JPH01312875A - 化合物半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は化合物半導体発光素子に関し、特に電流注入型
の化合物半導体発光素子に関する。

（従来の技術） 硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）等のＩ
Ｉ−Ｖｌ族化合物半導体は、青色発光ダイオード及び半
導体レーザを含む短波長から可視光全域に亙る化合物半
導体発光素子を構成するのに広く用いられている。これ
らの■−■族化合物半導体を用いて構成した従来の化合
物半導体発光素子の一例を第２図に示す。

この第２図には、電流注入型のＺｎＳ発光層、ＺｎＳ高
抵抗型注入層、及びＺｎＳ導電層を有する金属−絶縁体
一半導体（ＭＩＳ）構造の発光素子の断面図が示されて
いる。低抵抗化されたｎ型ＺｎＳ単結晶基板５１上には
、エピタキシャル成長により低抵抗ｎ型ＺｎＳ導電層５
２及び低抵抗ｎ型ＺｎＳ発光層５３が形成されている。

ＺｎＳ発光層５３上には、同じくエピタキシャル成長に
よりキャリア注入のための高抵抗ＺｎＳ注入層５４が形
成されている。ＺｎＳ単結晶基板５１の下面側にはＩｎ
又はｌｎ−Ｈｇ等よりなるオーミック接触された電極５
０が、他方、注入ｆｆ１５４上には、Ａｕ、Ｐｔ等より
なる電極５５が形成されている。

上記発光素子の製造に際しては、ＺｎＳ単結晶基板５１
は、例えば沃素を用いたハロゲン輸送法により育成した
高抵抗ＺｎＳバルク単結晶を１０００”Ｃ程度の高温に
保ったＺｎ−Ａｌ　（９０：　１０）の融液中で約１０
０時間程度の長時間に亙る熱処理を行うことにより、そ
の抵抗率を１０〜１Ω・ｃｍまで低抵抗化することによ
り形成されている。ＺｎＳ単結晶基板５１上の上記３層
からなるエピタキシャル成長層は、分子線エピタキシャ
ル成長（ＭＢＥ）法により形成されている。この内の導
電層５２及び発光層５３には、Ａ１又はＣ１を中心とし
た■族元素或いは■族元素からなるｎ型の不純物が１０
１６〜１０２１１ｃｍ−３程度添加されており、それら
の抵抗率は１０’〜１０−３Ω・Ｃｍとされている。即
ち、導電層５２及び発光層５３は、ＺｎＳ単結晶基板５
１に比べて最大で１０４程度ら低い抵抗率を有する高品
質エピタキシャル単結晶により構成されている。

ｎ型のＺｎＳ単結晶基板５１の下面側にオーミック接触
に形成されるｔｉ５０は、Ｉｎ又はｌｎ−Ｈｇ合金を用
い、高純度ガス雰囲気中で４５０°Ｃ１約３０秒程度の
熱処理を経て形成される。

尚、絶縁層であるキャリア注入層５４をｎ型のＺｎＳ″
′Ｃ′構成したｐｎ型の注入型発光素子の場合には、電
ｉ５５のＡｕがオーミック電極として作用する点が異な
り、他は同様である。

（発明が解決しようとする課題） 上述のようなＺｎＳ等を用いたＭＩＳ型、又はｐｎ型の
従来の注入型化合物半導体発光素子に於いては、非注入
側と定義される低抵抗導電層５２がその上に形成されて
いる低抵抗化ＺｎＳ単結晶基板５１へ電極を付与するに
は、基板５１用のＺｎＳ単結晶を、上述の様に１０００
’Ｃ及び１００時間に亙る低抵抗化のための熱処理加工
しなければならない、また、このｎ型ＺｎＳ単結晶基板
５１に電極を形成するために、発光層５３を含むエピタ
キシャル成長層の形成温度と同程度又はそれより高い温
度での熱処理も必要である。

更に、発光素子全体の抵抗のうち、発光層５３及び導電
層５２の抵抗（１０−３〜１０−４Ω）に比べて、Ｚｎ
Ｓ基板５１部分の抵抗（１〜１０Ω）が非常に高いため
、発光素子の半導体部分における損失の大部分がＺｎＳ
単結晶基板５１中で生じている。また、ＺｎＳ基板５１
の抵抗を充分に低くすることは困難であるので、モノリ
シック表示素子を構成する場合、或いは大面積表示素子
を構成する場合には各画素に対する電流路が基板５１中
に於いて形成されているので、更に大きな直列抵抗が形
成されるという問題もある。

よって、本発明の目的は、上記したような煩雑かつ長時
間に渡る熱処理を不要とし、それによって製造プロセス
を大幅に簡略化することができ、しかも基板に起因する
抵抗損失を大幅に低減し得ることが可能な構造を備えた
化合物半導体発光素子を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明の化合物半導体発光素子は、半導体基板と、該半
導体基板上に形成され、発光領域を有する半導体積層構
造とを有する化合物半導体発光素子であって、該半導体
積層構造上に、電流注入用電極、及び該電流注入用電極
と対をなす他の電流注入用電極が形成されており、その
ことにより上記目的が達成される。

本発明の化合物半導体発光素子は上述のように、半導体
基板の上に形成された、発光領域を有する半導体積層構
造の上に対をなす電極が形成されている。従って、本発
明に依れば、例えばＭＩＳ型又はｐｎ接合型の構造を有
する化合物半導体発光素子に於いて、発光層の上に形成
される注入層、又は注入発光層（絶縁層、ρ型層又はｎ
型層）上に両極となる対をなす電極の双方を形成し、一
方の電極を順バイアス状態、他方の電極を逆バイアス状
態に於いて動作（Ｚｅｎｅｒ動作）させることができる
。

半導体基板の上に形成される半導体積層構造は、導電層
、発光層及び注入層を順次積層した構造、或いは導電層
と発光注入層との積層構造とするのが好適である。この
ような構成の場合には、対をなす電極直下の領域、即ち
注入層及び発光層又は注入発光層が形成している電流路
領域に於ける層厚を、その下方に位置する導電層が形成
している電流路に比べて充分薄く設定するのが好ましい
。

或いは、注入層及び発光層又は注入発光層の抵抗率を導
電層の抵抗率よりも充分に高く設定するようにしてもよ
い、そのような構成とすることによって、注入層と発光
層の水平方向層内抵抗、又は注入発光層内の水平方向層
内抵抗を、導電層内の水平方向抵抗よりも充分に高く設
定することができる。このような構成とする場合、両電
極に電圧が印加された際に形成される電流路は、注入層
及び発光層、又は注入発光層内の水平方向に於いては無
視することができ、実質的には一方の電極から導電層ま
で垂直に伸び、導電層を経て他方の電極へ垂直方向に伸
びるように形成されることになる。従って、対をなす両
電極により、対画素として構成される発光素子が形成さ
れる。尚、上述の注入層及び発光層の水平方向層内抵抗
、又は注入発光層内の水平方向層内抵抗を高くするため
の上述の２種の構成を併用すれば、より効果的である。

また、ＭＩＳ型構造を有する発光素子に適用した場合に
は、注入層が高抵抗層であり、対牙なすｔ８ｉ１間の絶
縁即ち水平方向の抵抗が極めて高くなるので、理想的な
構成となる。もつとも、ｐｎ接合構造の素子に適用した
場合に於いても、上記した設定条件内では両電極間の分
離は良好である。

即ち、ｐｎ接合部と平行な層内に於ける漏れ電流は無視
することができる。更に、両電極間に分離絶縁層を形成
すれば、より理想的な特性を得ることができる。

また、ｐｎ接合構造の素子では、動作時の逆バイアス側
電極では降伏点を越えるバイアス印加電圧が加えられた
状態で、外部より制限された一定の値の電流が流れるこ
とにより、順方向接合並びに逆方向接合で再結合発光が
生じる。印加電圧が交流の場合には、逆バイアス接合部
は主として容量性インピーダンスとして電流を流すため
、直流の場合よりもさらに電流値の制御範囲を広くする
ことができる。

ＭＩＳ型及びｐｎ接合型の何れの構造の発光素子に於い
ても、導電層の特性（特に抵抗）と外部電極線の抵抗は
素子の寸法及び形状に応じて広い範囲で設定することが
できる。従って、本発明に依れば、モノリシック多画素
発光表示素子、大面積発光表示装置等に適した発光素子
の基本的構造が提供される。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。

第１図は、本発明の第１の実施例の断面図である。この
実施例はＺｎＳ　　ＭＩＳ型発光発光素子用したもので
ある。絶縁性ＺｎＳ単結晶基板１上に低抵抗ｎ型ＺｎＳ
エピタキシャル導電層２が形成されている。導電層２上
には、低抵抗ｎ型ＺｎＳエピタキシャル発光層３が、発
光層３上にはキャリア注入用の高抵抗ＺｎＳエピタキシ
ャル注入層４が形成されている。注入層４の上には両極
を構成するための１対の電流注入用型８ｉ！５ａ、５ｂ
が形成されている。これらの電極は、例えばＡｕのよう
な金属材料により構成されている。

ＺｎＳ単結晶基板１上の各半導体層、すなわち導電層２
、発光層３及び注入層４は、ＭＢＥ法又は有機金属気相
成長法（ＭＯＶＰＥ法）を用いて形成されている。より
具体的には、厚み約３００μｍのＺｎＳ単結晶基板１上
に、１０−２Ω−ｃｍ以下の抵抗率を有し、膜厚が１〜
２０μｍ、キャリア濃度が１０　”−１０”ｃ　ｍ−３
の範囲であり、且つ発光層３の絶縁層側から測定した抵
抗が１０Ω以下となるように、導電層２を形成した６発
光層３は、層厚が０．５〜５μｍ、キャリア濃度が１０
　”〜１０１８ｃ　ｍ−３程度となるようにした。高抵
抗層である注入層４は、その厚みが２〜５０ｎｍとなる
ようにした。

低抵抗化するために、導電層２及び発光層３にはｎ型不
純物としてＡＩ又はＣＩ等を含む■族元素（ＡＩ、Ｇａ
、Ｉｎ、ＴＩ）又は■族元素を添加したく１０１７〜１
０１０２ＩＩ″３）、特に、発光層３に対しては、上記
のｎ型不純物に加えて、１０％以下の相対濃度のＩ族元
素（Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等）、及び■族元素（Ｎ、Ｐ、Ａ
ｓ、Ｓｂ等）の双方を添加することにより、高輝度青色
発光素子、緑色発光素子が得られた。また、発光層３の
みに数十％のＳｅを更に添加することにより、赤色発光
素子を製作することができた。

高抵抗層であるキャリア注入層４は、通常は不純物を添
加することなく得ることができたが、特に膜厚が薄い場
合には、高抵抗化のために、Ｓｉ、Ｇｅ等の■族の元素
、Ｉ族元素、■族元素、■族元素又は■族元素を組み合
わせることによって補償させて添加すれば、より充分に
高抵抗化を行うのに好適である。

このようにして作製された、導電層２にＡＩを添加し、
そのキャリア濃度をＩ　Ｘ　］　００１９ｃｍ−３膜厚
を５μｍ、発光層３にＡ１を添加し、そのキャリア濃度
を５Ｘ１０”ｃｍ−３、膜厚を２．０μｍ、キャリア注
入層４は無添加又はＳｉ添加とし、その膜厚ｆ！−３０
ｎｍ、素子寸法を３ｍｍＸ３ｍｍ、電極の５８．５ｂの
径を０．５ｍｍφ、それら電極間の間隔を１ｍｍ〜０．
５ｍｍとした発光素子を例にとると、該発光素子に交流
を印加することにより電圧１０〜１５Ｖ、電流値１０μ
Ａ程度より青色発光を開始し、発光は電極下で均一であ
ることが認められた。また、電流値を１ｍＡ程度まで増
大させても、極めて安定に画電極下で高輝度発光を示し
た。

このような第１の実施例から明らかなように、従来と異
なる電８ｉｉ構成を有する高輝度のＺｎＳ　ＭＩＳ型発
光発光素子現し得ることがわかる。上述の素子構造では
、Ｚ　ｎ　Ｓ　ｘ　Ｓ　ｅ　ｌ−Ｘ、Ｚｎ５ｅ、ＪＴｅ
＋−ｕ、又はＺｎＳ、Ｔｅａ−、等を代わりに用いても
同様の高輝度発光素子を構成することができる。

また１発光Ｎ３への共添加不純物が、Ａ１１度の１０分
の１程度のＡｇである場合には、青色発光の強度が更に
１桁程増大した。同様に、Ａ１濃度の１０分の１程度の
Ｃｕを添加した場合には、発光ピークが５３０ｎｍ付近
の強い緑色発光を示した。

第３図は、本発明の第２の実施例を示す断面図である。

この第２の実施例は、本発明をｐｎ接合型の精造を有す
る発光素子に適用したものである。

第３図に於いて、絶縁性ＺｎＳ単結晶基板１０上に、低
抵抗ｎ型ＺｎＳ導電層１１が形成されている。ＺｎＳ導
電層１１上には、低抵抗ｎ型ＺｎＳ発光層１２及びｐ型
ＺｎＳ注入層１３が形成されている。ｐ型ＺｎＳ注入層
１３上には、Ａｕ又はｐｔ等の金属材料よりなる電極１
４ａ、１４ｂが形成されている。尚、符号１５は電極間
を分離するための分離絶縁層を示す。

ｐ型注入層１３には、■族元素、■族元素、■族元素（
Ｔ１）又は■族元素（Ｓｉ、Ｇｅ）を１０１８〜１０”
ｃｍ−３の濃度で添加した。■族元素（Ｎ、Ｐ、Ａｓ、
Ｓｂ）の添加は、次のような場合に特に有効であった。

即ち、（ａ）基板１０がら充分に離れた位置に配置した
電子衝撃フィラメント中を通過させた後にビームが成長
層上に照射されるようにした場合、（ｂ）１５ｋＶ以下
の電子線照射を同時に行った場合、或いは（ｃ）波長３
５０　ｎｍ以下の紫外光（１０ｍＷ／ｃｍ２／ｎｍ）を
照射した場合に有効であった。

ｐ型注入層１３の厚みは２〜３μｍとし、他の層の厚み
は第１の実施例と同様とした。上記のようにして得られ
たｐｎ型発光素子についても、第１の実施例と同様に発
光した６発光輝度は、第１の実施例＜ＭＩＳ型）に比べ
て、１０〜１００倍程度高かった。尚、第１及び第２の
実施例の何れに於いても、逆方向バイアス電圧が印加さ
れた電極の下方部分に於いても発光が見られた。

第２の実施例では、印加電圧は５〜１０Ｖであり、電流
は第１の実施例より相当多いため、通常、外部より１０
０μＡ〜１００ｍＡの範囲の電流値で電流制御すること
により発光輝度制御を行う。

第２の実施例は、他のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、例え
ばＺｎ５ｅ並びに固溶体を用いた構造にも適用すること
ができる。

第４図は、本発明の第３の実施例を説明するための図で
あり、第１の実施例の構造を有する発光素子を多数用い
て形成した発光表示装置の電極側から見た略図的平面図
である。

第４図に於いて、符号２０は注入用の高抵抗のＺｎＳ注
入層を示している。また、符号２１Ａ及び２１Ｂは、発
光画素を形成するための電極を示している。各型！２１
Ａ、２１Ｂ及びその下方に形成されている注入層等によ
って発光単位（画素）がそれぞれ構成されており、対を
なしている画電極２１Ａ及び２１Ｂによって対をなす画
素が形成されている。それらの対をなすｔ極２ＬＡ及び
２１Ｂに交流電圧が印加されることより電流が注入され
て、該画素が駆動され、発光する０両電極２１Ａ、２１
Ｂには電流を供給するためのリード線２２ａ、２２ｂが
それぞれ接続されている。該リード線２２ａ、２２ｂを
介して、外部電源により、電流値を制御し、それによっ
て発光輝度（階調）を制御することが可能である９ 本実施例では、並列に多数並べられた個々の画素が同様
に駆動されることにより、発光表示が行われる。この表
示装置における個々の発光画素は、１０〜１５Ｖで駆動
することができる。従って、例えば、このような画素の
５〜１０個を直列に接続しな構成とすれば、家庭用の商
用電源のような一般の１００Ｖ電源を用いて、極めて簡
易な構造であり且つ高機能の表示用発光装置を構成する
ことができる。

また、このような多画素発光表示装置は、数字を表示す
るための７セグメント発光素子（各々のセグメントが２
分割された素子）、或いは他の文字表示用の発光素子と
しても同様に用いることができる。

第３の実施例では、対をなす電極により形成される対と
なる画素を合わせた寸法を１ｍｍＸ１ｍｍ角程度とした
場合、十分な点状光源とみなすことが可能である。また
、駆動交流電圧が、半波整流されている場合等の実質的
に直流とみなすことができる場合には、画素からの発光
強度が半分となる。更には、離れた画素間をリード！２
２ａ、２２ｂによって連結することにより、任意の位置
で発光するという特別の発光機能を有する発光装置を構
成することもできる。同様に、素子を直並列接続するこ
とにより１１種々の発光態様を有する発光装置を構成す
ることができる。

第５図は、本発明の第４の実施例を説明するための要部
を拡大した略図的平面図である７本発明の発光素子は、
本質的には対称型の構造を有するので、対をなす電極部
分で形成される対画素（２画素）が同時に発光する。よ
って、マトリクス表示装置を構成するためには、特別な
配置を必要とする。第５図に示す第４の実施例は、この
よつなマトリクスを構成するための一つの例を説明する
ものであり　発光素子自体の構成は前述の第１〜第３の
実施例のいずれを用いることも可能である。

第５図に於いて、符号３０は素子上部の注入用の高抵抗
層　ｐ型層又はｎ型層を示す、また、符号３１Ａ及び３
１Ｂは５発光画素を形成する対をなす電極を示す、この
ような対画素がマトリクス状に配列されている。多数の
電極線Ｘ１、Ｘ２、・・・Ｘｏ・・・及びＹ４、Ｙ２、
・・・Ｙ、、・・・が縦横に配列されており、各列又は
行に沿う各電極に接続されている。

電極３１Ａ、３１Ｂには電極線Ｘ２、￥２がそれぞれ接
続されており、この対画素を単位発光素子として駆動す
るようにさねている１通電すべき電極線Ｘ４、Ｘ２、・
・・二く。・・・及びＹ３、Ｙ２．・・・Ｙ、・・・を
適宜に選択することにより、他の任意の座標位置に形成
されたマトリクス対画素（例えば３３Ａ、３３Ｂで示す
電極で構成される対画素）を駆動することができる。こ
のようにして、単一発光装置としては、５ｍｍＸ５ｍｍ
　（対画素数で１００）程度から、２５ｍｍｘ２５ｍｍ
程度の寸法を有するマトリクス表示装置を構成すること
ができる。

第４の実施例で示したマトリクス表示装置では。

青色、緑色及び赤色の発光素子を構成することが容易で
あり、極めて高品質の画像表示装置を実現することがで
きる。

尚、第１〜第４の実施例に於いて５基板結晶として高抵
抗のＧａＡｓ基板等を用いることも可能である。その場
合には、導電層と基板との間の緩衝層を充分な厚さにす
ることにより、或いは発光素子を例えばＺ　ｎ　ＳＢ、
６６Ｓ　ｅ　＠、ｇ、により形成することにより、高品
質の発光素子を構成することができる。また、マ）・リ
クスアドレス用の電極線を絶縁層で分離し、薄膜回路中
に埋設することも可能である。このような実施例を第６
図を雫照して説明する。

第６図の実施例に於ける素子間の配線は、原理的には第
５図に示した実施例と同様である。絶縁性のＺｎＳ透明
基板４０上に、低抵抗のＺｎＳエピタキシャル導電層４
１が形成されている。導電層４１上には、ＺｎＳエピタ
キシャル発光Ｍ４２及び高抵抗のｐ型注入層４３が形成
されている。

注入層４３上に、対をなす電極４４Ａ、４４Ｂが形成さ
れている。電１４４Ｂはアドレス用埋込電極線Ｙ。に接
続されている。また、図示されていないが、電極４４Ａ
は紙面に垂直な方向に設置されたアドレス用埋込電極線
Ｘ１に接続されている。各電極線Ｘ、・・・Ｘ、、・・
・及び￥１・・・Ｙ、、・・・の間は、例えばポリイミ
ドからなる絶縁層４６により絶縁されている。

第６図に示す実施例では、マトリクス駆動用の埋込電極
線Ｘ、・・・Ｘｏ・・・及びＹ、・・・Ｙ、・・と、絶
縁層４６とは、フォトレジストを用いた通常の多工程の
エツチングプロセスにより形成されている０本発光素子
では、基板４０が透明絶縁体であり、発光は基板側から
取り出される。

本実施例の発光素子の構造は、昇華法又は高圧溶融引上
法により得た透明な絶縁性Ｚｎ５ｅ基板を用いることに
よっても同様に構成することができる。

尚、上述の第１〜第４の実施例の何れに於いても、他の
ｍ−ｖ族化合物半導体、例えばＧａＮ、ＡＩＮ、ＢＮ、
又は■族元素半導体、例えばＣ（ダイアモンド）等を用
いても同様の効果を得ることができる。

（発明の効果） このように、本発明によれば、発光領域を有する半導体
積層構造上に対をなす電極が形成されているので、絶縁
性の化合物半導体のバルク単結晶をそのまま基板として
用いることができる。即ち、従来例では、基板側に一方
の電極を形成する必要があったので、バルク単結晶基板
の高温且つ長時間に亙る熱処理による低抵抗化プロセス
、並びにその後に行われる低抵抗化結晶への比較的高温
の熱処理による電極形成プロセス等を実施しなければな
らなかったのに対し、本発明では、基板側には電極が形
成されないので、そのような煩雑なプロセスを省略する
ことが可能となる。従って、化合物半導体発光素子の製
造プロセスを大幅に簡略化することができ、少なくとも
青色発光を含み、さらに緑色及び赤色発光を含む種々の
可視光発光半導体装置を安価に且つ簡単に得ることが可
能となる。

また、基板側に電極を形成しないので、基板に起因する
抵抗損失も大幅に低減される。

更に、本発明により提供される半導体発光素子は基本的
に交流動作が可能であるため、簡単な制御回路及び昇降
回路又は素子の直並列接続技術により、一般の商用１０
０Ｖ電源又は２００Ｖ電源により容易に動作可能な表示
装置分構成することができる。このように、本発明の化
合物半導体発光素子は、家庭用、屋内用、屋外用、交通
用等の用途を問わず、簡単に使用し得る実用性の高いも
のである。

、・・　　　の　　ｔ；　日 第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
従来の電流注入型発光素子の構造を説明するための断面
図、第３図は本発明の第２の実施例を示す断面図、第４
図は本発明の第３の実施例を説明するための概略平面図
、第５図は本発明の第４の実施例を説明するための部分
拡大平面図、第６図は本発明の第５の実施例を説明する
ための断面図である。

１・・・ＺｎＳ単結晶基板、２・・・低抵抗ｎ型ＺｎＳ
導電層、３・・・低抵抗ｎ型ＺｎＳ発光層、４・・・高
抵抗ＺｎＳ注入層、５ａ、５ｂ・・・注入用電極、１０
・・・ＺｎＳ基板、１１・・・低抵抗ｎ型ＺｎＳ導電層
、１２・・・低抵抗ｎ型ＺｎＳ発光層、１３・・・ｐ型
ＺｎＳ注入層、１４ａ、１４　ｂ　・・・電極、２０−
・・高抵抗ＺｎＳ注大層、２１Ａ、２１Ｂ−を極、３０
・・・注入層、３１Ａ、３１Ｂ・・・電極、３３Ａ、３
３Ｂ・・・電極、４０・・・ＺｎＳ基板、４１・・・低
抵抗ｎ型ＺｎＳエピタキシャル導電層、４２・・・Ｚｎ
Ｓエピタキシャル発光層、４３・・・高抵抗ｐ型ＺｎＳ
注入層、４４　Ａ、４４Ｂ・・・電極、Ｘ、〜Ｘ７１、
Ｙ１〜Ｙ、・・・電極線。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板と、該半導体基板上に形成され、発光領
   域を有する半導体積層構造とを有する化合物半導体発光
   素子であつて、 該半導体積層構造上に、電流注入用電極、及び該電流注
   入用電極と対をなす他の電流注入用電極が形成されてい
   る化合物半導体発光素子。