TWI502773B - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI502773B
TWI502773B TW103114838A TW103114838A TWI502773B TW I502773 B TWI502773 B TW I502773B TW 103114838 A TW103114838 A TW 103114838A TW 103114838 A TW103114838 A TW 103114838A TW I502773 B TWI502773 B TW I502773B
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Hideo Nishiuchi
Kazuhito Higuchi
Susumu Obata
Toshiya Nakayama
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Toshiba Kk
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Description

半導體發光裝置及其製造方法
本發明之實施例係關於半導體發光裝置及其製造方法。
藉由結合螢光體以及諸如藍色LED之半導體發光元件而發出白光的白色LED(發光二極體)發光裝置，已發展成為小型且低功率消耗的發光裝置。
例如，已知一半導體發光裝置，具有在將LED晶片晶粒黏著至引線架或導電基板並實施焊線之後，將螢光體塗布在LED晶片表面上的構成組態。然而，在此種半導體發光裝置中，因為需要諸如引線架、導電基板、接合佈線等LED晶片以外的構件，因而裝置係大型的且阻礙小型化。
在半導體發光元件中，例如，為了改善散熱及發光效率，經常將設置在n型半導體層上的n側電極的表面積設定為較設置在p型半導體層上的p側電極小。當小型化半導體發光元件時，例如，n型電極變小，且實施連接變得 困難。
一般而言，根據一實施例，半導體發光裝置包括發光單元、第一導電構件、絕緣層、第二導電構件、密封構件及光學層。該發光單元包括半導體堆疊體、第一電極及第二電極。該半導體堆疊體包括第一導電型之第一半導體層、第二導電型之第二半導體層及設置在第一半導體層和第二半導體層之間的發光層。該半導體堆疊體具有在第一半導體層側上的第一主表面以及在第二半導體層側上的第二主表面。該第一電極在第二主表面側上電連接至該第一半導體層。該第二電極在該第二主表面側上電連接至該第二半導體層。該第一導電構件電連接至該第一電極，並包括設置在該第二主表面上以覆蓋在該第二主表面側上之該第二半導體層之一部分的第一柱狀部。該第一柱狀部與該第二半導體層分隔開。該絕緣層係設置在該第一柱狀部和在該第二主表面側上之該第二半導體層的該部分之間。該第二導電構件電連接至該第二電極，且包括設置在該第二主表面上的第二柱狀部。該密封構件覆蓋該第一導電構件之側表面和該第二導電構件之側表面。該光學層係設置在該半導體堆疊體之該第一主表面上，並包含波長轉換單元，其構成以吸收發射自該發光層之發射光，且發出具有和該發射光之波長不同波長的光。
根據另一實施例，揭示一製造半導體發光裝置之方 法。該半導體發光裝置包括發光單元、第一導電構件、絕緣層、第二導電構件、密封構件和光學層。該發光單元包括半導體堆疊體、第一電極和第二電極。該半導體堆疊體包括第一導電型之第一半導體層、第二導電型之第二半導體層和設置在第一半導體層和第二半導體層之間的發光層。該半導體堆疊體具有在第一半導體層側上的第一主表面和在第二半導體層側上的第二主表面。該第一電極在第二主表面側上電連接至該第一半導體層。該第二電極在第二主表面側上電連接至該第二半導體層。該第一導電構件電連接至該第一電極。該第一導電構件包括設置在該第二主表面上以覆蓋在該第二主表面側上之該第二半導體層之一部分的第一柱狀部。該第一柱狀部與該第二半導體層分隔開。該絕緣層係設置在該第一柱狀部和在該第二主表面側上之該第二半導體層的該部分之間。該第二導電構件電連接至該第二電極，且包括設置在該第二主表面上的第二柱狀部。該密封構件覆蓋該第一導電構件之側表面和該第二導電構件之側表面。該光學層係設置在該半導體堆疊體之該第一主表面上，並包含波長轉換單元，其構成以吸收發射自該發光層之發射光，且發出具有和該發射光之波長不同波長的光。該方法可包括形成該絕緣層以覆蓋在該第二主表面側上之該第二半導體層的該部分。此外，該方法可包括形成導電膜在覆蓋該第二主表面側上之該第二半導體層之該部分的該絕緣層上。該導電膜被用於形成該第一導電構件之至少一部分。
10‧‧‧半導體堆疊體
10a‧‧‧第二主表面
10b‧‧‧第一主表面
10d‧‧‧發光單元
10p‧‧‧週邊堆疊單元
10s‧‧‧基板
11‧‧‧第一半導體層
12‧‧‧第二半導體層
12p‧‧‧特定部分
13‧‧‧發光層
14‧‧‧第一電極
15‧‧‧第二電極
18‧‧‧保護層
20‧‧‧絕緣層
20o1‧‧‧第一開孔
20o2‧‧‧第二開孔
30a‧‧‧第一導電構件
30b‧‧‧第二導電構件
31a‧‧‧第一柱狀部
31ae‧‧‧第一末端表面
31ae1‧‧‧第一子末端表面
31ae2‧‧‧第二子末端表面
31ae3‧‧‧第三子末端表面
31ae4‧‧‧第四子末端表面
31as‧‧‧第一表面粗糙化部
31b‧‧‧第二柱狀部
31be‧‧‧第二末端表面
31be1‧‧‧第五子末端表面
31be2‧‧‧第六子末端表面
31bs‧‧‧第二表面粗糙化部
31f‧‧‧柱狀部分導電膜
32a‧‧‧第一連接部分
32b‧‧‧第二連接部分
32f‧‧‧連接部分導電膜
33‧‧‧晶種層
37‧‧‧第一光阻層
38‧‧‧第二光阻層
50‧‧‧密封構件
50f‧‧‧樹脂層
51‧‧‧第一密封層
52‧‧‧第二密封層
60‧‧‧光學層
61‧‧‧螢光體層(波長轉換單元)
61f‧‧‧螢光體膜
62‧‧‧透明構件
63‧‧‧硬質膜
71a‧‧‧第一表面層
71b‧‧‧第二表面層
72a‧‧‧第一連接構件
72b‧‧‧第二連接構件
110‧‧‧半導體發光裝置
110a‧‧‧半導體發光裝置
110b‧‧‧半導體發光裝置
110c‧‧‧半導體發光裝置
110d‧‧‧半導體發光裝置
110e‧‧‧半導體發光裝置
110f‧‧‧半導體發光裝置
120‧‧‧半導體發光裝置
120a‧‧‧半導體發光裝置
120b‧‧‧半導體發光裝置
120c‧‧‧半導體發光裝置
120d‧‧‧半導體發光裝置
120e‧‧‧半導體發光裝置
120f‧‧‧半導體發光裝置
130‧‧‧半導體發光裝置
131‧‧‧半導體發光裝置
140‧‧‧半導體發光裝置
150‧‧‧半導體發光裝置
160‧‧‧半導體發光裝置
圖1A及圖1B為說明根據第一實施例之半導體發光裝置之組態的示意圖；圖2A至圖2E為說明根據第一實施例之半導體發光裝置之製造方法的依流程順序之示意橫截面圖；圖3A至圖3E為說明根據第一實施例之半導體發光裝置之製造方法的依流程順序之示意橫截面圖；圖4A至圖4E為說明根據第一實施例之半導體發光裝置之製造方法的依流程順序之示意橫截面圖；圖5A至圖5C為說明根據第一實施例之其他半導體發光裝置之組態的示意橫截面圖；圖6A至圖6C為說明根據第一實施例之其他半導體發光裝置之組態的示意橫截面圖；圖7A及圖7B為說明根據第二實施例之半導體發光裝置之組態的示意圖；圖8A至圖8C為說明根據第二實施例之其他半導體發光裝置之組態的示意平面圖；圖9A至圖9C為說明根據第二實施例之其他半導體發光裝置之組態的示意平面圖；圖10為說明根據第三實施例之半導體發光裝置之組態的示意橫截面圖；圖11為說明根據第三實施例之另一半導體發光裝置之組態的示意橫截面圖；圖12為說明根據第四實施例之半導體發光裝置之組 態的示意橫截面圖；圖13為說明根據第五實施例之半導體發光裝置之組態的示意橫截面圖；圖14A及圖14B為說明根據第六實施例之半導體發光裝置之組態的示意圖；以及圖15為說明根據第七實施例之半導體發光裝置之製造方法的流程圖。
將參考圖式說明本發明之實施例。
圖式為示意或概念圖；且各部分的厚度和寬度之間的關係、各部分之間的大小比例等，並不一定和其實際值相等。此外，即使是相同的部分，在各圖式中所繪之尺寸和比例可能不相同。
在本發明之說明書和圖式中，以相似的參考標號標註與關於上述圖式中所述之元件相同於的元件，並適當地省略詳細說明。
第一實施例
圖1A及圖1B為說明根據第一實施例之半導體發光裝置之組態的示意圖。
即，圖1B為示意平面圖；而圖1A為沿著圖1B之線A-A' 的橫截面圖。
如圖1A及圖1B中所示，根據此實施例之半導體發 光裝置110包括發光單元10d、第一導電構件30a、第二導電構件30b、絕緣層20、密封構件50及光學層60。
發光單元10d包括半導體堆疊體10、第一電極14及第二電極15。
半導體堆疊體10包括第一導電型的第一半導體層11、第二導電型的第二半導體層12及設置在第一半導體層11和第二半導體層12之間的發光層13。
在半導體堆疊體10中，藉由選擇性地移除第二半導體層12和發光層13，而將第一半導體層11的一部分暴露在第二半導體層12側之上的第二主表面10a。
換言之，半導體堆疊體10包括第一主表面10b和在第一主表面10b之相對側上的第二主表面10a。第二半導體層12被配置在第二主表面10a側；而第一半導體層11被配置在第一主表面10b側。第二半導體層12和發光層13的表面積小於第一半導體層11的表面積；且第一半導體層11的一部分在第二主表面10a側上不被第二半導體層12和發光層13所覆蓋。
第一導電型為，例如，n型；而第二導電型為，例如，p型。然而，本實施例並不侷限於此。第一導電型可為p型；而第二導電型可為n型。以下，說明第一導電型為n型且第二導電型為p型的情況。換言之，第一半導體層11為n型半導體層。第二半導體層12為p型半導體層。
第一半導體層11、第二半導體層12和發光層13可 包括，例如，氮化物半導體。第一半導體層11為，例如，包括GaN之n型包覆層(clad layer)。第二半導體層12為，例如，p型包覆層。發光層13包括，例如，量子井層和堆疊該量子井層之阻障層(barrier layer)。發光層13可包括，例如，單一量子井層結構或多量子井層結構。
此處，由第二主表面10a朝向第一主表面10b的方向被視為Z軸方向。換言之，Z軸方向為第一半導體層11、發光層13及第二半導體層12的堆疊方向。垂直於Z軸方向之一方向被視為X軸方向。垂直於Z軸方向和X軸方向的一方向被視為Y軸方向。
半導體堆疊體10係藉由，例如，在諸如藍寶石之基板上，連續地生長用於形成第一半導體層11之晶體、用於形成發光層13之晶體和用於形成第二半導體層12之晶體，接著在特定區域中移除部分的第一半導體層11、發光層13和第二半導體層12來形成。
第一電極14在第二主表面10a側上電連接至第一半導體層11。第二電極15在第二主表面10a側上電連接至第二半導體層12。第一電極14為，例如，n側電極；而第二電極15為，例如，p側電極。光(發射光)係藉由經由第一電極14和第二電極15供應電流至半導體堆疊體10而自發光單元10d的發光層13發射。
因此，發光單元10d包括第一主表面10b、在第一主表面10b之相對側上的第二主表面10a和設置在第二主表 面10a上的第一電極14和第二電極15。
第一導電構件30a電連接至第一電極14。第一導電構件30a包括第一柱狀部31a。第一柱狀部31a係，當自第二半導體層12分離時，設置在第二主表面10a上，以覆蓋在第二主表面10a側上的第二半導體層12的一部分(一特定部分12p)。第一柱狀部31a包括至少沿著，例如，Z軸方向延伸的部分。
絕緣層20係設置在第一柱狀部31a和如上述之第二主表面10a側上的第二半導體層12之特定部分12p之間。第二半導體層12和第一柱狀部31a係藉由絕緣層20而彼此電截止。
在至少部分之第一電極14之上不設置絕緣層20，以實現第一導電構件30a和第一電極14之間的電連接。絕緣層20具有，例如，第一開孔20o1；且在第一開孔20o1中實施第一導電構件30a和第一電極14之間的電連接。第一開孔20o1可包括穿透絕緣層20的孔洞。然而，本實施例並不侷限於此。為了簡便，第一開孔20o1可包括一情況：絕緣層20之末端部分包括了自第一電極14之末端部分後縮以暴露第一電極14的一部分。換言之，第一開孔20o1可包括絕緣層20之一部分使第一電極14之至少一部分暴露的情況；且其可為任意型態。第一開孔20o1之數目係任意的。
第二導電構件30b電連接至第二電極15。第二導電構件30b包括設置在第二主表面10a上的第二柱狀部 31b。第二柱狀部31b包括至少一部分沿著Z軸方向延伸。
在此具體範例中，沿著自第一柱狀部31a朝向第二柱狀部31b之方向的半導體堆疊體10之側的方向被設定為在X軸方向中。
絕緣層20亦使至少一部分的第二電極15暴露。藉此，實施第二導電構件30b和第二電極15之間的電連接。換言之，絕緣層20具有，例如，第二開孔20o2在第二電極15側之上；且在第二開孔20o2中實施第二導電構件30b和第二電極15之間的電連接。同樣地在此範例中，第二開孔20o2包括穿透絕緣層20的孔洞。並且，為了簡便，第二開孔20o2可包括自第二電極15之末端部分後縮以暴露第二電極15的一部分。換言之，第二開孔20o2可具有絕緣層20之一部分使第二電極15之至少一部分暴露的情況；且其可為任意型態。第二開孔20o2之數目係任意的。
密封構件50覆蓋第一導電構件30a的側表面和第二導電構件30b的側表面。換言之，密封構件50覆蓋第一柱狀部31a的側表面和第二柱狀部31b的側表面。密封構件50在第一導電構件30a之與半導體堆疊體10相對的側上暴露第一末端表面31ae。密封構件50亦在第二導電構件30b之與半導體堆疊體10相對的側上暴露第二末端表面31be。第一末端表面31ae係在第一柱狀部31a之與半導體堆疊體10相對的側上的末端表面。第二末端表面 31be係在第二柱狀部31b之與半導體堆疊體10相對的側上的末端表面。
光學層60係設置在半導體堆疊體10之與第二主表面10a相對之側上的第一主表面10b之上。光學層60包括螢光體層61(波長轉換單元)。螢光體層61被組態為吸收發射自發光層13的發射光，並發射具有和該發射光之波長不同波長的光。
在此具體範例中，光學層60包括，例如，含有螢光劑的螢光體層61和設置在螢光體層61和半導體堆疊體10之間的透明構件62。透明構件62對於發射自發光層13的發射光係透明的。透明構件62可具有改變光之傳播方向的作用，例如，透鏡效應及/或折射效應。藉此，可調整發光層13所產生之光的照射角度和顏色偏移。透明構件62可視需要設置；在某些情況中亦可省略透明構件62。
螢光體層61包括，例如，透明樹脂和分散在該樹脂中的螢光體。該螢光體被組態為吸收發射自發光層13的發射光，並發射具有和該發射光之波長不同波長的光。螢光體層61可具有多重型態的螢光體。螢光體可具有構成以發出任何顏色的螢光體，例如，構成以發出黃色光的螢光體、構成以發出綠色光的螢光體、及構成以發出紅色光的螢光體。螢光體層61亦可包括含有不同波長之螢光體的多重堆疊層。
在半導體發光裝置110中，電流經由第一導電構件 30a、第一電極14、第二導電構件30b和第二電極15供應至半導體堆疊體10。藉此，自發光層13發出光(發射光)。發射光可能為具有相對短波長的光，例如，藍色光、紫色光及紫外線光。
例如，自發光層13發出的藍色光傳播通過光學層60的內側；且其波長藉由螢光體層61被轉變為，例如，黃色光。然後，例如，自發光層13發出的藍色發光與例如在螢光體層61所得之黃色光合成。藉此，半導體發光裝置110可發出白色光。
自發光層13發出之發射光的波長和在螢光體層61中轉變的光的波長係任意的。除了白色之外，自半導體發光裝置110所發出的光的顏色可為任何顏色。
在此具體範例中，發光單元10d進一步包括保護層18，其設置在半導體堆疊體10之第二主表面10a側上除了第一電極14和第二電極15之外的部分上。保護層18覆蓋半導體堆疊體10的末端部分。保護層18可包括絕緣材料。藉此，改善例如第一電極14和第二電極15之間的絕緣特性。保護層18亦可覆蓋半導體堆疊體10之末端部分的全部。保護層18亦可覆蓋半導體堆疊體10之末端部分的一部分。保護層18可包括，例如，氧化矽等。然而，本實施例並不侷限於此。保護層18可包括任何絕緣材料。保護層18可視需要設置，且在某些情況中可被省略。
第二電極15可具有堆疊結構。例如，第二電極15可 包括導電層和設置在該導電層和第二半導體層12之間的反射層(未圖示)。藉此，發射自發光層13且傳播至第二主表面10a側的光被該反射層反射；因而光可有效率地傳播至光學層60側。
在此具體範例中，第一導電構件30a進一步包括第一連接部分32a。第一連接部分32a覆蓋至少部分之絕緣層20並電連接第一電極14至第一柱狀部31a。第一連接部分32a可包括，例如，沿著X-Y平面延伸的部分。
第二導電構件30b可進一步包括第二連接部分32b。第二連接部分32b電連接第二電極15至第二柱狀部31b。第二連接部分32b可包括，例如，沿著X-Y平面延伸之一部分。
第一柱狀部31a、第一連接部分32a、第二柱狀部31b和第二連接部分32b可包括，例如，諸如Cu(銅)、Ni(鎳)、Al(鋁)等的金屬。然而，本實施例並不侷限於此。第一柱狀部31a、第一連接部分32a、第二柱狀部31b和第二連接部分32b可包括任何材料。
密封構件50覆蓋第一連接部分32a之側表面、第一柱狀部31a之側表面、第二連接部分32b之側表面和第二柱狀部31b之側表面。密封構件50可包括例如，諸如環氧樹脂之樹脂。密封構件50之樹脂可含有例如，諸如石英填充物、氧化鋁填充物等的填充物。藉此，可增加密封構件50之熱傳導性。藉此，可改善散熱；可抑制半導體堆疊體之溫度上升；且可增加發光效率。
上述設置在第一柱狀部31a和在第二主表面10a側上之第二半導體層12之特定部分12p之間的絕緣層20可包括例如，諸如聚亞醯胺之樹脂。
在半導體發光裝置110中，採用第一導電構件30a之第一柱狀部31a覆蓋第二半導體層12之一部分，其間介入絕緣層20之構成。藉此，在第一柱狀部31a之相對於半導體堆疊體10之側的末端表面(第一末端表面31ae)的表面積被設定為大於第一電極14之表面積。
為了在發光單元10d中得到高散熱和高發光效率，設置在半導體堆疊體10中的兩個電極的其中之一的表面積被設定為較大；而另一個被設定為較小。在此具體範例中，連接至n型半導體之第一半導體層11的第一電極14之表面積(由Z軸方向觀看之第一電極14的表面積)被設定為小於連接至p型半導體之第二半導體層12之第二電極15的表面積(由Z軸方向觀看之第二電極15的表面積)。
另一方面，在半導體發光裝置110之外側和半導體發光裝置110之間的電連接係經由第一導電構件30a和第二導電構件30b來實施。
因此，為了得到半導體發光裝置110中的良好連接性，使自密封構件50暴露之第一導電構件30a之第一末端表面31ae的表面積，和自密封構件50暴露之第二導電構件30b之第二末端表面31be的表面積盡可能的大係所欲的。並且，將第一末端表面31ae和第二末端表面31be 之間的間隔設定為，例如，大約第一末端表面31ae之側的長度之長度(例如，沿著X軸方向之側的長度)寬係所欲的。
在小型化半導體發光裝置110並減少其外形(特別是，平行於X-Y平面之表面的表面積)的情況中，維持良好連接性係重要的。
例如，在連接至n型半導體之第一半導體層11之第一電極14的表面積被設定為小於連接至p型半導體之第二半導體層12之第二電極15的表面積，且連接至第一電極14之第一導電構件30a之第一末端表面31ae的表面積和第一電極14之表面積一樣小的情況中，有連接性惡化的情況。因此，容易發生連接缺陷。連接性的易於惡化阻礙了半導體發光裝置110的小型化。
在根據此實施例之半導體發光裝置110中，連接至第一半導體層11用之第一電極14之第一導電構件30a之第一柱狀部31a與第二半導體層12分隔開，且覆蓋第二半導體層12之在第二主表面10a側上的特定部分12p。藉此，第一柱狀部31a之截面積(由X-Y平面切開時的截面積)可大於第一電極14之表面積。然後，藉由設置在第一柱狀部31a和第二半導體層12之在第二主表面10a側上的特定部分12p之間的絕緣層20，將第一柱狀部31a和第二半導體層12彼此電切開。藉由採用此種構成，即使在第一電極14之表面積為小的情況中，連接至第一電極14之第一柱狀部31a(第一導電構件30a)之第一末端 表面31ae的表面積可為大，並實現良好的連接性。
因此，依據根據此實施例之半導體發光裝置110，可維持高電極連接性；並可提供適合小型化的半導體發光裝置。
此種構成的功效在小型化半導體發光裝置110且減少其外形(特別是，平行於X-Y平面之表面的表面積)的情況中，能特別有效地實現。在第一電極14之表面積小於第二電極15之表面積的情況中，特別有效地實現此功效。
在半導體發光裝置110被裝載在，例如，印刷線路板上的情況中，由於大量生產用的印刷線路板之佈線技術的精準度，在第一末端表面31ae和第二末端表面31be之間的間隔，例如，不小於200微米(μm)係所欲的。然而，本實施例並不侷限於此。第一末端表面31ae和第二末端表面31be之間的間隔係任意的。
自第一導電構件30a之側表面至半導體發光裝置110之外表面的距離和自第二導電構件30b之側表面至半導體發光裝置110之外表面的距離為，例如，不小於密封構件50之樹脂中所包含之填充物的直徑係所欲的。例如，自第一末端表面31ae至半導體發光裝置110之外表面(沿著Z軸方向之表面)的距離和自第二末端表面31be至半導體發光裝置110之外表面(沿著Z軸方向之表面)的距離為，例如，針對一般性之熱固性樹脂，不小於50μm係所欲的。然而，本實施例並不侷限於此。自第一末端表面 31ae至半導體發光裝置110之外表面的距離和自第二末端表面31be至半導體發光裝置110之外表面的距離係任意的。
半導體發光裝置110之平行於X-Y平面之表面的大小可為底面電極型電子零件的最小尺寸。例如，半導體發光裝置110之平行於X-Y平面之表面可為600μm×300μm的長方形。例如，半導體發光裝置110的外形可為600μm×300μm×300μm的長方體。又，半導體發光裝置110之平行於X-Y平面之表面可為1000μm×500μm的長方形。例如，半導體發光裝置110的外形可為1000μm×500μm×500μm的長方體。然而，本實施例並不侷限於此。半導體發光裝置110之平行於X-Y平面之表面的大小和構形，以及半導體發光裝置110之大小和構形係任意的。
在根據此實施例之半導體發光裝置110中，可增加第一導電構件30a(例如，第一柱狀部31a)和第二導電構件30b(例如，第二柱狀部31b)之截面積(由X-Y平面切開時的截面積)。換言之，可增加第一導電構件30a和第二導電構件30b之橫截面，其為發光單元10d之熱的散熱路徑。藉由使用，例如，具有高熱傳導性之金屬，如第一導電構件30a(例如，第一柱狀部31a)和第二導電構件30b(例如，第二柱狀部31b)，將減少在半導體堆疊體10中所產生之熱的散熱路徑的熱阻；且可改善散熱。
在半導體發光裝置110和，例如，連接至半導體發光裝置110之印刷線路板之間的電連接，可藉由使用，例 如，焊接材料來連接第一導電構件30a之第一末端表面31ae至印刷線路板之一電極，以及連接第二導電構件30b之第二末端表面31be至印刷線路板之一電極來實施。焊接材料之熱傳導性係小，例如，約為第一導電構件30a和第二導電構件30b之銅的熱傳導性的1/7。因此，為了改善散熱，增加焊料接合部分的截面積係有效的。
在根據此實施例之半導體發光裝置110中，可增加焊料接合部分的截面積，因為可增加第一導電構件30a之第一末端表面31ae的表面積和第二導電構件30b之第二末端表面31be的表面積。因此，半導體發光裝置110之結構可改善散熱。
半導體堆疊體10之厚度是薄的，例如，不少於約5μm且不超過約6μm；半導體堆疊體10之熱傳導性係低於金屬之熱傳導性。因此，在發光層13所產生之部分的熱係在沿著X-Y平面之方向中傳導通過半導體堆疊體10；熱容易累積在半導體堆疊體10之中；且容易增加發光層13中的溫度。
此時，在根據此實施例之半導體發光裝置110中，藉由在相對發光層13的位置(即，相對於第二半導體層12的位置)處設置具有高熱傳導性的第二導電構件30b，在半導體堆疊體10中所產生的熱可在Z軸方向和X-Y平面方向中有效地傳導，並可抑制發光層13的溫度上升。再者，發光層13的溫度可更均勻。
散熱效果隨著第一導電構件30a和第二導電構件30b 之熱傳導路徑的截面積增加而增加。例如，散熱效果隨著第一柱狀部31a的截面積(由X-Y平面切割第一柱狀部31a時的截面積)和第二柱狀部31b的截面積(由X-Y平面切割第二柱狀部31b時的截面積)增加而增加。在設置第一連接部分32a和第二連接部分32b的情況中，散熱效果隨著第一連接部分32a及第二連接部分32b的厚度(沿著Z軸方向的厚度)增加而增加。
因此，依據根據此實施例之半導體發光裝置110，可進一步改善散熱；更可增加發光效率；並更可增加可靠性。
現在將進一步說明半導體發光裝置110之構成的範例。
半導體發光裝置110之沿著X軸方向側的長度可為，例如，600μm。半導體發光裝置110之沿著Y軸方向側的長度可為，例如，300μm。現在將說明半導體發光裝置110之沿著X軸方向側的長度為600μm且沿著Y軸方向側的長度為300μm之情況下的構成的範例。
第一半導體層11之沿著X軸方向側的長度可為，例如，570μm。第一半導體層11之沿著Y軸方向側的長度可為，例如，270μm。
X軸方向被視為是半導體堆疊體10之沿著自第一柱狀部31a朝向第二柱狀部31b之方向側的方向。
沿著X軸方向(自第一柱狀部31a朝向第二柱狀部31b之方向)之半導體發光裝置110的長度可被設定為長 於沿著Y軸方向(正交於自第一柱狀部31a朝向第二柱狀部31b之方向及自第二主表面10a朝向第一主表面10b之方向的方向)之半導體發光裝置110的長度。
沿著X軸方向之第一半導體層11的長度可被設定為長於沿著Y軸方向之第一半導體層11的長度。
藉此，在沿著X軸方向配置第一末端表面31ae和第二末端表面31be的情況中，可將第一末端表面31ae的尺寸和第二末端表面31be的尺寸設定為大。藉此，可進一步增加電極的連接性。
螢光體層61可包括其中混合有，例如，構成以吸收光並發出具有波長較該吸收光之波長長之光的螢光體的粒子的樹脂。例如，該螢光體係構成以吸收至少一種選自藍色光、紫色光、及紫外線光的光，並發出具有波長長於此種光的光。其中混合有該螢光體的樹脂可包括，例如，矽樹脂(silicone resin)。螢光體層61的厚度可為，例如，200μm。螢光體層61的矽樹脂可包括，例如，具有折射率約1.5的甲基苯基矽(methyl phenyl silicone)。然而，本實施例並不侷限於此。螢光體層61中所包含的樹脂及螢光體係任意的。
如上所述，第二電極15可包括導電層和設置在該導電層和第二半導體層12之間的反射層。該反射層可包含選自，例如，Ag和Al之一者。該反射層的厚度可為，例如，0.3μm。該反射層可被設置於第二半導體層12在第二主表面10a側上之實質全部的區域中。藉此，發射自發 光層13的發射光可被有效率地朝向第一主表面10b反射。然而，設置該反射層的區域係任意的。例如，該反射層可被設置於第二半導體層12在第二主表面10a側上之一部分的區域中。
第二電極15可進一步包括設置在上述反射層和第二半導體層12之間的接觸電極層。該接觸電極層可包括，例如，Au層(金層)及設置在該Au層和第二半導體層12之間的Ni層(鎳層)。Ni層的厚度可為0.1μm；而Au層的厚度可為0.1μm。
第一電極14可包括，例如，Au層和設置在該Au層和第一半導體層11之間的Ni層。Au層的厚度可為，例如，0.1μm；而Ni層的厚度可為0.1μm。第一電極14可被設置於，例如，第一半導體層11在第二主表面10a側上之實質全部的區域中。然而，設置第一電極14的區域係任意的。第一電極14被設置於第一半導體層11在第二主表面10a側上之至少一部分中。
第一電極14可包括導電層和設置在該導電層和第一半導體層11之間的反射層。因此，第一電極14可具有堆疊結構。
第二電極15的導電層可包括，例如，Au層和設置在該Au層和第二半導體層12之間的Ni層。Au層的厚度可為，例如，0.1μm；而Ni層的厚度可為0.1μm。第二電極15可被設置於，例如，第二半導體層12在第二主表面10a側上之實質全部的區域中。然而，設置第二電極15 的區域係任意的。第二電極15被設置於第二半導體層12在第二主表面10a側上之至少一部分中。
包含在第一導電構件30a中的第一連接部分32a可包括諸如，例如，Cu的金屬。第一連接部分32a可包括第一層和第二層。該第一層係設置於該第二層和第一電極14之間。換言之，該第一層接觸第一電極14。該第一層係，例如，晶種層；而該第二層係，例如，電鍍層。該第一層的表面積可等於第一電極14之表面積或小於第一電極14之表面積。該第二層的表面積可為，例如，250μm×150μm。該第一層的厚度可為，例如，約1μm。該第二層的厚度可為，例如，10μm。
包含在第二導電構件30b中的第二連接部分32b可包括諸如，例如，Cu的金屬。第二連接部分32b可包括第三層和第四層。該第三層被設置於該第四層和第二電極15之間。換言之，該第三層接觸第二電極15。該第三層係，例如，晶種層；而該第四層係，例如，電鍍層。該第三層和該第一層在同一層；且該第三層的材料可與該第一層的材料相同。該第四層與該第二層在同一層；且該第四層的材料可與該第二層的材料相同。該第三層的表面積可相等於第二電極15的表面積或小於第二電極15的表面積。該第四層的表面積可為，例如，250μm×350μm。該第三層的厚度可為，例如，約1μm。該第四層的厚度可為，例如，10μm。
然而，該第一至第四層的表面積、構成和厚度係任意 的。第一連接部分32a和第二連接部分32b可為單層的薄膜或可為如上所述之堆疊膜。第一連接部分32a可進一步包括堆疊在該第一層和該第二層之上的其他層。第二連接部分32b可進一步包括堆疊在該第三層和該第四層之上的其他層。
第一柱狀部31a可包括諸如，例如，Cu的金屬。由X-Y平面所切開來的第一柱狀部31a的橫截面可為，例如，200μm×150μm的長方形。第一柱狀部31a的厚度(沿著Z軸方向的長度)可為約，例如，60μm。第一電極14由第一連接部分32a電連接至第一柱狀部31a。
第二柱狀部31b可包括諸如，例如，Cu的金屬。由X-Y平面所切開來的第二柱狀部31b的橫截面可為，例如，200μm×150μm的長方形。第二柱狀部31b的厚度(沿著Z軸方向的長度)可為約，例如，60μm。第二電極15由第二連接部分32b電連接至第二柱狀部31b。
第一柱狀部31a和第二柱狀部31b的材料、橫截面的構成、截面積和厚度並不侷限於上述，且為任意的。
密封構件50可包括，例如，熱固性樹脂。密封構件50的厚度大約和第一柱狀部31a和第二柱狀部31b的厚度相同，例如，約為60μm。密封構件50覆蓋第一導電構件30a的側表面(第一柱狀部31a之側表面和第一連接部分32a之側表面)，以及第二導電構件30b的側表面(第二柱狀部31b之側表面和第二連接部分32b之側表面)，而讓第一導電構件30a之第一末端表面31ae和第 二導電構件30b之第二末端表面31be暴露。密封構件50亦可覆蓋第一連接部分32a和第二連接部分32b在相對於半導體堆疊體10之側上的表面。密封構件50可進一步覆蓋半導體堆疊體10之第二主表面10a側的全部。
如下所述，密封構件50可包括第一密封層和第二密封層。該第一密封層係設置於該第二密封層和半導體堆疊體10之間。因此，密封構件50可具有兩層的結構。該第一密封層可包括，例如，聚亞醯胺。該第二密封層可包括，例如，環氧基的熱固性樹脂。
現在將說明半導體發光裝置110之製造方法的範例。
圖2A至圖2E、圖3A至圖3E以及圖4A至圖4E為說明根據第一實施例之半導體發光裝置之製造方法的依流程順序之示意橫截面圖； 即，該等圖式為對應圖1B之沿著線A-A' 之橫截面的橫截面圖。
此製造方法為在晶圓層級集體製造複數個半導體發光裝置110的方法。
如圖2A中所示，使用其上形成有半導體堆疊體10的基板10s。基板10s可包括，例如，藍寶石基板。基板10s的尺寸為，例如，直徑4英吋；且基板10s的厚度為，例如，大約500μm。半導體堆疊體10的形成方法為，例如，如下所述。即，為氮化物半導體之用於形成第一半導體層11的結晶膜、用於形成發光層13的結晶膜和用於形成第二半導體層12的結晶膜，係磊晶 (epitaxially)生長於基板10s之上；使用，例如，RIE(反應式離子蝕刻)來蝕刻該等結晶膜；並暴露第一半導體層11在第二主表面10a側上的一部分。該等結晶膜係使用，例如，RIE而被圖案化，並且被個別化以形成複數個半導體堆疊體10。
然後，如圖2B中所示，藉由形成用於在半導體堆疊體10之第二主表面10a上形成第一電極14和第二電極15的膜，以及藉由圖案化該膜成為特定形狀，來形成第一電極14和第二電極15。然後，形成保護層18。為了避免複雜，圖2B中未示出保護層18。
具體地，例如，在半導體堆疊體10之第二主表面10a上形成用於形成接觸電極層的膜。即，形成厚度0.1μm的Ni膜；並在其上形成厚度0.1μm的Au膜。藉此，形成用於形成接觸電極層的膜。Ni膜和Au膜的形成可包括，例如，濺鍍。再者，在Au膜上形成用於形成反射層的層。即，形成包括選自Ag和Al之至少一者的膜作為具有厚度，例如，0.3μm的反射層。同樣的在此種情況中，可使用濺鍍。藉此，形成用於形成反射層的膜。
在用於形成反射層的膜上，形成用於形成第一電極14和第二電極15之導電層的導電膜。即，在用於形成反射層的膜上，形成，例如，0.1μm的Ni膜；並在其上形成具有厚度0.1μm的Au膜。Ni膜和Au膜的形成可包括，例如，濺鍍。
上述用於形成接觸電極層的膜、用於形成反射層的膜 和用於形成第一電極14和第二電極15之導電層的導電膜被圖案化成為特定形狀。藉此，形成第一電極14和第二電極15。上述各個膜的圖案化可包括諸如，例如，剝離(lift-off)的任何方法。接觸電極層、反射層和第一電極14的導電層可具有彼此不同的圖案形狀。接觸電極層、反射層和第二電極15的導電層可具有彼此不同的圖案形狀。
然後，在除了第一電極14之至少一部分之外的區域以及除了第二電極15之至少一部分之外的區域中，使用，例如，CVD來形成具有厚度，例如，0.3μm的用於形成保護層18的SiO2 膜；並藉由使用，例如，乾蝕刻或濕蝕刻之圖案化來形成保護層18。
接著如圖2C中所示，形成絕緣層20以覆蓋第二半導體層12在第二主表面10a側上之特定部分12p。絕緣層20係形成於除了第一電極14之至少一部分之外的區域以及除了第二電極15之至少一部分之外的區域中。在此具體範例中，絕緣層20亦被設置於複數個半導體堆疊體10之間。
絕緣層20可包括，例如，聚亞醯胺及/或PBO(聚苯並噁唑polybenzoxazole)。換言之，例如，藉由在半導體堆疊體10之第二主表面10a的全部表面上形成用於形成絕緣層20之聚亞醯胺膜、藉由使用，例如，遮罩的曝光及藉由顯影來選擇性地形成絕緣層20。視需要烘烤經圖案化的絕緣層20。
接著，在覆蓋第二半導體層12在第二主表面10a側上之特定部分12p的絕緣層20上形成用於形成第一導電構件30a之至少一部分的導電膜。此導電膜亦可用於形成第二導電構件30b之至少一部分。此導電膜亦可被形成來覆蓋未被絕緣層20覆蓋之第一電極14的至少一部分，和未被絕緣層20覆蓋之第二電極15的至少一部分。具體地，實施下列步驟。
即，如圖2D中所示，例如，在基板10s之第二主表面10a側上的整體表面上形成用於形成第一連接部分32a之第一層及第二連接部分32b之第三層的晶種層33。晶種層33係利用，例如，諸如氣相沉積、濺鍍等之物理覆蓋法而形成。晶種層33作用如同下述之電鍍處理的電源供應層。晶種層33可包括，例如，Ti膜和Cu膜的堆疊膜。藉由晶種層33之Ti層，可增加Cu膜和光阻之間、以及Cu膜和墊片(第一電極14和第二電極15)之間的附著強度。Ti層的厚度可為，例如，大約0.2μm。另一方面，晶種層33之Cu膜主要助於電源供應。Cu膜的厚度不小於0.2μm係所欲的。
然後，如圖2E中所示，第一光阻層37係形成在除了對應第一連接部分32a之區域及對應第二連接部分32b之區域以外的區域中。第一光阻層37可包括，例如，感光性的液態光阻或乾膜光阻。第一光阻層37係藉由首先形成用於形成第一光阻層37的膜，接著使用具有特定開孔的遮光遮罩來曝光以及顯影而形成。第一光阻層37可視 需要被堆疊。
然後，如圖3A中所示，用於形成第一連接部分32a之第二層以及第二連接部分32b之第四層的連接部分導電膜32f係形成於未設置第一光阻層37的區域中。連接部分導電膜32f係使用，例如，電鍍來形成。在電鍍中，例如，其上設置有上述經過處理之主體的基板10s被浸漬在由硫酸銅和硫酸所製成的電鍍液中；晶種層33係連接至直流電源的負極；且被用作陽極的Cu板係被配置在相對於基板10s之將被電鍍的表面，且被連接到直流電源的正極。藉由在負極和正極之間提供電流來實施Cu的電鍍。電鍍處理之電鍍膜的厚度隨著時間經過而增加；而當電鍍膜的厚度達到需要的厚度時，藉由停止電流流動而完成電鍍。藉此，由電鍍膜製成的連接部分導電膜32f被形成在第一光阻層37的開孔中。
使用在對應第一電極14之位置的晶種層33(該第一層)以及在對應第一電極14之位置的連接部分導電膜32f(該第二層)來形成第一連接部分32a。使用對應第二電極15之位置的晶種層33(該第三層)以及在對應第二電極15之位置的連接部分導電膜32f(該第四層)來形成第二連接部分32b。
第一連接部分32a對應於用於形成在覆蓋第二半導體層12在第二主表面10a側上之特定部分12p的絕緣層20上所形成之第一導電構件30a的至少一部分的導電膜。在此具體範例中，用於形成導電膜之晶種層33和連接部分 導電膜32f亦為用於形成第二導電構件30b之至少一部分的導電膜。再者，用於形成導電膜之晶種層33和連接部分導電膜32f係被形成以覆蓋未被絕緣層20所覆蓋之第一電極14的至少一部分以及未被絕緣層20所覆蓋之第二電極15的至少一部分。
接著，在第一連接部分32a(用於形成在覆蓋第二半導體層12在第二主表面10a側上之特定部分12p的絕緣層20上所形成之第一導電構件30a的至少一部分的導電膜)上形成第一柱狀部31a。具體地，例如，實施下列步驟。
如圖3B中所示，第二光阻層38係形成在除了對應第一柱狀部31a之區域和對應第二柱狀部31b之區域以外的區域中。第二光阻層38之材料和第二光阻層38之形成可採用所述關於第一光阻層37之材料和方法。
然後，如圖3C中所示，用於形成第一柱狀部31a和第二柱狀部31b之柱狀部分導電膜31f係形成在未設置第二光阻層38的區域中。柱狀部分導電膜31f亦係使用，例如，電鍍來形成。柱狀部分導電膜31f之形成可應用所述關於連接部分導電膜32f之形成的材料和方法。使用連接至第一連接部分32a之柱狀部分導電膜31f的該部分來形成第一柱狀部31a；使用連接至第二連接部分32b之柱狀部分導電膜31f的該部分來形成第二柱狀部31b。
接著如圖3D中所示，移除第一光阻層37和第二光阻層38。使用，例如，酸性清洗來移除暴露的晶種層33。 被連接部分導電膜32f覆蓋的晶種層33作為第一層及第三層而殘留，該第一層及第三層係分別包含於第一連接部分32a及第二連接部分32b中。
然後，如圖3E中所示，用於形成密封構件50的樹脂層50f係形成在基板10s在第二主表面10a側上的表面上。樹脂層50f可包括，例如，熱固性樹脂。藉由，例如，以諸如印刷之方法，在基板10s在第二主表面10a側上的表面上形成用於形成樹脂層50f之具有厚度足以埋入第一柱狀部31a和第二柱狀部31b的膜，並加熱以硬化，來形成樹脂層50f。硬化樹脂層50f時的加熱條件為，例如，以大約150℃加熱大約2小時。
接著如圖4A中所示，藉由研磨樹脂層50f的前表面來暴露第一柱狀部31a和第二柱狀部31b。藉此，形成密封構件50。當研磨樹脂層50f時，可研磨第一柱狀部31a的一部分及第二柱狀部31b的一部分。藉此，第一柱狀部31a的第一末端表面31ae和第二柱狀部31b的第二末端表面31be被配置在包含密封構件50在相對於第二主表面10a側上之表面的表面中。
在上述研磨中，可使用，例如，旋轉研磨輪。藉由旋轉研磨，可一邊確保平整度一邊實施研磨。在研磨之後，視需要實施乾燥。
然後，如圖4B中所示，自半導體堆疊體10移除基板10s。換言之，藉由，例如，自基板10s之在相對於半導體堆疊體10之側上的表面照射雷射光，通過基板10s至 包含在半導體堆疊體10中的一層(例如，GaN層)，以分解此層的至少一部分，而將基板10s自半導體堆疊體10分離。該雷射光可包括，例如，具有波長短於基於GaN之能隙的能隙波長的雷射光。例如，可使用Nd：YAG三次諧波雷射。然而，所使用之雷射光係任意的。
接著如圖4C中所示，在此具體範例中，用於形成光學層60之一部分的透明構件62係形成於半導體堆疊體10之第一主表面10b上。換言之，例如，藉由使用印刷等將液態透明樹脂層塗佈在半導體堆疊體10的第一主表面10b上，藉由將包含特定形狀的模板壓製到透明樹脂層上來將透明樹脂層變形成為特定形狀，接著放開模板，並視需要藉由實施選自加熱和紫外線照射之至少一種處理來硬化，而形成透明構件62。藉由採用此種方法，可使用具有所欲形狀的模板來輕易地將透明構件62形成為任意形狀。
然後，如圖4D中所示，用於形成螢光體層61的螢光體膜61f被形成以覆蓋透明構件62。藉由例如，使用旋轉塗布或印刷來塗布其中混合有螢光體的粒子和矽樹脂的樹脂材料，以覆蓋透明構件62，並接著藉由熱硬化樹脂材料來形成螢光體膜61f。樹脂材料可包括，例如，藉由在150℃加熱1小時而硬化的材料。
接著如圖4E中所示，藉由切割，將用於形成密封構件50的樹脂層50f以及用於形成螢光體層61的螢光體膜61f分開成為複數個半導體堆疊體10。藉此，可集體製造 複數個半導體發光裝置110。上述切割可包括，例如，使用切塊機來切割成塊。
在上述製造方法中，可在晶圓層級集體形成電極、密封構件和光學層；且生產率高。亦可能在晶圓層級作檢驗。藉此，可以高生產率製造半導體發光裝置。因為不需要諸如引線架、導電基板、接合佈線等構件，小型化係簡單的。亦可能減少成本。
在關於圖4B所述之自半導體堆疊體10分離基板10s的處理中，有用於形成絕緣層20的膜達到高溫的情況。換言之，當自基板10s之在相對於半導體堆疊體10之側上的表面照射雷射光，通過基板10s至半導體堆疊體10時，可加熱用於形成絕緣層20的膜。為了抑制由於此時之加熱所造成的用於形成絕緣層20的膜的惡化，用於形成絕緣層20的膜包含具有高耐熱性的材料係所欲的。
例如，更希望的是，絕緣層20包括具有耐熱性較密封構件50之樹脂之耐熱性高的樹脂。換言之，絕緣層20之熱分解溫度高於密封構件50之熱分解溫度係所欲的。例如，絕緣層20可包括具有熱分解溫度不小於約380℃的聚亞醯胺；而密封構件50可包括具有，例如，熱分解溫度不小於約280℃且不大於約300℃的環氧樹脂。例如，藉由加熱而重量將以固定比例(例如，5%)減少時的溫度可被採用作為熱分解溫度。
在用於形成絕緣層20的膜包含填充物的情況中，可能會有由於用於形成絕緣層20的膜的高溫的填充物所造 成的缺陷發生。為了抑制此種缺陷的發生，將絕緣層20中所含有的填充物的含量比例設定為低於密封構件50中所含有的填充物的含量比例係所欲的。例如，絕緣層20可包含實質上未含有填充物的聚亞醯胺。
圖5A至圖5C以及圖6A至圖6C為說明根據第一實施例之其他半導體發光裝置之組態的示意橫截面圖；即，該等圖式為對應圖1B之沿著線A-A' 之橫截面的橫截面圖。
如圖5A所示，在根據此實施例之半導體發光裝置110a中，透明構件62具有凸透鏡形狀。
透明構件62的厚度可為固定的。換言之，除了具有透鏡效果之外，透明構件62亦可具有抑制半導體堆疊體10之溫度增加的效果。換言之，雖然部分能量在螢光體層61之波長轉換期間被吸收以產生熱，但藉由在螢光體層61和半導體堆疊體10之間設置透明構件62，螢光體層61可遠離半導體堆疊體10，且可抑制半導體堆疊體10的溫度增加。
因此，透明構件62之結構係任意的。
如圖5B所示，在半導體發光裝置110b中，螢光體層61係設置在光學層60中，但未設置透明構件62。因此，可視需要設置透明構件62。
如圖5C所示，在根據此實施例之半導體發光裝置110c中，光學層60包括含有螢光體的螢光體層61以及設置在螢光體層61之相對於半導體堆疊體10側上的硬質 膜63。硬質膜63具有比螢光體層61之硬度高的硬度。硬質膜63係透明的。硬質膜63可包括，例如，具有高硬度的矽樹脂。可採用，例如，旋轉塗佈或印刷來形成硬質膜63。硬質膜63可包括，例如，氮化矽、氧化矽等。在此情況中，可藉由諸如，例如，濺鍍之方法來形成硬質膜63。然而，硬質膜63之材料和形成方法係任意的。
藉由設置硬質膜63，例如，半導體發光裝置110c之處理係較容易的，因為半導體發光裝置110c之發光表面(光學層60側上之表面)可具有高硬度。
例如，在螢光體層61之矽樹脂的硬度為低的情況中，有例如，若在光學層60之最外層表面(半導體堆疊體10之最末端的表面)暴露螢光體層61，當以筒夾(collet)拾起半導體發光裝置時，藉由將螢光體層61緊密黏著到筒夾來適當的安裝(mounting)係困難的情況。在此情況中，在螢光體層61上設置具有硬度高於螢光體層61的硬質膜63，可輕易地實作良好的安裝。
如圖6A、圖6B及圖6C所示，在根據此實施例之其他半導體發光裝置110d、110e及110f中，未設置第一連接部分32a和第二連接部分32b。同樣的在此情況中，絕緣層20係設置在第一柱狀部31a和第二半導體層12之間；且第一柱狀部31a之一部分相對於第二半導體層12之特定部分12p，其間介入有絕緣層20。藉此，第一導電構件30a之第一末端表面31ae的表面積可大於第一電極14之表面積。同樣地，根據半導體發光裝置110d、110e 和110f，可維持高電極連接性；並可提供適合小型化的半導體發光裝置。
雖然在圖6A中所示之半導體發光裝置110d中，透明構件62具有凸透鏡形狀，但可如在半導體發光裝置110中，透明構件62之形狀為凹透鏡形狀。或者，透明構件62之厚度可為固定的。
圖6B中所示之半導體發光裝置110e係其中省略透明構件62之範例；而圖6C中所示之半導體發光裝置110f係其中設置關於圖5C所述之硬質膜63的範例。
第二實施例
圖7A及圖7B為說明根據第二實施例之半導體發光裝置之組態的示意圖；即，圖7B為示意平面圖；而圖7A為沿著圖7B之線B-B' 的橫截面圖。
如圖7A及圖7B所示，在根據此實施例之半導體發光裝置120中，第一導電構件30a之在相對於半導體堆疊體10之側上的第一末端表面31ae以及第二導電構件30b之在相對於半導體堆疊體10之側上的第二末端表面31be係不對稱的。除此之外。半導體發光裝置120可相似於半導體發光裝置110而省略說明。
在此具體範例中，在第一導電構件30a之第一末端表面31ae於第二導電構件30b側上的兩個角落處設置關於X軸方向傾斜的斜邊。另一方面，在第二導電構件30b之 第二末端表面31be於相對於第一導電構件30a之側上的兩個角落處設置關於X軸方向傾斜的斜邊。換言之，雖然第一末端表面31ae的形狀和第二末端表面31be的形狀係彼此朝同一方向排列，但他們具有非對稱的關係。換言之，第一末端表面31ae和第二末端表面31be在關於平行於Y軸方向的軸上不具有線對稱。
藉由此種構成，即使在沿著Z軸方向轉動半導體發光裝置120的情況中，亦可區別第一導電構件30a和第二導電構件30b。
根據半導體發光裝置120，可維持高電極連接性；並可提供適合小型化的半導體發光裝置，其中特別在小型化時容易成為問題的電極之辨識係容易的。
圖8A至圖8C以及圖9A至圖9C為說明根據第二實施例之其他半導體發光裝置之組態的示意平面圖；這些圖式說明當沿著Z軸方向觀看半導體發光裝置時，第一末端表面31ae和第二末端表面31be之形狀。
如圖8A所示，在根據此實施例之半導體發光裝置120a中，第一末端表面31ae的尺寸小於第二末端表面31be的尺寸。藉此，可區別第一末端表面31ae和第二末端表面31be。
因此，在第一末端表面31ae的尺寸與第二末端表面31be的尺寸不同的情況中，連接至p型半導體層之電極的末端表面大於連接至n型半導體層之電極的末端表面係所欲的。因為p型半導體層較n型半導體層更容易達到高 溫，藉由採用此種構成，可輕易地消散容易達到高溫的p型半導體層的熱。
如圖8B所示，在半導體發光裝置120b中，第一末端表面31ae包括四個末端表面。換言之，第一末端表面31ae包括第一至第四子末端表面31ae1至31ae4。另一方面，有一個第二末端表面31be。因此，第一末端表面31ae中所包含的表面數目可和第二末端表面31be中所包含的表面數目不同。藉此，可區別第一末端表面31ae和第二末端表面31be。雖然在此具體範例中，包括第一至第四子末端表面31ae1至31ae4的第一末端表面31ae的整體形狀以及第二末端表面31be的形狀具有線對稱或點對稱，但由於第一末端表面31ae中所含有的表面數目和第二末端表面31be中所含有的表面數目不同，第一末端表面31ae和第二末端表面31be係非對稱的。
如圖8C所示，在半導體發光裝置120c中，有一個第一末端表面31ae。另一方面，第二末端表面31be包括第五和第六子末端表面31be1和31be2之兩個表面。因此，同樣的在此情況中，第一末端表面31ae中所包含的表面數目可和第二末端表面31be中所包含的表面數目不同。藉此，可區別第一末端表面31ae和第二末端表面31be。在此具體範例中，第一末端表面31ae的形狀和包括第五和第六子末端表面31be1和31be2的第二末端表面31be的整體形狀係非對稱的。在此具體範例中，連接至第二半導體層12並包括第五和第六子末端表面31be1和31be2 的第二末端表面31be的整體表面積被設定為大於連接至第一半導體層11之第一末端表面31ae的表面積。
如圖9A所示，在半導體發光裝置120d中，第一末端表面31ae為圓形；而第二末端表面31be為長方形。因此，第一末端表面31ae的圖案形狀異於第二末端表面31be的圖案形狀。藉此，可區別第一末端表面31ae和第二末端表面31be。
如圖9B所示，在半導體發光裝置120e中，第一末端表面31ae為六邊形；而第二末端表面31be為四邊形。因此，第一末端表面31ae的圖案形狀異於第二末端表面31be的圖案形狀。藉此，可區別第一末端表面31ae和第二末端表面31be。在此具體範例中，第一末端表面31ae具有各向異性多邊形的圖案形狀。因為圖案形狀為各向異性的，亦可能使用該圖案形狀來直觀地確定電流流動的方向。藉此，可更容易區別第一末端表面31ae和第二末端表面31be。
如圖9C所示，在半導體發光裝置120f中，第一末端表面31ae之關於半導體發光裝置之外形的配置和第二末端表面31be之關於半導體發光裝置之外形的配置係非對稱的。換言之，在此具體範例中，自第一末端表面31ae之一側至該外形之一側的距離被設定為短於自第二末端表面31be之一側至該外形之一側的距離。因此，可藉由第一末端表面31ae之配置(例如，有關半導體發光裝置之外形的配置)和第二末端表面31be之配置(例如，有關 半導體發光裝置之外形的配置)為非對稱的，而區別第一末端表面31ae和第二末端表面31be。
因此，第一末端表面31ae和第二末端表面31be係非對稱包括例如，第一末端表面31ae之尺寸異於第二末端表面31be之尺寸的情況。亦包括例如，第一末端表面31ae之數目異於第二末端表面31be之數目的情況。亦包括例如，第一末端表面31ae之圖案形狀異於第二末端表面31be之圖案形狀的情況。亦包括例如，第一末端表面31ae之配置和第二末端表面31be之配置為非對稱的情況。
上述第一末端表面31ae和第二末端表面31be係不對稱的構成可被應用於根據上述任何實施例之半導體發光裝置；並可實現相同的效果。
第三實施例
圖10為說明根據第三實施例之半導體發光裝置之組態的示意橫截面圖；即，此圖式為對應圖1B之沿著線A-A' 之橫截面的橫截面圖。
如圖10所示，在根據此實施例之半導體發光裝置130中，第一導電構件30a進一步包括設置在第一導電構件30a之在相對於半導體堆疊體10之側上的第一末端表面31ae上的第一表面層71a；以及第二導電構件30b進一步包括設置在第二導電構件30b之在相對於半導體堆疊體 10之側上的第二末端表面31be上的第二表面層71b。除此之外，半導體發光裝置130可相似於半導體發光裝置110而省略說明。
第一表面層71a具有，例如，高於第一柱狀部31a之材料潤濕性(wettability)的潤濕性。第二表面層71b具有，例如，高於第二柱狀部31b之材料潤濕性的潤濕性。第一表面層71a和第二表面層71b亦具有氧化預防層的功能。
第一表面層71a和第二表面層71b可包括，例如，在其上實施選自水溶性預塗焊劑(preflux)、無電Ni/Au電鍍、以及AuSn電鍍之至少一種處理的一層。藉此，可增加在第一導電構件30a之第一末端表面31ae和第二導電構件30b之第二末端表面31be的焊料的潤濕性。藉此，可改善半導體發光裝置130的安裝性(mountability)。
圖11為說明根據第三實施例之另一半導體發光裝置之組態的示意橫截面圖；即，此圖式為對應圖1B之沿著線A-A' 之橫截面的橫截面圖。
如圖11中所示，根據此實施例之半導體發光裝置131進一步包括設置在第一導電構件30a之在相對於半導體堆疊體10之側上的第一末端表面31ae上的第一連接構件72a，以及設置在第二導電構件30b之在相對於半導體堆疊體10之側上的第二末端表面31be上的第二連接構件 72b。除此之外，半導體發光裝置131可相似於半導體發光裝置110而省略說明。
雖然在此具體範例中，第一導電構件30a包括第一表面層71a且第二導電構件30b包括第二表面層71b，但可視需要設置第一表面層71a和第二表面層71b，並在某些情況中可省略。
第一連接構件72a和第二連接構件72b可包括焊料。藉由在半導體發光裝置131中設置第一連接構件72a和第二連接構件72b，可進一步改善半導體發光裝置131的安裝性。
上述第一表面層71a、第二表面層71b、第一連接構件72a和第二連接構件72b可被設置於根據上述任何實施例之半導體發光裝置中；並可實現相同的效果。
第四實施例
圖12為說明根據第四實施例之半導體發光裝置之組態的示意橫截面圖；即，此圖式為對應圖1B之沿著線A-A' 之橫截面的橫截面圖。
如圖12所示，在根據此實施例之半導體發光裝置140中，第一導電構件30a之第一柱狀部31a包括設置在第一柱狀部31a之側表面中的第一表面粗糙化部31as。第二導電構件30b之第二柱狀部31b包括設置在第二柱狀部31b之側表面中的第二表面粗糙化部31bs。除此之外，半 導體發光裝置140可相似於半導體發光裝置110而省略說明。
第一表面粗糙化部31as和第二表面粗糙化部31bs可藉由，例如，在關於圖3D所述之處理中，移除第一光阻層37和第二光阻層38之後，在第一柱狀部31a之側表面和第二柱狀部31b之側表面上實施軟蝕刻來形成。在此軟蝕刻中，可使用，例如，過氧化氫-硫酸為基的蝕刻劑。
並且，第一表面粗糙化部31as和第二表面粗糙化部31bs可藉由，例如，在關於圖3C所述之處理中粗糙化第二光阻層38之側表面，並藉由將第二光阻層38之經粗糙化的側表面的不均勻轉移到柱狀部分導電膜31f上來形成。
藉由在第一柱狀部31a之側表面中設置第一表面粗糙化部31as以及在第二柱狀部31b之側表面中設置第二表面粗糙化部31bs，可改善第一柱狀部31a和密封構件50之間的黏著力，以及第二柱狀部31b和密封構件50之間的黏著力，並可增加可靠性。
第一表面粗糙化部31as和第二表面粗糙化部31bs可被設置於根據上述任何實施例之半導體發光裝置中；並可實現相同的效果。
第五實施例
圖13為說明根據第五實施例之半導體發光裝置之組態的示意橫截面圖； 即，此圖式為對應圖1B之沿著線A-A' 之橫截面的橫截面圖。
如圖13所示，在根據此實施例之半導體發光裝置150中，密封構件50在未設置半導體堆疊體10的區域中具有兩層的結構。
換言之，密封構件50具有包含第一密封層51和第二密封層52的一部分。第二密封層52和光學層60之間的距離係長於第一密封層51和光學層60之間的距離。第一密封層51可包括異於第二密封層52之材料的材料。
例如，第一密封層51可具有耐熱性高於第二密封層52之耐熱性。換言之，第一密封層51之熱分解溫度高於第二密封層52之熱分解溫度。例如，第一密封層51可包括具有熱分解溫度不小於約380℃的聚亞醯胺；而第二密封層52可包括，例如，具有熱分解溫度不小於約280℃且不大於約300℃的環氧樹脂。
第一密封層51中所含有的填充物的含量比例可被設定為低於第二密封層52中所含有的填充物的含量比例。例如，第一密封層51可包括實質上不還有填充物的聚亞醯胺。另一方面，第二密封層52可包括含有填充物的環氧樹脂。
第一密封層51可包括，例如，和絕緣層20相同的材料；且第一密封層51和絕緣層20可被共同形成。
如上所述，在自半導體堆疊體10分離基板10s的處理中，有在複數半導體堆疊體10之間的區域中，密封構 件50內側最靠近半導體堆疊體10的部分達到高溫的情況。換言之，當自基板10s在相對於半導體堆疊體10之側上的表面照射雷射光，通過基板10s到半導體堆疊體10上時，在複數半導體堆疊體10之間的區域的密封構件50被加熱，且密封構件50之最靠近半導體堆疊體10的部分特別達到高溫。在此情況中，藉由具有兩層結構的密封構件50，以及第一密封層51之耐熱性高於第二密封層52之耐熱性，可抑制由於加熱造成的密封構件50之特性的惡化。
藉由將第一密封層51中所含有的填充物的含量比例設定為低於第二密封層52中所含有的填充物的含量比例，可抑制由於密封構件50達到高溫時填充物所造成的缺陷發生。
第一密封層51和第二密封層52之堆疊構成可被設置於根據上述任何實施例之半導體發光裝置中；並可實現相同的效果。
第六實施例
圖14A及圖14B為說明根據第六實施例之半導體發光裝置之組態的示意圖
即，圖14B為示意平面圖；而圖14A為沿著圖14B之線C-C' 的橫截面圖。
如圖14A及圖14B中所示，根據此實施例之半導體發光裝置160進一步包括週邊堆疊單元10p，其被設置於 X-Y平面(垂直於係自第二主表面10a朝向第一主表面10b之方向的Z軸方向的平面)中以相對半導體堆疊體之至少一側。
週邊堆疊單元10p係使用半導體堆疊體10之材料來形成。週邊堆疊單元10p係被密封構件50和光學層60所覆蓋。
在此具體範例中，週邊堆疊單元10p係設置於X-Y平面中以相對半導體堆疊體10之四個側邊。換言之，週邊堆疊單元10p在X-Y平面中包圍住半導體堆疊體10。在此具體範例中，週邊堆疊單元10p的圖案形狀為環形。
當藉由，例如，關於圖4E所述之切割來分離複數個半導體堆疊體10之各個時，設置週邊堆疊單元10p可減少，例如，施加至半導體堆疊體10的應力。換言之，切割時所造成的衝擊被週邊堆疊單元10p所吸收；並可抑制施加至半導體堆疊體10的衝擊。藉此，可抑制在半導體堆疊體10之半導體層中的缺陷發生；可維持高發光效率。
雖然此具體範例為週邊堆疊單元10p在X-Y平面中包圍半導體堆疊體10的範例，但實施例並不侷限於此。週邊堆疊單元10p的圖案形狀係任意的。例如，週邊堆疊單元10p可具有分別相對於半導體堆疊體10之四個邊而分割開的四個帶狀形狀的圖案形狀。不需要設置週邊堆疊單元10p以相對半導體堆疊體10之所有的邊；設置相對半導體堆疊體10之至少一個邊的週邊堆疊單元10p係足 夠的。不需要沿著半導體堆疊體10之至少一個邊的整體長度來設置週邊堆疊單元10p；設置週邊堆疊單元10p相對半導體堆疊體10之至少一個邊的至少一部分係足夠的。
此種週邊堆疊單元10p可被設置於根據上述任何實施例之半導體發光裝置中；並可實現相同的效果。
第七實施例
圖15為說明根據第七實施例之半導體發光裝置之製造方法的流程圖。
此實施例為根據上述實施例之任何半導體發光裝置的製造方法。即，此製造方法為製造半導體發光裝置的方法，其中該裝置包括發光單元10d、第一導電構件30a、絕緣層20、第二導電構件30b、密封構件50和光學層60，該發光單元10d包括半導體堆疊體10、第一電極14和第二電極15，該半導體堆疊體10包括第一導電型之第一半導體層11、第二導電型之第二半導體層12和設置在該第一半導體層11和該第二半導體層12之間的發光層13，該半導體堆疊體10包括在第一半導體層11側上的第一主表面10b和在第二半導體層12側上的第二主表面10a，第一電極14在第二主表面10a側上電連接至第一半導體層11，第二電極15在第二主表面10a側上電連接至第二半導體層12，第一導電構件30a電連接至第一電極14，該第一導電構件30a包括設置在第二主表面10a上的 第一柱狀部31a以在第二主表面10a側上覆蓋第二半導體層12之特定部分12p，第一柱狀部31a係與第二半導體層12分隔開，絕緣層20係設置在第一柱狀部31a和在第二主表面10a側上的第二半導體層12之特定部分12p之間，第二導電構件30b電連接至第二電極15，第二導電構件30b包括設置在第二主表面10a上的第二柱狀部31b，密封構件50覆蓋第一導電構件30a之側表面和第二導電構件30b之側表面，光學層60係設置在半導體堆疊體10之第一主表面10b之上的光學層，且光學層60包括波長轉換單元(螢光體層61)，其構成以吸收發射自發光層13之發射光，並發出具有和該發射光之波長不同波長的光。
如圖15中所示，根據此實施例之半導體發光裝置的製造方法形成覆蓋第二半導體層12在第二主表面10a側上之特定部分12p的絕緣層20(步驟S110)。換言之，實施關於，例如，圖2C所述之處理。
如上所述，絕緣層20可被形成於除了第一電極14之至少一部分之外的區域以及除了第二電極15之至少一部分之外的區域中。絕緣層20亦被設置於複數個半導體堆疊體10之間。
然後，如圖15中所示，用於形成第一導電構件30a之至少一部分的導電膜係形成於覆蓋第二半導體層12在第二主表面10a側上之特定部分12p的絕緣層20上(步驟S120)。換言之，實施關於，例如，圖2D、圖2E和 圖3A而說明的流程。
換言之，步驟S120可包括，例如，形成晶種層33的步驟、在對應於第一連接部分32a和對應於第二連接部分32b的區域以外的區域中形成第一光阻層37的步驟、以及在未設置第一光阻層37的區域中形成用來形成第一連接部分32a之第二層和第二連接部分32b之第四層的連接部分導電膜32f的步驟。
如上所述，用於形成第一導電構件30a之至少一部分的導電膜亦可被用來形成第二導電構件30b之至少一部分。亦可形成此導電膜以覆蓋未被絕緣層20所覆蓋之第一電極14的至少一部分及未被絕緣層20所覆蓋之第二電極15的至少一部分。
藉此，可維持高電極連接性；並可製造適合小型化的半導體發光裝置。
如上所述，可針對其上設置有複數個半導體堆疊體10之基板10s的複數個半導體堆疊體10，共同實施上述絕緣層20的形成(步驟S110)和上述導電膜的形成(步驟S120)。藉此，可維持高電極連接性；並可以高生產率製造適合小型化的半導體發光裝置。
根據此實施例之製造方法可進一步包括在用於形成第一導電構件30a之至少一部分的導電膜(第一連接部分32a)上形成第一柱狀部31a的步驟，其中該導電膜係形成於覆蓋第二半導體層12在第二主表面10a側上之特定部分12p的絕緣層20上。換言之，亦可實施關於圖3B和 圖3C所述之處理。
在如同關於圖6A至圖6C所述之半導體發光裝置110d、110e和110f中，省略連接部分導電膜32f的情況中，在步驟S120之覆蓋第二半導體層12在第二主表面10a側上之特定部分12p的絕緣層20上形成用於形成第一導電構件30a之至少一部分的步驟，變成在覆蓋第二半導體層12在第二主表面10a側上之特定部分12p的絕緣層20上形成第一柱狀部31a的步驟。同樣地，藉由此方法，可維持高電極連接性；並可製造適合小型化的半導體發光裝置。
紅色螢光體可包括諸如下列物質。然而，本實施例之紅色螢光體並不侷限於下列：Y2 O2 S：Eu
Y2 O2 S：Eu+pigment
Y2 O3 ：Eu
Zn3 (PO4 )2 ：Mn
(Zn,Cd)S：Ag+In2 O3
(Y,Gd,Eu)BO3
(Y,Gd,Eu)2 O3
YVO4 ：Eu
La2 O2 S：Eu,Sm
LaSi3 N5 ：Eu2+
α-sialon：Eu2+
CaAlSiN3 ：Eu2+
CaSiNX ：Eu2+
CaSiNX ：Ce2+
M2 Si5 N8 ：Eu2+
CaAlSiN3 ：Eu2+
(SrCa)AlSiN3 ：EuX+
Srx (Siy Al3 )z (Ox N)：EuX+
綠色螢光體可包括諸如下列物質。然而，本實施例之綠色螢光體並不侷限於下列：ZnS：Cu,Al
ZnS：Cu,Al+pigment
(Zn,Cd)S：Cu,Al
ZnS：Cu,Au,Al,+pigment
Y3 Al5 O12 ：Tb
Y3 (Al,Ga)5 O12 ：Tb
Y2 SiO5 ：Tb
Zn2 SiO4 ：Mn
(Zn,Cd)S：Cu
ZnS：Cu
Zn2 SiO4 ：Mn
ZnS：Cu+Zn2 SiO4 ：Mn
Gd2 O2 S：Tb
(Zn,Cd)S：Ag
ZnS：Cu,Al
Y2 O2 S：Tb
ZnS：Cu,Al+In2 O3
(Zn,Cd)S：Ag+In2 O3
(Zn,Mn)2 SiO4
BaAl12 O19 ：Mn
(Ba,Sr,Mg)O．aAl2 O3 ：Mn
LaPO4 ：Ce,Tb
Zn2 SiO4 ：Mn
ZnS：Cu
3(Ba,Mg,Eu,Mn)O．8Al2 O3
La2 O3 ．0.2SiO2 ．0.9P2 O5 ：Ce,Tb
CeMgAl11 O19 ：Tb
CaSc2 O4 ：Ce
(BrSr)SiO4 ：Eu
α-sialon：Yb2+
β-sialon：Eu2+
(SrBa)YSi4 N7 ：Eu2+
(CaSr)Si2 O4 N7 ：Eu2+
Sr(SiAl)(ON)：Ce
藍色螢光體可包括諸如下列物質。然而，本實施例之藍色螢光體並不侷限於下列：ZnS：Ag
ZnS：Ag+pigment
ZnS：Ag,Al
ZnS：Ag,Cu,Ga,Cl
ZnS：Ag+In2 O3
ZnS：Zn+In2 O3
(Ba,Eu)MgAl10 O17
(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6Cl2 ：Eu
Sr10 (PO4 )6Cl2 ：Eu
(Ba,Sr,Eu)(Mg,Mn)Al10 O17
10(Sr,Ca,Ba,Eu)．6PO4 ．Cl2
BaMg2 Al16 O25 ：Eu
黃色螢光體可包括諸如下列物質。然而，本實施例之黃色螢光體並不侷限於下列：Li(Eu,Sm)W2 O8
(Y,Gd)3 ,(Al,Ga)5 O12 ：Ce3+
Li2 SrSiO4 ：Eu2+
(Sr(Ca,Ba))3 SiO5 ：Eu2+
SrSi2 ON2.7 ：Eu2+
在此說明書中，「氮化物半導體」包括其中在各自範圍內改變成份比例x、y和z之化學式為Bx Iny Alz Ga1-x-y-z N(0x1,0y1,0z1，且x+y+z1)之半導體的所有組成。「氮化物半導體」進一步包括除了N(氮)以外的第5族元素於上述化學式中，以及添加以控制導電型的各種摻雜物等。
根據如上所述之實施例，可維持高電極連接性；並可提供適合小型化的半導體發光裝置及其製造方法。
在本發明之說明書中，「垂直」和「平行」並非僅指 嚴謹的垂直和嚴謹的平行，亦包括，例如，因製造過程等引起的變動。實質垂直和實質平行係足夠的。
以上，參照具體範例來說明本發明之示範實施例。然而，本發明並不侷限於該等具體範例。例如，熟習本發明領域之技藝者可由先前技術中，藉由適當地選擇包含在發光單元中之諸如半導體層、發光層、電極、導電層、反射層、和接觸電極層的元件，以及包含在半導體發光裝置中之諸如導電構件、柱狀部、連接部、絕緣層、密封構件、密封層、光學層、波長轉換單元、螢光體層、螢光體、透明構件、硬質膜等等的元件的具體構成來相似的實施本發明。在可得到同樣效果的範圍，此種實施係包含在本發明之範圍中。
再者，具體範例之任意兩個或多個元件可在技術可行性的範圍內被結合，並且在包含本發明之要旨的範圍內被包含在本發明之範圍中。
此外，熟習本發明領域之技藝者基於上述作為本發明之實施例的半導體發光裝置以及製造半導體發光裝置之方法，而可實行的所有的半導體發光裝置和製造半導體發光裝置之方法，亦在包含本發明之要旨的範圍內被包含在本發明之範圍中。
而且，對於熟習本發明領域之技藝者，在本發明精神內的各種修改和變更係顯而易見的。因此所有此種修改和變更應被視為在本發明之範圍中。
當已說明特定實施例時，僅以範例之方式來表達這些 實施例，而非意圖限制本發明之範圍。的確，可以多種其他形式來實施本文所述之新穎的實施例；並且，可在不背離本發明精神下，以本文所述之實施例的形式完成各種省略、替代和改變。隨附之申請專利範圍以及其相等物旨在涵蓋可落在本發明之範圍和精神內的此種實施型態或修改。
10‧‧‧半導體堆疊體
10a‧‧‧第二主表面
10b‧‧‧第一主表面
10d‧‧‧發光單元
11‧‧‧第一半導體層
12‧‧‧第二半導體層
12p‧‧‧特定部分
13‧‧‧發光層
14‧‧‧第一電極
15‧‧‧第二電極
18‧‧‧保護層
20‧‧‧絕緣層
20o1‧‧‧第一開孔
20o2‧‧‧第二開孔
30a‧‧‧第一導電構件
30b‧‧‧第二導電構件
31a‧‧‧第一柱狀部
31ae‧‧‧第一末端表面
31b‧‧‧第二柱狀部
31be‧‧‧第二末端表面
32a‧‧‧第一連接部分
32b‧‧‧第二連接部分
50‧‧‧密封構件
60‧‧‧光學層
61‧‧‧螢光體層(波長轉換單元)
62‧‧‧透明構件
110‧‧‧半導體發光裝置

Claims (6)

  1. 一種半導體發光裝置，該半導體發光裝置具備：半導體堆疊體，其包括發光層；第一電極及第二電極，設於該半導體堆疊體的第一主表面側；第一導電構件，係電連接至該第一電極；及第二導電構件，係電連接至該第二電極，該第二導電構件之該半導體堆疊體側之末端表面的表面積係大於該第二導電構件相對於該半導體堆疊體之一側上的末端表面的表面積，由與該第一主表面垂直之方向觀看時，該第一導電構件與該第二導電構件並未重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中在該第一導電構件相對於該半導體堆疊體之一側上的第一末端表面，和在該第二導電構件相對於該半導體堆疊體之一側上的第二末端表面係非對稱的。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中在該第一導電構件相對於該半導體堆疊體之一側上的第一末端表面，和在該第二導電構件相對於該半導體堆疊體之一側上的第二末端表面其形狀係不同的。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該第一導電構件進一步包括設置在該第一導電構件相對於該半導體堆疊體之一側上的第一末端表面上的第一表面層，該第一表面層具有潤濕性高於該第一導電構件相對 於該半導體堆疊體之一側上的第一末端表面之材料的潤濕性。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該第二導電構件進一步包括設置在該第二導電構件相對於該半導體堆疊體之一側上的第二末端表面上的第二表面層，該第二表面層具有潤濕性高於該第二導電構件相對於該半導體堆疊體之一側上的第二末端表面之材料的潤濕性。
  6. 一種半導體發光裝置之製造方法，具備：半導體堆疊體，其包括發光層；第一電極及第二電極，設於該半導體堆疊體的第一主表面側；第一導電構件，係電連接至該第一電極；及第二導電構件，係電連接至該第二電極，該第二導電構件之該半導體堆疊體側之末端表面的表面積係大於該第二導電構件相對於該半導體堆疊體之一側上的末端表面的表面積，由與該第一主表面垂直之方向觀看時，該第一導電構件與該第二導電構件並未重疊，該方法包含：形成該絕緣層以覆蓋該半導體堆疊體在該第一主表面側上之部分；以及在該絕緣層上形成導電膜，該導電膜被用來形成該第一導電構件之至少一部分。
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