JPS6154617A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6154617A JPS6154617A JP17600884A JP17600884A JPS6154617A JP S6154617 A JPS6154617 A JP S6154617A JP 17600884 A JP17600884 A JP 17600884A JP 17600884 A JP17600884 A JP 17600884A JP S6154617 A JPS6154617 A JP S6154617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- tube
- wafers
- reaction tube
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相成長装置、特にバッチ方式で複数のウェハ
上に薄膜を成長する装置の改良に関する。
上に薄膜を成長する装置の改良に関する。
半導体装置の製造工程において、ウェハ上に化学気相成
長（、ＣＶＤ ）法によって薄膜を成長することが行わ
れる。そのためには、石英製の反応管（石英管という）
内にウェハを配置し、石英管の一方端から薄膜の形成に
必要な反応ガス（以下ガスという）を供給し、石英管の
他方端から排気する。
長（、ＣＶＤ ）法によって薄膜を成長することが行わ
れる。そのためには、石英製の反応管（石英管という）
内にウェハを配置し、石英管の一方端から薄膜の形成に
必要な反応ガス（以下ガスという）を供給し、石英管の
他方端から排気する。
石英管はヒーター内に配置され、石英管内は薄膜成長に
必要な温度に保たれる。成長される薄膜は、多結晶シリ
コン（ポリシリコン）膜、シリコンナイトライド膜（Ｓ
ｉ、３Ｎ、、Ｉ膜）など種々のものがある。
必要な温度に保たれる。成長される薄膜は、多結晶シリ
コン（ポリシリコン）膜、シリコンナイトライド膜（Ｓ
ｉ、３Ｎ、、Ｉ膜）など種々のものがある。
前記した化学気相成長装置（ＣＶＤ装置）はいくつかの
改良を経て現在使用されるものに到達した。
改良を経て現在使用されるものに到達した。
第３図に従来例が断面図で示されるが、最初に第３図＋
８）に示されるものが提案され、同図において、１は石
英管、２は石英管１内に配置されたウェハ、２ａはウェ
ハをのせたボート、３はガスのマスフロー・コントロー
ラー（以下ＭＦＣと略す）、４はヒーターを模式的に示
し、反応ガスは矢印の方向にＭＦＣ３を経て反応管１に
供給され、石英管１の右側の矢印に示す方向に排気され
る。この形態のＣ，ＶＤ装置は、石英管内に直接ガスを
送り込む簡単な構成のものであることを特徴とする。
８）に示されるものが提案され、同図において、１は石
英管、２は石英管１内に配置されたウェハ、２ａはウェ
ハをのせたボート、３はガスのマスフロー・コントロー
ラー（以下ＭＦＣと略す）、４はヒーターを模式的に示
し、反応ガスは矢印の方向にＭＦＣ３を経て反応管１に
供給され、石英管１の右側の矢印に示す方向に排気され
る。この形態のＣ，ＶＤ装置は、石英管内に直接ガスを
送り込む簡単な構成のものであることを特徴とする。
次に第３図＋ｂ＋に示されるＣＶＤ装置が提案され、こ
の装置においてはガス供給管５が石英管１内に延ばされ
、ガス供給管５には所定の間隔で孔６が設けられ、孔６
からガスが図に矢印で示す如くに噴出する。そして孔６
の間にウェハ２が位置するようにしてウェハ２上に薄膜
を成長する。なお、本図以下ではヒーター４を省略する
。
の装置においてはガス供給管５が石英管１内に延ばされ
、ガス供給管５には所定の間隔で孔６が設けられ、孔６
からガスが図に矢印で示す如くに噴出する。そして孔６
の間にウェハ２が位置するようにしてウェハ２上に薄膜
を成長する。なお、本図以下ではヒーター４を省略する
。
更には第３図（Ｃ）に示されるＣＶＤ装置が提案され、
この装置では複数の（図示例では３本）ガス供給管５ａ
、 ５ｂ、 ５ｃが石英管１内に延びるよう配置され、
これらのガス供給管に第３図中）に示す例の如くに孔６
を形成して反応ガスを石英管内に噴出する。
この装置では複数の（図示例では３本）ガス供給管５ａ
、 ５ｂ、 ５ｃが石英管１内に延びるよう配置され、
これらのガス供給管に第３図中）に示す例の如くに孔６
を形成して反応ガスを石英管内に噴出する。
最後に第３図（ｄｌに示すＣＶＤ装置が開発され、この
装置においては、石英管１内にもう１つのウェハ収納管
７を設けてその内部に所定数のウェハ２を配置し、ウェ
ハ収納管７には多数の孔８が形成されている。ガスは第
３図（ａ）の例の場合の如く石英管１の一方端から供給
されるが、ガス排気管９はウェハ収納管７の一方端に連
結される。従って、石英管１内に供給されたガスは孔８
を通ってウニハ収納管７内に入り、次いでウェハ収納管
の一方端から排気され、ガスがウェハ収納管７内に留ま
っている間にウェハ２上に薄膜が成長される。
装置においては、石英管１内にもう１つのウェハ収納管
７を設けてその内部に所定数のウェハ２を配置し、ウェ
ハ収納管７には多数の孔８が形成されている。ガスは第
３図（ａ）の例の場合の如く石英管１の一方端から供給
されるが、ガス排気管９はウェハ収納管７の一方端に連
結される。従って、石英管１内に供給されたガスは孔８
を通ってウニハ収納管７内に入り、次いでウェハ収納管
の一方端から排気され、ガスがウェハ収納管７内に留ま
っている間にウェハ２上に薄膜が成長される。
ＣＶＤ装置の上記した発展は、ウェハ上に薄膜を均一に
成長することを目的としてなされたものである。最近、
集積回路の高集積化の要求が高まる一方でウェハの大口
径化が進み、第３図（ｄｌに示す装置で、口径１２５ｍ
ｍ （５インチ）のウェハが２０枚程度配置される。
成長することを目的としてなされたものである。最近、
集積回路の高集積化の要求が高まる一方でウェハの大口
径化が進み、第３図（ｄｌに示す装置で、口径１２５ｍ
ｍ （５インチ）のウェハが２０枚程度配置される。
このような多くの大口径ウェハ上に均一な膜厚を成長す
ることは、各ウェハに形成される集積回路が高集積化の
目的で微細化されるので、特に重要な課題となっている
。しかし、従来のＣＶＤ装置で多数のウェハ上に膜厚の
均一な薄膜を成長させることはきわめて難しい問題であ
り、特に第３図ｆｄｌに示すものは装置が複雑であるこ
とも問題となっている。
ることは、各ウェハに形成される集積回路が高集積化の
目的で微細化されるので、特に重要な課題となっている
。しかし、従来のＣＶＤ装置で多数のウェハ上に膜厚の
均一な薄膜を成長させることはきわめて難しい問題であ
り、特に第３図ｆｄｌに示すものは装置が複雑であるこ
とも問題となっている。
本発明は、上記問題を解消したウェハ上に薄膜を均一に
成長させうるＣＶＤ装置を提供するもので、その手段は
、反応管の一方端から反応ガスを供給し他方端から排気
することによって該反応管内に配置されたウェハ上に薄
膜を成長する装置において、反応ガスを供給するガスノ
ズルは、ほぼ反応管の長さ方向に延びる本管と、該本管
からほぼ横方向に弧状に延在する複数の供給管から成り
、前記供給管の弧状形態は、供給管から噴出される反応
ガスが前記反応管の内壁に沿ってらせん状に流れる構成
としたことを特徴とする化学気相成長装置によってなさ
れる。
成長させうるＣＶＤ装置を提供するもので、その手段は
、反応管の一方端から反応ガスを供給し他方端から排気
することによって該反応管内に配置されたウェハ上に薄
膜を成長する装置において、反応ガスを供給するガスノ
ズルは、ほぼ反応管の長さ方向に延びる本管と、該本管
からほぼ横方向に弧状に延在する複数の供給管から成り
、前記供給管の弧状形態は、供給管から噴出される反応
ガスが前記反応管の内壁に沿ってらせん状に流れる構成
としたことを特徴とする化学気相成長装置によってなさ
れる。
上記の装置においては、ガスは、弧状形態の供給管から
噴出されるので、石英管の内壁に沿ってらせん状に、石
英管の一方端から排気口である他方端へ向かって供給さ
れ為ので、ガスは石英管内に配置されたウェハの間をら
せん状に進み、ガスの流れはウェハと接触するように常
に一定に保たれ、ウェハ上に均一な膜厚の薄膜が形成さ
れるのである。
噴出されるので、石英管の内壁に沿ってらせん状に、石
英管の一方端から排気口である他方端へ向かって供給さ
れ為ので、ガスは石英管内に配置されたウェハの間をら
せん状に進み、ガスの流れはウェハと接触するように常
に一定に保たれ、ウェハ上に均一な膜厚の薄膜が形成さ
れるのである。
以下、図面を参照して本発明実施例を詳細に説明する。
本発明実施例は第１図（ａｌと（ｂｌに断面図と拡大側
断面図で示される。図において１１は例えば直径１８０
〜２００ｍｍの石英管、１２は直径１２５ｍｍのウェハ
、１２ａはウェハをのせたボート、１３はガス供給ノズ
ルでそれは直径３０ｍｍの本管１３ａと、直径１０ｍｍ
の４本の供給管１３ｂから成る。
断面図で示される。図において１１は例えば直径１８０
〜２００ｍｍの石英管、１２は直径１２５ｍｍのウェハ
、１２ａはウェハをのせたボート、１３はガス供給ノズ
ルでそれは直径３０ｍｍの本管１３ａと、直径１０ｍｍ
の４本の供給管１３ｂから成る。
供給管１３ｂは第１図（ｂｌに示される如く本管１３ａ
からほぼ横方向に弧状に延在する如く構成される。
からほぼ横方向に弧状に延在する如く構成される。
そして弧状の供給管１３ｂは、その先端から噴出される
ガスが石英管１１の内壁に沿ってらせん状に流れるよう
設計される。その結果、ガスは常にウェハ１２の表面に
沿って流れつつ排気端へ向かう。
ガスが石英管１１の内壁に沿ってらせん状に流れるよう
設計される。その結果、ガスは常にウェハ１２の表面に
沿って流れつつ排気端へ向かう。
第２図は第１図に示したガスノズル１３が配置されたＣ
ＶＤ装置を示し、図において１４は従来例と同じマスフ
ロー・コントローラー（ＭＦＣ） 、１５は排気管を示
し、ＭＦＣ１４に矢印方向に供給された所定のガスは本
管１３ａから供給管１３ｂに向い、供給管１３ｂから矢
印に示す如←噴出され、石英管１１内を第１図（ａ）に
示す如くらせん状に進んで排気管１５から排気される。
ＶＤ装置を示し、図において１４は従来例と同じマスフ
ロー・コントローラー（ＭＦＣ） 、１５は排気管を示
し、ＭＦＣ１４に矢印方向に供給された所定のガスは本
管１３ａから供給管１３ｂに向い、供給管１３ｂから矢
印に示す如←噴出され、石英管１１内を第１図（ａ）に
示す如くらせん状に進んで排気管１５から排気される。
なお、石英管１１は従来例と同様ヒーター（炉）内に配
置する。
置する。
ガスノズル１３の本管１３ａの直径、供給管１３ｂの直
径、弧の形状およびその数は、ウェハの種類、成長する
薄膜従って供給ガスの種類に対応してその都度適宜選定
する。従って、本発明の適用範囲は図示の例に限定され
るものでなく、より少ないかまたはより多い供給管１３
ｂが設けられる場合にも及ぶ。要は、ガスが常に石英管
内に配置されたウェハの表面に沿って流れるようにする
ことである。そして本発明の利点は、ガスノズルをウェ
ハと膜厚の種類に応じて前辺って用意しておくと、第３
図（ａｌに示した初期のＣＶＤ装置と同様に簡単な装置
でバッチ処理を可能にすることである。
径、弧の形状およびその数は、ウェハの種類、成長する
薄膜従って供給ガスの種類に対応してその都度適宜選定
する。従って、本発明の適用範囲は図示の例に限定され
るものでなく、より少ないかまたはより多い供給管１３
ｂが設けられる場合にも及ぶ。要は、ガスが常に石英管
内に配置されたウェハの表面に沿って流れるようにする
ことである。そして本発明の利点は、ガスノズルをウェ
ハと膜厚の種類に応じて前辺って用意しておくと、第３
図（ａｌに示した初期のＣＶＤ装置と同様に簡単な装置
でバッチ処理を可能にすることである。
以上説明したように本発明によれば、簡単な装置でウェ
ハ上に均一な膜厚の成長が可能となるので、装填される
半導体装置の信頼性を高めつ？製造歩留りを改善する効
果がある。
ハ上に均一な膜厚の成長が可能となるので、装填される
半導体装置の信頼性を高めつ？製造歩留りを改善する効
果がある。
第１図（ａｌと（ｂｌは本発明実施例の断面図と拡大側
断面図、第２図は第１図のガスノズルを組み入れたＣＶ
Ｄ装置の断面図、第３図（ａｌないしくｄｌは従来のＣ
ＶＤ装置の断面図である。 図中、１１は石英管、１２はウェハ、１３はガスノズル
、１３ａは本管、１３ｂは供給管、１４はＭＦＣ１１５
は排気管、をそれぞれ示す。
断面図、第２図は第１図のガスノズルを組み入れたＣＶ
Ｄ装置の断面図、第３図（ａｌないしくｄｌは従来のＣ
ＶＤ装置の断面図である。 図中、１１は石英管、１２はウェハ、１３はガスノズル
、１３ａは本管、１３ｂは供給管、１４はＭＦＣ１１５
は排気管、をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 反応管の一方端から反応ガスを供給し他方端から排気す
ることによって該反応管内に配置されたウェハ上に薄膜
を成長する装置において、反応ガスを供給するガスノズ
ルは、ほぼ反応管の長さ方向に延びる本管と、該本管か
らほぼ横方向に弧状に延在する複数の供給管から成り、
前記供給管の弧状形態は、供給管から噴出される反応ガ
スが前記反応管の内壁に沿ってらせん状に流れる構成と
したことを特徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17600884A JPS6154617A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17600884A JPS6154617A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154617A true JPS6154617A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=16006102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17600884A Pending JPS6154617A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154617A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1321538A3 (en) * | 2001-12-20 | 2004-01-02 | General Electric Company | Gas distributor for vapor coating method and apparatus |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP17600884A patent/JPS6154617A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1321538A3 (en) * | 2001-12-20 | 2004-01-02 | General Electric Company | Gas distributor for vapor coating method and apparatus |
| US6986814B2 (en) | 2001-12-20 | 2006-01-17 | General Electric Company | Gas distributor for vapor coating method and container |
| US7429403B2 (en) | 2001-12-20 | 2008-09-30 | General Electric Company | Gas distributor for vapor coating method and container |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6656282B2 (en) | Atomic layer deposition apparatus and process using remote plasma | |
| JP3373990B2 (ja) | 成膜装置及びその方法 | |
| JP2001274107A (ja) | 拡散炉 | |
| JP2001237243A (ja) | インシチュ誘電体スタックの製造方法及びそのプロセス | |
| JPS6154617A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| CN107641796B (zh) | 制程设备及化学气相沉积制程 | |
| JPH1050613A (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| JPH01134911A (ja) | 縦形気相成長装置 | |
| JP3015710B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP2568185B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH11260734A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05304093A (ja) | 縦型減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH01157519A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0426763A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0997768A (ja) | 縦型拡散炉 | |
| JPH1192940A (ja) | 半導体や超伝導材料などの材料の形成装置 | |
| JPH07307292A (ja) | 成膜方法およびこれに用いる減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH06302566A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| JPH0319324A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0530350Y2 (ja) | ||
| JPH0322524A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0322522A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2004095940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2022547508A (ja) | 処理システムおよび反応体ガスを供給する方法 | |
| JPH0358412A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 |