JP2001284647A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板と成膜した膜との間に形成されるバッフ
ァ層の抵抗を皆無とし、その形状を工夫することによ
り、発光効率の向上と素子抵抗の低減を両立した半導体
発光装置を提供する。 【解決手段】 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半
導体層を積層した半導体層を設け、この一導電型半導体
層に第１の電極を接続して設けるとともに、前記逆導電
型半導体層に第２の電極を接続して設けた半導体発光装
置において、前記逆導電型半導体層の一部を除去して前
記一導電型半導体層の周縁部を露出させ、この一導電型
半導体層の周縁部に前記第１の電極を環状に設けた。
ァ層の抵抗を皆無とし、その形状を工夫することによ
り、発光効率の向上と素子抵抗の低減を両立した半導体
発光装置を提供する。 【解決手段】 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半
導体層を積層した半導体層を設け、この一導電型半導体
層に第１の電極を接続して設けるとともに、前記逆導電
型半導体層に第２の電極を接続して設けた半導体発光装
置において、前記逆導電型半導体層の一部を除去して前
記一導電型半導体層の周縁部を露出させ、この一導電型
半導体層の周縁部に前記第１の電極を環状に設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光装置に関
し、例えば照明用ＬＥＤ、リモコン用ＬＥＤ、あるいは
フォトカプラ用赤外ＬＥＤなどの各種光応用民生機器に
用いられる半導体発光装置に関する。
し、例えば照明用ＬＥＤ、リモコン用ＬＥＤ、あるいは
フォトカプラ用赤外ＬＥＤなどの各種光応用民生機器に
用いられる半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
半導体発光装置を図６および図７に示す。図６および図
７において、１１は半導体基板、１２は一導電型半導体
層、１３は逆導電型半導体層、１４は表面電極、１５は
裏面電極である。
半導体発光装置を図６および図７に示す。図６および図
７において、１１は半導体基板、１２は一導電型半導体
層、１３は逆導電型半導体層、１４は表面電極、１５は
裏面電極である。
【０００３】半導体基板１１上に、一導電型半導体層１
２と逆導電型半導体層１３を設けると共に、半導体基板
１１の裏面側に裏面電極１５、逆導電型半導体層１３の
表面側に表面電極１４を接続して設けている。
２と逆導電型半導体層１３を設けると共に、半導体基板
１１の裏面側に裏面電極１５、逆導電型半導体層１３の
表面側に表面電極１４を接続して設けている。
【０００４】このような半導体発光装置では、表面電極
１４と裏面電極１５に電流を流すことによって、発光ダ
イオードを発光させることができる。
１４と裏面電極１５に電流を流すことによって、発光ダ
イオードを発光させることができる。
【０００５】このような半導体発光装置では、基板１１
上に多数の発光素子を形成した後、ダイシング等の方法
で切断することにより、各素子が分離される。完成され
た発光素子はほぼダイス状になっている。
上に多数の発光素子を形成した後、ダイシング等の方法
で切断することにより、各素子が分離される。完成され
た発光素子はほぼダイス状になっている。
【０００６】このような半導体発光装置において、基板
１１として導電性基板を用いる場合、基板１１の表面側
に表面電極１４を設け、基板１１の裏面側に裏面電極１
５を設け、表面電極１４と裏面電極１５に電流を流すこ
とによって、発光ダイオードを発光させるのが普通であ
る。
１１として導電性基板を用いる場合、基板１１の表面側
に表面電極１４を設け、基板１１の裏面側に裏面電極１
５を設け、表面電極１４と裏面電極１５に電流を流すこ
とによって、発光ダイオードを発光させるのが普通であ
る。
【０００７】ところが、近年、低電圧で駆動可能な半導
体発光装置の要求がある。そのため、成膜に用いる基板
１１と成膜した膜１２、１３との間に形成されるバッフ
ァ層（不図示）の抵抗が無視できなくなっている。ま
た、低電圧での駆動は発光効率を上げることによっても
実現可能であるが、発光効率の観点からは発光体のサイ
ズを小さくすることが有利であるが、これは逆に素子の
抵抗を上げることになり、発光効率の向上と素子抵抗の
低減を両立することが難しかった。
体発光装置の要求がある。そのため、成膜に用いる基板
１１と成膜した膜１２、１３との間に形成されるバッフ
ァ層（不図示）の抵抗が無視できなくなっている。ま
た、低電圧での駆動は発光効率を上げることによっても
実現可能であるが、発光効率の観点からは発光体のサイ
ズを小さくすることが有利であるが、これは逆に素子の
抵抗を上げることになり、発光効率の向上と素子抵抗の
低減を両立することが難しかった。
【０００８】本発明はこのような従来装置の問題点に鑑
みてなされたものであり、基板と成膜した膜との間に形
成されるバッファ層の抵抗を皆無とし、その形状を工夫
することにより、発光効率の向上と素子抵抗の低減を両
立した半導体発光装置を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、基板と成膜した膜との間に形
成されるバッファ層の抵抗を皆無とし、その形状を工夫
することにより、発光効率の向上と素子抵抗の低減を両
立した半導体発光装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る半導体発光装置では、基板上に一導
電型半導体層と逆導電型半導体層を積層した半導体層を
設け、この一導電型半導体層に第１の電極を接続して設
けるとともに、前記逆導電型半導体層に第２の電極を接
続して設けた半導体発光装置において、前記逆導電型半
導体層の一部を除去して前記一導電型半導体層の周縁部
を露出させ、この一導電型半導体層の周縁部に前記第１
の電極を環状に設けたことを特徴とする。
に、請求項１に係る半導体発光装置では、基板上に一導
電型半導体層と逆導電型半導体層を積層した半導体層を
設け、この一導電型半導体層に第１の電極を接続して設
けるとともに、前記逆導電型半導体層に第２の電極を接
続して設けた半導体発光装置において、前記逆導電型半
導体層の一部を除去して前記一導電型半導体層の周縁部
を露出させ、この一導電型半導体層の周縁部に前記第１
の電極を環状に設けたことを特徴とする。
【００１０】また、請求項２に係る半導体発光装置で
は、基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積
層した半導体層を設け、この一導電型半導体層に第１の
電極を接続して設けるとともに、前記逆導電型半導体層
に第２の電極を接続して設けた半導体発光装置におい
て、前記逆導電型半導体層の一部を除去して前記一導電
型半導体層の周縁部と中央部分を露出させ、この一導電
型半導体層の周縁部に前記第１の電極を環状に設けると
ともに、前記一導電型半導体層の中央部分から前記逆導
電型半導体層上に延びる前記第２の電極を設けたことを
特徴とする。
は、基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積
層した半導体層を設け、この一導電型半導体層に第１の
電極を接続して設けるとともに、前記逆導電型半導体層
に第２の電極を接続して設けた半導体発光装置におい
て、前記逆導電型半導体層の一部を除去して前記一導電
型半導体層の周縁部と中央部分を露出させ、この一導電
型半導体層の周縁部に前記第１の電極を環状に設けると
ともに、前記一導電型半導体層の中央部分から前記逆導
電型半導体層上に延びる前記第２の電極を設けたことを
特徴とする。
【００１１】また、請求項３に係る半導体発光装置で
は、基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積
層した半導体層を設け、この一導電型半導体層に第１の
電極を接続して設けるとともに、前記逆導電型半導体層
に第２の電極を接続して設けた半導体発光装置におい
て、前記逆導電型半導体層の一部を除去して前記一導電
型半導体層の周縁部と中央部分を露出させ、この一導電
型半導体層の中央部分に前記第１の電極を設けるととも
に、前記一導電型半導体層の周縁部から前記逆導電型半
導体層上に延びる前記第２の電極を設けたことを特徴と
する。
は、基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積
層した半導体層を設け、この一導電型半導体層に第１の
電極を接続して設けるとともに、前記逆導電型半導体層
に第２の電極を接続して設けた半導体発光装置におい
て、前記逆導電型半導体層の一部を除去して前記一導電
型半導体層の周縁部と中央部分を露出させ、この一導電
型半導体層の中央部分に前記第１の電極を設けるととも
に、前記一導電型半導体層の周縁部から前記逆導電型半
導体層上に延びる前記第２の電極を設けたことを特徴と
する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、各請求項に係る発明を添付
図面に基づき詳細に説明する。図１は請求項１に係る半
導体発光装置の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'線部分の断面図であ
る。図１において、１は基板、２は一導電型半導体層、
３は逆導電型半導体層、４は第２の電極、５は第１の電
極である。以下、発光層にアルミニウムガリウム砒素を
用いたものを例に説明する。
図面に基づき詳細に説明する。図１は請求項１に係る半
導体発光装置の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'線部分の断面図であ
る。図１において、１は基板、２は一導電型半導体層、
３は逆導電型半導体層、４は第２の電極、５は第１の電
極である。以下、発光層にアルミニウムガリウム砒素を
用いたものを例に説明する。
【００１３】基板１はシリコン（Ｓｉ）やガリウムひ素
(ＧａＡｓ)などの単結晶半導体基板から成る。単結晶半
導体基板の場合、（１００）面を＜０１１＞方向に２〜
７°オフさせた基板などが好適に用いられる。
(ＧａＡｓ)などの単結晶半導体基板から成る。単結晶半
導体基板の場合、（１００）面を＜０１１＞方向に２〜
７°オフさせた基板などが好適に用いられる。
【００１４】一導電型半導体層２（２ａ、２ｂ、２ｃ）
は、バッファ層２ａ、オーミックコンタクト層２ｂ、キ
ャリア注入層２ｃで構成される。バッファ層２ａは２〜
４μｍ程度の厚みに形成され、オーミックコンタクト層
２ｂは０．１〜１．０μｍ程度の厚みに形成され、キャ
リア注入層２ｃは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成
される。バッファ層２ａとオーミックコンタクト層２ｂ
はガリウム砒素などで形成され、キャリア注入層２ｃは
アルミニウムガリウム砒素などで形成される。オーミッ
クコンタクト層２ｂはシリコンなどの一導電型半導体不
純物を１×１０ 16〜１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有
し、キャリア注入層２ｃはシリコンなどの一導電型半導
体不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度
含有する。また、このときキャリア注入層２ｃのＡｌの
組成はｘ＝０.２４〜０.５程度に形成する。バッファ層
２ａは基板１と半導体層との格子定数の不整合に基づく
ミスフィット転位を防止するために設けるものであり、
半導体不純物を含有させる必要はない。
は、バッファ層２ａ、オーミックコンタクト層２ｂ、キ
ャリア注入層２ｃで構成される。バッファ層２ａは２〜
４μｍ程度の厚みに形成され、オーミックコンタクト層
２ｂは０．１〜１．０μｍ程度の厚みに形成され、キャ
リア注入層２ｃは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成
される。バッファ層２ａとオーミックコンタクト層２ｂ
はガリウム砒素などで形成され、キャリア注入層２ｃは
アルミニウムガリウム砒素などで形成される。オーミッ
クコンタクト層２ｂはシリコンなどの一導電型半導体不
純物を１×１０ 16〜１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有
し、キャリア注入層２ｃはシリコンなどの一導電型半導
体不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度
含有する。また、このときキャリア注入層２ｃのＡｌの
組成はｘ＝０.２４〜０.５程度に形成する。バッファ層
２ａは基板１と半導体層との格子定数の不整合に基づく
ミスフィット転位を防止するために設けるものであり、
半導体不純物を含有させる必要はない。
【００１５】逆導電型半導体層３（３ａ、３ｂ、３ｃ）
は、発光層３ａ、クラッド層３ｂ、および第２のオーミ
ックコンタクト層３ｃで構成される。発光層３ａとクラ
ッド層３ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成さ
れ、オーミックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μ
ｍ程度の厚みに形成される。最上層のオーミックコンタ
クト層３ｃはガリウム砒素などから成る。
は、発光層３ａ、クラッド層３ｂ、および第２のオーミ
ックコンタクト層３ｃで構成される。発光層３ａとクラ
ッド層３ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成さ
れ、オーミックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μ
ｍ程度の厚みに形成される。最上層のオーミックコンタ
クト層３ｃはガリウム砒素などから成る。
【００１６】発光層３ａとクラッド層３ｂは、電子の閉
じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミニウム
砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）との混晶
比を異ならしめる。発光層３ａとクラッド層３ｂは亜鉛
（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０16〜１
０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、第２のオーミック
コンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半導体不純物を
１×１０19〜１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有する。
じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミニウム
砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）との混晶
比を異ならしめる。発光層３ａとクラッド層３ｂは亜鉛
（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０16〜１
０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、第２のオーミック
コンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半導体不純物を
１×１０19〜１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有する。
【００１７】第２の電極４と第１の電極５は金、金ゲル
マニウム合金などから成り、厚み１μｍ程度に形成され
る。
マニウム合金などから成り、厚み１μｍ程度に形成され
る。
【００１８】本発明の半導体発光装置では、図１に示す
ように、基板１上に一導電型半導体層２と逆導電型半導
体層３を積層して形成した半導体層を設けて、この逆導
電型半導体層３の一部をエッチングして除去して形成し
た一導電型半導体層２の露出部Ｒに第１の電極５を接続
して設け、逆導電型半導体層３に第２の電極４を形成す
る。その際には、基板１上に一導電型半導体層２と逆導
電型半導体層３を積層した島状の半導体層を設けて、そ
の周縁部の逆導電型半導体層３をエッチングして除去し
て一導電型半導体層２の露出部Ｒを作成し、その部分に
逆導電型半導体層３とコンタクトする第１の電極５を設
ける。
ように、基板１上に一導電型半導体層２と逆導電型半導
体層３を積層して形成した半導体層を設けて、この逆導
電型半導体層３の一部をエッチングして除去して形成し
た一導電型半導体層２の露出部Ｒに第１の電極５を接続
して設け、逆導電型半導体層３に第２の電極４を形成す
る。その際には、基板１上に一導電型半導体層２と逆導
電型半導体層３を積層した島状の半導体層を設けて、そ
の周縁部の逆導電型半導体層３をエッチングして除去し
て一導電型半導体層２の露出部Ｒを作成し、その部分に
逆導電型半導体層３とコンタクトする第１の電極５を設
ける。
【００１９】このようにすることによって、基板１と成
膜した膜２、３との間に形成されるバッファ層２ａの抵
抗を皆無とし、かつ電流が流れる一導電型半導体層２の
距離が小さくなり、素子抵抗の低減を図ることができる
とともに、素子抵抗の低減と発光強度の向上を両立させ
ることが可能となる。
膜した膜２、３との間に形成されるバッファ層２ａの抵
抗を皆無とし、かつ電流が流れる一導電型半導体層２の
距離が小さくなり、素子抵抗の低減を図ることができる
とともに、素子抵抗の低減と発光強度の向上を両立させ
ることが可能となる。
【００２０】次に、上述のような半導体発光装置の製造
方法を説明する。まず、単結晶基板１上に、一導電型半
導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順
次積層して形成する。
方法を説明する。まず、単結晶基板１上に、一導電型半
導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順
次積層して形成する。
【００２１】これらの半導体層２、３を形成する場合、
基板温度をまず４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成した後、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望厚
みの半導体層２、３を形成する。
基板温度をまず４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成した後、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望厚
みの半導体層２、３を形成する。
【００２２】この場合、原料ガスとしてはＴＭＧ（（Ｃ
Ｈ3）3Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2Ｈ5） 3Ｇａ）、アルシン
（ＡｓＨ3）、ＴＭＡ（（ＣＨ3）3Ａｌ）、ＴＥＡ
（（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ）などが用いられ、導電型を制御す
るためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、セレン化
水素（Ｈ2Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ3）3Ｚｎ）などが用
いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2などが用いられ
る。
Ｈ3）3Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2Ｈ5） 3Ｇａ）、アルシン
（ＡｓＨ3）、ＴＭＡ（（ＣＨ3）3Ａｌ）、ＴＥＡ
（（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ）などが用いられ、導電型を制御す
るためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、セレン化
水素（Ｈ2Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ3）3Ｚｎ）などが用
いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2などが用いられ
る。
【００２３】次に、一導電型半導体層２の一部を露出さ
せるために逆導電型半導体層３の周縁部をエッチングす
る。この際にエッチングする領域としては、図１のよう
に一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３から成る半
導体層２、３を形成し、その周縁部の逆導電型半導体層
３を除去して、一導電型半導体層２の周縁部を露出させ
る。逆導電型半導体層３のエッチングは硫酸過酸化水素
系のエッチング液を用いたウェットエッチングやＣＣｌ
2Ｆ2ガスを用いたドライエッチングなどで行なわれる。
せるために逆導電型半導体層３の周縁部をエッチングす
る。この際にエッチングする領域としては、図１のよう
に一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３から成る半
導体層２、３を形成し、その周縁部の逆導電型半導体層
３を除去して、一導電型半導体層２の周縁部を露出させ
る。逆導電型半導体層３のエッチングは硫酸過酸化水素
系のエッチング液を用いたウェットエッチングやＣＣｌ
2Ｆ2ガスを用いたドライエッチングなどで行なわれる。
【００２４】次に、ＡｕやＡｕＧｅなどを蒸着法やスパ
ッタリング法で形成して電極４、５をパターニングす
る。この際、島状半導体層２、３に第２の電極４を接続
し、逆導電型半導体層３の周縁部をエッチングして形成
した一導電性半導体層２の露出部Ｒに第１の電極５を接
続する。その形状は、図１（ａ）に示すように、第１の
電極５は環状に形成し、第２の電極４は中央部分から放
射状に広がるように形成する。
ッタリング法で形成して電極４、５をパターニングす
る。この際、島状半導体層２、３に第２の電極４を接続
し、逆導電型半導体層３の周縁部をエッチングして形成
した一導電性半導体層２の露出部Ｒに第１の電極５を接
続する。その形状は、図１（ａ）に示すように、第１の
電極５は環状に形成し、第２の電極４は中央部分から放
射状に広がるように形成する。
【００２５】多数個取りする場合は、この後に、半導体
発光装置をダイシング等の方法で切断することにより、
各素子が分離される。切断した後、切断したチップを、
ワイヤーボンディングなどで外部回路と接続する。
発光装置をダイシング等の方法で切断することにより、
各素子が分離される。切断した後、切断したチップを、
ワイヤーボンディングなどで外部回路と接続する。
【００２６】上記は半導体発光装置の一実施形態であ
り、それぞれの膜厚には限定されない。また、材料に関
してもアルミニウムガリウム砒素に限定されず、インジ
ウムガリウム砒素、ガリウムリンなどに対しても有効で
ある。また、電極の形状も例に示した形状に限定される
ものではない。
り、それぞれの膜厚には限定されない。また、材料に関
してもアルミニウムガリウム砒素に限定されず、インジ
ウムガリウム砒素、ガリウムリンなどに対しても有効で
ある。また、電極の形状も例に示した形状に限定される
ものではない。
【００２７】図２は、請求項２に係る半導体発光装置の
一実施形態を示す図である。図２のように一導電型半導
体層２と逆導電型半導体層３から成る半導体層２、３を
形成し、その周縁部および発光体を分割するように逆導
電型半導体層３を除去して、一導電型半導体層２を露出
させる。そして、絶縁膜６を形成した後、分割した中心
部から逆導電型半導体層３上に放射状に延びるように第
２の電極４を設け、島状の一導電型半導体層２と逆導電
型半導体層３から成る半導体層２、３を囲むように環状
に一導電型半導体層２上に第１の電極５を設ける。
一実施形態を示す図である。図２のように一導電型半導
体層２と逆導電型半導体層３から成る半導体層２、３を
形成し、その周縁部および発光体を分割するように逆導
電型半導体層３を除去して、一導電型半導体層２を露出
させる。そして、絶縁膜６を形成した後、分割した中心
部から逆導電型半導体層３上に放射状に延びるように第
２の電極４を設け、島状の一導電型半導体層２と逆導電
型半導体層３から成る半導体層２、３を囲むように環状
に一導電型半導体層２上に第１の電極５を設ける。
【００２８】このようにすることによって、発光体サイ
ズが小さくなることによって、発光効率が高められると
ともに基板１と成膜した膜２、３との間に存在するバッ
ファ層２ａの抵抗の影響を皆無とし、電流が流れる一導
電型半導体層２の距離が小さくなることで素子の抵抗が
小さくなる。
ズが小さくなることによって、発光効率が高められると
ともに基板１と成膜した膜２、３との間に存在するバッ
ファ層２ａの抵抗の影響を皆無とし、電流が流れる一導
電型半導体層２の距離が小さくなることで素子の抵抗が
小さくなる。
【００２９】絶縁膜６を形成する場合は、窒化シリコン
などで形成し、厚み３０００〜５０００Å程度に形成す
る。プラズマＣＶＤ法で、シランガス（ＳｉＨ4）とア
ンモニアガス（ＮＨ3）を用いて形成する。
などで形成し、厚み３０００〜５０００Å程度に形成す
る。プラズマＣＶＤ法で、シランガス（ＳｉＨ4）とア
ンモニアガス（ＮＨ3）を用いて形成する。
【００３０】図３は請求項２に係る半導体発光装置の他
の実施形態を示す図である。図３では、発光体の逆導電
型半導体層３の端部に第２の電極４が掛かるので、逆導
電型半導体層３における第２の電極４の掛かる部分の角
を落として、この部分のみ逆導電型半導体層３の端部が
テーパー形状になるようにしている。
の実施形態を示す図である。図３では、発光体の逆導電
型半導体層３の端部に第２の電極４が掛かるので、逆導
電型半導体層３における第２の電極４の掛かる部分の角
を落として、この部分のみ逆導電型半導体層３の端部が
テーパー形状になるようにしている。
【００３１】図４は請求項３に係る半導体発光装置の一
実施形態を示す図である。図４のように一導電型半導体
層２と逆導電型半導体層３から成る半導体層２、３を形
成し、その周縁部の逆導電型半導体層３と中央部の逆導
電型半導体層３とを発光体が分割するように除去して、
一導電型半導体層２を露出させる。このようにして形成
された一導電型半導体層２の分割溝部分に第１の電極５
を配置するとともに、一導電型半導体層２の周縁部に絶
縁膜６を介して環状に第２の電極４を形成し、この周縁
部から逆導電型半導体層３上に延びるように第２の電極
４を形成する。逆導電型半導体層３上で逆導電型半導体
層３に接続する。
実施形態を示す図である。図４のように一導電型半導体
層２と逆導電型半導体層３から成る半導体層２、３を形
成し、その周縁部の逆導電型半導体層３と中央部の逆導
電型半導体層３とを発光体が分割するように除去して、
一導電型半導体層２を露出させる。このようにして形成
された一導電型半導体層２の分割溝部分に第１の電極５
を配置するとともに、一導電型半導体層２の周縁部に絶
縁膜６を介して環状に第２の電極４を形成し、この周縁
部から逆導電型半導体層３上に延びるように第２の電極
４を形成する。逆導電型半導体層３上で逆導電型半導体
層３に接続する。
【００３２】図４のように、第２の電極４を一導電性半
導体層２の露出部Ｒ上に形成するときには、一導電性半
導体層２の露出部Ｒには絶縁膜６が必要である。
導体層２の露出部Ｒ上に形成するときには、一導電性半
導体層２の露出部Ｒには絶縁膜６が必要である。
【００３３】このようにすることによって、図２に示す
半導体発光装置と同じように発光効率が高められるとと
もに基板１と成膜した一導電型半導体膜２と逆導電型半
導体膜３との間に存在するバッファ層２ａの抵抗の影響
を皆無とし、電流が流れる一導電型半導体層２の距離が
小さくなることで素子の抵抗が小さくなる。
半導体発光装置と同じように発光効率が高められるとと
もに基板１と成膜した一導電型半導体膜２と逆導電型半
導体膜３との間に存在するバッファ層２ａの抵抗の影響
を皆無とし、電流が流れる一導電型半導体層２の距離が
小さくなることで素子の抵抗が小さくなる。
【００３４】図５は請求項３に係る半導体発光装置の他
の実施形態を示す図である。図５では、逆導電型半導体
層３の端部に電極４が掛かるので、逆導電側半導体層３
の角を落として、この部分のみ逆導電型半導体層３の端
部がテーパー形状になるようにしている。
の実施形態を示す図である。図５では、逆導電型半導体
層３の端部に電極４が掛かるので、逆導電側半導体層３
の角を落として、この部分のみ逆導電型半導体層３の端
部がテーパー形状になるようにしている。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る半導体発
光装置では、逆導電型半導体層の周縁部を除去して前記
一導電型半導体層の周縁部を露出させ、この一導電型半
導体層の周縁部に前記第１の電極を環状に設けたことか
ら、基板と成膜した膜との間のバッファ層には電流が流
れず、基板と成膜した膜との間に存在するバッファ層の
抵抗の影響を皆無とし、電流が流れる一導電型半導体層
の距離が小さくなることで素子の抵抗が小さくなる。
光装置では、逆導電型半導体層の周縁部を除去して前記
一導電型半導体層の周縁部を露出させ、この一導電型半
導体層の周縁部に前記第１の電極を環状に設けたことか
ら、基板と成膜した膜との間のバッファ層には電流が流
れず、基板と成膜した膜との間に存在するバッファ層の
抵抗の影響を皆無とし、電流が流れる一導電型半導体層
の距離が小さくなることで素子の抵抗が小さくなる。
【００３６】また、請求項２に係る半導体発光装置で
は、逆導電型半導体層の周縁部を除去するとともに中央
部分に分割溝を設けて前記一導電型半導体層の周縁部と
中央部分を露出させ、この一導電型半導体層の周縁部に
前記第１の電極を環状に設けるとともに、前記一導電型
半導体層の中央部分から前記逆導電型半導体層上に延び
る前記第２の電極を設けたことから、発光効率が高めら
れるとともに基板と成膜した膜との間に存在するバッフ
ァ層の抵抗の影響を皆無とし、電流が流れる一導電型半
導体層の距離が小さくなることで素子の抵抗が小さくな
る。
は、逆導電型半導体層の周縁部を除去するとともに中央
部分に分割溝を設けて前記一導電型半導体層の周縁部と
中央部分を露出させ、この一導電型半導体層の周縁部に
前記第１の電極を環状に設けるとともに、前記一導電型
半導体層の中央部分から前記逆導電型半導体層上に延び
る前記第２の電極を設けたことから、発光効率が高めら
れるとともに基板と成膜した膜との間に存在するバッフ
ァ層の抵抗の影響を皆無とし、電流が流れる一導電型半
導体層の距離が小さくなることで素子の抵抗が小さくな
る。
【００３７】さらに、請求項３に係る半導体発光装置で
は、逆導電型半導体層の周縁部を除去するとともに中央
部分に分割溝を設けて一導電型半導体層の周縁部と中央
部分を露出させ、この一導電型半導体層の中央部分に第
１の電極を設けるとともに、一導電型半導体層の周縁部
に絶縁膜を介して逆導電型半導体層上に延びる第２の電
極を設けたことから、発光効率が高められるとともに基
板と成膜した膜との間に存在するバッファ層の抵抗の影
響を皆無とし、電流が流れる一導電型半導体層の距離が
小さくなることで素子の抵抗が小さくなる。
は、逆導電型半導体層の周縁部を除去するとともに中央
部分に分割溝を設けて一導電型半導体層の周縁部と中央
部分を露出させ、この一導電型半導体層の中央部分に第
１の電極を設けるとともに、一導電型半導体層の周縁部
に絶縁膜を介して逆導電型半導体層上に延びる第２の電
極を設けたことから、発光効率が高められるとともに基
板と成膜した膜との間に存在するバッファ層の抵抗の影
響を皆無とし、電流が流れる一導電型半導体層の距離が
小さくなることで素子の抵抗が小さくなる。
【００３８】このように、基板と成膜した膜との間に形
成されるバッファ層の抵抗を皆無とし、電流が流れる一
導電型半導体層の距離が小さくし、発光体を分割するこ
とで、発光効率の向上と素子抵抗の低減を両立させるこ
とが可能となる。
成されるバッファ層の抵抗を皆無とし、電流が流れる一
導電型半導体層の距離が小さくし、発光体を分割するこ
とで、発光効率の向上と素子抵抗の低減を両立させるこ
とが可能となる。
【図１】請求項１に係る発明の一実施形態を示す図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】請求項２に係る発明の一実施形態を示す図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図３】請求項２に係る発明の他の実施形態を示す図で
ある。
ある。
【図４】請求項３に係る発明の一実施形態を示す図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図５】請求項３に係る発明の他の実施形態を示す平面
図である。
図である。
【図６】従来の半導体発光装置を示す平面図である。
【図７】従来の半導体発光装置を示す断面図である。
１：基板、２：一導電型半導体層、３：逆導電型半導体
層、４：第２の電極(表面電極)、５：第１の電極(裏面
電極)、６：絶縁膜、
層、４：第２の電極(表面電極)、５：第１の電極(裏面
電極)、６：絶縁膜、
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半
導体層を積層した半導体層を設け、この一導電型半導体
層に第１の電極を接続して設けるとともに、前記逆導電
型半導体層に第２の電極を接続して設けた半導体発光装
置において、前記逆導電型半導体層の一部を除去して前
記一導電型半導体層の周縁部を露出させ、この一導電型
半導体層の周縁部に前記第１の電極を環状に設けたこと
を特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半
導体層を積層した半導体層を設け、この一導電型半導体
層に第１の電極を接続して設けるとともに、前記逆導電
型半導体層に第２の電極を接続して設けた半導体発光装
置において、前記逆導電型半導体層の一部を除去して前
記一導電型半導体層の周縁部と中央部分を露出させ、こ
の一導電型半導体層の周縁部に前記第１の電極を環状に
設けるとともに、前記一導電型半導体層の中央部分から
前記逆導電型半導体層上に延びる前記第２の電極を設け
たことを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項３】 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半
導体層を積層した半導体層を設け、この一導電型半導体
層に第１の電極を接続して設けるとともに、前記逆導電
型半導体層に第２の電極を接続して設けた半導体発光装
置において、前記逆導電型半導体層の一部を除去して前
記一導電型半導体層の周縁部と中央部分を露出させ、こ
の一導電型半導体層の中央部分に前記第１の電極を設け
るとともに、前記一導電型半導体層の周縁部から前記逆
導電型半導体層上に延びる前記第２の電極を設けたこと
を特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000090967A JP2001284647A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000090967A JP2001284647A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284647A true JP2001284647A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18606489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000090967A Pending JP2001284647A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001284647A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489037B1 (ko) * | 2002-07-23 | 2005-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
-
2000
- 2000-03-29 JP JP2000090967A patent/JP2001284647A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489037B1 (ko) * | 2002-07-23 | 2005-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
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