JPH10284426A - ノズル - Google Patents
ノズルInfo
- Publication number
- JPH10284426A JPH10284426A JP10820597A JP10820597A JPH10284426A JP H10284426 A JPH10284426 A JP H10284426A JP 10820597 A JP10820597 A JP 10820597A JP 10820597 A JP10820597 A JP 10820597A JP H10284426 A JPH10284426 A JP H10284426A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- manufacturing apparatus
- semiconductor manufacturing
- reaction gas
- reactor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造装置反応炉内に反応ガスを導入する
ノズルに於いてノズルの屈曲部の角度を容易に指定角度
とし、且ノズルの変形を防止する。 【解決手段】半導体製造装置反応炉内に反応ガスを導入
するノズル２０に於いて、反応炉軸心に沿って直立する
直管２１と反応炉外部に延出する直管２２とをブロック
２３を介して連通連結したノズルに係るものであり、ブ
ロックにより複数のノズルを連結させることから、直管
と直管とが成す角度を指定角度とするのに直管を屈曲さ
せる必要がない。
ノズルに於いてノズルの屈曲部の角度を容易に指定角度
とし、且ノズルの変形を防止する。 【解決手段】半導体製造装置反応炉内に反応ガスを導入
するノズル２０に於いて、反応炉軸心に沿って直立する
直管２１と反応炉外部に延出する直管２２とをブロック
２３を介して連通連結したノズルに係るものであり、ブ
ロックにより複数のノズルを連結させることから、直管
と直管とが成す角度を指定角度とするのに直管を屈曲さ
せる必要がない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ等被処理
基板にエッチング、薄膜生成等の処理を行い半導体素子
を製造する半導体製造装置に関するものである。
基板にエッチング、薄膜生成等の処理を行い半導体素子
を製造する半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置は気密な反応炉を具備
し、該反応炉内では高温減圧下で反応ガスを導入し、被
処理基板表面に薄膜を生成する等の処理を行っている。
し、該反応炉内では高温減圧下で反応ガスを導入し、被
処理基板表面に薄膜を生成する等の処理を行っている。
【０００３】図６、図７に於いて半導体製造装置及び該
半導体製造装置に於ける従来の反応ガス導入ノズルにつ
いて説明する。
半導体製造装置に於ける従来の反応ガス導入ノズルにつ
いて説明する。
【０００４】図７は半導体製造装置１の概略説明図であ
り、該半導体製造装置１の筐体２後方上部（図中右上）
には円筒形状のヒータ３と該ヒータ３内に該ヒータ３と
同心に設けられる反応管４とにより構成される反応炉５
が立設されている。該反応炉５には反応ガス導入ノズル
６及び排気ノズル（図示せず）が連通されている。該反
応ガス導入ノズル６は直管を所要位置で略直角に屈曲し
て成形したものであり、図示しない基端部がガス供給源
（図示せず）に連通され、先端部から屈曲部迄が前記反
応炉５内に収納されている。
り、該半導体製造装置１の筐体２後方上部（図中右上）
には円筒形状のヒータ３と該ヒータ３内に該ヒータ３と
同心に設けられる反応管４とにより構成される反応炉５
が立設されている。該反応炉５には反応ガス導入ノズル
６及び排気ノズル（図示せず）が連通されている。該反
応ガス導入ノズル６は直管を所要位置で略直角に屈曲し
て成形したものであり、図示しない基端部がガス供給源
（図示せず）に連通され、先端部から屈曲部迄が前記反
応炉５内に収納されている。
【０００５】前記反応炉５下方にはボート７が設けら
れ、該ボート７には多数のウェーハが水平姿勢で装填可
能であり、該ボート７は前記反応炉５下方に設けられた
ボートエレベータ８により前記反応炉５内へ装入脱抜可
能となっている。
れ、該ボート７には多数のウェーハが水平姿勢で装填可
能であり、該ボート７は前記反応炉５下方に設けられた
ボートエレベータ８により前記反応炉５内へ装入脱抜可
能となっている。
【０００６】前記反応炉５前方にはクリーンユニット９
が設けられ、該クリーンユニット９前方にはバッファカ
セットストッカ１０が設けられ、該バッファカセットス
トッカ１０の下方にはカセットストッカ１１が設けられ
ている。該カセットストッカ１１、前記バッファカセッ
トストッカ１０と前記ボート７との間にはウェーハ移載
機１２が設けられている。
が設けられ、該クリーンユニット９前方にはバッファカ
セットストッカ１０が設けられ、該バッファカセットス
トッカ１０の下方にはカセットストッカ１１が設けられ
ている。該カセットストッカ１１、前記バッファカセッ
トストッカ１０と前記ボート７との間にはウェーハ移載
機１２が設けられている。
【０００７】前記カセットストッカ１１の前方にはカセ
ット授受ユニット１３が設けられ、該カセット授受ユニ
ット１３と前記カセットストッカ１１との間にはカセッ
ト移載機１４が設けられている。
ット授受ユニット１３が設けられ、該カセット授受ユニ
ット１３と前記カセットストッカ１１との間にはカセッ
ト移載機１４が設けられている。
【０００８】前記半導体製造装置１に於いて半導体を製
造する場合には、図示しない外部搬送装置により、ウェ
ーハの装填されたウェーハカセット（図示せず）を搬入
し、前記カセット授受ユニット１３に受載させる。前記
カセット移載機１４により受載された前記ウェーハカセ
ットを前記カセットストッカ１１或は前記バッファカセ
ットストッカ１０に移載する。上述した作動を繰返して
行うことにより所定数のウェーハカセットが前記カセッ
トストッカ１１、前記バッファカセットストッカ１０へ
移載される。前記カセットストッカ１１及び前記バッフ
ァカセットストッカ１０に前記ウェーハカセットが装填
された後、前記外部搬送装置（図示せず）を退去させ
る。
造する場合には、図示しない外部搬送装置により、ウェ
ーハの装填されたウェーハカセット（図示せず）を搬入
し、前記カセット授受ユニット１３に受載させる。前記
カセット移載機１４により受載された前記ウェーハカセ
ットを前記カセットストッカ１１或は前記バッファカセ
ットストッカ１０に移載する。上述した作動を繰返して
行うことにより所定数のウェーハカセットが前記カセッ
トストッカ１１、前記バッファカセットストッカ１０へ
移載される。前記カセットストッカ１１及び前記バッフ
ァカセットストッカ１０に前記ウェーハカセットが装填
された後、前記外部搬送装置（図示せず）を退去させ
る。
【０００９】前記ウェーハ移載機１２により前記カセッ
トストッカ１１の所定数のウェーハカセットからウェー
ハを取出し、前記ボート７にウェーハを移載する。該ウ
ェーハが装填されたボート７を前記ボートエレベータ８
により前記反応炉５内へ装入し、前記反応ガス導入ノズ
ル６を介して図示しない反応ガス供給源より前記反応炉
５内へ反応ガスを導入し、ウェーハに薄膜生成等所要の
処理を行う。
トストッカ１１の所定数のウェーハカセットからウェー
ハを取出し、前記ボート７にウェーハを移載する。該ウ
ェーハが装填されたボート７を前記ボートエレベータ８
により前記反応炉５内へ装入し、前記反応ガス導入ノズ
ル６を介して図示しない反応ガス供給源より前記反応炉
５内へ反応ガスを導入し、ウェーハに薄膜生成等所要の
処理を行う。
【００１０】処理完了後、前記反応炉５から脱抜された
前記ボート７より前記ウェーハを前記ウェーハ移載機１
２により前記カセットストッカ１１のウェーハカセット
に再装填し、処理後のウェーハが再装填されたウェーハ
カセットは前述した手順と逆の手順により外部に搬出さ
れる。
前記ボート７より前記ウェーハを前記ウェーハ移載機１
２により前記カセットストッカ１１のウェーハカセット
に再装填し、処理後のウェーハが再装填されたウェーハ
カセットは前述した手順と逆の手順により外部に搬出さ
れる。
【００１１】次に前記バッファカセットストッカ１０の
ウェーハカセットが前記カセットストッカ１１に移載さ
れ、前述した作動と同様に再びウェーハへの処理を行
う。空きのできた前記バッファカセットストッカ１０に
は前記外部搬送装置により搬入されたウェーハカセット
が移載され前述した作動を順次行う。
ウェーハカセットが前記カセットストッカ１１に移載さ
れ、前述した作動と同様に再びウェーハへの処理を行
う。空きのできた前記バッファカセットストッカ１０に
は前記外部搬送装置により搬入されたウェーハカセット
が移載され前述した作動を順次行う。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら上記した従来
の半導体製造装置に於ける反応ガス導入ノズルは、直管
を治具を用いて略直角に屈曲させているが、屈曲位置か
らノズル両端部迄が長い為指定の角度に屈曲させるのが
困難であり、又屈曲させた場合に屈曲部断面が変形して
管路抵抗が増大し、反応ガス導入ノズルに反応ガスを流
通させた場合に反応ガスの流速が低下する等の不具合が
あった。
の半導体製造装置に於ける反応ガス導入ノズルは、直管
を治具を用いて略直角に屈曲させているが、屈曲位置か
らノズル両端部迄が長い為指定の角度に屈曲させるのが
困難であり、又屈曲させた場合に屈曲部断面が変形して
管路抵抗が増大し、反応ガス導入ノズルに反応ガスを流
通させた場合に反応ガスの流速が低下する等の不具合が
あった。
【００１３】本発明は上記実情に鑑み、ノズルの屈曲部
の角度を容易に指定角度とすることができ、且ノズルの
変形を防止しようとするものである。
の角度を容易に指定角度とすることができ、且ノズルの
変形を防止しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体製造装
置反応炉内に反応ガスを導入するノズルに於いて、反応
炉軸心に沿って直立する直管と反応炉外部に延出する直
管とをブロックを介して連通連結したノズルに係るもの
であり、ブロックにより複数のノズルを連結させること
から、直管と直管とが成す角度を指定角度とするのに直
管を屈曲させる必要がない。
置反応炉内に反応ガスを導入するノズルに於いて、反応
炉軸心に沿って直立する直管と反応炉外部に延出する直
管とをブロックを介して連通連結したノズルに係るもの
であり、ブロックにより複数のノズルを連結させること
から、直管と直管とが成す角度を指定角度とするのに直
管を屈曲させる必要がない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１６】本実施の形態に係る反応ガス導入ノズル２
０は半導体製造装置（図示せず）の反応炉に設けられる
ものであり、該半導体製造装置は従来の半導体製造装置
１と略同様であるので説明を省略する。
０は半導体製造装置（図示せず）の反応炉に設けられる
ものであり、該半導体製造装置は従来の半導体製造装置
１と略同様であるので説明を省略する。
【００１７】前記反応ガス導入ノズル２０は上端が閉塞
された垂直な鉛直管２１と両端が開口する水平管２２と
がブロック２３により直角に連結されて構成されてい
る。
された垂直な鉛直管２１と両端が開口する水平管２２と
がブロック２３により直角に連結されて構成されてい
る。
【００１８】前記鉛直管２１には該鉛直管２１の軸心方
向に沿ってガス供給孔２４が等間隔に複数穿設され、該
ガス供給孔２４の径は基端側から先端側にかけて漸次大
きくなっている。
向に沿ってガス供給孔２４が等間隔に複数穿設され、該
ガス供給孔２４の径は基端側から先端側にかけて漸次大
きくなっている。
【００１９】前記ブロック２３は立方体形状をしてお
り、１つの側面２５に前記鉛直管２１が嵌合可能な座刳
部２６を有する第１孔２７が穿設され、前記側面２５と
隣合う側面２８には前記水平管２２が嵌合可能な座刳部
２９を有する第２孔３０が穿設されている。
り、１つの側面２５に前記鉛直管２１が嵌合可能な座刳
部２６を有する第１孔２７が穿設され、前記側面２５と
隣合う側面２８には前記水平管２２が嵌合可能な座刳部
２９を有する第２孔３０が穿設されている。
【００２０】前記第１孔２７に前記鉛直管２１を嵌合
し、溶接等所要の手段で固着し、前記第２孔３０に前記
水平管２２を嵌合し溶接等所要の手段で固着する。而し
て、前記鉛直管２１と前記水平管２２とは前記第１孔２
７と前記第２孔３０を介して連通する。
し、溶接等所要の手段で固着し、前記第２孔３０に前記
水平管２２を嵌合し溶接等所要の手段で固着する。而し
て、前記鉛直管２１と前記水平管２２とは前記第１孔２
７と前記第２孔３０を介して連通する。
【００２１】前記反応ガス導入ノズル２０が半導体製造
装置に設けられた場合に、前記鉛直管２１は反応管の軸
心に沿って立設され、前記水平管２２は反応炉外に延出
して外部の図示しない反応ガス供給源に接続される。反
応ガスは前記水平管２２内を流通し、次いで前記ブロッ
ク２３の前記第２孔３０、前記第１孔２７を流通し、更
に前記鉛直管２１内を流通し、前記ガス供給孔２４を介
して反応炉内に導入される。
装置に設けられた場合に、前記鉛直管２１は反応管の軸
心に沿って立設され、前記水平管２２は反応炉外に延出
して外部の図示しない反応ガス供給源に接続される。反
応ガスは前記水平管２２内を流通し、次いで前記ブロッ
ク２３の前記第２孔３０、前記第１孔２７を流通し、更
に前記鉛直管２１内を流通し、前記ガス供給孔２４を介
して反応炉内に導入される。
【００２２】本実施の形態に係る反応ガス導入ノズル２
０を具備した半導体製造装置（図示せず）に於いて半導
体を製造する場合の作動は前述した従来の半導体製造装
置に於ける作動と同様であるので説明を省略する。
０を具備した半導体製造装置（図示せず）に於いて半導
体を製造する場合の作動は前述した従来の半導体製造装
置に於ける作動と同様であるので説明を省略する。
【００２３】前記ブロック２３は上記した様に立方体形
状であり、前記第１孔２７と前記第２孔３０とは隣合う
２つの側面２５，２８にそれぞれ穿設されている為、前
記第１孔２７と前記第２孔３０とに嵌合された前記鉛直
管２１、前記水平管２２とが成す角度は直角であり、前
記ブロック２３により前記鉛直管２１と前記水平管２２
とを連結させることにより直管自体を屈曲させなくとも
容易に直角とすることができる。又、屈曲する必要がな
いことから、屈曲に伴うノズルの変形も防止することが
でき、流路抵抗の増大が防止できる。
状であり、前記第１孔２７と前記第２孔３０とは隣合う
２つの側面２５，２８にそれぞれ穿設されている為、前
記第１孔２７と前記第２孔３０とに嵌合された前記鉛直
管２１、前記水平管２２とが成す角度は直角であり、前
記ブロック２３により前記鉛直管２１と前記水平管２２
とを連結させることにより直管自体を屈曲させなくとも
容易に直角とすることができる。又、屈曲する必要がな
いことから、屈曲に伴うノズルの変形も防止することが
でき、流路抵抗の増大が防止できる。
【００２４】尚、ブロックの形状は立方体に限られるも
のではない。又、指定角度が変化した場合でも、ブロッ
クの孔と孔との成す軸心を指定角度と合致する様に孔を
穿設することで容易に且正確に指定角度に対応すること
ができる。
のではない。又、指定角度が変化した場合でも、ブロッ
クの孔と孔との成す軸心を指定角度と合致する様に孔を
穿設することで容易に且正確に指定角度に対応すること
ができる。
【００２５】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ブロッ
クの所要の位置に直管が嵌合する孔を穿設し、ブロック
を用いて複数の直管を連通連結したことから直管と直管
とが成す角度を指定角度とするのに直管を屈曲させる必
要がなく容易にでき、又屈曲を要しない為ノズルの変形
を防止することができる等の優れた効果を発揮する。
クの所要の位置に直管が嵌合する孔を穿設し、ブロック
を用いて複数の直管を連通連結したことから直管と直管
とが成す角度を指定角度とするのに直管を屈曲させる必
要がなく容易にでき、又屈曲を要しない為ノズルの変形
を防止することができる等の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ矢視図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ矢視図である。
【図５】図３のＤ−Ｄ矢視図である。
【図６】従来例を示す平面図である。
【図７】該従来例を示す半導体製造装置の概略説明図で
ある。
ある。
２０ 反応ガス導入ノズル ２１ 鉛直管 ２２ 水平管 ２３ ブロック ２６ 座刳部 ２７ 第１孔 ２９ 座刳部 ３０ 第２孔
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体製造装置反応炉内に反応ガスを導
入するノズルに於いて、反応炉軸心に沿って直立する直
管と反応炉外部に延出する直管とをブロックを介して連
通連結したことを特徴とするノズル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10820597A JPH10284426A (ja) | 1997-04-10 | 1997-04-10 | ノズル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10820597A JPH10284426A (ja) | 1997-04-10 | 1997-04-10 | ノズル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284426A true JPH10284426A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=14478693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10820597A Pending JPH10284426A (ja) | 1997-04-10 | 1997-04-10 | ノズル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10284426A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030030058A (ko) * | 2001-10-06 | 2003-04-18 | 삼성전자주식회사 | 화학기상증착 장치의 가스 인젝터 |
| WO2011038242A3 (en) * | 2009-09-25 | 2011-06-16 | Ferrotec (Usa) Corporation | Hybrid gas injector |
-
1997
- 1997-04-10 JP JP10820597A patent/JPH10284426A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030030058A (ko) * | 2001-10-06 | 2003-04-18 | 삼성전자주식회사 | 화학기상증착 장치의 가스 인젝터 |
| WO2011038242A3 (en) * | 2009-09-25 | 2011-06-16 | Ferrotec (Usa) Corporation | Hybrid gas injector |
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