CN112838028A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制形成于基板的表面的图案的倒塌的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置执行：向收纳有在表面附着有液体的基板的处理容器内供给处理流体而使处理容器内的压力上升到比处理流体的临界压力高的处理压力的工序；一边将处理容器内的压力维持在使处理流体维持超临界状态的压力，一边向处理容器供给处理流体，并从处理容器排出处理流体的工序。前者包括：使处理容器内的压力上升到比临界压力高、比处理压力低的第1压力的工序；使处理容器内的压力从第1压力上升到处理压力的工序。在使处理容器内的压力升压到第1压力的工序中将基板的温度控制为第1温度，在升压到处理压力的工序中将基板的温度控制为比第1温度高的第2温度。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在将集成电路的层叠构造形成于半导体晶圆(以下，称为晶圆)等基板的表面这样的半导体装置的制造工序中，进行化学溶液清洗或者湿蚀刻等液处理。在去除在这样的液处理中附着到晶圆的表面的液体等之际，近年来，正在采用使用了超临界状态的处理流体的干燥方法。
在专利文献1中公开有一种基板处理装置，该基板处理装置在由基板保持部保持着的基板的下方设置有第1流体供给部，在由基板保持部保持着的基板的侧方设置有第2流体供给部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-74103号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够抑制在基板的表面形成的图案的倒塌的基板处理装置和基板处理方法。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置是使用超临界状态的处理流体而使在表面附着有液体的基板干燥的基板处理装置，其中，该基板处理装置具有：处理容器，其收纳所述基板；基板保持部，其在所述处理容器内以使所述表面朝上的方式将所述基板水平地保持；流体供给部，其向所述处理容器内供给处理流体；流体排出部，其从所述处理容器排出处理流体；以及控制部，其至少控制所述流体供给部和所述流体排出部的动作以及由所述基板保持部保持着的所述基板的温度，所述控制部通过控制所述流体供给部和所述流体排出部的动作而执行如下工序：向收纳有在所述表面附着有液体的基板的所述处理容器内供给所述处理流体而使所述处理容器内的压力上升到比所述处理流体的临界压力高的处理压力的工序；和在所述处理容器内的压力上升到所述处理压力之后，一边将所述处理容器内的压力维持在使所述处理流体维持超临界状态的压力，一边向所述处理容器供给所述处理流体，并且从所述处理容器排出所述处理流体的工序，使所述处理容器内的压力上升到所述处理压力的工序包括如下工序：使所述处理容器内的压力上升到比所述临界压力高、且比所述处理压力低的第1压力的工序；和使所述处理容器内的压力从所述第1压力上升到所述处理压力的工序，所述控制部在使所述处理容器内的压力升压到所述第1压力的工序中将所述基板的温度控制为第1温度，所述控制部在使所述处理容器内的压力升压到所述处理压力的工序中将所述基板的温度控制为比所述第1温度高的第2温度。
发明的效果
根据本公开，能够抑制在基板的表面形成的图案的倒塌。
附图说明
图1是表示基板处理系统的整体结构的横剖俯视图。
图2是超临界处理装置的处理容器的外观立体图。
图3是处理容器的剖视图。
图4是超临界处理装置的配管系统图。
图5的(a)～(d)是用于说明IPA的干燥机理的图。
图6是第1实施方式的基板处理装置所包含的超临界处理装置的配管系统图。
图7是表示第1实施方式中的干燥方法的概要的图(其1)。
图8是表示第1实施方式中的干燥方法的概要的图(其2)。
图9是表示第1实施方式中的干燥方法的概要的图(其3)。
图10是表示第1实施方式中的干燥方法的概要的图(其4)。
图11的(a)和(b)是表示第2实施方式的基板处理装置所包含的保持板的图。
图12的(a)～(d)是表示与清洗效率有关的实验的内容的示意图。
图13的(a)和(b)是表示清洗时的压力的变化的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。在各附图中，有时对相同的或相对应的结构标注相同的或相对应的附图标记而省略说明。
[基板处理系统的结构]
如图1所示，基板处理系统1具备：多个清洗装置2(在图1所示的例子中是两台清洗装置2)，其向晶圆W供给清洗液而进行清洗处理；和多个超临界处理装置3(在图1所示的例子中是6台超临界处理装置3)，其使附着于清洗处理后的晶圆W的用于防止干燥的液体(在本实施方式中是IPA：异丙醇)与超临界状态的处理流体(在本实施方式中是CO2：二氧化碳)接触而去除。
在该基板处理系统1中，在载置部11载置有FOUP(前开式晶圆传送盒，Front-Opening Unified Pod)100，容纳在该FOUP100的晶圆W借助送入送出部12和交接部13向清洗处理部14和超临界处理部15交接。在清洗处理部14和超临界处理部15，首先，晶圆W被送入设置于清洗处理部14的清洗装置2而接受清洗处理，之后，被送入设置于超临界处理部15的超临界处理装置3而接受从晶圆W上去除IPA的干燥处理。在图1中，附图标记“121”表示在FOUP100与交接部13之间输送晶圆W的第1输送机构，附图标记“131”表示交接架，该交接架起到作为缓冲部的作用，该缓冲部对在送入送出部12、清洗处理部14以及超临界处理部15之间输送的晶圆W进行暂时载置。
在交接部13的开口部连接有晶圆输送路径162，沿着晶圆输送路径162设置有清洗处理部14和超临界处理部15。在清洗处理部14，隔着该晶圆输送路径162各配置有1台清洗装置2，合计设置有两台清洗装置2。另一方面，在超临界处理部15，隔着晶圆输送路径162各配置有3台超临界处理装置3，合计设置有6台超临界处理装置3，该超临界处理装置3作为进行从晶圆W去除IPA的干燥处理的基板处理装置发挥功能。在晶圆输送路径162配置有第2输送机构161，第2输送机构161设为能够在晶圆输送路径162内移动。载置于交接架131的晶圆W由第2输送机构161接收，第2输送机构161向清洗装置2和超临界处理装置3送入晶圆W。此外，清洗装置2和超临界处理装置3的数量和配置方式并没有特别限定，根据每单位时间的晶圆W的处理张数以及各清洗装置2和各超临界处理装置3的处理时间等，以恰当的方式配置恰当的数量的清洗装置2和超临界处理装置3。
清洗装置2构成为例如利用旋转清洗来逐张清洗晶圆W的单张式的装置。在该情况下，能够一边使晶圆W以被水平地保持着的状态绕铅垂轴线旋转，一边在恰当的时刻向晶圆W的处理面供给用于清洗的化学溶液、用于冲洗化学溶液的冲洗液，从而进行晶圆W的清洗处理。在清洗装置2所使用的化学溶液和冲洗液并没有特别限定。例如，能够向晶圆W供给作为碱性的化学溶液的SC1液(即氨、过氧化氢和水的混合液)，而从晶圆W去除微粒、有机性的污染物质。之后，能够向晶圆W供给作为冲洗液的去离子水(DIW：DeIonized Water)，而从晶圆W冲洗SC1液。进而，向晶圆W供给作为酸性的化学溶液的稀氢氟酸水溶液(DHF：DilutedHydroFluoric acid)而去除自然氧化膜，之后，也能够向晶圆W供给DIW而从晶圆W冲洗稀氢氟酸水溶液。
并且，清洗装置2结束了由DIW进行的冲洗处理后，一边使晶圆W旋转，一边向晶圆W供给IPA作为用于防止干燥的液体，将残存于晶圆W的处理面的DIW与IPA置换。之后，使晶圆W的旋转缓慢地停止。此时，向晶圆W供给充分量的IPA，而成为形成有半导体的图案的晶圆W的表面充满IPA的液体的状态，在晶圆W的表面形成IPA的液膜。晶圆W维持充满IPA的液体的状态，并且被第2输送机构161从清洗装置2送出。
如此赋予到晶圆W的表面的IPA起到防止晶圆W的干燥的作用。尤其是，防止因晶圆W从清洗装置2向超临界处理装置3的输送中的IPA的蒸发而在晶圆W发生所谓图案倒伏，因此，清洗装置2向晶圆W赋予充分的量的IPA，以便在晶圆W的表面形成具有比较大的厚度的IPA膜。
从清洗装置2送出来的晶圆W被第2输送机构161以充满IPA的液体的状态送入超临界处理装置3的处理容器内，在超临界处理装置3进行IPA的干燥处理。
[超临界处理装置]
以下，参照图2～图4对在超临界处理装置3的各实施方式中通用的结构进行说明。
如图2和图3所示，处理容器301具备：容器主体311，其形成有晶圆W的送入送出用的开口部312；保持板316，其将处理对象的晶圆W水平地保持；以及盖构件315，其支承该保持板316，并且，在将晶圆W送入到容器主体311内时使开口部312密闭。
容器主体311是在内部形成有能够收纳例如直径300mm的晶圆W的处理空间的容器。在容器主体311的内部的一端侧设置有流体供给集管317，在另一端侧设置有流体排出集管318。在图示例中，流体供给集管317由设置有许多开口的块体构成，流体排出集管318由设置有许多开口(流体排出口)的管构成。优选流体供给集管317的第1流体供给口位于比由保持板316保持着的晶圆W的上表面稍高的位置。
流体供给集管317和流体排出集管318的结构并不限定于图示例，例如，流体排出集管318也可以由块体形成，流体供给集管317也可以由管形成。
若从下方观察保持板316，则保持板316覆盖晶圆W的下表面的大致整个区域。保持板316在靠盖构件315侧的端部具有开口316a。位于保持板316的上方的空间的处理流体经由开口316a向流体排出集管318引导(参照图3的箭头F5)。
流体供给集管317以实质上朝向水平方向的方式向容器主体311(处理容器301)内供给处理流体。在此所谓的水平方向是与重力所作用的铅垂方向垂直的方向，通常是与保持于保持板316的晶圆W的平坦的表面所延伸的方向平行的方向。
处理容器301内的流体经由流体排出集管318向处理容器301的外部排出。在经由流体排出集管318排出的流体中，除了包含经由流体供给集管317供给到处理容器301内的处理流体之外，还包含附着于晶圆W的表面并溶于处理流体的IPA。
在容器主体311的底部设置有向处理容器301的内部供给处理流体的流体供给喷嘴341。在图示例中，流体供给喷嘴341由贯穿容器主体311的底壁的开口构成。流体供给喷嘴341位于晶圆W的中心部的下方(例如正下方)，朝向晶圆W的中心部(例如垂直方向上方)向处理容器301内供给处理流体。
处理容器301还具备未图示的按压机构。该按压机构克服由供给到处理空间内的超临界状态的处理流体所带来的内压而朝向容器主体311按压盖构件315，起到使处理空间密闭的作用。另外，优选在容器主体311的顶壁和底壁设置绝热材料、带状加热器等(未图示)，以使供给到处理空间内的处理流体能够保持超临界状态的温度。
如图4所示，超临界处理装置3具有作为处理流体的供给源的流体供给罐51。在流体供给罐51连接有主供给管线50。主供给管线50在中途分支成与处理容器301内的流体供给集管317连接起来的第1供给管线63和与流体供给喷嘴341连接起来的第2供给管线64。
在流体供给罐51与流体供给集管317之间(也就是说，在主供给管线50和与其相连的第1供给管线63)，从上游侧依次设置气化器71、开闭阀55a。气化器71使从流体供给罐51供给来的处理流体气化，而向下游侧供给预定的温度的气体。第2供给管线64在气化器71与开闭阀55a之间的位置从主供给管线50分支。在第2供给管线64设置有开闭阀55b。
在处理容器301内的流体排出集管318连接有排出管线65。在排出管线65从上游侧依次设置有开闭阀55c和压力调整阀55d。压力调整阀55d的开度由控制部4调整。控制部4进行例如压力调整阀55d的开度的PID控制(比例积分微分控制器：Proportional-Integral-Differential Controller)。
在气化器71与开闭阀55a以及开闭阀55b之间设置有管线加热器H1。在开闭阀55b与流体供给喷嘴341之间设置有管线加热器H2和H3。管线加热器H2设置于比管线加热器H3靠上游侧的位置。在开闭阀55a与流体供给集管317之间设置有管线加热器H4。管线加热器H1～H4的设定温度能够由控制部4独立地控制。
在供超临界处理装置3的流体流动的管线这样的各种场所设置检测管线内的压力的压力传感器和检测流体的温度的温度传感器。而且，设置有用于检测处理容器301内的压力的压力传感器53和用于检测处理容器301内的流体的温度的温度传感器54。
控制部4从图4所示的各种传感器(压力传感器53、温度传感器54等)接收测量信号，向各种功能元件发送控制信号(开闭阀55a～55c的开闭信号、压力调整阀55d的开度信号等)。控制部4是例如计算机，其具备运算部18和存储部19。在存储部19储存用于控制要在基板处理系统1执行的各种处理的程序。运算部18通过读出并执行被存储于存储部19的程序而控制基板处理系统1的动作。程序是记录到能够由计算机读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质加载到控制部4的存储部19的程序。作为能够由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
[超临界干燥处理]
接着，参照图5的(a)～(d)简单地说明使用了超临界状态的处理流体(例如二氧化碳(CO2))的IPA的干燥机理。
在超临界状态的处理流体R刚刚导入到处理容器301内之后，如图5的(a)所示，IPA仅存在于晶圆W的图案P的凹部内。
凹部内的IPA通过与超临界状态的处理流体R接触，从而逐渐溶解于处理流体R，如图5的(b)所示那样逐渐与处理流体R置换。此时，在凹部内除了存在IPA和处理流体R之外，还存在IPA和处理流体R混合的状态的混合流体M。
随着在凹部内从IPA向处理流体R的置换进展，存在于凹部内的IPA减少，最终如图5的(c)所示，在凹部内仅存在超临界状态的处理流体R。
在IPA被从凹部内去除了之后，使处理容器301内的压力降低到大气压，从而如图5的(d)所示，处理流体R从超临界状态变化为气体状态，凹部内仅由气体占据。如此一来图案P的凹部内的IPA被去除，晶圆W的干燥处理完成。
另一方面，在此前进行了说明的基板处理系统1的使用了处理流体R的干燥处理中，有时发生图案倒伏。本申请发明人等针对发生图案倒伏的原因反复进行了深入研究，结果，弄清楚了：在凹部内的IPA被处理流体R置换之前，由于处理流体R的热而凹部内的IPA的温度上升，IPA的一部分蒸发。另外，弄清楚了：在将处理流体R的温度设为难以发生IPA的蒸发的温度而执行了干燥处理的情况下，IPA难以溶解于超临界状态的处理流体R，IPA未被超临界状态的处理流体R充分地置换，易于发生图案倒伏。
本申请发明人等基于这些见解进一步反复进行了深入研究，结果也弄清楚了：通过在使处理容器301内的压力上升的期间中，恰当地调整晶圆W的温度，能够抑制置换前的IPA的温度上升和蒸发，抑制图案倒伏。弄清楚了：例如，到处理容器301内的压力达到预先设定的第1压力为止，将晶圆W的温度设为第1温度，在处理容器301内的压力达到了第1压力之后，将晶圆W的温度设为比第1温度高的第2温度，从而能够抑制图案倒伏。
第1温度能够设为在置换前使IPA难以蒸发的温度、例如80℃～90℃。第2温度能够设为使IPA易于溶解于超临界状态的处理流体R的温度、例如100℃～120℃。第1压力能够设为比处理流体R的临界压力高的压力。在使用CO2作为处理流体R的情况下，CO2的临界压力是约7Mpa，第1压力能够设为例如8Mpa左右。
(第1实施方式)
对具备适于晶圆W的温度的调整的结构的第1实施方式的基板处理装置进行说明。图6是第1实施方式的基板处理装置所包含的超临界处理装置的配管系统图。
如图6所示，设置于第1实施方式的基板处理装置的超临界处理装置300除了具有图4所示的超临界处理装置3的结构之外，还具有作为处理流体的供给源的流体供给罐52。在流体供给罐52连接有第3供给管线66。第3供给管线66在比开闭阀55b靠下游侧的位置与第2供给管线64相连。也就是说，第3供给管线66与流体供给喷嘴341连接。
在流体供给罐52与流体供给喷嘴341之间(也就是说，第3供给管线66)，从上游侧依次设置气化器72、开闭阀55e。气化器72使从流体供给罐52供给来的处理流体气化，并向下游侧供给预定的温度的气体。第3供给管线66在比开闭阀55e靠下游侧的位置与第2供给管线64相连。
在气化器72与开闭阀55e之间设置有管线加热器H6。在第3供给管线66同第2供给管线64相连的部分与开闭阀55e之间设置有管线加热器H5。管线加热器H5和H6的设定温度能够由控制部4独立地控制。
例如，第1路径包括第2供给管线64的一部分和第3供给管线66。气化器72是第1气化器的一个例子。例如，第2路径包括主供给管线50、第1供给管线63以及第2供给管线64。气化器71是第2气化器的一个例子。例如，第1流体供给部包括主供给管线50、第2供给管线64、第3供给管线66以及流体供给喷嘴341。例如，第2流体供给部包括主供给管线50、第1供给管线63以及流体供给集管317。例如，流体排出部包括流体排出集管318和排出管线65。
在第1实施方式中，气化器71使从流体供给罐51供给的处理流体成为第2温度、例如100℃～120℃的气体，气化器72使从流体供给罐52供给的处理流体成为第1温度、例如80℃～90℃的气体。第2温度比第1温度高。
接着，在第1实施方式中，对使用超临界处理装置300执行的干燥方法(基板处理方法)进行说明。此外，基于存储于存储部19的处理制程和控制程序，在控制部4的控制下自动地执行以下说明的干燥方法。图7～图10是表示第1实施方式中的干燥方法(基板处理方法)的概要的图。
＜送入工序＞
对于在清洗装置2实施了清洗处理的晶圆W，在其表面的图案的凹部内被IPA填充且于其表面形成有IPA的液团的状态下被第2输送机构161从清洗装置2送出。第2输送机构161将晶圆W载置于保持板316之上，之后，载置有晶圆W的保持板316进入容器主体311内，盖构件315与容器主体311密封地卡合。通过以上内容，晶圆W的送入完成。
在送入工序后，向处理容器301内供给例如CO2作为处理流体R，而进行使用了CO2的晶圆W的干燥处理。
＜第1升压工序＞
首先，进行第1升压工序。在第1升压工序中，从流体供给罐52向处理容器301内供给作为处理流体R的CO2。具体而言，如图7所示，开闭阀55e设为开状态，开闭阀55a、55b以及55c设为闭状态。由此，自流体供给罐52，第1温度的CO2从位于晶圆W的中央部的正下方的流体供给喷嘴341朝向保持板316的下表面喷出。通过向处理容器301内供给第1温度的CO2，晶圆W的温度变化为第1温度。
从流体供给喷嘴341喷出来的CO2(参照图3的箭头F1)在与覆盖晶圆W的下表面的保持板316碰撞了之后，沿着保持板316的下表面呈放射状扩展(参照图3的箭头F2)，之后，经由保持板316的端缘与容器主体311的侧壁之间的间隙以及保持板316的开口316a向晶圆W的上表面侧的空间流入(参照图3的箭头F3)。由于开闭阀55c处于闭状态，因此，CO2不会从处理容器301流出。因此，处理容器301内的压力逐渐上升。
在第1升压工序中，向处理容器301内流入的CO2的压力比临界压力(例如约7MPa)低。因此，CO2以气体(gas)的状态向处理容器301内流入。之后，随着CO2向处理容器301内的填充的进行，处理容器301内的压力逐渐增加，若处理容器301内的压力超过临界压力，则存在于处理容器301内的CO2成为超临界状态。若处理容器301内的CO2成为超临界状态，则晶圆W上的IPA开始溶于超临界状态的CO2。于是，由CO2和IPA构成的混合流体中的IPA与CO2的混合比逐渐变化。
处理容器301内的压力由压力传感器53检测，继续第1升压工序，直到处理容器301内的压力达到第1压力、例如8Mpa为止。
＜第2升压工序＞
若处理容器301内的压力达到第1压力、例如8Mpa，则第1升压工序结束，而转向第2升压工序。在第2升压工序中，CO2向处理容器301内的供给路径变更。具体而言，如图8所示，开闭阀55b设为开状态，开闭阀55a、55c以及55e设为闭状态。由此，自流体供给罐51，第2温度的CO2从位于晶圆W的中央部的正下方的流体供给喷嘴341朝向保持板316的下表面喷出。也就是说，向处理容器301内供给的CO2的温度迅速地变高。通过向处理容器301内供给第2温度的CO2，晶圆W的温度迅速地变化为第2温度。
IPA与CO2的混合比在晶圆W整个表面未必均匀。为了防止由难以预料的混合流体的气化导致的图案倒伏，在第2升压工序中，使处理容器301内的压力升压到如下的压力，该压力为不管混合流体中的CO2浓度如何，都保证处理容器301内的CO2成为超临界状态的压力，在此是15MPa。在此，“保证成为超临界状态的压力”是指，在表示临界压力相对于临界温度的变化的图表中，比临界压力的最大值高的压力。该压力(15MPa)称为“处理压力”。第1压力比处理压力低。在处理容器301内的压力从第1压力(8MPa)上升到处理压力(15MPa)的期间，经由开闭阀55b从流体供给喷嘴341向处理容器301内持续供给第2温度的CO2。
＜流通工序＞
在第2升压工序之后，进行流通工序。在流通工序中，自流体供给罐51，第2温度的CO2经由开闭阀55a而从流体供给集管317向处理容器301内供给。具体而言，如图9所示，开闭阀55a和55c设为开状态，开闭阀55b和55e设为闭状态。由此，使用流体供给集管317从流体供给罐51向处理容器301内供给第2温度的CO2(参照图3的箭头F4)。流体供给集管317能够以比流体供给喷嘴341的流量大的流量供给CO2。在流通工序中，处理容器301内的压力维持在比临界压力足够高的压力，因此，即使大流量的CO2与晶圆W表面碰撞、或在晶圆W表面附近流动，也不会有干燥的问题。因此，重视处理时间的缩短而使用流体供给集管317。另外，在流通工序的期间，晶圆W的温度被保持在第2温度。
在流通工序中，经由流体供给集管317向处理容器301内供给CO2，并且，CO2经由流体排出集管318从处理容器301排气，因此，在处理容器301内形成与晶圆W的表面大致平行地流动的CO2的层流(参照图3的箭头F6)。
通过进行流通工序，在晶圆W的图案的凹部内从IPA向CO2的置换被促进。随着凹部内从IPA向CO2的置换进行，混合流体的临界压力逐渐降低。
＜排出工序＞
利用流通工序而使在图案的凹部内从IPA向CO2的置换完成，之后进行排出工序。在排出工序中，如图10所示，开闭阀55c设为开状态，开闭阀55a、55b以及55e设为闭状态。若利用排出工序而使处理容器301内的压力比CO2的临界压力低，则超临界状态的CO2气化，从图案的凹部内脱离。由此，对1张晶圆W进行的干燥处理结束。
根据第1实施方式，在第1升压工序和第2升压工序中，从位于晶圆W的下方的流体供给喷嘴341向处理容器301内供给CO2。因此，能够更可靠地防止图案的倒塌。以下说明这点。
若存在于晶圆W的表面上的液体状态的IPA暴露于气体状态的CO2的流动，则IPA蒸发，此时有可能发生图案的倒塌。在第1升压工序和第2升压工序中，若从位于晶圆W的侧方的流体供给集管317向处理容器301内供给气体状态的CO2，则比较高的流速的CO2的流动与IPA的液团直接碰撞，或者在IPA的液团的附近通过，因此，存在IPA的蒸发易于发生的倾向。
相对于此，在本实施方式中，从流体供给喷嘴341喷出来的CO2不是朝向晶圆W的表面或表面附近的空间直接流动，而是在与保持板316的下表面中央部碰撞了之后，沿着保持板316的下表面呈放射状扩展，之后向晶圆W的上表面侧的空间流入。也就是说，在本实施方式中，不存在从处理流体喷出口直接朝向晶圆W的表面或表面附近的空间的CO2的流动。因此，起因于将气体状态的CO2供给到处理容器301内的情况的IPA的蒸发被大幅度地抑制。此外，在气体状态的CO2流入到晶圆W的上表面侧的空间时，CO2的流速比被从流体供给喷嘴341喷出来时的CO2的流速大幅度地变小。由此，IPA的蒸发被进一步抑制。
另外，在第1升压工序中向处理容器301内供给的CO2的温度是IPA难以蒸发的第1温度，因此，晶圆W的温度成为第1温度，也难以发生由CO2的热导致的IPA的蒸发。因而，能够更加抑制伴随着IPA的蒸发而发生的图案倒伏。
而且，在第2升压工序和流通工序中向处理容器301内供给的CO2的温度比第1温度高，是使IPA易于溶解于超临界状态的CO2的第2温度，因此，晶圆W的温度成为第2温度，使IPA易于溶解于超临界状态的CO2。因而，能够抑制伴随着置换不足而发生的图案倒伏。
另外，从气化器72供给第1温度的CO2，从气化器71供给第2温度的CO2，因此，能够使向处理容器301内供给的CO2的温度迅速地变化，而使晶圆W的温度迅速地变化。通过使晶圆W的温度迅速地变化，能够缩短直到温度稳定的待机时间，确保良好的生产率。另外，在晶圆W的温度变化着的期间，IPA也逐渐蒸发，因此，待机时间越长，越多的IPA可能蒸发。根据第1实施方式，通过使温度迅速地变化，能够缩短待机时间，并抑制IPA的蒸发。
在第1实施方式中，在跨第1升压工序和第2升压工序的整个期间，仅从流体供给喷嘴341向处理容器301内供给了CO2，但并不限定于此。例如，在第2升压工序中，也可以从流体供给集管317向处理容器301内供给CO2，另外，也可以从流体供给集管317和流体供给喷嘴341这两者向处理容器301内供给CO2。在这些情况下，也能够防止图案的倒塌。
但是，优选如第1实施方式那样，在跨第1升压工序和第2升压工序的整个期间仅从流体供给喷嘴341向处理容器301内供给CO2。其原因在于，若从流体供给集管317向处理容器301内供给CO2，则所供给的CO2与由IPA或IPA和CO2的混合流体构成的液团直接地碰撞而搅拌液团，因此，存在易于产生微粒的倾向。另外，其原因在于，能够更可靠地防止图案的倒塌。
使用了流体供给集管317的情况与使用流体供给喷嘴341的情况相比较，能够提高升压速度，因此，也可以是，根据所要求的微粒水平，重视生产率而在第2升压工序中使用流体供给集管317向处理容器301内供给CO2。
(第2实施方式)
对具备适于晶圆W的温度的调整的结构的第2实施方式的基板处理装置进行说明。图11的(a)和(b)是表示第2实施方式的基板处理装置所包含的保持板的图。图11的(a)是表示保持板的俯视图，图11的(b)是表示冷却保持板的冷却装置的剖视图。
设置于第2实施方式的基板处理装置的超临界处理装置3是例如图4所示的超临界处理装置3。在第2实施方式中，气化器71使从流体供给罐51供给的处理流体成为第3温度的气体。第3温度既可以与第1温度或第2温度相等，也可以超过第1温度且小于第2温度。
如图11的(a)所示，设置于第2实施方式的基板处理装置的保持板316具有调温元件319。调温元件319用于调整保持板316的温度。调温元件319包括例如加热器和珀尔贴元件。调温元件319是能够将至少保持板316的温度调整为第1温度和第2温度的元件。
如图11的(b)所示，盖构件315和保持板316能够在使晶圆W的输送待机的期间位于容器主体311之外。在第2实施方式中，具有在保持板316于容器主体311之外待机的期间冷却保持板316的冷却装置320。冷却装置320例如是向保持板316吹送干燥空气321的鼓风机。干燥空气321的温度是例如10℃～30℃这样的室温。
供调温元件319设置的位置未被限定，优选的是，为了均匀地调整晶圆W的温度，在距晶圆W的中心等距离的圆周上沿着晶圆W的周向以等间隔设置有多个调温元件319。
接着，对在第2实施方式中使用图4所示的超临界处理装置3而执行的干燥方法(基板处理方法)进行说明。此外，基于存储于存储部19的处理制程和控制程序，在控制部4的控制下自动地执行以下说明的干燥方法。
＜送入工序＞
与第1实施方式同样地，将表面的图案的凹部内被IPA填充且在其表面形成有IPA的液团的晶圆W载置于保持板316之上，之后，载置有晶圆W的保持板316进入容器主体311内，盖构件315与容器主体311密封地卡合。此外，直到晶圆W被载置为止，保持板316配置于容器主体311之外，并利用冷却装置320向保持板316吹送干燥空气321。其结果，在晶圆W被载置时，保持板316的温度成为10℃～30℃这样的室温。
在送入工序之后，向处理容器301内供给例如CO2作为处理流体R，进行使用了CO2的晶圆W的干燥处理。
＜第1升压工序＞
首先，进行第1升压工序。在第1升压工序中，从流体供给罐51向处理容器301内供给作为处理流体R的CO2。即，开闭阀55b设为开状态，开闭阀55a和55c设为闭状态。由此，自流体供给罐51，第3温度的CO2从位于晶圆W的中央部的正下方的流体供给喷嘴341朝向保持板316的下表面喷出。另外，控制部4控制调温元件319的输出，使保持板316的温度被调温元件319调整为第1温度。通过将保持板316的温度调整为第1温度，晶圆W的温度变化为第1温度。晶圆W的温度虽然也受到供给到处理容器301内的CO2的热的影响，但保持晶圆W的保持板316的温度对晶圆W的温度的影响较大。
与第1实施方式同样地，从流体供给喷嘴341喷出CO2，从而处理容器301内的压力逐渐上升。并且，若处理容器301内的压力超过临界压力，则处理容器301内的CO2成为超临界状态，晶圆W上的IPA开始溶于超临界状态的CO2，由CO2和IPA构成的混合流体中的IPA与CO2的混合比逐渐变化。
处理容器301内的压力由压力传感器53检测，继续第1升压工序，直到处理容器301内的压力达到第1压力、例如8Mpa为止。
＜第2升压工序＞
若处理容器301内的压力达到第1压力、例如8Mpa，则第1升压工序结束，而转向第2升压工序。在第2升压工序中，调温元件319的设定温度变更。具体而言，调温元件319的设定温度设为第2温度，控制部4控制调温元件319的输出，使保持板316的温度被调温元件319调整为第2温度。由此，保持板316的温度迅速地变高。由于保持板316的温度变高，晶圆W的温度迅速地变化为第2温度。在第2升压工序中，开闭阀55b保持开状态不变，开闭阀55a和55c保持闭状态不变，自流体供给罐51，第3温度的CO2从流体供给喷嘴341朝向保持板316的下表面持续喷出。
在第2实施方式中也是，使处理容器301内的压力升压到如下的压力，该压力为不管混合流体中的CO2浓度如何，都保证处理容器301内的CO2成为超临界状态的压力，在此是15MPa。在处理容器301内的压力从第1压力(8MPa)上升到处理压力(15MPa)的期间，经由开闭阀55b从流体供给喷嘴341向处理容器301内持续供给第3温度的CO2。
＜流通工序＞
在第2升压工序之后，进行流通工序。在流通工序中，自流体供给罐51，经由开闭阀55a从流体供给集管317向处理容器301内供给第3温度的CO2。具体而言，即，开闭阀55a和55c设为开状态，开闭阀55b设为闭状态。由此，使用流体供给集管317从流体供给罐51向处理容器301内供给第3温度的CO2(参照图3的箭头F4)。在流通工序的期间，调温元件319的设定温度维持在第2温度，晶圆W的温度被保持在第2温度。
＜排出工序＞
利用流通工序而使在图案的凹部内从IPA向CO2的置换完成，之后进行排出工序。在排出工序中，开闭阀55c设为开状态，开闭阀55a和55b设为闭状态。在排出工序中，也可以断开调温元件319。即，也可以停止保持板316的温度的调整。若利用排出工序而使处理容器301内的压力比CO2的临界压力低，则超临界状态的CO2气化，从图案的凹部内脱离。由此，对1张晶圆W进行的干燥处理结束。
在排出工序之后，载置有晶圆W的保持板316移动到容器主体311之外，向第2输送机构161交接晶圆W。之后，冷却装置320向保持板316吹送干燥空气321。其结果，保持板316的温度成为室温左右。
对1张晶圆W进行的干燥处理的期间，加热器H1～H4的设定温度能够设为一定值。加热器H1～H4的设定温度既可以彼此相等，也可以一部分或全部不同。
根据第2实施方式也是，由于在第1升压工序和第2升压工序中，晶圆W的温度被恰当地调整，因此，能够获得与第1实施方式的效果同样的效果。
另外，在使晶圆W待机的期间，保持板316被冷却成室温左右的温度，因此，能够抑制保持板316在第1升压工序的开始时的温度的偏差。因此，在第1升压工序之际，易于将保持板316的温度调整为第1温度。
(第3实施方式)
对具备适于晶圆W的温度的调整的结构的第3实施方式的基板处理装置进行说明。与第2实施方式同样地，设置于第3实施方式的基板处理装置的超临界处理装置3是例如图4所示的超临界处理装置3。在第3实施方式中也是，气化器71能够使从流体供给罐51供给的处理流体成为第3温度的气体。在第3实施方式中，适当变更加热器H1～H4的设定温度。
对在第3实施方式中使用图4所示的超临界处理装置3而执行的干燥方法(基板处理方法)进行说明。此外，基于存储于存储部19的处理制程和控制程序，在控制部4的控制下自动地执行以下说明的干燥方法。
＜送入工序＞
与第1实施方式同样地，将表面的图案的凹部内被IPA填充且在其表面形成有IPA的液团的晶圆W载置于保持板316之上，之后，载置有晶圆W的保持板316进入容器主体311内，盖构件315与容器主体311密封地卡合。
在送入工序之后，向处理容器301内供给例如CO2作为处理流体R，进行使用了CO2的晶圆W的干燥处理。
＜第1升压工序＞
首先，进行第1升压工序。从流体供给罐51向处理容器301内供给作为处理流体R的CO2。即，开闭阀55b设为开状态，开闭阀55a和55c设为闭状态。由此，自流体供给罐51，CO2从位于晶圆W的中央部的正下方的流体供给喷嘴341朝向保持板316的下表面喷出。另外，加热器H1～H4的设定温度的组合设定为第1组合。第1组合是使经由设置有加热器H1、H2以及H3的主供给管线50和第2供给管线64向处理容器301内供给的CO2的温度成为第1温度的、加热器H1～H4的设定温度的组合。控制部4控制加热器H1～H4的输出，而向处理容器301内供给第1温度的CO2。通过向处理容器301内供给第1温度的CO2，晶圆W的温度变化为第1温度。
与第1实施方式同样地，从流体供给喷嘴341喷出CO2，从而处理容器301内的压力逐渐上升。并且，若处理容器301内的压力超过临界压力，则处理容器301内的CO2成为超临界状态，晶圆W上的IPA开始溶于超临界状态的CO2，由CO2和IPA构成的混合流体中的IPA与CO2的混合比逐渐变化。
处理容器301内的压力由压力传感器53检测，继续第1升压工序，直到处理容器301内的压力达到第1压力、例如8Mpa为止。
＜第2升压工序＞
若处理容器301内的压力达到第1压力、例如8Mpa，则第1升压工序结束，而转向第2升压工序。在第2升压工序中，加热器H1～H4的设定温度的组合变更为第2组合。第2组合是使经由设置有加热器H1、H2以及H3的主供给管线50和第2供给管线64向处理容器301内供给的CO2的温度成为第2温度的、加热器H1～H4的设定温度的组合。控制部4控制加热器H1～H4的输出，而向处理容器301内供给第2温度的CO2。通过向处理容器301内供给第2温度的CO2，晶圆W的温度变化为第2温度。在第2升压工序中，开闭阀55b保持开状态不变，开闭阀55a和55c保持闭状态不变，自流体供给罐51，第3温度的CO2从流体供给喷嘴341朝向保持板316的下表面持续喷出。
在第3实施方式中也是，使处理容器301内的压力升压到如下的压力，该压力为不管混合流体中的CO2浓度如何，都保证处理容器301内的CO2成为超临界状态的压力，在此是15MPa。在处理容器301内的CO2的压力从第1压力(8MPa)上升到处理压力(15MPa)的期间，经由开闭阀55b从流体供给喷嘴341向处理容器301内持续供给第2温度的CO2。
＜流通工序＞
在第2升压工序之后，进行流通工序。在流通工序中，自流体供给罐51，经由开闭阀55a从流体供给集管317向处理容器301内供给第3温度的CO2。具体而言，即，开闭阀55a和55c设为开状态，开闭阀55b设为闭状态。另外，加热器H1～H4的设定温度的组合设为第3组合。第3组合是使经由设置有加热器H1和H4的主供给管线50以及第1供给管线63向处理容器301内供给的CO2的温度成为第2温度的加热器H1～H4的设定温度的组合。第3组合也可以与第2组合一致。由此，使用流体供给集管317向处理容器301内供给第2温度的CO2(参照图3的箭头F4)。在流通工序的期间，晶圆W的温度被保持在第2温度。
＜排出工序＞
利用流通工序而使在图案的凹部内从IPA向CO2的置换完成，之后进行排出工序。在排出工序中，开闭阀55c设为开状态，开闭阀55a和55b设为闭状态。在排出工序中，加热器H1～H4的设定温度的组合也可以变更为第1组合。若利用排出工序而使处理容器301内的压力比CO2的临界压力低，则超临界状态的CO2气化，从图案的凹部内脱离。由此，对1张晶圆W进行的干燥处理结束。
根据第3实施方式也是，由于在第1升压工序和第2升压工序中，晶圆W的温度被恰当地调整，因此，与第1实施方式同样地，能够抑制图案倒伏。
此外，在第2实施方式和第3实施方式中，也可以使用图6所示的超临界处理装置300来替代图4所示的超临界处理装置3。例如，也可以是，在第1升压工序中，一边使用气化器72供给第1温度的CO2，一边进行调温元件319的输出的控制，或进行管线加热器H1、H2、H3、H5以及H6的输出的控制。另外，也可以是，组合第2实施方式和第3实施方式而一边进行调温元件319的输出的控制，一边进行管线加热器H1、H2以及H3的输出的控制。
(清洗方法)
在任一实施方式中，均存在在干燥处理中微粒附着于晶圆的情况。本申请发明人等为了抑制微粒向晶圆的附着而反复进行了深入研究。其结果，弄清楚了：在干燥处理与干燥处理之间使用超临界状态的处理流体来进行处理容器301内的清洗的做法是有效的。本申请发明人等为了使清洗效率提高而进一步进行了深入研究。其结果，弄清楚了：在清洗之际，与一边将处理容器301内的压力保持为一定一边使处理流体继续流通相比，反复进行升压和降压的做法的清洗效率优异。
对本申请发明人等所进行的与清洗效率有关的实验进行说明。图12的(a)～(d)是表示与清洗效率有关的实验的内容的示意图。
首先，如图12的(a)所示，将在表面形成有IPA41的液团的晶圆W载置于保持板316上，向容器主体311内对晶圆W进行了输送。接下来，如图12的(b)所示，在容器主体311内利用自然干燥使IPA41发生了气化。气化了的IPA41的一部分附着于容器主体311和排出管线65。接下来，如图12的(c)所示，使用处理流体42进行了容器主体311和排出管线65的清洗。以两种方法进行了该清洗。图13的(a)和(b)是表示清洗时的压力的变化的图。在第1方法中，如图13的(a)所示，一边将处理容器301内的压力保持在一定的处理压力，一边使处理流体42继续流通。在第2方法中，如图13的(b)所示，反复进行了针对处理压力的升压和降压。使用了超临界状态的CO2作为处理流体42。在图13的(b)中图示出反复进行3次升压和3次降压的例子。在清洗后，如图12的(d)所示，实施了在表面形成有IPA41的液团的另一晶圆W的干燥处理。在该干燥处理中，不考虑图案倒伏，将升压工序中的晶圆W的温度设为一定。
并且，在干燥处理后对微粒进行计数，将相对于干燥处理前增加了的微粒的数量小于预先设定的阈值的情况设为评价A，将阈值以上的情况设为评价B。
在第1方法中，将流通时间设为0秒、100秒、400秒、500秒、600秒，在第2方法中，将升压和降压的反复次数设为0、2、3、4、5。每个条件(流通时间、反复数)下连续地进行了5次评价。将第1方法中的每个流通时间下的评价A的次数和评价B的次数表示在表1中，将第2方法中的每个反复次数下的评价A的次数和评价B的次数表示在表2中。
【表1】
Figure BDA0002785551580000211
【表2】
Figure BDA0002785551580000212
在该实验中，在第1方法中，将流通时间设为500秒以上，从而能够在全部的干燥处理中使微粒的增加数量小于阈值。另外，在第2方法中，反复进行3次以上的升压和降压，从而能够在全部的干燥处理中使微粒的增加数量小于阈值。在第1方法中，需要在流通前升压，并需要在流通后降压。并且，在第2方法中反复进行了3次升压和3次降压的情况的总处理时间是将在第1方法中的500秒的流通时间加上升压的时间和降压的时间而得到的总处理时间的57％左右。另外，在用于干燥处理的处理流体(CO2)的第2方法中反复进行了3次升压和3次降压的情况的CO2的总消耗量是将在第1方法中的500秒的流通时间的CO2的消耗量加上升压时和降压时的CO2的消耗量而得到的CO2的总消耗量的33％左右。
如此，根据第2方法，与第1方法相比，能够大幅度地削减为了抑制微粒增加所需的总处理时间和处理流体的总消耗量。即，根据第2方法，能够获得比第1方法优异的清洗效率。
此外，在上述的各实施方式中，流体供给喷嘴341的位置设为例如收纳到处理容器301内的晶圆W的中心部的正下方，但并不限定于此。优选流体供给喷嘴341的位置是保持板316的下方、也就是说在从正上方观察载置有晶圆W的保持板316时无法看见流体供给喷嘴341的位置。换言之，优选从流体供给喷嘴341喷出来的CO2气体与保持板316的下表面或晶圆W的背面(下表面)碰撞。
但是，若流体供给喷嘴341的位置大幅度偏离晶圆W的中心部的正下方，则CO2气体在处理容器301内的流动变得不均匀，CO2气体的流动有可能绕到晶圆W的表面。因此，期望的是，流体供给喷嘴341配置于靠近晶圆W的中心部的正下方的位置。另外，出于防止或抑制CO2气体的流动绕到晶圆W的表面的观点考虑，期望的是，流体供给喷嘴341朝向铅垂方向上方或大致铅垂方向上方喷出CO2。
也可以在第2升压工序与流通工序之间进行保持工序。例如，也可以是，在处理容器301内的压力上升到处理压力(15MPa)之后，不迅速地转向流通工序，而是维持处理容器301内的压力。
另外，在上述的各实施方式中，根据处理容器301内的压力的变化来转变工序，但也可以是，预先取得处理的经过时间与处理容器301内的压力的变化之间的关系，根据经过时间来转变工序。在该情况下，处理容器301内的压力的变化与工序的转变实质上也相关联。
以上，详细说明了优选的实施方式等，但并不被上述的实施方式等所限制，只要不脱离权利要求书所记载的范围，就能够对上述的实施方式等施加各种变形和置换。
例如，干燥处理所使用的处理流体也可以是除了CO2以外的流体(例如氟系的流体)，能够将能以超临界状态去除充满基板的用于防止干燥的液体的任意的流体用作处理流体。另外，用于防止干燥的液体也并不限定于IPA，能够使用可作为用于防止干燥的液体的任意的液体。处理对象的基板并不限定于上述的半导体晶圆W，也可以是LCD用玻璃基板、陶瓷基板等其他基板。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其是使用超临界状态的处理流体而使在表面附着有液体的基板干燥的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有：
处理容器，其收纳所述基板；
基板保持部，其在所述处理容器内以使所述表面朝上的方式将所述基板水平地保持；
流体供给部，其向所述处理容器内供给处理流体；
流体排出部，其从所述处理容器排出处理流体；以及
控制部，其至少控制所述流体供给部和所述流体排出部的动作以及由所述基板保持部保持着的所述基板的温度，
所述控制部通过控制所述流体供给部和所述流体排出部的动作而执行如下工序：
向收纳有在所述表面附着有液体的基板的所述处理容器内供给所述处理流体而使所述处理容器内的压力上升到比所述处理流体的临界压力高的处理压力的工序；以及
在所述处理容器内的压力上升到所述处理压力之后，一边将所述处理容器内的压力维持在使所述处理流体维持超临界状态的压力，一边向所述处理容器供给所述处理流体，并且从所述处理容器排出所述处理流体的工序，
使所述处理容器内的压力上升到所述处理压力的工序包括如下工序：
使所述处理容器内的压力上升到比所述临界压力高、且比所述处理压力低的第1压力的工序；以及
使所述处理容器内的压力从所述第1压力上升到所述处理压力的工序，
所述控制部在使所述处理容器内的压力升压到所述第1压力的工序中将所述基板的温度控制为第1温度，
所述控制部在使所述处理容器内的压力升压到所述处理压力的工序中将所述基板的温度控制为比所述第1温度高的第2温度。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述流体供给部具有：
第1路径，其以第1温度向所述处理容器内供给所述处理流体；以及
第2路径，其以比所述第1温度高的第2温度向所述处理容器内供给所述处理流体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有：
第1气化器，其设置于所述第1路径，使所述处理流体成为所述第1温度的气体；以及
第2气化器，其设置于所述第2路径，使所述处理流体成为所述第2温度的气体。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述流体供给部具有：
第1流体供给部，其从由所述基板保持部保持着的所述基板的下方，向所述处理容器内供给所述处理流体；以及
第2流体供给部，其从由所述基板保持部保持着的所述基板的侧方，向所述处理容器内供给所述处理流体，
所述第1流体供给部包括所述第2路径的一部分和所述第1路径，
所述第2流体供给部包括所述第2路径的另一部分。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有调温元件，该调温元件设置于所述基板保持部，由所述控制部控制。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述流体供给部具有所述处理流体的供给管线和设置于所述供给管线的加热器，
所述控制部利用所述加热器的控制调整向所述处理容器内供给的所述处理流体的温度从而控制所述基板的温度。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述流体供给部具有所述处理流体的供给管线和设置于所述供给管线的加热器，
所述控制部利用所述加热器的控制调整向所述处理容器内供给的所述处理流体的温度从而控制所述基板的温度。
8.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有如下工序：
将在表面附着有液体的基板收纳于处理容器的工序；
向收纳有在所述表面附着有液体的基板的所述处理容器内供给处理流体而使所述处理容器内的压力上升到比所述处理流体的临界压力高的处理压力的工序；以及
在所述处理容器内的压力上升到所述处理压力之后，一边将所述处理容器内的压力维持在使所述处理流体维持超临界状态的压力，一边向所述处理容器供给所述处理流体，并且从所述处理容器排出所述处理流体的工序，
使所述处理容器内的压力上升到所述处理压力的工序包括如下工序：
使所述处理容器内的压力上升到比所述临界压力高、且比所述处理压力低的第1压力的工序；以及
使所述处理容器内的压力从所述第1压力上升到所述处理压力的工序，
使所述处理容器内的压力升压到所述第1压力的工序具有将所述基板的温度控制为第1温度的工序，
使所述处理容器内的压力升压到所述处理压力的工序具有将所述基板的温度控制为比所述第1温度高的第2温度的工序。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
将所述基板的温度控制为所述第1温度的工序具有以所述第1温度向所述处理容器内供给所述处理流体的工序，
将所述基板的温度控制为所述第2温度的工序具有以所述第2温度向所述处理容器内供给所述处理流体的工序。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
以所述第1温度向所述处理容器内供给所述处理流体的工序具有从第1气化器供给所述处理流体的工序，
以所述第2温度向所述处理容器内供给所述处理流体的工序具有从第2气化器供给所述处理流体的工序。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的基板处理方法，其中，
将所述基板的温度控制为所述第1温度的工序具有对设置于基板保持部的调温元件的输出进行控制的工序，该基板保持部在所述处理容器内以使所述表面朝上的方式将所述基板水平地保持，
将所述基板的温度控制为所述第2温度的工序具有控制所述调温元件的输出的工序。
12.根据权利要求8～10中任一项所述的基板处理方法，其中，
将所述基板的温度控制为所述第1温度的工序具有对设置于所述处理流体的供给管线的加热器的输出进行控制的工序，
将所述基板的温度控制为所述第2温度的工序具有控制所述加热器的输出的工序。
13.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，
将所述基板的温度控制为所述第1温度的工序具有对设置于所述处理流体的供给管线的加热器的输出进行控制的工序，
将所述基板的温度控制为所述第2温度的工序具有控制所述加热器的输出的工序。
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