KR20010082530A - Ｅｌ 디스플레이 디바이스 및 그를 제작하는 방법 - Google Patents

Ｅｌ 디스플레이 디바이스 및 그를 제작하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010082530A
KR20010082530A KR1020000059777A KR20000059777A KR20010082530A KR 20010082530 A KR20010082530 A KR 20010082530A KR 1020000059777 A KR1020000059777 A KR 1020000059777A KR 20000059777 A KR20000059777 A KR 20000059777A KR 20010082530 A KR20010082530 A KR 20010082530A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting layer
pixel
blue light
red light
Prior art date
Application number
KR1020000059777A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100678361B1 (ko
Inventor
야마자키순페이
야마모토구니타카
히로키마사아키
후쿠나가다케시
Original Assignee
야마자끼 순페이
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마자끼 순페이, 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 filed Critical 야마자끼 순페이
Publication of KR20010082530A publication Critical patent/KR20010082530A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100678361B1 publication Critical patent/KR100678361B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Abstract

폴리머(polymer)로 구성된 유기체 EL 물질을 위치 쉬프트 없이 정확하게 막 피착하기 위한 높은 처리 량의 막 피착 수단이 제공된다. 픽셀(pixel) 부분은 뱅크(bank)에 의해 다수의 픽셀 열로 나뉘고, 박막 피착 장치의 헤드(head) 부분은 픽셀 열을 따라 주사되어, 그에 의해 적색 발광층 적용 액체, 녹색 발광층 적용 액체, 및 청색 발광층 적용 액체를 스트라이프(stripe) 형태로 동시에 적용한다. 이어서, 열처리가 실행되고, 그에 의해 적색, 녹색, 및 청색을 각각 발하는 발광층을 형성하게 된다.

Description

ＥＬ 디스플레이 디바이스 및 그를 제작하는 방법{EL display device and a method of manufacturing the same}
본 발명은 기판 상에 형성되어, 양극과 음극 사이에 샌드위치형으로 위치하는 EL(Electro Luminescence)을 구할 수 있는 발광 유기체 물질(이후 유기체 EL 물질이라 칭하여지는)로 구성된 EL 소자를 구비하는 EL 디스플레이 디바이스, 및 디스플레이 부분(디스플레이 또는 디스플레이 모니터)으로 EL 디스플레이 디바이스를 갖는 전자 디바이스(전자 장비)를 제작하는 방법에 관한 것이다. 상술된 EL 디스플레이 디바이스는 또한 OLED(Organic Light Emitting Diode)라 칭하여짐을 주목하여야 한다.
최근에는 발광 유기체 물질의 EL 현상을 사용하는 자체 발광 소자로 EL 소자를 사용하는 디스플레이 디바이스(EL 디스플레이 디바이스)의 개발이 진행중이다. EL 디스플레이 디바이스는 자체 발광형이므로, 액정 디스플레이 디바이스와 같이 백라이트(backlight)를 사용할 필요가 없다. 더욱이, EL 디스플레이 디바이스의 시청 각도가 더 넓기 때문에, 외부에서 사용하기 위한 이동 장비의 전망 있는 디스플레이 부분으로 생각된다.
EL 디스플레이 디바이스는 2 종류, 즉 수동형(단순 매트릭스형) 및 활성형(활성 매트릭스형)이 있다. 두 종류의 EL 디스플레이 디바이스의 개발은 적극적으로 진행되고 있다. 특히, 활성 매트릭스 EL 디스플레이 디바이스는 현재 많은 주목을 받고 있다. EL 소자의 코어(core)로 간주될 수 있는 발광층을 형성하는 유기체 EL 물질로 저분자 유기체 EL 물질 및 고분자 유기체 EL 물질(유기체 폴리머(polymer) EL 물질)에 대해 연구가 이루어지고 있다. 고분자 유기체 EL 물질은 저분자 유기체 EL 물질 보다 다루기 쉽고 높은 열 저항 특징을 갖기 때문에 더 많은 관심을 받고 있다.
고분자 유기체 EL 물질의 막 피착 방법으로는 Seiko Epson사에 의해 제안된 잉크젯(ink-jet) 방법이 좋은 방법으로 생각된다. 일본 특허 출원 공개 번호 Hei 10-12377, 일본 특허 출원 공개 번호 Hei 10-153967, 및 일본 특허 출원 공개 번호 Hei 11-54270 등은 이 기술에 관련되어 참고될 수 있다.
그러나, 잉크젯 방법에서는 고분자 유기체 EL 물질이 적용 표면 상에 스프레이 된다. 그래서, 적용 표면과 잉크젯 헤드의 노즐 사이의 거리가 적절하게 설정되지 않으면, 적용될 필요가 없는 부분에도 용액 방울이 분사되어, 비행 곡선(aviation curve)이라 공지된 문제점을 일으키게 된다. 비행 곡선에 대해 상세한 내용은 상술된 일본 특허 출원 공개 번호 Hei 11-54270에서 설명되고, 여기서는 분사의 위치적인 타깃으로부터 50 μm 이상의 슬립(slip)이 일어남을 주목한다.
본 발명은 상기의 문제점을 고려하여 이루어졌고, 그 목적은 위치적인 쉬프트(shift) 없이 폴리머(polymer)로 구성된 유기체 EL 물질을 정확하게 막 피착 시키는 높은 처리 량의 막 피착 수단을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 이러한 수단을 사용하는 EL 디스플레이 디바이스 및 그를 제작하는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 이러한 EL 디스플레이 디바이스를 디스플레이 부분으로 갖는 전자 장비를 제공하는 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명에서 유기체 EL 물질의 적용 처리를 도시하는 도면.
도 2는 픽셀(pixel) 부분의 단면 구조를 도시하는 도면.
도 3a 및 도 3b는 픽셀 부분의 상단 구조 및 구성을 각각 도시하는 도면.
도 4a 내지 도 4e는 EL 디스플레이 디바이스의 제작 처리를 도시하는 도면.
도 5a 내지 도 5d는 EL 디스플레이 디바이스의 제작 처리를 도시하는 도면.
도 6a 내지 도 6c는 EL 디스플레이 디바이스의 제작 처리를 도시하는 도면.
도 7은 EL 디스플레이 디바이스의 외부 도를 도시하는 도면.
도 8은 EL 디스플레이 디바이스의 회로 블록 구조를 도시하는 도면.
도 9는 픽셀 부분의 확대도.
도 10은 EL 디스플레이 디바이스의 샘플링 회로의 소자 구조를 도시하는 도면.
도 11a 및 도 11b는 활성 매트릭스 EL 디스플레이 디바이스의 상단 구조 및 단면 구조를 각각 도시하는 도면.
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 유기체 EL 물질의 적용 처리 및 픽셀 부분의확대 도를 각각 도시하는 도면.
도 13은 수동형 EL 디스플레이 디바이스의 단면 구조를 도시하는 도면.
도 14a 및 도 14b는 픽셀 부분의 확대도.
도 15는 수동형 EL 디스플레이 디바이스의 단면 구조를 도시하는 도면.
도 16은 본 발명에서 유기체 EL 물질의 응용 처리를 도시하는 도면.
도 17a 내지 도 17c는 헤드 부분에서 노즐의 배열을 도시하는 도면.
도 18a 내지 도 18f는 전자 장비의 특정한 예를 도시하는 도면.
도 19a 및 도 19b는 전자 장비의 특정한 예를 도시하는 도면.
도 20은 활성 매트릭스 EL 디스플레이 디바이스의 단면 구조를 도시하는 도면.
도 21a 및 도 21b는 기판의 결합 처리를 도시하는 도면.
도 22a 및 도 22b는 기판의 분할 처리를 도시하는 도면.
도 23은 활성 매트릭스 EL 디스플레이 디바이스의 단면 구조를 도시하는 도면.
도 24a 내지 도 24c는 EL 디스플레이 디바이스의 픽셀의 합성을 도시하는 도면.
도 25a 및 도 25b는 전류 제어 TFT의 구조 및 픽셀의 합성을 각각 도시하는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
113; 게이트측 구동기 회로 114b; 녹색 발광층 적용 액체
201; 스위칭 TFT 203; EL 소자
302; 폴리실리콘막 305; n형 불순물 영역
706; 게이트 와이어 708; 전류 제어 TFT
상기 목적을 이루기 위해, 본 발명은 디스펜서(dispenser)와 같은 박막 피착 장치를 사용하여 스트라이프(stripe) 형태로 적색, 녹색, 및 청색 발광 층이 형성되는 것을 특징으로 한다. 스트라이프 형상은 2 이상의 종횡 비를 갖는 길고 좁은 직사각형과, 2 이상의 장축 및 단축의 비를 갖는 길고 좁은 타원형을 포함한다. 본 발명의 박막 피착 장치는 도 1에 도시된다.
도 1a는 본 발명이 실시될 때 π 공액 기초의 폴리머(π conjugate-based polymer)로 구성된 유기체 EL 물질의 막 피착 상태를 도시하는 도면이다. 도 1a에서, 기판(110) 상에는 픽셀(pixel) 부분(111), 소스측 구동기 회로(112), 및 게이트측 구동기 회로(113)가 형성되고, 이들은 모두 TFT로 형성된다. 소스측 구동기 회로(112)에 연결된 다수의 소스 와이어 및 게이트측 구동기 회로(113)에 연결된 다수의 게이트 와이어로 둘러싸인 영역은 픽셀이다. TFT 및 EL 소자에 전기적으로 연결된 EL 소자는 픽셀에 형성된다. 그래서, 픽셀 부분(111)은 매트릭스로 배열된 이러한 픽셀로 형성된다.
여기서, 참고번호(114a)는 적색을 발하는 유기체 EL 물질과 용매의 혼합(이후 적색 발광층 적용 액체라 칭하여지는)을 나타내고; (114b)는 녹색을 발하는 유기체 EL 물질과 용매의 혼합(이후 녹색 발광층 적용 액체라 칭하여지는)을 나타내고; 또한 (114c)는 청색을 발하는 유기체 EL 물질과 용매의 혼합(이후 청색 발광층 적용 액체라 칭하여지는)을 나타낸다. 폴리머는 이들 적용 액체에 대한 유기체 EL 물질이고, 폴리머를 형성하는데는 중합된 물질을 적용 용매에 직접 녹이는 방법이나, 모노머(monomer)를 용매에 녹이고 막 피착을 실행함으로서 형성되는, 물질에 열적 중합을 실행하는 방법이 있음을 주목한다. 본 발명에서는 어느 방법이든 사용될 수 있다. 여기서는 폴리머로 처리되고 용매에 녹여진 유기체 EL 물질을 적용하는 예가 도시된다.
본 발명의 경우에서는 적색 발광층 적용 액체(114a), 녹색 발광층 적용 액체(114b), 및 청색 발광층 적용 액체(114c)가 박막 피착 장치로부터 따로 방출되어 화살표 방향으로 적용된다. 다른 말로 하면, 적색을 발하는 픽셀 열, 녹색을 발하는 픽셀 열, 및 청색을 발하는 픽셀 열로서 스트라이프 형상의 발광층(엄격하게 발광층의 전조)이 동시에 형성된다.
여기서 칭하여지는 픽셀 열(pixel row)은 소스 와이어의 상단 부분에 형성된 뱅크(bank)(121)에 의해 분할되는 픽셀의 열을 나타냄을 주목한다. 즉, 소스 와이어를 따라 직렬로 줄 세워진 다수의 픽셀로 구성된 열이 픽셀 열이라 칭하여진다. 여기서는 뱅크(121)가 소스 와이어의 상단 부분에 형성되는 경우가 설명되었지만, 이는 또한 게이트 와이어의 상단 부분에 제공될 수 있다. 이 경우에는 게이트 와이어를 따라 직렬로 줄 세워진 다수의 픽셀로 구성된 열이 픽셀 열이라 칭하여진다.
따라서, 픽셀 부분(111)은 다수의 소스 와이어 또는 게이트 와이어의 상단 부분에 제공된 스트라이프 형상의 뱅크에 의해 나뉘는 다수의 픽셀열의 어셈블리로 관찰될 수 있다. 이와 같이 픽셀이 관찰될 때, 픽셀 부분(111)은 적색을 발하는 스트라이프형 발광층이 형성된 픽셀 열, 녹색을 발하는 스트라이프형 발광층이 형성된 픽셀 열, 및 청색을 발하는 스트라이프형 발광층이 형성된 픽셀 열로 구성된다고 말할 수 있다.
또한, 상술된 스트라이프형 뱅크가 다수의 소스 와이어 또는 다수의 게이트 와이어의 상단 부분에 제공되므로, 실질적으로, 픽셀 부분은 소스 와이어 또는 게이트 와이어에 의해 분할된 다수의 픽셀열의 어셈블리로 관찰될 수 있다.
다음에는 도 1a에 도시된 적용 처리가 실행될 때 박막 피착 장치의 헤드 부분 상태(또한, 방출 부분이라 칭하여질 수 있는)가 도 1b 에 도시된다.
참고번호(115)는 적색을 위한 노즐(116a), 녹색을 위한 노즐(116b), 및 청색을 위한 노즐(116c)이 부착된 박막 피착 장치의 헤드 부분을 나타낸다. 더욱이, 각 노즐 내부에는 적색 발광층 적용 액체(114a), 녹색 발광층 적용 액체(114b), 및 청색 발광층 적용 액체(114c)가 저장된다. 불활성 기체로 채워진 파이프(117)에는 압력이 가해져, 이들 적용 액체가 픽셀 부분(111)에 방출된다. 헤드 부분(115)은 도면의 앞쪽으로 정의된 공간을 따라 수직 방향으로 주사되어, 도 1a에 도시된 적용 처리를 실행한다.
헤드 부분은 본 명세서를 통해 주사되고 있는 것으로 언급됨을 주목한다. 실제로는 기판이 X-Y 스테이지에 의해 수직 또는 수평 방향으로 이동된다. 그래서, 헤드 부분은 상대적으로 기판에서 수직 또는 수평 방향으로 주사된다. 물론, 기판은 헤드 부분 그 자체가 주사를 실행하도록 고정될 수 있다. 그러나, 안정성을 고려하여, 기판을 이동시키는 방법이 바람직하다.
도 1c는 참고번호(118)로 나타내지는 방출 부분 부근을 확대하여 도시한 도면이다. 기판(110)상에 형성된 픽셀 부분(111)은 다수의 TFT(119a 내지 119c) 및 다수의 픽셀 전극(120a 내지 120c)으로 구성된 다수의 픽셀의 어셈블리이다. 도 1b에서, 노즐(116a 내지 116c)에 불활성 기체로 압력이 가해질 때, 적용 액체(114a 내지 114c)는 이 압력으로 인해 노즐(116a 내지 116c)로부터 방출된다.
수지 물질로 형성된 뱅크(121)는 적용 액체가 픽셀 사이의 공간으로 혼합되는 것을 방지하도록 픽셀 사이의 공간에 제공됨을 주목한다. 이 구조에서, 뱅크(121)의 폭(사진 석판술(photolithography)로 결정된)은 픽셀 부분의 집적도가 증가되도록 좁게 만들어지므로, 높은 명석도의 영상이 구해질 수 있다. 특히, 적용 액체의 점성률이 1 내지 30 cp인 경우에 효과적이다.
그러나, 적용 액체의 점성률이 30 cp 이상이거나, 적용 액체가 졸(sol) 또는 겔(gel)의 형태이면, 그 구조에서 뱅크를 생략하는 것이 가능하다. 다른 말로 하면, 적용 액체가 적용된 이후에 그 사이의 접촉 각도 및 적용 표면이 충분히 크면, 적용 액체는 필요 이상으로 확산되지 않는다. 그러므로, 적용 액체가 필요 이상으로 확산되는 것을 방지하기 위한 뱅크를 제공하는 것이 요구되지 않는다. 이 경우, 발광층의 최종적인 형상은 타원 형상(장축 및 단축의 비가 2 이상인 길고 좁은 타원), 전형적으로 픽셀 부분의 한 끝부분에서 다른 끝부분으로 확장된 길고 좁은타원으로 형성된다.
뱅크(121)를 형성하는 수지 물질로는 아크릴(acrylic), 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 및 폴리이미 아미드(polyime amide)가 사용될 수 있다. 수지 물질을 검게 만들기 이전에 이들 수지 물질에서 탄소나 흑색 색소 등이 제공되면, 픽셀 사이에서 광차폐막으로 뱅크(121)를 사용하는 것이 가능하다.
부가하여, 노즐(116a, 116b, 116c) 중 하나의 끝부분 가까이에 광반사기를 사용하는 센서를 부착함으로서, 적용 표면과 노즐 사이의 거리가 항상 고정된 거리를 유지하도록 조절될 수 있다. 더욱이, 픽셀 피치(pitch)(픽셀 사이의 거리)에 대응하여 노즐(116a 내지 116c)을 따라 갭(gap)을 조절하는 메커니즘이 제공되면, 노즐이 픽셀 피치를 갖는 EL 디스플레이 디바이스에 적용되도록 허용한다.
그래서, 노즐(116a 내지 116c)로부터 방출된 응용 액체(114a 내지 114c)는 각 픽셀 전극(120a 내지 120c)을 덮도록 적용된다. 응용 액체(114a 내지 114c)를 적용한 이후에는 적용 액체(114a 내지 114c)에 포함된 유기체 용매를 휘발시키도록 진공 상태에서 열처리(굽기(bake) 처리나 태우기(burning) 처리)가 실행되고, 그에 의해 유기체 EL 물질로 구성된 발광층을 형성한다. 그러므로, 유기체 EL 물질의 유리 전이 온도(Tg) 보다 더 낮은 온도 하에서 휘발되는 유기체 용매가 사용된다. 또한, 최종적으로 형성된 발광층의 막 두께는 유기체 EL 물질의 점성률에 의해 결정된다. 이 경우에는 비록 점성률이 유기체 용매 또는 도펀트(dopant)의 선택에 의해 조절될 수 있더라도, 점성률이 1과 50 cp(바람직하게 5와 20 cp 사이)인 것이바람직하다.
유기체 EL 물질에서 결정질 핵심이 될 수 있는 불순물이 많이 있으면, 유기체 용매가 휘발될 때, 유기체 EL 물질을 결정화할 가능성이 매우 높아진다. 그러므로, 유기체 EL 물질이 결정화될 때, 발광 드롭의 효율성이 나빠질 수 있다. 불순물은 유기체 EL 물질에 포함되지 않는 것이 가능한 한 많이 바람직하다.
불순물을 줄이기 위해, 용매와 유기체 EL 물질은 철저히 정제되고, 용매와 유기체 EL 물질을 혼합할 때 가능한 한 깨끗한 환경을 유지하는 것이 중요하다. 용매나 유기체 EL 물질의 정제를 위해, 증발 건조, 승화, 여과, 재결정화, 재침강, 크로마토그래피, 또는 투석과 같은 기술이 반복적으로 실행되는 것이 바람직하다. 금속 원소 및 알칼리 금속 원소와 같은 불순물을 최종적으로 0.1 ppm 이하(바람직하게 0.01 ppm 이하)로 줄이는 것이 바람직하다.
부가하여, 도 1에 도시된 박막 피착 장치에 의해 형성된 유기체 EL 물질을 포함하는 적용 액체를 적용하는 환경에도 충분한 주위를 기울이는 것이 바람직하다. 보다 특정하게, 상술된 유기체 EL 물질의 막 피착은 글로브 박스(glove box) 내부에 질소와 같은 기체로 채워진 깨끗한 부스에서 실행되는 것이 바람직하다.
따라서, 박막 피착 장치의 사용으로, 적색, 녹색, 및 청색을 발하는 세종류의 발광층이 동시에 형성될 수 있다. 결과적으로, 고분자 유기체 EL 물질로 구성된 발광층이 높은 처리 량으로 형성될 수 있다. 부가하여, 잉크젯 방법과 다르게, 본 발명의 방법은 간격 없이 픽셀 열에 스트라이프 형태로 적용 액체를 적용할 수 있어, 매우 높은 처리 량을 제공하게 된다.
실시예 모드
도 2, 도 3a, 및 도 3b를 참고로, 본 발명의 일부 실시예가 설명된다. 도 2는 본 발명에 따른 EL 디스플레이 디바이스에서 픽셀 부분의 단면도를 도시한다. 도 3a는 픽셀 부분의 상단면을 도시하고, 도 3b는 그의 회로 구성을 도시한다. 실제 구조에서, 픽셀은 다수의 선으로 매트릭스가 되도록 배열되고, 그에 의해 픽셀 부분(영상 디스플레이 부분)을 형성한다. 도 2는 도 3a에서 선 A-A'을 따라 취해진 단면도를 설명한다. 따라서, 똑같은 구성성분은 두 도면에서 모두 똑같은 참고번호로 나타내지고, 이는 두 도면을 참고로 구조를 이해하는데 유리하다. 부가하여, 도 3a에 도시된 두 픽셀은 똑같은 구조를 갖는다.
도 2에서, 참고번호(11)는 기판을 나타내고, (12)는 기저 절연막(이후 기저막(base film)이라 칭하여지는)을 나타낸다. 기판(11)으로는 유리 기판, 유리 세라믹 기판, 수정 기판, 실리콘 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 또는 플라스틱 기판(플라스틱 막을 포함하는)이 사용될 수 있다.
부가하여, 기저막(12)은 이동 이온을 포함하는 기판이나 전도성을 갖는 기판에 유리하지만, 반드시 수정 기판에 제공되어야 하는 것은 아니다. 기저막(12)으로는 실리콘을 포함하는 절연막이 사용될 수 있다. 본 명세서에서, "실리콘을 포함하는 절연막"은 실리콘 및 산소 또는 질소를 소정의 비율로 포함하는 절연막, 특별히 산화실리콘막, 질화실리콘막, 또는 질산화실리콘막(SiOXNY로 표시되는)을 칭한다.
TFT 또는 EL 소자가 변형되는 것을 방지하기 위해 TFT에서 발생된 열을 분산시키도록 기저막(12)에 열 방사 기능을 제공하는 것이 유리하다. 열 방사 기능은 공지된 물질에 의해 제공될 수 있다.
본 예에서는 2개의 TFT가 한 픽셀에 제공된다. TFT(201)는 스위칭 소자로 동작하고(이후 스위칭 TFT라 칭하여진다), TFT(202)는 EL 소자를 통해 흐르는 전류 량을 제어하는 전류 제어 소자로 동작한다(이후 전류 제어 TFT라 칭하여진다). TFT(201, 202)는 모두 n-채널 TFT로 구성된다.
n-채널 TFT가 p-채널 TFT 보다 더 높은 전계 효과 이동성을 가지므로, n-채널 TFT가 더 높은 속도로 동작하고 많은 양의 전류를 수용할 수 있다. 더욱이, p-채널 TFT와 비교해, 똑같은 양의 전류가 더 작은 크기의 n-채널 TFT를 통해 흐를 수 있다. 따라서, 결과적으로 디스플레이 부분에서 증가된 유효 발광 표면적을 제공하게 되므로, n-채널 TFT를 전류 제어 TFT로 사용하는 것이 바람직하다.
p-채널 TFT는 예를 들면, 핫 캐리어(hot carrier)의 주입이 거의 문제가 되지 않고 OFF 전류 값이 작은 이점을 갖는다. 그래서, p-채널 TFT가 스위칭 TFT 또는 전류 제어 TFT로 사용되는 구조가 이미 보고되었다. 그러나, 본 발명에서는 핫 캐리어의 주입과 작은 OFF 전류 값과 연관된 불편한 점이 LDD 영역의 배열을 제공함으로서 n-채널 TFT에서도 극복될 수 있다.
그러나, 본 발명은 스위칭 TFT 및 전류 제어 TFT가 n-채널 TFT로 구성되는 경우에 제한되지 않는다. 스위칭 TFT 및 전류 제어 TFT 중 하나 또는 둘 모두로 p-채널 TFT를 사용하는 것이 가능하다.
스위칭 TFT(201)는 소스 영역(13), 드레인 영역(14), LDD 영역(15a 내지 15d), 고농도 불순물 영역(16), 및 채널 형성 영역(17a, 17b)을 포함하는 활성층, 게이트 절연막(18), 게이트 전극(19a, 19b), 제1 층간 절연막(20), 소스 와이어(21), 및 드레인 와이어(22)를 갖도록 형성된다.
부가하여, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(19a, 19b)은 다른 물질(게이트 전극(19a, 19b) 보다 더 낮은 저항을 갖는)로 구성된 게이트 와이어(211)를 통해 서로 전기적으로 연결되고, 그에 의해 이중-게이트 구조를 형성한다. 물론, 이중-게이트 구조뿐만 아니라 3중-게이트 구조와 같이 다중-게이트 구조(직렬로 연결된 2개 이상의 채널 형성 영역을 포함하는 활성층을 갖춘 구조)를 사용하는 것이 가능하다.
다중-게이트 구조는 OFF 전류 값을 감소시키는데 충분히 유리하다. 본 발명에 따라, 낮은 OFF 전류 값을 갖는 스위칭 소자는 다중-게이트 구조를 갖춘 픽셀에 스위칭 소자(201)를 제공함으로서 실현될 수 있다.
부가하여, 활성층은 결정질 구조를 포함하는 반도체 막으로 형성된다. 이는 단일 결정질 반도체막, 다결정질 반도체막, 또는 미세결정질 반도체막이 될 수 있다. 게이트 절연막(18)은 실리콘을 포함하는 절연막으로 형성된다. 더욱이, 임의의 종류의 전도성 막이 게이트 전극, 소스 와이어, 또는 드레인 와이어로 사용될 수 있다.
더욱이, 스위칭 TFT(201)에서, LDD 영역(15a 내지 15d)은 게이트 전극(19a, 19b)과 오버랩 되지 않도록 배치된다. 이러한 구조는 OFF 전류 값을 줄이는데 상당히 유리하다.
OFF 전류 값을 줄이기 위해, 채널 형성 영역과 LDD 영역 사이에 오프셋 영역(채널 형성 영역과 같은 합성을 갖는 반도체 층으로 구성되고 게이트 전압이 그에 적용되지 않는)을 제공하는 것이 더 유리하다. 부가하여, 2개 이상의 게이트 전극을 갖는 다중-게이트 구조의 경우, 채널 형성 영역 사이에 배치된 고농도 불순물 영역은 OFF 전류 값을 줄이는데 효과적이다.
상술된 바와 같이, OFF 전류 값은 다중-게이트 구조 TFT가 픽셀의 스위칭 TFT(201)로 사용되는 경우 충분히 낮추어질 수 있다. 다른 말로 하면, 낮은 OFF 전류 값은 전류 제어 TFT의 게이트에 인가된 전압이 더 이상 유지될 수 없음을 의미한다. 그러므로, 일본 특허 출원 공개 번호 Hei 10-189252에서 설명된 도 2와 같이, 전위를 보유하는 캐패시터는 더 작게 만들어질 수 있고, 생략되더라도, 다음 기록 주기까지 전류 제어 TFT의 게이트 전압을 유지할 수 있는 이점이 얻어질 수 있다.
이어서, 전류 제어 TFT(202)는 소스 영역(31), 드레인 영역(32), LDD 영역(33) 및 채널 형성 영역(34)을 포함하는 활성층, 게이트 절연막(18), 게이트 전극(350, 제1 층간 절연막(20), 소스 와이어(36), 및 드레인 와이어(37)를 갖도록 형성된다. 비록 도시된 게이트 전극(35)은 단일-게이트 구조를 갖지만, 이는 다중-게이트 구조를 가질 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 스위칭 TFT(201)의 드레인은 전류 제어 TFT(202)의 게이트에 연결된다. 특별히, 전류 제어 TFT(202)의 게이트 전극(35)은 드레인와이어(22)를 통해 스위칭 TFT(201)의 드레인 영역(14)에 전기적으로 연결된다. 더욱이, 소스 와이어(36)는 전력 공급선(212)(도 3a를 참고)에 연결된다.
전류 제어 TFT(202)는 EL 소자(203)에 주입되는 전류 량을 제어하도록 의도되는 디바이스이다. 그러나, EL 소자의 가능한 변형을 고려하여, 많은 양의 전류가 흐르는 것을 허용하는 것은 바람직하지 못하다. 따라서, 과도한 전류가 전류 제어 TFT(202)를 통해 흐르는 것을 방지하기 위해, 채널 길이(L)는 바람직하게 길게 설계된다. 바람직하게, 채널 길이(L)는 픽셀 당 0.5 내지 2 μm(전형적으로 1 내지 1.5 μm) 길이로 설계된다.
상술된 설명을 고려하여, 도 9에 도시된 바와 같이, 채널 길이 L1(여기서, L1 = L1a + L1b)과 스위칭 TFT의 채널폭 W1, 및 채널 길이 L2 및 전류 제어 TFT의 채널폭 W2는 바람직하게 다음과 같이 설정된다: W1은 0.1 내지 5 μm(전형적으로 0.5 내지 2 μm)의 범위이고; W2는 0.5 내지 10 μm(전형적으로 2 내지 5 μm)의 범위이고; L1은 0.2 내지 18 μm(전형적으로 2 내지 15 μm)의 범위이고; 또한 L2는 1 내지 50 μm(전형적으로 10 내지 30 μm)의 범위이다. 그러나, 본 발명은 상술된 값에 제한되지 않는다.
스위칭 TFT에 형성된 LDD 영역의 길이(폭)는 0.5 내지 3.5 μm의 범위, 전형적으로 2.0 내지 2.5 μm의 범위 내에서 설정된다.
도 2에 도시된 바와 같은 EL 디스플레이 디바이스는 전류 제어 TFT(202)에서 드레인 영역(32)과 채널 형성 영역(34) 사이에 LDD 영역(33)이 제공되고, LDD 영역(33)의 일부가 게이트 절연막(18)을 통해 게이트 전극(35)과 오버랩 되는 특성을 갖는다.
EL 소자(204)가 빛을 발하게 하도록 전류 제어 TFT(202)가 전류를 공급하기 위해서는 도 2에 도시된 바와 같은 핫 캐리어 주입으로 인한 변형에 대해 단계가 취해지는 것이 바람직하다.
OFF 전류 값을 억제하기 위해서는 게이트 전극의 일부와 오버랩 되도록 LDD 영역을 형성하는 것이 효과적임을 주목한다. 이 경우, 게이트 전극과 오버랩 되는 영역은 핫 캐리어 주입을 억제하고, 게이트 전극과 오버랩 되지 않는 영역은 OFF 전류 값을 방지한다.
게이트 전극과 오버랩 되는 LDD 영역의 길이는 이때 0.1 내지 3 μm(바람직하게 0.3 내지 1.5 μm)으로 이루어진다. 또한, 게이트 전극과 오버랩 되지 않는 LDD 영역을 제공하는 경우에, LDD 영역의 길이는 1.0 내지 3.5 μm(바람직하게 1.5 내지 2.0 μm)으로 이루어진다.
또한, 전위를 활성적으로 유지하는(전하를 유지하는) 캐패시터로, 게이트 절연막을 통해 게이트 전극과 오버랩 되는 LDD 영역과 게이트 전극 사이의 영역에 형성된 여진 캐패시턴스(parasitic capacitance)(또한, 게이트 캐패시턴스라 칭하여지는)를 사용하는 것이 가능하다. 본 실시예에서, 도 2에 도시된 LDD 영역(33)은 게이트 전극(35)과 LDD 영역(33) 사이에 게이트 캐패시턴스를 형성하도록 형성된다. 이 캐패시턴스는 일본 특허 출원 공개 번호 Hei 10-189252에서 설명되는 도 2에 도시된 바와 같이, 전위를 유지하는 캐패시터로 사용된다.
물론, 특별한 캐패시터가 형성된 경우 문제가 되지 않는다. 그러나, 본 실시예와 같은 구조로 캐패시터를 형성함으로서, 매우 작은 면적에 전위를 유지하는 캐패시터를 형성하는 것이 가능하여, 픽셀의 유효 발광 표면적(EL 소자로부터 조사된 빛을 추출할 수 있는 표면적)을 증가시키는 것이 가능해진다.
캐리어(이 경우에서는 전자) 흐름 방향은 언제나 전류 제어 TFT(202)와 똑같으므로, 핫 캐리어에 대한 측정으로 드레인 영역 측에만 LDD 영역을 형성하는 것으로 충분하다.
흐르는 전류의 가능한 양을 증가시킨다는 관점으로부터, 전류 제어 TFT(202)에서 활성층의 막 두께(특히, 채널 형성 영역에서의 두께)를 증가시키는 것이 또한 효과적이다(바람직하게 50 내지 100 nm의 범위에서, 보다 바람직하게 60 내지 80 nm의 범위에서). 한편, 스위칭 TFT(201)의 경우, OFF 전류 값을 줄인다는 관점으로부터, 전류 제어 TFT(202)에서 활성층의 막 두께(특히, 채널 형성 영역에서의 두께)를 감소시키는 것이 또한 효과적이다(바람직하게 20 내지 50 nm, 보다 바람직하게 25 내지 40 nm의 범위에서).
또한, 본 발명에서는 전류 제어 TFT(202)가 단일-게이트 구조로 도시된다. 그러나, 이는 또한 직렬로 연결되는 다수의 TFT로 구성된 다중-게이트 구조가 될 수 있다. 더욱이, 전류 제어 TFT는 또한 다수의 TFT가 실질적으로 채널 형성 영역을 다수의 영역으로 나누도록 열로(평행하게) 연결되는 구조가 되어, 그에 의해 매우 효과적인 열 방사를 실행하게 된다.
다음에, 참고번호(38)는 제1 비활성화막을 나타내고, 그 막 두께는 10 nm 내지 1 μm 사이로(바람직하게 200 내지 500 nm) 형성된다. 이 막의 물질로는 실리콘을 포함하는 절연막(특히 질산화실리콘막 또는 질화실리콘막이 바람직하다)이 사용될 수 있다. 더욱이, 높은 열적 방사 효과를 갖도록 제1 비활성화막(38)을 형성하는 것이 효과적이다.
제1 비활성화막(38)에 형성된 제2 층간 절연막(39)(레벨화 막(leveling film))은 TFT로 형성된 계단형 부분의 레벨화를 실행한다. 제2 층간 절연막(39)으로는 유기체 수지 막이 바람직하고, 폴리이미드, 폴리아미드, 아크릴, 또는 BCB(benzocyclobutane)와 같은 것이 사용될 수 있다. 물론, 충분한 레벨화가 가능하면, 비유기체막이 또한 사용될 수 있다.
제2 층간 절연막(39)에 의한 TFT에서의 계단형 부분 레벨화는 매우 중요하다. 이후에 형성되는 EL층은 매우 얇으므로, 계단형 부분의 존재에 의해 열악한 발광이 일어나게 되는 경우가 있다. 그러므로, 가능한 한 동등한 표면상에 EL 층을 형성할 수 있도록 픽셀 전극을 형성하기 이전에 레벨화를 실행하는 것이 바람직하다.
참고번호(40)는 매우 반사적인 전도성 막으로 구성된 픽셀 전극(EL 소자 음극)을 나타낸다. 제2 층간 절연막(39) 및 제1 비활성화막(38)에 접촉 홀(hole)(오프닝(opening))을 개방시킨 이후에, 픽셀 전극(40)은 형성된 오프닝 부분에서 전류 제어 TFT(202)의 드레인 와이어(37)에 연결되도록 형성된다. 픽셀 전극(40)으로는 알루미늄 합금 및 구리 합금과 같이 낮은 저항의 전도성 막을 사용하는 것이 바람직하다. 물론, 다른 전도성 막과의 적층 구조가 될 수 있다.
발광층(42)은 도 1에서 설명된 박막 피착 장치와 같은 디바이스에 의해 형성된다. 비록 도면에는 단 하나의 픽셀만이 도시되지만, 각 칼라 R(적색), G(녹색), 및 B(청색)에 대응하는 발광층이 동시에 형성됨을 주목하여야 한다. 발광층인 유기체 EL 물질로는 고분자 물질이 사용된다. 다음과 같은 폴리머가 전형적인 고분자 물질로 주어질 수 있다: PPV(polyparaphenylene vinylene)-기초의 물질; PVK(polyvinyl carbazole)-기초의 물질; 및 폴리플루오렌스(polyfluorenes)-기초의 물질.
다양한 종류의 PPV-기초 유기체 EL 물질이 있음을 주목한다. 다음과 같은 분자식이 보고되었다.
(H.Shenk, H.Becker, O.Gelsen, E.Kluge, W.Kreuder 및 H.Spreitzer, "발광 다이오드의 폴리머(Polymers for Light Emitting Diodes)", Euro Display, Proceedings, 1999, pp.33-37)
화합물 1
화합물 2
또한, 일본 특허 출원 공개 번호 10-92576에서 설명되는 폴리페닐렌 비닐렌(polyphenylene vinylene)의 분자식이 사용될 수 있다. 분자식은 다음과 같다:
화합물 3
화합물 4
또한, PVK-기초 유기체 EL 물질의 분자식으로는 다음과 같은 것이 있다.
화합물 5
고분자 유기체 EL 물질의 적용은 폴리머 상태에 있을 때 고분자 유기체 EL 물질을 용매에 녹임으로서, 또는 모노머 상태에 있을 때 고분자 유기체 EL 물질을 용매에 녹이고 이어서 중합을 실행함으로서 실행될 수 있다. 모노머 상태로 이를 적용하는 경우에는 먼저 폴리머 전조가 형성되고, 이어서 열처리가 진공 상태로 실행되어 이를 폴리머로 중합시킨다.
구체적인 발광층으로는 시아노-파라페닐렌 비닐렌(cyano-paraphenylenevinylene)이 적색을 발하는 발광층으로 사용되고; 파라페닐렌 비닐렌(paraphenylene vinylene)이 녹색을 발하는 발광층으로 사용되고; 또한 폴리페닐렌 비닐렌(polyphenylene vinylene) 또는 폴리알킬페닐렌(polyalkylphenylene)이 청색을 발하는 발광층으로 사용된다. 발광층의 막 두께는 30 내지 150 nm 사이로(바람직하게 40 내지 100 nm 사이로) 형성된다.
또한, 형광 물질(전형적으로, 코우마린(coumarin) 6, 루블렌(rublene), Nile Red, DCM, 퀴나크리돈(quinacridon) 등)은 발광 중심으로 형상 물질을 전달하도록 발광층에 도핑 되므로, 원하는 발광이 구해진다. 임의의 공지된 형광 물질이 사용될 수 있다.
그러나, 상기의 예는 단지 본 발명의 발광층으로 사용될 수 있는 유기체 EL 물질의 일부 예이고, 절대적으로 EL 물질을 이에 제한할 필요는 없다. 본 발명에서, 유기체 EL 물질과 용매의 혼합은 도 1에 도시된 방법을 사용해 적용된다. 용매는 휘발되므로, 그에 의해 발광층을 형성하도록 용매를 제거한다. 그러므로, 용매의 휘발 동안, 발광층의 유리 전이 온도를 넘지 않는 임의의 종류의 유기체 EL 물질의 조합이 사용될 수 있다.
전형적인 용매로 클로로포름(chloroform), 디클로로메탄(dichloromethane), γ 부틸 락톤(butyl lactone), 부틸 셀로솔브(butyl cellosolve), 또는 NMP(N-methyl-2-pyrrolidone)가 언급된다. 또한, 적용 액체의 점성률을 상승시키도록 도펀트를 부가하는 것이 효과적이다.
더욱이, 발광층(42)을 형성할 때, 처리 대기는 바람직하게 가능한 한 적은양의 습기를 포함한 건조 대기로, 불활성 기체 대기에서 형성을 실행한다. EL층의 분해는 습기와 산소의 존재에 의해 용이하게 일어난다. 그러므로, EL층을 형성할 때는 이들 요소를 가능한 한 많이 제거할 필요가 있다. 예를 들면, 건조 질소 대기 및 건조 아르곤 대기와 같은 대기가 바람직하다. 이를 이루기 위해서는 도 1의 박막 피착 장치가 불활성 기체로 채워진 깨끗한 부스내에 설치된다. 발광층의 막 피착 처리는 이 대기에서 실행되는 것이 바람직하다.
발광층(42)이 상술된 방식으로 형성되면, 다음에는 홀 주입층(43)이 형성된다. 본 발명의 모드는 홀 주입층(43)으로 PEDOT(polythiophene) 또는 PAni(polyaniline)을 사용한다. 이들 물질이 수용성이므로, 발광층(42)은 녹지 않고 형성될 수 있고, 그 막 두께는 5 내지 30 nm(바람직하게 10 내지 20 nm)가 될 수 있다.
투명 전도성 막으로 구성된 양극(44)은 홀 주입층(43)상에 제공된다. 본 발명의 모드인 경우, 발광층(42)에 의해 주어지는 빛은 상단측 표면 쪽으로(TFT의 상단 쪽으로의 방향으로) 조사된다. 그래서, 양극은 광전송 특징을 가져야 한다. 투명 전도성 막으로는 산화인듐 및 산화주석의 화합물과 산화인듐 및 산화아연의 화합물이 사용될 수 있다. 그러나, 투명 전도성 막은 열 저항이 낮은 발광층 및 홀 주입층의 형성 이후에 형성되기 때문에, 가능한 한 낮은 온도에서 막으로 형성될 수 있는 물질이 바람직하다.
EL 소자(203)는 양극(44)이 형성될 때 완료된다. 여기서 칭하여지는 EL 소자(203)는 픽셀 전극(음극)(40), 홀 주입층(43), 발광층(42), 및 양극(44)으로 형성된 캐패시터를 나타냄을 주목한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 픽셀 전극(40)은 대부분 픽셀의 표면적과 일치하므로, 전체 픽셀이 EL 소자로 동작한다. 따라서, 발광의 이용 효율성이 매우 높아, 더 밝은 영상을 디스플레이 하는 것을 가능하게 만든다.
또한, 본 실시예의 모드에서, 픽셀 전극(40)은 그 구조가 음극이 되도록 형성된다. 그러므로, 발광층에 의해 발생된 빛은 모두 양극 측으로 조사된다. 그러나, 이 EL 소자의 구조와 반대로, 그 구조가 투명 전도성 막으로 구성된 양극이 되도록 픽셀 전극을 형성하는 것이 또한 가능하다. 이 경우에도 발광층에 의해 발생된 빛이 또한 양극 측에 조사되므로, 빛은 기판(11)측으로부터 관찰된다.
본 발명의 모드에서, 제2 비활성화막(45)은 또한 양극(44)에 제공된다. 제2 비활성화막(45)으로는 질화실리콘막 또는 질산화실리콘막이 바람직하다. 이 목적은 외부로부터 EL 소자를 차폐하는 것으로, 유기체 EL 소자가 산화로 인해 변형되는 것을 방지하는 것과, 유기체 EL 물질로부터의 기체 유출을 억제하는 2가지 의미를 갖는다.
본 발명의 EL 디스플레이 디바이스는 도 2에 도시된 바와 같은 구조를 갖는 픽셀을 포함한 픽셀 부분을 포함하고, 그 기능에 대응하여 다른 구조를 갖는 TFT가 픽셀에 배열된다. 충분히 낮은 OFF 전류 값을 갖는 스위칭 TFT 및 핫 캐리어 주입에 대해 강한 전류 제어 TFT가 똑같은 픽셀 내에 형성될 수 있으므로, 높은 확실성을 갖고 양호한 영상 디스플레이(높은 성능)를 갖는 EL 디스플레이 디바이스가 형성될 수 있다.
비록 본 실시예에서는 상단 게이트 TFT를 사용하는 예로 평평한 TFT의 구조가 도시되었지만, 하단 게이트 TFT(전형적으로, 역방향 스태거(reverse stagger) TFT)가 또한 사용될 수 있음을 주목하여야 한다. 본 발명은 유기체 EL 소자의 막 피착 방법에 의해 특징 지워지고, 픽셀에 배열되는 TFT의 구조는 제한되지 않는다.
실시예 1
도 4a 내지 도 6c를 사용하여 본 발명의 실시예가 설명된다. 여기서는 픽셀 부분 및 픽셀 부분 주변에 형성된 구동기 회로 부분의 TFT의 동시 제작 방법이 설명된다. 설명을 간략화하기 위해, CMOS 회로는 구동기 회로에 대한 기본 회로로 도시됨을 주목한다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 기저막(301)은 유리 기판(300)상에 300 nm의 두께로 형성된다. 실시예 1에서는 질산화실리콘막이 기저막(301)으로 적층 된다. 이때, 유리 기판(300)을 포함하는 막에는 10 내지 25 wt% 사이의 질소 농도를 설정하는 것이 적절하다. 부가하여, 기저막(301)은 열적 방사 효과를 갖는 것이 효과적이고, DLC(diamond-like carbon)막이 또한 제공될 수 있다.
다음에는 공지된 피착 방법에 의해 기저막(301)에 50 nm의 두께로 비결정질 실리콘막(도면에 도시되지 않은)이 형성된다. 이를 비결정질 실리콘막에 제한할 필요는 없고, 비결정질 구조를 포함하는(미세결정질 반도체막을 포함하는) 반도체막인 경우, 다른 막이 제공될 수 있음을 주목한다. 부가하여, 비결정질 실리콘 게르마늄막과같이, 비결정질 구조를 포함하는 합성 반도체막이 또한 사용될 수 있다. 또한, 막의 두께는 20 내지 100 nm로 이루어진다.
비결정질 실리콘막은 공지된 기술에 의해 결정화되어, 결정질 실리콘막(또한 다결정질 실리콘막 또는 폴리실리콘막이라 칭하여지는)을 형성한다. 전기 용광로를 사용하는 열적 결정화, 레이저 광을 사용하는 레이저 가열냉각(annealing) 결정화, 및 적외선 램프를 사용하는 램프 가열냉각 결정화가 공지된 결정화 방법으로 존재한다. 실시예 1에서는 결정화가 XeCl 기체를 사용하는 엑사이머(excimer) 레이저 광을 사용해 실행된다.
실시예 1에서는 선형으로 형성된 펄스 방사 엑사이머 레이저 광이 사용되지만, 직사각형이 또한 사용될 수 있고, 연속 방사 아르곤 레이저 광 및 연속 방사 엑사이머 레이저광도 사용될 수 있음을 주목한다.
본 실시예에서는 비록 결정질 실리콘막이 TFT의 활성층으로 사용되지만, 비결정질 실리콘막을 사용하는 것이 또한 가능하다.
OFF 전류를 줄일 필요가 있는 스위칭 TFT의 활성층을 비결정질 실리콘막으로 형성하고, 전류 제어 TFT의 활성층을 결정질 실리콘막으로 형성하는 것이 효과적임을 주목한다. 전류는 비결정질 실리콘막에서 캐리어 이동성이 낮기 때문에 다르게 흐르고, OFF 전류는 쉽게 흐르지 않는다. 다른 말로 하면, 전류가 쉽게 흐르지 않는 비결정질 실리콘막과, 전류가 쉽게 흐르는 결정질 실리콘막의 이점을 모두 이룰 수 있다.
다음에는 도 4b에 도시된 바와 같이, 보호막(303)이 130 nm의 두께를 갖는 산화실리콘막으로 결정질 실리콘막(302)에 형성된다. 이 두께는 100 내지 200 nm(바람직하게 130 내지 170 nm 사이)의 범위 내에서 선택된다. 더욱이, 실리콘을 포함하는 절연막인 경우, 다른 막도 또한 사용될 수 있다. 보호막(303)은 결정질 실리콘막이 불순물을 첨가하는 동안 플라스마(plasma)에 직접 노출되지 않고, 불순물의 농도를 섬세하게 제어하는 것이 가능하도록 형성된다.
이어서, 레지스트 마스크(resist mask)(304a, 304b)가 보호막(303)에 형성되고, n형 전도성을 나타내는 불순물 원소(이후에 n형 불순물 원소라 칭하여지는)가 부가된다. 주기율표 그룹 15에 있는 원소가 일반적으로 n형 불순물 원소로 사용되고, 전형적으로 인이나 비소가 사용될 수 있음을 주목한다. 실시예 1에서는 PH3이 질량 분리 없이 플라스마 활성화되고, 인이 1x1018atoms/cm3으로 부가되는 플라스마 도핑 방법이 사용됨을 주목한다. 물론, 질량 분리가 실행되는 이온 주입 방법이 또한 사용될 수 있다.
선량(dose)은 n형 불순물 원소가 n형 불순물 영역(305, 306)에 포함되어, 이 처리에 의해 2x1016내지 5x1019atoms/cm3(전형적으로 5x1017내지 5x1018atoms/cm3사이)의 농도로 형성되도록 조절된다.
다음에는 도 4c에 도시된 바와 같이, 보호막(303)이 제거되고, 부가된 n형 불순물 원소의 활성화가 실행된다. 공지된 활성화 기술은 활성화 수단으로 사용되지만, 실시예 1에서는 활성화가 엑사이머 레이저광의 조사에 의해 행해진다. 물론, 펄스 방사 엑사이머 레이저 및 연속 방사 엑사이머 레이저가 모두 사용될 수 있고, 엑사이머 레이저광의 사용에 제한을 둘 필요는 없다. 목적은 부가된 불순물 원소의 활성화이고, 결정화 실리콘막이 녹지 않는 에너지 레벨로 방사가 실행되는것이 바람직하다. 레이저 방사는 또한 적절하게 보호막(303)으로 실행될 수 있음을 주목한다.
열처리(용광로 가열냉각)에 의한 활성화는 또한 레이저 광에 의한 불순물 원소의 활성화와 함께 실행될 수 있다. 열처리에 의해 활성화가 실행될 때는 기판의 열 저항을 고려하여, 450 내지 550 ℃ 정도로 열처리를 실행하는 것이 좋다.
n형 불순물 영역(305, 306) 부근에서 n형 불순물 원소가 부가되지 않은 n형 불순물 영역(305, 306), 즉 영역들의 끝부분과의 경계 부분(연결 부분)은 이 처리에 의해 나타내진다. 이는 TFT가 추후 완성될 때, 매우 양호한 연결 부분이 LDD 영역과 채널 형성 영역 사이에 형성될 수 있음을 의미한다.
결정질 실리콘막의 불필요한 부분은 도 4d에 도시된 바와 같이 다음에 제거되고, 아일랜드(island)형 반도체막(이후 활성층이라 칭하여지는)(307 내지 310)이 형성된다.
이어서, 도 4e에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(311)이 형성되어, 활성층(307 내지 310)을 덮는다. 실리콘을 포함하고 10 내지 200 nm, 바람직하게 50 내지 150 nm의 사이를 갖는 절연막은 게이트 절연막(311)으로 사용될 수 있다. 단일층 구조 또는 적층 구조가 사용될 수 있다. 실시예 1에서는 110 nm의 질산화실리콘막이 사용된다.
이어서, 200 내지 400 nm의 두께를 갖는 전도성 막이 형성되고 패턴화되어 게이트 전극(312 내지 316)을 형성한다. 바람직한 실시예에서, 게이트 전극 및 전도성 경로를 제공하도록 게이트 전극에 전기적으로 연결된 와이어(이후 게이트 와이어라 칭하여지는)는 서로 다른 물질로 형성된다. 특별히, 게이트 와이어는 게이트 전극 보다 더 낮은 저항을 갖는 물질로 구성된다. 그래서, 섬세한 처리를 가능하게 하는 물질은 게이트 전극에 사용되고, 게이트 와이어는 더 작은 와이어 저항을 제공할 수 있지만 섬세한 처리에 적절하지 않은 물질로 형성된다. 물론, 게이트 전극과 게이트 와이어를 똑같은 물질로 형성하는 것도 가능하다.
비록 게이트 전극이 단일층의 전도성 막으로 구성될 수 있지만, 필요한 경우, 게이트 전극으로 2, 3 이상의 층을 갖는 적층 막을 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 섬세한 처리를 가능하게 하는 물질, 특히 2 μm 이하의 선 폭으로 패턴화될 수 있는 물질을 사용하는 것이 바람직함을 주목하여야 한다.
전형적으로, 탄탈(Ta), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 및 실리콘(Si)으로부터 선택된 원소로 구성된 막, 상기 원소의 질화물 막(전형적으로 질화탄탈막, 질화텅스텐막, 또는 질화티타늄막), 상기 원소를 조합한 합금막(전형적으로 Mo-W 합금이나 Mo-Ta 합금), 또는 상기 원소의 규화물 막(전형적으로 규화텅스텐막이나 규화티타늄막)을 사용하는 것이 가능하다. 물론, 막은 단일층이나 적층으로 사용될 수 있다.
본 실시예에서는 30 nm의 두께를 갖는 질화텅스텐(WN)막과 370 nm의 두께를 갖는 텅스텐(W)막의 적층 막이 사용된다. 이는 스퍼터링(sputtering)에 의해 형성될 수 있다. Xe, Ne 등의 불활성 기체가 스퍼터링 기체로 부가될 때, 스트레스(stress)로 인한 막의 벗겨짐이 방지될 수 있다.
게이트 전극(313, 316)은 이때 게이트 절연막(311)과 샌드위치형으로 위치하여 각각 n형 불순물 영역(305, 306) 중 일부와 오버랩 되도록 형성된다. 이 오버랩 부분은 추후 게이트 전극과 오버랩 되는 LDD 영역이 된다.
다음에는 도 5a에 도시된 바와 같이 마스크로서 게이트 전극(312 내지 316)과 자체 정렬되는 방식으로 n형 불순물 원소(실시예 1에서는 인이 사용된다)가 부가된다. 부가는 인이 불순물 영역(317 내지 323)에 부가되어 불순물 영역(305, 306)의 1/10 내지 1/2 농도로(전형적으로 1/4 내지 1/3 사이) 형성되도록 조절된다. 특별히, 1x1016내지 5x1018atoms/cm3(전형적으로 3x1017내지 3x1018atoms/cm3)의 농도가 바람직하다.
다음에는 도 5b에 도시된 바와 같이 게이트 전극을 덮는 형상으로 레지스트 마스크(324a 내지 324c)가 형성되고, n형 불순물 원소(실시예 1에서는 인이 사용된다)가 부가되어, 고농도로 인을 포함하는 불순물 영역(325 내지 331)을 형성한다. 여기서는 PH3을 사용한 이온 도핑도 실행되어, 이들 영역의 인 농도가 1x1020내지 1x1021atoms/cm3(전형적으로 2x1020내지 5x1021atoms/cm3)이도록 조절된다.
이 처리에 의해, n-채널 TFT의 소스 영역 또는 드레인 영역이 형성되고, 스위칭 TFT에서는 도 5a의 처리에 의해 형성된 n형 불순물 영역(320 내지 322)의 일부가 남겨진다. 남은 영역은 도 2의 스위칭 TFT 중 LDD 영역(15a 내지 15d)에 대응한다.
다음에는 도 5c에 도시된 바와 같이, 레지스트 마스크(324a 내지 324c)가 제거되어 새로운 레지스트 마스크(332)가 형성된다. 이어서, p형 불순물 원소(실시예 1에서는 붕소가 사용된다)가 부가되어 고농도로 붕소를 포함하는 불순물 영역(333, 334)을 형성한다. 여기서 붕소는 B2H6을 사용한 이온 도핑에 의해 3x1020내지 3x1021atoms/cm3(전형적으로 5x1020내지 1x1021atoms/cm3)의 농도로 불순물 영역(333, 334)을 형성한다.
인은 이미 1x1020내지 1x1021atoms/cm3의 농도로 불순물 영역(333, 334)에 부가되었지만, 여기서는 붕소가 인의 농도의 적어도 3배인 농도로 부가됨을 주목한다. 그러므로, 이미 완전히 형성된 n형 불순물 영역이 p형으로 변환되고, p형 불순물 영역으로 동작한다.
다음에는 레지스트 마스크(332)를 제거한 이후에, 각 농도로 활성층에 부가된 n형 또는 p형 불순물 원소가 활성화된다. 활성화의 수단으로는 용광로 가열냉각, 레이저 가열냉각, 또는 램프 가열냉각이 사용될 수 있다. 실시예 1에서는 전기 용광로에서 질소 대기로 550 ℃에서 4 시간 동안 열처리가 실행된다.
이때, 주변 대기로부터 산소를 가능한 한 많이 제거하는 것이 중요하다. 이는 작은 양의 산소가 존재하더라도, 게이트 전극의 노출표면이 산화되어, 결과적으로 저항을 증가시키고 추후에 게이트 전극과 저항 접촉을 형성하기 어려워지게 하기 때문이다. 따라서, 활성 처리 동안 주변 대기의 산소 농도는 1 ppm 이하, 바람직하게 0.1 ppm 이하로 설정된다.
활성화 처리가 완료된 이후에는 300 nm의 두께를 갖는 게이트 와이어(335)가 형성된다. 게이트 와이어(335)의 물질로는 주성분으로(화합물에서 50 내지 100%를 차지하는) 알루미늄(Al)이나 구리(Cu)를 포함하는 금속 막이 사용될 수 있다. 게이트 와이어(335)는 스위칭 TFT의 게이트 전극(314, 315)(도 3a에서 게이트 전극(19a, 19b)에 대응하는)에 전기적 연결을 제공하도록 도 3a에 도시된 게이트 와이어(211)와 같이 배열된다(도 5d를 참고).
상술된 구조는 게이트 와이어의 와이어 저항이 상당히 감소되도록 허용할 수 있으므로, 큰 면적의 영상 디스플레이 영역(픽셀 부분)이 형성될 수 있다. 특히, 본 실시예에 따른 픽셀 구조는 10 인치 이상(또는 30 인치 이상)의 대각선 크기를 갖춘 디스플레이 화면을 갖는 EL 디스플레이 디바이스를 실현하는데 유리하다.
다음에는 도 6a에 도시된 바와 같이 제1 층간 절연막(336)이 형성된다. 제1 층간 절연막(336)으로는 실리콘을 포함하는 단일층의 절연막이 사용되지만, 적층 막이 사용될 수 있다. 또한, 400 nm 내지 1.5 μm 사이의 막 두께가 사용될 수 있다. 실시예 1에서는 200 nm 두께의 질산화실리콘막과 800 nm 두께의 산화실리콘막의 적층 구조가 사용된다.
부가하여, 열처리는 수소화를 실행하도록 3 내지 100% 사이의 수소를 포함하는 대기에서 300 내지 450 ℃로 1 내지 12 시간 동안 실행된다. 이 처리는 열적으로 활성화되는 수소에 의해 반도체막에서 댕글링 결합(dangling bond)의 수소 종렬 중하나이다. 플라스마 수소화(플라스마에 의해 활성화된 수소를 사용하는)가 또한 또 다른 수소화 수단으로 실행될 수 있다.
수소화 처리는 또한 제1 층간 절연막(336)을 형성하는 동안 삽입될 수 있음을 주목한다. 즉, 수소 처리는 상기와 같이 200 nm 두께의 질산화실리콘막을 형성한 이후에 실행되고, 이어서 나머지 800 nm 두께의 산화실리콘막이 형성될 수 있다.
다음에는 접촉 홀이 제1 층간 절연막(336)에 형성되고, 소스 와이어(337 내지 340) 및 드레인 와이어(341 내지 343)가 형성된다. 본 실시예에서, 이 전극은 100 nm 두께를 갖는 티타늄막, 300 nm 두께를 갖고 티타늄을 포함하는 알루미늄막, 및 150 nm 두께를 갖는 티타늄막이 스퍼터링 방법에 의해 연속적으로 형성된 3층 구조의 적층 막으로 구성된다.
다음에는 제1 비활성화막(344)이 50 내지 500 nm(전형적으로 200 내지 300 nm의 사이) 두께로 형성된다. 실시예 1에서는 제1 비활성화막(344)으로 300 nm 두께의 질산화실리콘막이 사용된다. 이는 또한 질화실리콘막으로 대치될 수 있다. 질산화실리콘막의 형성 이전에 H2또는 NH3과 같이 수소를 포함하는 기체를 사용해 플라스마 처리를 실행하는 것이 효과적임을 주목한다. 이 처리에 의해 활성화된 수소는 제1 층간 절연막(336)에 공급되고, 제1 비활성화막(344)의 질이 열처리를 실행함으로서 개선된다. 동시에, 제1 층간 절연막(336)에 부가된 수소가 더 낮은 측으로 확산되어, 활성층이 효과적으로 수소화될 수 있다.
다음에는 도 6b에 도시된 바와 같이 유기체 수지로 구성된 제2 층간 절연막(345)이 형성된다. 유기체 수지로는 폴리이미드, 폴리아미드, 아크릴, BCB(benzocyclobutene) 등을 사용하는 것이 가능하다. 특히, 제2 층간절연막(345)은 주로 레벨화에 사용되므로, 레벨화 특성이 뛰어난 아크릴이 바람직하다. 본 실시예에서는 아크릴 막이 TFT로 형성된 계단형 부분을 레벨화하기에 충분한 두께로 형성된다. 두께는 1 내지 5 μm(보다 바람직하게 2 내지 4 μm)으로 만들어지는 것이 적절하다.
이어서, 제2 층간 절연막(345) 및 제1 비활성화막(344)에는 드레인 영역(343)에 닿도록 접촉 홀이 형성되고, 픽셀 전극(346)이 형성된다. 본 실시예에서는 픽셀 전극(346)으로 300 nm 두께를 갖는 알루미늄 합금막(1 wt%의 티타늄을 포함하는 알루미늄막)이 형성된다.
다음에는 도 6c에 도시된 바와 같이 수지 물질로 구성된 뱅크(347)가 형성된다. 뱅크(347)는 1 내지 2 μm 두께의 아크릴 막이나 폴리이미드 막을 패턴화함으로서 형성될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 뱅크(347)는 픽셀 사이에서 스트라이프 형상으로 형성된다. 실시예 1에서는 뱅크(347)가 소스 와이어(339)를 따라 형성되지만, 게이트 와이어(336)를 따라 형성될 수도 있다.
다음에는 발광층(348)이 도 1을 참고로 설명된 박막 피착 장치를 사용한 막 피착 처리에 의해 형성된다. 특별히, 발광층(348)이 되는 유기체 EL 물질은 클로로포름(chloroform), 디클로로메탄(dichloromethane), 크실렌(xylene), 톨루엔(toluene), 및 테트라하이드로푸란(tetrahydrofuran)과 같은 용매에 놓여져 적용된다. 이어서, 용매를 휘발시키도록 열처리가 실행된다. 그래서, 유기체 EL 물질로 구성된 막(발광층)이 형성된다.
실시예 1에서는 단 하나의 픽셀만이 도시됨을 주목하여야 한다. 그러나, 적색을 발하는 발광층, 녹색을 발하는 발광층, 및 청색을 발하는 발광층이 동시에 모두 형성될 수 있다. 실시예 1에서는 시아노-파라페닐렌 비닐렌(cyano-paraphenylene vinylene)이 적색을 발하는 발광층을 형성하는데 사용되고, 파라페닐렌 비닐렌(paraphenylene vinylene)이 녹색을 발하는 발광층을 형성하는데 사용되고, 또한 폴리알킬페닐렌(polyalkylphenylene)이 청색을 발하는 발광층을 형성하는데 사용된다. 이들 발광층은 각각 50 nm의 두께로 형성된다. 부가하여, 1.2 디클로로메탄이 용매로 사용되고, 이는 1 내지 5 분 동안 80 내지 150 ℃로 뜨거운 플레이트에서 열처리를 실행함으로서 휘발된다.
다음에는 홀 주입층(349)이 20 nm의 두께로 형성된다. 홀 주입층(349)이 모든 픽셀에 공통적으로 제공되므로, 스핀 코팅(spin coating) 방법이나 프린팅 방법을 사용해 홀 주입층(349)을 형성하는 것이 적절하다. 실시예 1에서는 PEDOT(polythiophene)이 용액으로 적용되고, 열처리가 1 내지 5 분 동안 100 내지 150 ℃로 뜨거운 플레이트에서 실행되어, 그에 의해 습기를 휘발시킨다. 이 경우, 홀 주입층(349)은 폴리페닐렌 비닐렌 또는 폴리알킬페닐렌이 불용성이기 때문에 발광층(348)을 놓이지 않고 형성될 수 있다.
홀 주입층(349)으로 저분자 유기체 EL 물질이 사용될 수 있음을 주목하여야 한다. 이 경우에는 증발 방법에 의해 홀 주입층을 형성하는 것이 적절하다.
실시예 1에서는 발광층 및 홀 주입층으로 구성된 2층 구조가 형성된다. 그러나, 홀 운송층, 전자 주입층, 및 전자 운송층과 같은 다른 층이 또한 제공될 수 있다. 층의 조합으로 다양한 적층 구조의 예가 보고되었고, 본 발명에서는 임의의구조가 사용될 수 있다.
발광층(348) 및 홀 주입층(349)의 형성 이후에는 투명 전도성 막으로 구성된 양극(350)이 120 nm의 두께로 형성된다. 실시예 1에서는 투명 전도 막으로 10 내지 20 wt%의 산화아연으로 도핑된 산화인듐이 사용된다. 막 피착 방법으로, 발광층(348) 및 홀 주입층(349)이 변형되지 않도록 실온에서 증발에 의해 양극(350)을 형성하는 것이 바람직하다.
질산화실리콘막으로 형성된 제2 비활성화막(351)은 양극(350)의 형성 이후에 플라스마 CVD에 의해 300 nm의 두께로 형성된다. 이때, 막 피착 온도에 주의할 필요가 있다. 원격 플라스마 CVD가 막 피착 온도를 낮추는데 사용될 수 있다.
이와 같이, 도 6c에 도시된 바와 같은 구조를 갖는 활성 매트릭스 기판이 완성된다. 뱅크(347)의 형성 이후에는 연속하여 대기에 노출되지 않고, 비활성화막(351)의 형성까지, 막을 형성하는 처리에 박막 피착 장치의 다중-챔버(multi-chamber) 방법(또는 인라인(in-line) 방법)을 사용하는 것이 효과적이다.
본 실시예의 활성 매트릭스 기판에서, 옵션 구조를 갖는 TFT는 픽셀 부분뿐만 아니라 구동기 회로 부분에도 배열되고, 그에 의해 매우 높은 확실성을 나타내고 그의 동작 성능을 증가시키게 된다.
먼저, 동작 속도를 가능한 한 많이 떨어뜨리지 않도록 핫 캐리어 주입을 감소시키는 구조를 갖는 TFT는 구동기 회로 부분을 형성하는 CMOS 회로의 n-채널 TFT(205)로 사용된다. 여기서, 구동기 회로는 쉬프트 레지스터, 버퍼, 레벨 쉬프터, 샘플링 회로(샘플 및 홀드(hold) 회로) 등을 포함함을 주목한다. 디지털 구동이 이루어지는 경우, D/A 변환기와 같은 신호 변환 회로가 또한 포함될 수 있다.
실시예 1의 경우에서는 도 6c에 도시된 바와 같이, n-채널 TFT(205)의 활성층이 소스 영역(355), 드레인 영역(356), LDD 영역(357), 및 채널 형성 영역(358)으로 구성된다. LDD 영역(357)은 게이트 절연막(311)을 통해 게이트 전극(313)과 오버랩 된다. 이 구조는 전류 제어 TFT(202)의 구조와 동일하다.
동작 속도가 떨어지지 않도록 고려하는 것은 LDD 영역이 드레인 영역 측에만 형성되기 때문이다. 이 n-채널 TFT(205)에서는 OFF 전류 값에 많은 주위를 기울일 필요가 없고, 그 보다는 동작 속도에 중요성을 두는 것이 더 낮다. 그래서, LDD 영역(357)은 저항 성분을 최소로 감소시키도록 게이트 전극과 완전히 오버랩 되도록 만들어지는 것이 바람직하다. 즉, 오프셋을 제거하는 것이 바람직하다.
더욱이, 핫 캐리어의 주입으로 인한 CMOS 회로에서의 p-채널 TFT(206)의 변형은 거의 무시할 만 하므로, p-채널 TFT(206)에 LDD 영역을 제공할 필요가 없다. 물론, n-채널 TFT(205)와 유사하게, 핫 캐리어에 대한 대응책을 나타내도록 p-채널 TFT(206)에 LDD 영역을 제공하는 것이 가능하다.
구동기 회로 중에서, 샘플링 회로는 다른 회로와 비교해 다소 유일하여, 많은 전류가 채널 형성 영역에서 양방향으로 흐름을 주목한다. 즉, 소스 영역 및 드레인 영역의 역할이 상호 교환된다. 부가하여, OFF 전류 값을 가능한 한 작게 제어할 필요가 있고, 샘플링 회로에서 스위칭 TFT와 전류 제어 TFT 사이의 중간 레벨에 있는 기능을 갖는 TFT를 사용하는 것이 바람직하다.
따라서, 샘플링 회로를 형성하는 n-채널 TFT에서는 도 10에 도시된 바와 같은 구조를 갖는 TFT를 배열하는 것이 바람직하다. 도 10에 도시된 바와 같이, LDD 영역(901a, 901b)의 일부분은 게이트 절연막(902)을 통해 게이트 전극(903)과 오버랩 된다. 이 구조에 의해 얻어질 수 있는 이점은 전류 제어 TFT(202)에 대해 이미 설명되었다. TFT가 샘플링 회로로 사용되는 경우, LDD 영역은 전류 제어 TFT의 경우와 다르게, 그들 사이에 채널 형성 영역(904)을 삽입하도록 배치된다.
실제로, 대기에 노출되지 않도록, 전달되는 봉합 물질 또는 기체 유출이 거의 없이 매우 밀폐된 보호막(적층 막이나 자외선 경화 수지 막과 같은)을 사용함으로서 도 6c를 통해 완성된 이후에 패키징(packaging)(봉합)을 부가하여 실행하는 것이 바람직함을 주목한다. 봉합 물질의 내부를 불활성 환경으로 만들고, 건조제(예를 들면, 산화바륨)를 봉합 물질 내부에 배치함으로서, EL 소자의 확실성이 증가된다.
더욱이, 패키징 처리 등에 의해 밀폐성이 증가된 이후에는 외부 신호 단자와 기판 상에 형성된 소자 또는 회로로부터의 외부 단자를 연결시키는 연결기(FPC(flexible printed circuit))가 부착되어, 제품을 완성한다. 배송될 수 있는 상태로 완성된 제품은 본 명세서를 통해 EL 디스플레이 디바이스(또는 EL 모듈)라 칭하여진다.
여기서는 도 7의 투시도를 참고로 본 실시예의 활성 매트릭스 EL 디스플레이 디바이스의 구조가 설명된다. 본 실시예의 활성 매트릭스 EL 디스플레이 디바이스는 픽셀 부분(702), 게이트측 구동기 회로(703), 및 유리 기판(701)상에 형성된 소스측 구동기 회로(704)로 구성된다. 픽셀 부분의 스위칭 TFT(705)는 n-채널 TFT이고, 게이트측 구동기 회로(703)에 연결된 게이트 와이어(706) 및 소스측 구동기 회로(704)에 연결된 소스 와이어(707)의 교차점에 배치된다. 스위칭 TFT(705)의 드레인은 전류 제어 TFT(708)의 게이트에 연결된다.
부가하여, 전류 제어 TFT(708)의 소스는 전류 공급선(709)에 연결된다. 접지 전위(어스(earth) 전위)는 실시예 1과 같은 구조에서 전류 공급선(709)에 주어진다. 또한, EL 소자(710)는 전류 제어 TFT(708)의 드레인에 연결된다. EL 소자(710)의 양극에는 소정의 전압(3 내지 12 V의 사이, 바람직하게 3 내지 5 V의 사이)이 인가된다.
구동기 회로 부분에 신호를 전송하는 연결 와이어(712, 713)와 전력 공급선(709)에 연결된 연결 와이어(714)는 외부 입력/출력 단자로 FPC(711)에 제공된다.
도 8은 도 7에 도시된 EL 디스플레이 디바이스의 회로 구조예를 도시한다. 본 실시예의 EL 디스플레이 디바이스에는 소스측 구동기 회로(801), 게이트측 구동기 회로(A)(807), 게이트측 구동기 회로(B)(811), 및 픽셀 부분(806)이 제공된다. 본 명세서를 통해, 구동기 회로 부분은 소스측 구동기 회로 및 게이트측 구동기 회로에 대한 총칭임을 주목한다.
소스측 구동기 회로(801)에는 쉬프트 레지스터(802), 레벨 쉬프터(803), 버퍼(804), 및 샘플링 회로(샘플 및 홀드 회로)(805)가 제공된다. 게이트측 구동기 회로(A)(807)에는 쉬프트 레지스터(808), 레벨 쉬프터(809), 및 버퍼(810)가 제공된다. 게이트측 구동기 회로(B)(811)도 또한 똑같은 구조를 갖는다.
여기서, 쉬프트 레지스터(802, 808)는 각각 5 내지 16 V(전형적으로 10 V)의 구동 전압을 갖고, 도 6c에서(205)로 나타내지는 구조가 그 회로를 형성하는 CMOS 회로에서 사용되는 n-채널 TFT에 적절하다.
그 외에, 쉬프트 레지스터와 유사하게, 레벨 쉬프트(803, 809) 및 버퍼(804, 810) 각각에는 도 6c의 n-채널 TFT(205)를 포함하는 CMOS 회로가 적절하다. 각 회로의 확실성을 개선하는데는 게이트 와이어를 이중 게이트 구조나 삼중 게이트 구조와 같이 다중 게이트 구조로 만드는 것이 효과적임을 주목한다.
그 외에, 소스 영역 및 드레인 영역이 반전되고 OFF 전류 값을 감소할 필요가 있으므로, 도 10의 n-채널 TFT(208)를 포함하는 CMOS 회로가 샘플링 회로(805)로 적절하다.
픽셀 부분(806)은 도 2에 도시된 구조를 갖는 픽셀로 배치된다.
상기 구조는 도 4a 내지 도 6c에 도시된 제작 처리에 따라 TFT를 제작함으로서 쉽게 실현될 수 있다. 본 실시예에서는 비록 픽셀 부분 및 구동기 회로 부분의 구조만이 도시되지만, 본 실시예의 제작 처리가 사용되면, 같은 기판 상에 신호 분할 회로, D/A 변환기 회로, 연산 증폭기 회로, γ-정정 회로와 같이 구동기 회로 이외의 논리 회로를 형성하는 것이 가능하고, 또한 메모리 부분, 마이크로프로세서 등이 형성될 수 있는 것으로 생각된다.
더욱이, 도 11a 및 도 11b를 사용해 봉합 물질을 포함하는 실시예 1의 EL 모듈에 대한 설명이 이루어진다. 필요할 때, 도 7 및 도 8에서 사용되는 기호가 언급됨을 주목한다.
도 11a는 도 7에 도시된 상태에 봉합 물질이 제공된 상태의 상단도를 도시하는 도면이다. 점선으로 나타내지는 참고번호(702)는 픽셀 부분을 나타내고,(703)는 게이트측 구동기 회로를 나타내고, 또한(704)은 소스측 구동기 회로를 나타낸다. 본 발명의 봉합 구조는 충전제(filling) 물질(도면에서 도시되지 않은), 커버 물질(1101), 봉합 물질(도면에서 도시되지 않은), 및 프레임 물질(1102)이 도 7에 도시된 상태에 제공되는 구조이다.
여기서, 도 11b에는 도 11a의 선 A-A'을 따라 취해진 단면도가 도시된다. 도 11a 및 도 11b에서 똑같은 구성성분에는 똑같은 참고번호가 사용됨을 주목하여야 한다.
도 11b에 도시된 바와 같이, 픽셀 부분(702) 및 게이트측 구동기 회로(703)는 기판(701)에 형성된다. 픽셀 부분(702)은 전류 제어 TFT(202)를 포함하는 다수의 픽셀과 전류 제어 TFT(202)에 전기적으로 연결된 픽셀 전극(346)으로 형성된다. 또한, 게이트측 구동기 회로(703)는 n-채널 TFT(205) 및 p-채널 TFT(206)의 상보적인 조합인 CMOS 회로를 사용해 형성된다.
픽셀 전극(346)은 EL 소자의 음극으로 동작한다. 부가하여, 뱅크(347)는 픽셀 전극(346)의 양 끝부분에 형성되고, 발광층(348) 및 홀 주입층(349)이 뱅크(347)의 내부 측에 형성된다. 상단에는 EL 소자의 양극(350)과 제2 비활성화막(351)이 또한 형성된다. 본 발명의 실시예 모드에서 설명된 바와 같이, EL 소자는 물론 양극으로 픽셀 전극과 반대 구조를 가질 수 있다.
실시예 1의 경우에서, 양극(350)은 또한 모든 픽셀에 공통된 와이어로 동작하고, 연결 와이어(712)를 통해 FPC(711)에 전기적으로 연결된다. 더욱이, 픽셀 부분(702) 및 게이트측 구동기 회로(703)에 포함된 모든 소자는 제2 비활성화막(351)에 의해 커버된다. 제2 비활성막(351)이 생략될 수 있지만, 외부로부터 각 소자를 차폐하기 위해서는 이 막을 제공하는 것이 바람직하다.
다음에는 EL 소자를 커버하도록 충전제 물질(1103)이 제공된다. 충전제 물질(1103)은 또한 커버 물질(1101)을 붙이는 접착제로 동작한다. 충전제 물질(1103)로는 PVC(polyvinyl chloride), 에폭시 수지(epoxy resin), 실리콘 수지, PVB(polyvinyl butyral), 또는 EVA(ethylene vinyl acetate)가 사용될 수 있다. 흡수 효과가 유지될 수 있기 때문에, 충전제 물질(1103)의 내부에는 건조제(도면에서 도시되지 않은)를 배치하는 것이 바람직하다. 이때, 건조제는 충전제 물질로 도핑된 작용제 또는 충전제 물질에 포함된 작용제가 될 수 있다. 그러나, 실시예 1에서는 투과율을 갖는 물질이 사용되고, 그에 의해 충전제 물질(1103)의 내부로부터 빛을 조사시키게 된다.
또한, 실시예 1에서는 유리 플레이트, FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics) 플레이트, PVF(polyvinyl fluoride)막, 밀라(milar)막, 폴리에스테르막, 또는 아크릴 막이 커버 물질(1101)로 사용될 수 있다. 실시예 1의 경우에는 충전제 물질과 유사하게, 커버 물질(1101)이 투과 물질로 구성되어야 한다. 산화 바륨과 같은 건조제를 충전제 물질(1103)에 미리 도핑 하는 것이 효과적임을 주목한다.
커버 물질(1101)을 붙이는데 충전제 물질(1103)을 사용한 이후에, 프레임 물질(1102)은 충전제 물질(1103)의 측면(노출면)을 덮도록 다음에 부착된다. 프레임 물질(1102)은 봉합 물질(접착제로 동작하는)(1104)에 의해 접착된다. 이때, 봉합 물질(1104)노는 광경화 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, EL층의 열 저항이 허용하는 한, 열경화 수지가 사용될 수 있다. 봉합 물질(1104)로는 산소 및 습기가 가능한 한 많이 투과되지 않는 물질을 사용하는 것이 바람직함을 주목한다. 부가하여, 봉합 물질(1104)에는 건조제가 도핑 된다.
EL 소자는 상기 과정을 사용하여 충전제 물질(1103)로 봉합되고, 그에 의해 외부 대기로부터 EL 소자를 완전히 차단시키고, EL층의 산화로 인한 EL 소자의 변형을 자극하는 외부로부터 습기나 산소와 같은 물질이 투과하는 것을 방지한다. 따라서, 매우 확실한 EL 디스플레이 디바이스가 제작될 수 있다.
실시예 2
실시예 1에서는 적색, 녹색, 및 청색 빛을 발하는 3가지 종류의 스트라이프형 발광층을 길이 방향으로 또는 측면 방향으로 동시에 형성하는 예가 도시되었다. 실시예 2에서는 길이 방향으로 이를 다수로 나누어 형성된 스트라이프형 발광층의 예가 도시된다.
도 12a에 도시된 바와 같이, 기판(110)상에는 픽셀 부분(111), 소스측 구동기 회로(112), 및 게이트측 구동기 회로(113)가 형성되고, 이들은 모두 TFT로 형성된다. 픽셀 부분(111)은 뱅크(1201)에 의해 매트릭스로 분할된다. 실시예 2의 경우에는 다수의 픽셀(1203)이 도 12b에 도시된 바와 같이 뱅크(1201)에 의해 분할된 사각형(1202) 중 하나에 배열된다. 그러나, 픽셀의 수는 제한되지 않는다.
이러한 상태에서, 발광층으로 동작하는 유기체 EL 물질의 막 피착 처리는 도 1의 박막 피착 장치를 사용해 실행된다. 이 경우에서도, 적색 적용 액체(114a), 녹색 적용 액체(114b), 및 청색 적용 액체(114c)는 분리되어 헤드 부분(115)에 동시 적용된다.
실시예 2는 적용 액체(114a 내지 114b)가 상술된 각 사각형(1202)에 분리되어 적용된다는 사실로 특징 지워진다. 다른 말로 하면, 도 1의 방법에서는 단지 각 적색, 녹색, 및 청색의 적용 액체가 스트라이프 형태로 분리되어 적용될 수 있는 반면, 실시예 2에서는 색깔이 각 사각형에서 자유롭게 배열될 수 있다. 그러므로, 도 12a에 도시된 바와 같이, 전체 열(또는 행)이 쉬프트 되는 방식으로 적용 액체의 색깔이 선택적인 사각형에 적용되도록 배열하는 것이 가능하다.
또한, 사각형(1202)에서는 한 픽셀을 제공하는 것이 또한 가능하고, 이 경우에는 일반적으로 델타 배열(각 색깔 RGB에 대응하는 픽셀이 항상 삼각형을 형성하도록 배열되는 픽셀 구조)이라 칭하여지는 픽셀 구조가 채택될 수 있다.
실시예 2를 실시할 목적으로 헤드 부분(115)에 주어지는 동작은 다음과 같다. 먼저, 헤드 부분(115)은 화살표 a로 나타내지는 방향으로 이동되고, 그에 의해 적용 액체로 3개의 사각형(적색, 녹색, 및 청색에 대응하는 각 사각형) 내부를 모두 잠기게 한다. 이 동작을 완료한 이후에는 헤드 부분(115)이 화살표 b로 나타내지는 방향으로 이동되고, 그에 의해 적용 액체를 다음 3개의 사각형에 적용하게 된다. 적용 액체는 이 동작을 반복함으로서 픽셀 부분에 적용된다. 이어서, 용매는 열처리에 의해 휘발되어 유기체 EL 물질을 형성하게 된다.
종래의 잉크젯 방법으로 설명된 예에서, 액체를 적용하도록 형성된 유기체 EL 물질은 원형이 된다. 그러므로, 완전히 길고 좁은 픽셀을 커버하는 것이 어렵다. 특별히, 전체 픽셀이 발광 영역으로 동작하는 실시예 1의 경우에서는 전체 픽셀이 유기체 EL 물질로 커버될 필요가 있다. 한편, 실시예 2는 화살표 a로 나타내지는 방향으로 헤드 부분(115)을 이동시킴으로서 사각형이 적용 액체로 완전히 채워질 수 있는 이점을 갖는다.
실시예 2의 구성은 실시예 1에서 설명된 EL 디스플레이 디바이스를 제작하는데 사용될 수 있음을 주목한다. 뱅크(1201)는 패턴화함으로서 매트릭스 형태로 형성되고, 헤드 부분(115)의 동작은 전기적으로 제어될 수 있다.
실시예 3
실시예 3에서는 도 13을 참고로 수동형(단순 매트릭스형) EL 디스플레이 디바이스에서 본 발명을 사용하는 경우가 설명된다. 도 13에서, 참고 번호(1301)는 플라스틱 기판을 나타내고, (1302)는 알루미늄 합금막으로 구성된 음극을 나타낸다. 음극(1302)은 실시예 3에서 증발 방법에 의해 형성된다. 비록 도 13에서는 도시되지 않았지만, 다수의 음극선이 지정된 공간에서 수직 방향으로 스트라이프 형상에 배열됨을 주목한다.
또한, 뱅크(1303)는 스트라이프로 배열된 음극(1302) 사이의 공간을 채우도록 형성된다. 뱅크(1303)는 정의된 공간에서 수직 방향으로 음극(1302)을 따라 형성된다.
이어서, 고분자 유기체 EL 물질로 구성되는 발광층(1304a 내지 1304c)이 도1의 박막 피착 장치를 사용해 막 피착 방법에 의해 형성된다. 물론, 참고번호(1304a)는 적색을 발하는 발광층이고, (1304b)는 녹색을 발하는 발광층이고, 또한 (1304c)은 청색을 발하는 발광층이다. 실시예 3에서는 실시예 1과 유사한 유기체 EL 물질이 사용될 수 있다. 이들 발광층은 뱅크(1302)에 의해 형성된 그루브(groove)를 따라 형성되고, 이들 층은 정의된 공간에서 수직 방향으로 스트라이프 형상에 배열된다.
이어서, 모든 픽셀에 공통된 홀 주입층(1305)이 스핀 코팅 방법 또는 프린팅 방법에 의해 형성된다. 홀 주입층은 또한 실시예 1과 유사하다. 부가하여, 투명 전도성 막으로 구성된 양극(1306)은 홀 주입층(1305)에 형성된다. 실시예 3에서는 증발 방법에 의해 형성된 산화인듐과 산화아연의 화합물이 투명 전도성 막으로 형성된다. 비록 도 13에는 도시되지 않았지만, 정의된 공간에서 다수의 양극선의 평행 방향은 길이 방향이고, 양극(1306)은 음극(1302)과 교차하도록 스트라이프 형상에 배열됨을 주목한다. 더욱이, 도면에 도시되지 않은 와이어는 추후 소정의 전압이 양극(1306)에 적용될 수 있도록 FPC가 부착되는 부분으로 그려진다.
또한, 양극(1306)의 형성 이후에는 도면에 도시되지 않은 비활성화막인 질화실리콘막이 제공될 수 있다.
이와 같이, EL 소자가 기판(1301)사에 형성된다. 하단 측의 전극이 광차폐 음극이므로, 발광층(1304a 내지 1304c)에 의해 발생된 빛은 상단 표면(기판(1301)에 반대되는 표면)에 조사됨을 주목한다. 그러나, 하단 측 전극은 EL 소자의 구조를 역전시킴으로서 투과 양극이 될 수 있다. 그 경우, 발광층(1304a 내지 1304c)에 의해 발생된 빛은 하단 표면(기판(1301))에 조사된다.
커버 물질(1307)로 플라스틱 플레이트가 준비된다. 실시예 3의 구조에서, 커버 물질(1307)은 EL 소자로부터 조사된 빛이 커버 물질(1307)을 투과하여 관찰자의 눈에 들어오기 때문에 투과적이다. 실시예 3에서는 플라스틱 플레이트가 사용되지만, 유리 플레이트 및 PVF막과 같은 투과성 기판(또는 투과성막)이 사용될 수 있다. 물론, 상술된 바와 같이, EL 소자의 구조를 역전시키는 경우, 커버 물질은 광차폐 특성을 갖는다. 그래서, 세라믹 기판 등이 사용될 수 있다.
이와 같이 커버 물질(1307)이 준비될 때, 이는 건조제(도면에 도시되지 않은)인 산화바륨으로 도핑된 충전제 물질(1308)에 의해 기판에 부착된다. 이때, 프레임 물질(1310)은 자외선 경화 수지로 구성된 봉합 물질(1309)을 사용해 부착된다. 실시예 3에서는 스테인레스 물질이 프레임 물질(1310)로 사용된다. 마지막으로, FPC(1312)가 전도성 페이스트(paste)(1311)를 통해 부착되고, 그에 의해 수동형 EL 디스플레이 디바이스를 완료한다.
실시예 4
본 발명의 활성 매트릭스 EL 디스플레이 디바이스를 도 11a의 방향으로부터 볼 때, 픽셀 열은 길이 방향 또는 측면 방향으로 형성된다. 다른 말로 하면, 픽셀의 배열은 길이 방향으로 픽셀 열을 형성하는 경우에 도 14a와 같이 된다. 한편, 픽셀의 배열은 측면 방향으로 픽셀 열을 형성하는 경우에 도 14b와 같이 된다.
도 14a에서, 참고번호(1401)는 길이 방향에서 스트라이프 형태로 형성된 뱅크를 나타내고, (1402a)는 적색을 발하는 EL층을 나타내고, (1402b)는 녹색을 발하는 EL층을 나타낸다. 청색을 발하는 EL층(도면에서 도시되지 않은)은 물론 녹색을 발하는 EL층(1402b) 다음에 형성된다. 절연막을 통한 소스 와이어의 상단 방향에서, 뱅크(1401)는 소스 와이어를 따라 형성됨을 주목하여야 한다.
여기서 칭하여지는 EL층은 발광층, 전하 주입층, 및 전하 운송층과 같이 층의 발광에 공헌하는 유기체 EL 물질로 구성된 층을 나타낸다. 단일층으로 발광층을 형성하는 경우가 있다. 그러나, 예를 들어, 홀 주입층과 발광층의 적층을 형성하는 경우에는 적층이 EL층이라 칭하여진다.
이때, 점선으로 나타내지는 픽셀(1403)의 상호 거리(D)는 EL층의 막 두께(t) 보다 5배 이상(바람직하게 10배 이상) 더 크게 설정되는 것이 바람직하다. 그 이유는 D < 5t이면, 픽셀 사이에서 누화(cross-talk)의 문제점이 일어날 수 있다는데 있다. 픽셀 사이의 거리(D)가 또한 너무 멀리 떨어져 있으면, 높은 명석도의 영상이 구해질 수 없음을 주목한다. 그러므로, 거리(D)는 5t < D < 50t(바람직하게 10t < D < 35t)가 되는 것이 바람직하다.
또한, 도 14b에서, 참고번호(1404)는 측면 방향에서 스트라이프 형태로 형성된 뱅크를 나타내고, (1405a)는 적색을 발하는 EL층으로 나타내고, (1405b)는 녹색을 발하는 EL층을 나타내고, 또한 (1405c)은 청색을 발하는 EL층을 나타낸다. 절연막을 통해 게이트 와이어의 상단 방향에서, 뱅크(1404)는 게이트 와이어를 따라 형성됨을 주목하여야 한다.
또한, 이러한 경우에는 점선으로 나타내지는 픽셀(1406)의 상호 거리(D)가 EL층의 막 두께(t) 보다 5배 이상(바람직하게 10배 이상) 더 크게 설정되는 것이적절하고, 또한 거리(D)는 5t < D < 50t(바람직하게 10t < D < 35t)가 되는 것이 바람직하다.
실시예 4의 구성은 실시예 1 내지 3의 구성과 조합되어 실시될 수 있음을 주목한다. 실시예 4에서와 같이 EL층의 막 두께와 픽셀의 거리 사이의 관계를 조절함으로서, 누화 없이 높은 명석도의 영상을 디스플레이 하는 것이 가능해진다.
실시예 5
실시예 1에서는 도 1의 박막 피착 장치를 사용함으로서 적색을 발하는 발광층, 녹색을 발하는 발광층, 및 청색을 발하는 발광층의 모든 발광층을 형성하는 예가 설명되었다. 그러나, 도 1의 박막 피착 장치를 사용해 형성된 발광층은 적색, 녹색, 및 청색 중 적어도 하나에 대한 층이 된다.
즉, 도 1b에서는 노즐(116c)(청색 발광층 적용 액체를 적용하는 노즐)이 생략된다. 또한, 다른 적용 수단에 의해 청색 발광층 적용 액체(114c)를 적용하는 것이 가능하다. 도 15에는 이러한 예가 도시된다.
도 15에서는 실시예 5의 구성이 실시예 3에서 설명된 수동형 EL 디스플레이 디바이스에 사용되는 경우의 예가 도시된다. 기본 구조는 도 13에 도시된 수동형 EL 디스플레이 디바이스와 똑같으므로, 다른 부분의 참고번호만이 변화되어 설명된다.
도 15에서는 기판(1301)에 음극(1302)을 형성한 이후에, 도 1의 박막 피착 장치를 사용함으로서, 적색을 발하는 발광층(1304a) 및 녹색을 발하는 발광층(1304b)이 형성된다. 이어서, 청색을 발하는 발광층(1501)은 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 또는 증발 방법에 의해 그 위에 형성된다. 부가하여, 홀 주입층(1305) 및 양극(1306)이 형성된다.
이어서, 실시예 3의 설명에 따라 충전제 물질(1308), 커버 물질(1307), 봉합 물질(1309), 프레임 물질(1310), 전도성 페이스트(1311), 및 FPC(1312)가 형성되고, 그에 의해 도 15의 수동형 EL 디스플레이 디바이스를 완성한다.
실시예 5의 경우는 적색을 발하는 발광층(1304a), 녹색을 발하는 발광층(1304b), 및 청색을 발하는 발광층(1501)이 다른 수단에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다. 물론, 색깔은 자유롭게 조합될 수 있고, 녹색을 발하는 발광층은 상술된 청색을 발하는 발광층 대신에 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 또는 증발 방법에 의해 형성될 수 있다.
부가하여, 녹색을 발하는 발광층은 도 1의 주입 디바이스를 사용해 형성되고, 적색을 발하는 발광층과 청색을 발하는 발광층은 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 또는 증발 방법에 의해 형성될 수 있다. 이 경우에도, 색깔은 자유롭게 조합될 수 있다.
발광 픽셀, 즉 적색 발광 픽셀, 녹색 발광 픽셀, 및 청색 발광 픽셀에 대한 실시예 5의 구조에 따라, 적어도 하나는 다른 두 종류의 발광층의 적층인 구조를 발광층으로 갖는다. 이 경우, 다른 두 종류의 발광층 중에서 하나는 에너지의 이동성으로 인해 한가지 색깔을 방사한다. 그러나, 조사될 어떠한 색깔이든 미리 조사될 수 있다. 그래서, 적색, 녹색, 및 청색이 최종적으로 얻어질 수 있도록 구조를 설계하는 것이 적절하다.
상술된 바와 같이, 발광층을 적층으로 구성하는 이점으로는 핀홀(pinhole)에 의해 발생되는 단락 회로의 가능성이 낮아진다는 점을 언급할 수 있다. 발광층이 매우 얇으므로, 핀홀에 의해 발생되는 음극 및 양극에서의 단락 회로 발생은 문제가 된다. 그러나, 적층을 구성함으로서, 핀홀이 채워지므로, 단락 회로가 발생될 가능성이 많이 줄어들 수 있다. 이러한 의미에서, 핀홀이 발생되기 어려운 증발 방법에 의해 적층 구조의 상단 층에 제공되는 발광층을 형성하는 것이 효과적이다.
실시예 5에서는 한 예로 수동형 EL 디스플레이 디바이스를 설명하였음을 주목한다. 그러나, 활성 매트릭스 EL 디스플레이 디바이스가 또한 사용될 수 있다. 따라서, 실시예 5의 구성은 실시예 1 내지 4 중 임의의 구성과 자유롭게 조합되어 실시될 수 있다.
실시예 6
도 1에는 3 노즐이 부착된 헤드 부분(115)의 한 예가 도시된다. 그러나, 다수의 픽셀 열에 대응하여 3개 이상의 노즐과 더 부착될 수 있고, 그 예는 도 16에 도시된다. 문자 R, G, 및 B는 각각 적색, 녹색, 및 청색에 대응함을 주목하여야 한다.
도 16에는 픽셀 부분에 형성된 모든 픽셀 열에 유기체 EL 물질(엄격하게, 적용 액체)을 집합적으로 적용하는 예가 도시된다. 즉, 헤드 부분(1601)에 부착된 노즐의 수는 픽셀열의 수와 똑같다. 이러한 구조를 구성함으로서, 한번의 주사로 전체 픽셀 열에 적용 액체를 적용하는 것이 가능해지고, 그에 의해 처리 량이 신속하게 증가된다.
또한, 픽셀 부분은 다수의 구역(zone)으로 분할된다. 각 구역에 포함된 픽셀열의 수와 똑같은 수의 노즐이 제공된 헤드 부분이 사용된다. 다른 말로 하면, 픽셀 부분이 n개의 구역으로 나뉘는 경우, 유기체 EL 물질(엄격하게, 적용 액체)은 n회의 주사에 의해 모든 픽셀 열에 적용될 수 있다.
실제로 픽셀의 크기가 수 십 μm으로 작은 경우가 있으므로, 픽셀열의 폭도 또한 대략 수 십 μm이다. 이러한 경우, 한 수평 열에 노즐을 배열하기 어렵기 때문에, 노즐의 배열은 연구될 필요가 있다.
도 17에는 헤드 부분에 대한 노즐의 부착 위치가 변경되는 예가 도시된다. 도 17a에서, 노즐(52a 내지 52c)은 대각선으로 부착 위치를 쉬프트 하면서 헤드 부분(51)에 형성된다. 참고번호(52a)는 적색 발광층 적용 액체를 적용하는 노즐을 나타내고,(52b)는 녹색 발광층 적용 액체를 적용하는 노즐을 나타내고, 또한(52c)은 청색 발광층 적용 액체를 적용하는 노즐을 나타냄을 주목한다. 또한, 각 화살표는 픽셀 열에 대응한다.
노즐(52a 내지 52c)은 참고번호(53)에 의해 나타내지는 바와 같이 한 유닛으로 간주된다. 그래서, 헤드 부분에는 1 내지 수개의 유닛이 제공된다. 하나의 유닛(53)이 있으면, 유기체 EL 물질은 동시에 3개의 픽셀 열에 적용될 수 있다. 이는 n개의 유닛이 있는 경우 유기체 EL 물질이 동시에 3개의 픽셀 열이 n개인 것에 적용될 수 있음을 의미한다.
이러한 구조를 형성함으로서, 노즐의 배열 공간에서 자유도가 상승되어, 많은 어려움 없이 매우 세밀한 픽셀 부분에 본 발명을 실시하는 것을 가능하게 만든다. 부가하여, 도 17a의 헤드 부분(51)은 픽셀 부분에서 모든 픽셀 열을 집합적으로 처리하는데(적용 액체를 적용하는데) 사용되거나, 픽셀 부분이 다수의 구역으로 나뉘고 픽셀열의 처리가 수회로 나뉘는 경우에 사용될 수 있다.
도 17b에 도시된 헤드 부분(54)은 도 17a의 수정 버젼이다. 이는 한 유닛(55)에 포함된 노즐의 수를 증가시키는 경우의 예이다. 다른 말로 하면, 적색 발광층 적용 액체를 적용하는 2 노즐(56a), 녹색 발광층 적용 액체를 적용하는 2 노즐(56b), 및 청색 발광층 적용 액체를 적용하는 2 노즐(56c)이 유닛(55)에 포함된다. 그래서, 총 6개의 픽셀 열에 한 유닛(55)으로 동시에 유기체 EL 물질이 적용될 수 있다.
실시예 6에서는 상술된 1 내지 다수의 유닛(55)이 제공될 수 있다. 단 하나의 유닛(55)만이 있으면, 유기체 EL 물질은 동시에 6개의 픽셀 열에 적용될 수 있다. n개의 유닛(55)이 있으면, 유기체 EL 물질은 동시에 6개 픽셀 열이 n개 있는 것에 적용될 수 있다. 물론, 유닛(55)에 제공된 노즐의 수는 반드시 6으로 제한되는 것은 아니고, 추가수의 노즐이 제공될 수 있다.
이러한 구조의 경우에는 도 17a의 경우와 유사하게, 픽셀 부분의 모든 픽셀 열이 집합적으로 처리될 수 있거나, 픽셀 부분이 다수의 구역으로 나뉠 때 처리를 여러 번으로 나누는 것이 가능하다.
부가하여, 도 17c에 도시된 헤드 부분(57)과 같은 헤드 부분이 사용될 수 있다. 헤드 부분(57)에서, 3개 픽셀열의 공간은 적색 발광층 적용 액체를 적용하기 위한 노즐(58a), 녹색 발광층 적용 액체를 적용하기 위한 노즐(58b), 및 청색 발광층 적용 액체를 적용하기 위한 노즐(58c)을 제공하도록 개방된다.
먼저, 헤드 부분(57)은 유기체 EL 물질을 픽셀 열에 적용하도록 1회 주사된다. 다음에는 헤드 부분(57)이 3개 픽셀 열 만큼 우측으로 쉬프트 되어 다시 주사된다. 이어서, 헤드 부분은 3개 픽셀 열 만큼 우측으로 더 쉬프트 되어 다시 주사된다. 그래서, 주사는 3회 실행되고, 그에 의해 유기체 EL 물질은 적색, 녹색, 및 청색의 순서로 줄 세워진 스트라이프에 적용될 수 있다.
또한, 이러한 구조의 경우에는 도 17a의 경우와 유사하게, 픽셀 부분의 모든 픽셀 열이 집합적으로 처리될 수 있거나, 픽셀 부분이 다수의 구역으로 나뉠 때 처리를 여러 번으로 나누는 것이 가능하다.
그래서, 도 1의 박막 피착 장치에서는 헤드 부분에 부착된 노즐의 위치를 고려함으로서, 본 발명이 또한 매우 좁은 픽셀 피치(픽셀 사이의 거리)를 갖는 매우 세밀한 픽셀 부분에서도 실시될 수 있다. 더욱이, 제작 처리의 처리 량이 증가될 수 있다.
실시예 6의 구성은 실시예 1 내지 5 중 임의의 구성과 자유롭게 조합되어 실시될 수 있음을 주목한다.
실시예 7
본 발명이 활성 매트릭스 EL 디스플레이 디바이스를 제작하도록 실시될 때, 기판으로 실리콘 기판(실리콘 웨이퍼(wafer))을 사용하는 것이 효과적이다. 기판으로 실리콘 기판을 사용하는 경우, 픽셀 부분에 형성되는 스위칭 소자 및 전류 제어 소자, 또는 구동기 회로 부분에 형성되는 구동기 소자를 제작하는데는 종래의IC, LSI 등에서 사용되는 MOSFET의 제작 기술이 사용될 수 있다.
MOSFET는 IC 및 LSI에서 이루어지는 것과 같이 매우 작은 변형을 갖는 회로를 형성할 수 있다. 특별히, 활성 매트릭스 EL 디스플레이 디바이스의 아날로그 구동기가 전류 값에 의해 그레이데이션(gradation) 디스플레이를 실행하는 것이 효과적이다.
실리콘 기판은 투과성이 아니므로, 발광층으로부터의 빛이 기판과 반대측에 조사되도록 구성될 필요가 있음을 주목하여야 한다. 실시예 7의 EL 디스플레이 디바이스의 구조는 도 11과 유사하다. 그러나, 다른 점은 MOSFET가 TFT 대신에 픽셀 부분(702)과 구동기 회로 부분(703)을 형성하는데 사용된다는 점이다.
실시예 8
본 발명을 실시함으로서 형성된 EL 디스플레이 디바이스는 자체 발광형 디바이스이기 때문에 액정 디스플레이 디바이스와 비교해 밝은 위치에서 뛰어난 가시성을 갖고, 시야가 넓다. 따라서, 다양한 전자 디바이스의 디스플레이 부분으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 대형 화면의 TV 방송을 감상하기 위해 30 인치 이상(전형적으로 40 인치 이상)의 대각선을 갖는 EL 디스플레이(케이스 내에 EL 디스플레이 디바이스를 포함하는 디스플레이)의 디스플레이 부분으로 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스를 사용하는 것이 적절하다.
개인용 컴퓨터 디스플레이, TV 방송 수신 디스플레이, 또는 광고 디스플레이와 같이 정보를 나타내는(디스플레이 하는) 모든 디스플레이는 EL 디스플레이로 포함됨을 주목한다. 또한, 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스는 다른 다양한 전자디바이스의 디스플레이 부분으로 사용될 수 있다.
다음은 이러한 전자 디바이스의 예로 주어질 수 있다: 비디오 카메라; 디지털 카메라; 고글형 디스플레이(머리에 착용하는 디스플레이); 자동차 항해(navigation) 시스템; 오디오 재생 디바이스(예를 들면, 자동차 오디오 시스템, 오디오 컴포(compo) 시스템); 노트북 개인용 컴퓨터; 게임 장비; 휴대용 정보 단자(예를 들면, 이동 컴퓨터, 이동 전화기, 이동 게임 장비, 또는 전자 서적); 및 기록 매체가 제공되는 영상 재생 디바이스(특별히, 기록 매체의 재생을 실행하고, 디지털 비디오 디스크(digital video disk, DVD)와 같이 영상을 디스플레이할 수 있는 디스플레이가 제공되는 디바이스). 특히, 휴대용 정보 단자는 때로 대각선으로부터 관찰되기 때문에, 시야의 넓이가 매우 중요한 것으로 생각된다. 그래서, EL 디스플레이 디바이스가 사용되는 것이 바람직하다. 이러한 전자 디바이스의 예는 도 18a 내지 도 19b에 도시된다.
도 18a는 케이스(2001), 지지 대(2002), 및 디스플레이 부분(2003)을 포함하는 EL 디스플레이이다. 본 발명은 디스플레이 부분(2003)에서 사용될 수 있다. EL 디스플레이가 백라이트를 필요로 하지 않는 자체 발광형이므로, 디스플레이 부분은 액정 디스플레이 디바이스 보다 더 얇게 만들어질 수 있다.
도 18b는 메인 본체(2101), 디스플레이 부분(2102), 오디오 입력 부분(2103), 동작 스위치(2104), 배터리(2105), 및 영상 수신 부분(2106)을 포함하는 비디오 카메라이다. 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스는 디스플레이 부분(2102)에서 사용될 수 있다.
도 18c는 메인 본체(2201), 신호 케이블(2202), 머리 고정 밴드(2203), 디스플레이 부분(2204), 광학 시스템(2205), 및 EL 디스플레이 디바이스(2206)를 포함하는 머리 고정형 EL 디스플레이의 일부(우측)이다. 본 발명은 EL 디스플레이 디바이스(2206)에서 사용될 수 있다.
도 18d는 메인 본체(2301), 기록 매체(DVD와 같은)(2302), 동작 스위치(2303), 디스플레이 부분(a)(2304), 및 디스플레이 부분(b)(2305)을 포함하고, 기록 매체가 제공되는 영상 재생 디바이스(특별히, DVD 재생 디바이스)이다. 디스플레이 부분(a)은 주로 영상 정보를 디스플레이 하는데 사용되고, 영상 부분(b)은 주로 문자 정보를 디스플레이 하는 사용되고, 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스는 영상 부분(a) 및 영상 부분(b)에서 사용될 수 있다. 실내 게임 장비는 기록 매체가 제공되는 영상 재생 디바이스로 포함됨을 주목한다.
도 18e는 메인 본체(2401), 카메라 부분(2402), 영상 수신 부분(2403), 동작 스위치(2404), 및 디스플레이 부분(2405)을 포함하는 이동 컴퓨터이다. 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스는 디스플레이 부분(2405)에서 사용될 수 있다.
도 18f는 메인 본체(2501), 케이스(2502), 디스플레이 부분(2503), 및 키보드(2504)를 포함하는 개인용 컴퓨터이다. 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스는 디스플레이 부분(2503)에서 사용될 수 있다.
미래에 EL 물질의 방사 휘도가 더 높아지면, 출력 영상을 포함하는 빛의 투사(projection)는 렌즈 등에 의해 확대될 수 있음을 주목한다. 이때, 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스를 전방형 또는 전방형 프로젝터에서 사용되는 것이 가능해진다.
상기의 전자 디바이스는 인터넷 또는 CATV(cable television)과 같은 전자 전송 회로를 통해 제공되는 정보를 디스플레이 하는 보다 자주 사용되고 있고, 특히 에니메이션(animation) 정보를 디스플레이 하는 기회가 증가되고 있다. EL 물질의 응답 속도는 매우 높으므로, EL 디스플레이 디바이스는 에니메이션 디스플레이를 실행하는데 좋다. 그러나, 픽셀 사이의 윤곽이 흐릿해지고, 그에 의해 전체적인 에니메이션도 또한 흐릿해진다. 따라서, 픽셀 사이의 윤곽을 명확하게 하는 기능 때문에 전자 장비의 디스플레이 부분에 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스를 사용하는 것이 매우 효과적이다.
EL 디스플레이 디바이스의 발광 부분은 전력을 소모하므로, 가능한 한 적게 방사 부분을 갖도록 정보를 디스플레이 하는 것이 바람직하다. 그러므로, 휴대용 정보 단자, 특히 휴대용 전화기 및 오디오 재생 디바이스와 같이 문자 정보를 주로 디스플레이 하는 디스플레이 부분에 EL 디스플레이 디바이스를 사용할 때, 비방사 부분을 배경으로 설정하고 방사 부분에는 문자 정보를 형성함으로서 이를 구동시키는 것이 바람직하다.
도 19a는 메인 본체(2601), 오디오 출력 부분(2602), 오디오 입력 부분(2603), 디스플레이 부분(2604), 동작 스위치(2605), 및 안테나(2606)를 포함하는 휴대용 전화기이다. 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스는 디스플레이 부분(2604)에서 사용될 수 있다. 디스플레이 부분(2604)에서 흑색 배경에 흰색 문자를 디스플레이 함으로서, 휴대용 전화기의 전력 소모가 감소될 수 있음을 주목한다.
도 19b는 메인 본체(2701), 디스플레이 부분(2702), 및 동작 스위치(2703, 2704)를 포함하는 오디오 재생 디바이스, 특별히 자동차 오디오시스템이다. 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스는 디스플레이 부분(2702)에서 사용될 수 있다. 더욱이, 자동차의 오디오 재생 디바이스는 실시예 8에서 도시되지만, 이는 또한 이동형 및 실내형 오디오 재생 디바이스에도 사용될 수 있다. 디스플레이 부분(2704)에서 흑색 배경에 흰색 문자를 디스플레이 함으로서, 전력 소모가 감소될 수 있음을 주목한다. 이는 특별히 이동형 오디오 재생 디바이스에서 효과적이다.
본 발명의 응용 범위는 매우 넓고, 모든 분자의 전자 디바이스에 본 발명을 적용하는 것이 가능하다. 더욱이, 실시예 1 내지 실시예 7에 도시된 EL 디스플레이 디바이스 중 임의의 구성은 실시예 8의 전자 디바이스에서 사용될 수 있다.
실시예 9
실시예 9에서는 실시예 1의 도 11에 도시된 EL 디스플레이 디바이스의 단면 구조와 다른 EL 소자를 포함하는 방법의 경우가 도 20을 참고로 설명된다. 실시예 9의 활성 매트릭스 기판을 형성하는 처리는 실시예 1과 유사하므로, 그 설명이 생략됨을 주목한다.
실시예 1에 따라 형성된 활성 매트릭스 기판에는 봉합 물질(2801)이 제공되고, 커버 물질(2802)이 그에 부착된다. 자외선 경화 수지와 같은 접착성을 갖는 수지가 봉합 물질(2801)로 사용될 수 있다. 특별히, 습기가 가능한 한 많이 투과되지 않고 가능한 한 적게 기체가 누설되는 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 부가하여, 광 투명성을 갖는 윈도우 멤버가 제공되는 유리 기판, 플라스틱 기판, 또는 세라믹 기판과 같은 기판에 형성된 EL 소자로부터 방사된 빛을 추출할 수 있는 물질이 커버 물질(2802)로 사용된다.
실시예 9에서, 자외선 경화 수지로 구성된 봉합 물질(2801)은 디스펜서(dispenser)를 사용해 픽셀 부분(702) 및 구동기 회로 부분(703)을 둘러싸도록 형성되고, 플라스틱으로 구성된 커버 물질(2802)이 그에 부착된다. 다음에는 봉합 물질(2801)이 자외선을 조사함으로서 경화되고, 그에 의해 커버 물질(2802)을 활성 매트릭스 기판에 결합시키게 된다.
수지로 구성된 칼라 필터(2803, 2804)는 기판에 부착되기 이전에 플라스틱으로 구성된 커버 물질(2802)에 제공됨을 주목한다. 칼라 필터(2803, 2804)는 EL 소자로부터 조사된 빛의 색순도를 개선하도록 각 픽셀 위에 제공된다. 칼라 필터가 제공되지 않는 경우에는 문제되지 않는다.
활성 매트릭스 기판, 커버 물질(2802), 및 봉합 물질(2801)로 형성된 폐쇄 공간(2805)은 불활성 기체(특별히 질소 함유 기체 또는 희귀 기체(noble(rare) gas))로 채워진다. 이를 행하기 위해, 불활성 기체에서 활성 매트릭스 기판과 커버 물질을 결합시키는 처리를 실행하는 것이 적절하다. 더욱이, 폐쇄된 공간(2805)내에 산화바륨과 같은 건조제를 제공하는 것이 효과적이다. 또한, 봉합 물질(2801), 커버 물질(2802), 또는 칼라 필터(2803, 2804)에 부가하여 건조제를 도핑 하는 것이 가능하다.
실시예 1 내지 7의 구성과 자유롭게 조합하여 실시예 9의 구성을 실시하는것이 가능함을 주목한다. 실시예 9를 실시함으로서 구해진 EL 디스플레이 디바이스는 실시예 8의 전자 장비에 사용될 수 있다.
실시예 10
실시예 10에서는 큰 기판에 본 발명의 EL 디스플레이 디바이스를 다수 제작하는 경우가 설명된다. 설명은 도 21a 및 도 21b와 도 22a 및 도 22b에 도시된 상면 도를 사용해 이루어진다. 각 상면 도는 선 A-A' 및 선 B-B'를 따라 취해진 단면도를 모두 가짐을 주목한다.
도 21a는 실시예 1 내지 7 중 하나에 따라 형성된 활성 매트릭스 기판의 상태를 도시하고, 그 위에는 봉합 물질이 형성된다. 참고번호(2901)는 수개의 위치에 제공된 봉합 물질(2902)을 갖는 활성 매트릭스 기판을 나타낸다.
EL 디스플레이 디바이스의 픽셀 부분 및 구동기 회로 부분은 봉합 물질(2902)로 둘러싸인 각 영역 내부에 포함된다. 즉, 각각이 픽셀 부분과 구동기 회로 부분의 조합으로 구성된 다수의 활성 매트릭스 부분(2903)이 하나의 대형 활성 매트릭스 기판(2901)상에 형성된다. 전형적으로, 620 am X 720 am 또는 400 am X 500 am의 면적을 갖는 기판이 대형 기판으로 사용된다. 물론, 다른 면적을 갖는 기판이 사용될 수 있다.
도 21b는 커버 물질(2904)이 활성 매트릭스 기판(2901)에 부착된 상태를 도시한다. 활성 매트릭스 기판(2901)과 똑같은 면적을 갖는 기판이 커버 물질(2904)로 사용된다. 따라서, 도 21b에 도시된 상태에서는 공통된 커버 물질이 모든 활성 매트릭스 부분에 사용될 수 있다.
다음에는 도 21b에 도시된 상태에서 활성 매트릭스 기판을 절단하는 처리가 도 22a 및 도 22b를 참고로 설명된다.
실시예 10에서, 활성 매트릭스 기판(2901) 및 커버 물질(2904)의 절단은 스크라이버(scriber)를 사용해 실행된다. 스크라이버는 기판을 절단하기 위한 디바이스로, 먼저 기판에서 좁은 그루브(스크라이브 그루브(scribe groove))를 형성하고, 이어서 스크라이브 그루브를 따라 틈을 발생하도록 스크라이브 그루브에 충격을 인가하여 기판을 절단한다.
기판을 절단하는 또 다른 디바이스로는 다이서(dicer)가 공지됨을 주목하여야 한다. 다이서는 매우 고속으로 하드 커터(hard cutter)(또한 다이싱 톱날(dicing saw)이라 칭하여지는)가 회전되어 기판에 적용되는 디바이스이다. 그러나, 다이서를 사용할 때, 다이싱 톱날에는 열 발생을 방지하고 광택제 먼저의 산란을 방지하기 위해 물이 뿌려진다. 그러므로, EL 디스플레이 디바이스를 제작할 때는 물을 사용할 필요가 없는 스크라이버를 사용하는 것이 바람직하다.
활성 매트릭스 기판(2901) 및 커버 물질(2904)에 스크라이브 그루브를 형성하는 순서는 다음과 같다. 먼저, 화살표(a)로 나타내지는 방향으로 스크라이브 그루브(2905a)가 형성되고, 이어서 화살표(b)로 나타내지는 방향으로 스크라이브 그루브(2905b)가 형성되고, 마지막으로 화살표(c)로 나타내지는 방향으로 스크라이브 그루브(2905c)가 형성된다.
스크라이브 그루브가 형성될 때는 틈을 발생하도록 실리콘 수지와 같은 신축성 있는 물질로 구성된 막대로 스크라이브 그루브에 충격이 가해지고, 이어서 활성매트릭스 기판(2901) 및 커버 물질(2904)이 절단된다. 도 22b는 활성 매트릭스 기판(2901) 및 커버 물질(2904)을 절단한 이후의 상태를 도시하는 도면이다. 이 도면에서, 활성 매트릭스 기판(2901') 및 커버 물질(2904')로 구성된 세트는 하나의 활성 매트릭스 부분을 포함한다.
또한, 커버 물질(2904')은 이때 활성 매트릭스 기판(2901') 보다 더 작게 절단된다. 이를 행하는 목적은 참고번호(2906)로 나타내지는 영역에 FPC(Flexible Print Circuit)를 부착하는 것이다. EL 디스플레이 디바이스는 FPC가 부착될 때 완성된다.
다수의 EL 디스플레이 디바이스는 이와 같이 실시예 10을 실시함으로서 한 기판으로부터 제작될 수 있다. 예를 들면, 620 am X 720 am 기판으로부터 6개의 13 내지 14 인치 대각선 EL 디스플레이 디바이스 또는 4개의 15 내지 17 인치 대각선 EL 디스플레이 디바이스가 제작될 수 있다. 그러므로, 처리 량이 많이 증가되고 제작비용이 감소될 수 있다.
실시예 11
실시예 11에서는 도 23을 참고로 실시예 1에 도시된 픽셀 부분에서 EL 소자(203)의 구조가 역전된 경우가 설명된다. 실시예 11의 구조와 도 2의 구조 사이의 차이는 전류 제어 TFT 및 EL 소자의 일부에만 있으므로, 다른 부분의 설명은 생략됨을 주목한다.
도 23에서는 실시예 1의 제작 과정에 따라 형성된 p-채널 TFT(206)와 그 구조가 동일한 p-채널 TFT를 사용하여 전류 제어 TFT(61)가 형성된다. 그러므로, 전류 제어 TFT(61)의 상세한 설명은 생략된다.
실시예 11에서, 투명 전도성 막은 픽셀 전극(양극)으로 사용된다. 특별히, 산화인듐 및 산화아연의 화합물로 구성된 전도성 막이 사용된다. 물론, 산화인듐 및 산화주석의 화합물로 구성된 전도성 막이 또한 사용될 수 있다.
절연막으로 구성된 뱅크(63a, 63b)가 형성된 이후에는 용매가 적용되고, 그에 의해 폴리비닐 카바졸(polyvinyl carbazole)로 구성된 발광층(64)을 형성한다. 포타시윰 아세틸 아세토네이트(potassium acetyl acetonate)로 구성된 전자 주입층(65)은 발광층(64)에 형성되고, 알루미늄 합금으로 구성된 음극(66)은 그 위에 형성된다. 이 경우, 음극(66)은 또한 비활성화막으로 동작한다. 이와 같이, EL 소자(67)가 형성된다.
실시예 11의 경우, 화살표로 나타내지는 바와 같이, 발광층(64)으로부터 발생된 빛은 그 위에 TFT가 형성된 기판 쪽으로 조사된다. 실시예 11과 같은 구조를 형성할 때, 전류 제어 TFT(61)를 p-채널 TFT로 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 전류 제어 TFT는 또한 n-채널 TFT로 형성될 수 있다.
실시예 1 내지 7, 9, 및 10 중 임의의 구성과 자유롭게 조합되어 실시예 11의 구성을 실시하는 것이 가능함을 주목한다. 부가하여, 실시예 8의 전자 장비 중 디스플레이 부분으로 실시예 11의 구조를 갖는 EL 디스플레이 디바이스를 사용하는 것이 효과적이다.
실시예 12
실시예 12에서는 도 24에 도시된 픽셀 구성이 도 3b에 도시된 회로도(구성)와 다른 경우의 예가 설명된다. 실시예 12에서, 참고번호(71)는 스위칭 TFT(72)의 소스 와이어를 나타내고, (73)는 스위칭 TFT(72)의 게이트 와이어를 나타내고, (74)는 전류 제어 TFT를 나타내고, (75)는 캐패시터를 나타내고, (76, 78)는 전류 공급 선을 나타내고, 또한 (77)은 EL 소자를 나타낸다.
캐패시터(75)는 n-채널 TT로 형성된 전류 제어 TFT(74)의 게이트 캐패시턴스(게이트 전극과 LDD 영역 사이에 형성된 게이트 캐패시턴스)를 사용함을 주목하여야 한다. 실제로, 캐패시터(75)는 제공되지 않으므로, 이는 점선으로 나타내진다. 물론, 캐패시터는 다른 구조로 형성될 수 있다.
도 24a는 전류 공급선(76)이 두 픽셀 사이에서 공통적인 경우의 예이다. 즉, 이는 두 픽셀이 전류 공급선(76) 주위에서 선형 대칭을 갖고 형성되는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 전류 공급선의 수가 감소될 수 있으므로, 픽셀 부분은 더 높은 명석도로 이루어질 수 있다.
또한, 도 24b는 전류 공급선(78)이 게이트 와이어(73)와 평행하게 형성된 경우의 예이다. 도 24b에서는 전류 공급선(78) 및 게이트 와이어(73)가 오버랩 되지 않지만, 둘 모두가 다른 층에 형성된 와이어이면, 절연막을 통해 오버랩 되도록 형성될 수 있는 구조가 형성됨을 주목한다. 이 경우, 독점적인 표면적이 전류 공급선(78) 및 게이트 와이어(73)에 의해 공유될 수 있어, 픽셀 부분은 더 높은 명석도로 이루어질 수 있다.
더욱이, 도 24c는 도 24b의 구조와 유사하게 전류 공급선(78) 및 게이트 와이어(73)가 나란히 형성되고, 부가하여 두 픽셀이 전류 공급선(78) 주위에서 선형대칭을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 부가하여, 게이트 와이어(73) 중 하나와 오버랩 되도록 전류 공급선(78)을 형성하는 것이 효과적이다. 이 경우, 전류 공급선의 수가 감소될 수 있으므로, 픽셀 부분은 더 높은 명석도로 이루어질 수 있다.
실시예 1 내지 7, 9, 및 10 중 임의의 구성과 자유롭게 조합되어 실시예 12의 구성을 실시하는 것이 가능함을 주목한다. 부가하여, 실시예 8의 전자 장비 중 디스플레이 부분으로 실시예 12의 구조를 갖는 EL 디스플레이 디바이스를 사용하는 것이 효과적이다.
실시예 13
실시예 11에서는 전류 제어 TFT(61)로 p-채널 TFT가 사용된다. 실시예 13에서는 LDD 영역을 갖는 p-채널 TFT를 사용하는 예가 도시된다. 실시예 13의 전류 제어 TFT의 구조는 도 25a에 도시된다.
도 25a에서, 참고번호(81)는 소스 영역을 나타내고, (82)는 드레인 영역을 나타내고, (83)는 LDD 영역을 나타내고, (84)는 채널 형성 영역을 나타내고, (85)는 게이트 절연막을 나타내고, (86)는 게이트 전극을 나타내고, (87)는 제1 층간 절연막을 나타내고, (88)는 소스 와이어를 나타내고, (89)는 드레인 와이어를 나타내고, 또한 (90)은 제1 비활성화막을 나타낸다.
실시예 13의 구조를 형성하는 경우, 이는 게이트 전극(86)이 게이트 절연막(85)을 통해 LDD 영역(83)과 오버랩 되고, 그 사이에 게이트 캐패시턴스가 형성되는 상태이다. 실시예 13은 게이트 캐패시턴스가 전류 제어 TFT의 게이트 전압을 유지하는 캐패시터로 사용되는 것을 특징으로 한다.
실시예 13에 따른 픽셀 구성의 예는 도 25b에 도시된다. 도 25b에서, 참고번호(91)는 소스 와이어를 나타내고, (92)는 게이트 와이어를 나타내고, (93)는 스위칭 TFT를 나타내고, (94)는 전류 제어 TFT를 나타내고, (95)는 전류 제어 TFT의 게이트 캐패시턴스로 형성된 캐패시터를 나타내고, (96)는 EL 소자를 나타내고, 또한 (97)은 전류 공급 선을 나타낸다.
도 25a의 구조는 전류 제어 TFT의 구조 및 24a에서 EL 소자의 방향이 변경된 구조임을 주목한다. 즉, 도 24b 및 도 24c에 도시된 바와 같은 회로 구성을 갖는 픽셀 구성을 형성하는 것이 가능하다.
실시예 13의 전류 제어 TFT를 형성하는 경우에는 p-채널 TFT의 LDD 영역을 형성하는 처리가 요구된다. 그러나, LDD 영역(83)을 형성하는 패턴화 처리 및 p형 불순물 원소의 도핑 처리가 실시예 1의 제작 처리에 부가될 수 있다. 이들 처리를 부가할 때, LDD 영역(83)에 포함된 p형 불순물 원소의 농도를 1x1015내지 1x1018atoms/cm3(전형적으로 5x1016내지 5x1017atoms/cm3) 사이로 설정하는 것이 적절하다.
실시예 1 내지 7, 9, 및 10 중 임의의 구성과 자유롭게 조합되어 실시예 13의 구성을 실시하는 것이 가능함을 주목한다. 부가하여, 실시예 8의 전자 장비 중 디스플레이 부분으로 실시예 13의 구조를 갖는 EL 디스플레이 디바이스를 사용하는 것이 효과적이다.
본 발명을 실시하면, 의심할 여지없이 잉크젯 방법에서 일어나는 비행 곡선 문제점을 일으키지 않고 유기체 EL 물질의 막 피착을 실행하는 것이 가능해진다. 즉, 고분자 유기체 EL 물질이 위치 쉬프트 문제점을 일으키지 않고 정확하게 막 피착될 수 있으므로, 고분자 유기체 EL 물질을 사용하는 EL 디스플레이 디바이스의 산출량이 증가될 수 있다. 또한, 유기체 EL 물질은 잉크젯 방법에서와 같이 "도트(dot)"의 형태로 뿐만 아니라, "라인(line)"의 형태로 적용되므로, 높은 처리 량을 얻게 된다.

Claims (46)

  1. 다수의 게이트 와이어(gate wiring), 상기 다수의 게이트 와이어와 교차하는 다수의 소스 와이어(source wiring), 상기 다수의 게이트 와이어 및 상기 다수의 소스 와이어로 둘러싸인 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 EL 소자를 갖춘 픽셀(pixel) 부분을 구비하고,
    상기 픽셀 부분은 상기 다수의 게이트 와이어를 따라 분할된 다수의 픽셀 열(pixel row)을 구비하고, 및
    상기 다수의 픽셀 열은 적색 발광층이 형성된 제1 픽셀 열, 녹색 발광층이 형성된 제2 픽셀 열, 및 청색 발광층이 형성된 제3 픽셀 열을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  2. 다수의 게이트 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어와 교차하는 다수의 소스 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어 및 상기 다수의 소스 와이어로 둘러싸인 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 EL 소자를 갖춘 픽셀 부분을 구비하고,
    상기 픽셀 부분은 상기 다수의 소스 와이어를 따라 분할된 다수의 픽셀 열을 구비하고, 및
    상기 다수의 픽셀 열은 적색 발광층이 형성된 제1 픽셀 열, 녹색 발광층이 형성된 제2 픽셀 열, 및 청색 발광층이 형성된 제3 픽셀 열을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  3. 다수의 게이트 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어와 교차하는 다수의 소스 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어 위에 제공된 다수의 뱅크(bank), 상기 다수의 게이트 와이어와 상기 다수의 소스 와이어로 둘러싸인 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 EL 소자를 갖춘 픽셀 부분을 구비하고,
    상기 픽셀 부분은 상기 다수의 뱅크를 따라 분할된 다수의 픽셀 열을 구비하고, 및
    상기 다수의 픽셀 열은 적색 발광층이 형성된 제1 픽셀 열, 녹색 발광층이 형성된 제2 픽셀 열, 및 청색 발광층이 형성된 제3 픽셀 열을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  4. 다수의 게이트 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어와 교차하는 다수의 소스 와이어, 상기 다수의 소스 와이어 위에 제공된 다수의 뱅크, 상기 다수의 게이트 와이어와 상기 다수의 소스 와이어로 둘러싸인 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 EL 소자를 갖춘 픽셀 부분을 구비하고,
    상기 픽셀 부분은 상기 다수의 뱅크를 따라 분할된 다수의 픽셀 열을 구비하고, 및
    상기 다수의 픽셀 열은 적색 발광층이 형성된 제1 픽셀 열, 녹색 발광층이형성된 제2 픽셀 열, 및 청색 발광층이 형성된 제3 픽셀 열을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  5. 스트라이프(stripe) 형태로 배열된 다수의 음극(cathode), 상기 다수의 음극과 교차하도록 스트라이프 형태로 배열된 다수의 양극(anode), 및 상기 다수의 음극과 상기 다수의 양극 사이에 제공되는 다수의 발광층을 갖춘 픽셀 부분을 구비하고,
    상기 픽셀 부분은 상기 다수의 음극을 따라 분할된 다수의 픽셀 열을 구비하고, 및
    상기 다수의 픽셀 열은 적색 발광층이 형성된 제1 픽셀 열, 녹색 발광층이 형성된 제2 픽셀 열, 및 청색 발광층이 형성된 제3 픽셀 열을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  6. 스트라이프 형태로 배열된 다수의 음극, 상기 다수의 음극과 교차하도록 스트라이프 형태로 배열된 다수의 양극, 상기 다수의 음극의 갭(gap)에 제공되는 다수의 뱅크, 및 상기 다수의 음극과 상기 다수의 양극 사이에 제공되는 다수의 발광층을 갖춘 픽셀 부분을 구비하고,
    상기 픽셀 부분은 상기 다수의 뱅크를 따라 분할된 다수의 픽셀 열을 구비하고, 및
    상기 다수의 픽셀 열은 적색 발광층이 형성된 제1 픽셀 열, 녹색 발광층이형성된 제2 픽셀 열, 및 청색 발광층이 형성된 제3 픽셀 열을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 EL 디스플레이 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이, 자동차 항해(navigation) 시스템, 오디오 재생 디바이스, 개인용 컴퓨터, 게임 장비, 및 휴대용 정보 단자로 구성된 그룹으로부터 선택된 전자 디바이스에 포함되는 EL 디스플레이 디바이스.
  14. 제 2 항에 있어서,
    상기 EL 디스플레이 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이, 자동차 항해 시스템, 오디오 재생 디바이스, 개인용 컴퓨터, 게임 장비, 및 휴대용 정보 단자로 구성된 그룹으로부터 선택된 전자 디바이스에 포함되는 EL 디스플레이 디바이스.
  15. 제 3 항에 있어서,
    상기 EL 디스플레이 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이, 자동차 항해 시스템, 오디오 재생 디바이스, 개인용 컴퓨터, 게임 장비, 및 휴대용 정보 단자로 구성된 그룹으로부터 선택된 전자 디바이스에 포함되는 EL 디스플레이 디바이스.
  16. 제 4 항에 있어서,
    상기 EL 디스플레이 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이, 자동차 항해 시스템, 오디오 재생 디바이스, 개인용 컴퓨터, 게임 장비, 및 휴대용 정보 단자로 구성된 그룹으로부터 선택된 전자 디바이스에 포함되는 EL 디스플레이 디바이스.
  17. 제 5 항에 있어서,
    상기 EL 디스플레이 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이, 자동차 항해 시스템, 오디오 재생 디바이스, 개인용 컴퓨터, 게임 장비, 및 휴대용 정보 단자로 구성된 그룹으로부터 선택된 전자 디바이스에 포함되는 EL 디스플레이 디바이스.
  18. 제 6 항에 있어서,
    상기 EL 디스플레이 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이, 자동차 항해 시스템, 오디오 재생 디바이스, 개인용 컴퓨터, 게임 장비,및 휴대용 정보 단자로 구성된 그룹으로부터 선택된 전자 디바이스에 포함되는 EL 디스플레이 디바이스.
  19. 다수의 게이트 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어와 교차하는 다수의 소스 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어와 상기 다수의 소스 와이어로 둘러싸인 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 EL 소자를 갖춘 픽셀 부분을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스를 제작하는 방법에 있어서,
    상기 다수의 게이트 와이어를 따라 상기 픽셀 부분을 분할함으로써 다수의 픽셀 열을 형성하는 단계; 및
    각 픽셀 열에 발광층을 형성하는 단계를 구비하고,
    상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
  20. 다수의 게이트 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어와 교차하는 다수의 소스 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어와 상기 다수의 소스 와이어로 둘러싸인 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 EL 소자를 갖춘 픽셀 부분을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스를 제작하는 방법에 있어서,
    상기 다수의 소스 와이어를 따라 상기 픽셀 부분을 분할함으로써 다수의 픽셀 열을 형성하는 단계; 및
    각 픽셀 열에 발광층을 형성하는 단계를 구비하고,
    상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
  21. 다수의 게이트 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어와 교차하는 다수의 소스 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어 위에 제공된 다수의 뱅크, 상기 다수의 게이트 와이어와 상기 다수의 소스 와이어로 둘러싸인 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 EL 소자를 갖춘 픽셀 부분을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스를 제작하는 방법에 있어서,
    상기 다수의 뱅크를 따라 상기 픽셀 부분을 분할함으로써 다수의 픽셀 열을 형성하는 단계; 및
    각 픽셀 열에 발광층을 형성하는 단계를 구비하고,
    상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
  22. 다수의 게이트 와이어, 상기 다수의 게이트 와이어와 교차하는 다수의 소스 와이어, 상기 다수의 소스 와이어 위에 제공된 다수의 뱅크, 상기 다수의 게이트 와이어와 상기 다수의 소스 와이어로 둘러싸인 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 EL 소자를 갖춘 픽셀 부분을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스를 제작하는 방법에 있어서,
    상기 다수의 뱅크를 따라 상기 픽셀 부분을 분할함으로써 다수의 픽셀 열을형성하는 단계; 및
    각 픽셀 열에 발광층을 형성하는 단계를 구비하고,
    상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
  23. 스트라이프 형태로 배열된 다수의 음극, 상기 다수의 음극과 교차하도록 스트라이프 형태로 배열된 다수의 양극, 및 상기 다수의 음극과 상기 다수의 양극 사이에 제공되는 다수의 발광층을 갖춘 픽셀 부분을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스를 제작하는 방법에 있어서:
    상기 다수의 음극을 따라 상기 픽셀 부분을 분할함으로써 다수의 픽셀 열을 형성하는 단계; 및
    각 픽셀 열에 발광층을 형성하는 단계를 구비하고,
    상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
  24. 스트라이프 형태로 배열된 다수의 음극, 상기 다수의 음극과 교차하도록 스트라이프 형태로 배열된 다수의 양극, 상기 다수의 음극의 갭에 제공되는 다수의 뱅크, 및 상기 다수의 음극과 상기 다수의 양극 사이에 제공되는 다수의 발광층을 갖춘 픽셀 부분을 구비하는 EL 디스플레이 디바이스를 제작하는 방법에 있어서,
    상기 다수의 뱅크를 따라 상기 픽셀 부분을 나눔으로서 다수의 픽셀 열을 형성하는 단계; 및
    각 픽셀 열에 발광층을 형성하는 단계를 구비하고,
    상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
  25. 제 19 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 방법.
  26. 제 20 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 방법.
  27. 제 21 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 방법.
  28. 제 22 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 방법.
  29. 제 23 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 방법.
  30. 제 24 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층은 고분자 유기체 EL 물질을 구비하는 방법.
  31. 제 19 항에 있어서,
    상기 적색 발광층이 될 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층이 될 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층이 될 청색 발광층 적용 액체를 동시에 분리된 노즐로부터 방출하고, 방출된 상기 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층 적용 액체에 열처리를 실행하는 단계를 더 구비하는 방법.
  32. 제 20 항에 있어서,
    상기 적색 발광층이 될 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층이 될 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층이 될 청색 발광층 적용 액체를 동시에 분리된 노즐로부터 방출하고, 방출된 상기 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층적용 액체, 및 상기 청색 발광층 적용 액체에 열처리를 실행하는 단계를 더 구비하는 방법.
  33. 제 21 항에 있어서,
    상기 적색 발광층이 될 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층이 될 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층이 될 청색 발광층 적용 액체를 동시에 분리된 노즐로부터 방출하고, 방출된 상기 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층 적용 액체에 열처리를 실행하는 단계를 더 구비하는 방법.
  34. 제 22 항에 있어서,
    상기 적색 발광층이 될 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층이 될 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층이 될 청색 발광층 적용 액체를 동시에 분리된 노즐로부터 방출하고, 방출된 상기 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층 적용 액체에 열처리를 실행하는 단계를 더 구비하는 방법.
  35. 제 23 항에 있어서,
    상기 적색 발광층이 될 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층이 될 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층이 될 청색 발광층 적용 액체를 동시에 분리된 노즐로부터 방출하고, 방출된 상기 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층 적용 액체에 열처리를 실행하는 단계를 더 구비하는 방법.
  36. 제 24 항에 있어서,
    상기 적색 발광층이 될 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층이 될 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층이 될 청색 발광층 적용 액체를 동시에 분리된 노즐로부터 방출하고, 방출된 상기 적색 발광층 적용 액체, 상기 녹색 발광층 적용 액체, 및 상기 청색 발광층 적용 액체에 열처리를 실행하는 단계를 더 구비하는 방법.
  37. 제 19 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층 중 적어도 하나는 노즐로부터 방출된 적용 액체에 열처리를 실행함으로서 형성되고, 나머지 발광층은 스핀 코팅(spin coating) 방법, 프린팅(printing) 방법, 및 증발(evaporation) 방법으로 구성된 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 형성되는 방법.
  38. 제 20 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층 중 적어도 하나는 노즐로부터 방출된 적용 액체에 열처리를 실행함으로서 형성되고, 나머지 발광층은 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 및 증발 방법으로 구성된 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 형성되는 방법.
  39. 제 21 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층 중 적어도 하나는 노즐로부터 방출된 적용 액체에 열처리를 실행함으로서 형성되고, 나머지 발광층은 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 및 증발 방법으로 구성된 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 형성되는 방법.
  40. 제 22 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층 중 적어도 하나는 노즐로부터 방출된 적용 액체에 열처리를 실행함으로서 형성되고, 나머지 발광층은 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 및 증발 방법으로 구성된 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 형성되는 방법.
  41. 제 23 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층 중 적어도 하나는 노즐로부터 방출된 적용 액체에 열처리를 실행함으로서 형성되고, 나머지 발광층은 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 및 증발 방법으로 구성된 그룹으로부터 선택된방법에 의해 형성되는 방법.
  42. 제 24 항에 있어서,
    상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층, 및 상기 청색 발광층 중 적어도 하나는 노즐로부터 방출된 적용 액체에 열처리를 실행함으로서 형성되고, 나머지 발광층은 스핀 코팅 방법, 프린팅 방법, 및 증발 방법으로 구성된 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 형성되는 방법.
  43. EL 디스플레이 디바이스를 형성하는 방법에 있어서,
    기판 위에 적어도 2개의 인접한 픽셀을 갖는 픽셀 부분을 형성하는 단계; 및
    상기 기판에 대해 상대적으로 디스펜서(dispenser)를 이동시키는 동안 상기 디스펜서로부터 연속적으로 상기 2개의 인접한 픽셀에 발광층 적용을 제공하는 단계를 구비하고,
    상기 발광층 적용은 적색 발광층 적용, 녹색 발광층 적용, 및 청색 발광층 적용으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
  44. 제 43 항에 있어서,
    발광층을 형성하도록 열처리를 실행하는 단계를 더 구비하는 방법.
  45. EL 디스플레이 디바이스를 형성하는 방법에 있어서,
    기판 위에 적어도 하나의 픽셀 열을 갖는 픽셀 부분을 형성하는 단계; 및
    상기 기판에 대해 상대적으로 디스펜서를 이동시키는 동안 상기 디스펜서로부터 연속적으로 상기 하나의 픽셀 열에 발광층 적용을 제공하는 단계를 구비하고,
    상기 발광층 적용은 적색 발광층 적용, 녹색 발광층 적용, 및 청색 발광층 적용으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
  46. 제 45 항에 있어서,
    발광층을 형성하도록 열처리를 실행하는 단계를 더 구비하는 방법.
KR1020000059777A 1999-10-12 2000-10-11 Ｅｌ 디스플레이 디바이스 및 그를 제작하는 방법 KR100678361B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP99-290356 1999-10-12
JP29035699 1999-10-12
JP30177099 1999-10-22
JP99-301770 1999-10-22

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050095589A Division KR100834305B1 (ko) 1999-10-12 2005-10-11 디스플레이 디바이스

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010082530A true KR20010082530A (ko) 2001-08-30
KR100678361B1 KR100678361B1 (ko) 2007-02-05

Family

ID=26558014

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000059777A KR100678361B1 (ko) 1999-10-12 2000-10-11 Ｅｌ 디스플레이 디바이스 및 그를 제작하는 방법
KR1020050095589A KR100834305B1 (ko) 1999-10-12 2005-10-11 디스플레이 디바이스
KR1020070048753A KR100843117B1 (ko) 1999-10-12 2007-05-18 디스플레이 디바이스
KR1020070115582A KR100862549B1 (ko) 1999-10-12 2007-11-13 디스플레이 디바이스

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050095589A KR100834305B1 (ko) 1999-10-12 2005-10-11 디스플레이 디바이스
KR1020070048753A KR100843117B1 (ko) 1999-10-12 2007-05-18 디스플레이 디바이스
KR1020070115582A KR100862549B1 (ko) 1999-10-12 2007-11-13 디스플레이 디바이스

Country Status (6)

Country Link
US (7) US7473928B1 (ko)
EP (1) EP1093166A3 (ko)
JP (4) JP2008204961A (ko)
KR (4) KR100678361B1 (ko)
CN (2) CN101118923B (ko)
TW (1) TW468283B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7091660B2 (en) 2003-01-22 2006-08-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Polymer organic light emitting diode
KR101460653B1 (ko) * 2008-07-23 2014-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6617644B1 (en) * 1998-11-09 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6909114B1 (en) 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
US6277679B1 (en) 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
US7402467B1 (en) 1999-03-26 2008-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
TW512543B (en) 1999-06-28 2002-12-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
TW468283B (en) * 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
TW471011B (en) * 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
TW495808B (en) * 2000-02-04 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus
US7751600B2 (en) 2000-04-18 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. System and method for identifying an individual
US6822629B2 (en) 2000-08-18 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3628997B2 (ja) * 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
KR100404200B1 (ko) * 2001-07-12 2003-11-03 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 디스플레이 패널
JP4831892B2 (ja) 2001-07-30 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6861810B2 (en) 2001-10-23 2005-03-01 Fpd Systems Organic electroluminescent display device driving method and apparatus
US7483001B2 (en) 2001-11-21 2009-01-27 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
US6815723B2 (en) 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
CN101673508B (zh) 2002-01-18 2013-01-09 株式会社半导体能源研究所 发光器件
US7098069B2 (en) * 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
TWI285515B (en) * 2002-02-22 2007-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
JP4046267B2 (ja) * 2002-03-26 2008-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7579771B2 (en) 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) * 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
KR100464864B1 (ko) * 2002-04-25 2005-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7897979B2 (en) * 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6858464B2 (en) * 2002-06-19 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting device
JP4216008B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
US7663300B2 (en) * 2002-08-16 2010-02-16 Universal Display Corporation Organic light emitting devices for illumination
JP3729262B2 (ja) 2002-08-29 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
JP4373063B2 (ja) 2002-09-02 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
ATE468618T1 (de) 2002-09-03 2010-06-15 Cambridge Display Tech Ltd Verfahren zur herstellung eines optischen gerätes
JP3997888B2 (ja) 2002-10-25 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
CN101694871B (zh) * 2002-11-11 2012-12-05 株式会社半导体能源研究所 发光装置的制造方法
JPWO2004045253A1 (ja) * 2002-11-11 2006-03-16 松下電器産業株式会社 有機発光素子、有機発光素子の製造方法、画像形成装置、及び表示装置
KR100484092B1 (ko) * 2002-12-26 2005-04-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
KR20050094882A (ko) * 2003-01-27 2005-09-28 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 유기 ｅｌ 디스플레이의 제조 방법
JP4574118B2 (ja) 2003-02-12 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP4166783B2 (ja) 2003-03-26 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び素子基板
WO2004093500A1 (ja) * 2003-04-15 2004-10-28 Fujitsu Limited 有機ｅｌ表示装置
US7374977B2 (en) * 2003-12-17 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Droplet discharge device, and method for forming pattern, and method for manufacturing display device
KR100663028B1 (ko) * 2003-12-30 2006-12-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7315047B2 (en) 2004-01-26 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
KR100666551B1 (ko) * 2004-04-27 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
CN1965613B (zh) 2004-05-21 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 发光元件及使用该元件的发光装置
US20050282308A1 (en) * 2004-06-22 2005-12-22 Albrecht Uhlig Organic electroluminescent display device and method of producing the same
US7683532B2 (en) 2004-11-02 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and light emitting device
KR100685804B1 (ko) * 2004-12-14 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
US7432651B2 (en) * 2004-12-14 2008-10-07 Optrex Corporation Organic EL element, organic EL display device and method for fabricating them
US8633473B2 (en) 2004-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High contrast light emitting device and method for manufacturing the same
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4876415B2 (ja) * 2005-03-29 2012-02-15 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、デバイスの製造方法
US8866707B2 (en) * 2005-03-31 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, and apparatus using the display device having a polygonal pixel electrode
TWI280073B (en) * 2005-09-15 2007-04-21 Au Optronics Corp Organic light emitting diode display panel
KR100708897B1 (ko) * 2005-11-02 2007-04-18 손황 루어용 바늘
GB2432256B (en) * 2005-11-14 2009-12-23 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectrical device
JP4624309B2 (ja) * 2006-01-24 2011-02-02 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP4438782B2 (ja) * 2006-08-23 2010-03-24 ソニー株式会社 表示装置の製造方法および表示装置
JP4291837B2 (ja) * 2006-08-30 2009-07-08 株式会社沖データ 投写型表示装置および画像形成装置
US8293323B2 (en) * 2007-02-23 2012-10-23 The Penn State Research Foundation Thin metal film conductors and their manufacture
KR101440105B1 (ko) * 2007-02-23 2014-09-17 삼성전자주식회사 멀티 디스플레이 장치
KR100858823B1 (ko) * 2007-05-30 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2008311059A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Rohm Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
US8441018B2 (en) * 2007-08-16 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Direct bandgap substrates and methods of making and using
JP2009139678A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器並びに成膜方法
JP4725577B2 (ja) * 2007-12-28 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
KR100922761B1 (ko) * 2008-03-04 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR101629637B1 (ko) * 2008-05-29 2016-06-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막방법 및 발광장치의 제조방법
KR20100023559A (ko) * 2008-08-22 2010-03-04 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100993426B1 (ko) 2008-11-10 2010-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101023070B1 (ko) * 2008-11-24 2011-03-24 세메스 주식회사 기판 절단 방법
JP5377985B2 (ja) * 2009-01-13 2013-12-25 株式会社東芝 半導体発光素子
KR101147428B1 (ko) * 2009-02-09 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101613865B1 (ko) * 2009-03-26 2016-04-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
US20110024627A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. Proximity Sensor with Ceramic Housing and Light Barrier
WO2011021303A1 (ja) * 2009-08-21 2011-02-24 パイオニア株式会社 撮像装置
US9805641B2 (en) * 2009-09-04 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
KR102618171B1 (ko) 2009-09-16 2023-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
WO2011049230A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
KR101267534B1 (ko) * 2009-10-30 2013-05-23 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
WO2011089853A1 (en) 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN102714901B (zh) * 2010-07-15 2015-07-01 株式会社日本有机雷特显示器 有机el显示面板、有机el显示装置的制造方法
CN103222073B (zh) * 2010-08-03 2017-03-29 财团法人工业技术研究院 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法
JP5852810B2 (ja) 2010-08-26 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US8496341B2 (en) 2010-10-07 2013-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR101827551B1 (ko) 2010-10-15 2018-03-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5827104B2 (ja) 2010-11-19 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
US20120242708A1 (en) * 2011-03-23 2012-09-27 Au Optronics Corporation Active matrix electroluminescent display
US9721998B2 (en) 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
TWI473317B (zh) * 2011-11-17 2015-02-11 Au Optronics Corp 可撓性主動元件陣列基板以及有機電激發光元件
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US9190456B2 (en) * 2012-04-25 2015-11-17 Ignis Innovation Inc. High resolution display panel with emissive organic layers emitting light of different colors
US9065077B2 (en) * 2012-06-15 2015-06-23 Apple, Inc. Back channel etch metal-oxide thin film transistor and process
US8987027B2 (en) 2012-08-31 2015-03-24 Apple Inc. Two doping regions in lightly doped drain for thin film transistors and associated doping processes
US9685557B2 (en) 2012-08-31 2017-06-20 Apple Inc. Different lightly doped drain length control for self-align light drain doping process
KR20140029992A (ko) * 2012-08-31 2014-03-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 표시 장치
US8748320B2 (en) 2012-09-27 2014-06-10 Apple Inc. Connection to first metal layer in thin film transistor process
US8999771B2 (en) 2012-09-28 2015-04-07 Apple Inc. Protection layer for halftone process of third metal
KR101940761B1 (ko) * 2012-10-16 2019-04-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자표시장치
US9201276B2 (en) 2012-10-17 2015-12-01 Apple Inc. Process architecture for color filter array in active matrix liquid crystal display
CN102903733B (zh) * 2012-10-18 2016-01-06 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示面板及其显示装置
US8835912B2 (en) * 2012-10-18 2014-09-16 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Organic light-emitting diode and display device having the same
US8829507B2 (en) * 2012-12-06 2014-09-09 General Electric Company Sealed organic opto-electronic devices and related methods of manufacturing
JP2014132525A (ja) * 2013-01-04 2014-07-17 Japan Display Inc 有機ｅｌ表示装置
US9001297B2 (en) 2013-01-29 2015-04-07 Apple Inc. Third metal layer for thin film transistor with reduced defects in liquid crystal display
US9088003B2 (en) 2013-03-06 2015-07-21 Apple Inc. Reducing sheet resistance for common electrode in top emission organic light emitting diode display
KR102250061B1 (ko) * 2013-04-15 2021-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR102092924B1 (ko) 2013-08-05 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2015047056A1 (ko) * 2013-09-30 2015-04-02 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
DE112014007325B3 (de) 2013-12-02 2021-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und deren Herstellungsverfahren
JP6594863B2 (ja) * 2014-05-23 2019-10-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI765679B (zh) 2014-05-30 2022-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
KR102360783B1 (ko) 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102284756B1 (ko) 2014-09-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
DE102014119535A1 (de) * 2014-12-23 2016-06-23 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Ausbilden eines organischen optoelektronischen Bauelements
US10099800B2 (en) * 2015-05-08 2018-10-16 The Boeing Company Structurally embedded lighting for display panels and method of making the same
JP6685675B2 (ja) * 2015-09-07 2020-04-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
CN105097887B (zh) * 2015-09-28 2018-03-09 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
KR102403000B1 (ko) 2015-10-01 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
US10586817B2 (en) 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
JP2017207744A (ja) 2016-05-11 2017-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
US20170367219A1 (en) * 2016-06-16 2017-12-21 Asia Vital Components Co., Ltd. Vapor chamber structure
WO2018020333A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
TW201808628A (zh) 2016-08-09 2018-03-16 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
KR102393376B1 (ko) 2017-04-10 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이를 포함한 패턴 형성용 조성물의 경화물을 포함하는 전자 장치
CN107632454B (zh) * 2017-11-10 2020-07-28 北京京东方显示技术有限公司 显示面板、显示装置、显示面板的制作方法及驱动方法
KR102513383B1 (ko) * 2017-12-05 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
KR102569175B1 (ko) * 2018-04-24 2023-08-22 삼성전자 주식회사 Led디스플레이 및 이를 구비한 전자 장치
US11588137B2 (en) 2019-06-05 2023-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US11659758B2 (en) 2019-07-05 2023-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit, display module, and electronic device
US11844236B2 (en) 2019-07-12 2023-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
JP2020109830A (ja) * 2019-09-05 2020-07-16 住友化学株式会社 発光素子用組成物及びそれを含有する発光素子
KR20210106611A (ko) * 2020-02-20 2021-08-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220047419A (ko) 2020-10-08 2022-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (214)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3214381A (en) * 1962-12-05 1965-10-26 Bell Telephone Labor Inc Barium oxide moisture getter preparation
US3484793A (en) 1966-05-02 1969-12-16 Xerox Corp Image recording apparatus ink droplet recorder with optical input
US3878517A (en) 1973-06-01 1975-04-15 Sharp Kk Ink jet system of charge amplitude controlling type
US4067020A (en) 1976-09-20 1978-01-03 A. B. Dick Company Noninterrupt ink transfer system for ink jet printer
US4281332A (en) 1978-12-28 1981-07-28 Ricoh Company, Ltd. Deflection compensated ink ejection printing apparatus
US4357557A (en) 1979-03-16 1982-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha Glass sealed thin-film electroluminescent display panel free of moisture and the fabrication method thereof
JPS58165770U (ja) 1982-04-30 1983-11-04 オムロン株式会社 走査ヘツドの保持駆動装置
DE3538143A1 (de) 1985-10-26 1987-04-30 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von acyloxibenzolsulfonsaeuren und deren salzen
JPS6290260U (ko) 1985-11-27 1987-06-09
JPS62182619A (ja) 1986-02-06 1987-08-11 Yokogawa Electric Corp 容量式変換装置
US4737803A (en) 1986-07-09 1988-04-12 Fuji Xerox Co., Ltd. Thermal electrostatic ink-jet recording apparatus
US4788629A (en) * 1986-10-29 1988-11-29 Loctite Luminescent Systems, Inc. Instrument panel members
JPS63131494U (ko) 1987-02-19 1988-08-29
JPS6440888A (en) 1987-08-06 1989-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Color el display device
US5142677A (en) 1989-05-04 1992-08-25 Texas Instruments Incorporated Context switching devices, systems and methods
US5059148A (en) 1987-12-21 1991-10-22 Gte Products Corporation Thin film flat panel displays and method of manufacture
CA1335424C (en) 1987-12-29 1995-05-02 Tohei Moritani Multilayered packaging materials having high gas barrier property
JP2653099B2 (ja) 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
US4882518A (en) 1988-05-25 1989-11-21 The Cherry Corporation Back cap for an electroluminescent display
DE68917803T2 (de) 1988-06-13 1995-01-05 Nordson Corp Verfahren zum Anbringen einer isolierenden feuchtigkeitsgeschützten Schicht auf gedruckten Leiterplatten.
US5770892A (en) 1989-01-18 1998-06-23 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Field effect device with polycrystalline silicon channel
US5189405A (en) 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US4951064A (en) 1989-05-15 1990-08-21 Westinghouse Electric Corp. Thin film electroluminescent edge emitter assembly and integral packaging
DE3932171A1 (de) 1989-09-27 1991-04-04 Henkel Kgaa Universalklebespachtel
US4994540A (en) 1990-01-16 1991-02-19 Mobay Corporation Sag resistant, unfilled, low viscosity urethane structural adhesive
US5041190A (en) 1990-05-16 1991-08-20 Xerox Corporation Method of fabricating channel plates and ink jet printheads containing channel plates
US6375741B2 (en) * 1991-03-06 2002-04-23 Timothy J. Reardon Semiconductor processing spray coating apparatus
US5239228A (en) * 1990-07-02 1993-08-24 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film electroluminescence device for displaying multiple colors with groove for capturing adhesive
US5304419A (en) 1990-07-06 1994-04-19 Alpha Fry Ltd Moisture and particle getter for enclosures
WO1992010073A1 (en) * 1990-11-30 1992-06-11 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescence device
KR930005559B1 (ko) 1991-06-14 1993-06-23 삼성전관 주식회사 평판 디스플레이 장치
JP2766096B2 (ja) 1991-10-01 1998-06-18 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネル
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
DE69326745T2 (de) * 1992-06-01 2000-04-27 Advanced Tech Incubator Lichtsteuerelement für hochauflösende optische systeme und verfahren zu seiner herstellung
US5334539A (en) 1993-01-29 1994-08-02 Iowa State University Research Foundation, Inc. Fabrication of poly(p-phenyleneacetylene) light-emitting diodes
JPH07135323A (ja) 1993-10-20 1995-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体集積回路およびその作製方法
JP3431033B2 (ja) 1993-10-29 2003-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体作製方法
TW264575B (ko) 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5923962A (en) 1993-10-29 1999-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP3463362B2 (ja) * 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
US5844538A (en) 1993-12-28 1998-12-01 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix-type image display apparatus controlling writing of display data with respect to picture elements
JP3207693B2 (ja) 1994-12-13 2001-09-10 シャープ株式会社 画像表示装置
US5399390A (en) * 1994-01-27 1995-03-21 Motorola, Inc. Liquid crystal display with polymeric substrate
US5821003A (en) 1994-03-16 1998-10-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Organic electroluminescent device
JPH07272848A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 Nippondenso Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
JP2795207B2 (ja) * 1994-03-31 1998-09-10 株式会社デンソー エレクトロルミネッセンス表示器及びその製造方法
JP3034438B2 (ja) 1994-03-31 2000-04-17 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造装置
JP2701738B2 (ja) * 1994-05-17 1998-01-21 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP2839134B2 (ja) 1994-05-20 1998-12-16 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置を備えた装置の製造方法及びカラーフィルタの隣接する着色部間の混色の低減方法
US5757396A (en) 1994-06-30 1998-05-26 Compaq Computer Corporation Ink jet printhead having an ultrasonic maintenance system incorporated therein and an associated method of maintaining an ink jet printhead by purging foreign matter therefrom
JP3254335B2 (ja) 1994-09-08 2002-02-04 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子の封止方法および有機ｅｌ素子
EP0781075B1 (en) 1994-09-08 2001-12-05 Idemitsu Kosan Company Limited Method for sealing organic el element and organic el element
JPH0885203A (ja) 1994-09-14 1996-04-02 Nikon Corp インクジェットプリンタ
JP3372671B2 (ja) 1994-09-14 2003-02-04 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法及び製造装置
US5985356A (en) 1994-10-18 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Combinatorial synthesis of novel materials
AU3795395A (en) 1994-11-30 1996-06-06 Ethicon Inc. Hard tissue bone cements and substitutes
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
JP2850820B2 (ja) 1995-02-09 1999-01-27 株式会社デンソー Ｅｌ素子
US5663573A (en) 1995-03-17 1997-09-02 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
JP3539821B2 (ja) 1995-03-27 2004-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100265179B1 (ko) 1995-03-27 2000-09-15 야마자끼 순페이 반도체장치와 그의 제작방법
JPH0922779A (ja) * 1995-07-04 1997-01-21 Nippondenso Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネル
JP3124722B2 (ja) 1995-07-31 2001-01-15 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法及び製造装置及びカラーフィルタの区画された領域間の混色の低減方法及びカラーフィルタの区画された領域へのインク付与位置の精度向上方法及びカラーフィルタの区画された領域の着色ムラ低減方法
US5834894A (en) 1995-09-14 1998-11-10 Casio Computer Co., Ltd. Carrier injection type organic electro-luminescent device which emits light in response to an application of a voltage
US5736754A (en) 1995-11-17 1998-04-07 Motorola, Inc. Full color organic light emitting diode array
JPH09148066A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Pioneer Electron Corp 有機ｅｌ素子
EP0864182B1 (en) 1995-11-28 2003-08-13 International Business Machines Corporation Organic/inorganic alloys used to improve organic electroluminescent devices
JP3736881B2 (ja) 1996-01-25 2006-01-18 三星エスディアイ株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3289125B2 (ja) 1996-03-15 2002-06-04 ソニーケミカル株式会社 光情報記録媒体
US5981092A (en) 1996-03-25 1999-11-09 Tdk Corporation Organic El device
JP2833573B2 (ja) * 1996-03-28 1998-12-09 日本電気株式会社 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
JP3539125B2 (ja) 1996-04-18 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光素子の製造方法
JP3113212B2 (ja) 1996-05-09 2000-11-27 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの蛍光体層形成装置および蛍光体塗布方法
JP3253525B2 (ja) 1996-06-07 2002-02-04 松下電器産業株式会社 液晶用カラーフィルターの作成方法およびその作成方法により得た液晶用カラーフィルター
JP3036436B2 (ja) * 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機ｅｌ表示体の製造方法
US5817366A (en) 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
JPH1060331A (ja) 1996-08-13 1998-03-03 Kao Corp インクジェット記録用インクの製造方法
US20020075422A1 (en) 1996-09-19 2002-06-20 Seiko Epson Corporation Matrix type display device and manufacturing method thereof
CN100485904C (zh) 1996-09-19 2009-05-06 精工爱普生株式会社 矩阵式显示元件及其制造方法
JPH10134959A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Sharp Corp 薄膜ｅｌパネル
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
DE69739633D1 (de) * 1996-11-28 2009-12-10 Casio Computer Co Ltd Anzeigevorrichtung
JPH10161563A (ja) 1996-11-29 1998-06-19 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
ID21831A (id) 1996-12-17 1999-07-29 Toray Industries Metoda dan peralatan untuk menghasilkan tampilan plasma
JP3408090B2 (ja) 1996-12-18 2003-05-19 ステラケミファ株式会社 エッチング剤
US6117529A (en) 1996-12-18 2000-09-12 Gunther Leising Organic electroluminescence devices and displays
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US5928794A (en) 1996-12-24 1999-07-27 Dow Corning Gmbh Addition curable composition having self adhesion to substrates
KR100226548B1 (ko) 1996-12-24 1999-10-15 김영환 웨이퍼 습식 처리 장치
JP3463971B2 (ja) 1996-12-26 2003-11-05 出光興産株式会社 有機アクティブｅｌ発光装置
JPH10189238A (ja) * 1996-12-27 1998-07-21 Sony Corp 光学的素子及びその製造方法
US5990615A (en) 1997-02-03 1999-11-23 Nec Corporation Organic electroluminescent display with protective layer on cathode and an inert medium
JPH10275682A (ja) * 1997-02-03 1998-10-13 Nec Corp 有機ｅｌ素子
US5869929A (en) 1997-02-04 1999-02-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Multicolor luminescent device
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
KR100544821B1 (ko) 1997-02-17 2006-01-24 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치
JP3485749B2 (ja) * 1997-02-17 2004-01-13 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US6462722B1 (en) * 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
JP4401448B2 (ja) 1997-02-24 2010-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3544280B2 (ja) 1997-03-27 2004-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH10282321A (ja) * 1997-04-09 1998-10-23 Asahi Glass Co Ltd カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ
JPH1125852A (ja) 1997-05-09 1999-01-29 Canon Inc 電子源の製造方法、電子源、画像形成装置の製造方法、画像形成装置及び電子源基板の製造装置
US6220912B1 (en) 1997-05-09 2001-04-24 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for producing electron source using dispenser to produce electron emitting portions
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
US6175345B1 (en) 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
US5972419A (en) 1997-06-13 1999-10-26 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display and method for making the same
US5920080A (en) 1997-06-23 1999-07-06 Fed Corporation Emissive display using organic light emitting diodes
JP3911775B2 (ja) 1997-07-30 2007-05-09 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
US6843937B1 (en) 1997-07-16 2005-01-18 Seiko Epson Corporation Composition for an organic EL element and method of manufacturing the organic EL element
JPH1140346A (ja) 1997-07-22 1999-02-12 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネセンス表示装置
JPH1140370A (ja) * 1997-07-24 1999-02-12 Toray Ind Inc 有機ｅｌディスプレイ
JPH1154272A (ja) * 1997-07-31 1999-02-26 Seiko Epson Corp 発光ディスプレイの製造方法
JP3580092B2 (ja) 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP3861400B2 (ja) * 1997-09-01 2006-12-20 セイコーエプソン株式会社 電界発光素子およびその製造方法
US6274979B1 (en) 1997-09-17 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated Organic light emitting diodes
KR20010031169A (ko) * 1997-10-17 2001-04-16 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 잉크젯 인쇄기술을 사용한 유기 반도체 디바이스 제조방법및 디바이스 및 이를 사용하는 시스템
US6134020A (en) 1997-11-17 2000-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Serial printer with addressable print buffer
KR100249784B1 (ko) 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
JP3827839B2 (ja) 1997-11-27 2006-09-27 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JPH11185674A (ja) 1997-12-24 1999-07-09 Futaba Corp 表示管用陽極基板とその製造方法
JP4003273B2 (ja) 1998-01-19 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法および基板製造装置
EP1060416A1 (en) 1998-01-28 2000-12-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Infrared interference filter
US6476783B2 (en) 1998-02-17 2002-11-05 Sarnoff Corporation Contrast enhancement for an electronic display device by using a black matrix and lens array on outer surface of display
JP3543170B2 (ja) 1998-02-24 2004-07-14 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
JPH11251059A (ja) 1998-02-27 1999-09-17 Sanyo Electric Co Ltd カラー表示装置
JPH11248925A (ja) * 1998-03-03 1999-09-17 Seiko Epson Corp フィルター製造装置とフィルター製造方法
US6900132B2 (en) * 1998-03-13 2005-05-31 Semitool, Inc. Single workpiece processing system
JPH11268296A (ja) 1998-03-26 1999-10-05 Toshiba Corp インクジェット記録装置
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
DE19829679A1 (de) 1998-07-03 2000-01-05 Hartmann & Laemmle Hydraulische Antriebseinrichtung für eine Widerstands-Schweißmaschine
JP4030193B2 (ja) 1998-07-16 2008-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6394578B1 (en) 1998-09-02 2002-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Production process of color filter, liquid crystal display device using the color filter produced by the production process, and ink-jet head
JP2000173766A (ja) 1998-09-30 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US6566153B1 (en) * 1998-10-14 2003-05-20 The Regents Of The University Of California Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6617644B1 (en) 1998-11-09 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6365917B1 (en) * 1998-11-25 2002-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6277679B1 (en) * 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
US6545359B1 (en) * 1998-12-18 2003-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring line and manufacture process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof
US6380007B1 (en) * 1998-12-28 2002-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US6639244B1 (en) 1999-01-11 2003-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP4246830B2 (ja) * 1999-01-14 2009-04-02 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
US6306559B1 (en) 1999-01-26 2001-10-23 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device comprising a patterned photosensitive composition and a method for producing same
US6506635B1 (en) * 1999-02-12 2003-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method of forming the same
US6674136B1 (en) * 1999-03-04 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having driver circuit and pixel section provided over same substrate
JP4578609B2 (ja) 1999-03-19 2010-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置
US6531713B1 (en) 1999-03-19 2003-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and manufacturing method thereof
GB2348442B (en) 1999-03-31 2001-08-22 Dca B Consultants Ltd Composite panel and method of manufacture
JP3940523B2 (ja) 1999-04-27 2007-07-04 セイコーエプソン株式会社 インクジェット方式カラーフィルタ用樹脂組成物、カラーフィルタおよびカラーフィルタの製造方法
JP4136185B2 (ja) * 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
TW512543B (en) 1999-06-28 2002-12-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
JP2001035659A (ja) 1999-07-15 2001-02-09 Nec Corp 有機エレクトロルミネセント素子およびその製造方法
JP3895077B2 (ja) * 1999-09-10 2007-03-22 シャープ株式会社 有機ｌｅｄディスプレイの製造方法
US6641933B1 (en) * 1999-09-24 2003-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting EL display device
US6833668B1 (en) 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
JP4854840B2 (ja) 1999-10-12 2012-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW471011B (en) 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus
KR100313248B1 (ko) 1999-12-14 2001-11-07 구본준, 론 위라하디락사 칼라필터
TW493152B (en) * 1999-12-24 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Electronic device
US6750835B2 (en) * 1999-12-27 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image display device and driving method thereof
US6228555B1 (en) 1999-12-28 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Thermal mass transfer donor element
TW480727B (en) * 2000-01-11 2002-03-21 Semiconductor Energy Laboratro Semiconductor display device
US6747638B2 (en) * 2000-01-31 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor
US6702407B2 (en) * 2000-01-31 2004-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Color image display device, method of driving the same, and electronic equipment
TW495808B (en) 2000-02-04 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus
TW521303B (en) * 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
TW495809B (en) * 2000-02-28 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film forming device, thin film forming method, and self-light emitting device
JP2001318627A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
TW495812B (en) * 2000-03-06 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device
TW495854B (en) * 2000-03-06 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI226205B (en) * 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
US6226890B1 (en) 2000-04-07 2001-05-08 Eastman Kodak Company Desiccation of moisture-sensitive electronic devices
US7579203B2 (en) 2000-04-25 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6611108B2 (en) * 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
TW531901B (en) * 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW554638B (en) * 2000-05-12 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP3627914B2 (ja) 2000-05-23 2005-03-09 シャープ株式会社 車両の周囲監視システム
JP4841754B2 (ja) 2000-06-13 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の発光装置、及び電子機器
US6528951B2 (en) 2000-06-13 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP3840926B2 (ja) 2000-07-07 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、並びに電子機器
JP3815269B2 (ja) * 2000-07-07 2006-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US6822629B2 (en) * 2000-08-18 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4086498B2 (ja) 2000-11-29 2008-05-14 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
US6795138B2 (en) 2001-01-11 2004-09-21 Sipix Imaging, Inc. Transmissive or reflective liquid crystal display and novel process for its manufacture
TWI264963B (en) 2001-03-29 2006-10-21 Hitachi Ltd Organic EL display and production device of color filter
JP3724725B2 (ja) 2001-11-01 2005-12-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US6770502B2 (en) 2002-04-04 2004-08-03 Eastman Kodak Company Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures
US7242140B2 (en) * 2002-05-10 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same
US6911772B2 (en) 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast
JP4257163B2 (ja) 2002-11-12 2009-04-22 セイコーエプソン株式会社 描画装置におけるノズルの異常判別方法および描画装置、並びに電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP4511141B2 (ja) 2002-11-26 2010-07-28 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出ヘッドへの機能液充填装置、並びに液滴吐出装置、電気光学装置および電気光学装置の製造方法
JP2004212814A (ja) 2003-01-07 2004-07-29 Sharp Corp カラーフィルタ製造方法、カラーフィルタ、及び表示装置
US6908045B2 (en) * 2003-01-28 2005-06-21 Casio Computer Co., Ltd. Solution spray apparatus and solution spray method
EP1592053B1 (en) 2003-02-05 2011-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring fabricating method
JP4048979B2 (ja) * 2003-02-28 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 ノズル孔の画像認識方法およびこれを用いた液滴吐出ヘッドの位置補正方法、ノズル孔の検査方法、ノズル孔の画像認識装置およびこれを備えた液滴吐出装置
KR101115291B1 (ko) 2003-04-25 2012-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액적 토출 장치, 패턴의 형성 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
US7691685B2 (en) * 2004-01-26 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4049105B2 (ja) 2004-02-24 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 ワイピング装置および液滴吐出装置、並びに電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP4225238B2 (ja) 2004-04-21 2009-02-18 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置並びに電子機器
US7494923B2 (en) * 2004-06-14 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of wiring substrate and semiconductor device
US7985677B2 (en) 2004-11-30 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
EP2388232B9 (en) * 2005-06-06 2019-03-06 Entegris, Inc. Process fluid dispensing system and method
JP4640085B2 (ja) * 2005-09-30 2011-03-02 カシオ計算機株式会社 表示パネル
WO2008047928A1 (en) 2006-10-19 2008-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5066996B2 (ja) 2007-04-23 2012-11-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置
JP2008310974A (ja) 2007-06-12 2008-12-25 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその製造方法
KR100917750B1 (ko) * 2007-09-17 2009-09-15 삼성에스디아이 주식회사 배터리 팩
JP4725577B2 (ja) 2007-12-28 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
EP2192794B1 (en) 2008-11-26 2017-10-04 Oticon A/S Improvements in hearing aid algorithms

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7091660B2 (en) 2003-01-22 2006-08-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Polymer organic light emitting diode
KR101460653B1 (ko) * 2008-07-23 2014-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1093166A2 (en) 2001-04-18
KR100678361B1 (ko) 2007-02-05
JP2011142110A (ja) 2011-07-21
US20070029548A1 (en) 2007-02-08
US7548023B2 (en) 2009-06-16
US20090109143A1 (en) 2009-04-30
JP2011096670A (ja) 2011-05-12
JP2012094537A (ja) 2012-05-17
US20120056190A1 (en) 2012-03-08
US7989812B2 (en) 2011-08-02
US20090269871A1 (en) 2009-10-29
JP5235234B2 (ja) 2013-07-10
US8884301B2 (en) 2014-11-11
CN101118923B (zh) 2010-12-29
KR20070072441A (ko) 2007-07-04
KR20050104316A (ko) 2005-11-02
TW468283B (en) 2001-12-11
KR100834305B1 (ko) 2008-06-02
CN1265470C (zh) 2006-07-19
KR20070112447A (ko) 2007-11-26
EP1093166A3 (en) 2003-08-27
JP2008204961A (ja) 2008-09-04
US8319224B2 (en) 2012-11-27
KR100843117B1 (ko) 2008-07-02
CN101118923A (zh) 2008-02-06
US8133748B2 (en) 2012-03-13
US20060180826A1 (en) 2006-08-17
US7521722B2 (en) 2009-04-21
US20050012445A1 (en) 2005-01-20
KR100862549B1 (ko) 2008-10-09
US7473928B1 (en) 2009-01-06
CN1291792A (zh) 2001-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100678361B1 (ko) Ｅｌ 디스플레이 디바이스 및 그를 제작하는 방법
JP4854840B2 (ja) 発光装置の作製方法
KR100823582B1 (ko) 성막 방법 및 발광장치 제조방법
KR100713028B1 (ko) 발광 표시장치 제작방법
KR100733903B1 (ko) 발광장치 제작방법
KR100682803B1 (ko) 전자 장치
KR20010050933A (ko) 전기광학장치 및 그 제작 방법
KR20010087326A (ko) 박막 형성 장치, 박막 형성 방법 및 자기 발광 장치
JP4601842B2 (ja) 薄膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130104

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160104

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180103

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190103

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200103

Year of fee payment: 14