JP2002121672A - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 生産性の高いプラズマ処理を、少ない設備投
資額で行えるプラズマ処理装置を実現する。 【解決手段】 プラズマ処理装置１０１では複数の反応
容器が取り付け可能となっており、反応容器１０２は、
ガス供給接続部１０６およびガス供給バルブ１０４，１
０５を介してガス供給部１１０に、ガス排気接続部１１
３およびガス排気バルブ１１１，１１２を介してガス排
気部１１７に接続されている。反応容器１０３は、ガス
供給接続部１０９およびガス供給バルブ１０７，１０８
を介してガス供給部１１０に、ガス排気接続部１１６お
よびガス排気バルブ１１４，１１５を介してガス排気部
１１７に接続されている。反応容器１０２を用いたプラ
ズマ処理が終了した後、反応容器１０３を用いてプラズ
マ処理をしている間に、プラズマ処理装置１０１からの
反応容器１０２の取り外し、およびプラズマ処理装置１
０１への、予め用意された反応容器１１９の取り付けが
行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真用光受容
部材、太陽電池、画像入力用ラインセンサー、撮像デバ
イス、ＴＦＴ等の半導体素子として特に好適な堆積膜を
プラズマＣＶＤ法により基体上に形成するための堆積膜
形成装置および形成方法や、半導体デバイス等のエッチ
ング装置およびエッチング方法等を含むプラズマ処理装
置およびプラズマ処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造装置等で使用されているプラ
ズマ処理にはそれぞれの用途に応じて様々な方法があ
る。例えば、プラズマＣＶＤ法を用いた酸化膜、窒化膜
およびアモルファスシリコン系の半導体膜等の成膜、ま
たはエッチングによる微細加工技術等、プラズマの特徴
を様々に活用した装置や方法が使用されている。さらに
近年、膜質および処理能力の向上に対する要望も強くな
っており、様々な工夫も検討されている。特に、高周波
電力を用いたプラズマプロセスは、放電の安定性や、酸
化膜や窒化膜のような誘電性の材料にも適用できる等の
利点から幅広く使用されている。

【０００３】このプラズマ処理の方法を用いてシランガ
ス（ＳｉＨ₄）を成膜原料ガスとして形成したアモルフ
ァスシリコン膜は、アモルファスシリコンの禁止帯中に
存在する局在準位が比較的少なく、不純物のドーピング
により価電子制御が可能である。よって、このアモルフ
ァスシリコン膜に対しては、アモルファスシリコン電子
写真感光体として優れた特性を有するものが得られると
検討が続けられている。特公昭６０−３５０５９号公報
には、水素化アモルファスシリコンを光導電部に応用し
た電子写真用光受容部材が開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このようにプラズマ処
理は幅広く利用されているが、基本的には真空中での処
理となるために、スループットが十分に稼げなかったり
して、プラズマ処理がコストアップの要因となってい
る。プラズマ処理の方法としては、多品種生産に対応し
つつデットタイムを短縮して生産設備の稼働率を向上さ
せる等、生産性向上の方法が求められている。特開平１
０−１６８５７６号公報には、プラズマ処理装置および
処理方法として、真空容器を自在に移動可能な構成とす
ることにより多品種生産に対応し、かつデットタイムを
短縮することが可能な堆積膜形成装置および堆積膜形成
方法が開示されている。この堆積膜形成装置では、基体
を収容した反応容器に、その容器内の気体を排気するガ
ス排気部と、その容器内に基体を導入するガス供給部と
が着脱可能に接続される。そして、その反応容器内に電
源によって放電電流を供給することによって、反応容器
内に導入されたガスが分解されてプラズマが発生する。
そのプラズマによって反応容器内の基体に対してプラズ
マ処理が行われる。

【０００５】本発明者らは、この公報に記載されたプラ
ズマ処理装置または処理方法を用いることにより、すな
わち、自在に移動可能な真空容器を用いることにより、
多品種生産が容易に達成されるとともにデットタイムの
短縮が可能にはなるが、さらに生産効率を高め、より良
質な堆積膜や半導体デバイスを得るためには、まだまだ
改善すべき点があると考えるに至った。

【０００６】例えば、プラズマ処理装置においては、真
空容器内にガスを供給するガス供給部や、真空容器内の
ガスを排気するガス排気部等のガス設備や電源設備等は
高額であるために、これらの設備の投資額を抑え、かつ
稼働率を上げることが、さらなるコストダウンを実現す
るために求められている。

【０００７】また、プラズマ処理として基体上に堆積膜
を形成する堆積膜形成装置においては、最近の基体の大
面積化や、特には電子写真やＴＦＴ等の画像表示分野に
おける高画質化等に応じて、堆積膜の膜欠陥のさらなる
低減や、堆積膜の特性のさらなる改善が求められてお
り、特には堆積膜の特性のばらつきの低減が求められて
いる。

【０００８】前述したように、生産効率を高める、つま
りは単位時間あたりの生産本数を高めるためには、プラ
ズマ処理装置を用いた生産システムの数を増やす方法が
考えられるが、一般に真空装置でもあるプラズマ処理装
置を用いる生産システムの投資額が高額であるため、そ
の生産システムの数を増やすのが最適な方法とは限らな
い場合がある。また、プラズマ処理装置を大型化し、一
度に処理可能な基体の数を増やす方法も考えられるが、
真空中でプラズマ処理を行うプラズマ処理装置では、プ
ラズマ処理装置を大型化するには構造の強度上限界があ
ったり、プラズマ処理装置の使い回しが煩雑となって作
業効率が低下したり、ことにガス排気部の排気能力の限
界によりプラズマ処理装置のサイズが制限されたり、反
応空間の容積が過大となってロスが増加してしまったり
するという問題が大きな障害となる場合がある。よっ
て、プラズマ処理装置の大型化が、必ずしも最適な方法
とは限らない場合がある。

【０００９】これらの問題点を解決すべく本発明者らが
プラズマ処理の工程を詳細に鋭意検討を進めた結果、プ
ラズマ処理前後の基体やプラズマ処理装置内の各種構成
部品の取り外しや取り付けに必要とされる時間が生産工
程の中ではデットタイムとなるため、このデットタイム
を極力削減するような方法が、生産効率を向上させる上
で大変有用な方法となり、複数の反応装置を交替で用い
てプラズマ処理を実施することが、デットタイムを短縮
するのに大変効果的な解決方法であることを見いだし
た。

【００１０】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は、生産性が高く、高品
質なプラズマ処理を少ない設備投資額で行うことが可能
なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する
ことにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基体を収容した反応容器内の気体を、該
反応容器に着脱可能に接続されたガス排気部により排気
した後に、前記反応容器に着脱可能に接続されたガス供
給部により前記反応容器内にプラズマ処理用のガスを導
入するととともに、前記反応容器内に放電電力を供給
し、前記反応容器内で前記放電電力によって前記ガスを
分解することによりプラズマを発生させて前記基体にプ
ラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、複数の前
記反応容器を交替で用いて前記プラズマ処理を行うため
に、複数の前記反応容器のうち、前記ガス排気部および
前記ガス供給部に接続された１つの反応容器を用いてプ
ラズマ処理を行っている間に、他の反応容器を前記ガス
排気部および前記ガス供給部に接続する段階と、プラズ
マ処理が行われている前記反応容器のプラズマ処理が終
了した後に、前記ガス排気部および前記ガス供給部に接
続された前記他の反応容器を用いてプラズマ処理を行う
段階と、前記他の反応容器を用いてプラズマ処理を行っ
ている間に、前記ガス排気部および前記ガス供給部から
の、プラズマ処理が終了した前記反応容器の取り外し、
および前記ガス排気部および前記ガス供給部への、プラ
ズマ処理が行われている前記他の反応容器とは異なる別
の反応容器の接続を行う段階とを有する。

【００１２】また、前記ガス排気部に前記反応容器を接
続する際には、直列に接続された３つのバルブを介して
前記ガス排気部に前記反応容器を接続し、前記ガス排気
部から前記反応容器を取り外す際には、前記３つのバル
ブにおける前記ガス排気部側の２つの前記バルブ間のガ
ス流路内に不活性ガスを充填してから、あるいはそのガ
ス流路内にある気体を真空排気してから各々の前記バル
ブを閉じた後に前記３つのバルブにおける中央のバルブ
と前記反応容器側のバルブとを分離することが好まし
い。

【００１３】さらに、前記ガス供給部に前記反応容器を
接続する際には、直列に接続された３つのバルブを介し
て前記ガス供給部に前記反応容器を接続し、前記ガス供
給部から前記反応容器を取り外す際には、前記ガス供給
部側の２つの前記バルブ間のガス流路内に不活性ガスを
充填してから、あるいはそのガス流路内にある気体を真
空排気してから前記３つのバルブの各々を閉じた後に前
記３つのバルブにおける中央のバルブと前記反応容器側
のバルブとを分離することが好ましい。

【００１４】さらに、前記他の反応容器とは異なる別の
反応容器の接続を行った後に、接続された該反応容器内
に加熱用ガスを供給する段階をさらに有していてもよ
い。

【００１５】さらに、前記反応容器内の基体にプラズマ
処理を行う工程では、前記ガスとして、前記基体上に堆
積膜を形成するための原料ガスを用いたり、あるいは前
記基体の少なくとも一部をエッチングするためのものを
用いることができる。

【００１６】上記の通りの発明では、反応容器内にガス
を導入するとともに反応容器内に放電電力を供給して反
応容器内の基体にプラズマ処理を行う際、複数の反応容
器を交替で用いてプラズマ処理を行うために、１つの反
応容器を用いてプラズマ処理を行っている間に他の反応
容器をガス排気部およびガス供給部に接続することによ
り、１つの反応容器でのプラズマ処理の終了後に、他の
反応容器でプラズマ処理を直ちに開始することができ
る。これにより、製造工程で反応容器の取り付けに必要
とされる時間、すなわち製造工程中でのデッドタイムが
大幅に削減される。また、反応容器を用いてプラズマ処
理を行っている間に、既にプラズマ処理が終了した反応
容器をガス排気部およびガス供給部から取り外し、か
つ、プラズマ処理が行われている反応容器とは異なる別
の反応容器をガス排気部およびガス供給部に接続するこ
とにより、次回のプラズマ処理の準備を短時間に整える
ことができる。例えば、プラズマ処理が終了した反応容
器からの基体の取り外しや、反応容器内の構成部品の取
り外しおよび取り付け作業に比較的長い時間が必要とさ
れる場合や、プラズマ処理の時間が比較的短時間の場合
でも、プラズマ処理装置でプラズマ処理が中断されずに
済む。また、まれに放電切れ等のトラブルが発生してプ
ラズマ処理を中断した場合でも、次回のプラズマ処理を
直ぐに開始することが可能となり、トラブルによる生産
効率の低下を防ぐことが可能となる。このように１つの
反応容器を用いてプラズマ処理を行っている間に他の反
応容器をガス排気部およびガス供給部と着脱可能にする
ためには、ガス供給部およびガス排気部に対する反応容
器の接続部分を複数設けるという比較的簡単な改造で済
み、少ない設備投資額でプラズマ処理の生産性を高くで
きる。

【００１７】さらには、１つの反応容器でのプラズマ処
理が終了後、直ちにもう１つの反応容器でプラズマ処理
を開始するという作業工程以外には作業工程の流れが固
定されていない。よって、１つの反応容器でプラズマ処
理が終了するまでに、既にプラズマ処理が終了した反応
容器をガス排気部およびガス供給部から取り外して、予
め用意してある別の反応容器をガス排気部およびガス供
給部に取り付ける作業工程を完了すれば良い。その結
果、状況に応じて作業工程の流れを柔軟に変更し、作業
者を有効に活用することが可能となるので、作業工程の
流れが固定化されることにより作業工程間に発生する空
き時間を短縮することが可能となり、作業性や生産性を
改善することが可能となる。また、プラズマ処理を開始
する際に予め反応容器内の基体を所望の温度に加熱する
必要がある場合、１つの反応容器でプラズマ処理を行っ
ている間に、他の反応容器をガス排気部およびガス供給
部に取り付けた後にその容器内の基体の加熱を行うこと
が可能となるため、予め基体を加熱する必要が無くな
り、基体加熱用の独立した設備が不要となる。よって、
生産装置のコストダウンや、作業工程の簡略化が可能と
なる。

【００１８】そして、ガス排気部に反応容器を接続する
際には、直列に接続された３つのバルブを介してそれら
を接続し、ガス排気部から反応容器を取り外す際には、
それら３つのバルブにおけるガス排気部側の２つのバル
ブ間のガス流路内に不活性ガスを充填してから、あるい
はそのガス流路内にある気体を真空排気してから各々の
前記バルブを閉じた後に中央のバルブと反応容器側のバ
ルブとを分離することにより、バルブのシートリークに
よってガス排気部内および反応容器内への大気の混入が
防止される。これにより、プラズマ処理の特性が維持さ
れるとともに、その特性のばらつきが防止され、高品質
なプラズマ処理を行うことが可能となる。また、プラズ
マ処理をする際の安全性も確保される。

【００１９】さらに、ガス供給部に反応容器を接続する
際にも、直列に接続された３つのバルブを介してそれら
を接続し、ガス供給部から反応容器を取り外す際には、
それら３つのバルブにおけるガス供給部側の２つのバル
ブ間のガス流路内に不活性ガスを充填してから、あるい
はそのガス流路内にある気体を真空排気してから前記３
つのバルブの各々を閉じた後に中央のバルブと反応容器
側のバルブとを分離することにより、バルブのシートリ
ークによってガス供給部内および反応容器内への大気の
混入が防止される。これにより、プラズマ処理の特性が
維持されるとともに、その特性のばらつきが防止され、
高品質なプラズマ処理を行うことが可能となる。また、
プラズマ処理をする際の安全性も確保される。

【００２０】また、本発明のプラズマ処理装置は、基体
を収容する反応容器と、該反応容器に着脱可能に接続さ
れ、前記反応容器内の気体を排気するガス排気部と、前
記反応容器に着脱可能に接続され、前記反応容器内にガ
スを導入するガス供給部と、前記反応容器内に導入され
た前記ガスを分解することによりプラズマを発生させて
前記反応容器内の前記基体にプラズマ処理を行うために
前記反応容器内に放電電力を供給する電源とを有するプ
ラズマ処理装置において、その処理装置が前記反応容器
を複数有し、複数の前記反応容器のうち、前記ガス排気
部および前記ガス供給部の各々に専用の開閉装置を介し
て接続された１つの反応容器を用いてプラズマ処理を行
っている間に、他の反応容器がそれ専用の開閉装置を介
して前記ガス排気部および前記ガス供給部と接続可能、
かつ前記ガス排気部および前記ガス供給部から取り外し
可能である。

【００２１】さらに、前記ガス排気部に前記反応容器を
接続する前記専用の開閉装置が、少なくとも３つのバル
ブが直列に接続されて構成されたものであることが好ま
しい。

【００２２】さらに、前記専用の開閉装置を構成する少
なくとも３つのバルブのうち、前記ガス排気部側の少な
くとも２つのバルブ間のガス流路内に不活性ガスを供給
するためのガス供給装置を有していてもよい。あるい
は、前記専用の開閉装置を構成する少なくとも３つのバ
ルブのうち、前記ガス排気部側の少なくとも２つのバル
ブ間のガス流路内にある気体を真空排気するための排気
装置を有していてもよい。

【００２３】さらに、前記ガス供給部に前記反応容器を
接続する前記専用の開閉装置が、少なくとも３つのバル
ブが直列に接続されて構成されたものであることが好ま
しい。

【００２４】さらに、前記専用の開閉装置を構成する少
なくとも３つのバルブのうち、前記ガス供給部側の少な
くとも２つのバルブ間のガス流路内に不活性ガスを供給
するためのガス供給装置を有していてもよい。あるい
は、前記専用の開閉装置を構成する少なくとも３つのバ
ルブのうち、前記ガス供給部側の少なくとも２つのバル
ブ間のガス流路内にある気体を真空排気するための排気
装置を有していてもよい。

【００２５】さらに、前記ガス供給部と前記反応容器と
の間のガス流路に接続され、前記反応容器内の基体を加
熱するための加熱用ガスを前記反応容器内に供給する加
熱用ガス供給部を有することが好ましい。

【００２６】さらに、前記ガス供給部からの前記ガスと
して、前記基体上に堆積膜を形成するための原料ガスを
用いたり、あるいは前記基体の少なくとも一部をエッチ
ングするためのものを用いることができる。

【００２７】上記の通りのプラズマ処理装置では、処理
装置が反応容器を複数有し、複数の反応容器のうち、ガ
ス排気部およびガス供給部に専用の開閉装置を介して接
続された１つの反応容器を用いてプラズマ処理を行って
いる間に、他の反応容器がそれ専用の開閉装置を介して
ガス排気部およびガス供給部と接続可能、かつガス排気
部およびガス供給部から取り外し可能であることによ
り、上述したプラズマ処理方法で説明したのと同様に、
複数の反応容器を交替で用いてプラズマ処理を行う際
に、１つの反応容器におけるプラズマ処理の終了後に、
他の反応容器でプラズマ処理を直ちに開始することがで
きる。これにより、製造工程で反応容器の取り付けに必
要とされる時間、すなわち製造工程中でのデッドタイム
が大幅に削減される。また、反応容器を用いてプラズマ
処理を行っている間に、既にプラズマ処理が終了した反
応容器をガス排気部およびガス供給部から取り外し、か
つ、プラズマ処理が行われている反応容器とは異なる別
の反応容器をガス排気部およびガス供給部に接続するこ
とにより、次回のプラズマ処理の準備を短時間に整える
ことができる。また、まれに放電切れ等のトラブルが発
生してプラズマ処理を中断した場合でも、次回のプラズ
マ処理を直ぐに開始することが可能となり、トラブルに
よる生産効率の低下を防ぐことが可能となる。このよう
に１つの反応容器を用いてプラズマ処理を行っている間
に他の反応容器をガス排気部およびガス供給部と着脱可
能な構成とするためには、ガス供給部およびガス排気部
に対する反応容器の接続部分を複数設けるという比較的
簡単な改造で済み、少ない設備投資額で、生産性の高い
プラズマ処理装置が実現される。

【００２８】また、上述したのと同様に、プラズマ処理
を開始する際に予め反応容器内の基体を所望の温度に加
熱する必要がある場合、１つの反応容器でプラズマ処理
を行っている間に、他の反応容器をガス排気部およびガ
ス供給部に取り付けた後にその容器内の基体の加熱を行
うことが可能となるため、予め基体を加熱する必要が無
くなり、基体加熱用の独立した設備が不要となる。よっ
て、生産装置のコストダウンや、作業工程の簡略化が可
能となる。

【００２９】さらに、ガス排気部に反応容器を接続する
専用の開閉装置が、少なくとも３つのバルブが直列に接
続されて構成されたものであることにより、ガス排気部
から反応容器を取り外す際にガス排気部側の少なくとも
２つのバルブ間のガス流路内に不活性ガスをガス供給装
置により供給してから、あるいは、そのガス流路内にあ
る気体を真空排気してから各々の前記バルブを閉じた後
に前記２つのバルブの外側でバルブ同士を分離すること
で、バルブのシートリークによってガス排気部内および
反応容器内への大気の混入が防止される。また、ガス供
給部に反応容器を接続する専用の開閉装置が、少なくと
も３つのバルブが直列に接続されて構成されたものであ
ることにより、ガス供給部から反応容器を取り外す際に
ガス供給部側の少なくとも２つのバルブ間のガス流路内
に不活性ガスをガス供給装置により供給してから、ある
いは、そのガス流路内にある気体を真空排気してから各
々の前記バルブを閉じた後に前記２つのバルブの外側で
バルブ同士を分離することで、バルブのシートリークに
よってガス供給部内および反応容器内への大気の混入が
防止される。これらの構成により、プラズマ処理の特性
が維持されるとともに、その特性のばらつきが防止さ
れ、高品質なプラズマ処理装置が実現される。また、プ
ラズマ処理装置の安全性も確保される。

【００３０】さらに、本発明のプラズマ処理方法は、基
体を収容した第１の反応容器をガス排気部およびプラズ
マ処理用のガス供給部のそれぞれに第１の接続部で着脱
可能に接続する段階と、前記第１の反応容器内のガスに
放電電力を供給することによって前記ガスを分解してプ
ラズマを発生させ、前記基体にプラズマ処理を行う段階
と、前記第１の反応容器によりプラズマ処理を行ってい
る間に、第２の反応容器を前記ガス排気部および前記ガ
ス供給部のそれぞれに第２の接続部で接続する段階と、
前記第１の反応容器のプラズマ処理が終了した後に、前
記第２の反応容器内のガスに放電電力を供給してプラズ
マ処理を行う段階とを有する。

【００３１】さらに、本発明のプラズマ処理装置は、基
体を収容可能な第１の反応容器をガス排気部およびプラ
ズマ処理用のガス供給部のそれぞれに着脱可能に接続す
るための第１の接続部と、基体を収容可能な第２の反応
容器を前記ガス排気部および前記ガス供給部のそれぞれ
に、前記第１の反応容器とは独立して着脱可能に接続す
るための第２の接続部と、前記第１または第２の反応容
器に選択的に放電電力を供給することにより、前記第１
および第２の反応容器に供給されたガスを放電分解する
ための電源とを有する。

【００３２】上記の通りの発明では、ガス排気部および
プラズマ処理用のガス供給部のそれぞれに接続第１の接
続部で着脱可能に接続された第１の反応容器を用いて、
その反応容器内の基体にプラズマ処理を行っている間
に、ガス排気部およびガス供給部のそれぞれに第２の接
続部で第２の反応容器を着脱可能に接続することによ
り、第１の反応容器でのプラズマ処理の終了後に、第２
の反応容器でプラズマ処理を直ちに開始することができ
る。これにより、上述したのと同様に、製造工程で反応
容器の取り付けに必要とされる時間、すなわち製造工程
中でのデッドタイムが大幅に削減されるとともに、次回
のプラズマ処理の準備を短時間に整えることができる。
また、このようなプラズマ処理方法およびプラズマ処理
装置によれば、ガス供給部およびガス排気部に対する反
応容器の接続部を少なくとも２つ設けるという比較的簡
単な改造で済み、少ない設備投資額でプラズマ処理の生
産性を高くできる。

【００３３】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００３４】図１は、本発明の一実施形態のプラズマ処
理方法について説明するための図である。図１（ａ）
は、プラズマ処理装置の構成を模式的に示す図であり、
図１（ｂ）は、プラズマ処理装置の動作について説明す
るための図である。

【００３５】図１（ａ）に示すように本実施形態のプラ
ズマ処理装置１０１には、複数の反応容器１０２，１０
３が取り付け可能となっている。このプラズマ処理装置
１０１には、少なくも２つの反応容器をガス供給部１１
０およびガス排気部１１７に着脱可能に接続するため
に、第１および第２の接続部を含む少なくとも２つの接
続部が設けられている。図１に示される状態では反応容
器１０２が第１の反応容器として第１の接続部に配置さ
れ、反応容器１０３が第２の反応容器として第２の接続
部に配置されている。したがって、反応容器１０２，１
０３のそれぞれは、互いに独立してガス供給部１１０お
よびガス排気部１１７に着脱可能に接続される。

【００３６】反応容器１０２は、第１の接続部におい
て、ガス供給接続部１０６を介して接続されたガス供給
バルブ１０４，１０５、およびそれらを接続する配管を
介してガス供給部１１０と接続されている。また、反応
容器１０２は、第１の接続部において、ガス排気接続部
１１３を介して接続されたガス排気バルブ１１１，１１
２、およびそれらを接続する配管を介してガス排気部１
１７と接続されている。一方、反応容器１０３は、第２
の接続部において、ガス供給接続部１０９を介して接続
されたガス供給バルブ１０７，１０８、およびそれらを
接続する配管を介してガス供給部１１０と接続されてい
る。また、反応容器１０３は、第２の接続部において、
ガス排気接続部１１６を介して接続されたガス排気バル
ブ１１４，１１５、およびそれらを接続する配管を介し
てガス排気部１１７と接続されている。

【００３７】ガス供給部１１０と反応容器１０２との間
のガス流路を開閉するための開閉装置がガス供給バルブ
１０４，１０５から構成され、反応容器１０２とガス排
気部１１７との間のガス流路を開閉するための開閉装置
がガス排気バルブ１１１，１１２から構成されている。
また、ガス供給部１１０と反応容器１０３との間のガス
流路を開閉するための開閉装置がガス供給バルブ１０
７，１０８から構成され、反応容器１０３とガス排気部
１１７との間のガス流路を開閉するための開閉装置がガ
ス排気バルブ１１４，１１５から構成されている。

【００３８】ガス供給接続部１０６，１０９およびガス
排気接続部１１３，１１６のそれぞれは、２つの配管の
端部同士を着脱可能に接続するためのものである。よっ
て、ガス供給接続部１０６により反応容器１０２がガス
供給部１１０に着脱可能に接続され、ガス排気接続部１
１３により反応容器１０２がガス排気部１１７に着脱可
能に接続されている。また、ガス供給接続部１０９によ
り反応容器１０３がガス供給部１１０に着脱可能に接続
され、ガス排気接続部１１６により反応容器１０３がガ
ス排気部１１７に着脱可能に接続されている。

【００３９】また、このプラズマ処理装置１０１には、
反応容器１０２または１０３のいずれか一方の容器内に
所定の放電電力を供給するための電源１１８が備えられ
ている。図１に示される状態では、電源１１８が反応容
器１０２に接続されており、電源１１８より反応容器１
０２内に所定の放電電力が供給される。反応容器１０
２，１０３のそれぞれの内部には基体が収容され、収容
された基体に対して電源１１８からの電力によってプラ
ズマ処理が行われる。

【００４０】このようなプラズマ処理装置１０１におけ
るプラズマ処理は、例えば概略以下のような方法で行わ
れる。

【００４１】まず、ガス供給バルブ１０４，１０５が閉
じている状態でガス排気バルブ１１１，１１２を開け、
反応容器１０２内の気体をガス排気部１１７により排気
する。続いてガス供給バルブ１０４，１０５を開けて、
プラズマ処理に使用するガスをガス供給部１１０より反
応容器１０２内に導入する。プラズマ処理用のガスの流
量が設定の流量となり、また、反応容器１０２内の圧力
が安定したのを確認した後、電源１１８より反応容器１
０２内へ所定の放電電力を供給する。供給された放電電
力によって反応容器１０２内にグロー放電が生起し、反
応容器１０２内のプラズマ処理用ガスが励起解離してプ
ラズマが発生することで反応容器１０２内の基体に対し
てプラズマ処理が行われる。

【００４２】所望の時間のプラズマ処理が行なわれた
後、電源１１８からの電力の供給を止め、続いてプラズ
マ処理用ガスの供給を停止してプラズマ処理を終える。
基体上に複数の層を形成したり、成膜とエッチングを交
互に繰り返す等のプラズマ処理を複数回行う場合には、
同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各プラズマ処
理の間において、上述したように１つのプラズマ処理が
終了した時点で反応容器内の放電を完全に一旦停止し、
ガス流量、および反応容器内の圧力が次のプラズマ処理
のための設定値に変更された後、放電を再度生起して次
のプラズマ処理を行なっても良い。あるいは、１つのプ
ラズマ処理の終了後から一定時間でガス流量、圧力、高
周波電力を次のプラズマ処理の設定値に徐々に変化させ
ても良い。

【００４３】プラズマ処理の終了後、図１（ｂ）に示す
ような反応容器の入れ替えが、例えば概略以下のような
方法で行われる。

【００４４】まず、図１（ａ）に示したようにプラズマ
処理装置１０１に反応容器１０２が組み付けられている
状態でガス供給バルブ１０４，１０５およびガス排気バ
ルブ１１１，１１２を閉じ、電源１１８をもう一方の反
応容器１０３へ接続する。続いてガス排気バルブ１１
４，１１５およびガス供給バルブ１０７，１０８を開け
て、同様に反応容器１０３内でのプラズマ処理を開始す
る。反応容器１０３内でプラズマ処理を実施している間
に、反応容器１０２とガス供給部１１０を接続している
ガス供給接続部１０６、および反応容器１０２とガス排
気部１１７を接続しているガス排気接続部１１３のそれ
ぞれを分離して、反応容器１１９をガス供給部１１０お
よびガス排気部１１７から切り離すことにより、図１
（ｂ）に示すようにプラズマ処理装置１０１より反応容
器１０２を取り外す。その後、予め用意してある反応容
器１１９をガス供給接続部１０６およびガス排気接続部
１１３に接続することにより反応容器１１９をプラズマ
処理装置１０１に取り付け、反応容器１０３の後の次の
プラズマ処理の準備を行う。

【００４５】その後、必要に応じて、反応容器１０３で
プラズマ処理を行っている間に反応容器１１９内の基体
を加熱する等の前処理を実施する。

【００４６】プラズマ処理の内容には特に制限は無く、
電子写真用光受容部材、太陽電池、ＴＦＴ等の半導体素
子の堆積や、半導体デバイスのエッチング処理等のいず
れのプラズマ処理においても、生産性を向上させる好ま
しい方法として挙げることができる。

【００４７】図２は、図１に示したプラズマ処理装置の
一例として、反応容器内の基体上に堆積膜を形成する堆
積膜形成装置の一部を示す図である。図２に示される反
応容器７０１が、図１に示した反応容器１０２，１０３
または１１９として用いられる。反応容器７０１は円筒
状のものであり、図２（ａ）は、反応容器７０１の中心
軸に沿って反応容器７０１を断面にした図であり、図２
（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【００４８】反応容器７０１には、その容器内の気体を
反応容器７０１の外部に排出するための排気管７０２が
一体的に形成されている。排気管７０２はガス排気バル
ブ７１９およびガス排気接続部７２０を介してガス排気
部（具体的には図１に示したガス排気部１１７）に接続
されている。反応容器７０１の上部には開口部が形成さ
れており、その開口部が蓋７１４によって密閉されてい
る。反応容器７０１内は、その容器と同心の円筒状の隔
壁７０７によって区分けされている。隔壁７０７の少な
くとも一部は誘電体部材で構成されており、円筒状の隔
壁７０７の内側の空間がプラズマ処理空間７０６となっ
ている。反応容器７０１内における隔壁７０７の外側の
空間には、反応容器７０１内に高周波電力を導入するた
めの電極７０３が複数設置されている。複数の電極７０
３は、反応容器７０１と同心の円周上に所定の間隔をお
いて並んでいる。高周波電源７０４より、例えば周波数
が１００ＭＨｚの高周波電力が出力され、出力された高
周波電力がマッチングボックス７０５およびコンデンサ
ー７１６を経てそれぞれの電極７０３よりプラズマ処理
空間７０６内に供給される。

【００４９】プラズマ処理空間７０６内には、円筒状基
体７０９が複数配置されている。それらの円筒状基体７
０９は反応容器７０１と同心の円周上に所定のピッチで
等間隔に並べられており、それぞれの円筒状基体７０９
上に堆積膜が形成される。各々の円筒状基体７０９は、
その基体の中心軸と平行な方向に延びる軸７１０によっ
て保持されている。また、各々の円筒状基体７０９の内
側には、必要に応じて発熱体７１１が配置され、発熱体
７１１によって円筒状基体７０９が加熱されるようにな
っている。

【００５０】さらに、それぞれの円筒状基体７０９を回
転させる機構を必要に応じて設けても良い。図２に示さ
れる装置では、円筒状基体７０９を支持する軸７１０の
下端部は反応容器７０１の底面７０８より反応容器７０
１の外部に突出しており、その軸７１０の下端部が、反
応容器７０１の外部にある減速ギア７１３を介してモー
ター７１２の回転軸に繋がっている。モーター７１２を
駆動することにより、減速ギア７１３を介して軸７１０
が回転し、軸７１０の回転に伴って円筒状基体７０９が
その中心軸のまわりで回転する。反応容器７０１のほぼ
中央部にはガス供給管７１５の一端部が配置され、ガス
供給管７１５の他端部は反応容器７０１の外部でガス供
給バルブ７１７およびガス供給接続部７１８を介してガ
ス供給部（具体的には図１に示したガス供給部１１０）
に接続されている。そのガス供給部より、ガス供給管７
１５を通してプラズマ処理空間７０６内に所望のプラズ
マ処理用ガスが供給される。

【００５１】図１に示したプラズマ処理装置１０１にお
いて反応容器１０２や１０３として反応容器７０１を用
いた場合、反応容器７０１内の円筒状基体７０９上に堆
積膜を形成するための原料ガスがプラズマ処理用ガスと
して、図１に示したガス供給部１１０より反応容器７０
１内に供給される。また、反応容器７０１内の円筒状基
体７０９の少なくとも一部をエッチングする際には、そ
のエッチング用のガスがプラズマ処理用ガスとして、図
１に示したガス供給部１１０より反応容器７０１内に供
給される。

【００５２】図３は、図２に基づいて説明した堆積膜形
成装置により形成された堆積膜の一例として電子写真用
光受容部材の構成を示す断面図である。図３に示すよう
に基体８０１上に成膜された電子写真用光受容部材８０
０は、電荷阻止注入層８０２、光導電層８０３および表
面層８０４がこの順番で積層されて構成されている。

【００５３】以上で説明したように、本実施形態のプラ
ズマ処理装置１０１では、反応容器内にガスを導入する
とともに反応容器内に放電電力を供給して反応容器内の
基体にプラズマ処理を行う際、複数の反応容器を交替で
片方ずつ用いてプラズマ処理を行うために、一方の反応
容器を用いてプラズマ処理を行っている間に他方の反応
容器をガス排気部およびガス供給部に接続することでき
る。このようにしてプラズマ処理を複数回行う場合、一
方の反応容器でのプラズマ処理の終了後に、他方の反応
容器でプラズマ処理を直ちに開始することができる。こ
れにより、製造工程で反応容器の取り付けに必要とされ
る時間、すなわち製造工程中でのデッドタイムが大幅に
削減される。また、反応容器を用いてプラズマ処理を行
っている間に、既にプラズマ処理が終了した反応容器を
ガス排気部およびガス供給部から取り外し、かつ、プラ
ズマ処理が行われている反応容器とは異なる別の反応容
器をガス排気部およびガス供給部に接続できる。これに
より、次回のプラズマ処理の準備を短時間に整えること
ができる。例えば、プラズマ処理が終了した反応容器か
らの基体の取り外しや、反応容器内の構成部品の取り外
しおよび取り付け作業に比較的長い時間が必要とされる
場合や、プラズマ処理の時間が比較的短時間の場合で
も、プラズマ処理装置でプラズマ処理が中断されずに済
む。

【００５４】また、まれに放電切れ等のトラブルが発生
してプラズマ処理を中断した場合でも、次回のプラズマ
処理を直ぐに開始することが可能となり、トラブルによ
る生産効率の低下を防ぐことが可能となる。このように
一方の反応容器を用いてプラズマ処理を行っている間に
他方の反応容器をガス排気部およびガス供給部と着脱可
能にするためには、ガス供給部およびガス排気部に対す
る反応容器の接続部分を複数設けるという比較的簡単な
改造で済み、少ない設備投資額でプラズマ処理の生産性
を高くできる。

【００５５】さらには、一方の反応容器でのプラズマ処
理が終了後、直ちにもう一方の反応容器でプラズマ処理
を開始するという作業工程以外には作業工程の流れが固
定されていない。よって、一方の反応容器でプラズマ処
理が終了するまでに、既にプラズマ処理が終了した反応
容器をガス排気部およびガス供給部から取り外して、予
め用意してある別の反応容器をガス排気部およびガス供
給部に取り付ける作業工程を完了すれば良い。その結
果、状況に応じて作業工程の流れを柔軟に変更し、作業
者を有効に活用することが可能となるので、作業工程の
流れが固定化されることにより作業工程間に発生する空
き時間を短縮することが可能となり、作業性や生産性を
改善することが可能となる。

【００５６】さらに、プラズマ処理を開始する際に予め
反応容器内の基体を所望の温度に加熱する必要がある場
合、一方の反応容器でプラズマ処理を行っている間に、
他方の反応容器をガス排気部およびガス供給部に取り付
けた後にその容器内の基体の加熱を行うことが可能とな
るため、予め基体を加熱する必要が無くなり、基体加熱
用の独立した設備が不要となる。よって、生産装置のコ
ストダウンや、作業工程の簡略化が可能となる。

【００５７】図４は、図１に示したプラズマ処理装置の
変形例を模式的に示す図である。以下では、本実施形態
のプラズマ処理装置のいくつかの変形例について説明す
る。

【００５８】図１に示したプラズマ処理装置１０１にお
いて、反応容器１０３でプラズマ処理を実施している間
にプラズマ処理装置１０１から反応容器１０２を取り外
した場合にガス供給バルブ１０５やガス排気バルブ１１
２がシートリークしていると、ガス供給部１１０および
ガス排気部１１７のそれぞれの内部がガス供給バルブ１
０５およびガス排気バルブ１１２を介して大気にさらさ
れるために、大気がガス供給部１１０内、反応容器１０
３内およびガス排気部１１７内へ混入する可能性があ
る。これらの混入を防ぐために、図４に示すプラズマ処
理装置２０１のようにガス供給部１１０とガス供給接続
部１０６との間でガス供給バルブ１０５と１２０を直列
に接続したり、ガス排気接続部１１３とガス排気部１１
７との間でガス排気バルブ１１２と１２２を直列に接続
することにより、ガス供給部１１０とガス供給接続部１
０６との間や、ガス排気接続部１１３とガス排気部１１
７との間でバルブを２重化してもよい。図４に示される
例では、ガス供給バルブ１２０，１０５、ガス供給接続
部１０６、およびガス供給バルブ１０４がガス供給部１
１０側からこの順番で並び、ガス排気バルブ１１１、ガ
ス排気接続部１１３、およびガス排気バルブ１１２，１
２２が反応容器１０２側からこの順番で並んでいる。ま
た、ガス供給バルブ１２１，１０８、ガス供給接続部１
０９、およびガス供給バルブ１０７がガス供給部１１０
側からこの順番で並び、ガス排気バルブ１１４、ガス排
気接続部１１６、およびガス排気バルブ１１５，１２３
が反応容器１０３側からこの順番で並んでいる。

【００５９】したがって、このプラズマ処理装置２０１
では、反応容器１０２が、直列に接続されたガス供給バ
ルブ１２０，１０５，１０４を介してガス供給部１１０
に接続されるとともに、直列に接続されたガス排気バル
ブ１１１，１１２，１２２を介してガス排気部１１７に
接続されている。また、反応容器１０３が、直列に接続
されたガス供給バルブ１２１，１０８，１０７を介して
ガス供給部１１０に接続されるとともに、直列に接続さ
れたガス排気バルブ１１４，１１５，１２３を介してガ
ス排気部１１７に接続されている。そして、ガス供給部
１１０と反応容器１０２との間のガス流路を開閉するた
めの開閉装置がガス供給バルブ１０４，１０５，１２０
から構成され、反応容器１０２とガス排気部１１７との
間のガス流路を開閉するための開閉装置がガス排気バル
ブ１１１，１１２，１２２から構成されている。また、
ガス供給部１１０と反応容器１０３との間のガス流路を
開閉するための開閉装置がガス供給バルブ１０７，１０
８，１２１から構成され、反応容器１０３とガス排気部
１１７との間のガス流路を開閉するための開閉装置がガ
ス排気バルブ１１４，１１５，１２３から構成されてい
る。

【００６０】ガス供給部１１０およびガス排気部１１７
から反応容器１０２を離脱させてプラズマ処理装置２０
１から反応容器１０２を取り外す際には、直列に接続さ
れたガス供給バルブ１０４，１０５，１２０のうち中央
のガス供給バルブ１０５と、反応容器１０２側のガス供
給バルブ１０４とがガス供給接続部１０６によって分離
される。また、直列に接続されたガス排気バルブ１１
１，１１２，１２２のうち中央のガス排気バルブ１１２
と、反応容器１０２側のガス排気バルブ１１１とがガス
排気接続部１１３によって分離される。

【００６１】同様に、ガス供給部１１０およびガス排気
部１１７から反応容器１０３を離脱させてプラズマ処理
装置２０１から反応容器１０３を取り外す際には、直列
に接続されたガス供給バルブ１０７，１０８，１２１の
うち中央のガス供給バルブ１０８と、反応容器１０３側
のガス供給バルブ１０７とがガス供給接続部１０９によ
って分離される。また、直列に接続されたガス排気バル
ブ１１４，１１５，１２３のうち中央のガス排気バルブ
１１５と、反応容器１０３側のガス排気バルブ１１４と
がガス排気接続部１１６によって分離される。このよう
な構成では、反応容器１０２または１０３の着脱の際
に、ガス供給部１１０およびガス排気部１１７でバルブ
のシートリークによる大気の混入を防止できるので、プ
ラズマ処理の特性の維持や、その特性のばらつき防止、
安全性の確保等の観点から好ましい構成となる。反応容
器１０２，１０３のそれぞれは、バルブのシートリーク
による大気の混入を防止するために少なくとも３つのバ
ルブを介してガス供給部１１０およびガス排気部１１７
と接続されていればよい。よって、反応容器１０２，１
０３のそれぞれが、４つ以上のバルブを介してガス供給
部１１０およびガス排気部１１７と接続されていてもよ
い。

【００６２】図５〜図７のそれぞれは、図１に示したプ
ラズマ処理装置の他の変形例を模式的に示す図である。
図５〜図７に示したそれぞれのプラズマ処理装置は、図
４に示したプラズマ処理装置２０１の構成をさらに改良
したものである。

【００６３】図５に示すプラズマ処理装置３０１では、
３つのガス供給バルブ１２０，１０５，１０４のうちガ
ス供給部１１０側の２つのガス供給バルブ１２０，１０
５の間のガス流路にガス供給管１４１を介してガス供給
部１１０が接続されている。３つのガス供給バルブ１２
１，１０８，１０７のうちガス供給部１１０側の２つの
ガス供給バルブ１２１，１０８の間のガス流路には、ガ
ス供給管１４２を介してガス供給部１１０が接続されて
いる。また、３つのガス排気バルブ１１１，１１２，１
２２のうちガス排気部１１７側の２つのガス排気バルブ
１１２，１２２の間のガス流路には、ガス供給管１４３
を介してガス供給部１１０が接続されている。３つのガ
ス排気バルブ１１４，１１５，１２３のうちガス排気部
１１７側の２つのガス排気バルブ１１５，１２３の間の
ガス流路には、ガス供給管１４４を介してガス供給部１
１０が接続されている。

【００６４】このような構成のプラズマ処理装置３０１
では、反応容器１０２を着脱する際に、ガス供給バルブ
１０５と１２０の間やガス排気バルブ１１２と１２２の
間にガス供給部３１０より不活性ガスを充填してからそ
れらのバルブを全て閉じた後に、ガス供給接続部１０６
およびガス排気接続部１１３によって、それら接続部を
介して隣り合うバルブ同士を分離する。これにより、図
４のプラズマ処理装置２０１と比較して、バルブのシー
トリークによってガス供給部１１０内およびガス排気部
１１７内に大気が混入することを防止する効果がより高
くなる。同様に、反応容器１０３を着脱する際に、ガス
供給バルブ１０８と１２１の間やガス排気バルブ１１５
と１２３の間にガス供給部３１０より不活性ガスを充填
することにより、バルブのシートリークによるガス供給
部１１０内およびガス排気部１１７内への大気の混入を
防止することができる。したがって、ガス供給部１１０
は、ガス供給バルブ１０５，１２０間や、ガス供給バル
ブ１０８，１２１間、ガス排気バルブ１１２，１２２
間、ガス排気バルブ１１５，１２３間の各々のガス流路
内に不活性ガスを供給するためのガス供給装置でもあ
る。

【００６５】図６に示すプラズマ処理装置４０１では、
ガス供給部１１０側のガス供給バルブ１２０と１０５の
間のガス流路に、排気装置であるガス排気部１２６がガ
ス排気バルブ１２４を介して接続されている。ガス供給
バルブ１２１と１０８の間のガス流路にもガス排気部１
２６がガス排気バルブ１２５を介して接続されている。
また、ガス排気部１１７側のガス排気バルブ１１２と１
２２の間のガス流路には、排気装置であるガス排気部１
２９がガス排気バルブ１２７を介して接続されている。
ガス排気バルブ１１５と１２３の間のガス流路にもガス
排気部１２９がガス排気バルブ１２８を介して接続され
ている。

【００６６】このような構成のプラズマ処理装置４０１
では、反応容器１０２を着脱する際に、ガス供給バルブ
１０５と１２０の間のガス流路内にあるガスをガス排気
バルブ１２４を介してガス排気部１２６により真空排気
し、かつ、ガス排気バルブ１１２と１２２の間のガス流
路内にあるガスをガス排気バルブ１２７を介してガス排
気部１２９により真空排気した後に、ガス供給接続部１
０６およびガス排気接続部１１３によって、それら接続
部を介して隣り合うバルブ同士を分離する。これによ
り、図４のプラズマ処理装置２０１と比較して、バルブ
のシートリークによってガス供給部１１０内およびガス
排気部１１７内に大気が混入することを防止する効果が
より高くなる。同様に、反応容器１０３を着脱する際に
は、ガス供給バルブ１０８と１２１の間のガス流路内に
あるガスをガス排気バルブ１２５を介してガス排気部１
２６により真空排気したり、ガス排気バルブ１１５と１
２３の間のガス流路内にあるガスをガス排気バルブ１２
８を介してガス排気部１２９により真空排気したりす
る。これにより、バルブのシートリークによるガス供給
部１１０内およびガス排気部１１７内への大気の混入を
防止することができる。

【００６７】図７に示すプラズマ処理装置５０１では、
図６のプラズマ処理装置４０１と同様にガス排気バルブ
１１２と１２２の間のガス流路にガス排気バルブ１２７
を介してガス排気部１２９が接続され、排気バルブ１１
５と１２３の間のガス流路にガス排気バルブ１２８を介
してガス排気部１２９が接続されている。３つのガス供
給バルブ１２０，１０５，１０４におけるバルブ同士の
間や、３つのガス供給バルブ１２１，１０８，１０７に
おけるバルブ同士の間には、図４のプラズマ処理装置２
０１と同様にガス供給部やガス排気部が接続されていな
い。

【００６８】このような構成のプラズマ処理装置５０１
では、反応容器１０２での堆積膜形成後に、ガス供給バ
ルブ１０４および１０５を閉じてから、ガス供給部１１
０より不活性ガスをガス供給バルブ１２０側へと供給す
る。引き続いてガス供給バルブ１２０を閉じることによ
りガス供給バルブ１０５と１２０の間に不活性ガスを充
填する。次に、ガス排気バルブ１１１，１１２および１
２２を閉じ、ガス排気バルブ１２７を開けることによ
り、ガス排気バルブ１１２，１２２間を真空排気する。
このような構成および方法により、プラズマ処理装置５
０１に必要とされる装置構成がもっとも単純で、かつバ
ルブのシートリークによる大気の混入を防ぐ好ましい方
法が実現可能となる。

【００６９】ガス供給部１１０によって２つのバルブ間
のガス流路内に供給する不活性ガスとしては、ヘリウム
やアルゴン等の希ガスや窒素ガス等を用いることが好ま
しい。

【００７０】

【実施例】以下に、実施例によって本発明をさらに詳し
く説明する。

【００７１】（実施例１）本実施例では、図１に示した
プラズマ処理装置１０１において反応容器１０２，１０
３，１１９として図２の反応容器７０１と同様な構成の
容器を用いて、図３に示したような構成の電子写真用光
受容部材を成膜した。後述する以下の実施例２〜７にお
いても、反応容器１０２，１０３，１１９として図２の
反応容器７０１と同様な構成の容器を用いて電子写真用
光受容部材を成膜した。

【００７２】成膜の際には、反応容器７０１内のプラズ
マ処理空間７０６に、周波数が１００ＭＨｚの高周波電
力を高周波電源７０４により供給した。プラズマ処理空
間７０６内には、直径８０ｍｍのアルミニウム製の円筒
状基体７０９を同一円周上に６個配置した。反応容器７
０１の排気管７０２を、ガス排気バルブ７１９や、ガス
排気ガス排気接続部７２０、図１のガス排気接続部１１
３およびガス排気バルブ１１２を介してガス排気部１１
７に接続した。また、ガス供給管７１５を、ガス供給バ
ルブ７１７や、ガス供給接続部７１８、図１のガス供給
接続部１０６およびガス供給バルブ１０５を介してガス
供給部１１０に接続した。

【００７３】まず、反応容器１０２を用いて、次の表１
に示す成膜条件にしたがって、図３に示した層構成の電
子写真用光受容部材を成膜した。

【００７４】

【表１】

【００７５】その後、反応容器１０３を用いて同様な電
子写真用光受容部材を成膜しながら、反応容器１０２を
プラズマ処理装置１０１より切り離して、反応容器１０
２内より円筒状基体を取り出し、次の成膜に備えて反応
容器１０２内の構成部品を取り替えた。また、反応容器
１０２を切り離した後に、予め用意してあった反応容器
１１９をガス供給部１１０およびガス排気部１１７に接
続して反応容器１１９をプラズマ処理装置１０１に取り
付けた。同様な操作を交互に繰り返して、合計４回の成
膜を実施した。

【００７６】（比較例１）図８は、本発明のプラズマ処
理装置に対する比較例１のプラズマ処理装置の構成を模
式的に示す図である。図８に示される本比較例のプラズ
マ処理装置９０１には反応容器９０２が着脱可能に取り
付けられる。反応容器９０２は、ガス供給接続部９０６
を介して接続されたガス供給バルブ９０４，９０５、お
よびそれらを接続する配管を介してガス供給部９１０と
接続されている。また、反応容器９０２は、ガス排気接
続部９１３を介して接続されたガス排気バルブ９１１，
９１２、およびそれらを接続する配管を介してガス排気
部９１７と接続されている。このプラズマ処理装置９０
１には、反応容器９０２内に所定の電力を供給するため
の電源９１８が備えられている。

【００７７】本比較例においては、図８に示される構成
のプラズマ処理装置９０１において反応容器９０２とし
て図２の反応容器７０１と同様な構成の容器を用いて電
子写真用光受容部材を成膜した。

【００７８】まず、プラズマ処理装置９０１で反応容器
９０２を用いて実施例１と同様に電子写真用光受容部材
を成膜した。その後、反応容器９０２をプラズマ処理装
置９０１より切り離して、反応容器９０２より円筒状基
体を取り出し、次の成膜に備えて反応容器９０２内の構
成部品を取り替えた。また、反応容器９０２を取り外し
た後に、予め用意してあった別の反応容器をプラズマ処
理装置９０１に取り付け、同様に電子写真用光受容部材
の成膜を開始した。同様な操作を交互に繰り返して、合
計４回の成膜を実施した。

【００７９】実施例１および比較例１で実施した電子写
真用光受容部材のプラズマ処理を次の方法で評価した。

【００８０】まず、各々のプラズマ処理方法を実行する
のにかかる時間を評価した。その結果、比較例１のプラ
ズマ処理でかかった時間に対して、実施例１でかかった
時間の割合は約０．８４となり、実施例１の方が比較例
１よりもプラズマ処理でかかる時間が少なかった。

【００８１】さらに、実施例１および比較例１の各々の
プラズマ処理方法を実行するにあたっての作業量を評価
した。その結果、実施例１と比較例１においてプラズマ
処理を実施するのに必要とされる作業量に有意差は認め
られなかったが、プラズマ処理中に作業工程の流れを柔
軟に変更可能な時間（作業手順を変更しても弊害が発生
しない作業時間）は、比較例１に対する実施例１の割合
は約１．２６となり、実施例１の方が比較例１よりも多
かった。

【００８２】次に、各々のプラズマ処理方法で作製した
電子写真用光受容部材を電子写真装置（キヤノン株式会
社製のＮＰ６２５０を実験用に改造したもの）にセット
し、キヤノン株式会社製のＴＥＳＴ ＳＨＥＥＴ ＮＡ
−７（Ａ）（部品番号：ＦＹ９−９０６０Ａ−０１
０）、キヤノン株式会社製のＧ−ＴＥＳＴ ＳＨＥＥＴ
−Ａ（部品番号：ＴＫＮ−０２９３）およびキヤノン株
式会社製Ｇ−ＴＥＳＴ ＳＨＥＥＴ−Ｃ（部品番号：Ｆ
Ｙ９−９０４２−０２０）を用いて、コピーしたときに
得られたコピー画像の画質を評価した。その結果、実施
例１と比較例１の電子写真用光受容部材で同等の画質で
あり、一方の反応容器で成膜中に、もう一方の反応容器
を入れ替えても、電子写真用光受容部材の特性に、問題
となるような影響を与えることが無いことが確認され
た。

【００８３】以上の結果より、本発明のプラズマ処理装
置および処理方法に従えば、生産性が高く、作業性に優
れたプラズマ処理を実施できることが判明した。

【００８４】（実施例２）本実施例においては、図４に
示したプラズマ処理装置２０１を用い、反応容器１０
２，１０３，１１９を用いて電子写真用光受容部材を成
膜した。反応容器１０２，１０３，１１９内の基体に対
するプラズマ処理は実施例１と同様にして行った。次で
は、第１の実施例と異なる動作について説明する。

【００８５】まず、反応容器１０２を用いてその容器内
の基体上に電子写真用光受容部材を成膜した後に、ガス
供給バルブ１２０を閉じ、ガス供給バルブ１２０からガ
ス排気部１１７までをガス排気部１１７により一旦高真
空に排気する。次に、ガス供給バルブ１０４，１０５お
よびガス排気バルブ１１１，１１２，１２２を閉じるこ
とにより、ガス供給バルブ１０５，１２０間およびガス
排気バルブ１１２，１２２間を真空状態にする。次に、
反応容器１０２をプラズマ処理装置２０１より切り離し
た。それ以外は実施例１と同様な方法により、合計４回
の成膜を実施した。

【００８６】（実施例３）本実施例においても、図４に
示したプラズマ処理装置２０１を用い、反応容器１０
２，１０３，１１９を用いて電子写真用光受容部材を成
膜した。反応容器１０２，１０３，１１９内の基体に対
するプラズマ処理は実施例１と同様にして行った。次で
は、第１の実施例と異なる動作について説明する。

【００８７】まず、反応容器１０２を用いてその容器内
の基体上に電子写真用光受容部材を成膜した後に、ガス
供給バルブ１０４およびガス排気バルブ１１１を閉じ、
ガス供給部１１０からガス供給バルブ１０４までに、ガ
ス供給部１１０より不活性ガスを充填する。次に、ガス
供給バルブ１０５，１２０を閉じてガス供給バルブ１０
５，１２０間に不活性ガスを充填し、さらにガス排気バ
ルブ１１１からガス排気部１１７までをガス排気部１１
７により一旦高真空に排気する。次に、ガス排気バルブ
１１２，１２２を閉じることにより、ガス排気バルブ１
１２，１２２間を真空状態にする。次に、反応容器１０
２をプラズマ処理装置２０１より切り離した。それ以外
は、実施例１と同様な方法により、合計４回の成膜を実
施した。尚、ガス供給部１１０より供給する不活性ガス
としては、１回目はＨｅ、２回目はＡｒ、３回目および
４回目は窒素を用い、更に４回目の反応容器１０３での
プラズマ処理中に、ガス供給バルブ１０５のシートリー
クを想定してガス供給バルブ１０５を一旦開閉する操作
を行い、ガス供給バルブ１０５，１２０間に大気を混入
させた。

【００８８】実施例２および３で実施した電子写真用光
受容部材のプラズマ処理を実施例１と同様に評価した。
その結果、プラズマ処理方法を実行するのにかかる時
間、プラズマ処理方法を実行するにあたっての作業量、
プラズマ処理中に作業工程の流れを柔軟に変更可能な時
間（作業手順を変更しても弊害が発生しない作業時
間）、および電子写真用光受容部材の画質のいずれにお
いても実施例１と同等の結果が得られた。よって、ガス
供給部１１０側のガス供給バルブ１０５，１２０間を真
空状態に保持、またはガス供給バルブ１０５，１２０間
に不活性ガスを充填したり、ガス排気部１１７側のガス
排気バルブ１１２，１２２間を真空状態に保持しても、
問題となるような影響をプラズマ処理に与えることはな
かった。また、万一、いずれかのバルブにシートリーク
が発生した場合に、プラズマ処理に影響を及ぼすことを
防止できることが確認された。

【００８９】以上の結果より、本発明のプラズマ処理装
置および処理方法に従えば、生産性が高く、作業性や安
定性に優れたプラズマ処理を実施できることが判明し
た。

【００９０】（実施例４）本実施例においては、図５に
示したプラズマ処理装置３０１を用い、反応容器１０
２，１０３，１１９を用いて電子写真用光受容部材を成
膜した。反応容器１０２，１０３，１１９内の基体に対
するプラズマ処理は実施例１と同様にして行った。次で
は、第１の実施例と異なる動作について説明する。

【００９１】まず、反応容器１０２を用いてその容器内
の基体上に電子写真用光受容部材を成膜した後に、ガス
供給バルブ１０５，１２０を閉じ、ガス供給部１１０よ
りガス供給バルブ１０５，１２０間に不活性ガスを充填
する。次に、ガス排気バルブ１１２，１２２を閉じ、ガ
ス供給部１１０よりガス排気バルブ１１２，１２２間に
不活性ガスを充填する。次に、反応容器１０２をプラズ
マ処理装置３０１より切り離した。それ以外は、実施例
１と同様な方法により、合計４回の成膜を実施した。
尚、ガス供給部１１０より供給する不活性ガスとして
は、１回目はＨｅ、２回目はＡｒ、３回目および４回目
は窒素を用い、更に４回目の反応容器１０３でのプラズ
マ処理中に、ガス供給バルブ１０５およびガス排気バル
ブ１１２のシートリークを想定してガス供給バルブ１０
５およびガス排気バルブ１１２を一旦開閉する操作を行
い、ガス供給バルブ１０５，１２０間およびガス排気バ
ルブ１１２，１２２間に大気を混入させた。

【００９２】実施例４で実施した電子写真用光受容部材
のプラズマ処理を実施例１と同様に評価した。その結
果、プラズマ処理方法を実行するのにかかる時間、プラ
ズマ処理方法を実行するにあたっての作業量、プラズマ
処理中に作業工程の流れを柔軟に変更可能な時間（作業
手順を変更しても弊害が発生しない作業時間）、および
電子写真用光受容部材の画質のいずれにおいても実施例
１と同等の結果が得られた。よって、ガス供給バルブ間
およびガス排気バルブ間に不活性ガスを充填しても、問
題となるような影響をプラズマ処理に与えることはなか
った。また、万一、いずれかのバルブにシートリークが
発生した場合に、プラズマ処理に影響を及ぼすことを防
止できることが確認された。

【００９３】以上の結果より、本発明のプラズマ処理装
置および処理方法に従えば、生産性が高く、作業性や安
定性に優れたプラズマ処理を実施できることが判明し
た。

【００９４】（実施例５）本実施例においては、図６に
示したプラズマ処理装置４０１を用い、反応容器１０
２，１０３，１１９を用いて電子写真用光受容部材を成
膜した。反応容器１０２，１０３，１１９内の基体に対
するプラズマ処理は実施例１と同様にして行った。次で
は、第１の実施例と異なる動作について説明する。

【００９５】まず、反応容器１０２を用いてその容器内
の基体上に電子写真用光受容部材を成膜した後に、ガス
供給バルブ１０５，１２０を閉じ、ガス排気バルブ１２
４を開けてガス供給バルブ１０５，１２０間をガス排気
部１２６により真空排気する。次に、ガス排気バルブ１
１２，１２２を閉じ、ガス排気バルブ１２７を開けてガ
ス排気バルブ１１２，１２２間をガス排気部１２９によ
り真空排気する。次に、反応容器１０２をプラズマ処理
装置４０１より切り離した。それ以外は、実施例１と同
様な方法により、合計４回の成膜を実施した。尚、４回
目の反応容器１０３でのプラズマ処理中に、ガス供給バ
ルブ１０５のシートリークを想定してガス排気バルブ１
２４を閉じガス供給バルブ１０５を一旦開閉する操作を
行い、ガス供給バルブ１０５，１２０間に大気を混入さ
せた。

【００９６】実施例５で実施した電子写真用光受容部材
のプラズマ処理を実施例１と同様に評価した。その結
果、プラズマ処理方法を実行するのにかかる時間、プラ
ズマ処理方法を実行するにあたっての作業量、プラズマ
処理中に作業工程の流れを柔軟に変更可能な時間（作業
手順を変更しても弊害が発生しない作業時間）、および
電子写真用光受容辞材の画質のいずれにおいても実施例
１と同等の結果が得られた。よって、ガス供給バルブ間
およびガス排気バルブ間を真空排気しても、問題となる
ような影響をプラズマ処理に与えることはなかった。ま
た、万一、いずれかのバルブにシートリークが発生した
場合に、プラズマ処理に影響を及ぼすことを防止できる
ことが確認された。

【００９７】以上の結果より、本発明のプラズマ処理装
置および処理方法に従えば、生産性が高く、作業性や安
定性に優れたプラズマ処理を実施できることが判明し
た。

【００９８】（実施例６）本実施例においては、図７に
示したプラズマ処理装置５０１を用い、反応容器１０
２，１０３，１１９を用いて電子写真用光受容部材を成
膜した。反応容器１０２，１０３，１１９内の基体に対
するプラズマ処理は実施例１と同様にして行った。次で
は、第１の実施例と異なる動作について説明する。

【００９９】まず、反応容器１０２を用いてその容器内
の基体上に電子写真用光受容部材を成膜した後に、ガス
供給バルブ１０４を閉じ、ガス供給部１１０からガス供
給バルブ１０４までに、ガス供給部１１０より不活性ガ
スを充填する。次に、ガス供給バルブ１０５，１２０を
閉じてガス供給バルブ１０５，１２０間に不活性ガスを
充填する。次に、ガス排気バルブ１１２，１２２を閉
じ、ガス排気バルブ１２７を開けてガス排気バルブ１１
２，１２２間をガス排気部１２９により真空排気する。
次に、反応容器１０２をプラズマ処理装置５０１より切
り離した。それ以外は、実施例１と同様な方法により、
合計４回の成膜を実施した。尚、ガス供給部１１０より
供給する不活性ガスとしては、１回目はＨｅ、２回目は
Ａｒ、３回目および４回目は窒素を用い、更に４回目の
反応容器１０３でのプラズマ処理中に、ガス供給バルブ
１０５のシートリークを想定してガス供給バルブ１０５
を一旦開閉する操作を行い、ガス供給バルブ１０５，１
２０間に大気を混入させた。

【０１００】実施例６で実施した電子写真用光受容部材
のプラズマ処理を実施例１と同様に評価した。その結
果、プラズマ処理方法を実行するのにかかる時間、プラ
ズマ処理方法を実行するにあたっての作業量、プラズマ
処理中に作業工程の流れを柔軟に変更可能な時間（作業
手順を変更しても弊害が発生しない作業時間）、および
電子写真用光受容部材の画質のいずれにおいても実施例
１と同等の結果が得られた。よって、ガス供給バルブ間
に不活性ガスを充填し、ガス排気バルブ間を真空状態に
保持しても、問題となるような影響をプラズマ処理に与
えることはなかった。また、万一、いずれかのバルブに
シートリークが発生した場合に、プラズマ処理に影響を
及ぼすことを防止できることが確認された。

【０１０１】以上の結果より、本発明のプラズマ処理装
置および処理方法に従えば、生産性が高く、作業性や安
定性に優れたプラズマ処理を実施できることが判明し
た。

【０１０２】（実施例７）図９は、本発明に係る実施例
７のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す図である。
図９に示されるプラズマ処理装置６０１では、ガス供給
バルブ１２０，１０５の間のガス流路にガス供給管およ
び加熱ガス供給バルブ１３０を介してガス供給部１１０
が接続され、ガス供給バルブ１２１，１０８の間のガス
流路に、ガス供給管および加熱ガス供給バルブ１３１を
介してガス供給部１１０が接続されている。また、プラ
ズマ処理装置６０１では、図６および図７に示したプラ
ズマ処理装置のようにガス排気バルブ１１２と１２２の
間のガス流路にガス排気バルブ１２７を介してガス排気
部１２９が接続され、ガス排気バルブ１１５と１２３の
間のガス流路にガス排気バルブ１２８を介してガス排気
部１２９が接続されている。このような構成のプラズマ
処理装置６０１では、反応容器１０２，１０３内の基体
に対してプラズマ処理を行う前に、ガス供給部１１０か
ら供給される加熱用ガスによって反応容器１０２，１０
３内の基体を加熱することができる構成となっている。
反応容器１０２内の基体を加熱する際には、加熱ガス供
給バルブ１３０、ガス供給接続部１０６およびガス供給
バルブ１０４を通してガス供給部１１０より加熱用ガス
が反応容器１０２内に供給される。また、反応容器１０
３内の基体を加熱する際には、加熱ガス供給バルブ１３
１、ガス供給接続部１０９およびガス供給バルブ１０７
を通してガス供給部１１０より加熱用ガスが反応容器１
０３内に供給される。そして、供給された加熱用ガス
が、反応容器１０３に内蔵されたヒーターなどの加熱手
段によって加熱されることにより、反応容器１０３内の
基体が加熱される。したがって、ガス供給部１１０は、
加熱用ガスを反応容器内に供給するための加熱用ガス供
給部でもある。

【０１０３】本実施例においては、この図９に示したプ
ラズマ処理装置６０１を用い、反応容器１０２，１０
３，１１９を用いて電子写真用光受容部材を成膜した。
反応容器１０２，１０３，１１９内の基体に対するプラ
ズマ処理は実施例１と同様にして行った。次では、第１
の実施例と異なる動作について説明する。

【０１０４】まず、反応容器１０２を用いてその容器内
の基体上に電子写真用光受容部材を成膜した後に、ガス
供給バルブ１０４を閉じ、ガス供給部１１０からガス供
給バルブ１０４までの間にガス供給部１１０よりＨｅガ
スを充填する。次に、ガス供給バルブ１０５，１２０を
閉じてガス供給バルブ１０５，１２０間にＨｅガスを充
填する。次に、ガス排気バルブ１１２，１２２を閉じ、
ガス排気バルブ１２７を開けてガス排気バルブ１１２，
１２２間をガス排気部１２９により真空排気する。次
に、反応容器１０２をプラズマ処理装置６０１より切り
離し、その後、予め用意してあった反応容器（不図示）
をプラズマ処理装置６０１に取り付ける。次に、加熱ガ
ス供給バルブ１３０，１０４およびガス排気バルブ１１
１，１１２を開けて、ガス供給部１１０より加熱用ガス
としてＡｒガスを流しながら反応容器内の基体を加熱手
段により加熱する。それ以外は、実施例１と同様な方法
により、合計４回の成膜を実施した。

【０１０５】実施例７で実施した電子写真用光受容部材
のプラズマ処理を実施例１と同様に評価した。その結
果、プラズマ処理方法を実行するのにかかる時間、プラ
ズマ処理方法を実行するにあたっての作業量、プラズマ
処理中に作業工程の流れを柔軟に変更可態な時間（作業
手順を変更しても弊害が発生しない作業時間）、および
電子写真用光受容部材の画質のいずれにおいても実施例
１と同等の結果が得られた。よって、一方の反応容器で
プラズマ処理を実施中に、もう一方の反応容器で基体の
加熱を実施しても、問題となるような影響をプラズマ処
理に与えることはなく、また、反応容器内の基体を予め
加熱するための設備が不要にできることが確認された。

【０１０６】以上の結果より、本発明のプラズマ処理装
置および処理方法に従えば、生産性が高く、作業性に優
れたプラズマ処理を実施できることが判明した。

【０１０７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
処理方法によれば、複数の反応容器を交替で用いてプラ
ズマ処理を行うために、一方の反応容器を用いてプラズ
マ処理を行っている間に他方の反応容器をガス排気部お
よびガス供給部に接続することにより、一方の反応容器
でのプラズマ処理の終了後に、他方の反応容器でプラズ
マ処理を直ちに開始することができるため、製造工程で
反応容器の取り付けに必要とされる時間、すなわち製造
工程中でのデッドタイムを大幅に削減することができる
という効果がある。また、反応容器を用いてプラズマ処
理を行っている間に、既にプラズマ処理が終了した反応
容器をガス排気部およびガス供給部から取り外し、か
つ、プラズマ処理が行われている反応容器とは異なる別
の反応容器をガス排気部およびガス供給部に接続するこ
とにより、次回のプラズマ処理の準備を短時間に整える
ことができる。このように一方の反応容器を用いてプラ
ズマ処理を行っている間に他方の反応容器をガス排気部
およびガス供給部と着脱可能にするためには、ガス供給
部およびガス排気部に対する反応容器の接続部分を複数
設けるという比較的簡単な改造で済み、少ない設備投資
額でプラズマ処理の生産性を高くできる。さらには、１
つの反応容器でのプラズマ処理が終了後、直ちにもう１
つの反応容器でプラズマ処理を開始するという作業工程
以外には作業工程の流れが固定されていないので、状況
に応じて作業工程の流れを柔軟に変更し、作業者を有効
に活用することが可能となる。その結果、作業工程の流
れが固定化されることにより作業工程間に発生する空き
時間を短縮することが可能となり、作業性や生産性を改
善することが可能となる。

【０１０８】また、上記のプラズマ処理方法において、
ガス排気部に反応容器を接続する際には、直列に接続さ
れた３つのバルブを介してそれらを接続し、ガス排気部
から反応容器を取り外す際には、それら３つのバルブに
おけるガス排気部側の２つのバルブ間のガス流路内に不
活性ガスを充填してから、あるいはそのガス流路内にあ
る気体を真空排気してから前記３つのバルブの各々を閉
じた後に中央のバルブと反応容器側のバルブとを分離す
ることにより、バルブのシートリークによってガス排気
部内および反応容器内への大気の混入が防止されるの
で、プラズマ処理の特性が維持されるとともに、その特
性のばらつきが防止される。したがって、高品質なプラ
ズマ処理を行うことが可能となり、プラズマ処理をする
際の安全性も確保される。その結果、生産性が高く高品
質なプラズマ処理を、少ない設備投資額で行うことが可
能であり、作業性や安定性に優れたプラズマ処理を実施
できるという効果がある。ガス供給部と反応容器との接
続個所においても、ガス排気部と同様に、直列に接続さ
れた３つのバルブを用いることにより、バルブのシート
リークによってガス供給部内および反応容器内への大気
の混入が防止されるので、プラズマ処理の特性が維持さ
れるとともに、その特性のばらつきが防止される。

【０１０９】また、本発明のプラズマ処理装置によれ
ば、複数の反応容器のうち、ガス排気部およびガス供給
部に専用の開閉装置を介して接続された１つの反応容器
を用いてプラズマ処理を行っている間に、他の反応容器
がそれ専用の開閉装置を介してガス排気部およびガス供
給部と接続可能、かつガス排気部およびガス供給部から
取り外し可能であることにより、その処理装置において
上記のようなプラズマ処理方法を用いることで、生産性
が高く高品質なプラズマ処理装置が、少ない設備投資額
で実現され、また、作業性や安定性に優れたプラズマ処
理装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のプラズマ処理方法につい
て説明するための図である。

【図２】図１に示したプラズマ処理装置の一例として、
反応容器内の基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置
の一部を示す図である。

【図３】図２に基づいて説明した堆積膜形成装置により
形成された堆積膜の一例として電子写真用光受容部材の
構成を示す断面図である。

【図４】図１に示したプラズマ処理装置の変形例を模式
的に示す図である。

【図５】図１に示したプラズマ処理装置の他の変形例を
模式的に示す図である。

【図６】図１に示したプラズマ処理装置の他の変形例を
模式的に示す図である。

【図７】図１に示したプラズマ処理装置の他の変形例を
模式的に示す図である。

【図８】本発明のプラズマ処理装置に対する比較例１の
プラズマ処理装置の構成を模式的に示す図である。

【図９】本発明に係る実施例７のプラズマ処理装置の構
成を模式的に示す図である。

【符号の説明】

１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、９
０１ プラズマ処理装置 １０２、１０３、１１９、７０１、９０２ 反応容器 １０４、１０５、１０７、１０８、１２０、１２１、７
１７、９０４、９０５ガス供給バルブ １０６、１０９、７１８、９０６ ガス供給接続部 １１０、９１０ ガス供給部 １１１、１１２、１１４、１１５、１２２、１２３、１
２４、１２５、１２７、１２８、７１９、９１１、９１
２ ガス排気バルブ １１３、１１６、７２０、９１３ ガス排気接続部 １１７、１２６、１２９、９１７ ガス排気部 １１８、９１８ 電源 １３０、１３１ 加熱ガス供給バルブ １４１、１４２、１４３、１４４ ガス供給管 ７０２ 排気管 ７０３ 電極 ７０４ 高周波電源 ７０５ マッチングボックス ７０６ プラズマ処理空間 ７０７ 隔壁 ７０８ 底面 ７０９ 円筒状基体 ７１０ 軸 ７１１ 発熱体 ７１２ モーター ７１３ 減速ギア ７１４ 蓋 ７１５ ガス供給管 ７１６ コンデンサー ８００ 電子写真用光受容部材 ８０１ 基体 ８０２ 電荷注入阻止層 ８０３ 光導電層 ８０４ 表面層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細井 一人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 田澤 大介 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 村山 仁 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 白砂 寿康 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 大塚 崇志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 DA23 EA24 EA30 4K030 AA06 AA09 AA17 BA30 CA02 CA16 FA01 KA05 KA08 LA17 5F004 AA16 BB13 BB19 BB24 BC02 BC03 BD04 5F045 AA08 AB04 AC01 AD06 AE15 AF10 BB08 BB10 BB14 CA13 CA15 CA16 DP25 DP28 DQ04 DQ14 EE01 EG01 EH12 EK10

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体を収容した反応容器内の気体を、該
   反応容器に着脱可能に接続されたガス排気部により排気
   した後に、前記反応容器に着脱可能に接続されたガス供
   給部により前記反応容器内にプラズマ処理用のガスを導
   入するととともに、前記反応容器内に放電電力を供給
   し、前記反応容器内で前記放電電力によって前記ガスを
   分解することによりプラズマを発生させて前記基体にプ
   ラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、 複数の前記反応容器を交替で用いて前記プラズマ処理を
   行うために、複数の前記反応容器のうち、前記ガス排気
   部および前記ガス供給部に接続された１つの反応容器を
   用いてプラズマ処理を行っている間に、他の反応容器を
   前記ガス排気部および前記ガス供給部に接続する段階
   と、 プラズマ処理が行われている前記反応容器のプラズマ処
   理が終了した後に、前記ガス排気部および前記ガス供給
   部に接続された前記他の反応容器を用いてプラズマ処理
   を行う段階と、 前記他の反応容器を用いてプラズマ処理を行っている間
   に、前記ガス排気部および前記ガス供給部からの、プラ
   ズマ処理が終了した前記反応容器の取り外し、および前
   記ガス排気部および前記ガス供給部への、プラズマ処理
   が行われている前記他の反応容器とは異なる別の反応容
   器の接続を行う段階とを有することを特徴とするプラズ
   マ処理方法。
2. 【請求項２】 前記ガス排気部に前記反応容器を接続す
   る際には、直列に接続された３つのバルブを介して前記
   ガス排気部に前記反応容器を接続し、 前記ガス排気部から前記反応容器を取り外す際には、前
   記３つのバルブにおける前記ガス排気部側の２つの前記
   バルブ間のガス流路内に不活性ガスを充填してから前記
   ３つのバルブの各々を閉じた後に前記３つのバルブにお
   ける中央のバルブと前記反応容器側のバルブとを分離す
   る請求項１に記載のプラズマ処理方法。
3. 【請求項３】 前記ガス排気部に前記反応容器を接続す
   る際には、直列に接続された３つのバルブを介して前記
   ガス排気部に前記反応容器を接続し、 前記ガス排気部から前記反応容器を取り外す際には、前
   記３つのバルブにおける前記ガス排気部側の２つの前記
   バルブ間のガス流路内にある気体を真空排気してから前
   記３つのバルブの各々を閉じた後に前記３つのバルブに
   おける中央のバルブと前記反応容器側のバルブとを分離
   する請求項１に記載のプラズマ処理方法。
4. 【請求項４】 前記ガス供給部に前記反応容器を接続す
   る際には、直列に接続された３つのバルブを介して前記
   ガス供給部に前記反応容器を接続し、 前記ガス供給部から前記反応容器を取り外す際には、前
   記３つのバルブにおける前記ガス供給部側の２つの前記
   バルブ間のガス流路内に不活性ガスを充填してから前記
   ３つのバルブの各々を閉じた後に前記３つのバルブにお
   ける中央のバルブと前記反応容器側のバルブとを分離す
   る請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ処理方
   法。
5. 【請求項５】 前記ガス供給部に前記反応容器を接続す
   る際には、直列に接続された３つのバルブを介して前記
   ガス供給部に前記反応容器を接続し、 前記ガス供給部から前記反応容器を取り外す際には、前
   記３つのバルブにおける前記ガス供給部側の２つの前記
   バルブ間のガス流路内にある気体を真空排気してから前
   記３つのバルブの各々を閉じた後に前記３つのバルブに
   おける中央のバルブと前記反応容器側のバルブとを分離
   する請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ処理
   方法。
6. 【請求項６】 前記他の反応容器とは異なる別の反応容
   器の接続を行った後に、接続された該反応容器内に加熱
   用ガスを供給する段階をさらに有する請求項１〜５のい
   ずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
7. 【請求項７】 前記反応容器内の基体にプラズマ処理を
   行う工程では、前記ガスとして、前記基体上に堆積膜を
   形成するための原料ガスを用いる請求項１〜６のいずれ
   か１項に記載のプラズマ処理方法。
8. 【請求項８】 前記反応容器内の基体にプラズマ処理を
   行う工程では、前記ガスとして、前記基体の少なくとも
   一部をエッチングするためのものを用いる請求項１〜６
   のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
9. 【請求項９】 基体を収容する反応容器と、該反応容器
   に着脱可能に接続され、前記反応容器内の気体を排気す
   るガス排気部と、前記反応容器に着脱可能に接続され、
   前記反応容器内にガスを導入するガス供給部と、前記反
   応容器内に導入された前記ガスを分解することによりプ
   ラズマを発生させて前記反応容器内の前記基体にプラズ
   マ処理を行うために前記反応容器内に放電電力を供給す
   る電源とを有するプラズマ処理装置において、 前記反応容器を複数有し、複数の前記反応容器のうち、
   前記ガス排気部および前記ガス供給部の各々に専用の開
   閉装置を介して接続された１つの反応容器を用いてプラ
   ズマ処理を行っている間に、他の反応容器がそれ専用の
   開閉装置を介して前記ガス排気部および前記ガス供給部
   と接続可能、かつ前記ガス排気部および前記ガス供給部
   から取り外し可能であることを特徴とするプラズマ処理
   装置。
10. 【請求項１０】 前記ガス排気部に前記反応容器を接続
    する前記専用の開閉装置が、少なくとも３つのバルブが
    直列に接続されて構成されたものである請求項９に記載
    のプラズマ処理装置。
11. 【請求項１１】 前記専用の開閉装置を構成する少なく
    とも３つのバルブのうち、前記ガス排気部側の少なくと
    も２つのバルブ間のガス流路内に不活性ガスを供給する
    ためのガス供給装置を有する請求項１０に記載のプラズ
    マ処理装置。
12. 【請求項１２】 前記専用の開閉装置を構成する少なく
    とも３つのバルブのうち、前記ガス排気部側の少なくと
    も２つのバルブ間のガス流路内にある気体を真空排気す
    るための排気装置を有する請求項１０に記載のプラズマ
    処理装置。
13. 【請求項１３】 前記ガス供給部に前記反応容器を接続
    する前記専用の開閉装置が、少なくとも３つのバルブが
    直列に接続されて構成されたものである請求項９〜１２
    のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
14. 【請求項１４】 前記専用の開閉装置を構成する少なく
    とも３つのバルブのうち、前記ガス供給部側の少なくと
    も２つのバルブ間のガス流路内に不活性ガスを供給する
    ためのガス供給装置を有する請求項１３に記載のプラズ
    マ処理装置。
15. 【請求項１５】 前記専用の開閉装置を構成する少なく
    とも３つのバルブのうち、前記ガス供給部側の少なくと
    も２つのバルブ間のガス流路内にある気体を真空排気す
    るための排気装置を有する請求項１３に記載のプラズマ
    処理装置。
16. 【請求項１６】 前記ガス供給部と前記反応容器との間
    のガス流路に接続され、前記反応容器内の基体を加熱す
    るための加熱用ガスを前記反応容器内に供給する加熱用
    ガス供給部を有する請求項９〜１５のいずれか１項に記
    載のプラズマ処理装置。
17. 【請求項１７】 前記ガス供給部からの前記ガスが、前
    記基体上に堆積膜を形成するための原料ガスである請求
    項９〜１６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
18. 【請求項１８】 前記ガス供給部からの前記ガスが、前
    記基体の少なくとも一部をエッチングするためのもので
    ある請求項９〜１６のいずれか１項に記載のプラズマ処
    理装置。
19. 【請求項１９】 基体を収容した第１の反応容器をガス
    排気部およびプラズマ処理用のガス供給部のそれぞれに
    第１の接続部で着脱可能に接続する段階と、 前記第１の反応容器内のガスに放電電力を供給すること
    によって前記ガスを分解してプラズマを発生させ、前記
    基体にプラズマ処理を行う段階と、 前記第１の反応容器によりプラズマ処理を行っている間
    に、第２の反応容器を前記ガス排気部および前記ガス供
    給部のそれぞれに第２の接続部で接続する段階と、 前記第１の反応容器のプラズマ処理が終了した後に、前
    記第２の反応容器内のガスに放電電力を供給してプラズ
    マ処理を行う段階とを有するプラズマ処理方法。
20. 【請求項２０】 基体を収容可能な第１の反応容器をガ
    ス排気部およびプラズマ処理用のガス供給部のそれぞれ
    に着脱可能に接続するための第１の接続部と、 基体を収容可能な第２の反応容器を前記ガス排気部およ
    び前記ガス供給部のそれぞれに、前記第１の反応容器と
    は独立して着脱可能に接続するための第２の接続部と、 前記第１または第２の反応容器に選択的に放電電力を供
    給することにより、前記第１および第２の反応容器に供
    給されたガスを放電分解するための電源とを有するプラ
    ズマ処理装置。