JPH08274369A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
発光素子及びその製造方法Info
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- JPH08274369A JPH08274369A JP9792295A JP9792295A JPH08274369A JP H08274369 A JPH08274369 A JP H08274369A JP 9792295 A JP9792295 A JP 9792295A JP 9792295 A JP9792295 A JP 9792295A JP H08274369 A JPH08274369 A JP H08274369A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数波長の発光素子を単一の基板上に形成す
る。 【構成】 ＳiドープのＧaＮ層１０３及びＡlＧaＮ層１
０４から成るｎ導電型層、ＺnドープのＩnＧaＮ１０５
から成る活性層、及び、ＭgドープのＡlＧaＮ１０６及
びＧaＮ層１０７から成るｐ導電型層を含むダイオード
部１１９、１２０を、単一の基板１０１上に複数積層し
て形成する。各ダイオード部１１９、１２０の分離に
は、高抵抗ＧaＮ層１０７を用いる。各ダイオード部１
１９、１２０の低抵抗ｐ導電型層１１３、１１４は、高
抵抗層として形成したＭgドープのＡlＧaＮ層１０６
を、窒素雰囲気中でアニールしてその全領域を低抵抗化
し、或いは、高抵抗ＧaＮ層１０７の一部領域と共に電
子線照射をしてその一部を低抵抗化することで形成す
る。赤、青及び緑の３種類の発光ダイオード部を備える
ことでフルカラーを得る発光素子を実現することが出来
る。赤色のＧaＰ系化合物半導体ダイオードと組み合わ
せることも出来る。
る。 【構成】 ＳiドープのＧaＮ層１０３及びＡlＧaＮ層１
０４から成るｎ導電型層、ＺnドープのＩnＧaＮ１０５
から成る活性層、及び、ＭgドープのＡlＧaＮ１０６及
びＧaＮ層１０７から成るｐ導電型層を含むダイオード
部１１９、１２０を、単一の基板１０１上に複数積層し
て形成する。各ダイオード部１１９、１２０の分離に
は、高抵抗ＧaＮ層１０７を用いる。各ダイオード部１
１９、１２０の低抵抗ｐ導電型層１１３、１１４は、高
抵抗層として形成したＭgドープのＡlＧaＮ層１０６
を、窒素雰囲気中でアニールしてその全領域を低抵抗化
し、或いは、高抵抗ＧaＮ層１０７の一部領域と共に電
子線照射をしてその一部を低抵抗化することで形成す
る。赤、青及び緑の３種類の発光ダイオード部を備える
ことでフルカラーを得る発光素子を実現することが出来
る。赤色のＧaＰ系化合物半導体ダイオードと組み合わ
せることも出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子及びその製造
方法に関し、特に、短波長系の発光素子及びその製造方
法に関する。
方法に関し、特に、短波長系の発光素子及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＭＯＣＶＤ法により、ＧaＮ系化
合物半導体を利用する高輝度の青色発光ダイオードが提
案されている（S. Nakamura et al. Appl. Phys. Let
t., 64,28,(1994) p1687)。図５はこの形式の青色発光
ダイオードの断面を示しており、発光ダイオードは、サ
ファイア基板５０１上に順次にエピタキシャル成長した
ＧaＮバッファ層５０２、Ｓiドープのｎ導電型ＧaＮ層
（ｎ−ＧaＮ層、以下同様）５０３、ＳiドープのＮ−Ａ
lＧaＮ層５０４、ＺnドープのＩnＧaＮ活性層５０５、
Ｍgドープのｐ−ＡlＧaＮ層５０６及びＭgドープのｐ−
ＧaＮ層５０７から構成されており、電極５１５及び５
１７に電源を供給して発光させる。この発光ダイオード
では、ＩnＧaＮにＺnをドーピングして得られたＩnＧa
Ｎ活性層５０５の不純物のエネルギー準位によって青色
（発光波長４５０ｎｍ）発光を得るものである。ここ
で、Ｉnの組成を変えて青緑色（発光波長４７０ｎｍ）
の発光ダイオードを得る構成も提案されており、また、
Ｚnに代えて他の不純物、例えばＣ又はＣd等をドーピン
グしても、発光波長が変化するものと考えられる。
合物半導体を利用する高輝度の青色発光ダイオードが提
案されている（S. Nakamura et al. Appl. Phys. Let
t., 64,28,(1994) p1687)。図５はこの形式の青色発光
ダイオードの断面を示しており、発光ダイオードは、サ
ファイア基板５０１上に順次にエピタキシャル成長した
ＧaＮバッファ層５０２、Ｓiドープのｎ導電型ＧaＮ層
（ｎ−ＧaＮ層、以下同様）５０３、ＳiドープのＮ−Ａ
lＧaＮ層５０４、ＺnドープのＩnＧaＮ活性層５０５、
Ｍgドープのｐ−ＡlＧaＮ層５０６及びＭgドープのｐ−
ＧaＮ層５０７から構成されており、電極５１５及び５
１７に電源を供給して発光させる。この発光ダイオード
では、ＩnＧaＮにＺnをドーピングして得られたＩnＧa
Ｎ活性層５０５の不純物のエネルギー準位によって青色
（発光波長４５０ｎｍ）発光を得るものである。ここ
で、Ｉnの組成を変えて青緑色（発光波長４７０ｎｍ）
の発光ダイオードを得る構成も提案されており、また、
Ｚnに代えて他の不純物、例えばＣ又はＣd等をドーピン
グしても、発光波長が変化するものと考えられる。
【０００３】上記形式の発光ダイオードを作製するため
には、各エピタキシャル層をｐ型及びｎ型にするための
導電型制御を行なう必要がある。ここで、ｐ型ドーパン
トとしてＺnやＭgをドーピングした成長直後のＧaＮは
高抵抗にしかならず、発光ダイオードのためのｐ導電型
層としては実質的に機能しないが、電子線の照射や窒素
中でのアニールによって低抵抗化が可能となり、発光ダ
イオードのｐ導電型層として機能することが報告されて
いる（I. Akasaki et al. J.J.A.P., 28 No.12, (1989)
L2112及び S. Nakamura et al. J.J.A.P., 31 (1992)
pp1258）。
には、各エピタキシャル層をｐ型及びｎ型にするための
導電型制御を行なう必要がある。ここで、ｐ型ドーパン
トとしてＺnやＭgをドーピングした成長直後のＧaＮは
高抵抗にしかならず、発光ダイオードのためのｐ導電型
層としては実質的に機能しないが、電子線の照射や窒素
中でのアニールによって低抵抗化が可能となり、発光ダ
イオードのｐ導電型層として機能することが報告されて
いる（I. Akasaki et al. J.J.A.P., 28 No.12, (1989)
L2112及び S. Nakamura et al. J.J.A.P., 31 (1992)
pp1258）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の通り、ＧaＮ系
化合物半導体材料によって青〜緑色の領域での発光ダイ
オードが実現可能であり、これらは単体材料としてばか
りではなく、赤色発光ダイオードと組み合わせること
で、カラーディスプレイへの応用も考えられる。
化合物半導体材料によって青〜緑色の領域での発光ダイ
オードが実現可能であり、これらは単体材料としてばか
りではなく、赤色発光ダイオードと組み合わせること
で、カラーディスプレイへの応用も考えられる。
【０００５】本発明の目的は、単一の基板上に形成した
１つの発光素子で独立に制御できる複数の発光部を備え
る発光素子及びその製造方法を提供すること、特に、青
〜緑色の範囲で複数波長の発光をも可能とした発光素子
及びその製造方法を提供し、もって、ＧaＮ系化合物半
導体をカラーディスプレイ装置に応用することにある。
１つの発光素子で独立に制御できる複数の発光部を備え
る発光素子及びその製造方法を提供すること、特に、青
〜緑色の範囲で複数波長の発光をも可能とした発光素子
及びその製造方法を提供し、もって、ＧaＮ系化合物半
導体をカラーディスプレイ装置に応用することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の発光素子は、ｎ型ドーパントを含むＧaＮ
系化合物半導体から成る少なくとも１つのｎ導電型層
と、ＧaＮ系化合物半導体から成る活性層と、ｐ型ドー
パントを含むＧaＮ系化合物半導体から成る少くとも１
つのｐ導電型層とを含む発光ダイオード部を１の基板上
に複数積層して備え、該各発光ダイオード部の夫々に独
立に電極を形成したことを特徴とする。
め、本発明の発光素子は、ｎ型ドーパントを含むＧaＮ
系化合物半導体から成る少なくとも１つのｎ導電型層
と、ＧaＮ系化合物半導体から成る活性層と、ｐ型ドー
パントを含むＧaＮ系化合物半導体から成る少くとも１
つのｐ導電型層とを含む発光ダイオード部を１の基板上
に複数積層して備え、該各発光ダイオード部の夫々に独
立に電極を形成したことを特徴とする。
【０００７】ここで、本発明の発光素子におけるＧaＮ
系化合物半導体とは、２元化合物半導体であるＧaＮの
みならず、Ｇaの一部を他のIII族化合物で置換した３元
化合物半導体であるＡlＧaＮやＩnＧaＮ等も含まれる。
系化合物半導体とは、２元化合物半導体であるＧaＮの
みならず、Ｇaの一部を他のIII族化合物で置換した３元
化合物半導体であるＡlＧaＮやＩnＧaＮ等も含まれる。
【０００８】本発明の発光素子では、前記活性層が、各
発光ダイオード部毎に異なる発光波長を有することが好
ましく、この場合、複数波長で発光する複数波長発光素
子が１の基板上に形成できる。特に、３種類以上の波長
の発光ダイオード部を組み合わせることで、フルカラー
の発光素子を単一の素子で実現することも出来る。
発光ダイオード部毎に異なる発光波長を有することが好
ましく、この場合、複数波長で発光する複数波長発光素
子が１の基板上に形成できる。特に、３種類以上の波長
の発光ダイオード部を組み合わせることで、フルカラー
の発光素子を単一の素子で実現することも出来る。
【０００９】また、各発光ダイオード部の間には、例え
ばＭg等のｐ型ドーパントを含む、各発光ダイオード部
間を電気的に分離する高抵抗層、例えばｐ−ＧaＮ層を
備えることが好ましい。
ばＭg等のｐ型ドーパントを含む、各発光ダイオード部
間を電気的に分離する高抵抗層、例えばｐ−ＧaＮ層を
備えることが好ましい。
【００１０】更に、各ダイオード部のｐ導電型層の少な
くとも１つは、前記電極と電気的に接触する低抵抗領域
と、該低抵抗領域と隣接する高抵抗領域とから構成され
るように形成することができ、この場合、低抵抗領域は
高抵抗領域から電子線又は赤外線照射により容易に選択
形成できる。
くとも１つは、前記電極と電気的に接触する低抵抗領域
と、該低抵抗領域と隣接する高抵抗領域とから構成され
るように形成することができ、この場合、低抵抗領域は
高抵抗領域から電子線又は赤外線照射により容易に選択
形成できる。
【００１１】上記に変えて、ｐ導電型層の少なくとも１
つの層をその全体が１つの低抵抗領域として構成するこ
とも出来る。この場合、大きな発光領域が得られる利点
がある。かかる低抵抗のｐ導電型層は、例えば、一旦高
抵抗のｐ導電型層として形成して、これを不活性ガス中
でのアニール、電子線照射等により層全体を低抵抗領域
に変えることで得られる。
つの層をその全体が１つの低抵抗領域として構成するこ
とも出来る。この場合、大きな発光領域が得られる利点
がある。かかる低抵抗のｐ導電型層は、例えば、一旦高
抵抗のｐ導電型層として形成して、これを不活性ガス中
でのアニール、電子線照射等により層全体を低抵抗領域
に変えることで得られる。
【００１２】更に、前記発光ダイオード部に積層してＧ
aＰ系又はＡlＧaＩnＰ系の発光ダイオード部を備えるこ
とも出来る。この場合、青〜緑色及び赤色の発光波長を
有する発光素子を１の基板上に特に容易に形成できる。
aＰ系又はＡlＧaＩnＰ系の発光ダイオード部を備えるこ
とも出来る。この場合、青〜緑色及び赤色の発光波長を
有する発光素子を１の基板上に特に容易に形成できる。
【００１３】
【作用】本発明の発光素子によると、複数の発光ダイオ
ード部に独立に電極を形成したことにより、これらの電
極に印加する電圧を制御することで、所望の組合せの発
光が容易に得られる。
ード部に独立に電極を形成したことにより、これらの電
極に印加する電圧を制御することで、所望の組合せの発
光が容易に得られる。
【００１４】また、本発明の発光素子の製造方法による
と、ｐ導電型層を、所望により、その全体領域を、或い
は選択的にその一部領域を、低抵抗化できるので、発光
素子における設計の自由度が向上する。
と、ｐ導電型層を、所望により、その全体領域を、或い
は選択的にその一部領域を、低抵抗化できるので、発光
素子における設計の自由度が向上する。
【００１５】
【実施例】図面を参照して本発明を更に詳しく説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の発光素子の構造を示
す断面図である。同図の発光素子は以下のようにして製
作される。まず、サファイア基板１０１上にＧaＮバッ
ファ層１０２を３０ｎｍ成長する。バッファ層１０２
は、サファイア基板１０１とその後に成長形成するエピ
タキシャル層との格子不整合を緩和する目的で形成す
る。次いで、Ｓiドープのｎ−ＧaＮ層１０３を４μm、
Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層１０４を０．１５μm、Ｚn
ドープのＩnＧaＮ活性層１０５を０．０５μm、Ｍgドー
プの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層１０６を０．１５μm、Ｍgド
ープの高抵抗ＧaＮ層１０７を１μm、順次にエピタキシ
ャル成長法で形成する。これにより、第１のダイオード
部１１９を構成する第１の積層部が得られる。
る。図１は本発明の第１の実施例の発光素子の構造を示
す断面図である。同図の発光素子は以下のようにして製
作される。まず、サファイア基板１０１上にＧaＮバッ
ファ層１０２を３０ｎｍ成長する。バッファ層１０２
は、サファイア基板１０１とその後に成長形成するエピ
タキシャル層との格子不整合を緩和する目的で形成す
る。次いで、Ｓiドープのｎ−ＧaＮ層１０３を４μm、
Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層１０４を０．１５μm、Ｚn
ドープのＩnＧaＮ活性層１０５を０．０５μm、Ｍgドー
プの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層１０６を０．１５μm、Ｍgド
ープの高抵抗ＧaＮ層１０７を１μm、順次にエピタキシ
ャル成長法で形成する。これにより、第１のダイオード
部１１９を構成する第１の積層部が得られる。
【００１６】引き続き、Ｓiドープのｎ−ＧaＮ層１０８
を１μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層１０９を０．１５
μm、ＣドープのＩnＧaＮ活性層１１０を０．０５μm、
Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層１１１を０．１５μ
m、Ｍgドープの高抵抗ＧaＮ層１１２を０．５μm、順次
にエピタキシャル成長法で形成する。これにより、第２
のダイオード部１２０を構成する第２の積層部が得られ
る。
を１μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層１０９を０．１５
μm、ＣドープのＩnＧaＮ活性層１１０を０．０５μm、
Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層１１１を０．１５μ
m、Ｍgドープの高抵抗ＧaＮ層１１２を０．５μm、順次
にエピタキシャル成長法で形成する。これにより、第２
のダイオード部１２０を構成する第２の積層部が得られ
る。
【００１７】次いで、形成されたエピタキシャル層の最
上層表面からＭgドープの高抵抗ＧaＮ層１０７の途中ま
でについて、その一部領域をエッチングで選択除去す
る。その後、第１のダイオード部１１９及び第２のダイ
オード部１２０の低抵抗ｐ型領域を形成する部分１１
３、１１４以外をマスクして電子線を照射し、これらの
部分１１３、１１４を低抵抗のｐ型領域とする。第１の
ダイオード部のためのｐ型領域（低抵抗ｐ型領域）１１
３は、第１の積層部のＭgドープのＡlＧaＮ層１０６及
びＭgドープのＧaＮ層１０７の一部に形成され、また、
第２のダイオード部のためのｐ型領域１１４は、第２の
積層部のＭgドープのＡlＧaＮ層１１１及びＭgドープの
ＧaＮ層１１２のほぼ全体領域に形成される。
上層表面からＭgドープの高抵抗ＧaＮ層１０７の途中ま
でについて、その一部領域をエッチングで選択除去す
る。その後、第１のダイオード部１１９及び第２のダイ
オード部１２０の低抵抗ｐ型領域を形成する部分１１
３、１１４以外をマスクして電子線を照射し、これらの
部分１１３、１１４を低抵抗のｐ型領域とする。第１の
ダイオード部のためのｐ型領域（低抵抗ｐ型領域）１１
３は、第１の積層部のＭgドープのＡlＧaＮ層１０６及
びＭgドープのＧaＮ層１０７の一部に形成され、また、
第２のダイオード部のためのｐ型領域１１４は、第２の
積層部のＭgドープのＡlＧaＮ層１１１及びＭgドープの
ＧaＮ層１１２のほぼ全体領域に形成される。
【００１８】更に、第１のダイオード部１１９のｎ電極
を形成するために、積層表面からＳiドープのＧaＮ層１
０３の途中までの一部領域をエッチングし、また、第２
のダイオード部１２０のｎ電極を形成するために、積層
表面からＳiドープのＧaＮ層１０８の途中までの一部領
域をエッチングする。引き続き、第１のダイオード部１
１９のためのｐ電極１１５を第１の積層部のｐ型領域１
１３の露出表面に、ｎ電極１１７をＳiドープのＧaＮ層
１０３の露出表面に夫々形成する。また、第２のダイオ
ード部１２０のｐ型領域１１４の表面に、ｎ電極１１８
をｎ−ＧaＮ層１０８の露出表面に夫々形成する。これ
により、最終的に、図面上で左側部分に第１のダイオー
ド部１１９が、右側部分に第２のダイオード部１２０が
夫々形成される。
を形成するために、積層表面からＳiドープのＧaＮ層１
０３の途中までの一部領域をエッチングし、また、第２
のダイオード部１２０のｎ電極を形成するために、積層
表面からＳiドープのＧaＮ層１０８の途中までの一部領
域をエッチングする。引き続き、第１のダイオード部１
１９のためのｐ電極１１５を第１の積層部のｐ型領域１
１３の露出表面に、ｎ電極１１７をＳiドープのＧaＮ層
１０３の露出表面に夫々形成する。また、第２のダイオ
ード部１２０のｐ型領域１１４の表面に、ｎ電極１１８
をｎ−ＧaＮ層１０８の露出表面に夫々形成する。これ
により、最終的に、図面上で左側部分に第１のダイオー
ド部１１９が、右側部分に第２のダイオード部１２０が
夫々形成される。
【００１９】上記構成において、第１の積層部表面に存
在するＭgドープのＧaＮ層１０７のｐ型領域１１３以外
の部分は高抵抗であるため、第１のダイオード部１１９
と第２のダイオード部１２０とは実質的に相互に絶縁さ
れている。従って、発光波長が相互に異なる２つのダイ
オード部を同一の基板上に形成できることとなる。
在するＭgドープのＧaＮ層１０７のｐ型領域１１３以外
の部分は高抵抗であるため、第１のダイオード部１１９
と第２のダイオード部１２０とは実質的に相互に絶縁さ
れている。従って、発光波長が相互に異なる２つのダイ
オード部を同一の基板上に形成できることとなる。
【００２０】上記実施例では、２種類の発光波長を得る
２波長発光素子の例を挙げたが、第２の積層部の上に更
に第３の積層部、更にはその上に第４の積層部を形成す
ることで、第３及び第４のダイオード部が得られ、これ
により、３種類以上の発光波長を有する多波長発光素子
を得ることが出来る。
２波長発光素子の例を挙げたが、第２の積層部の上に更
に第３の積層部、更にはその上に第４の積層部を形成す
ることで、第３及び第４のダイオード部が得られ、これ
により、３種類以上の発光波長を有する多波長発光素子
を得ることが出来る。
【００２１】また、上記実施例では、Ｚn及びＣをドー
ピングしたＩnＧaＮ活性層を用いた例を挙げたが、他の
ドーパント、例えば、Ｃd或いはＭg等を用いることが出
来る。また、これに代えて、或いはこれに加えて、Ｉn
ＧaＮ活性層中のＩnの含有率を変えることで、異なる発
光波長を得ることも出来る。
ピングしたＩnＧaＮ活性層を用いた例を挙げたが、他の
ドーパント、例えば、Ｃd或いはＭg等を用いることが出
来る。また、これに代えて、或いはこれに加えて、Ｉn
ＧaＮ活性層中のＩnの含有率を変えることで、異なる発
光波長を得ることも出来る。
【００２２】図２（ａ）〜（ｅ）は夫々、本発明の第２
の実施例の発光素子の断面をその製造工程順に示してい
る。まず、サファイア基板２０１上に成長温度５００℃
でＧaＮバッファ層２０２を３０ｎｍ成長する。次い
で、成長温度を９００℃に上げ、Ｓiドープのｎ−ＡlＧ
aＮ層２０３を４μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層２０
４を０．１５μm、ＺnドープのＩnＧaＮ活性層（発光波
長λ1）２０５を０．０５μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−
ＡlＧaＮ層２０６を０．１５μm夫々成長する（図２
（ａ））。
の実施例の発光素子の断面をその製造工程順に示してい
る。まず、サファイア基板２０１上に成長温度５００℃
でＧaＮバッファ層２０２を３０ｎｍ成長する。次い
で、成長温度を９００℃に上げ、Ｓiドープのｎ−ＡlＧ
aＮ層２０３を４μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層２０
４を０．１５μm、ＺnドープのＩnＧaＮ活性層（発光波
長λ1）２０５を０．０５μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−
ＡlＧaＮ層２０６を０．１５μm夫々成長する（図２
（ａ））。
【００２３】引き続き、９００℃の温度で窒素雰囲気中
において約５分間保持してアニールを行なう。このアニ
ールにより、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層２０６
の低抵抗化が図られ、この層全体が第１のダイオード部
のためのｐ型領域として実質的に機能する（図２
（ｂ））。次いで、Ｍgドープの高抵抗ＧaＮ層２０７を
１μm成長し、これにより、第１のダイオード部２１９
のための第１の積層部が得られる。
において約５分間保持してアニールを行なう。このアニ
ールにより、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層２０６
の低抵抗化が図られ、この層全体が第１のダイオード部
のためのｐ型領域として実質的に機能する（図２
（ｂ））。次いで、Ｍgドープの高抵抗ＧaＮ層２０７を
１μm成長し、これにより、第１のダイオード部２１９
のための第１の積層部が得られる。
【００２４】その後、Ｓiドープのｎ−ＧaＮ層２０８を
１μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層２０９を０．１５μ
m、ＺnドープのＩnＧaＮ活性層（発光波長λ2）２１０
を０．０５μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層２１
１を０．１５μm、Ｍgドープの高抵抗ＧaＮ層２１２を
０．５μm順次に成長形成する。これにより、第２のダ
イオード部２２０のための第２の積層部が、第１の積層
部の上に形成される（図２（ｃ））。
１μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層２０９を０．１５μ
m、ＺnドープのＩnＧaＮ活性層（発光波長λ2）２１０
を０．０５μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層２１
１を０．１５μm、Ｍgドープの高抵抗ＧaＮ層２１２を
０．５μm順次に成長形成する。これにより、第２のダ
イオード部２２０のための第２の積層部が、第１の積層
部の上に形成される（図２（ｃ））。
【００２５】次いで、エピタキシャル層の最上層からＭ
gドープの高抵抗ＧaＮ層２０７の途中までについて、そ
れらの一部領域をエッチングで選択除去する。また、第
１のダイオード部のｎ電極を形成する領域を得るため
に、最上層からＳiドープのＧaＮ層２０３の途中までに
ついて、それらの一部領域をエッチングで選択除去し、
また、第２のダイオード部のｎ電極を形成する領域を得
るために、積層表面からＳiドープのＧaＮ層２０８の途
中までをエッチングで選択除去する（図２（ｄ））。
gドープの高抵抗ＧaＮ層２０７の途中までについて、そ
れらの一部領域をエッチングで選択除去する。また、第
１のダイオード部のｎ電極を形成する領域を得るため
に、最上層からＳiドープのＧaＮ層２０３の途中までに
ついて、それらの一部領域をエッチングで選択除去し、
また、第２のダイオード部のｎ電極を形成する領域を得
るために、積層表面からＳiドープのＧaＮ層２０８の途
中までをエッチングで選択除去する（図２（ｄ））。
【００２６】その後、露出した高抵抗ＧaＮ層２０７、
２１２のｐ型領域を形成する部分以外をマスクして電子
線を照射する。これにより、第１のダイオード部のため
のｐ型領域１３が、第１の積層部のＭgドープのＡlＧa
Ｎ層２０６の全体領域及びその上層のＭgドープのＧaＮ
層２０７の一部に形成される。また、第２のダイオード
部のためのｐ型領域２１４が、第２の積層部のＭgドー
プのＡlＧaＮ層２１１及びＭgドープのＧaＮ層２１２の
一部領域に形成される。引き続き、第１のダイオード部
２１９のためのｐ電極２１５を第１の積層部のｐ型領域
２１３の露出表面に、ｎ電極２１７をＳiドープのＧaＮ
層２０３の露出表面に、また、第２のダイオード部２２
０のためのｐ電極を第２の積層部のｐ型領域２１４の表
面に、ｎ電極１８をｎ型ＧaＮ層２０８の露出表面に夫
々形成する。
２１２のｐ型領域を形成する部分以外をマスクして電子
線を照射する。これにより、第１のダイオード部のため
のｐ型領域１３が、第１の積層部のＭgドープのＡlＧa
Ｎ層２０６の全体領域及びその上層のＭgドープのＧaＮ
層２０７の一部に形成される。また、第２のダイオード
部のためのｐ型領域２１４が、第２の積層部のＭgドー
プのＡlＧaＮ層２１１及びＭgドープのＧaＮ層２１２の
一部領域に形成される。引き続き、第１のダイオード部
２１９のためのｐ電極２１５を第１の積層部のｐ型領域
２１３の露出表面に、ｎ電極２１７をＳiドープのＧaＮ
層２０３の露出表面に、また、第２のダイオード部２２
０のためのｐ電極を第２の積層部のｐ型領域２１４の表
面に、ｎ電極１８をｎ型ＧaＮ層２０８の露出表面に夫
々形成する。
【００２７】上記構成において、第１の積層部表面に存
在するＭgドープのＧaＮ層２０７のｐ型領域２１３以外
の部分は高抵抗であるため、第１のダイオード部２１９
と第２のダイオード部２２０とは実質的に相互に絶縁さ
れている。従って、発光波長が相互に異なる２つの発光
素子が同一の基板上に形成できる。また、第１の実施例
では、第１のダイオード部のためのｐ型領域１３がＭg
ドープＡlＧaＮ層１０６の一部領域にしかできなかった
ため、発光がその一部領域にのみ限られるが、第２の実
施例では、第１のダイオード部のためのｐ型領域はＭg
ドープのＩnＧaＮ層２０６の全体にわたって形成される
ので、第１のダイオード部２１９が活性層の全領域で発
光するという利点がある。
在するＭgドープのＧaＮ層２０７のｐ型領域２１３以外
の部分は高抵抗であるため、第１のダイオード部２１９
と第２のダイオード部２２０とは実質的に相互に絶縁さ
れている。従って、発光波長が相互に異なる２つの発光
素子が同一の基板上に形成できる。また、第１の実施例
では、第１のダイオード部のためのｐ型領域１３がＭg
ドープＡlＧaＮ層１０６の一部領域にしかできなかった
ため、発光がその一部領域にのみ限られるが、第２の実
施例では、第１のダイオード部のためのｐ型領域はＭg
ドープのＩnＧaＮ層２０６の全体にわたって形成される
ので、第１のダイオード部２１９が活性層の全領域で発
光するという利点がある。
【００２８】上記の通り、第２の実施例では、第１のダ
イオード部２１９において、薄いｐ導電型層２０６を積
層した後に温度を高く保持したまま窒素雰囲気中でアニ
ールすることにより、薄いｐ導電型層２０６の低抵抗化
を図っている。ここで、上記構成に加えて、前記薄いｐ
導電型層の上に例えばＳiＯ2膜をスパッタリングで形成
した後に同様なアニールを行ない、ＳiＯ2膜を除去した
後にＭgドープのＧaＮ層を成長形成することが出来る。
この場合、薄いｐ導電型層がＳiＯ2膜により保護される
ので、滑らかな表面が得られる。この方法を採用して、
約１０倍に向上した発光効率を得ることが出来た。
イオード部２１９において、薄いｐ導電型層２０６を積
層した後に温度を高く保持したまま窒素雰囲気中でアニ
ールすることにより、薄いｐ導電型層２０６の低抵抗化
を図っている。ここで、上記構成に加えて、前記薄いｐ
導電型層の上に例えばＳiＯ2膜をスパッタリングで形成
した後に同様なアニールを行ない、ＳiＯ2膜を除去した
後にＭgドープのＧaＮ層を成長形成することが出来る。
この場合、薄いｐ導電型層がＳiＯ2膜により保護される
ので、滑らかな表面が得られる。この方法を採用して、
約１０倍に向上した発光効率を得ることが出来た。
【００２９】また、第２の実施例ではアニールによる低
抵抗化の例を説明したが、これに代えて、電子線又は赤
外線の照射によるアニールを採用することも出来る。
抵抗化の例を説明したが、これに代えて、電子線又は赤
外線の照射によるアニールを採用することも出来る。
【００３０】図３は本発明の第３の実施例の発光素子の
構造を示す断面図で、３種類の発光波長を有する発光素
子を示している。同図の発光素子は以下のようにして製
作される。まず、サファイア基板３０１上に成長温度５
００℃でＧaＮバッファ層３０２を３０ｎｍ成長する。
次いで、成長温度を９００℃に上げ、Ｓiドープのｎ−
ＧaＮ層３０３を４μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層３
０４を０．１５μm、赤色発光が得られる濃度にＺnが拡
散されたＺnドープのＩnＧaＮ活性層３０５を０．０５
μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層３０６を０．１
５μm夫々成長形成する。
構造を示す断面図で、３種類の発光波長を有する発光素
子を示している。同図の発光素子は以下のようにして製
作される。まず、サファイア基板３０１上に成長温度５
００℃でＧaＮバッファ層３０２を３０ｎｍ成長する。
次いで、成長温度を９００℃に上げ、Ｓiドープのｎ−
ＧaＮ層３０３を４μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層３
０４を０．１５μm、赤色発光が得られる濃度にＺnが拡
散されたＺnドープのＩnＧaＮ活性層３０５を０．０５
μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層３０６を０．１
５μm夫々成長形成する。
【００３１】第１の積層部の成長後、９００℃の温度で
窒素雰囲気中において約５分間保持してアニールを行な
う。このアニールにより、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧ
aＮ層３０６の低抵抗化が図られ、この層全体が第１の
ダイオード部のためのｐ導電型層として実質的に機能す
る。次いで、Ｍgドープの高抵抗ＧaＮ層３０７を１μm
成長する。これにより赤色発光部を成す第１のダイオー
ド部のための第１の積層部が得られる。
窒素雰囲気中において約５分間保持してアニールを行な
う。このアニールにより、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧ
aＮ層３０６の低抵抗化が図られ、この層全体が第１の
ダイオード部のためのｐ導電型層として実質的に機能す
る。次いで、Ｍgドープの高抵抗ＧaＮ層３０７を１μm
成長する。これにより赤色発光部を成す第１のダイオー
ド部のための第１の積層部が得られる。
【００３２】引き続き、緑色発光部を成す第２のダイオ
ード部のための第２の積層部として、Ｓiドープのｎ−
ＧaＮ層３０８を１μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層３
０９を０．１５μm、緑色の発光が得られる濃度にＺnが
拡散されたＺnドープのＩnＧaＮ活性層３１０を０．０
５μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層３１１を０．
１５μm順次に成長形成する。引き続き、温度を窒素雰
囲気中で約５分間保持してＭgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧ
aＮ層３１１を低抵抗化する。次いで、Ｍgドープの高抵
抗ＧaＮ層３１２を０．５μm成長し、第２のダイオード
部のための第２の積層部が形成される。更に、青色発光
部を成す第３のダイオード部のための第３の積層部３１
３〜３１７を、第２の積層部３０８〜３１２と同様な手
順及び厚みで形成する。
ード部のための第２の積層部として、Ｓiドープのｎ−
ＧaＮ層３０８を１μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ層３
０９を０．１５μm、緑色の発光が得られる濃度にＺnが
拡散されたＺnドープのＩnＧaＮ活性層３１０を０．０
５μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層３１１を０．
１５μm順次に成長形成する。引き続き、温度を窒素雰
囲気中で約５分間保持してＭgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧ
aＮ層３１１を低抵抗化する。次いで、Ｍgドープの高抵
抗ＧaＮ層３１２を０．５μm成長し、第２のダイオード
部のための第２の積層部が形成される。更に、青色発光
部を成す第３のダイオード部のための第３の積層部３１
３〜３１７を、第２の積層部３０８〜３１２と同様な手
順及び厚みで形成する。
【００３３】引き続き、エピタキシャル層の最上層表面
から、各ダイオード部間の分離層を成す各Ｍgドープの
ＧaＮ層３０７及び３１２の途中までについて、夫々一
部領域をエッチングで選択除去する。各ＭgドープのＧa
Ｎ層３０７、３１２、３１７の第１のダイオード部３２
７〜第３のダイオード部３２９のための各ｐ型領域を形
成する部分３１８、３１９、３２０以外をマスクして電
子線を照射する。これにより、第１のダイオード部３２
７のためのｐ型領域は、第１の積層部のＭgドープのＡl
ＧaＮ層３０６の全体領域及びＭgドープのＧaＮ層３０
７の部分３１８に形成され、第２のダイオード部３２８
のためのｐ型領域は、第２の積層部のＭgドープのＡlＧ
aＮ層３１１の全体領域及びＭgドープのＧaＮ層３１２
の部分３１９に形成され、第３のダイオード部のための
ｐ型領域は、第３の積層部のＭgドープのＡlＧaＮ層３
１６及びＭgドープのＧaＮ層３１７のほぼ全領域３２０
に形成される。
から、各ダイオード部間の分離層を成す各Ｍgドープの
ＧaＮ層３０７及び３１２の途中までについて、夫々一
部領域をエッチングで選択除去する。各ＭgドープのＧa
Ｎ層３０７、３１２、３１７の第１のダイオード部３２
７〜第３のダイオード部３２９のための各ｐ型領域を形
成する部分３１８、３１９、３２０以外をマスクして電
子線を照射する。これにより、第１のダイオード部３２
７のためのｐ型領域は、第１の積層部のＭgドープのＡl
ＧaＮ層３０６の全体領域及びＭgドープのＧaＮ層３０
７の部分３１８に形成され、第２のダイオード部３２８
のためのｐ型領域は、第２の積層部のＭgドープのＡlＧ
aＮ層３１１の全体領域及びＭgドープのＧaＮ層３１２
の部分３１９に形成され、第３のダイオード部のための
ｐ型領域は、第３の積層部のＭgドープのＡlＧaＮ層３
１６及びＭgドープのＧaＮ層３１７のほぼ全領域３２０
に形成される。
【００３４】更に、各ダイオード部のｎ電極を形成する
ために、第１のダイオード部については最上層表面から
Ｓiドープのｎ−ＧaＮ層３０３の途中までを、第２のダ
イオード部については、最上層表面からＳiドープのｎ
−ＧaＮ層３０８の途中までを、第３のダイオード部に
ついては最上層表面からＳiドープｎ−ＧaＮ層３１３の
途中までを、夫々エッチングして選択除去する。
ために、第１のダイオード部については最上層表面から
Ｓiドープのｎ−ＧaＮ層３０３の途中までを、第２のダ
イオード部については、最上層表面からＳiドープのｎ
−ＧaＮ層３０８の途中までを、第３のダイオード部に
ついては最上層表面からＳiドープｎ−ＧaＮ層３１３の
途中までを、夫々エッチングして選択除去する。
【００３５】引き続き、各ｐ電極及びｎ電極を各発光ダ
イオード部に夫々形成する。これにより、最終的に、
赤、緑及び青の３種類の波長の光を発生する多波長発光
素子が形成される。ここで、各発光ダイオード部間を分
離するＭgドープのＧaＮ層３０７、３１２の部分は、高
抵抗層であり、各発光ダイオード部間を有効に絶縁す
る。従って、各発光ダイオード部の夫々の電極間に独立
に電源を供給することにより、３種類の色の組合せで任
意の色を得るフルカラーの発光素子が実現できる。
イオード部に夫々形成する。これにより、最終的に、
赤、緑及び青の３種類の波長の光を発生する多波長発光
素子が形成される。ここで、各発光ダイオード部間を分
離するＭgドープのＧaＮ層３０７、３１２の部分は、高
抵抗層であり、各発光ダイオード部間を有効に絶縁す
る。従って、各発光ダイオード部の夫々の電極間に独立
に電源を供給することにより、３種類の色の組合せで任
意の色を得るフルカラーの発光素子が実現できる。
【００３６】なお、第３の実施例では、赤、緑及び青の
順に発光素子を形成したが、これらの順番は任意であ
る。また、発光波長はこれらの色に限らず、他の３種類
の色の組合せが可能である。更に、活性層として、Ｚn
ドープのＩnＧaＮ層を用いたが、他のドーパント、例え
ばＣd、Ｍg等を利用してもよい。更に、Ｉnの含有率を
変えて異なる発光波長を得てもよい。
順に発光素子を形成したが、これらの順番は任意であ
る。また、発光波長はこれらの色に限らず、他の３種類
の色の組合せが可能である。更に、活性層として、Ｚn
ドープのＩnＧaＮ層を用いたが、他のドーパント、例え
ばＣd、Ｍg等を利用してもよい。更に、Ｉnの含有率を
変えて異なる発光波長を得てもよい。
【００３７】図４は、本発明の第４の実施例の発光素子
の構造を示す断面図で、第３の実施例と同様に、３種類
の波長の光を発生する発光素子を示している。同図の発
光素子は以下のようにして製作される。まず、サファイ
ア基板４０１上に成長温度５００℃でＧaＮバッファ層
４０２を３０ｎｍ成長する。次いで、成長温度を９００
℃に上げ、Ｓiドープのｎ−ＧaＮ層４０３を４μm、Ｓi
ドープのｎ−ＡlＧaＮ層４０４を０．１５μm、青色発
光が得られる濃度にＺnが拡散されたＺnドープのＩnＧa
Ｎ活性層４０５を０．０５μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−
ＡlＧaＮ層４０６を０．１５μm、Ｍgドープの高抵抗Ｇ
aＮ層４０７を１μm、夫々エピタキシャル成長法で形成
する。これにより青色発光部を成す第１のダイオード部
４２４のための第１の積層部が得られる。
の構造を示す断面図で、第３の実施例と同様に、３種類
の波長の光を発生する発光素子を示している。同図の発
光素子は以下のようにして製作される。まず、サファイ
ア基板４０１上に成長温度５００℃でＧaＮバッファ層
４０２を３０ｎｍ成長する。次いで、成長温度を９００
℃に上げ、Ｓiドープのｎ−ＧaＮ層４０３を４μm、Ｓi
ドープのｎ−ＡlＧaＮ層４０４を０．１５μm、青色発
光が得られる濃度にＺnが拡散されたＺnドープのＩnＧa
Ｎ活性層４０５を０．０５μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−
ＡlＧaＮ層４０６を０．１５μm、Ｍgドープの高抵抗Ｇ
aＮ層４０７を１μm、夫々エピタキシャル成長法で形成
する。これにより青色発光部を成す第１のダイオード部
４２４のための第１の積層部が得られる。
【００３８】次いで、緑色発光部を成す第２のダイオー
ド部４２５のための第２の積層部として、Ｓiドープの
ｎ−ＧaＮ層４０８を１μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ
層４０９を０．１５μm、緑色の発光が得られる濃度に
Ｚnが拡散されたＺnドープのＩnＧaＮ活性層４１０を
０．０５μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層４１１
を０．１５μm、Ｍgドープの高抵抗ＧaＮ層４１２を１
μm、順次に成長形成する。引き続き、赤色発光部を成
す第３のダイオード部４２６のための第３の積層部とし
て、Ｓiドープのｎ−ＧaＰ層４１３を１μm、Ｚnドープ
のＧaＡsＰ活性層４１４を０．１５μm、ＭgドープのＧ
aＰ層４１５を０．５μm順次に成長形成する。
ド部４２５のための第２の積層部として、Ｓiドープの
ｎ−ＧaＮ層４０８を１μm、Ｓiドープのｎ−ＡlＧaＮ
層４０９を０．１５μm、緑色の発光が得られる濃度に
Ｚnが拡散されたＺnドープのＩnＧaＮ活性層４１０を
０．０５μm、Ｍgドープの高抵抗ｐ−ＡlＧaＮ層４１１
を０．１５μm、Ｍgドープの高抵抗ＧaＮ層４１２を１
μm、順次に成長形成する。引き続き、赤色発光部を成
す第３のダイオード部４２６のための第３の積層部とし
て、Ｓiドープのｎ−ＧaＰ層４１３を１μm、Ｚnドープ
のＧaＡsＰ活性層４１４を０．１５μm、ＭgドープのＧ
aＰ層４１５を０．５μm順次に成長形成する。
【００３９】以下、第１の実施例と同様に、電極を形成
するためのエッチング、第１及び第２の発光ダイオード
部にｐ型領域を形成するための電子線照射、及び、電極
形成を行なって図４の構造を得る。第１のダイオード部
４２４のｐ型領域４１６は、第１の積層部のＺnドープ
のＩnＧaＮ層４０５及びＭgドープのＡlＧaＮ層４０６
の一部領域に形成され、第２のダイオード部４２５のｐ
型領域４１７は、第２の積層部のＭgドープのＡlＧaＮ
層４１１及びＭgドープのＧaＮ層４１２の一部領域に形
成される。
するためのエッチング、第１及び第２の発光ダイオード
部にｐ型領域を形成するための電子線照射、及び、電極
形成を行なって図４の構造を得る。第１のダイオード部
４２４のｐ型領域４１６は、第１の積層部のＺnドープ
のＩnＧaＮ層４０５及びＭgドープのＡlＧaＮ層４０６
の一部領域に形成され、第２のダイオード部４２５のｐ
型領域４１７は、第２の積層部のＭgドープのＡlＧaＮ
層４１１及びＭgドープのＧaＮ層４１２の一部領域に形
成される。
【００４０】第４の実施例によっても、第３の実施例と
同様にフルカラーの発光素子が実現できる。なお、Ｇa
Ｐ系の半導体層は青及び緑等の短波長の光を吸収するた
め、第４の実施例の発光素子では基板側から光を取り出
すことが望ましい。
同様にフルカラーの発光素子が実現できる。なお、Ｇa
Ｐ系の半導体層は青及び緑等の短波長の光を吸収するた
め、第４の実施例の発光素子では基板側から光を取り出
すことが望ましい。
【００４１】上記で説明した各実施例の構成は単に例示
であり、本発明の発光素子は、上記実施例の構成から種
々の修正及び変更が可能である。
であり、本発明の発光素子は、上記実施例の構成から種
々の修正及び変更が可能である。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子
によると、複数波長の発光素子が１つの基板上に形成さ
れるので、例えば多色のディスプレイ装置が単一の発光
素子で得られるという顕著な効果を奏する。
によると、複数波長の発光素子が１つの基板上に形成さ
れるので、例えば多色のディスプレイ装置が単一の発光
素子で得られるという顕著な効果を奏する。
【００４３】また、本発明の発光素子の製造方法による
と、上記効果を奏する発光素子が容易に形成できる。
と、上記効果を奏する発光素子が容易に形成できる。
【図１】第１の実施例の発光素子の断面図。
【図２】図（ａ）〜（ｅ）は夫々、第２の実施例の発光
素子の、順次に示した製造工程段階毎の断面図。
素子の、順次に示した製造工程段階毎の断面図。
【図３】第３の実施例の発光素子の断面図。
【図４】第４の実施例の発光素子の断面図。
【図５】従来の発光素子の断面図。
101、201、301、401 サファイア基板 102、202、302、402 ＧaＮバッファ層 103、203、303、403 Ｓiドープｎ−ＧaＮ層 104、204、304、404 Ｓiドープｎ−ＡlＧaＮ層 105、205、305、405 ＺnドープＩnＧaＮ層 106、206、306、406 ＭgドープＡlＧaＮ層 107、207、307、407 ＭgドープＧaＮ層 108、208、308、408 ＳiドープＧaＮ層 109、209、309、409 ＳiドープＡlＧaＮ層 110 ＣドープＩnＧaＮ層 210、310、410 ＺnドープＩnＧaＮ層 111、211、311、411 ＭgドープＡlＧaＮ層 112、212、312、412 ＭgドープＧaＮ層 113、114、213、214、318、319 416、417 ｐ型領域 115、116、215、216、324、325、326、421、422、423 ｐ電極 117、118、217、218、321、322、323、418、419、420 ｎ電極 119、219、327、424 第１のダイオード部 120、220、328、425 第２のダイオード部 329、426 第３のダイオード部
Claims (9)
- 【請求項１】 ｎ型ドーパントを含むＧaＮ系化合物半
導体から成る少なくとも１つのｎ導電型層と、ＧaＮ系
化合物半導体から成る活性層と、ｐ型ドーパントを含む
ＧaＮ系化合物半導体から成る少くとも１つのｐ導電型
層とを含む発光ダイオード部を１の基板上に複数積層し
て備え、該各発光ダイオード部の夫々に独立に電極を形
成したことを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 前記活性層は、各発光ダイオード部毎に
異なる発光波長を有する、請求項１に記載の発光素子。 - 【請求項３】 前記ｐ導電型層の１つが、前記各発光ダ
イオード部間を電気的に分離する高抵抗領域を含む層と
して構成される、請求項１又は２に記載の発光素子。 - 【請求項４】 前記ｐ導電型層の少なくとも１つは、前
記電極と活性層とを電気的に接続する低抵抗領域と、該
低抵抗領域と隣接する高抵抗領域とから構成される、請
求項１乃至３の一に記載の発光素子。 - 【請求項５】 請求項４に記載の発光素子を製造する方
法であって、前記低抵抗領域を電子線又は赤外線照射で
形成する、発光素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記ｐ導電型層の少なくとも１つは、全
体が１つの低抵抗領域で構成される、請求項１乃至３の
一に記載の発光素子。 - 【請求項７】 請求項６に記載の発光素子を製造する方
法であって、前記１つの低抵抗領域を、不活性ガス中で
のアニール、又は、電子線若しくは赤外線照射で形成す
る、発光素子の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６に記載の発光素子を製造する方
法であって、前記１つの低抵抗領域を、ＳiＯ2膜の形成
後に不活性ガス中でのアニールにより形成する、発光素
子の製造方法。 - 【請求項９】 前記発光ダイオード部に更に積層される
ＧaＰ系又はＡlＧaＩnＰ系の発光ダイオード部を備え
る、請求項１乃至４及び請求項６の何れか一に記載の発
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9792295A JPH08274369A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9792295A JPH08274369A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274369A true JPH08274369A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=14205192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9792295A Pending JPH08274369A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274369A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168384A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| KR100298205B1 (ko) * | 1998-05-21 | 2001-08-07 | 오길록 | 고집적삼색발광소자및그제조방법 |
| JP2004260111A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた半導体発光装置 |
| KR100970611B1 (ko) * | 2003-12-17 | 2010-07-15 | 우리엘에스티 주식회사 | 다수 파장의 광들을 방출하는 발광 다이오드 및 그의제조방법 |
| KR101040012B1 (ko) * | 2009-03-16 | 2011-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 제조방법 |
| JP2011249460A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Meijo University | 白色発光ダイオード |
| KR101100579B1 (ko) * | 2005-01-06 | 2012-01-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법과 반도체 발광다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법 |
| EP2365528A3 (en) * | 2010-03-09 | 2014-05-07 | LG Innotek Co., Ltd. | Two light emitting diodes stacked in an n-p-n arrangement and LED package comprising the same |
| CN110249435A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-09-17 | 信越半导体株式会社 | 发光元件及其制造方法 |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP9792295A patent/JPH08274369A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100298205B1 (ko) * | 1998-05-21 | 2001-08-07 | 오길록 | 고집적삼색발광소자및그제조방법 |
| JP2001168384A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP4501194B2 (ja) * | 1999-12-08 | 2010-07-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2004260111A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた半導体発光装置 |
| KR100970611B1 (ko) * | 2003-12-17 | 2010-07-15 | 우리엘에스티 주식회사 | 다수 파장의 광들을 방출하는 발광 다이오드 및 그의제조방법 |
| KR101100579B1 (ko) * | 2005-01-06 | 2012-01-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법과 반도체 발광다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법 |
| KR101040012B1 (ko) * | 2009-03-16 | 2011-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 제조방법 |
| US8519417B2 (en) | 2009-03-16 | 2013-08-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
| EP2365528A3 (en) * | 2010-03-09 | 2014-05-07 | LG Innotek Co., Ltd. | Two light emitting diodes stacked in an n-p-n arrangement and LED package comprising the same |
| JP2011249460A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Meijo University | 白色発光ダイオード |
| CN110249435A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-09-17 | 信越半导体株式会社 | 发光元件及其制造方法 |
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