JP2000236116A - 光源装置 - Google Patents
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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Abstract
(57)【要約】
【課題】発光素子チップの直列接続が可能で、放熱効果
の優れた、部品点数の少ない光源装置を提供する。 【解決手段】金属基板１はその裏面に設けられた絶縁層
２、上下方向に設けられた絶縁層３により個々の金属部
４に絶縁分離される。金属基板１の個々の金属部４の表
面上にはＬＥＤチップ５が直接配置されてＬＥＤチップ
５の一方の極が金属部４と電気的に接続され、ＬＥＤチ
ップ５の他方の極と隣の金属部４とが金属ワイヤ６にて
ボンディングされ、各ＬＥＤチップ５が直列に接続され
る。
の優れた、部品点数の少ない光源装置を提供する。 【解決手段】金属基板１はその裏面に設けられた絶縁層
２、上下方向に設けられた絶縁層３により個々の金属部
４に絶縁分離される。金属基板１の個々の金属部４の表
面上にはＬＥＤチップ５が直接配置されてＬＥＤチップ
５の一方の極が金属部４と電気的に接続され、ＬＥＤチ
ップ５の他方の極と隣の金属部４とが金属ワイヤ６にて
ボンディングされ、各ＬＥＤチップ５が直列に接続され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属基板に発光素
子チップを配置した光源装置に関するものである。
子チップを配置した光源装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光源装置として例えば特開昭６２
−１９６８７８号、および特開昭６２−２２９９８７号
に開示されている。その従来例を図１１の断面図、図１
２の斜視図を用いて説明する。金属基板５１の表側表面
に設けられた凹部５３上にＬＥＤ５２が直接配置され、
金属基板５１自体を電気導体としている。この金属基板
５１の表側表面の凹部５３以外は絶縁膜５４で覆われ、
金属基板５１の表側にて金線５５、導電層５６、点灯用
抵抗体５７、共通導電層５８により電気配線している。
−１９６８７８号、および特開昭６２−２２９９８７号
に開示されている。その従来例を図１１の断面図、図１
２の斜視図を用いて説明する。金属基板５１の表側表面
に設けられた凹部５３上にＬＥＤ５２が直接配置され、
金属基板５１自体を電気導体としている。この金属基板
５１の表側表面の凹部５３以外は絶縁膜５４で覆われ、
金属基板５１の表側にて金線５５、導電層５６、点灯用
抵抗体５７、共通導電層５８により電気配線している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来例において
は、金属基板５１の凹部５３内にＬＥＤ５２を直接配置
し、金属基板５１との導通をとっているので、凹部５３
内に絶縁層と導電層を積層形成する必要がなく、製作が
容易であるという利点がある。しかし、金属基板５１の
表側に上記した絶縁膜５４や配線類を設けているため、
ＬＥＤ５２より発生する熱を金属基板５１の表面側より
逃がすことが難しくなり、放熱という観点でみると、金
属基板５１の表面にＬＥＤ５２を直接配置する利点がな
くなってしまう。
は、金属基板５１の凹部５３内にＬＥＤ５２を直接配置
し、金属基板５１との導通をとっているので、凹部５３
内に絶縁層と導電層を積層形成する必要がなく、製作が
容易であるという利点がある。しかし、金属基板５１の
表側に上記した絶縁膜５４や配線類を設けているため、
ＬＥＤ５２より発生する熱を金属基板５１の表面側より
逃がすことが難しくなり、放熱という観点でみると、金
属基板５１の表面にＬＥＤ５２を直接配置する利点がな
くなってしまう。
【０００４】また、上記従来例では金属基板５１に直接
ＬＥＤ５２を配置しているため、１枚の金属基板に２個
以上のＬＥＤを配置する場合並列接続しかできず、ＬＥ
Ｄの順方向電圧のばらつきより生じる１つのＬＥＤへの
電流集中をなくすために、電流制限抵抗などの余分な部
品が必要となる。
ＬＥＤ５２を配置しているため、１枚の金属基板に２個
以上のＬＥＤを配置する場合並列接続しかできず、ＬＥ
Ｄの順方向電圧のばらつきより生じる１つのＬＥＤへの
電流集中をなくすために、電流制限抵抗などの余分な部
品が必要となる。
【０００５】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は各発光素子チップの直列接続が可能
で、放熱効果の優れた、部品点数の少ない光源装置を提
供することにある。
あり、その目的は各発光素子チップの直列接続が可能
で、放熱効果の優れた、部品点数の少ない光源装置を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、発光素子チップ配置用の複数の金
属部を絶縁分離して形成した金属基板と、前記金属基板
の各金属部の配置面に接続されるよう直接配置してなる
発光素子チップとを備えたことを特徴とする。
に請求項１の発明は、発光素子チップ配置用の複数の金
属部を絶縁分離して形成した金属基板と、前記金属基板
の各金属部の配置面に接続されるよう直接配置してなる
発光素子チップとを備えたことを特徴とする。
【０００７】また請求項２の発明は、請求項１記載の発
明において、前記発光素子チップが配置される配置面に
凹部を設け、前記凹部底面に前記発光素子チップを配置
し、前記発光素子チップの光を前記凹部に反射させて外
部に照射することを特徴とする。
明において、前記発光素子チップが配置される配置面に
凹部を設け、前記凹部底面に前記発光素子チップを配置
し、前記発光素子チップの光を前記凹部に反射させて外
部に照射することを特徴とする。
【０００８】また請求項３の発明は、請求項１記載の発
明において、前記発光素子チップが配置される配置面に
凸部を設け、前記凸部頂上に前記発光素子チップを配置
することを特徴とする。
明において、前記発光素子チップが配置される配置面に
凸部を設け、前記凸部頂上に前記発光素子チップを配置
することを特徴とする。
【０００９】また請求項４の発明は、請求項１記載の発
明において、前記金属基板に、前記発光素子チップが配
置される配置面とその裏面とを貫通する貫通孔を設け、
裏面より前記発光素子チップを前記貫通孔内に挿入し、
発光素子チップを前記配置面側に配置することを特徴と
する。
明において、前記金属基板に、前記発光素子チップが配
置される配置面とその裏面とを貫通する貫通孔を設け、
裏面より前記発光素子チップを前記貫通孔内に挿入し、
発光素子チップを前記配置面側に配置することを特徴と
する。
【００１０】また請求項５の発明は、請求項１，２，３
のいずれかに記載の発明において、前記金属基板は、そ
の厚さ方向の中間で絶縁分離されそれぞれの発光素子チ
ップの配置面が前記金属基板の表裏各面となる金属部を
有し、前記金属基板の表裏各面に配置された発光素子チ
ップどうしが前記金属基板の厚さ方向の中間で電気的に
接続されることを特徴とする。
のいずれかに記載の発明において、前記金属基板は、そ
の厚さ方向の中間で絶縁分離されそれぞれの発光素子チ
ップの配置面が前記金属基板の表裏各面となる金属部を
有し、前記金属基板の表裏各面に配置された発光素子チ
ップどうしが前記金属基板の厚さ方向の中間で電気的に
接続されることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の実施形態
１を図１の断面図を用いて説明する。金属基板１は裏面
（図１の下方）に絶縁層２が設けられるとともに、金属
基板１の上下方向、すなわち厚さ方向に設けられた絶縁
層３により隣同士が電気的に絶縁された金属部４に絶縁
分離されている。この各金属部４の表面（図１の上方）
側、すなわち絶縁層の設けられていない面である配置面
にそれぞれ１個ずつの発光素子チップであるＬＥＤチッ
プ５が直接配置され、金属部４と電気的に接続される。
これにより、金属基板１表面上の余分な配線を減らし、
配線劣化や断線などを減らすことができる。
１を図１の断面図を用いて説明する。金属基板１は裏面
（図１の下方）に絶縁層２が設けられるとともに、金属
基板１の上下方向、すなわち厚さ方向に設けられた絶縁
層３により隣同士が電気的に絶縁された金属部４に絶縁
分離されている。この各金属部４の表面（図１の上方）
側、すなわち絶縁層の設けられていない面である配置面
にそれぞれ１個ずつの発光素子チップであるＬＥＤチッ
プ５が直接配置され、金属部４と電気的に接続される。
これにより、金属基板１表面上の余分な配線を減らし、
配線劣化や断線などを減らすことができる。
【００１２】ここで、ＬＥＤチップ５はアノード、カソ
ードの２極の極性を有し、各金属部４に接続する側の各
ＬＥＤチップ５の極性を全て統一しておく。また、金属
部４と接続されていないもう一方の極、すなわち各ＬＥ
Ｄチップ５の図中上側の極と、ＬＥＤチップ５の接続さ
れる金属部４の隣の金属部４の表面とが金属ワイヤ６に
よりボンディングされ電気的に接続される。これによ
り、隣接する金属部４上に配置された各ＬＥＤチップ５
が直列に接続される。この接続方法により、金属基板１
上における電気的な接続は、ＬＥＤチップ５と金属部４
間、ＬＥＤチップ５と金属ワイヤ６間、金属ワイヤ６と
隣の金属部４間のみとなり、従来の配線に比べて非常に
シンプルなものとなり、接触箇所が少ないため電気的な
故障が起きにくい。
ードの２極の極性を有し、各金属部４に接続する側の各
ＬＥＤチップ５の極性を全て統一しておく。また、金属
部４と接続されていないもう一方の極、すなわち各ＬＥ
Ｄチップ５の図中上側の極と、ＬＥＤチップ５の接続さ
れる金属部４の隣の金属部４の表面とが金属ワイヤ６に
よりボンディングされ電気的に接続される。これによ
り、隣接する金属部４上に配置された各ＬＥＤチップ５
が直列に接続される。この接続方法により、金属基板１
上における電気的な接続は、ＬＥＤチップ５と金属部４
間、ＬＥＤチップ５と金属ワイヤ６間、金属ワイヤ６と
隣の金属部４間のみとなり、従来の配線に比べて非常に
シンプルなものとなり、接触箇所が少ないため電気的な
故障が起きにくい。
【００１３】また、図１では図示していないが、ＬＥＤ
チップ５と金属ワイヤ６の腐食を防ぐためにＬＥＤチッ
プ５および金属ワイヤ６を樹脂で封じる。しかし、その
樹脂で封じる領域以外の金属基板１表面には放熱を防ぐ
ものが何もないため、ＬＥＤチップ５の光の照射面側へ
の放熱が非常に優れている。これはこの光源装置を器具
に組み込んだ場合においても、照射面側には点灯回路や
配線類を配置することはないので非常に有利である。ま
た、ＬＥＤチップ５はジャンクション温度を下げると長
寿命化、高発光化をはかることができるため、放熱を良
くすることはＬＥＤチップ５を用いた光源装置のあらゆ
る性能パラメータを上げることができる。 （実施形態２）次に、本発明の実施形態２を図２の断面
図を用いて説明する。図２において図１と同じものには
同じ符号を付しておりその説明を省略する。図２におい
て図１と異なる点は、図１では金属部４の表面に配置さ
れたＬＥＤチップ５と隣の金属部４の表面とを金属ワイ
ヤ６で電気的に接続しているのに対して、図２において
は金属部４の表面に配置されたＬＥＤチップ５は、金属
部４に設けられたスルーホールを介して隣の金属部４の
裏面と電気的に接続されている点である。
チップ５と金属ワイヤ６の腐食を防ぐためにＬＥＤチッ
プ５および金属ワイヤ６を樹脂で封じる。しかし、その
樹脂で封じる領域以外の金属基板１表面には放熱を防ぐ
ものが何もないため、ＬＥＤチップ５の光の照射面側へ
の放熱が非常に優れている。これはこの光源装置を器具
に組み込んだ場合においても、照射面側には点灯回路や
配線類を配置することはないので非常に有利である。ま
た、ＬＥＤチップ５はジャンクション温度を下げると長
寿命化、高発光化をはかることができるため、放熱を良
くすることはＬＥＤチップ５を用いた光源装置のあらゆ
る性能パラメータを上げることができる。 （実施形態２）次に、本発明の実施形態２を図２の断面
図を用いて説明する。図２において図１と同じものには
同じ符号を付しておりその説明を省略する。図２におい
て図１と異なる点は、図１では金属部４の表面に配置さ
れたＬＥＤチップ５と隣の金属部４の表面とを金属ワイ
ヤ６で電気的に接続しているのに対して、図２において
は金属部４の表面に配置されたＬＥＤチップ５は、金属
部４に設けられたスルーホールを介して隣の金属部４の
裏面と電気的に接続されている点である。
【００１４】すなわち、金属部４にはＬＥＤチップ５の
配置位置近傍に、絶縁層７により金属部４と絶縁された
スルホール８が設けられている。そして、スルホール８
の上端で、ＬＥＤチップ５の金属部４と接続されていな
い側の極と金属ワイヤ９によりボンディングされた導電
線１０が、スルホール８を介して金属基板１の裏面の絶
縁層２上を這うように設けられ隣の金属部４の裏面と接
続される。これにより、金属部４の表面側に配置された
ＬＥＤチップ５と隣の金属部４とが電気的に接続され、
各ＬＥＤチップ５が直列に接続される。
配置位置近傍に、絶縁層７により金属部４と絶縁された
スルホール８が設けられている。そして、スルホール８
の上端で、ＬＥＤチップ５の金属部４と接続されていな
い側の極と金属ワイヤ９によりボンディングされた導電
線１０が、スルホール８を介して金属基板１の裏面の絶
縁層２上を這うように設けられ隣の金属部４の裏面と接
続される。これにより、金属部４の表面側に配置された
ＬＥＤチップ５と隣の金属部４とが電気的に接続され、
各ＬＥＤチップ５が直列に接続される。
【００１５】本実施形態においては、金属部４に配置さ
れたＬＥＤチップ５と、その金属部４に設けられたスル
ホール８とを金属ワイヤ９で接続する構成であり、実施
形態１のように金属ワイヤ６により金属部４に配置され
たＬＥＤチップ５と隣の金属部４とを接続する場合に比
べて金属ワイヤの長さを短くすることができ、応力など
による金属ワイヤ切れなどの故障を少なくすることがで
きるとともに、ＬＥＤチップ５と金属ワイヤ９を封じる
樹脂の面積が小さくなり放熱効果が向上する。 （実施形態３）次に、本発明の実施形態３を図３の断面
図を用いて説明する。図３において図２と同じものには
同じ符号を付しておりその説明を省略する。図３では、
図２で示した金属基板１の各金属部４の表面側（図３の
上側）である配置面に、その側部が上方に向かって幅広
になる斜面となったテーパ状の凹部１１が設けられ、そ
の底面にＬＥＤチップ５を配置している。ここで、スル
ホール８はＬＥＤチップ５が配置された底面に設けられ
ており、一番右側の金属部４の凹部１１には樹脂１２を
設けた例を示している。
れたＬＥＤチップ５と、その金属部４に設けられたスル
ホール８とを金属ワイヤ９で接続する構成であり、実施
形態１のように金属ワイヤ６により金属部４に配置され
たＬＥＤチップ５と隣の金属部４とを接続する場合に比
べて金属ワイヤの長さを短くすることができ、応力など
による金属ワイヤ切れなどの故障を少なくすることがで
きるとともに、ＬＥＤチップ５と金属ワイヤ９を封じる
樹脂の面積が小さくなり放熱効果が向上する。 （実施形態３）次に、本発明の実施形態３を図３の断面
図を用いて説明する。図３において図２と同じものには
同じ符号を付しておりその説明を省略する。図３では、
図２で示した金属基板１の各金属部４の表面側（図３の
上側）である配置面に、その側部が上方に向かって幅広
になる斜面となったテーパ状の凹部１１が設けられ、そ
の底面にＬＥＤチップ５を配置している。ここで、スル
ホール８はＬＥＤチップ５が配置された底面に設けられ
ており、一番右側の金属部４の凹部１１には樹脂１２を
設けた例を示している。
【００１６】本実施形態においては、金属部４の凹部１
１にＬＥＤチップ５からの光を反射させて外部に照射
し、凹部１１自体が反射板の役目を果たしているため、
部品点数を増やすことなく、ＬＥＤチップ５からの光の
取り出し効率が上がり、その結果光束が上がるという利
点がある。また、凹部１１を設けることにより金属部４
の表面積が増え放熱効果も向上する。 （実施形態４）次に、本発明の実施形態４を図４の断面
図を用いて説明する。図４において図３と同じものには
同じ符号を付しておりその説明を省略する。図４におい
て図３と異なる点は、図３に示した凹部１１の窪みの大
きさと深さを大きくして、その斜面が各金属部４の端部
にまで傾斜するように設けられたフィン形状である凹部
１３としている。これにより、金属部４の表面積が更に
増えて放熱効果が向上し、また光の反射面積も大きくな
るので光の取り出し効率も上がるという利点がある。 （実施形態５）次に、本発明の実施形態５を図５の断面
図を用いて説明する。図５において図１と同じものには
同じ符号を付しておりその説明を省略する。図５におい
て図１と異なる点は、ＬＥＤチップ５を配置する各金属
部４の形状を凸型にし、その頂上にＬＥＤチップ５を配
置している。これによりＬＥＤチップ５で発する熱を積
極的に光の照射方向、すなわち図中上方に放熱できる。 （実施形態６）次に、本発明の実施形態６を図６の断面
図を用いて説明する。本実施形態は図２の実施形態と図
５の実施形態とを混合したものであり、図６において図
２と同じものには同じ符号を付しておりその説明を省略
する。図６において図２と異なる点は、ＬＥＤチップ５
を配置する各金属部４の形状を凸型にして、その頂上に
ＬＥＤチップ５を配置している点である。これによりＬ
ＥＤチップ５で発する熱を積極的に光の照射方向、すな
わち図中上方に放熱できる。 （実施形態７）次に、本発明の実施形態７を図７の断面
図を用いて説明する。図７において図１と同じものには
同じ符号を付しておりその説明を省略する。図７におい
て図１と異なる点は、図７では金属基板１の裏面に設け
られた絶縁層２より金属基板１の表面（図中上側）すな
わち、ＬＥＤチップが配置される配置面にかけて金属基
板１を貫通するように貫通孔１４が設けられている点で
ある。
１にＬＥＤチップ５からの光を反射させて外部に照射
し、凹部１１自体が反射板の役目を果たしているため、
部品点数を増やすことなく、ＬＥＤチップ５からの光の
取り出し効率が上がり、その結果光束が上がるという利
点がある。また、凹部１１を設けることにより金属部４
の表面積が増え放熱効果も向上する。 （実施形態４）次に、本発明の実施形態４を図４の断面
図を用いて説明する。図４において図３と同じものには
同じ符号を付しておりその説明を省略する。図４におい
て図３と異なる点は、図３に示した凹部１１の窪みの大
きさと深さを大きくして、その斜面が各金属部４の端部
にまで傾斜するように設けられたフィン形状である凹部
１３としている。これにより、金属部４の表面積が更に
増えて放熱効果が向上し、また光の反射面積も大きくな
るので光の取り出し効率も上がるという利点がある。 （実施形態５）次に、本発明の実施形態５を図５の断面
図を用いて説明する。図５において図１と同じものには
同じ符号を付しておりその説明を省略する。図５におい
て図１と異なる点は、ＬＥＤチップ５を配置する各金属
部４の形状を凸型にし、その頂上にＬＥＤチップ５を配
置している。これによりＬＥＤチップ５で発する熱を積
極的に光の照射方向、すなわち図中上方に放熱できる。 （実施形態６）次に、本発明の実施形態６を図６の断面
図を用いて説明する。本実施形態は図２の実施形態と図
５の実施形態とを混合したものであり、図６において図
２と同じものには同じ符号を付しておりその説明を省略
する。図６において図２と異なる点は、ＬＥＤチップ５
を配置する各金属部４の形状を凸型にして、その頂上に
ＬＥＤチップ５を配置している点である。これによりＬ
ＥＤチップ５で発する熱を積極的に光の照射方向、すな
わち図中上方に放熱できる。 （実施形態７）次に、本発明の実施形態７を図７の断面
図を用いて説明する。図７において図１と同じものには
同じ符号を付しておりその説明を省略する。図７におい
て図１と異なる点は、図７では金属基板１の裏面に設け
られた絶縁層２より金属基板１の表面（図中上側）すな
わち、ＬＥＤチップが配置される配置面にかけて金属基
板１を貫通するように貫通孔１４が設けられている点で
ある。
【００１７】この貫通孔１４は金属基板１の裏面側から
表面側に向かって徐々に小さくなるように形成され、金
属基板１の表面の開口部は、下側が上側よりも大きい台
形形状であるメサ型のＬＥＤチップ１５を金属基板１の
裏面側より貫通孔１４内に挿入したときに、ＬＥＤチッ
プ１５の発光部である活性層１６が金属基板１の表面を
通り超えたところでＬＥＤチップ１５が固定される大き
さとなっている。
表面側に向かって徐々に小さくなるように形成され、金
属基板１の表面の開口部は、下側が上側よりも大きい台
形形状であるメサ型のＬＥＤチップ１５を金属基板１の
裏面側より貫通孔１４内に挿入したときに、ＬＥＤチッ
プ１５の発光部である活性層１６が金属基板１の表面を
通り超えたところでＬＥＤチップ１５が固定される大き
さとなっている。
【００１８】このＬＥＤチップ１５を金属基板１の貫通
孔１４に挿入した後、低融点金属１７を金属基板１の裏
面側より貫通孔１４内に流し込み、ＬＥＤチップ１５を
金属基板１に固定して、ＬＥＤチップ１５と金属基板１
との導通をはかっており、図１と同様に各ＬＥＤチップ
１５が直列に接続される。このとき、低融点金属１７が
金属基板１の裏面の開口部より外部に出るようにして、
金属基板１の裏面からの放熱をしやすくしている。
孔１４に挿入した後、低融点金属１７を金属基板１の裏
面側より貫通孔１４内に流し込み、ＬＥＤチップ１５を
金属基板１に固定して、ＬＥＤチップ１５と金属基板１
との導通をはかっており、図１と同様に各ＬＥＤチップ
１５が直列に接続される。このとき、低融点金属１７が
金属基板１の裏面の開口部より外部に出るようにして、
金属基板１の裏面からの放熱をしやすくしている。
【００１９】このように、ＬＥＤチップ１５を金属基板
１の貫通孔１４の裏面から挿入し、表面側に配置するこ
とで、発熱源であるＬＥＤチップ１５の活性層１６と金
属基板１との距離を極限まで小さくすることができ、Ｌ
ＥＤチップ１５の活性層１６から金属基板１へ、より熱
抵抗の少ない放熱経路を形成することができる。 （実施形態８）次に、本発明の実施形態８を図８の断面
図を用いて説明する。本実施形態は図２の実施形態と図
５の実施形態とを混合したものであり、図８において図
２、図７と同じものには同じ符号を付しその説明を省略
する。図８の実施形態は、その基本構成は図２の実施形
態で示したのと同じであり、異なる点は本実施形態では
ＬＥＤチップとしては図７と同様にメサ型のＬＥＤチッ
プ１５を用い、図７と同様に金属基板１に設けられた貫
通孔１４の裏面側より挿入されて、金属基板１の表面側
に配置される点である。
１の貫通孔１４の裏面から挿入し、表面側に配置するこ
とで、発熱源であるＬＥＤチップ１５の活性層１６と金
属基板１との距離を極限まで小さくすることができ、Ｌ
ＥＤチップ１５の活性層１６から金属基板１へ、より熱
抵抗の少ない放熱経路を形成することができる。 （実施形態８）次に、本発明の実施形態８を図８の断面
図を用いて説明する。本実施形態は図２の実施形態と図
５の実施形態とを混合したものであり、図８において図
２、図７と同じものには同じ符号を付しその説明を省略
する。図８の実施形態は、その基本構成は図２の実施形
態で示したのと同じであり、異なる点は本実施形態では
ＬＥＤチップとしては図７と同様にメサ型のＬＥＤチッ
プ１５を用い、図７と同様に金属基板１に設けられた貫
通孔１４の裏面側より挿入されて、金属基板１の表面側
に配置される点である。
【００２０】ここで、本実施形態でも図７と同様に、金
属基板１の貫通孔１４の裏面よりＬＥＤチップ５を挿入
し、金属基板１の貫通孔１４の裏面側より低融点金属１
７を流し込んで、ＬＥＤチップ１５の活性層１６が金属
基板１の表面側を通り超えたところでＬＥＤチップ１５
を固定し、ＬＥＤチップ１５と金属基板１の金属部４の
導通をはかる。このとき、ＬＥＤチップ１５の上側と金
属ワイヤ９でボンディングされた導電線１０が金属基板
１の裏面にて、隣のＬＥＤチップ１５と導通した低融点
金属１７と接続されて、各ＬＥＤチップ１５が直列に接
続される。
属基板１の貫通孔１４の裏面よりＬＥＤチップ５を挿入
し、金属基板１の貫通孔１４の裏面側より低融点金属１
７を流し込んで、ＬＥＤチップ１５の活性層１６が金属
基板１の表面側を通り超えたところでＬＥＤチップ１５
を固定し、ＬＥＤチップ１５と金属基板１の金属部４の
導通をはかる。このとき、ＬＥＤチップ１５の上側と金
属ワイヤ９でボンディングされた導電線１０が金属基板
１の裏面にて、隣のＬＥＤチップ１５と導通した低融点
金属１７と接続されて、各ＬＥＤチップ１５が直列に接
続される。
【００２１】本実施形態では、図７で説明したように放
熱効果が優れており、また図２で説明したようにＬＥＤ
チップ１５と金属ワイヤ９を封じる樹脂の面積が小さく
なるため、さらに放熱効果が向上する。また、金属ワイ
ヤ９の長さを短くできるため、応力などによるワイヤ切
れなどの故障を少なくすることができる。 （実施形態９）次に、本発明の実施形態９を図９（ａ）
（ｂ）の断面図を用いて説明する。本実施形態は図８の
実施形態と基本構成は同じであり、異なる点は金属基板
１の金属部４の表面側、すなわち図中上側に図３で説明
したように凹部１１が設けられ、金属基板１の裏面の貫
通孔１４からＬＥＤチップ１５が挿入されて、凹部１１
の底面より突き出るよう配置されている点である。尚、
図９において図３、図８と同じものには同じ符号を付し
その説明を省略する。また、本実施形態においても他の
実施形態と同様に金属基板１が絶縁層により個々の金属
部に分離される構成であるが、図９（ａ）（ｂ）のそれ
ぞれは個々の金属部４を図示している。
熱効果が優れており、また図２で説明したようにＬＥＤ
チップ１５と金属ワイヤ９を封じる樹脂の面積が小さく
なるため、さらに放熱効果が向上する。また、金属ワイ
ヤ９の長さを短くできるため、応力などによるワイヤ切
れなどの故障を少なくすることができる。 （実施形態９）次に、本発明の実施形態９を図９（ａ）
（ｂ）の断面図を用いて説明する。本実施形態は図８の
実施形態と基本構成は同じであり、異なる点は金属基板
１の金属部４の表面側、すなわち図中上側に図３で説明
したように凹部１１が設けられ、金属基板１の裏面の貫
通孔１４からＬＥＤチップ１５が挿入されて、凹部１１
の底面より突き出るよう配置されている点である。尚、
図９において図３、図８と同じものには同じ符号を付し
その説明を省略する。また、本実施形態においても他の
実施形態と同様に金属基板１が絶縁層により個々の金属
部に分離される構成であるが、図９（ａ）（ｂ）のそれ
ぞれは個々の金属部４を図示している。
【００２２】また、図９（ａ）、図９（ｂ）とで貫通孔
１４の径を異なるようにしてＬＥＤチップ１５の活性層
１６が金属基板の金属部４から突出する距離を異なら
せ、それにより矢印で示しているように配光特性を変え
ている。このようにして各ＬＥＤチップ１５毎に配光特
性を自在にかえることができ、また放熱効果も良くなる
ようにできる。 （実施形態１０）次に、本発明の実施形態１０を図１０
の断面図を用いて説明する。本実施形態では、図２で示
した金属基板１の裏面に設けられた絶縁層２上（図２中
絶縁層２の下側）の導電線１０を取り除き、この金属基
板１を２枚、それぞれの裏面同士を張り合わせて、１つ
の金属基板２０としている。これにより、金属基板２０
は厚さ方向の中間の絶縁層２を境に、金属基板２０の表
裏各面のそれぞれがＬＥＤチップの配置面となる金属部
に絶縁分離されており、更に絶縁分離された各金属部は
金属基板２０の上下方向に設けられる絶縁層３にて、金
属部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを含む各金属部に絶縁分離
されている。図１０において図２と同じものには同じ符
号を付しその説明を省略する。このとき、上記した張り
合わせる各金属基板に配置されるＬＥＤチップの位置が
ずれるようにして、各ＬＥＤチップが直列に接続される
ようにされる。
１４の径を異なるようにしてＬＥＤチップ１５の活性層
１６が金属基板の金属部４から突出する距離を異なら
せ、それにより矢印で示しているように配光特性を変え
ている。このようにして各ＬＥＤチップ１５毎に配光特
性を自在にかえることができ、また放熱効果も良くなる
ようにできる。 （実施形態１０）次に、本発明の実施形態１０を図１０
の断面図を用いて説明する。本実施形態では、図２で示
した金属基板１の裏面に設けられた絶縁層２上（図２中
絶縁層２の下側）の導電線１０を取り除き、この金属基
板１を２枚、それぞれの裏面同士を張り合わせて、１つ
の金属基板２０としている。これにより、金属基板２０
は厚さ方向の中間の絶縁層２を境に、金属基板２０の表
裏各面のそれぞれがＬＥＤチップの配置面となる金属部
に絶縁分離されており、更に絶縁分離された各金属部は
金属基板２０の上下方向に設けられる絶縁層３にて、金
属部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを含む各金属部に絶縁分離
されている。図１０において図２と同じものには同じ符
号を付しその説明を省略する。このとき、上記した張り
合わせる各金属基板に配置されるＬＥＤチップの位置が
ずれるようにして、各ＬＥＤチップが直列に接続される
ようにされる。
【００２３】すなわち、図中上側の金属基板１Ａの一番
右側にある金属部４ａ上に配置されたＬＥＤチップ５ａ
と金属ワイヤ９ａによりボンディングされた導電線１０
ａがスルホール８ａ内を通り金属基板１Ａの裏面に引き
出され、絶縁層２を介して下側の金属基板１Ｂの金属部
４ｂに接続される。そして、金属部４ｂ上（図中下面）
に配置されたＬＥＤチップ５ｂと金属ワイヤ９ｂにより
ボンディングされた導電線１０ｂがスルホール８ｂ内を
通り金属基板１Ｂの裏面に引き出され、絶縁層２を介し
て上記金属部４ａの隣の金属部４ｃに接続される。
右側にある金属部４ａ上に配置されたＬＥＤチップ５ａ
と金属ワイヤ９ａによりボンディングされた導電線１０
ａがスルホール８ａ内を通り金属基板１Ａの裏面に引き
出され、絶縁層２を介して下側の金属基板１Ｂの金属部
４ｂに接続される。そして、金属部４ｂ上（図中下面）
に配置されたＬＥＤチップ５ｂと金属ワイヤ９ｂにより
ボンディングされた導電線１０ｂがスルホール８ｂ内を
通り金属基板１Ｂの裏面に引き出され、絶縁層２を介し
て上記金属部４ａの隣の金属部４ｃに接続される。
【００２４】そして、同様にして金属部４ｃ上に配置さ
れたＬＥＤチップ５ｃと金属ワイヤ９ｃによりボンディ
ングされた導電線１０ｃがスルホール８ｃ内を通り金属
基板１Ａの裏面に引き出され、絶縁層２を介して下側の
金属基板１Ｂの金属部４ｂの隣の金属部４ｄに接続され
る。このように上下の金属基板１Ａ，１Ｂに配置され
た、すなわち金属基板２０の表裏各面に配置されたＬＥ
Ｄチップ５ａ，５ｂ，５ｃの順で交互に電気的に接続さ
れる。すなわち、金属基板２０の表裏各面に配置された
ＬＥＤチップ５ａ，５ｂどうし、ＬＥＤチップ５ｂ，５
ｃどうし、ＬＥＤチップ５ｃ，５ｄどうしが金属基板２
０の厚さ方向の中間の絶縁層２を介して電気的に接続さ
れる。
れたＬＥＤチップ５ｃと金属ワイヤ９ｃによりボンディ
ングされた導電線１０ｃがスルホール８ｃ内を通り金属
基板１Ａの裏面に引き出され、絶縁層２を介して下側の
金属基板１Ｂの金属部４ｂの隣の金属部４ｄに接続され
る。このように上下の金属基板１Ａ，１Ｂに配置され
た、すなわち金属基板２０の表裏各面に配置されたＬＥ
Ｄチップ５ａ，５ｂ，５ｃの順で交互に電気的に接続さ
れる。すなわち、金属基板２０の表裏各面に配置された
ＬＥＤチップ５ａ，５ｂどうし、ＬＥＤチップ５ｂ，５
ｃどうし、ＬＥＤチップ５ｃ，５ｄどうしが金属基板２
０の厚さ方向の中間の絶縁層２を介して電気的に接続さ
れる。
【００２５】本実施形態では、表面側にＬＥＤチップが
配置された各金属基板１Ａ，１Ｂの裏面同士が張り合わ
されるため、張り合わされた金属基板の両面よりＬＥＤ
チップにより光の照射ができ、また、配線が絶縁層に挟
まれているため、配線面積をより大きく取ることがで
き、配線による電力ロスを小さくできる。
配置された各金属基板１Ａ，１Ｂの裏面同士が張り合わ
されるため、張り合わされた金属基板の両面よりＬＥＤ
チップにより光の照射ができ、また、配線が絶縁層に挟
まれているため、配線面積をより大きく取ることがで
き、配線による電力ロスを小さくできる。
【００２６】
【発明の効果】上記したように請求項１の発明では、発
光素子チップ配置用の複数の金属部を絶縁分離して形成
した金属基板と、前記金属基板の各金属部の配置面に接
続されるよう直接配置してなる発光素子チップとを備え
たため、各発光素子チップの直列接続が可能となると共
に、配線数を減らして部品点数の削減ができ、放熱効果
も向上する。
光素子チップ配置用の複数の金属部を絶縁分離して形成
した金属基板と、前記金属基板の各金属部の配置面に接
続されるよう直接配置してなる発光素子チップとを備え
たため、各発光素子チップの直列接続が可能となると共
に、配線数を減らして部品点数の削減ができ、放熱効果
も向上する。
【００２７】また請求項２の発明では、請求項１記載の
発明において、前記発光素子チップが配置される配置面
に凹部を設け、前記凹部底面に前記発光素子チップを配
置し、前記発光素子チップの光を前記凹部に反射させて
外部に照射するため、新たに発光素子チップの光を反射
させる反射板を設ける必要がなく、部品点数を増やすこ
となく発光素子チップからの光の取り出し効率が上がる
と共に、放熱効果も上がる。
発明において、前記発光素子チップが配置される配置面
に凹部を設け、前記凹部底面に前記発光素子チップを配
置し、前記発光素子チップの光を前記凹部に反射させて
外部に照射するため、新たに発光素子チップの光を反射
させる反射板を設ける必要がなく、部品点数を増やすこ
となく発光素子チップからの光の取り出し効率が上がる
と共に、放熱効果も上がる。
【００２８】また請求項３の発明では、請求項１記載の
発明において、前記発光素子チップが配置される配置面
に凸部を設け、前記凸部頂上に前記発光素子チップを配
置するため、発光素子チップから発する熱を積極的に発
光素子チップの光の照射方向に放熱でき、放熱効果が上
がる。
発明において、前記発光素子チップが配置される配置面
に凸部を設け、前記凸部頂上に前記発光素子チップを配
置するため、発光素子チップから発する熱を積極的に発
光素子チップの光の照射方向に放熱でき、放熱効果が上
がる。
【００２９】また請求項４の発明では、前記金属基板
に、前記発光素子チップが配置される配置面とその裏面
とを貫通する貫通孔を設け、裏面より前記発光素子チッ
プを前記貫通孔内に挿入し、発光素子チップを前記配置
面側に配置するため、発光素子チップの発熱源となる部
分の金属基板からの距離を小さくするように調節でき、
発光素子チップの発熱源から金属基板へ、より熱抵抗の
少ない放熱経路を形成することができる。
に、前記発光素子チップが配置される配置面とその裏面
とを貫通する貫通孔を設け、裏面より前記発光素子チッ
プを前記貫通孔内に挿入し、発光素子チップを前記配置
面側に配置するため、発光素子チップの発熱源となる部
分の金属基板からの距離を小さくするように調節でき、
発光素子チップの発熱源から金属基板へ、より熱抵抗の
少ない放熱経路を形成することができる。
【００３０】また請求項５の発明では、前記金属基板
は、その厚さ方向の中間で絶縁分離されそれぞれの発光
素子チップの配置面が前記金属基板の表裏各面となる金
属部を有し、前記金属基板の表裏各面に配置された発光
素子チップどうしが前記金属基板の厚さ方向の中間で電
気的に接続されるため、金属基板の両面より発光素子チ
ップの光を照射できる。
は、その厚さ方向の中間で絶縁分離されそれぞれの発光
素子チップの配置面が前記金属基板の表裏各面となる金
属部を有し、前記金属基板の表裏各面に配置された発光
素子チップどうしが前記金属基板の厚さ方向の中間で電
気的に接続されるため、金属基板の両面より発光素子チ
ップの光を照射できる。
【図１】本発明の実施形態１に対応する光源装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態２に対応する光源装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態３に対応する光源装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態４に対応する光源装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態５に対応する光源装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態６に対応する光源装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態７に対応する光源装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態８に対応する光源装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態９に対応する光源装置の構造
を示す断面図であり、（ａ）はＬＥＤチップ１５の活性
層１６が凹部１１の底面より近い場合、（ｂ）は遠い場
合を示している。
を示す断面図であり、（ａ）はＬＥＤチップ１５の活性
層１６が凹部１１の底面より近い場合、（ｂ）は遠い場
合を示している。
【図１０】本発明の実施形態１０に対応する光源装置の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図１１】従来の光源装置の構造を示す断面図である。
【図１２】従来の光源装置の構造を示す斜視図である。
１ 金属基板 ２ 絶縁層 ３ 絶縁層 ４ 金属部 ５ ＬＥＤチップ ６ 金属ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩浜 英二 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 杉本 勝 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 木村 秀吉 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 住友 卓 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA33 CB11 DA03 DA07 DA13 DA20 DA39 DA43 FF11
Claims (5)
- 【請求項１】 発光素子チップ配置用の複数の金属部を
絶縁分離して形成した金属基板と、前記金属基板の各金
属部の配置面に接続されるよう直接配置してなる発光素
子チップとを備えたことを特徴とする光源装置。 - 【請求項２】 前記発光素子チップが配置される配置面
に凹部を設け、前記凹部底面に前記発光素子チップを配
置し、前記発光素子チップの光を前記凹部に反射させて
外部に照射することを特徴とする請求項１記載の光源装
置。 - 【請求項３】 前記発光素子チップが配置される配置面
に凸部を設け、前記凸部頂上に前記発光素子チップを配
置することを特徴とする請求項１記載の光源装置。 - 【請求項４】 前記金属基板に、前記発光素子チップが
配置される配置面とその裏面とを貫通する貫通孔を設
け、裏面より前記発光素子チップを前記貫通孔内に挿入
し、発光素子チップを前記配置面側に配置することを特
徴とする請求項１記載の光源装置。 - 【請求項５】 前記金属基板は、その厚さ方向の中間で
絶縁分離されそれぞれの発光素子チップの配置面が前記
金属基板の表裏各面となる金属部を有し、前記金属基板
の表裏各面に配置された発光素子チップどうしが前記金
属基板の厚さ方向の中間で電気的に接続されることを特
徴とする請求項１，２，３のいずれかに記載の光源装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3648299A JP2000236116A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3648299A JP2000236116A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000236116A true JP2000236116A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12471049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3648299A Withdrawn JP2000236116A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000236116A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086391A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Nec Schott Components Corp | Ｌｅｄパッケージ |
| JP2006093565A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法 |
| JP2006216764A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
| JP2006525679A (ja) * | 2003-05-05 | 2006-11-09 | ラミナ セラミックス インコーポレーテッド | 高温動作用にパッケージ化された発光ダイオード |
| JP2007505493A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | クリー インコーポレイテッド | 半導体発光装置用の固体金属ブロック実装基板およびその製造のための酸化方法 |
| JP2007509505A (ja) * | 2003-10-22 | 2007-04-12 | クリー インコーポレイテッド | 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ |
| JP2007134722A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 高輝度発光ダイオード及びこれを利用した液晶表示装置 |
| JP2007273602A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板および発光装置 |
| JP2007273603A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板および発光装置 |
| US7436000B2 (en) | 2005-01-26 | 2008-10-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Two dimensional light source using light emitting diode and liquid crystal display device using the two dimensional light source |
| JP2009186734A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| US7775685B2 (en) | 2003-05-27 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| KR101026047B1 (ko) | 2008-11-05 | 2011-03-30 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 어레이 및 발광소자 어레이의 제조방법 |
| JP2011082259A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｌｅｄ素子載置部材およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法 |
| US7980743B2 (en) | 2005-06-14 | 2011-07-19 | Cree, Inc. | LED backlighting for displays |
| WO2011122846A3 (ko) * | 2010-03-31 | 2012-01-12 | 주식회사 포인트 엔지니어링 | 광소자 디바이스 및 그 제조 방법 |
| KR101115800B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2012-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광소자 패키지, 이의 제조 방법 및 백라이트 유닛 |
| JP2012182482A (ja) * | 2008-04-17 | 2012-09-20 | Samsung Led Co Ltd | サブマウント、発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
| KR101192183B1 (ko) | 2010-11-26 | 2012-10-17 | (주)포인트엔지니어링 | Ｌｅｄ 패키지와 ｌｅｄ 패키지용 금속 서브마운트 및 그 제조방법 |
| KR101289566B1 (ko) * | 2011-08-08 | 2013-07-24 | 성균관대학교산학협력단 | 반도체 장치용 기판, 이를 구비하는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
| CN104576883A (zh) * | 2013-10-29 | 2015-04-29 | 普因特工程有限公司 | 芯片安装用阵列基板及其制造方法 |
| US9666558B2 (en) | 2015-06-29 | 2017-05-30 | Point Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate |
-
1999
- 1999-02-15 JP JP3648299A patent/JP2000236116A/ja not_active Withdrawn
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8167463B2 (en) | 2002-09-04 | 2012-05-01 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| US8622582B2 (en) | 2002-09-04 | 2014-01-07 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| US8530915B2 (en) | 2002-09-04 | 2013-09-10 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| US8710514B2 (en) | 2002-09-04 | 2014-04-29 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| US8608349B2 (en) | 2002-09-04 | 2013-12-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| JP4912876B2 (ja) * | 2003-05-05 | 2012-04-11 | ラミナ ライティング インコーポレーテッド | 高温動作用にパッケージ化された発光ダイオード |
| JP2006525679A (ja) * | 2003-05-05 | 2006-11-09 | ラミナ セラミックス インコーポレーテッド | 高温動作用にパッケージ化された発光ダイオード |
| US8188488B2 (en) | 2003-05-27 | 2012-05-29 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| US7976186B2 (en) | 2003-05-27 | 2011-07-12 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| US7775685B2 (en) | 2003-05-27 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| JP2007505493A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | クリー インコーポレイテッド | 半導体発光装置用の固体金属ブロック実装基板およびその製造のための酸化方法 |
| JP2007509505A (ja) * | 2003-10-22 | 2007-04-12 | クリー インコーポレイテッド | 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ |
| JP2006086391A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Nec Schott Components Corp | Ｌｅｄパッケージ |
| JP2006093565A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法 |
| KR101115800B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2012-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광소자 패키지, 이의 제조 방법 및 백라이트 유닛 |
| US7932970B2 (en) | 2005-01-26 | 2011-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Two dimensional light source using light emitting diode and liquid crystal display device using the two dimensional light source |
| US8368846B2 (en) | 2005-01-26 | 2013-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Two dimensional light source using light emitting diode and liquid crystal display device using the two dimensional light source |
| US7436000B2 (en) | 2005-01-26 | 2008-10-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Two dimensional light source using light emitting diode and liquid crystal display device using the two dimensional light source |
| JP2006216764A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
| US7980743B2 (en) | 2005-06-14 | 2011-07-19 | Cree, Inc. | LED backlighting for displays |
| US8308331B2 (en) | 2005-06-14 | 2012-11-13 | Cree, Inc. | LED backlighting for displays |
| JP2007134722A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 高輝度発光ダイオード及びこれを利用した液晶表示装置 |
| TWI397191B (zh) * | 2005-11-10 | 2013-05-21 | Samsung Display Co Ltd | 高照度發光二極體及利用其之液晶顯示裝置 |
| JP2007273603A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板および発光装置 |
| JP2007273602A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板および発光装置 |
| JP2009186734A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2012182482A (ja) * | 2008-04-17 | 2012-09-20 | Samsung Led Co Ltd | サブマウント、発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
| KR101026047B1 (ko) | 2008-11-05 | 2011-03-30 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 어레이 및 발광소자 어레이의 제조방법 |
| JP2011082259A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｌｅｄ素子載置部材およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法 |
| WO2011122846A3 (ko) * | 2010-03-31 | 2012-01-12 | 주식회사 포인트 엔지니어링 | 광소자 디바이스 및 그 제조 방법 |
| US8921879B2 (en) | 2010-03-31 | 2014-12-30 | Point Engineering Co., Ltd. | Optical device and method for manufacturing same |
| US20130037833A1 (en) * | 2010-03-31 | 2013-02-14 | Point Engineering Co., Ltd. | Optical Device and Method for Manufacturing Same |
| US9666565B2 (en) | 2010-03-31 | 2017-05-30 | Point Engineering Co., Ltd. | Optical device and method for manufacturing same |
| US20140027796A1 (en) * | 2010-03-31 | 2014-01-30 | Point Engineering Co., Ltd. | Optical Device and Method for Manufacturing Same |
| CN103560127A (zh) * | 2010-03-31 | 2014-02-05 | 端点工程有限公司 | 光学器件及其制造方法 |
| CN102812571A (zh) * | 2010-03-31 | 2012-12-05 | 端点工程有限公司 | 光学器件及其制造方法 |
| US9287243B2 (en) | 2010-03-31 | 2016-03-15 | Point Engineering Co., Ltd. | Optical device and method for manufacturing same |
| US9214453B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-12-15 | Point Engineering Co., Ltd. | Optical device and method for manufacturing same |
| KR101192183B1 (ko) | 2010-11-26 | 2012-10-17 | (주)포인트엔지니어링 | Ｌｅｄ 패키지와 ｌｅｄ 패키지용 금속 서브마운트 및 그 제조방법 |
| KR101289566B1 (ko) * | 2011-08-08 | 2013-07-24 | 성균관대학교산학협력단 | 반도체 장치용 기판, 이를 구비하는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
| CN104576883A (zh) * | 2013-10-29 | 2015-04-29 | 普因特工程有限公司 | 芯片安装用阵列基板及其制造方法 |
| US9847462B2 (en) | 2013-10-29 | 2017-12-19 | Point Engineering Co., Ltd. | Array substrate for mounting chip and method for manufacturing the same |
| CN104576883B (zh) * | 2013-10-29 | 2018-11-16 | 普因特工程有限公司 | 芯片安装用阵列基板及其制造方法 |
| US9666558B2 (en) | 2015-06-29 | 2017-05-30 | Point Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate |
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