KR101100579B1 - 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법과 반도체 발광다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법과 반도체 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법에 관한 것으로, 포스퍼(Phosphor) 등의 형광체를 사용하지 않아 효율의 감소를 예방할 수 있고 가시광 영역의 모든 색의 광을 방출할 수 있으며, 단일 칩(Chip)에서 전극까지 형성할 수 있어 픽셀 사이즈(Pixel Size)를 작게 할 수 있으므로 디스플레이의 해상도를 높일 수 있는 효과가 발생한다.

발광, 다이오드, 본딩, 적색, 청색, 녹색

Description

반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법과 반도체 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법 { Semiconductor light emitting diode, method for fabricating semiconductor light emitting diode and display using the same }

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 발광 다이오드의 단면도

도 2a 내지 2g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 발광 다이오드의 제조 공정 단면도

도 3은 도 2a에서 활성층의 상, 하부에 AlGaN층이 더 형성된 상태를 도시한 단면도

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 발광 다이오드의 다른 단면도

도 5a 내지 5f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 발광 다이오드의 제조 공정을 설명하는 단면도

도 6는 본 발명에 따른 반도체 발광 다이오드를 이용하여 제조된 디스플레이의 개략적인 평면도

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10 : 베이스 기판 11,15 : N-GaN층

12,14,23 : 활성층 13 : P-GaN층

16,17,27 : N전극 18,28 : P전극

20 : N-GaAs 기판 21 : N-GaAs층

22 : N-클래드층 24 : P-클래드층

25 : P-캡층 50a,50b,50c,50d : N-AlGaN층

100 : 서브(Submount) 기판 101 : 발광 다이오드

본 발명은 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법과 반도체 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포스퍼(Phosphor) 등의 형광체를 사용하지 않아 효율의 감소를 예방할 수 있고 가시광 영역의 모든 색의 광을 방출할 수 있으며, 단일 칩(Chip)에서 전극까지 형성할 수 있어 픽셀 사이즈(Pixel Size)를 작게 할 수 있으므로 디스플레이의 해상도를 높일 수 있는 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법과 반도체 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법에 관한 것이다.

최근에, III/V족 질화물 반도체를 이용한 발광 다이오드의 제조 기술이 발전되어가고 있고, 현재, 청색(Blue)과 녹색(Green) 등 여러 가시광 영역의 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드뿐만 아니라 자외선(UV) 발광 다이오드와 백색 발 광 다이오드의 개발도 진행되고 있는 상황이다.

이런 가시광 영역의 모든 파장대를 구현하는 발광 다이오드를 만드는 방법에는 III/V족 질화물을 이용하여 활성층으로 사용되는 InGaN의 In 함유량을 조절하는 방법이 있고, 청색, 녹색과 적색 세가지 발광 다이오드를 조합하여 방출되는 광의 파장을 조절하는 방법이 있다.

즉, 노란색 광의 파장을 만들기 위하여 청색광과 녹색광을 조합하거나, 앰버(Amber)광을 만들기 위하여 청색광, 녹색광과 적색광을 적절히 조합하는 방법이 있다.

그리고, 자외선 발광 다이오드에 여러가지 표현하고 싶은 색깔의 포스퍼(Phosphor)를 사용하는 방법이 있다.

즉, 오렌지 색을 만들려면 이에 해당하는 포스퍼를 자외선 발광 다이오드 상부에 덮어 램프(Lamp)를 만들면 된다.

그러나, 전술된 종래의 방법 중에서 단일 발광 다이오드를 사용하는 경우, 정확한 파장의 광출력을 구현하기가 용이하지 않으며, R, G, B 세가지 발광 다이오드를 사용하는 방법은 조립이 어려우며 다른 방법에 비하여 비용이 많이 든다.

그리고, 자외선 발광 다이오드와 포스퍼를 사용하는 방법은 각 색깔에 대응하는 포스퍼의 개발이 필요하며, 자외선 발광 다이오드에 포스퍼를 덮어 램프를 만들 경우 발광 다이오드 효율이 많이 저하하는 단점이 있다.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 포스퍼(Phosphor) 등의 형광체를 사용하지 않아 효율의 감소를 예방할 수 있고 가시광 영역의 모든 색의 광을 방출할 수 있는 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.

본 발명의 다른 목적은 단일 칩(Chip)에서 전극까지 형성할 수 있어 픽셀 사이즈(Pixel Size)를 작게 할 수 있으므로 디스플레이의 해상도를 높일 수 있는 반도체 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 1 양태(樣態)는, 제 1 광을 방출시킬 수 있는 제 1 활성층을 갖는 제 1 발광 구조물와;

상기 제 1 발광 구조물 상부에 본딩되어 있고, 제 2 광과 제 3 광을 방출시킬 수 있는 제 2 활성층 및 제 3 활성층을 갖는 제 2 발광 구조물로 이루어진 반도체 발광 다이오드가 제공된다.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 2 양태(樣態)는, 베이스 기판 상부에 제 1 N-GaN층, 제 1 활성층, P-GaN층, 제 2 활성층과 제 2 N-GaN층을 순차적으로 형성하는 제 1 단계와;

상기 베이스 기판을 제 1 N-GaN층으로부터 이탈시키는 제 2 단계와;

상기 제 2 N-GaN층에서 상기 제 1 N-GaN층까지의 일부 영역을 메사(Mesa) 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층에서 상기 P-GaN층까지의 일부 영역을 메사 식각하는 제 3 단계와;

상기 메사 식각된 제 1 N-GaN층 상부 및 상기 제 2 N-GaN층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 P-GaN층 상부에 P전극을 형성하는 제 4 단계와;

N-GaAs기판 상부에 N-GaAs층, N-클래드층, 적색광을 방출하는 활성층, P-클래드층과 P-캡층을 순차적으로 형성하고, 상기 N-GaAs기판 하부에 N전극을 형성하고, 상기 P-캡층 상부에 P전극을 형성하는 제 5 단계와;

상기 제 4 단계에서 형성된 구조물의 제 1 N-GaN층 하부를 상기 제 5 단계에서 형성된 구조물의 P-캡층 상부에 본딩하는 제 6 단계로 이루어진 반도체 발광 다이오드의 제조 방법이 제공된다.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 3 양태(樣態)는, 베이스 기판 상부에 제 1 N-GaN층, 제 1 활성층, P-GaN층, 제 2 활성층과 제 2 N-GaN층을 순차적으로 형성하고, 상기 제 2 N-GaN층에서 상기 제 1 N-GaN층까지의 일부 영역을 메사(Mesa) 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층에서 상기 P-GaN층까지의 일부 영역을 메사 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층 상부의 일부 영역을 메사 식각하는 제 1 단계와;

상기 메사 식각된 제 1 N-GaN층 상부 및 상기 제 2 N-GaN층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 P-GaN층 상부에 P전극을 형성하는 제 2 단계와;

N-GaAs기판 상부에 N-GaAs층, N-클래드층, 적색광을 방출하는 활성층, P-클래드층과 P-캡층을 순차적으로 형성하는 제 3 단계와;

상기 N-GaAs기판에서 P-캡층까지의 일부 영역을 메사 식각하는 제 4 단계와;

상기 제 4 단계에서 형성된 구조물의 P-캡층 상부를 상기 제 2 단계에서 형성된 구조물의 제 2 N-GaN층 상부에 본딩하는 제 5 단계와;

상기 N-GaAs기판을 제거하고, 상기 N-GaAs층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 P-캡층 상부에 P전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어진 반도체 발광 다이오드의 제조 방법이 제공된다.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 4 양태(樣態)는, 제 1 활성층과 제 2 활성층이 구비된 제 1 구조물 상부에, 제 3 활성층이 구비된 제 2 구조물을 본딩하여 이루어지는 반도체 발광 다이오드를 복수개 형성하는 단계와;

상기 반도체 발광 다이오드들을 서브마운트 기판에 열과 행으로 배열시켜 본딩하는 단계를 포함하여 구성된 반도체 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법이 제공된다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 발광 다이오드의 개략적인 단면도로서, 적색 발광 다이오드 상부에 청색 발광 다이오드와 녹색 발광 다이오드가 순차적으로 위치되어 있다.

그러므로, 청색, 녹색과 적색 발광 다이오드 모두가 구동되는 경우, 방출되는 광들이 합쳐져서, 결국 본 발명에 따른 발광 다이오드는 백색광이 방출되게 된다.

그리고, 청색, 녹색과 적색 발광 다이오드 각각이 독립적으로 구동되는 경 우, 청색광, 녹색광과 적색광이 독립적으로 방출시킬 수 있게 된다.

또한, 상기 청색, 녹색과 적색 발광 다이오드 중, 두 개의 발광 다이오드를 구동시키면, 노란색광 및 청녹색광 등 전 영역의 색을 구현할 수 있다.

도 2a 내지 2g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 발광 다이오드의 제조 공정 단면도로서, 먼저, 베이스 기판(10) 상부에 제 1 N-GaN층(11), 제 1 활성층(12), P-GaN층(13), 제 2 활성층(14)과 제 2 N-GaN층(15)을 순차적으로 형성한다.(도 2a)

상기 베이스 기판(10)은 사파이어 기판, 질화갈륨 기판과 실리콘 카바이드 기판 중 어느 하나를 사용한다.

그리고, 상기 제 1 및 2 N-GaN층(11,15)은 1 ~ 4㎛두께로 형성된 Si가 도핑된 질화갈륨층이고, 상기 P-GaN층(13)은 Mg가 도핑된 질화갈륨층이다.

여기서, 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어의 효율을 높이기 위하여 상기 제 1 활성층(12) 하부와 제 1 N-GaN층(11) 상부 사이 및 상기 제 2 활성층(14) 상부와 제 2 N-GaN층(15) 하부 사이에 Si가 도핑된 N-AlGaN층(50a,50d)을 더 형성한다.

그리고, 상기 제 1 활성층(12) 상부와 P-GaN층(13) 하부 사이 및 상기 제 2 활성층(14) 하부와 P-GaN층(13) 상부 사이에 Mg가 도핑된 P-AlGaN층(50b,50c)을 더 형성할 수 있다.

즉, 상기 AlGaN층(50a,50b,50c,50d)이 더 형성되면, 상기 제 1 및 2 활성층(12,14)에서 캐리어의 구속력을 증가시킬 수 있는 것이다.

또한, 상기 제 1 활성층(12)는 청색광을 방출하는 활성층이고, 상기 제 2 활 성층(14)은 녹색광을 방출하는 활성층이 바람직하다.

그리고, 상기 청색광을 방출하는 활성층은 In이 전체 조성에서 18~25%를 갖는 InGaN층으로 형성하고, 상기 녹색광을 방출하는 활성층은 In이 전체 조성에서 28~34%를 갖는 InGaN층으로 형성한다.

여기서, 청색광을 방출하는 활성층을 먼저 성장시키고, 녹색광을 방출하는 활성층을 나중에 성장시키는 것은, 녹색광을 방출하는 활성층을 형성하는 InGaN층의 In양이 청색광을 방출하는 활성층을 형성하는 InGaN층의 In양보다 훨씬 많고, 성장온도가 낮기 때문에 녹색광을 방출하는 활성층을 보호하기 위하여 나중에 성장시키는 것이다.

그 다음, 상기 베이스 기판(10)을 제 1 N-GaN층(11)으로부터 이탈시킨다.(도 2b)

여기서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판으로 이루어진 베이스 기판(10)은 레이저광을 이용하여 이탈시키는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off)공정을 수행한다.

연이어, 상기 제 2 N-GaN층(15)에서 상기 제 1 N-GaN층(11)까지의 일부 영역을 메사(Mesa) 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층(15)에서 상기 P-GaN층(13)까지의 일부 영역을 메사 식각한다.(도 2c)

그 후, 상기 메사 식각된 제 1 N-GaN층(11) 상부 및 상기 제 2 N-GaN층(15) 상부에 N전극(16,17)을 형성하고, 상기 P-GaN층(13) 상부에 P전극(18)을 형성한다.(도 2d)

여기서, 상기 제 1 활성층(12)은 녹색광을 방출하는 활성층이고, 상기 제 2 활성층(14)은 청색광을 방출하는 활성층이 바람직하다.

그리고, N-GaAs기판(20) 상부에 N-GaAs층(21), N-클래드층(22), 적색광을 방출하는 활성층(23), P-클래드층(24)과 P-캡층(25)을 순차적으로 형성하고(도 2e), 상기 N-GaAs기판(20) 하부에 N전극(27)을 형성하고, 상기 P-캡층(25) 상부에 P전극(28)을 형성한다.(도 2f)

마지막으로, 상기 도 2d에서 형성된 구조물의 제 1 N-GaN층(11) 하부를 상기 도 2f에서 형성된 구조물의 P-캡층(25) 상부에 본딩한다.(도 2g)

이 때, 상기 본딩하는 것은, 퓨전(Fusion) 방식으로 접합한다.

즉, 열압착하면, 양 구조물은 본딩된다.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드의 다른 단면도로서, 전술된 도 2b의 레이저 리프트 오프 공정이 생략되어 적색 및 청색 발광 다이오드 구조물의 하부에는 사파이어 기판이 존재하고, 이 사파이어 기판 하부가 적색 발광 다이오드 구조물 상부에 본딩되어진 발광 다이오드이다.

즉, 청색 발광다이오드의 제 1 N-GaN층(11)의 하부에는 사파이어 기판(10)이 위치되어 있고, 상기 사파이어 기판(10) 하부에는 적색 발광 다이오드의 P-캡층(25)이 위치되어 있다.

도 5a 내지 5f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 발광 다이오드의 제조 공정을 설명하는 단면도로서, 베이스 기판(10) 상부에 제 1 N-GaN층(11), 제 1 활성층(12), P-GaN층(13), 제 2 활성층(14)과 제 2 N-GaN층(15)을 순차적으로 형성 하고, 상기 제 2 N-GaN층(15)에서 상기 제 1 N-GaN층(11)까지의 일부 영역을 메사(Mesa) 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층(15)에서 상기 P-GaN층(13)까지의 일부 영역을 메사 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층(15) 상부의 일부 영역을 메사 식각한다.(도 5a)

상기 베이스 기판(10)은 사파이어 기판, 질화갈륨 기판과 실리콘 카바이드 기판 중 어느 하나를 사용한다.

그리고, 제 1 실시예와 동일하게, 상기 제 1 및 2 N-GaN층(11,15)은 Si가 도핑된 질화갈륨층이고, 상기 P-GaN층(13)은 Mg가 도핑된 질화갈륨층이다.

또한, 상기 제 1 활성층(12)는 청색광을 방출하는 활성층이고, 상기 제 2 활성층(14)은 녹색광을 방출하는 활성층이다.

그 다음, 상기 메사 식각된 제 1 N-GaN층(11) 상부 및 상기 제 2 N-GaN층(15) 상부에 N전극(16,17)을 형성하고, 상기 메사 식각된 P-GaN층(13) 상부에 P전극(18)을 형성한다.(도 5b)

연이어, N-GaAs기판(20) 상부에 N-GaAs층(21), N-클래드층(22), 적색광을 방출하는 활성층(23), P-클래드층(24)과 P-캡층(25)을 순차적으로 형성한다.(도 5c)

계속하여, 상기 N-GaAs기판(20)에서 P-캡층(25)까지의 일부 영역을 메사 식각한다.(도 5d)

그 후, 상기 도 5d에서 형성된 구조물의 P-캡층(25) 상부를 상기 도 5b에서 형성된 구조물의 제 2 N-GaN층(15) 상부에 본딩한다.(도 5e)

즉, 상기 도 5d에서 형성된 구조물을 뒤집어서 P-캡층(25)과 상기 도 5b에서 형성된 구조물의 제 2 N-GaN층(15)을 본딩하는 것이다.

마지막으로, 상기 N-GaAs기판(20)을 제거하고, 상기 N-GaAs층(21) 상부에 N전극(27)을 형성하고, 상기 메사 식각된 P-캡층(25) 상부에 P전극(28)을 형성한다.(도 5f)

상술한 바와 같은 방법으로 제조된 발광 다이오드의 색조를 조절하는 방법에는 다음과 같은 여러가지 방법이 있다.

1. 각 활성층의 웰(Well) 수를 조절한다.

즉, 제 1 활성층의 휘도가 높거나 색조가 강할 경우, 제 1 활성층의 웰(Well) 수를 줄이고, 제 2 활성층의 웰(Well) 수를 증가시킨다.

이런 방법으로, 적색, 청색, 녹색 활성층의 웰(Well) 수를 조절하면, 발광 다이오드에서 방출된 광의 색을 원하는 색으로 맞출 수 있다.

2. 적색, 청색, 녹색 발광 다이오드에 각기 다른 전류를 주입시켜 색조를 조절할 수 있다.

3. 상기의 두 가지 방법을 조합하여 색조와 휘도를 조절할 수 있다.

따라서, 본 발명의 발광 다이오드는 모든 가시광 영역의 파장을 구현할 수 있게 된다.

도 6는 본 발명에 따른 반도체 발광 다이오드를 이용하여 제조된 디스플레이의 개략적인 평면도로서, 전술된 바와 같이 제 1 및 2 실시예의 반도체 발광 다이오드들(101)을 복수개 형성하고, 그 반도체 발광 다이오드들을 서브마운트(Submount)기판(100)에 열과 행으로 배열시켜 본딩함으로써, 반도체 발광 다이오드를 이용한 디스플레이를 제작할 수 있게 된다.

즉, 반도체 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법은 제 1 활성층과 제 2 활성층이 구비된 제 1 구조물 상부에, 제 3 활성층이 구비된 제 2 구조물을 본딩하여 이루어지는 반도체 발광 다이오드를 복수개 형성하는 단계와; 상기 반도체 발광 다이오드들을 서브마운트 기판에 열과 행으로 배열시켜 본딩하는 단계를 포함하여 구성된다.

여기서, 상기 반도체 발광 다이오드는 제 1 또는 제 2 실시예에 따라 제조된 반도체 발광 다이오드이다.

한편, 상기 서브마운트 기판(100)에는 본딩된 반도체 발광 다이오드를 구동시킬 수 있는 전극라인이 형성되어 있고, 이 전극라인과 반도체 발광 다이오드의 각각의 전극은 전기적으로 연결되어 있다.

이러한, 전기적인 연결은 통상적인 것이므로 생략한다.

그러므로, 상기 하나의 반도체 발광 다이오드는 디스플레이의 복수개의 픽셀 중, 하나의 픽셀(Pixel)이 된다.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 포스퍼(Phosphor) 등의 형광체를 사용하지 않아 효율의 감소를 예방할 수 있고 가시광 영역의 모든 색의 광을 방출할 수 있으며, 단일 칩(Chip)에서 전극까지 형성할 수 있어 픽셀 사이즈(Pixel Size)를 작게 할 수 있으므로 디스플레이의 해상도를 높일 수 있는 효과가 있다.

본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (13)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 베이스 기판 상부에 제 1 N-GaN층, 제 1 활성층, P-GaN층, 제 2 활성층과 제 2 N-GaN층을 순차적으로 형성하는 제 1 단계와;

   상기 베이스 기판을 제 1 N-GaN층으로부터 이탈시키는 제 2 단계와;

   상기 제 2 N-GaN층에서 상기 제 1 N-GaN층까지의 일부 영역을 메사(Mesa) 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층에서 상기 P-GaN층까지의 일부 영역을 메사 식각하는 제 3 단계와;

   상기 메사 식각된 제 1 N-GaN층 상부 및 상기 제 2 N-GaN층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 P-GaN층 상부에 P전극을 형성하는 제 4 단계와;

   N-GaAs기판 상부에 N-GaAs층, N-클래드층, 적색광을 방출하는 활성층, P-클래드층과 P-캡층을 순차적으로 형성하고, 상기 N-GaAs기판 하부에 N전극을 형성하고, 상기 P-캡층 상부에 P전극을 형성하는 제 5 단계와;

   상기 제 4 단계에서 형성된 구조물의 제 1 N-GaN층 하부를 상기 제 5 단계에서 형성된 구조물의 P-캡층 상부에 본딩하는 제 6 단계로 이루어진 반도체 발광 다이오드의 제조 방법.
7. 베이스 기판 상부에 제 1 N-GaN층, 제 1 활성층, P-GaN층, 제 2 활성층과 제 2 N-GaN층을 순차적으로 형성하고, 상기 제 2 N-GaN층에서 상기 제 1 N-GaN층까지의 일부 영역을 메사(Mesa) 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층에서 상기 P-GaN층까지의 일부 영역을 메사 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층 상부의 일부 영역을 메사 식각하는 제 1 단계와;

   상기 메사 식각된 제 1 N-GaN층 상부 및 상기 제 2 N-GaN층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 P-GaN층 상부에 P전극을 형성하는 제 2 단계와;

   N-GaAs기판 상부에 N-GaAs층, N-클래드층, 적색광을 방출하는 활성층, P-클래드층과 P-캡층을 순차적으로 형성하는 제 3 단계와;

   상기 N-GaAs기판에서 P-캡층까지의 일부 영역을 메사 식각하는 제 4 단계와;

   상기 제 4 단계에서 형성된 구조물의 P-캡층 상부를 상기 제 2 단계에서 형성된 구조물의 제 2 N-GaN층 상부에 본딩하는 제 5 단계와;

   상기 N-GaAs기판을 제거하고, 상기 N-GaAs층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 P-캡층 상부에 P전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어진 반도체 발광 다이오드의 제조 방법.
8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,

   상기 제 1 활성층은 녹색광을 방출하는 활성층이고,

   상기 제 2 활성층은 청색광을 방출하는 활성층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법.
9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,

   상기 베이스 기판은,

   사파이어 기판, 질화갈륨 기판과 실리콘 카바이드 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법.
10. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,

    상기 제 1 활성층 하부와 제 1 N-GaN층 상부 사이 및 상기 제 2 활성층 상부와 제 2 N-GaN층 하부 사이에 N-AlGaN층을 더 형성하고,

    상기 제 1 활성층 상부와 P-GaN층 하부 사이 및 상기 제 2 활성층 하부와 P-GaN층 상부 사이에 P-AlGaN층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법.
11. 삭제
12. 제 1 활성층과 제 2 활성층이 구비된 제 1 구조물 상부에, 제 3 활성층이 구비된 제 2 구조물을 본딩하여 이루어지는 반도체 발광 다이오드를 복수개 형성하는 단계와;

    상기 반도체 발광 다이오드들을 서브마운트 기판에 열과 행으로 배열시켜 본딩하는 단계를 포함하여 구성되며,

    상기 반도체 발광 다이오드는,

    베이스 기판 상부에 제 1 N-GaN층, 제 1 활성층, P-GaN층, 제 2 활성층과 제 2 N-GaN층을 순차적으로 형성하는 제 1 단계와;

    상기 베이스 기판을 제 1 N-GaN층으로부터 이탈시키는 제 2 단계와;

    상기 제 2 N-GaN층에서 상기 제 1 N-GaN층까지의 일부 영역을 메사(Mesa) 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층에서 상기 P-GaN층까지의 일부 영역을 메사 식각하는 제 3 단계와;

    상기 메사 식각된 제 1 N-GaN층 상부 및 상기 제 2 N-GaN층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 P-GaN층 상부에 P전극을 형성하는 제 4 단계와;

    N-GaAs기판 상부에 N-GaAs층, N-클래드층, 적색광을 방출하는 활성층, P-클래드층과 P-캡층을 순차적으로 형성하고, 상기 N-GaAs기판 하부에 N전극을 형성하고, 상기 P-캡층 상부에 P전극을 형성하는 제 5 단계와;

    상기 제 4 단계에서 형성된 구조물의 제 1 N-GaN층 하부를 상기 제 5 단계에서 형성된 구조물의 P-캡층 상부에 본딩하는 제 6 단계를 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법.
13. 제 1 활성층과 제 2 활성층이 구비된 제 1 구조물 상부에, 제 3 활성층이 구비된 제 2 구조물을 본딩하여 이루어지는 반도체 발광 다이오드를 복수개 형성하는 단계와;

    상기 반도체 발광 다이오드들을 서브마운트 기판에 열과 행으로 배열시켜 본딩하는 단계를 포함하여 구성되며,

    상기 반도체 발광 다이오드는,

    베이스 기판 상부에 제 1 N-GaN층, 제 1 활성층, P-GaN층, 제 2 활성층과 제 2 N-GaN층을 순차적으로 형성하고, 상기 제 2 N-GaN층에서 상기 제 1 N-GaN층까지의 일부 영역을 메사(Mesa) 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층에서 상기 P-GaN층까지의 일부 영역을 메사 식각하고, 상기 제 2 N-GaN층 상부의 일부 영역을 메사 식각하는 제 1 단계와;

    상기 메사 식각된 제 1 N-GaN층 상부 및 상기 제 2 N-GaN층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 P-GaN층 상부에 P전극을 형성하는 제 2 단계와;

    N-GaAs기판 상부에 N-GaAs층, N-클래드층, 적색광을 방출하는 활성층, P-클래드층과 P-캡층을 순차적으로 형성하는 제 3 단계와;

    상기 N-GaAs기판에서 P-캡층까지의 일부 영역을 메사 식각하는 제 4 단계와;

    상기 제 4 단계에서 형성된 구조물의 P-캡층 상부를 상기 제 2 단계에서 형성된 구조물의 제 2 N-GaN층 상부에 본딩하는 제 5 단계와;

    상기 N-GaAs기판을 제거하고, 상기 N-GaAs층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 P-캡층 상부에 P전극을 형성하는 제 6 단계를 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드를 이용한 디스플레이의 제조 방법.

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