CN108428776B - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光装置及其制造方法，该发光装置亮度更高。发光装置的制造方法包括：准备工序，其准备从上面侧依次具有包含多层配线的电极结构(17)、与电极结构(17)电连接的半导体层(12)、以及半导体层(12)的生长基板(11)的晶片(10)；接合工序，其将晶片(10)与支承基板(20)接合；露出工序，其从与支承基板(20)接合的晶片(10)上除去生长基板(11)，使半导体层(12)露出；分离工序，其通过在晶片(10)的半导体层(12)侧的表面形成槽(13)而将半导体层(12)分离成多个发光元件部(14)；形成工序，其在多个发光元件部(14)的表面涂布溶剂中含有荧光体粒子的浆料，形成涂布膜，并且使涂布膜中的溶剂挥发，由此而形成覆盖发光元件部(14)的表面的荧光体层(40)。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
以往，在例如搭载于车辆等的前照灯的用途方面，提出了排列多个发光元件的发光装置。该发光装置构成为能够使多个发光元件中的单个发光元件或成组的多个发光元件熄灭。该类发光装置需要进行设计，以减少光从点亮的发光元件向相邻的熄灭的发光元件一侧泄漏。因此，现有的发光装置在荧光体的陶瓷板中设有多个遮光部，作为每个发光元件的区分(例如，参照专利文献1)
然而，在现有的发光装置中，因为遮光部吸收来自发光元件的光，所以，亮度可能降低。此外，在现有的发光装置中，遮光部为了位于相邻的发光元件的边界而必须精度良好地将陶瓷板在各发光元件之上进行位置配合，所以，当发光元件小型化而使之密集时，可能难以进行遮光部的位置配合。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：(日本)特开2011-108589号公报
发明内容
因此，本公开的实施方式的课题是提供亮度更高的发光装置。另外，课题是提供亮度更高的发光装置的制造方法。
本公开的实施方式的发光装置的制造方法包括：准备工序，其准备从上面侧依次具有包含多层配线的电极结构、与该电极结构电连接的半导体层、以及所述半导体层的生长基板的晶片；接合工序，其将所述晶片接合于支承基板；露出工序，其从接合于所述支承基板的所述晶片上除去所述生长基板，使所述半导体层露出；分离工序，其通过在所述晶片的所述半导体层侧的表面形成槽而将所述半导体层分离成多个发光元件；形成工序，其在多个所述发光元件的表面涂布溶剂中含有荧光体粒子的浆料，形成涂布膜，并且使所述涂布膜中的溶剂挥发，由此形成覆盖所述发光元件表面的荧光体层。
本公开的实施方式的发光装置具有：发光元件阵列芯片，其包含支承基板、设置于所述支承基板之上的电极结构、以及排列于所述电极结构之上并与所述电极结构电连接的多个发光元件部；荧光体层，其直接覆盖所述发光元件阵列芯片的表面，并且层厚的最高值是层厚的最低值的2倍以上。
根据本公开的实施方式，能够得到亮度更高的发光装置。另外，能够简单地制造亮度更高的发光装置。
附图说明
图1是示意性地表示第一实施方式的发光装置的结构的俯视图。
图2是示意性地表示发光元件阵列芯片的俯视图。
图3A是放大并示意性地表示从光输出面侧观察的发光元件阵列芯片的一部分的俯视图。
图3B是放大并示意性地表示从电极结构侧观察的发光元件阵列芯片的一部分的俯视图。
图4是示意性地表示图3A的IV-IV线的剖面的剖视图。
图5是放大并示意性地表示图4的A部的剖视图。
图6是示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中准备的晶片的剖视图。
图7是晶片的结构的一个例子，是与图3B的VII-VII线对应的剖视图。
图8A是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造方法中支承基板接合工序的剖视图。
图8B是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造方法中半导体层露出工序的剖视图。
图8C是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造方法中半导体层分离工序的剖视图。
图9是发光元件部的结构的一个例子，是与图3A的IX-IX线对应的剖视图。
图10A是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造方法中焊盘电极形成工序的剖视图。
图10B是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造方法中芯片焊接(ダイボンディング)工序的剖视图。
图11A是示意性地表示第二实施方式的发光装置的发光元件阵列芯片的俯视图。
图11B是表示驱动图11A的发光元件阵列芯片的驱动回路的一个例子的回路图。
图12是表示第一实施方式的发光装置的一个发光元件部点亮时的亮度分布的图。
附图标记说明
100发光装置；10晶片；11生长基板；12半导体层；12a发光层；12n第一半导体层；12p第二半导体层；13槽；14发光元件部；16n第一电极；16p第二电极；17电极结构；17b配线间绝缘膜；17n第一配线；17p第二配线；18，18B发光元件阵列芯片；20，20d，21支承基板；30基体；40荧光体层；50驱动回路；71第二槽
具体实施方式
下面，参照附图，说明实施方式。但是，下面所示的方式是对用来体现本实施方式的技术思想的发光装置的例示，在没有特定说明的情况下，本发明的范围不限于此。需要说明的是，各附图所示的部件的大小及位置关系等为了明确说明而有所夸张。
另外，在实施方式的发光装置中，“上”、“下”、“左”、以及“右”等根据状况可以调换。在本说明书中，“上”、“下”等在为了说明而参照的附图中表示结构部件之间的相对位置，在未特别说明的情况下不意味着表示绝对的位置。
(第一实施方式)
〈发光装置的结构〉
参照图1～图5，说明第一实施方式的发光装置100的结构。需要说明的是，图4虽然是图3的IV-IV线的剖视图，但在此，为了方便图示，示意性地表示剖视观察设有三个发光元件部14的部分。
发光装置100具有：发光元件阵列芯片18、直接覆盖发光元件阵列芯片18表面的荧光体层40。在本实施方式中，发光元件阵列芯片18具有：支承基板20d、设置于支承基板20d之上的电极结构17、以及排列于电极结构17之上并与电极结构17电连接的多个发光元件部14。另外，荧光体层40的层厚的最高值HT是层厚的最低值HB的2倍以上。下面，针对各结构依次进行说明。
(基体)
在本实施方式中，发光元件阵列芯片18安装在作为二次安装基板的基体30上。作为基体30，可以举例出由环氧玻璃、树脂、陶瓷等绝缘性部件构成的基材。在本实施方式中，基体30俯视观察形成为矩形状。
基体30具有电极端子部31、32、33作为连接外部电源的端子。
电极端子部31经由配线W，与发光元件阵列芯片18的多条(例如十条)第一配线17n连接。
电极端子部32、33经由配线W，分别与发光元件阵列芯片18的多条(例如各十条)第二配线17p连接。
(发光元件阵列芯片)
〈支承基板〉
支承基板20d是用来支承多个发光元件部14的基板。多个发光元件部14经由电极结构17、后面叙述的接合层60等，贴合在支承基板20d上。
作为支承基板20d的具体例子，例如可以举例出由Si、GaAs等形成的半导体、Cu、Ge、Ni等金属、或由Cu-W等复合材料形成的导电性部件。
〈发光元件部〉
在本实施方式中，发光元件阵列芯片18在支承基板20d上具有多个、例如200个发光元件部14。
作为发光元件部14，优选使用发光二极管(LED)。发光二极管可以选择任意波长的二极管。例如，作为蓝色、绿色的发光二极管，可以使用利用了ZnSe或氮化物类半导体(InXAlYGa1－X－YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP的发光二极管。
发光元件部14从支承基板20d侧依次具有第二半导体层、发光层、以及第一半导体层来作为半导体层12。如图3B所示，发光元件部14具有：与第一半导体层电连接的第一电极16n、以及与第二半导体层电连接的第二电极16p。第一电极16n与第二电极16p配置在发光元件部14的同一面侧。
第一电极16n是用来对第一半导体层供给电流的电极。作为第一电极16n，例如，优选使用从Ti、Al、以及铝合金中选择至少一种而形成。第二电极16p是用来对第二半导体层供给电流的电极。第二电极16p也作为用来使电流向第二半导体层均匀扩散的整面电极及反射膜而发挥作用。第二电极16p例如可以由含有Ag或银合金的金属膜来形成。
发光元件部14的半导体层12的厚度优选为较薄。通过进一步减薄发光元件部14的半导体层12的厚度，能够抑制光从发光元件部14的侧面横向传播。因此，即使多个发光元件部14处于密集的状态，也能够使发光部(即点亮的发光元件部)与非发光部(即熄灭的发光元件部)的亮度差更明确。具体而言，发光元件部14的半导体层12的厚度为1～10μm，发光元件部14之间的间隔为3～25μm。
〈电极结构〉
如图2所示，电极结构17具有：多条第一配线17n、多条第二配线17p、以及配线间绝缘膜17b。电极结构17包括第一配线17n与第二配线17p经由配线间绝缘膜17b而在纵向(半导体层的层压方向)上层压的、所谓的多层配线结构。第一配线17n与多个发光元件部14的第一电极16n电连接。第二配线17p与多个发光元件部14的第二电极16p电连接。第一配线17n及第二配线17p例如可以由Au来形成。
如图2及图3B所示，配线间绝缘膜17b为了使第一配线17n与第二配线17p之间、以及发光元件部14的第一电极16n及第二电极16p与第一配线17n及第二配线17p之间等绝缘而设置。配线间绝缘膜17b例如可以由SiO2、ZrO2、SiN、SiON、BN、SiC、SiOC、AlN、AlGaN等构成。
发光元件阵列芯片18以无源矩阵方式被驱动。第一配线17n与第二配线17p俯视观察为相互正交而纵横地排列。第一配线17n与第二配线17p交叉的位置与配置为矩阵状的多个发光元件部14配置为俯视观察重叠。由此，能够使在第一配线17n与第二配线17p交叉的位置上排列的发光元件部14单独点亮。发光元件部14的一边尺寸例如是150μm，优选为100μm以下。多个发光元件部14的第一电极16n及第二电极16p经由适当设置于电极结构17的配线间绝缘膜17b的孔，分别与第一配线17n及第二配线17p电连接。
〈接合层〉
在本实施方式中，在电极结构17与支承基板20d之间设有接合层60。通过设置接合层60，电极结构17侧的表面变得平坦，容易贴合在支承基板20d上。接合层60例如由SiO2等绝缘膜及Al等金属膜形成。
(荧光体层)
如图4及图5所示，发光装置100具有覆盖作为发光元件阵列芯片18的光输出面的上表面的荧光体层40。荧光体层40例如含有透光性树脂与荧光体粒子。
透光性树脂的折射率例如为1.30～1.50。由此，荧光体粒子与透光性树脂的界面上的光散射较大，而且与空气的折射率差较小，光输出也良好，因而优选之。作为上述树脂，例如可以举例出苯基硅树脂及二甲基硅树脂等。
作为荧光体，可以适当选择在该领域中使用的荧光体。例如，作为能够被蓝色发光元件或紫外线发光元件激励的荧光体，可举例出：铈激活的钇/铝/石榴石类荧光体(YAG：Ce)、铈激活的镥/铝/石榴石类荧光体(LAG：Ce)、铕和/或铬激活的含氮硅铝酸钙类荧光体(例如CaO-Al 2O 3-SiO 2：Eu)、铕激活的硅酸盐类荧光体((Sr，Ba)2SiO4：Eu)、β型塞隆荧光体、CASN类荧光体(CaAlSiN3：Eu)、SCASN类荧光体((Sr，Ca)AlSiN3：Eu)等氮化物类荧光体、KSF类荧光体(K2SiF6：Mn)、硫化物类荧光体、量子点荧光体等。通过使上述荧光体与蓝色发光元件或者紫外线发光元件组合，能够制造出希望的发光色的发光装置(例如白色系发光装置)。在作为可发出白色光的发光装置100的情况下，可以通过调整荧光体层40中含有的荧光体的种类、浓度以变成白色。向含有树脂的溶媒中添加的荧光体的浓度例如为5～50质量％左右。
荧光体层40的层厚优选为薄层，例如优选为50μm以下。通过这样形成薄的荧光体层40，相对于面内方向，物理上的路径变窄而且散射增大，因而光变得难以传播。由此，在使发光元件部14单独点亮时，能够抑制光从点亮的发光元件部14向相邻的熄灭的发光元件部14传播，从而能够提高亮度。荧光体层40所含有的荧光体粒子的平均粒径小于荧光体层40的层厚，例如为1～30μm。
这样，薄的荧光体层40直接覆盖多个发光元件部14的上表面(即第一半导体层侧的表面)，由此，即使不设置将荧光体层40区分的遮光部，也能够抑制光向荧光体层40内的横向传播。也就是说，因为不会由于遮光部使亮度降低，所以可以成为亮度更高的发光装置。
如图5所示，荧光体层40的表面虽然也可以是平坦的，但优选表面具有凹凸。通过使发光装置100的发光面即荧光体层40的表面为凹凸差较大的形状，能够通过荧光体层40的折射率(即透光性树脂的折射率)与空气的屈折率差进一步抑制光向横向传播。这是因为树脂的折射率大于空气的折射率，向存在于凹凸的凹部的空气中射入的光的散射增大。在此，凹凸较大的形状是指荧光体层40的层厚的最高值HT是层厚的最低值HB的2倍以上。
[发光装置的制造方法]
接着，参照图6～图10B，针对本实施方式的发光装置的制造方法进行说明。本实施方式的发光装置100的制造方法包括：晶片准备工序、晶片接合工序、半导体层露出工序、半导体层分离工序、以及荧光体层形成工序，并以该顺序进行制造。另外，在本实施方式中，在半导体层分离工序之后且荧光体层形成工序之前，进行焊盘电极形成工序、芯片单片化工序、以及芯片安装工序。需要说明的是，关于各部件的材质及配置等，如在所述发光装置100的说明中所述，所以在此适当省略说明。
(晶片准备工序)
晶片准备工序是准备从上面侧依次具有包含多层配线的电极结构17、与该电极结构17电连接的半导体层12、以及半导体层12的生长基板11的晶片10的工序。在本实施方式中，如图6所示，准备形成有电极结构17的晶片10，该电极结构17包含第一配线17n与第二配线17p在上下方向层压的多层配线。需要说明的是，在此，为了方便图示，只图示了相当于图4的剖视图的部分。
晶片10具有：由蓝宝石等形成的生长基板11、半导体层12、电极结构17、以及接合层60。电极结构17的多层配线可以利用在该领域中公知的方法来形成。例如，第一配线17n及第二配线17p可以通过蒸镀、溅射、电解电镀、化学镀等形成。对希望的电极形状的加工可以利用由光刻及印刷等形成的掩模，通过蚀刻、剥离等形成。
如图7所示，半导体层12从生长基板11侧依次具有第一半导体层12n、发光层12a、以及第二半导体层12p。图7是晶片的结构的一个例子，是与图3B的VII-VII线对应的剖视图。在此，图7的从左向右的方向与从图3B的VII-VII线上的位置B1经由单点划线表示的路径而朝向位置B2的方向一致。如图7所示，晶片10在半导体层12的与生长基板11相反一侧的面上具有与第一半导体层12n电连接的第一电极16n、以及与第二半导体层12p电连接的第二电极16p。另外，第一电极16n与第一配线17n、第二电极16p与第二配线17p分别电连接。
另外，在图7所示的例子中，配线间绝缘膜17b从半导体层12侧依次具有绝缘膜17b1、绝缘膜17b2、绝缘膜17b3、以及绝缘膜17b4。
绝缘膜17b1在第二电极16p上具有开口，覆盖第二半导体层12p的上表面而设置。
绝缘膜17b2在第一半导体层12n上具有开口，覆盖绝缘膜17b1的上表面而设置。
绝缘膜17b3覆盖第一配线17n与绝缘膜17b2而设置。
绝缘膜17b4覆盖第二配线17p与绝缘膜17b3而设置。该绝缘膜17b4作为蚀刻中止层而设置在相当于之后元件分离的槽底的部分上。各绝缘膜例如由SiN及SiO2形成。
(晶片接合工序)
晶片接合工序是将晶片10与支承基板20接合的工序。此时，在多层配线上也可以存在接合层60或其它的金属层。另外，也可以利用表面活性化接合等方法直接接合。如图8A所示，在该晶片接合工序中，以接合层60与支承基板20对置的方式将晶片10与支承基板20接合。需要说明的是，支承基板20在本工序之前提前进行准备。
(半导体层露出工序)
半导体层露出工序是从与支承基板20接合的晶片10上除去生长基板11，使半导体层12露出的工序。需要说明的是，图8B表示了在剥离生长基板11后、将晶片10翻过来的状态。该半导体层露出工序例如利用激光剥离法，从由蓝宝石等形成的生长基板11侧照射激光，将生长基板11与半导体层12(更详细地说是第一半导体层12n)的界面分解，将生长基板11剥离。需要说明的是，生长基板11的剥离例如也可以利用化学剥离法等其它的方法进行剥离。
(半导体层分离工序)
半导体层分离工序是通过在晶片10的、除去半导体层12的生长基板11的一侧的表面形成槽13，将半导体层12分离成多个发光元件部14的工序。如图8C所示，从上面侧(即第一半导体层侧)向成为发光元件部14之间的边界的区域例如照射激光，形成贯通半导体层12、并直至电极结构17的槽13。俯视观察，槽13与第一配线17n及第二配线17p平行地纵横形成。
此时，如果半导体层12的厚度例如为10μm以下左右，则可以将半导体层12切削一次来形成槽13，但在更深地切削的情况下，难以细长地形成槽。因此，也可以提前利用抛光及凹蚀法等事先减薄半导体层12的厚度。例如在利用激光将整面切削5μm左右后，利用抗蚀剂形成槽图案，对剩余的5μm左右进行蚀刻等。
之后，如图9所示，例如可以通过使用了TMAH(四甲基氢氧化铵)、KOH水溶液、乙二胺/邻苯二酚等作为蚀刻液的湿式蚀刻、或干式蚀刻，使发光元件部14的第一半导体层12n的上表面粗糙，形成微细的凹凸形状。
图9是发光元件部14的结构的一个例子，是与图3A的IX-IX线对应的剖视图。在此，图9的从左向右的方向与从图3A的IX-IX线上的位置A1经由单点划线表示的路径而朝向位置A2的方向一致。
(焊盘电极形成工序)
焊盘电极形成工序是在形成于晶片10的槽13的底面，在电极结构17的表面的一部分上形成与第一配线17n或第二配线17p电连接的多个焊盘电极19的工序。在该焊盘电极形成工序中，例如，如图9所示，利用干式蚀刻等除去将形成焊盘电极19的区域覆盖的配线间绝缘膜17b的一部分，由此使第一配线17n的一部分与第二配线17p的一部分露出。之后，如图10A所示，通过溅射等，并利用规定的金属材料等，在电极结构17的规定区域形成焊盘电极19。
(芯片单片化工序)
芯片单片化工序是使与支承基板20接合的晶片10在每个包含多个发光元件部14及多个焊盘电极19的区域中单片化，由此形成多个发光元件阵列芯片18的工序。该单片化可以利用例如切割法、划片法、激光划片法等来进行。
(芯片安装工序)
在芯片安装工序中，将单片化的发光元件阵列芯片18安装于封装和基体之上。具体而言，如图10B所示，在基体30之上安装发光元件阵列芯片18，将形成于发光元件阵列芯片18的多个焊盘电极19引线焊接于电极端子部31和电极端子部32、33(参照图1)。需要说明的是，也可以在芯片单片化前，在支承基板20的背面侧提前形成粘接层。
(荧光体层形成工序)
荧光体层形成工序是在多个发光元件部14的表面涂布溶剂中含有荧光体粒子的浆料，由此形成一并覆盖多个发光元件部14的半导体层12表面的荧光体层40的工序。荧光体层40的层厚优选为薄层，例如优选为50μm以下。这样，将荧光体层40形成为薄膜，由此，即使不设置区分荧光体层40的遮光部，也能够抑制光向荧光体层40内的横向传播。也就是说，在荧光体层形成工序中，因为不需要进行遮光部的位置配合，所以能够简单地形成亮度更高的发光装置。
在荧光体层形成工序中，调整溶剂中含有透光性树脂与荧光体粒子的浆料，利用喷涂法、旋涂法、丝网印刷法等涂布方法，在发光元件阵列芯片18上形成涂布膜。其中，因为能够利用精度较高的膜厚且高速地形成涂布膜，所以优选利用喷涂法。另外，使喷射为脉冲状、即间歇地进行喷射的作为涂布法的脉冲喷涂法能够以更高精度的膜厚形成涂布膜，所以更优选之。在脉冲喷涂法中，因为能够减少喷射量，所以，能够减少一次喷涂的涂布量而较薄地形成涂布膜。之后，通过使涂布膜中的溶剂挥发，如图4所示，形成在表面具有凹凸形状的荧光体层40。
作为形成荧光体层40的透光性树脂，例如，可以举例出苯基硅树脂和二甲基硅树脂等。溶剂的种类可根据树脂的种类适当选择。
另外，为了提高发光装置的对比度，荧光体层优选为薄的高浓度的荧光体层。在此，高浓度是指荧光体与树脂的重量比例如为1︰1～2︰1。需要说明的是，浆料除了荧光体与树脂以外还含有溶媒等。
另外，表面具有凹凸的荧光体层40例如可以通过以下的喷涂条件来形成。
作为一个例子，将浆料按照重量比，以荧光体粒子为a、作为粘合剂的树脂为b、溶剂为c、气相二氧化硅(アエロジル)为d的各比例进行配合。需要说明的是，气相二氧化硅是在浆料中用来防止荧光体粒子沉降、确保浆料稳定性的添加物。
在该情况下，可以以a︰b︰c︰d＝15︰10︰25︰l进行配合。
例如，在使用YAG荧光体与苯基硅树脂的情况下，当使用碳酸二甲酯作为溶剂进行上述配合时，能够形成大致平坦的20μm左右的荧光体层。
另外，在使用YAG荧光体与二甲基硅树脂的情况下，当使用正庚烷作为溶剂进行上述配合时，能够形成层厚的最低值HB约为10μm、最高值HT约为40μm的凹凸。
此时，当降低荧光体粒子的浓度，例如以a︰b︰c︰d＝10︰10︰25︰1进行配合时，能够减少层厚的最低值HB与最高值HT之差。
另一方面，当增加荧光体粒子的浓度，例如以a︰b︰c︰d＝20︰10︰25︰l进行配合时，能够增大层厚的最低值HB与最高值HT之差。
(第二实施方式)
接着，参照图11A及图11B，针对第二实施方式的发光装置进行说明。本实施方式的发光装置如图11A所示，作为发光元件阵列芯片18B，在支承基板21上具有多个发光元件部14，并且具有图11B所示的驱动回路50。
在该例子中，发光元件阵列芯片18B具有配置为3行×3列的二维矩阵状的发光元件部14即LED。
第一行的各LED(发光元件部14)的阳极端子(第二电极16p)分别与第二配线17p连接，该第二配线17p与开关Tr1连接。
第二行的各LED(发光元件部14)的阳极端子(第二电极16p)分别与第二配线17p连接，该第二配线17p与开关Tr2连接。
第三行的各LED(发光元件部14)的阳极端子(第二电极16p)分别与第二配线17p连接，该第二配线17p与开关Tr3连接。
开关Tr1～Tr3是用来将第一配线17n与电压源V连接的开关，由控制回路51控制导通或断开。作为开关Tr1～Tr3，例如可以利用FET((Field Effect Transistor：场效应晶体管)等半导体开关元件。
第一列的各LED(发光元件部14)的阴极端子(第一电极16n)分别与第一配线17n连接，该第一配线17n与开关Tr4连接。
第二列的各LED(发光元件部14)的阴极端子(第一电极16n)分别与第一配线17n连接，该第一配线17n与开关Tr5连接。
第三列的各LED(发光元件部14)的阴极端子(第一电极16n)分别与第一配线17n连接，该第一配线17n与开关Tr6连接。
开关Tr4～Tr6是用来将第一配线17n与GND连接的开关，由控制回路51控制导通或断开。作为开关Tr4～Tr6，例如可以利用双极晶体管。
在本实施方式中，通过由薄荧光体层40直接覆盖发光元件部14的半导体层12，也能够抑制在发光装置中光从点亮的发光元件部14向相邻的熄灭的发光元件部14一侧泄漏，并且能够提高亮度。另外，这样能够简单地制造提高了亮度的发光装置。
另外，本实施方式的发光装置因为能够利用驱动回路50单独驱动多个发光元件部14，所以，能够适合应用于ADB(光分布式可变前照灯)等。
[实施例]
为了确认本公开的发光装置的性能，进行了以下的实验。
首先，在以下的条件下制造与第一实施方式的发光装置100相同的发光装置(以下称为实施例)。
(发光装置的形状及材料)
发光元件阵列芯片18的一个发光元件部14(一发光分区)的一个边的尺寸：150μm
发光元件部14的厚度：5μm
发光元件部14的个数：200个
发光元件部14：蓝色LED(GaN类半导体发光元件)
荧光体层的厚度：10～40μm
(浆料的成分)
浆料按照重量比以荧光体粒子为a、作为粘合剂的树脂为b、溶剂为c、气相二氧化硅为d的各比例如下进行配合。
a︰b︰c︰d＝15︰10︰25︰l
应用于喷射的浆料
透光性树脂：二甲基硅树脂(折射率1.41)
荧光体：YAG类荧光体
溶剂：正庚烷
〈实验〉
为了与实施例进行比较，制造了形成荧光体层40前的发光装置(以下称为第一比较例)。另外，制造了在第一比较例的发光装置的上表面代替荧光体层而粘接有厚度约为70μm的YAG荧光体板的发光装置(以下称为第二比较例)。
针对各发光装置，在使发光元件阵列芯片18的一个发光元件部点亮、使剩下的发光元件部熄灭的状态下测量亮度分布。
测量结果如图12所示。在图12的曲线图中，横轴表示以与点亮的发光元件部的中心的距离来表示的位置[mm]。纵轴表示点亮的发光元件部的最大亮度为100时的相对亮度[％]。箭头的范围W1表示点亮的发光元件部14的尺寸。单点划线表示第一比较例，虚线表示第二比较例，实线表示实施例。
可确认第一比较例的亮度分布最陡峭。需要说明的是，第一比较例中点亮的发光元件部的中心的亮度之所以降低，是因为为了配置第一电极而除去了发光层的一部分。
另一方面，第二比较例中因为在YAG荧光体板的影响下光向横向扩散，所以亮度分布呈现为扩展的分布。
与此相对，实施例如图12中箭头范围W2所示，在相邻的第二个元件中，已能够达到最大亮度的1/200的亮度值。也就是说，在实施例中能够确认，对于点亮的发光元件部，在其相邻的相邻发光元件部已经变得足够黑暗。这可以认为是，实施例利用薄的荧光体层40抑制了光散射并横向传播的结果。据此，确认了实施例的有关对比度的性能与第二比较例相比能够较大改善，能够实现与第一比较例接近的结果。

Claims (9)

1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
准备工序，其准备晶片，该晶片从上面侧依次具有包含多层配线的电极结构、与该电极结构电连接的半导体层、以及所述半导体层的生长基板，所述多层配线具备多个第一配线、多个第二配线、配线间绝缘膜，所述第一配线和所述第二配线经由所述配线间绝缘膜层压，所述第一配线和所述第二配线交叉；
接合工序，其将所述晶片与支承基板接合；
露出工序，其从接合于所述支承基板的所述晶片上除去所述生长基板，使所述半导体层露出；
分离工序，其通过在所述晶片的所述半导体层侧的表面形成槽而将所述半导体层分离成矩阵状的多个发光元件；
形成工序，其在矩阵状的多个所述发光元件的表面涂布溶剂中含有荧光体粒子的浆料来形成涂布膜，并且使所述涂布膜中的溶剂挥发，由此形成在表面具有凹凸并覆盖所述发光元件表面的荧光体层，
所述荧光体层含有荧光体和树脂，所述荧光体与所述树脂的重量比为1：1～2：1，
所述荧光体层的层厚为50μm以下，
所述荧光体层的层厚的最高值是最低值的2倍以上。
2.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述荧光体层的形成工序中，利用脉冲喷涂法，将溶剂中含有透光性树脂与荧光体粒子的浆料的喷剂进行喷射，来形成涂布膜，并且使所述涂布膜中的溶剂挥发，由此形成所述荧光体层。
3.如权利要求2所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述树脂的折射率是1.30～1.50。
4.如权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述荧光体层的形成工序中，使用正庚烷作为溶剂，将含有二甲基硅树脂与荧光体粒子的浆料的喷剂进行喷射。
5.一种发光装置，其特征在于，具有：
发光元件阵列芯片，其包含支承基板、设置于所述支承基板之上的包含多层配线的电极结构、以及在所述电极结构之上排列为矩阵状并与所述电极结构电连接的多个发光元件部，所述多层配线具备多个第一配线、多个第二配线、配线间绝缘膜，所述第一配线和所述第二配线经由所述配线间绝缘膜层压，所述第一配线和所述第二配线交叉；
荧光体层，其直接覆盖所述发光元件阵列芯片的表面；
所述荧光体层的层厚为50μm以下，
所述荧光体层含有荧光体和树脂，所述荧光体与所述树脂的重量比为1：1～2：1，所述荧光体层在表面具有凹凸，层厚的最高值是层厚的最低值的2倍以上。
6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，
具有用来将多个所述发光元件部单独驱动的驱动回路。
7.如权利要求5或6所述的发光装置，其特征在于，
所述发光元件部的半导体层的层厚是1～10μm。
8.如权利要求5或6所述的发光装置，其特征在于，
所述荧光体层含有透光性树脂与荧光体粒子，
所述树脂的折射率是1.30～1.50。
9.如权利要求5或6所述的发光装置，其特征在于，
所述荧光体层含有的荧光体粒子的平均粒径是1～30μm。
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