KR20040009309A - 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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- n형층, 활성층, p형층으로 이루어진 반도체층과;상기 반도체층의 n형층 또는 p형층 상에 형성되는 제 1, 제 2전극; 및상기 제 1, 제 2전극을 통해 상기 반도체층에 인가되는 전류의 확산 경로를 제공하며, 암(arm) 구조를 갖는 제 1, 제 2보조전극; 을 포함함을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체층의 p형층과 상기 제 2전극 및 제 2보조전극 사이에 투명전극층이 더 형성됨을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1, 제 2보조전극은 상기 제 1, 제 2전극이 연장되어 형성됨을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1보조전극은 상기 반도체층의 n형층 둘레를 따라 형성되며, 상기 n형층을 둘러싸는 사면 중 일면을 제외한 영역에 형성되는 암(arm) 구조를 갖음을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 4항에 있어서,상기 제 1보조전극은 상기 반도체층의 n형층을 둘러싸는 사면 중 상기 제 1전극과 대향하는 위치의 일면을 제외한 영역에 형성되는 암(arm) 구조를 갖음을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 2항에 있어서,상기 제 2보조전극은 상기 반도체층의 p형층 또는 상기 투명전극층 상에 형성되며, 바(bar) 형태의 암(arm) 구조를 갖음을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 2항에 있어서,상기 제 2보조전극은 상기 반도체층의 p형층 또는 상기 투명전극층 상에 형성되며, 가지(tree) 형태의 암 구조를 갖음을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- (a) 기판상에 n형층, 활성층, p형층을 순차로 적층하여 다층구조의 반도체층을 형성하는 단계와;(b) 상기 반도체층의 소정 영역과 테두리 영역을 식각하여 n형층을 노출시키고, 상기 소정 영역에 제 1전극을 형성하고, 상기 테두리 영역에 암(arm) 구조를 갖는 제 1보조전극을 형성하는 단계; 및(c) 상기 반도체층의 p형층 상에 제 2전극을 형성하고, 상기 p형 전극과 도통되며 암(arm) 구조를 갖는 제 2보조전극을 형성하는 단계; 를 포함함을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,상기 반도체층의 p형층과 상기 제 2전극 및 제 2보조전극 사이에 투명전극층을 형성하는 단계; 가 더 포함됨을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 단계 (b)는,상기 반도체층의 테두리 영역을 식각함에 따라 노출되는 n형층 둘레에 형성되며, n형층을 둘러싸는 사면 중 일면을 제외한 영역에 형성되는 암(arm) 구조를 갖는 제 1보조전극을 형성함을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 단계 (b)는,상기 n형층을 둘러싸는 사면 중 상기 제 1전극과 대향하는 위치의 일면을 제외한 영역에 형성되는 암(arm) 구조를 갖는 제 1보조전극을 형성함을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 단계 (c)는,상기 반도체층의 p형층 또는 상기 투명전극층 상에 바(bar) 형태의 암(arm) 구조를 갖는 제 2보조전극을 형성함을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 단계 (c)는,상기 반도체층의 p형층 또는 상기 투명전극층 상에 가지(tree) 형태의 암(arm) 구조를 갖는 제 2보조전극을 형성함을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
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