JP2004006620A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004006620A JP2004006620A JP2002366250A JP2002366250A JP2004006620A JP 2004006620 A JP2004006620 A JP 2004006620A JP 2002366250 A JP2002366250 A JP 2002366250A JP 2002366250 A JP2002366250 A JP 2002366250A JP 2004006620 A JP2004006620 A JP 2004006620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction tube
- cleaning
- exhaust
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 75
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 38
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 83
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 55
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 187
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。
【解決手段】ガス導入管から反応管にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、前記ガス排気管からのガス排気を止めるか又は反応管内のクリーニングガスの流れに影響がない程度のガス排気量として、反応管内に前記クリーニングガスを充満させて反応管内に付着した付着物の除去を行なう第１段階と、前記第１段階後、反応管内に充満した雰囲気を前記ガス排気管から除去する第２段階からなるクリーニング工程を、少なくとも１サイクル以上実施して反応管内壁をクリーニングする。
【選択図】 図２
【解決手段】ガス導入管から反応管にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、前記ガス排気管からのガス排気を止めるか又は反応管内のクリーニングガスの流れに影響がない程度のガス排気量として、反応管内に前記クリーニングガスを充満させて反応管内に付着した付着物の除去を行なう第１段階と、前記第１段階後、反応管内に充満した雰囲気を前記ガス排気管から除去する第２段階からなるクリーニング工程を、少なくとも１サイクル以上実施して反応管内壁をクリーニングする。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｓｉなどの基板上に半導体デバイスを製造する際に用いられる半導体デバイスの製造装置である基板処理装置に関するもので、特に反応室内のクリーニング技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の基板処理装置において、反応室にクリーニングガスを供給、排気してクリーニングを実行することが知られている（特許文献１参照）。
【０００３】図７により従来の半導体デバイスの製造装置を説明する。図７の反応炉の概念を示す断面図である。
所望の成膜処理により反応管１の内壁等に付着した反応副生成物の除去を目的とするセルフクリーニング工程においては、クリーニングガスとしてのエッチングガス４を、一定流量に制御して、連続的にガス導入管２からガスノズル７を経て複数の孔８から反応管１内へ供給していた。
また、その反応管１内を、ガス排気管３に接続された圧力調整バブル５の開度調整により、所望量のガスの排気を行なうことによって、反応管１内を一定の圧力に保っていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−４７５７１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のシステム、方法では、不均一なエッチング、エッチング残りが起こるという問題があった。
【０００６】この原因は、従来においては、排気を行ないながらエッチングガスを供給しているので、次の事象が生じているためと考えられる。
（ａ）反応管１の形状、もしくは、ガスの供給位置と排気位置の位置関係により、ガス導入管２からガス排気管３へ向かう「流れ」が生じ、「流れ」の上流部分でエッチングガスが多く消費され、下流部分にエッチングガスが届きにくい。
（ｂ）反応管１から見て圧力が低い場所（つまりガス排気管付近）におけるガス拡散の度合いが大きいのに対し、反応管から見て圧力が高い場所（つまり反応管１上端部など）におけるガス拡散の度合いが小さく、反応管１内から見て圧力の高い場所にエッチングガスが届きにくい。
即ち、ガス導入管２からガス排気管３へ向かう「流れ」が生じ、「流れ」に沿っていない部分にエッチングガスが届きにくい。
具体的には、図７の矢印で示すように、反応管１のほぼ中間部位置からガス排気管３側には、ガスの流れに沿った強い流れ部分１１が生じる一方、反応管１の上部側は、ガスの流れに逆らった弱い流れ部分１２が生じ、ガス流量、分圧が反応管１内で一定ではなかったのである。
なお、この明細書において、「流れ」とは、排気作用から生じる意図的なガスの気流をいい、ガスの拡散によるものを除く。
【０００７】本発明は、ＮＦ３などのエッチングガスを用いるセルフクリーニングを行なう半導体デバイス製造装置（基板処理装置）において、従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の第１の特徴とするところは、反応管に連通するガス導入管と閉塞部材を有したガス排気管とを備えた基板処理装置において、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御部を有し、前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させる基板処理装置にある。ここで、実質的に停止するとは、ガスの排気を完全に停止するばかりではなく、反応管内にクリーニングガスがほぼ均一に拡散する限りは、若干の排気量の排気を許容することをいう。したがって、反応管内でのクリーニングガスの流れを実質的に停止させ、クリーニングガスを拡散によって反応管内を充満させることができ、反応管内においてエッチングガスの分圧が均一になるばかりか、エッチングガスの圧力が上昇するのでエッチング速度（クリーニング速度）の向上もできるものである。
【０００９】ガス排気管からの排気は、前記ガス導入管からのクリーニングガス供給開始と同時又はクリーニングガス供給開始前に実質的に停止してもよく、クリーニングガスが供給されてから数秒経過するまでのいる間にガス排気管からの排気を実質的に停止すればよい。前記ガス導入管からのクリーニングガス供給開始後に排気を停止する場合、排気停止のタイミングは、排気管を閉じるのに要する時間と反応管内にクリーニングガスが反応管内ほぼ全体に容易に拡散するのに要する時間とが考慮される。例えば排気管を閉じるのに要する時間を２秒とし、クリーニングガスが反応管内ほぼ全体に容易に拡散するのに５秒かかるとすれば、合計７秒後となり、この７秒以内に排気を停止することが好ましい。５秒のマージンを取る理由は、反応管内にガスの流れが生成された後に排気を停止するので、ガスの供給ポートと排気ポートとの間の距離が長く、経路が複雑な場合、クリーニングガスを早く全体に到達させることができるためである。
【００１０】本発明の第２の特徴とするところは、反応管に連通するガス導入管と閉塞部材を有したガス排気管とを備えた基板処理装置において、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御部を有し、前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させる第１段階と、この第１段階の後、前記反応室内を排気する第２段階とを設け、前記第１段階と第２段階とを少なくとも１サイクル以上繰り返す基板処理装置にある。第２段階は、洗浄反応後の反応物質がその後の洗浄反応を邪魔するので、一旦排気することにより、クリーニング効率を上げることができる。なお、第１段階と第２段階との繰り返し回数は、付膜している膜厚等により左右されるものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置２０が示されている。この基板処理装置２０は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体２２を有する。この筺体２２には、ポッドステージ２４が接続されており、このポッドステージ２４にポッド２６が搬送される。ポッド２６は、例えば２５枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ２４にセットされる。
【００１２】筺体２２内において、ポッドステージ２４に対向する位置には、ポッド搬送装置２８が配置されている。また、このポッド搬送装置２８の近傍には、ポッド棚３０、ポッドオープナ３２及び基板枚数検知器３４が配置されている。ポッド搬送装置２８は、ポッドステージ２４とポッド棚３０とポッドオープナ３２との間でポッド２６を搬送する。ポッドオープナ３２は、ポッド２６の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド２６内の基板枚数が基板枚数検知器３４により検知される。
【００１３】さらに、筺体２２内には、基板移載機３６、ノッチアライナ３８及び基板支持体４０（ボート）が配置されている。基板移載機３６は、例えば５枚の基板を取り出すことができるアーム４２を有し、このアーム４２を動かすことにより、ポッドオープナ３２の位置に置かれたポッド２６、ノッチアライナ３８及び基板支持体４０間で基板を搬送する。ノッチアライナ３８は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板を揃えるものである。
【００１４】図２において、反応炉５０が示されている。この反応炉５０は、反応管５２を有し、この反応管５２内に前述した基板支持体が挿入される。反応管５２の下方は、基板支持体を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ５４（図１にも示す）により密閉されるようにしてある。また、反応管５２の周囲には、ヒータ５６（図３に示す）が配置されている。そして、反応管５２には、反応ガスやクリーニングガスを供給するガス導入管５８と、反応ガスやクリーニングガスを排気するガス排気管６０とが接続されている。ガス導入管５８から供給されたガスは、反応管５２内に形成されたガスノズル６２の多数の孔６４から反応管５２内へ供給される。また、ガス排気管６０には、例えば圧力調整バルブからなる閉塞部材６６が設けられており、この閉塞部材６６は、シャットオフの機能を有する。
【００１５】次に上述したように構成された基板処理装置２０による基板処理工程について説明する。
まず、ポッドステージ２４に複数枚の基板を収容したポッド２６がセットされると、ポッド搬送装置２８によりポッド２６をポッドステージ２４からポッド棚３０へ搬送し、このポッド棚３０にストックする。次に、ポッド搬送装置２８により、このポッド棚３０にストックされたポッド２６をポッドオープナ３２に搬送してセットし、このポッドオープナ３２によりポッド２６の蓋を開き、基板枚数検知器３４によりポッド２６に収容されている基板の枚数を検知する。
【００１６】次に、基板移載機３６により、ポッドオープナ３２の位置にあるポッド２６から基板を取り出し、ノッチアライナ３８に移載する。このノッチアライナ３８においては、基板を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数の基板を同じ位置に整列させる。次に、基板移載機３６により、ノッチアライナ３８から基板を取り出し、基板支持体４０に移載する。
【００１７】このようにして、１バッチ分の基板を基板支持体４０に移載すると、所定の温度に設定された反応炉５０内に複数枚の基板を装填した基板支持体４０を装入し、シールキャップ５４により反応管５２内を密閉する。次に、ガス導入管５８から反応ガスを供給する。そして、反応管５２内の温度をモニタしながら、予め設定された昇温、降温プログラムに従って基板処理を実施する。
【００１８】基板処理が終了すると、所定の温度に降温した後、基板支持体４０を反応炉５０からアンロードし、基板支持体４０に支持された全ての基板が冷えるまで、基板支持体４０を所定位置で待機させる。次に、待機させた基板支持体４０の基板が所定温度まで冷却されると、基板移載機３６により、基板支持体４０から基板を取り出し、ポッドオープナ３２にセットされている空のポッド２６に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置２８により、基板が収容されたポッド２６をポッド棚３０に搬送し、さらにポッドステージ２４に搬送して完了する。
【００１９】図３において、上記基板処理装置のガスシステムが示されている。
パージ用のＮ２ガスが貯蔵された第１の貯蔵タンク６８は、第１の手動バルブ７０、第１の開閉バルブ７２、第１の流量制御バルブ７４、第２の開閉バルブ７６及び前述したガス導入管５８を介して反応管５２に接続されている。クリーニングガスが貯蔵された第２の貯蔵タンク７８は、第２の手動バルブ８０、第３の開閉バルブ８２、第２の流量制御バルブ８４、第４の開閉バルブ８６及び前述したガス導入管５８を介して反応管５２に接続されている。第１の反応ガスが貯蔵された第３の貯蔵タンク８８は、第３の手動バルブ９０、第５の開閉バルブ９２、第３の流量制御バルブ９４、第６の開閉バルブ９６及び前述したガス導入管５８を介して反応管５２に接続されている。第２の反応ガスが貯蔵された第３の貯蔵タンク９８は、第４の手動バルブ１００、第７の開閉バルブ１０２、第４の流量制御バルブ１０４、第８の開閉バルブ１０６及び前述したガス導入管５８を介して反応管５２に接続されている。
【００２０】前述した閉塞部材６６を有するガス排気管６０は、ドライポンプ１０８に接続され、このドライポンプ１０８の作動により反応管５２内が減圧される。
【００２１】制御装置（制御部）１１０は、例えばコンピュータから構成され、開閉バルブ７２，７６，８２，８６，９２，９６，１０２，１０６の開閉、流量制御バルブ７４，８４，９４，１０４の流量、ヒータ５６への通電電力、閉塞部材６６の開度、ドライポンプ１０８の駆動等を制御する。
【００２２】次にクリーニング処理について説明する。
前述したように、基板処理を数バッチ繰り返すと、反応空間、例えば反応管５２の内壁に反応生成物が堆積し、時間とともにこの堆積した副生成物が剥れてしまい、パーティクルとなり、これが基板上に付着して歩留まりを低下させてしまうという問題がある。
【００２３】そこで、定期的に反応空間内のクリーニングを行なう必要があり、この実施形態においては、クリーニングガスとしてエッチングガス（例えばＮＦ３ガス）を供給することで反応空間内のセルフクリーニングを行なっている。なお、クリーニング処理は、図２に示されていないが、基板支持体を反応管５２に挿入した状態で行い、前記基板支持体に堆積した副生成物の除去も行う。
【００２４】図４において、前述した制御装置１１０のクリーニング工程における制御作動例がフローチャートとして示されている。また、図５において、上記制御作動例におけるタイムチャートが示されている。
【００２５】まず、ステップＳ１０において、反応管５２内がベース圧力に設定された状態で閉塞部材６６を閉じる。次にステップＳ１２において、第４の開閉バルブ８６を開く。次のステップＳ１４において、第２の流量制御バルブ８４の流量を第１の設定値に設定する。この第１の設定値は、例えば１．５ｓｌｍである。次のステップＳ１６において、第３の開閉バルブ８２を開き、エッチングガスの供給を開始する（図５ｔ０）。これにより反応管５２内の圧力が徐々に上昇する。このままの状態をｔ１時間維持し、この時間ｔ１経過した時点での反応管５２内の圧力はｐ１に達する。ｔ１は例えば２５秒であり、ｐ１は例えば１０Ｔｏｒｒである。時間ｔ１が経過すると、次のステップＳ１８において、第２の流量制御バルブ８４の流量を第２の設定値に設定する。第２の設定値は、例えば０．２５ｓｌｍである。これにより反応管５２内の圧力はｐ１からｐ２へ上昇又はｐ１のまま維持される。この実施形態においては、ｐ２は例えば１０Ｔｏｒｒであり、ｐ１と等しくなっている。このままの状態をｔ２時間維持する。ｔ２は例えば６５秒である。
なお、第２の流量制御バルブ８４の流量を第１の設定値（例えば１．５ｓｌｍ）から第２の設定値（例えば０．２５ｓｌｍ）に減少させることにより、次の効果が得られる。
（ａ）第２の設定値より高い第１の設定値で、エッチングガスを供給することで、有効なエッチング速度を得られる圧力まで、早く上げることができる。
（ｂ）第１の設定値より低い第２の設定値でエッチングガスを供給することで、ガスノズル６２の孔６４付近のエッチングガスの濃度を下げ、反応管内のエッチングガスの均一性をより上げることができる。
（ｃ）第１の設定値より低い第２の設定値でエッチングガスを供給することで、エッチングによって消費されたエッチングガスを補充し、エッチングによるエッチングガス分圧の低下を防ぐことができる。
また、反応管５２内の圧力がｐ２になった状態でｔ４時間維持してもよい。ｔ４は例えば４５秒である。
【００２６】ここまでが第１段階であり、エッチングガスをガス導入管５８から反応管５２の長手方向に延在するガスノズル６２を経て、多数の孔６４から反応管５２内に流しながら、ガス排気管６０の閉塞部材６６を閉じることによって、反応管５２内にガスを充満させて、封じ込める。
これにより、エッチングガス１１２のガス排気管６０に向かう偏った流れが緩和され、反応管５２内の全体にエッチングガスが拡散していき、反応管５２内においてエッチングガス１１２の分圧も均一となる。
【００２７】なお、図２において、符号１１４は、エッチングガス１１２が反応管５２内に供給された後、拡散していく状態を示し、符号１１６は反応管５２内全体にエッチングガス１１２が拡散し、ガスが均一な状態であることを示した仮想領域を示す。
【００２８】また、エッチングガス１１２の消費、および、エッチングによる生成ガスによる、ガスの上下流におけるエッチングガス分圧の変化に関しても、エッチングガス、および、エッチングガスによる生成ガスの拡散により、エッチングガス分圧は均一となる。
【００２９】即ち、反応管５２の内壁に堆積している反応生成物の除去は、次のような原理から表せる。反応生成物（固体状）であるＳｉ３Ｎ４とエッチングガスである４ＮＦ３とが反応し、３ＳｉＦ４と４Ｎ２の生成ガスが生成されることにより、反応生成物が除去されるものである。
なお、この間、ヒータ５６による反応管５２内の温度は、例えば６３０°Ｃに保たれている。
従来のように反応管内にガスの流れがある場合、ガス流れの上流側ではＮＦ３が消費される一方、ＳｉＦ４とＮ２が多く存在する状態になり、エッチングガスの分圧が上流、下流で異なってしまう。
しかし、上記本発明の実施形態のようにガスの流れを作らずに封じ込めることで、ＮＦ３、ＳｉＦ４、Ｎ２のそれぞれのガスが拡散し易くなるので、それぞれのガスのガス分圧が等しくなり、反応管５２内に均一なエッチングガスを供給することができる。これにより均一なクリーニングが可能となる。
【００３０】また、第１段階において、エッチングガスを供給している間、ガスの排気を行なっていないため、反応管５２内の圧力が上昇するが、この圧力上昇により、エッチング速度の上昇も期待できる。
【００３１】前述したようにステップＳ１８で第２の流量制御バルブ８４を第２の設定値に設定してからｔ２時間経過すると、次のステップＳ２０へ進む。このステップＳ２０において、第３の開閉バルブ８２を閉じ、次のステップＳ２２において、第４の開閉バルブ８６を閉じ、次のステップＳ２４において、閉塞部材６６を開く。これにより反応管５２のエッチングガスはガス排気管６０を介して排気され、反応管５２内の圧力は急激にベース圧力まで下がる。
【００３２】ここまでが第２段階であり、反応管５２内からエッチングガスと生成ガスとを排気する。
【００３３】次のステップＳ２６においては、上記第１段階と第２の段階との処理が所望の回数繰り返したか否かを判定する。このステップＳ２６により所望の回数が繰り返されたと判断されると、次の処理（基板処理）へと進む。一方、このステップＳ２６により所望の回数が繰り返されていないと判定されると、ステップＳ１０に戻り、第１段階と第２段階との処理を繰り返して実行する。ステップＳ２２において閉塞部材６６が開かれてからｔ３時間待って反応管５２内のエッチングガスと生成ガスとの排気を十分行い、次のサイクルにおけるステップＳ１０の閉塞部材６６を閉じる。この時間ｔ３は例えば４秒である。
【００３４】以上述べたように、反応管５２内のクリーニング工程を第１段階と第２段階に分けて行なうことにより、均一なクリーニングを実施することができるが、よりクリーニング効率を上げたい場合は、これら、第１段階及び第２段階のサイクルを少なくとも１サイクル以上繰り返し行なうことにより、エッチング残りのない、均一なエッチングを行なうことができる。
【００３５】このように本発明の実施形態により提供されたクリーニング方法によれば、反応管内の均一なクリーニングが可能となる。
【００３６】また、上述したクリーニング工程にて反応管内をセルフクリーニングした基板処理装置を用いれば、品質の高い半導体デバイスの生産が可能となるものである。
【００３７】なお、本発明は上述した形態に限らず、種々の変更が可能である。
即ち、第１段階においては、ガスの排気は完全に止めなくとも、反応管内に供給されたエッチングガスの流れが不均一にならない、また、ガスの均一な拡散に影響がない程度の排気量であれば、排気は行ないつつエッチングガスを供給しても良い。
【００３８】また、第２段階の際、第２段階後、再度第１段階を行なう場合であれば、エッチングガスの供給を完全に止めなくとも、多少供給していても良い。なお、第２段階後、再度第１段階を行なわないのであれば、完全にエッチングガスを止めて排気するのが次の処理の際、残留ガス（エッチングガス）を残さないためにも好ましい。
【００３９】以上のように、第１段階の際、クリーニングガスが反応管内にわたり均一に拡散する方法であれば、種々の変更は可能である。
【００４０】図６において、他の実施形態が示されている。この他の実施形態は、前述した実施形態と比較すると、前述した実施形態においては、クリーニングガス供給開始前に閉塞部材を閉じて排気を停止したのに対し、クリーニングガス供給開始後に閉塞部材を閉じて排気を停止するようにした点が異なる。
【００４１】即ち、この実施形態においては、まずステップＳ１２、ステップＳ１４、ステップＳ１６の処理を実行してクリーニングガスを反応管へ供給する。その後、所定時間経過後にステップＳ１０の処理を実行して排気を停止する。ここでの所定時間は、閉塞部材を閉じるのに要する時間と反応管内にクリーニングガスが反応管内ほぼ全体に容易に拡散するのに要する時間とが考慮される。例えばガス排気管を閉じるのに要する時間を２秒とし、クリーニングガスが反応管内ほぼ全体に容易に拡散するのに５秒かかるとすれば、合計７秒後となり、この７秒以内に排気を停止することが好ましい。５秒のマージンを取る理由は、反応管内にガスの流れが生成された後に排気を停止するので、ガスの供給ポート（例えば第４の開閉バルブ８６の出口）と排気ポート（ガス排気管６０の入口）との間の距離が長く、経路が複雑な場合、クリーニングガスを早く全体に到達させることができるためである。
【００４２】なお、上記実施形態及び実施例の説明にあっては、基板処理装置として、複数の基板を処理するバッチ式のものを用いたが、これに限定するものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【００４３】以上のように、本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次のような実施形態が含まれる。
（１）反応管と、この反応管に連通するガス導入管と、前記反応管に連通し、開閉部材を有するガス排気管と、このガス排気管に設けられた排気停止手段と、前記ガス導入菅にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、このクリーニングガス供給手段により前記ガス導入管を介して前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
（２）ガス導入管から反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させ、前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させる基板処理工程を有する半導体デバイスの製造方法。
【００４４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ガス導入管から反応管内にクリーニングガスを供給している間、ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、ガス導入管から反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させ、、反応管内をクリーニングガスで充満させるようにしたので、反応管内にクリーニングガスを均一に拡散させることができ、均一な反応管内のクリーニングを行なうことができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いた反応炉を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理装置のガスシステムを示すガスシステム図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理装置におけるクリーニング工程の処理フローを示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置におけるクリーニング工程のタイムチャートである。
【図６】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置におけるクリーニング工程の処理フローを示すフローチャートである。
【図７】従来の反応炉を示す断面図である。
２０ 基板処理装置
５２ 反応管
５８ ガス導入管
６０ ガス排気管
６６ 閉塞部材
１１０ 制御装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｓｉなどの基板上に半導体デバイスを製造する際に用いられる半導体デバイスの製造装置である基板処理装置に関するもので、特に反応室内のクリーニング技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の基板処理装置において、反応室にクリーニングガスを供給、排気してクリーニングを実行することが知られている（特許文献１参照）。
【０００３】図７により従来の半導体デバイスの製造装置を説明する。図７の反応炉の概念を示す断面図である。
所望の成膜処理により反応管１の内壁等に付着した反応副生成物の除去を目的とするセルフクリーニング工程においては、クリーニングガスとしてのエッチングガス４を、一定流量に制御して、連続的にガス導入管２からガスノズル７を経て複数の孔８から反応管１内へ供給していた。
また、その反応管１内を、ガス排気管３に接続された圧力調整バブル５の開度調整により、所望量のガスの排気を行なうことによって、反応管１内を一定の圧力に保っていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−４７５７１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のシステム、方法では、不均一なエッチング、エッチング残りが起こるという問題があった。
【０００６】この原因は、従来においては、排気を行ないながらエッチングガスを供給しているので、次の事象が生じているためと考えられる。
（ａ）反応管１の形状、もしくは、ガスの供給位置と排気位置の位置関係により、ガス導入管２からガス排気管３へ向かう「流れ」が生じ、「流れ」の上流部分でエッチングガスが多く消費され、下流部分にエッチングガスが届きにくい。
（ｂ）反応管１から見て圧力が低い場所（つまりガス排気管付近）におけるガス拡散の度合いが大きいのに対し、反応管から見て圧力が高い場所（つまり反応管１上端部など）におけるガス拡散の度合いが小さく、反応管１内から見て圧力の高い場所にエッチングガスが届きにくい。
即ち、ガス導入管２からガス排気管３へ向かう「流れ」が生じ、「流れ」に沿っていない部分にエッチングガスが届きにくい。
具体的には、図７の矢印で示すように、反応管１のほぼ中間部位置からガス排気管３側には、ガスの流れに沿った強い流れ部分１１が生じる一方、反応管１の上部側は、ガスの流れに逆らった弱い流れ部分１２が生じ、ガス流量、分圧が反応管１内で一定ではなかったのである。
なお、この明細書において、「流れ」とは、排気作用から生じる意図的なガスの気流をいい、ガスの拡散によるものを除く。
【０００７】本発明は、ＮＦ３などのエッチングガスを用いるセルフクリーニングを行なう半導体デバイス製造装置（基板処理装置）において、従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の第１の特徴とするところは、反応管に連通するガス導入管と閉塞部材を有したガス排気管とを備えた基板処理装置において、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御部を有し、前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させる基板処理装置にある。ここで、実質的に停止するとは、ガスの排気を完全に停止するばかりではなく、反応管内にクリーニングガスがほぼ均一に拡散する限りは、若干の排気量の排気を許容することをいう。したがって、反応管内でのクリーニングガスの流れを実質的に停止させ、クリーニングガスを拡散によって反応管内を充満させることができ、反応管内においてエッチングガスの分圧が均一になるばかりか、エッチングガスの圧力が上昇するのでエッチング速度（クリーニング速度）の向上もできるものである。
【０００９】ガス排気管からの排気は、前記ガス導入管からのクリーニングガス供給開始と同時又はクリーニングガス供給開始前に実質的に停止してもよく、クリーニングガスが供給されてから数秒経過するまでのいる間にガス排気管からの排気を実質的に停止すればよい。前記ガス導入管からのクリーニングガス供給開始後に排気を停止する場合、排気停止のタイミングは、排気管を閉じるのに要する時間と反応管内にクリーニングガスが反応管内ほぼ全体に容易に拡散するのに要する時間とが考慮される。例えば排気管を閉じるのに要する時間を２秒とし、クリーニングガスが反応管内ほぼ全体に容易に拡散するのに５秒かかるとすれば、合計７秒後となり、この７秒以内に排気を停止することが好ましい。５秒のマージンを取る理由は、反応管内にガスの流れが生成された後に排気を停止するので、ガスの供給ポートと排気ポートとの間の距離が長く、経路が複雑な場合、クリーニングガスを早く全体に到達させることができるためである。
【００１０】本発明の第２の特徴とするところは、反応管に連通するガス導入管と閉塞部材を有したガス排気管とを備えた基板処理装置において、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御部を有し、前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させる第１段階と、この第１段階の後、前記反応室内を排気する第２段階とを設け、前記第１段階と第２段階とを少なくとも１サイクル以上繰り返す基板処理装置にある。第２段階は、洗浄反応後の反応物質がその後の洗浄反応を邪魔するので、一旦排気することにより、クリーニング効率を上げることができる。なお、第１段階と第２段階との繰り返し回数は、付膜している膜厚等により左右されるものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置２０が示されている。この基板処理装置２０は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体２２を有する。この筺体２２には、ポッドステージ２４が接続されており、このポッドステージ２４にポッド２６が搬送される。ポッド２６は、例えば２５枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ２４にセットされる。
【００１２】筺体２２内において、ポッドステージ２４に対向する位置には、ポッド搬送装置２８が配置されている。また、このポッド搬送装置２８の近傍には、ポッド棚３０、ポッドオープナ３２及び基板枚数検知器３４が配置されている。ポッド搬送装置２８は、ポッドステージ２４とポッド棚３０とポッドオープナ３２との間でポッド２６を搬送する。ポッドオープナ３２は、ポッド２６の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド２６内の基板枚数が基板枚数検知器３４により検知される。
【００１３】さらに、筺体２２内には、基板移載機３６、ノッチアライナ３８及び基板支持体４０（ボート）が配置されている。基板移載機３６は、例えば５枚の基板を取り出すことができるアーム４２を有し、このアーム４２を動かすことにより、ポッドオープナ３２の位置に置かれたポッド２６、ノッチアライナ３８及び基板支持体４０間で基板を搬送する。ノッチアライナ３８は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板を揃えるものである。
【００１４】図２において、反応炉５０が示されている。この反応炉５０は、反応管５２を有し、この反応管５２内に前述した基板支持体が挿入される。反応管５２の下方は、基板支持体を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ５４（図１にも示す）により密閉されるようにしてある。また、反応管５２の周囲には、ヒータ５６（図３に示す）が配置されている。そして、反応管５２には、反応ガスやクリーニングガスを供給するガス導入管５８と、反応ガスやクリーニングガスを排気するガス排気管６０とが接続されている。ガス導入管５８から供給されたガスは、反応管５２内に形成されたガスノズル６２の多数の孔６４から反応管５２内へ供給される。また、ガス排気管６０には、例えば圧力調整バルブからなる閉塞部材６６が設けられており、この閉塞部材６６は、シャットオフの機能を有する。
【００１５】次に上述したように構成された基板処理装置２０による基板処理工程について説明する。
まず、ポッドステージ２４に複数枚の基板を収容したポッド２６がセットされると、ポッド搬送装置２８によりポッド２６をポッドステージ２４からポッド棚３０へ搬送し、このポッド棚３０にストックする。次に、ポッド搬送装置２８により、このポッド棚３０にストックされたポッド２６をポッドオープナ３２に搬送してセットし、このポッドオープナ３２によりポッド２６の蓋を開き、基板枚数検知器３４によりポッド２６に収容されている基板の枚数を検知する。
【００１６】次に、基板移載機３６により、ポッドオープナ３２の位置にあるポッド２６から基板を取り出し、ノッチアライナ３８に移載する。このノッチアライナ３８においては、基板を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数の基板を同じ位置に整列させる。次に、基板移載機３６により、ノッチアライナ３８から基板を取り出し、基板支持体４０に移載する。
【００１７】このようにして、１バッチ分の基板を基板支持体４０に移載すると、所定の温度に設定された反応炉５０内に複数枚の基板を装填した基板支持体４０を装入し、シールキャップ５４により反応管５２内を密閉する。次に、ガス導入管５８から反応ガスを供給する。そして、反応管５２内の温度をモニタしながら、予め設定された昇温、降温プログラムに従って基板処理を実施する。
【００１８】基板処理が終了すると、所定の温度に降温した後、基板支持体４０を反応炉５０からアンロードし、基板支持体４０に支持された全ての基板が冷えるまで、基板支持体４０を所定位置で待機させる。次に、待機させた基板支持体４０の基板が所定温度まで冷却されると、基板移載機３６により、基板支持体４０から基板を取り出し、ポッドオープナ３２にセットされている空のポッド２６に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置２８により、基板が収容されたポッド２６をポッド棚３０に搬送し、さらにポッドステージ２４に搬送して完了する。
【００１９】図３において、上記基板処理装置のガスシステムが示されている。
パージ用のＮ２ガスが貯蔵された第１の貯蔵タンク６８は、第１の手動バルブ７０、第１の開閉バルブ７２、第１の流量制御バルブ７４、第２の開閉バルブ７６及び前述したガス導入管５８を介して反応管５２に接続されている。クリーニングガスが貯蔵された第２の貯蔵タンク７８は、第２の手動バルブ８０、第３の開閉バルブ８２、第２の流量制御バルブ８４、第４の開閉バルブ８６及び前述したガス導入管５８を介して反応管５２に接続されている。第１の反応ガスが貯蔵された第３の貯蔵タンク８８は、第３の手動バルブ９０、第５の開閉バルブ９２、第３の流量制御バルブ９４、第６の開閉バルブ９６及び前述したガス導入管５８を介して反応管５２に接続されている。第２の反応ガスが貯蔵された第３の貯蔵タンク９８は、第４の手動バルブ１００、第７の開閉バルブ１０２、第４の流量制御バルブ１０４、第８の開閉バルブ１０６及び前述したガス導入管５８を介して反応管５２に接続されている。
【００２０】前述した閉塞部材６６を有するガス排気管６０は、ドライポンプ１０８に接続され、このドライポンプ１０８の作動により反応管５２内が減圧される。
【００２１】制御装置（制御部）１１０は、例えばコンピュータから構成され、開閉バルブ７２，７６，８２，８６，９２，９６，１０２，１０６の開閉、流量制御バルブ７４，８４，９４，１０４の流量、ヒータ５６への通電電力、閉塞部材６６の開度、ドライポンプ１０８の駆動等を制御する。
【００２２】次にクリーニング処理について説明する。
前述したように、基板処理を数バッチ繰り返すと、反応空間、例えば反応管５２の内壁に反応生成物が堆積し、時間とともにこの堆積した副生成物が剥れてしまい、パーティクルとなり、これが基板上に付着して歩留まりを低下させてしまうという問題がある。
【００２３】そこで、定期的に反応空間内のクリーニングを行なう必要があり、この実施形態においては、クリーニングガスとしてエッチングガス（例えばＮＦ３ガス）を供給することで反応空間内のセルフクリーニングを行なっている。なお、クリーニング処理は、図２に示されていないが、基板支持体を反応管５２に挿入した状態で行い、前記基板支持体に堆積した副生成物の除去も行う。
【００２４】図４において、前述した制御装置１１０のクリーニング工程における制御作動例がフローチャートとして示されている。また、図５において、上記制御作動例におけるタイムチャートが示されている。
【００２５】まず、ステップＳ１０において、反応管５２内がベース圧力に設定された状態で閉塞部材６６を閉じる。次にステップＳ１２において、第４の開閉バルブ８６を開く。次のステップＳ１４において、第２の流量制御バルブ８４の流量を第１の設定値に設定する。この第１の設定値は、例えば１．５ｓｌｍである。次のステップＳ１６において、第３の開閉バルブ８２を開き、エッチングガスの供給を開始する（図５ｔ０）。これにより反応管５２内の圧力が徐々に上昇する。このままの状態をｔ１時間維持し、この時間ｔ１経過した時点での反応管５２内の圧力はｐ１に達する。ｔ１は例えば２５秒であり、ｐ１は例えば１０Ｔｏｒｒである。時間ｔ１が経過すると、次のステップＳ１８において、第２の流量制御バルブ８４の流量を第２の設定値に設定する。第２の設定値は、例えば０．２５ｓｌｍである。これにより反応管５２内の圧力はｐ１からｐ２へ上昇又はｐ１のまま維持される。この実施形態においては、ｐ２は例えば１０Ｔｏｒｒであり、ｐ１と等しくなっている。このままの状態をｔ２時間維持する。ｔ２は例えば６５秒である。
なお、第２の流量制御バルブ８４の流量を第１の設定値（例えば１．５ｓｌｍ）から第２の設定値（例えば０．２５ｓｌｍ）に減少させることにより、次の効果が得られる。
（ａ）第２の設定値より高い第１の設定値で、エッチングガスを供給することで、有効なエッチング速度を得られる圧力まで、早く上げることができる。
（ｂ）第１の設定値より低い第２の設定値でエッチングガスを供給することで、ガスノズル６２の孔６４付近のエッチングガスの濃度を下げ、反応管内のエッチングガスの均一性をより上げることができる。
（ｃ）第１の設定値より低い第２の設定値でエッチングガスを供給することで、エッチングによって消費されたエッチングガスを補充し、エッチングによるエッチングガス分圧の低下を防ぐことができる。
また、反応管５２内の圧力がｐ２になった状態でｔ４時間維持してもよい。ｔ４は例えば４５秒である。
【００２６】ここまでが第１段階であり、エッチングガスをガス導入管５８から反応管５２の長手方向に延在するガスノズル６２を経て、多数の孔６４から反応管５２内に流しながら、ガス排気管６０の閉塞部材６６を閉じることによって、反応管５２内にガスを充満させて、封じ込める。
これにより、エッチングガス１１２のガス排気管６０に向かう偏った流れが緩和され、反応管５２内の全体にエッチングガスが拡散していき、反応管５２内においてエッチングガス１１２の分圧も均一となる。
【００２７】なお、図２において、符号１１４は、エッチングガス１１２が反応管５２内に供給された後、拡散していく状態を示し、符号１１６は反応管５２内全体にエッチングガス１１２が拡散し、ガスが均一な状態であることを示した仮想領域を示す。
【００２８】また、エッチングガス１１２の消費、および、エッチングによる生成ガスによる、ガスの上下流におけるエッチングガス分圧の変化に関しても、エッチングガス、および、エッチングガスによる生成ガスの拡散により、エッチングガス分圧は均一となる。
【００２９】即ち、反応管５２の内壁に堆積している反応生成物の除去は、次のような原理から表せる。反応生成物（固体状）であるＳｉ３Ｎ４とエッチングガスである４ＮＦ３とが反応し、３ＳｉＦ４と４Ｎ２の生成ガスが生成されることにより、反応生成物が除去されるものである。
なお、この間、ヒータ５６による反応管５２内の温度は、例えば６３０°Ｃに保たれている。
従来のように反応管内にガスの流れがある場合、ガス流れの上流側ではＮＦ３が消費される一方、ＳｉＦ４とＮ２が多く存在する状態になり、エッチングガスの分圧が上流、下流で異なってしまう。
しかし、上記本発明の実施形態のようにガスの流れを作らずに封じ込めることで、ＮＦ３、ＳｉＦ４、Ｎ２のそれぞれのガスが拡散し易くなるので、それぞれのガスのガス分圧が等しくなり、反応管５２内に均一なエッチングガスを供給することができる。これにより均一なクリーニングが可能となる。
【００３０】また、第１段階において、エッチングガスを供給している間、ガスの排気を行なっていないため、反応管５２内の圧力が上昇するが、この圧力上昇により、エッチング速度の上昇も期待できる。
【００３１】前述したようにステップＳ１８で第２の流量制御バルブ８４を第２の設定値に設定してからｔ２時間経過すると、次のステップＳ２０へ進む。このステップＳ２０において、第３の開閉バルブ８２を閉じ、次のステップＳ２２において、第４の開閉バルブ８６を閉じ、次のステップＳ２４において、閉塞部材６６を開く。これにより反応管５２のエッチングガスはガス排気管６０を介して排気され、反応管５２内の圧力は急激にベース圧力まで下がる。
【００３２】ここまでが第２段階であり、反応管５２内からエッチングガスと生成ガスとを排気する。
【００３３】次のステップＳ２６においては、上記第１段階と第２の段階との処理が所望の回数繰り返したか否かを判定する。このステップＳ２６により所望の回数が繰り返されたと判断されると、次の処理（基板処理）へと進む。一方、このステップＳ２６により所望の回数が繰り返されていないと判定されると、ステップＳ１０に戻り、第１段階と第２段階との処理を繰り返して実行する。ステップＳ２２において閉塞部材６６が開かれてからｔ３時間待って反応管５２内のエッチングガスと生成ガスとの排気を十分行い、次のサイクルにおけるステップＳ１０の閉塞部材６６を閉じる。この時間ｔ３は例えば４秒である。
【００３４】以上述べたように、反応管５２内のクリーニング工程を第１段階と第２段階に分けて行なうことにより、均一なクリーニングを実施することができるが、よりクリーニング効率を上げたい場合は、これら、第１段階及び第２段階のサイクルを少なくとも１サイクル以上繰り返し行なうことにより、エッチング残りのない、均一なエッチングを行なうことができる。
【００３５】このように本発明の実施形態により提供されたクリーニング方法によれば、反応管内の均一なクリーニングが可能となる。
【００３６】また、上述したクリーニング工程にて反応管内をセルフクリーニングした基板処理装置を用いれば、品質の高い半導体デバイスの生産が可能となるものである。
【００３７】なお、本発明は上述した形態に限らず、種々の変更が可能である。
即ち、第１段階においては、ガスの排気は完全に止めなくとも、反応管内に供給されたエッチングガスの流れが不均一にならない、また、ガスの均一な拡散に影響がない程度の排気量であれば、排気は行ないつつエッチングガスを供給しても良い。
【００３８】また、第２段階の際、第２段階後、再度第１段階を行なう場合であれば、エッチングガスの供給を完全に止めなくとも、多少供給していても良い。なお、第２段階後、再度第１段階を行なわないのであれば、完全にエッチングガスを止めて排気するのが次の処理の際、残留ガス（エッチングガス）を残さないためにも好ましい。
【００３９】以上のように、第１段階の際、クリーニングガスが反応管内にわたり均一に拡散する方法であれば、種々の変更は可能である。
【００４０】図６において、他の実施形態が示されている。この他の実施形態は、前述した実施形態と比較すると、前述した実施形態においては、クリーニングガス供給開始前に閉塞部材を閉じて排気を停止したのに対し、クリーニングガス供給開始後に閉塞部材を閉じて排気を停止するようにした点が異なる。
【００４１】即ち、この実施形態においては、まずステップＳ１２、ステップＳ１４、ステップＳ１６の処理を実行してクリーニングガスを反応管へ供給する。その後、所定時間経過後にステップＳ１０の処理を実行して排気を停止する。ここでの所定時間は、閉塞部材を閉じるのに要する時間と反応管内にクリーニングガスが反応管内ほぼ全体に容易に拡散するのに要する時間とが考慮される。例えばガス排気管を閉じるのに要する時間を２秒とし、クリーニングガスが反応管内ほぼ全体に容易に拡散するのに５秒かかるとすれば、合計７秒後となり、この７秒以内に排気を停止することが好ましい。５秒のマージンを取る理由は、反応管内にガスの流れが生成された後に排気を停止するので、ガスの供給ポート（例えば第４の開閉バルブ８６の出口）と排気ポート（ガス排気管６０の入口）との間の距離が長く、経路が複雑な場合、クリーニングガスを早く全体に到達させることができるためである。
【００４２】なお、上記実施形態及び実施例の説明にあっては、基板処理装置として、複数の基板を処理するバッチ式のものを用いたが、これに限定するものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【００４３】以上のように、本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次のような実施形態が含まれる。
（１）反応管と、この反応管に連通するガス導入管と、前記反応管に連通し、開閉部材を有するガス排気管と、このガス排気管に設けられた排気停止手段と、前記ガス導入菅にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、このクリーニングガス供給手段により前記ガス導入管を介して前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
（２）ガス導入管から反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させ、前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させる基板処理工程を有する半導体デバイスの製造方法。
【００４４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ガス導入管から反応管内にクリーニングガスを供給している間、ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、ガス導入管から反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させ、、反応管内をクリーニングガスで充満させるようにしたので、反応管内にクリーニングガスを均一に拡散させることができ、均一な反応管内のクリーニングを行なうことができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いた反応炉を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理装置のガスシステムを示すガスシステム図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理装置におけるクリーニング工程の処理フローを示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置におけるクリーニング工程のタイムチャートである。
【図６】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置におけるクリーニング工程の処理フローを示すフローチャートである。
【図７】従来の反応炉を示す断面図である。
２０ 基板処理装置
５２ 反応管
５８ ガス導入管
６０ ガス排気管
６６ 閉塞部材
１１０ 制御装置
Claims (4)
- 反応管に連通するガス導入管と閉塞部材を有したガス排気管とを備えた基板処理装置において、
前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、
前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、
排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御部を有し、
前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させること
を特徴とする基板処理装置。 - 前記ガス排気管からの排気は、前記ガス導入管からのクリーニングガス供給開始と同時又はクリーニングガス供給開始前に実質的に停止することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
- 前記ガス排気管からの排気は、前記ガス導入管からのクリーニングガス供給開始後７秒以内に実質的に停止することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
- 反応管に連通するガス導入管と閉塞部材を有したガス排気管とを備えた基板処理装置において、
前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、
前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、
排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御部を有し、
前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させる第１段階と、
この第１段階の後、前記反応室内を排気する第２段階とを設け、前記第１段階と第２段階とを少なくとも１サイクル以上繰り返すことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002366250A JP3985899B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-12-18 | 基板処理装置 |
| KR1020030019041A KR100802212B1 (ko) | 2002-03-28 | 2003-03-27 | 기판 처리 장치 |
| TW092106861A TW591690B (en) | 2002-03-28 | 2003-03-27 | Substrate processing apparatus |
| US10/400,577 US20030221779A1 (en) | 2002-03-28 | 2003-03-28 | Substrate processing apparatus |
| US11/271,900 US20060060142A1 (en) | 2002-03-28 | 2005-11-14 | Substrate processing apparatus |
| US12/404,932 US20090178694A1 (en) | 2002-03-28 | 2009-03-16 | Substrate processing apparatus |
| US12/954,369 US8211802B2 (en) | 2002-03-28 | 2010-11-24 | Substrate processing apparatus |
| US13/489,018 US8366868B2 (en) | 2002-03-28 | 2012-06-05 | Substrate processing apparatus |
| US13/750,745 US20130133696A1 (en) | 2002-03-28 | 2013-01-25 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002092733 | 2002-03-28 | ||
| JP2002366250A JP3985899B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-12-18 | 基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004128145A Division JP4253612B2 (ja) | 2002-03-28 | 2004-04-23 | 基板処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004006620A true JP2004006620A (ja) | 2004-01-08 |
| JP2004006620A5 JP2004006620A5 (ja) | 2005-03-03 |
| JP3985899B2 JP3985899B2 (ja) | 2007-10-03 |
Family
ID=29585950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002366250A Expired - Lifetime JP3985899B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-12-18 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (6) | US20030221779A1 (ja) |
| JP (1) | JP3985899B2 (ja) |
| KR (1) | KR100802212B1 (ja) |
| TW (1) | TW591690B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073772A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び熱処理装置 |
| JP2011035434A (ja) * | 2002-03-28 | 2011-02-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法およびクリーニング方法 |
| JP2011222970A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-11-04 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置、及び管理システム |
| JP2012094903A (ja) * | 2012-01-30 | 2012-05-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | クリーニング方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| US8481434B2 (en) | 2007-11-16 | 2013-07-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device and processing apparatus |
| JP2013541187A (ja) * | 2010-08-25 | 2013-11-07 | リンデ アクチエンゲゼルシャフト | 分子状フッ素を用いる化学気相成長チャンバのクリーニング |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3985899B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-10-03 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| KR100876050B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2008-12-26 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 |
| JP4734317B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2011-07-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP4943047B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| US8235001B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| US20090004877A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP5372353B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-12-18 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置用ガス供給装置 |
| JP5237133B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2013-07-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| JP5520552B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2014-06-11 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| US20130025786A1 (en) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Vladislav Davidkovich | Systems for and methods of controlling time-multiplexed deep reactive-ion etching processes |
| WO2013141370A1 (ja) | 2012-03-22 | 2013-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体 |
| KR101965256B1 (ko) * | 2012-10-17 | 2019-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP6017396B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
| JP6107327B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法 |
| US9246133B2 (en) * | 2013-04-12 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device |
| USD742339S1 (en) * | 2014-03-12 | 2015-11-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Reaction tube |
| USD748594S1 (en) * | 2014-03-12 | 2016-02-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Reaction tube |
| CN103894380A (zh) * | 2014-03-24 | 2014-07-02 | 上海华力微电子有限公司 | 带清洗枪的竖式清洗机 |
| JP5968996B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2016-08-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| US10100407B2 (en) * | 2014-12-19 | 2018-10-16 | Lam Research Corporation | Hardware and process for film uniformity improvement |
| JP1535455S (ja) * | 2015-02-25 | 2015-10-19 | ||
| JP1548462S (ja) * | 2015-09-04 | 2016-04-25 | ||
| JP1546512S (ja) * | 2015-09-04 | 2016-03-22 | ||
| JP6823385B2 (ja) * | 2016-05-30 | 2021-02-03 | 株式会社日立製作所 | 付着物収集装置及び検査システム |
| JP1605460S (ja) * | 2017-08-09 | 2021-05-31 | ||
| JP1605461S (ja) * | 2017-08-10 | 2021-05-31 | ||
| JP1644260S (ja) * | 2019-03-20 | 2019-10-28 | ||
| USD931823S1 (en) * | 2020-01-29 | 2021-09-28 | Kokusai Electric Corporation | Reaction tube |
| CN113314439B (zh) * | 2021-04-27 | 2023-11-28 | 长江存储科技有限责任公司 | 湿法刻蚀装置及方法 |
| JP1713188S (ja) * | 2021-09-15 | 2022-04-21 | ||
| JP1731877S (ja) * | 2022-03-01 | 2022-12-09 | ||
| JP1731878S (ja) * | 2022-03-01 | 2022-12-09 | ||
| JP1731789S (ja) * | 2022-03-01 | 2022-12-09 |
Family Cites Families (98)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3840312A (en) * | 1973-04-11 | 1974-10-08 | Control Process Inc | Dynamic pressure control system |
| US4364413A (en) * | 1981-01-07 | 1982-12-21 | The Perkin-Elmer Corporation | Molar gas-flow controller |
| JPS6117151A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Minolta Camera Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| US4783320A (en) * | 1985-11-25 | 1988-11-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Rapid synthesis of indium phosphide |
| JPS62273714A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Clarion Co Ltd | 有機金属ガス供給方法および装置 |
| JPS6370428A (ja) | 1986-09-11 | 1988-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| DE3639292A1 (de) * | 1986-11-17 | 1988-05-26 | Battenfeld Gmbh | Verfahren zum spritzgiessen von thermoplastischen kunststoffen |
| JP2773078B2 (ja) | 1988-03-11 | 1998-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びその洗浄方法 |
| JPH0265233A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Nec Yamagata Ltd | 半導体ウェーハの水分除去装置 |
| JP2888253B2 (ja) * | 1989-07-20 | 1999-05-10 | 富士通株式会社 | 化学気相成長法およびその実施のための装置 |
| JPH03290715A (ja) * | 1990-04-07 | 1991-12-20 | Iwashita Eng Kk | 圧力センサを有する定量吐出装置の圧力変更型吐出量安定ディスペンス制御装置 |
| US5220515A (en) * | 1991-04-22 | 1993-06-15 | Applied Materials, Inc. | Flow verification for process gas in a wafer processing system apparatus and method |
| US5565038A (en) * | 1991-05-16 | 1996-10-15 | Intel Corporation | Interhalogen cleaning of process equipment |
| US5314541A (en) * | 1991-05-28 | 1994-05-24 | Tokyo Electron Limited | Reduced pressure processing system and reduced pressure processing method |
| DE69213340T2 (de) * | 1991-05-30 | 1997-03-27 | Hitachi Ltd | Ventil und seine Verwendung in einer Vorrichtung hergestellt aus Halbleitermaterial |
| JP3040212B2 (ja) * | 1991-09-05 | 2000-05-15 | 株式会社東芝 | 気相成長装置 |
| US5368685A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Hitachi, Ltd. | Dry etching apparatus and method |
| JP2797233B2 (ja) * | 1992-07-01 | 1998-09-17 | 富士通株式会社 | 薄膜成長装置 |
| US5380370A (en) * | 1993-04-30 | 1995-01-10 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning reaction tube |
| JPH06330323A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法 |
| US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
| US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
| JP2889098B2 (ja) * | 1993-10-13 | 1999-05-10 | 株式会社本山製作所 | 特定ガスの供給制御装置 |
| JPH07130704A (ja) | 1993-10-22 | 1995-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
| US5777300A (en) * | 1993-11-19 | 1998-07-07 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Processing furnace for oxidizing objects |
| US5614247A (en) * | 1994-09-30 | 1997-03-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for chemical vapor deposition of aluminum oxide |
| JP3270852B2 (ja) * | 1995-04-20 | 2002-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力調整装置及びこれを用いた部屋の連通方法 |
| US5685912A (en) * | 1995-06-20 | 1997-11-11 | Sony Corporation | Pressure control system for semiconductor manufacturing equipment |
| TW371776B (en) * | 1995-10-15 | 1999-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser irradiation apparatus and method |
| JP3768575B2 (ja) * | 1995-11-28 | 2006-04-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｃｖｄ装置及びチャンバ内のクリーニングの方法 |
| US5902494A (en) * | 1996-02-09 | 1999-05-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle generation by limiting DC bias spike |
| US6030902A (en) * | 1996-02-16 | 2000-02-29 | Micron Technology Inc | Apparatus and method for improving uniformity in batch processing of semiconductor wafers |
| WO1997031389A1 (fr) * | 1996-02-23 | 1997-08-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement thermique |
| US5735960A (en) * | 1996-04-02 | 1998-04-07 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method to increase gas residence time in a reactor |
| JP3386651B2 (ja) | 1996-04-03 | 2003-03-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| JPH09326385A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板冷却方法 |
| KR0183912B1 (ko) * | 1996-08-08 | 1999-05-01 | 김광호 | 다중 반응 챔버에 연결된 펌핑 설비 및 이를 사용하는 방법 |
| JP3270730B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2002-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JPH10280151A (ja) | 1997-04-08 | 1998-10-20 | Fujitsu Ltd | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| US6149974A (en) * | 1997-05-05 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Method for elimination of TEOS/ozone silicon oxide surface sensitivity |
| US5966499A (en) * | 1997-07-28 | 1999-10-12 | Mks Instruments, Inc. | System for delivering a substantially constant vapor flow to a chemical process reactor |
| US6228170B1 (en) * | 1997-12-16 | 2001-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for regulating chamber pressure |
| US6022483A (en) * | 1998-03-10 | 2000-02-08 | Intergrated Systems, Inc. | System and method for controlling pressure |
| WO1999053117A2 (en) * | 1998-04-14 | 1999-10-21 | Cvd Systems, Inc. | Film deposition system |
| JP3396431B2 (ja) * | 1998-08-10 | 2003-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化処理方法および酸化処理装置 |
| JP3830670B2 (ja) * | 1998-09-03 | 2006-10-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP4426671B2 (ja) | 1998-11-27 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及びその洗浄方法 |
| US6383300B1 (en) * | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
| US6086678A (en) * | 1999-03-04 | 2000-07-11 | Memc Electronic Materials, Inc. | Pressure equalization system for chemical vapor deposition reactors |
| US6540838B2 (en) * | 2000-11-29 | 2003-04-01 | Genus, Inc. | Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition |
| US6305314B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-10-23 | Genvs, Inc. | Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition |
| JP2000269108A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Sharp Corp | 半導体製造装置の管理システム |
| JP2000306884A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2000328248A (ja) | 1999-05-12 | 2000-11-28 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成装置のクリーニング方法及び薄膜形成装置 |
| US6503330B1 (en) * | 1999-12-22 | 2003-01-07 | Genus, Inc. | Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition |
| JP2001250818A (ja) | 1999-12-28 | 2001-09-14 | Tokyo Electron Ltd | 酸化処理装置及びそのクリーニング方法 |
| JP4663059B2 (ja) | 2000-03-10 | 2011-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のクリーニング方法 |
| JP2001274107A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Nec Kyushu Ltd | 拡散炉 |
| US7011710B2 (en) * | 2000-04-10 | 2006-03-14 | Applied Materials Inc. | Concentration profile on demand gas delivery system (individual divert delivery system) |
| US6453913B2 (en) * | 2000-04-27 | 2002-09-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of cleaning a film deposition apparatus, method of dry etching a film deposition apparatus, and an article production method including a process based on the cleaning or dry etching method |
| US6863019B2 (en) * | 2000-06-13 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas |
| JP2002043299A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の熱処理方法 |
| KR100444149B1 (ko) * | 2000-07-22 | 2004-08-09 | 주식회사 아이피에스 | Ald 박막증착설비용 클리닝방법 |
| JP2002129337A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
| US6517891B1 (en) * | 2000-10-31 | 2003-02-11 | Nordson Corporation | Control system for metering pump and method |
| US6844273B2 (en) * | 2001-02-07 | 2005-01-18 | Tokyo Electron Limited | Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system |
| JP4071449B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2008-04-02 | 株式会社東芝 | センサ異常検出方法及びセンサ異常検出装置 |
| JP3403181B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2003-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| US6656282B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Moohan Co., Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and process using remote plasma |
| TW552490B (en) * | 2001-10-18 | 2003-09-11 | Ckd Corp | Apparatus and method of pulse type flow rate adjustment |
| JP3891848B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
| KR100452318B1 (ko) * | 2002-01-17 | 2004-10-12 | 삼성전자주식회사 | 압력조절시스템 및 이를 이용하는 압력조절방법 |
| WO2003062490A2 (en) * | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Sundew Technologies, Llc | Ald apparatus and method |
| JP3985899B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-10-03 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| JP2003338499A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 膜形成方法及び膜形成装置 |
| US6838114B2 (en) * | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US6821347B2 (en) * | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
| US20040118436A1 (en) * | 2002-12-21 | 2004-06-24 | Joyce James M. | Method and apparatus for thermal gas purging |
| US7344755B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-03-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers |
| US7422635B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
| US7056806B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces |
| DE10345824A1 (de) * | 2003-09-30 | 2005-05-04 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zur Abscheidung von atomaren Schichten auf Substraten |
| US7647886B2 (en) * | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
| US7258892B2 (en) * | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
| JP4586544B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2010-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
| US7072743B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-07-04 | Mks Instruments, Inc. | Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method |
| US7628861B2 (en) * | 2004-12-17 | 2009-12-08 | Mks Instruments, Inc. | Pulsed mass flow delivery system and method |
| US7628860B2 (en) * | 2004-04-12 | 2009-12-08 | Mks Instruments, Inc. | Pulsed mass flow delivery system and method |
| JP2005322668A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Renesas Technology Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| JP3945519B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2007-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
| US7412986B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-08-19 | Celerity, Inc. | Method and system for flow measurement and validation of a mass flow controller |
| US20060165873A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-07-27 | Micron Technology, Inc. | Plasma detection and associated systems and methods for controlling microfeature workpiece deposition processes |
| WO2006095752A1 (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| US7775508B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor |
| US7775236B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
| US8235001B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| JP4994197B2 (ja) * | 2007-11-16 | 2012-08-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| US8716147B2 (en) * | 2007-11-19 | 2014-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus |
-
2002
- 2002-12-18 JP JP2002366250A patent/JP3985899B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-27 TW TW092106861A patent/TW591690B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-27 KR KR1020030019041A patent/KR100802212B1/ko active IP Right Grant
- 2003-03-28 US US10/400,577 patent/US20030221779A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-11-14 US US11/271,900 patent/US20060060142A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-03-16 US US12/404,932 patent/US20090178694A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-11-24 US US12/954,369 patent/US8211802B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-06-05 US US13/489,018 patent/US8366868B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-01-25 US US13/750,745 patent/US20130133696A1/en not_active Abandoned
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035434A (ja) * | 2002-03-28 | 2011-02-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法およびクリーニング方法 |
| US8481434B2 (en) | 2007-11-16 | 2013-07-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device and processing apparatus |
| JP2010073772A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び熱処理装置 |
| JP2011222970A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-11-04 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置、及び管理システム |
| US8784568B2 (en) | 2010-03-24 | 2014-07-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and management system |
| JP2013541187A (ja) * | 2010-08-25 | 2013-11-07 | リンデ アクチエンゲゼルシャフト | 分子状フッ素を用いる化学気相成長チャンバのクリーニング |
| JP2012094903A (ja) * | 2012-01-30 | 2012-05-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | クリーニング方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100802212B1 (ko) | 2008-02-11 |
| US20030221779A1 (en) | 2003-12-04 |
| TW200305918A (en) | 2003-11-01 |
| US20110130001A1 (en) | 2011-06-02 |
| TW591690B (en) | 2004-06-11 |
| US20090178694A1 (en) | 2009-07-16 |
| US8211802B2 (en) | 2012-07-03 |
| US8366868B2 (en) | 2013-02-05 |
| US20130133696A1 (en) | 2013-05-30 |
| US20120240348A1 (en) | 2012-09-27 |
| JP3985899B2 (ja) | 2007-10-03 |
| KR20030078699A (ko) | 2003-10-08 |
| US20060060142A1 (en) | 2006-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3985899B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| US8093072B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP5555270B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
| TWI446404B (zh) | 半導體裝置的製造方法、清潔方法及基板處理裝置 | |
| JP4371425B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| US20120015525A1 (en) | Method of cleaning a thin film forming apparatus, thin film forming method, and thin film forming apparatus | |
| KR101129741B1 (ko) | 반도체 처리용 성막 장치 및 그 사용 방법 | |
| TWI694518B (zh) | 基板處理裝置、石英反應管、清潔方法暨記錄媒體 | |
| JP2005064305A (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP4253612B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP5198542B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 | |
| CN112838028A (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
| JP2009200298A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2005259841A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2023161122A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JP4157508B2 (ja) | Ｃｖｄ成膜方法 | |
| JP2005197541A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2009081324A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2005150586A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040329 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040329 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041021 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041027 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041221 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070201 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070528 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070614 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070704 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070704 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3985899 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100720 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110720 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120720 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130720 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140720 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |