KR20070090071A - 파워 표면 마운트 발광 다이 패키지 - Google Patents

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Abstract

발광 다이 패키지가 개시된다. 다이 패키지는 기판, 반사판 및 렌즈를 포함하여 구성된다. 기판은 열 전도성은 있지만 전기 절연성 재료로 만들어지거나, 열 및 전기 전도성 모두를 가지는 재료로 만들어진다. 실시 예들에서, 기판은 전기 전도성 재료로 만들어지고, 상기 기판은 상기 전기 전도성 재료 위에 형성되는 전기 절연성 및 열 전도성을 가진 재료를 더 포함한다. 기판은 마운팅 패드에 설치된 발광 다이오드(LED)와의 연결을 위한 트레이스들을 구비한다. 반사판은 기판과 연결되고 마운팅 패드를 실질적으로 둘러싼다. 렌즈는 마운팅 패드를 실질적으로 덮는다. 작동 중에 LED에서 발생되는 열은 하부 열발산판으로 작동하는 기판과 상부 열발산판으로 작동하는 반사판 모두에 의하여 LED로부터 빠져나간다. 반사판은 LED로부터 나오는 빛을 원하는 방향으로 보내기 위한 반사 면을 포함한다.
다이 패키지, 발광 다이오드, 트레이스, 반사판, 기판

Description

파워 표면 마운트 발광 다이 패키지 {POWER SURFACE MOUNT LIGHT EMITTING DIE PACKAGE}
본원출원은 반도체 장치의 패키징 분야, 더욱 상세하게는 발광 다이오드의 패키징 분야와 관련된 것이다.
발광 다이오드(LED)들은 종종 리드프레임 패키지 내에 패키징된다. 리드프레임은 통상적으로 LED를 싸는 몰딩된 플라스틱 몸체, 렌즈 부분 및 LED와 연결되고 플라스틱 몸체의 바깥으로 뻗은 박형의 금속 리드선들을 포함한다. 리드프레임 패키지의 금속 리드선들은 LED에 전력을 공급하는 도관의 역할을 하는 동시에, LED로부터 열이 빠져나가도록 한다. 전력이 LED에 공급되어 빛이 발생하면 LED로부터 열이 발생한다. 리드선들은 리드프레임 패키지 외부의 회로와 연결되기 위하여 패키지 몸체로부터 바깥쪽으로 뻗어있다.
LED에 의해 발생된 열의 일부는 플라스틱 패키지 몸체에 의해 방산된다. 그러나 대부분의 열은 패키지의 금속으로 된 구성요소를 통해 LED로부터 빠져나간다. 금속 리드선들은 통상적으로 매우 얇고 작은 십자형 부분을 가지고 있다. 이러한 이유로 인해, LED로부터 열을 제거하기 위한 금속 리드선들의 용량은 제한된다. 이것은 LED로 보내질 수 있는 전력량을 제한하고, 이로써 LED에 의해 발생 가능한 빛 의 양을 제한한다.
열 방출을 위해 LED 패키지의 용량을 증가시키기 위한 어떤 LED 패키지 설계에서는, 열발산판 슬러그(heat sink slug)가 LED 패키지 내의 금속 리드선 아래에 위치된다. 열발산판 슬러그는 열 방산을 위한 LED 패키지의 용량을 증가시키지만, 열발산판 슬러그는 패키지의 크기, 질량 및 가격을 증가시킨다. 크기, 질량 및 가격의 증가는 바람직하지 않다.
다른 LED 패키지 설계에 있어서는, 리드프레임의 리드선들이 LED 패키지 몸체의 인접한 모서리를 넘어 다양한 형태와 구조로 뻗어있다. 이것은 주위 공기로 노출되는 리드선 부분들의 표면적을 증가시킨다. 뻗친 리드선들에 의한 노출 표면적의 증가는 열 방산을 위한 LED 패키지의 용량을 증가시키지만, 뻗친 리드선들은 LED 패키지의 크기, 질량 및 가격을 증가시킨다.
통상적인 리드프레임 패키지 설계에 따른 또다른 바람직하지 않은 면은, 패키지의 열 팽창과 관계된다. 열이 발생되면, LED 패키지는 열 팽창을 겪게 된다. LED 패키지의 각 부분들은 다양한 열 팽창 계수(Coefficient of thermal expansion; CTE)를 가지고 있다. 예를 들어, LED의 CTE, 패키지 몸체의 CTE, 리드선들의 CTE, 렌즈의 CTE들은 서로 다르다. 이러한 이유로 인해, 열이 가해지면, 각 부분들은 서로 다른 정도의 열 팽창을 겪게 되고 이로 인해 패키지의 각 부분들 사이에서 기계적 응력이 생겨서 신뢰도에 불리한 영향을 끼치게 된다.
결과적으로, 종래 기술에 따른 패키지의 하나 또는 그보다 많은 단점들을 극복 또는 경감하는 개량된 LED 패키지의 필요가 있다.
본원발명의 실시 예는 발광 다이오드와 같은 반도체 다이의 패키지에 있어서, 고정 패드에 설치된 발광 다이오드와 연결되기 위해 전기 전도성 요소들을 가지는 기판, 기판과 연결되고 실질적으로 고정 패드를 둘러싸는 반사판 및 고정 패드를 실질적으로 덮는 렌즈를 포함하는 패키지를 제공한다.
본원 발명의 다른 실시 예는 하단 열발산판(heat sink)와 상단 열발산판을 포함하는 반도체 다이 패키지를 제공한다. 하단 열발산판은 상단 표면에 트레이스(trace)들이 있을 수 있다. 반도체 칩은 하단 열발산판의 상단 표면에 설치되고 그 트레이스들과 전기적으로 연결될 수 있다. 상단 열발산판은 기계적으로 하단 열발산판과 연결될 수 있다.
다른 실시 예에서는, 하단 열발산판은 제1 및 제2 표면을 가진 열 및 전기 전도성 판을 포함한다. 상기 판은 구리, 알루미늄 또는 각각의 합금과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 얇은 열 전도 절연성 필름은 금속 판의 제1 표면의 일부에 형성되고, 금속 판의 다른 표면들 위에 형성될 수 있다.
금속 트레이스들 및/또는 리드선들과 같은 전도성 요소들은 세라믹/폴리머 필름 위에 형성될 수 있다. 세라믹/폴리머 필름은 절연성이기 때문에, 전도성 트레이스들은 금속 판과 전기적으로 접촉하지 않는다. 전도성 요소는 LED와 같은 전자 소자를 수용하기 위해 채용된 마운팅 패드를 형성하거나 마운팅 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.
어떤 실시 예에서는, 하나 또는 그보다 많은 비아 홀(via hole)들이 기판을 관통하도록 형성될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 비아 홀들의 안쪽으로 세라믹/폴리머 필름과 같은 절연성 재료로 코팅될 수 있다. 전기 전도성 트레이스들과 같은 전기적 도체들은 비아 홀들의 내부에 형성되어 기판의 제1 표면 위의 전도성 요소들을 기판의 제2 표면 위의 전도성 요소들과 전기적으로 연결시킨다.
본원 발명의 실시 예에 따른 기판은 또한, 정전기 방전(electro-static discharge; ESD) 및/또는 과전압 방지를 위한 하나 또는 그보다 많은 전도성 요소들 사이를 연결하는 제너 다이오드 및/또는 저항기 네트워크 전기 회로를 포함할 수 있다.
본원 발명의 다른 면들 및 이점은 다음의 상세한 설명과 함께 발명의 원리의 실례를 보여주는 첨부된 관련 도면에 의하여 분명해질 것이다.
도 1A는 본원 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 다이 패키지를 나타낸 사시도;
도 1B는 도 1A의 반도체 다이 패키지를 나타낸 분해 사시도;
도 2A는 도 1A의 반도체 다이 패키지를 나타낸 평면도;
도 2B는 도 1A의 반도체 다이 패키지를 나타낸 측면도;
도 2C는 도 1A의 반도체 다이 패키지를 나타낸 정면도;
도 2D는 도 1A의 반도체 다이 패키지를 나타낸 저면도;
도 3은 도 1A의 반도체 다이 패키지를 나타낸 측단면도;
도 4는 추가적인 요소를 구비한 도 1A의 반도체 다이 패키지를 나타낸 측면 도;
도 5는 본원 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 다이 패키지를 나타낸 분해 사시도;
도 6A는 도 5의 반도체 다이 패키지를 나타낸 평면도;
도 6B는 도 5의 반도체 다이 패키지를 나타낸 측면도;
도 6C는 도 5의 반도체 다이 패키지를 나타낸 정면도;
도 6D는 도 5의 반도체 다이 패키지를 나타낸 저면도;
도 7A는 본원 발명의 다른 실시 예들에 따른 반도체 다이 패키지의 일부를 나타낸 평면도;
도 7B는 도 7A의 반도체 다이 패키지의 일부를 나타낸 정면도;
도 7C는 도 7A의 A-A선을 따라 자른 반도체 다이 패키지의 일부를 나타낸 정단면도;
도 8은 본원 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 다이 패키지의 일부를 나타낸 측면도;
도 9는 본원 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 다이 패키지의 일부를 나타낸 측면도;
도 10A는 본원 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 다이 패키지의 일부를 나타낸 평면도;
도 10B는 본원 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 다이 패키지의 일부를 나타낸 평면도이다.
이하에서 본원 발명은 본원 발명의 다양한 실시 예들을 도시한 도 1 내지 10B를 참고로 하여 설명된다. 도면들에 도시된 바와 같이, 층(layer)들 또는 부분들의 크기는 본원 발명의 일반적인 구조를 설명하기 위한 설명의 목적 때문에 과장되게 표현되었다. 또한, 본원 발명의 다양한 면들은 기판 또는 다른 층이나 구조 위에 형성된 층 또는 구조와 관련하여 기술되었다. 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해될 것과 같이, 다른 층이나 기판 "위에" 형성되는 층과 관련해서는 추가적인 층들이 삽입될 수 있다고 보기로 한다. 삽입 층이 없는 다른 층 또는 기판 위에 형성되는 층에 대해서 여기에서는 층 또는 기판의 "직접 위에" 형성된다고 기술된다. 또한, "밑에"와 같은 상대적인 용어들은 여기에서는 도면에 도시된 바와 같이 다른 층 또는 부분과의 관계에서 하나의 층 또는 부분들로 사용된다. 이는 이 용어들은 도면에 그려진 방향에 더하여 장치의 다양한 방향들을 포함하려는 의도로 사용된 것이라고 이해될 수 있을 것이다. 예를 들어, 설명의 목적을 위한 도면들에 나타난 바와 같이, 본원 발명의 실시 예들은 마운팅 패드에 설치된 발광 다이오드와의 연결을 위한 트레이스들을 가지는 하단 열발산판(기판)과 실질적으로 마운팅 패드를 둘러싸는 상단 열발산판(반사판)을 포함하는 발광 다이 패키지로 예시된다. 렌즈는 마운팅 패드를 덮는다. 사실상, 본원 발명의 일부 실시 예들에 따른 다이 패키지는 LED가 설치되고 연결되는 기판으로서 사용되고 추가적으로 열의 흡입과 방출의 용도로 사용되는 하단 열발산판과, LED에 의해 발생된 빛을 나아가에 하는 반사판으로 사용되고 추가적으로 열의 흡입과 방출의 용도로 사용되는 상단 열발산판의 두 부분의 열발산판을 포함하여 구성된다. 양 하단 및 상단 열발산판들이 LED로부터 열을 빠져나가게 하기 때문에, 더 많은 전력이 LED로 전달될 수 있고, 이로써 LED는 더 많은 빛을 낼 수가 있다.
또한, 본원 발명에서, 다이 패키지 자체는 LED로부터 열을 흡입하여 방출하는 열발산판으로서 작용한다. 이러한 이유로 인하여, 본원 발명에 따른 LED 다이 패키지는 별개의 열발산판 슬러그들이나 패키지의 외부로 뻗어나온 리드선들이 요구되지 않을 수 있다. 따라서, 본원 발명에 따른 LED 다이 패키지는 종래 기술의 다이 패키지보다 더욱 작고, 더욱 신뢰성이 있으며, 제조 비용은 더 적게 소요될 수 있다.
도 1A는 본원 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 다이 패키지(10)의 사시도이고, 도 1B는 도 1A의 반도체 다이 패키지의 분해 사시도이다. 도 1A 및 1B를 참고하면, 본원 발명의 발광 다이 패키지(10)는 하단 열발산판(20), 상단 열발산판(40) 및 렌즈(50)를 포함한다.
하단 열발산판(20)은 도 2A 내지 2D 에서 더욱 상세하게 설명된다. 도 2A, 2B, 2C 및 2D 각각은 도 1A의 하단 열발산판의 평면도, 측면도, 정면도 및 저면도를 제공한다. 또한, 도 2C는 하단 열발산판의 정면도 뿐 아니라 LED 어셈블리(60)도 나타낸다. LED 어셈블리(60)는 또한 도 1B에 도시된다. 도 1A 내지 2D를 참고로 하면, 하단 열발산판(20)은 전기적 트레이스(22, 24)들, 솔더 패드(26, 32, 34)들 및 LED 어셈블리(60)를 위한 지지대를 제공한다. 이러한 이유로, 하단 열발산판(20)은 기판(20)이라고 지칭할 수도 있다. 도면에서는, 혼란을 피하기 위해, 대 표적인 솔더 패드(26, 32, 34)들만 참고 숫자에 의해 지시되도록 하였다. 트레이스(22, 24)들과 솔더 패드(26, 32, 24)는 전도성 재료에 의해 만들어질 수 있다. 또한, 추가적인 트레이스들과 접속구들이 기판(20)의 위, 옆 또는 바닥에 만들어지거나 기판(20) 안에서 층을 이룰 수 있다. 트레이스(22, 24)들, 솔더 패드(26, 32, 34)들과 어떤 다른 접속구들은 비아 홀과 같은 공지된 방법을 이용하여 어떤 하나의 조합을 이루도록 상호 연결될 수 있다.
일부 실시 예에서는, 기판(20)이 예를 들어 질화알루미늄(A1N) 또는 알루미나 (A12O3)와 같은 높은 열 전도성을 가지나 전기적으로는 절연성을 가지는 재료로 만들어질 수 있다. 7A 내지 10B를 참고로 하여 아래에서 설명되는 것과 같은 다른 실시 예들에선, 기판(20)은 전기 및 열 전도성 모두를 가지는 재료를 포함하여 이루어질 수 있다. 이러한 실시 예에서는, 금속 리드선들, 전도성 트레이스(22, 24)들 또는 둘 모두가 아래에서 더욱 상세하게 설명되는 것과 같이 기판의 일부분 위에 형성된 절연성 필름에 의하여 기판으로부터 절연될 수 있다. 기판(20)의 치수는 용도와 다이 패키지(10)를 제조하는 공정에 따라 매우 다양할 수 있다. 비록 본원 발명이 특정한 치수에 한정되는 것은 아니지만, 본원 발명에 따른 다이 패키지(10)의 구체적인 일 실시 예는 치수들이 표시된 도면에 의해 설명된다. 도면들에 나타난 모든 치수들은 도면, 상세한 설명 또는 둘 모두에서 다르게 명시된 것을 제외하고는 길이, 폭, 높이 및 반지름에 있어서는 '밀리미터'이고, 각도에 있어서는 '도'이다.
기판(20)은 전기적 트레이스(22, 24)들을 포함하는 상단 표면(21)을 가진다. 트레이스(22, 24)들은 솔더 패드(예를 들면 상단 솔더 패드(26))들부터 마운팅 패드(28)까지 전기적으로 연결되게 한다. 상단 솔더 패드(26)들은 일반적으로 기판(20)의 가장자리 부근에 위치하는 트레이스(22, 24) 부분을 포함할 수 있다. 상단 솔더 플레이트(26)는 측면 솔더 패드(32)들과 전기적으로 연결된다. 마운팅 패드(28)는 트레이스(22), 트레이스(24) 또는 둘 모두의 부분들을 포함하는 상단 표면의 부분으로서, LED 어셈블리(60)가 설치된다. 통상적으로 마운팅 패드(28)는 상단 표면(21)의 중심과 대체로 근접하게 위치된다. 본원 발명의 대체 가능한 실시 예에서는, LED 어셈블리(60)는 다른 반도체 회로들이나 칩들로 대체될 수 있다.
트레이스(22, 24)들은 LED 어셈블리(60)가 솔더 패드(26, 32, 34)들과 전기적으로 연결될 수 있도록 전기적 경로를 제공한다. 따라서, 트레이스들 중 일부는 제1 트레이스(22)들이라고 표현되는 한편, 다른 일부는 제2 트레이스(24)들이라고 표현된다. 제시된 실시 예에서, 마운팅 패드(28)는 제1 트레이스(22)들과 제2 트레이스(24)들의 둘 모두의 부분들을 포함한다. 제시된 예에서, LED 어셈블리(60)는 마운팅 패드(28)의 제1 트레이스(22) 위에 위치됨으로써 제1 트레이스(22)와의 접촉을 이뤄진다. 제시된 실시 예에서, LED 어셈블리(60)의 상단과 제2 트레이스(24)들은 본드 와이어(62)에 의해 상호 연결된다. LED 어셈블리(60)의 구조와 방향에 따라, 제1 트레이스(22)들은 LED 어셈블리(60)를 위한 양극 연결을 제공하고 제2 트레이스(24)들은 음극 연결을 제공한다. 또는 이와 반대로 될 수도 있다.
LED 어셈블리(60)는 추가적인 요소들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 1B 와 2C에서는, LED 어셈블리(60)는 LED 본드 와이어(62), LED 보조 어셈블리(64) 및 발광 다이오드(LED)(66)를 포함하는 것으로 도시되어 있다. 이러한 LED 보조 어셈블리(64)는 당해 기술분야에서 공지된 것이고 상기 발명을 논의하려는 목적으로 도시된 것이며 본원 발명을 한정하고자 하는 의도는 없다. 도면들에서, LED 어셈블리(60)가 기판(20)에 다이 결합된 것이 나타나 있다. 대체 가능한 실시 예에서는, 마운팅 패드(28)가 LED 어셈블리(60)의 플립 칩(flip-chip) 결합이 가능하도록 구성될 수 있다. 추가적으로, 다중(multiple) LED 어셈블리들이 마운팅 패드(28) 위에 설치될 수 있다. 대체 가능한 실시 예에서는, LED 어셈블리(60)가 다중 트레이스들의 위쪽에 설치될 수 있다. 이것은 플립 칩 기술이 사용될 때에는 특별히 그러하다.
트레이스(22, 24)들의 위치 및 형상은 본원 발명의 범위 내인 한, 도면들에 도시된 바와 같이 매우 다양할 수 있다. 도면들에서, 세 개의 분리된 음극 트레이스(24)들은 세 개의 LED 어셈블리들이 마운팅 패드(28)에 위치되어 각각이 서로 다른 음극 트레이스와 연결되고, 이로써 세 개의 LED 어셈블리들이 별개로 전기적으로 제어될 수 있음을 설명하기 위해 도시되었다. 트레이스(22, 24)들은 금, 은, 주석 또는 다른 금속들과 같이 전도성 재료로 제작된다. 트레이스(22, 24)들은 도면에 도시된 것과 같은 치수를 가질 수 있으며 용도에 따라 미크론 또는 수십 미크론 단위 두께의 치수를 가질 수 있다. 예를 들면, 트레이스(22, 24)는 15 미크론의 두께를 가질 수 있다. 도 1A 및 2A에는 방위 표시(27)가 넣어져 있다. 이러한 표시들은 다이 패키지(10)의 조립 후에도 다이 패키지(10)의 적절한 방향을 식별하 기 위해 사용될 수 있다. 도시된 바와 같이, 트레이스(22, 24)들은 마운팅 패드(28)부터 기판(20)의 가장자리들로 뻗칠 수 있다.
계속하여 도 1A 내지 2D를 참고하면, 기판(20)의 측면 부근에는 반 원통형 공간(23)들과 사분의 일 원통형 공간(25)이 형성된다. 상기 도면들에서는 혼잡을 피하기 위해 대표적인 공간(23, 25)들만 참조 부호가 지시하도록 되어 있다. 반 원통형 공간(23)들과 사분의 일 원통형 공간(25)들은 다이 패키지(10)를 구성요소로 하는 인쇄 회로 기판(PCB) 또는 다른 장치(미도시)에 접합될 때 솔더가 관통하고 안에서 굳어지기 위한 공간을 제공한다. 더군다나, 반 원통형 공간(23)들과 사분의 일 원통형 공간(25)들은 제조 과정 중 편리한 경계식별 및 구분점들을 제공한다.
기판(20)은 다수 개의 인접 부분들을 가지는 스트립 중에서 하나의 개별적인 부분으로서 제조될 수 있으며, 각 부분들이 기판(20)이 된다. 대체 가능하게는, 기판(20)이 다중 행렬을 이루는 인접 부분들로 이루어지는 어레이 중의 한 개별적 부분으로서 제조될 수 있다. 이와 같은 구조에서, 반 원통형 공간(23)과 사분의 일 원통형 공간(25)은 제조 과정 중 스트립 또는 어레이를 위한 손잡이로 사용될 수 있다.
또한, 반 원통형 공간(23)과 사분의 일 원통형 공간(25)은 부분들 사이의 스크라이브(scribe)된 홈 또는 다른 식각과 더불어 스트립 또는 웨이퍼로부터 각 개별적인 기판을 분리시키는 데 도움이 된다. 상기 분리는 스트립 또는 웨이퍼를 구부림으로써 반 원통형 공간(23)과 사분의 일 원통형 공간(25)을 가로지르는 식각 라인에 물리적 응력을 가하여 성취될 수 있다. 이러한 특징들은 제조 공정을 단순화하여 제조 과정 중에 스트립 또는 웨이퍼를 다루기 위한 특별한 운반 고정체의 필요성을 제거하여 비용이 절감된다. 또한, 반 원통형 공간(23)과 사분의 일 원통형 공간(25)는 상단 솔더 패드(26)들, 측면 솔더 패드(32)들 및 하단 솔더 패드(34)들을 연결하는 비아 홀들로 기능할 수 있다.
기판(20)은 열 접촉 패드(36)를 포함하는 하단 표면(29)을 가진다. 열 접촉 패드는 금, 은, 주석, 또는 값비싼 제료에 한정되지 않는 다른 재료와 같이 높은 열 전도율을 가진 재료를 이용하여 제조될 수 있다.
도 3은 도 1A 및 1B의 반도체 다이 패키지의 일부의 측단면도를 나타낸 것이다. 특별히, 도 3은 상단 열발산판(40)과 렌즈(50)의 측단면도를 나타낸다. 도 1A, 1B 및 3을 참고하면, 상단 열발산판(40)은 알루미늄, 구리, 세라믹, 플라스틱, 복합 재료 또는 이러한 재료들의 조합과 같이 높은 열 전도율을 가진 재료로 제조된다. 트레이스(22, 24)들을 밀폐시켜 스크래치와 산화와 같은 물리적, 환경적 해악으로부터 보호하기 위하여 온도가 높고 기계적으로 단단한 유전체 물질이 중심의 다이 접합 부분을 제외하고 트레이스(22, 24)들을 보호 코팅 하는 데 이용될 수 있다.
그 다음, 보호용 코팅은 써모셋(THERMOSET)에 의해 제조된 열 경계면 재료와 같은 높은 온도의 접착제로 덮어져 기판(20)이 상단 열발산판(40)과 접촉된다.
상단 열발산판(4)은 도 2A 및 2C의 마운팅 패드(28)에 설치된 LED 어셈블리(60)를 실질적으로 둘러싸는 반사 표면(42)을 포함한다. 반사 표면(42)은 샘플 광선(63)으로 도시된 것과 같이 LED 어셈블리(60)로부터 빛의 일부를 반사한다. 빛의 다른 부분들은 샘플 광선(61)으로 도시된 것과 같이 반사 표면(42)에 의해 반사되지 않는다. 도시된 광선(61, 63)은 광학 분야에서 종종 사용되는 빛의 궤적을 나타낸 것을 의미하지는 않는다. 빛의 효율적인 반사를 위해, 상단 열발산판(40)은 광택 가공, 압인 가공 또는 둘 모두가 가능한 재료로 적절하게 제조된다. 또는, 높은 반사율을 달성하기 위해, 광학적 반사 표면(42) 또는 전체 열발산판(40)은, 알루미늄 또는 상기 목적을 달성할 수 있는 다른 물질과 같은 높은 반사성 재료로 도금되거나 적층될 수 있다. 이러한 이유로 인하여, 상단 열발산판(40)은 또한 반사판(40)이라고 지칭된다. 반사판(40)은 패키지(10)의 열 특성에 관한 요구가 있을 때에는 높은 열 전도율을 가진 재료로 제조된다.
제시된 실시 예에서, 반사판(42)은 반사판의 수평한 평면에 대하여 45도만큼 경사진 평평한 표면으로 도시되어 있다. 본원 발명은 제시된 실시 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 반사판(42)은 반사판의 수평한 평면에 대하여 다른 각을 이룰 수 있다.
또는, 반사판은 파라볼라 또는 다른 형태를 가질 수도 있다.
반사판(40)은 렌즈(50)를 지지하고 결합시키기 위한 선반(44)을 포함한다. LED 어셈블리(60)는 (도 1A 및 1B의) 다이 패키지(10) 내부에서 예를 들면 실리콘과 같은 포위 재료(46)에 의해 포위되어 있다. 포위 재료(46)는 높은 광 투과성과 렌즈(50)의 굴절률에 대응하는 굴절률을 가진 적절한 고온 합성수지다.
렌즈(50)는 유리, 석영, 고온 플라스틱 또는 이 물질들의 조합물과 같이 높 은 투광성을 가진 재료로 제조된다. 렌즈(50)는 포위 재료(46)와 접촉되도록 위치될 수 있다. 그 결과, 다이 패키지(10)가 가열되어 열 팽창하게 되면, 렌즈(50)가 다이 패키지(10)의 다른 부분들의 열 팽창으로부터 발생하는 기계적 응력으로부터 보호되도록 렌즈(50)는 포위 재료(46)에 의해 완충 지지된다. 다른 실시 예에서, 렌즈(50)는 인광 물질, 탄살칼슘과 같은 약 확산제, 형광성 재료와 같은 중심 주파수 천이 물질 또는 이러한 물질들의 조합물과 같은 광 화학물질로 채워질 수 있는 얕은 트로프(trough)를 가진다.
도 4는 외부 열발산판(70)과 연결된 다이 패키지(10)를 나타낸다. 도 4를 참고로 하면, 열 접촉 패드(36)는 외부 열발산판(70)에 에폭시, 솔더 또는 다른 열 전도성 접착제, 전기 전도성 접착제 또는 열 및 전기 전도성 접착제(74)에 의해 접착될 수 있다. 외부 열발산판(70)은 다이 패키지(10)로부터 열을 흡입하는 인쇄 회로 기판(PCB) 또는 다른 구조물일 수 있다. 외부 열발산판은 다양한 구조의 회로 요소(미도시)들 또는 열 방출 핀(72)들일 수 있다.
일정한 대체 가능한 구조를 가진 발명의 실시 예가 도 5 내지 6D에 도시된다. 제2 실시 예의 부분들은 도 1A 내지 4에 도시된 제1 실시 예의 대응되는 부분들과 유사하다. 편의를 위해서, 제1 실시 예의 부분들과 유사한 도 5 내지 6D에 도시된 제2 실시 예의 부분들에는 동일한 참조 숫자가 부여되고, 서로 유사하지만 변화된 부분들에는 문자 'ａ'가 수반되도록 하고, 서로 다른 부분들에는 다른 참조 숫자들이 부여되도록 한다.
도 5는 본원 발명의 다른 실시 예에 따른 LED 다이 패키지(10a)의 분해 사시 도이다. 도 5를 참고로 하면, 본원 발명의 발광 다이 패키지(10a)는 하단 열발산판(기판)(20a), 상단 열발산판(반사판)(40a) 및 렌즈(50)를 포함한다.
도 6A, 6B, 6C 및 6D는 각각 도 5의 기판(20a)의 평면도, 측면도, 정면도 및 저면도를 제공한다. 도 5 내지 6D를 참고로 하면, 제시된 실시 예에서, 기판(20a)은 하나의 양극 트레이스(22a)와 네 개의 음극 트레이스(24a)들을 포함한다. 이 트레이스(22a, 24a)들은 도 2A의 트레이스(22, 24)들과 다르게 구성된다. 기판(20a)은 반사판(40a)의 레그(leg)(35)들이 수용됨으로써 반사판(40a)이 기판(20a)과 기계적으로 결합되도록 하는 선반 공간(33)들을 한정하는 플랜지(31)들을 포함한다.
본 발명의 다른 실시 예가 도 7A 내지 10B에 도시된다. 이 실시 예들에 따르면, 고전력 발광 장치를 위한 기판은 제1 및 제2 표면을 가진 열 및 전기 전도성 판을 포함한다. 상기 판은 구리, 알루미늄 또는 어느 하나의 합금과 같은 금속을 포함하여 구성된다. 얇은 열 전도 절연 필름은 상기 금속 판의 제1 표면 위에 형성된다. 일부 실시 예에서는, 열 전도 절연 필름은 미국 미네소타 찬하쎈 소재의 버그퀴스트(Bergquist)사 제품인 써멀 클래드 필름(Thermal Clad film)과 같은 세라믹/폴리머 필름을 포함하여 구성된다.
금속 트레이스 및/또는 금속 리드선과 같은 전도성 요소는 세라믹/폴리머 필름 위에 형성될 수 있다. 세라믹/폴리머 필름이 절연성을 가지기 때문에 전도성 트레이스들은 금속 판에 전기적으로 접촉되지 않는다. 전도성 요소는 전자 장치를 수용하기 위해 적용된 마운팅 패드를 형성하거나 상기 마운팅 패드와 전기적으로 연결된다. 도 1 내지 6에 도시된 실시 예와 관련하여 위에서 살펴본 바와 같이, 금속 트레이스들의 위치 및 형상은 본 발명의 범위 내인 한, 매우 다양할 수 있다.
LED 어셈블리는 예를 들면 솔더링, 열초음파 접합 또는 열 압착에 의하여 마운팅 패드에 접착될 수 있다. LED에서 발생된 열은 금속 판을 통해 적어도 얼마간이 방출될 수 있다. 기판 자체가 열발산판으로서 기능할 수 있기 때문에, 구조물에 별도의 열발산판을 접착할 필요가 줄어들거나 제거될 수 있다. 그러나, 별도의 열발산판이 열이 조작 수단에 의해 빠져나가도록 금속 판과 열 교환을 이루게 설치될 수 있다.
또 하나의 실시 예에서는, 하나 또는 그보다 많은 비아 홀들이 절연 필름과 금속 판을 관통하도록 형성될 수 있다. 비아 홀들은 그 안쪽이 세라믹/폴리머 필름과 같은 절연성 재료로 코팅될 수 있다. 전기 전도성 트레이스들과 같은 전기적 도체들이 비아 홀들의 안에 형성되어 기판의 제1 표면의 전도성 요소들이 기판의 제2 표면의 전도성 요소들과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 실시 예에 따른 기판은 금속 리드선들을 사용하지 않는 인쇄 회로 기판과 같은 표면에 설치될 수 있으며, 그 결과 기계적으로 더욱 튼튼한 패키지가 된다.
본원 발명의 실시 예들에 따른 기판은 또한 개별 제너(zener) 다이오드 및/또는 정전기 방전(electrostatic discharge; ESD) 및/또는 과전압 보호를 위한 저항기 네트워크를 포함할 수 있다.
도 7 내지 10에 도시되어 있지는 않지만, 기판은 반 원통형 및 사분의 일 원통형 공간, 방향 표시들, 측면 접착 패드들, 플랜지들 및 도 1 내지 6에 도시된 기 타 특징들과 같은 특징들을 더 포함할 수 있다.
도 7A 내지 10B에 도시된 실시 예들의 부분들은 도 1 내지 6D에 도시된 실시 예들의 부분들과 유사하다. 편의를 위해서, 제1 실시 예의 부분들과 유사한 도 7A 내지 10B에 도시된 실시 예의 부분들에는 같은 참조 번호들이 부여되고, 유사하지만 변경된 부분들에는 문자 "b"가 수반된 동일한 참조 번호들이 부여된다.
여기에선 도 7A를 참고로 하여 본원 발명의 다른 실시 예들에 따른 기판(20b)이 설명된다. 도 7A 및 7B는 각각 기판(20b)의 평면도 및 정면도를 제공한다. 또한, 도 7B는 기판(20b)의 정면도에 더하여 LED 어셈블리(60)까지 보여준다. 기판(20b)은 제1 및 제2표면(51a, 51b)을 가진 열 및 전기 전도성 판(51)을 포함한다. 상기 판(51)은 구리, 알루미늄 또는 각각의 합금과 같은 금속을 포함하여 구성될 수 있다. 얇은 열 전도 절연성 필름(48)은 금속 판(51)의 제1 표면(51a)의 적어도 일부 위에 형성된다. 어떤 실시 예에서는, 열 전도 절연 필름(48)은 미국 미네소타 찬하쎈 소재의 버그퀴스트(Bergquist)사 제품인 써멀 클래드 필름(Thermal Clad film)과 같은 세라믹/폴리머 필름을 포함하여 구성된다. 추가적으로, 열 전도 절연 필름(49)은 측면 표면들 뿐 아니라 판(51)의 제2 표면(51b) 위에도 형성될 수 있다.
기판(20b)은 전기 트레이스(22, 24)들, 솔더 패드(26)들 및 LED 어셈블리(60)와 같은 전기 전도성 요소들을 위한 지지대를 제공한다. 또한, 추가적인 트레이스들과 접속구들이 기판(20b)의 상단, 측면 또는 하단에 조립되거나 기판(20b) 내에 적층된다. 트레이스(22, 24)들, 솔더 패드(26)들 및 다른 접속구들은 예를 들면 비아 홀들과 같은 공지된 방법에 의해 어떠한 조합들로도 상호 연결될 수 있다.
기판(20b)은 전기 트레이스(22, 24)들을 포함하는 상단 표면(21b)을 가진다. 트레이스(22, 24)들은 솔더 패드들(예를 들면 상단 솔더 패드(26)들)부터 마운팅 패드(28)까지의 전기적 연결들을 제공한다. 상단 솔더 패드(26)들은 기판(20b)의 측면들과 대체로 근접해 있는 트레이스(22, 24)들을 포함하여 구성된다. 마운팅 패드(28)는 LED 어셈블리(60)가 설치된 트레이스(22), 트레이스(24) 또는 둘 모두의 부분들을 포함하는 상단 표면의 부분이다. 통상적으로 마운팅 패드(28)는 상단 표면(21b)의 중심에 대체로 근접하게 위치된다. 본원 발명의 대체 가능한 실시 예들에서, LED 어셈블리(60)는 다른 반도체 회로들 또는 칩들로 대체될 수 있다.
트레이스(22, 24)들의 위치 및 형상은 본원 발명의 범위 내인 한 도면들에서 도시된 위치 및 형상으로부터 다양하게 변화될 수 있다. 도면들에서는, 단 하나의 음극 트레이스와 단 하나의 양극 트레이스만 보여진다. 그러나, 다중 음극 또는 양극 트레이스들은 세 개의 LED 어셈블리들이 서로 다른 음극 또는 양극 트레이스들과 연결되어 개별적으로 전기적인 콘트롤이 가능하게 다수 개의 LED 어셈블리들을 마운팅 패드(28) 위에 설치하기 용이하도록 기판(20b) 위에 포함된다. 트레이스(22, 24)들은 금, 은, 주석 또는 다른 금속들과 같은 전도성 재료로 이루어진다.
기판(20b)은 열 접촉 패드(36)를 포함하는 하단 표면(29b)을 가진다. 열 접촉 패드는 금, 은, 주석 또는 값비싼 금속에 한정되지 않는 다른 금속과 같은 높은 열 전도성을 가진 재료로 제조된다.
도 7C는 도 7A는 A-A 구분선을 따라 자른 기판(20b) 부분의 정단면도이다. 도 7C에 도시된 바와 같이, 하나 또는 그보다 많은 비아 홀(45a, 45b)들이 기판(20b)을 관통하도록 형성된다. 비아 홀(45a, 45b)들의 안쪽이 세라믹/폴리머 필름과 같은 절연성 재료로 코팅될 수 있다. 전기 전도성 트레이스(47a, 47b)들과 같은 전기 전도체들은 비아 홀들의 안에 형성되고 기판의 제1 표면 위의 전도성 요소들을 기판의 제2 표면 위의 전도성 요소에 전기적으로 연결할 수 있다. 도 7C에 도시된 바와 같이, 비아 홀(45a) 내부의 전도성 트레이스(47a)는 기판(20b)의 제1 면(21b), 즉 상단 표면(21b) 위의 트레이스(24)를 기판(20b)의 제2 면(29b), 즉 하단 표면(29b) 위의 솔더 패드(34)와 연결시킨다. 이와 같이, 비아 홀(45b)을 관통하여 연장된 전도성 트레이스(47b)는 트레이스(22)를 접착 패드(38)와 연결시킨다.
이러한 실시 예에 따른 기판은 금속 리드선들을 사용하지 않는 인쇄 회로 기판과 같은 표면 위에 설치되고, 그 결과 기계적으로 더욱 튼튼한 패키지가 될 수 있다.
상기에서 논의한 바와 같이, 고온이고 기계적인 강성이 큰 유전체 재료는 트레이스(22, 24)들을 밀폐하여 스크래치나 산화와 같은 물리적 및 환경적 해로움을 방지하는 목적으로 트레이스(22, 24)들을 보호 코팅하기 위해 사용될 수 있다. 보호 코팅 공정은 기판 제조 공정의 일부가 될 수 있다. 보호용 코팅막은 사용시 트레이스(22, 24)들을 상단 열발산판(40)으로부터 절연시킨다. 보호용 코팅막은 기판(20b)을 상단 열발산판(40)과 접착시키는 써모셋(THERMOSET)에 의해 제조된 열 경계 물질과 같은 고온 접착제로 덮힌다.
비아 홀들이 이용되지 않은 다른 실시 예들은 도 8 및 9에 도시되었다. 도 8에 도시된 바와 같이, 전도성 트레이스(22, 24)들은 패키지 밖으로 뻗어 있어 회로 기판에 직접 설치될 수 있는 금속 리드선(39, 41)들을 형성하거나 상기 금속 리드선(39, 41)들에 연결된다. 이러한 실시 예에서, 기판(20b)의 제1 표면(21b)만이 전기적으로 절연된 열 전도성 필름(48)을 포함할 수 있다.
도 9에 나타낸 실시 예는 전도성 트레이스(22, 24)들이 기판(20b)의 제2 표면 위의 접착 패드(34, 38)들과 접촉하기 위해 기판(20b)의 측벽들 밑으로 연장된 경우이다. 이러한 구성은 패키지가 금속 리드선들 또는 비아 홀들의 사용 없이 회로 기판 위에 바로 설치 가능하도록 할 수 있다.
도 10A 및 10B에 도시된 바와 같이, 기판(20b)은 개별 제너 다이오드(65), 저항기 네트워크(67), 다른 전자 요소들 또는 이들의 어떤 조합과 같은 전자 회로를 포함하도록 구성될 수 있다. 이러한 전자 회로는 양극 및/또는 음극 요소들로서 작동할 수 있는 트레이스(22, 24)들 사이에 연결될 수 있다. 전자 회로는 다양한 목적들에 사용될 수 있는데, 정전기 방전, 과전압 방지 또는 둘 모두를 예방하는 것을 그 예로 들 수 있다. 제시된 예들에서, 도 10B에 도시된 트레이스(22)와 트레이스(24) 사이에 연결된 제너 다이오드(D1)(65)는 과도한 역 전압이 기판(20b)에 설치된 광전자 소자에 인가되는 것을 방지한다. 유사하게, 인쇄 저항기(67)와 같은 저항기 네트워크(67)는 정전기 방전 보호 효과를 기판(20) 위에 설치된 장치에 제공할 수 있다.
상술한 것에 의해, 본원 발명은 신규하고 종래 기술을 뛰어넘는 이점들이 있 음이 명백하다 하겠다. 비록 본 발명의 구체적인 실시 예들이 위에서 설명되고 도시되었지만, 본 발명이 이렇게 설명되고 도시된 특정한 형상들이나 배열들에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 본원 발명을 실행하는 데 있어서 다양한 구성들, 크기들, 재료들이 적용될 수 있다. 본 발명은 다음의 청구항들에 의해 한정된다.
이상에서와 같이, 본 발명에 의한 발광 다이 패키지에 의하면 열 방산을 위한 LED 패키지의 용량이 증가되어 LED가 더 많은 빛을 낼 수 있고, LED 패기지의 크기, 질량 및 가격이 줄어들며, 패키지의 열 팽창에 의한 문제점이 해소되어 신뢰성이 높다는 장점이 있다.

Claims (27)

  1. 전기 전도성 및 열 전도성을 가진 재료로 구성되고 제1 표면을 가지는 기판;
    상기 제1 표면의 적어도 일부분을 덮는 열 전도성 및 전기 절연성 필름;
    상기 절연성 필름 위의 제1 전도성 요소로서, 상기 절연성 필름에 의해 상기 기판으로부터 절연되는 제1 전도성 요소;
    상기 절연성 필름 위의 제2 전도성 요소로서, 상기 제2 전도성 요소는 상기 제1 전도성 요소와 이격되고 상기 절연성 필름에 의해 상기 기판과 전기적으로 절연되며, 상기 제1 및 제2 전도성 요소 중 적어도 하나는 그 표면에 발광 다이를 설치하기 위한 마운팅 패드(mounting pad)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 제2 전도성 요소;
    상기 기판과 결합되고 상기 마운팅 패드를 실질적으로 둘러싸는 반사판; 및
    상기 마운팅 패드를 실질적으로 덮는 렌즈를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 위에 설치되고 상기 제1 및 제2 전도성 요소들과 연결되는 발광 다이오드(LED)가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 광학적으로 투명한 폴리머로 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전도성 요소들은 금속 트레이스(trace)들을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판은 구리와 알루미늄으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 기판은 구리와 알루미늄의 합금을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 절연성 필름은 세라믹 폴리머 필름을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제1 표면과 그 반대 면인 제2 표면을 포함하고 상기 기판을 관통하는 적어도 하나의 비아 홀(via hole)을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 비아 홀의 표면은 절연성 필름 코팅으로 코팅된 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 비아 홀은 상기 절연성 필름 코팅에 의해 기판과 절연되고 제1 및 제2 전도성 리드선들 중 하나와 전기적으로 접촉되며 상기 비아 홀을 관통하는 전도성 트레이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 기판의 제2 표면은 상기 제2 표면의 적어도 일부분 위의 열 전도성 절 연 필름을 포함하고, 상기 제2 표면 위의 제3 전기 리드선이 더 포함되어 구성되며, 상기 제3 전기 리드선은 상기 열 전도성 절연 필름에 의해 상기 기판과 절연되고, 상기 제3 전기 리드선은 상기 비아 홀을 통해 상기 전도성 트레이스와 전기적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 결합되는 외부 열발산판(heat sink)을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판은 상기 외부 열발산판과 결합되기 위한 금속으로 도금된 바닥 면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  15. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 전도성 요소가 상기 마운팅 패드부터 상기 기판의 측면으로 연장되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 기판의 적어도 하나의 가장자리를 따라 상기 반사판과 기계적으로 맞물리도록 구비된 플랜지들을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발 광 다이 패키지.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 반사판은 실질적으로 마운팅 패드를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 반사판은 반사 면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 반사판은 고온 전도성을 가진 재료를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 반사판은 상기 기판과 기계적으로 맞물리는 적어도 하나의 열 전달의 증가를 위한 레그(leg)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈는 광학 약품을 수용하도록 구성된 트로프(trough)를 포함하여 구 성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈는 주파수 천이 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈는 확산 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  24. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈는 인광체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  25. 제1 표면을 가지는 금속 기판;
    상기 제1 표면의 적어도 일부분을 덮는 전기 절연성 필름;
    상기 절연성 필름 위의 제1 전도성 트레이스로서, 상기 절연성 필름에 의해 상기 기판으로부터 절연되는 제1 전도성 트레이스;
    발광 다이오드를 설치하기 위한 마운팅 패드로서, 상기 제1 전도성 트레이스와 전기적으로 연결되는 마운팅 패드;
    상기 기판과 결합되고 상기 마운팅 패드를 실질적으로 둘러싸는 반사판; 및
    상기 마운팅 패드를 실질적으로 덮는 렌즈를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  26. 제1 표면을 가지는 금속 기판;
    상기 제1 표면 위의 전도성 트레이스로서, 상기 절연성 필름에 의해 상기 금속 기판으로부터 절연되는 제1 전도성 트레이스;
    발광 장치를 설치하기 위한 마운팅 패드를 형성하는 전도성 트레이스; 및
    상기 전도성 트레이스와 전기적으로 연결되고 상기 제1 표면으로부터 외부로 뻗은 금속 리드선을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
  27. 제1 표면과 상기 제1 표면의 반대 면인 제2 표면을 가지는 금속 기판;
    상기 기판을 관통하는 비아 홀;
    상기 제1 표면부터 상기 제2 표면까지 연장된 전도성 트레이스로서, 절연성 필름에 의하여 상기 금속 기판과 절연되는 전도성 트레이스; 및
    상기 전도성 트레이스와 연결되는 상기 제1 및 제2 표면들 중 하나 위의 금속 접촉 패드를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이 패키지.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013005999A1 (ko) * 2011-07-07 2013-01-10 한국남부발전 주식회사 엘이디를 이용한 조명장치
US9035345B2 (en) 2012-09-12 2015-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package for controlling light emission from a side surface and method of manufacturing the same

Families Citing this family (385)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6633120B2 (en) * 1998-11-19 2003-10-14 Unisplay S.A. LED lamps
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
KR100622209B1 (ko) 2002-08-30 2006-09-19 젤코어 엘엘씨 개선된 효율을 갖는 코팅된 발광다이오드
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US6897486B2 (en) 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
CA2523544A1 (en) 2003-04-30 2004-11-18 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
AT501081B8 (de) * 2003-07-11 2007-02-15 Tridonic Optoelectronics Gmbh Led sowie led-lichtquelle
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
FR2862424B1 (fr) * 2003-11-18 2006-10-20 Valeo Electronique Sys Liaison Dispositif de refroidissement d'un composant electrique et procede de fabrication de ce dispositif
US7518158B2 (en) * 2003-12-09 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices and submounts
KR100586944B1 (ko) * 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
EP1751806B1 (de) * 2004-05-31 2019-09-11 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches halbleiterbauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement
DE102004040468B4 (de) * 2004-05-31 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement
US7456499B2 (en) * 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7280288B2 (en) 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
KR100665299B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US8308980B2 (en) * 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US20050280016A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Mok Thye L PCB-based surface mount LED device with silicone-based encapsulation structure
EP1763899A2 (en) * 2004-06-29 2007-03-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diode module
US7329905B2 (en) * 2004-06-30 2008-02-12 Cree, Inc. Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
KR100604469B1 (ko) * 2004-08-25 2006-07-25 박병재 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법
CN100433383C (zh) * 2004-08-31 2008-11-12 丰田合成株式会社 光发射装置及其制造方法和光发射元件
JP2006100787A (ja) * 2004-08-31 2006-04-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置および発光素子
JP4254669B2 (ja) * 2004-09-07 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置
DE102004047061B4 (de) 2004-09-28 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US7891836B2 (en) * 2004-10-22 2011-02-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light-emitting device with improved heatsinking
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7868345B2 (en) * 2004-10-27 2011-01-11 Kyocera Corporation Light emitting device mounting substrate, light emitting device housing package, light emitting apparatus, and illuminating apparatus
US7670872B2 (en) * 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US8816369B2 (en) * 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US7473933B2 (en) * 2004-10-29 2009-01-06 Ledengin, Inc. (Cayman) High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement
US7772609B2 (en) * 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
CN100353577C (zh) * 2004-12-14 2007-12-05 新灯源科技有限公司 具倒装发光二极管的发光装置制造方法
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
US7322732B2 (en) * 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
EP1524705B1 (en) * 2005-01-12 2008-03-12 NeoBulb Technologies, Inc. Flip chip type LED lighting device and its manufacturing method
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
US7262438B2 (en) * 2005-03-08 2007-08-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED mounting having increased heat dissipation
WO2006095949A1 (en) * 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
KR100663906B1 (ko) * 2005-03-14 2007-01-02 서울반도체 주식회사 발광 장치
EP1862035B1 (en) * 2005-03-14 2013-05-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprising same
EP1861876A1 (en) * 2005-03-24 2007-12-05 Tir Systems Ltd. Solid-state lighting device package
EP1872401B1 (en) * 2005-04-05 2018-09-19 Philips Lighting Holding B.V. Electronic device package with an integrated evaporator
JP4595665B2 (ja) * 2005-05-13 2010-12-08 富士電機システムズ株式会社 配線基板の製造方法
CN100391018C (zh) * 2005-06-07 2008-05-28 吕大明 Led器件及其封装方法
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
US20060292747A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Loh Ban P Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink
TWI287300B (en) * 2005-06-30 2007-09-21 Lite On Technology Corp Semiconductor package structure
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
KR100629521B1 (ko) * 2005-07-29 2006-09-28 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 ｌｅｄ어레이 모듈
KR100983836B1 (ko) * 2005-09-20 2010-09-27 파나소닉 전공 주식회사 Ｌｅｄ조명 기구
JP2007088155A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ基板
US20070080360A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Url Mirsky Microelectronic interconnect substrate and packaging techniques
KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
WO2007059657A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Jen-Shyan Chen Package structure of light-emitting diode
DE102006010729A1 (de) 2005-12-09 2007-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, Herstellungsverfahren hierfür und Verbund-Bauteil mit einem optischen Element
KR101055772B1 (ko) * 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
US7465069B2 (en) * 2006-01-13 2008-12-16 Chia-Mao Li High-power LED package structure
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7528422B2 (en) * 2006-01-20 2009-05-05 Hymite A/S Package for a light emitting element with integrated electrostatic discharge protection
JP4895777B2 (ja) * 2006-01-27 2012-03-14 京セラ株式会社 発光素子用配線基板ならびに発光装置
KR100780196B1 (ko) * 2006-02-27 2007-11-27 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지, 발광다이오드 패키지용 회로기판 및그 제조방법
US7737634B2 (en) * 2006-03-06 2010-06-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED devices having improved containment for liquid encapsulant
TWI303872B (en) * 2006-03-13 2008-12-01 Ind Tech Res Inst High power light emitting device assembly with esd preotection ability and the method of manufacturing the same
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
KR100738933B1 (ko) * 2006-03-17 2007-07-12 (주)대신엘이디 조명용 ｌｅｄ 모듈
TWI449137B (zh) * 2006-03-23 2014-08-11 Ceramtec Ag 構件或電路用的攜帶體
US8206779B2 (en) * 2006-03-24 2012-06-26 Fujifilm Corporation Method for producing laminate, polarizing plate, and image display device
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR100875443B1 (ko) * 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP5091421B2 (ja) * 2006-04-07 2012-12-05 株式会社東芝 半導体発光装置
US8373195B2 (en) 2006-04-12 2013-02-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US7655957B2 (en) * 2006-04-27 2010-02-02 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same
US20070268572A1 (en) * 2006-05-20 2007-11-22 Newport Corporation Multiple emitter coupling devices and methods with beam transform system
US7830608B2 (en) * 2006-05-20 2010-11-09 Oclaro Photonics, Inc. Multiple emitter coupling devices and methods with beam transform system
US7718991B2 (en) * 2006-05-23 2010-05-18 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
KR20090031370A (ko) 2006-05-23 2009-03-25 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US7989823B2 (en) * 2006-06-08 2011-08-02 Hong-Yuan Technology Co., Ltd. Light emitting system, light emitting apparatus and forming method thereof
US20070291373A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-20 Newport Corporation Coupling devices and methods for laser emitters
US7680170B2 (en) * 2006-06-15 2010-03-16 Oclaro Photonics, Inc. Coupling devices and methods for stacked laser emitter arrays
US8610134B2 (en) * 2006-06-29 2013-12-17 Cree, Inc. LED package with flexible polyimide circuit and method of manufacturing LED package
US7906794B2 (en) * 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
TWM303325U (en) * 2006-07-13 2006-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
DE112007001950T5 (de) 2006-08-21 2009-07-02 Innotec Corporation, Zeeland Elektrische Vorrichtung mit platinenloser Montageanordnung für elektrische Komponenten
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR100828900B1 (ko) 2006-09-04 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US7842960B2 (en) 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US20080074884A1 (en) * 2006-09-25 2008-03-27 Thye Linn Mok Compact high-intensty LED-based light source and method for making the same
KR100774218B1 (ko) * 2006-09-28 2007-11-08 엘지전자 주식회사 렌즈, 그 제조방법 및 발광 소자 패키지
CN101553928B (zh) 2006-10-02 2011-06-01 伊鲁米特克有限公司 Led系统和方法
US20090275157A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device shaping
US7866897B2 (en) * 2006-10-06 2011-01-11 Oclaro Photonics, Inc. Apparatus and method of coupling a fiber optic device to a laser
US7631986B2 (en) * 2006-10-31 2009-12-15 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Lighting device package
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
CN101578711A (zh) * 2006-11-09 2009-11-11 跃进封装公司 Led反射性封装体
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US20080158886A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Siew It Pang Compact High-Intensity LED Based Light Source
DE102006062066A1 (de) * 2006-12-29 2008-07-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Linsenanordnung und LED-Anzeigevorrichtung
US8021904B2 (en) * 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7922360B2 (en) * 2007-02-14 2011-04-12 Cree, Inc. Thermal transfer in solid state light emitting apparatus and methods of manufacturing
US7712933B2 (en) 2007-03-19 2010-05-11 Interlum, Llc Light for vehicles
US8408773B2 (en) 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
KR100850666B1 (ko) * 2007-03-30 2008-08-07 서울반도체 주식회사 메탈 ｐｃｂ를 갖는 ｌｅｄ 패키지
US7964888B2 (en) * 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
JP5037683B2 (ja) * 2007-05-25 2012-10-03 モレックス インコーポレイテド 発熱体及び電源用のヒートシンク
US20090008662A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
US20090008670A1 (en) * 2007-07-06 2009-01-08 Topco Technologies Corp. LED packaging structure with aluminum board and an LED lamp with said LED packaging structure
US20090008671A1 (en) * 2007-07-06 2009-01-08 Lustrous Technology Ltd. LED packaging structure with aluminum board and an LED lamp with said LED packaging structure
TWI368336B (en) * 2007-07-12 2012-07-11 Chi Mei Lighting Tech Corp Light emitting diode device and applications thereof
CN201228949Y (zh) * 2007-07-18 2009-04-29 胡凯 一种led灯散热灯体
CN101784636B (zh) * 2007-08-22 2013-06-12 首尔半导体株式会社 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法
KR101055769B1 (ko) * 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
KR101365621B1 (ko) 2007-09-04 2014-02-24 서울반도체 주식회사 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US9593810B2 (en) * 2007-09-20 2017-03-14 Koninklijke Philips N.V. LED package and method for manufacturing the LED package
US9666762B2 (en) 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US9172012B2 (en) * 2007-10-31 2015-10-27 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US9082921B2 (en) 2007-10-31 2015-07-14 Cree, Inc. Multi-die LED package
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
EP2232592B1 (en) 2007-12-12 2013-07-17 Innotec Corporation Method for overmolding a circuit board
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
CN102545062A (zh) * 2007-12-17 2012-07-04 奥兰若光电公司 激光发射器模块及装配的方法
EP2073280A1 (de) * 2007-12-20 2009-06-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Reflektive Sekundäroptik und Halbleiterbaugruppe sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US20090159125A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 Eric Prather Solar cell package for solar concentrator
KR20090072941A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US10008637B2 (en) * 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
US8304660B2 (en) * 2008-02-07 2012-11-06 National Taiwan University Fully reflective and highly thermoconductive electronic module and method of manufacturing the same
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
KR100998009B1 (ko) 2008-03-12 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
EP2283549A4 (en) 2008-05-08 2013-08-28 Oclaro Photonics Inc HIGH BRIGHTNESS DIODE OUTPUT METHODS AND DEVICES
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
JP5320560B2 (ja) 2008-05-20 2013-10-23 東芝ライテック株式会社 光源ユニット及び照明装置
JP5359045B2 (ja) * 2008-06-18 2013-12-04 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
TWI384649B (zh) * 2008-06-18 2013-02-01 Harvatek Corp Light emitting diode chip encapsulation structure with embedded electrostatic protection function and its making method
US7851818B2 (en) * 2008-06-27 2010-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fabrication of compact opto-electronic component packages
WO2010001309A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Close proximity collimator for led
GB2462815A (en) * 2008-08-18 2010-02-24 Sensitive Electronic Co Ltd Light emitting diode lamp
JP2010067902A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Toshiba Corp 発光装置
US8058664B2 (en) 2008-09-26 2011-11-15 Bridgelux, Inc. Transparent solder mask LED assembly
US8049236B2 (en) * 2008-09-26 2011-11-01 Bridgelux, Inc. Non-global solder mask LED assembly
US9252336B2 (en) * 2008-09-26 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Multi-cup LED assembly
US20100078661A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Wei Shi Machined surface led assembly
US7887384B2 (en) * 2008-09-26 2011-02-15 Bridgelux, Inc. Transparent ring LED assembly
TWI528508B (zh) * 2008-10-13 2016-04-01 榮創能源科技股份有限公司 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
CN102216669B (zh) * 2008-11-18 2015-03-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 电灯
KR101041018B1 (ko) * 2008-11-21 2011-06-16 고견채 반사갓과 램프 일체형 엘이디 램프
CN101740675B (zh) * 2008-11-25 2012-02-29 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管电路板
JP2010153803A (ja) * 2008-11-28 2010-07-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 電子部品実装モジュール及び電気機器
US20100142198A1 (en) * 2008-12-09 2010-06-10 Chih-Wen Yang Configurable Light Emitting System
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US20100149771A1 (en) 2008-12-16 2010-06-17 Cree, Inc. Methods and Apparatus for Flexible Mounting of Light Emitting Devices
CN101761795B (zh) * 2008-12-23 2011-12-28 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管照明装置及其封装方法
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8598602B2 (en) 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
US10431567B2 (en) * 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package
JP5340763B2 (ja) * 2009-02-25 2013-11-13 ローム株式会社 Ｌｅｄランプ
US8269248B2 (en) * 2009-03-02 2012-09-18 Thompson Joseph B Light emitting assemblies and portions thereof
US20120061695A1 (en) * 2009-03-24 2012-03-15 Kang Kim Light-emitting diode package
US8384097B2 (en) 2009-04-08 2013-02-26 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US8957435B2 (en) * 2009-04-28 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device
WO2010132517A2 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 David Gershaw Led retrofit for miniature bulbs
DE102009023854B4 (de) * 2009-06-04 2023-11-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
TWM370182U (en) * 2009-06-09 2009-12-01 Advanced Connectek Inc LED chip holder structure
DE102009030205A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
KR101055762B1 (ko) * 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
JP2011009519A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8410371B2 (en) 2009-09-08 2013-04-02 Cree, Inc. Electronic device submounts with thermally conductive vias and light emitting devices including the same
WO2011033516A1 (en) * 2009-09-20 2011-03-24 Viagan Ltd. Wafer level packaging of electronic devices
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
KR101075774B1 (ko) * 2009-10-29 2011-10-26 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
US7893445B2 (en) * 2009-11-09 2011-02-22 Cree, Inc. Solid state emitter package including red and blue emitters
US20110116262A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Phoseon Technology, Inc. Economical partially collimating reflective micro optical array
JP5623062B2 (ja) 2009-11-13 2014-11-12 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
US8476645B2 (en) 2009-11-13 2013-07-02 Uni-Light Llc LED thermal management
TWI381563B (zh) * 2009-11-20 2013-01-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝及其製作方法
KR101163850B1 (ko) * 2009-11-23 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US10290788B2 (en) * 2009-11-24 2019-05-14 Luminus Devices, Inc. Systems and methods for managing heat from an LED
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
JP2011151268A (ja) 2010-01-22 2011-08-04 Sharp Corp 発光装置
JP5740654B2 (ja) 2010-01-22 2015-06-24 トゥー−シックス レイザー エンタープライズ ゲーエムベーハー 遠視野ファイバ結合放射の均質化
US8350370B2 (en) 2010-01-29 2013-01-08 Cree Huizhou Opto Limited Wide angle oval light emitting diode package
US8362515B2 (en) 2010-04-07 2013-01-29 Chia-Ming Cheng Chip package and method for forming the same
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
CN102834942B (zh) * 2010-04-09 2016-04-13 罗姆股份有限公司 Led模块
US8901583B2 (en) 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
US9240526B2 (en) 2010-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state light emitting diode packages with leadframes and ceramic material
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
SG10201504617XA (en) 2010-06-11 2015-07-30 Ricoh Co Ltd Information storage device, removable device, developer container, and image forming apparatus
DE102010024862A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
US9831393B2 (en) * 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US20120074432A1 (en) * 2010-09-29 2012-03-29 Amtran Technology Co., Ltd Led package module and manufacturing method thereof
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
CN102456803A (zh) * 2010-10-20 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
TWI405936B (zh) 2010-11-23 2013-08-21 Ind Tech Res Inst 夾持對位座及其發光二極體光板
US9240395B2 (en) 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method
US9822951B2 (en) 2010-12-06 2017-11-21 Cree, Inc. LED retrofit lens for fluorescent tube
US10309627B2 (en) 2012-11-08 2019-06-04 Cree, Inc. Light fixture retrofit kit with integrated light bar
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
CN102142508A (zh) * 2010-12-16 2011-08-03 西安炬光科技有限公司 一种高功率高亮度led光源封装结构及其封装方法
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US8644357B2 (en) 2011-01-11 2014-02-04 Ii-Vi Incorporated High reliability laser emitter modules
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
TWI424544B (zh) * 2011-03-31 2014-01-21 Novatek Microelectronics Corp 積體電路裝置
US9730309B2 (en) * 2011-04-04 2017-08-08 Ceramtec Gmbh Ceramic printed circuit board comprising an al cooling body
US9518723B2 (en) 2011-04-08 2016-12-13 Brite Shot, Inc. Lighting fixture extension
CN102769089B (zh) * 2011-05-06 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 半导体封装结构
DE102011101052A1 (de) * 2011-05-09 2012-11-15 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Substrat mit elektrisch neutralem Bereich
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
KR101869552B1 (ko) * 2011-05-13 2018-06-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 자외선 램프
JP5968674B2 (ja) * 2011-05-13 2016-08-10 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びこれを備える紫外線ランプ
US10842016B2 (en) * 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
TW201312807A (zh) 2011-07-21 2013-03-16 Cree Inc 光發射器元件封裝與部件及改良化學抵抗性的方法與相關方法
US8992045B2 (en) * 2011-07-22 2015-03-31 Guardian Industries Corp. LED lighting systems and/or methods of making the same
TWI437670B (zh) * 2011-08-19 2014-05-11 Subtron Technology Co Ltd 散熱基板之結構及其製程
US20140159061A1 (en) * 2011-08-25 2014-06-12 Panasonic Corporation Protection element and light emitting device using same
KR101817807B1 (ko) * 2011-09-20 2018-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
KR20140097284A (ko) 2011-11-07 2014-08-06 크리,인코포레이티드 고전압 어레이 발광다이오드(led) 장치, 기구 및 방법
US9046241B2 (en) 2011-11-12 2015-06-02 Jingqun Xi High efficiency directional light source using lens optics
US10043960B2 (en) * 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
KR101197092B1 (ko) * 2011-11-24 2012-11-07 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 상기 발광소자 패키지의 제조 방법
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
JP6107060B2 (ja) * 2011-12-26 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN103227274B (zh) * 2012-01-31 2015-09-16 长春藤控股有限公司 发光二极管晶元封装体及其制造方法
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
US20150040388A1 (en) * 2012-03-20 2015-02-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Application of Dielectric Layer and Circuit Traces on Heat Sink
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
FR2988910B1 (fr) * 2012-03-28 2014-12-26 Commissariat Energie Atomique Composant led a faible rth avec chemins electrique et thermique dissocies
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
JP6167619B2 (ja) * 2012-04-06 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
US9188290B2 (en) 2012-04-10 2015-11-17 Cree, Inc. Indirect linear fixture
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
DE112013002944T5 (de) 2012-06-13 2015-02-19 Innotec, Corp. Flexibler Hohllichtleiter
CN103515520B (zh) * 2012-06-29 2016-03-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
FI125565B (en) * 2012-09-08 2015-11-30 Lumichip Ltd LED chip-on-board component and lighting module
CN103682060B (zh) * 2012-09-14 2016-09-21 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯源装置
CN103682066B (zh) * 2012-09-21 2016-08-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组及其制造方法
US9482396B2 (en) 2012-11-08 2016-11-01 Cree, Inc. Integrated linear light engine
US9494304B2 (en) 2012-11-08 2016-11-15 Cree, Inc. Recessed light fixture retrofit kit
US9441818B2 (en) 2012-11-08 2016-09-13 Cree, Inc. Uplight with suspended fixture
US10788176B2 (en) 2013-02-08 2020-09-29 Ideal Industries Lighting Llc Modular LED lighting system
DE102012110774A1 (de) * 2012-11-09 2014-05-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US8958448B2 (en) 2013-02-04 2015-02-17 Microsoft Corporation Thermal management in laser diode device
US9874333B2 (en) 2013-03-14 2018-01-23 Cree, Inc. Surface ambient wrap light fixture
USD738026S1 (en) 2013-03-14 2015-09-01 Cree, Inc. Linear wrap light fixture
US10584860B2 (en) 2013-03-14 2020-03-10 Ideal Industries, Llc Linear light fixture with interchangeable light engine unit
US9897267B2 (en) 2013-03-15 2018-02-20 Cree, Inc. Light emitter components, systems, and related methods
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
US9215792B2 (en) * 2013-03-15 2015-12-15 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for light emitter components
USD733952S1 (en) 2013-03-15 2015-07-07 Cree, Inc. Indirect linear fixture
CN203082646U (zh) * 2013-03-20 2013-07-24 厦门海莱照明有限公司 一体成型铝脱模散热器和一种led聚光灯的结构
DE102013103760A1 (de) 2013-04-15 2014-10-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
USD735683S1 (en) 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
CN104235754B (zh) * 2013-06-20 2019-06-18 欧司朗有限公司 用于照明装置的透镜和具有该透镜的照明装置
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
US9644495B2 (en) 2013-08-20 2017-05-09 Honeywell International Inc. Thermal isolating service tubes and assemblies thereof for gas turbine engines
DE102013110355A1 (de) * 2013-09-19 2015-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Leiterrahmenverbunds
US10900653B2 (en) 2013-11-01 2021-01-26 Cree Hong Kong Limited LED mini-linear light engine
US10100988B2 (en) 2013-12-16 2018-10-16 Cree, Inc. Linear shelf light fixture with reflectors
US10612747B2 (en) 2013-12-16 2020-04-07 Ideal Industries Lighting Llc Linear shelf light fixture with gap filler elements
USD750308S1 (en) 2013-12-16 2016-02-23 Cree, Inc. Linear shelf light fixture
KR102188495B1 (ko) * 2014-01-21 2020-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조 방법
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
US9456201B2 (en) 2014-02-10 2016-09-27 Microsoft Technology Licensing, Llc VCSEL array for a depth camera
DE102014204116A1 (de) * 2014-03-06 2015-09-10 Osram Gmbh LED-Modul mit Substratkörper
EP3130012B1 (en) 2014-04-07 2021-06-09 Lumileds LLC Lighting device including a thermally conductive body and a semiconductor light emitting device
USD757324S1 (en) 2014-04-14 2016-05-24 Cree, Inc. Linear shelf light fixture with reflectors
CN103887420A (zh) * 2014-04-18 2014-06-25 苏州东山精密制造股份有限公司 一种led封装结构及led制作方法
US9577406B2 (en) 2014-06-27 2017-02-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Edge-emitting laser diode package comprising heat spreader
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
TWI572069B (zh) * 2014-07-28 2017-02-21 揚昇照明股份有限公司 發光裝置及散熱片
KR20160023975A (ko) * 2014-08-21 2016-03-04 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
US9379298B2 (en) * 2014-10-03 2016-06-28 Henkel IP & Holding GmbH Laminate sub-mounts for LED surface mount package
JP6451257B2 (ja) * 2014-11-21 2019-01-16 富士電機株式会社 半導体装置
EP3224874B1 (en) 2014-11-26 2019-04-24 LedEngin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
USD826871S1 (en) * 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
CA2971717C (en) 2014-12-22 2021-08-24 Mag Instrument Inc. Improved efficiency lighting apparatus with led directly mounted to a heatsink
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
JP6415356B2 (ja) * 2015-03-04 2018-10-31 東京窯業株式会社 鉄溶湯用炭化珪素質耐火ブロックおよびその製造方法
CN113130725B (zh) * 2015-03-31 2024-09-24 科锐Led公司 具有包封的发光二极管和方法
JP2016207739A (ja) * 2015-04-17 2016-12-08 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
US9871007B2 (en) * 2015-09-25 2018-01-16 Intel Corporation Packaged integrated circuit device with cantilever structure
US10008648B2 (en) * 2015-10-08 2018-06-26 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR102558280B1 (ko) 2016-02-05 2023-07-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 광원 유닛 및 이를 구비한 라이트 유닛
US10403792B2 (en) * 2016-03-07 2019-09-03 Rayvio Corporation Package for ultraviolet emitting devices
WO2017155282A1 (ko) * 2016-03-07 2017-09-14 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
DE102016125348B4 (de) * 2016-12-22 2020-06-25 Rogers Germany Gmbh Trägersubstrat für elektrische Bauteile und Verfahren zur Herstellung eines Trägersubstrats
US10297724B2 (en) * 2017-07-10 2019-05-21 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Package for mounting light-emitting device
JP2019046649A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置および表示装置
JP1618491S (ko) * 2017-11-21 2018-11-19
KR102471689B1 (ko) * 2017-12-22 2022-11-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
USD871485S1 (en) * 2018-01-15 2019-12-31 Axis Ab Camera
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
US10361352B1 (en) * 2018-03-22 2019-07-23 Excellence Opto, Inc. High heat dissipation light emitting diode package structure having at least two light cups and lateral light emission
JP1628923S (ko) * 2018-04-26 2019-04-08
KR102607890B1 (ko) * 2018-06-01 2023-11-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
JP6679767B1 (ja) * 2019-01-07 2020-04-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
US11032908B2 (en) 2019-06-07 2021-06-08 Uop Llc Circuit board, assembly and method of assembling
CN111525017B (zh) * 2020-07-03 2020-10-02 华引芯（武汉）科技有限公司 一种倒装led全无机器件及其制作方法
DE102020126391A1 (de) 2020-10-08 2022-04-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Led package für uv licht und verfahren
TWI812124B (zh) * 2022-03-28 2023-08-11 李銘洛 電子模組及其承載結構與製法

Family Cites Families (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3443140A (en) * 1965-04-06 1969-05-06 Gen Electric Light emitting semiconductor devices of improved transmission characteristics
JPS48102585A (ko) * 1972-04-04 1973-12-22
US3760237A (en) * 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
JPS5353983U (ko) * 1976-10-12 1978-05-09
JPS5936837B2 (ja) * 1977-04-05 1984-09-06 株式会社東芝 光半導体装置
US4267559A (en) 1979-09-24 1981-05-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Low thermal impedance light-emitting diode package
ATE20366T1 (de) * 1982-10-19 1986-06-15 Buse Kohlensaeure Verfahren und vorrichtung zum untersuchen der struktur und der durchlaessigkeit von erd- und gesteinsbereichen.
US4603496A (en) * 1985-02-04 1986-08-05 Adaptive Micro Systems, Inc. Electronic display with lens matrix
KR910007381B1 (ko) * 1987-08-26 1991-09-25 타이완 라이톤 일렉트로닉 컴패니 리미티드 발광 다이오드(led) 디스플레이 장치
USRE37707E1 (en) 1990-02-22 2002-05-21 Stmicroelectronics S.R.L. Leadframe with heat dissipator connected to S-shaped fingers
US5119174A (en) * 1990-10-26 1992-06-02 Chen Der Jong Light emitting diode display with PCB base
US5173839A (en) 1990-12-10 1992-12-22 Grumman Aerospace Corporation Heat-dissipating method and device for led display
KR940019586A (ko) 1993-02-04 1994-09-14 휴고 라이히무트, 한스 블뢰흐레 엘리베이터용 표시소자
JP3420612B2 (ja) 1993-06-25 2003-06-30 株式会社東芝 Ｌｅｄランプ
US5789772A (en) 1994-07-15 1998-08-04 The Whitaker Corporation Semi-insulating surface light emitting devices
US5506929A (en) 1994-10-19 1996-04-09 Clio Technologies, Inc. Light expanding system for producing a linear or planar light beam from a point-like light source
US5649757A (en) * 1994-11-04 1997-07-22 Aleman; Thomas M. Aquarium background illuminator
JPH0983018A (ja) * 1995-09-11 1997-03-28 Nippon Denyo Kk 発光ダイオードユニット
US5849396A (en) * 1995-09-13 1998-12-15 Hughes Electronics Corporation Multilayer electronic structure and its preparation
JP3393247B2 (ja) 1995-09-29 2003-04-07 ソニー株式会社 光学装置およびその製造方法
US5633963A (en) * 1995-12-12 1997-05-27 Raytheon Company Optical rotary joint for single and multimode fibers
DE19621124A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
US5785418A (en) 1996-06-27 1998-07-28 Hochstein; Peter A. Thermally protected LED array
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5857767A (en) * 1996-09-23 1999-01-12 Relume Corporation Thermal management system for L.E.D. arrays
JPH1098215A (ja) 1996-09-24 1998-04-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード装置
US6582103B1 (en) * 1996-12-12 2003-06-24 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. Lighting apparatus
US6124635A (en) * 1997-03-21 2000-09-26 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Functionally gradient integrated metal-ceramic member and semiconductor circuit substrate application thereof
JP3882266B2 (ja) * 1997-05-19 2007-02-14 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US6238599B1 (en) 1997-06-18 2001-05-29 International Business Machines Corporation High conductivity, high strength, lead-free, low cost, electrically conducting materials and applications
US5982090A (en) 1997-07-11 1999-11-09 Kaiser Aerospace And Electronics Coporation Integrated dual mode flat backlight
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US5869883A (en) 1997-09-26 1999-02-09 Stanley Wang, President Pantronix Corp. Packaging of semiconductor circuit in pre-molded plastic package
TW408497B (en) 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
DE19755734A1 (de) 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JP3329716B2 (ja) 1997-12-15 2002-09-30 日亜化学工業株式会社 チップタイプｌｅｄ
US6469322B1 (en) * 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6525386B1 (en) * 1998-03-10 2003-02-25 Masimo Corporation Non-protruding optoelectronic lens
US5903052A (en) 1998-05-12 1999-05-11 Industrial Technology Research Institute Structure for semiconductor package for improving the efficiency of spreading heat
JP2000049184A (ja) 1998-05-27 2000-02-18 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3334618B2 (ja) * 1998-06-16 2002-10-15 住友電装株式会社 電気接続箱
JP2000037901A (ja) * 1998-07-21 2000-02-08 Sanyo Electric Co Ltd プリントヘッド
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6335548B1 (en) 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
JP2000101149A (ja) 1998-09-25 2000-04-07 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP3871820B2 (ja) * 1998-10-23 2007-01-24 ローム株式会社 半導体発光素子
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP3246495B2 (ja) 1999-01-01 2002-01-15 サンケン電気株式会社 半導体発光モジュール用アウタレンズ
JP2000208822A (ja) 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2000236116A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置
JP3553405B2 (ja) * 1999-03-03 2004-08-11 ローム株式会社 チップ型電子部品
US6155699A (en) * 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
US6521916B2 (en) 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
JP2000269551A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
US6457645B1 (en) 1999-04-13 2002-10-01 Hewlett-Packard Company Optical assembly having lens offset from optical axis
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
JP2001068742A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
EP1059678A2 (en) 1999-06-09 2000-12-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6489637B1 (en) 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP3656715B2 (ja) * 1999-07-23 2005-06-08 松下電工株式会社 光源装置
JP2001044452A (ja) 1999-08-03 2001-02-16 Sony Corp 光通信用モジュール
JP4330716B2 (ja) 1999-08-04 2009-09-16 浜松ホトニクス株式会社 投光装置
KR100335480B1 (ko) 1999-08-24 2002-05-04 김덕중 칩 패드가 방열 통로로 사용되는 리드프레임 및 이를 포함하는반도체 패키지
US6504301B1 (en) 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
JP2001177136A (ja) 1999-10-05 2001-06-29 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池の製造方法ならびに粉体噴射法による薄膜基板貫通孔加工装置およびパターニング装置
JP3886306B2 (ja) 1999-10-13 2007-02-28 ローム株式会社 チップ型半導体発光装置
JP2001144333A (ja) 1999-11-10 2001-05-25 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
US6362964B1 (en) * 1999-11-17 2002-03-26 International Rectifier Corp. Flexible power assembly
US6559525B2 (en) 2000-01-13 2003-05-06 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package having heat sink at the outer surface
JP4944301B2 (ja) 2000-02-01 2012-05-30 パナソニック株式会社 光電子装置およびその製造方法
US6456766B1 (en) 2000-02-01 2002-09-24 Cornell Research Foundation Inc. Optoelectronic packaging
US6492725B1 (en) 2000-02-04 2002-12-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Concentrically leaded power semiconductor device package
AU3226101A (en) * 2000-02-09 2001-08-20 Nippon Leiz Corporation Light source
US6318886B1 (en) 2000-02-11 2001-11-20 Whelen Engineering Company High flux led assembly
JP2001326390A (ja) 2000-05-18 2001-11-22 Rohm Co Ltd 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板
DE60137995D1 (de) 2000-08-09 2009-04-30 Avago Technologies General Ip Lichtemittierende Vorrichtungen
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
US6490104B1 (en) 2000-09-15 2002-12-03 Three-Five Systems, Inc. Illumination system for a micro display
JP2002093206A (ja) * 2000-09-18 2002-03-29 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ信号灯具
JP2002103977A (ja) 2000-09-29 2002-04-09 Johnan Seisakusho Co Ltd 車両のサンルーフ装置
US6552368B2 (en) * 2000-09-29 2003-04-22 Omron Corporation Light emission device
TW557373B (en) * 2000-10-25 2003-10-11 Lumileds Lighting Bv Illumination system and display device
US6768525B2 (en) * 2000-12-01 2004-07-27 Lumileds Lighting U.S. Llc Color isolated backlight for an LCD
JP3614776B2 (ja) 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6468321B2 (en) * 2001-01-10 2002-10-22 John W. Kinsel Blade and skirt assembly for directional gas cleaning and drying system
MY131962A (en) 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
DE10105802A1 (de) * 2001-02-07 2002-08-08 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Reflektorbehaftetes Halbleiterbauelement
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
JP4833421B2 (ja) 2001-03-08 2011-12-07 ローム株式会社 発光素子および実装基板
US6844903B2 (en) * 2001-04-04 2005-01-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Blue backlight and phosphor layer for a color LCD
JP2002314139A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
EP1387412B1 (en) * 2001-04-12 2009-03-11 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using led, and method of producing same
JP2002319711A (ja) 2001-04-20 2002-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US6429513B1 (en) 2001-05-25 2002-08-06 Amkor Technology, Inc. Active heat sink for cooling a semiconductor chip
JP4813691B2 (ja) 2001-06-06 2011-11-09 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
USD465207S1 (en) 2001-06-08 2002-11-05 Gem Services, Inc. Leadframe matrix for a surface mount package
TW497758U (en) 2001-07-02 2002-08-01 Chiou-Sen Hung Improvement of surface mounted light emitting diode structure
US6670648B2 (en) 2001-07-19 2003-12-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device having a reflective case
TW552726B (en) 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
TW498516B (en) 2001-08-08 2002-08-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Manufacturing method for semiconductor package with heat sink
JP3989794B2 (ja) * 2001-08-09 2007-10-10 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明装置およびｌｅｄ照明光源
TW567619B (en) * 2001-08-09 2003-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lighting apparatus and card-type LED light source
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
US20030058650A1 (en) 2001-09-25 2003-03-27 Kelvin Shih Light emitting diode with integrated heat dissipater
JP2003100986A (ja) 2001-09-26 2003-04-04 Toshiba Corp 半導体装置
JP3948650B2 (ja) 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US6531328B1 (en) 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
US6501103B1 (en) * 2001-10-23 2002-12-31 Lite-On Electronics, Inc. Light emitting diode assembly with low thermal resistance
KR100439402B1 (ko) 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US6480389B1 (en) 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
TW518775B (en) 2002-01-29 2003-01-21 Chi-Hsing Hsu Immersion cooling type light emitting diode and its packaging method
JP4269709B2 (ja) 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4211359B2 (ja) 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4172196B2 (ja) 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP2003309292A (ja) 2002-04-15 2003-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオードのメタルコア基板及びその製造方法
US7122884B2 (en) 2002-04-16 2006-10-17 Fairchild Semiconductor Corporation Robust leaded molded packages and methods for forming the same
AU2003235489A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-11 Tom Mcneil High efficiency solid-state light source and methods of use and manufacture
US7122844B2 (en) * 2002-05-13 2006-10-17 Cree, Inc. Susceptor for MOCVD reactor
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US6897486B2 (en) * 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
EP2262006A3 (en) * 2003-02-26 2012-03-21 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
TW560813U (en) 2003-03-06 2003-11-01 Shang-Hua You Improved LED seat
US6789921B1 (en) * 2003-03-25 2004-09-14 Rockwell Collins Method and apparatus for backlighting a dual mode liquid crystal display
US7002727B2 (en) 2003-03-31 2006-02-21 Reflectivity, Inc. Optical materials in packaging micromirror devices
US6903380B2 (en) * 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode
US20050001433A1 (en) * 2003-04-30 2005-01-06 Seelink Technology Corporation Display system having uniform luminosity and wind generator
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
US7164197B2 (en) * 2003-06-19 2007-01-16 3M Innovative Properties Company Dielectric composite material
JP4360858B2 (ja) * 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置
US7102177B2 (en) 2003-08-26 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light-emitting diode incorporating gradient index element
FR2859202B1 (fr) * 2003-08-29 2005-10-14 Commissariat Energie Atomique Compose piegeur de l'hydrogene, procede de fabrication et utilisations
US20080231170A1 (en) 2004-01-26 2008-09-25 Fukudome Masato Wavelength Converter, Light-Emitting Device, Method of Producing Wavelength Converter and Method of Producing Light-Emitting Device
US7044620B2 (en) * 2004-04-30 2006-05-16 Guide Corporation LED assembly with reverse circuit board
US7997771B2 (en) 2004-06-01 2011-08-16 3M Innovative Properties Company LED array systems
US7280288B2 (en) 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7204631B2 (en) * 2004-06-30 2007-04-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a plurality of light guides and an interference reflector
US7118262B2 (en) * 2004-07-23 2006-10-10 Cree, Inc. Reflective optical elements for semiconductor light emitting devices
WO2006044902A2 (en) * 2004-10-18 2006-04-27 Bwt Property, Inc. A solid-state lighting apparatus for navigational aids
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
TWI255377B (en) * 2004-11-05 2006-05-21 Au Optronics Corp Backlight module
US7322732B2 (en) * 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
KR101115800B1 (ko) * 2004-12-27 2012-03-08 엘지디스플레이 주식회사 발광소자 패키지, 이의 제조 방법 및 백라이트 유닛
US20060215075A1 (en) * 2005-03-23 2006-09-28 Chi-Jen Huang Backlight Module of LCD Device
WO2006112039A1 (ja) 2005-04-01 2006-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 表面実装型光半導体装置およびその製造方法
US7297380B2 (en) 2005-05-20 2007-11-20 General Electric Company Light-diffusing films, backlight display devices comprising the light-diffusing films, and methods of making the same
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
US20060292747A1 (en) 2005-06-27 2006-12-28 Loh Ban P Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink
US20070054149A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-08 Chi-Ming Cheng Substrate assembly of a display device and method of manufacturing the same
US7735543B2 (en) 2006-07-25 2010-06-15 Metal Casting Technology, Inc. Method of compacting support particulates

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013005999A1 (ko) * 2011-07-07 2013-01-10 한국남부발전 주식회사 엘이디를 이용한 조명장치
US9035345B2 (en) 2012-09-12 2015-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package for controlling light emission from a side surface and method of manufacturing the same

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