JP5919753B2 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、発光装置や発光素子の構成として、封止材に蛍光体の他、充填体を分布させた発光ダイオードや、半導体層上に蛍光体を含む波長変換用薄膜パターンを形成した発光素子が開示されている(例えば、特許文献4、5参照)。
Au等からなるスタッドを形成したウェハ表面に蛍光体層を形成した後、個片化する手法で作成した白色発光ダイオードでは、光の出射方向の違いにより、EL光の透過量が異なってくる。具体的には、上方向よりも斜め方向におけるEL光の透過量が少なく、上方向と斜め方向のEL光が所望の透過量となりにくい。そのため、配光色度のバラツキが大きく、リフレクタやレンズ等の光学系と組み合わせた時の色むらが大きいという問題がある。
このような構成によれば、蛍光体は、波長変換部材としての効果をより発揮しやすくなる。
このような構成によれば、発光素子の光の出射の途中で光が屈折することがなく、光はほぼ直進するため、発光効率の低下を抑制することができる。
このような構成によれば、バンプを用いることで、発光素子と基材とを電気的に接続しやすくなる。
このような発光装置の製造方法によれば、透明部材の形状を規定しやすく、また透明部材の配置を制御しやすくなる。
このような発光装置の製造方法によれば、透明部材の形状を規定しやすく、また透明部材の配置を制御しやすくなる。
本発明に係る発光装置の製造方法は、基板の第1主面上に、n型半導体層と、活性層と、p型半導体層とをこの順に積層する発光素子製造工程と、前記発光素子製造工程の後に、前記基板の第1主面とは反対側の第2主面上に、パターニングにより透明部材を形成する透明部材形成工程と、導電部材が形成された基材を準備し、前記基材上に前記透明部材を形成した発光素子を載置するダイボンディング工程と、前記ダイボンディング工程の後に、前記透明部材を蛍光体が含有された封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含み、前記透明部材形成工程において、前記パターニングは、インプリントにより形成し、前記各透明部材の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、前記蛍光体の粒径の1倍を超え3倍未満であることを特徴とする。
本発明に係る発光装置の製造方法は、基板の第1主面上に、n型半導体層と、活性層と、p型半導体層とをこの順に積層する発光素子製造工程と、導電部材が形成された基材を準備し、前記基材上に前記発光素子を載置するダイボンディング工程と、前記ダイボンディング工程の後に、前記基板の第1主面とは反対側の第2主面上を、蛍光体および透明部材が含有された封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含み、前記封止部材に含有された前記蛍光体および前記透明部材を沈降させ、その後、前記封止部材を硬化させるものであり、前記各透明部材の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、前記蛍光体の粒径の1倍を超え3倍未満であることを特徴とする。
本発明に係る発光装置の製造方法によれば、配光色度のバラツキが低減され、リフレクタやレンズ等の光学系と組み合わせた場合でも、色むらの少ない照明として優れた光源を得ることができる発光装置を製造することができる。
第1実施形態では、フェースダウン素子(FD素子)を用いた発光装置について説明する。
以下、各構成について説明する。
基材1は、発光素子10等の電子部品を配置するためのものである。基材1は、図1(a)に示すように、矩形平板状に形成することができる。なお、基材1のサイズや形状は特に限定されず、発光素子10の数や配列間隔等、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
導電部材6a,6bは、外部と、発光素子10等の電子部品とを電気的に接続し、これら電子部品に、外部からの電流(電力)を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。
発光素子10は、裏面にパターニングされた電極を有するFD素子であり、導電部材6a,6bと接続されて基材1上に載置されている。なお、裏面とは、基材1に載置したときに、基材1と対向する側の面である。
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子10とすることもできる。
封止部材3は、基材1に載置された発光素子10を、塵芥、水分、外力等から保護する部材である。図1(b)に示すように、発光素子10の上面(支持基板11の上面)は、封止部材3により、被覆されている。ここで、発光素子10の上面とは、基材1上に載置した状態における発光素子10の上方向の面をいう。そして、封止部材3は、蛍光体4と、発光素子10の上面に配置された複数の透明部材5とを含有する。言い換えれば、封止部材3は、蛍光体4を含有するとともに、発光素子10の上面に配置された透明部材5を被覆している。
蛍光体4は、波長変換部材として発光素子10からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材である。
蛍光体4の材料としては、例えばイットリウム、アルミニウムおよびガーネットを混合したYAG系蛍光体や、Eu,Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される、窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体等を用いることができる。例えば、青色発光素子においては、緑色乃至黄色を発光するYAG系蛍光体、LuAG系蛍光体、M2SiO4:Eu(MはSr,Ca,Ba等)のシリケート蛍光体との組み合わせや、更に演色性を高めるために、赤色を発光する蛍光体として、(Sr,Ca)AlSiN3:EuのようなSCASN系蛍光体、CaAlSiN3:EuのようなCASN系蛍光体や、SrAlSiN3:Eu等が所望の色調に適した組み合わせや配合比で用いられる。
これにより、斜め方向にEL光の透過量が大きくなるような領域を透明部材5の周囲に形成することができる。すなわち、蛍光体4は、透明部材5の周囲において、斜め方向にEL光を透過させ、EL光が直接出てくる領域ができるように隙間を形成して配置されている。斜め方向におけるEL光の透過量が大きくなることで、光の出射方向の違いによるEL光の透過量の差が少なくなる。これにより、配光色度のバラツキを小さくすることができる。
また、「少なくとも一部」とは、斜め方向のEL光が蛍光体4に当たらないような隙間が少なくとも一部に形成されていればよく、斜め方向のEL光が蛍光体4に当たる領域があってもよいことを意味する。また「一部」は、光の出射方向の違いによるEL光の透過量の差が、所望の程度に少なくなる程度であればよい。なお、斜め方向のEL光の透過量は、EL光全体の透過量に対して、例えば、80〜90%である。
また、「隙間を設けて配置」とは、蛍光体4同士が接触している箇所があってもよいが、所定の領域においては、EL光が蛍光体4に当たらないように、発光経路において離間した箇所を有するということである。この隙間は、EL光が通過できる幅でよいが、一例としては、0.5〜50μmである。
蛍光体4の粒径の測定方法は、光学顕微鏡や電子顕微鏡による観察や、光散乱法等で測定することが出来る。
透明部材5は、発光素子10からの光を透過させる部材である。また、蛍光体4を、発光素子10からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置させるための部材である。そして、透明部材5は発光素子10上に設けられている。
なお、ここでの「発光素子10上」とは、透明部材5が発光素子10の上面に直接配置されている場合(図2(a)、(b)参照)の他、発光素子10の上面に他の部材が設けられている場合には、この他の部材の上面に配置されている場合も含むものである(図2(c)参照)。
なお、透明部材層5aは、透明部材5と同一の材質であり、後記するように、インプリントにより透明部材5を形成する場合に、透明部材5を発光素子10の表面が露出するまでエッチングをせずに残存した樹脂である。
なお、後記する垂直構造型の素子においては、支持基板11は上面にはないため、発光素子20の上面を基準とする(図4(b)参照)。
なお、「同等」とは、屈折率が同一ということであるが、本発明の発光装置100において、その影響がほとんど差異のない程度のも、例えば、誤差の範囲内も含むものである。
バンプ19は、発光素子10の電極と基材1とを電気的に接続する部材である。
ここでは、発光素子10の電極の一部であるn側電極13と基材1とが導電部材6bを介してバンプ19により接続されている。
バンプとしては、従来公知のものを用いればよく、例えば、スタッドバンプやめっきバンプが挙げられる。スタッドバンプの材質としてはAuまたはその合金がよく用いられる。めっきバンプの材質としてはAuのみ、若しくはCu、またはNiをベースに表面をAuとした積層構造が用いられる。また積層構造の場合はバリア層として、Pd等が用いられる。更にリフロー実装等に対応するために、表面にAu−Sn等の共晶材料を形成する場合もある。
次に、本発明の第1の実施形態に係る発光装置の製造方法について、図3を参照するとともに、適宜、図1、2を参照しながら説明する。
ここでは、透明部材を塗布により形成する方法と、透明部材をパターニングにより形成する方法について説明する。
図3(a)に示すように、本発明に係る発光装置100の製造方法は、ダイボンディング工程S14と、封止部材形成工程S15と、を含む。また、ここでは、ダイボンディング工程S14の前に、発光素子製造工程S11、導電部材形成工程S12、金属部材形成工程S13を含む。以下、各工程について説明する。なお、発光装置100の構成については前記説明したとおりであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
発光素子製造工程S11は、基材1に載置する発光素子10を製造する工程である。この工程により、図1に示す構造の発光素子10を製造する。
また、発光素子製造工程S11は、導電部材形成工程S12あるいは金属部材形成工程S13の前に行なってもよく、後に行なってもよく、同時に行なってもよい。
導電部材形成工程S12は、基材1上に導電部材6a,6bを形成する工程である。
金属部材形成工程S13は、基材1上の導電部材6a,6b上に、ボンディング可能な金属部材を形成する工程である。
ダイボンディング工程S14は、金属部材を形成した後の基材1上(導電部材6a,6b上)に、発光素子10を載置して接合する工程である。
封止部材形成工程S15は、前記載置した発光素子10を封止部材3で被覆する工程である。すなわち、発光素子10を被覆する封止部材3を発光素子10上に塗布する。その後、加熱や光照射等によってこの部材を硬化することで、発光素子10を被覆する透光性の封止部材3を形成する。なお、封止部材3にレンズ機能をもたせる場合には、封止部材形成工程S15において、封止部材3の表面を盛り上がらせて砲弾型形状や凸レンズ形状とするレンズ形成工程を行なう。
まず、透明部材5を所定の濃度で樹脂に混ぜ、均一になるよう十分に攪拌する。この樹脂を、スピンコーターあるいはディスペンサーにより、要求した密度が得られるように一定の厚み(量)で発光素子10の支持基板11上に塗布する。そして、透明部材5が完全に沈降するまで所定時間保持する。次に、未硬化の状態で蛍光体4を含有した樹脂を塗布し、蛍光体4が沈降して所望の隙間を設けて配置されるまで一定時間保持する。ここで色調を調整する場合は濃度および厚み(塗布量)を管理する。次に、オーブン等で樹脂を硬化させる。
まず、透明部材5および蛍光体4を所定の濃度で樹脂に混ぜ、均一になるよう十分に攪拌する。この樹脂を、スピンコーターあるいはディスペンサーにより、要求した密度が得られるように所定の厚み(量)で発光素子の支持基板11上に塗布する。そして、透明部材5が完全に沈降するまで、さらに蛍光体4が沈降して所望の隙間を設けて配置されるまで一定時間保持する。このとき透明部材5の方が蛍光体4よりも比重が大きく沈みやすいので先に沈降する。次に、オーブン等で樹脂を硬化させる。
そして、封止部材形成工程S15の後、ダイサーでダイシングを行い、基材1を個片化する。
図3(b)に示すように、パターニングにより形成する方法では、ダイボンディング工程S14の前に、透明部材を形成する透明部材形成工程S91を行なう。そして、封止部材形成工程S15においては、蛍光体4を含有した樹脂を塗布する。その他については、塗布により形成する方法と同様である。
透明部材形成工程S91は、レジストパターンを形成した後、透明部材用の樹脂を塗布する選択塗布方法と、透明部材用の樹脂を塗布した後、レジストパターンを形成するエッチング方法がある。
発光素子10の裏面(支持基板11の裏面)を研削研磨し、支持基板11にレジストでパターンを形成する。次に、スピンコーターあるいはディスペンサーにより、透明部材用の樹脂を塗布する。次に、オーブン等で樹脂を硬化させる。そして、樹脂層が所望の厚みとなるように、レジストと一緒に切削する。その後、剥離液によりレジストを剥離する。そして、レーザスクライブ&ブレイク装置により、ウェハを個片化する。その後、ダイボンディング工程S14に移行する。
発光素子10の裏面(支持基板11の裏面)を研削研磨し、スピンコーターあるいはディスペンサーにより、支持基板11に透明部材用の樹脂を所望の厚みで塗布する。次に、レジストを塗布あるいは貼付し、マスクを用いて露光した後、現像することで、樹脂上にレジストパターンを形成する。そして、RIE(Reactive Ion Etching)等で樹脂層をエッチングする。その後、剥離液によりレジストを剥離する。そして、レーザスクライブ&ブレイク装置により、ウェハを個片化する。その後、ダイボンディング工程S14に移行する。
封止部材形成工程S15では、発光素子10の支持基板11に蛍光体4を含有した樹脂を塗布し、蛍光体4が沈降して所望の隙間を設けて配置されるまで一定時間保持する。ここで色調を調整する場合は濃度および厚み(塗布量)を管理する。次に、オーブン等で樹脂を硬化させる。
そして、封止部材形成工程S15の後、ダイサーでダイシングを行い、基材1を個片化する。
すなわち、前記に示す発光装置の形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明は、発光装置を前記の形態に限定するものではない。また、特許請求の範囲に示される部材等を、実施の形態の部材に特定するものではない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
第2実施形態では、垂直構造型の素子を用いた発光装置について説明する。なお、ここでは、前記した発光装置100の実施形態と主に異なる事項について説明する。
以下、各構成について説明する。ただし、基材1、導電部材6a,6b、封止部材3、蛍光体4、透明部材5、バンプ19については、前記第1実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
発光素子20は、上面にパターニングされたn側電極13を有し、裏面にp側電極14を有する垂直構造型の素子であり、導電部材6a,6bと接続されて基材1上に載置されている。
そして、p側電極14は、正極である導電部材6aと接続され、2つのn側電極13は、バンプ19を介して、それぞれ、負極である導電部材6bと接続されている。
ワイヤ7は、垂直構造型の素子における電極端子と、基材1上に配される導電部材6bの電極となる部位とを電気的に接続するものである。ここでは、ワイヤ7は、バンプ19を介して、それぞれ、2つのn側電極13の電極端子に接続されている。ワイヤ7の材料は、金、銅、白金、アルミニウム等の金属、および、それらの合金を用いたものが挙げられるが、特に、熱伝導率等に優れた金を用いるのが好ましい。
次に、本発明の第2の実施形態に係る発光装置の製造方法について、図5を参照するとともに、適宜、図2、4を参照しながら説明する。
ここでは、透明部材を塗布により形成する方法と、透明部材をパターニングにより形成する方法について説明する。
本発明に係る発光装置200の製造方法は、封止部材形成工程S24と、ダイボンディング工程S25と、を含む。また、第2実施形態では、垂直構造型の素子を用いるため、ワイヤボンディング工程S26を含む。また、ここでは、封止部材形成工程S24の前に、発光素子製造工程S21、導電部材形成工程S22、金属部材形成工程S23を含む。以下、各工程について説明する。なお、発光装置200の構成については前記説明したとおりであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
発光素子製造工程S21は、基材1に載置する発光素子20を製造する工程である。この工程により、図4に示す構造の発光素子20を製造する。
導電部材形成工程S22は、基材1上に導電部材6a,6bを形成する工程である。この工程については、前記した第1実施形態と同様である。
金属部材形成工程S23は、基材1上の導電部材6a,6b上に、ボンディング可能な金属部材を形成する工程である。この工程については、前記した第1実施形態と同様である。
封止部材形成工程S24は、発光素子20を封止部材3で被覆する工程である。すなわち、発光素子20を被覆する封止部材3を発光素子20上に塗布する。その後、加熱や光照射等によってこの部材を硬化することで、発光素子20を被覆する透光性の封止部材3を形成する。
まず、第1実施形態で述べたバンプ19の形成方法(Auスタッドバンプの形成方法)により、n側電極13上にバンプ19を設ける。次に、透明部材5を所定の濃度で樹脂に混ぜ、均一になるよう十分に攪拌する。この樹脂を、スピンコーターあるいはディスペンサーにより、要求した密度が得られるように所定の厚み(量)で発光素子20上に塗布する。そして、透明部材5が完全に沈降するまで一定時間保持する。次に、未硬化の状態で蛍光体4を含有した樹脂を塗布し、蛍光体4が沈降して所望の隙間を設けて配置されるまで一定時間保持する。ここで色調を調整する場合は濃度および厚み(塗布量)を管理する。次に、オーブン等で樹脂を硬化させる。さらに、ワイヤボンディングエリアの形成のために、バンプ19の頭出しが出来るところまで、樹脂層を切削あるいは研磨する。なお、ここで色調調整をする場合は切削量を調整する。そして、レーザスクライブ&ブレイク装置により、ウェハを個片化する。
まず、Auスタッドの形成方法により、n側電極13上にバンプ19を設ける。次に、透明部材5および蛍光体4を所定の濃度で樹脂に混ぜ、均一になるよう十分に攪拌する。この樹脂を、スピンコーターあるいはディスペンサーにより、要求した密度が得られるように所定の厚み(量)で発光素子20上に塗布する。そして、透明部材5が完全に沈降するまで、さらに蛍光体4が沈降して所望の隙間を設けて配置されるまで一定時間保持する。このとき透明部材5の方が蛍光体4よりも比重が大きく沈みやすいので先に沈降する。次に、オーブン等で樹脂を硬化させる。さらに、ワイヤボンディングエリアの形成のために、バンプ19の頭出しが出来るところまで、樹脂層を切削あるいは研磨する。なお、ここで色調調整をする場合は切削量を調整する。そして、レーザスクライブ&ブレイク装置により、ウェハを個片化する。
ダイボンディング工程S25は、金属部材を形成した後の基材1上(導電部材6a上)に、封止部材3で被覆した発光素子20を載置して接合する工程である。その他については、前記した第1実施形態と同様である。
ワイヤボンディング工程S26は、基材1と前記載置した発光素子20の電極とをワイヤ7により電気的に接続する工程である。すなわち、導電部材6bの電極となる部位と、発光素子20上部にあるn側電極13の電極端子とを、ワイヤ7で電気的に接続する工程である。ここでは、バンプ19を介してn側電極13と接続する。ワイヤ7の接続方法は、特に限定されるものではなく、通常用いられる方法で行えばよい。なお、封止部材3にレンズ機能をもたせる場合には、このワイヤボンディング工程S26の後に、封止部材3の表面を盛り上がらせて砲弾型形状や凸レンズ形状とするレンズ形成工程を行なう。
そして、ワイヤボンディング工程S26の後、ダイサーでダイシングを行い、基材1を個片化する。
パターニングにより形成する方法では、封止部材形成工程S24の前に、透明部材を形成する透明部材形成工程S92を行なう。そして、封止部材形成工程S24においては、蛍光体4を含有した樹脂を塗布する。その他については、塗布により形成する方法と同様である。
透明部材形成工程S92は、レジストパターンを形成した後、透明部材用の樹脂を塗布する選択塗布方法と、透明部材用の樹脂を塗布した後、レジストパターンを形成するエッチング方法がある。
レジスト塗布あるいは貼付し、マスクを用いて露光した後、現像することで、発光素子20の上面にレジストでパターンを形成する。次に、スピンコーターあるいはディスペンサーにより、透明部材用の樹脂を塗布する。次に、オーブン等で樹脂を硬化させる。そして、樹脂層が所望の厚みとなるように、レジストと一緒に切削する。その後、剥離液によりレジストを剥離する。さらに、発光素子20上のワイヤボンディングエリアにバンプ19,19を形成する。
スピンコーターあるいはディスペンサーにより、発光素子20の上面に透明部材用の樹脂を所望の厚みで塗布する。次に、レジスト塗布あるいは貼付し、マスクを用いて露光した後、現像することで、樹脂上にレジストパターン形成する。そして、RIE等で樹脂層をエッチングする。その後、剥離液によりレジストを剥離する。さらに、発光素子20上のワイヤボンディングエリアにバンプ19を形成する。
なお、前記のとおり、パターニングにより透明部材を形成する場合、透明部材5をナノインプリント等のインプリントにより形成してもよい。
封止部材形成工程S24では、発光素子20上に蛍光体4を含有した樹脂を塗布し、蛍光体4が沈降するまで一定時間保持する。ここで色調を調整する場合は濃度および厚み(塗布量)を管理する。次に、オーブン等で樹脂を硬化させる。さらに、ワイヤボンディングエリアの形成のために、バンプ19の頭出しが出来るところまで、樹脂層を切削あるいは研磨する。なお、ここで色調調整をする場合は切削量を調整する。
その他の変形例として、例えば、発光素子10の他の形態として、図6(a)、(b)に示すような構造の発光素子10A,10Bとしてもよい。また、発光素子20の他の形態として、例えば、図7(a)、(b)に示すような構造の発光装置20A,20Bとしてもよい。
その他、透明部材5は、発光素子10、20の上面に一段に配置されている場合の他、透明部材5が積層しているように、2段以上で配置されていてもよい。
3 封止部材
4 蛍光体
5 透明部材
6a,6b 導電部材
7 ワイヤ
10,10A,10B,20,20A,20B 発光素子
11 基板(支持基板)
12 半導体層
13 n側電極
14 p側電極
15 反射電極
16 カバー電極
17 保護膜
18 電流狭窄(誘電体)
19 バンプ
21 ウェハ貼り合わせ層
30 EL光
100,200 発光装置
G 溝部
H 最大高さ
W 最大幅
Claims (11)
- 基材と、前記基材上に載置された発光素子と、前記発光素子を被覆する封止部材と、を備える発光装置であって、
前記封止部材は、蛍光体と、複数の透明部材とを含有し、
前記透明部材は、前記発光素子上に設けられ、
前記封止部材において、前記透明部材の含有量は、前記発光素子側の方が、出射側である発光装置の上方側よりも多く、
前記各透明部材の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、前記蛍光体の粒径の1倍を超え3倍未満であり、
前記透明部材の含有量が、前記封止部材に対して10〜78体積%であり、
前記透明部材と前記蛍光体との体積比率(透明部材量/蛍光体量)が0.2〜10であり、
前記蛍光体は、前記発光素子からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置されていることを特徴とする発光装置。 - 前記蛍光体の粒径が、1〜20μmであることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記透明部材の屈折率が、前記封止部材の屈折率と同等であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 前記発光素子の電極と前記基材とが、バンプを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
基材上に、発光素子を載置するダイボンディング工程と、
前記載置した発光素子を封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記ダイボンディング工程の前に、前記発光素子上に、パターニングにより透明部材を形成する透明部材形成工程を行なうことを特徴とする請求項5に記載の発光装置の製造方法。
- 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
発光素子を封止部材で被覆する封止部材形成工程と、
前記封止部材で被覆した発光素子を基材上に載置するダイボンディング工程と、
前記基材と前記載置した発光素子の電極とをワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記封止部材形成工程の前に、前記発光素子上に、パターニングにより透明部材を形成する透明部材形成工程を行なうことを特徴とする請求項7に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透明部材をインプリントにより形成することを特徴とする請求項6または請求項8に記載の発光装置の製造方法。
- 基板の第1主面上に、n型半導体層と、活性層と、p型半導体層とをこの順に積層する発光素子製造工程と、
前記発光素子製造工程の後に、前記基板の第1主面とは反対側の第2主面上に、パターニングにより透明部材を形成する透明部材形成工程と、
導電部材が形成された基材を準備し、前記基材上に前記透明部材を形成した発光素子を載置するダイボンディング工程と、
前記ダイボンディング工程の後に、前記透明部材を蛍光体が含有された封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含み、
前記透明部材形成工程において、前記パターニングは、インプリントにより形成し、
前記各透明部材の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、前記蛍光体の粒径の1倍を超え3倍未満であることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 基板の第1主面上に、n型半導体層と、活性層と、p型半導体層とをこの順に積層する発光素子製造工程と、
導電部材が形成された基材を準備し、前記基材上に前記発光素子を載置するダイボンディング工程と、
前記ダイボンディング工程の後に、前記基板の第1主面とは反対側の第2主面上を、蛍光体および透明部材が含有された封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含み、
前記封止部材に含有された前記蛍光体および前記透明部材を沈降させ、その後、前記封止部材を硬化させるものであり、
前記各透明部材の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、前記蛍光体の粒径の1倍を超え3倍未満であることを特徴とする発光装置の製造方法。
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