CN102117821A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光装置。发光装置包括：基底；第一发光单元和第二发光单元，每个发光单元包括第一导电型上半导体层、有源层、第二导电型下半导体层以及穿过第二导电型下半导体层和有源层以暴露第一导电型上半导体层的孔；连接件，位于第一发光单元和第二发光单元与基底之间，并将第一发光单元和第二发光单元相互电连接。孔分别位于第一发光单元和第二发光单元的中心区域处，并且连接件将第一发光单元的第二导电型下半导体层电连接到暴露于第二发光单元的孔中的第一导电型上半导体层。由于连接件位于基底和发光单元之间，所以能够通过连接件防止光损失。此外，由于孔位于发光单元的中心区域处，所以允许电流在发光单元的大面积上扩散。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置以及一种制造该发光装置的方法，更具体地讲，涉及一种可通过应用基底剥离(lift-off)工艺制造的发光装置以及一种制造该发光装置的方法。
背景技术
发光二极管指的是具有半导体p-n结并通过电子-空穴复合发光的半导体器件。这种发光二极管的应用范围广，如应用于显示装置、背光等。此外，发光二极管的优点在于，与现有的电灯泡或荧光灯相比，发光二极管的功耗低且寿命长，并且作为替代现有的电灯泡和荧光灯的发光二极管的应用已经扩展到普通照明。
近年来，已经生产出直接连接到AC电源以连续发光的AC发光二极管。在Sakai等人的名为“Light emitting device having light emitting elements”(具有发光元件的发光装置)的第WO 2004/023568(A1)号PCT公布中公开了一种直接连接到高电压AC电源的AC发光二极管的用途的一个示例。
根据第WO 2004/023568A1号PCT公布，LED元件二维地串联在如蓝宝石基底的绝缘基底上，以形成LED阵列。这些LED阵列相互连接，从而提供可以在高电压进行操作的发光装置。此外，将这些LED阵列在蓝宝石基底上彼此反向并联，从而提供可通过AC电源进行操作的单芯片发光装置。
由于AC-LED包括用作生长基底的基底(例如，蓝宝石基底)上的发光单元，所以在发光单元的结构和提高光提取效率方面存在局限性。为了解决这些问题，名为“Light emitting diode employing thermally conductive substrateand method of fabricating the same”(采用导热基底的发光二极管及其制造方法)的第10-0599012号韩国专利公开了一种通过基底剥离工艺制造AC-LED的方法。
图1至图4是示出了制造发光装置的传统方法的剖视图。
参照图1，在牺牲基底21上形成半导体层，所述半导体层包括缓冲层23、N型半导体层25、有源层27和P型半导体层29。此外，在半导体层上形成第一金属层31，并在与牺牲基底21分开的基底51上形成第二金属层53。第一金属层31可包括反射金属层。第二金属层53结合到第一金属层31，从而基底51结合到半导体层的上部。
参照图2，在结合基底51之后，利用激光剥离工艺去除牺牲基底21。此外，在去除了牺牲基底21之后，去除剩下的缓冲层23并暴露N型半导体层25的表面。
参照图3，利用光刻和蚀刻技术对半导体层25、27、29和金属层31、53进行图案化工艺，以形成彼此分离的金属图案40和位于金属图案40上的发光单元30。每个发光单元30包括经图案化的P型半导体层29a、有源层27a和N型半导体层25a。
参照图4，形成金属引线57以将发光单元30的上表面电连接到与该发光单元30相邻的金属图案40。金属引线57将发光单元30相互连接，以形成发光单元的串联阵列。为了使金属引线57连接到发光单元，可在N型半导体层25a上形成电极焊盘55，并且还可在金属图案40上形成电极焊盘。可形成两个或更多个串联阵列，并将所述这些串联阵列相互反向并联，从而提供可通过AC电源驱动的发光二极管。
这样，传统方法可以通过选择适当的基底51来改善发光装置的散热，并可经过对N型半导体层25a的表面进行处理来提高光提取效率。此外，由于第一金属层31a包括反射金属层以反射光，所述光从发光单元30引向基底51，从而进一步提高发光效率。
然而，由于在对半导体层25、27、29和金属层31、53进行图案化的过程中金属蚀刻的副产品粘附到发光单元30的侧壁，所以传统的方法可能会导致N型半导体层25a和P型半导体层29a之间的短路。此外，当蚀刻半导体层25、27、29时，第一金属层31a的表面被暴露并有可能被等离子体损坏。当第一金属层31a包括诸如Ag或Al的反射金属层时，这种蚀刻带来的损坏会被进一步劣化。等离子体对金属层31a的表面的损害会劣化引线57或电极焊盘与金属层之间的接触，从而导致器件失效。
在传统的方法中，第一金属层31可包括反射金属层，因此反射光，所述光从发光单元30引向基底。然而，位于发光单元30之间的空间中的反射金属层经常由于蚀刻或氧化被损坏，反射层的反射率劣化。此外，由于基底51暴露在金属图案40之间的区域上，所以基底51可吸收光，从而导致光损失。
而且，由于引线57连接到N型半导体层25a的上表面(即，发光表面)，所以发光表面上的引线57和/或电极焊盘55可吸收有源层25a产生的光，从而导致光损失。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种用于高电压操作的发光装置以及一种制造该发光装置的方法，该发光装置可防止由于金属蚀刻的副产品导致的发光单元中的电短路。
本发明的另一示例性实施例提供了一种发光装置以及一种制造该发光装置的方法，该发光装置可减少在发光单元之间的空间中引向基底的光的损失。
本发明的又一示例性实施例提供了一种发光装置以及一种制造该发光装置的方法，该发光装置可减少从发光表面发射的光的损失，以提高整体发光效率。
本发明的另一示例性实施例提供了一种发光装置以及一种制造该发光装置的方法，该发光装置可有助于发光单元内的电流扩散。
本发明的另外方面将在下面的描述中部分地阐明，并且从描述中部分是清楚的，或者通过本发明的实施可以被理解。
本发明的示例性实施例公开了一种发光装置。该发光装置包括：基底；第一发光单元和第二发光单元，每个发光单元包括第一导电型上半导体层、有源层、第二导电型下半导体层以及穿过第二导电型下半导体层和有源层以暴露第一导电型上半导体层的孔；连接件，位于第一发光单元和基底之间及位于第二发光单元与基底之间，并将第一发光单元和第二发光单元相互电连接。孔可分别位于第一发光单元和第二发光单元的中心区域处，并且连接件可将第一发光单元的第二导电型下半导体层电连接到暴露于第二发光单元的孔中的第一导电型上半导体层。
由于连接件位于基底和发光单元之间，所以能够通过连接件防止光的损失。此外，由于孔位于发光单元的中心区域处，所以连接件可在中心区域处连接到第一导电型上半导体层，从而允许电流在发光单元的大面积上扩散。
此外，第一发光单元和第二发光单元中的每个发光单元可包括暴露第一导电型上半导体层的单个孔，但是并不限于此。可选择地，第一发光单元和第二发光单元中的每个发光单元可包括多个孔。
发光装置还可包括：隔离沟槽，使发光单元相互隔离；绝缘层，设置在隔离沟槽和连接件之间。当蚀刻半导体层以形成隔离沟槽时，绝缘层防止连接件暴露，从而可防止蚀刻时损坏连接件。
绝缘层可包括分布布格拉反射器(DBR)。因此，能够反射从发光单元之间的区域引向基底的光，从而进一步提高发光效率。
可穿过第一导电型上半导体层、有源层和第二导电型下半导体层来形成隔离沟槽。即，可通过蚀刻包括第一导电型上半导体层、有源层和第二导电型下半导体层的半导体层来形成隔离沟槽，从而简化形成发光单元的工艺。
发光装置还可包括覆盖孔的侧壁的绝缘层。绝缘层防止连接件导致第一导电型上半导体层和第二导电型下半导体层的短路。此外，绝缘层可包括DBR。因此，能够防止发光单元中产生的光被孔中的连接件吸收并防止光损失。
在一些实施例中，发光装置还可包括接触每个发光单元的第二导电型下半导体层的欧姆接触层。这里，连接件与第二发光单元的欧姆接触层绝缘，同时连接到第一发光单元的欧姆接触层。在一些实施例中，绝缘层可设置在第二发光单元的欧姆接触层和连接件之间，从而连接件可经绝缘层与欧姆接触层绝缘。
此外，DBR可设置在欧姆接触层和第二导电型下半导体层之间。这里，DBR可包括通孔，欧姆接触层可通过通孔连接到第二导电型下半导体层。
隔离绝缘层可设置在连接件和基底之间。隔离绝缘层通过使接合金属与连接件隔离来防止电短路。
本发明的另一示例性实施例公开了一种发光装置。发光装置包括：基底；第一发光单元，包括第一导电型上半导体层、有源层、第二导电型下半导体层以及穿过第二导电型下半导体层和有源层以暴露第一导电型上半导体层的孔；第一连接件，通过孔电连接到第一导电型上半导体层；第二连接件，电连接到第二导电型下半导体层。孔可位于发光单元的中心区域处，并且第一连接件可与第二导电型下半导体层电绝缘。这样，第一连接件和第二连接件设置在发光单元和基底之间以防止光损失，第二连接件连接到发光单元的中心区域以有助于发光单元中的电流扩散。
第一发光单元可包括暴露第一导电型上半导体层的多个孔。
绝缘层可形成在孔的侧壁上。绝缘层防止第二连接件导致第一导电型上半导体层和第二导电型下半导体层的短路。绝缘层可包括DBR，从而通过第二连接件防止第一发光单元中产生的光的损失。
在一些实施例中，发光单元还可包括接触第二导电型下半导体层的欧姆接触层。第二连接件可连接到欧姆接触层。此外，欧姆接触层可包括反射金属层以当第一发光单元中产生的光被引向基底时将第一发光单元中的光向上侧反射。
此外，绝缘层可设置在第一连接件和欧姆接触层之间。结果，第一连接件可经绝缘层与欧姆接触层绝缘。绝缘层可包括DBR。
发光装置还可包括第二发光单元，第二发光单元包括第一导电型上半导体层、有源层和第二导电型下半导体层，并且第二连接件可电连接到第二发光单元的第一导电型上半导体层。
在一些实施例中，第二发光单元可包括穿过第二导电型下半导体层和有源层以暴露第一导电型上半导体层的孔，并且第二连接件可通过孔电连接到第二发光单元的第一导电型上半导体层。
第一发光单元和第二发光单元通过隔离沟槽相互隔离，绝缘层可设置在隔离沟槽和第二连接件之间。绝缘层可包括DBR。
这样，本发明的示例性实施例提供了一种用于高电压操作的发光装置，该发光装置可通过防止产生金属蚀刻副产品来防止发光单元内的电短路。此外，发光装置采用包括DBR的绝缘层以反射引向基底的光，从而提高发光效率。此外，连接发光单元的连接件掩埋在发光装置中，从而通过连接件防止从发光表面发射的光的损失。此外，发光单元在其中心区域处形成有孔，连接件通过孔连接到第一导电型上半导体层以有助于发光单元内的电流扩散。
应该理解，前述的一般描述和下面的详细描述是示例性和解释性的，并意图对权利要求所述的本发明提供进一步解释。
附图说明
包括附图是为了提供对本发明的进一步理解，并且附图包括在此并构成说明书的一部分，示出了本发明的实施例，并与描述一起来解释本发明的原理。
图1至图4是示出了制造发光装置的传统方法的剖视图。
图5是根据本发明的一个示例性实施例的发光装置的示意性平面图。
图6是沿图5中的线A-A截取的剖视图。
图7至图12是示出了根据本发明的一个示例性实施例的制造发光装置的方法的剖视图。
图13是根据本发明的另一示例性实施例的发光装置的剖视图。
具体实施方式
在下文中参照附图更充分地描述本发明，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并不应该被解释为限于在此提出的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例，是为了使本公开是彻底的并将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。附图中相同的标号表示相同的元件。
还应该理解，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上或者可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
图5是根据本发明的一个示例性实施例的发光装置的示意性平面图，图6是沿图5中的线A-A截取的剖视图。
参照图5和图6，发光装置包括基底151、第一发光单元S1和第二发光单元S2、隔离沟槽161和连接件135。此外，发光装置可包括孔130a、欧姆接触层131、绝缘层133、隔离绝缘层137、粘合层139和接合金属141。在一些实施例中，发光装置还可包括保护绝缘层。
基底151与用于生长化合物半导体的生长基底相区分，并且为将被附着到已经生长过的化合物半导体的基底。基底151可为蓝宝石基底，但是不限于此。可选择地，基底151可为一种不同的绝缘基底或导电基底。具体地讲，当使用蓝宝石基底作为半导体的生长基底时，期望基底151为具有与生长基底的热膨胀系数相同的热膨胀系数的蓝宝石基底。
发光单元S1、S2通过隔离沟槽161相互分隔开。发光单元S1、S2中的每个发光单元包括半导体叠层130，所述半导体叠层130包括第一导电型上半导体层125、有源层127和第二导电型下半导体层129。有源层127置于第一导电型上半导体层125和第二导电型下半导体层129之间。发光单元S1、S2中的每个发光单元包括穿过第二导电型下半导体层129和有源层127形成的孔130a，以暴露第一导电型上半导体层125。孔130a分别位于发光单元S1、S2的中心区域处。发光单元S1、S2中的每个发光单元可包括单个孔130a，但是不限于此。可选择的，发光单元S1、S2中的每个发光单元可包括多个孔130a。
有源层127以及上半导体层125和下半导体层129可由III-N类的化合物半导体形成，例如，由(Al、Ga、In)N半导体形成。上半导体层125和下半导体层129中的每个可为单层或多层。在一些实施例中，上半导体层125和/或下半导体层129可包括接触层和盖层(clad layer)。在其它实施例中，上半导体层125和/或下半导体层129还可包括上晶格层。有源层127可具有单量子阱结构或多量子阱结构。在一些实施例中，第一导电型为n型且第二导电型为p型。由于上半导体层125可由具有相对低的电阻的n型半导体层形成，所以能够形成相对厚的上半导体层125。因此，可易于在上半导体层125的上表面上形成粗糙化的表面R，从而提高有源层127中产生的光的提取效率。
隔离沟槽161穿过第一导电型上半导体层125、有源层127和第二导电型下半导体层129形成，从而隔离沟槽161的内壁由半导体叠层130形成。由于所有的隔离沟槽161可形成为具有相同的深度，所以可稳定地执行形成隔离沟槽161的蚀刻工艺。
连接件135位于发光单元S1、S2与基底151之间，以将发光单元S1、S2相互电连接。两个连接件135连接到一个发光单元S1或S2，并分别电连接到所述一个发光单元S1或S2的第一导电型上半导体层125和第二导电型下半导体层129。此外，每个连接件135将相邻的发光单元相互电连接。例如，连接件135将第一发光单元S1的第二导电型下半导体层129电连接到第二发光单元S2的第一导电型上半导体层125。这里，连接件135可电连接到暴露在第二发光单元的孔130a中的第一导电型上半导体层125。
这样，多个发光单元可经连接件135相互串联连接，以形成发光单元的串联阵列，从而提供可以在高电压下进行操作的发光装置。此外，可提供多个串联阵列，并将多个串联阵列相互反向并联，从而提供可用AC电源进行操作的AC发光装置。
欧姆接触层131可接触第二导电型下半导体层129。欧姆接触层131形成在第二导电型下半导体层129的大部分的上方，以有助于发光单元S1、S2中的电流扩散。欧姆接触层131可包括反射金属层，因而可反射从发光单元S1、S2引向基底51的光。这里，电连接到第一发光单元S1的第二导电型下半导体层129的连接件135可连接到欧姆接触层131。连接件135与第二发光单元S2的第二导电型下半导体层129和欧姆接触层131绝缘，而电连接到第二发光单元S2的第一导电型上半导体层125。
绝缘层133设置在隔离沟槽161和连接器135之间，以防止连接件135暴露到外部。因此，尽管通过蚀刻形成隔离沟槽161，也能够保护连接件不会被蚀刻坏。
绝缘层133位于孔130a的侧壁上，以防止连接件135导致上半导体层125和下半导体层129的短路。此外，绝缘层133设置在欧姆接触层131和连接件135之间，以使欧姆接触层131和连接件135相互绝缘。
在这个实施例中，孔130a上的绝缘层、用于防止蚀刻损坏的绝缘层以及欧姆接触层131上的绝缘层可由单个绝缘层133形成，并可包括分布布拉格反射器(DBR)。可选择地，这些绝缘层可通过不同的工艺形成。
接合金属141可设置在发光单元S1、S2与基底151之间。接合金属141可由例如Au/Sn的金属材料形成，以将基底151接合到发光单元S1、S2。此外，隔离绝缘层137可设置在发光单元S1、S2与接合金属141之间，以使连接件135与接合金属141电绝缘。在一些实施例中，例如Cr/Au的粘合层139可形成在隔离绝缘层137下方，以提高接合金属141的粘合力。
第一导电型上半导体层125可包括粗糙化的表面R。此外，保护绝缘层(未示出)可覆盖发光单元S1、S2，以保护发光单元。保护绝缘层可填充隔离沟槽161。
图7至图12是示出了根据本发明的一个示例性实施例的制造发光装置的方法的剖视图。
参照图7，在牺牲基底121上形成化合物半导体层的半导体叠层130。牺牲基底121可为蓝宝石基底，但不限于此。可选择地，牺牲基底121可为异质的基底。化合物半导体层可包括第一导电型半导体层125、第二导电型半导体层129以及置于第一导电型半导体层125和第二导电型半导体层129之间的有源层。第一导电型半导体层125位于牺牲基底121附近。第一导电型半导体层125和第二导电型半导体层129中的每个层可为单层或多层。此外，有源层127可具有单量子阱结构或多量子阱结构。
可通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)在牺牲基底121上形成由III-N类化合物半导体形成的这些化合物半导体层125、127和129。
可在形成化合物半导体层之前形成缓冲层(未示出)。采用缓冲层是为了减少牺牲基底121与化合物半导体层之间的晶格不匹配，并且缓冲层可为诸如氮化镓或氮化铝之类的氮化镓基材料。
通过将半导体叠层130图案化来形成孔130a，以暴露第一导电型半导体层125。孔130a形成在发光单元的中心区域处，用于将连接件连接到第一导电型半导体层125。有源层127和第二导电型半导体层129的侧表面暴露在孔130a的内壁上。
为了形成孔130a，通过与台面蚀刻(mesa etching)工艺非常相似的光刻与蚀刻对化合物半导体层进行图案化。然而，通常执行台面蚀刻来提供网形状，以使发光单元的第二导电型半导体层129相互绝缘，而在本发明的实施例中，孔130a是相互分隔开的。因此，可减小孔130a的面积，以使得隔离绝缘层和接合金属易于被平坦化，从而可将基底151稳定地附着于半导体层。
参照图8，可在第二导电型半导体层129上形成欧姆接触层131。欧姆接触层131可与第二导电型半导体层129形成欧姆接触。欧姆接触层131形成在每个发光单元上，并具有暴露每个孔130a的开口。欧姆接触层131可包括反射金属层。在一些实施例中，欧姆接触层131可包括用于保护反射金属层的障碍层。
可形成绝缘层133以覆盖孔130a的侧壁，同时覆盖欧姆接触层131的一部分。绝缘层133覆盖位于发光单元之间的区域中的第二导电型半导体层129。覆盖孔130a的侧壁的绝缘层、欧姆接触层131上的绝缘层以及位于发光单元之间的绝缘层可通过同一工艺由相同的材料形成。可选择地，可通过不同的工艺来形成这些绝缘层。
绝缘层133可由例如SiO2、SiN、MgO、TaO、TiO2或聚合物形成，并可包括分布布拉格反射器(DBR)。
参照图9，在绝缘层133上形成连接件135。每个连接件135将暴露在孔130a中的第一导电型半导体层125电连接到相邻的发光单元区域中的第二导电型半导体层129。电连接到第二导电型半导体层129的连接件135可连接到欧姆接触层131。这里，期望在一些区域中连接件135与欧姆接触层131和第二导电型半导体层129绝缘。为此，绝缘层133设置在连接件135和欧姆接触层131之间。
参照图10，隔离绝缘层137基本形成在牺牲基底121的其上形成有连接件135的整个表面上。隔离绝缘层137覆盖连接件135和绝缘层133。隔离绝缘层137可由氧化硅膜、氮化硅膜等形成。此外，隔离绝缘层137可为其内周期性形成有SiO2/TiO2的DBR。粘合层139可形成在隔离绝缘层137上，并且接合金属141可形成在粘合层139上。然后，可将基底151接合到接合金属141。接合金属141可由例如AuSn(80/20wt％)形成。基底151可具有与牺牲基底121的热膨胀系数相同的热膨胀系数。在一些实施例中，基底151可由蓝宝石基底形成，但是不限于此。
参照图11，然后去除牺牲基底121，并暴露第一导电型半导体层125。可通过激光剥离(LLO)或其它机械或化学技术来去除牺牲基底121。这里，还去除缓冲层以暴露第一导电型半导体层125。
参照图12，形成隔离沟槽161，以将半导体叠层130划分成发光单元S1、S2。通过蚀刻半导体叠层130直到暴露绝缘层133来形成隔离沟槽161。这里，绝缘层133防止连接件135被暴露。隔离沟槽161的侧壁由半导体叠层130形成，第一导电型半导体层125、有源层127和第二导电型半导体层129的侧表面暴露在隔离沟槽内。可通过光增强化学(PEC)蚀刻等在第一导电型半导体层125上形成粗糙化表面R。
然后，在第一导电型半导体层125上形成保护绝缘层(未示出)和电极焊盘(未示出)，并将基底151分成均包括发光单元S1、S2的发光装置单元，从而提供单个芯片发光装置。
图13是根据本发明的另一示例性实施例的发光装置的剖视图。
参照图13，根据本实施例的发光装置具有与参照图5和图6描述的发光装置的结构相似的结构。然而，在这个实施例中，在形成欧姆接触层171之前形成DBR 170。
DBR 170设置在欧姆接触层171和第二导电型下半导体层129之间。DBR170可覆盖孔130a中的侧壁，并可设置在隔离沟槽161和连接件175之间。
DBR 170可包括欧姆接触层171和第二导电型下半导体层129之间的通孔170a，并且欧姆接触层171可通过通孔170a连接到第二导电型下半导体层129。
绝缘层173形成在欧姆接触层171的一些区域上，并使连接件175与欧姆接触层171电绝缘。
在这个实施例中，在欧姆接触层171和第二导电型下半导体层129之间的区域上，DBR 170形成在孔130a内的侧壁上，并且DBR 170形成在隔离沟槽161与连接件175之间的区域上，从而改善发光单元S1、S2中产生的光的反射，因而提高发光效率。
尽管已经结合附图参照一些示例性实施例示出了本发明，但是对本领域技术人员清楚的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可在本发明中做出各种变形和修改。因此，应该理解，仅通过示出的方式提供了实施例，并且给出实施例是为了提供本发明的完整的公开，并对本领域技术人员提供对本发明的完整理解。因此，本发明意图覆盖落在权利要求及其等同物范围内的本发明的修改和变化。

Claims (22)

1.一种发光装置，所述发光装置包括：
基底；
第一发光单元和第二发光单元，每个发光单元包括第一导电型上半导体层、有源层、第二导电型下半导体层以及穿过第二导电型下半导体层和有源层以暴露第一导电型上半导体层的孔；
连接件，位于第一发光单元和基底之间及位于第二发光单元与基底之间，并将第一发光单元和第二发光单元相互电连接，
其中，孔分别位于第一发光单元和第二发光单元的中心区域处，并且连接件将第一发光单元的第二导电型下半导体层电连接到暴露于第二发光单元的孔中的第一导电型上半导体层。
2.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：
隔离沟槽，使发光单元相互隔离；
绝缘层，设置在隔离沟槽和连接件之间。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，绝缘层包括DBR。
4.根据权利要求2所述的发光装置，其中，隔离沟槽穿过第一导电型上半导体层、有源层和第二导电型下半导体层形成。
5.根据权利要求1所述的发光装置，还包括覆盖孔的侧壁的绝缘层。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，绝缘层包括DBR。
7.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：
欧姆接触层，接触每个发光单元的第二导电型下半导体层；
其中，连接件与第二发光单元的欧姆接触层绝缘，同时连接到第一发光单元的欧姆接触层。
8.根据权利要求7所述的发光装置，还包括设置在第二发光单元的欧姆接触层与连接件之间的绝缘层。
9.根据权利要求7所述的发光装置，还包括设置在欧姆接触层与第二导电型下半导体层之间的DBR，
其中，DBR包括通孔，并且欧姆接触层通过通孔连接到第二导电型下半导体层。
10.根据权利要求1所述的发光装置，还包括设置在连接件和基底之间的隔离绝缘层。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其中，每个发光单元包括暴露第一导电型上半导体层的多个孔。
12.一种发光装置，所述发光装置包括：
基底；
第一发光单元，包括第一导电型上半导体层、有源层、第二导电型下半导体层以及穿过第二导电型下半导体层和有源层以暴露第一导电型上半导体层的孔；
第一连接件，通过孔电连接到第一导电型上半导体层；
第二连接件，电连接到第二导电型下半导体层，
其中，孔位于发光单元的中心区域处，并且第一连接件与第二导电型下半导体层电绝缘。
13.根据权利要求12所述的发光装置，还包括：
绝缘层，形成在孔的侧壁上，绝缘层包括DBR。
14.根据权利要求12所述的发光装置，还包括：
欧姆接触层，接触第二导电型下半导体层，其中，第二连接件连接到欧姆接触层。
15.根据权利要求14所述的发光装置，其中，欧姆接触层包括反射金属层。
16.根据权利要求14所述的发光装置，还包括设置在第一连接件和欧姆接触层之间的绝缘层。
17.根据权利要求16所述的发光装置，其中，绝缘层包括DBR。
18.根据权利要求12所述的发光装置，还包括：
第二发光单元，包括第一导电型上半导体层、有源层和第二导电型下半导体层，
其中，第二连接件电连接到第二发光单元的第一导电型上半导体层。
19.根据权利要求18所述的发光装置，其中，第二发光单元包括穿过第二导电型下半导体层和有源层以暴露第一导电型上半导体层形成的孔，并且第二连接件通过孔电连接到第二发光单元的第一导电型上半导体层。
20.根据权利要求18所述的发光装置，其中，第一发光单元和第二发光单元通过隔离沟槽相互隔离，并且绝缘层设置在隔离沟槽和第二连接件之间。
21.根据权利要求20所述的发光装置，其中，设置在隔离沟槽和第二连接件之间的绝缘层包括DBR。
22.根据权利要求12所述的发光装置，其中，第一发光单元包括暴露第一导电型上半导体层的多个孔。
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