JP2005183909A - 高出力フリップチップ発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【課題】高出力フリップチップ発光ダイオードを開示する。
【解決手段】上記発光ダイオードにおいて、長方形サファイア基板の表面にn型半導体層が形成され、上記n型半導体層は複数の長方形の第1領域と該第1領域を分割すべく上記第1領域間に交差形成された第2領域とを有する。上記n型半導体層の第2領域上には複数のp型半導体層が形成されメサ構造を夫々成し、該メサ構造は少なくとも一対の対角方向の隅が内側に丸みがかって湾入し第1盆地を形成する。上記メサ構造上には複数の第1金属層がこれと同じ平面形状で夫々形成される。上記第2領域上には第2金属層が形成される。上記第1金属層上には複数の第1電気接続部が夫々形成される。上記第1盆地に該当する上記第2金属層に複数の第2電気接続部が夫々形成される。本発明は電流集中現象を克服し全発光領域において均一な電流密度を有するようにさせながら広い発光面積を確保することにより均一且つ高輝度の発光を具現することができる。
【選択図】図1
【解決手段】上記発光ダイオードにおいて、長方形サファイア基板の表面にn型半導体層が形成され、上記n型半導体層は複数の長方形の第1領域と該第1領域を分割すべく上記第1領域間に交差形成された第2領域とを有する。上記n型半導体層の第2領域上には複数のp型半導体層が形成されメサ構造を夫々成し、該メサ構造は少なくとも一対の対角方向の隅が内側に丸みがかって湾入し第1盆地を形成する。上記メサ構造上には複数の第1金属層がこれと同じ平面形状で夫々形成される。上記第2領域上には第2金属層が形成される。上記第1金属層上には複数の第1電気接続部が夫々形成される。上記第1盆地に該当する上記第2金属層に複数の第2電気接続部が夫々形成される。本発明は電流集中現象を克服し全発光領域において均一な電流密度を有するようにさせながら広い発光面積を確保することにより均一且つ高輝度の発光を具現することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は高出力フリップチップ発光ダイオードに関するもので、より具体的には、電流集中現象を克服して全発光領域において均一な電流密度を有するようにしながら広い発光面積を確保することにより均一且つ高輝度の発光を具現できる高出力フリップチップ発光ダイオードに関するものである。
発光ダイオード、即ちLED(Light-Emitting Diode)は基本的にp型とn型の半導体の接合からなり、電圧を与えると電子と正孔との結合によりバンドギャップ(band gap)に該当するエネルギーを光で放出する一種の光電子素子(optoelectric device)である。
かかる発光ダイオードは一般電子機器の表示装置に使用されながら日常生活において馴染まれてきた。初期には低輝度と色相の限界があったが、現在新たな発光ダイオード原材料と進歩した生産技術により白色を含む可視光線領域の全色相で発光する高輝度の発光ダイオードが生産されている。かかる高輝度、高効率、多様な色相の発光ダイオードは既に諸国において大型電光板、非難誘導灯(exit lamp)、交通信号灯、及び車輌表示灯など各種表示装置に応用されている。発光ダイオードは小さく、軽く、耐久性が高く、寿命が長い為、以降より幅広い領域に応用される見込みである。
一方、発光ダイオードから放出される光の色相は半導体物質の成分により決定されるが、現在高輝度の発光ダイオードに主に用いられる半導体物質にはZnSe及びGaN、InN、AlNなどのような窒化物とこれら窒化物を一定の比率で混合した窒化物化合物があり、とりわけGaNが広く使用される。
かかるGaNの結晶成長はMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)を主に用いる。MOCVDは主に700ないし1200℃の反応容器内に有機化合物反応ガスを供給して基板表面にエピタキシャル層(epitaxial layer)を成長させる方法である。この際、基板としてはサファイア基板やSiC基板を主に用い、上記サファイアまたはSiC基板とその上に成長させられる窒化物、即ちエピタキシャル層との格子不整合によるストレスを防止すべく、これらの間に低温成長層のバッファ層を約20ないし30nmの厚さで形成することにより良質の結晶成長を図る。
最近発光ダイオードは応用分野が多様になり、とりわけ照明用に用いられながら、より高輝度でより大きいチップ寸法及び広い発光面積が要求されている。かかる要求に応じて広い発光面積と高輝度を確保すべく多様なフリップチップ構造が開発されている。
かかるフリップチップ発光ダイオードの一例である米国特許第6、573、537号を図8に示してある。図8によると、透明な基板または上板(superstrate)(10)にはn型エピタキシャル層、即ち、n型半導体層(11)と該n型半導体層(11)の殆どを占める第1領域上に(図示せず)p型半導体層が形成されている。上記p型半導体層の殆どを占める第1領域にはp電極(20)が形成され、上記n型半導体層(11)の第2領域とp型半導体層の第2領域にはn電極(22)が形成されている。これら電極(20、22)は伝導性接点(41)により電源と連結される。この際、電流集中現象を防止すべくn電極(22)は細長いフィンガー(finger)形態でp電極(22)の間に形成される。
しかし、かかる構成の従来の技術による発光ダイオードは次のような欠点を抱えている。即ち、細長いn電極(22)のフィンガーは広いp電極(22)の間に延長され電流をその下端の接点(41)から供給してもらう。しかし、n電極(22)フィンガーが大変細いためn電極(22)のフィンガーの末端、即ち上端と隣接したp電極(22)に供給される電流密度はn電極(22)フィンガーの下端と隣接したp電極(22)に供給される電流密度より低くなる。その結果、発光ダイオードチップ全体の電流密度が不均一になり発光状態もやはり不均一になる。
かかる欠点を克服すべく、n電極側接点をフィンガー両端に形成した構成が提案された。しかし、こうしても発光ダイオードチップ全体の電流密度の不均一は完全に解消されなかった。
したがって本発明は上述した従来の技術の問題を解決すべく案出されたもので、本発明の目的は電流集中現象を克服して全発光領域において均一な電流密度を有するようにしながら広い発光面積を確保することにより均一且つ高輝度の発光を具現できる高出力フリップチップ発光ダイオードを提供することにある。
先述した本発明の目的を成し遂げるための本発明の特徴により高出力フリップチップ発光ダイオードが提供される。上記発光ダイオードは、長方形サファイア基板と、複数の長方形の第1領域とこれら第1領域を分割すべく上記第1領域間に交差形成された第2領域とを有し、上記サファイア基板の表面に形成されたn型半導体層と、上記n型半導体層の第2領域上に夫々形成され夫々メサ構造を形成し、該メサ構造は少なくとも一対の対角方向の隅が内側に丸みがかって湾入し第1盆地を形成する複数のp型半導体層と、上記メサ構造上にこれと同じ平面形状で夫々形成された複数の第1金属層と、上記第2領域上に形成された第2金属層と、上記第1金属層上に夫々形成された複数の第1電気接続部と、上記第1盆地に位置する上記第2金属層に夫々形成された複数の第2電気接続部と、を含む。
好ましくは、上記メサ構造は残りの隅が丸みがかって形成され第2盆地を形成し、上記第1及び第2盆地は全て同半径で形成されるか第1及び第2盆地は夫々同半径で形成される。
好ましくは、上記第1金属層は一対の対角方向の隅を中心に対称形状を有する。
好ましくは、上記第2金属領域は上記第1金属領域の周囲に一体に形成される。
一方、上記サファイア基板の代わりに炭化珪素(SiC)基板、酸化物基板、及び炭化物基板中いずれかを用いることができる。
先述した本発明の目的を成し遂げるための本発明の他の特徴により高出力フリップチップ発光ダイオードが提供される。上記発光ダイオードは、長方形サファイア基板と、複数の長方形の第1領域とこれら第1領域を分割すべく上記第1領域間に交差形成された第2領域を有し、上記サファイア基板の表面に形成されたn型半導体層と、上記n型半導体層の第2領域上に夫々形成され夫々メサ構造を形成し、該メサ構造は全ての隅が内側に丸みがかって湾入し盆地を形成する複数のp型半導体層と、上記メサ構造上にこれと同じ平面形状で夫々形成された複数の第1金属層と、上記第2領域上に形成された第2金属層と、上記第1金属層上に夫々形成された複数の第1電気接続部と、上記盆地に位置した上記第2金属層に夫々形成された複数の第2電気接続部と、を含む。
好ましくは、上記盆地はすべて同半径で形成される。
好ましくは、上記第1金属層は一対の対角方向の隅を中心に対称形状を有する。
好ましくは、上記第2金属領域は上記第1金属領域の周囲に一体に形成される。
一方、上記サファイア基板の代わりに炭化珪素(SiC)基板、酸化物基板、及び炭化物基板中いずれかを用いることができる。
先述したような本発明の高出力フリップチップ発光ダイオードは電流集中現象を克服して全発光領域において均一な電流密度を有しながら比較的広い発光面積を確保することにより均一且つ高輝度の発光を具現することができる。
また、陽極の第1金属層がヒートシンクの機能を行うので発光ダイオードから発生する熱を効果的に発散することができる。
本発明の諸特徴及び利点を添付の図面に係り下記のとおり詳しく説明する。
図1は本発明の第1実施例による発光ダイオード構造を示した平面図で、図2は図1のA-A線に沿って切断した断面図で、図3は図1のB-B線に沿って切断した断面図である。
図1ないし図3によると、本発明の第1実施例による発光ダイオード(100)は略長方形の基板(102)、該基板(102)上に形成されたn型半導体層(104)、該n型半導体層(104)の第1領域(106)上に形成されたp型半導体層(110)、該p型半導体層(110)上に相互隔離形成された複数の第1金属層(116)、n型半導体層(104)の第2領域(108)上に形成された第2金属層(118)、上記第1金属層(116)上に夫々形成された複数の第1接続部(120)、及び上記第2金属層(118)上の予め定められた位置に形成された複数の第2接続部(第1盆地(112)に該当)を含む。
先ず、上記長方形基板(102)はサファイア、炭化珪素(SiC)、酸化物、及び炭化物のような透明材料から成り、上部にn型半導体層(104)が形成されている。
上記n型半導体層(104)は気相蒸着などにより基板(102)上に成長され、好ましくはn型GaNを成長させ形成する。この際、基板(102)とn型半導体層(104)との間に通常バッファ層(図示せず)を形成し、これら同士の格子不整合によるストレスを減少させる。
n型半導体層(104)の第1領域(106)の上面にはp型半導体層(110)が形成されている。p型半導体層(110)は、好ましくは気相蒸着などにより、とりわけGaNを成長させn型半導体層(104)の第1領域(106)上に形成される。p型半導体層(110)は下部のn型半導体層(104)の第1領域(106)と共に略長方形で隆起したメサ構造を成す。したがって、本明細書においてメサ構造とは、n型半導体層(104)の第1領域(106)とp型半導体層(110)とが成す隆起構造のことを意味し、またこれら第1領域(106)とp型半導体層(110)とを総称する場合に使用する。
一方、図にはn型半導体層(104)の第1領域(106)が第2領域(108)に比して隆起して示してあるが、これは必需ではなく、第1及び第2領域(106、108)は実質的に同平面に形成されてもよい。即ち、第2領域(108)上に第2金属層(118)が直接形成され得るよう第2領域(108)がp型半導体層(110)に覆われない構造であればよい。
この際、図示はしないが、n型半導体層(104)とp型半導体層(110)との間には活性層(active region)が形成されている。光を発散する活性層は通常InGaN層を井戸とし、壁層(barrier layer)に(Al)GaN層を成長させて成る。青色発光ダイオードにおいてはInGaN/GaNなどの多重量子井戸構造、紫外線発光ダイオードにおいてはGaN/AlGaN、InAlGaN/InAlGaN及びInGaN/AlGaNなどの多重量子井戸構造が用いられている。かかる活性層の効率向上については、InまたはAlの組成比率を変化させることにより光の波長を調節したり、活性層内の量子井戸の深さ、活性層の数、厚さなどを変化させることにより発光ダイオードの内部量子効率(ηi)を向上させている。
n型半導体層(104)の第2領域(108)により実質的に同じ形状で分割された四個のメサ構造は、対角方向に対向した一対の第1隅が内側に丸みがかって湾入されメサ構造間に第1盆地(112)を形成し、他方の一対の第2隅の末端が湾曲されメサ構造間に第1盆地(112)より小さい面積の第2盆地(114)を形成する。したがって、第1実施例の発光ダイオード(100)には全て四個の第1盆地(112)とこれらより小さい面積の五個の第2盆地(114)とが形成される。この際、メサ構造は四個の隅が内側への湾入当否に関係無く全て丸みがかって形成され、 好ましくは全て同半径となる。これは後述するとおり活性層の電流密度を均一にするためである。
p型半導体層(108)上には四個の第1金属層(116)がp型半導体層(108)の殆どの表面を覆うよう形成されている。したがって、第1金属層(116)はp型半導体層(108)を含むメサ構造により定められる平面アウトラインを有することになる。即ち、第1金属層(116)は、第1盆地(112)側の一対の隅は内側に丸みがかって湾入され、第2盆地(114)側の他一対の隅はその末端が丸みがかって形成されている。また、第1金属層(116)は好ましくは対角線方向に対称形状を有する。
第1金属層(116)は金属を気相蒸着して形成し、好ましくは陽極の機能をする。また、第1金属層(116)は活性層から発生する光をサファイア基板(102)側に反射する反射層の機能を有するので、高い反射率を有する銀またはアルミニウムが適しており、とりわけ銀が好ましい。
n型半導体層(104)の第2領域(108)の上面には第2金属層(118)が第1金属層(116)を四個の隔離された領域に分割するよう形成され、第2金属層(118)は一つに繋がっている。第2金属層(118)は好ましくは陰極で、TiAlまたはCrAuなどの金属を気相蒸着して形成する。
一方、図示してはいないが、上記第1及び第2金属層(116、118)が覆われないn型及びp型半導体(104、110)の残りの表面は二酸化珪素(SiO2)のような酸化物が薄膜形態で被覆される。該酸化物層については図7(e)ないし7(h)に係り後述するとおりである。
第1金属層(116)の上面には電源端子の機能をする接続部(120)が夫々形成されており、第1盆地(112)に位置した第2金属層(118)の上面にも電源端子の機能をする接続部が夫々形成されている。これら接続部(120)は第1金属層(116)とハンダバンプとの結合性(wettability)を増加させるよう好ましくは伝導性界面から成る。
即ち、第1金属層(116)上にハンダバンプを直接吐出する場合、銀またはアルミニウムなどから成る第1金属層(116)はハンダバンプとよく濡れ合わない為、即ち結合性が低い為、第1金属層(116)とハンダバンプとの間に伝導性界面の接続部(120)を形成し、その間の結合力を増加させる。かかる伝導性界面は通常bメタル(bonding metal)ともいい、好ましくはAuから成る。
一方、TiAlまたはCrAuなどから成る第2金属層(118)はハンダバンプとの結合性が相対的に良好である為、第1盆地(112)に位置した第2金属層(118)は伝導性界面無しにそれ自体接続部を形成している。
このように本発明の第1実施例による発光ダイオード(100)において、夫々の陰極接続部が陽極接続部(120)の一対の隅側に位置する。即ち、陰極接続部は第1盆地(112)に位置した第2金属層(118)に形成され第1金属層(116)の一対の対角方向の隅側に位置するようになる。 したがって、第1金属層(116)は隣接した一対の陰極接続部を中心に対称の形状を有し第2金属層(118)が第1金属層(116)を囲繞している為、第2金属層(118)からn型半導体層とp型半導体(110)間の発光領域、即ち活性層へ移動するキャリア(即ち電子)の流れが均一に形成される。また、メサ構造の隅がすべて湾曲され平面アウトラインが略円に形成される為、メサ構造の活性層もやはり略円の平面アウトラインを有することになる。こうした平面アウトラインもまた活性層の電流密度を均一にさせる。
図4は本発明の第2実施例による発光ダイオードの構造を示した平面図である。図4によると、第2実施例の発光ダイオード(200)は五個の第1盆地(212)が全体の発光ダイオード(200)の中央と4個の隅に形成された点が相異するだけで残りの構成は第1実施例の発光ダイオード(100)と実質的に同一である。したがって、実質的に同一な構成要素の図面符合には第1実施例の構成要素に付した図面符合に夫々100ずつ足して表示している。
この構成においても、夫々の陰極接続部(図示せず)が陽極接続部(220)の一対の対角方向の隅側に位置する。即ち、陰極の接続部は第1盆地(212)に位置した第2金属層(218)に形成され第1金属層(216)の一対の隅側に位置するようになる。したがって、第1金属層(216)がこれら対角方向の陰極接続部を中心に対称形状を有し、メサ構造上部の活性層もやはり丸みがかった隅により略円のアウトラインを有するようになるので、第2金属層(218)からn型半導体層とp型半導体層(210)との間の発光領域、即ち活性層へ移動するキャリア(すなわち電子)の流れが均一に形成される。
図5は本発明の第3実施例による発光ダイオード構造を示した平面図である。図5によると、第3実施例の発光ダイオード(300)は陰極接続部(図示せず)が盆地(312)に該当する第1金属層(316)の四個の隅側に全て形成されている。第3実施例の発光ダイオード(300)の残りの構成は第1及び第2実施例の発光ダイオード(100、200)と実質的に同一で、その構成要素には夫々300番台の図面符合を付している。
この構成においては、夫々の陰極接続部が陽極接続部(320)の全ての隅側に位置する。即ち、この構成においてはメサ構造の四個の隅がすべて内側に湾入され形成される盆地(312)に第2金属層(318)の接続部が形成される。したがって、第1金属層(316)がこれら接続部を中心に対称形状となるばかりでなく、第1及び第2実施例の構成に比して陰極接続部により隣接して位置するので第2金属層(318)からn型半導体層とp型半導体(310)との間の発光領域、即ち活性層へ移動するキャリア(即ち電子)の流れがより均一に形成される。
図6は本発明の第4実施例による発光ダイオード構造を示した平面図である。図6によると、第4実施例の発光ダイオード(400)は第1実施例の発光ダイオード(100)の構成と第2実施例の発光ダイオード(200)の構成とを組み合せた形態である。即ち、一対のメサ構造の対角方向に対向している一対の第1隅には第1盆地(412)が形成され、他方の一対の第2隅には上記第1盆地(412)より小さい面積の第2盆地(414)が形成される。
この構成においても、夫々の陰極接続部(図示せず)が陽極接続部(420)の一対の隅側に位置する。即ち、陰極の接続部はメサ構造の第1盆地(412)に位置した第2金属層(418)に形成されメサ構造の上面に形成された第1金属層(416)の一対の隅側に位置するようになる。したがって、第1金属層(416)がこれら対角方向の接続部を中心に対称形状を有し、メサ構造の活性層もやはり丸みがかった隅により略円の平面アウトラインを有するので、n型半導体層とp型半導体(410)との発光領域、即ち活性層へ移動するキャリア(即ち電子)の流れが均一に形成される。
この際、第4実施例の発光ダイオード(400)が第1または第2実施例の発光ダイオード(100、200)と同じ面積である場合、夫々の第1金属層(416)の面積は第1または第2実施例の夫々の第1金属層(216、218)の面積より小さいの活性層におけるキャリアの流れは第1及び第2実施例の場合より一層均一になる利点がある。
以下、第1実施例の発光ダイオード(100)を基本とした本発明の発光ダイオードの製造方法を図7(a)ないし図7(i)を参照しながら説明する。
先ず、図7(a)によると、適切な寸法のサファイアなどから成る基板(102)を用意し気相蒸着などによりその上面にバッファ層(図示せず)を形成させた後、その上にn型半導体層(104)を予め定めた厚さに成長させる。n型半導体(104)は好ましくはn型GaNから成る。
次いで、図7(b)のように、気相蒸着などによりn型半導体層(104)上にp型半導体層(110)を予め定めた厚さに形成させる。p型半導体層(110)は好ましくはp型GaNから成る。
形成されたp型半導体層(110)上に所望のパターンを有するフォトレジスター(PR)を覆い、これをマスクとして図7(c)のように、好ましくはプラズマでドライエッチングを施す。ドライエッチングはフォトレジスター(PR)の開口を介してp型半導体層(110)の一部をドライエッチングし、n型半導体層(104)の一部領域、即ち第2領域(108)を露出させる(図7(d))。この際、エッチングは少なくともn型半導体層(104)の第2領域(108)を露出させられる深さで行い、図7(d)のようにn型半導体層(104)の第2領域(108)が削られるよう行うか第2領域(108)が第1領域(106)と実質的に同一平面となるよう行っても構わない。
一方、図7(b)及び7(c)とは異なり、n型半導体層(104)を成長させた後その上に一定パターンのフォトレジスターを覆いフォトレジスターの開口を介してp型半導体層(110)を選択的に形成することもできる。
図7(e)においては、図7(d)において形成された構造の上面全体に二酸化珪素(SiO2)のような酸化物を薄膜形態でコーティングする。
そうしてから、図7(c)と同様な方式によりn型半導体層(104)の第2領域(108)の二酸化珪素(SiO2)をエッチングし、図7(f)に示したように第2領域(108)を露出させる。
図7(g)においては気相蒸着などにより第2金属層(118)を露出した第2領域(108)に蒸着させる。第2金属層(118)は好ましくはTiAlまたはCrAuなどから成る。
その後、p型半導体層(110)にコーティングされた二酸化珪素(SiO2)を図7(c)と同様にプラズマなどによりエッチングし、露出したp型半導体層(110)に第1金属層(116)を蒸着させる。第1金属層(116)は好ましくはAg、Alまたはその合金から成り、Agが最も好ましい。
次いで、図7(i)のように、第1金属層(116)の上面に伝導性界面の接続部(120)を形成する。伝導性界面は通常bメタル(bonding metal)ともいい、好ましくはAuから成る。
このように形成された図7(i)の発光ダイオード構造において第1及び第2金属層(116、118)上に第1及び第2接続部(120、122)を夫々形成し、図1ないし図3のような発光ダイオード(100)を得る。
上記においては本発明の好ましき実施例を参照しながら説明したが、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば下記の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることに想到するであろう。
102、202、302、402 基板
104、204、304、404 n型半導体
106、206、306、406 n型半導体第1領域
108、208、308、408 n型半導体第2領域
110、210、310、410 p型半導体
112、114、212、214、312、412、414 盆地
116、216、316、416 第1金属層
118、218、318、418 第2金属層
120、220、320、420 接続部
104、204、304、404 n型半導体
106、206、306、406 n型半導体第1領域
108、208、308、408 n型半導体第2領域
110、210、310、410 p型半導体
112、114、212、214、312、412、414 盆地
116、216、316、416 第1金属層
118、218、318、418 第2金属層
120、220、320、420 接続部
Claims (13)
- 長方形サファイア基板と、
複数の長方形の第1領域とこれら第1領域を分割すべく上記第1領域間に交差形成された第2領域とを有し、上記サファイア基板の表面に形成されたn型半導体層と、
上記n型半導体層の第2領域上に夫々形成され夫々メサ構造を形成し、該メサ構造は少なくとも一対の対角方向の隅が内側に丸みがかって湾入され第1盆地を形成する複数のp型半導体層と、
上記メサ構造上にこれと同じ平面形状で夫々形成された複数の第1金属層と、
上記第2領域上に形成された第2金属層と、
上記第1金属層上に夫々形成された複数の第1電気接続部と、
上記第1盆地に位置する上記第2金属層に夫々形成された複数の第2電気接続部と、
を含むことを特徴とする高出力フリップチップ発光ダイオード。 - 上記メサ構造は残りの隅が丸みがかって形成され第2盆地を形成することを特徴とする請求項1に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
- 上記第1及び第2盆地は全て同半径で形成されることを特徴とする請求項2に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
- 上記第2盆地は同半径で形成されることを特徴とする請求項2に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
- 上記第1盆地は同半径で形成されることを特徴とする請求項1に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
- 上記第1金属層は一対の対角方向の隅を中心に対称形状を有することを特徴とする請求項1に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
- 上記第2金属領域は上記第1金属領域の周囲に一体に形成されることを特徴とする請求項1に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
- 上記サファイア基板の代わりに炭化珪素(SiC)基板、酸化物基板、及び炭化物基板中いずれかを用いることを特徴とする請求項1に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
- 長方形サファイア基板と、
複数の長方形の第1領域とこれら第1領域を分割すべく上記第1領域間に交差形成された第2領域とを有し、上記サファイア基板の表面に形成されたn型半導体層と、
上記n型半導体層の第2領域上に夫々形成され夫々メサ構造を形成し、該メサ構造は全ての隅が内側に丸みがかって湾入され盆地を形成する複数のp型半導体層と、
上記メサ構造上にこれと同じ平面形状で夫々形成された複数の第1金属層と、
上記第2領域上に形成された第2金属層と、
上記第1金属層上に夫々形成された複数の第1電気接続部と、
上記盆地に位置した上記第2金属層に夫々形成された複数の第2電気接続部と、
を含むことを特徴とする高出力フリップチップ発光ダイオード。 - 上記盆地は全て同半径に形成されることを特徴とする請求項9に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
- 上記第1金属層は一対の対角方向の隅を中心に対称形状を有することを特徴とする請求項9に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
- 上記第2金属領域は上記第1金属領域の周囲に一体に形成されることを特徴とする請求項9に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
- 上記サファイア基板の代わりに炭化珪素(SiC)基板、酸化物基板、及び炭化物基板中いずれかを用いることを特徴とする請求項9に記載の高出力フリップチップ発光ダイオード。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070605 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071106 |