JP2013110227A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 基材と、前記基材上に載置された発光素子と、前記発光素子を被覆する封止部材と、を備える発光装置であって、
   前記封止部材は、蛍光体と、複数の透明部材とを含有し、
   前記透明部材は、前記発光素子上に設けられ、
   前記各透明部材の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、前記蛍光体の粒径の１倍を超え３倍未満であり、
   前記透明部材の含有量が、前記封止部材に対して１０〜７８体積％であり、
   前記透明部材と前記蛍光体との体積比率（透明部材量／蛍光体量）が０．２〜１０であり、
   前記蛍光体は、前記発光素子からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置されていることを特徴とする発光装置。
2. 前記蛍光体の粒径が、１〜２０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記透明部材の屈折率が、前記封止部材の屈折率と同等であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
4. 前記発光素子の電極と前記基材とが、バンプを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
   基材上に、発光素子を載置するダイボンディング工程と、
   前記載置した発光素子を封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
6. 前記ダイボンディング工程の前に、前記発光素子上に、パターニングにより透明部材を形成する透明部材形成工程を行なうことを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
7. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
   発光素子を封止部材で被覆する封止部材形成工程と、
   前記封止部材で被覆した発光素子を基材上に載置するダイボンディング工程と、
   前記基材と前記載置した発光素子の電極とをワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
8. 前記封止部材形成工程の前に、前記発光素子上に、パターニングにより透明部材を形成する透明部材形成工程を行なうことを特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記透明部材をインプリントにより形成することを特徴とする請求項６または請求項８に記載の発光装置の製造方法。
10. 基板の第１主面上に、ｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とをこの順に積層する発光素子製造工程と、
    前記発光素子製造工程の後に、前記基板の第１主面とは反対側の第２主面上に、パターニングにより透明部材を形成する透明部材形成工程と、
    導電部材が形成された基材を準備し、前記基材上に前記透明部材を形成した発光素子を載置するダイボンディング工程と、
    前記ダイボンディング工程の後に、前記透明部材を蛍光体が含有された封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含み、
    前記透明部材形成工程において、前記パターニングは、インプリントにより形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
11. 基板の第１主面上に、ｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とをこの順に積層する発光素子製造工程と、
    導電部材が形成された基材を準備し、前記基材上に前記発光素子を載置するダイボンディング工程と、
    前記ダイボンディング工程の後に、前記基板の第１主面とは反対側の第２主面上を、蛍光体および透明部材が含有された封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含み、
    前記封止部材に含有された前記蛍光体および前記透明部材を沈降させ、その後、前記封止部材を硬化させることを特徴とする発光装置の製造方法。