KR20030078699A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20030078699A
KR20030078699A KR10-2003-0019041A KR20030019041A KR20030078699A KR 20030078699 A KR20030078699 A KR 20030078699A KR 20030019041 A KR20030019041 A KR 20030019041A KR 20030078699 A KR20030078699 A KR 20030078699A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
reaction tube
cleaning
cleaning gas
exhaust
Prior art date
Application number
KR10-2003-0019041A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100802212B1 (ko
Inventor
오쿠다가즈유키
가가야도루
사카이마사노리
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 filed Critical 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Publication of KR20030078699A publication Critical patent/KR20030078699A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100802212B1 publication Critical patent/KR100802212B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 종래의 에칭 가스 공급의 문제를 해결하여, 균일한 에칭, 나아가서는 균일한 반응관 내의 클리닝을 행하는 것을 목적으로 한다.
가스 도입관으로부터 반응관으로 클리닝 가스를 공급하고 있는 동안, 상기 가스 배기관으로부터의 배기가 정지되어 있는 상태가 있도록 하기 위해, 상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하기 전의 소정 시점부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급 개시부터 수 초 경과하는 시점까지, 상기 가스 배기관으로부터의 가스 배기를 멈추거나 또는 반응관 내의 클리닝 가스의 흐름에 영향이 없을 정도의 가스 배기량으로 하여, 반응관 내에 상기 클리닝 가스를 충만시켜 반응관 내에 부착한 부착물의 제거를 행하는 제1 단계와, 상기 제1 단계 후, 반응관 내에 충만한 분위기를 상기 가스 배기관으로부터 제거하는 제2 단계로 이루어지는 클리닝 공정을 적어도 1사이클 이상 실시하여 반응관 내벽을 클리닝한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 특히 Si 등의 기판 상에 반도체 디바이스를 제조할 때 사용되는 반도체 디바이스의 제조 장치인 기판 처리 장치의 반응실 내의 클리닝 기술에 관한 것이다.
이러한 종류의 기판 처리 장치에서, 반응실로 클리닝 가스를 공급, 배기하여 클리닝을 실행하는 것이 알려져 있다(특개 2002-47571호 공보 참조).
도 7에 의해 종래의 반도체 디바이스의 제조 장치를 설명한다. 도 7은 반응로의 개념을 나타내는 단면도이다.
원하는 막형성 처리에 의해 반응관(1)의 내벽 등에 부착한 반응 부생성물의 제거를 목적으로 하는 셀프 클리닝 공정에서는, 클리닝 가스로서의 에칭 가스(4)를 일정 유량으로 제어하여, 연속적으로 가스 도입관(2)으로부터 가스 노즐(7)을 거쳐 복수의 구멍(8)으로부터 반응관(1) 내로 공급하고 있었다.
또, 그 반응관(1) 내를 가스 배기관(3)에 접속된 압력 조정 밸브(5)의 개도 조정에 의해, 원하는 양의 가스의 배기를 행함으로써, 반응관(1) 내를 일정 압력으로 유지하고 있었다.
그러나, 종래의 시스템, 방법에서는, 불균일한 에칭, 에칭 잔여물이 발생하는 문제가 있었다.
그 원인은 종래에는 배기를 행하면서 에칭 가스를 공급하고 있으므로, 다음 현상이 발생하고 있기 때문이라고 생각된다.
(a) 반응관(1)의 형상, 또는 가스의 공급 위치와 배기 위치의 위치 관계에 의해, 가스 도입관(2)으로부터 가스 배기관(3)으로 향하는 "흐름"이 발생하여, "흐름"의 상류 부분에서 에칭 가스가 많이 소비되어, 하류 부분에 에칭 가스가 도달하기 힘들다.
(b) 반응관(1)에서 봐서 압력이 낮은 장소(즉, 가스 배기관 부근)에서의 가스 확산 정도가 큰 것에 비해, 반응관에서 봐서 압력이 높은 장소(즉 반응관(1)의 상단부 등)에서의 가스 확산 정도가 작아, 반응관(1) 내에서 봐서 압력이 높은 장소에 에칭 가스가 도달하기 힘들다.
즉, 가스 도입관(2)으로부터 가스 배기관(3)으로 향하는 "흐름"이 발생하여, "흐름"을 따르지 않은 부분에 에칭 가스가 도달하기 힘들다.
구체적으로는 도 7의 화살표로 나타낸 바와 같이, 반응관(1)의 거의 중간부 위치로부터 가스 배기관(3)측에는 가스의 흐름을 따른 강한 흐름 부분(11)이 발생하는 한편, 반응관(1)의 상부측에는 가스 흐름에 거스른 약한 흐름 부분(12)이 발생하여, 가스 유량, 분압이 반응관(1) 내에서 일정하지는 않았던 것이다.
또한, 이 명세서에서 "흐름"이란, 배기 작용에서 발생하는 의도적인 가스의 기류를 말하며, 가스의 확산에 의한 것을 제외한다.
본 발명은 NF3등의 에칭 가스를 사용하는 셀프 클리닝을 행하는 반도체 디바이스 제조 장치(기판 처리 장치)에서, 종래의 에칭 가스 공급의 문제를 해결하여, 균일한 에칭, 나아가서는 균일한 반응관 내의 클리닝을 행하는 것을 주된 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시형태의 기판 처리 장치를 나타낸 사시도,
도 2는 본 발명의 실시형태의 기판 처리 장치에 사용한 반응로를 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명의 실시형태의 기판 처리 장치의 가스 시스템을 나타낸 가스 시스템도,
도 4는 본 발명의 실시형태의 기판 처리 장치에서의 클리닝 공정의 처리 흐름을 나타낸 흐름도,
도 5는 본 발명의 실시형태의 기판 처리 장치에서의 클리닝 공정의 타임 차트,
도 6은 본 발명의 다른 실시형태의 기판 처리 장치에서의 클리닝 공정의 처리 흐름을 나타낸 흐름도,
도 7은 종래의 반응로를 나타낸 단면도이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
20 … 기판 처리 장치 52 … 반응관
58 … 가스 도입관 60 … 가스 배기관
66 … 폐색 부재 110 … 제어 장치
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 특징으로 하는 바는, 반응관에 연통하는 가스 도입관과 폐색 부재를 갖는 가스 배기관을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하고 있는 동안, 상기 가스 배기관으로부터의 배기가 정지되어 있는 상태가 있도록 하기 위해, 상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하기 전의 소정 시점부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스의 공급 개시부터 수 초 경과하는 시점까지, 배기를 실질적으로 정지시키도록 상기 폐색 부재의 개도를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 반응관 내를 클리닝 가스로 충만시키는 기판 처리 장치에 있다. 여기서 실질적으로 정지한다는 것은, 가스의 배기를 완전히 정지하는 것뿐만 아니라, 반응관 내에 클리닝 가스가 거의 균일하게 확산하는 한은, 약간의 배기량의 배기를 허용하는 것을 말한다. 따라서, 반응관 내에서의 클리닝 가스의 흐름을 실질적으로 정지시켜, 클리닝 가스를 확산에 의해 반응관 내를 충만시킬 수 있어, 반응관 내에서 에칭 가스의 분압이 균일해질 뿐만 아니라, 에칭 가스의 압력이 상승하므로 에칭 속도(클리닝 속도)의 향상도 가능한 것이다.
가스 배기관으로부터의 배기는, 상기 가스 도입관으로부터의 클리닝 가스 공급 개시와 동시 또는 클리닝 가스 공급 개시 전에 실질적으로 정지해도 되고, 클리닝 가스가 공급된 후 수 초 경과할 때까지 가스 도입관으로부터의 배기를 실질적으로 정지하면 된다. 상기 가스 도입관으로부터의 클리닝 가스 공급 개시 후에 배기를 정지하는 경우, 배기 정지의 타이밍은 배기관을 닫는 데 필요한 시간과 반응관 내에 클리닝 가스가 반응관 내 거의 전체로 용이하게 확산하는 데 필요한 시간이 고려된다. 예를 들면 배기관을 닫는 데 필요한 시간을 2초로 하고, 클리닝 가스가 반응관 내 거의 전체로 용이하게 확산하는 데 5초 걸린다고 하면, 합계 7초 후가 되고, 이 7초 이내에 배기를 정지하는 것이 바람직하다. 5초의 마진을 취하는 이유는, 반응관 내에 가스의 흐름이 발생한 후에 배기를 정지하므로, 가스의 공급 포트와 배기 포트 사이의 거리가 길어, 경로가 복잡한 경우 클리닝 가스를 빨리 전체로 도달시킬 수 없기 때문이다.
본 발명의 제2 특징으로 하는 바는, 반응관에 연통하는 가스 도입관과 폐색 부재를 갖는 가스 배기관을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하고 있는 동안, 상기 가스 배기관으로부터의 배기가 정지되어 있는 상태가 있도록 하기 위해, 상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하기 전의 소정 시점부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급 개시한 후의 소정 시점까지, 배기를 실질적으로 정지시키도록 상기 폐색 부재의 개도를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 반응관 내를 클리닝 가스로 충만시키는 제1 단계와, 이 제1 단계 후, 상기 반응실 내를 배기하는 제2 단계를 설치하고, 상기 제1 단계와 제2 단계를 적어도 1사이클 이상 반복하는 기판 처리 장치에 있다. 제2 단계는, 세정 반응 후의 반응 물질이 그 후의 세정 반응을 방해하므로, 일단 배기함으로써 클리닝 효율을 높일 수 있다. 또한, 제1 단계와 제2 단계의 반복 회수는 부착되어 있는 막의 막두께 등에 의해 좌우되는 것이다.
본 발명의 제3 특징으로 하는 바는, 반응관과, 이 반응관에 연통하는 가스 도입관과, 상기 반응관에 연통하고, 폐색 부재를 갖는 가스 배기관과, 상기 가스 도입관으로 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급 수단과, 이 클리닝 가스 공급 수단에 의해 상기 가스 도입관을 통해 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하고 있는 동안, 상기 가스 배기관으로부터의 배기가 정지되어 있는 상태가 있도록 하기 위해, 상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하기 전의 소정 시점부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스의 공급 개시부터 수 초 경과하는 시점까지, 배기를 실질적으로 정지시키도록 상기 폐색 부재의 개도를 제어하는 제어 수단을 구비하는 기판 처리 장치에 있다.
바람직하게는, 상기 제1 내지 제3 특징의 기판 처리 장치 중 어느 하나를 사용하여, 가스 도입관으로부터 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하고 있는 동안, 상기 가스 배기관으로부터의 배기가 정지되어 있는 상태가 있도록 하기 위해, 상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하기 전의 소정 시점부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스의 공급 개시부터 수 초 경과하는 시점까지, 배기를 실질적으로 정지시키고, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 반응관 내를 클리닝 가스로 충만시키는 기판 처리 공정을 거쳐 반도체 디바이스를 제조한다.
(발명의 실시형태)
다음으로 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다.
도 1에는 본 발명의 실시형태의 기판 처리 장치(20)가 도시되어 있다. 이 기판 처리 장치(20)는 예를 들면 세로형이며, 주요부가 배치된 본체(22)를 갖는다. 이 본체(22)에는 포드 스테이지(24)가 접속되어 있으며, 이 포드 스테이지(24)에 포드(26)가 반송된다. 포드(26)는 예를 들면 25장의 기판이 수납되고, 도시 생략한 뚜껑이 닫힌 상태로 포드 스테이지(24)에 세트된다.
본체(22) 내에서, 포드 스테이지(24)에 대향하는 위치에는 포드 반송 장치(28)가 배치되어 있다. 또, 이 포드 반송 장치(28)의 근방에는 포드 선반(30), 포드 오프너(32) 및 기판 매수 검지기(34)가 배치되어 있다. 포드 반송 장치(28)는 포드 스테이지(24)와 포드 선반(30)과 포드 오프너(32) 사이에서 포드(26)를 반송한다. 포드 오프너(32)는 포드(26)의 뚜껑을 여는 것이며, 이 뚜껑이 열린 포드(26) 내의 기판 매수가 기판 매수 검지기(34)에 의해 검지된다.
또한, 본체(22) 내에는 기판 이재기(36), 노치 얼라이너(38) 및 기판 지지체(40)(보트)가 배치되어 있다. 기판 이재기(36)는 예를 들면 5장의 기판을 취출할 수 있는 아암(42)을 갖고, 이 아암(42)을 움직임으로써, 포드 오프너(32)의 위치에 놓여진 포드(26), 노치 얼라이너(38) 및 기판 지지체(40) 사이에서 기판을 반송한다. 노치 얼라이너(38)는 기판에 형성된 노치 또는 오리엔테이션 플랫(Orientation Flat)을 검출하여 기판을 정돈하는 것이다.
도 2에서 반응로(50)가 도시되어 있다. 이 반응로(50)는 반응관(52)을 갖고, 이 반응관(52) 내에 상술한 기판 지지체가 삽입된다. 반응관(52)의 하방은 기판 지지체를 삽입하기 위해 개방되고, 이 개방 부분은 시일 캡(54)(도 1에도 나타낸다)에 의해 밀폐되도록 되어 있다. 또, 반응관(52)의 주위에는 히터(56)(도 3에 나타낸다)가 배치되어 있다. 그리고, 반응관(52)에는 반응 가스나 클리닝 가스를 공급하는 가스 도입관(58)과, 반응 가스나 클리닝 가스를 배기하는 배기관(60)이 접속되어 있다. 가스 도입관(58)으로부터 공급된 가스는, 반응관(52) 내에 형성된 가스 노즐(62)의 다수의 구멍(64)으로부터 반응관(52) 내로 공급된다. 또, 가스 배기관(60)에는 예를 들면 압력 조정 밸브로 이루어지는 폐색 부재(66)가 설치되어 있으며, 이 폐색 부재(66)는 셔트 오프의 기능을 갖는다.
다음으로 상술한 것과 같이 구성된 기판 처리 장치(20)에 의한 기판 처리 공정에 대해 설명한다.
먼저 포드 스테이지(24)에 복수 장의 기판을 수용한 포드(26)가 세트되면, 포드 반송 장치(28)에 의해 포드(26)를 포드 스테이지(24)로부터 포드 선반(30)으로 반송하고, 이 포드 선반(30)에 저장한다. 이어서, 포드 반송 장치(28)에 의해, 이 포드 선반(30)에 저장된 포드(26)를 포드 오프너(32)로 반송하여 세트하고, 이 포드 오프너(32)에 의해 포드(26)의 뚜껑을 열어, 기판 매수 검지기(34)에 의해 포드(26)에 수용되어 있는 기판의 매수를 검지한다.
이어서, 기판 이재기(36)에 의해 포드 오프너(32)의 위치에 있는 포드(26)로부터 기판을 취출하여, 노치 얼라이너(38)에 이재한다. 이 노치 얼라이너(38)에서는, 기판을 회전시키면서 노치를 검출하여, 검출한 정보에 기초하여 복수의 기판을 같은 위치에 정렬시킨다. 이어서, 기판 이재기(36)에 의해 노치 얼라이너(38)로부터 기판을 취출하여, 기판 지지체(40)에 이재한다.
이렇게 하여, 1배치분의 기판을 기판 지지체(40)에 이재하면, 소정의 온도로 설정된 반응로(50) 내에 복수 장의 기판을 장전한 기판 지지체(40)를 설치하고, 시일 캡(54)에 의해 반응관(52) 내를 밀폐한다. 이어서, 가스 도입관(58)으로부터 반응 가스를 공급한다. 그리고, 반응관(52) 내의 온도를 모니터하면서, 미리 설정된 승온, 강온 프로그램에 따라 기판 처리를 실시한다.
기판 처리가 종료하면, 소정의 온도로 강온한 후, 기판 지지체(40)를 반응로(50)로부터 언로드하고, 기판 지지체(40)에 지지된 모든 기판이 차가워질 때까지 기판 지지체(40)를 소정 위치에서 대기시킨다. 이어서, 대기시킨 기판 지지체(40)의 기판이 소정 온도까지 냉각되면, 기판 이재기(36)에 의해 기판 지지체(40)로부터 기판을 취출하여, 포드 오프너(32)에 세트되어 있는 빈 포드(26)로 반송하여 수용한다. 이어서, 포드 반송 장치(28)에 의해, 기판이 수용된 포드(26)를 포드 선반(30)으로 반송하고, 또한 포드 스테이지(24)로 반송하여 완료한다.
도 3에서, 상기 기판 처리 장치의 가스 시스템이 도시되어 있다.
퍼지용 N2가스가 저장된 제1 저장 탱크(68)는 제1 수동 밸브(70), 제1 개폐 밸브(72), 제1 유량 제어 밸브(74), 제2 개폐 밸브(76) 및 상술한 가스 도입관(58)을 통해 반응관(52)에 접속되어 있다. 클리닝 가스가 저장된 제2 저장 탱크(78)는, 제2 수동 밸브(80), 제3 개폐 밸브(82), 제2 유량 제어 밸브(84), 제4 개폐 밸브(86) 및 상술한 가스 도입관(58)을 통해 반응관(52)에 접속되어 있다. 제1 반응 가스가 저장된 제3 저장 탱크(88)는 제3 수동 밸브(90), 제5 개폐 밸브(92), 제3 유량 제어 밸브(94), 제6 개폐 밸브(96) 및 상술한 가스 도입관(58)을 통해 반응관(52)에 접속되어 있다. 제2 반응 가스가 저장된 제3 저장 탱크(98)는 제4 수동 밸브(100), 제7 개폐 밸브(102), 제4 유량 제어 밸브(104), 제8 개폐 밸브(106) 및 상술한 가스 도입관(58)을 통해 반응관(52)에 접속되어 있다.
상술한 폐색 부재(66)를 갖는 가스 배기관(60)은 드라이 펌프(108)에 접속되고, 이 드라이 펌프(108)의 작동에 의해 반응관(52) 내가 감압된다.
제어 장치(제어부)(110)는, 예를 들면 컴퓨터로 구성되어, 개폐 밸브(72, 76, 82, 86, 92, 96, 102, 106)의 개폐, 유량 제어 밸브(74, 84, 94, 104)의 유량, 히터(56)로의 통전 전력, 폐색 부재(66)의 개도, 드라이 펌프(108)의 구동 등을 제어한다.
이어서 클리닝 처리에 대해 설명한다.
상술한 바와 같이, 기판 처리를 수 배치 반복하면, 반응 공간, 예를 들면 반응관(52)의 내벽에 반응 생성물이 퇴적하여, 시간과 함께 이 퇴적한 부생성물이 벗겨져 버려 파티클이 되어, 이것이 기판 상에 부착하여 수율을 저하시키는 문제가 있다.
그래서 정기적으로 반응 공간 내의 클리닝을 행할 필요가 있으며, 이 실시형태에서는 클리닝 가스로서 에칭 가스(예를 들면 NF3가스)를 공급함으로써 반응 공간 내의 셀프 클리닝을 행하고 있다. 또한, 클리닝 처리는 도 2에 나타나 있지 않으나, 기판 지지체를 반응관(52)에 삽입한 상태로 행하여, 상기 기판 지지체에 퇴적한 부생성물의 제거도 행한다.
도 4에서, 상술한 제어 장치(110)의 클리닝 공정에서의 제어 동작예가 흐름도로서 나타나 있다. 또, 도 5에서 상기 제어 동작예에서의 타임 차트가 나타나 있다.
먼저 단계 S10에서, 반응관(52) 내가 베이스 압력으로 설정된 상태로 폐색 부재(66)를 닫는다. 이어서 단계 S12에서, 제4 개폐 밸브(86)를 연다. 다음 단계 S14에서, 제2 유량 제어 밸브(84)의 유량을 제1 설정치로 설정한다. 이 제1 설정치는 예를 들면 1.5slm이다. 다음 단계 S16에서, 제3 개폐 밸브(82)를 열고, 에칭 가스의 공급을 개시한다(도 5 t0). 이에 의해 반응관(52) 내의 압력이 서서히 상승한다. 이대로의 상태를 t1 시간 유지하고, 이 시간(t1) 경과한 시점에서의 반응관(52) 내의 압력은 p1에 달한다. t1은 예를 들면 25초이며, p1은 예를 들면 10Torr이다. 시간 t1이 경과하면, 다음 단계 S18에서 제2 유량 제어 밸브(84)의 유량을 제2 설정치로 설정한다. 제2 설정치는 예를 들면 0.25slm이다. 이에 의해 반응관(52) 내의 압력은 p1에서 p2로 상승 또는 p1인채로 유지된다. 이 실시형태에서는, p2는 예를 들면 10Torr이며, p1과 같아져 있다. 이대로의 상태를 t2 시간 유지한다. t2는 예를 들면 65초이다.
또한, 제2 유량 제어 밸브(84)의 유량을 제1 설정치(예를 들면 1.5slm)로부터 제2 설정치(예를 들면 0.25slm)로 감소시킴으로써, 다음 효과가 얻어진다.
(a) 제2 설정치보다 높은 제1 설정치로 에칭 가스를 공급함으로써, 유효한 에칭 속도를 얻을 수 있는 압력까지 빨리 올릴 수 있다.
(b) 제1 설정치보다 낮은 제2 설정치로 에칭 가스를 공급함으로써, 가스 노즐(62)의 구멍(64) 부근의 에칭 가스의 농도를 내려, 반응관 내의 에칭 가스의 균일성을 보다 높일 수 있다.
(c) 제1 설정치보다 낮은 제2 설정치로 에칭 가스를 공급함으로써, 에칭에 의해 소비된 에칭 가스를 보충하여, 에칭에 의한 에칭 가스 분압의 저하를 방지할 수 있다. 또, 반응관(52) 내의 압력이 p2가 된 상태로 t4 시간 유지해도 된다. t4는 예를 들면 45초이다.
여기까지가 제1 단계이며, 에칭 가스를 가스 도입관(58)으로부터 반응관(52)의 길이방향으로 이어지는 가스 노즐(62)을 거쳐, 다수의 구멍(64)으로부터 반응관(52) 내로 흐르게 하면서, 가스 배기관(60)의 폐색 부재(66)를 닫음으로써, 반응관(52) 내에 가스를 충만시켜 봉쇄한다.
이에 의해, 에칭 가스(112)의 가스 배기관(60)을 향하는 치우친 흐름이 완화되어, 반응관(52) 내의 전체에 에칭 가스가 확산되어 가, 반응관(52) 내에서 에칭 가스(112)의 분압도 균일해진다.
또한 도 2에서, 부호 114는 에칭 가스(112)가 반응관(52) 내로 공급된 후, 확산되어 가는 상태를 나타내고, 부호 116은 반응관(52) 전체에 에칭 가스(112)가 확산되어, 가스가 균일한 상태인 것을 나타낸 가상 영역을 나타낸다.
또, 에칭 가스(112)의 소비, 및 에칭에 의한 생성 가스에 의한 가스의 상하류에서의 에칭 가스 분압의 변화에 관해서도, 에칭 가스 및 에칭 가스에 의한 생성 가스의 확산에 의해, 에칭 가스 분압은 균일해진다.
즉, 반응관(52)의 내벽에 퇴적하고 있는 반응 생성물의 제거는, 다음과 같은원리로 나타낼 수 있다. 반응 생성물(고체상)인 Si3N4와 에칭 가스인 4NF3가 반응하여, 3SiF4와 4N2의 생성 가스가 생성됨으로써, 반응 생성물이 제거되는 것이다.
또한 이 동안, 히터(56)에 의한 반응관(52) 내의 온도는, 예를 들면 630℃로 유지되어 있다.
종래와 같이 반응관 내에 가스의 흐름이 있는 경우, 가스 흐름의 상류측에서는 NF3가 소비되는 한편, SiF4와 N2가 많이 존재하는 상태가 되어, 에칭 가스의 분압이 상류, 하류에서 달라져 버린다.
그러나, 상기 본 발명의 실시형태와 같이 가스의 흐름을 만들지 않고 봉쇄함으로써, NF3, SiF4, N2의 각각의 가스가 확산되기 쉬워지므로, 각각의 가스의 가스 분압이 같아져, 반응관(52) 내에 균일한 에칭 가스를 공급할 수 있다. 이에 의해, 균일한 클리닝이 가능해진다.
또, 제1 단계에서, 에칭 가스를 공급하고 있는 동안, 가스의 배기를 행하고 있지 않으므로, 반응관(52) 내의 압력이 상승하는데, 이 압력 상승에 의해 에칭 속도의 상승도 기대할 수 있다.
상술한 바와 같이 단계 S18에서 제2 유량 제어 밸브(84)를 제2 설정치로 설정한 후 t2 시간 경과하면, 다음 단계 S20으로 진행한다. 이 단계 S20에서 제3 개폐 밸브(82)를 닫고, 다음 단계 S22에서 제4 개폐 밸브(86)를 닫고, 다음 단계 S24에서 폐색 부재(66)를 연다. 이에 의해 반응관(52)의 에칭 가스는 가스 배기관(60)을 통해 배기되어, 반응관(52) 내의 압력은 급격히 베이스 압력까지 내려간다.
여기까지가 제2 단계이며, 반응관(52) 내로부터 에칭 가스와 생성 가스를 배기한다.
다음 단계 S26에서는, 상기 제1 단계와 제2 단계의 처리가 원하는 회수 반복했는지 여부를 판정한다. 이 단계 S26에 의해 원하는 회수가 반복되었다고 판단되면, 다음 처리(기판 처리)로 진행한다. 한편, 이 단계 S26에 의해 원하는 회수가 반복되지 않았다고 판정되면, 단계 S10으로 돌아가, 제1 단계와 제2 단계의 처리를 반복하여 실행한다. 단계 S22에서 폐색 부재(66)가 열린 후 t3 시간 기다려 반응관(52) 내의 에칭 가스와 생성 가스의 배기를 충분히 행하고, 다음 사이클에서의 단계 S10의 폐색 부재(66)를 닫는다. 이 시간(t3)은 예를 들면 4초이다.
이상 기술한 바와 같이, 반응관(52) 내의 클리닝 공정을 제1 단계와 제2 단계로 나누어 행함으로써, 균일한 클리닝을 실시할 수 있으나, 보다 클리닝 효율을 올리고자 하는 경우는, 이들 제1 단계 및 제2 단계의 사이클을 적어도 1사이클 이상 반복하여 행함으로써, 에칭 잔여물이 적고, 균일한 에칭을 행할 수 있다.
이렇게 본 발명의 실시형태에 의해 제공된 클리닝 방법에 의하면, 반응관 내의 균일한 클리닝이 가능해진다.
또, 상술한 클리닝 공정에서 반응관 내를 셀프 클리닝한 기판 처리 장치를사용하면, 품질이 높은 반도체 디바이스의 생산이 가능해지는 것이다.
또한, 본 발명은 상술한 형태에 한정되지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다.
즉, 제1 단계에서는 가스의 배기는 완전히 멈추지 않아도, 반응관 내에 공급된 에칭 가스의 흐름이 불균일해지지 않는다. 또, 가스의 균일한 확산에 영향이 없을 정도의 배기량이면, 배기는 행하면서 에칭 가스를 공급해도 된다.
또, 제2 단계시, 제2 단계 후, 다시 제1 단계를 행하는 경우이면, 에칭 가스의 공급을 완전히 멈추지 않아도, 다소 공급하고 있어도 된다. 또한, 제2 단계 후, 다시 제1 단계를 행하지 않는다면, 완전히 에칭 가스를 멈추고 배기하는 것이 다음 처리시, 잔류 가스(에칭 가스)를 남기지 않기 위해서도 바람직하다.
이상과 같이, 제1 단계시, 클리닝 가스가 반응관 내에 걸쳐 균일하게 확산하는 방법이라면, 여러 가지 변경은 가능하다.
도 6에서, 다른 실시형태가 도시되어 있다. 이 다른 실시형태는 상술한 실시형태와 비교하면, 상술한 실시형태에서는, 클리닝 가스 공급 개시 전에 폐색 부재를 닫아 배기를 정지한 것에 비해, 클리닝 가스 공급 개시 후에 폐색 부재를 닫아 배기를 정지하도록 한 점이 다르다.
즉, 이 실시형태에서는, 먼저 단계 S12, 단계 S14, 단계 S16의 처리를 실행하여 클리닝 가스를 반응관으로 공급한다. 그 후, 소정 시간 경과 후에 단계 S10의 처리를 실행하고 배기를 정지한다. 여기서의 소정 시간은 폐색 부재를 닫는 데 필요한 시간과 반응관 내에 클리닝 가스가 반응관 내 거의 전체로 용이하게 확산되는 데 필요한 시간이 고려된다. 예를 들면 가스 배기관을 닫는 데 필요한 시간을2초로 하고, 클리닝 가스가 반응관 내 거의 전체로 용이하게 확산되는 데 5초가 걸린다고 하면, 합계 7초 후가 되고, 이 7초 이내에 배기를 정지하는 것이 바람직하다. 5초의 마진을 취하는 이유는, 반응관 내에 가스의 흐름이 생성된 후에 배기를 정지하므로, 가스의 공급 포트(예를 들면 제4 개폐 밸브(86)의 출구)와 배기 포트(가스 배기관(60)의 입구) 사이의 거리가 길어, 경로가 복잡한 경우, 클리닝 가스를 빨리 전체로 도달시킬 수 있기 때문이다.
또한, 상기 실시형태 및 실시예의 설명에 있어서는, 기판 처리 장치로서 복수의 기판을 처리하는 배치식의 것을 사용했으나, 이것에 한정되지 않고 매엽식의 것이어도 된다.
이상 기술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 가스 도입관으로부터 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하고 있는 동안, 가스 배기관으로부터의 배기가 정지되어 있는 상태가 있도록 하기 위해, 가스 도입관으로부터 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하기 전의 소정 시점부터 반응관 내로 클리닝 가스의 공급 개시부터 수 초 경과하는 시점까지, 배기를 실질적으로 정지시키고, 반응관 내를 클리닝 가스로 충만시키도록 했으므로, 반응관 내에 클리닝 가스를 균일하게 확산시킬 수 있어, 균일한 반응관 내의 클리닝을 행할 수 있는 것이다.

Claims (10)

  1. 반응관에 연통하는 가스 도입관과 폐색 부재를 갖는 가스 배기관을 구비한 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하고 있는 동안, 상기 가스 배기관으로부터의 배기가 정지되어 있는 상태가 있도록 하기 위해,
    상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하기 전의 소정 시점부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스의 공급 개시부터 수 초 경과하는 시점까지,
    배기를 실질적으로 정지시키도록 상기 폐색 부재의 개도를 제어하는 제어부를 갖고,
    상기 제어부의 제어에 의해 상기 반응관 내를 클리닝 가스로 충만시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스 배기관으로부터의 배기는, 상기 가스 도입관으로부터의 클리닝 가스 공급 개시와 동시 또는 클리닝 가스 공급 개시 전에 실질적으로 정지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가스 배기관으로부터의 배기는, 상기 가스 도입관으로부터의 클리닝 가스 공급 개시 후 7초 이내에 실질적으로 정지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 반응관 내를 클리닝 가스로 충만시키는 공정을 제1 단계로 하고, 이 제1 단계 후, 상기 반응실 내를 배기하는 제2 단계를 설치하고, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 제1 단계와 제2 단계를 적어도 1사이클 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 반응관에 연통하는 가스 도입관과 폐색 부재를 갖는 가스 배기관을 구비한 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하고 있는 동안, 상기 가스 배기관으로부터의 배기가 정지되어 있는 상태가 있도록 하기 위해,
    상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하기 전의 소정 시점부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급 개시한 후의 소정 시점까지,
    배기를 실질적으로 정지시키도록 상기 폐색 부재의 개도를 제어하는 제어부를 갖고,
    상기 제어부의 제어에 의해 상기 반응관 내를 클리닝 가스로 충만시키는 제1 단계와,
    이 제1 단계 후, 상기 반응실 내를 배기하는 제2 단계를 설치하고, 상기 제1단계와 제2 단계를 적어도 1사이클 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가스 도입관으로부터의 클리닝 가스의 공급은, 제1 유량치로 반응관 내로 공급한 후,
    상기 제1 유량치보다 적은 제2 유량치로 반응관 내로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 유량치로 클리닝 가스를 반응관 내로 공급하는 제1 기간은, 상기 제2 유량치로 클리닝 가스를 반응관 내로 공급하는 제2 기간보다도 짧은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 유량치로 클리닝 가스를 반응관 내로 공급하는 기간에서의 반응관 내의 압력 상승도는, 상기 제2 유량치로 클리닝 가스를 반응관 내로 공급하는 기간에서의 반응관 내의 압력 상승도보다도 높은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 반응관 내에 클리닝 가스를 공급하고, 반응관 내 압력이 소정의 압력으로 된 후, 클리닝 가스의 공급을 소정 시간 정지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 반응관과, 이 반응관에 연통하는 가스 도입관과, 상기 반응관에 연통하고, 폐색 부재를 갖는 가스 배기관과, 상기 가스 도입관으로 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급 수단과, 이 클리닝 가스 공급 수단에 의해 상기 가스 도입관을 통해 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하고 있는 동안, 상기 가스 배기관으로부터의 배기가 정지되어 있는 상태가 있도록 하기 위해, 상기 가스 도입관으로부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스를 공급하기 전의 소정 시점부터 상기 반응관 내로 클리닝 가스의 공급 개시부터 수 초 경과하는 시점까지, 배기를 실질적으로 정지시키도록 상기 폐색 부재의 개도를 제어하는 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020030019041A 2002-03-28 2003-03-27 기판 처리 장치 KR100802212B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2002-00092733 2002-03-28
JP2002092733 2002-03-28
JPJP-P-2002-00366250 2002-12-18
JP2002366250A JP3985899B2 (ja) 2002-03-28 2002-12-18 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030078699A true KR20030078699A (ko) 2003-10-08
KR100802212B1 KR100802212B1 (ko) 2008-02-11

Family

ID=29585950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030019041A KR100802212B1 (ko) 2002-03-28 2003-03-27 기판 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (6) US20030221779A1 (ko)
JP (1) JP3985899B2 (ko)
KR (1) KR100802212B1 (ko)
TW (1) TW591690B (ko)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4948490B2 (ja) * 2002-03-28 2012-06-06 株式会社日立国際電気 クリーニング方法および基板処理装置
JP3985899B2 (ja) * 2002-03-28 2007-10-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US8453600B2 (en) * 2004-12-28 2013-06-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP4734317B2 (ja) * 2005-02-17 2011-07-27 株式会社日立国際電気 基板処理方法および基板処理装置
JP4943047B2 (ja) * 2006-04-07 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US8235001B2 (en) * 2007-04-02 2012-08-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US20090004877A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP5372353B2 (ja) * 2007-09-25 2013-12-18 株式会社フジキン 半導体製造装置用ガス供給装置
JP4994197B2 (ja) 2007-11-16 2012-08-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5237133B2 (ja) * 2008-02-20 2013-07-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5457654B2 (ja) * 2008-09-17 2014-04-02 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び熱処理炉のクリーニング方法
JP5520552B2 (ja) * 2009-09-11 2014-06-11 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5085752B2 (ja) 2010-03-24 2012-11-28 株式会社東芝 半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置、及び管理システム
US20130276820A1 (en) * 2010-08-25 2013-10-24 Jean-Charles Cigal Chemical vapor deposition chamber cleaning with molecular fluorine
US20130025786A1 (en) * 2011-07-28 2013-01-31 Vladislav Davidkovich Systems for and methods of controlling time-multiplexed deep reactive-ion etching processes
JP5356552B2 (ja) * 2012-01-30 2013-12-04 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置
KR101678512B1 (ko) 2012-03-22 2016-11-22 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR101965256B1 (ko) * 2012-10-17 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6017396B2 (ja) * 2012-12-18 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JP6107327B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法
US9246133B2 (en) * 2013-04-12 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device
USD742339S1 (en) * 2014-03-12 2015-11-03 Hitachi Kokusai Electric Inc. Reaction tube
USD748594S1 (en) * 2014-03-12 2016-02-02 Hitachi Kokusai Electric Inc. Reaction tube
CN103894380A (zh) * 2014-03-24 2014-07-02 上海华力微电子有限公司 带清洗枪的竖式清洗机
JP5968996B2 (ja) * 2014-12-18 2016-08-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US10100407B2 (en) * 2014-12-19 2018-10-16 Lam Research Corporation Hardware and process for film uniformity improvement
JP1535455S (ko) * 2015-02-25 2015-10-19
JP1548462S (ko) * 2015-09-04 2016-04-25
JP1546512S (ko) * 2015-09-04 2016-03-22
JP6823385B2 (ja) * 2016-05-30 2021-02-03 株式会社日立製作所 付着物収集装置及び検査システム
JP1605460S (ko) * 2017-08-09 2021-05-31
JP1605461S (ko) * 2017-08-10 2021-05-31
JP1644260S (ko) * 2019-03-20 2019-10-28
USD931823S1 (en) * 2020-01-29 2021-09-28 Kokusai Electric Corporation Reaction tube
CN113314439B (zh) * 2021-04-27 2023-11-28 长江存储科技有限责任公司 湿法刻蚀装置及方法
JP1713188S (ko) * 2021-09-15 2022-04-21
JP1731877S (ko) * 2022-03-01 2022-12-09
JP1731789S (ko) * 2022-03-01 2022-12-09
JP1731878S (ko) * 2022-03-01 2022-12-09

Family Cites Families (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3840312A (en) * 1973-04-11 1974-10-08 Control Process Inc Dynamic pressure control system
US4364413A (en) * 1981-01-07 1982-12-21 The Perkin-Elmer Corporation Molar gas-flow controller
JPS6117151A (ja) * 1984-07-03 1986-01-25 Minolta Camera Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
US4783320A (en) * 1985-11-25 1988-11-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Rapid synthesis of indium phosphide
JPS62273714A (ja) * 1986-05-21 1987-11-27 Clarion Co Ltd 有機金属ガス供給方法および装置
JPS6370428A (ja) 1986-09-11 1988-03-30 Anelva Corp プラズマ処理装置
DE3639292A1 (de) * 1986-11-17 1988-05-26 Battenfeld Gmbh Verfahren zum spritzgiessen von thermoplastischen kunststoffen
JP2773078B2 (ja) 1988-03-11 1998-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びその洗浄方法
JPH0265233A (ja) * 1988-08-31 1990-03-05 Nec Yamagata Ltd 半導体ウェーハの水分除去装置
JP2888253B2 (ja) * 1989-07-20 1999-05-10 富士通株式会社 化学気相成長法およびその実施のための装置
JPH03290715A (ja) * 1990-04-07 1991-12-20 Iwashita Eng Kk 圧力センサを有する定量吐出装置の圧力変更型吐出量安定ディスペンス制御装置
US5220515A (en) * 1991-04-22 1993-06-15 Applied Materials, Inc. Flow verification for process gas in a wafer processing system apparatus and method
US5565038A (en) * 1991-05-16 1996-10-15 Intel Corporation Interhalogen cleaning of process equipment
KR0155572B1 (ko) * 1991-05-28 1998-12-01 이노우에 아키라 감압처리 시스템 및 감압처리 방법
EP0518524B1 (en) * 1991-05-30 1996-09-04 Hitachi, Ltd. Valve and semiconductor fabricating equipment using the same
JP3040212B2 (ja) * 1991-09-05 2000-05-15 株式会社東芝 気相成長装置
US5368685A (en) * 1992-03-24 1994-11-29 Hitachi, Ltd. Dry etching apparatus and method
JP2797233B2 (ja) * 1992-07-01 1998-09-17 富士通株式会社 薄膜成長装置
US5380370A (en) * 1993-04-30 1995-01-10 Tokyo Electron Limited Method of cleaning reaction tube
JPH06330323A (ja) * 1993-05-18 1994-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法
US5484484A (en) * 1993-07-03 1996-01-16 Tokyo Electron Kabushiki Thermal processing method and apparatus therefor
US5616208A (en) * 1993-09-17 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus
JP2889098B2 (ja) * 1993-10-13 1999-05-10 株式会社本山製作所 特定ガスの供給制御装置
JPH07130704A (ja) 1993-10-22 1995-05-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置及び方法
US5777300A (en) * 1993-11-19 1998-07-07 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Processing furnace for oxidizing objects
US5614247A (en) * 1994-09-30 1997-03-25 International Business Machines Corporation Apparatus for chemical vapor deposition of aluminum oxide
JP3270852B2 (ja) * 1995-04-20 2002-04-02 東京エレクトロン株式会社 圧力調整装置及びこれを用いた部屋の連通方法
US5685912A (en) * 1995-06-20 1997-11-11 Sony Corporation Pressure control system for semiconductor manufacturing equipment
TW371776B (en) * 1995-10-15 1999-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Laser irradiation apparatus and method
JP3768575B2 (ja) * 1995-11-28 2006-04-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｃｖｄ装置及びチャンバ内のクリーニングの方法
US5902494A (en) * 1996-02-09 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing particle generation by limiting DC bias spike
US6030902A (en) * 1996-02-16 2000-02-29 Micron Technology Inc Apparatus and method for improving uniformity in batch processing of semiconductor wafers
WO1997031389A1 (fr) * 1996-02-23 1997-08-28 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement thermique
US5735960A (en) * 1996-04-02 1998-04-07 Micron Technology, Inc. Apparatus and method to increase gas residence time in a reactor
JP3386651B2 (ja) 1996-04-03 2003-03-17 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JPH09326385A (ja) * 1996-06-04 1997-12-16 Tokyo Electron Ltd 基板冷却方法
KR0183912B1 (ko) * 1996-08-08 1999-05-01 김광호 다중 반응 챔버에 연결된 펌핑 설비 및 이를 사용하는 방법
JP3270730B2 (ja) * 1997-03-21 2002-04-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
JPH10280151A (ja) 1997-04-08 1998-10-20 Fujitsu Ltd Ｃｖｄ装置のクリーニング方法
US6149974A (en) * 1997-05-05 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Method for elimination of TEOS/ozone silicon oxide surface sensitivity
US5966499A (en) * 1997-07-28 1999-10-12 Mks Instruments, Inc. System for delivering a substantially constant vapor flow to a chemical process reactor
US6228170B1 (en) * 1997-12-16 2001-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for regulating chamber pressure
US6022483A (en) * 1998-03-10 2000-02-08 Intergrated Systems, Inc. System and method for controlling pressure
EP1073777A2 (en) * 1998-04-14 2001-02-07 CVD Systems, Inc. Film deposition system
JP3396431B2 (ja) * 1998-08-10 2003-04-14 東京エレクトロン株式会社 酸化処理方法および酸化処理装置
JP3830670B2 (ja) * 1998-09-03 2006-10-04 三菱電機株式会社 半導体製造装置
JP4426671B2 (ja) 1998-11-27 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及びその洗浄方法
US6383300B1 (en) * 1998-11-27 2002-05-07 Tokyo Electron Ltd. Heat treatment apparatus and cleaning method of the same
US6086678A (en) * 1999-03-04 2000-07-11 Memc Electronic Materials, Inc. Pressure equalization system for chemical vapor deposition reactors
US6540838B2 (en) * 2000-11-29 2003-04-01 Genus, Inc. Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition
US6305314B1 (en) * 1999-03-11 2001-10-23 Genvs, Inc. Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition
JP2000269108A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Sharp Corp 半導体製造装置の管理システム
JP2000306884A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2000328248A (ja) 1999-05-12 2000-11-28 Nissin Electric Co Ltd 薄膜形成装置のクリーニング方法及び薄膜形成装置
US6503330B1 (en) * 1999-12-22 2003-01-07 Genus, Inc. Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
JP2001250818A (ja) 1999-12-28 2001-09-14 Tokyo Electron Ltd 酸化処理装置及びそのクリーニング方法
JP4663059B2 (ja) 2000-03-10 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置のクリーニング方法
JP2001274107A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Nec Kyushu Ltd 拡散炉
US7011710B2 (en) * 2000-04-10 2006-03-14 Applied Materials Inc. Concentration profile on demand gas delivery system (individual divert delivery system)
US6453913B2 (en) * 2000-04-27 2002-09-24 Canon Kabushiki Kaisha Method of cleaning a film deposition apparatus, method of dry etching a film deposition apparatus, and an article production method including a process based on the cleaning or dry etching method
US6863019B2 (en) * 2000-06-13 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas
JP2002043299A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd 被処理体の熱処理方法
KR100444149B1 (ko) * 2000-07-22 2004-08-09 주식회사 아이피에스 Ald 박막증착설비용 클리닝방법
JP2002129337A (ja) * 2000-10-24 2002-05-09 Applied Materials Inc 気相堆積方法及び装置
US6517891B1 (en) * 2000-10-31 2003-02-11 Nordson Corporation Control system for metering pump and method
US6844273B2 (en) * 2001-02-07 2005-01-18 Tokyo Electron Limited Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system
JP4071449B2 (ja) * 2001-03-27 2008-04-02 株式会社東芝 センサ異常検出方法及びセンサ異常検出装置
JP3403181B2 (ja) * 2001-03-30 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US6656282B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Moohan Co., Ltd. Atomic layer deposition apparatus and process using remote plasma
US6913031B2 (en) * 2001-10-18 2005-07-05 Ckd Corporation Pulse shot type flow controller and pulse shot type flow controlling method
KR100452318B1 (ko) * 2002-01-17 2004-10-12 삼성전자주식회사 압력조절시스템 및 이를 이용하는 압력조절방법
JP3891848B2 (ja) * 2002-01-17 2007-03-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
KR100979575B1 (ko) * 2002-01-17 2010-09-01 썬듀 테크놀로지스 엘엘씨 원자층 침착 장치 및 이의 제조방법
JP3985899B2 (ja) * 2002-03-28 2007-10-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP2003338499A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Tokyo Electron Ltd 膜形成方法及び膜形成装置
US6838114B2 (en) * 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US6821347B2 (en) * 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US20040118436A1 (en) * 2002-12-21 2004-06-24 Joyce James M. Method and apparatus for thermal gas purging
US7344755B2 (en) * 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) * 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
DE10345824A1 (de) * 2003-09-30 2005-05-04 Infineon Technologies Ag Anordnung zur Abscheidung von atomaren Schichten auf Substraten
US7647886B2 (en) * 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
JP4586544B2 (ja) * 2004-02-17 2010-11-24 東京エレクトロン株式会社 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体
US7072743B2 (en) * 2004-03-09 2006-07-04 Mks Instruments, Inc. Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method
US7628861B2 (en) * 2004-12-17 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
US7628860B2 (en) * 2004-04-12 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
JP2005322668A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Renesas Technology Corp 成膜装置および成膜方法
JP3945519B2 (ja) * 2004-06-21 2007-07-18 東京エレクトロン株式会社 被処理体の熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
US7412986B2 (en) * 2004-07-09 2008-08-19 Celerity, Inc. Method and system for flow measurement and validation of a mass flow controller
US20060165873A1 (en) * 2005-01-25 2006-07-27 Micron Technology, Inc. Plasma detection and associated systems and methods for controlling microfeature workpiece deposition processes
TW200705552A (en) * 2005-03-08 2007-02-01 Hitachi Int Electric Inc Semiconductor device manufacturing method and substrate treatment device
US7775508B2 (en) * 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US8235001B2 (en) * 2007-04-02 2012-08-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP4994197B2 (ja) * 2007-11-16 2012-08-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US8716147B2 (en) * 2007-11-19 2014-05-06 Hitachi Kokusai Electric Inc. Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20110130001A1 (en) 2011-06-02
TW591690B (en) 2004-06-11
US8366868B2 (en) 2013-02-05
US20090178694A1 (en) 2009-07-16
US20130133696A1 (en) 2013-05-30
US20030221779A1 (en) 2003-12-04
KR100802212B1 (ko) 2008-02-11
JP3985899B2 (ja) 2007-10-03
TW200305918A (en) 2003-11-01
US20120240348A1 (en) 2012-09-27
JP2004006620A (ja) 2004-01-08
US20060060142A1 (en) 2006-03-23
US8211802B2 (en) 2012-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100802212B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101521466B1 (ko) 가스 공급 장치, 열처리 장치, 가스 공급 방법 및 열처리 방법
KR101129741B1 (ko) 반도체 처리용 성막 장치 및 그 사용 방법
KR100272146B1 (ko) 반도체장치의 제조방법과 반도체제조장치 및 그 세정방법
KR100674467B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US20120015525A1 (en) Method of cleaning a thin film forming apparatus, thin film forming method, and thin film forming apparatus
KR101149097B1 (ko) 반도체 처리용 성막 장치 및 그 사용 방법
JP2005064305A (ja) 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
CN109585265B (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质
KR100591762B1 (ko) 증착 장치 및 증착 방법
KR100989028B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP4253612B2 (ja) 基板処理装置
CN111378959B (zh) 成膜装置和成膜处理方法
JP5198542B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法、クリーニング方法および基板処理装置
JP2002222805A (ja) 基板処理装置
CN112838028A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP2007227471A (ja) 基板処理装置
JP2006066557A (ja) 基板処理装置
JP6832786B2 (ja) 掃気ノズル及びこれを用いた基板処理装置、並びにパーティクル除去方法
JP2007173747A (ja) Ｃｖｄ装置およびクリーニング方法
JP2023161122A (ja) 成膜装置及び成膜方法
CN117716062A (zh) 半导体装置的制造方法、基板处理装置、程序以及涂布方法
JP2005064538A (ja) 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
CN113574640A (zh) 半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序
KR20060075552A (ko) 화학 기상 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130118

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140117

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150119

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160104

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170103

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180119

Year of fee payment: 11