JP5457654B2

JP5457654B2 - 半導体装置の製造方法及び熱処理炉のクリーニング方法

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Publication number: JP5457654B2
Application number: JP2008237536A
Authority: JP
Inventors: 亮太笹島
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2008-09-17
Filing date: 2008-09-17
Publication date: 2014-04-02
Anticipated expiration: 2028-09-17
Also published as: JP2010073772A

Description

本発明は、例えば、半導体ウエハやガラス基板等の熱処理に用いられる熱処理炉を用いて行う半導体装置の製造方法及び熱処理炉のクリーニング方法に関する。

シリコンウエハ等の基板を酸化処理又はアニール処理するために用いられる熱処理装置の処理炉（熱処理炉）内の構成部材として、石英やＳｉＣ（炭化珪素）製の部材が用いられている。例えば、１２００℃以上の高温での処理を可能とするため、反応管、ボート、ガス導入ノズル、断熱板等の部材をＳｉＣ製とする技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、上述のような熱処理装置では、例えば、炉内構成部材の装置への組み付け時の持ち込みや、部材自身の純度が原因で、装置の立ち上げ初期等に、処理炉内が、例えば、鉄元素（Ｆｅ）、ニッケル元素（Ｎｉ）等の金属元素で汚染され、生産開始までに時間を要する場合がある。金属汚染の低減策として、処理炉内にハロゲン系ガスを供給して処理炉内をクリーニングすることで金属汚染を低減させる技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００６−３２３８６号公報特開平９−９７７６７号公報

しかしながら、生産にハロゲン系ガスを用いない場合、熱処理装置がハロゲン系ガスを供給する供給ユニットを具備しない仕様もあり、この場合、ハロゲン系ガスを用いた処理炉内のクリーニングができない。また、熱処理装置がハロゲン系ガスを供給する供給ユニットを具備する仕様となっていても、生産にハロゲン系ガスを用いない場合、処理炉内のクリーニングやＳｉＣ製の部材の汚染を低減するために供給ユニットを用いる以外には、供給ユニットを用いることがなく、設備が無駄になったりすることがあるとの問題点があった。

本発明の目的は、設備を有効に活用しながら、熱処理炉内のクリーニングをすることができ、熱処理炉内における金属汚染を低減させることができる半導体装置の製造方法、及び熱処理炉のクリーニング方法を提供することにある

本発明の一態様によれば、基板を熱処理する熱処理炉に、ハロゲン系ガスを供給するハロゲン系ガス供給ユニット、及びガスの有害成分を取り除く除害ユニットを取り付ける工程と、前記ハロゲン系ガス供給ユニットより前記熱処理炉内にハロゲン系ガスを供給し、前記熱処理炉内のガスを前記除害ユニットを介して排気して、前記熱処理炉内をクリーニングする工程と、前記クリーニング後に、前記熱処理炉より前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを取り外す工程と、前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを取り外した後、前記熱処理炉内で基板を熱処理する工程と、前記熱処理炉より取り外した前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを、前記熱処理炉とは異なる他の熱処理炉に取り付ける工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、基板を熱処理する熱処理炉に、ハロゲン系ガスを供給するハロゲン系ガス供給ユニット、及びガスの有害成分を取り除く除害ユニットを取り付ける工程と、前記ハロゲン系ガス供給ユニットより前記熱処理炉内にハロゲン系ガスを供給し、前記熱処理炉内のガスを前記除害ユニットを介して排気して、前記熱処理炉内をクリーニングする工程と、前記クリーニング後に、前記熱処理炉より前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを取り外す工程と、前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを取り外した後、前記熱処理炉内で基板を熱処理する工程と、前記熱処理炉より取り外した前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを、前記熱処理炉とは異なる他の熱処理炉に取り付ける工程と、を有する熱処理炉のクリーニング方法が提供される。

本発明によれば、設備を有効に活用しながら、熱処理炉内のクリーニングをすることができ、熱処理炉内における金属汚染を低減させることができる半導体装置の製造方法、及び熱処理装置を提供することができる。

次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１には、本発明の第１の実施形態に係る熱処理装置１０と、熱処理装置１０に接続して用いられ、ハロゲン系ガス供給ユニットとして用いられるハロゲン系ガス供給装置２００と、熱処理装置１０に接続して用いられ、除害ユニットとして用いられる除害装置３００とが示されている。

熱処理装置１０は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体１２を有する。この筺体１２の正面側には、ポッドステージ１４が接続されており、このポッドステージ１４にポッド１６が搬送される。ポッド１６には、例えば２５枚の基板（ウエハ）５４（図２参照）が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ１４にセットされる。

筺体１２内の正面側であって、ポッドステージ１４に対向する位置には、ポッド搬送装置１８が配置されている。また、このポッド搬送装置１８の近傍には、ポッド棚２０、ポッドオープナ２２及び基板枚数検知器２４が配置されている。ポッド棚２０はポッドオープナ２２の上方に配置され、基板枚数検知器２４はポッドオープナ２２に隣接して配置される。ポッド搬送装置１８は、ポッドステージ１４とポッド棚２０とポッドオープナ２２との間でポッド１６を搬送する。ポッドオープナ２２は、ポッド１６の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド１６内の基板５４の枚数が基板枚数検知器２４により検知される。

さらに、筺体１２内には、基板移載機２６、ノッチアライナ２８、及び支持具（ボート）３０が配置されている。基板移載機２６は、例えば５枚の基板５４を取り出すことができるアーム（ツイーザ）３２を有し、このアーム３２を動かすことにより、ポッドオープナ２２の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ２８及び支持具３０間で基板５４を搬送する。ノッチアライナ２８は、基板５４に形成されたノッチ又はオリフラを検出して基板５４のノッチ又はオリフラを一定の位置に揃えるものである。

さらに、筺体１２内の背面側上部には、熱処理炉として用いられる反応炉４０が配置されている。この反応炉４０内に、複数枚の基板５４を装填した支持具３０が搬入され熱処理が行われる。

ハロゲン系ガス供給装置２００は、熱処理装置１０が工場設備等に固定するように設置されて用いられるのに対して、工場設備等の中で移動させることができるようになっている。ハロゲン系ガス供給装置２００及び熱処理装置１０の接続と、接続の解除とについては後述する。

除害装置３００は、熱処理装置１０と同様に工場設備等の中で移動させることができるようになっている。除害装置３００及び熱処理装置１０の接続と、接続の解除とについては後述する。

図２には、反応炉４０の一例が示されている。
反応炉４０は、炭化珪素（ＳｉＣ）製の反応管４２を有する。この反応管４２は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしており、開放された下端部はフランジ状に形成されている。この反応管４２の下方には反応管４２を支持するよう石英製のアダプタ４４が配置される。このアダプタ４４は上端部と下端部が開放された円筒形状をしており、開放された上端部と下端部はフランジ状に形成されている。アダプタ４４の上端部フランジの上面に反応管４２の下端部フランジの下面が当接している。この反応管４２とアダプタ４４により反応容器４３が形成されている。また、反応容器４３のうち、アダプタ４４を除いた反応管４２の周囲には、ヒータ４６が配置されている。

反応管４２とアダプタ４４により形成される反応容器４３の下部は、支持具３０を挿入するために開放され、この開放部分（炉口部）は、炉口シールキャップ４８がＯリングを挟んでアダプタ４４の下端部フランジの下面に当接することにより密閉されるようにしてある。炉口シールキャップ４８は、支持具受け部材としての支持具受け５３を介して支持具３０を支持し、支持具３０と共に昇降可能に設けられている。炉口シールキャップ４８と支持具３０との間には、石英製の第１の断熱部材５２と、この第１の断熱部材５２の上部に配置されたＳｉＣ製の第２の断熱部材５０とが設けられている。支持具３０は、ＳｉＣ製であり、多数枚、例えば２５〜１００枚の基板５４を略水平状態で隙間をもって多段に支持し、反応管４２内に装填される。

１２００℃以上の高温での処理を可能とするため、反応管４２はＳｉＣ製としてある。このＳｉＣ製の反応管４２を炉口部まで延ばし、この炉口部をＯリングを介して炉口シールキャップでシールする構造とすると、ＳｉＣ製の反応管を介して伝達された熱によりシール部まで高温となり、シール材料であるＯリングを溶かしてしまうおそれがある。Ｏリングを溶かさないようＳｉＣ製の反応管４２のシール部を冷却すると、ＳｉＣ製の反応管４２が温度差による熱膨張差により破損してしまう。そこで、反応容器４３のうちヒータ４６による加熱領域をＳｉＣ製の反応管４２で構成し、ヒータ４６による加熱領域から外れた部分を石英製のアダプタ４４で構成することで、ＳｉＣ製の反応管４２からの熱の伝達を和らげ、Ｏリングを溶かすことなく、また反応管４２を破損することなく炉口部をシールすることが可能となる。また、ＳｉＣ製の反応管４２と石英製のアダプタ４４とのシールは、双方の面精度を良くすれば、ＳｉＣ製の反応管４２はヒータ４６の加熱領域に配置されているため温度差が発生せず、等方的に熱膨張する。よって、ＳｉＣ製の反応管４２下端部のフランジ部分は平面を保つことができ、アダプタ４４との間に隙間ができないので、ＳｉＣ製の反応管４２を石英製のアダプタ４４に載せるだけでシール性を確保することができる。

アダプタ４４には、アダプタ４４と一体にガス供給口５６とガス排気口５９とが設けられている。ガス供給口５６には、Ｏリング８０を用いて密閉するようにして、ガス供給部として用いられるガス供給管６０が接続されている。また、ガス排気口５９には、Ｏリング８２を用いて密閉するようにして、排気部として用いられる排気管６２がそれぞれ接続されている。

アダプタ４４の内壁は反応管４２の内壁よりも内側にあり（突出しており）、アダプタ４４の側壁部（肉厚部）には、ガス供給口５６と連通し、垂直方向に向かうガス導入経路６４が設けられ、その上部にはノズル取付孔が上方に開口するように設けられている。このノズル取付孔は、反応管４２の内部におけるアダプタ４４の上端部フランジ側の上面に開口しており、ガス供給口５６及びガス導入経路６４と連通している。このノズル取付孔には、ＳｉＣ製のノズル６６が挿入され固定されている。すなわち、反応管４２内部におけるアダプタ４４の反応管４２の内壁よりも内側に突出した部分の上面にノズル６６が接続され、このアダプタ４４の上面によりノズル６６が支持されることとなる。この構成により、ノズル接続部は熱で変形しにくく、また破損しにくい。また、ノズル６６とアダプタ４４の組立て、解体が容易になるというメリットもある。ガス供給管６０からガス供給口５６に導入された処理ガスは、アダプタ４４の側壁部に設けられたガス導入経路６４、ノズル６６を介して反応管４２内に供給される。尚、ノズル６６は、反応管４２の内壁に沿って基板配列領域の上端よりも上方、すなわち支持具３０の上端よりも上方まで延びるように構成される。

このように、熱処理装置１０の反応炉４０内の基板５４が熱処理される領域内では、ＳｉＣ製の部材７２（例えば反応管４２、支持具３０、支持具受け５３、第２の断熱部材５０及びノズル６６等）が用いられている。

ガス供給管６０には、ハロゲン系ガス供給ユニット取付部として用いられる第１開口部９０と、第２開口部９２とが形成されている。
第１開口部９０には、第１開口部９０を閉塞するために用いられる第１閉塞部材９４が、Ｏリング１００を用いて密閉されるように、着脱可能に装着されている。第１閉塞部材９４を装着することで第１開口部９０は閉塞され、第１閉塞部材９４を取り外すことで、第１開口部９０は開放され、外部からガスを供給することができる状態となる。
第２開口部９２には、第２閉塞部材９６が着脱可能に装着されている。第２閉塞部材９６を装着することで第２開口部９２は閉塞され、第２閉塞部材９６を取り外すことで、第２開放部は開放され、外部からガスを供給することができる状態となる。

排気管６２には、除害ユニット取付部として用いられる第３開口部１１４と、第４開口部１１６とが形成されている。
第３開口部１１４には、第３開口部１１４を閉塞するために用いられる第３閉塞部材９８が、Ｏリング１０２を用いて密閉するように、着脱可能に装着されている。第３閉塞部材９８を装着することで第３開口部１１４は閉塞され、第３閉塞部材９８を取り外すことで第３開口部１１４は開放され、外部へガスを排出することができる状態となる。
第４開口部１１６には、後述する設備側排気管５００が、Ｏリング１２２を用いて密閉するように接続されている。また、第４開口部１１６は、設備側排気管５００を取り外し、閉塞部材（不図示）を取り付けることができるようになっている。この閉塞部材を取り付けることで第４開口部１１６は閉塞され、設備側排気管５００に接続することで、第４開口部１１６から工場排気施設へ排気がなされる状態となる。

次に上述したように構成された熱処理装置１０を用いて半導体装置の製造工程の一工程として、基板を処理する方法について説明する。
尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は熱処理装置コントローラ７０により制御される。

まず、ポッドステージ１４に複数枚の基板５４を収容したポッド１６がセットされると、ポッド搬送装置１８によりポッド１６をポッドステージ１４からポッド棚２０へ搬送し、このポッド棚２０にストックする。次に、ポッド搬送装置１８により、このポッド棚２０にストックされたポッド１６をポッドオープナ２２に搬送してセットし、このポッドオープナ２２によりポッド１６の蓋を開き、基板枚数検知器２４によりポッド１６に収容されている基板５４の枚数を検知する。

次に、基板移載機２６により、ポッドオープナ２２の位置にあるポッド１６から基板５４を取り出し、ノッチアライナ２８に移載する。このノッチアライナ２８においては、基板５４を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の基板５４のノッチを同じ位置に整列させる。次に、基板移載機２６により、ノッチアライナ２８から基板５４を取り出し、支持具３０に移載する。

このようにして、１バッチ分の基板５４を支持具３０に移載すると、例えば６００℃程度の温度に設定された反応炉４０（反応容器４３）内に複数枚の基板５４を装填した支持具３０を装入し、炉口シールキャップ４８により反応炉４０内を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、ガス供給管６０からガス供給口５６、アダプタ４４側壁部に設けられたガス導入経路６４、及びノズル６６を介して反応管４２内に処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素（Ｎ_２）、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ_２）、酸素（Ｏ_２）等が含まれる。基板５４を熱処理する際、基板５４は例えば１２００℃程度以上の温度に加熱される。

基板５４の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を６００℃程度の温度に降温した後、熱処理後の基板５４を支持した支持具３０を反応炉４０からアンロードし、支持具３０に支持された全ての基板５４が冷えるまで、支持具３０を所定位置で待機させる。次に、待機させた支持具３０の基板５４が所定温度まで冷却されると、基板移載機２６により、支持具３０から基板５４を取り出し、ポッドオープナ２２にセットされている空のポッド１６に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置１８により、基板５４が収容されたポッド１６をポッド棚２０、又はポッドステージ１４に搬送して一連の処理が完了する。

図３には、ハロゲン系ガス供給装置２００の第１の例が示されている。
ハロゲン系ガス供給装置２００は、熱処理装置１０にハロゲン系ガスを供給するために用いられ、筐体２０２を有する。筐体２０２の底部外側には、移動補助手段として用いられるキャスタ２０４が取り付けられている。キャスタ２０４は、工場設備内でハロゲン系ガス供給装置２００の移動を容易にするために装着されている。

筐体２０２は、ガス貯蔵手段として用いられるガスボンベ２０６を収納し固定することができるようになっている。ガスボンベ２０６には、ＨＣｌ（塩化水素）ガスが充填される。ガスボンベ２０６は、筐体２０２に対して着脱可能であり、例えば充填されたガスがなくなった場合に筐体２０２から取り出すことができ、例えばガスが充填された新たなガスボンベを筐体２０２に収納することができるようになっている。

ガスボンベ２０６は、ＨＣｌガスを排出する排出部２０８と、操作部として用いられるハンドル２１０とを有する。

また、筐体２０２には、一端側がガスボンベ２０６の排出部２０８に接続可能であって、多端側が筐体２０２から突出したハロゲン系ガス供給管２１２が取り付けられている。ハロゲン系ガス供給管２１２の筐体２０２内に位置する部分には、ガスボンベ２０６側から順に、エアバルブ２２０、マスフローコントローラ２２２、エアバルブ２２４が取り付けられている。また、ハロゲン系ガス供給管２１２の筐体２０２から突出した部分には、操作部として用いられるハンドバルブ２２６が設けられている。ハンドバルブ２２６は、操作者によって直接に操作され、開放することによりハロゲン系ガスを供給可能な状態となり、閉止することによりハロゲン系ガスの供給がなされない状態となる。また、ハロゲン系ガス供給管２１２の端部には、接続部として用いられる継手２２８が設けられている。ハロゲン系ガス供給管２１２は、継手２２８を介して熱処理装置１０のガス供給管６０の第１開口部９０に接続することができるように構成されている。

また、筐体２０２内には、供給装置コントローラ２４０が装着されている。
供給装置コントローラ２４０には、熱処理装置コントローラ７０からの入力がなされ、供給装置コントローラ２４０からの出力で、エアバルブ２２０、マスフローコントローラ２２２、及びエアバルブ２２４が制御される。より具体的には、供給装置コントローラ２４０は、エアバルブ２２０、マスフローコントローラ２２２、及びエアバルブ２２４を制御することで、ハロゲン系ガス供給装置２００からのハロゲン系ガスの供給を開始させ、停止させ、ハロゲン系ガスを供給する場合の供給するハロゲン系ガスの流量を調整する。

図４には、ハロゲン系ガス供給装置２００の第２の例が示されている。
先述の第１の例のハロゲン系ガス供給装置は、常温で気体であるＨＣｌガスを供給するように構成されていたのに対して、この第２のハロゲン系ガス供給装置２００は、液体ソース、すなわち常温で液体であるＤＣＥ（ジクロロエチレン（Ｃ_２Ｈ_２Ｃｌ_２））をバブリングにより気化させて、気化させたガスを供給するように構成されている。

この第２の例のハロゲン系ガス供給装置２００の筐体２０２は、液体ソース貯蔵手段として用いられるタンク２５０を収納し、固定することができるようになっている。タンク２５０は筐体２０２に対して着脱可能である。筐体２０２の底部外側には、先述の第１の例と同様に、キャスタ２０４が取り付けられている。キャスタ２０４は、工場設備内でハロゲン系ガス供給装置２００の移動を容易にするために装着されている。

また、筐体２０２には、ガス導入管２５２とハロゲン系ガス供給管２５４とが取り付けられている。
ガス導入管２５２の筐体２０２の内側に配置される側の端部は、タンク２５０内に挿入されておりタンク２５０が貯蔵するＤＣＥの液面よりも下方に位置するように構成されている。ガス導入管２５２の筐体２０２の外側に配置される側の端部には、接続部として用いられる継手２５６が設けられている。ガス導入管２５２は、継手２５６を介して、後述する、工場設備側に設けられたガス供給装置４００（図６参照）に接続することができるようになっていて、ガス供給装置４００から、バブリング用のＮ_２（窒素）ガス、Ａｒ（アルゴン）ガス、Ｈｅ（ヘリウム）ガス等の不活性ガスの供給がなされる。

また、ガス導入管２５２には、エアバルブ２５８と、操作部として用いられるハンドバルブ２６０とが取り付けられている。ハンドバルブ２６０は、操作者によって直接に操作され、ハンドバルブ２６０の開閉操作によって、タンク２５０内への不活性ガスの供給を開始したり、停止したりすることができるようになっている。

ハロゲン系ガス供給管２５４の筐体２０２の内側に配置される側の端部は、タンク２５０内に挿入されており、タンク２５０が貯蔵するＤＣＥの液面に到達しないようになっている。また、ハロゲン系ガス供給管２５４の筐体２０２の外側に配置される側の端部には、継手２６２が設けられている。ハロゲン系ガス供給管２５４は、継手２５６を介して、熱処理装置１０のガス供給管６０の第１開口部９０に接続することができるように構成されており、タンク２５０内から反応炉４０内にバブリングにより気化したハロゲン系ガスを供給することができるようになっている。また、ハロゲン系ガス供給管２５４には、タンク２５０側から順に、エアバルブ２６４と、操作部として用いられるハンドバルブ２６６が設けられている。

また、ガス導入管２５２とハロゲン系ガス供給管２５４との間には、ガス導入管２５２とハロゲン系ガス供給管２５４とを連通させる連通部として用いられるバイパス管２７０が設けられている。バイパス管２７０には、エアバルブ２７２が設けられている。

また、筐体２０２内には、供給装置コントローラ２４０が装着されている。
供給装置コントローラ２４０には、熱処理装置コントローラ７０から入力がなされ、供給装置コントローラ２４０からの出力で、エアバルブ２５８、エアバルブ２６４、エアバルブ２７２が制御される。より具体的には、供給装置コントローラ２４０は、エアバルブ２５８、エアバルブ２６４、エアバルブ２７２を制御することで、ハロゲン系ガス供給装置２００のタンク２５０内に不活性ガスを供給するのか、タンク２５０内に不活性ガスを供給することなくバイパスさせ、ハロゲン系ガス供給管２５４を介して反応炉４０内に供給するのか、反応炉４０内へハロゲン系ガスを供給するのか、反応炉４０内へのハロゲン系ガスの供給を停止するのかの操作をさせる。

図５には、除害装置３００の一例が示されている。
除害装置３００は、熱処理装置１０から排出されたガスを後述する設備側排気管５００（図６参照）に排出する前に除害して、無害化するために用いられる。除害装置３００は、筐体３０２を有し、筐体３０２の底部外側には、移動補助手段として用いられるキャスタ３０４が取り付けられている。キャスタ３０４は、工場設備内での除害装置３００の移動を容易にするために装着されている。

筐体３０２には、着脱可能であって、例えば寿命時に交換することができるように除害カートリッジ３０６が設けられている。除害カートリッジ３０６は、導入されたガスに含まれる有害物質を、例えば吸着物質で吸着することによって除害して排出する。

また、筐体３０２には、ガス導入管３１０とガス排出管３１２とが取り付けられている。
ガス導入管３１０の筐体３０２の内側に配置される側の端部は、除害カートリッジ３０６に接続されている。ガス導入管３１０の筐体３０２の外側に配置される側の端部には継手３２０が設けられている。ガス導入管３１０は、継手３２０を介して熱処理装置１０の排気管６２の第３開口部１１４又はガス排気口５９に接続することができるように構成されており、反応炉４０内から排気された除害がなされるガスが導入されるようになっている。すなわち、熱処理装置１０（図２参照）の排気管６２またはガス排気口５９から排出されるガスが導入されるようになっている。

また、ガス導入管３１０には、エアバルブ３３０と、操作部として用いられるハンドバルブ３３２とが取り付けられている。ハンドバルブ３３２は、操作者によって直接に操作され、ハンドバルブ３３２を操作することによって、除害カートリッジ３０６内への排気ガスの供給を開始したり、停止したりすることができるようになっている。

ガス排出管３１２の筐体３０２の内側に配置される側の端部は、除害カートリッジ３０６に接続されている。また、ガス排出管３１２の筐体３０２の外側に配置される側の端部には継手３２２が設けられている。ガス排出管３１２は継手３２２を介して設備側排気管５００に接続することができるように構成されており、除害カートリッジ３０６にて除害がなされたガスを設備側排気管５００に排出できるようになっている。また、ガス排出管３１２には、除害カートリッジ３０６側から順に、エアバルブ３３４と、操作部として用いられるハンドバルブ３３６が設けられている。

また、ガス導入管３１０とガス排出管３１２との間には、ガス導入管３１０とガス排出管３１２とを連通させる連通部として用いられるバイパス管３４０が設けられている。バイパス管３４０には、エアバルブ３４２が設けられている。

また、筐体３０２内には、除害装置コントローラ３６０が装着されている。
除害装置コントローラ３６０には、熱処理装置コントローラ７０からの入力がなされ、除害装置コントローラ３６０からの出力で、エアバルブ３３０、エアバルブ３３４、エアバルブ３４２が制御される。より具体的には、除害装置コントローラ３６０は、エアバルブ３３０、エアバルブ３３４、エアバルブ３４２を制御することで、除害装置３００に供給された排気ガスを除害して設備側排気管５００に排出するのか、除害することなく、除害カートリッジをバイパスさせて設備側排気管５００に排出するのかの操作をさせる。

図６には、熱処理装置１０、ハロゲン系ガス供給装置２００、及び除害装置３００が、工場施設内に配置され、互いに接続された状態が模式的に示されている。
図６に示す例では、２つの熱処理装置１０、１０が工場施設内に固定されるように配置されている。そして、２つの熱処理装置１０のうちの一方に、ハロゲン系ガス供給装置２００と、除害装置３００とがそれぞれ接続されている。ハロゲン系ガス供給装置２００としては、先に第２の例として説明したＤＣＥを気化させて供給するタイプが用いられている。

熱処理装置１０には、ガス供給装置４００が設けられている。ガス供給装置は、Ａｒ（アルゴン）ガスの供給に用いられるＡｒガス供給部４０２、Ｏ_２（酸素）ガスの供給に用いられるＯ_２ガス供給部４０４、及びＮ_２ガスの供給に用いられるＮ_２ガス供給部４０６を有する。

Ａｒガス供給部４０２は、Ａｒガス供給源に接続されていて、上流側から順にバルブ４０８、及びマスフローコントローラ４１０が設けられたＡｒガス供給管４１２を有する。Ｏ_２ガス供給部４０４は、Ｏ_２ガス供給源に接続されていて、上流側から順にバルブ４１４、及びマスフローコントローラ４１６が設けられたＯ_２ガス供給管４１８を有する。また、Ｎ_２ガス供給部４０６は、Ｎ_２ガス供給源に接続されていて、上流側から順にバルブ４２０、マスフローコントローラ４２２が設けられたＮ_２ガス供給管４２４を有する。
また、Ｎ_２ガス供給管４２４のバルブ４２０よりも上流側には、第２供給管４３２が接続されている。第２供給管４３２には、バルブ４３４およびマスフローコントローラ４３６が設けられている。また、Ａｒガス供給管４１２、Ｏ_２ガス供給管４１８、及びＮ_２ガス供給管４２４の下流側の端部は、それぞれ第１供給管４３０に接続されている。主に、ガス供給装置４００、第１供給管４３０により基板５４の熱処理に用いるガスを供給するガス供給系が構成される。

また、工場設備内には、設備側排気管５００が設けられている。設備側排気管５００には、設備側除害装置５０２が取り付けられていて、設備側除害装置５０２で除害を行った後に、ガスを工場設備外へ排気するように構成されている。

ガス供給装置４００は、熱処理装置１０が有する熱処理装置コントローラ７０により制御される。より具体的には、熱処理装置コントローラ７０には、バルブ４０８、マスフローコントローラ４１０、バルブ４１４、マスフローコントローラ４１６、バルブ４２０、マスフローコントローラ４２２、バルブ４３４、及びマスフローコントローラ４３６が接続されていて、これらの部材を制御することで、熱処理装置コントローラ７０は、第１供給管４３０から、Ａｒガス、Ｏ_２ガス、Ｎ_２ガスの内の少なくとも一種類のガスを供給したり、第２供給管４３２からＮ_２ガスを供給したりする。

また、熱処理装置１０が有する熱処理装置コントローラ７０は、ハロゲン系ガス供給装置２００が有する供給装置コントローラ２４０、及び除害装置３００が有する除害装置コントローラ３６０に接続され、熱処理装置１０、ハロゲン系ガス供給装置２００、及び除害装置３００を制御する。

そして、第１供給管４３０は、熱処理装置１０が有するガス供給管６０の第２開口部９２（図２参照）に継手４３１を介して接続される。第２供給管４３２は、ハロゲン系ガス供給装置２００が有するガス導入管２５２に継手２５６を介して接続される。ハロゲン系ガス供給装置２００が有するハロゲン系ガス供給管２５４は、熱処理装置１０が有するガス供給管６０の第１の開口部９０に継手２６２を介して接続される。

熱処理装置１０と除害装置３００との接続については、熱処理装置１０の排気管６２に形成された第３開口部１１４に、継手３２０を介して、除害装置３００が有するガス導入管３１０が接続される。なお、除害装置３００のガス導入管３１０は、熱処理装置１０のガス排気口５９に直接に接続するようにしてもよい。また、除害装置３００のガス排出管３１２は、設備側排気管５００に継手３２２を介して接続される。また、ハロゲン系ガス供給管２５４とガス導入管３１０とは、ベント管５１０により接続され、ベント管５１０には、バルブ５１２が設けられている。

図６に示される配置において、ハロゲン系ガス供給装置２００と除害装置３００とは、それぞれ工場設備内で移動させることができ、例えば、２点鎖線で示す位置に移動させて、２つの熱処理装置のうちの他方に接続しなおすことができる。このため、複数の熱処理装置１０の数と同数のハロゲン系ガス供給装置２００及び除害装置３００を準備する必要はなく、ハロゲン系ガス供給装置２００及び除害装置３００の数は、熱処理装置１０よりも少なくて良い。図６においては、熱処理装置１０を２つ配置する例について示しているが、熱処理装置１０は、３個以上あっても良い。また、図６においては、図示の便宜上、ガス供給装置４００や第１供給管４３０は、２つの熱処理装置１０、１０のうちの図中左側に位置する熱処理装置１０だけに接続される様子だけが示されているが、ガス供給装置４００や第１供給管４３０は、複数ある熱処理装置１０の全てに接続されている。

また、図６に示される配置では、熱処理装置１０の排気管６２に除害装置３００が接続され、除害装置３００で除害がなされたガスが、設備側排気管５００と、設備側除害装置５０２とを介して排気されるようになっているが、これに替えて、除害装置３００を熱処理装置１０に接続することなく、排気管６２から直接に設備側排気管５００へガスを排気するようにしても良い。除害装置３００を設けなくても、熱処理装置１０から排気されるガスは、設備側除害装置５０２によって除害された後に、設備外へと排気される。

もっとも、工場設備内に設備側除害装置５０２が設けられていない場合には、図６に示すように熱処理装置１０に除害装置３００を接続して、除害装置３００でガスを除害することを要する。

図７、図８には、熱処理装置１０を工場設備内に設置し、実際の生産を始めるまでの手順（工程）の一例が説明されている。
図７に示されるように、一般には、まず、最初の工程Ｓ１００としてヒータ４６の空焼きがなされる。そして、次の工程Ｓ２００として、反応炉４０内の温度測定とチューニングとがなされる。そして、次の工程Ｓ３００として、反応炉４０内へガス出しと、反応炉４０内のリークチェックとがなされる。そして、次の工程Ｓ４００で反応炉４０内が、例えばハロゲン系ガスを用いてクリーニングされる。

そして、次の工程Ｓ５００では、反応炉４０内に金属汚染が生じていないことをチェックする金属汚染チェックがなされ、次の工程Ｓ６００では、パーティクルチェックがなされる。そして、次の工程Ｓ７００で、基板に対して成膜がなされ、形成された膜の膜厚均一性チェックがなされ、これをクリアすると、工程Ｓ８００の、実際に半導体装置等を製造する段階である生産に移る。すなわち、半導体装置の製造工程の一工程として熱処理装置１０を用いて行う基板５４の熱処理を開始する。

ハロゲン系ガス供給装置２００と除害装置３００とは、工程Ｓ４００におけるクリーニング工程において、図６に示されるように工場内設備に配置され、熱処理装置１０に取り付けられる。そして、工程Ｓ８００の生産時までには、熱処理装置１０から取り外される。

工程Ｓ４００のクリーニング工程についてより具体的に説明すると、図８に示されるように、クリーニングのための準備として、工程Ｓ４１０で、熱処理装置１０から第１の閉塞部材９４を取り外して第１開口部９０を開放した状態とし、第２閉塞部材９６を取り外して開口部９２を開放した状態とし、第３閉塞部材９８を取り外して第３開口部１１４を開放した状態とする。

そして、次の工程Ｓ４１２で、クリーニングのための準備として、ハロゲン系ガス供給装置２００と、除害装置３００とを熱処理装置１０に取り付ける。すなわち、開放された第１開口部９０とハロゲン系ガス供給管２５４とを接続し、開放された第２開口部９２と第１供給管４３０とを接続し、開放された第３開口部１１４とガス導入管３１０とを接続する。また、ガス導入管２５２と第２供給管４３２とを接続する。

そして、次の工程Ｓ４１４では、反応炉４０内にハロゲン系ガスの導入がなされ、反応管４０内のクリーニングがなされる。すなわち、ハロゲン系ガス供給装置２００からのハロゲン系ガスが、第１の開口部９０を通過するようにして反応炉４０内に導入され、反応炉４０のクリーニングに用いられたハロゲン系ガスが第３の開口部１１４を通過するようにし除害装置３００へと至り、除害装置３００で除害がなされた後、設備側排気管５００へと排気される。このとき同時に、反応管４０内にＯ_２ガスやＮ_２ガス等を流す場合もある。Ｏ_２ガスを流す場合は、ガス供給装置４００のＯ_２ガス供給部４０４よりＯ_２ガスが供給される。また、Ｎ_２ガスを流す場合は、ガス供給装置４００のＮ_２ガス供給部４０６よりＮ_２ガスが供給される。

そして、次の工程Ｓ５００で、反応炉４０内の金属汚染レベルのチェックがなされ、金属汚染のレベルが、製造される半導体装置の性能を劣化させることがない水準まで下がったことの確認がなされるまで、Ｓ４１４のクリーニングが繰り返される。

そして、次の工程Ｓ４２０で、クリーニング処理の後処理として、反応炉４０内等のパージがなされる。すなわち、第２開口部９２を通過するように、ガス供給装置４００から反応炉４０に向けて、例えばＮ_２ガスの供給がなされ、反応炉４０内のパージがなされる。このとき、同時にハロゲン系ガス供給装置２００内にもＮ_２ガスの供給がなされ、また、除害装置３００を経由して、反応炉４０内の排気がなされることで、ハロゲン系ガス供給装置２００内、除害装置３００内のパージもなされる。

そして、次の工程Ｓ４２２で、クリーニングの後処理として、熱処理装置１０からハロゲン系ガス供給装置２００と除害装置３００とが取り外される。すなわち、第１開口部９０とハロゲン系ガス供給管２５４との接続が解除され、第３開口部１１４とガス導入管３１との接続が解除される。なお、第１供給管４３０は、基板５４の熱処理に用いるガスを供給するガス供給系を構成する供給ラインとなることから、第２開口部９２と第１供給管４３０との接続は解除せず、そのままの状態とする。

そして、次の工程Ｓ４２４では、クリーニングの後処理として、熱処理装置１０対して、第１の閉塞部材９４を取り付けて第１開口部９０を閉塞した状態とし、第３閉塞部材９８を取り付けて第３開口部１１４を閉塞した状態とする。なお、工程Ｓ８００の生産は、この状態で行われることになる。

第１の実施形態では、装置立ち上げ初期に本発明を適用する場合について説明したが、装置立ち上げ初期の他、ボートや反応管等の反応炉内部品の交換後や、その他、何らかの要因で反応炉内に汚染が発生したときにも本発明を適用することができる。
また、第１の実施形態では、供給装置コントローラ２４０と熱処理装置コントローラ７０とを電気的に接続し、熱処理装置コントローラ７０でハロゲン系ガス供給装置２００を制御する例について説明したが、ハロゲン系ガス供給装置２００は手動で操作しても良い。

次に本発明の第２の実施形態について説明する。
先述の第１の実施形態では、反応炉４０内をクリーニングする際に、熱処理装置１０に対して、ハロゲン系ガス供給装置２００と、除害装置３００とを取り付け、基板５４に対し熱処理を行う際には、熱処理装置１０からハロゲン系ガス供給装置２００と除害装置３００とを取り外す例について説明した。これに対して、この第２の実施形態では、ＳｉＣ部材の表面処理を行う際に、熱処理装置１０に対して、水蒸気供給ユニット（不図示）と、ドレインユニット（不図示）とを取り付け、基板５４に対し熱処理を行う際には、熱処理装置１０から水蒸気供給ユニットとドレインユニットとを取り外す例について説明する。

本発明の第２の実施形態では、基板５４の処理を開始する前に、ＳｉＣからなる部材７２の表面を酸化して酸化膜を形成し、その酸化膜をエッチングすることにより除去し、部材７２の表面から１〜２μmの金属元素による汚染（金属汚染層）を除去する処理がなされる。すなわち、本発明の第２の実施形態では、ＳｉＣ製の部材表面を酸化して酸化膜を形成する第１工程と、その酸化膜をウエットエッチング等によりエッチングする第２工程とを有している。

そして、第１工程における酸化膜を形成する際に、熱処理装置１０に対して、水蒸気供給ユニットとドレインユニットとが装着される。その後、水蒸気供給ユニットとドレインユニットとは、熱処理装置１０から取り外される。ここで、水蒸気供給ユニットは、例えば、外部燃焼装置や気化器等の水分供給装置を備え、複数の熱処理装置１０に対して、熱処理装置１０と同数準備するとコストアップの原因となるものの、水蒸気供給ユニットを熱処理装置１０に対して着脱可能としておけば、必ずしも熱処理装置と同数の水蒸気発生ユニットを準備する必要がなくなり、コストダウンが可能となる。

以下、図９を用いて、本発明の第２の実施形態に係る熱処理装置１０を用いて、基板の熱処理を行うまでの工程について説明する。

図９には、熱処理装置１０を工場設備内に設置し、実際の生産を始めるまでの手順（工程）の例が説明されている。
図９に示されるように、まず、最初の工程Ｓ１００２で、ＳｉＣからなる部材７２が反応炉４０内に取り付けられる。

次の工程Ｓ１００４では、第１閉塞部材９４、第２閉塞部材９６、第３閉塞部材９８が取り外される。

次の工程Ｓ１００６では、第１閉塞部材９４、第３閉塞部材９８を取り外すことにより形成された第１開口部９０、第３開口部１１４に、水蒸気供給ユニットとドレインユニットとが、それぞれ取り付けられる。また、第２閉塞部材９６を取り外すことにより形成された第２開口部９２に第１供給管４３０が接続される。

次の工程Ｓ１００８では、水蒸気供給ユニットから反応炉４０内に水蒸気が供給されて、部材７２表面の酸化がなされ、部材７２の表面に酸化膜が形成される。反応炉４０内に供給された水蒸気は、ドレインユニットを介して排気される。そして、工程Ｓ１０１０で、部材７２の表面に形成された酸化膜の膜厚が所定の膜厚に到達したかの判断がなされ、所定の膜厚の達成するまで、部材７２の酸化が行われる。

次の工程Ｓ１０１２では、熱処理装置１０、水蒸気供給ユニット、ドレインユニット内のパージがなされる。

次の工程Ｓ１０１４では、熱処理装置１０から、水蒸気ユニットとドレインユニットとが取り外される。

次の工程Ｓ１０１６では、第１閉塞部材９４、第３閉塞部材９８が熱処理装置１０に取り付けられ、第１開口部９０、第３開口部１１４が閉塞される。

次の工程Ｓ１０１８では、酸化膜が形成された部材７２が反応炉４０から取り外される。

次の工程Ｓ１０２０では、取り外された部材７２のウエットエッチングがなされる。ウエットエッチングがなされることで、部材７２から酸化膜が除去され、金属汚染層の除去がなされる。

次の工程Ｓ１０２２では、酸化膜除去されたＳｉＣからなる部材７２が、再び反応炉４０に取り付けられる。その後、熱処理装置１０により基板５４の熱処理が行われることになる。

以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

（１）
基板を熱処理する熱処理炉にハロゲン系ガスを供給するハロゲン系ガス供給ユニットを取り付ける工程と、
前記ハロゲン系ガス供給ユニットより前記熱処理炉内にハロゲン系ガスを供給して前記熱処理炉内をクリーニングする工程と、
前記クリーニング後に前記熱処理炉より前記ハロゲン系ガス供給ユニットを取り外す工程と、
前記ハロゲン系ガス供給ユニットを取り外した後、前記熱処理炉内で基板を熱処理する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（２）
基板を熱処理する熱処理炉に、ハロゲン系ガスを供給するハロゲン系ガス供給ユニット、及びガスの有害成分を取り除く除害ユニットを取り付ける工程と、
前記ハロゲン系ガス供給ユニットより前記熱処理炉内にハロゲン系ガスを供給し、前記熱処理炉内のガスを前記除害ユニットを介して排気して、前記熱処理炉内をクリーニングする工程と、
前記クリーニング後に、前記熱処理炉より前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを取り外す工程と、
前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを取り外した後、前記熱処理炉内で基板を熱処理する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（３）
基板を熱処理する熱処理炉と、
前記熱処理炉内にガスを供給するガス供給部と、
前記熱処理炉内を排気する排気部と、
前記熱処理炉内をクリーニングする際には前記熱処理炉内にハロゲン系ガスを供給するハロゲン系ガス供給ユニットが取り付けられ、基板を熱処理する際には前記ハロゲン系ガス供給ユニットが取り外されて閉塞されるハロゲン系ガス供給ユニット取付部と、
を有することを特徴とする熱処理装置。

（４）
基板を熱処理する熱処理炉と、
前記熱処理炉内にガスを供給するガス供給部と、
前記熱処理炉内を排気する排気部と、
前記熱処理炉内をクリーニングする際には前記熱処理炉内にハロゲン系ガスを供給するハロゲン系ガス供給ユニットが取り付けられ、基板を熱処理する際には前記ハロゲン系ガス供給ユニットが取り外されて閉塞されるハロゲン系ガス供給ユニット取付部と、
前記熱処理炉内をクリーニングする際には排気ガスの有害成分を取り除く除害ユニットが取り付けられ、基板を熱処理する際には前記除害ユニットが取り外されて閉塞される除害ユニット取付部と、
を有することを特徴とする熱処理装置。

（５）
前記ハロゲン系ガス供給ユニットは、前記熱処理炉内に熱処理用のガスを供給するガス供給部に取り付けられることを特徴とする（１）記載の半導体装置の製造方法。

（６）
前記ハロゲン系ガス供給ユニットは、前記熱処理炉内に熱処理用のガスを供給するガス供給部に取り付けられ、前記除害ユニットは、前記熱処理炉内を排気する排気部に取り付けられることを特徴とする（２）記載の半導体装置の製造方法。

（７）
前記ハロゲン系ガス供給ユニット取付部は、前記ガス供給部に設けられることを特徴とする（３）記載の熱処理装置。

（８）
前記ハロゲン系ガス供給ユニット取付部は、前記ガス供給部に設けられ、前記除害ユニット取付部は、前記排気部に設けられることを特徴とする（４）記載の熱処理装置。

（９）
前記ハロゲン系ガス供給ユニットは、ハロゲン系ガスを収容するガスボンベを具備する（５）〜（８）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法／熱処理装置。

（１０）
前記ハロゲン系ガス供給ユニットは、常温で液体であるハロゲン液体ソースを収容するタンクと、前記ハロゲン液体ソースを気化してハロゲン系ガスを得る気化部と、を具備する（５）〜（８）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法／熱処理装置。

（１１）
前記ハロゲン系ガス供給ユニットは、前記ガス供給部から不活性ガスの供給を受け、ハロゲン系ガスと不活性ガスとをミックスした状態で前記熱処理炉内に供給する（５）〜（８）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法／熱処理装置。

（１２）
前記ハロゲン系ガス供給ユニットからハロゲン系ガスとして塩化水素ガスを流す（５）〜（８）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法／熱処理装置。

（１３）
前記ハロゲン系ガス供給ユニットからハロゲン系ガスとして塩化水素ガスを流し、前記ガス供給部から不活性ガスを流す（５）〜（８）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法／熱処理装置。

（１４）
前記ハロゲン系ガス供給ユニットからハロゲン系ガスとしてジクロロエチレンガスを流し、前記ガス供給部から酸素ガスを流す（５）〜（８）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法／熱処理装置。

（１５）
記ハロゲン系ガス供給ユニットからハロゲン系ガスとしてジクロロエチレンガスを流し、前記ガス供給部から酸素ガスと不活性ガスを流す（５）〜（８）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法／熱処理装置。

（１６）
前記ハロゲン系ガス供給ユニットを取り外した後、前記熱処理炉内で基板を熱処理する前に、前記ハロゲン系ガス供給ユニットの取付部を閉塞部材で閉塞することを特徴とする（１）記載の半導体装置の製造方法。

（１７）
前記ハロゲン系ガス供給ユニットと前記除害ユニットとを取り外した後、前記熱処理炉内で基板を熱処理する前に、前記名ユニットの取付部を閉塞部材で閉塞することを特徴とする（２）記載の半導体装置の製造方法。

（１８）
前記ハロゲン系ガス供給ユニット取付部には、前記ハロゲン系ガス供給ユニットを取り外した後に、その取付部を閉塞する閉塞部材が設けられる（３）記載の熱処理装置。

（１９）
前記ハロゲン系ガス供給ユニット取付部には、前記ハロゲン系ガス供給ユニットを取り外した後に、その取付部を閉塞する閉塞部材が設けられ、前記除害ユニット取付部には、前記除害ユニットを取り外した後に、その取付部を閉塞する閉塞部材が設けられることを特徴とする（４）記載の熱処理装置。

以上のように、本発明は、例えば、半導体ウエハやガラス基板等を用いた半導体製造装置の製造方法、及び熱処理装置に適用することができる。

本発明の第１の実施形態に係る熱処理装置全体を示す斜視図である。本発明の第１の実施形態に係る熱処理装置に用いられる反応炉を示す断面図である。本発明の第１の実施形態に用いられるハロゲン系ガス供給装置の一例を示す断面図である。本発明の第１の実施形態に用いられるハロゲン系ガス供給装置の他の例を示す断面図である。本発明の第１の実施形態に用いられる除害装置の一例を示す断面図である。本発明の第１の実施形態において熱処理装置、ハロゲン系ガス供給装置、及び除害装置が工場設備内に配置され、互いに接続される状態を説明する説明図である。本発明の第１の実施形態において、熱処理装置を用いて基板の熱処理を開始するまでの手順を説明する説明図である。本発明の第１の実施形態において、熱処理装置を用いて基板の熱処理を開始するまでの手順を説明する第１の説明図である。本発明の第２の実施形態において、熱処理装置を用いて基板の熱処理を開始するまでの手順を説明する説明図である。

１０熱処理装置
４０反応炉
５４基板
５６ガス供給口
５９ガス排気口
６０ガス供給管
６２排気管
７０熱処理装置コントローラ
７２部材
９０第1開口部
９２第２開口部
９４第１閉塞部材
９６第２閉塞部材
９８第３密閉部材
１１４第３開口部
２００ハロゲン系ガス供給装置
３００除害装置
４００ガス供給装置
５００設備側排気管
５０２設備側除害装置

Claims

基板を熱処理する熱処理炉に、ハロゲン系ガスを供給するハロゲン系ガス供給ユニット、及びガスの有害成分を取り除く除害ユニットを取り付ける工程と、
前記ハロゲン系ガス供給ユニットより前記熱処理炉内にハロゲン系ガスを供給し、前記熱処理炉内のガスを前記除害ユニットを介して排気して、前記熱処理炉内をクリーニングする工程と、
前記クリーニング後に、前記熱処理炉より前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを取り外す工程と、
前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを取り外した後、前記熱処理炉内で基板を熱処理する工程と、
前記熱処理炉より取り外した前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを、前記熱処理炉とは異なる他の熱処理炉に取り付ける工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
前記ハロゲン系ガス供給ユニットは、前記熱処理炉内に熱処理用のガスを供給するガス供給部に取り付けられる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記ハロゲン系ガス供給ユニットは、前記熱処理炉内に熱処理用のガスを供給するガス供給部に取り付けられ、前記除害ユニットは、前記熱処理炉内を排気する排気部に取り付けられる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記ハロゲン系ガス供給ユニットは、ハロゲン系ガスを収容するガスボンベを具備する請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記ハロゲン系ガス供給ユニットは、常温で液体であるハロゲン液体ソースを収容するタンクと、前記ハロゲン液体ソースを気化してハロゲン系ガスを得る気化部と、を具備する請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記熱処理炉内をクリーニングする工程では、
前記ハロゲン系ガス供給ユニットは、前記ガス供給部から不活性ガスの供給を受け、ハロゲン系ガスと不活性ガスとをミックスした状態で前記熱処理炉内に供給する請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
前記熱処理炉内をクリーニングする工程では、
前記ハロゲン系ガス供給ユニットからハロゲン系ガスとして塩化水素ガスを流す請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記熱処理炉内をクリーニングする工程では、
前記ハロゲン系ガス供給ユニットからハロゲン系ガスとして塩化水素ガスを流し、前記ガス供給部から不活性ガスを流す請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
前記熱処理炉内をクリーニングする工程では、
前記ハロゲン系ガス供給ユニットからハロゲン系ガスとしてジクロロエチレンガスを流し、前記ガス供給部から酸素ガスを流す請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
前記熱処理炉内をクリーニングする工程では、
前記ハロゲン系ガス供給ユニットからハロゲン系ガスとしてジクロロエチレンガスを流し、前記ガス供給部から酸素ガスと不活性ガスを流す請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
前記ハロゲン系ガス供給ユニットと前記除害ユニットとを取り外した後、前記熱処理炉内で基板を熱処理する前に、前記各ユニットの取付部を閉塞部材で閉塞する請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
基板を熱処理する熱処理炉に、ハロゲン系ガスを供給するハロゲン系ガス供給ユニット、及びガスの有害成分を取り除く除害ユニットを取り付ける工程と、
前記ハロゲン系ガス供給ユニットより前記熱処理炉内にハロゲン系ガスを供給し、前記熱処理炉内のガスを前記除害ユニットを介して排気して、前記熱処理炉内をクリーニングする工程と、
前記クリーニング後に、前記熱処理炉より前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを取り外す工程と、
前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを取り外した後、前記熱処理炉内で基板を熱処理する工程と、
前記熱処理炉より取り外した前記ハロゲン系ガス供給ユニット、及び前記除害ユニットを、前記熱処理炉とは異なる他の熱処理炉に取り付ける工程と、
を有する熱処理炉のクリーニング方法。