텐성 열방성 액정 중합체(high naphthenic thermotropic liquid crystalline polymer)를 함유한다. 상기 중합체 조성물은 2 GHz의 주파수에서 측정된 약 5 이하의 유전 상수를 나타낸다.

Description

레이저 직접 구조화용 중합체 조성물
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2019년 9월 10일 출원된 미국 특허 가출원 제62/898,188호; 2019년 10월 24일 출원된 미국 특허 가출원 제62/925,274호; 2019년 12월 20일 출원된 미국 특허 가출원 제62/951,039호; 2020년 2월 10일 출원된 미국 특허 가출원 제62/972,195호; 2020년 5월 25일 출원된 미국 특허 가출원 제62/994,329호; 2020년 4월 13일 출원된 미국 특허 가출원 제63/009,017호; 2020년 5월 14일 출원된 미국 특허 가출원 제63/024,584호; 및 2020년 7월 27일 출원된 미국 특허 가출원 제63/056,865호를 우선권 주장하고, 상기 출원들은 그 전체가 본원에 참조로 혼입된다.
다양한 전자 컴포넌트(electronic component)의 안테나 구조를 형성하기 위해, 성형된 상호연결 장치(molded interconnect devices, "MID")는 흔히 전도성 소자 또는 경로가 형성되어 있는 플라스틱 기판을 함유한다. 따라서, 이러한 MID 장치는 집적된 프린팅된 도체 또는 회로 레이아웃을 갖는 3차원 성형된 부품(part)이다. 컴퓨터-제어되는 레이저 빔이 플라스틱 기판 위를 이동하여 전도성 경로가 위치되어야 하는 위치에서의 상기 플라스틱 기판의 표면을 활성화시키는 동안 레이저 직접 구조화(laser direct structuring) 공정을 사용하여 MID를 형성하는 것이 점점 더 대중화되고 있다. 레이저 직접 구조화 공정에 의해, 150 μm 이하의 전도성 소자 너비 및 이격을 얻을 수 있다. 다양한 물질이 레이저 직접 구조화된 MID 장치의 플라스틱 기판을 형성하는 것에 대해 제안되어 왔다. 예컨대, 하나의 이러한 물질은 폴리카보네이트, 아크릴로니트릴 부탄다이엔 스티렌("ABS"), 구리 크로뮴 옥사이드 스피넬(spinel) 및 비스페놀 A 다이페닐 포스페이트("BPADP") 난연제의 배합물이다. 그러나, 이러한 물질로 인한 한가지 문제는 난연제가 조성물의 기계적 특성(예컨대, 하중 하에서의 변형 온도)에 유해한 영향을 주는 경향이 있는 것이고, 이는 레이저 직접 구조화 공정에서 사용하기 어렵게 한다. 액정 중합체 제형들이 상기 문제들을 해결하기 위한 시도로 개발되어 왔지만, 이러한 제형들은 이들을 고 주파수 적용례(예컨대, 5G)에서의 사용에 적합하게 하기에 지나치게 높은 유전 상수(dielectric constant)를 갖는데, 증가된 양의 전력 소비 및 열 생성이 있다.
따라서, 레이저 직접 구조화에 의해 활성화될 수 있고 비교적 낮은 유전 상수를 갖는 중합체 조성물이 필요하다.
본 발명의 하나의 양태에 따라, 하나 이상의 레이저 활성화가능 첨가제(laser activatable additive), 및 나프텐성(naphthenic) 하이드록시카복실산 및/또는 다이카복실산으로부터 유도된 반복 단위를 약 10% 이상의 양으로 함유하는 하나 이상의 고 나프텐성 열방성 액정 중합체(high naphthenic thermotropic liquid crystalline polymer)를 포함하는 중합체 조성물이 개시된다. 중합체 조성물은 2 GHz의 주파수에서 측정된 약 5 이하의 유전 상수를 나타낸다.
본 발명의 다른 특징 및 양상은 아래에 보다 더 자세하게 제시된다.
당업자에게 있어서의 최선의 방식을 포함하여, 본 발명의 완전하고 가능하게 하는 개시내용은, 특히 수반되는 수치에 대한 참조를 비롯한 명세서의 나머지 부분에서 더욱 구체적으로 명시되어 있다.
도 1 및 2는 안테나 시스템을 사용할 수 있는 전자 컴포넌트의 하나의 양태의 전방 및 후방 투시도이다.
도 3은 안테나 시스템의 하나의 양태에 대한 예시적인 역-F(inverted-F) 안테나 공명 소자(antenna resonating element)의 평면도이다.
도 4는 안테나 시스템의 하나의 양태에 대한 예시적인 모노폴(monopole) 안테나 공명 소자의 평면도이다.
도 5는 안테나 시스템의 하나의 양태에 대한 예시적인 슬롯(slot) 안테나 공명 소자의 평면도이다.
도 6은 안테나 시스템의 하나의 양태에 대한 예시적인 패치(patch) 안테나 공명 소자의 평면도이다.
도 7은 안테나 시스템의 하나의 양태에 대한 예시적인 다분지(multibranch) 역-F 안테나 공명 소자의 평면도이다.
도 8은 본 개시내용의 양상에 따른 기지국(base station), 하나 이상의 중계국(relay station), 하나 이상의 사용자 컴퓨팅 장치 및 하나 이상의 Wi-Fi 중계기(repeater)를 포함하는 5G 안테나 시스템을 도시한 것이다.
도 9a는 본 개시내용의 양상에 따른 5G 안테나를 포함하는 예시적인 사용자 컴퓨팅 장치의 하향도를 도시한 것이다.
도 9b는 본 개시내용의 양상에 따른 5G 안테나를 포함하는 도 9a의 예시적인 사용자 컴퓨팅 장치의 측면도를 도시한 것이다.
도 10은 도 9a의 사용자 컴퓨팅 장치의 일부에 대한 확대도를 도시한 것이다.
도 11은 본 개시내용의 양상에 따른 공면 도파관 안테나 어레이 구성(co-planar waveguide antenna array configuration)의 측면도를 도시한 것이다.
도 12a는 본 개시내용의 양상에 따른 대규모 다중-인-다중-아웃(multiple-in-multiple-out) 구성을 위한 안테나 어레이를 도시한 것이다.
도 12b는 본 개시내용의 양상에 따른 레이저 직접 구조화로 형성된 안테나 어레이를 도시한 것이다.
도 12c는 본 개시내용의 양상에 따른 예시적인 안테나 구성을 도시한 것이다.
도 13a 내지 13c는 안테나 시스템을 형성하는 데 사용될 수 있는 레이저 직접 구조화 제조 공정의 단순화된 순차 다이어그램을 도시한 것이다.
본 논의는 예시적인 양태의 설명일 뿐이고, 본 발명의 광범위한 양상을 제한하는 것으로 의도되지 않는 것으로 당업자에게 이해되어야 한다.
일반적으로 말하자면, 본 발명은 열방성 액정 중합체 및 레이저 활성화가능 첨가제의 조합을 함유하는 중합체 조성물에 관한 것이다. 보다 특히, 중합체 조성물은 상기 중합체 조성물이 나프텐성 하이드록시카복실산 및 나프텐성 다이카복실산, 예컨대, 나프탈렌-2,6-다이카복실산("NDA"), 6-하이드록시-2-나프토산("HNA"), 또는 이들의 조합으로부터 유도된 반복 단위를 비교적 고 함량으로 함유하는 정도에 한해 "고 나프텐성(high naphthenic)" 함량을 갖는 액정 중합체를 함유한다. 즉, 나프텐성 하이드록시카복실산 및/또는 다이카복실산(예컨대, NDA, HNA, 또는 HNA와 NDA의 조합)으로부터 유도된 반복 단위의 총량은 전형적으로 중합체의 약 10 몰% 이상, 일부 양태에서 약 12 몰% 이상, 일부 양태에서 약 15 몰% 이상, 일부 양태에서 약 18 몰% 이상, 일부 양태에서 약 30 몰% 이상, 일부 양태에서 약 40 몰% 이상, 일부 양태에서 약 45 몰% 이상, 일부 양태에서 약 50 몰% 이상, 일부 양태에서 약 60 몰% 이상, 일부 양태에서 약 62 몰% 이상, 일부 양태에서 약 68 몰% 이상, 일부 양태에서 약 70 몰% 이상, 일부 양태에서 약 70 몰% 내지 약 80 몰%이다. 이론에 얽매이려는 것은 아니지만, 이러한 "고 나프텐성" 중합체는 중합체 조성물이 물을 흡수하는 경향성을 감소시킬 수 있는 것으로 여겨지고, 이는 고 주파수 범위에서의 유전 상수를 안정화시킴에 도움이 될 수 있다. 즉, 이러한 고 나프텐성 중합체는 ISO 62-1:2008에 따라 24시간 동안 물 속에 액침된 후, 약 0.015% 이하, 일부 양태에서 약 0.01% 이하, 일부 양태에서 약 0.0001% 내지 약 0.008%의 물 흡수를 갖는다. 또한, 고 나프텐성 중합체는 ISO 62-4:2008에 따라 23℃의 온도에서 습윤 대기(50% 상대 습도)에 노출된 후, 약 0.01% 이하, 일부 양태에서 약 0.008% 이하, 일부 양태에서 약 0.0001% 내지 약 0.006%의 수분 흡수를 가질 수 있다.
중합체 조성물의 성분의 특정 성질 및 농도의 신중한 선택을 통해, 본 발명자들은 생성된 조성물이 넓은 범위의 주파수에 걸쳐 낮은 유전 상수를 나타내어 5G 적용례에 사용하기에 특히 적합하게 할 수 있음을 발견하였다. 즉, 중합체 조성물은 스플릿 포스트 공명기 방법(split post resonator method)에 의해 전형적인 5G 주파수(예컨대 2 GHz)에 걸쳐 측정된 약 5 이하, 일부 양태에서 약 4.5 이하, 일부 양태에서 약 0.1 내지 약 4.4, 일부 양태에서 약 1 내지 약 4.2, 일부 양태에서 약 1.5 내지 약 4, 일부 양태에서 약 2 내지 약 3.9, 일부 양태에서 약 3.5 내지 약 3.9의 낮은 유전 상수를 나타낼 수 있다. 에너지 손실률의 척도인 중합체 조성물의 유전손실 계수는 전형적인 5G 주파수(예컨대 2 또는 10 GHz)에 걸쳐 마찬가지로 약 0.05 이하, 일부 양태에서 약 0.01 이하, 일부 양태에서 약 0.0001 내지 약 0.008, 일부 양태에서 약 0.0002 내지 약 0.006일 수 있다. 실제로, 일부 경우, 유전손실 계수는 전형적인 5G 주파수(예컨대 2 또는 10 GHz)에 걸쳐, 예컨대 약 0.003 이하, 일부 양태에서 약 0.002 이하, 일부 양태에서 약 0.001 이하, 일부 양태에서 약 0.0009 이하, 일부 양태에서 약 0.0008 이하, 일부 양태에서 약 0.0001 내지 약 0.0007로 매우 낮을 수 있다. 주목할 만하게도, 본 발명자들은 또한 유전 상수 및 유전손실 계수가 약 -30℃ 내지 약 100℃의 온도와 같은 다양한 온도에 노출되었을 때에도 위에서 언급한 범위 내에서 유지될 수 있다는 것을 놀랍게도 발견했다. 예를 들어, 본원에 기재된 열 주기 시험을 실시하는 경우, 초기 유전 상수에 대한 열 주기 후 유전 상수의 비는 약 0.8 이상, 일부 양태에서 약 0.9 이상, 일부 양태에서 약 0.91 내지 약 0.99일 수 있다. 마찬가지로, 초기 유전손실 계수에 대한 고온에 노출된 후 유전손실 계수의 비는 약 1 이하, 일부 양태에서 약 0.95 이하, 일부 양태에서 약 0.1 내지 약 0.9, 일부 양태에서 약 0.2 내지 약 0.8일 수 있다. 유전손실 계수의 변화(즉, 초기 유전손실 계수 - 열 주기 후 유전손실 계수)는 또한 약 -0.1 내지 약 0.1, 일부 양태에서 약 -0.05 내지 약 0.01, 일부 양태에서 약 -0.001 내지 0일 수 있다.
통상적으로는, 낮은 유전손실 계수 및 유전 상수를 나타내는 중합체 조성물은 레이저 활성화가능하지 않거나, 특정 유형의 적용례에서 사용할 수 있도록 충분히 좋은 열적 특성, 기계적 특성 및 가공의 용이성(즉, 낮은 점도)을 충분히 보유하지 않을 것으로 여겨졌다. 그러나, 통상적인 생각과는 달리, 상기 중합체 조성물은 우수한 열적 특성, 기계적 특성 및 가공성을 모두 소유하는 것으로 밝혀졌다. 조성물의 융점은, 예를 들어, 약 250℃ 내지 약 440℃, 일부 양태에서 약 270℃ 내지 약 400℃, 일부 양태에서 약 300℃ 내지 약 380℃일 수 있다. 이러한 융점에서도, 융점에 대한 하중 하에서의 굴곡 온도("DTUL")(단기 내열성의 척도)의 비는 여전히 상대적으로 높게 유지될 수 있다. 예를 들어, 상기 비는 약 0.5 내지 약 1.00, 일부 양태에서 약 0.6 내지 약 0.95, 일부 양태에서 약 0.65 내지 약 0.85일 수 있다. 특정 DTUL 값은, 예를 들어, 약 200℃ 내지 약 350℃, 일부 양태에서 약 210℃ 내지 약 320℃, 일부 양태에서 약 230℃ 내지 약 290℃일 수 있다. 이러한 높은 DTUL 값은 무엇보다도 전자 컴포넌트의 다른 컴포넌트와 구조를 결합하기 위한 고속 및 신뢰할 수 있는 표면 장착 공정의 사용을 가능하게 할 수 있다.
중합체 조성물은 또한 얇은 기판을 형성할 때 유용한 높은 충격 강도를 가질 수 있다. 조성물은, 예를 들어, 약 0.5 kJ/m2 이상, 일부 양태에서 약 1 내지 약 50 kJ/m2, 일부 양태에서 약 2 내지 약 20 kJ/m2의 샤피 노치 충격 강도(Charpy notched impact strength)를 가질 수 있고, 충격 강도는 ISO 시험 번호 ISO 179-1:2010에 따라 23℃의 온도에서 측정될 수 있다. 조성물의 인장 및 굴곡 기계적 특성도 우수할 수 있다. 예컨대, 중합체 조성물은 약 20 내지 약 500 MPa, 일부 양태에서 약 50 내지 약 400 MPa, 일부 양태에서 약 70 내지 약 350 MPa의 인장 강도; 및 약 0.4% 이상, 일부 양태에서 약 0.5% 내지 약 10%, 일부 양태에서 약 0.6% 내지 약 3.5%의 인장 파괴 변형률(tensile break strain); 및/또는 약 5,000 MPa 내지 약 20,000 MPa, 일부 양태에서 약 8,000 MPa 내지 약 20,000 MPa, 일부 양태에서 약 10,000 MPa 내지 약 20,000 MPa의 인장 탄성률(tensile modulus)을 나타낼 수 있다. 인장 특성은 ISO 시험 번호 527:2012에 따라 23℃의 온도에서 측정될 수 있다. 또한, 중합체 조성물은 약 20 내지 약 500 MPa, 일부 양태에서 약 50 내지 약 400 MPa, 일부 양태에서 약 100 내지 약 350 MPa의 굴곡 강도; 약 0.4% 이상, 일부 양태에서 약 0.5% 내지 약 10%, 일부 양태에서 약 0.6% 내지 약 3.5%의 굴곡 연신율(flexural elongation); 및/또는 약 5,000 MPa 내지 약 20,000 MPa, 일부 양태에서 약 8,000 MPa 내지 약 20,000 MPa, 일부 양태에서 약 10,000 MPa 내지 약 15,000 MPa의 굴곡 탄성률(flexural modulus)을 나타낼 수 있다. 상기 굴곡 특성은 ISO 시험 번호 178:2010에 따라 23℃의 온도에서 측정될 수 있다. 또한, 중합체 조성물은 얇은 물품을 형성할 때 유용할 수 있는 높은 충격 강도를 보유할 수 있다. 예컨대, 중합체 조성물은 약 3 kJ/m2 이상, 일부 양태에서 약 5 kJ/m2 이상, 일부 양태에서 약 7 kJ/m2 이상, 일부 양태에서 약 8 kJ/m2 내지 약 40 kJ/m2, 일부 양태에서 약 10 kJ/m2 내지 약 25 kJ/m2의 샤피 노치 충격 강도를 보유할 수 있다. 충격 강도는 ISO 시험 번호 ISO 179-1:2010에 따라 23℃의 온도에서 측정될 수 있다.
전술한 특성의 결과로, 중합체 조성물은 레이저 직접 구조화 공정("LDS")을 사용하여 하나 이상의 전도성 소자가 후속 적용될 수 있는 기판으로 용이하게 형상화될 수 있다. 중합체 조성물의 유익한 특성으로 인해, 생성된 기판은 약 5 mm 이하, 일부 양태에서 약 4 mm 이하, 일부 양태에서 약 0.5 내지 약 3 mm의 두께와 같이 매우 작은 크기를 가질 수 있다. 필요한 경우, 전도성 소자는 생성된 부품이 광범위한 상이한 전자 컴포넌트, 예컨대, 핸드폰, 자동차 장비 등에 사용될 수 있는 안테나 구조가 되도록 하는 안테나(예컨대, 안테나 공명 소자)일 수 있다.
본 발명의 다양한 양태는 이후로 보다 자세하게 설명될 것이다.
I. 중합체 조성물
A. 액정 중합체
중합체 조성물은 막대-유사 구조를 보유하고 이의 용융 상태(예컨대, 열방성 네마틱 상태(thermotropic nematic state))에서 결정 거동을 나타내는 정도에 한해 "열방성"으로서 분류되는 하나 이상의 액정 중합체를 함유한다. 중합체 조성물에 사용되는 액정 중합체는 전형적으로 약 200℃ 내지 약 400℃, 일부 양태에서 약 250℃ 내지 약 380℃, 일부 양태에서 약 270℃ 내지 약 360℃, 일부 양태에서 약 300℃ 내지 약 350℃의 융점을 갖는다. 융점은 시차 주사 열량측정("DSC")을 사용하여 당업계에 주지된 바와 같이 측정될 수 있고, 예컨대, ISO 시험 번호 11357-3:2011에 의해 측정될 수 있다. 이러한 중합체는 당업계에 공지되어 있는 하나 이상의 유형의 반복 단위로부터 형성될 수 있다. 예컨대, 액정 중합체는 일반적으로 하기 화학식 (I)로 표시되는 하나 이상의 방향족 에스터 반복 단위를 함유할 수 있다:
Figure pct00001
(I)
상기 식에서,
고리 B는 치환되거나 비치환된 6-원 아릴 기(예컨대, 1,4-페닐렌 또는 1,3-페닐렌), 치환되거나 비치환된 5- 또는 6-원 아릴 기에 융합된 치환되거나 비치환된 6-원 아릴 기(예컨대, 2,6-나프탈렌), 또는 치환되거나 비치환된 5- 또는 6-원 아릴 기에 연결된 치환되거나 비치환된 6-원 아릴 기(예컨대, 4,4-바이페닐렌)이고;
Y1 및 Y2는 독립적으로 O, C(O), NH, C(O)HN 또는 NHC(O)이다.
전형적으로, Y1 및 Y2 중 하나 이상은 C(O)이다. 이러한 방향족 에스터 반복 단위의 예는, 예컨대, 방향족 다이카복실 반복 단위(화학식 I에서 Y1 및 Y2는 C(O)임)), 방향족 하이드록시카복실 반복 단위(화학식 I에서 Y1은 O이고, Y2는 C(O)임), 및 이들의 다양한 조합을 포함할 수 있다.
예컨대, 방향족 하이드록시카복실산, 예컨대, 4-하이드록시벤조산; 4-하이드록시-4'-바이페닐카복실산; 2-하이드록시-6-나프토산; 2-하이드록시-5-나프토산; 3-하이드록시-2-나프토산; 2-하이드록시-3-나프토산; 4'-하이드록시페닐-4-벤조산; 3'-하이드록시페닐-4-벤조산; 4'-하이드록시페닐-3-벤조산 등, 및 이들의 알킬, 알콕시, 아릴 및 할로겐 치환기, 및 이들의 조합으로부터 유도된 방향족 하이드록시카복실 반복 단위가 사용될 수 있다. 특히 적합한 방향족 하이드록시카복실산은 4-하이드록시벤조산("HBA") 및 6-하이드록시-2-나프토산("HNA")이다. 사용 시, 하이드록시카복실산(예컨대, HBA 및/또는 HNA)으로부터 유도된 반복 단위는 전형적으로 중합체의 약 20 몰% 이상, 일부 양태에서 약 25 몰% 이상, 일부 양태에서 약 30 몰% 내지 100 몰%, 일부 양태에서 약 30 몰% 내지 약 60 몰%를 구성한다.
또한, 방향족 다이카복실산, 예컨대, 테레프탈산, 이소프탈산, 2,6-나프탈렌다이카복실산, 다이페닐 에터-4,4'-다이카복실산, 1,6-나프탈렌다이카복실산, 2,7-나프탈렌다이카복실산, 4,4'-다이카복시바이페닐, 비스(4-카복시페닐)에터, 비스(4-카복시페닐)부탄, 비스(4-카복시페닐)에탄, 비스(3-카복시페닐)에터, 비스(3-카복시페닐)에탄 등, 및 이들의 알킬, 알콕시, 아릴 및 할로겐 치환기, 및 이들의 조합으로부터 유도된 방향족 다이카복실 반복 단위가 사용될 수 있다. 특히 적합한 방향족 다이카복실산은, 예컨대, 테레프탈산("TA"), 이소프탈산("IA") 및 2,6-나프탈렌다이카복실산("NDA")을 포함할 수 있다. 사용 시, 방향족 다이카복실산(예컨대, IA, TA, 및/또는 NDA)으로부터 유도된 반복 단위는 각각 전형적으로 중합체의 약 1 몰% 내지 약 40 몰%, 일부 양태에서 약 2 몰% 내지 약 30 몰%, 일부 양태에서 약 5 몰% 내지 약 25%를 구성한다.
다른 반복 단위도 중합체에 사용될 수 있다. 특정 양태에서, 예컨대, 방향족 다이올, 예컨대, 하이드로퀴논, 레소르시놀, 2,6-다이하이드록시나프탈렌, 2,7-다이하이드록시나프탈렌, 1,6-다이하이드록시나프탈렌, 4,4'-다이하이드록시바이페닐(또는 4,4'-바이페놀), 3,3'-다이하이드록시바이페닐, 3,4'-다이하이드록시바이페닐, 4,4'-다이하이드록시바이페닐 에터, 비스(4-하이드록시페닐)에탄 등, 및 이들의 알킬, 알콕시, 아릴 및 할로겐 치환기, 및 이들의 조합으로부터 유도된 반복 단위가 사용될 수 있다. 특히 적합한 방향족 다이올은, 예컨대, 하이드로퀴논("HQ") 및 4,4'-바이페놀("BP")을 포함할 수 있다. 사용 시, 방향족 다이올(예컨대, HQ 및/또는 BP)로부터 유도된 반복 단위는 각각 전형적으로 중합체의 약 1 몰% 내지 약 50 몰%, 일부 양태에서 약 2 몰% 내지 약 40 몰%, 일부 양태에서 약 5 몰% 내지 약 35%를 구성한다. 또한, 반복 단위, 예컨대, 방향족 아미드(예컨대, 아세트아미노펜("APAP")) 및/또는 방향족 아민(예컨대, 4-아미노페놀("AP"), 3-아미노페놀, 1,4-페닐렌다이아민, 1,3-페닐렌다이아민 등)으로부터 유도된 것이 사용될 수 있다. 사용 시, 방향족 아미드(예컨대, APAP) 및/또는 방향족 아민(예컨대, AP)으로부터 유도된 반복 단위는 전형적으로 중합체의 약 0.1 몰% 내지 약 20 몰%, 일부 양태에서 약 0.5 몰% 내지 약 15 몰%, 일부 양태에서 약 1 몰% 내지 약 10%를 구성한다. 다양한 다른 단량체 반복 단위가 중합체에 혼입될 수 있음이 또한 이해되어야 한다. 예컨대, 특정 양태에서, 중합체는 비방향족 단량체, 예컨대, 지방족 또는 지환족 하이드록시카복실산, 다이카복실산, 다이올, 아미드, 아민 등으로부터 유도된 하나 이상의 반복 단위를 함유할 수 있다. 물론, 다른 양태에서, 중합체는 비방향족(예컨대, 지방족 또는 지환족) 단량체로부터 유도된 반복 단위를 결여하여 "완전히 방향족"일 수 있다.
상기 지시된 바와 같이, 전형적으로, 액정 중합체는 상기 중합체가 나프텐성 하이드록시카복실산 및 나프텐성 다이카복실산, 예컨대, NDA, HNA, 또는 이들의 조합으로부터 유도된 반복 단위를 비교적 고 함량으로 함유하는 정도에 한해 "고 나프텐성" 중합체이다. 즉, 나프텐성 하이드록시카복실산 및/또는 다이카복실산(예컨대, NDA, HNA, 또는 HNA와 NDA의 조합)으로부터 유도된 반복 단위의 총량은 전형적으로 중합체의 약 10 몰% 이상, 일부 양태에서 약 12 몰% 이상, 일부 양태에서 약 15 몰% 이상, 일부 양태에서 약 18 몰% 이상, 일부 양태에서 약 30 몰% 이상, 일부 양태에서 약 40 몰% 이상, 일부 양태에서 약 45 몰% 이상, 일부 양태에서 약 50 몰% 이상, 일부 양태에서 약 60 몰% 이상, 일부 양태에서 약 62 몰% 이상, 일부 양태에서 약 68 몰% 이상, 일부 양태에서 약 70 몰% 이상, 일부 양태에서 약 70 몰% 내지 약 80 몰%이다.
하나의 양태에서, 예컨대, HNA로부터 유도된 반복 단위는 중합체의 30 몰% 이상, 일부 양태에서 약 40 몰% 이상, 일부 양태에서 약 45 몰% 이상, 일부 양태에서 50 몰% 이상, 일부 양태에서 약 60 몰% 이상, 일부 양태에서 약 62 몰% 이상, 일부 양태에서 약 68 몰% 이상, 일부 양태에서 약 70 몰% 이상, 일부 양태에서 약 70 몰% 내지 약 80 몰%를 구성할 수 있다. 또한, 액정 중합체는 다양한 기타 단량체를 함유할 수 있다. 예컨대, 중합체는 HBA로부터 유도된 반복 단위를 약 10 몰% 내지 약 40 몰%, 일부 양태에서 약 15 몰% 내지 약 35 몰%, 일부 양태에서 약 20 몰% 내지 약 30 몰%의 양으로 함유할 수 있다. 사용 시, HBA에 대한 HNA의 몰비는 목적하는 특성을 성취하는데 도움이 되는 특정 범위, 예컨대 약 0.1 내지 약 40, 일부 양태에서 약 0.5 내지 약 20, 일부 양태에서 약 0.8 내지 약 10, 일부 양태에서 약 1 내지 약 5 내에서 선택적으로 제어될 수 있다. 또한, 중합체는 약 1 몰% 내지 약 40 몰%, 일부 양태에서 약 5 몰% 내지 약 25 몰%의 양의 방향족 다이카복실산(예컨대 IA 및/또는 TA); 및/또는 약 1 몰% 내지 약 40 몰%, 일부 양태에서 약 5 몰% 내지 약 25 몰%의 양의 방향족 다이올(예컨대 BP 및/또는 HQ)을 함유할 수 있다. 그러나, 일부 경우, 목적하는 특성을 성취함에 도움을 주기 위해 중합체 중 이러한 단량체의 존재를 최소화시키는 것이 목적될 수 있다. 예컨대, 방향족 다이카복실산(예컨대 IA 및/또는 TA)의 총량은 중합체의 약 20 몰% 이하, 일부 양태에서 약 15 몰% 이하, 일부 양태에서 약 10 몰% 이하, 일부 양태에서, 0 몰% 내지 약 5 몰%, 일부 양태에서, 0 몰% 내지 약 2 몰%일 수 있다. 유사하게, 방향족 다이카복실산(예컨대 IA 및/또는 TA)의 총량은 중합체의 약 20 몰% 이하, 일부 양태에서 약 15 몰% 이하, 일부 양태에서 약 10 몰% 이하, 일부 양태에서, 0 몰% 내지 약 5 몰%, 일부 양태에서, 0 몰% 내지 약 2 몰%(예컨대 0 몰%)일 수 있다.
또 다른 양태에서, NDA로부터 유도된 반복 단위는 중합체의 10 몰% 이상, 일부 양태에서 약 12 몰% 이상, 일부 양태에서 약 15 몰% 이상, 일부 양태에서 약 18 몰% 내지 약 95 몰%를 구성할 수 있다. 이러한 양태에서, 또한, 액정 중합체는 다양한 기타 단량체, 예컨대 약 20 몰% 내지 약 60 몰%, 일부 양태에서 약 30 몰% 내지 약 50 몰%의 양의 방향족 하이드록시카복실산(예컨대 HBA); 약 2 몰% 내지 약 30 몰%, 일부 양태에서 약 5 몰% 내지 약 25 몰%의 양의 방향족 다이카복실산(IA 및/또는 TA); 및/또는 약 2 몰% 내지 약 40 몰%, 일부 양태에서 약 5 몰% 내지 약 35 몰%의 양의 방향족 다이올(예컨대 BP 및/또는 HQ)을 함유할 수 있다.
일반적으로 말하자면, 중합체 조성물에 사용되는 액정 중합체의 총량은 중합체 조성물의 약 40 중량% 내지 약 99.5 중량%, 일부 양태에서 약 50 중량% 내지 약 99 중량%, 일부 양태에서 약 60 중량% 내지 약 98 중량%, 일부 양태에서 약 70 중량% 내지 약 95 중량%이다. 특정 양태에서, 액정 중합체 모두는 전술한 바와 같은 "고 나프텐성" 중합체이다. 그러나, 다른 양태에서, "저 나프텐성" 액정 중합체도 조성물에 사용될 수 있고, 이때 나프텐성 하이드록시카복실산 및/또는 다이카복실산(예컨대 NDA, HNA 또는 HNA와 NDA의 조합)으로부터 유도된 반복 단위의 총량은 중합체의 10 몰% 미만, 일부 양태에서 약 8 몰% 이하, 일부 양태에서 약 6 몰% 이하, 일부 양태에서 약 1 몰% 내지 약 5 몰%이다. 사용 시, 일반적으로, 이러한 저 나프텐성 중합체가 상대적으로 소량만 존재함이 목적된다. 예컨대, 사용 시, 저 나프텐성 액정 중합체는 조성물 중 액정 중합체의 총량의 약 1 중량% 내지 약 50 중량%, 일부 양태에서 약 2 중량% 내지 약 40 중량%, 일부 양태에서 약 5 중량% 내지 약 30 중량%, 및 전체 조성물의 약 0.5 중량% 내지 약 45 중량%, 일부 양태에서 약 2 중량% 내지 약 35 중량%, 일부 양태에서 약 5 중량% 내지 약 25 중량%를 구성한다. 역으로, 고 나프텐성 액정 중합체는 전형적으로 조성물 중 액정 중합체의 총량의 약 50 중량% 내지 약 99 중량%, 일부 양태에서 약 60 중량% 내지 약 98 중량%, 일부 양태에서 약 70 중량% 내지 약 95 중량%, 및 전제 조성물의 약 55 중량% 내지 약 99.5 중량%, 일부 양태에서 약 65 중량% 내지 약 98 중량%, 일부 양태에서 약 75 중량% 내지 약 95 중량%를 구성한다.
B. 레이저 활성화가능 첨가제
중합체 조성물은 레이저 직접 구조화("LDS") 공정에 의해 활성화될 수 있는 첨가제를 함유한다는 점에서 "레이저 활성화가능"하다. 이러한 공정에서, 첨가제는 금속의 방출을 야기하는 레이저에 노출된다. 따라서, 레이저는 전도성 소자의 패턴을 부품 위에 각인하고 내포된 금속 입자를 함유하는 거친 표면을 남기게 된다. 이러한 입자는 후속 도금 공정(예컨대, 구리 도금, 금 도금, 니켈 도금, 은 도금, 아연 도금, 주석 도금 등) 동안 결정 성장을 위한 핵으로서 작용한다. 레이저 활성화가능 첨가제는 전형적으로 중합체 조성물의 약 0.1 중량% 내지 약 20 중량%, 일부 양태에서 약 0.5 중량% 내지 약 15 중량%, 일부 양태에서 약 1 중량% 내지 약 10 중량%를 구성한다. 일반적으로, 레이저 활성화가능 첨가제는 한정된 결정 형식 내에 2개 이상의 금속 옥사이드 클러스터 구조를 포함할 수 있는 스피넬 결정을 포함한다. 예컨대, 전체적인 결정 형식은 하기 화학식을 가질 수 있다:
AB2O4
상기 식에서,
A는 2의 원자가를 갖는 금속 양이온, 예컨대, 카드뮴, 크로뮴, 망간, 니켈, 아연, 구리, 코발트, 철, 마그네슘, 주석, 티타늄 등, 및 이들의 조합의 양이온이고;
B는 3의 원자가를 갖는 금속 양이온, 예컨대, 크로뮴, 철, 알루미늄, 니켈, 망간, 주석 등, 및 이들의 조합의 양이온이다.
전형적으로, 상기 식에서 A는 제1 금속 옥사이드 클러스터의 1차 양이온 성분을 제공하고, B는 제2 금속 옥사이드 클러스터의 1차 양이온 성분을 제공한다. 이러한 옥사이드 클러스터는 동일하거나 상이한 구조를 가질 수 있다. 하나의 양태에서, 예컨대, 제1 금속 옥사이드 클러스터는 사면체 구조를 갖고 제2 금속 옥사이드 클러스터는 팔면체 클러스터를 갖는다. 이와는 상관없이, 클러스터는 전자기 복사에 대한 증가된 취약성을 갖는 단일의 인식가능한 결정 유형 구조를 제공할 수 있다. 적합한 스피넬 결정의 예는, 예컨대, MgAl2O4, ZnAl2O4, FeAl2O4, CuFe2O4, CuCr2O4, MnFe2O4, NiFe2O4, TiFe2O4, FeCr2O4, MgCr2O4 등을 포함한다. 구리 크로뮴 옥사이드(CuCr2O4)가 본 발명에 사용하기에 특히 적합하고 "셰퍼드 블랙 1GM(Shepherd Black 1GM)" 명칭으로 셰퍼드 컬러 컴퍼니(Shepherd Color Co.)로부터 이용가능하다.
C. 섬유성 충전제
섬유성 충전제도 전기적 성능에 상당한 영향을 줌 없이 중합체 조성물의 열적 및 기계적 특성을 향상시키기 위해 중합체 조성물에 사용될 수 있다. 섬유성 충전제는 전형적으로 이의 질량에 비해 높은 정도의 인장 강도를 갖는 섬유를 포함한다. 예컨대, 섬유의 극한 인장 강도(ASTM D2101에 따라 측정됨)는 전형적으로 약 1,000 내지 약 15,000 메가파스칼("MPa"), 일부 양태에서 약 2,000 MPa 내지 약 10,000 MPa, 일부 양태에서 약 3,000 MPa 내지 약 6,000 MPa이다. 목적하는 유전 특성을 유지함을 보조하기 위해, 이러한 고 강도 섬유는 일반적으로 자연 상태에서 절연성인 물질, 예컨대, 유리, 세라믹(예컨대, 알루미나 또는 실리카), 아라미드(예컨대, 미국 델라웨어주 윌밍튼 소재의 E. I. 듀퐁 드 네머스(E. I. duPont de Nemours)에 의해 시판되는 케블라(Kevlar: 등록상표)), 폴리올레핀, 폴리에스터 등으로부터 형성될 수 있다. 유리 섬유가 특히 적합하고, 이의 예는 E-유리, A-유리, C-유리, D-유리, AR-유리, R-유리, S1-유리, S2-유리 등이다.
또한, 섬유성 충전제에 사용된 섬유는 다양한 상이한 크기를 가질 수 있지만, 특정 종횡비를 갖는 섬유가 생성된 중합체 조성물의 기계적 특성을 향상시키는 데 도움이 될 수 있다. 즉, 약 2 이상, 일부 양태에서 약 4 이상, 일부 양태에서 약 5 내지 약 50, 일부 양태에서 약 8 내지 약 40의 종횡비(평균 길이를 공칭 직경으로 나눈 것)를 갖는 섬유가 특히 유용하다. 이러한 섬유성 충전제는, 예컨대, 약 10 μm 이상, 일부 양태에서 약 25 μm 이상, 일부 양태에서 약 50 μm 이상 내지 약 800 μm 이하, 일부 양태에서 약 60 μm 내지 약 500 μm의 중량 평균 길이를 가질 수 있다. 또한, 이러한 섬유성 충전제는, 예컨대, 약 10 μm 이상, 일부 양태에서 약 25 μm 이상, 일부 양태에서 약 50 μm 이상 내지 약 800 μm 이하, 일부 양태에서 약 60 μm 내지 약 500 μm의 체적 평균 길이를 가질 수 있다. 마찬가지로, 섬유성 충전제는 약 5 μm 이상, 일부 양태에서 약 6 μm 이상, 일부 양태에서 약 8 μm 내지 약 40 μm, 일부 양태에서 약 9 μm 내지 약 20 μm의 공칭 직경을 가질 수 있다. 섬유성 충전제의 상대적 양은 중합체 조성물의 다른 특성들, 예컨대, 이의 유동성 및 유전 특성 등에 해로운 영향을 줌 없이 목적하는 기계적 및 열적 특성을 성취함을 보조하도록 선택적으로 제어될 수 있다. 예컨대, 섬유성 충전제는 레이저 활성화가능 첨가제에 대한 섬유성 충전제의 중량비가 약 1 내지 약 5, 일부 양태에서 약 1.5 내지 약 4.5, 일부 양태에서 약 2 내지 약 3.5가 되도록 충분한 양으로 사용될 수 있다. 섬유성 충전제는, 예컨대, 중합체 조성물의 약 1 중량% 내지 약 40 중량%, 일부 양태에서 약 3 중량% 내지 약 30 중량%, 일부 양태에서 약 5 중량% 내지 약 20 중량%를 구성할 수 있다.
D. 소수성 물질
필요한 경우, 물을 흡수하는 이의 경향성을 추가적으로 감소시킴을 돕기 위해, 추가적인 소수성 물질이 중합체 조성물에 사용될 수 있고, 이는 고 주파수 범위에서 유전 상수 및 유전손실 계수를 안정화시키는 데 도움이 될 수 있다. 사용 시, 소수성 물질에 대한 액정 중합체의 중량비는 전형적으로 약 1 내지 약 20, 일부 양태에서 약 2 내지 약 15, 일부 양태에서 약 3 내지 약 10이다. 예컨대, 소수성 물질은 전체 중합체 조성물의 약 1 중량% 내지 약 60 중량%, 일부 양태에서 약 2 중량% 내지 약 50 중량%, 일부 양태에서 약 5 중량% 내지 약 40 중량%를 구성할 수 있다.
특히 적합한 소수성 물질은 저 표면 에너지 탄성중합체, 예컨대, 플루오로중합체, 실리콘 중합체 등이다. 플루오로중합체는, 예컨대, 탄화수소 골격 중합체를 함유할 수 있고, 여기서, 수소 원자의 일부 또는 모두는 불소 원자로 치환된다. 골격 중합체는 폴리올레핀성이고, 불소-치환된, 불포화된 올레핀 단량체로부터 형성될 수 있다. 플루오로중합체는 이러한 불소-치환된 단량체의 동종중합체 또는 불소-치환된 단량체의 공중합체, 또는 불소-치환된 단량체와 비-불소-치환된 단량체의 혼합물일 수 있다. 불소 원자와 함께, 플루오로중합체는 다른 할로겐 원자, 예컨대, 염소 및 브롬 원자로도 치환될 수 있다. 본 발명에 사용하기 위한 플루오로중합체를 형성하기에 적합한 대표적인 단량체는 테트라플루오로에틸렌("TFE"), 비닐리덴 플루오라이드("VF2"), 헥사플루오로프로필렌("HFP"), 클로로트라이플루오로에틸렌("CTFE"), 퍼플루오로에틸비닐 에터("PEVE"), 퍼플루오로메틸비닐 에터("PMVE"), 퍼플루오로프로필비닐 에터("PPVE") 등, 및 이들의 혼합물이다. 적합한 플루오로중합체의 구체적인 예는 폴리테트라플루오로에틸렌("PTFE"), 퍼플루오로알킬비닐 에터("PVE"), 폴리(테트라플루오로에틸렌-co-퍼플루오로알킬비닐 에터)("PFA"), 불화 에틸렌-프로필렌 공중합체("FEP"), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체("ETFE"), 폴리비닐리덴 플루오라이드("PVDF"), 폴리클로로트라이플루오로에틸렌("PCTFE"), 및 VF2 및/또는 HFP의 TFE 공중합체 등, 및 이들의 혼합물을 포함한다.
특정 양태에서, 소수성 물질(예컨대, 플루오로중합체)는 비교적 얇은 두께의 필름을 형성하는 데 도움이 되도록 선택적으로 제어되는 입도를 가질 수 있다. 예컨대, 소수성 물질은 약 1 내지 약 60 μm, 일부 양태에서 약 2 내지 약 55 μm, 일부 양태에서 약 3 내지 약 50 μm, 일부 양태에서 약 25 내지 약 50 μm의 중간 입도(예컨대, 직경)를 가질 수 있고, 이는, 예컨대, ISO 13320:2009에 따라 레이저 회절 기법을 사용하여 측정된다(예컨대, 호리바 LA-960(Horiba LA-960) 입도 분포 분석기를 사용함). 또한, 소수성 물질은 좁은 크기 분포를 가질 수 있다. 즉, 입자의 약 70 부피% 이상, 일부 양태에서 입자의 약 80 부피% 이상, 일부 양태에서 입자의 약 90 부피% 이상이 상기 제시된 범위 내의 크기를 가질 수 있다.
E. 중공 충전제
반드시 필요하지는 않지만, 중합체 조성물은 목적하는 유전 상수를 성취하는 데 도움이 되는 하나 이상의 중공 무기 충전제를 포함할 수 있다. 예컨대, 이러한 충전제는 100 MHz에서 약 3.0 이하, 일부 양태에서 약 2.5 이하, 일부 양태에서 약 1.1 내지 약 2.3, 일부 양태에서 약 1.2 내지 약 2.0의 유전 상수를 가질 수 있다. 중공 무기 충전제는 전형적으로 내부 중공 공간 또는 공동을 갖고, 당업계에 공지되어 있는 기법을 사용하여 합성될 수 있다. 중공 무기 충전제는 통상적인 물질로부터 제조될 수 있다. 예컨대, 중공 무기 충전제는 알루미나, 실리카, 지르코니아, 마그네시아, 유리, 플라이 애쉬(fly ash), 보레이트, 포스페이트 및 세라믹 등을 포함할 수 있다. 하나의 양태에서, 중공 무기 충전제는 중공 유리 충전제, 중공 세라믹 충전제, 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 하나의 양태에서, 중공 무기 충전제는 중공 유리 충전제를 포함한다. 중공 유리 충전제는 소다 석회 보로실리케이트 유리, 소다 석회 유리, 보로실리케이트 유리, 나트륨 보로실리케이트 유리, 나트륨 실리케이트 유리, 또는 알루미노실리케이트 유리로부터 제조될 수 있다. 이와 관련하여, 하나의 양태에서, 유리의 조성은 비제한적으로 약 65 중량% 이상의 SiO2, 3 내지 15 중량%의 Na2O, 8 내지 15 중량%의 CaO, 0.1 내지 5 중량%의 MgO, 0.01 내지 3 중량%의 Al2O3, 0.01 내지 1 중량%의 K2O, 및 임의적으로, 다른 옥사이드(예컨대, Li2O, Fe2O3, TiO2, B2O3)일 수 있다. 또 다른 양태에서, 조성은 약 50 내지 58 중량%의 SiO2, 25 내지 30 중량%의 Al2O3, 6 내지 10 중량%의 CaO, 1 내지 4 중량%의 Na2O/K2O, 및 1 내지 5 중량%의 다른 옥사이드일 수 있다. 또한, 하나의 양태에서, 중공 유리 충전제는 알칼리 금속 옥사이드보다 많은 알칼리토 금속 옥사이드를 포함할 수 있다. 예컨대, 알칼리 금속 옥사이드에 대한 알칼리토 금속 옥사이드의 중량비는 1 초과, 일부 양태에서 약 1.1 이상, 일부 양태에서 약 1.2 내지 약 4, 일부 양태에서 약 1.5 내지 약 3일 수 있다. 상기와 관계없이, 유리 조성물이 이용되는 유리의 유형에 따라 달라질 수 있고 여전히 본 발명에 의해 목적되는 유익을 제공함이 이해되어야 한다.
중공 무기 충전제는 약 1 μm 이상, 일부 양태에서 약 5 μm 이상, 일부 양태에서 약 8 μm 이상, 일부 양태에서 약 1 μm 내지 약 150 μm, 일부 양태에서 약 10 μm 내지 약 150 μm, 일부 양태에서 약 12 μm 내지 약 50 μm인 평균 값을 갖는 하나 이상의 치수를 가질 수 있다. 하나의 양태에서, 이러한 평균 값은 d50 값을 지칭할 수 있다. 또한, 중공 무기 충전제는 약 3 μm 이상, 일부 양태에서 약 4 μm 이상, 일부 양태에서 약 5 μm 내지 약 20 μm, 일부 양태에서 약 6 μm 내지 약 15 μm의 D10을 가질 수 있다. 중공 무기 충전제는 약 10 μm 이상, 일부 양태에서 약 15 μm 이상, 일부 양태에서 약 20 μm 내지 약 150 μm, 일부 양태에서 약 22 μm 내지 약 50 μm의 D90을 가질 수 있다. 이와 관련하여, 중공 무기 충전제는 가우시안(Gaussian), 정규, 또는 비-정규 크기 분포일 수 있는 크기 분포로 존재할 수 있다. 하나의 양태에서, 중공 무기 충전제는 가우시안 크기 분포를 가질 수 있다. 또 다른 양태에서, 중공 무기 충전제는 정규 크기 분포를 가질 수 있다. 추가 양태에서, 중공 무기 충전제는 비-정규 크기 분포를 가질 수 있다. 비-정규 크기 분포의 예는 단정점 및 다정점(예컨대, 2정점) 크기 분포를 포함할 수 있다. 상기 치수를 지칭할 때, 이러한 치수는 임의의 치수일 수 있다. 그러나, 하나의 양태에서, 이러한 치수는 직경을 지칭한다. 예컨대, 치수에 대한 이러한 값은 구의 평균 직경을 지칭한다. 치수, 예컨대, 평균 직경은 3M QCM 193.0에 따라 측정될 수 있다. 이와 관련하여, 하나의 양태에서, 중공 무기 충전제는 중공 구, 예컨대, 중공 유리 구를 지칭할 수 있다. 예컨대, 중공 무기 충전제는 약 1의 평균 종횡비를 가질 수 있다. 일반적으로, 평균 종횡비는 약 0.8 이상, 일부 양태에서 약 0.85 이상, 일부 양태에서 약 0.9 내지 약 1.3, 일부 양태에서 약 0.95 내지 약 1.05일 수 있다.
또한, 중공 무기 충전제는 중합체 조성물의 유전 특성 및 중량 감소에 도움이 되는 비교적 얇은 벽을 가질 수 있다. 벽의 두께는 중공 무기 충전제의 평균 치수, 예컨대, 평균 직경의 약 50% 이하, 일부 양태에서 약 40% 이하, 일부 양태에서 약 1% 내지 약 30%, 일부 양태에서 약 2% 내지 약 25%일 수 있다. 또한, 중공 무기 충전제는 취급이 용이함을 허용하고 중량이 감소된 중합체 조성물을 제공하는 특정 참 밀도(true density)를 가질 수 있다. 일반적으로, 참 밀도는 중공 충전제의 샘플의 질량을 중공 충전제의 상기 질량의 참 부피로 나누어 계산한 몫을 지칭하고, 여기서, 참 부피는 중공 충전제의 집합 총 부피를 지칭한다. 이와 관련하여, 중공 무기 충전제의 참 밀도는 약 0.1 g/cm3　이상, 일부 양태에서 약 0.2 g/cm3　이상, 일부 양태에서 약 0.3 g/cm3 이상 내지 약 1.2 g/cm3, 일부 양태에서 약 0.4 g/cm3 이상 내지 약 0.9 g/cm3일 수 있다. 참 밀도는 3M QCM 14.24.1에 따라 측정될 수 있다.
충전제는 중공성이지만, 충전제가 가공 및/또는 사용 동안 파괴될 가능성을 낮추는 충전제의 구조의 무결성을 유지함을 허용하는 기계적 강도를 가질 수 있다. 이와 관련하여, 중공 무기 충전제의 이소택틱 파쇄 내성(isotactic crush resistance)(즉, 80 부피% 이상, 예컨대, 90 부피% 이상의 중공 충전제가 생존함)은 약 20 MPa 이상, 일부 양태에서 약 100 MPa 이상, 일부 양태에서 약 150 MPa 내지 약 500 MPa, 일부 양태에서 약 200 MPa 내지 약 350 MPa일 수 있다. 이소택틱 파쇄 내성은 3M QCM 14.1.8에 따라 측정될 수 있다.
중공 무기 충전제의 알칼리도는 약 1.0 meq/g 이하, 일부 양태에서 약 0.9 meq/g 이하, 일부 양태에서 약 0.1 meq/g 내지 약 0.8 meq/g, 일부 양태에서 약 0.2 meq/g 내지 약 0.7 meq/g일 수 있다. 알칼리도는 3M QCM 55.19에 따라 측정될 수 있다. 비교적 낮은 알칼리도를 제공하기 위해, 중공 무기 충전제는 적합한 산, 예컨대, 인산으로 처리될 수 있다. 또한, 중공 무기 충전제는 중합체 조성물 내의 중합체 및 다른 성분들과의 더 우수한 호환성을 제공하도록 보조하는 표면 처리도 포함할 수 있다. 예로서, 표면 처리는 실란화일 수 있다. 특히, 표면 처리제는 비제한적으로 아미노실란, 에폭시실란 등을 포함할 수 있다.
사용 시, 중공 무기 충전제는, 예컨대, 중합체 조성물의 약 1 중량% 이상, 일부 양태에서 약 4 중량% 이상, 일부 양태에서 약 5 중량% 내지 약 40 중량%, 일부 양태에서 약 10 중량% 내지 약 30 중량%를 구성할 수 있다.
F. 미립자 충전제
필요한 경우, 미립자 충전제는 중합체 조성물의 특정 특성을 향상시키기 위해 사용될 수 있다. 미립자 충전제는 중합체 조성물에 사용되는 액정 중합체의 100 중량부 당 약 5 내지 약 60 중량부, 일부 양태에서 약 10 내지 약 50 중량부, 일부 양태에서 약 15 내지 약 40 중량부의 양으로 중합체 조성물에 사용될 수 있다. 예컨대, 미립자 충전제는 중합체 조성물의 약 5 중량% 내지 약 50 중량%, 일부 양태에서 약 10 중량% 내지 약 40 중량%, 일부 양태에서 약 15 중량% 내지 약 30 중량%를 구성할 수 있다.
특정 양태에서, 입자는 조성물의 표면 특성을 향상시키는 데 도움이 되는 특정 경도 값을 갖도록 사용될 수 있다. 예컨대, 경도 값은 모스 경도 척도(Mohs hardness scale)를 기준으로 약 2 이상, 일부 양태에서 약 2.5 이상, 일부 양태에서 약 3 내지 약 11, 일부 양태에서 약 3.5 내지 약 11, 일부 양태에서 약 4.5 내지 약 6.5일 수 있다. 이러한 입자의 예는, 예를 들어 실리카(7의 모스 경도), 운모(예컨대, 약 3의 모스 경도); 카보네이트, 예컨대, 칼슘 카보네이트(CaCO3, 3.0의 모스 경도) 또는 구리 카보네이트 하이드록사이드(Cu2CO3(OH)2, 4.0의 모스 경도); 플루오라이드, 예컨대, 칼슘 플루오라이드(CaFl2, 4.0의 모스 경도); 포스페이트, 예컨대, 칼슘 파이로포스페이트((Ca2P2O7, 5.0의 모스 경도), 무수 다이칼슘 포스페이트(CaHPO4, 3.5의 모스 경도), 또는 수화 알루미늄 포스페이트(AlPO4·2H2O, 4.5의 모스 경도); 보레이트, 예컨대, 칼슘 보로실리케이트 하이드록사이드(Ca2B5SiO9(OH)5, 3.5의 모스 경도); 알루미나(AlO2, 10.0의 모스 경도); 설페이트, 예컨대, 칼슘 설페이트(CaSO4, 3.5의 모스 경도) 또는 바륨 설페이트(BaSO4, 3 내지 3.5의 모스 경도) 등, 및 이들의 조합을 포함할 수 있다.
입자의 형상은 필요에 따라 다양할 수 있다. 예컨대, 플레이크-형상(flake-shaped) 입자가 특정 양태에서 사용될 수 있고, 이는, 예컨대, 약 10:1 이상, 일부 양태에서 약 20:1 이상, 일부 양태에서 약 40:1 내지 약 200:1의 상대적으로 높은 종횡비(예컨대, 평균 직경을 평균 두께로 나눔)를 갖는다. 입자의 평균 직경은, 예컨대, 약 5 μm 내지 약 200 μm, 일부 양태에서 약 30 μm 내지 약 150 μm, 일부 양태에서 약 50 μm 내지 약 120 μm일 수 있고, 이는, 예컨대, ISO 13320:2009에 따라 레이저 회절 기법을 사용하여 측정된다(예컨대, 호리바 LA-960 입도 분포 분석기를 사용함). 적합한 플레이크-형상 입자는 천연 및/또는 합성 실리케이트 미네랄, 예컨대, 운모, 할로이사이트, 카올리나이트, 일라이트, 몬모릴로나이트, 버미큘라이트, 팔리고스카이트, 파이로필라이트, 칼슘 실리케이트, 알루미늄 실리케이트, 규회석 등으로부터 형성될 수 있다. 예컨대, 운모가 특히 적합하다. 일반적으로, 임의의 형태의 운모가 사용될 수 있고, 이는, 예컨대, 백운모(KAl2(AlSi3)O10(OH)2), 흑운모(K(Mg,Fe)3(AlSi3)O10(OH)2), 금운모(KMg3(AlSi3)O10(OH)2), 홍운모(K(Li,Al)2- 3(AlSi3)O10(OH)2), 해록석((K,Na)(Al,Mg,Fe)2(Si,Al)4O10(OH)2) 등을 포함한다. 과립성 입자도 사용될 수 있다. 전형적으로, 이러한 입자는 약 0.1 내지 약 10 μm, 일부 양태에서 약 0.2 내지 약 4 μm, 일부 양태에서 약 0.5 내지 약 2 μm의 평균 직경을 갖고, 이는, 예컨대, ISO 13320:2009에 따른 레이저 회절 기법을 사용하여 측정된다(예컨대, 호리바 LA-960 입도 분포 분석기를 사용함). 특히 적합한 과립성 충전제는, 예컨대, 활석, 바륨 설페이트, 칼슘 설페이트, 칼슘 카보네이트 등을 포함할 수 있다.
미립자 충전제는 일차적으로 또는 전적으로 하나의 유형의 입자, 예컨대, 플레이크-형상 입자(예컨대, 운모) 또는 과립성 입자(예컨대, 바륨 설페이트)로부터 형성될 수 있다. 즉, 이러한 플레이크-형상 또는 과립성 입자는 미립자 충전제의 약 50 중량% 이상, 일부 양태에서 약 75 중량% 이상(예컨대, 100 중량%)을 구성할 수 있다. 물론, 다른 양태에서, 플레이크-형상 및 과립성 입자가 조합으로도 사용될 수 있다. 이러한 양태에서, 예컨대, 플레이크-형상 입자는 미립자 충전제의 약 0.5 중량% 내지 약 20 중량%, 일부 양태에서 약 1 중량% 내지 약 10 중량%를 구성할 수 있고, 과립성 입자는 미립자 충전제의 약 80 중량% 내지 약 99.5 중량%, 일부 양태에서 약 90 중량% 내지 약 99 중량%를 구성할 수 있다.
필요한 경우, 입자는, 예컨대, 더 우수한 주형 충전, 내부 윤활, 이형 등을 제공함으로써 조성물의 가공의 개선을 보조하도록 불화된 첨가제로 코팅될 수도 있다. 불화된 첨가제는 플루오로중합체(일부 또는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄화수소 골격 중합체를 함유함)를 포함할 수 있다. 골격 중합체는 폴리올레핀성일 수 있고, 불소-치환된, 불포화된 올레핀 단량체로부터 형성될 수 있다. 플루오로중합체는 불소-치환된 단량체의 동종중합체 또는 불소-치환된 단량체의 공중합체, 또는 불소-치환된 단량체와 비-불소-치환된 단량체의 혼합물일 수 있다. 불소 원자와 함께, 플루오로중합체는 다른 할로겐 원자, 예컨대, 염소 및 브롬 원자로도 치환될 수 있다. 본 발명에 사용하기 위한 플루오로중합체를 형성하기에 적합한 대표적인 단량체는 테트라플루오로에틸렌, 비닐리덴 플루오라이드, 헥사플루오로프로필렌, 클로로트라이플루오로에틸렌, 퍼플루오로에틸비닐 에터, 퍼플루오로메틸비닐 에터, 퍼플루오로프로필비닐 에터 등, 및 이들의 혼합물이다. 적합한 플루오로중합체의 구체적인 예는 폴리테트라플루오로에틸렌, 퍼플루오로알킬비닐 에터, 폴리(테트라플루오로에틸렌-co-퍼플루오로알킬비닐에터), 불화 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리클로로트라이플루오로에틸렌 등, 및 이들의 혼합물을 포함한다.
G. 기타 첨가제
다양한 추가 첨가제도 중합체 조성물에 포함될 수 있고, 이는, 예컨대, 윤활제, 열 전도성 충전제, 안료, 항산화제, 안정화제, 계면활성제, 왁스, 난연제, 적하-방지 첨가제, 조핵제(예컨대, 붕소 니트라이드), 유동 개질제(예컨대, 알루미늄 트라이하이드록사이드), 유전 물질, 및 특성 및 가공성을 강화하기 위해 첨가되는 기타 물질이다. 사용 시, 예컨대, 윤활제 및/또는 유동 개질제는 중합체 조성물의 약 0.05 중량% 내지 약 5 중량%, 일부 양태에서 약 0.1 중량% 내지 약 1 중량%를 구성할 수 있다.
특정 양태에서, 임의적으로. 유전 물질이 유전 상수를 목적하는 범위로 조정하는데 도움이 되도록 사용될 수 있다. 유전 물질은 전형적으로 약 0.1 ohm·cm 내지 약 1 x 1012 ohm·cm, 일부 양태에서 약 0.5 ohm·cm 내지 약 1 x 1011 ohm·cm, 일부 양태에서 약 1 내지 약 1 x 1010 ohm·cm, 일부 양태에서 약 2 내지 약 1 x 108 ohm·cm의 체적 저항률을 갖고, 이는, 예컨대, ASTM D257-14에 따라 약 20℃의 온도에서 측정된다. 이는 목적하는 체적 저항률을 갖는 단일 물질을 선택함으로써, 또는 생성된 배합물이 목적하는 체적 저항률을 갖도록 다수의 물질(예컨대, 절연성 및 전기 전도성)을 함께 배합함으로써 성취될 수 있다. 하나의 양태에서, 예컨대, 무기 옥사이드 물질이 사용될 수 있고, 이는 전압에 대한 전하의 선형 반응(또는 분극)을 나타낼 수 있다. 이러한 물질은 인가된 전기장이 제거된 후, 결정 구조 내의 전하의 전체적인 가역성 분극을 나타낼 수 있다. 상기 목적에 적합한 무기 옥사이드 물질은, 예컨대, 강유전 물질 및/또는 상유전(paraelectric) 물질을 포함할 수 있다. 적합한 강유전 물질의 예는, 예를 들어 바륨 티타네이트(BaTiO3), 스트론튬 티타네이트(SrTiO3), 칼슘 티타네이트(CaTiO3), 마그네슘 티타네이트(MgTiO3), 스트론튬 바륨 티타네이트(SrBaTiO3), 나트륨 바륨 니오베이트(NaBa2Nb5O15), 칼륨 바륨 니오베이트(KBa2Nb5O15), 칼슘 지르코네이트(CaZrO3), 티타나이트(CaTiSiO5), 및 이들의 조합을 포함한다. 마찬가지로, 적합한 상유전 물질의 예는, 예를 들어 티타늄 다이옥사이드(TiO2), 탄탈룸 펜트옥사이드(Ta2O5), 하프늄 다이옥사이드(HfO2), 니오븀 펜트옥사이드(Nb2O5), 알루미나(Al2O3), 아연 옥사이드(ZnO) 등, 및 이들의 조합을 포함한다. 특히 적합한 무기 옥사이드 물질은 TiO2, BaTiO3, SrTiO3, CaTiO3, MgTiO3, BaSrTi2O6 및 ZnO를 포함하는 입자이다. 물론, 다른 유형의 무기 옥사이드 물질(예컨대, 운모)도 유전 물질로서 사용될 수 있다. 마찬가지로, 탄소 물질, 예컨대, 흑연, 카본 블랙 등이 사용될 수 있다.
다양한 기법이 목적하는 체적 저항률의 성취를 보조하는 데 사용될 수 있다. 하나의 양태에서, 예컨대, 0.1 ohm·cm 내지 약 500 ohm·cm, 일부 양태에서 약 0.5 ohm·cm 내지 약 250 ohm·cm, 일부 양태에서 약 1 내지 약 100 ohm·cm, 일부 양태에서 약 2 내지 약 50 ohm·cm의 체적 저항률을 갖는 무기 옥사이드 물질이 사용될 수 있고, 이는 ASTM D257-14에 따라 약 20℃의 온도에서 측정된다. 또 다른 양태에서, 약 1 x 103 내지 약 1 x 1012 ohm·cm, 일부 양태에서 약 1 x 104 내지 약 1 x 1011 ohm·cm, 일부 양태에서 약 1 x 105 내지 약 1 x 1010 ohm·cm, 일부 양태에서 약 1 x 106 내지 약 1 x 108 ohm·cm의 체적 저항률을 갖는 탄소 물질이 사용될 수 있고, 이는, 예컨대, ASTM D257-14에 따라 약 20℃의 온도에서 측정된다.
물론, 전술한 바와 같이, 전기 전도성 물질도 유전 물질의 목적하는 체적 저항률의 성취를 보조하는 데 절연성 물질과 조합으로 사용될 수 있다. 전기 전도성 물질은 일반적으로 약 0.1 ohm·cm 미만, 일부 양태에서 약 1 x 10-8 내지 약 1 x 10-2 ohm·cm의 체적 저항률을 갖고, 절연성 물질은 일반적으로 약 1 x 1012 ohm·cm 초과, 일부 양태에서 약 1 x 1013 내지 약 1 x 1018 ohm·cm의 체적 저항률을 갖는다. 적합한 전기 전도성 물질은, 예컨대, 전기 전도성 탄소 물질(예컨대, 흑연, 카본 블랙, 섬유, 그래핀, 나노튜브 등), 금속 등을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 적합한 절연성 물질은 전술한 무기 옥사이드 물질(예컨대, 입자), 예컨대, 티타늄 다이옥사이드(TiO2)를 포함할 수 있다. 사용 시, 조성물 중 전기 전도성 물질의 중량%에 대한 중합체 조성물 중 절연성 물질의 중량%의 비는 약 3 내지 약 100, 일부 양태에서 약 3 내지 약 50, 일부 양태에서 약 3 내지 약 20, 일부 양태에서 약 7 내지 약 18, 일부 양태에서 약 8 내지 약 15일 수 있다. 예컨대, 전기 전도성 물질은 유전 물질의 약 1 중량% 내지 약 20 중량%, 일부 양태에서 약 3 중량% 내지 약 18 중량%, 일부 양태에서 약 5 중량% 내지 약 15 중량%를 구성할 수 있고, 절연성 물질은 유전 물질의 약 80 중량% 내지 약 99 중량%, 일부 양태에서 82 중량% 내지 약 97 중량%, 일부 양태에서 약 85 중량% 내지 약 95 중량%를 구성할 수 있다.
사용되는 물질과 관계없이, 일반적으로, 중합체 조성물이 목적하는 낮은 유전 상수를 유지할 수 있도록, 유전 물질이 비교적 작은 농도로만 사용됨이 목적된다. 따라서, 사용 시, 유전 물질은 전형적으로 중합체 조성물의 약 10 중량% 이하, 일부 양태에서 약 5 중량% 이하, 일부 양태에서 약 0.001 중량% 내지 약 2 중량%를 구성한다. 실제로, 특정 양태에서, 일반적으로, 중합체 조성물은 이러한 유전 물질을 미함유한다.
II. 형성
중합체 조성물을 형성하는 데 사용되는 성분은 당업계에 공지되어 있는 임의의 다양한 상이한 기법을 사용하여 함께 조합될 수 있다. 하나의 특정 양태에서, 예컨대, 액정 중합체, 레이저 활성화가능 첨가제 및 기타 임의적인 첨가제는 압출기 내에서 혼합물로서 용융 가공되어 중합체 조성물을 형성한다. 혼합물은 단일-축 또는 다-축 압출기에서 약 250℃ 내지 약 450℃의 온도에서 용융-반죽될 수 있다. 하나의 양태에서, 혼합물은 다수의 온도 대역을 포함하는 압출기 내에서 용융 가공될 수 있다. 개별 대역의 온도는 전형적으로 액정 중합체의 융점에 대해 약 -60℃ 내지 약 25℃ 내로 설정된다. 예를 들어, 혼합물은 2축 압출기, 예컨대, 레이스트릿츠 18 mm 동반-회전 완전 맞물림 2축 압출기(Leistritz 18-mm co-rotating fully intermeshing twin screw extruder)를 사용하여 용융 가공될 수 있다. 일반 목적의 축 디자인이 혼합물을 용융 가공하는 데 사용될 수 있다. 하나의 양태에서, 모든 성분을 포함하는 혼합물이 체적측정 공급기에 의해 제1 배럴 내에서 공급 경(feed throat)으로 공급될 수 있다. 또 다른 양태에서, 상이한 성분이 압출기 내의 상이한 첨가 지점에서 첨가될 수 있고, 이는 공지되어 있다. 예컨대, 액정 중합체는 공급 경에서 적용될 수 있고, 특정 첨가제(예컨대, 유전 물질, 레이저 활성화가능 첨가제 및 임의적인 섬유성 충전제)는 이로부터 하류에 위치하는 동일한 온도 대역, 또는 상이한 온도 대역으로 공급될 수 있다. 이와 관계없이, 생성된 혼합물이 용융 및 혼합된 후 다이(die)를 통해 압출될 수 있다. 이어서, 압출된 중합체 조성물이 수욕에서 ??칭(quenching)되어 응고되고 펠리타이저(pelletizer) 내에서 과립화된 후 건조될 수 있다.
생성된 조성물의 용융 점도는 일반적으로 생성된 조성물이 주형의 공동으로 용이하게 유동되어 작은 크기의 회로 기판이 형성되도록 충분히 낮다. 예컨대, 하나의 특정 양태에서, 중합체 조성물은 약 500 Pa·s 이하, 일부 양태에서 약 250 Pa·s 이하, 일부 양태에서 약 5 Pa·s 내지 약 150 Pa·s, 일부 양태에서 약 5 Pa·s 내지 약 100 Pa·s, 일부 양태에서 약 10 Pa·s 내지 약 100 Pa·s, 일부 양태에서 약 15 Pa·s 내지 약 90 Pa·s의 용융 점도를 가질 수 있고, 이는 1,000초-1의 전단 속도에서 측정된다. 용융 점도는 ISO 11443:2005에 따라 측정될 수 있다.
III. 기판
형성 후, 중합체 조성물은 안테나 시스템에서의 사용을 위해 목적하는 형상의 기판으로 성형될 수 있다. 중합체 조성물의 유익한 특성에 기인하여, 생성되는 기판은 매우 작은 크기, 예컨대 약 5 mm 이하, 일부 양태에서 약 4 mm 이하, 일부 양태에서 약 0.5 내지 약 3 mm의 두께를 가질 수 있다. 전형적으로, 형상화된 부품은 1-성분 사출 성형 공정을 사용하여 성형되고, 여기서 건조되고 예열된 플라스틱 과립이 주형으로 사출된다. 전도성 소자는 다양한 방식, 예컨대 도금, 전기도금, 레이저 직접 구조화("LDS") 등을 사용하여 형성될 수 있다. 레이저 활성화가능 첨가제로서 스피넬 결정을 함유할 때, 예를 들어 레이저에 의한 활성화는 물리-화학 반응을 야기할 수 있고, 여기서 스피넬 결정이 파열되어 개방되어 금속 원자가 방출된다. 상기 금속 원자는 금속화(예컨대, 환원성 구리 코팅)를 위한 핵으로서 작용할 수 있다. 또한, 레이저는 미시적으로 불규칙한 표면을 생성하고 중합체 매트릭스를 제거하여, 다수의 미시적 구멍 및 파임(undercut)을 생성하고, 여기서 구리가 금속화 동안 고착될 수 있다.
필요한 경우, 전도성 소자는 생성된 부품이 안테나 시스템을 형성하도록 하는 안테나 소자(예컨대, 안테나 공명 소자)일 수 있다. 전도성 소자는 다양한 상이한 유형의 안테나, 예컨대, 패치 안테나 소자, 역-F 안테나 소자, 폐쇄 및 개방 슬롯 안테나 소자, 루프(loop) 안테나 소자, 모노폴, 다이폴(dipole), 평면 역-F 안테나 소자, 상기 디자인들의 하이브리드 등으로부터 형성된 공명 소자를 갖는 안테나를 형성할 수 있다. 생성된 안테나 시스템은 다양한 상이한 전자 컴포넌트에 사용될 수 있다. 예컨대, 안테나 시스템은 전자 컴포넌트, 예컨대, 데스크탑 컴퓨터, 휴대용 컴퓨터, 휴대용 전자 장치, 자동차 장비 등에 형성될 수 있다. 하나의 적합한 구성에서, 안테나 시스템은 이용가능한 내부 공간이 비교적 작은 비교적 소형의 휴대용 전자 컴포넌트의 하우징(housing)에 형성된다. 적합한 휴대용 전자 컴포넌트의 예는 휴대폰, 랩탑 컴퓨터, 소형 휴대용 컴퓨터(예컨대, 초소형 컴퓨터, 넷북 컴퓨터 및 태블릿 컴퓨터), 손목시계형 장치, 목걸이형 장치, 헤드폰 및 귀에 착용하는 장치, 무선 통신 기능을 갖는 미디어 플레이어, 휴대용 컴퓨터(때로는, 개인용 디지털 어시스턴트(digital assistant)로도 지칭됨), 무선 조종기, 위성 위치 확인(GPS) 장치, 휴대용 게임기 등을 포함한다. 또한, 안테나는 다른 컴포넌트, 예컨대, 휴대용 장치의 카메라 모듈, 스피커 또는 배터리 커버와 함께 집적될 수 있다.
도 1 및 2에 도시된 하나의 특히 적합한 전자 컴포넌트는 휴대폰 기능을 갖는 휴대용 장치(10)이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 장치(10)는 플라스틱, 금속, 기타 적합한 유전 물질, 기타 적합한 전도성 물질, 또는 상기 물질들의 조합으로부터 형성된 하우징(12)을 가질 수 있다. 디스플레이(14), 예컨대, 터치 스크린 디스플레이가 장치(10)의 전방 표면 상에 제공될 수 있다. 또한, 장치(10)는 스피커 포트(40) 및 기타 입력-출력 포트를 가질 수 있다. 하나 이상의 버튼(38) 및 다른 사용자 입력 장치가 사용자의 입력을 종합하는 데 사용될 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 안테나 시스템(26)이 장치(10)의 후방 표면(42) 상에 제공될 수 있지만, 안테나 시스템은 일반적으로 장치의 임의의 목적하는 위치에 위치될 수 있음이 이해되어야 한다. 안테나 시스템은 임의의 다양한 공지 기법을 사용하여 전자 장치 내에서 다른 컴포넌트에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 1 및 2를 다시 참조하면, 예컨대, 하우징(12) 또는 하우징(12)의 부품은 안테나 시스템(26)에 대해 전도성 접지 평면으로서 사용될 수 있다. 이는 도 3에 보다 특정하게 도시되어 있는데, 이는 양성 안테나 피드 단자(positive antenna feed terminal)(54) 및 접지 안테나 피드 단자(56)에서 무선 주파수 소스(52)에 의해 피딩(feeding)되는 안테나 시스템(26)을 나타낸다. 양성 안테나 피드 단자(54)는 안테나 공명 소자(58)에 결합될 수 있고, 접지 안테나 피드 단자(56)는 접지 소자(60)에 결합될 수 있다. 공명 소자(58)는 주 암(main arm)(46) 및 단축 분지(shorting branch)(48)(주 암(46)을 접지 소자(60)에 연결함)를 가질 수 있다.
안테나 시스템을 전기적으로 연결하기 위한 다양한 다른 구성도 고려된다. 도 4에서, 예컨대, 안테나 시스템은 모노폴 안테나 구성을 기반으로 하고, 공명 소자(58)는 굽이지고 구불구불한(meandering serpentine) 경로 형상을 갖는다. 이러한 양태에서, 피드 단자(54)는 공명 소자(58)의 한쪽 끝에 연결될 수 있고, 접지 피드 단자(56)는 하우징(12) 또는 또 다른 적합한 접지 평면 소자에 결합될 수 있다. 도 5에 도시된 또 다른 양태에서, 전도성 안테나 소자(62)는 폐쇄 슬롯(64) 및 개방 슬롯(66)을 한정하도록 구성된다. 안테나 구조(62)로부터 형성된 안테나는 양성 안테나 피드 단자(54) 및 접지 안테나 피드 단자(56)를 사용하여 피딩될 수 있다. 이러한 유형의 배열에서, 슬롯들(64 및 66)은 안테나 소자(26)에 대한 안테나 공명 소자로서 사용된다. 슬롯들(64 및 66)의 크기는 안테나 소자(26)가 목적하는 통신 대역(예컨대, 2.4 GHz 및 5 GHz 등)에서 작동하도록 구성될 수 있다. 안테나 시스템(26)에 대해 또 다른 가능한 구성은 도 6에 도시되어 있다. 이러한 양태에서, 안테나 소자(26)는 패치 안테나 공명 소자(68)를 갖고, 양성 안테나 피드 단자(54) 및 접지 안테나 피드 단자(56)를 사용하여 피딩될 수 있다. 접지 소자(60)는 하우징(12) 또는 장치(10) 내의 다른 적합한 접지 평면 소자와 회합될 수 있다. 도 7은 안테나 시스템(26)의 안테나 소자들에 사용될 수 있는 또 다른 예시적인 구성을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 안테나 공명 소자(58)는 2개의 주 암(46A 및 46B)을 갖는다. 암 46A는 암 46B보다 짧고, 이에 따라 암 46A보다 더 높은 작동의 주파수와 회합된다. 상이한 크기의 2개 이상의 개별 공명 소자 구조를 사용함으로써, 안테나 공명 소자(58)가 구성되어 대상이 되는 단일 통신 대역을 넘는 더 넓은 대역대를 포괄할 수 있다.
본 발명의 특정 양태에서, 중합체 조성물은 5G 시스템의 기지국, 중계기(예를 들어, "펨토셀(femtocell)"), 중계국, 단자, 사용자 장치 및/또는 다른 적합한 컴포넌트에서 사용하기 위한 고 주파수 안테나 및 안테나 어레이에 특히 적합할 수 있다. 본원에 사용된 "5G"는 일반적으로 무선 주파수 신호를 통한 고속 데이터 통신을 의미한다. 5G 네트워크와 시스템은 이전 세대의 데이터 통신 표준(예컨대, "4G", "LTE")보다 훨씬 빠른 속도로 데이터를 통신할 수 있다. 예컨대, 본원에 사용된 "5G 주파수"는 1.5 GHz 이상, 일부 양태에서 약 2.0 GHz 이상, 일부 양태에서 약 2.5 GHz 이상, 일부 양태에서 약 3.0 GHz 이상, 일부 양태에서 약 3 GHz 내지 약 300 GHz 이상, 일부 양태에서 약 4 GHz 내지 약 80 GHz, 일부 양태에서 약 5 GHz 내지 약 80 GHz, 일부 양태에서 약 20 GHz 내지 약 80 GHz, 일부 양태에서 약 28 GHz 내지 약 60 GHz인 주파수를 지칭할 수 있다. 5G 통신의 요구 사항을 정량화하는 다양한 표준 및 사양이 발표되었다. 한 예로, 국제통신연합(ITU)은 2015년 국제 모바일 통신-2020("IMT-2020") 표준을 발표했다. IMT-2020 표준은 5G에 대한 다양한 데이터 송신 기준(예컨대, 다운링크(downlink) 및 업링크(uplink) 데이터 속도, 대기 시간 등)을 특정한다. IMT-2020 표준은 5G 시스템이 지원해야 하는 데이터를 업로드하고 다운로드하기 위한 최소 데이터 속도로서 업링크 및 다운링크 피크 데이터 속도를 정의한다. IMT-2020 표준은 다운링크 피크 데이터 속도 요구 사항을 20 Gbit/s로 설정하고 업링크 피크 데이터 속도를 10 Gbit/s로 설정한다. 또 다른 예로, 3세대 파트너십 프로젝트(3GPP)는 최근 "5G NR"이라고 불리는 5G에 대한 새로운 표준을 발표했다. 3GPP는 5G NR의 표준화를 위한 "1단계"를 정의하는 "릴리즈 15(Release 15)"를 2018년에 발표했다. 3GPP는 일반적으로 5G 주파수 대역을 서브-6 GHz 주파수를 포함하는 "주파수 범위 1"(FR1) 및 20 내지 60 GHz의 주파수 대역인 "주파수 범위 2"(FR2)로 정의된다. 본원에 기재된 안테나 시스템은 3GPP에 의해 발표된 표준, 예컨대, 릴리즈 15(2018), 및/또는 IMT-2020 표준 하에 "5G"로서 충족되거나 인증받을 수 있다.
고 주파수에서 고속 데이터 통신을 성취하기 위해, 안테나 소자 및 어레이는 안테나 성능을 향상시킬 수 있는 작은 특징 크기(feature size)/이격(예컨대, 미세 피치 기술)을 사용할 수 있다. 예를 들어, 특징 크기(안테나 소자 간의 이격, 안테나 소자의 너비) 등은 일반적으로 안테나 소자가 그 위에 형성되는 기판 유전체를 통해 전파되는 원하는 송신 및/또는 수신 무선 주파수의 파장("λ")에 의존한다(예를 들어, nλ/4이고, n은 정수임). 또한, 빔 포밍(beam forming) 및/또는 빔 스티어링(beam steering)은 다중 주파수 범위 또는 채널(예컨대, 다중-인-다중-아웃(MIMO), 대규모 MIMO)에서 수신 및 송신을 용이하게 하기 위해 사용될 수 있다.
고 주파수 5G 안테나 소자는 다양한 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 5G 안테나 소자는 공면 도파관 소자, 패치 어레이(patch array)(예컨대, 메쉬-그리드 패치 어레이(mesh-grid patch array)), 기타 적합한 5G 안테나 구성이거나 이를 포함할 수 있다. 안테나 소자는 MIMO, 대규모 MIMO 기능성, 빔 스티어링 등을 제공하도록 구성될 수 있다. 본원에 사용된 "대규모" MIMO 기능성은 일반적으로 안테나 어레이를 사용하여 다수 송신 및 수신 채널, 예를 들어, 8개의 송신(Tx) 및 8개의 수신(Rx) 채널(약어로 8x8)을 제공하는 것을 의미한다. 대규모 MIMO 기능성은 8x8, 12x12, 16x16, 32x32, 64x64 이상으로 제공될 수 있다.
안테나 소자는 다양한 구성 및 배열을 가질 수 있고 다양한 제조 기술을 사용하여 제작될 수 있다. 한 예로, 안테나 소자 및/또는 관련 소자(예컨대, 접지 소자, 피드 라인(feed line) 등)는 미세 피치 기술을 사용할 수 있다. 미세 피치 기술은 일반적으로 컴포넌트 또는 리드 사이의 작거나 미세한 이격을 의미한다. 예를 들어, 안테나 소자 사이(또는 안테나 소자와 접지 평면 사이)의 특징 치수 및/또는 이격은 약 1,500 μm 이하, 일부 양태에서 1,250 μm 이하, 일부 양태에서 750 μm 이하(예를 들어, 1.5 mm 이하의 중심-중심 이격), 650 μm 이하, 일부 양태에서 550 μm 이하, 일부 양태에서 450 μm 이하, 일부 양태에서 350 μm 이하, 일부 양태에서 250 μm 이하, 일부 양태에서 150 μm 이하, 일부 양태에서 100 μm 이하, 일부 양태에서 50 μm 이하일 수 있다. 그러나, 더 작고/작거나 큰 특징 크기 및/또는 이격이 본 개시내용의 범주 내에서 사용될 수 있음을 이해해야 한다.
이러한 작은 특징 치수의 결과로서, 안테나 시스템은 작은 공간 내의 다수의 안테나 소자에 의해 성취될 수 있다. 예를 들어, 안테나 어레이는 cm2당 1,000개 초과의 안테나 소자, 일부 양태에서 cm2당 2,000개 초과의 안테나 소자, 일부 양태에서 cm2당 3,000개 초과의 안테나 소자, 일부 양태에서 cm2당 4,000개 초과의 안테나 소자, 일부 양태에서 cm2당 6,000개 초과의 안테나 소자, 일부 양태에서 cm2당 약 8,000개 초과의 안테나 소자의 평균 안테나 소자 밀도를 가질 수 있다. 안테나 소자의 이러한 소형화 배열은 안테나 영역의 단위 영역당 MIMO 기능성에 대한 더 많은 채널을 제공할 수 있다. 예를 들어, 채널 수는 안테나 소자의 수에 상응할 수 있다(예를 들어, 동일하거나 비례할 수 있음).
도 8을 참조하면, 5G 안테나 시스템(100)을 위한 기지국(102), 하나 이상의 중계국(104), 하나 이상의 사용자 컴퓨팅 장치(106), 하나 이상의 Wi-Fi 중계기(108)(예컨대, "펨토셀") 및/또는 기타 적합한 안테나 컴포넌트를 또한 포함하는 5G 안테나 시스템(100)의 하나의 양태가 도시된다. 상기 중계국(104)은 기지국(102)과 사용자 컴퓨팅 장치(106) 및/또는 중계국(104) 사이에서 중계(relaying) 또는 "리피팅(repeating)"함으로써 기지국(102)과의 통신을 사용자 컴퓨팅 장치(106) 및/또는 기타 중계국(104)에 의해 용이하게 하도록 구성될 수 있다. 기지국(102)은 무선 주파수 신호(112)를 중계국(104), Wi-Fi 중계기(108)와 수신 및/또는 송신하고/거나 사용자 컴퓨팅 장치(106)와 직접 수신 및/또는 송신하도록 구성된 MIMO 안테나 어레이(110)를 포함할 수 있다. 사용자 컴퓨팅 장치(306)는 본 발명에 의해 반드시 제한되는 것은 아니고 5G 스마트폰과 같은 장치를 포함한다.
MIMO 안테나 어레이(110)는 중계국(104)에 대하여 빔 스티어링을 사용하여 무선 주파수 신호(112)에 초점을 맞추거나 이를 지향할 수 있다. 예를 들어, MIMO 안테나 어레이(110)는 X-Y 평면에 대한 고각(elevation angle)(114) 및/또는 Z-Y 평면에서 정의되고 Z 방향에 대한 지향각(heading angle)(116)을 조정하도록 구성될 수 있다. 유사하게, 중계국(104), 사용자 컴퓨팅 장치(106) 및 Wi-Fi 중계기(108) 중 하나 이상은 빔 스티어링을 사용하여, 기지국(102)의 MIMO 안테나 어레이에 대한 장치 104, 106, 108의 감도 및/또는 출력 송신의 방향을 조정함(예컨대, 각각의 장치의 상대적 고각 및/또는 상대적 방위각 중 하나 또는 둘 다를 조정함)으로써 MIMO 안테나 어레이(110)에 대하여 수신 및/또는 송신 능력을 향상시킬 수 있다.
도 9a 및 9b는 예시적인 사용자 컴퓨팅 장치(106)의 하향도 및 측면도를 각각 도시한 것이다. 사용자 컴퓨팅 장치(106)는 하나 이상의 안테나 소자(200, 202)를 포함할 수 있다(예를 들어, 각각의 안테나 어레이로 배열됨). 도 9a를 참조하면, 안테나 소자(200, 202)는 X-Y 평면에서 빔 스티어링을 수행하도록 구성될 수 있다(화살표 204, 206으로 도시되고 상대 방위각에 상응함). 도 9b를 참조하면, 안테나 소자(200, 202)는 Z-Y 평면에서 빔 스티어링을 수행하도록 구성될 수 있다(화살표 204, 206에 의해 도시됨).
도 10은 각각의 피드 라인(304)(예를 들어, 프론트 엔드 모듈(front end module))을 사용하여 연결된 다수의 안테나 어레이(302)의 단순화된 개략도를 도시한 것이다. 안테나 어레이(302)는 기판(308)의 측표면(306)에 장착될 수 있고, 이는 본 발명의 중합체 조성물로부터 형성될 수 있다. 안테나 어레이(302)는 수직으로 연결된 다수의 소자(예를 들어, 메쉬-그리드 어레이)를 포함할 수 있다. 따라서, 안테나 어레이(302)는 일반적으로 기판(308)의 측표면(306)과 평행하게 연장될 수 있다. 차폐(shielding)는 안테나 어레이(302)가 기판(308)에 대하여 차폐 외부에 위치하도록 기판(308)의 측표면(306) 상에 임의적으로 제공될 수 있다. 안테나 어레이(302)의 수직 연결된 소자 사이의 수직 이격 거리(spacing distance)는 안테나 어레이(320)의 "특징 크기"에 상응할 수 있다. 이와 같이, 일부 양태에서, 이러한 이격 거리는 안테나 어레이(302)가 "미세 피치" 안테나 어레이(302)가 되도록 상대적으로 작을 수 있다(예를 들어, 약 750 μm 미만).
도 11은 공면 도파관 안테나(400) 구성의 측면도를 도시한 것이다. 하나 이상의 공면 접지 층(402)은 안테나 소자(404)(예를 들어, 패치 안테나 소자)와 평행하게 배열될 수 있다. 또 다른 접지 층(406)은 기판(408)에 의해 안테나 소자로부터 떨어져 이격될 수 있고, 이는 본 발명의 중합체 조성물로부터 형성될 수 있다. 하나 이상의 추가 안테나 소자(410)는 제2층 또는 기판(412)에 의해 안테나 소자(404)와 떨어져 이격될 수 있고, 이는 또한 본 발명의 중합체 조성물로부터 형성될 수 있다. 치수 "G" 및 "W"는 안테나(400)의 "특징 크기"에 상응할 수 있다. 상기 "G" 치수는 안테나 소자(404)와 공면 접지 층(406) 사이의 거리에 상응할 수 있다. "W" 치수는 안테나 소자(404)의 너비(예컨대, 선폭)에 상응할 수 있다. 이와 같이, 일부 양태에서, 치수 "G" 및 "W"는 안테나(400)가 "미세 피치" 안테나(400)이도록 상대적으로 작을 수 있다(예를 들어, 약 750 μm 미만).
도 12a는 본 개시내용의 다른 양상에 따른 안테나 어레이(500)를 도시한 것이다. 안테나 어레이(500)는 기판(510)(본 발명의 중합체 조성물로부터 형성될 수 있음)과 기판 상에 형성된 다수의 안테나 소자(520)를 포함할 수 있다. 다수의 안테나 소자(520)는 X-방향 및/또는 Y-방향으로 크기가 대략 동일할 수 있다(예컨대, 정사각형 또는 직사각형). 다수의 안테나 소자(520)는 X-방향 및/또는 Y-방향으로 대략 동일하게 떨어져 이격될 수 있다. 안테나 소자(520) 및/또는 이들 사이의 이격의 치수는 안테나 어레이(500)의 "특징 크기"에 상응할 수 있다. 이와 같이, 일부 양태에서, 치수 및/또는 이격은 안테나 어레이(500)가 "미세 피치" 안테나 어레이(500)이도록 상대적으로 작을 수 있다(예를 들어, 약 750 μm 미만). 타원(522)에 의해 도시된 바와 같이, 도 12에 도시된 안테나 소자(520)의 열 개수는 단지 예로서 제공된다. 유사하게, 안테나 소자(520)의 행 개수는 단지 예로서 제공된다.
조정된 안테나 어레이(500)는, 예를 들어 기지국(예컨대, 도 8과 관련하여 상술한 바와 같이)에서 대규모 MIMO 기능성을 제공하는 데 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 다양한 소자 간의 무선 주파수 상호 작용을 제어하거나 조정하여 다중 송신 및/또는 수신 채널을 제공할 수 있다. 송신 전력 및/또는 수신 감도는, 예를 들어 도 8의 무선 주파수 신호(112)에 대하여 설명된 바와 같이, 무선 주파수 신호에 초점을 두거나 이를 지향하도록 방향이 제어될 수 있다. 조정된 안테나 어레이(500)는 작은 공간에 많은 수의 안테나 소자(522)를 제공할 수 있다. 예를 들어, 조정된 안테나(500)는 cm2당 1,000개 이상의 안테나 소자의 평균 안테나 소자 밀도를 가질 수 있다. 이러한 소형화된 안테나 소자 배열은 단위 영역당 MIMO 기능성을 위한 더 많은 수의 채널을 제공할 수 있다. 예를 들어, 채널 수는 안테나 소자의 수에 상응할 수 있다(예를 들어, 동일하거나 비례할 수 있음).
도 12b는 레이저 직접 구조화로 형성된 안테나 어레이(540)를 도시한 것이고, 이는 안테나 소자를 형성하는 데 임의적으로 사용될 수 있다. 안테나 어레이(540)는 다수의 안테나 소자(542), 및 안테나 소자(542)를 (예를 들어, 다른 안테나 소자(542), 프론트 엔드 모듈, 또는 기타 적합한 컴포넌트와) 연결하는 다수의 피드 라인(544)을 포함할 수 있다. 안테나 소자(542)는 각각의 너비 "w"와 (예컨대, 각각 X-방향 및 Y-방향으로) 이 사이의 이격 거리 "S1" 및 "S2"를 가질 수 있다. 이러한 치수는 원하는 5G 주파수에서 5G 무선 주파수 통신을 달성하기 위해 선택될 수 있다. 보다 구체적으로, 5G 주파수 스펙트럼 내에 있는 무선 주파수 신호를 사용하여 데이터의 송신 및/또는 수신을 위한 안테나 어레이(540)를 조정하도록 치수를 선택할 수 있다. 치수는 기판의 물질 특성에 따라 선택될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 "w", "S1" 또는 "S2"는 기판 물질을 통한 목적하는 주파수의 전파 파장("λ")의 배수에 상응할 수 있다(예를 들어, nλ/4이고, n은 정수임).
한 예로, λ는 다음과 같이 계산될 수 있다:
λ =
Figure pct00002
상기 식에서,
c는 진공에서 빛의 속도이고;
Figure pct00003
은 기판(또는 주변 물질)의 유전 상수이고;
f는 목적하는 주파수이다.
도 12c는 본 개시내용의 양상에 따른 예시적인 안테나 구성(560)을 도시한 것이다. 안테나 구성(560)은 기판(564)의 긴 가장자리에 평행하게 배열된 다중 안테나 소자(562)를 포함할 수 있고, 이는 본 발명의 중합체 조성물로부터 형성될 수 있다. 다양한 안테나 소자(562)는 각각의 길이, 즉 "L"(및 이들 사이의 이격 거리)을 가질 수 있고, 이는 목적하는 주파수 및/또는 주파수 범위에서 수신 및/또는 송신을 위해 안테나 구성(560)을 조정한다. 보다 구체적으로, 이러한 치수는, 예를 들어, 도 12b에 대해 전술한 바와 같이, 기판 물질에 대한 목적하는 주파수에서의 전파 파장, 즉 λ를 기준으로 선택될 수 있다.
도 13a 내지 13c는 본 개시내용의 양상에 따라 안테나 소자 및/또는 어레이를 형성하는 데 사용될 수 있는 레이저 직접 구조화 제조 공정의 단순화된 순차 다이어그램을 도시한 것이다. 도 13a를 참조하면, 기판(600)은 임의의 목적하는 기술(예컨대, 사출 성형)을 사용하여 본 발명의 중합체 조성물로부터 형성될 수 있다. 특정 양태에서, 도 13b를 참조하면, 레이저(602)는 레이저 활성화가능 첨가제를 활성화하여 하나 이상의 안테나 소자 및/또는 어레이를 포함할 수 있는 회로 패턴(604)을 형성하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 레이저는 회로 패턴(604)을 형성하기 위해 중합체 조성물에서 전도성 입자를 용융할 수 있다. 도 13c를 참조하면, 기판(600)은 무-전기(electroless) 구리 욕에 담궈져 회로 패턴(604)을 도금하고 안테나 소자, 소자 어레이, 기타 컴포넌트 및/또는 이들 사이의 전도성 라인을 형성할 수 있다.
본 발명은 하기 실시예를 참조하여 더 잘 이해될 수 있다.
시험 방법
용융 점도: 용융 점도(Pa·s)는 ISO 시험 번호 11443:2005에 따라 400초-1의 전단 속도로 융점보다 15℃ 높은 온도(예컨대, 약 350℃)에서 다이니스코 LCR7001(Dynisco LCR7001) 모세관 유량계를 사용하여 측정될 수 있다. 유량계 구멍(다이)은 1 mm의 직경, 20 mm의 길이, 20.1의 L/D 비, 및 180°의 진입 각을 가졌다. 배럴(barrel)의 직경은 9.55 mm + 0.005 mm였고, 막대의 길이는 233.4 mm였다.
융점: 융점("Tm")은 시차 주사 열량분석("DSC")에 의해 측정될 수 있고, 이는 당업계에 공지되어 있다. 융점은 ISO 시험 번호 11357-2:2013에 따라 측정된 시차 주사 열량분석(DSC) 피크 융점이다. DSC 절차하에, TA Q2000 계기 상에서 수행되는 DSC 측정을 사용하는 ISO 표준 10350에 언급된 바와 같이 샘플을 20 ℃/분으로 가열하고 냉각하였다.
하중 하에서의 굴곡 온도(" DTUL "): 하중 하에서의 굴곡 온도는 ISO 시험 번호 75-2:2013(ASTM D648-07에 기법상 등가임)에 따라 측정될 수 있다. 보다 특히, 80 mm의 길이, 10 mm의 두께, 및 4 mm의 너비를 갖는 시험 세편 샘플이 가장자리식 3-점 굽힘 시험(edgewise three-point bending test)에 적용될 수 있고, 여기서 특정된 하중(최대 외부 섬유 응력)은 1.8 MPa였다. 시편은 실리콘 오일 욕에 담궈질 수 있고, 온도는 상기 시편이 0.25 mm(ISO 시험 번호 75-2:2013에 대해서는 0.32 mm) 굴곡될 때까지 2 ℃/분으로 증가된다.
인장 탄성률, 인장 응력, 및 인장 연신율: 인장 특성들은 ISO 시험 번호 527:2012(ASTM D638-14에 기법상 등가임)에 따라 시험될 수 있다. 탄성률 및 강도 측정은 80 mm의 길이, 10 mm의 두께, 및 4 mm의 너비를 갖는 동일한 시험 세편 샘플에서 수행될 수 있다. 시험 온도는 약 23℃일 수 있고, 시험 속도는 1 또는 5 mm/분일 수 있다.
굴곡 탄성률, 굴곡 응력, 및 굴곡 연신율: 굴곡 특성들은 ISO 시험 번호 178:2010(ASTM D790-10에 기법상 등가임)에 따라 시험될 수 있다. 본 시험은 64 mm 지지 스팬(support span)에서 수행될 수 있다. 시험은 미절단된 ISO 3167 다목적 바(bar)의 중심 부분에서 수행될 수 있다. 시험 온도는 약 23℃일 수 있고, 시험 속도는 2 mm/분일 수 있다.
비- 노치 및 노치 샤피 충격 강도( Unnotched and Notched Charpy Impact Strength): 샤피 특성들은 ISO 시험 번호 ISO 179-1:2010(ASTM D256-10, 방법 B에 기법상 등가임)에 따라 시험될 수 있다. 본 시험은 유형 1 시편 크기(80 mm의 길이, 10 mm의 너비, 및 4 mm의 두께)를 사용하여 수행될 수 있다. 노치 충격 강도 시험 시, 노치는 유형 A 노치(Type A notch)(0.25 mm 기본 반경)일 수 있다. 시편은 단일 투스 밀링 장치(single tooth milling machine)를 사용하여 다목적 바의 중심으로부터 절단될 수 있다. 시험 온도는 약 23℃일 수 있다.
유전 상수(" D k ") 및 유전손실 계수(" D f "): 유전 상수(또는 상대 정적 유전율(relative static permittivity)) 및 유전손실 계수는 공지된 스플릿-포스트 유전체 공명기 기법(split-post dielectric resonator technique)(예컨대, 문헌[Baker-Jarvis, et al., IEEE Trans. on Dielectric and Electrical Insulation, 5(4), p. 571 (1998)] 및 [Krupka, et al., Proc . 7 th International Conference on Dielectric Materials: Measurements and Applications, IEEE Conference Publication No. 430 (Sept. 1996)]에 기재됨)을 사용하여 측정된다. 보다 특히, 80 mm x 80 mm x 1 mm의 크기를 갖는 플라크 샘플(plaque sample)을 2개의 고정된 유전체 공명기 사이에 삽입하였다. 공명기는 시편의 평면 내의 유전율 성분을 측정하였다. 5개의 샘플을 시험하고, 평균값을 기록한다. 스플릿-포스트 공명기는 낮은 기가헤르츠 영역, 예컨대, 1 내지 2 GHz에서 유전체 측정을 하는 데 사용될 수 있다.
열 주기 시험: 시편을 온도 제어 챔버에 넣고 -30℃ 내지 100℃의 온도 범위 내에서 가열/냉각하였다. 초기에, 샘플을 100℃의 온도에 도달할 때까지 가열하고, 이때 즉시 냉각하였다. 온도가 -30℃에 도달했을 때, 시편을 즉시 다시 100℃에 도달할 때까지 가열하였다. 23개의 가열/냉각 사이클은 3시간의 기간에 걸쳐 수행될 수 있다.
실시예 1
샘플 1 내지 7을 액정 중합체(LCP 1 및 LCP 2), 구리 크로마이트 충전제(CuCr2O4), 유리 섬유, 알루미나 트라이하이드레이트("ATH"), 윤활제(폴리에틸렌 왁스), 및 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE 1 및 PTFE 2)의 다양한 조합으로부터 형성하였다. LCP 1은 43% HBA, 20% NDA, 9% TA, 및 28% HQ로부터 형성하였다. LCP 2는 60% HBA, 4% HNA, 18% TA, 및 18% BP로부터 형성하였다. PTFE 1는 4 μm의 D50 입자 크기를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌의 분말이고, PTFE 2는 4 μm의 D50 입자 크기를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌의 분말이다. 화합은 18 mm 단일-축 압출기를 사용하여 수행하였다. 샘플을 플라크(60 mm x 60 mm)에 넣어 부품을 사출 성형하였다.
1 2 3 4 5 6 7
LCP 1 77.6 78 80 73 68 73 68
LCP 2 17.6 - - - - - -
유리 섬유 15 15 13 15 15 15 15
알루미나 트라이하이드레이트 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
윤활제 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
구리 크로마이트 4.4 6.6 6.6 6.6 6.6 6.6 6.6
PTFE 1 - - - 5 10 - -
PTFE 2 - - - - - 5 10
샘플 1 내지 7을 열적 및 기계적 특성에 대해 시험하였다. 결과를 하기 표 2에 나타냈다.
샘플 1 2 3 4 5 6 7
유전 상수(2 GHz) 3.73 3.69 3.64 3.66 3.6 3.7 3.6
유전손실 계수(2 GHz) 0.0056 0.0036 0.0035 0.0042 0.0038 0.0036 0.004
유전 상수(10 GHz) - - - 3.74 - - -
유전손실 계수(10 GHz) - - - 0.0037 - - -
1.8 MPa에서의 DTUL(℃) 239 282 278 258 277 277 270
샤피 노치(kJ/m2) 51 45 52 68 53 44 19
샤피 비-노치(kJ/m2) 58 57 60 80 77 55 36
인장 강도(MPa) 134 142 140 129 113 164 126
인장 탄성률(MPa) 10,547 12,090 11,880 8,971 10,026 12,666 12,359
인장 연신율(%) 3.08 2.56 2.58 3.74 2.98 2.82 1.7
굴곡 강도(MPa) 158 189 189 140 143 191 174
굴곡 탄성률(MPa) 9,834 10,601 10,510 8,725 9,921 11,314 11,061
굴국 연신율(%) >3.5 >3.5 >3.5 >3.5 >3.5 3.24 3.33
1,000초-1에서의 용융 점도(Pa·s) 24 36 37 30 44 44 62
용융 온도(℃, DSC의 제1 가열) 309.98 320.26 320.58 324.25 324.65 320.76 322.95
실시예 2
샘플 8을 액정 중합체(LCP 2 및 LCP 3), 중공 유리 구, 유리 분말, 유리 섬유, 및 알루미나 트라이하이드레이트로부터 형성하였다. LCP 3은 48% HNA, 2% HBA, 25% BP, 및 25% TA로부터 형성하였다. 유리 분말은 1 GHz의 주파수에서 측정된 4.8의 유전 상수를 가졌다. 화합은 25 mm 단일-축 압출기를 사용하여 수행하였다.
샘플 8
LCP 3 49.8
LCP 2 15.4
중공 유리 구 17.0
유리 분말 1.0
유리 섬유(4 mm 길이) 10.0
알루미나 트라이하이드레이트 0.2
구리 크로마이트 6.6
이이서, 샘플을 열적 및 기계적 강도에 대해 시험하였다. 결과를 하기 표 4에 나타냈다.
샘플 8
유전 상수(2 GHz) 3.07
유전손실 계수(2 GHz) 0.0043
유전 상수(10 GHz) 3.14
유전손실 계수(10 GHz) 0.0035
1,000초-1에서의 용융 점도(Pa-s) 55.5
400초-1에서의 용융 점도(Pa-s) 88.9
용융 온도(℃) 338.6
1.8 MPa에서의 DTUL(℃) 217
인장 강도(MPa) 81
인장 탄성률(MPa) 7,658
인장 연신율(%) 1.41
굴곡 강도(MPa) 116
굴곡 탄성률(MPa) 7,241
굴국 연신율(%) 1.91
샤피 노치 충격 강도(kJ/m2) 3.1
샤피 비-노치 충격 강도(kJ/m2) 7.3
본 발명의 상기 및 다른 변형 및 변경은 본 발명의 사상 및 범주를 벗어남 업이 당업자에 의해 실시될 수 있다. 또한, 다양한 양태의 양상이 전체적 또는 부분적으로도 상호교환될 수 있음이 이해되어야 한다. 또한, 당업자는 전술한 설명이 단지 예시적인 것이고 첨부된 청구범위에 추가 기재된 본 발명을 제한하지 않고자 함을 이해할 것이다.

Claims (48)

  1. 하나 이상의 레이저 활성화가능 첨가제(laser activatable additive); 및
    약 10 몰% 이상의 양의 나프텐성(naphthenic) 하이드록시카복실산 및/또는 다이카복실산으로부터 유도된 하나 이상의 고 나프텐성 열방성 액정 중합체(high naphthenic thermotropic liquid crystalline polymer)
    를 포함하는 레이저 활성화가능 중합체 조성물로서,
    2 GHz의 주파수에서 측정된 약 5 이하의 유전 상수(dielectric constant)를 나타내는 중합체 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    약 200℃ 내지 약 400℃의 융점을 갖는 중합체 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    액정 중합체가 중합체 조성물의 약 40 중량% 내지 약 99 중량%를 구성하는, 중합체 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    고 나프텐성 열방성 액정 중합체가 하나 이상의 방향족 다이카복실산, 하나 이상의 방향족 하이드록시카복실산 또는 이들의 조합으로부터 유도된 반복 단위를 함유하는, 중합체 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    방향족 하이드록시카복실산이 4-하이드록시벤조산, 6-하이드록시-2-나프토산 또는 이들의 조합을 포함하는, 중합체 조성물.
  6. 제4항에 있어서,
    방향족 하이드록시카복실산이 테레프탈산, 이소프탈산, 2,6-나프탈렌다이카복실산 또는 이들의 조합을 포함하는, 중합체 조성물.
  7. 제4항에 있어서,
    고 나프텐성 열방성 액정 중합체가 하나 이상의 방향족 다이올로부터 유도된 반복 단위를 추가로 함유하는, 중합체 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    방향족 다이올이 하이드로퀴논, 4,4'-바이페놀 또는 이들의 조합을 포함하는, 중합체 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    고 나프텐성 열방성 액정 중합체가 완전히 방향족인, 중합체 조성물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    고 나프텐성 열방성 액정 중합체가 약 10 몰% 이상의 양의 2,6-나프탈렌다이카복실산으로부터 유도된 반복 단위를 함유하는, 중합체 조성물.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    액정 중합체가 약 30 몰% 이상의 양의 6-하이드록시-2-나프토산으로부터 유도된 반복 단위를 함유하는, 중합체 조성물.
  12. 제10항에 있어서,
    액정 중합체가 약 50 몰% 이상의 양의 6-하이드록시-2-나프토산으로부터 유도된 반복 단위를 함유하는, 중합체 조성물.
  13. 제10항에 있어서,
    액정 중합체가 약 70 몰% 이상의 양의 6-하이드록시-2-나프토산으로부터 유도된 반복 단위를 함유하는, 중합체 조성물.
  14. 제10항에 있어서,
    액정 중합체가 약 0.1 내지 약 40의 몰비의 6-하이드록시-2-나프토산 및 4-하이드록시벤조산으로부터 유도된 반복 단위를 함유하는, 중합체 조성물.
  15. 제10항에 있어서,
    액정 중합체가 약 1 내지 약 5의 몰비의 6-하이드록시-2-나프토산 및 4-하이드록시벤조산으로부터 유도된 반복 단위를 함유하는, 중합체 조성물.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    고 나프텐성 열방성 액정 중합체가 ISO 62-1:2008에 따라 24시간 동안 물에 액침된 후, 약 0.015% 이하의 물 흡수를 나타내는, 중합체 조성물.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    고 나프텐성 열방성 액정 중합체가 ISO 62-4:2008에 따라 23℃의 온도에서 50%의 상대 습도에 노출된 후, 약 0.01% 이하의 수분 흡수를 나타내는, 중합체 조성물.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    레이저 활성화가능 첨가제가 하기 화학식의 스피넬 결정(spinel crystal)을 함유하는, 중합체 조성물:
    AB2O4
    상기 식에서,
    A는 2의 원자가를 갖는 금속 양이온이고;
    B는 3의 원자가를 갖는 금속 양이온이다.
  19. 제18항에 있어서,
    스피넬 결정이 MgAl2O4, ZnAl2O4, FeAl2O4, CuFe2O4, CuCr2O4, MnFe2O4, NiFe2O4, TiFe2O4, FeCr2O4, MgCr2O4 또는 이들의 조합을 포함하는, 중합체 조성물.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    유전 물질(dielectric material)을 미함유하는 중합체 조성물.
  21. 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 이상의 섬유성 충전제를 추가로 함유하는 중합체 조성물.
  22. 제21항에 있어서,
    섬유성 충전제가 유리 섬유를 포함하는, 중합체 조성물.
  23. 제21항에 있어서,
    섬유성 충전제가 약 2 이상의 종횡비를 갖는, 중합체 조성물.
  24. 제21항에 있어서,
    레이저 활성화가능 첨가제에 대한 섬유성 충전제의 중량비가 약 1 내지 약 5인, 중합체 조성물.
  25. 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
    미립자 충전제를 추가로 포함하는 중합체 조성물.
  26. 제25항에 있어서,
    미립자 충전제가 운모인, 중합체 조성물.
  27. 제1항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
    2 GHz의 주파수에서 약 1.5 내지 약 4의 유전 상수를 나타내는 중합체 조성물.
  28. 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
    2 GHz의 주파수에서 약 0.0009 이하의 유전손실 계수(dissipation factor)를 나타내는 중합체 조성물.
  29. 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,
    1,000초-1의 전단 속도 및 350℃의 온도에서 측정된 약 5 Pa·s 내지 약 100 Pa·s의 용융 점도를 갖는 중합체 조성물.
  30. 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,
    약 40 중량% 내지 약 99 중량%의 열방성 액정 중합체, 약 0.1 중량% 내지 약 20 중량%의 레이저 활성화가능 첨가제 및 약 1 중량% 내지 약 40 중량%의 섬유성 충전제를 포함하는 중합체 조성물.
  31. 제1항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서,
    10 몰% 미만의 양의 나프텐성 하이드록시카복실산 및/또는 다이카복실산으로부터 유도된 반복 단위를 함유하는 하나 이상의 저 나프텐성 열방성 액정 중합체를 추가로 포함하는 중합체 조성물.
  32. 제31항에 있어서,
    저 나프텐성 열방성 액정 중합체가 중합체 조성물의 약 0.5 중량% 내지 약 45 중량%를 구성하고, 고 나프텐성 열방성 액정 중합체가 중합체 조성물의 약 55 중량% 내지 약 99.5 중량%를 구성하는, 중합체 조성물.
  33. 제1항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서,
    소수성 물질을 포함하는 중합체 조성물.
  34. 제33항에 있어서,
    소수성 물질이 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하는, 중합체 조성물.
  35. 제1항 내지 제34항 중 어느 한 항에 있어서,
    중공 충전제(hollow filler)를 포함하는 중합체 조성물.
  36. 제1항 내지 제35항 중 어느 한 항에 따른 중합체 조성물을 포함하는 성형된 부품.
  37. 제36항에 있어서,
    하나 이상의 전도성 소자가 성형된 부품의 표면 상에 형성되는, 성형된 부품.
  38. 제1항 내지 제35항 중 어느 한 항에 따른 중합체 조성물; 및
    무선 주파수 신호를 송신 및 수신하도록 구성된 하나 이상의 안테나 소자
    를 포함하는 기판을 포함하는 안테나 시스템으로서, 상기 안테나 소자가 기판에 결합되는, 안테나 시스템.
  39. 제38항에 있어서,
    무선 주파수 신호가 5G 신호인, 안테나 시스템.
  40. 제38항에 있어서,
    하나 이상의 안테나 소자가 약 1,5000 μm 미만의 특징 크기(feature size)를 갖는, 안테나 시스템.
  41. 제38항에 있어서,
    하나 이상의 안테나 소자가 다수의 안테나 소자를 포함하는, 안테나 시스템.
  42. 제41항에 있어서,
    다수의 안테나 소자가 약 1,500 μm 미만의 이격 거리(spacing distance)에 의해 이격되는, 안테나 시스템.
  43. 제41항에 있어서,
    다수의 안테나 소자가 16개 이상의 안테나 소자를 포함하는, 안테나 시스템.
  44. 제41항에 있어서,
    다수의 안테나 소자가 어레이(array)로 배열되는, 안테나 시스템.
  45. 제44항에 있어서,
    어레이가 8개 이상의 송신 채널 및 8개 이상의 수신 채널로 구성되는, 안테나 시스템.
  46. 제44항에 있어서,
    어레이가 1 cm2당 1,000개 초과의 안테나 소자의 평균 안테나 소자 밀도(average antenna element concentration)를 갖는, 안테나 시스템.
  47. 제38항에 있어서,
    기지국(base station)을 추가로 포함하고, 상기 기지국이 하나 이상의 안테나 소자를 포함하는, 안테나 시스템.
  48. 제38항에 있어서,
    하나 이상의 사용자 컴퓨팅 장치(user computing device) 또는 중계기(repeater)를 추가로 포함하고, 상기 하나 이상의 사용자 컴퓨팅 장치 또는 중계기 기지국이 하나 이상의 안테나 소자를 포함하는, 안테나 시스템.
KR1020227011572A 2019-09-10 2020-08-19 레이저 직접 구조화용 중합체 조성물 KR20220062569A (ko)

Applications Claiming Priority (17)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962898188P 2019-09-10 2019-09-10
US62/898,188 2019-09-10
US201962925274P 2019-10-24 2019-10-24
US62/925,274 2019-10-24
US201962951039P 2019-12-20 2019-12-20
US62/951,039 2019-12-20
US202062972195P 2020-02-10 2020-02-10
US62/972,195 2020-02-10
US202062994329P 2020-03-25 2020-03-25
US62/994,329 2020-03-25
US202063009017P 2020-04-13 2020-04-13
US63/009,017 2020-04-13
US202063024584P 2020-05-14 2020-05-14
US63/024,584 2020-05-14
US202063056865P 2020-07-27 2020-07-27
US63/056,865 2020-07-27
PCT/US2020/046924 WO2021050223A1 (en) 2019-09-10 2020-08-19 Polymer composition for laser direct structuring

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220062569A true KR20220062569A (ko) 2022-05-17

Family

ID=74850729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227011572A KR20220062569A (ko) 2019-09-10 2020-08-19 레이저 직접 구조화용 중합체 조성물

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11912817B2 (ko)
EP (1) EP4028476A4 (ko)
JP (1) JP2022547982A (ko)
KR (1) KR20220062569A (ko)
CN (1) CN114729177A (ko)
TW (1) TW202116917A (ko)
WO (1) WO2021050223A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11637365B2 (en) 2019-08-21 2023-04-25 Ticona Llc Polymer composition for use in an antenna system
US11258184B2 (en) 2019-08-21 2022-02-22 Ticona Llc Antenna system including a polymer composition having a low dissipation factor
US11555113B2 (en) 2019-09-10 2023-01-17 Ticona Llc Liquid crystalline polymer composition
US11646760B2 (en) 2019-09-23 2023-05-09 Ticona Llc RF filter for use at 5G frequencies
US11917753B2 (en) 2019-09-23 2024-02-27 Ticona Llc Circuit board for use at 5G frequencies
US11721888B2 (en) 2019-11-11 2023-08-08 Ticona Llc Antenna cover including a polymer composition having a low dielectric constant and dissipation factor
JP2023515976A (ja) 2020-02-26 2023-04-17 ティコナ・エルエルシー 回路構造体
JP2023514988A (ja) * 2020-02-26 2023-04-12 ティコナ・エルエルシー 電子デバイス用ポリマー組成物
WO2021173408A1 (en) 2020-02-26 2021-09-02 Ticona Llc Electronic device
US11728065B2 (en) 2020-07-28 2023-08-15 Ticona Llc Molded interconnect device
US11728559B2 (en) 2021-02-18 2023-08-15 Ticona Llc Polymer composition for use in an antenna system

Family Cites Families (314)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4162466A (en) 1977-09-28 1979-07-24 University Of Illinois Foundation Surface acoustic wave resonator
US4458039A (en) 1983-02-07 1984-07-03 Celanese Corporation Thermotropic liquid crystalline polymer blend with reduced surface abrasion
US4746694A (en) 1987-07-06 1988-05-24 Hoechst Celanese Corporation Melt processable polyester capable of forming an anisotropic melt comprising a relatively low concentration of 6-oxy-2-naphthoyl moiety, 4-oxybenzoyl moiety, 2,6-dioxynaphthalene moiety, and terephthaloyl moiety
DE68906740T2 (de) 1988-08-29 1993-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Metallische Zusammensetzung enthaltend Zinkoxyd-Whisker.
US5032627A (en) 1989-03-31 1991-07-16 The B. F. Goodrich Company Method for reducing hollow glass sphere fracture in thermoplastic resin by melt or bulk polymerization/extrusion
WO1994019407A1 (en) 1993-02-26 1994-09-01 Sumitomo Chemical Company, Limited Liquid-crystal polyester resin composition and process for producing the same
US5348990A (en) 1993-03-02 1994-09-20 Hoechst Celanese Corp. Low dielectric materials
US5541240A (en) 1994-03-15 1996-07-30 Hoechst Celanese Corp. Method for making blends of liquid crystalline and isotropic polymers
DE69531468T2 (de) 1994-03-16 2004-06-09 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Flüssigkristalline Polyesterharzzusammensetzung
IL131170A (en) 1997-01-31 2004-09-27 Polymers Australia Pty Ltd A polymer blend containing polyester and anhydrite acid and processes for its preparation
US6121369A (en) 1997-06-06 2000-09-19 Eastman Chemical Company Liquid crystalline polyester compositions containing carbon black
JP2000244275A (ja) 1999-02-19 2000-09-08 Murata Mfg Co Ltd Ｓａｗ共振子フィルタ
JP4339966B2 (ja) 1999-07-23 2009-10-07 新日本石油株式会社 サーモトロピック液晶樹脂組成物、それを成形してなる加熱機器支持体および耐熱性断熱材。
JP2001172479A (ja) 1999-12-16 2001-06-26 Sumitomo Chem Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物およびその成形品
US6908960B2 (en) 1999-12-28 2005-06-21 Tdk Corporation Composite dielectric material, composite dielectric substrate, prepreg, coated metal foil, molded sheet, composite magnetic substrate, substrate, double side metal foil-clad substrate, flame retardant substrate, polyvinylbenzyl ether resin composition, thermosettin
JP4586234B2 (ja) 2000-04-28 2010-11-24 住友化学株式会社 熱可塑性樹脂組成物の製造方法
JP2002118144A (ja) 2000-10-06 2002-04-19 Sony Chem Corp 接着剤及び電気装置
US6303524B1 (en) 2001-02-20 2001-10-16 Mattson Thermal Products Inc. High temperature short time curing of low dielectric constant materials using rapid thermal processing techniques
JP4673502B2 (ja) 2001-06-07 2011-04-20 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 主鎖型液晶性ポリエステル、液晶性組成物、液晶フィルムの製造方法、光学フィルムおよび表示装置
JP4522627B2 (ja) 2001-11-26 2010-08-11 上野製薬株式会社 液晶ポリエステル樹脂
JP3922039B2 (ja) 2002-02-15 2007-05-30 株式会社日立製作所 電磁波吸収材料及びそれを用いた各種製品
JP2003268089A (ja) 2002-03-13 2003-09-25 Toray Ind Inc 成形品用液晶性ポリエステル樹脂および成形回路基板
JP2003268241A (ja) 2002-03-13 2003-09-25 Toray Ind Inc 成形品用液晶性樹脂組成物および成形回路基板
JP4169322B2 (ja) * 2002-06-25 2008-10-22 新日本石油株式会社 全芳香族液晶ポリエステル樹脂成形体
JP3834528B2 (ja) 2002-07-11 2006-10-18 ポリマテック株式会社 熱伝導性高分子成形体の製造方法
AU2003265493A1 (en) 2002-08-19 2004-03-03 Rensselaer Polytechnic Institute Liquid crystal polymers
JP2004143270A (ja) 2002-10-23 2004-05-20 Nippon Petrochemicals Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物
TWI276660B (en) 2002-12-18 2007-03-21 Sumitomo Chemical Co Aromatic liquid crystal polyester and film thereof
US7223807B2 (en) 2003-01-30 2007-05-29 Sumitomo Chemical Company, Limited High dielectric resin composition
JP2004256673A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Sumitomo Chem Co Ltd 反射板用液晶性ポリエステル樹脂
JP2004277539A (ja) 2003-03-14 2004-10-07 Sumitomo Chem Co Ltd 液晶性ポリエステル樹脂組成物
JP2004323705A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Sumitomo Chem Co Ltd 液晶性ポリエステル樹脂組成物
WO2004114732A1 (en) 2003-06-19 2004-12-29 World Properties, Inc. Material including a liquid crystalline polymer and a polyhedral oligomeric silsesquioxane (poss) filler
JP2005029700A (ja) 2003-07-04 2005-02-03 Tdk Corp 複合誘電体、複合誘電体シート、複合誘電体ペースト、金属層付き複合誘電体シート、配線板及び多層配線板
KR20120088678A (ko) 2003-07-31 2012-08-08 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠 섬유 강화 복합 재료, 그 제조 방법 및 그 이용
JP2005078806A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 Sumitomo Chemical Co Ltd 高誘電樹脂組成物
JP4510420B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-21 上野製薬株式会社 液晶ポリエステル樹脂
TWI359159B (en) 2003-11-05 2012-03-01 Sumitomo Chemical Co Aromatic liquid-crystalline polyester
WO2005105919A1 (ja) 2004-04-30 2005-11-10 Kureha Corporation 封止用樹脂組成物及び樹脂封止された半導体装置
JP3767606B2 (ja) 2004-02-25 2006-04-19 株式会社村田製作所 誘電体アンテナ
JP4150015B2 (ja) 2004-04-22 2008-09-17 新日本石油株式会社 全芳香族液晶ポリエステル樹脂組成物および光ピックアップレンズホルダー
JP4602024B2 (ja) 2004-07-28 2010-12-22 ポリプラスチックス株式会社 液晶性樹脂組成物の製造方法
JP2006045298A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Ntn Corp 液晶ポリエステル樹脂組成物
JP4498900B2 (ja) 2004-11-29 2010-07-07 ポリプラスチックス株式会社 信号読取装置用樹脂成形部品及びその成形方法
US7314898B2 (en) 2004-12-29 2008-01-01 3M Innovative Properties Company Microsphere-filled polytetrafluoroethylene compositions
US7816014B2 (en) 2005-01-18 2010-10-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Liquid crystalline polyester and film using the same
US7504150B2 (en) 2005-06-15 2009-03-17 E.I. Du Pont De Nemours & Company Polymer-based capacitor composites capable of being light-activated and receiving direct metalization, and methods and compositions related thereto
US7547849B2 (en) 2005-06-15 2009-06-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions useful in electronic circuitry type applications, patternable using amplified light, and methods and compositions relating thereto
JP4945097B2 (ja) 2005-07-05 2012-06-06 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 全芳香族液晶ポリエステル樹脂組成物および光ピックアップレンズホルダー
US20070057236A1 (en) 2005-09-12 2007-03-15 Sumitomo Chemical Company, Limited Conductive resin composition and the use thereof
JP2007154169A (ja) 2005-11-08 2007-06-21 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物及び電子部品用成形品
JP5155879B2 (ja) 2005-12-30 2013-03-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子基板
JP5201799B2 (ja) 2006-03-24 2013-06-05 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 全芳香族サーモトロピック液晶ポリエステル樹脂組成物、その射出成形体および該成形体を使用した光学装置
JP2007273537A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Tdk Corp 多層基板及びその製造方法
JP5332081B2 (ja) 2006-06-07 2013-11-06 東レ株式会社 樹脂組成物およびそれからなる成形品
KR100752019B1 (ko) 2006-09-29 2007-08-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판용 절연재
US7648758B2 (en) 2007-02-06 2010-01-19 Innegrity, Llc Low dielectric loss composite material
JP2008231368A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Nippon Oil Corp 光線反射率および強度に優れた液晶ポリエステル樹脂組成物
US8475924B2 (en) 2007-07-09 2013-07-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions and methods for creating electronic circuitry
JP2009114418A (ja) 2007-10-15 2009-05-28 Toray Ind Inc 液晶性樹脂組成物およびその製造方法
JP5017060B2 (ja) 2007-10-30 2012-09-05 上野製薬株式会社 全芳香族液晶ポリエステル
JP2009155623A (ja) 2007-12-03 2009-07-16 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物及びその成形体
TWI444427B (zh) 2008-03-28 2014-07-11 Nippon Oil Corp Camera module with liquid crystal polyester resin composition
JP5446344B2 (ja) 2008-03-28 2014-03-19 住友化学株式会社 樹脂組成物、反射板及び発光装置
US10119021B2 (en) 2008-05-23 2018-11-06 Sabic Global Technologies B.V. Flame retardant laser direct structuring materials
US8309640B2 (en) 2008-05-23 2012-11-13 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. High dielectric constant laser direct structuring materials
US8492464B2 (en) 2008-05-23 2013-07-23 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Flame retardant laser direct structuring materials
KR20090124952A (ko) 2008-05-29 2009-12-03 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 나노 구조 중공 탄소 재료를 포함하는 액정 고분자 조성물 및 그의 성형체
US8025814B2 (en) 2008-06-23 2011-09-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin composition and molded article using the same
US20100012354A1 (en) 2008-07-14 2010-01-21 Logan Brook Hedin Thermally conductive polymer based printed circuit board
JP2010084129A (ja) 2008-09-04 2010-04-15 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂混合物及びそれを用いてなる反射板並びに発光装置
JP5454013B2 (ja) 2008-09-11 2014-03-26 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物の製造方法及び液晶ポリエステル樹脂組成物
US8692272B2 (en) 2008-10-28 2014-04-08 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin composition, reflective board and light-emitting apparatus
JP2011026541A (ja) 2009-03-11 2011-02-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶性ポリエステル樹脂組成物及びその成形体
CN101831306A (zh) 2009-03-13 2010-09-15 上海普利特复合材料股份有限公司 一种热致性液晶高分子材料
JP5355184B2 (ja) 2009-03-31 2013-11-27 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 全芳香族サーモトロピック液晶ポリエステル樹脂組成物、成形体及びｌｅｄリフレクター
JP5280281B2 (ja) 2009-04-06 2013-09-04 上野製薬株式会社 液晶ポリマー組成物およびそれからなる成形品
JP2010254875A (ja) 2009-04-28 2010-11-11 Sumitomo Chemical Co Ltd プリプレグおよびプリント配線板
JP5369054B2 (ja) 2009-06-15 2013-12-18 上野製薬株式会社 液晶ポリエステルブレンド組成物
TW201119824A (en) 2009-06-30 2011-06-16 Sumitomo Chemical Co Method for producing resin composition, resin composition, reflection plate and light-emitting device
KR101586113B1 (ko) 2009-08-11 2016-01-15 도레이 카부시키가이샤 액정성 폴리에스테르 및 그 제조 방법
JP2011052037A (ja) 2009-08-31 2011-03-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物、成形体およびアンテナ
JP2011094116A (ja) 2009-09-29 2011-05-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物、成形体および光ピックアップレンズホルダー
JP5939729B2 (ja) 2009-09-29 2016-06-22 Ｊｘエネルギー株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物、その成形体、及び光学装置
JP2011093973A (ja) 2009-10-28 2011-05-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物、成形体および光ピックアップレンズホルダー
CN102803380B (zh) 2010-03-16 2014-04-30 吉坤日矿日石能源株式会社 全芳香族热致液晶聚酯树脂组合物、成型体和led反射器
KR20120004782A (ko) 2010-07-07 2012-01-13 삼성정밀화학 주식회사 전기절연 특성이 향상된 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드
US20120040128A1 (en) 2010-08-12 2012-02-16 Feinics Amatech Nominee Limited Transferring antenna structures to rfid components
TW201219486A (en) 2010-07-30 2012-05-16 Sumitomo Chemical Co Liquid crystal polyester composition, reflective plate and light-emitting device
US8747671B2 (en) 2010-09-20 2014-06-10 American Water Works Company, Inc. Simultaneous anoxic biological phosphorus and nitrogen removal
EP2632978B1 (en) 2010-10-25 2021-02-24 SABIC Innovative Plastics B.V. Improved electroless plating performance of laser direct structuring materials
US20120276390A1 (en) 2010-10-26 2012-11-01 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Laser direct structuring materials with all color capability
JP5721217B2 (ja) 2011-03-16 2015-05-20 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物および成形体
JP5751907B2 (ja) 2011-04-15 2015-07-22 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 Ｌｅｄリフレクター
US20140159285A1 (en) 2011-05-03 2014-06-12 Digital Graphics Incorporation Composition for laser direct structuring and laser direct structuring method using same
US20140128545A1 (en) 2011-06-30 2014-05-08 Dow Global Technologies Llc Curable compositions
WO2013065453A1 (ja) 2011-10-31 2013-05-10 株式会社クラレ 熱可塑性液晶ポリマーフィルムならびにこれを用いた積層体および回路基板
KR101773204B1 (ko) 2011-10-31 2017-09-01 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 대전방지 특성을 갖는 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드 및 물품
US9074070B2 (en) 2011-10-31 2015-07-07 Ticona Llc Thermoplastic composition for use in forming a laser direct structured substrate
WO2013074467A1 (en) 2011-11-15 2013-05-23 Ticona Llc Low naphthenic liquid crystalline polymer composition for use in molded parts of a small dimensional tolerance
JP2013108008A (ja) 2011-11-22 2013-06-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステル組成物、成形体及び光ピックアップレンズホルダー
WO2013099111A1 (ja) 2011-12-27 2013-07-04 東レ株式会社 熱可塑性樹脂組成物およびその成形品
JP5919613B2 (ja) 2012-03-29 2016-05-18 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物及び成形体の製造方法
JP5924527B2 (ja) 2012-03-29 2016-05-25 住友化学株式会社 液晶ポリエステル組成物、液晶ポリエステル成形体及び液晶ポリエステル組成物を用いたコネクター
US20130313493A1 (en) 2012-05-24 2013-11-28 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Flame retardant polycarbonate compositions, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
KR20140028973A (ko) 2012-08-31 2014-03-10 삼성전기주식회사 프리프레그, 동박적층판, 및 인쇄회로기판
US9185800B2 (en) 2012-09-17 2015-11-10 Sabic Global Technologies B.V. Laser direct structuring materials with improved plating performance and acceptable mechanical properties
US8946333B2 (en) 2012-09-19 2015-02-03 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
US20140142571A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-22 Ticona Llc Liquid Crystalline Polymer Composition for Melt-Extruded Substrates
WO2014088700A1 (en) 2012-12-05 2014-06-12 Ticona Llc Conductive liquid crystalline polymer composition
KR20140074094A (ko) 2012-12-07 2014-06-17 삼성정밀화학 주식회사 방향족 액정 폴리에스테르 아미드 수지의 제조방법 및 방향족 액정 폴리에스테르 아미드 수지 컴파운드
KR20140074095A (ko) 2012-12-07 2014-06-17 삼성정밀화학 주식회사 방향족 액정 폴리에스테르 수지의 제조방법 및 방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드
US20140171567A1 (en) 2012-12-14 2014-06-19 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Thermally conductive flame retardant polymer compositions and uses thereof
US20150337132A1 (en) 2012-12-19 2015-11-26 Dsm Ip Assets B.V. Thermoplastic composition
KR101817365B1 (ko) 2012-12-24 2018-01-11 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 방향족 액정 폴리에스테르 수지의 제조방법 및 방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드
KR101817366B1 (ko) 2012-12-24 2018-01-11 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 방향족 액정 폴리에스테르 수지의 제조방법 및 방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드
US8816019B2 (en) 2013-01-07 2014-08-26 Sabic Global Technologies B.V. Thermoplastic compositions for laser direct structuring and methods for the manufacture and use thereof
US20140206800A1 (en) 2013-01-22 2014-07-24 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Thermoplastic Compositions Containing Nanoscale-Sized Particle Additives For Laser Direct Structuring And Methods For The Manufacture And Use Thereof
CN105102520B (zh) 2013-04-01 2018-02-13 沙特基础全球技术有限公司 高模量激光直接成型复合材料
US20140296411A1 (en) 2013-04-01 2014-10-02 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. High modulus laser direct structuring composites
US20160301141A1 (en) 2013-05-01 2016-10-13 Byron del Castillo Radio Communication System With Antenna Array
DE102013007750A1 (de) 2013-05-07 2014-11-13 Merck Patent Gmbh Additiv für LDS-Kunststoffe
EP3004227B1 (en) 2013-06-04 2019-07-24 SABIC Global Technologies B.V. Thermally conductive polymer compositions with laser direct structuring function
US9206300B2 (en) * 2013-06-07 2015-12-08 Ticona Llc High strength thermotropic liquid crystalline polymer
KR102058072B1 (ko) 2013-06-21 2019-12-20 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 난연성 레이저 직접 구조화 물질
KR102060088B1 (ko) 2013-07-23 2019-12-27 로저스코포레이션 회로 물질, 회로 라미네이트, 및 이의 제조방법
WO2015016141A1 (ja) 2013-07-31 2015-02-05 東レ株式会社 液晶ポリエステルの製造方法および液晶ポリエステル
US10150863B2 (en) 2013-09-06 2018-12-11 Sabic Global Technologies B.V. Plating performance using combination metal oxide and metal powder as additives
JP2015059178A (ja) 2013-09-19 2015-03-30 東レ株式会社 液晶性ポリエステル樹脂組成物及びそれからなる成形品
US20170002193A1 (en) 2013-11-27 2017-01-05 Sabic Global Technologies B.V. High modulus laser direct structuring polycarbonate composites with enhanced plating performance and broad laser window by reflection additives
US10233301B2 (en) 2014-01-30 2019-03-19 Zeon Corporation Polymer composition and molded body
JP6306369B2 (ja) 2014-02-25 2018-04-04 住友化学株式会社 フィルムの製造方法
US10174180B2 (en) 2014-03-25 2019-01-08 Dsm Ip Asset B.V. Polymer composition, an article thereof and a process for preparing the same
JP6181587B2 (ja) 2014-03-26 2017-08-16 上野製薬株式会社 液晶ポリエステルブレンド
JP6177191B2 (ja) 2014-05-30 2017-08-09 上野製薬株式会社 液晶ポリエステルブレンド
CN105270710A (zh) 2014-06-19 2016-01-27 张春强 防滑水桶
DE102014008963A1 (de) 2014-06-23 2016-01-07 Merck Patent Gmbh Additiv für LDS-Kunststoffe
WO2016003588A1 (en) 2014-07-01 2016-01-07 Ticona Llc Laser activatable polymer composition
TWI675862B (zh) 2014-08-19 2019-11-01 日商吉坤日礦日石能源有限公司 全芳族液晶聚酯樹脂
JP6405818B2 (ja) 2014-09-16 2018-10-17 株式会社村田製作所 電子回路基板用フィルムおよび電子回路基板
JP6405817B2 (ja) 2014-09-16 2018-10-17 株式会社村田製作所 電子回路基板用積層体および電子回路基板
JP5866423B2 (ja) 2014-10-10 2016-02-17 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物、成形体及びｌｅｄリフレクター
KR102305975B1 (ko) 2014-10-22 2021-09-28 삼성전자주식회사 무선 기기의 안테나 장치
CN104540341A (zh) 2014-10-23 2015-04-22 深圳富泰宏精密工业有限公司 壳体、应用该壳体的电子装置及其制作方法
WO2016092472A1 (en) 2014-12-12 2016-06-16 Sabic Global Technologies B.V. Laser-direct structuring of polymeric films and sheets and methods of making
KR102031105B1 (ko) 2014-12-12 2019-10-11 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 레이저 직접 구조화 물질 및 이의 제조 방법
KR20170085088A (ko) 2014-12-23 2017-07-21 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 도금가능 수지 조성물
CN107849294B (zh) 2015-05-25 2020-02-11 沙特基础工业全球技术有限公司 聚(苯醚)组合物和制品
CN104961916A (zh) 2015-07-11 2015-10-07 刘帅 改性lds添加剂及含该添加剂的lcp组合物
CN104961922A (zh) 2015-07-11 2015-10-07 刘帅 共改性lds添加剂及含该添加剂的lcp组合物
CN107849291A (zh) 2015-07-30 2018-03-27 沙特基础工业全球技术公司 经由添加光可渗透的着色剂展现改善的金属粘合强度的材料
TWI708806B (zh) 2015-08-17 2020-11-01 美商堤康那責任有限公司 用於相機模組之液晶聚合物組合物
WO2017029608A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 Sabic Global Technologies B.V. Camera module having traces formed by laser direct structuring
KR20180038013A (ko) 2015-08-26 2018-04-13 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 레이저 도금가능 물질을 위한 충격 개질제로서의 알킬포스피네이트 염 및 이의 방법
WO2017038409A1 (ja) 2015-09-03 2017-03-09 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 レーザーダイレクトストラクチャリング用ポリエステル系樹脂組成物
JP6576754B2 (ja) 2015-09-15 2019-09-18 上野製薬株式会社 液晶ポリマー組成物
EP3361487B1 (en) 2015-10-05 2021-09-22 Amogreentech Co., Ltd. Magnetic sheet, module comprising same, and portable device comprising same
KR101757308B1 (ko) 2015-11-13 2017-07-12 세양폴리머주식회사 유동성이 향상된 전방향족 폴리에스테르 수지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 전방향족 폴리에스테르
KR101792873B1 (ko) 2015-11-13 2017-11-20 세양폴리머주식회사 전방향족 폴리에스테르 수지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 전방향족 폴리에스테르
JP6576808B2 (ja) 2015-11-26 2019-09-18 上野製薬株式会社 液晶ポリマー
US20170154790A1 (en) 2015-11-30 2017-06-01 Intel Corporation Sam assisted selective e-less plating on packaging materials
US20180355150A1 (en) 2015-12-09 2018-12-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Liquid crystal polyester composition and molded article
TWI797069B (zh) 2015-12-15 2023-04-01 荷蘭商帝斯曼知識產權資產管理有限公司 熱塑性聚合物組成物、其所製成之物件及其製造方法
EP3374432A1 (en) 2015-12-21 2018-09-19 SABIC Global Technologies B.V. Thermoplastic compositions for laser direct structuring and methods for the manufacture and use thereof
JP2017119378A (ja) 2015-12-28 2017-07-06 住友電工ファインポリマー株式会社 積層体、プリント配線板用基材及び積層体の製造方法
JP2017120826A (ja) 2015-12-28 2017-07-06 住友電工ファインポリマー株式会社 基板及びプリント配線板用基材
CN105542408A (zh) 2015-12-29 2016-05-04 江苏沃特特种材料制造有限公司 改性全芳香族液晶聚酯树脂复合物及其制备方法
CN105504247A (zh) 2015-12-30 2016-04-20 金发科技股份有限公司 一种液晶聚酯和由其组成的液晶聚酯组合物
JP2016041828A (ja) 2016-01-04 2016-03-31 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物、成形体及びｌｅｄリフレクター
CN105860036B (zh) 2016-02-01 2018-09-11 金发科技股份有限公司 一种液晶聚酯以及由其组成的模塑组合物和其应用
CN108884325B (zh) 2016-02-29 2020-08-04 宝理塑料株式会社 含有液晶聚合物粒子的树脂组合物及使用该树脂组合物的成型体、以及它们的制造方法
CN105623206B (zh) 2016-03-09 2017-12-15 深圳华力兴新材料股份有限公司 一种具备lds功能的nmt用聚酯组合物
US20170273179A1 (en) 2016-03-21 2017-09-21 Ticona Llc Laminate for a Printed Circuit Board
CN108884319A (zh) 2016-03-24 2018-11-23 提克纳有限责任公司 具有对金属部件的改进的粘合性的聚芳硫醚组合物
JP6900151B2 (ja) 2016-03-30 2021-07-07 Ｅｎｅｏｓ株式会社 全芳香族液晶ポリエステル樹脂、成形品、および電気電子部品
WO2017179474A1 (ja) 2016-04-15 2017-10-19 ポリプラスチックス株式会社 液晶性樹脂組成物
US20190153216A1 (en) 2016-04-28 2019-05-23 Sabic Global Technologies B.V. Thermoplastic compositions for laser direct structuring and methods for the manufacture and use thereof
WO2017187384A1 (en) 2016-04-29 2017-11-02 Sabic Global Technologies B.V. Engineering thermoplastic compositions with high nano molding bonding strength and laser direct structuring function
CN107467540A (zh) 2016-06-07 2017-12-15 郑州市乡得旺食品有限公司 一种用于腌渍鸡蛋的新型容器
WO2018008612A1 (ja) 2016-07-04 2018-01-11 Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 全芳香族液晶ポリエステル樹脂、成形品、および電気電子部品
JP6885687B2 (ja) 2016-07-29 2021-06-16 上野製薬株式会社 液晶ポリマー組成物
JP6844968B2 (ja) 2016-07-29 2021-03-17 上野製薬株式会社 液晶ポリマー組成物
WO2018026601A1 (en) 2016-08-05 2018-02-08 Sabic Global Technologies B.V. Laminates for laser-direct structuring, method for the manufacture thereof, molded articles prepared therefrom, and device comprising the molded article
JP6824663B2 (ja) 2016-08-24 2021-02-03 住友化学株式会社 液晶ポリエステル組成物およびこれを用いた樹脂成形体
WO2018056294A1 (ja) 2016-09-26 2018-03-29 東レ株式会社 液晶性ポリエステル樹脂組成物、成形品および成形品の製造方法
US20190269012A1 (en) 2016-11-30 2019-08-29 Dsm Ip Assets B.V. Thermoplastic composition
JP6411702B1 (ja) 2016-12-01 2018-10-24 Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 全芳香族液晶ポリエステル樹脂
CN106750198B (zh) 2016-12-12 2019-05-07 中山大学 一种单体组成比例稳定的热致性液晶聚酯以及其制备方法与应用
CN110447146A (zh) 2016-12-21 2019-11-12 英特尔公司 无线通信技术、装置和方法
KR102037569B1 (ko) 2016-12-26 2019-10-28 롯데첨단소재(주) 레이저 직접 구조화용 열가소성 수지 조성물 및 이를 포함하는 성형품
US20210130604A1 (en) 2016-12-27 2021-05-06 Sabic Global Technologies B.V. Compositions for use in selective laser sintering and other additive manufacturing processes
CN108250692A (zh) 2016-12-28 2018-07-06 珠海万通特种工程塑料有限公司 一种聚酯模塑组合物及其制备方法和应用
JP6854124B2 (ja) 2016-12-28 2021-04-07 株式会社クラレ 熱可塑性液晶ポリマーフィルムおよびそれを用いた回路基板
CN106633680A (zh) 2016-12-29 2017-05-10 江苏沃特特种材料制造有限公司 改性液晶聚酯树脂复合物及其制备方法和应用
CN107022171A (zh) 2016-12-29 2017-08-08 江苏沃特特种材料制造有限公司 液晶聚酯树脂复合物及其制备方法与应用
CN106633859A (zh) 2016-12-29 2017-05-10 江苏沃特特种材料制造有限公司 全芳香族液晶聚酯树脂、其制备方及应用
CN106633860B (zh) 2016-12-29 2019-04-12 江苏沃特特种材料制造有限公司 低介电常数液晶聚酯树脂复合物及其制备方法
JP6930784B2 (ja) 2017-01-05 2021-09-01 住友電工プリントサーキット株式会社 プリント配線用原板及びプリント配線板
KR102232177B1 (ko) 2017-01-11 2021-03-29 에스에이치피피 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 고열 안정성 및 보다 넓은 색 공간을 갖는 레이저 직접 구조화 조성물
WO2018130970A1 (en) 2017-01-11 2018-07-19 Sabic Global Technologies B.V. Laser platable thermoplastic compositions with a laser activatable metal compound and shaped articles therefrom
WO2018130952A1 (en) 2017-01-11 2018-07-19 Sabic Global Technologies B.V. Laser platable thermoplastic compositions with a laser activatable metal compound and shaped articles therefrom
CN110300778A (zh) 2017-01-11 2019-10-01 沙特基础工业全球技术公司 通过芯-壳结构lds添加剂与涂覆在矿物填料表面上的金属化合物而具有导热性和激光电镀性能的组合物
KR102120296B1 (ko) 2017-01-26 2020-06-08 포리프라스틱 가부시키가이샤 전방향족 폴리에스테르 및 폴리에스테르 수지 조성물
WO2018141769A1 (de) 2017-02-03 2018-08-09 Merck Patent Gmbh Additiv für lds-kunststoffe
KR20190130578A (ko) 2017-03-02 2019-11-22 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 블랙 또는 불투명한 기판상에 레이저 직접 구조화(ｌｄｓ)를 위한 초박형, 착탈가능한, 촉매 필름 및 공정
CN110494471B (zh) 2017-03-28 2021-11-02 Jxtg能源株式会社 全芳香族液晶聚酯树脂、成型品以及电气电子部件
JP6843675B2 (ja) 2017-03-30 2021-03-17 住友化学株式会社 液晶ポリエステル組成物および成形体
CN110446738B (zh) 2017-03-31 2021-10-08 株式会社可乐丽 热塑性液晶聚合物及其膜
CN108859316B (zh) 2017-05-10 2020-02-21 昆山雅森电子材料科技有限公司 复合式lcp高频高速双面铜箔基板及其制备方法
CN110603278B (zh) 2017-05-10 2021-02-09 宝理塑料株式会社 全芳香族聚酯和聚酯树脂组合物
US11075442B2 (en) 2017-05-31 2021-07-27 Huawei Technologies Co., Ltd. Broadband sub 6GHz massive MIMO antennas for electronic device
JP6841220B2 (ja) 2017-06-28 2021-03-10 東レ株式会社 液晶性ポリエステル樹脂組成物、成形品および成形品の製造方法
CN107517551A (zh) 2017-07-21 2017-12-26 广东欧珀移动通信有限公司 后盖的制造方法、后盖及电子装置
WO2019042906A1 (de) 2017-08-29 2019-03-07 Merck Patent Gmbh Laseradditiv und additiv für lds-kunststoffe
JP6920924B2 (ja) 2017-08-30 2021-08-18 上野製薬株式会社 液晶ポリエステル樹脂
JP2018029187A (ja) 2017-09-04 2018-02-22 住友化学株式会社 積層板及び金属ベース回路基板
JP7159693B2 (ja) 2017-09-29 2022-10-25 東レ株式会社 液晶性ポリエステル樹脂組成物およびそれからなる成形品
US10741932B2 (en) 2017-09-30 2020-08-11 Intel IP Corporation Compact radio frequency (RF) communication modules with endfire and broadside antennas
WO2019069839A1 (ja) 2017-10-03 2019-04-11 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 金属樹脂複合体、樹脂組成物および金属樹脂複合体の製造方法
WO2019069840A1 (ja) 2017-10-03 2019-04-11 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 金属樹脂複合体および金属樹脂複合体の製造方法
KR101834703B1 (ko) 2017-10-25 2018-03-05 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 방향족 액정 폴리에스테르 수지의 제조방법 및 방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드
JP6993176B2 (ja) 2017-10-31 2022-01-13 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物および射出成形体
TW201922862A (zh) 2017-11-15 2019-06-16 日商住友化學股份有限公司 液晶聚酯組成物及樹脂成形體
JP6473796B1 (ja) 2017-11-27 2019-02-20 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物および成形体
JP6439027B1 (ja) 2017-11-27 2018-12-19 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物および成形体
JP6998189B2 (ja) 2017-11-29 2022-01-18 上野製薬株式会社 電子部品用ポリメチルペンテン樹脂組成物、および該樹脂組成物から構成される電子部品
JP2019106434A (ja) 2017-12-12 2019-06-27 東レ株式会社 電波送受信モジュール、電波送受信モジュールの製造方法および電波送受信モジュール用液晶ポリエステル樹脂組成物
CN108102314A (zh) 2017-12-26 2018-06-01 上海普利特化工新材料有限公司 一种耐高温导电液晶聚酯复合材料
CN108148433A (zh) 2017-12-26 2018-06-12 上海普利特化工新材料有限公司 一种低翘曲耐高温导电液晶聚酯复合材料及其制备方法
CN108178906A (zh) 2017-12-26 2018-06-19 上海普利特化工新材料有限公司 一种液晶聚合物/聚苯硫醚合金材料及其制备方法
JP7116546B2 (ja) 2017-12-27 2022-08-10 Ｅｎｅｏｓ株式会社 金属箔張積層板
WO2019132926A1 (en) 2017-12-28 2019-07-04 Intel Corporation A front end system having an acoustic wave resonator (awr) on an interposer substrate
CN108045022B (zh) 2018-01-08 2024-04-19 昆山雅森电子材料科技有限公司 Lcp或氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板及fpc
CN207772540U (zh) 2018-01-08 2018-08-28 昆山雅森电子材料科技有限公司 Lcp或氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板及fpc
JP6937704B2 (ja) 2018-01-26 2021-09-22 上野製薬株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物
CN110079058A (zh) 2018-01-26 2019-08-02 上野制药株式会社 液晶聚酯树脂组合物
US11223103B2 (en) 2018-01-26 2022-01-11 Huawei Technologies Co., Ltd. Antenna device and MIMO antenna arrays for electronic device
JP6951268B2 (ja) 2018-01-26 2021-10-20 上野製薬株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物
JP6574281B2 (ja) 2018-03-08 2019-09-11 住友化学株式会社 フィルムおよびフレキシブルプリント配線板
JP6991083B2 (ja) 2018-03-20 2022-01-12 住友化学株式会社 液晶性ポリエステル液状組成物、液晶ポリエステルフィルムの製造方法及び液晶性ポリエステルフィルム
EP3543291A1 (en) 2018-03-21 2019-09-25 SABIC Global Technologies B.V. Laser platable thermoplastic compositions with good flame retardancy, high heat property and good ductility and shaped articles made therefrom
JP7267257B2 (ja) 2018-03-27 2023-05-01 住友化学株式会社 芳香族液晶ポリエステル、芳香族液晶ポリエステル組成物及び成形品
WO2019198665A1 (ja) 2018-04-13 2019-10-17 東レ株式会社 液晶ポリエステル樹脂、その製造方法およびそれからなる成形品
JP7111502B2 (ja) 2018-04-24 2022-08-02 上野製薬株式会社 機械強度および誘電特性に優れた液晶ポリエステル樹脂
JP7156814B2 (ja) 2018-04-24 2022-10-19 上野製薬株式会社 機械特性と誘電特性に優れた液晶ポリエステル樹脂
JP7111500B2 (ja) 2018-04-24 2022-08-02 上野製薬株式会社 誘電特性に優れた液晶ポリエステル樹脂
JP7111501B2 (ja) 2018-04-24 2022-08-02 上野製薬株式会社 低温成形加工性と誘電特性に優れた液晶ポリエステル樹脂
US11239563B2 (en) 2018-05-01 2022-02-01 Rogers Corporation Electromagnetic dielectric structure adhered to a substrate and methods of making the same
WO2019213920A1 (en) 2018-05-10 2019-11-14 Ticona Llc Polymer composition with reduced dielectric constant
JP7324752B2 (ja) 2018-06-26 2023-08-10 Ｅｎｅｏｓ株式会社 熱処理により誘電正接を低減できる全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含む樹脂成形品および電気電子部品
CN110769594A (zh) 2018-07-25 2020-02-07 昆山雅森电子材料科技有限公司 具高Dk和低Df特性的LCP高频基板及制备方法
CN208675597U (zh) 2018-07-25 2019-03-29 昆山雅森电子材料科技有限公司 具高Dk和低Df特性的LCP高频基板
KR20210048443A (ko) 2018-08-22 2021-05-03 도레이 카부시키가이샤 적층체용 액정 폴리에스테르 수지, 액정 폴리에스테르 수지 조성물, 적층체 및 액정 폴리에스테르 수지 필름
KR102158304B1 (ko) 2018-08-30 2020-09-22 동우 화인켐 주식회사 고주파용 필름 전송 선로, 이를 포함하는 안테나 및 안테나가 결합된 화상 표시 장치
CN208904227U (zh) 2018-09-05 2019-05-24 深圳市信维通信股份有限公司 基于lcp材料的毫米波天线系统及移动终端
CN109301507A (zh) 2018-09-05 2019-02-01 深圳市信维通信股份有限公司 基于lcp材料的毫米波天线系统及移动终端
CN109467643A (zh) 2018-09-29 2019-03-15 苏州市新广益电子有限公司 一种用于fpc行业的lcp胶膜及其制备方法
CN109467722B (zh) 2018-09-29 2022-04-08 苏州市新广益电子有限公司 一种用于fpc行业的lcp薄膜及其制备方法
JP6533881B1 (ja) 2018-10-02 2019-06-19 上野製薬株式会社 液晶ポリエステル樹脂
JP6533880B1 (ja) 2018-10-02 2019-06-19 上野製薬株式会社 液晶ポリエステル樹脂
CN111087797A (zh) 2018-10-23 2020-05-01 中国石油化工股份有限公司 抗冲击性能改善的激光直接成型树脂组合物及制备方法和用途
CN112969585A (zh) 2018-11-08 2021-06-15 株式会社可乐丽 热塑性液晶聚合物膜和使用该膜的电路基板
CN112969750B (zh) 2018-11-09 2022-07-29 住友化学株式会社 液晶聚酯树脂组合物和成型品
JP2019094489A (ja) 2018-11-19 2019-06-20 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物および成形体
JP2019094497A (ja) 2018-11-22 2019-06-20 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物および成形体
KR20200070501A (ko) 2018-12-07 2020-06-18 주식회사 동성코퍼레이션 레이저직접구조화 수지 조성물, 이의 제조방법 및 이로부터 제조된 사출성형품
CN209266570U (zh) 2018-12-11 2019-08-16 上海电力学院 一种基于液晶聚合物的双陷波超宽带天线
CN209266563U (zh) 2018-12-11 2019-08-16 上海电力学院 一种柔性的双阻带超宽带mimo天线
CN109755729A (zh) 2018-12-11 2019-05-14 上海电力学院 一种柔性的双阻带超宽带mimo天线
CN109755733A (zh) 2018-12-11 2019-05-14 上海电力学院 一种基于液晶聚合物的双陷波超宽带天线
KR102167337B1 (ko) 2018-12-12 2020-10-20 유림특수화학 주식회사 밀착력 및 부착력이 우수한 lds 방식 회로기판 제조 방법
KR102473439B1 (ko) 2018-12-18 2022-12-02 주식회사 엘지화학 폴리페닐렌 설파이드 수지 조성물, 이의 제조방법 및 이로부터 제조된 사출성형품
CN209266571U (zh) 2018-12-23 2019-08-16 上海电力学院 一种基于液晶聚合物的柔性5g多频天线
CN109509975A (zh) 2018-12-23 2019-03-22 上海电力学院 一种基于液晶聚合物的柔性5g多频天线
WO2020138277A1 (ja) 2018-12-27 2020-07-02 Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 樹脂組成物および該樹脂組成物からなる樹脂成形品
CN109735060B (zh) 2018-12-28 2021-09-17 上海普利特化工新材料有限公司 一种用于激光直接成型技术的热塑性复合材料及其制备方法
CN109705322B (zh) 2018-12-28 2021-09-24 金发科技股份有限公司 一种液晶聚合物的固相增黏方法
JP6773824B2 (ja) 2019-01-25 2020-10-21 ポリプラスチックス株式会社 複合成形品
CN109742534A (zh) 2019-02-19 2019-05-10 上海电力学院 一种基于液晶聚合物基片的柔性多频天线
CN209516005U (zh) 2019-02-19 2019-10-18 上海电力学院 一种基于液晶聚合物基片的柔性多频天线
CN209544599U (zh) 2019-03-01 2019-10-25 深圳市信维通信股份有限公司 基于lcp材料的5g宽带毫米波天线阵列
US20220159843A1 (en) 2019-03-28 2022-05-19 Shpp Global Technologies B.V. Multilayer Sheets, Methods of Manufacture, and Articles Formed Therefrom
KR20210150422A (ko) 2019-04-03 2021-12-10 포리프라스틱 가부시키가이샤 전방향족 폴리에스테르 및 폴리에스테르 수지 조성물
EP3730545A1 (en) 2019-04-26 2020-10-28 SABIC Global Technologies B.V. Laser platable thermoplastic compositions
JP2020193261A (ja) 2019-05-27 2020-12-03 上野製薬株式会社 液晶ポリマー組成物
CN210706390U (zh) 2019-06-05 2020-06-09 嘉兴领科材料技术有限公司 一种具有多层结构的可激光直接成型高分子复合材料
CN110154464A (zh) 2019-06-14 2019-08-23 赣州龙邦材料科技有限公司 芳纶纸基挠性覆铜板及其制造方法
KR102104753B1 (ko) 2019-07-31 2020-04-24 세양폴리머주식회사 고주파영역에서 저유전 특성을 갖는 레이저 직접 구조화 가능한 중합체 조성물.
KR102104752B1 (ko) 2019-07-31 2020-04-24 세양폴리머주식회사 고주파영역에서 저유전 특성을 갖는 방향족 액정 폴리에스테르 수지
CN110505753B (zh) 2019-08-12 2021-02-12 隽美经纬电路有限公司 一种应用于高频高速柔性线路板的cop材料及其制备方法和应用
US11258184B2 (en) 2019-08-21 2022-02-22 Ticona Llc Antenna system including a polymer composition having a low dissipation factor
US20210054190A1 (en) 2019-08-21 2021-02-25 Ticona Llc Polymer Composition For Laser Direct Structuring
US11637365B2 (en) 2019-08-21 2023-04-25 Ticona Llc Polymer composition for use in an antenna system
US20210075162A1 (en) 2019-09-10 2021-03-11 Ticona Llc Electrical Connector Formed from a Polymer Composition having a Low Dielectric Constant and Dissipation Factor
US20210070927A1 (en) 2019-09-10 2021-03-11 Ticona Llc Polymer Composition and Film for Use in 5G Applications
US20210075093A1 (en) 2019-09-10 2021-03-11 Ticona Llc 5G System Containing A Polymer Composition
US11555113B2 (en) 2019-09-10 2023-01-17 Ticona Llc Liquid crystalline polymer composition
US11917753B2 (en) 2019-09-23 2024-02-27 Ticona Llc Circuit board for use at 5G frequencies
US11646760B2 (en) 2019-09-23 2023-05-09 Ticona Llc RF filter for use at 5G frequencies
CN110746754B (zh) 2019-09-25 2021-06-29 广东格瑞新材料股份有限公司 一种激光雕刻液晶高分子组合物及其制备方法
JP7339843B2 (ja) 2019-10-21 2023-09-06 上野製薬株式会社 液晶ポリエステル樹脂
CN110862523A (zh) 2019-11-04 2020-03-06 上海普利特化工新材料有限公司 一种液晶聚合物薄膜的制备方法
US11721888B2 (en) 2019-11-11 2023-08-08 Ticona Llc Antenna cover including a polymer composition having a low dielectric constant and dissipation factor
EP4071926A4 (en) 2019-12-03 2023-12-27 Kuraray Co., Ltd. ANTENNA SYSTEM AND ANTENNA CIRCUIT BOARD
CN114829450A (zh) 2019-12-19 2022-07-29 住友化学株式会社 液晶性聚酯的制造方法以及液晶性聚酯
CN110903612A (zh) 2019-12-20 2020-03-24 江门市德众泰工程塑胶科技有限公司 一种液晶聚酯组合物及其制备方法
CN111117169A (zh) 2019-12-26 2020-05-08 江苏沃特特种材料制造有限公司 一种高介电常数液晶聚合物及其制备方法
CN111087765A (zh) 2019-12-27 2020-05-01 江苏沃特特种材料制造有限公司 一种低密度液晶聚合物及其制备方法
US20230065239A1 (en) 2020-01-17 2023-03-02 Toray Industries, Inc. Liquid crystal polyester resin, liquid crystal polyester resin composition, formed product, layered body and liquid crystal polyester resin film, and production method therefor
JP2023515976A (ja) 2020-02-26 2023-04-17 ティコナ・エルエルシー 回路構造体
CN111393806B (zh) 2020-03-10 2023-03-17 深圳市信维通信股份有限公司 液晶聚酯薄膜及其制备方法
JP2021147476A (ja) 2020-03-18 2021-09-27 Ｅｎｅｏｓ株式会社 樹脂組成物および該樹脂組成物からなる樹脂成形品
CN111320848A (zh) 2020-04-03 2020-06-23 广东圆融新材料有限公司 低介电常数液晶聚合物组合物及其制备方法
CN111286176A (zh) 2020-04-03 2020-06-16 广东圆融新材料有限公司 液晶聚合物组合物及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022547982A (ja) 2022-11-16
US20210070929A1 (en) 2021-03-11
US20240166803A1 (en) 2024-05-23
US11912817B2 (en) 2024-02-27
EP4028476A1 (en) 2022-07-20
TW202116917A (zh) 2021-05-01
WO2021050223A8 (en) 2022-04-14
EP4028476A4 (en) 2023-11-22
CN114729177A (zh) 2022-07-08
WO2021050223A1 (en) 2021-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11912817B2 (en) Polymer composition for laser direct structuring
US20230344116A1 (en) Polymer Composition for Use in an Antenna System
KR20220051366A (ko) 레이저 직접 구조화용 중합체 조성물
US11555113B2 (en) Liquid crystalline polymer composition
US11917753B2 (en) Circuit board for use at 5G frequencies
US20210075093A1 (en) 5G System Containing A Polymer Composition
US20210070927A1 (en) Polymer Composition and Film for Use in 5G Applications
US20230167268A1 (en) Plateable Polymer Composition for Use at High Frequencies
TW202409194A (zh) 具有低介電常數之液晶聚合物組合物
WO2023249878A1 (en) Liquid crystalline polymer composition having a low dielectric constant
JP2024510883A (ja) アンテナシステムに使用するためのポリマー組成物