JPH06338457A - 半導体製造装置の反応管 - Google Patents
半導体製造装置の反応管Info
- Publication number
- JPH06338457A JPH06338457A JP14865893A JP14865893A JPH06338457A JP H06338457 A JPH06338457 A JP H06338457A JP 14865893 A JP14865893 A JP 14865893A JP 14865893 A JP14865893 A JP 14865893A JP H06338457 A JPH06338457 A JP H06338457A
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- Japan
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- pipe
- gas
- reaction tube
- gas connection
- connection port
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】単一の反応管で種々の成膜条件に対応し得、又
種々の配置条件にも対応し得る様にする。 【構成】半導体製造装置の反応管に於いて、反応管を構
成する円筒体１４下端に少なくとも複数のガス接続口管
１３，１７，１８を設け、該ガス接続口管に所要の配管
を接続可能とし、ウェーハの成膜種類に応じて配管、ガ
ス供給管を選択してガス接続口管に接続し、接続位置は
装置の構成配置応じて選択する。
種々の配置条件にも対応し得る様にする。 【構成】半導体製造装置の反応管に於いて、反応管を構
成する円筒体１４下端に少なくとも複数のガス接続口管
１３，１７，１８を設け、該ガス接続口管に所要の配管
を接続可能とし、ウェーハの成膜種類に応じて配管、ガ
ス供給管を選択してガス接続口管に接続し、接続位置は
装置の構成配置応じて選択する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の反応炉
を構成する反応管、特に縦型反応炉の縦型反応管に関す
るものである。
を構成する反応管、特に縦型反応炉の縦型反応管に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図７に於いて従来の反応管について説明
する。
する。
【０００３】図７は縦型反応炉の断面を示しており、反
応炉は筒状のヒータ１、該ヒータ１内部に均熱管２、反
応管３が同心多重に設けられており、該反応管３にはボ
ート４が装入される。該ボート４にはウェーハ５が水平
姿勢で多段に装填される様になっており、前記ボート４
はボートキャップ６を介してエレベータキャップ７に載
置され、該エレベータキャップ７は図示しないボートエ
レベータに設けられ昇降可能である。
応炉は筒状のヒータ１、該ヒータ１内部に均熱管２、反
応管３が同心多重に設けられており、該反応管３にはボ
ート４が装入される。該ボート４にはウェーハ５が水平
姿勢で多段に装填される様になっており、前記ボート４
はボートキャップ６を介してエレベータキャップ７に載
置され、該エレベータキャップ７は図示しないボートエ
レベータに設けられ昇降可能である。
【０００４】前記反応管３の上端にはガス導入管８が連
通され、前記反応管３の下端には排気口９が設けられて
いる。前記ガス導入管８の下端はガス供給管１０と接続
され、前記排気口９は排気管１１と接続されている。
通され、前記反応管３の下端には排気口９が設けられて
いる。前記ガス導入管８の下端はガス供給管１０と接続
され、前記排気口９は排気管１１と接続されている。
【０００５】ボート４を反応管３より引出した状態で、
所要枚数のウェーハ５を前記ボート４に装填し、図示し
ないボートエレベータによりボート４を上昇させ反応管
３内に装入する。前記ヒータ１で反応管３内を所定の温
度に加熱し、前記ガス供給管１０、ガス導入管８より反
応ガスを反応管３内に導入し、前記ウェーハ５表面に薄
膜を生成し、前記反応ガスは前記排気口９、排気管１１
を経て排気される。
所要枚数のウェーハ５を前記ボート４に装填し、図示し
ないボートエレベータによりボート４を上昇させ反応管
３内に装入する。前記ヒータ１で反応管３内を所定の温
度に加熱し、前記ガス供給管１０、ガス導入管８より反
応ガスを反応管３内に導入し、前記ウェーハ５表面に薄
膜を生成し、前記反応ガスは前記排気口９、排気管１１
を経て排気される。
【０００６】従来の反応管では、ガス導入管８とガス供
給管１０の接合、排気口９と排気管１１との接合は、図
示される様にガスの導入口、排気口が高温となる為、テ
ーパー面による接合であった。
給管１０の接合、排気口９と排気管１１との接合は、図
示される様にガスの導入口、排気口が高温となる為、テ
ーパー面による接合であった。
【０００７】又、導入ガスが爆発等の危険のあるもので
は、前記テーパー面による接合に代えテフロンコネクタ
を用いている。
は、前記テーパー面による接合に代えテフロンコネクタ
を用いている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記した様に、ウェー
ハ５表面に成膜する膜質の種類によってガス供給管、排
気管の接合構造が異なってくる為、従来成膜種に対応し
たガス導入口、排気口を有した反応管が必要となり、又
装置に配置によっては左形、右形の反応管が必要となる
等、多数の種類の反応管を必要とし、部品管理、製作コ
ストの上で問題となると共に予備品を保管する場合にも
多数の種類の反応管の管理が必要となり、管理の煩雑
さ、経済性の面でも不都合があった。
ハ５表面に成膜する膜質の種類によってガス供給管、排
気管の接合構造が異なってくる為、従来成膜種に対応し
たガス導入口、排気口を有した反応管が必要となり、又
装置に配置によっては左形、右形の反応管が必要となる
等、多数の種類の反応管を必要とし、部品管理、製作コ
ストの上で問題となると共に予備品を保管する場合にも
多数の種類の反応管の管理が必要となり、管理の煩雑
さ、経済性の面でも不都合があった。
【０００９】本発明は斯かる実情に鑑み、単一の反応管
で種々の成膜条件に対応し得、又種々の配置条件にも対
応し得る半導体製造装置の反応管を提供しようとするも
のである。
で種々の成膜条件に対応し得、又種々の配置条件にも対
応し得る半導体製造装置の反応管を提供しようとするも
のである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、円筒体下端に
少なくとも複数のガス接続口管を設け、該ガス接続口管
に所要の配管を接続可能とした半導体製造装置の反応管
に係るものである。
少なくとも複数のガス接続口管を設け、該ガス接続口管
に所要の配管を接続可能とした半導体製造装置の反応管
に係るものである。
【００１１】
【作用】ウェーハの成膜種類に応じて配管、ガス供給管
を選択してガス接続口管に接続し、接続位置は装置の構
成配置応じて選択する。
を選択してガス接続口管に接続し、接続位置は装置の構
成配置応じて選択する。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１３】先ず、図１〜図３により反応管１２につい
て説明する。
て説明する。
【００１４】円筒体１４の下端に、フランジ付きのガス
接続口管１３を設け、該ガス接続口管１３の先端は前記
円筒体１４を貫通し、僅かに円筒体１４の内部に突出し
ている。又前記ガス接続口管１３の先端は閉塞されてお
り、該ガス接続口管１３の先端上面には２本のガス導入
管１５が連通され、該ガス導入管１５は前記円筒体１４
の内壁に沿って立上がり、円筒体１４の天井を気密に貫
通して円筒体１４の上面に形成されたガス溜め１６に連
通している。又該ガス溜め１６と前記円筒体１４の内部
とは複数の分散孔により連通されている。
接続口管１３を設け、該ガス接続口管１３の先端は前記
円筒体１４を貫通し、僅かに円筒体１４の内部に突出し
ている。又前記ガス接続口管１３の先端は閉塞されてお
り、該ガス接続口管１３の先端上面には２本のガス導入
管１５が連通され、該ガス導入管１５は前記円筒体１４
の内壁に沿って立上がり、円筒体１４の天井を気密に貫
通して円筒体１４の上面に形成されたガス溜め１６に連
通している。又該ガス溜め１６と前記円筒体１４の内部
とは複数の分散孔により連通されている。
【００１５】前記ガス接続口管１３に関して対称にガス
接続口管１７、ガス接続口管１８が設けられる。前記円
筒体１４の内壁面で前記ガス接続口管１７、ガス接続口
管１８それぞれの上方位置に鉤片１９を突設する。前記
ガス接続口管１７、ガス接続口管１８は必要に応じて閉
塞され、或は排気管等が接続される。
接続口管１７、ガス接続口管１８が設けられる。前記円
筒体１４の内壁面で前記ガス接続口管１７、ガス接続口
管１８それぞれの上方位置に鉤片１９を突設する。前記
ガス接続口管１７、ガス接続口管１８は必要に応じて閉
塞され、或は排気管等が接続される。
【００１６】前記ガス接続口管１３、ガス接続口管１
７、ガス接続口管１８へのガス供給管等の接続例を図４
により説明する。
７、ガス接続口管１８へのガス供給管等の接続例を図４
により説明する。
【００１７】前記ガス接続口管１３にはガス供給管２０
をシールリング２１を介在させて気密に接合し、クラン
プ具２２によりガス接続口管１３とガス供給管２０とを
固定する。又、一方のガス接続口管１７には排気管２３
をシールリング２１を介在させて気密に接合し、クラン
プ具２２によりガス接続口管１７と前記排気管２３とを
固定する。他方のガス接続口管１８にはシールリング２
１を介在させ、閉塞栓２４を気密に嵌合させ、クランプ
具２２により前記ガス接続口管１８に固定する。
をシールリング２１を介在させて気密に接合し、クラン
プ具２２によりガス接続口管１３とガス供給管２０とを
固定する。又、一方のガス接続口管１７には排気管２３
をシールリング２１を介在させて気密に接合し、クラン
プ具２２によりガス接続口管１７と前記排気管２３とを
固定する。他方のガス接続口管１８にはシールリング２
１を介在させ、閉塞栓２４を気密に嵌合させ、クランプ
具２２により前記ガス接続口管１８に固定する。
【００１８】而して、ガス供給管２０よりガス接続口管
１３を介して前記ガス導入管１５に反応ガスを供給し、
該ガス導入管１５により前記円筒体１４の上部より反応
ガスを円筒体１４内に導入し、前記排気管２３よりガス
を排気することができる。
１３を介して前記ガス導入管１５に反応ガスを供給し、
該ガス導入管１５により前記円筒体１４の上部より反応
ガスを円筒体１４内に導入し、前記排気管２３よりガス
を排気することができる。
【００１９】図５、図６は他の接続例を示し、他方のガ
ス接続口管１８から特殊ガス導入管２５を挿入し、該特
殊ガス導入管２５の上端を前記鉤片１９に係止させると
共に前記特殊ガス導入管２５の基部を前記ガス接続口管
１８に気密に固定したものである。該特殊ガス導入管２
５は挿脱可能であることは勿論である。
ス接続口管１８から特殊ガス導入管２５を挿入し、該特
殊ガス導入管２５の上端を前記鉤片１９に係止させると
共に前記特殊ガス導入管２５の基部を前記ガス接続口管
１８に気密に固定したものである。該特殊ガス導入管２
５は挿脱可能であることは勿論である。
【００２０】図６により詳述する。
【００２１】細径のガス供給管２６の先端には前記ガス
接続口管１３に嵌合するフランジプラグ２７が設けら
れ、該フランジプラグ２７を介して前記クランプ具２２
により気密に前記ガス接続口管１３とに固定される。
接続口管１３に嵌合するフランジプラグ２７が設けら
れ、該フランジプラグ２７を介して前記クランプ具２２
により気密に前記ガス接続口管１３とに固定される。
【００２２】ガス接続口管１７への排気管２３の接合固
定は前記したと同様であるので説明を省略する。
定は前記したと同様であるので説明を省略する。
【００２３】前記特殊ガス導入管２５の基端部は水平方
向に曲げられ、この水平基端部にフランジプラグ２８が
固着され、該フランジプラグ２８を介して前記クランプ
具２２により気密に前記ガス接続口管１８とに固定され
る。前記基端部にはコネクタ２９を介して図示しないガ
ス導入管が接続される様になっている。
向に曲げられ、この水平基端部にフランジプラグ２８が
固着され、該フランジプラグ２８を介して前記クランプ
具２２により気密に前記ガス接続口管１８とに固定され
る。前記基端部にはコネクタ２９を介して図示しないガ
ス導入管が接続される様になっている。
【００２４】而して、前記ガス接続口管１３位置と前記
ガス接続口管１８位置の２箇所からガスが導入可能とな
り、成膜の状況に応じて適宜ガスの導入位置を選択すれ
ばよい。
ガス接続口管１８位置の２箇所からガスが導入可能とな
り、成膜の状況に応じて適宜ガスの導入位置を選択すれ
ばよい。
【００２５】尚、上記説明で分かる様に、ガス接続口管
１３、ガス接続口管１７、ガス接続口管１８の接合部の
形状、少なくともガス接続口管１７、ガス接続口管１８
の接合部の形状は同一であるので、フランジプラグ等ガ
ス接続口管に合致する接続部を用意すれば任意の配管を
任意のガス接続口管に接続することが可能であり、更に
排気管２３、特殊ガス導入管２５の接続位置、接続の態
様は装置の配置に合せて選択することができる。
１３、ガス接続口管１７、ガス接続口管１８の接合部の
形状、少なくともガス接続口管１７、ガス接続口管１８
の接合部の形状は同一であるので、フランジプラグ等ガ
ス接続口管に合致する接続部を用意すれば任意の配管を
任意のガス接続口管に接続することが可能であり、更に
排気管２３、特殊ガス導入管２５の接続位置、接続の態
様は装置の配置に合せて選択することができる。
【００２６】尚、上記実施例ではガス接続口管を３箇所
に設け、そのうち１つをガス導入管専用としたが、３箇
所全てを相互に接続が変更可能な共通形状としてもよ
く、更にガス接続口管は２箇所でも４箇所以上であって
もよいことは言う迄もない。
に設け、そのうち１つをガス導入管専用としたが、３箇
所全てを相互に接続が変更可能な共通形状としてもよ
く、更にガス接続口管は２箇所でも４箇所以上であって
もよいことは言う迄もない。
【００２７】又、ガス接続口管１３に接続されるガス導
入管１５は円筒体１４の外壁に沿って設けられてもよい
ことは勿論である。
入管１５は円筒体１４の外壁に沿って設けられてもよい
ことは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ウェー
ハに成膜する種類に応じた反応管を用意する必要がな
く、反応管と各種管との接続を変更すれば足り、１種類
の反応管を用意するだけでよいので製品コストの低減が
図れ、予備品として多種の反応管を保持する必要がなく
なるので経済性が向上し、更に備品管理が容易になると
いう優れた効果を発揮する。
ハに成膜する種類に応じた反応管を用意する必要がな
く、反応管と各種管との接続を変更すれば足り、１種類
の反応管を用意するだけでよいので製品コストの低減が
図れ、予備品として多種の反応管を保持する必要がなく
なるので経済性が向上し、更に備品管理が容易になると
いう優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す正面図である。
【図２】同前一実施例の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ矢視図である。
【図４】配管接合部の詳細を示す図１のＢ−Ｂ矢視相当
図である。
図である。
【図５】該実施例に於ける他の使用例を示す図２のＡ−
Ａ矢視相当図である。
Ａ矢視相当図である。
【図６】該他の使用例の配管接合部の詳細を示す図５の
Ｃ−Ｃ矢視相当図である。
Ｃ−Ｃ矢視相当図である。
【図７】従来例を示す立断面図である。
１２ 反応管 １４ 円筒体 １５ ガス導入管 １７ ガス接続口管 １８ ガス接続口管 １９ 鉤片 ２０ ガス供給管 ２３ 排気管 ２４ 閉塞栓 ２５ 特殊ガス導入管
Claims (3)
- 【請求項１】 円筒体下端に少なくとも複数のガス接続
口管を設け、該ガス接続口管に所要の配管を接続可能と
したことを特徴とする半導体製造装置の反応管。 - 【請求項２】 ガス接続口管の１つの先端が閉塞され、
該１つのガス接続口管にガス導入管が連通された請求項
１の半導体製造装置の反応管。 - 【請求項３】 円筒体の内壁の少なくとも１つのガス接
続口管の上方に鉤片を突設し、該１つのガス接続口管に
挿入したガス導入管の上端を係止可能とした請求項１の
半導体製造装置の反応管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14865893A JPH06338457A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置の反応管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14865893A JPH06338457A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置の反応管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338457A true JPH06338457A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15457736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14865893A Pending JPH06338457A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置の反応管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338457A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073772A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び熱処理装置 |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP14865893A patent/JPH06338457A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073772A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び熱処理装置 |
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