JP5085752B2 - 半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置、及び管理システム - Google Patents
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Description
(半導体製造装置の構成)
図1(a)〜(c)は、第1の実施の形態に係る半導体製造装置の処理チャンバの要部断面図である。この半導体製造装置1は、例えば、半導体基板上に薄膜を形成する成膜装置である。このような成膜装置の例としては、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により薄膜を形成するCVD装置が挙げられる。
図2は、第1の実施の形態に係る処理チャンバ内の圧力Pと時間tの関係を示すグラフであり、図3は、第1の実施の形態に係る不活性ガスを利用したクリーニング方法に関するフローチャートである。堆積膜3としてのSi3N4膜が、処理チャンバ10の内壁102に100nm堆積している場合について説明する。
まず、シリコンが主成分の半導体基板を用意し、熱酸化法等によって半導体基板上にシリコン酸化膜(SiO2)を形成する。
本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、クリーニングガス4の使用量を削減することができる。クリーニングガス4を処理チャンバ10内に留まらせた場合と留まらせずにクリーニングを行った場合を比較すると、例えば、クリーニングガス4の使用量とクリーニング時間が同じとき、クリーニングガス4を留まらせたクリーニングの方がより多くの堆積膜3をエッチングすることができる。また、上記のクリーニング方法によれば、クリーニングガス4を留まらせることで、クリーニングガス4の圧力が低い状態でも厚い堆積膜3を除去することができる。クリーニングガス4の使用量が少ないので、半導体装置の製造にかかるコストを削減することができる。本発明者らの実験によると、本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、クリーニングガス4を処理チャンバ10内に留まらせずにクリーニングを行った場合と比較して、クリーニングガス4の使用量を約10分の1にまで減らすことが可能となった。
第2の実施の形態は、所定のクリーニング時間Tを変えずに、堆積膜の膜厚に応じてクリーニングの回数を増やす点で第1の実施の形態と異なっている。なお、以下の各実施の形態について第1の実施の形態と同様の構成及び機能を有する部分は、第1の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、堆積膜3の膜厚が厚い場合であっても、複数回のクリーニングを行うことで、所定のクリーニング時間やTATを変えずに、堆積膜3を除去することができる。また、上記のクリーニング方法によれば、クリーニングを繰り返さない場合と比べて、クリーニングガス4の使用量を増やすことで、所定のクリーニング時間を短縮することも可能となる。
第3の実施の形態は、供給管12内に不活性ガス6を供給しない点で、上記の各実施の形態と異なっている。このクリーニング方法は、例えば、供給管12が、クリーニングガス4によってエッチングされない材料で形成されている場合等に有効である。
本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、不活性ガス6を供給管12に供給する場合に比べて、半導体装置の製造にかかるコストを削減することができる。
第4の実施の形態は、供給管12内に不活性ガス6を供給しないでクリーニングを繰り返す点で、上記の各実施の形態と異なっている。このクリーニング方法は、例えば、供給管12が、クリーニングガス4によってエッチングされない材料で形成されている場合等に有効である。
本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、堆積膜3の膜厚が厚い場合であっても、複数回のクリーニングを行うことで、所定のクリーニング時間やTATを変えずに、又は短縮して堆積膜3を除去することができる。
図9は、第5の実施の形態に係る半導体製造装置のブロック図である。図9は、クリーニングガス4と排気ガス5の流れを図示するため、供給バルブ14と排気バルブ18を開け、クリーニングガス4を供給した場合を示している。
堆積膜3としてのSi3N4膜が、処理チャンバ10の内壁102に100nm堆積しているとして説明する。
本実施の形態に係る半導体製造装置1Aによれば、第1〜第4の実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法のうち、少なくとも1つのクリーニング方法を実行することができる。半導体製造装置1Aは、取得及び/又は設定された堆積膜3の膜種や膜厚、半導体製造装置1Aの処理状況等に応じて第1〜第4の実施の形態に係るクリーニング方法を選択することができるので、選択できない場合と比べて、効率良く処理チャンバ10のクリーニングを行うことができる。
図10は、第6の実施の形態に係る管理システムのブロック図である。この管理システム7は、主に、第5の実施の形態に係る複数の半導体製造装置10A〜10Cと、その複数の半導体製造装置10A〜10Cの排気バルブ18及び供給部11を制御する制御部700と、を備えている。
本実施の形態に係る管理システム7によれば、複数の半導体製造装置の処理チャンバ内に堆積する堆積膜を、クリーニングガス4の使用量を削減しながら除去することができる。管理システム7の複数の半導体製造装置10A〜10Cのそれぞれで、クリーニングガス4の使用量を削減することができるので、半導体装置の製造コストを抑えることができる。
図11は、第7の実施の形態に係る管理システムのブロック図である。本実施の形態に係る管理システム8は、例えば、図11に示すように、総合管理装置80と、総合管理装置80が管理する第1〜第3のクループ81〜83を備えて概略構成されている。なお、グループの数は、上記に限定されない。
本実施の形態に係る管理システム8によれば、複数の半導体製造装置の処理チャンバ内に堆積する堆積膜を、クリーニングガス4の使用量を削減しながら除去することができる。管理システム8の複数の半導体製造装置10A〜10Cのそれぞれで、クリーニングガス4の使用量を削減することができるので、半導体装置の製造コストを抑えることができる。
図12(a)は、第8の実施の形態に係る半導体製造装置の処理チャンバの要部断面図である。図12(b)は、図12(a)の処理チャンバ内の圧力Pと時間tの関係を示すグラフである。図12(b)に示すΔPdは、1回目のArガス又はN2ガスの供給により、上昇した処理チャンバ10内の圧力である。図12(b)に示すΔPeは、2回目のArガス又はN2ガスの供給により、上昇した処理チャンバ10内の圧力である。
図13は、第8の実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニングに関するフローチャートである。
本実施の形態に係る半導体製造装置による複数回の供給でクリーニングガス4の滞留処理を行うクリーニング方法は、クリーニングガス4の量及び滞留時の圧力P(例えば、P5)が同じで、且つ、1回の供給でクリーニングガス4の滞留処理を行うクリーニング方法と比べて、クリーニングガス4を滞留させる際の抵抗が大きくなって、アウター管10aとインナー管10bで挟まれた狭い領域内に十分な量のクリーニングガス4を満たすことができ、クリーニングし易くなる。アウター管10aとインナー管10bからなる処理チャンバ10cのクリーニングは、アウター管10aとインナー管10bで挟まれた領域が狭くなるため、十分に堆積膜3がエッチングされない可能性がある。しかし、本実施の形態に係る半導体製造装置によれば、真空処理を行わずに、複数回に分けてクリーニングガス4の供給を行って、クリーニングガス4を処理チャンバ10c内に滞留させるので、アウター管10aとインナー管10bで挟まれた狭い領域の堆積膜3を除去することができる。
6:不活性ガス、7、8:管理システム、10、10c:処理チャンバ、
11:供給部、12、12a:供給管、14、14a:供給バルブ、
16、16a:排気管、18、18a:排気バルブ、19:排気部
Claims (8)
- 処理チャンバの内壁に堆積した堆積膜を除去するクリーニングガスと、不活性ガスを、前記処理チャンバの供給管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの供給量が、前記処理チャンバの排気管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう、前記供給管を介して同時に供給し、
前記クリーニングガスと前記不活性ガスを同時に供給した後に、前記クリーニングガスの供給を停止しつつ前記不活性ガスを供給することにより、前記処理チャンバ内の圧力を上昇させ、かつ、前記供給管内を前記不活性ガスで満たす、
ことを含む半導体製造装置のクリーニング方法。 - さらに、前記排気管から前記クリーニングガス及び前記不活性ガスを排出することで、前記処理チャンバ内を真空にすることを含む請求項1に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
- 前記供給管を介して前記クリーニングガスと前記不活性ガスを同時に供給する処理と、前記処理チャンバ内の圧力を上昇させ、かつ、前記供給管内を前記不活性ガスで満たす処理と、前記処理チャンバ内を真空にする処理を、所定のクリーニング時間内で前記堆積膜の膜厚に応じて複数回繰り返す請求項2に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
- 前記供給管を介して前記クリーニングガスと前記不活性ガスを同時に供給する処理は、前記排気管に設けられた排気バルブを閉じた状態で、前記処理チャンバ内に前記クリーニングガスを供給すること、又は前記排気バルブを開いた状態で、前記処理チャンバ内に前記クリーニングガスを供給した後に、前記排気バブルを閉じることで行われ、
前記処理チャンバ内の圧力を上昇させ、かつ、前記供給管内を前記不活性ガスで満たす処理は、前記排気バルブを閉じた状態で行われ、
前記処理チャンバ内を真空にする処理は、前記排気バルブを開いた状態で行われる請求項2又は3に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。 - 前記排気管は、内壁面が、前記クリーニングガスでエッチング可能な保護膜でコーティングされている請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
- 前記クリーニングガスは、ハロゲンガスを含有する請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
- 処理チャンバの内壁に堆積した堆積膜を除去するクリーニングガスを、前記処理チャンバの供給管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの供給量が、前記処理チャンバの排気管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう、前記供給管を介して供給するクリーニングガス供給部と、
前記クリーニングガスと同時に不活性ガスを前記供給管を介して供給する不活性ガス供給部とを備え、
前記クリーニングガス供給部と前記不活性ガス供給部は、前記クリーニングガスと前記不活性ガスを同時に供給した後に、前記クリーニングガスの供給を停止しつつ前記不活性ガスを供給することにより、前記処理チャンバ内の圧力を上昇させ、かつ、前記供給管内を前記不活性ガスで満たす、半導体製造装置。 - 請求項7に記載の複数の半導体製造装置と、
前記複数の半導体製造装置の前記クリーニングガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、
を備える管理システム。
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